KR20170013811A - Leak liquid sensing device and manufacturing method the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a leakage sensing device, sensing leaked liquid. The leakage sensing device sensing leakage of liquid comprises: a band-shaped base layer; a pair of sensing circuits spaced at a set distance in a longitudinal direction of the base layer on the base layer to enable a conductive substance to be deposited through a vacuum deposition method; and a control unit connected to the sensing circuit to detect whether or not the liquid is leaked, a liquid leakage position, and a type of liquid in accordance with a current value applied from the sensing circuit.

Description

누설 감지 장치 및 그 제조 방법{LEAK LIQUID SENSING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a leak detection device,

본 발명은 누설 감지 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a leak detecting apparatus and a method of manufacturing the same.

도전성 액체 누설이 발생하기 쉬운 영역의 바닥이나 시설물에 간단한 방법으로 설치하여 도전성 액체의 누설을 감지하는 접착식 필름 타입의 도전성 액체 누설 감지 장치가 개발되어 있다.There has been developed a bonding film type conductive liquid leakage detecting device which is installed in a floor or a facility in a region where leakage of the conductive liquid easily occurs in a simple manner to detect the leakage of the conductive liquid.

도 1 은 기존의 도전성 액체 누설 감지 장치(10)를 나타낸 분리 사시도이다. 도 1의 도전성 액체 누설 감지 장치(10)는 하부접착층(11), 베이스 필름층(12), 상부보호필름층(13)이 하부에서부터 순차적으로 결합된다. 하부접착층(11)은 도전성 액체 누설이 발생될 수 있는 영역이나 시설물에 직접 부착하기 위한 것으로 양면 테이프가 사용될 수 있다. 베이스 필름층(12)은 PET, PE, PTFE, PVC 또는 기타 테프론 계열 재질의 필름으로 형성되어 복수개의 도전성 회로(14,15,16,17)가 다양한 인쇄 방식으로 상면에 형성된다. 도전성회로(14,15,16,17)는 베이스필름층(12)의 상면에 서로 일정 간격 이격되어 길이방향으로 평행하게 라인 형식으로 연속적으로 패턴화된다. 도전성회로(14,15,16,17)는 도전성 잉크 또는 은 화합물 잉크로 인쇄하여 형성된다. 상부보호필름층(13)은 베이스필름층(12) 상부에 결합되어 도전성회로(14,15,16,17)를 외부의 물리적 충격으로부터 보호한다. 상부보호필름층(13)은 PET, PE, PTFE, PVC 또는 기타 테프론 계열의 재질로 형성되고 도전성회로(15,16)의 설정된 위치와 상응하는 위치가 관통하여 복수의 센싱홀(13-1)이 형성된다. 상부보호필름층(13)에는 복수의 센싱홀(13-1)이 설정 위치에 형성되어 누설된 도전성 액체에 베이스 필름 위 도전성 회로가 원하는 위치만 노출될 수 있다.FIG. 1 is an exploded perspective view showing a conventional conductive liquid leakage sensing device 10. FIG. 1, the lower adhesive layer 11, the base film layer 12, and the upper protective film layer 13 are sequentially bonded from the bottom. The lower adhesive layer 11 may be a double-sided tape for directly adhering to areas or facilities where conductive liquid leakage may occur. The base film layer 12 is formed of a film made of PET, PE, PTFE, PVC or other Teflon-based material, and a plurality of conductive circuits 14, 15, 16, 17 are formed on the upper surface in various printing methods. The conductive circuits 14, 15, 16, 17 are continuously patterned in a line form parallel to the longitudinal direction at a predetermined interval on the upper surface of the base film layer 12. The conductive circuits 14, 15, 16, 17 are formed by printing with a conductive ink or a silver compound ink. The upper protective film layer 13 is bonded onto the base film layer 12 to protect the conductive circuits 14, 15, 16, 17 from external physical impact. The upper protective film layer 13 is made of a material such as PET, PE, PTFE, PVC or other Teflon-based material, passes through a position corresponding to a set position of the conductive circuits 15 and 16, . A plurality of sensing holes 13-1 may be formed in the upper protective film layer 13 at predetermined positions, and the conductive circuit on the base film may be exposed only to a desired position in the leaked conductive liquid.

베이스필름층(12)의 도전성회로(114,15,16,17)에는 일정한 크기의 전류가 인가되어 도전성 액체의 누설이 발생되어 센싱홀(13-1)을 통해 흘러들어가 도전성회로(15,16)에 접촉되면 도전성회로(15,16)가 전기적으로 단락된다. 도전성회로(14,15,16,17)는 제어부(도면중 미도시)에 연결되어 제어부는 인가되는 신호를 통해 단락된 상태를 검출하여 도전성 액체가 누설을 감지 알람정보를 발생할 수 있게 된다.A current of a predetermined magnitude is applied to the conductive circuits 114, 15, 16, and 17 of the base film layer 12 to cause the leakage of the conductive liquid to flow through the sensing holes 13-1, The conductive circuits 15 and 16 are electrically short-circuited. The conductive circuits 14, 15, 16, 17 are connected to a control unit (not shown in the figure), and the control unit detects a short-circuited state through an applied signal so that the conductive liquid can detect leakage and generate alarm information.

도전성 회로(15,16)는 저항값 크기에 의해 도전성 액체의 누설 위치를 확인할 수 있게 한다. 도전성 액체가 센싱홀(13-1)로 침투하면 도전성회로(15,16)가 전기적으로 단락되는데, 제어부에 입력되는 저항값이 클수록 제어부로부터 멀리 떨어진 위치에서 도전성 액체가 누설된 것으로 판단할 수 있어 저항값의 크기로 제어부로부터 이격 거리를 검출할 수 있게 한다.The conductive circuits (15, 16) allow the leakage position of the conductive liquid to be identified by the resistance value magnitude. When the conductive liquid penetrates into the sensing hole 13-1, the conductive circuits 15 and 16 are electrically short-circuited. As the resistance value input to the control section increases, it can be determined that the conductive liquid has leaked at a position distant from the control section So that it is possible to detect the distance from the control part by the magnitude of the resistance value.

그런데, 이러한 기존의 접착식 필름 타입 도전성액체 누설 감지 장치(10)는 도전성 회로(14,15,16,17)가 주로 그라비아(gravure) 또는 롤투롤(roll to roll) 인쇄방식 또는 슬롯 다이(slot die) 코팅, 콤마(comma) 코팅 방식을 이용하여 제작된다. 상기 방법으로 제작되는 도전성회로는 도전성 잉크 또는 은 화합물 잉크의 혼합비에 따라 회로의 저항값이 서로 다르게 나타난다. 또한, 인쇄나 코팅 시 인쇄 설비 또는 코팅 설비의 가동 조건, 인쇄 코팅 후 건조 방식과 온도범위 그리고 인쇄 시 온도나 습도와 같은 주변 환경조건에 따라 도전성회로(14,15,16,17)의 저항값이 서로 다르게 나타나서 정확한 누설위치 검출이 용이하지 않은 문제점이 있다. 즉, 종래의 도전성회로 형성 방법에 의할 경우 도전성 액체의 누설 위치를 정확하게 검출하는 것이 어렵다.However, such a conventional adhesive film type conductive liquid leakage sensing apparatus 10 has a problem that the conductive circuits 14, 15, 16, 17 are mainly used in a gravure or roll to roll printing system or a slot die ) Coating, and a comma coating method. The resistance value of the circuit is different depending on the mixing ratio of the conductive ink or the silver compound ink. In addition, the resistance values of the conductive circuits 14, 15, 16, and 17 are determined according to the operating conditions of the printing equipment or coating equipment during printing or coating, the drying method and temperature range after the printing coating and the environmental conditions such as temperature and humidity during printing Are different from each other, so that it is not easy to accurately detect the leakage position. In other words, it is difficult to accurately detect the leakage position of the conductive liquid in the conventional conductive circuit forming method.

한편, 도전성(Conductive) 잉크, 은(Silver) 화합물 잉크 등에 의해 인쇄 및 코팅방식 또는 금속시트(Metal Sheet), 금속박판 등의 도전성 소재에 의해 도전성 회로(14,15,16,17)를 형성하는 경우, 도전성 회로는 2㎛ ~ 10㎛의 두께를 가지므로 비교적 높은 저항값을 가지게 된다. 이 경우, 도전성 액체 누설 감지 장치(10)가 수백 미터 길이로 설치되면, 높은 저항값에 의해 제어부로부터 유입되는 전류의 감소와 외부에서 유입되는 각종 전기적 잡음(electrical noise)으로 인해 도전성 액체의 누설 위치를 정확하게 검출하는 것이 어렵고, 일정하지 않은 저항 편차로 인해 제어부에 지속적인 비정상적인 누설 액체 검출 알람이 발생하는 문제점이 있다.On the other hand, conductive circuits 14, 15, 16, and 17 are formed by a printing and coating method using a conductive ink, a silver compound ink, or the like, or a conductive material such as a metal sheet or a metal thin plate The conductive circuit has a relatively high resistance value because it has a thickness of 2 to 10 mu m. In this case, when the conductive liquid leakage sensing apparatus 10 is installed to a length of several hundred meters, the leakage current of the conductive liquid due to the reduction of the current flowing from the control unit due to the high resistance value and various electrical noise introduced from the outside It is difficult to accurately detect the abnormality, and there is a problem that a constant abnormal leakage liquid detection alarm is generated in the control part due to the irregular resistance variation.

또한, 도전성회로(14,15,16,17)의 저항값을 낮추기 위해 전도도가 높은 금속인 금, 은, 구리, 알루미늄의 함량이 높은 잉크로 도전성회로(14,15,16,17)를 형성할 경우, 주변 환경과 수분, 습기, 액체, 화학용액 등에 의해 도전성 회로(14,15,16,17)가 쉽게 부식 및 산화되어 시간이 지날수록 저항값이 높아지게 된다. 더구나, 한쌍의 센싱회로에 +극과 -극을 연결한 후 상기 용액 등에 노출되는 경우, 도금 현상과 같은 전기 분해 현상이 일어나 한쪽 센싱 회로가 쉽게 산화 및 절단된다. 이에 따라 도전성액체의 누설 여부 및 누설된 위치를 정확히 검출하기 어려운 문제점이 있다. Further, in order to lower the resistance value of the conductive circuits 14, 15, 16, and 17, the conductive circuits 14, 15, 16, 17 are formed of ink of a high conductivity, such as gold, silver, copper, 15, 16, and 17 are easily corroded and oxidized by the surrounding environment and moisture, moisture, liquid, chemical solution, etc., and the resistance value increases with time. Furthermore, when a positive electrode and a negative electrode are connected to a pair of sensing circuits and exposed to the solution or the like, an electrolysis phenomenon such as a plating phenomenon occurs, so that one sensing circuit is easily oxidized and cut. Accordingly, there is a problem that it is difficult to precisely detect the leaked position and leaked position of the conductive liquid.

또한, 베이스필름층(12) 상단에 코팅 또는 인쇄방식으로 형성되는 도전성회로(14,15,16,17)의 두께가 두꺼울수록, 물리적 충격이 가해지거나 구부렸을때 쉽게 깨지는 현상이 발생하고, 상부에 결합되는 상부보호필름층(13)과 안정적으로 조립되지 못하고 쉽게 박리되는 문제점이 있다.Further, as the thickness of the conductive circuits 14, 15, 16, 17 formed on the top of the base film layer 12 by the coating or printing method becomes thicker, a phenomenon that a physical impact is applied or bending easily occurs, There is a problem that the upper protective film layer 13 is not stably assembled with the upper protective film layer 13 and is easily peeled off.

또한, 상부보호필름층(13)의 센싱홀(13-1)을 통해 도전성회로(15,16)가 공기중(대기중)에 노출되어, 누설감지장치(10)가 설치된 주변환경과 수분, 습기 및 각종 액체, 먼지 등으로 인한 회로 부식이 발생할 가능성이 있고, 이로 인해, 도전성회로(14,15,16,17)의 저항값이 비정상적으로 높아지고, 전기적 잡음(Noise)의 영향으로 정확한 액체감지 유무와 액체 누설 위치 검출이 어렵고, 누출 감지 오경보를 발생시킬 수 있는 문제점이 있다.The conductive circuits 15 and 16 are exposed in the air (in the air) through the sensing holes 13-1 of the upper protective film layer 13 so that the surrounding environment in which the leakage sensing device 10 is installed, The resistance of the conductive circuits 14, 15, 16, 17 becomes abnormally high, and due to the influence of the electrical noise (noise), accurate liquid sensing And it is difficult to detect the position of the liquid leakage, and there is a problem that leak detection false alarm can be generated.

또한, 인쇄 및 코팅으로 형성된 센싱회로 또는 각종 방식으로 형성된 센싱회로의 상부표면은 평탄도(조도)가 매우 불안정하여, 그 상면에 각종 코팅 및 인쇄 시 기능성 코팅층의 특정한 역할을 충분히 발휘할 수 없게 되는 단점이 있다.In addition, the upper surface of the sensing circuit formed by printing and coating or the sensing circuit formed by various methods is very unstable in flatness, and the specific role of the functional coating layer can not be sufficiently exhibited on the upper surface thereof during various coating and printing .

또한, 도 1의 누설감지장치(10)는 도전성 액체의 누설 여부와 누설 위치의 검출은 가능하나, 누설된 도전성 액체의 종류를 판단할 수 없는 문제점이 있다.In addition, the leakage sensing apparatus 10 of Fig. 1 can detect the leakage of the conductive liquid and the leakage position, but can not determine the type of the leaked conductive liquid.

또한, 한 쌍의 센싱회로 간의 절연저항값은 일반적으로 베이스필름의 소재종류와 표면특성, 상부보호층의 조립구조 및 소재종류, 최종 조립된 센서필름의 설치환경에 따라 서로 큰 차이를 갖고 있고 비교적 낮은 절연저항값을 갖고 있어 센서 오동작의 주요 원인이 된다.In addition, the insulation resistance value between a pair of sensing circuits generally varies greatly depending on the type and surface characteristics of the base film, the assembly structure and material type of the upper protective layer, and the installation environment of the finally assembled sensor film, It has low insulation resistance value, which is the main cause of sensor malfunction.

대한민국 등록 특허 제10-0909242호Korean Patent No. 10-0909242 대한민국 등록 특허 제10-0827385호Korean Patent No. 10-0827385

개시되는 기술은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명은 뛰어난 누설 감지 성능을 가지고 쉽게 외부환경에서 훼손되지 않는 누설 감지 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a leakage detection device which has excellent leakage detection performance and is not easily damaged in an external environment.

또한, 본 발명은 감지회로와 베이스층 사이의 부착력을 향상시키고 베이스층에서 감지회로와 상부보호층이 용이하게 박리되지 않는 누설 감지 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a leakage detection device which improves the adhesion between the sensing circuit and the base layer and in which the sensing circuit and the upper protection layer are not easily peeled off from the base layer.

또한, 본 발명은 감지회로가 외부의 물리적인 충격이나 밴딩에 쉽게 절단되지 않는 누설 감지 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a leakage detection device in which the sensing circuit is not easily broken by external physical impact or banding.

또한, 본 발명은 사용중 수분, 습기, 액체, 화학용액 등에 의해 감지회로의 저항값이 높아지는 것을 방지한 누설 감지 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a leakage detection device that prevents a resistance value of a sensing circuit from increasing due to moisture, moisture, liquid, chemical solution or the like during use.

