KR20170020727A - 개구부 가장자리에 금속이 도포된 2차원 소재/금속 복합재 및 이의 응용 - Google Patents

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Abstract

개구부 가장자리에 금속이 도포된 2차원 소재/금속 복합재 및 이의 응용을 제공한다. 2차원 소재/금속 복합재는 다수의 개구부들을 갖는 2차원 소재층과 상기 각 개구부의 가장자리에 도포된 금속을 구비한다.

Description

개구부 가장자리에 금속이 도포된 2차원 소재/금속 복합재 및 이의 응용 {2-dimensional material/metal composite having opening whose edge is deposited with metal and application of the composite}
본 발명은 2차원 소재에 관한 것으로, 보다 상세하게는 2차원 소재/금속 복합재에 관한 것이다.
2차원 소재는 일반적으로 10층 이하 바람직하게는 1원자층의 매우 얇은 두께를 갖는 물질을 의미하며, 대표적 2차원 소재에는 그래핀이 있다.
그래핀은 3차원의 벌크소재와는 다른 열적, 기계적, 전기적 성질을 지닌다. 구체적으로, 기계적 강성, 강도, 연성이 우수하고, 또한 전기 및 열 전도도가 우수한 것으로 알려져 있다. 이러한 그래핀의 우수한 특성으로 인해 그래핀은 에너지 저장소자, 에너지 변환 소자, 센서, 촉매, 및 바이오 응용소자 등에서 많이 적용되고 있다.
이러한 소자 등에 응용될 때, 그래핀 상에 여러가지 기능성 물질이 결합될 수 있다. 일 예로서, 대한민국 등록특허 1331021호는 그래핀 상에 항체가 결합된 바이오 센서를 개시하고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기능성 물질과의 결합력이 향상된 2차원 소재/금속 복합재 및 이의 응용을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 2차원 소재/금속 복합재를 제공한다. 2차원 소재/금속 복합재는 다수의 개구부들을 갖는 2차원 소재층과 상기 각 개구부의 가장자리에 도포된 금속을 구비한다.
상기 금속은 상기 2차원 소재에 화학적으로 결합될 수 있다. 상기 금속은 다수의 금속입자들일 수 있다. 상기 개구부의 가장자리에 형성된 금속입자의 밀도는 상기 2차원 소재의 표면 상의 금속입자의 밀도에 비해 클 수 있다. 상기 2차원 소재층는 그래핀, 전이금속 칼코게나이드(transition metal dichalcogenides) 또는 이들의 복합층일 수 있다. 상기 금속은 Ag, Pt, Au, Pd, 또는 이들의 복합금속을 함유할 수 있다. 상기 개구부들은 상기 2차원 소재의 결정면을 관통할 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 일 측면은 2차원 소재/금속 복합재 제조방법을 제공한다. 먼저, 다수의 개구부들을 구비하고 상기 각 개구부의 가장자리에 댕글링 본드들이 위치하는 2차원 소재를 제공한다. 상기 개구부의 가장자리에 금속을 도포한다.
상기 금속은 다수의 금속입자들일 수 있다. 상기 개구부의 가장자리에 형성된 금속입자의 밀도는 상기 2차원 소재의 표면 상의 금속입자의 밀도에 비해 클 수 있다. 상기 2차원 소재층는 그래핀, 전이금속 칼코게나이드(transition metal dichalcogenides) 또는 이들의 복합층일 수 있다. 상기 금속은 Ag, Pt, Au, Pd, 또는 이들의 복합금속을 함유할 수 있다. 상기 개구부들은 상기 2차원 소재의 결정면을 관통할 수 있다. 상기 개구부의 가장자리에 금속을 도포하는 단계는 전기도금법을 사용하여 수행할 수 있다.
상기 전기도금법을 사용하여 금속을 도포하는 단계는 상기 2차원 소재에 양의 전압을 인가하여, 상기 개구부 가장자리에 댕글링 본드의 밀도를 높이는 단계; 상기 2차원 소재에 음의 전압을 인가하여, 상기 개구부 가장자리에 금속핵을 형성하는 단계; 및 상기 금속핵 형성을 위한 음의 전압에 비해 낮은 절대값의 음의 전압을 상기 2차원 소재에 인가하여, 상기 금속핵 상에 금속을 성장시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 또 다른 일 측면은 가스 센서를 제공한다. 가스 센서는 기판과 상기 기판 상에 배치된 상기 2차원 소재/금속 복합재를 구비한다. 상기 2차원 소재/금속 복합재에 한 쌍의 전극들이 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 2차원 소재/금속 복합재의 2차원 소재는 그래핀이고, 금속은 Pd 또는 Pt일 수 있다. 이와는 달리, 상기 2차원 소재/금속 복합재의 2차원 소재는 텅스텐 다이설파이드이고, 금속은 Ag일 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 댕글링 본드가 많은 개구부의 가장자리에 금속을 선택적으로 도포함에 따라 금속과 2차원 소재 사이의 결합력을 향상된 2차원 소재/금속 복합재를 얻을 수 있고, 또한 2차원 소재/금속 복합재의 응용에 있어 성능이 향상된 소자를 얻을 수 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급한 것으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 다수의 개구부를 갖는 2차원 소재 제조방법을 나타낸 개략도들이다.
