KR20170015853A - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

플라즈마 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20170015853A
KR20170015853A KR1020160147539A KR20160147539A KR20170015853A KR 20170015853 A KR20170015853 A KR 20170015853A KR 1020160147539 A KR1020160147539 A KR 1020160147539A KR 20160147539 A KR20160147539 A KR 20160147539A KR 20170015853 A KR20170015853 A KR 20170015853A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
antenna
power
disposed
radius
power distribution
Prior art date
Application number
KR1020160147539A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102175253B1 (ko
Inventor
서상훈
정성현
Original Assignee
주식회사 윈텔
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 윈텔 filed Critical 주식회사 윈텔
Priority to KR1020160147539A priority Critical patent/KR102175253B1/ko
Publication of KR20170015853A publication Critical patent/KR20170015853A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102175253B1 publication Critical patent/KR102175253B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/244Detectors; Associated components or circuits therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • H01J37/32211Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/3222Antennas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • H01J37/32266Means for controlling power transmitted to the plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24564Measurements of electric or magnetic variables, e.g. voltage, current, frequency
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/248Components associated with the control of the tube
    • H01J2237/2485Electric or electronic means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

본 발명은 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 이 장치는 진공 용기의 유전체 상판 상에 배치되고 일정한 반경을 가지는 내측 안테나; 전기적으로 병렬 연결되고 상기 진공 용기의 상기 유전체 상판 상에 배치되고 상기 내측 안테나의 외곽에 배치된 복수의 외측 안테나; 상기 내측 안테나와 상기 외측 안테나에 전력을 각각 분배하는 전력 분배부; 및 상기 전력 분배부를 통하여 상기 내측 안테나와 상기 외측 안테나에 전력을 제공하는 RF 전원;을 포함한다. 상기 외측 안테나는 상기 내측 안테나의 중심축에서 일정한 반경의 원주 상에 일정한 간격으로 배치된다. 상기 외측 안테나는 제1 곡률 반경을 가지는 내측 곡선부 및 제1 곡률 반경보다 큰 제2 곡률 반경을 가지는 외측 곡선부를 포함한다. 상기 외측 안테나는 서로 중첩되지 않고 각각 폐루프를 형성한다.

Description

플라즈마 처리 장치{Plasma Processing Apparatus}
본 발명은 유도 결합 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 내측 안테나와 외측 안테나를 가지는 대면적 플라라즈마 소스에 관한 것이다.
한국공개특허 10-2013-0043795는 내측 안테나와 외측 안테나를 가지는 플라즈마 처리 장치를 개시하고 있다. 이 공개 특허의 외측 안테나는 복층 구조이고, 국부적인 위치에서 플라즈마 밀도를 조절하기 어렵다.
한국공개특허 10-2012-0040335는 내측 안테나와 외측 안테나를 가지는 플라즈마 처리 장치를 개시하고 있다. 이 공개 특허의 외측 안테나는 서로 중첩된 하프 턴의 안테나로 구성되어, 국부적인 위치에서 플라즈마 밀도를 조절하기 어렵다.
대면적 유도 결합 플라즈마는 회전 방향(원통 좌표계의 방위각 방향)의 균일도를 증가시키기 위하여 복수의 턴을 복층 구조를 사용하였다. 그럼에도 불구하고, 이러한 유도 결합 플라즈마는 가스 공급 방향 또는 배기부의 가스 펌핑 방향 등에 기인하여 국부적으로 비균일한 플라즈마를 생성한다. 따라서, 국부적인 플라즈마 비균일성을 향상하기 위한 안테나 구조가 요구된다.
본 발명의 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 대면적 플라즈마 처리 장치에서 국부적인 플라즈마 불균일성을 제어하기 위한 안테나 구조를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유도 결합 플라즈마 처리 장치는 진공 용기의 유전체 상판 상에 배치되고 일정한 반경을 가지는 내측 안테나; 전기적으로 병렬 연결되고 상기 진공 용기의 상기 유전체 상판 상에 배치되고 상기 내측 안테나의 외곽에 배치된 복수의 외측 안테나; 상기 내측 안테나와 상기 외측 안테나에 전력을 각각 분배하는 전력 분배부; 및 상기 전력 분배부를 통하여 상기 내측 안테나와 상기 외측 안테나에 전력을 제공하는 RF 전원;을 포함한다. 상기 외측 안테나는 상기 내측 안테나의 중심축에서 일정한 반경의 원주 상에 일정한 간격으로 배치된다. 상기 외측 안테나는 제1 곡률 반경을 가지는 내측 곡선부 및 제1 곡률 반경보다 큰 제2 곡률 반경을 가지는 외측 곡선부를 포함한다. 상기 외측 안테나는 서로 중첩되지 않고 각각 폐루프를 형성한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 적어도 하나의 상기 외측 안테나와 접지 사이에 연결된 외측 안테나 가변 축전기를 더 포함한다. 