또한, 본 발명은 외부 조건에 의해 감지회로 형성 시 저항값이 변화하는 것을 방지하고, 작업 방식을 간단히 하여 제조원가를 낮추고, 회로 저항의 품질을 높일 수 있는 누설 감지 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a leakage sensing device which can prevent a resistance value from changing when a sensing circuit is formed due to external conditions, simplify a working method, reduce a manufacturing cost, and improve the quality of a circuit resistance.

또한, 본 발명은 감지회로의 상부 표면의 거칠기가 설정값 이하로 형성되는 누설 감지 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a leakage detection device in which the roughness of the upper surface of the sensing circuit is set to a set value or less.

또한, 본 발명은 감지된 도전성 액체의 종류를 검출할 수 있는 누설 감지 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a leakage detection device capable of detecting the type of conductive liquid sensed.

또한, 본 발명은 한 쌍의 감지회로 간의 절연저항값을 소재의 종류나 조립방식에 변화하지 않는 최대값을 유지할 수 있는 누설 감지장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a leakage sensing device capable of maintaining a maximum value that does not change the insulation resistance value between a pair of sensing circuits to the type of material or the assembly method.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, According to an aspect of the present invention,

액체의 누출을 감지하는 누설 감지 장치에 있어서,1. A leakage detection device for detecting leakage of a liquid,

띠 형상의 베이스층;A strip-shaped base layer;

상기 베이스층 상에 상기 베이스층의 길이 방향으로 설정 간격 이격하여 도전성 물질이 진공증착 방식으로 증착되어 형성되는 한 쌍의 감지회로; 및A pair of sensing circuits formed on the base layer by depositing a conductive material in a vacuum deposition manner at a predetermined interval in the longitudinal direction of the base layer; And

상기 감지회로에 연결되어 상기 감지회로에서 인가되는 전류 값에 따라 액체 누설 여부, 액체 누설 위치, 액체 종류를 검출하는 제어부를 포함하는 누설 감지 장치를 제공한다.And a control unit connected to the sensing circuit and detecting a liquid leakage, a liquid leakage position, and a liquid type according to a current value applied from the sensing circuit.

상기 감지회로는 상기 베이스층 상에 진공 증착되고 내식성이 있는 제1금속층, 상기 제1금속층 상에 진공 증착되고 상기 제1금속층보다 내식성이 약하나 전기 전도도가 높은 제2금속층, 및 상기 제2금속층 상에 진공 증착되고 상기 제2금속층보다 전기전도도는 약하나 내식성이 강한 제3금속층을 포함하는 것을 특징으로 한다.Wherein the sensing circuit comprises a first metal layer deposited on the base layer by vacuum deposition and having corrosion resistance, a second metal layer vacuum deposited on the first metal layer and having a corrosion resistance lower than that of the first metal layer but high in electrical conductivity, And a third metal layer having a lower electrical conductivity than the second metal layer but having a higher corrosion resistance than the second metal layer.

상기 제1금속층은 니켈-크롬 합금, 니켈, 크롬, 텅스텐-몰리브덴 합금, 텅스텐, 몰리브덴으로 이루어진 그룹에서 선택될 수 있다.The first metal layer may be selected from the group consisting of nickel-chromium alloy, nickel, chromium, tungsten-molybdenum alloy, tungsten, and molybdenum.

상기 제2금속층은 금, 은, 및 구리를 포함하는 그룹에서 선택될 수 있다.The second metal layer may be selected from the group consisting of gold, silver, and copper.

상기 제3금속층은 니켈-크롬 합금, 니켈, 크롬, 텅스텐-몰리브덴 합금, 텅스텐, 몰리브덴으로 이루어진 그룹에서 선택될 수 있다.The third metal layer may be selected from the group consisting of nickel-chromium alloy, nickel, chromium, tungsten-molybdenum alloy, tungsten, and molybdenum.

상기 감지회로는 서로 전기적으로 연결되는 감지라인과 신호라인을 포함하고, 상기 감지회로를 개재하여 상기 베이스층 상부를 커버하도록 결합하는 보호층을 추가로 포함하고, 상기 보호층은 상기 감지라인에 상응하는 위치에 설정 간격으로 연속하여 관통되어 형성되는 센싱홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.Wherein the sensing circuit further includes a sensing layer including a sensing line and a signal line electrically connected to each other and a protection layer coupled to cover the upper portion of the base layer via the sensing circuit, And a sensing hole continuously formed at a predetermined interval at a position where the sensing hole is formed.

상기 감지회로는 서로 전기적으로 연결되는 감지라인과 신호라인을 포함하고, 상기 신호라인은 감지 대상 액체에 반응하지 않는 코팅층으로 코팅되는 것을 특징으로 한다.The sensing circuit includes a sensing line and a signal line electrically connected to each other, and the signal line is coated with a coating layer that does not react with the liquid to be sensed.

상기 감지회로는 서로 전기적으로 연결되는 감지라인과 신호라인을 포함하고, 상기 제어부는 상기 감지라인과 상기 신호라인의 전위차를 이용하여 상기 감지라인과 상기 신호라인의 절단 여부를 판단하는 것을 특징으로 한다.Wherein the sensing circuit includes a sensing line and a signal line electrically connected to each other and the controller determines whether the sensing line and the signal line are disconnected using a potential difference between the sensing line and the signal line .

상기 감지회로는 한 쌍의 감지라인을 포함하고, 상기 감지라인은 말단이 콘덴서 또는 칩저항에 의해 연결되고, 상기 제어부는 상기 콘덴서 또는 칩저항에 의해 상기 감지라인의 절단 여부를 판단하는 것을 특징으로 한다.Wherein the sensing circuit includes a pair of sense lines, the ends of the sense lines being connected by capacitors or chip resistors, and the control unit determining whether the sense lines are disconnected by the capacitors or chip resistors do.

상기 감지회로는 한 쌍의 감지라인을 포함하고, 상기 감지라인을 커버하고 상기 감지 대상 액체에 분해되거나 상기 감지 대상 액체가 흡수되거나 투과하는 감지코팅막을 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.The sensing circuit may include a pair of sensing lines, and may further include a sensing coating layer covering the sensing line and being decomposed into the sensing target liquid or absorbed or permeated by the sensing target liquid.

상기 감지코팅막은 폴리우레탄, 폴리에틸렌, 에나멜, 바니쉬, 알키드 수지, 비닐계 수지를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 이상의 고분자 폴리머와 무도전성 카본을 포함하는 코팅액으로 형성되는 것을 특징으로 한다.Wherein the sensing coating film is formed of a coating liquid containing at least one polymer polymer selected from the group consisting of polyurethane, polyethylene, enamel, varnish, alkyd resin, and vinyl resin and non-conductive carbon.

상기 감지코팅막은 무도전성 카본을 포함하는 코팅액으로 형성되는 것을 특징으로 한다.The sensing coating film is formed of a coating liquid containing non-conductive carbon.

상기 감지코팅막은 두께가 0.05㎛ 내지 20㎛에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 한다.Wherein the sensing coating film has a thickness of 0.05 to 20 탆.

상기 베이스층의 저면에는 부착을 위한 접착층이 추가로 결합하는 것을 특징으로 한다.And an adhesive layer for adhesion is further coupled to the bottom surface of the base layer.

상기 베이스층의 상면에 절연물질을 진공 증착하여 형성되는 절연층을 포함하고, 상기 감지회로는 상기 절연층 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.And an insulating layer formed by vacuum depositing an insulating material on the upper surface of the base layer, wherein the sensing circuit is formed on the insulating layer.

상기 절연층은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(Si3N4), 및 실리콘산질화물(SiON)로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나를 재질로 하고, 진공증착법, 인쇄, 및 코팅법 중 선택된 하나의 방식으로 형성되는 것을 특징으로 한다.The insulating layer may be formed of any one material selected from the group consisting of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), and silicon oxynitride (SiON) Is formed in such a manner as to be in contact with the substrate.

상기 감지회로는 서로 전기적으로 연결되는 감지 라인과 신호라인을 포함하고, 상기 감지라인 상면이 전도성 카본과 불소수지 혼합물로 코팅되는 것을 특징으로 한다.The sensing circuit includes a sensing line and a signal line electrically connected to each other, and the upper surface of the sensing line is coated with a conductive carbon and a fluorine resin mixture.

상기 감지회로는 상대적으로 전기전도도가 양호한 금속 층 상에 상대적으로 전기전도도가 낮고 내식성을 가지는 금속을 적층하여 형성되는 다층 도전성 회로 라인을 포함하는 것을 특징으로 한다.Wherein the sensing circuit includes a multilayered conductive circuit line formed by laminating metal having relatively low electrical conductivity and corrosion resistance on a metal layer having relatively good electrical conductivity.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 도전성 액체의 누출을 감지하는 누설 감지 장치의 제조 방법에 있어서,According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a leakage sensing device for sensing leakage of a conductive liquid,

a) 띠 형상의 베이스층 필름 상에 상기 베이스층 필름의 길이 방향으로 한쌍의 감지회로가 설정 간격 이격되어 관통되는 마스킹 필름을 부착하는 단계;a) attaching a masking film through which a pair of sensing circuits are spaced apart from each other in a longitudinal direction of the base layer film on a strip-shaped base layer film at a predetermined interval;

b) 상기 a) 단계에서 상기 마스킹 필름이 부착된 상기 베이스층 필름을 상기 감지 회로를 구성할 제1금속으로 형성되는 타겟이 배치되는 진공 증착 챔버로 연속적으로 투입하여 상기 베이스층 필름 상에 제1금속을 증착하는 단계;b) In the step a), the base layer film having the masking film attached thereto is continuously introduced into a vacuum deposition chamber in which a target made of a first metal constituting the sensing circuit is disposed to form a first layer Depositing a metal;

c) 상기 b) 단계에서 상기 제1금속이 증착된 상기 베이스층 필름을 제2금속으로 형성되는 타겟이 배치되는 진공 증착 챔버로 연속적으로 투입하여 제2금속을 증착하는 단계; 및c) continuously depositing the base layer film on which the first metal is deposited in the step b) into a vacuum deposition chamber in which a target made of a second metal is disposed to deposit a second metal; And

d) 상기 감지회로를 구성할 금속층이 완료되면 상기 진공 증착 챔버를 통과한 상기 베이스층 필름에서 상기 마스킹 필름을 제거하는 단계;를 포함하는 누설 감지 장치 제조 방법을 제공한다.and d) removing the masking film from the base layer film that has passed through the vacuum deposition chamber when the metal layer forming the sensing circuit is completed.

상기 a) 단계를 수행하기 전 상기 베이스층 필름 상에 절연층을 진공 증착하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.The method may further include the step of vacuum depositing an insulating layer on the base layer film before performing the step a).

상기 c) 단계를 수행한 후, e)상기 감지회로를 구성하는 제3금속으로 형성되는 타겟이 배치되는 진공 증착 챔버로 상기 제3금속이 증착된 상기 베이스층 필름을 통과시켜 제3금속을 증착하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.After performing the step c), e) depositing a third metal by depositing the third metal onto the vacuum deposition chamber in which the target formed of the third metal constituting the sensing circuit is disposed, May be further included.

상기 e) 단계를 수행한 후, 상기 감지회로를 구성하는 제4금속으로 형성되는 타겟이 배치되는 진공 증착 챔버로 상기 제3금속이 증착된 상기 베이스층 필름을 통과시켜 제4금속을 증착하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.Depositing a fourth metal by passing the base layer film on which the third metal is deposited to a vacuum deposition chamber in which a target formed of a fourth metal constituting the sensing circuit is disposed after performing step e) . ≪ / RTI >

본 발명의 다른 측면에 따르면, 도전성 액체의 누출을 감지하는 누설 감지 장치의 제조 방법에 있어서,According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a leakage sensing device for sensing leakage of a conductive liquid,

i) 베이스층을 제공하는 단계;i) providing a base layer;

ⅱ) 상기 베이스층 상에 절연층을 증착하는 단계;Ii) depositing an insulating layer on the base layer;

ⅲ) 상기 절연층 상에 내식성을 가진 금속을 증착하여 제1금속층을 형성하는 단계;Iii) depositing a metal having corrosion resistance on the insulating layer to form a first metal layer;

ⅳ)상기 제1금속층 상에 상기 제1금속층보다 내식성이 낮고 전기전도도가 높은 금속을 증착하여 제2금속층을 형성하는 단계;Iv) forming a second metal layer on the first metal layer by depositing a metal having a lower corrosion resistance and a higher electrical conductivity than the first metal layer;

ⅴ) 상기 제2금속층 상에 상기 제2금속층보다 전기전도도가 낮고 내식성이 높은 금속을 증착하여 제3금속층을 형성하는 단계; 및(V) forming a third metal layer on the second metal layer by depositing a metal having a lower electrical conductivity and a higher corrosion resistance than the second metal layer; And