도 2는 다수의 개구부들을 갖는 2차원 소재를 나타낸 사시도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 2차원 소재/금속 복합재의 제조 방법을 나타낸 개략도들이다.
도 5는 도 3을 예로 들어 설명한 도금 과정에서, 2차원 소재에 가해지는 바이어스 전압을 시간에 따라 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 센서를 나타낸 사시도이다.
도 7은 2차원 소재 제조예에 따른 2차원 소재를 촬영한 SEM 사진이다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 도면들에 있어서, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 다수의 개구부를 갖는 2차원 소재 제조방법을 나타낸 개략도들이다.
도 1a를 참조하면, 기판(10) 상에 2차원 소재 형성용 촉매층(12)를 형성할 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 기판(10)이 2차원 소재 형성용 촉매물질을 함유하거나 그 물질로 이루어진 경우에는 상기 촉매층(12)을 형성하지 않을 수도 있다. 상기 촉매층(12)는 니켈, 구리 또는 이들의 조합층일 수 있다.
상기 촉매층(12) 상에 입자들(15)을 배치시킬 수 있다. 입자들(15)는 무기입자 또는 유기입자일 수 있다. 무기입자는 실리카 입자 또는 알루미나 입자일 수 있고, 유기입자는 폴리스티렌(polystyrene) 입자, 폴리아크릴레이트 입자(예를 들어, 폴리메틸메타크릴레이트(poly(methyl methacrylate)) 입자), 폴리에스터 입자, 폴리아크릴로니트릴 입자, 또는 폴리카보네이트 입자일 수 있다. 상기 입자들(15)은 구의 형태를 갖는 비드일 수 있다. 또한, 상기 촉매층(12) 상에 입자들(15)을 배치시키는 것은, 상기 입자들이 분산된 콜로이드 용액을 사용한 딥-코팅법, 스핀-코팅법, 스프레이-코팅법 등의 코팅법; 잉크젯 프린팅, 콘택 프린팅, 오프셋 프린팅 등의 프린팅법; 또는 전기영동법 등의 방법을 사용하여 수행할 수 있다. 이러한 입자들(15)의 크기는 나노미터 내지 마이크로미터 사이즈 예를 들어, 1nm 내지 10um의 직경을 가질 수 있다.
도 1b를 참조하면, 상기 입자들(15) 사이의 촉매층(12) 상에 2차원 소재층 (20)을 형성할 수 있다. 일 예로서, 화학기상증착법 (CVD)을 사용할 수 있다.
상기 2차원 소재층(20)은 1 내지 10, 예를 들어 1 내지 5, 1 내지 3, 또는 1원자층의 매우 얇은 두께를 갖는 층으로서, 그래핀; 니오븀 다이설파이드(niobium disulfide, NbS2), 텅스텐 다이설파이드(tungsten disulfide, WS2), 및 몰리브데늄 다이설파이드(molybdenum disulfide, MoS2)와 같은 전이금속 칼코게나이드(transition metal dichalcogenides); 또는 이들의 복합층일 수 있다. 이러한 2차원 소재층(20)의 폭은 나노미터 사이즈 혹은 마이크로미터 사이즈를 가질 수 있다.
도 1c를 참조하면, 상기 입자들(15)을 식각하여, 상기 입자들(15)에 의해 정의된 다수의 개구부들(20a)을 갖는 2차원 소재층(20)을 얻을 수 있다. 상기 입자들(15)을 식각하는 것은 적절한 식각액을 사용하여 수행할 수 있다. 예를 들어, 상기 입자(15)가 무기 입자 일 예로, 실리카 입자인 경우 NH4F로 완충된 HF 용액, 또는 상기 입자(15)가 유기 입자인 경우 아세톤 등을 사용하여 식각할 수 있다.
도 2는 다수의 개구부들을 갖는 2차원 소재를 나타낸 사시도이다.