상기 외측 안테나 가변 축전기는 국부적으로 비균일한 플라즈마를 균일하게 제어할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 외측 안테나 가변 축전기가 연결된 상기 외측 안테나에 흐르는 전류를 감지하는 전류 측정부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 외측 안테나의 전력 입력단과 출력단은 상기 외측 곡선부에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 일단은 상기 외측 안테나를 고정하고 상기 외측 안테나가 배치되는 배치 평면에서 수직으로 연장되는 수직 지지부; 및 상기 수직 지지부의 타단을 고정하고 접지되는 도전성 고정판;을 더 포함할 수 있다. 상기 도전성 고정판은 중심에 관통홀을 포함하고, 상기 전력 분배부는 상기 관통홀을 통하여 연장되도록 배치되고, 방사형으로 분기될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 외측 안테나에 대하여 수직으로 이격되어 배치된 영구 자석을 더 포함할 수 있다. 상기 영구 자석은 상기 외측 안테나에 대응하여 각각 배치되고, 상기 영구 자석은 상기 도전성 고정판 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 전력 분배부는 상기 내측 안테나에 전력을 분배하는 내측 전력 분배부와 상기 외측 안테나에 전력을 분배하는 외측 전력 분배부를 포함할 수 있다. 상기 내측 전력 분배부는 원통 형상의 내측 전력 분배 몸체부 및 상기 내측 전력 분배 몸체부에서 방사형으로 분기하는 내측 전력 분배 분기부를 포함할 수 있다. 상기 외측 전력 분배부는 원통 형상의 외측 전력 분배 몸체부 및 상기 외측 전력 분배 몸체부에서 방사형으로 분기하는 외측 전력 분배 분기부를 포함할 수 있다. 상기 외측 전력 분배 몸체부는 상기 내측 전력 분배 몸체부를 감싸도록 동축 구조일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 전력 분배부는 상기 내측 안테나와 상기 외측 안테나에 흐르는 전류를 제어하도록 상기 내측 안테나와 직렬 연결된 전력 분배 가변 축전기; 및 병렬 연결된 상기 외측 안테나에 직렬 연결된 고정 인덕터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 외측 안테나는 사분면에 각각 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 내측 안테나는 원주형 섹션(annular section)의 외곽선을 제공하도록, 제3 곡률 반경을 가지는 내측 곡선부 및 제3 곡률 반경보다 큰 제4 곡률 반경을 가지는 외측 곡선부를 포함할 수 있다. 상기 내측 안테나는 중첩되지 않고 각각 폐루프를 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 외측 안테나들이 공간적으로 중첩되지 않도록 배치하고, 적어도 하나의 외측 안테나에 가변 축전기를 연결하여 국부적인 플라즈마 밀도 분포를 제어할 수 있다. 이에 따라, 공간적으로 균일한 플라즈마 밀도 분포가 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유도 결합 플라즈마 장치를 설명하는 개념도이다.
도 2는 도 1의 유도 결합 플라즈마 장치의 전기적 연결을 나타내는 회로도이다.
도 3은 도 1의 유도 결합 플라즈마 장치를 설명하는 사시도이다.
도 4는 도 1의 유도 결합 플라즈마 장치를 설명하는 사시도이다.
도 5는 도 4의 A-A' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 6은 도 4의 B-B'선을 따라 자른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 설명하는 회로도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 설명하는 개념도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 설명하는 개념도이다.
도 10은 도 9의 플라즈마 처리 장치를 설명하는 회로도이다.
통상적인 유도 결합 플라즈마는 원통 좌표계에서 방위각 방향의 플라즈마 균일도를 제공하기 위하여, 병렬 연결된 복수의 안테나가 복층 구조로 설계된다. 그러나, 이러한 구조의 안테나는 국부적으로 RF 전력을 제어할 수 없어 국부적인 플라즈마 밀도 제어가 어렵다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 장치는 복수의 외측 안테나를 서로 중첩하지 않도록 서로 공간적으로 분리하여 배치하고, 상기 외측 안테나들 중에서 하나 또는 복수의 외측 안테나에 제공되는 RF 전력은 제어될 수 있다. 이에 따라, 플라즈마 밀도 분포가 국부적으로 제어될 수 있다. 따라서, 배기부의 펌핑 방향 또는 가스 흐름 방향 등에 기인한 국부적인 플라즈마 비균일성 또는 공정 비균일성이 개선될 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 구성요소는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유도 결합 플라즈마 장치를 설명하는 개념도이다.
도 2는 도 1의 유도 결합 플라즈마 장치의 전기적 연결을 나타내는 회로도이다.
도 3은 도 1의 유도 결합 플라즈마 장치를 설명하는 사시도이다.
도 4는 도 1의 유도 결합 플라즈마 장치를 설명하는 사시도이다.
도 5는 도 4의 A-A' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 6은 도 4의 B-B'선을 따라 자른 단면도이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 유도 결합 플라즈마 처리 장치(100)는 진공 용기(101)의 유전체 상판(102) 상에 배치되고 일정한 반경을 가지는 내측 안테나(110); 전기적으로 병렬 연결되고 상기 진공 용기(101)의 상기 유전체 상판(102) 상에 배치되고 상기 내측 안테나(110)의 외곽에 배치된 복수의 외측 안테나(120); 상기 내측 안테나(110)와 상기 외측 안테나(120)에 전력을 각각 분배하는 전력 분배부(140); 및 상기 전력 분배부(140)를 통하여 상기 내측 안테나와 상기 외측 안테나에 전력을 제공하는 RF 전원(184);을 포함한다. 상기 외측 안테나(120)는 상기 내측 안테나(110)의 중심축에서 일정한 반경의 원주 상에 일정한 간격으로 배치된다. 상기 외측 안테나(120)는 제1 곡률 반경을 가지는 내측 곡선부(124) 및 제1 곡률 반경보다 큰 제2 곡률 반경을 가지는 외측 곡선부(124)를 포함한다. 상기 외측 안테나(120)는 서로 중첩되지 않고 각각 폐루프를 형성한다.