ⅵ) 상기 제1금속층, 제2금속층, 및 제3금속층을 에칭하여 원하는 패턴의 감지회로를 형성하는 단계를 포함하는 누설 감지 장치 제조 방법을 제공한다.And vi) etching the first metal layer, the second metal layer, and the third metal layer to form a sensing circuit of a desired pattern.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 도전성 액체의 누출을 감지하는 누설 감지 장치에 있어서, 띠 형상의 베이스층; 상기 베이스층 상에 상기 베이스층의 길이 방향으로 설정 간격 이격하여 도전성 물질이 진공증착 방식으로 증착되어 형성되는 한 쌍의 감지회로; 및 상기 감지회로에 연결되어 상기 감지회로에서 인가되는 전류 값에 따라 액체 누설 여부, 액체 누설 위치, 액체 종류를 검출하는 제어부를 포함하고, 상기 한쌍의 감지회로는 상기 베이스층 상에 니켈, 크롬, 및 니켈과 크롬 합금을 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 형성되는 제1금속층, 상기 제1금속층 상에 적층되는 금, 은, 및 구리를 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 형성되는 제2금속층, 상기 제2금속층 상에 적층되는 니켈, 크롬, 및 니켈과 크롬 합금을 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 형성되는 제3금속층, 및 상기 제3금속층 상에 적층되는 텅스텐, 몰리브덴 및 텅스텐과 몰리브덴 합금을 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 형성되는 제4금속층을 포함하는 누설 감지 장치를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a leakage sensing device for sensing leakage of a conductive liquid, the leakage sensing device comprising: a strap-shaped base layer; A pair of sensing circuits formed on the base layer by depositing a conductive material in a vacuum deposition manner at a predetermined interval in the longitudinal direction of the base layer; And a control unit connected to the sensing circuit and detecting a liquid leakage, a liquid leakage position, and a liquid type according to a current value applied from the sensing circuit, wherein the pair of sensing circuits are formed of nickel, chromium, And a first metal layer formed of a metal selected from the group consisting of nickel and a chromium alloy, a second metal layer formed of a metal selected from the group consisting of gold, silver, and copper deposited on the first metal layer, A third metal layer formed of a metal selected from the group consisting of nickel, chromium, and a nickel-chromium alloy deposited on the metal layer, and a third metal layer formed of tungsten, molybdenum, and tungsten and molybdenum alloy deposited on the third metal layer And a fourth metal layer formed of a selected metal.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 도전성 액체의 누출을 감지하는 누설 감지 장치에 있어서, 띠 형상의 베이스층; 상기 베이스층 상에 상기 베이스층의 길이 방향으로 설정 간격 이격하여 도전성 물질이 진공증착 방식으로 증착되어 형성되는 한 쌍의 감지회로; 및 상기 감지회로에 연결되어 상기 감지회로에서 인가되는 전류 값에 따라 액체 누설 여부, 액체 누설 위치, 액체 종류를 검출하는 제어부를 포함하고, 상기 한쌍의 감지회로는 상기 베이스층 상에 텅스텐, 몰리브덴 및 텅스텐과 몰리브덴 합금을 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 증착되는 제1금속층, 상기 제1금속층 상에 금, 은, 및 구리를 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 증착되는 제2금속층, 상기 제2금속층 상에 니켈, 크롬, 및 니켈과 크롬 합금을 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 증착되는 제3금속층, 및 상기 제3금속층 상에 텅스텐, 몰리브덴 및 텅스텐과 몰리브덴 합금을 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 증착되는 제4금속층을 포함하는 누설 감지 장치를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a leakage sensing device for sensing leakage of a conductive liquid, the leakage sensing device comprising: a strap-shaped base layer; A pair of sensing circuits formed on the base layer by depositing a conductive material in a vacuum deposition manner at a predetermined interval in the longitudinal direction of the base layer; And a controller connected to the sensing circuit and detecting a liquid leakage, a liquid leakage position, and a liquid type according to a current value applied from the sensing circuit, wherein the pair of sensing circuits are formed of tungsten, molybdenum, A first metal layer deposited with a metal selected from the group consisting of tungsten and a molybdenum alloy, a second metal layer deposited on the first metal layer with a metal selected from the group consisting of gold, silver, and copper, A third metal layer deposited with a metal selected from the group consisting of nickel, chromium, and a nickel and chromium alloy, and a fourth metal layer deposited on the third metal layer with a metal selected from the group consisting of tungsten, molybdenum, and tungsten and molybdenum alloys. A leakage sensing device comprising a metal layer is provided.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 도전성 액체의 누출을 감지하는 누설 감지 장치에 있어서, 띠 형상의 베이스층; 상기 베이스층 상에 상기 베이스층의 길이 방향으로 설정 간격 이격하여 도전성 물질이 진공증착 방식으로 증착되어 형성되는 한 쌍의 감지회로; 및 상기 감지회로에 연결되어 상기 감지회로에서 인가되는 전류 값에 따라 액체 누설 여부, 액체 누설 위치, 액체 종류를 검출하는 제어부를 포함하고, 상기 한쌍의 감지회로는 상기 베이스층 상에 금, 은, 및 구리를 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 형성되는 제1금속층, 및 상기 제1금속층 상에 적층되는 니켈, 크롬, 및 니켈과 크롬 합금을 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 형성되는 제2금속층을 포함하는 누설 감지 장치를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a leakage sensing device for sensing leakage of a conductive liquid, the leakage sensing device comprising: a strap-shaped base layer; A pair of sensing circuits formed on the base layer by depositing a conductive material in a vacuum deposition manner at a predetermined interval in the longitudinal direction of the base layer; And a controller connected to the sensing circuit and detecting a liquid leakage, a liquid leakage position, and a liquid type according to a current value applied by the sensing circuit, wherein the pair of sensing circuits are formed of gold, silver, And a second metal layer formed of a metal selected from the group consisting of nickel, chromium, and nickel and a chromium alloy deposited on the first metal layer, the first metal layer being formed of a metal selected from the group consisting of copper, A leakage detection device is provided.

이상에서 살펴본 바와 같은 본 발명에 따른 누설 감지 장치는, 베이스층의 상부면에 다양한 진공증착방식에 의해 다층의 도전성회로를 형성함으로써, 회로의 단위면적당 균일하고 정밀한 저항값과 기존의 인쇄방식의 회로보다 상대적으로 낮은 저항값을 가질 수 있어, 누설감지장치를 장거리에 설치하는 경우에도 안정적으로 도전성액체 누설 위치를 정확히 검출할 수 있고, 이에 따라 비정상적인 검출 알람 발생을 최소화할 수 있다. As described above, according to the leakage detection apparatus of the present invention, by forming a multilayered conductive circuit on the upper surface of the base layer by various vacuum deposition methods, uniform and precise resistance value per unit area of the circuit, It is possible to stably detect the conductive liquid leakage position stably even when the leakage detection device is installed over a long distance, thereby minimizing the occurrence of abnormally detected alarms.

또한, 본 발명에 따른 누설 감지 장치는 베이스층의 상부면에 다양한 진공증착방식으로 도전성 회로를 1㎛이하의 두께 형성함으로써 베이스층과의 부착력을 향상시킴으로써, 베이스층이 상부보호층과 도전성회로에 의해 쉽게 박리되지 않는 장점이 있다.In addition, the leakage sensing device according to the present invention improves adhesion with the base layer by forming a conductive circuit on the upper surface of the base layer by a variety of vacuum deposition methods to a thickness of 1 탆 or less so that the base layer is bonded to the upper protective layer and the conductive circuit There is an advantage that it is not easily peeled off.

또한, 본 발명에 따른 누설 감지 장치는 사용 중 주변환경과 수분, 습기, 액체, 화학용액에 의해 센싱회로의 저항값이 높아지는 것을 근본적으로 막기 위해 크롬(Cr), 니켈(Ni), 크롬과 니켈의 합금(Cr-Ni), 아연(Zn), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 및 그 합금 등과 같은 내부식성을 갖는 금속으로 베이스층 상부면 도전성회로의 최종 표면에 진공증착 처리하여 완벽한 내부식성을 가질 수 있다.In addition, the leakage sensing device according to the present invention can be used in a variety of fields such as chromium (Cr), nickel (Ni), chromium and nickel (Ni) to fundamentally prevent the resistance value of the sensing circuit from rising due to the surrounding environment and moisture, The surface of the upper surface conductive circuit of the base layer is subjected to a vacuum deposition treatment with a metal having corrosion resistance such as an alloy (Cr-Ni), zinc (Zn), tungsten (W), molybdenum (Mo) Lt; / RTI >

또한, 기존의 도전성 잉크 화합물 등으로 인쇄 및 코팅방식으로 제작되는 베이스층 상부면에 도전성회로 형성 시 저항값 변화요소는 잉크 화합물 조성, 설비조건, 작업환경 등의 매우 많은 변수에 의해 상당히 불안정했지만, 본 발명에 따른 누설 감지 장치는 진공증착 방식으로 감지회로를 형성하여 형성은 외부와 차단된 진공챔버 내부의 안정적인 작업환경을 가질 수 있으므로, 변수를 최소화할 수 있고 작업방식도 간단하여 상대적으로 제조원가를 낮추고 회로저항의 품질을 높일 수 있다.In addition, the resistance value change factor when the conductive circuit is formed on the upper surface of the base layer, which is produced by a printing and coating method using a conventional conductive ink compound or the like, was considerably unstable due to a very large number of variables such as ink composition, The leakage detection device according to the present invention can form a sensing circuit by a vacuum deposition method and can form a stable working environment inside a vacuum chamber which is intercepted from the outside, so that it is possible to minimize a parameter and a working method is simple, And the quality of the circuit resistance can be increased.

또한, 본 발명은 진공증착 방식으로 감지회로를 형성하여 저항값이 낮아지면서 회로두께는 더욱 얇아지는 장점이 있고, 베이스층과 감지회로의 접착력도 매우 향상되면서 회로의 내부식성도 뛰어나게 향상되고, 감지회로 표면의 평탄도가 다양한 인쇄방식으로 제작된 경우보다 매우 균일한 평탄도를 가질 수 있는 장점이 있다. 이러한 장점으로 인해 상부보호층을 제거하고 무도전성 카본(C)을 베이스로 갖는 액체투과가 가능한 특수코팅층으로 감지회로와 함께 베이스층을 커버하여 도전성 액체를 오차 없이 더욱 안정적으로 감지하고, 기존의 제어방식인 한 쌍의 회로라인의 통전 효과에 따른 저항비교방식에서 전기전도도 측정방식으로 변경하여 산(Acid)성이나 알칼리(Alkali)성 액체의 종류도 쉽게 판별할 수 있는 장점이 있다.The present invention is advantageous in that the circuit thickness is made thinner by forming a sensing circuit by a vacuum vapor deposition method and the resistance value is lowered. Also, the adhesion of the base layer and the sensing circuit is greatly improved and the corrosion resistance of the circuit is also improved. There is an advantage that the flatness of the circuit surface can have a very uniform flatness compared to the case where the flatness of the circuit surface is manufactured by various printing methods. Because of this advantage, the upper protective layer is removed and a special coating layer capable of permeating liquid with non-conductive carbon (C) as a base covers the base layer together with the sensing circuit to more reliably detect the conductive liquid without error, The resistance comparison method according to the energizing effect of a pair of circuit lines, which is a method, can be changed to an electric conductivity measurement method, and the acid type or the type of the alkaline liquid can be easily discriminated.

또한, 본 발명은 진공증착 또는 코팅방식을 이용하여 박막 절연코팅을 형성 후 그 상부면에 형성된 한 쌍의 감지회로 간의 절연저항값을 베이스 소재의 종류나 센서 조립방식에 따라 변화하지 않는 최대 절연저항값을 유지할 수 있는 장점이 있다.In addition, the present invention relates to a method of manufacturing a thin film insulation coating using a vacuum evaporation or coating method, and a method of manufacturing a thin film insulation coating, Value can be maintained.

도 1 은 종래의 누수 감지 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2 는 본 발명의 일 실시예에 따른 누설 감지 장치의 분리 사시도이다.
도 3 내지 도 7 은 본 발명의 다른 실시예에 따른 누설 감지 장치의 단면도이다.
도 8 은 본 발명의 다른 실시예에 따른 누설 감지 장치의 사시도이다.
도 9 는 본 발명의 다른 실시예에 따른 누설 감지 장치의 사시도이다.
도 7 은 본 발명의 다른 실시예에 따른 누설 감지 장치의 분리사시도 및 단면도이다.
도 10 내지 도 13 은 본 발명의 다른 실시예에 따른 누설 감지 장치의 감지회로를 나타낸 정면도이다.
도 14 내지 도 16 은 본 발명의 다른 실시예에 따른 누설 감지 장치의 단면도이다.
도 17 및 도 18 은 본 발명의 일 실시예에 따른 누설 감지 장치의 제어 회로도이다.
도 19 및 도 20 은 본 발명의 일 실시예에 따른 누설 감지 장치의 감지 회로 형성 공정을 나타낸 도면이다.
도 21 내지 도 24 는 본 발명의 일 실시예에 따른 누설 감지 장치의 제조 공정을 나타낸 도면이다.1 is a schematic view of a conventional leak detection device.
2 is an exploded perspective view of a leakage sensing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 to 7 are sectional views of a leakage detection apparatus according to another embodiment of the present invention.
8 is a perspective view of a leakage sensing apparatus according to another embodiment of the present invention.
9 is a perspective view of a leakage sensing apparatus according to another embodiment of the present invention.
7 is an exploded perspective view and a cross-sectional view of a leakage detection device according to another embodiment of the present invention.
10 to 13 are front views illustrating a sensing circuit of a leakage sensing apparatus according to another embodiment of the present invention.
14 to 16 are sectional views of a leakage detection device according to another embodiment of the present invention.
17 and 18 are control circuit diagrams of a leakage detection apparatus according to an embodiment of the present invention.
19 and 20 are views showing a process of forming a sensing circuit of a leakage sensing device according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 21 to 24 are views illustrating a manufacturing process of a leakage sensing apparatus according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예를 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조 부호를 유사한 구성 요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또 는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.While the present invention has been described in connection with certain exemplary embodiments, it is obvious to those skilled in the art that various changes and modifications may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It is to be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but on the contrary, is intended to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the term "comprises" or "comprising ", etc. is intended to specify that there is a stated feature, figure, step, operation, component, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 대해 설명한다. 도면에 관계없이 동일한 부재번호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 실시예들에서 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The same reference numerals refer to the same elements regardless of the drawings. Overlapping description will be omitted in the embodiments.

본 발명의 실시예들에 따른 누설 감지 장치(100)는 누출된 액체 감지가 필요한 영역에 설치되고 누설 감지 신호를 제어부로 출력하여 설치된 영역에서 액체 누출 여부 및 액체 누출 위치를 검출할 수 있도록 하는 필름 타입의 누설 감지 장치이다.The leakage detection device 100 according to the embodiments of the present invention is provided with a film which is installed in a region where leaked liquid is required to be detected and outputs a leak detection signal to the control portion so as to detect a liquid leakage state and a liquid leakage position in an installed region Type leakage detection device.