도 2를 참조하면, 2차원 소재(20)는 1 내지 10, 예를 들어 1 내지 5, 1 내지 3, 또는 1원자층의 매우 얇은 두께를 갖는 물질로서, 그래핀; 니오븀 다이설파이드(niobium disulfide, NbS2), 텅스텐 다이설파이드(tungsten disulfide, WS2), 및 몰리브데늄 다이설파이드(molybdenum disulfide, MoS2)와 같은 전이금속 칼코게나이드(transition metal dichalcogenides); 또는 이들의 복합층일 수 있다. 이러한 2차원 소재(20)의 폭은 나노미터 사이즈 혹은 마이크로미터 사이즈를 가질 수 있다.
개구부들(20a)은 2차원 소재(20) 구체적으로 2차원 소재(20)의 결정면을 관통할 수 있고, 나노미터 내지 마이크로미터 사이즈 예를 들어, 1nm 내지 10um의 직경을 가질 수 있다. 또한, 개구부들(20a)의 가장자리에는 다수의 댕글링 본드(dangling bond)가 노출될 수 있다.
이러한 2차원 소재의 제조방법은 도 1a 내지 도 1c를 참조하여 설명한 방법에 한정되지 않고, 기판 상에 2차원 소재층을 적층한 후 상기 2차원 소재층 상에 다수의 홀들(holes)를 갖는 식각 마스크층을 형성한 후, 상기 식각 마스크층을 마스크로 하여 상기 홀들 내에 노출된 2차원 소재층을 식각하고 상기 식각 마스크층을 제거하여, 다수의 개구부를 갖는 2차원 소재를 제조할 수 도 있다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 2차원 소재/금속 복합재의 제조 방법을 나타낸 개략도들이다.
도 3을 참조하면, 다수의 개구부(20a)를 갖는 2차원 소재(20)를 홀더(30) 상에 배치시킬 수 있다. 이 후, 상기 2차원 소재(20)의 일부 영역에 도선(40)을 연결할 수 있다. 상기 도선(40)이 연결된 2차원 소재(20)를 도금액(50) 내에 담글 수 있다. 상기 도금액(50)은 금속 전구체 예를 들어, 금속 이온 등을 포함한 전해질액일 수 있고, 첨가제를 추가로 함유할 수 있다. 상기 도금액(50) 내에 상대전극(60)과 기준전극(70)이 추가로 담겨질 수 있다. 상대전극(60)은 금전극일 수 있고, 기준전극(70)은 Ag/AgCl일 수 있다. 금속 전구체는 금속염일 수 있다.
도 4를 참조하면, 도선(40)을 통해 상기 2차원 소재(20)에 전압를 가하여, 상기 개구부(20a)의 가장자리에 선택적으로 금속(25)을 도포함으로써, 2차원 소재/금속 복합재(20′)를 얻을 수 있다. 이러한 2차원 소재/금속 복합재(20′)는 다수의 개구부들(20a)를 갖는 2차원 소재와 상기 개구부(20a) 가장자리에 결합된 금속 (25)을 구비한다. 금속(25)은 개구부(20a)의 가장자리에만 도포된 것으로 도시되었으나, 이에 한정되지 않고 2차원 소재(20)의 가장자리들에도 형성될 수 있다.
상기 금속(25)은 다수의 금속입자들의 집합체 형태를 가질 수 있다. 상기 금속(25)은 예를 들어, Ag, Pt, Au, Pd, 또는 이들의 복합금속으로 이루어지거나 혹은 이들 중 적어도 하나를 함유할 수 있다.
도 5는 도 3을 예로 들어 설명한 도금 과정에서, 2차원 소재에 가해지는 바이어스 전압을 시간에 따라 나타낸 그래프이다.
도 3, 도 4, 및 도 5를 참조하면, 2차원 소재(20)에 산화전압(Eox) 구체적으로, 비교적 큰 양의 전압이 가해질 수 있다. 이 경우, 2차원 소재(20)의 개구부(20a) 가장자리에 전압이 집중될 수 있어 이 부분의 결합을 끊게 되고, 그 결과 개구부(20a) 가장자리에 댕글링 본드의 밀도가 높아질 수 있다. 또한 상기 댕글링 본드에는 -OH 또는 -COOH의 산소 함유 작용기가 생성될 수 있다. 이러한 양의 전압은 0.6V 내지 1.0V일 수 있다.
그 후, 2차원 소재(20)에 핵발생 환원 전압(Enu) 구체적으로, 비교적 큰 절대값을 갖는 음의 전압을 가할 수 있다. 이 경우, 전해액 내의 금속이온이 상기 개구부(20a)의 가장자리에 형성된 댕글링 본드 또는 산소 함유 작용기에 결합 예를 들어, 화학적으로 결합하면서 금속핵을 형성할 수 있다. 이러한 음의 전압은 -0.6V 내지 -1.0V일 수 있다.