상기 진공 용기(101)는 금속 재질의 원통 챔버일 수 있다. 상기 유전체 상판(102)은 상기 진공 용기(101)의 뚜껑일 수 있다. 상기 진공 용기(101)는 플라즈마 식각 공정, 플라즈마 증착 공정, 또는 플라즈마 표면 처리 공정을 수행할 수 있다. 상기 유전체 상판(102)은 원판 형태의 쿼츠, 알루미나, 또는 세라믹일 수 있다.
기판 홀더(103)는 상기 진공 용기(101)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 기판 홀더(103) 상에 기판(104)이 배치될 수 있다. 상기 기판(104)은 반도체 기판일 수 있다. 상기 기판 홀더(103)는 정전척 또는 기계척을 통하여 상기 기판(104)을 고정할 수 있다. 상기 기판 홀더(103)는 RF 바이어스(RF bias)를 상기 기판(104)에 인가하기 위하여 별도의 RF 전원(미도시)에 연결될 수 있다. 상기 기판 홀더(103)는 온도를 제어하기 위하여 온도 조절부(미도시)를 포함할 수 있다.
펌핑 포트(108)는 상기 진공 용기(101) 내부를 배기도록 배치될 수 있다. 상기 펌핑 포트는 진공 펌프와 연결될 수 있다. 상기 펌핑 포트(108)는 상기 진공 용기(101)의 하부면 또는 상기 진공 용기(101)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 펌핑 포트(101)의 배치에 따라, 유체의 흐름이 발생되어, 유도 결합 플라즈마가 발생되는 영역에서 국부적인 플라즈마 불균일성이 발생될 수 있다. 국부적인 플라즈마 불균일성은 국부적인 온도 차이, 가스 흐름의 방향 등 다양한 원인에 기인할 수 있다.
가스 공급부(109)는 상기 유전체 상판(102)의 중심에 배치되어, 대칭적으로 공정 가스를 분사할 수 있다. 예를 들어, 식각 공정인 경우, 공정 가스는 염소 함유 가스, 불소 함유 가스, 또는 산소 함유 가스일 수 있다.
RF 전원(184)은 수백 kHz 내지 수백 MHz의 주파수를 가지고 RF 전력을 발생시킬 수 있다. 상기 RF 전원(184)은 동축 케이블을 통하여 임피던스 매칭부(182)에 제공될 수 있다. 상기 임피던스 매칭부(182)는 통상적으로 2개의 가변 리액티브 소자를 이용하여 임피던스 매칭을 수행할 수 있다. 상기 임피던스 매칭부(182)의 출력은 전력 분배부(140)에 전달될 수 있다. 상기 임피던스 매칭부를 사용하지 않는 경우, 상기 RF 전원(184)은 구동 주파수를 변경하여 임피던스 매칭을 수행하고, RF 전력은 직접적으로 상기 전력 분배부(140)에 제공될 수 있다.
상기 전력 분배부(140)는 제공된 RF 전력을 내측 안테나(110)와 외측 안테나(120)로 분배할 수 있다. 이를 위하여, 상기 전력 분배부(140)는 상기 내측 안테나의 임피던스 또는 상기 외측 안테나의 임피던스를 변경할 수 있는 전력 분배 가변 축전기(141)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 전력 분배부(140)의 입력단은 2 갈래로 분기되고, 하나의 브랜치는 상기 전력 분배 가변 축전기(141)를 통하여 상기 내측 안테나(110)에 연결될 수 있다. 다른 브랜치는 인덕터(142)를 통하여 상기 외측 안테나(120)에 연결될 수 있다.
상기 전력 분배부(140)는 상기 내측 안테나(110)에 전력을 분배하는 내측 전력 분배부(143)와 상기 외측 안테나(120)에 전력을 분배하는 외측 전력 분배부(144)를 포함할 수 있다. 상기 내측 전력 분배부(143)는 원통 형상의 내측 전력 분배 몸체부(143b) 및 상기 내측 전력 분배 몸체부(143b)에서 방사형으로 분기하는 내측 전력 분배 분기부(143a)를 포함할 수 있다. 상기 외측 전력 분배부(144)는 원통 형상의 외측 전력 분배 몸체부(144b) 및 상기 외측 전력 분배 몸체부에서 방사형으로 분기하는 외측 전력 분배 분기부(144a)를 포함할 수 있다. 상기 외측 전력 분배 몸체부(144b)는 상기 내측 전력 분배 몸체부(143b)를 감싸도록 동축 구조일 수 있다. 상기 외측 전력 분배 분기부(144a)는 상기 외측 전력 분배 몸체부(144b)에서 방사형으로 분기하여 각각의 외측 안테나에 RF 전력을 공급할 수 있다. 또한, 상기 내측 전력 분배 분기부(143a)는 상기 내측 전력 분배 몸체부(143b)에서 방사형으로 분기하여 각각의 내측 안테나(110)에 RF 전력을 공급할 수 있다.