도 2 는 본 발명의 제1 실시예에 따른 누설 감지 장치를 개략적으로 나타낸 분리 사시도이다. 도시되는 바와 같이, 누설 감지 장치(100)는 부착층(110), 베이스층(120), 박막 절연층(160), 감지회로(140), 접착층(150), 보호층(130)을 포함한다. 베이스층(120)은 PI(폴리이미드), PET(폴리에스터), PTFE 또는 FEP(불소수지 계열), PO(폴리올레핀) 등의 내열성과 내식성이 있는 재질로 형성된다. 박막 절연층(160)은 감지회로 사이의 전기적 절연 저항을 높이기 위하여 SiO2 또는 Al2O3와 같은 질화계, 산화물계, 세라믹계 절연 물질을 재질로 하여 베이스층(120) 상에 진공 증착 방식으로 형성된다. 감지회로(140)는 복수의 회로 라인(141,142,143,144)을 포함한다. 회로 라인(141,142,143,144)은 도전성 물질이 진공증착 방식으로 박막 절연층(160) 상에 서로 설정 간격으로 이격되어 길이방향으로 평행하게 형성된다. 보호층(130)은 PI(폴리이미드), PET(폴리에스터), PTFE 또는 FEP(불소수지 계열), PO(폴리올레핀) 등의 내열성과 내식성이 있는 재질로 코팅하여 형성되거나 PI(폴리이미드), PET(폴리에스터), PTFE 또는 FEP(불소수지 계열), PO(폴리올레핀) 등의 내열성과 내식성 있는 재질의 필름으로 형성된다. 보호층(130)은 감지회로(140)를 보호하기 위해 감지회로(140)를 개재하여 베이스층(120) 상면에 결합한다. 내열성과 내식성 있는 재질의 필름을 사용할 경우, 보호층(130)은 접착층(150)에 의해 베이스층(120)에 접합될 수 있다. 보호층(130)과 접착층(150)을 관통하여 센싱홀(131,151)이 형성된다. 센싱홀(131,151)은 누설된 도전성 액체를 감지하는 감지라인(142,143)에 상응하는 위치에 길이방향으로 설정 간격마다 형성된다. 센싱홀(131,151)은 다양한 모양과 간격이 적용될 수 있다. 보호층(130)과 접착층(150)은 액체의 종류, 사용자의 요청, 제조원가 절감, 센싱 감도 조절 등과 같은 다양한 이유로 필요에 따라 적용 및 삭제가 가능하다. 한편, 베이스층(120)의 하부면에는 벽, 바닥, 파이프 외관 등 누설 감지 장치를 설치하기 위한 부착층(110)이 추가로 결합할 수 있다. 부착층(110)은 양면접착테이프를 이용할 수 있지만, 설치환경에 따라서 다양한 글루(Glue) 형식의 접착제 또는 기구적 고정방식의 브라켓(Bracket) 등의 각종 고정장치(볼트, 와이어, 밴드 등)와 함께 사용할 수 있다.2 is an exploded perspective view schematically showing a leakage detection apparatus according to a first embodiment of the present invention. As shown, the leakage sensing device 100 includes an adhesion layer 110, a base layer 120, a thin film insulation layer 160, a sensing circuit 140, an adhesive layer 150, and a protective layer 130 . The base layer 120 is formed of a material having heat resistance and corrosion resistance such as PI (polyimide), PET (polyester), PTFE or FEP (fluororesin series), PO (polyolefin) The thin film insulation layer 160 is formed on the base layer 120 using a vapor deposition system such as SiO 2 or Al 2 O 3 , an oxide system or a ceramic insulation material in order to increase the electrical insulation resistance between the sensing circuits, . The sensing circuit 140 includes a plurality of circuit lines 141, 142, 143 and 144. The circuit lines 141, 142, 143, and 144 are formed in parallel with each other in the longitudinal direction on the thin insulating layer 160 in a vacuum deposition manner. The protective layer 130 is formed by coating with a material having heat resistance and corrosion resistance such as PI (polyimide), PET (polyester), PTFE or FEP (fluororesin), PO (polyolefin) And is formed of a film of heat-resistant and corrosion-resistant material such as PET (polyester), PTFE or FEP (fluororesin), and PO (polyolefin). The protection layer 130 is coupled to the upper surface of the base layer 120 via the sensing circuit 140 to protect the sensing circuit 140. When a heat-resistant and corrosion-resistant film is used, the protective layer 130 may be bonded to the base layer 120 by an adhesive layer 150. The sensing holes 131 and 151 are formed through the protective layer 130 and the adhesive layer 150. The sensing holes 131 and 151 are formed at predetermined intervals in the longitudinal direction at positions corresponding to the sensing lines 142 and 143 sensing the leaked conductive liquid. The sensing holes 131 and 151 may have various shapes and spacings. The protective layer 130 and the adhesive layer 150 can be applied and removed as needed for various reasons such as the type of liquid, the user's request, the manufacturing cost reduction, the sensing sensitivity control, and the like. On the other hand, an adhesive layer 110 for installing a leakage sensing device such as a wall, a floor, and a pipe exterior may be further coupled to the lower surface of the base layer 120. The adhesive layer 110 may be a double-sided adhesive tape. However, depending on the installation environment, various glue type adhesives or various fixing devices (bolts, wires, bands, etc.) such as brackets Can be used together.

한편, 감지회로(140)의 회로라인(141,142,143,144)은 도 2에 도시된 바와 같이 다층 적층 구조를 가질 수 있다. 감지회로(140)를 다층으로 형성할 경우, 제일 저층인 제1금속층(141-1,142-1,143-1,144-1)은 베이스층(120) 또는 절연층(160)과 안정적인 결합력을 가지고 내식성은 크고 전기 저항값은 낮은 크롬과 니켈의 합금, 크롬, 니켈 등을 사용 것이 바람직하다. 제1금속층(141-1,142-1,143-1,144-1) 상에 적층되는 제2금속층(141-2,142-2,143-2,144-2)은 제1금속층(141-1,142-1,143-1,144-1)과 안정된 결합력을 가지고 전기 전도도가 높은 금, 은, 구리, 구리와 아연의 합금과 같은 소재를 사용하는 것이 바람직하다. 전기전도도가 높은 재질로 회로 라인을 형성하여 누설 감지 감도를 향상시킨다. 제2금속층(141-2,142-2,143-2,144-2) 상에 적층되는 제3금속층(141-3,142-3,143-3,144-3)은 제2금속층(141-2,142-2,143-2,144-2)과 안정적인 결합력을 가지고 액체나 습기 등과 같은 부식성 물질에 대하여 양호한 내부식성을 갖는 크롬과 니켈의 합금, 크롬(Cr), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo)과 같은 소재를 사용하는 것이 바람직하다. 내부식성을 갖는 재질로 회로라인의 최외각 층을 형성하여 염기성 액체와 같은 도전성 액체에 의해 감지회로(140)가 부식되는 것을 방지할 수 있다.On the other hand, the circuit lines 141, 142, 143, and 144 of the sensing circuit 140 may have a multi-layered laminated structure as shown in FIG. The first metal layers 141-1, 142-1, 143-1, and 144-1 having the lowermost layer have a stable bonding force with the base layer 120 or the insulating layer 160, It is preferable to use a low chromium and nickel alloy, chromium, nickel, or the like as the resistance value. The second metal layers 141-2, 142-2, 143-2, 144-2 stacked on the first metal layers 141-1, 142-1, 143-1, 144-1 are bonded to the first metal layers 141-1, 142-1, 143-1, It is preferable to use materials such as gold, silver, copper, copper and zinc alloys having high electrical conductivity. Circuit lines are formed with high electrical conductivity to improve leakage detection sensitivity. The third metal layers 141-3, 142-3, 143-3, 144-3 stacked on the second metal layers 141-2, 142-2, 143-2, 144-2 are connected to the second metal layers 141-2, 142-2, 143-2, It is preferable to use materials such as chromium (Cr), nickel (Ni), tungsten (W), and molybdenum (Mo), which are excellent in corrosion resistance against corrosive materials such as liquid or moisture, . The outermost layer of the circuit line may be formed of a material having corrosion resistance to prevent the sensing circuit 140 from being corroded by a conductive liquid such as a basic liquid.

도 2에서는 감지회로(140)는 3개 층으로 구성되는 실시예가 도시되었지만, 본 발명의 실시예에 따른, 감지회로(140)는 도 3에 도시되는 바와 같이 2개 이상의 다층으로 적층될 수 있다. 감지회로(140)를 구성하는 각층들의 소재는 감지하는 액체의 종류, 사용자의 요청, 제조 원가, 센싱 감도, 내부식성, 회로 저항값 등을 고려하여 다른 금속 또는 비금속 소재를 사용할 수 있다. 이하에서는 도 3을 참조하여 감지회로(140)의 다층 구조를 설명하기로 한다. 도 3에서는, 회로라인(141,142,143,144)을 대표하여 감지회로(140)로 도시하여 설명하기로 한다. 도시되는 실시예에서 베이스층(120) 상에 절연층(160)이 적층되고 그 위에 감지회로(140)가 적층되었으나, 절연층(160)은 필요에 따라 생략 가능하다.In FIG. 2, the sensing circuit 140 is illustrated as being composed of three layers, but the sensing circuit 140 according to an embodiment of the present invention may be stacked in two or more layers as shown in FIG. 3 . The materials of the layers constituting the sensing circuit 140 may be made of other metals or non-metallic materials in consideration of the type of liquid to be sensed, the user's request, manufacturing cost, sensing sensitivity, corrosion resistance, circuit resistance, Hereinafter, the multi-layer structure of the sensing circuit 140 will be described with reference to FIG. In FIG. 3, the sensing circuits 140 represent circuit lines 141, 142, 143, and 144, respectively. Although the insulating layer 160 is stacked on the base layer 120 and the sensing circuit 140 is stacked on the base layer 120 in the illustrated embodiment, the insulating layer 160 may be omitted as needed.

먼저, 도 3의 (a)에 개시된 바와 같이 2개 층으로 감지회로의 회로라인을 증착할 수 있다. 제1금속층(140-1a)은 금, 은, 구리 등과 같이 전도성이 높은 금속을 적층하는 것이 바람직하다. 제2금속층(140-2a)은 제1금속층(140-1a)을 보호하기 위하여 내부식성을 가지고 전기전도도도 크게 저하되지 않는 니켈, 크롬, 및 니켈과 크롬의 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 금속을 적층할 수 있다. 제1금속층(140-1a)의 보호를 강화하기 위하여 니켈, 크롬, 및 니켈과 크롬의 합금보다 내식성이 뛰어난 텅스텐, 몰리브덴 및 텅스텐과 몰리브덴의 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 금속으로 제2금속층(140-2a)을 적층할 수도 있다. First, the circuit lines of the sensing circuit can be deposited in two layers as shown in Figure 3 (a). The first metal layer 140-1a is preferably formed of a metal having high conductivity such as gold, silver, copper, or the like. The second metal layer 140-2a may be formed of any one selected from the group consisting of nickel, chromium, and an alloy of nickel and chromium, which has corrosion resistance and does not significantly lower the electrical conductivity to protect the first metal layer 140-1a Metal can be laminated. In order to enhance the protection of the first metal layer 140-1a, any metal selected from the group consisting of tungsten, molybdenum, and alloys of tungsten and molybdenum, which is superior in corrosion resistance to nickel, chromium, and alloys of nickel and chromium, (140-2a) may be laminated.

도 3의 (b)에 도시된 바와 같이 3개 층으로 감지회로의 회로라인을 증착할 수 있다. 제1금속층(140-1b)은 누출된 도전성 액체가 침투할 경우, 절연증착층(160) 또는 베이스층(120) 상면의 감지회로(140)의 측저면으로 침투하게 되므로 이에 따른 손상을 방지하기 위하여 내식성이 뛰어나면서 전기전도도가 많이 저하되지 않는 니켈, 크롬, 니켈과 크롬 합금, 아연, 아연과 구리의 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 금속을 절연증착층(160) 또는 베이스층(120) 상에 제1금속층(140-1b)으로 증착할 수 있다. 손상 방지 기능을 강화하기 위하여 제1금속층(140-1b)으로 내식성이 더욱 뛰어난 텅스텐, 몰리브덴 및 텅스텐과 몰리브덴의 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어는 하나의 금속을 제1금속층(140-1b)으로 증착할 수 있다. 제1금속층(140-1b) 상에 회로 라인의 전도도를 향상시키기 위하여 금,은, 구리, 알루미늄으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 금속을 제2금속층(140-2b)으로 증착할 수 있다. 제2금속층(140-2b) 상에 제2금속층(140-2b)의 보호를 위하여 내식성이 가장 뛰어난 텅스텐, 몰리브덴 및 텅스텐과 몰리브덴의 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어는 하나의 금속을 제3금속층(140-3b)으로 증착할 수 있다. The circuit lines of the sensing circuit can be deposited in three layers as shown in Figure 3 (b). When the leaked conductive liquid penetrates the first metal layer 140-1b, the first metal layer 140-1b penetrates the insulation layer 160 or the side surface of the sensing circuit 140 on the upper surface of the base layer 120, The insulating layer 160 or the base layer 120 may be formed of any one metal selected from the group consisting of nickel, chromium, nickel, chromium alloy, zinc, zinc and copper, The first metal layer 140-1b may be deposited on the first metal layer 140-1b. In order to enhance the damage prevention function, a metal selected from the group consisting of tungsten, molybdenum, and an alloy of tungsten and molybdenum, which is more resistant to corrosion as the first metal layer 140-1b, is deposited as the first metal layer 140-1b . In order to improve the conductivity of the circuit line on the first metal layer 140-1b, any metal selected from the group consisting of gold, silver, copper, and aluminum may be deposited as the second metal layer 140-2b. In order to protect the second metal layer 140-2b on the second metal layer 140-2b, one metal selected from the group consisting of tungsten, molybdenum, and an alloy of tungsten and molybdenum having the best corrosion resistance is used as the third metal layer 140 -3b). ≪ / RTI >

도 3의 (c)에 도시된 바와 같이 4개 층으로 감지회로의 회로라인을 증착할 수 있다. 제1금속층(140-1c)은 누출된 도전성 액체가 침투할 경우, 절연증착층(160) 또는 베이스층(120) 상부의 감지회로(140) 측저면으로 침투하게 되므로 이에 따른 손상을 방지하기 위하여 내식성이 뛰어나면서 전기전도도가 많이 저하되지 않는 니켈, 크롬, 니켈과 크롬 합금, 아연, 아연과 구리의 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 금속을 절연증착층(160) 또는 베이스층(120) 상에 제1금속층(140-1c)으로 증착할 수 있다. 손상 방지 기능을 강화하기 위하여 제1금속층(140-1c)으로 내식성이 더욱 뛰어난 텅스텐, 몰리브덴 및 텅스텐과 몰리브덴의 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어는 하나의 금속을 제1금속층(140-1c)으로 증착할 수 있다. 제1금속층(140-1c) 상에 회로 라인의 전기전도도를 향상시키기 위하여 금, 은, 구리, 알루미늄으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 금속을 제2금속층(140-2c)으로 증착할 수 있다. 제2금속층(140-2c) 상에 제2금속층(140-2c)의 보호하면서 전기전도도가 많이 저하되지 않는 니켈, 크롬, 니켈과 크롬 합금, 아연, 아연과 구리의 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 금속을 제3금속층(140-3c)으로 증착할 수 있다. 최외각층인 제4금속층(140-4c)은 회로라인 전면이 도전성 액체에 접촉될 수 있으므로 내식성이 강한 텅스텐, 몰리브덴 및 텅스텐과 몰리브덴의 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어는 하나의 금속을 제4금속층(140-4c)으로 증착할 수 있다. The circuit lines of the sensing circuit can be deposited in four layers as shown in FIG. 3 (c). When the leaked conductive liquid penetrates the first metal layer 140-1c, the first metal layer 140-1c penetrates the bottom surface of the insulating layer 160 or the sensing layer 140 on the base layer 120. Accordingly, Any one metal selected from the group consisting of nickel, chromium, nickel and chromium alloy, zinc, zinc and copper, which is excellent in corrosion resistance and does not significantly lower the electric conductivity, is formed on the insulating deposition layer 160 or the base layer 120 The first metal layer 140-1c may be deposited on the first metal layer 140-1c. In order to enhance the damage prevention function, a metal selected from the group consisting of tungsten, molybdenum, and an alloy of tungsten and molybdenum, which is more resistant to corrosion as the first metal layer 140-1c, is deposited as the first metal layer 140-1c . In order to improve the electrical conductivity of the circuit line on the first metal layer 140-1c, any one metal selected from the group consisting of gold, silver, copper, and aluminum may be deposited as the second metal layer 140-2c. A metal selected from the group consisting of nickel, chromium, nickel and chromium alloy, zinc, and an alloy of zinc and copper, which does not significantly lower the electrical conductivity while protecting the second metal layer 140-2c on the second metal layer 140-2c. One metal may be deposited as the third metal layer 140-3c. Since the outermost layer of the fourth metal layer 140-4c may be in contact with the conductive liquid on the entire surface of the circuit line, a metal selected from the group consisting of tungsten, molybdenum, and an alloy of tungsten and molybdenum, -4c). ≪ / RTI >