이 후, 2차원 소재(20)에 성장 환원 전압(Egrow) 구체적으로, 비교적 낮은 절대값을 갖는 음의 전압을 인가할 수 있다. 이러한 음의 전압은 -0.4V 내지 -0.1V일 수 있다. 이 단계에서는 상기 개구부(20a)의 가장자리에 생성된 금속핵 상에서 전해액 내의 금속이온이 지속적으로 환원되어 적층될 수 있고, 그 결과 상기 개구부(20a) 가장자리에 금속(25) 예를 들어, 금속입자들이 성장될 수 있다. 금속(25)은 2차원 소재(20)에 화학적으로 결합할 수 있다. 상기 금속입자(25)의 사이즈는 나노미터 사이즈, 예를 들어, 1 내지 100nm, 구체적으로 10 내지 50nm, 더 구체적으로는 15 nm내지 25 nm일 수 있다.
상기 금속핵 및 금속성장과정에서, 댕글링 본드가 존재하는 2차원 소재(20)의 가장자리들에도 상기 금속핵 및 금속이 성장될 수 있다. 또한, 2차원 소재(20)의 표면 상에 댕글링 본드가 존재하는 경우, 표면 상의 댕글링 본드 상에도 금속이 성장할 수 있다. 그러나, 개구부(20a)의 가장자리에 비해 표면 상에는 댕글링 본드의 밀도는 적으므로, 개구부(20a)의 가장 자리에 형성된 금속의 량 구체적으로 금속입자의 밀도는 표면 상의 금속의 량 또는 금속입자의 밀도에 비해 클 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 센서를 나타낸 사시도이다.
도 6을 참조하면, 가스 센서는 지지 기판(80) 상에 배치된 2차원 소재/금속 복합재(20′)를 포함할 수 있다. 2차원 소재/금속 복합재(20′)는 다수의 개구부들(20a)을 갖는 2차원 소재(20)와 상기 개구부(20a) 가장자리에 결합된 금속(25)을 구비한다.
2차원 소재(20)는 그래핀; 니오븀 다이설파이드(niobium disulfide, NbS2), 텅스텐 다이설파이드(tungsten disulfide, WS2), 및 몰리브데늄 다이설파이드(molybdenum disulfide, MoS2)와 같은 전이금속 칼코게나이드(transition metal dichalcogenides); 또는 이들의 복합층일 수 있다. 이러한 복합재(20′)의 폭은 마이크로미터 사이즈를 가질 수 있다. 상기 금속(25)은 다수의 금속입자들의 집합체 형태를 가질 수 있다. 상기 금속(25)은 예를 들어, Ag, Pt, Au, Pd, 또는 이들의 복합금속으로 이루어지거나 혹은 이들 중 적어도 하나를 함유할 수 있다.
예를 들어, 상기 2차원 소재/금속 복합재(20′)가 그래핀/Pd 복합재 또는 그래핀/Pt 복합재인 경우, 상기 가스 센서는 수소 센서일 수 있다. 또는, 상기 2차원 소재/금속 복합재(20′)가 텅스텐 다이설파이드/Ag 복합재인 경우, 상기 가스 센서는 이산화질소 센서일 수 있다.
2차원 소재/금속 복합재(20′) 상에 센싱 전극들(81, 83)이 배치될 수 있다.
이러한 가스 센서에서, 상기 금속(25)은 가스와 반응하여 전하를 발생시킬 수 있고 발생된 전하는 상기 금속(25)과 화학결합된 2차원 소재로 매우 빠르게 전달될 수 있고 또한 2차원 소재는 전도도가 매우 양호하므로 전하를 전극으로 빠르게 전달할 수 있다. 그 결과, 가스 센서의 민감도가 크게 향상될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위해 바람직한 실험예(example)를 제시한다. 다만, 하기의 실험예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기의 실험예들에 의해 한정되는 것은 아니다.
<2차원 소재/금속 복합재 제조예>
구리포일 위에 실리카 비드 어레이를 LB 조합법(Langmuir-Blodgett assembly) 을 이용하여 증착시킨 후, 오븐에서 싱킹(sinking)시켰다. 실리카 비드 어레이가 형성된 구리포일을 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장비의 쿼츠관에 넣은 후, H2를 흘려주면서 500mtorr, 1000℃에서 10분간 열처리 하였다. 그 후 CH4와 H2를 800mtorr에서 10분간 흘려주고, 가스를 모두 끈 후 -10 ℃/s 로 냉각하면서 그래핀을 성장시켰다. 그래핀이 성장된 구리포일을 HF에 10분간 담구어 실리카 비드들을 제거하여 그래핀 메쉬를 형성하였다.
성장된 그래핀 메쉬를 슬라이드 글라스 위에 전사하고 도선을 부착한 후, PdCl3 0.01M 전해액 내에 담구었다. 상대전극으로 금을 사용하고 기준전극으로 Ag/AgCl을 사용하여, 그래핀 메쉬의 개구부들 가장자리에 금속을 전기도금하였다. 전기도금 과정은 먼저, 그래핀 메쉬에 0.8V를 5초동안 인가하여 개구부 가장자리를 산화시킨 후, -0.8V를 0.01초동안 인가하여 개구부 가장자리에 핵을 생성시켰고, 그 후 -0.1V를 120초동안 인가하여 개구부 가장자리에 생성된 핵을 성장시켜 금속입자를 형성하였다.
도 7은 2차원 소재 제조예에 따른 2차원 소재를 촬영한 SEM 사진이다.
도 7을 참조하면, 그래핀 메쉬의 개구부(20a)의 가장자리에 약 15 내지 25nm의 직경을 갖는 팔라듐 입자들(25)이 주로 형성된 것을 알 수 있다.
이상 본 발명을 바람직한 특정 실시예를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.

Claims (18)

  1. 다수의 개구부들을 갖는 2차원 소재층; 및
    상기 각 개구부의 가장자리에 도포된 금속을 구비하는 2차원 소재/금속 복합재.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속은 상기 2차원 소재에 화학적으로 결합된 2차원 소재/금속 복합재.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 금속은 다수의 금속입자들인 2차원 소재/금속 복합재.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 개구부의 가장자리에 형성된 금속입자의 밀도는 상기 2차원 소재의 표면 상의 금속입자의 밀도에 비해 큰 2차원 소재/금속 복합재.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 2차원 소재층는 그래핀, 전이금속 칼코게나이드(transition metal dichalcogenides) 또는 이들의 복합층인 2차원 소재/금속 복합재.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 금속은 Ag, Pt, Au, Pd, 또는 이들의 복합금속을 함유하는 2차원 소재/금속 복합재.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 개구부들은 상기 2차원 소재의 결정면을 관통하는 2차원 소재/금속 복합재.
  8. 다수의 개구부들을 구비하고 상기 각 개구부의 가장자리에 댕글링 본드들이 위치하는 2차원 소재를 제공하는 단계; 및
    상기 개구부의 가장자리에 금속을 도포하는 단계를 포함하는 2차원 소재/금속 복합재 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 금속은 다수의 금속입자들인 2차원 소재/금속 복합재 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 개구부의 가장자리에 형성된 금속입자의 밀도는 상기 2차원 소재의 표면 상의 금속입자의 밀도에 비해 큰 2차원 소재/금속 복합재 제조방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 2차원 소재층는 그래핀, 전이금속 칼코게나이드(transition metal dichalcogenides) 또는 이들의 복합층인 2차원 소재/금속 복합재 제조방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 금속은 Ag, Pt, Au, Pd, 또는 이들의 복합금속을 함유하는 2차원 소재/금속 복합재 제조방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 개구부들은 상기 2차원 소재의 결정면을 관통하는 2차원 소재/금속 복합재 제조방법.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 개구부의 가장자리에 금속을 도포하는 단계는 전기도금법을 사용하여 수행하는 2차원 소재/금속 복합재 제조방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 전기도금법을 사용하여 금속을 도포하는 단계는
    상기 2차원 소재에 양의 전압을 인가하여, 상기 개구부 가장자리에 댕글링 본드의 밀도를 높이는 단계;
    상기 2차원 소재에 음의 전압을 인가하여, 상기 개구부 가장자리에 금속핵을 형성하는 단계; 및
    상기 금속핵 형성을 위한 음의 전압에 비해 낮은 절대값의 음의 전압을 상기 2차원 소재에 인가하여, 상기 금속핵 상에 금속을 성장시키는 단계를 포함하는 2차원 소재/금속 복합재 제조방법.
  16. 기판;
    상기 기판 상에 배치된 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 2차원 소재/금속 복합재; 및
    상기 2차원 소재/금속 복합재에 전기적으로 연결된 한 쌍의 전극들을 포함하는 가스 센서.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 2차원 소재/금속 복합재의 2차원 소재는 그래핀이고, 금속은 Pd 또는 Pt인 가스 센서.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 2차원 소재/금속 복합재의 2차원 소재는 텅스텐 다이설파이드이고, 금속은 Ag인 가스 센서.
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