내측 안테나(110)가 2개의 안테나가 중첩된 복층 구조인 경우, 전력이 공급되는 지점이 2 개일 수 있다. 이 경우, 상기 내측 전력 분배 분기부(143a)는 180 도 차이를 두고 분기될 수 있다. 상기 외측 안테나(120)가 4 개인 경우, 상기 외측 전력 분배 분기부(144a)는 90도 차이를 두고 십자형태로 분기될 수 있다.
상기 전력 분배부(140)는 상기 내측 안테나(110)와 상기 외측 안테나(120)에 흐르는 전류를 제어하도록 상기 내측 안테나(110)와 직렬 연결된 전력 분배 가변 축전기(141) 및 병렬 연결된 상기 외측 안테나에 직렬 연결된 인덕터(142)를 포함할 수 있다. 상기 인덕터(142)는 안정적인 임피던스 매칭을 위하여 사용될 수 있다. 상기 내측 안테나(110)와 상기 전력 분배 가변 축전기(141)가 직렬 공진 회로를 구성함에 따라, 내측 안테나 방향의 임피던스가 변경될 수 있다. 이에 따라, 내측 안테나 방향의 전력과 외측 안테나 방향의 전력은 분배되도록 제어될 수 있다.
상기 내측 안테나(110)는 상기 전력 분배 가변 축전기(141)와 접지 사이에 배치될 수 있다. 상기 내측 안테나(110)는 2 개의 안테나가 중첩된 복층 구조일 수 있다. 상기 내측 안테나(110)는 제1 내측 안테나(110a) 및 제2 내측 안테나(110b)를 포함할 수 있다. 상기 제1 내측 안테나(110a)와 상기 제2 내측 안테나(110b)는 동일한 구조를 가지고 서로 180도 회전하여 대칭적으로 배치되고, 서로 병렬 연결될 수 있다. 상기 내측 안테나(110)는 내측 전력 공급 플러그(116), 제1 45도 상부 브랜치(111), 제1 플러그(112), 180도 하부 브랜치(113), 제2 플러그(114), 제2 45도 상부 브랜치(115), 및 내측 접지 기둥(117)을 포함할 수 있다. 상기 내측 안테나(110)는 반시계 방향 또는 시계 방향으로 연장되도록 배치될 수 있다. 상기 내측 안테나(110)는 냉매가 흐르는 파이프 형상이 아닌 띠 형태일 수 있다.
상기 내측 전력 공급 플러그(116)는 상기 내측 전력 분배 분기부(143a)에서 수직으로 연장되고 상기 내측 안테나(110)의 일단에 연결될 수 있다. 제1 45도 상부 브랜치(111)는 45도 원호를 가지고 안테나의 상부면에 배치될 수 있다. 제1 플러그(112)는 상부면에서 배치 평면을 하강시키어 하부면으로 변경할 수 있다. 상기 180도 하부 브랜치(113)는 180도 원호를 가지고 하부면에서 연장될 수 있다. 제2 플러그(114)는 배치 평면을 하부면에서 상부면으로 변경할 수 있다. 상기 제2 45도 브랜치(115)는 상부면에 배치되고 45도 원호를 가질 수 있다. 상기 내측 접지 기둥(117)은 수직하게 연장되어 도전성 고정판(130) 또는 접지 부재에 연결될 수 있다. 상기 브랜치들의 연결 부위는 안테나들이 서로 겹치지 않도록 반경이 증가하는 방향 또는 반경이 감소하는 방향으로 구부러질 수 있다.
상기 외측 안테나(120)는 상기 내측 안테나(110)의 외측에서 배치되고, 사분면에 각각 배치될 수 있다. 상기 외측 안테나(120)는 원주형 섹션(annular section)의 외곽선을 제공하도록, 제1 곡률 반경을 가지는 내측 곡선부(124) 및 제1 곡률 반경보다 큰 제2 곡률 반경을 가지는 외측 곡선부(122)를 포함할 수 있다. 상기 외측 안테나(120)의 전력 공급 부위 및 접지 부위는 반경이 큰 상기 외측 곡선부(122)에 배치될 수 있다. 상기 외측 곡선부(122)에 전력 공급 부위를 배치함에 따라, 축전 결합에 의한 플라즈마 비균일성은 최외각에 배치될 수 있다. 또한, 기판(104)의 반경은 상기 외측 곡선부(122)의 곡률 반경보다 작도록 설정됨에 따라, 상기 외부 곡선부(122)는 기판의 외곽에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 기판의 반경이 150 mm 인 경우, 상기 외부 곡선부의 곡률 반경은 150 mm 이상으로 설정되고, 상기 내부 곡선부(124)의 곡률 반경은 150 mm 미만으로 설정될 수 있다. 상기 외측 안테나(120)의 전력 공급 부위와 상기 접지 부위는 원주형 섹션의 중심에 대칭적으로 배치될 수 있다. 상기 외측 안테나(120)는 냉매가 흐르는 파이프 형상이 아닌 띠 형태일 수 있다.