본 발명의 실시예에 따른 감지회로(140)는 증착 공정을 이용하여 증착될 수 있다. 기존의 인쇄 공정을 사용하는 감지회로의 경우 전기전도도가 비교적 낮아 센싱 감도가 낮은 문제점이 있었다. 감지회로(140)는 센싱 감도를 강화시키기 위하여 금, 은, 구리, 알루미늄과 같은 전기전도도가 큰 금속의 증착층(140-1a, 140-2b, 140-3c)을 포함한다. 다층 적층된 감지회로(140)는 측저면과 상면이 노출된다. 도3(a)를 제외한 (b)와 (c)의 경우 베이스층(120) 상면에 최초로 적층되는 증착층(140-1b, 140-1c)의 경우 제일 저면의 측면이 도전성 액체에 노출될 가능성이 높으므로 내식성을 가진 금속이 적층되는 것이 바람직하다. 내식성을 강화하기 위해서는 텅스텐, 몰리브덴, 또는 그 합금과 같이 내부식성이 매우 강한 금속을 적용하고, 내식성과 함께 전기전도도를 고려해야 할 경우 니켈, 크롬, 니켈과 크롬의 합금과 같이 전기전도도가 많이 저하되지 않으면서도 내식성을 가지는 금속을 사용한다. 감지회로(140)의 최외각 상면을 이루는 증착층(140-2a, 140-3b, 140-4c)은 회로라인 전면이 도전성 액체에 접촉되어 손상 가능성이 높으므로 내식성이 강한 텅스텐, 몰리브덴, 또는 그 합금을 사용하거나, 감지 감도에 중점을 둘 경우 니켈, 크롬, 니켈과 크롬의 합금을 사용하는 것이 바람직하다. 적층될 금속은 내식성과 전기전도도를 고려하여 선택된다. 한편, 본 발명의 실시예에 따른 감지회로(140)에서 사용되는 니켈과 크롬의 합금의 구성비는 크롬이 1~20 중량%, 니켈이 80~99 중량%이다. 상기 비율은 내식성을 향상시키면서 전기전도도가 저하되지 않기 위한 최적화 한 것이다. 니켈의 함량이 높아질수록 내식성이 향상되므로, 누출되는 액체의 종류에 따라 니켈 함량을 상이하게 조정할 수 있다. The sensing circuit 140 according to embodiments of the present invention may be deposited using a deposition process. In the case of a sensing circuit using an existing printing process, there is a problem that the sensitivity of sensing is low because the electric conductivity is relatively low. The sensing circuit 140 includes deposition layers 140-1a, 140-2b, and 140-3c of a metal having high electrical conductivity such as gold, silver, copper, and aluminum to enhance the sensing sensitivity. The multi-layered sensing circuit 140 exposes the side bottom and the top surface. In the case of (b) and (c) except for FIG. 3 (a), in the case of the deposition layers 140-1b and 140-1c first deposited on the upper surface of the base layer 120, It is preferable that the metal having corrosion resistance is laminated. In order to enhance the corrosion resistance, it is necessary to apply a highly corrosion-resistant metal such as tungsten, molybdenum, or an alloy thereof, and when the electrical conductivity is taken into consideration along with corrosion resistance, the electrical conductivity such as nickel, chromium, It is also possible to use a metal that is corrosion resistant. The deposition layers 140-2a, 140-3b, and 140-4c forming the uppermost surface of the sensing circuit 140 are formed of tungsten, molybdenum, or the like having high resistance to corrosion due to high possibility of damage due to contact with the conductive liquid on the entire surface of the circuit line. When alloys are used, or when focusing on sensing sensitivity, it is preferable to use alloys of nickel, chromium, nickel and chromium. The metal to be laminated is selected in consideration of corrosion resistance and electrical conductivity. Meanwhile, the composition ratio of nickel to chromium used in the sensing circuit 140 according to the embodiment of the present invention is 1 to 20% by weight of chromium and 80 to 99% by weight of nickel. The above ratio is optimized so as not to lower the electric conductivity while improving the corrosion resistance. The higher the content of nickel, the better the corrosion resistance, so that the content of nickel can be adjusted differently depending on the type of liquid to be leaked.

일반적으로 베이스층(120) 상부면에는 도전성 회로라인(141, 142, 143, 144)들간의 전기적 절연저항을 높이기 위해 절연층(160)이 배치되지만, 생산공정을 단순화하여 제조원가를 절감하고, 정밀한 누설용액감지 기능을 요하지 않는 누설 감지 장치에는 이러한 절연층(160)을 생략할 수 있다. 도 4는 절연층(160)이 생략된 실시예를 나타낸 단면도이다. 도시되는 바와 같이 베이스층(120) 상에 감지회로(140)의 다층 회로 라인(141,142,143,144)이 적층되고, 감지회로(140)를 개재하여 보호층(130)이 접착층(150)에 의해 베이스층(120) 상에 결합한다. 감지회로(140) 중 한 쌍의 감지라인(142,143) 상의 보호층(130)과 접착층(150)에 센싱홀(131,151)이 형성되어 도전성 액체의 누설 여부와 누설 위치를 감지하는 기능을 한다. Generally, the insulating layer 160 is disposed on the upper surface of the base layer 120 to increase the electrical insulation resistance between the conductive circuit lines 141, 142, 143, and 144. However, the manufacturing process is simplified to reduce the manufacturing cost, This insulating layer 160 can be omitted in a leak detecting apparatus which does not require a leakage solution detecting function. 4 is a cross-sectional view showing an embodiment in which the insulating layer 160 is omitted. The multilayer circuit lines 141, 142, 143 and 144 of the sensing circuit 140 are laminated on the base layer 120 and the protective layer 130 is bonded to the base layer 120 by the adhesive layer 150 via the sensing circuit 140 120). Sensing holes 131 and 151 are formed in the protective layer 130 and the adhesive layer 150 on the pair of sensing lines 142 and 143 of the sensing circuit 140 to sense leakage or leakage of the conductive liquid.

일반적으로 감지회로(140)의 보호를 위하여 보호층(130)이 접착층(150)에 의해 베이스층(120) 상면에 감지회로(140)를 개재하여 결합하나 필요한 경우 보호층(130)과 접착층(150)은 생략 가능하다. 도 5는 보호층(130)과 접착층(150)이 생략된 실시예를 나타낸다. 도 5의 실시예에서, 신호라인(141,144)은 외부에 노출되지 않도록 각각 보호층으로 커버되거나, 방수 기능을 가지는 고분자 폴리머 소재로 이중으로 코팅되어 형성되는 코팅층(200)에 의해 보호된다. 도전성 액체가 누설되면 노출된 감지라인(142,143)에 전기적 단락 현상이 발생하므로 도전성 액체의 누설 유무와 누설된 위치를 검출할 수 있게 된다. The protection layer 130 is bonded to the upper surface of the base layer 120 through the sensing circuit 140 to protect the sensing circuit 140. The protection layer 130 and the adhesive layer 150 may be omitted. 5 shows an embodiment in which the protective layer 130 and the adhesive layer 150 are omitted. In the embodiment of FIG. 5, the signal lines 141 and 144 are protected by a coating layer 200, which is covered with a protective layer or is coated with a polymeric material having a waterproof function. When the conductive liquid leaks, electrical short-circuiting occurs in the exposed sensing lines 142 and 143, so that leakage and presence of the conductive liquid can be detected.

도 6은 신호라인(141,144)이 생략된 실시예를 나타낸 단면도이다. 도전성 액체의 누출 여부만을 감지하는 누설감지장치는 감지라인(142,143)만으로 구성할 수 있다. 도시되는 바와 같이, 베이스층(120)과 절연층(160) 상면에 한 쌍의 감지라인(143,144)이 적층된다. 보호층(130)을 생략하여 누설된 도전성 액체에 감지라인(142,143)의 어느 부분이 노출되더라도 바로 전기적 단락 현상이 발생하여 도전성 액체의 누설 여부를 검출하게 된다.6 is a cross-sectional view showing an embodiment in which the signal lines 141 and 144 are omitted. The leakage sensing device that detects only the leakage of the conductive liquid may be composed of only the sensing lines 142 and 143. As shown in the figure, a pair of sensing lines 143 and 144 are stacked on the upper surface of the base layer 120 and the insulating layer 160. Even if any part of the sensing lines 142 and 143 is exposed to the leaked conductive liquid by omitting the protective layer 130, an electrical short circuit phenomenon immediately occurs to detect the leakage of the conductive liquid.

도 7은 도 5의 누설 감지 장치에서 베이스층(120)과 절연층(160) 상면에 형성되는 감지라인(142,143) 상부에 감지코팅막(210)이 형성되는 실시예를 나타낸다. 감지코팅막(210)은 액체투과가 용이하고 액체에 의해 쉽게 지워지거나 녹지 않는 다공성을 가지는 무도전성 카본과 고분자 폴리머 소재의 혼합물로 형성된다. 신호라인(141,144)은 도 5의 누설 감지 장치와 같이 방수 기능을 가지는 고분자 폴리머 소재의 코팅층(200)으로 코팅하여 외부에 노출되지 않도록 한다. 따라서, 누설된 도전성 액체가 감지라인(142,143) 상면의 감지코팅막(210)의 어느 부분에 노출되더라도 전기적 단락현상이 발생하여 도전성 액체의 누설 유무와 누설된 위치를 감지할 수 있게 된다. 감지코팅막(210)은 액체와 반응성이 좋은 다양한 고분자 폴리머 소재(폴리우레탄, 알키드수지, 에나멜, PE, PC, PP, 폴리염화비닐 및 기타 비닐계)를 기반으로 각종 액체 투과를 용이하게 하는 다공성을 가지는 무도전성 카본(금속 산화물계 카본 등)과 설정 비율로 혼합하여 제작된 코팅 잉크를 이용하여 슬롯다이(Slot Die) 코팅 또는 콤마(Comma)코팅 등의 방식으로 베이스층(120) 상면의 감지라인(142, 143) 상에 1㎛ ~ 50㎛ 두께로 형성된다. 따라서, 누설된 액체가 카본의 다공성과 액체 반응성이 좋은 고분자폴리머 소재로 인해 쉽게 코팅막을 투과하여 하부의 한 쌍의 감지라인(142, 143)을 전기적으로 통전시켜 도전성액체 누설유무 및 누설위치를 알 수 있다. 무도전성 감지코팅막(210)을 이용하여 센싱 감도를 조절할 수 있다. 감지코팅막(210) 속에 포함된 다공성을 갖는 무도전성 카본의 함량(중량%), 코팅 두께를 조절하여 센싱 감도가 조절가능하다. 7 illustrates an embodiment in which a sensing coating layer 210 is formed on sensing layers 142 and 143 formed on the base layer 120 and the insulating layer 160 in the leakage sensing device of FIG. The sensing coating film 210 is formed of a mixture of a polymeric polymer material and a non-conductive carbon having porosity that is easy to permeate liquid and is not easily erased or dissolved by the liquid. The signal lines 141 and 144 are coated with a coating layer 200 of a polymer polymer material having a waterproof function to prevent exposure to the outside. Therefore, even if the leaked conductive liquid is exposed to any part of the sensing coating film 210 on the upper surface of the sensing lines 142 and 143, an electrical short-circuiting phenomenon occurs, thereby allowing the leakage and presence of the conductive liquid to be detected. The sensing coating layer 210 is made of a variety of polymer polymer materials (polyurethane, alkyd resin, enamel, PE, PC, PP, polyvinyl chloride and other vinyl-based materials) A coating layer formed on the upper surface of the base layer 120 by a slot die coating method or a comma coating method using a coating ink prepared by blending with a non-conductive carbon (metal oxide type carbon, etc.) Mu] m to 50 [mu] m in thickness. Therefore, the leaked liquid easily permeates the coating film due to the polymeric polymer material having good porosity and liquid reactivity of carbon, and electrically conducts the pair of sensing lines 142 and 143 at the lower part to detect the presence or absence of the conductive liquid leakage and the leakage position . The sensing sensitivity can be adjusted by using the non-conductive detection coating film 210. The sensing sensitivity can be adjusted by controlling the content (weight%) of the porous non-conductive carbon included in the sensing coating film 210 and the thickness of the coating.

도 8은 신호라인(141,144)이 생략되는 도 6의 실시예에 따른 누설 감지 장치에 감지라인(142,143)의 보호를 위해 감지코팅막(210)이 추가로 포함되는 실시예를 나타낸다. 베이스층(120)과 절연층(160) 상면에서 접착층(150)과 보호층(130)을 완전히 생략하고, 감지할 액체 투과가 용이하고 액체에 의해 액체에 의해 쉽게 지워지거나 녹지않는 무도전성 다공질 카본과 고분자폴리머소재의 복합 혼합물인 감지코팅막(210)을 형성함으로써, 누설된 액체가 감지라인(142, 143) 상부면의 감지코팅막(210) 어느 부분에 노출되더라도 곧바로 전기적 단락현상으로 도전성액체의 누설 여부를 감지할 수 있다.8 shows an embodiment in which a sensing coating film 210 is additionally included for protecting the sensing lines 142 and 143 in the leakage sensing device according to the embodiment of FIG. 6 in which the signal lines 141 and 144 are omitted. The adhesive layer 150 and the protective layer 130 may be omitted entirely from the upper surface of the base layer 120 and the insulating layer 160 so that the liquid to be sensed can be easily permeated, The leakage of the conductive liquid may be caused by an electrical short circuit even if the leaked liquid is exposed to any part of the sensing coating film 210 on the upper surface of the sensing lines 142 and 143. [ Can be detected.

도 9 는 도 6의 실시예에 따른 감지코팅막(210)을 포함하는 누설감지장치의 감지코팅막(210) 상에 보호층(130)을 추가로 포함하는 실시예를 나타낸다. 보호층(130)은 접착층(150)을 이용하여 감지코팅막(210) 및 코팅층(200) 상에 결합될 수 있다. 보호층(130)에는 센싱홀(132,152)이 감지라인(142,144)의 위치에 상응하는 위치에 형성된다. 센싱홀(132,152)의 크기와 간격을 물리적으로 조정하여 센싱 감도를 조절할 수 있다. 도 9의 실시예에 따른 누설 감지장치는 감지코팅막(210) 상에 보호층(130)을 추가로 포함하여, 감지코팅막(210)을 외부의 물리적 충격으로부터 보호할 수 있고, 센싱홀(132, 152)의 크기와 간격을 조정하여 센싱 감도 조절이 가능해진다.FIG. 9 shows an embodiment in which a protective layer 130 is additionally provided on the sensing coating film 210 of the leakage sensing device including the sensing coating film 210 according to the embodiment of FIG. The protective layer 130 may be bonded onto the sensing layer 210 and the coating layer 200 using an adhesive layer 150. In the protective layer 130, sensing holes 132 and 152 are formed at positions corresponding to the positions of the sensing lines 142 and 144, respectively. The sensing sensitivity can be adjusted by physically adjusting the size and the interval of the sensing holes 132 and 152. 9 may further include a protective layer 130 on the sensing coating layer 210 to protect the sensing coating layer 210 from external physical impact and to prevent the sensing holes 132, 152 can be adjusted to adjust the sensing sensitivity.

도 7, 도 8, 및 도 9의 실시예에서와 같이 감지코팅막(210)을 추가로 포함하면, 감지코팅막(210)에 의해 감지라인(142,143)이 공기중에 노출되는 것을 차단함으로써, 기존의 센싱홀(131,151)을 통한 액체, 화학용액, 수분, 먼지의 침투를 방지할 수 있고, 그에 따라, 전기분해 등에 의한 감지회로(140)의 부식문제를 해결할 수 있고, 전기적 노이즈가 감지회로(140)를 통해 흘러들어오는 것을 최소화하여 안정적으로 누설된 액체를 감지하고 누설된 위치를 검출하여 오동작 없이 누설 감지 동작을 수행할 수 있다.In the embodiment of FIGS. 7, 8, and 9, when the sensing coating film 210 is further included, the sensing lines 142 and 143 are prevented from being exposed to the air by the sensing coating film 210, It is possible to prevent penetration of liquid, chemical solution, moisture, and dust through the holes 131 and 151, thereby solving the corrosion problem of the sensing circuit 140 by electrolysis or the like, So that the leaked liquid can be detected stably and the leaked position can be detected to perform leak detection operation without malfunction.

도 10 내지 도 13 은 본 발명의 다른 실시예에 따른 감지회로(140)의 패턴들을 각각 나타낸 도면이다. 도시되는 바와 같이, 감지회로(140)는 감도 향상과, 유연성 등을 향상시키기 위하여 다양한 패턴이 적용 가능하다. 도 9 는 감지회로(140)의 감지라인(142,143)이 마주보는 방향에 돌출부(142a, 143a)를 톱니 모양으로 형성하여 서로 맞물리도록 배치된 실시예를 나타낸다. 감지회로(140)는 도시되는 바와 같은 톱니형은 물론, 삼각형, 빗살형, 둥근형, 스크류형 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 상기와 같은 패턴을 적용한 감지회로(140)는 감지 감도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 도 10은 감지라인과 신호라인을 모두 포함하는 실시예이고, 도 11은 신호라인(141,144)이 생략되고 감지라인(142,143)만 포함한 실시예이다. 도 12는 사각패턴의 감지회로(140)를 도시하고, 도 12는 원형 패턴의 감지회로(140)를 도시한다. 도시되는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 누출 감지 장치의 감지회로는 다양한 패턴으로 형성될 수 있다.10 to 13 are diagrams showing patterns of the sensing circuit 140 according to another embodiment of the present invention, respectively. As shown in the figure, various patterns can be applied to the sensing circuit 140 to improve sensitivity, flexibility, and the like. FIG. 9 shows an embodiment in which the protruding portions 142a and 143a are formed in a sawtooth shape in the direction in which the sensing lines 142 and 143 of the sensing circuit 140 face each other and are arranged to mesh with each other. The sensing circuit 140 may be formed in various shapes such as a triangular shape, a comb shape, a round shape, a screw shape, as well as a serrated shape as shown. The sensing circuit 140 to which the above-described pattern is applied has an effect of improving the sensing sensitivity. FIG. 10 is an embodiment including both the sensing line and the signal line, and FIG. 11 is an embodiment including only the sensing lines 142 and 143, with the signal lines 141 and 144 omitted. FIG. 12 shows a square pattern sensing circuit 140, and FIG. 12 shows a circular pattern sensing circuit 140. FIG. As shown, the sensing circuit of the leakage sensing device according to the embodiment of the present invention may be formed in various patterns.

도 14 내지 도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 누설 감지 장치의 실시예들을 도시한 단면도이다. 도 14는 베이스층(120)이 쉽게 훼손되는 것을 방지하기 위하여 금속 박막(120b)이 내부에 포함되는 베이스층(120)을 도시한다. 스테인레스와 같은 금속 박막(120b)을 불소수지 또는 고분자수지로 코팅(120a)하여 베이스층(120)을 형성할 수 있다. 도 15는 다층 레이어 감지회로(140) 상에 액체투과코팅막(180)과 방수코팅막(190)이 증착 또는 인쇄 방식을 사용하여 형성된 실시예를 도시한다. 도시되는 바와 같이, 감지라인(142,143) 사이와 감지라인(142,143)의 일부를 커버하도록 액체투과코팅막(180)이 형성되고, 감지라인(142,143)의 타부와 감지라인(142,143) 외측을 커버하도록 방수코팅막(190)이 형성된다. 도 16는 다층 레이어 감지회로(140) 상에 감지회로를 물리적으로 보호하기 위하여 액체투과부재(220)가 결합되는 실시예를 도시한다. 액체투과부재(220)는 액체를 투과하는 망상 구조의 부재를 사용할 수 있다. 액체투과부재(190)는 망상구조를 가지는 것이 바람직하다.14 to 16 are sectional views showing embodiments of a leakage sensing apparatus according to another embodiment of the present invention. FIG. 14 illustrates a base layer 120 in which a metal foil 120b is included to prevent the base layer 120 from being easily damaged. The base layer 120 can be formed by coating a metal thin film 120b such as stainless steel with a fluororesin or a polymer resin 120a. 15 shows an embodiment in which a liquid-permeable coating film 180 and a water-proof coating film 190 are formed on a multilayer-layer sensing circuit 140 by using a deposition or printing method. A liquid permeable coating film 180 is formed so as to cover a part of the sensing lines 142 and 143 and between the sensing lines 142 and 143 and a waterproof coating 180 is formed so as to cover the outside of the sensing lines 142 and 143 and the outside of the sensing lines 142 and 143. [ A coating film 190 is formed. FIG. 16 illustrates an embodiment in which a liquid permeable member 220 is coupled to physically protect the sensing circuitry on the multilayered sensing circuitry 140. The liquid permeable member 220 can use a member of a network structure that transmits liquid. The liquid permeable member 190 preferably has a network structure.

도 17은 전술된 실시예들의 누설 감지 장치(100)의 연결되는 신호라인(141,144)과 감지라인(142, 143) 한 쌍과, 이와 연결된 제어부(290)를 개략적으로 나타낸 도면이다. 제1신호라인(141)과 제1감지라인(142)이 연결되고 제2신호라인(144)과 제2감지라인(143)이 연결된다. 감지회로(140)에 흐르는 전류는 직류(DC)나 교류(AC)를 모두 사용가능하며, 제어부(290)에서 해당 전류를 펄스(Puls)방식으로 회로라인(141,142,143,144)으로 흘려보낸다. 인가되는 전압의 크기는 1V~30V로 수밀리 암페어(mA) 이하의 전류가 감지회로(140)의 회로라인(141,142,143,144)에 흐르게 된다. 내부회로(291)의 전위차를 검출하여 제1회로라인(141,142)의 절단을 감지할 수 있고, 내부회로(292)의 전위차를 감지하여 제2회로라인(143,144)의 절단을 감지할 수 있다. 누설된 액체로 인하여 단락 Rleak은 Vout을 통해 이를 검출할 수 있게 된다.17 is a view schematically showing a pair of connected signal lines 141 and 144 and a pair of sensing lines 142 and 143 and a control unit 290 connected to the leakage sensing device 100 of the above-described embodiments. The first signal line 141 and the first sensing line 142 are connected and the second signal line 144 and the second sensing line 143 are connected. The current flowing in the sensing circuit 140 can be either DC or AC and the control unit 290 supplies the current to the circuit lines 141, 142, 143 and 144 in a pulsed manner. A voltage of several milliamperes (mA) or less flows in the circuit lines 141, 142, 143, and 144 of the sensing circuit 140 at an applied voltage of 1V to 30V. The disconnection of the first circuit lines 141 and 142 can be detected by detecting the potential difference of the internal circuit 291 and the disconnection of the second circuit lines 143 and 144 can be sensed by sensing the potential difference of the internal circuit 292. Due to the leaked liquid, a short-circuit R leak can be detected through V out .

한편, 일반적으로 도전성 액체를 감지하기 위한 감지회로(140)는 감지라인(142, 143)을 기본으로 회로형성 방향과 동일하게 센싱홀(131,151)이 다양한 모양과 간격으로 일정하게 배치되지만, 액체의 종류나 액체감지 반응감도를 둔감하게 하는 등의 이유로 도전성 액체를 감지하기 위한 감지 목적으로 신호라인(141, 144)이 사용될 수도 있다. In general, the sensing circuit 140 for sensing the conductive liquid is arranged such that the sensing holes 131 and 151 are constantly arranged in various shapes and intervals in the same manner as the circuit forming direction based on the sensing lines 142 and 143, The signal lines 141 and 144 may be used for the purpose of sensing to detect the conductive liquid for reasons such as insensitivity to the kind or liquid sensing reaction sensitivity.

도 18는 전술된 실시예들의 누설 감지 장치(100)의 한 쌍의 감지라인(142, 143)과, 이와 연결된 제어부(300)를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도시된 누설 감지 장치(100)는 감지된 도전성 액체 속에 포함하고 있는 전하를 띈 이온(H, Na, Cl 등)의 분포량에 따라 전기전도도를 측정함으로써, 액체의 누설 유무뿐만 아니라 액체의 종류까지도 판별이 가능하다. 도 18의 실시예에서, 감지라인(142, 143)에 흐르는 전기는 직류(DC)나 교류(AC)를 모두 사용가능 하지만, 일반적으로는 특히 교류(AC) 전원을 사용하여 전도도측정 제어부(300)의 전원공급부(301)에서 해당 전류를 고주파 펄스(Pulse)방식으로 주파수 발진장치(302)를 통하여 감지라인(142,143)에 인가된다. 인가되는 전압의 크기는 0.1V ~ 50V로 수 밀리암페어(mA)의 전류가 감지라인(142,143)에 흐르게 된다. 따라서, 감지라인(142,143)을 통과하여 되돌아오는 전기적 신호를 주파수 변환장치(303)를 통해 신호변환을 하고, 변환된 신호를 증폭기(304)를 통해 증폭해준다. 이러한 증폭된 신호 속에는 대부분 전기적 잡음(Noise)이 많이 섞여있으므로, 필터장치(305)를 이용하여 전기적 잡음(Noise)을 제거한 후 AD 변환장치(306)로 아날로그(Analog)신호를 디지털(Digital)신호로 변환하여 최종 연산장치(307)에서 그 신호를 분석하여 도전성 액체의 누설 유무와 검출된 액체의 종류도 판단할 수 있다. 또한, 제어부(300)에서 감지라인(142, 143)의 절단을 감지하기 위해서 적층된 도전성 회로라인(142, 143)에 흐르는 교류(AC) 전원 특성상 칩(Chip) 콘덴서(308)를 센싱회로에 흐르는 전류의 크기에 따른 용량을 선별하여 사용할 수 있다.18 is a view schematically showing a pair of sensing lines 142 and 143 of the leakage sensing apparatus 100 of the above-described embodiments, and a control unit 300 connected thereto. The leakage detection apparatus 100 shown in the figure can measure not only the presence or absence of leakage of liquid but also the kind of liquid by measuring the electric conductivity according to the distribution amount of ions (H, Na, Cl, etc.) containing electric charges contained in the sensed conductive liquid This is possible. In the embodiment of FIG. 18, the electric power flowing through the sensing lines 142 and 143 can be either DC or AC, but in general, the conductivity measurement controller 300 The current is applied to the sensing lines 142 and 143 through the frequency oscillator 302 in a high frequency pulse scheme. The magnitude of the applied voltage is 0.1 V to 50 V, and a current of several milliamperes (mA) flows to the sensing lines 142 and 143. Accordingly, the electrical signals that pass through the sensing lines 142 and 143 are converted by the frequency converter 303, and the amplified signals are amplified by the amplifier 304. Since most of the electrical noise is mixed in the amplified signal, the AD / A converter 306 removes noise from the filter 305 and then converts the analog signal into a digital signal And the final calculation device 307 analyzes the signal to determine whether the conductive liquid has leaked or not and the type of the detected liquid. In order to detect the cutoff of the sensing lines 142 and 143 in the control unit 300, a chip capacitor 308 is connected to the sensing circuit on the basis of an AC power source characteristic flowing through the conductive circuit lines 142 and 143 The capacity according to the magnitude of the flowing current can be selectively used.

감지라인(142, 143)에 흐르는 전류가 액체의 도전성에 따라 누설된 액체에 의해 감지라인(142, 143)을 통전시켜 액체 누설유무 및 누설위치 그리고 전기전도도 측정에 따른 액체의 종류를 감지하기 위한 물리적 센싱 감도 조절을 위해, 일반적으로 감지라인(142, 143)을 기준으로 회로형성 방향과 동일하게 센싱홀(131, 151)이 일반적으로 다양한 모양과 간격으로 일정하게 배치된다. 그러나 보호층(130), 접착층(150), 센싱홀(131, 151)을 완전히 제거하고, 이곳에 다양한 액체투과가 용이하고 액체에 의해 쉽게 지워지거나 녹지 않는 무도전성 다공질 카본과 고분자폴리머소재의 복합 혼합물인 감지코팅막(210)을 형성함으로써, 누설된 액체가 적층된 전도성 회로라인(142, 143) 상부면의 감지코팅막(210) 어느 부분에 노출되더라도 곧바로 도전성 액체에 의한 통전효과로 저항값 측정과 전기전도도를 측정하는 방식으로 액체 누설유무 및 누설위치 그리고 누설된 액체의 종류까지도 감지하기 감지할 수 있다. The current flowing in the sensing lines 142 and 143 is applied to the sensing lines 142 and 143 by the liquid leaked according to the conductivity of the liquid to detect the presence or absence of the liquid leakage and the leakage position and the type of liquid according to the measurement of the electrical conductivity In order to control the physical sensing sensitivity, the sensing holes 131 and 151 are generally arranged in various shapes and intervals in the same manner as the circuit forming direction with respect to the sensing lines 142 and 143. However, when the protective layer 130, the adhesive layer 150, and the sensing holes 131 and 151 are completely removed, a complex of the non-conductive porous carbon and the polymeric polymer material, which are easily permeable to various liquids, Even if the leaked liquid is exposed to any part of the sensing coating film 210 on the upper surface of the stacked conductive circuit lines 142 and 143, it is possible to measure the resistance value by the conduction effect of the conductive liquid. By measuring the electrical conductivity, it is possible to detect the presence or absence of liquid leakage, the position of leakage, and the type of liquid leaked.

감지회로(140)와 박막 절연층(160)은 도 20 및 도 21에 개시된 바와 같은 진공 증착 방식을 이용하여 베이스층(120) 상에 형성될 수 있다. 도 20은 진공 증착 공정을 개략적으로 나타낸 도면으로 도시되는 바와 같이, 진공챔버(406) 내에 타겟(target)(403)이 배치되고, 진공챔버(406) 내부로 베이스층(120)이 연속적으로 투입된다. 적층할 소재에 따라 타겟(403)을 변경할 수 있다. 타겟(403)에는 (-) 직류 전압이 인가되고, 베이스층(120)에는 전극(400)을 통해 (+) 직류 전압이 인가되고, 진공 챔버(406) 내에는 아르곤(Ar) 가스와 같은 불활성 기체를 투입된다. 아르곤(Ar)가스는 진공챔버(406) 내에서 플라즈마(Plasma) 상태의 고에너지 아르곤(405)으로 이온화되어 타겟(Target)(403)과 충돌한다. 충돌에 의해 타겟 원자(404)들이 스퍼터링(Sputtering)되면 베이스층(120) 상부면에 증착되고, 과잉물질들은 진공펌프에 의해서 진공챔버(406) 밖으로 배출된다. 베이스층(120)이 진공챔버(406) 내에 연속적으로 투입되면 타겟 원자(404)가 베이스층(120) 상면에 연속적으로 증착하며 박막 절연층(160) 및/또는 회로라인(141,142,143,144)을 형성하게 된다. The sensing circuit 140 and the thin-film insulating layer 160 may be formed on the base layer 120 using a vacuum deposition method as disclosed in FIGS. 20 is a schematic view illustrating a vacuum deposition process in which a target 403 is disposed in a vacuum chamber 406 and a base layer 120 is continuously introduced into a vacuum chamber 406 do. The target 403 can be changed depending on the material to be laminated. A negative DC voltage is applied to the target 403 and a positive DC voltage is applied to the base layer 120 through the electrode 400. In the vacuum chamber 406, inert gas such as argon The gas is introduced. Argon (Ar) gas is ionized into a high energy argon 405 in a plasma state in a vacuum chamber 406, and collides with a target 403. When the target atoms 404 are sputtered by the collision, they are deposited on the upper surface of the base layer 120, and excess materials are discharged out of the vacuum chamber 406 by a vacuum pump. When the base layer 120 is continuously implanted into the vacuum chamber 406, the target atoms 404 are continuously deposited on the upper surface of the base layer 120 to form the thin film insulation layer 160 and / or the circuit lines 141, 142, 143 and 144 do.