상기 외측 안테나(120)는 동일한 구조이고, 사분면에 각각 배치될 수 있다. 상기 외측 전력 분배 분기부(144a)는 십자형으로 분기되고, 수직으로 연장되는 외측 전력 공급 플러그(125)를 통하여 외측 안테나(120)에 연결될 수 있다. 상기 외측 안테나(120)는 수직으로 연장되는 외측 접지 기둥(126)을 통하여 도전성 고정판(130) 또는 접지 부재에 연결될 수 있다.
외측 안테나 가변 축전기(170)는 상기 외측 안테나들(120) 중에서 적어도 하나와 접지 사이에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 외측 안테나 가변 축전기(170)와 이에 연결된 외측 안테나(120d)를 통하여 흐르는 전력은 상기 외측 안테나 가변 축전기(170)와 이에 연결되지 않은 외측 안테나(120a~120c)를 통하여 흐르는 전력과 다를 수 있다. 따라서, 상기 외측 안테나 가변 축전기(170)는 국부적으로 비균일한 플라즈마를 균일하게 제어할 수 있다.
상기 외측 안테나 가변 축전기(170)를 제어하기 위하여, 전류 측정부(149)는 상기 외측 안테나 가변 축전기(170)가 연결된 상기 외측 안테나(120)에 흐르는 전류를 감지할 수 있다. 또한, 전류 측정부(149)는 상기 외측 안테나 가변 축전기(170)가 연결되지 않은 외측 안테나에 흐르는 전류를 감지할 수 있다. 이에 따라, 상기 외측 안테나 가변 축전기(170)의 정전 용량을 조절하여, 외측 안테나들 사이의 전력이 제어될 수 있다. 한편, 상기 외측 안테나들은 서로 공간적으로 중첩되어 배치되어 있지 않으므로, 국부적인 유도 기전력을 제어할 수 있다.
수직 지지부(162)의 일단은 상기 외측 안테나(120)를 고정하고 상기 외측 안테나(120)가 배치되는 배치 평면에서 수직으로 연장될 수 있다. 상기 수직 지지부(120)는 상기 외측 곡선부(122)와 내측 곡선부(124)를 함께 고정할 수 있다. 상기 수직 지지부(162)는 각 외측 안테나에 대하여 서로 이격된 2 개의 위치에 배치될 수 있다. 상기 수직 지지부(162)는 외측 안테나가 배치되도록 홈을 포함하고, 상기 홈에 삽입된 외측 안테나는 덮개를 통하여 고정될 수 있다. 상기 수직 지지부(162)는 상기 외측 안테나(120)를 상기 유전체 상판(102)과 공간적으로 분리하고 특정한 위치에 고정할 수 있다. 상기 수직 지지부(162)는 절연체로 형성되고, 그 재질은 세라믹일 수 있다. 상기 수직 지지부(162)는 지지 기둥(162a)에 의하여 상기 도전성 고정판(130)에 고정될 수 있다.
상기 도전성 고정판(130)은 상기 수직 지지부(162)의 타단을 고정하고 접지될 수 있다. 상기 도전성 고정판(130)은 중심에 관통홀을 포함하고, 상기 전력 분배부(140)는 상기 관통홀을 통하여 연장되도록 배치되고, 방사형으로 분기될 수 있다. 상기 도전성 고정판(130)은 상기 진공 용기(101)의 유전체 상판에서 소정의 간격으로 이격되어 서로 나란히 배치될 수 있다. 상기 도전성 고정판(130)은 원판 형태이고 도전성 물질로 제작될 수 있다.
차폐 케이스(105)는 상기 내측 안테나(110), 상기 외측 안테나(120), 및 상기 전력 분배부(140)를 감싸도록 배치되고 원통 형상일 수 있다. 상기 차폐 케이스(105)는 상기 진공 용기(101)에 장착되고 도전성 재질로 형성될 수 있다.
상기 도전성 고정판(130)은 상기 차폐 케이스(105) 내부에 배치될 수 있다. 상기 도전성 고정판(130)과 상기 차폐 케이스(105)의 상부면(106) 사이의 간격을 조절하여, 안테나와 상기 유전체 상판 사이의 거리가 조절될 수 있다.
영구 자석 고정판(132)은 상기 도전성 고정판(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 영구 자석 고정판(132) 내부에 영구 자석(133)이 배치될 수 있다. 상기 영구 자석(132)의 형상은 안테나의 형상과 유사하고, 서로 대응되도록 배치될 수 있다. 상기 영구 자석(133,134)은 수직 방향으로 자화되어, 상기 영구 자석은 유도 결합 플라즈마가 생성되는 영역에 자기장을 제공할 수 있다. 상기 외측 안테나에 대응하는 영구 자석(133)은 원주형 섹션(annular section)의 외곽선을 제공하는 형상일 수 있다. 상기 내측 안테나(134)에 대응하는 영구 자석은 링 형상일 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 외측 안테나의 개수는 3개, 5 개 , 6 개 등으로 변경될 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 설명하는 회로도이다.