수십 내지 수백 미터로 연속되는 베이스층(120) 상에 길이 방향으로 연속적으로 박막 절연층(160) 및/또는 회로라인(141,142,143,144)을 형성하기 위해서는 도 21에 도시되는 바와 같은 롤투롤(roll to roll) 연속 진공 증착 방식을 이용할 수 있다. 도 21에 도시되는 바와 같이, 진공챔버(406) 내에 베이스층(120) 필름 원단이 감기는 원단롤(410)이 배치되고 원단롤(410)에서 풀려나오는 베이스층(120) 통과 라인의 초입에 전처리용 플라즈마 이온소스(412)를 배치한다. 플라즈마 이온소스(412)는 통과하는 베이스층(120)의 표면을 활성화시키는 전처리 공정을 수행한다. 전극롤(400)을 통과하면서 베이스층(120)은 + 직류 전압이 인가되고, 전극롤(400)을 통과하는 베이스층(120) 상면을 마주보는 위치에 타겟(403)과 타겟(403)에 - 직류 전압을 인가하는 전극(402)이 배치되어, 도 20과 동일한 방식으로 베이스층(120) 상면에 박막 절연층(160) 및/또는 회로라인(141,142,143,144)을 형성하게 된다. 회로라인(141,142,143,144) 증착 후 베이스층(120)은 완료롤(411)에 감기게 된다. In order to form the thin film insulation layer 160 and / or the circuit lines 141, 142, 143 and 144 in the longitudinal direction continuously on the base layer 120 which is continuous at several tens to several hundreds of meters, a roll to roll ) Continuous vacuum deposition method can be used. 21, a raw roll 410 is disposed in the vacuum chamber 406 and the base layer 120 is wound around the base layer 120. The raw roll 410 is wound around the base layer 120, A pretreatment plasma ion source 412 is disposed. The plasma ion source 412 performs a pretreatment process to activate the surface of the base layer 120 through which it passes. A direct current voltage is applied to the base layer 120 while passing through the electrode roll 400 and a voltage is applied to the target 403 and the target 403 at a position facing the upper surface of the base layer 120 passing through the electrode roll 400 An electrode 402 for applying a direct current voltage is disposed so that the thin film insulating layer 160 and / or the circuit lines 141, 142, 143 and 144 are formed on the upper surface of the base layer 120 in the same manner as in FIG. After deposition of the circuit lines 141, 142, 143 and 144, the base layer 120 is wound on the finishing roll 411.

도 20 및 도 21과 같은 진공증착 방식을 사용할 경우 베이스층(120) 상면에 균일한 전도성 박막을 형성하게 되므로 도전성 회로라인(141,142,143,144)을 형성하기 위해서는 도 19에 도시되는 바와 같은 마스킹(masking) 테이프층(420)을 베이스층(120) 상에 부착한 후 진공 증착 공정을 수행하고, 마스킹 테이프층(420)을 제거하여 회로 라인(141,142,143,144)을 형성한다. 진공 증착 방식을 이용할 경우 회로라인(141,142,143,144)을 다층으로 형성하더라도 총 두께를 0.01㎚ 내지 1㎛ 범위로 형성할 수 있다. 회로라인(141,142,143,144)이 나노미터 단위의 박막으로 형성되면 베이스층(120)과 보호필름층(130)의 결합력이 향상되고 균일하고 낮은 전기 저항값을 가질 수 있다.When a vacuum deposition method as shown in FIGS. 20 and 21 is used, a uniform conductive thin film is formed on the upper surface of the base layer 120. Therefore, in order to form the conductive circuit lines 141, 142, 143, and 144, a masking tape The layer 420 is deposited on the base layer 120 and then a vacuum deposition process is performed and the masking tape layer 420 is removed to form the circuit lines 141, 142, 143 and 144. When the vacuum deposition method is used, even if the circuit lines 141, 142, 143, and 144 are formed in multiple layers, the total thickness can be set in the range of 0.01 nm to 1 μm. When the circuit lines 141, 142, 143, and 144 are formed of a thin film of nanometer unit, the coupling strength between the base layer 120 and the protective film layer 130 can be improved and uniform and low electric resistance value can be obtained.

도 22 내지 도 25는 본 발명의 다른 측면에 따른 누설 감지 장치 제조 방법에 따른 공정을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 누설 감지 장치 제조 발명을 설명하기로 한다.22 to 25 are views schematically showing a process according to another embodiment of the present invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A leakage detection device manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 22 및 23을 참조하여 마스킹 테이프 이용 증착 공정을 설명한다. 먼저, a)베이스층(120)을 제공한다. 베이스층(120)은 PI(폴리이미드), PET(폴리에스터), PTFE 또는 FEP(불소수지 계열), PO(폴리올레핀) 등의 내열성과 내식성을 가지는 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 베이스층(120)은 약 20㎛ 내지 1.0mm 두께의 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 그 다음 b)상기 베이스층(120) 상에 절연층(160)을 증착한다. 절연층(160)은 감지회로(140) 간의 절연 저항을 높이기 위한 것으로 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(Si3N4), 및 실리콘산질화물(SiON)로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나를 재질로 하여 10nm 내지 300nm 두께로 베이스층(120) 상에 전술한 진공 증착 방식을 사용하여 형성한다. 절연층(160) 형성 단계는 생략 가능하다. 그 다음, c)절연층(160) 상에 생성하고자 하는 감지회로(140)의 형상에 따라 마스킹 테이프(170)를 접착층(150')을 이용하여 결합한다. 마스킹 테이프(170)는 내부식성을 가지는 PI 필름 등을 사용할 수 있다. 마스킹 테이프(170)는 20 내지 30 미크론의 두께를 가지는 것이 바람직하다. 그 다음, d) 마스킹 테이프(170)가 부착된 베이스층(120) 상에 내식성이 높은 금속을 증착하여 제1금속층(140a)을 형성한다. 내식성이 높은 금속은 Ni, Cr, Ni-Cr 등을 사용하는 것이 바람직하다. 그 다음, e) 제1금속층(140a) 상에 전기전도도가 높은 금속을 증착하여 제2금속층(140b)을 형성한다. 전기전도도가 높은 금속은 Au, Ag, Cu 등을 사용하는 것이 바람직하다. 그 다음, f) 제2금속층(140b) 상에 내식성이 높은 금속을 증착하여 제3금속층(140c)을 형성한다. Ni, Cr, 또는 Ni-Cr 합금 등을 사용하는 것이 바람직하다. 그 다음, 선택적으로, f-1) 내식성 향상을 위한 피막층으로 내식성이 보다 높은 금속을 증착하여 제4금속층(140d)을 형성한다. 내식성이 보다 높은 금속은 텅스텐(W) 또는 몰리브덴(Mo)을 사용하는 것이 바람직하다. 그 다음, g) 마스킹 테이프(170)를 제거하는 공정을 수행한다. 상기와 같은 공정에 의해 다층 레이어 감지회로(140)를 형성할 수 있다. 제1금속층(140a), 제2금속층(140b), 제3금속층(140c), 제4금속층(140d)의 구성은 전술한 도3의 실시예를 참조하여 변경 가능하다.The masking tape using deposition process will be described with reference to FIGS. First, a) a base layer 120 is provided. It is preferable to use a film having heat resistance and corrosion resistance such as PI (polyimide), PET (polyester), PTFE or FEP (fluororesin series), PO (polyolefin) The base layer 120 preferably uses a film having a thickness of about 20 mu m to 1.0 mm. B) depositing an insulating layer 160 on the base layer 120; The insulating layer 160 may be formed of any material selected from the group consisting of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), and silicon oxynitride (SiON) Is formed on the base layer 120 to a thickness of 10 nm to 300 nm by using the vacuum deposition method described above. The step of forming the insulating layer 160 may be omitted. C) The masking tape 170 is bonded to the insulating layer 160 using the adhesive layer 150 'according to the shape of the sensing circuit 140 to be formed. As the masking tape 170, a PI film or the like having corrosion resistance can be used. The masking tape 170 preferably has a thickness of 20 to 30 microns. Next, d) depositing a highly corrosion-resistant metal on the base layer 120 with the masking tape 170 attached thereto to form the first metal layer 140a. It is preferable to use Ni, Cr, Ni-Cr or the like as the metal having high corrosion resistance. Next, e) a metal having a high electrical conductivity is deposited on the first metal layer 140a to form a second metal layer 140b. It is preferable to use Au, Ag, Cu or the like as the metal having a high electrical conductivity. Next, f) a metal having a high corrosion resistance is deposited on the second metal layer 140b to form a third metal layer 140c. Ni, Cr, Ni-Cr alloy, or the like is preferably used. Then, optionally, (f-1) a metal having higher corrosion resistance is deposited as a coating layer for improving corrosion resistance to form a fourth metal layer 140d. It is preferable to use tungsten (W) or molybdenum (Mo) as the metal having higher corrosion resistance. Then, g) the process of removing the masking tape 170 is performed. The multi-layered layer sensing circuit 140 may be formed by the above process. The configurations of the first metal layer 140a, the second metal layer 140b, the third metal layer 140c, and the fourth metal layer 140d may be changed with reference to the embodiment of FIG.

도 24 및 도 25를 참조하여 에칭 공정을 이용한 증착 공정을 설명한다. 먼저, 베이스층(120)을 제공하고(a), 그 위에 절연층(160)을 증착한다(b). 그 다음, 내식성이 높은 금속을 증착하여 제1금속층(140a)을 형성하고(c), 그 위에 전기전도도가 높은 금속을 증착하여 제2금속층(140b)을 형성하고(d), 그 위에, 다시 내식성이 높은 금속을 증착하여 제3금속층(140c)을 형성한다(e). 그리고 선택적으로 내식성 향상을 위한 피막층을 형성하기 위하여 내식성이 보다 높은 금속을 증착하여 제4금속층(140d)을 형성한다(e-1). 그 다음 에칭 공정을 수행하여 원하는 패턴의 감지회로(140)를 완성한다(g, g-1). 에칭 공정은 레이저를 이용한 건식 에칭이나 화학물질을 이용한 습식 에칭 모두 이용할 수 있다.The deposition process using the etching process will be described with reference to FIGS. 24 and 25. FIG. First, a base layer 120 is provided (a), and an insulating layer 160 is deposited thereon (b). Next, a metal having a high corrosion resistance is deposited to form a first metal layer 140a, a metal having a high electrical conductivity is deposited thereon to form a second metal layer 140b (d) The third metal layer 140c is formed by depositing a metal having high corrosion resistance (e). Further, a metal having higher corrosion resistance is selectively deposited to form a fourth metal layer 140d (e-1) in order to form a coating layer for improving corrosion resistance. The etching process is then performed to complete the sensing circuit 140 of the desired pattern (g, g-1). The etching process can be used both as dry etching using a laser or as wet etching using a chemical.

상기와 같이 진공증착방식으로 감지회로를 형성하여 증착 표면의 평탄도가 뛰어나고 표면 조도가 뛰어나 거친 표면 조도에 의해 센싱 기능이 발휘되지 못하는 부분이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 폭 5mm x 길이 1M x 두께 10㎛의 감지회로의 경우 약 1Ω의 표면저항을 달성할 수 있다. 또한, 감지회로 길이가 100M, 회로라인 간 간격이 4mm일 경우 회로 라인 간 20GΩ 이상의 절연저항값을 가질 수 있다. 상기와 같은 진공 증착 방식을 사용할 경우, 외부 영향이 적은 진공 상태에서 안정적으로 연속 증착 감지 회로 형성이 가능하다. 인쇄방식을 사용하는 경우보다 낮은 공정 온도에서 생산 가능하므로 베이스층 필름의 열변형을 최소화할 수 있다.As described above, since the sensing circuit is formed by the vacuum deposition method, the deposition surface is excellent in the flatness and the surface roughness is excellent, and the portion where the sensing function is not exhibited due to rough surface roughness can be prevented. A surface resistance of about 1? Can be achieved in the case of a sensing circuit having a thickness of 10 mu m. In addition, when the sensing circuit length is 100M and the interval between the circuit lines is 4 mm, it is possible to have an insulation resistance value of 20 GΩ or more between the circuit lines. When the vacuum deposition method as described above is used, it is possible to stably form a continuous deposition detection circuit in a vacuum state with less external influence. The thermal deformation of the base layer film can be minimized.

100 : 누설감지장치 110 : 부착층
120 : 베이스층 130 : 보호필름층
140 : 감지회로 141 : 제1신호라인
142 : 제1감지라인 143 : 제2감지라인
144 : 제2신호라인 150 : 접착층
160 : 절연층 170 : 마스킹테이프
180 : 액체투과층 190 : 액체투과부재100: Leak detection device 110: Attachment layer
120: base layer 130: protective film layer
140: sense circuit 141: first signal line
142: first sensing line 143: second sensing line
144: second signal line 150: adhesive layer
160: insulating layer 170: masking tape
180: liquid permeable layer 190: liquid permeable member

Claims (22)

액체의 누출을 감지하는 누설 감지 장치에 있어서,
띠 형상의 베이스층;
상기 베이스층 상에 상기 베이스층의 길이 방향으로 설정 간격 이격하여 도전성 물질이 진공증착 방식으로 증착되어 형성되는 한 쌍의 감지회로; 및
상기 감지회로에 연결되어 상기 감지회로에서 인가되는 전류 값에 따라 액체 누설 여부, 액체 누설 위치, 액체 종류를 검출하는 제어부를 포함하는 누설 감지 장치.1. A leakage detection device for detecting leakage of a liquid,
A strip-shaped base layer;
A pair of sensing circuits formed on the base layer by depositing a conductive material in a vacuum deposition manner at a predetermined interval in the longitudinal direction of the base layer; And
And a control unit connected to the sensing circuit and detecting a liquid leakage, a liquid leakage position, and a liquid type according to a current value applied from the sensing circuit. 제 1 항에 있어서,
상기 감지회로는 상기 베이스층 상에 진공 증착되고 내식성이 있는 제1금속층, 상기 제1금속층 상에 진공 증착되고 상기 제1금속층 보다 내식성이 약하고 전기 전도도가 높은 제2금속층, 및 상기 제2금속층 상에 진공 증착되고 상기 제2금속층보다 전기전도도는 약하고 내식성이 강한 제3금속층을 포함하는 누설 감지 장치.The method according to claim 1,
Wherein the sensing circuit comprises a first metal layer deposited on the base layer and having a corrosion resistance and a second metal layer deposited on the first metal layer and having a lower corrosion resistance and a higher electrical conductivity than the first metal layer, And a third metal layer which is vacuum-deposited on the second metal layer and has a lower electrical conductivity and stronger corrosion resistance than the second metal layer. 제 2 항에 있어서,
상기 제1금속층은 니켈-크롬 합금, 니켈, 크롬, 텅스텐-몰리브덴 합금, 텅스텐, 몰리브덴으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 금속인 누설 감지 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first metal layer is any one selected from the group consisting of a nickel-chromium alloy, nickel, chromium, tungsten-molybdenum alloy, tungsten, and molybdenum. 제 2 항에 있어서,
상기 제3금속층은 니켈-크롬 합금, 니켈, 크롬, 텅스텐-몰리브덴 합금, 텅스텐, 몰리브덴으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 금속인 누설 감지 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the third metal layer is any one selected from the group consisting of nickel-chromium alloy, nickel, chromium, tungsten-molybdenum alloy, tungsten, and molybdenum. 제 2 항에 있어서,
상기 제2금속층은 금, 은, 및 구리를 포함하는 그룹에서 선택된 어느 하나의 금속인 누설 감지 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the second metal layer is any one selected from the group consisting of gold, silver, and copper. 제 1 항에 있어서,
상기 감지회로는 서로 전기적으로 연결되는 감지라인과 신호라인을 포함하고,
상기 감지회로를 개재하여 상기 베이스층 상부를 커버하도록 결합하는 보호층을 추가로 포함하고, 상기 보호층은 상기 감지라인에 상응하는 위치에 설정 간격으로 연속하여 관통되어 형성되는 센싱홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 누설 감지 장치.The method according to claim 1,
Wherein the sensing circuit includes a sensing line and a signal line electrically connected to each other,
The sensing layer may further include a protection layer coupled to cover the upper portion of the base layer via the sensing circuit. The sensing layer may include a sensing hole continuously formed at a position corresponding to the sensing line, Characterized by a leakage detection device. 제 1 항에 있어서,
상기 감지회로는 서로 전기적으로 연결되는 감지라인과 신호라인을 포함하고,
상기 신호라인은 감지 대상 액체에 반응하지 않는 코팅층으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 누설 감지 장치.The method according to claim 1,
Wherein the sensing circuit includes a sensing line and a signal line electrically connected to each other,
Wherein the signal line is coated with a coating layer that does not react with the liquid to be sensed. 제 1 항에 있어서,
상기 감지회로는 한 쌍의 감지라인을 포함하고,
상기 감지라인을 커버하고 상기 감지 대상 액체에 분해되거나 상기 감지 대상 액체가 투과하는 감지코팅막을 추가로 포함하는 누설 감지 장치.The method according to claim 1,
Wherein the sensing circuit comprises a pair of sensing lines,
Further comprising a sensing coating film covering the sensing line and being decomposed in the sensing target liquid or permeable to the sensing target liquid. 제 8 항에 있어서,
상기 감지코팅막은 폴리우레탄, 폴리에틸렌, 에나멜, 바니쉬, 알키드 수지, 비닐계 수지를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 이상의 고분자 폴리머와 무도전성 카본을 포함하는 코팅액으로 형성되는 누설 감지 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the sensing coating film is formed of a coating liquid containing at least one polymer polymer selected from the group consisting of polyurethane, polyethylene, enamel, varnish, alkyd resin, vinyl resin and non-conductive carbon. 제 1 항에 있어서,
상기 베이스층의 상면에 절연물질을 진공 증착하여 형성되는 절연층을 추가로 포함하고, 상기 감지회로는 상기 절연층 상에 형성되는 누설 감지 장치.The method according to claim 1,
Further comprising an insulating layer formed by vacuum depositing an insulating material on an upper surface of the base layer, wherein the sensing circuit is formed on the insulating layer. 제 10 항에 있어서,
상기 절연층은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(Si3N4), 및 실리콘산질화물(SiON)로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나를 재질로 하는 누설 감지 장치.11. The method of claim 10,
The insulating layer of leak detection apparatus of any one selected from the group consisting of silicon oxide (SiO 2), silicon nitride (Si 3 N 4), and silicon oxynitride (SiON) of a material. 제 10 항에 있어서,
상기 절연층은 진공증착, 코팅, 인쇄 중 선택된 어느 하나의 공정으로 형성되는 누설 감지 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the insulating layer is formed by any one of vacuum deposition, coating, and printing. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 니켈-크롬 합금은 크롬 1 내지 20 중량%, 및 니켈 80 내지 99 중량%로 구성되는 누설 감지 장치.The method according to claim 3 or 4,
Wherein the nickel-chromium alloy comprises 1 to 20 wt% of chromium, and 80 to 99 wt% of nickel. 제 1 항에 있어서,
상기 감지회로는 서로 전기적으로 연결되는 감지 라인과 신호라인을 포함하고, 상기 감지라인 상면이 전도성 카본과 불소수지 혼합물로 코팅되는 누설 감지 장치.The method according to claim 1,
Wherein the sensing circuit includes a sensing line and a signal line electrically connected to each other, and a top surface of the sensing line is coated with a conductive carbon and a fluorine resin mixture. 액체의 누출을 감지하는 누설 감지 장치에 있어서,
띠 형상의 베이스층;
상기 베이스층 상에 상기 베이스층의 길이 방향으로 설정 간격 이격하여 도전성 물질이 진공증착 방식으로 증착되어 형성되는 한 쌍의 감지회로; 및
상기 감지회로에 연결되어 상기 감지회로에서 인가되는 전류 값에 따라 액체 누설 여부, 액체 누설 위치, 액체 종류를 검출하는 제어부를 포함하고,
상기 한 쌍의 감지회로는 상기 베이스층 상에 금, 은, 및 구리를 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 형성되는 제1금속층, 및 상기 제1금속층 상에 적층되는 니켈, 크롬, 및 니켈과 크롬 합금을 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 형성되는 제2금속층을 포함하는 누설 감지 장치.1. A leakage detection device for detecting leakage of a liquid,
A strip-shaped base layer;
A pair of sensing circuits formed on the base layer by depositing a conductive material in a vacuum deposition manner at a predetermined interval in the longitudinal direction of the base layer; And
And a control unit connected to the sensing circuit and detecting a liquid leakage, a liquid leakage position, and a liquid type according to a current value applied from the sensing circuit,
Wherein the pair of sensing circuits comprises a first metal layer formed of a metal selected from the group consisting of gold, silver, and copper on the base layer, and a second metal layer formed of nickel, chromium, and nickel and a chromium alloy And a second metal layer formed of a metal selected from the group consisting of: 액체의 누출을 감지하는 누설 감지 장치에 있어서,
띠 형상의 베이스층;
상기 베이스층 상에 상기 베이스층의 길이 방향으로 설정 간격 이격하여 도전성 물질이 진공증착 방식으로 증착되어 형성되는 한 쌍의 감지회로; 및
상기 감지회로에 연결되어 상기 감지회로에서 인가되는 전류 값에 따라 액체 누설 여부, 액체 누설 위치, 액체 종류를 검출하는 제어부를 포함하고,
상기 한쌍의 감지회로는 상기 베이스층 상에 니켈, 크롬, 및 니켈과 크롬 합금을 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 증착되는 제1금속층, 상기 제1금속층 상에 금, 은, 및 구리를 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 증착되는 제2금속층, 상기 제2금속층 상에 니켈, 크롬, 및 니켈과 크롬 합금을 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 증착되는 제3금속층, 및 상기 제3금속층 상에 텅스텐, 몰리브덴 및 텅스텐과 몰리브덴 합금을 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 증착되는 제4금속층을 포함하는 누설 감지 장치.1. A leakage detection device for detecting leakage of a liquid,
A strip-shaped base layer;
A pair of sensing circuits formed on the base layer by depositing a conductive material in a vacuum deposition manner at a predetermined interval in the longitudinal direction of the base layer; And
And a control unit connected to the sensing circuit and detecting a liquid leakage, a liquid leakage position, and a liquid type according to a current value applied from the sensing circuit,
Wherein the pair of sense circuits comprises a first metal layer deposited on the base layer with a metal selected from the group consisting of nickel, chromium, and a nickel and chromium alloy, a group comprising gold, silver and copper on the first metal layer A third metal layer deposited on the second metal layer with a metal selected from the group consisting of nickel, chromium, and a nickel and chromium alloy; and a third metal layer deposited on the third metal layer, the tungsten, molybdenum, And a fourth metal layer deposited from a metal selected from the group consisting of tungsten and a molybdenum alloy. 액체의 누출을 감지하는 누설 감지 장치에 있어서,
띠 형상의 베이스층;
상기 베이스층 상에 상기 베이스층의 길이 방향으로 설정 간격 이격하여 도전성 물질이 진공증착 방식으로 증착되어 형성되는 한 쌍의 감지회로; 및
상기 감지회로에 연결되어 상기 감지회로에서 인가되는 전류 값에 따라 액체 누설 여부, 액체 누설 위치, 액체 종류를 검출하는 제어부를 포함하고,
상기 한쌍의 감지회로는 상기 베이스층 상에 텅스텐, 몰리브덴 및 텅스텐과 몰리브덴 합금을 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 증착되는 제1금속층, 상기 제1금속층 상에 금, 은, 및 구리를 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 증착되는 제2금속층, 상기 제2금속층 상에 니켈, 크롬, 및 니켈과 크롬 합금을 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 증착되는 제3금속층, 및 상기 제3금속층 상에 텅스텐, 몰리브덴 및 텅스텐과 몰리브덴 합금을 포함하는 그룹에서 선택된 금속으로 증착되는 제4금속층을 포함하는 누설 감지 장치.1. A leakage detection device for detecting leakage of a liquid,
A strip-shaped base layer;
A pair of sensing circuits formed on the base layer by depositing a conductive material in a vacuum deposition manner at a predetermined interval in the longitudinal direction of the base layer; And
And a control unit connected to the sensing circuit and detecting a liquid leakage, a liquid leakage position, and a liquid type according to a current value applied from the sensing circuit,
Wherein the pair of sensing circuits comprises a first metal layer deposited on the base layer with a metal selected from the group consisting of tungsten, molybdenum and a tungsten and molybdenum alloy, a metal layer on the first metal layer comprising gold, silver and copper A third metal layer deposited with the selected metal, a third metal layer deposited on the second metal layer with a metal selected from the group consisting of nickel, chromium, and a nickel and chromium alloy, and a third metal layer deposited on the third metal layer with tungsten, molybdenum, and tungsten And a fourth metal layer deposited as a metal selected from the group consisting of molybdenum alloys. 액체의 누출을 감지하는 누설 감지 장치의 제조 방법에 있어서,
a) 띠 형상의 베이스층 필름 상에 상기 베이스층 필름의 길이 방향으로 한쌍의 감지회로가 설정 간격 이격되어 관통되는 마스킹 필름을 부착하는 단계;
b) 상기 a) 단계에서 상기 마스킹 필름이 부착된 상기 베이스층 필름을 상기 감지 회로를 구성할 제1금속으로 형성되는 타겟이 배치되는 진공 증착 챔버로 연속적으로 투입하여 상기 베이스층 필름 상에 제1금속을 증착하는 단계;
c) 상기 b) 단계에서 상기 제1금속이 증착된 상기 베이스층 필름을 제2금속으로 형성되는 타겟이 배치되는 진공 증착 챔버로 연속적으로 투입하여 제2금속을 증착하는 단계; 및
d) 상기 감지회로를 구성할 금속층이 완료되면 상기 진공 증착 챔버를 통과한 상기 베이스층 필름에서 상기 마스킹 필름을 제거하는 단계;를 포함하는 누설 감지 장치 제조 방법.A method of manufacturing a leakage sensing device for sensing leakage of a liquid,
a) attaching a masking film through which a pair of sensing circuits are spaced apart from each other in a longitudinal direction of the base layer film on a strip-shaped base layer film at a predetermined interval;
b) In the step a), the base layer film having the masking film attached thereto is continuously introduced into a vacuum deposition chamber in which a target made of a first metal constituting the sensing circuit is disposed to form a first layer Depositing a metal;
c) continuously depositing the base layer film on which the first metal is deposited in the step b) into a vacuum deposition chamber in which a target made of a second metal is disposed to deposit a second metal; And
and d) removing the masking film from the base layer film that has passed through the vacuum deposition chamber when the metal layer forming the sensing circuit is completed. 제 18 항에 있어서,
상기 a) 단계를 수행하기 전 상기 베이스층 필름 상에 절연층을 진공 증착하는 단계를 추가로 포함하는 누설 감지 장치 제조 방법.19. The method of claim 18,
Further comprising the step of vacuum depositing an insulating layer on the base layer film before performing the step a). 제 18 항에 있어서,
e) 상기 c) 단계를 수행한 후, 상기 감지회로를 구성하는 제3금속으로 형성되는 타겟이 배치되는 진공 증착 챔버로 상기 제3금속이 증착된 상기 베이스층 필름을 통과시켜 제3금속을 증착하는 단계를 추가로 포함하는 누설 감지 장치 제조 방법.19. The method of claim 18,
e) depositing a third metal by depositing the third metal on the vacuum deposition chamber in which the target formed of the third metal constituting the sensing circuit is disposed after performing step c) The method further comprising the step of: 제 20 항에 있어서,
상기 e) 단계를 수행한 후, 상기 감지회로를 구성하는 제4금속으로 형성되는 타겟이 배치되는 진공 증착 챔버로 상기 제3금속이 증착된 상기 베이스층 필름을 통과시켜 제4금속을 증착하는 단계를 추가로 포함하는 누설 감지 장치 제조 방법.21. The method of claim 20,
Depositing a fourth metal by passing the base layer film on which the third metal is deposited to a vacuum deposition chamber in which a target formed of a fourth metal constituting the sensing circuit is disposed after performing step e) Further comprising the steps of: i) 베이스층을 제공하는 단계;
ⅱ) 상기 베이스층 상에 절연층을 증착하는 단계;
ⅲ) 상기 절연층 상에 내식성을 가진 금속을 증착하여 제1금속층을 형성하는 단계;
ⅳ)상기 제1금속층 상에 상기 제1금속층보다 내식성이 낮고 전기전도도가 높은 금속을 증착하여 제2금속층을 형성하는 단계;
ⅴ) 상기 제2금속층 상에 상기 제2금속층보다 전기전도도가 낮고 내식성이 높은 금속을 증착하여 제3금속층을 형성하는 단계; 및
ⅵ) 상기 제1금속층, 제2금속층, 및 제3금속층을 에칭하여 원하는 패턴의 감지회로를 형성하는 단계를 포함하는 누설 감지 장치 제조 방법.i) providing a base layer;
Ii) depositing an insulating layer on the base layer;
Iii) depositing a metal having corrosion resistance on the insulating layer to form a first metal layer;
Iv) forming a second metal layer on the first metal layer by depositing a metal having a lower corrosion resistance and a higher electrical conductivity than the first metal layer;
(V) forming a third metal layer on the second metal layer by depositing a metal having a lower electrical conductivity and a higher corrosion resistance than the second metal layer; And
And vi) etching the first metal layer, the second metal layer, and the third metal layer to form a sensing circuit of a desired pattern.
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