도 7을 참조하면, 유도 결합 플라즈마 처리 장치(100a)는 진공 용기(101)의 유전체 상판(102) 상에 배치되고 일정한 반경을 가지는 내측 안테나(110); 전기적으로 병렬 연결되고 상기 진공 용기(101)의 상기 유전체 상판(102) 상에 배치되고 상기 내측 안테나(110)의 외곽에 배치된 복수의 외측 안테나(120); 상기 내측 안테나(110)와 상기 외측 안테나(120)에 전력을 각각 분배하는 전력 분배부(140); 및 상기 전력 분배부(140)를 통하여 상기 내측 안테나와 상기 외측 안테나에 전력을 제공하는 RF 전원(184);을 포함한다. 상기 외측 안테나(120)는 상기 내측 안테나(110)의 중심축에서 일정한 반경의 원주 상에 일정한 간격으로 배치된다. 상기 외측 안테나(120)는 제1 곡률 반경을 가지는 내측 곡선부(124) 및 제1 곡률 반경보다 큰 제2 곡률 반경을 가지는 외측 곡선부(124)를 포함한다. 상기 외측 안테나(120)는 서로 중첩되지 않고 각각 폐루프를 형성한다.
외측 안테나 가변 축전기(170)는 각각의 외측 안테나(120a, 120b,120c,102d)에 장착될 수 있다. 또한, 외측 안테나 가변 축전기가 연결된 외측 안테나(120)는 흐르는 전류를 측정하는 전류 측정기(149)가 배치될 수 있다. 상기 전류 측정기(149)는 흐르는 전류를 측정하여, 상기 외측 안테나 가변 축전기(170)의 정전 용량을 제거하도록 사용될 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 설명하는 개념도이다.
도 8을 참조하면, 유도 결합 플라즈마 처리 장치(200)는 진공 용기(101)의 유전체 상판(102) 상에 배치되고 일정한 반경을 가지는 내측 안테나(110); 전기적으로 병렬 연결되고 상기 진공 용기(101)의 상기 유전체 상판(102) 상에 배치되고 상기 내측 안테나(110)의 외곽에 배치된 복수의 외측 안테나(120); 상기 내측 안테나(110)와 상기 외측 안테나(120)에 전력을 각각 분배하는 전력 분배부(140); 및 상기 전력 분배부(140)를 통하여 상기 내측 안테나와 상기 외측 안테나에 전력을 제공하는 RF 전원(184);을 포함한다. 상기 외측 안테나(120)는 상기 내측 안테나(110)의 중심축에서 일정한 반경의 원주 상에 일정한 간격으로 배치된다. 상기 외측 안테나(120)는 제1 곡률 반경을 가지는 내측 곡선부(124) 및 제1 곡률 반경보다 큰 제2 곡률 반경을 가지는 외측 곡선부(124)를 포함한다. 상기 외측 안테나(120)는 서로 중첩되지 않고 각각 폐루프를 형성한다.
외측 안테나에 의한 자기 모멘트의 방향은 인접한 외측 안테나에 대하여 서로 반대 방향일 수 있다. 구체적으로, 제1 사분면에 배치된 제1 외측 안테나(120a)의 전류 방향은 제2 사분면에 배치된 제2 외측 안테나(120b)의 전류 방향과 반대일 수 있다. 또한, 제2 외측 안테나(120b)의 전류 방향은 제3 사분면에 배치된 제3 안테나(120c)의 전류 방향과 반대일 수 있다. 또한, 제3 외측 안테나(120c)의 전류 방향은 제 4 사분면애 배치된 제 4 안테나(120d)의 전류 방향과 반대일 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 설명하는 개념도이다.
도 10은 도 9의 플라즈마 처리 장치를 설명하는 회로도이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 유도 결합 플라즈마 처리 장치(300)는 진공 용기(101)의 유전체 상판(102) 상에 배치되고 일정한 반경을 가지는 내측 안테나(310); 전기적으로 병렬 연결되고 상기 진공 용기(101)의 상기 유전체 상판(102) 상에 배치되고 상기 내측 안테나(310)의 외곽에 배치된 복수의 외측 안테나(120); 상기 내측 안테나(310)와 상기 외측 안테나(120)에 전력을 각각 분배하는 전력 분배부(340); 및 상기 전력 분배부(340)를 통하여 상기 내측 안테나와 상기 외측 안테나에 전력을 제공하는 RF 전원(184);을 포함한다. 상기 외측 안테나(120)는 상기 내측 안테나(310)의 중심축에서 일정한 반경의 원주 상에 일정한 간격으로 배치된다. 상기 외측 안테나(120)는 제1 곡률 반경을 가지는 내측 곡선부(124) 및 제1 곡률 반경보다 큰 제2 곡률 반경을 가지는 외측 곡선부(124)를 포함한다. 상기 외측 안테나(120)는 서로 중첩되지 않고 각각 폐루프를 형성한다.
상기 내측 안테나(310)는 원주형 섹션(annular section)의 외곽선을 제공하도록, 제3 곡률 반경을 가지는 내측 곡선부(314) 및 제3 곡률 반경보다 큰 제4 곡률 반경을 가지는 외측 곡선부(312)를 포함할 수 있다. 상기 내측 안테나(310)는 중첩되지 않고 각각 폐루프를 형성할 수 있다.
상기 내측 안테나(310)는 4 개이고, 사분면에 각각 배치될 수 있다. 적어도 하나의 상기 내측 안테나는 내측 안테나 가변 축전기(171)를 통하여 접지될 수 있다. 상기 내측 안테나 가변 축전기(171)의 정전 용량을 변경하여, 상기 내측 안테나 가변 축전기(171)에 연결된 상기 내측 안테나에 흐르는 전력은 상기 내측 안테나 가변 축전기에 연결되지 않은 내측 안테나에 비하여 변경될 수 있다. 이에 따라, 국부적 위치에서 플라즈마 균일도가 변경될 수 있다.
상기 내측 안테나(310)는 상기 외측 안테나(120)에 비하여 감소된 곡률 반경가진 형상을 가지고, 상기 외측 안테나(120)에 상대적으로 45도 회전하여 배치될 수 있다.
상기 전력 분배부(340)는 제공된 RF 전력을 내측 안테나(310)와 외측 안테나(120)로 분배할 수 있다. 이를 위하여, 상기 전력 분배부(340)는 상기 내측 안테나의 임피던스 또는 상기 외측 안테나의 임피던스를 변경할 수 있는 전력 분배 가변 축전기(141)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 전력 분배부(340)의 입력단은 2 갈래로 분기되고, 하나의 브랜치는 상기 전력 분배 가변 축전기(141)를 통하여 상기 내측 안테나(310)에 연결될 수 있다. 다른 브랜치는 인덕터(142)를 통하여 상기 외측 안테나(120)에 연결될 수 있다.
상기 전력 분배부(340)는 상기 내측 안테나(310)에 전력을 분배하는 내측 전력 분배부(343)와 상기 외측 안테나(120)에 전력을 분배하는 외측 전력 분배부(344)를 포함할 수 있다. 상기 내측 전력 분배부(343)는 원통 형상의 내측 전력 분배 몸체부(343b) 및 상기 내측 전력 분배 몸체부(343a)에서 방사형으로 분기하는 내측 전력 분배 분기부(343a)를 포함할 수 있다. 상기 외측 전력 분배부(344)는 원통 형상의 외측 전력 분배 몸체부(344b) 및 상기 외측 전력 분배 몸체부에서 방사형으로 분기하는 외측 전력 분배 분기부(344a)를 포함할 수 있다. 상기 외측 전력 분배 몸체부(344b)는 상기 내측 전력 분배 몸체부(343b)를 감싸도록 동축 구조일 수 있다. 상기 외측 전력 분배 분기부(344a)는 상기 외측 전력 분배 몸체부(344b)에서 방사형으로 분기하여 각각의 외측 안테나에 RF 전력을 공급할 수 있다. 또한, 상기 내측 전력 분배 분기부(343a)는 상기 내측 전력 분배 몸체부(343b)에서 방사형으로 분기하여 각각의 내측 안테나(310)에 RF 전력을 공급할 수 있다.
상기 내측 안테나(310)는 동일한 구조이고, 사분면에 각각 배치될 수 있다. 상기 내측 전력 분배 분기부(343a)는 십자형으로 분기되고, 수직으로 연장되는 내측 전력 공급 플러그(315)를 통하여 내측 안테나(310)에 연결될 수 있다. 상기 내측 안테나(310)는 수직으로 연장되는 내측 접지 기둥(316)을 통하여 도전성 고정판(130) 또는 접지 부재에 연결될 수 있다.
이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되지 않으며, 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 실시할 수 있는 다양한 형태의 실시예들을 모두 포함한다.
110: 내측 안테나
120: 외측 안테나
140: 전력 분배부
184: 전원

Claims (10)

  1. 진공 용기의 유전체 상판 상에 배치되고 일정한 반경을 가지는 내측 안테나;
    전기적으로 병렬 연결되고 상기 진공 용기의 상기 유전체 상판 상에 배치되고 상기 내측 안테나의 외곽에 배치된 복수의 외측 안테나;
    상기 내측 안테나와 상기 외측 안테나에 전력을 각각 분배하는 전력 분배부;및
    상기 전력 분배부를 통하여 상기 내측 안테나와 상기 외측 안테나에 전력을 제공하는 RF 전원;을 포함하고,
    상기 외측 안테나들 각각은 상기 내측 안테나의 중심축에서 일정한 반경의 원주 상에 일정한 간격으로 배치되고,
    상기 외측 안테나 각각은 제1 곡률 반경을 가지는 내측 곡선부 및 제1 곡률 반경보다 큰 제2 곡률 반경을 가지는 외측 곡선부를 포함하고,
    상기 외측 안테나들은 서로 중첩되지 않고 각각 폐루프를 형성하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    적어도 하나의 상기 외측 안테나와 접지 사이에 연결된 외측 안테나 가변 축전기를 더 포함하고,
    상기 외측 안테나 가변 축전기는 국부적으로 비균일한 플라즈마를 균일하게 제어하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 외측 안테나 가변 축전기가 연결된 상기 외측 안테나에 흐르는 전류를 감지하는 전류 측정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 외측 안테나의 전력 입력단과 출력단은 상기 외측 곡선부에 배치되는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    일단은 상기 외측 안테나를 고정하고 상기 외측 안테나가 배치되는 배치 평면에서 수직으로 연장되는 수직 지지부; 및
    상기 수직 지지부의 타단을 고정하고 접지되는 도전성 고정판;을 더 포함하고,
    상기 도전성 고정판은 중심에 관통홀을 포함하고,
    상기 전력 분배부는 상기 관통홀을 통하여 연장되도록 배치되고, 방사형으로 분기되는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 외측 안테나에 대하여 수직으로 이격되어 배치된 영구 자석을 더 포함하고,
    상기 영구 자석은 상기 외측 안테나에 대응하여 각각 배치되고,
    상기 영구 자석은 상기 도전성 고정판 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 전력 분배부는 상기 내측 안테나에 전력을 분배하는 내측 전력 분배부와 상기 외측 안테나에 전력을 분배하는 외측 전력 분배부를 포함하고,
    상기 내측 전력 분배부는 원통 형상의 내측 전력 분배 몸체부 및 상기 내측 전력 분배 몸체부에서 방사형으로 분기하는 내측 전력 분배 분기부를 포함하고,
    상기 외측 전력 분배부는 원통 형상의 외측 전력 분배 몸체부 및 상기 외측 전력 분배 몸체부에서 방사형으로 분기하는 외측 전력 분배 분기부를 포함하고,
    상기 외측 전력 분배 몸체부는 상기 내측 전력 분배 몸체부를 감싸도록 동축 구조인 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 전력 분배부는:
    상기 내측 안테나와 상기 외측 안테나에 흐르는 전류를 제어하도록 상기 내측 안테나와 직렬 연결된 전력 분배 가변 축전기; 및
    병렬 연결된 상기 외측 안테나에 직렬 연결된 고정 인덕터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 외측 안테나는 사분면에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 내측 안테나는 원주형 섹션(annular section)의 외곽선을 제공하도록, 제3 곡률 반경을 가지는 내측 곡선부 및 제3 곡률 반경보다 큰 제4 곡률 반경을 가지는 외측 곡선부를 포함하고,
    상기 내측 안테나는 중첩되지 않고 각각 폐루프를 형성하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 처리 장치.
KR1020160147539A 2016-11-07 2016-11-07 플라즈마 처리 장치 KR102175253B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160147539A KR102175253B1 (ko) 2016-11-07 2016-11-07 플라즈마 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160147539A KR102175253B1 (ko) 2016-11-07 2016-11-07 플라즈마 처리 장치

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150107273A Division KR101714405B1 (ko) 2015-07-29 2015-07-29 플라즈마 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170015853A true KR20170015853A (ko) 2017-02-09
KR102175253B1 KR102175253B1 (ko) 2020-11-06

Family

ID=58154702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160147539A KR102175253B1 (ko) 2016-11-07 2016-11-07 플라즈마 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102175253B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040062443A (ko) * 2001-04-13 2004-07-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 전력 분배를 제어할 수 있는 유도 결합된 플라스마 소스
KR20130043795A (ko) * 2011-10-21 2013-05-02 주성엔지니어링(주) 플라즈마 처리 장치
KR20140063568A (ko) * 2011-09-16 2014-05-27 세메스 주식회사 안테나 구조체 및 플라즈마 발생 장치
KR20140087215A (ko) * 2012-12-28 2014-07-09 주식회사 윈텔 플라즈마 장치 및 기판 처리 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040062443A (ko) * 2001-04-13 2004-07-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 전력 분배를 제어할 수 있는 유도 결합된 플라스마 소스
KR20140063568A (ko) * 2011-09-16 2014-05-27 세메스 주식회사 안테나 구조체 및 플라즈마 발생 장치
KR20130043795A (ko) * 2011-10-21 2013-05-02 주성엔지니어링(주) 플라즈마 처리 장치
KR20140087215A (ko) * 2012-12-28 2014-07-09 주식회사 윈텔 플라즈마 장치 및 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102175253B1 (ko) 2020-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20180211811A1 (en) Plasma source with symmetrical rf feed
US10170279B2 (en) Multiple coil inductively coupled plasma source with offset frequencies and double-walled shielding
US10811226B2 (en) Symmetrical plural-coil plasma source with side RF feeds and RF distribution plates
KR100499763B1 (ko) 플라즈마 에칭장치
JP4904202B2 (ja) プラズマ反応器
CN1812683B (zh) 改善等离子体均匀性和减少器件损伤的等离子体反应室
EP1425777B1 (en) Plasma processor coil
US10249470B2 (en) Symmetrical inductively coupled plasma source with coaxial RF feed and coaxial shielding
US9449794B2 (en) Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and spiral coil antenna
JP2004533090A (ja) プラズマ励起コイル用電流センサを含む誘導プラズマ処理装置
US10998168B2 (en) Plasma processing apparatus
US20140053984A1 (en) Symmetric return liner for modulating azimuthal non-uniformity in a plasma processing system
KR101714405B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
US20130292057A1 (en) Capacitively coupled plasma source with rf coupled grounded electrode
KR101714406B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR20140137439A (ko) 플라즈마 프로세싱 시스템에서 방위각적 불균일성을 선택적으로 조절하기 위한 방법들 및 장치
KR102175238B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR101114283B1 (ko) 플라즈마 발생장치
KR101714407B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
CN106505010A (zh) 衬底处理设备
KR20170015853A (ko) 플라즈마 처리 장치
KR101853737B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 처리 장치
KR102338260B1 (ko) 플라즈마 발생 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant