KR20170012529A - Conductive particle, conductive material, and method for manufacturing the conductive particle - Google Patents

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Abstract

Provided is a conductive particle with high conductivity. The conductive particle is formed by coating the surface of a core material particle with a conductive film. The conductive film includes an upper layer film and a bottom film in contact with the surface of the core material particle. The bottom film includes nickel and phosphorus. The upper layer film has a crystalline structure and includes nickel, phosphorus, and one or more kinds of metal M. The upper layer film includes a flat part and a plurality of protrusion parts which protrude from the flat part and also, become continuums from the flat part. The flat part and the protrusion parts are made of the same materials.

Description

도전성 입자, 도전성 재료 및 도전성 입자의 제조방법 {CONDUCTIVE PARTICLE, CONDUCTIVE MATERIAL, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE CONDUCTIVE PARTICLE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a conductive particle, a conductive material, and a method for manufacturing the conductive particle. BACKGROUND OF THE INVENTION < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 도전성 입자 및 그것을 포함한 도전성 재료에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive particle and a conductive material containing it.

이방성 도전 필름이나 이방성 도전 페이스트의 재료로서 이용되는 도전성 입자로서는, 일반적으로 코어 재료 입자의 표면에 도전성 피막을 형성한 것이 알려져 있다. 도전성 피막으로서는, 니켈의 도금 피막이 자주 이용된다. 그러한 도전성 입자의 각종의 성능을 한층 높이는 것을 목적으로 하여, 니켈의 도금 피막을 다층 구조로 한 것이 제안되고 있다.As the conductive particles used as the material of the anisotropic conductive film or the anisotropic conductive paste, it is generally known that a conductive film is formed on the surface of the core material particles. As the conductive film, a nickel plating film is frequently used. For the purpose of further enhancing various performances of such conductive particles, it has been proposed that a plating film of nickel has a multilayer structure.

예를 들면 특허 문헌 1에는, 코어 재료 입자의 표면에 형성된 니켈 피막이, 코어 재료 입자의 표면에 형성된 제1의 층과 상기 제 1의 층에 인접해 형성된 제2의 층을 포함하며, 제1의 층 및 제2의 층 각각에 있어서의 입계의 배향 방향이 서로 다르게 되어 있는 도전성 입자가 제안되고 있다. 이 도전성 입자에는, 니켈 피막과 코어 재료 입자와의 밀착성이 향상하는 한편 도전성 입자의 내열성이 향상하고, 고온에서 장시간 보존해도 전기 저항의 증가가 작아진다고 하는 이점이 있다.For example, Patent Document 1 discloses that a nickel coating formed on the surface of core material particles includes a first layer formed on the surface of the core material particles and a second layer formed adjacent to the first layer, And the orientation directions of the grain boundaries in the first layer and the second layer are different from each other. These conductive particles have an advantage that the adhesion between the nickel coating and the core material particles is improved, the heat resistance of the conductive particles is improved, and the increase in electrical resistance is reduced even when the conductive particles are stored at a high temperature for a long time.

또한, 특허 문헌 2에는, 니켈 피막으로 이루어지는 도전층이, 코어 재료 입자의 표면에 접하는 비결정 구조 니켈-인 도금층과, 상기 비결정 구조 니켈-인 도금층의 표면에 접하는 결정 구조 니켈-텅스텐-인 도금층을 가지는 도전성 입자를 제안하고 있다. 이 도전성 입자는, 코어 재료 입자와 도전층과의 밀착성이 높고, 내충격성 및 도전성이 뛰어난 것이라고, 동일문헌에 기재되어 있다.Patent Document 2 discloses that a conductive layer made of a nickel film has an amorphous structure nickel-phosphorus plating layer in contact with the surface of core material particles and a crystal structure nickel-tungsten phosphorus layer in contact with the surface of the amorphous nickel- Conductive particles have been proposed. These conductive particles are described in the same document as high adhesion between the core material particles and the conductive layer, and excellent impact resistance and conductivity.

일본 특허공개 제2004-197160호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-197160 일본 특허공개 제2007-173075호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2007-173075

없음none

그런데, 코어 재료 입자의 표면에 니켈 피막을 형성하는 경우에는, 일반적으로 니켈을 포함한 도금액을 사용해 환원제에 의해 코어 재료 입자의 표면에 있어 니켈을 환원 석출시키는 방법이 사용되고 있다. 환원제로서는 하이포아인산염이 사용되는 경우가 많다. 환원제로서 하이포아인산염을 사용하면, 환원 석출에 의해 형성된 니켈 피막 중에 결과적으로 인이 함유된다. 니켈 피막 중에서의 인의 존재는, 니켈 피막의 도전성을 저하시키는 한 요인이 되므로, 그 관점에서는, 인의 존재량은 최대한 적은 것이 바람직하다. 한편, 인의 존재량이 적은 경우에는 니켈이 본래적으로 가지는 자성에 기인하여, 도전성 입자끼리가 자성 응집하기 쉬운 경향이 있어, 그 결과 도전성 입자의 분산성이 저하되기 쉬워진다. 분산성의 저하는, 도전성 입자를 예를 들면 이방성 도전 필름이나 이방성 도전 페이스트로서 사용했을 경우에, 회로의 단락의 한 요인이 되는 경우가 있다. 상술한 특허 문헌 2에 있어서는, 동 문헌에 기재된 도전성 입자의 니켈 피막에 있어서의 바닥층의 니켈-인 층, 및 상층의 니켈-텅스텐-인 층 각각의 인의 함유량이 규정되어 있는 바, 그 함유량에서는, 도전성과 분산성의 쌍방을 동시에 만족시키는 것은 용이하지 않다.When a nickel film is formed on the surface of the core material particles, a method of reducing and depositing nickel on the surface of the core material particles with a reducing agent is generally used by using a plating solution containing nickel. As the reducing agent, hypophosphite is often used. When hypophosphite is used as the reducing agent, phosphorus is consequently contained in the nickel film formed by the reduction precipitation. The presence of phosphorus in the nickel film is a factor for lowering the conductivity of the nickel film. From this viewpoint, it is preferable that the amount of phosphorus present is as small as possible. On the other hand, when the amount of phosphorus present is small, the conductive particles tends to be magnetically aggregated due to the inherent magnetism of nickel, and as a result, the dispersibility of the conductive particles tends to be lowered. When the conductive particles are used as an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive paste, for example, the degradation of the dispersibility may be a cause of short circuit of the circuit. In the above-described Patent Document 2, the content of phosphorus in each of the nickel-phosphorus layer of the bottom layer and the nickel-tungsten-phosphorus layer of the upper layer in the nickel coating of the conductive particles described in this document is specified. It is not easy to satisfy both of conductivity and dispersibility at the same time.

따라서 본 발명의 과제는, 전술한 종래 기술의 도전성 입자보다 각종의 성능이 한층 향상한 도전성 입자를 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide conductive particles with improved performance in various properties than the conductive particles of the prior art described above.

본 발명은, 코어 재료 입자의 표면에 도전성 피막이 형성되어 있는 도전성 입자에 있어서,The present invention provides a conductive particle in which a conductive film is formed on the surface of core material particles,

상기 도전성 피막이, 상기 코어 재료 입자의 표면에 접하는 바닥 피막과 상기 바닥 피막의 표면에 접하는 상층 피막을 가지며,Wherein the conductive coating has a bottom coating in contact with the surface of the core material particles and an upper coating in contact with the surface of the bottom coating,

상기 바닥 피막은, 니켈 및 인을 포함하며,Wherein the bottom coating comprises nickel and phosphorus,

상기 상층 피막은, 결정 구조를 가지고, 니켈, 인 및 1 종류 이상의 금속 M(다만, 니켈은 제외한다.)을 포함하며,Wherein the upper coating film has a crystal structure and includes nickel, phosphorus, and at least one kind of metal M (except for nickel)

상기 상층 피막은, 평탄부와, 상기 평탄부로부터 돌출하는 한편 상기 평탄부로부터의 연속체가 되어 있는 복수의 돌기부를 가지고, 상기 평탄부와 상기 돌기부가 동일한 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 도전성 입자를 제공하는 것이다.Wherein the upper layer coating has a flat portion and a plurality of protrusions protruding from the flat portion and continuing from the flat portion, wherein the flat portion and the protrusions are made of the same material. .

더 나아가 본 발명은, 니켈원 및 인 화합물로 이루어지는 환원제를 포함하는 무전해 도금욕을 사용해 무전해 도금에 의해 코어 재료 입자의 표면에 니켈 및 인을 포함하는 바닥 피막을 형성하고,Further, the present invention provides a method for forming a bottom coating film comprising nickel and phosphorus on the surface of core material particles by electroless plating using an electroless plating bath containing a reducing agent comprising a nickel source and a phosphorus compound,

니켈원, 금속 M(다만, 니켈은 제외한다.)원, 인 화합물로 구성되는 환원제 및 히드록시산을 포함하는 무전해 도금욕을 사용해 무전해 도금에 의해 상기 바닥 피막의 표면에, 니켈, 인 및 금속 M(다만, 니켈은 제외한다.)을 포함하는 한편 평탄부와 상기 평탄부로부터 돌출하고 상기 평탄부로부터의 연속체로 되어 있는 복수의 돌기부를 가지고, 상기 평탄부와 상기 돌기부가 동일한 재료로부터 구성되어 있는 상층 피막을 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 도전성 입자의 제조 방법을 제공하는 것이다.Nickel source, metal M (except nickel) Nickel, phosphorus, and phosphorus are added to the surface of the bottom coating by electroless plating using an electroless plating bath containing a reducing agent composed of a phosphorus compound and a hydroxy acid And a metal M (but excluding nickel), and has a flat portion and a plurality of protrusions protruding from the flat portion and being a continuum from the flat portion, wherein the flat portion and the protrusion are made of the same material And a step of forming an upper coating film formed on the upper layer coating film.

본 발명에 의하면 도전성이 높은 도전성 입자가 제공된다. 특히, 고온고습하에서 보존한 다음에도 도전성의 저하가 억제된 도전성 입자가 제공된다. 따라서 본 발명의 도전성 입자를 예를 들면 이방성 도전 필름이나 이방성 도전 페이스트의 재료로서 사용했을 경우, 이러한 도전성 필름이나 도전성 페이스트는, 도전성이 높은 한편 가혹한 환경하에서의 신뢰성이 높은 것이 된다.According to the present invention, conductive particles having high conductivity are provided. Particularly, conductive particles whose conductivity is suppressed from being lowered even after being stored under high temperature and high humidity are provided. Therefore, when the conductive particles of the present invention are used, for example, as an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive paste material, such conductive films and conductive pastes have high conductivity and high reliability under harsh environments.

이하, 본 발명을 그 바람직한 실시 형태에 근거하여 설명한다. 본 발명의 도전성 입자는, 상술한 바와 같이, 코어 재료 입자와, 상기 코어 재료 입자의 표면에 접하는 바닥 피막 및 상기 바닥 피막의 표면에 접하는 상층 피막을 가지는 도전성 피막을 갖추고 있다. 상층 피막은 결정 구조를 가지고, 니켈, 인 및 1 종류 이상의 금속 M(다만 니켈을 제외하다.)을 함유한다. 또 상층 피막은 복수의 돌기부를 가지고 있다. 본 발명에 대해서는, 이러한 구성을 가지는 상층 피막과 니켈 및 인을 포함한 바닥 피막을 조합하는 것에 의해, 입자의 도전성, 특히 고온고습이라는 가혹한 환경하에서의 도전성을 높이고 있다.Hereinafter, the present invention will be described based on its preferred embodiments. As described above, the conductive particles of the present invention comprise a core material particle, a bottom coating in contact with the surface of the core material particle, and a conductive coating having an upper coat film in contact with the surface of the bottom coating film. The upper layer coating has a crystal structure and contains nickel, phosphorus and at least one kind of metal M (except nickel). The upper layer coating has a plurality of protrusions. With respect to the present invention, by combining the upper coating film having such a constitution and the bottom coating film containing nickel and phosphorus, the conductivity of particles, in particular, the conductivity under a harsh environment of high temperature and high humidity, is enhanced.

상술한 바와 같이, 바닥 피막에는 인이 포함되어 있다. 바닥 피막에 있어서의 인의 함유량은, 본 발명의 도전성 입자의 구체적인 용도에 따라 적절히 설정할 수가 있다. 예를 들면 바닥 피막의 인 함유량을 1 질량% 이상 10 질량% 미만으로 설정함으로써, 도전성 입자의 도전성이 크게 향상한다. 도전성을 한층 더 향상시키는 관점으로부터, 바닥 피막의 인 함유량은, 8 질량% 이하인 것이 바람직하고, 7 질량% 이하인 것이 더욱 바람직하고, 특히 6 질량% 이하인 것이 바람직하다. 다만, 바닥 피막의 인 함유량이 5 질량% 이상으로 비교적 높은 경우에도, 상술한 구성의 상층 피막이 존재하는 것에 의해, 도전성을 만족할 정도로 높게 유지할 수가 있다. 그리고, 상층 피막의 존재하에서는, 바닥 피막의 인 함유량을 10 질량% 미만으로 낮게 하여도, 자성 응집을 효과적으로 억제할 수가 있어, 도전성 입자의 양호한 분산성을 유지할 수가 있다. 이러한 분산성 유지의 효과가 나타나는 이유는 분명하지 않지만, 하나의 이유로서, 상층 피막 중의 금속 M이, 니켈의 자성에 기인하는 응집을 방지하는 것은 아닐까 생각된다.As described above, the bottom coating contains phosphorus. The content of phosphorus in the bottom film can be appropriately set in accordance with the specific use of the conductive particles of the present invention. For example, when the phosphorus content of the bottom film is set to 1% by mass or more and less than 10% by mass, the conductivity of the conductive particles is greatly improved. From the viewpoint of further improving the conductivity, the phosphorus content of the bottom film is preferably 8 mass% or less, more preferably 7 mass% or less, particularly preferably 6 mass% or less. However, even when the phosphorus content of the bottom film is relatively high, i.e., 5 mass% or more, the presence of the upper film of the above-described constitution makes it possible to keep the conductivity high enough to satisfy the conductivity. Even in the presence of the upper coating film, even when the phosphorus content of the bottom coating film is lowered to less than 10 mass%, the magnetic flocculation can be effectively suppressed and the good dispersibility of the conductive particles can be maintained. The reason why such dispersibility maintenance effect is exhibited is not clear, but for one reason, it is considered that the metal M in the upper layer coating may prevent aggregation due to nickel magnetism.

바닥 피막에 있어서의 인의 함유량은 10 질량% 이상으로 설정할 수도 있다. 예를 들면 10~18 질량%로 하는 것이 바람직하고, 10~15 질량%로 하는 것이 더욱 바람직하다. 바닥 피막에 있어서의 인의 함유량을 높게 설정하는 것은, 본 발명의 도전성 입자가 자기 응집을 일으키기 어려워지는 관점에서 유리하다. 그 반면, 바닥 피막에 있어서의 인의 함유량을 높게 설정하는 것은, 바닥 피막의 도전성의 향상의 점에서 마이너스로 작용할 수가 있다. 그러나 본 발명에 있어서는, 바닥 피막의 표면에, 상술한 구조의 상층 피막을 형성함으로써, 도전성 입자 전체의 도전성을 확보하고 있다.The content of phosphorus in the bottom film may be set to 10 mass% or more. For example, 10 to 18% by mass, and more preferably 10 to 15% by mass. It is advantageous in that the content of phosphorus in the bottom film is set to be high in view of making it difficult for the conductive particles of the present invention to cause self-agglomeration. On the other hand, setting the content of phosphorus in the bottom film to a high value can act as a negative point in terms of improving the conductivity of the bottom film. However, in the present invention, the upper layer coating having the above-described structure is formed on the surface of the bottom coating to ensure the conductivity of the whole conductive particles.

인의 함유량이 상술한 어느 범위에서도, 바닥 피막은 니켈-인 합금으로 구성되어 있다. 니켈-인 합금은, 후술하는 도전성 입자의 제조 공정에 있어서의 바닥 피막의 형성시에, 니켈의 환원제로서 하이포아인산 또는 그 염 등의 인 화합물을 사용했을 경우에 생기는 합금이다. 바닥 피막은 니켈 및 인만을 포함하고 있고, 그 외의 원소를 실질적으로 포함하지 않은 것이 바람직하다. 그 외의 원소를 실질적으로 포함하지 않는다는 것은, 바닥 피막을 원소 분석했을 때, 니켈 및 인 이외의 원소의 비율이 1 질량% 이하인 것을 말한다. 또한, 바닥 피막에 있어서의 니켈의 함유량은, 바닥 피막의 전량으로부터 상술한 인의 함유량을 뺀 잔부이다.In any of the above ranges of phosphorus content, the bottom coating is composed of a nickel-phosphorus alloy. The nickel-phosphorus alloy is an alloy that is formed when a phosphorus compound such as hypophosphorous acid or its salt is used as a reducing agent of nickel at the time of forming a bottom coating film in a manufacturing process of a conductive particle to be described later. It is preferable that the bottom film contains only nickel and phosphorus, and substantially does not contain any other element. The fact that substantially no other element is included means that the ratio of elements other than nickel and phosphorus is 1% by mass or less when the bottom film is subjected to elemental analysis. The content of nickel in the bottom film is the remainder obtained by subtracting the above-mentioned content of phosphorus from the total amount of the bottom film.

바닥 피막에 있어서의 니켈 함유량 및 인 함유량은, 후술하는 바와 같이, 바닥 피막까지가 형성된 코어 재료 입자를 산에 용해시키고, 얻은 용액 중의 바닥 피막 성분에 대해 ICP 또는 화학분석을 함으로써 측정할 수 있다.The nickel content and phosphorus content in the bottom film can be measured by dissolving the core material particles formed up to the bottom film into an acid and subjecting the bottom film component in the obtained solution to ICP or chemical analysis as described later.

바닥 피막은 결정 구조를 가지고 있거나 또는 비결정 구조를 가지고 있다. 여기서 말하는 결정 구조란, 니켈-인 합금의 결정 구조이다. 또한, 비결정 구조를 가지고 있다는 것은, 바닥 피막이 아무런 결정 구조도 가지고 있지 않은 것을 의미한다. 바닥 피막이 결정 구조를 가지고 있으면, 도전성 입자의 도전성이 향상한다. 한편, 바닥 피막이 비결정 구조를 가지고 있으면, 도전성 입자의 자기 응집이 억제되어 분산성이 향상한다.The bottom coating has a crystalline structure or an amorphous structure. The crystal structure referred to herein is a crystal structure of a nickel-phosphorus alloy. In addition, having an amorphous structure means that the bottom film has no crystal structure. When the bottom coating has a crystal structure, the conductivity of the conductive particles is improved. On the other hand, when the bottom coating has an amorphous structure, magnetic aggregation of the conductive particles is suppressed and the dispersibility is improved.

바닥 피막이 결정 구조를 가지고 있는지, 그렇지 않으면 비결정 구조를 가지고 있는지는, 예를 들면, 바닥 피막까지가 형성된 코어 재료 입자에 대해 XRD 측정을 실시하는 것으로 판단할 수 있다. 바닥 피막을 결정 구조로 하는지, 그렇지 않으면 비결정 구조로 하는지는, 예를 들면, 후술하는 도전성 입자의 제조 방법에 있어, 바닥 피막을 무전해 도금으로 형성할 때의 도금욕의 조성에 의존한다. 구체적으로는, 무전해 도금시에 사용되는 환원제인 인 화합물의 도금욕 중에서의 농도가 낮을수록 결정 구조를 가지는 바닥 피막이 형성되기 쉽다. 반대로, 도금욕 중에서의 인 화합물의 농도가 높을수록 비결정 구조를 가지는 바닥 피막이 형성되기 쉽다. 예를 들면, 바닥 피막에 포함되는 인의 양이 10 질량% 미만이 되는 농도의 인 화합물을 포함하는 도금욕을 사용하면, 결정 구조를 가지는 바닥 피막이 형성되기 쉽다. 반대로, 바닥 피막에 포함되는 인의 양이 10 질량% 이상이 될 정도의 농도의 인 화합물을 포함하는 도금욕을 사용하면, 비결정 구조를 가지는 바닥 피막이 형성되기 쉽다.Whether the bottom coating has a crystal structure or not has an amorphous structure can be determined, for example, by carrying out XRD measurement on the core material particles formed up to the bottom coating. Whether the bottom coating has a crystal structure or not has an amorphous structure depends on the composition of the plating bath when the bottom coating is formed by electroless plating, for example, in the method for producing conductive particles described below. Specifically, the lower the concentration of the phosphorus compound in the plating bath used for electroless plating, the more easily a bottom film having a crystal structure is formed. Conversely, the higher the concentration of the phosphorus compound in the plating bath is, the more easily the bottom film having an amorphous structure is likely to be formed. For example, when a plating bath containing a phosphorus compound at a concentration such that the amount of phosphorus contained in the bottom coating is less than 10% by mass is used, a bottom coating having a crystal structure tends to be formed. On the contrary, when a plating bath containing phosphorus compound having a concentration such that the amount of phosphorus contained in the bottom coating is 10 mass% or more is used, a bottom coating film having an amorphous structure is likely to be formed.

바닥 피막은, 코어 재료 입자의 표면에 거의 균일한 두께로 형성할 수가 있다. 그 대신에, 복수의 돌기부를 형성해서 바닥 피막을 요철 형상으로 형성할 수도 있다. 후자의 경우, 바닥 피막은, 평탄부와 상기 평탄부로부터 돌출하는 한편 상기 평탄부로부터의 연속체로 되어 있는 복수의 돌기부를 가지며, 상기 평탄부와 상기 돌기부가 동일한 재료, 즉 니켈-인 합금으로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 「연속체」란, 바닥 피막의 돌기부와 평탄부가 단일의 공정에 의해 형성되는 한편 바닥 피막의 평탄부와 돌기부와의 사이에, 이음매 등의 일체감을 해치는 부위가 존재하지 않는 것을 의미한다. 바닥 피막이 요철 형상으로 형성되어 있으면, 그 요철 형상이 도전성 입자의 표면에 반영된다. 따라서, 본 발명의 도전성 입자를 사용하여 전극의 전도를 취하는 경우, 전극 표면에 형성되어 있는 산화 피막을 돌기부가 뚫을 수가 있어 접속 저항의 저감을 도모할 수 있다. 게다가 돌기부가 바닥 피막의 평탄부와 동일 재료로 구성되어, 바닥 피막의 평탄부와 연속체로 되어 있음으로써, 도전성 입자의 돌기부의 강도가 확보되므로, 도전성 입자에 압력이 더해져도 돌기부가 파손되기 어렵다. The bottom coating can be formed on the surface of the core material particles with a substantially uniform thickness. Instead, a plurality of protrusions may be formed to form the bottom film in a concavo-convex shape. In the latter case, the bottom film has a flat portion and a plurality of protrusions which protrude from the flat portion and form a continuum from the flat portion, and the flat portion and the protrusion portion are made of the same material, that is, a nickel- . "Continuum" means that the projections and flat portions of the bottom coating are formed by a single process, and that there is no portion that interferes with the sense of identity such as joints between the flat portion and the projection portion of the bottom coating. If the bottom coating is formed in a concave-convex shape, the concave-convex shape is reflected on the surface of the conductive particle. Therefore, when the conductive particles of the present invention are used to conduct the electrode, the protrusions can penetrate the oxide film formed on the electrode surface, and the connection resistance can be reduced. In addition, since the protrusions are made of the same material as the flat portion of the bottom coating and are continuous with the flat portion of the bottom coating, the protrusions of the conductive particles are secured in strength, so that the protrusions are not easily broken even when pressure is applied to the conductive particles.

도전성 입자에 있어서, 바닥 피막이 거의 균일한 두께를 가지는 것, 또는 바닥 피막이 평탄부 및 돌기부를 가지는 것은, 도전성 입자의 단면을 현미경 관찰하는 것에 의해 확인할 수 있다.In the conductive particle, it is possible to confirm that the bottom coating has a substantially uniform thickness or that the bottom coating has a flat portion and a protruding portion by observing a cross section of the conductive particle with a microscope.

바닥 피막의 표면에 직접 접하는 상층 피막은, 앞서 말한 바와 같이, 니켈, 인 및 1종 이상의 금속 M(다만, 니켈을 제외한다.)을 함유한다. 금속 M은 전이 금속인 것이 바람직하고, 니켈보다 모스 경도가 높은 것이 더욱 바람직하다. 특히 모스 경도가 4 이상의 금속 M을 사용하면, 도전성이 한층 높아진다고 하는 유리한 효과가 나타나므로 바람직하다. 그 이유로서는, 상층 피막이 딱딱해지므로, 도전성 입자를 포함한 이방성 도전 필름을 사용하여 전극간의 전기적 전도를 취하는 경우에, 도전성 입자와 전극과의 계면에 존재하는 수지를 배제하기 쉬워지는 것, 및 도전성 입자가 전극 표면에 존재하는 산화막을 찢기 쉬워지는 것을 들 수 있다.The top coat directly contacting the surface of the bottom coat contains nickel, phosphorus and one or more metals M (except nickel), as previously mentioned. The metal M is preferably a transition metal, and more preferably has a higher Mohs hardness than nickel. Especially when a metal M having a Mohs hardness of 4 or more is used, an advantageous effect that the conductivity is further increased is obtained, which is preferable. The reason for this is that when the anisotropic conductive film containing conductive particles is used to conduct electrical conduction between the electrodes, the resin present at the interface between the conductive particles and the electrode is easily removed, and the conductive particles The oxide film existing on the electrode surface tends to be torn easily.

금속 M의 바람직한 예로서는, 주기표의 제6족, 제8족, 제9족 및 제10족의 전이 금속 원소를 들 수 있다. 특히 바람직하게는, 팔라듐, 코발트, 로듐, 철, 백금, 이리듐, 텅스텐, 몰리브덴 및 크롬 등을 들 수 있다. 그 중에서도 모스 경도가 4~10인 금속, 예를 들면 텅스텐, 몰리브덴, 팔라듐 및 백금으로부터 선택되는 1 종류 이상을 사용하면, 도전성을 한층 더 높일 수 있으므로 바람직하다. 특히, 텅스텐 및 몰리브덴으로부터 선택되는 1 종류 이상을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 1 종류만이 아니라 2 종류 이상을 동시에 사용하는 것이, 도전성의 면에서 한층 더 바람직하다.Preferable examples of the metal M include transition metals of Group 6, Group 8, Group 9 and Group 10 of the Periodic Table. Particularly preferable examples include palladium, cobalt, rhodium, iron, platinum, iridium, tungsten, molybdenum and chromium. Among them, it is preferable to use at least one selected from metals having a Mohs hardness of 4 to 10, for example, tungsten, molybdenum, palladium and platinum, because the conductivity can be further increased. Particularly, it is preferable to use at least one selected from tungsten and molybdenum. In addition, it is more preferable to use two or more types at the same time in view of conductivity.

상층 피막에 있어서의 금속 M의 함유량은, 도전성 입자의 도전성을 더욱 양호하게 하는 관점으로부터, 바람직하게는 1~20 질량%, 더욱 바람직하게는 2~15 질량%, 한층 더 바람직하게는 3~13 질량%이다. 이 함유량은, 상층 피막이 금속 M을 2 종류 이상 함유하는 경우, 2 종류 이상의 금속 M의 합계의 함유량이다. 또한, 상층 피막에 있어서의 인의 함유량은, 도전성 입자의 도전성을 더욱 양호하게 하는 관점으로부터, 바람직하게는 1~7 질량%, 더욱 바람직하게는 1~5 질량%, 한층 더 바람직하게는 1~3 질량%이다. 니켈 함유량은, 도전성 입자의 도전성을 더욱 향상시키는 관점으로부터, 75 질량%이상, 특히 80 질량%이상인 것이 바람직하다. 상층 피막에 있어서의 인 함유량 및 금속 M의 함유량은, 후술하는 방법으로 측정할 수 있다. 상층 피막에 있어서의 니켈 함유량도, 인 함유량 및 금속 M의 함유량과 같은 방법으로 측정할 수 있다.The content of the metal M in the upper layer coating film is preferably 1 to 20% by mass, more preferably 2 to 15% by mass, still more preferably 3 to 13% by mass from the viewpoint of improving the conductivity of the conductive particles. Mass%. This content is the total content of two or more kinds of metals M when the upper layer coating contains two or more kinds of metals M. The content of phosphorus in the upper layer coating film is preferably 1 to 7% by mass, more preferably 1 to 5% by mass, still more preferably 1 to 3% by mass from the viewpoint of improving the conductivity of the conductive particles. Mass%. The nickel content is preferably 75 mass% or more, particularly 80 mass% or more from the viewpoint of further improving the conductivity of the conductive particles. The content of phosphorus and the content of metal M in the upper coating film can be measured by a method described later. The nickel content in the upper layer coating can also be measured by the same method as the phosphorus content and the content of the metal M. [

상층 피막은 결정 구조를 가지고 있다. 이에 따라, 도전성 입자의 도전성이 향상한다. 특히 상층 피막이 결정 구조를 가지고 있는 것에 더하여, 앞서 말한 바닥 피막도 결정 구조를 가지고 있으면, 도전성 입자는 그 도전성이 한층 향상한 것이 되므로 바람직하다. 상층 피막의 결정 구조는, 금속 니켈, 니켈-인 합금 또는 니켈-인-금속 M합금의 어느 것 일 수 있다. 상층 피막이 결정 구조를 가지고 있는지 아닌지는, 피막을 FIB등으로 박편화 후, 입자 표면으로부터 수 nm 정도의 깊이의 피막을 X선회절 등으로 측정해, 니켈 등의 회절 피크가 관찰되는지 아닌지로 판단된다. 더욱이, 상층 피막이 금속 M를 함유하고 있는지 아닌지는, 도전성 입자를 희질산등으로 용해하고, 용출액을 경시적으로 복수 채취해서, 각 시점의 용출액에 포함되는 원소를 분석함으로써 확인할 수가 있다.The upper coating has a crystal structure. This improves the conductivity of the conductive particles. In particular, in addition to the fact that the upper layer coating has a crystal structure, if the above-mentioned bottom coating has a crystal structure, it is preferable that the conductive particles have improved conductivity. The crystal structure of the upper layer coating may be any of metal nickel, nickel-phosphorus alloy or nickel-phosphorus-metal M alloy. Whether or not the upper layer coating has a crystal structure can be determined by thinning the coating with FIB or the like and then measuring the coating with a depth of several nm from the surface of the particle by X-ray diffraction or the like to see whether a diffraction peak of nickel or the like is observed . Whether or not the upper layer coating contains the metal M can be confirmed by dissolving the conductive particles with dilute acid or the like and collecting a plurality of elution solutions over time and analyzing the elements contained in the elution solution at each time point.

상층 피막이 결정 구조를 가지기 위해서는, 예를 들면, 후술하는 도전성 입자의 제조 방법에 있어, 상층 피막을 무전해 도금으로 형성할 때의 도금욕의 조성을 적절히 조정하면 된다. 구체적으로는, 무전해 도금시에 이용되는 환원제로서 인 화합물을 사용하는 경우에는, 도금욕 중에서의 해당 인 화합물의 농도가 낮을수록 결정 구조를 가지는 상층 피막이 형성되기 쉽다. 예를 들면, 상층 피막에 포함되는 인의 양이 10 질량% 미만이 될 정도의 농도의 인 화합물을 포함한 도금욕을 사용하면, 결정 구조를 가지는 상층 피막이 형성되기 쉽다.In order for the upper layer coating to have a crystal structure, for example, in the method for producing conductive particles described later, the composition of the plating bath when the upper layer coating is formed by electroless plating may be suitably adjusted. Specifically, when a phosphorus compound is used as a reducing agent used in electroless plating, the lower the concentration of the phosphorus compound in the plating bath is, the more easily an upper layer coating having a crystal structure is likely to be formed. For example, if a plating bath containing a phosphorus compound having a concentration such that the amount of phosphorus contained in the upper layer coating is less than 10% by mass is used, the upper layer coating having a crystal structure tends to be formed.

상층 피막은 그 표면이 요철 형상으로 되어 있다. 상세하게는, 상층 피막은, 평탄부와, 상기 평탄부로부터 돌출하는 한편 상기 평탄부로부터의 연속체로 되어 있는 복수의 돌기부를 가지고, 상기 평탄부와 상기 돌기부가 동일한 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 각 돌기부는, 상층 피막을 구성하는 재료로 이루어지는 단일의 연속체의 형태를 하고 있어도 좋고, 또는 상층 피막을 구성하는 재료로 이루어지는 입자가 일렬로 복수개 연결해 되는 입자 연결체로 구성되며, 상기 입자간에 입계가 관찰되는 형태여도 좋다. 상층 피막의 표면이 요철 형상으로 되어 있는 것으로, 그 요철 형상이 도전성 입자의 표면에 반영된다. 따라서, 본 발명의 도전성 입자를 이용해 전극의 전도를 취하는 경우, 전극 표면에 형성되어 있는 산화 피막을 돌기부가 뚫을 수가 있어, 접속 저항의 저감을 꾀할 수가 있다. 게다가 돌기부가 상층 피막의 평탄부와 동일 재료로 구성되어 상층 피막의 평탄부와 연속체로 되어 있음으로써, 도전성 입자의 돌기부의 강도가 확보되므로, 도전성 입자에 압력이 더해져도 돌기부가 파손되기 어렵다. 특히, 상술한 바닥 피막의 표면도 요철 형상을 가지고 있으면, 상기 요철 형상과 상층 피막의 표면의 요철형상이 중첩된 요철 형상이 도전성 입자의 표면에 반영된다. 이에 의해, 산화 피막을 한층 용이하게 찢을 수가 있다. 또한, 돌기부의 파손이 한층 일어나기 힘들어진다. 이 경우, 바닥 피막에 형성되어 있는 돌기부의 위치와 상층 피막에 형성되어 있는 돌기부의 위치와 같아도 좋고, 혹은 달라도 좋다.The surface of the upper layer coating has a concavo-convex shape. Specifically, it is preferable that the upper layer coating has a flat portion and a plurality of protrusions protruding from the flat portion and continuing from the flat portion, wherein the flat portion and the protrusion are made of the same material . Each projecting portion may be in the form of a single continuous body made of the material constituting the upper layer coating or may be composed of a particle connecting body in which a plurality of particles constituting the upper layer coating are connected in a row, . The surface of the upper layer coating is in the form of irregularities, and the irregularities are reflected on the surface of the conductive particles. Therefore, when conducting the electrode using the conductive particles of the present invention, the protrusions can penetrate the oxide film formed on the electrode surface, and the connection resistance can be reduced. In addition, since the protrusions are made of the same material as the flat portion of the upper layer coating and are continuous with the flat portion of the upper layer coating, the protrusions of the conductive particles are secured in strength, so that the protrusions are not easily broken even when pressure is applied to the conductive particles. Particularly, when the surface of the bottom film has a concave-convex shape, the concave-convex shape of the concave-convex shape and the concave-convex shape of the concave-convex shape of the surface of the upper-layer film are reflected on the surface of the conductive particle. As a result, the oxide film can be torn more easily. In addition, breakage of the protruding portions becomes more difficult to occur. In this case, the position of the protrusion formed on the bottom coating and the position of the protrusion formed on the upper coating may be the same or different.

상층 피막의 돌기부에 관하여, 앞서 설명한 「평탄부로부터의 연속체로 되어 있는 복수의 돌기부」에 있어서의 「연속체」의 의미는, 상술한 바닥 피막에 형성되어 있는 돌기부의 연속체와 같은 뜻이다. 따라서, 예를 들면 바닥 피막의 표면에 평탄한 상층 피막을 형성하고, 그 위에 돌기 형성용의 코어 입자, 예를 들면 금속, 금속 산화물, 흑연 등의 비금속 무기물, 도전성 폴리머 등을 부착시켜, 상기 코어 입자를 성장의 기점으로서 형성된 돌기부는, 평탄부와 돌기부가 단일의 공정에 의해 형성된 것은 아니기 때문에, 본 발명이 말하는 연속체에 포함되지 않는다. 다만, 이러한 코어 입자를 상층 피막에 부착시켜, 상기 코어 입자를 성장의 기점으로서 형성된 돌기부를 가지는 도전성 입자, 즉 평탄부와 돌기부가 연속체로 되어 있지 않은 도전성 입자도, 본 발명의 범위 내는 아닌 것에 유의해야 한다.With respect to the protrusions of the upper layer coating, the term " continuum " in the above-mentioned " plurality of protrusions constituting a continuum from the flat portion " means the same as the continuity of the protrusions formed in the above- Therefore, for example, a flat upper coat film is formed on the surface of the bottom film, core particles for forming projections, such as a metal, a metal oxide, a nonmetal inorganic material such as graphite, a conductive polymer, Is not included in the continuum of the present invention because the flat portion and the protruding portion are not formed by a single process. However, it is also noted that the conductive particles having protrusions formed as the starting points of growth of the core particles, that is, the conductive particles having no flat portion and no protrusions as a continuum are adhered to the upper layer coating, Should be.

도전성 입자에 있어서, 상층 피막이 평탄부 및 돌기부를 가지는 것은, 도전성 입자의 단면을 현미경 관찰하는 것에 의해 확인할 수 있다.In the conductive particles, the upper layer coating has flat portions and protrusions can be confirmed by observing a cross section of the conductive particles under a microscope.

*이상과 같이, 본 발명의 도전성 입자에 있어서는 그 표면에, 적어도 상층 피막에 형성된 돌기부의 요철 형상이 반영된 돌기부가 형성되어 있다. 이 돌기부는, 그 높이 H가, 평균 20 nm이상, 특히 50 nm이상인 것이 바람직하다. 돌기부의 수는, 도전성 입자의 입경에도 따르지만, 1개의 입자당, 1~20000개, 특히 5~5000개인 것이, 도전성 입자의 도전성의 한층 더 향상의 점에서 바람직하다. 돌기부의 가로세로비는, 바람직하게는 0.5 이상, 더욱 바람직하게는 1 이상이다. 돌기부의 가로세로비가 크면, 상술한 산화 피막을 용이하게 찢을 수가 있으므로 유리하다. 또한, 도전성 입자를 사용해 이방성 도전 필름을 형성했을 경우에는, 돌기부의 가로세로비가 크면 수지 배제성이 높아지므로, 도전성이 높아질 것으로 생각된다. 가로세로비란, 돌기부의 높이 H와 돌기의 토대의 길이 D와의 비, 즉 H/D로 정의되는 값이다.As described above, in the conductive particle of the present invention, protrusions are formed on the surface of the conductive particles, at least reflecting the concavo-convex shape of the protrusions formed in the upper layer coating. It is preferable that the height H of the projections is 20 nm or more on average, particularly 50 nm or more. The number of protrusions is preferably from 1 to 20,000, particularly from 5 to 5000 per one particle, from the viewpoint of further improving the conductivity of the conductive particles, depending on the particle diameter of the conductive particles. The aspect ratio of the protrusions is preferably 0.5 or more, more preferably 1 or more. If the aspect ratio of the protrusions is large, it is advantageous because the above-mentioned oxide film can be easily torn. In addition, when the anisotropic conductive film is formed using the conductive particles, it is considered that when the aspect ratio of the protruding portion is large, the resin exclusion property is high, and thus the conductivity is high. The ratio between the height H of the protrusion and the length D of the base of the protrusion, that is, H / D,

 도전성 입자의 표면에 형성되어 있는 돌기부의 가로세로비는 상술한 바와 같은 것으로, 돌기부의 토대의의 길이 D 자체는 5~500 nm, 특히 10~400 nm인 것이 바람직하고, 돌기부의 높이 H에 대해서는 5~500 nm, 특히 10~400 nm인 것이 바람직하다.The aspect ratio of the protrusions formed on the surface of the conductive particles is as described above. It is preferable that the length D itself of the protrusions is 5 to 500 nm, particularly 10 to 400 nm. As for the height H of the protrusions, It is preferably 5 to 500 nm, particularly preferably 10 to 400 nm.

상술의 가로세로비의 측정 방법은 다음과 같다. 전자현미경에 의해 도전성 입자를 확대 관찰한다. 1개의 입자에 대해 적어도 1개의 돌기부에 대해, 그 토대의 길이 D 및 높이 H를 측정한다. 이 경우, 관찰상에 있어 입자의 중앙에 존재하는 돌기부보다, 오히려 입자의 둘레에 존재하는 돌기부를 측정 대상으로 하는 것이, 치수의 정확한 측정의 점에서 중요하다. 이러한 측정을 적어도 20개의 다른 입자를 대상으로 해 실시한다. 이와 같이 하여 얻어진 복수의 가로세로비의 데이터를 산술 평균하여, 그 값을 가로세로비라 한다. 또한, 돌기부의 횡단면은 이방성이 작은 형상(예를 들면 거의 원형)을 하고 있으므로, 입자의 관찰 각도에 의해 돌기부의 토대의 길이 D의 값이 바뀌어 버리는 염려는 작다.The measurement method of the aspect ratio is as follows. The conductive particles are magnified and observed by an electron microscope. The length D and the height H of the base are measured for at least one protrusion with respect to one particle. In this case, it is important from the viewpoint of accurate measurement of the dimension that the protruding portion existing on the periphery of the particle rather than the protruding portion existing in the center of the particle on the observation. Perform these measurements on at least 20 different particles. The data of the plurality of aspect ratios thus obtained are arithmetically averaged, and the values are referred to as horizontal and vertical ratios. In addition, since the cross section of the projection has a small anisotropic shape (for example, almost circular), there is little possibility that the value of the length D of the base of the projection varies depending on the observation angle of the particle.

도전성 입자의 표면에 형성되어 있는 돌기부에 관해서는, 높이 H가 50 nm이상인 것이, 1개의 입자당 1~10000개, 특히 2~2000개, 특히 2~20개인 것이, 도전성 입자의 도전성의 더욱 한층 더 향상의 점에서 바람직하다. 같은 관점으로부터, 높이 H가 50 nm 이상인 돌기부의 가로세로비는 0.3~3.0, 특히 0.5~2.0, 특히 0.5~1.0인 것이 바람직하다.Concerning the protrusions formed on the surfaces of the conductive particles, the number of protrusions having a height H of 50 nm or more per 1 particle, preferably 1 to 10,000, particularly 2 to 2000, particularly 2 to 20, It is preferable in terms of further improvement. From the same viewpoint, the aspect ratio of the protrusions having a height H of 50 nm or more is preferably 0.3 to 3.0, particularly 0.5 to 2.0, particularly 0.5 to 1.0.

도전성 입자는, 더 나아가, 상층 피막의 표면에 접하는 최외층 피막을 가지고 있어도 좋다. 이 최외층 피막은, 귀금속으로 이루어지는 것이 바람직하다. 귀금속으로서는 도전성이 높은 금속인 금 또는 팔라듐을 사용하는 것이 바람직하고, 특히 금을 이용하는 것이 바람직하다. 이 피복에 의해, 도전성 입자의 도전성을 한층 높이는 것이 가능하게 된다.The conductive particles may further have an outermost layer coating contacting the surface of the upper layer coating. The outermost layer coating is preferably made of a noble metal. As the noble metal, it is preferable to use gold or palladium which is a metal having high conductivity, and it is particularly preferable to use gold. This coating makes it possible to further increase the conductivity of the conductive particles.

도전성 피막이 상술한 구조를 가지는 본 발명의 도전성 입자는 그 형상이 구상(球狀)인 것이 바람직하다. 여기서 말하는 구상이란, 전술한 돌기부를 제외해 입자의 외관을 관찰했을 경우에 구상인 것을 말한다.It is preferable that the conductive particles of the present invention having the above-described conductive film have a spherical shape. The sphere referred to here is a spherical shape when the appearance of the particles is observed except for the protrusions described above.

도전성 입자의 크기는, 도전성 재료의 구체적인 용도에 따라 적절히 설정할 수가 있다. 구체적으로는, 도전성 입자는 그 입경이 0.5~1000 μm인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 1~500 μm이며, 한층 더 바람직하게는 1~100 μm이다. 도전성 입자의 입경은, 전자현미경 관찰에 의해 측정할 수가 있다.The size of the conductive particles can be appropriately set according to the specific use of the conductive material. Specifically, the conductive particles preferably have a particle diameter of 0.5 to 1000 μm, more preferably 1 to 500 μm, and still more preferably 1 to 100 μm. The particle diameter of the conductive particles can be measured by an electron microscope observation.

다음으로, 본 발명의 도전성 입자에 적합한 제조 방법을 설명한다. 본 제조 방법은, (1) 코어 재료 입자의 표면에 바닥 피막을 형성하는 제1 공정과, (2) 제1 공정에서 얻은 입자에, 상층 피막을 형성하는 제2 공정의 2 공정으로 크게 나뉜다.Next, a manufacturing method suitable for the conductive particles of the present invention will be described. This manufacturing method is largely divided into two steps: (1) a first step of forming a bottom coating on the surface of the core material particles, and (2) a second step of forming an upper coating on the particles obtained in the first step.

제1 공정에서는, 그에 앞서, 코어 재료 입자의 표면에 귀금속을 담지하는 전처리를 실시한다. 코어 재료 입자의 종류에 특별한 제한은 없고, 유기물 및 무기물의 모두가 사용할 수 있다. 바닥 피막을 양호하게 형성하기 위해서, 코어 재료 입자는 물에 분산 가능한 것인 것이 바람직하다. 따라서 코어 재료 입자는, 바람직하게는 물에 실질적으로 불용성의 것이며, 더욱 바람직하게는 산이나 알칼리에 대해서도 용해 또는 변질하지 않는 것이다. 물에 분산 가능하다는 것은, 교반 등의 통상의 분산 수단에 의해, 바닥 피막이 코어 재료 입자의 표면에 형성할 수 있는 정도로, 수중에 실질적으로 분산된 현탁체를 형성할 수 있는 것을 말한다.In the first step, a pre-treatment for supporting a noble metal is carried out on the surface of the core material particles. There is no particular limitation on the kind of the core material particles, and both organic materials and inorganic materials can be used. In order to form the bottom coating well, the core material particles are preferably dispersible in water. Therefore, the core material particles are preferably substantially insoluble in water, and more preferably they do not dissolve or deteriorate against acids or alkalis. The term "dispersible in water" means that a suspension which is substantially dispersed in water can be formed to such an extent that the bottom coating can form on the surface of the core material particles by a usual dispersing means such as stirring.

코어 재료 입자의 형상은 목적으로 하는 도전성 입자의 형상에 크게 영향을 준다. 코어 재료 입자의 표면을 피복 하는 바닥 피막 및 상층 피막의 두께는 얇은 것이므로, 코어 재료 입자의 형상이 거의 그대로 도전성 입자의 형상에 반영된다. 도전성 입자가 구형인 것이 바람직한 것은 상술한 바와 같으므로, 코어 재료 입자의 형상도 구형인 것이 바람직하다.The shape of the core material particle greatly influences the shape of the intended conductive particle. Since the thicknesses of the bottom coating film and the upper layer coating film covering the surface of the core material particles are thin, the shape of the core material particles is almost reflected in the shape of the conductive particles. Since the conductive particles are preferably spherical as described above, the shape of the core material particles is also preferably spherical.

코어 재료 입자가 구형인 경우, 코어 재료 입자의 입경은 목적으로 하는 도전성 입자의 입경에 크게 영향을 준다. 코어 재료 입자의 표면을 피복 하는 바닥 피막 및 상층 피막의 두께는 얇은 것이므로, 코어 재료 입자의 입경이 도전성 입자의 입경에 거의 반영된다. 이 관점으로부터, 코어 재료 입자의 입경은, 목적으로 하는 도전성 입자의 입경과 동일한 정도로 할 수 있다. 구체적으로는 0.5~1000μm, 특히 1~500μm, 특히 1~100μm인 것이 바람직하다. 코어 재료 입자의 입경은, 도전성 입자의 입경과 같은 방법으로 측정할 수가 있다.When the core material particles are spherical, the particle diameter of the core material particles greatly affects the particle diameter of the intended conductive particles. Since the thicknesses of the bottom coating film and the upper layer coating film covering the surface of the core material particles are thin, the particle diameter of the core material particles is almost reflected in the particle diameter of the conductive particles. From this point of view, the particle diameter of the core material particles can be made to be about the same as the particle diameter of the intended conductive particles. Specifically, it is preferably 0.5 to 1000 μm, particularly 1 to 500 μm, particularly preferably 1 to 100 μm. The particle diameter of the core material particles can be measured by the same method as the particle diameter of the conductive particles.

전술의 방법에 따라 측정된 코어 재료 입자로 이루어지는 분체의 입도 분포에는 폭이 있다. 일반적으로, 분체의 입도 분포의 폭은, 하기 식 1에서 나타내는 변동 계수에 의해 표시된다.The particle size distribution of the powder made of the core material particles measured according to the above-mentioned method is wide. Generally, the width of the particle size distribution of the powder is expressed by the coefficient of variation shown in the following formula (1).

[식 1] 변동 계수(%) = (표준 편차/평균 입경)×100 [Formula 1] Coefficient of Variation (%) = (Standard Deviation / Average Particle Size) x 100

이 변동 계수가 큰 것은 분포에 폭이 있는 것을 나타내고, 한편, 변동 계수가 작은 것은 입도 분포가 샤프한 것을 나타낸다. 본 발명에서는, 코어 재료 입자로서 이 변동 계수가 30% 이하, 특히 20% 이하, 그 중에서도 10% 이하의 것을 사용하는 것이 바람직하다. 그 이유는, 본 발명의 도전성 입자를 이방성 도전 필름 중의 도전 입자로서 사용한 경우에, 접속에 유효한 기여 비율이 높아진다는 이점이 있기 때문이다.The larger the coefficient of variation indicates that the distribution has a width, and the smaller the coefficient of variation indicates that the particle size distribution is sharp. In the present invention, as the core material particles, those having a coefficient of variation of 30% or less, particularly 20% or less, and particularly 10% or less are preferably used. This is because, when the conductive particles of the present invention are used as the conductive particles in the anisotropic conductive film, there is an advantage that the effective contribution ratio is increased.

코어 재료 입자의 구체적인 예로서는, 무기물로서, 금속(합금도 포함한다), 유리, 세라믹스, 실리카, 카본, 금속 또는 비금속의 산화물(함수물도 포함한다), 알루미노 규산염을 포함한 금속 규산염, 금속 탄화물, 금속 질화물, 금속 탄산염, 금속 황산염, 금속 인산염, 금속 황화물, 금속산염, 금속 할로겐화물 및 탄소 등을 들 수 있다. 유기물로서는, 천연 섬유, 천연 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리부텐, 폴리아미드, 폴리아크릴산 에스테르, 폴리아크릴로니트릴, 폴리아세탈, 아이오노머, 폴리에스테르 등의 열가소성 수지, 알키드 수지, 페놀 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 크실렌 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지 또는 디알릴 프탈레이트 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로도 사용할 수 있고 또는 2종 이상의 혼합물로서 사용하여도 좋다. 또한, 유기물과 무기물과의 복합재료를 이용할 수도 있다. 예로서는 스티렌 실리카 복합수지, 아크릴 실리카 복합수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the core material particles include inorganic materials such as metal (including alloys), glass, ceramics, silica, carbon, oxides of metals or nonmetals (including hydrous), metal silicates including aluminosilicates, metal carbides, Nitrides, metal carbonates, metal sulfates, metal phosphates, metal sulfides, metal halides, metal halides and carbon. Examples of the organic material include natural fibers, natural resins, thermoplastic resins such as polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, polybutene, polyamide, polyacrylic acid ester, polyacrylonitrile, polyacetal, ionomer and polyester, , Phenol resin, urea resin, melamine resin, benzoguanamine resin, xylene resin, silicone resin, epoxy resin or diallyl phthalate resin. These may be used alone or as a mixture of two or more. Further, a composite material of an organic material and an inorganic material may be used. Examples thereof include a styrene-silica composite resin, an acrylic silica composite resin, and the like.

또한, 코어 재료 입자의 그 외의 물성은, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 코어 재료 입자가 수지 입자인 경우는, 하기 식 2에서 정의되는 K의 값이, 20℃에서 10 kgf/mm2~10000 kgf/mm2의 범위이며, 한편 10% 압축 변형 후의 회복율이 20℃에서 1%~100%의 범위인 것이 바람직하다. 이들 물성값을 만족하는 것으로, 전극끼리를 압착할 경우에 전극을 손상시키지 않고, 전극과 충분히 접촉시킬 수가 있기 때문이다.Further, the physical properties of the core material particles are not particularly limited. When the core material particles are resin particles, the K value defined by the following formula 2 is preferably 10 kgf / mm 2 to 10,000 kgf / mm < 2 & gt ;, while the recovery rate after 10% compression deformation is preferably in the range of 1% to 100% at 20 deg. By satisfying these physical properties, it is possible to sufficiently contact the electrodes without damaging the electrodes when the electrodes are pressed together.

[식 2] K값(kgf/mm2) = (3/√2)×F×S-3/2×R-1/2 K value (kgf / mm 2 ) = (3 / √2) × F × S -3/2 × R -1/2

식 2에서 나타나는 F 및 S는, 미소 압축 시험기 MCTM-500((주) 시마쯔 제작소제)로 측정했을 때의, 각각 해당 미구체의 10% 압축 변형에 있어서의 하중값(kgf) 및 압축 변위(mm)이며, R는 상기 미구체의 반경(mm)이다.F and S in Equation 2 are the load value (kgf) at 10% compression deformation of the corresponding microspheres and the compressive displacement (kgf) when measured with a micro compression tester MCTM-500 (manufactured by Shimadzu Corporation) (mm), and R is the radius (mm) of the microsphere.

 코어 재료 입자는, 그 표면이 귀금속 이온의 포착능을 가지거나, 또는 귀금속 이온의 포착능을 가지도록 표면 개질되는 것이 바람직하다. 귀금속 이온은, 팔라듐이나 은의 이온인 것이 바람직하다. 귀금속 이온의 포착능을 가진다는 것은, 귀금속 이온을 킬레이트 또는 염으로서 포착할 수 있는 것을 말한다. 예를 들면 코어 재료 입자의 표면에, 아미노기, 이미노기, 아미드기, 이미드기, 시아노기, 수산기, 니트릴기, 카르복실기 등이 존재하는 경우에는, 상기 코어 재료 입자의 표면은 귀금속 이온의 포착능을 가진다. 귀금속 이온의 포착능을 가지도록 표면 개질하는 경우에는, 예를 들면 일본 특허공개 소61-64882호 공보 기재의 방법을 사용할 수가 있다.It is preferable that the surface of the core material particles is surface-modified so as to have a trapping ability of noble metal ions or a trapping ability of noble metal ions. The noble metal ions are preferably palladium or silver ions. The ability to capture noble metal ions means that noble metal ions can be captured as chelates or salts. For example, when an amino group, an imino group, an amide group, an imide group, a cyano group, a hydroxyl group, a nitrile group, a carboxyl group or the like is present on the surface of the core material particle, the surface of the core material particle has a capping ability I have. When the surface is modified to have a trapping ability of noble metal ions, for example, the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-64882 can be used.

이러한 코어 재료 입자를 이용해 그 표면에 귀금속을 담지시킨다. 구체적으로는, 코어 재료 입자를 염화 팔라듐이나 질산은과 같은 귀금속염의 희박한 산성 수용액에 분산시킨다. 이것에 의해 귀금속 이온을 입자의 표면에 포착시킨다. 귀금속염의 농도는 입자의 표면적 1 m2 당 1×10-7~ 1×10-2몰의 범위로 충분하다. 귀금속 이온이 포착된 코어 재료 입자는 계로부터 분리되어 수세된다. 계속해서, 코어 재료 입자를 물에 현탁시키고, 이에 환원제를 더해 귀금속 이온의 환원 처리를 실시한다. 이에 따라 코어 재료 입자의 표면에 귀금속을 담지 시킨다. 환원제는, 예를 들면 하이포아인산 나트륨, 수산화붕소나트륨, 수소화붕소칼륨, 디메틸아민보란, 히드라진, 포르말린 등이 이용되고, 이들 중에서, 목적하는 바닥 피막의 구성 재료에 근거하여 선택하는 것이 바람직하다.These core material particles are used to carry noble metal on the surface. Specifically, the core material particles are dispersed in a dilute acidic aqueous solution of a noble metal salt such as palladium chloride or silver nitrate. This allows noble metal ions to be trapped on the surface of the particles. The concentration of the noble metal salt is preferably in the range of 1 x 10 -7 to 1 x 10 -2 moles per m 2 of the surface area of the particles. The core material particles in which noble metal ions are captured are separated from the system and washed with water. Subsequently, the core material particles are suspended in water, and a reducing agent is added thereto to perform reduction treatment of noble metal ions. Thereby supporting the noble metal on the surface of the core material particles. As the reducing agent, for example, sodium hypophosphite, sodium borohydride, potassium borohydride, dimethylamine borane, hydrazine, formalin and the like are used, and it is preferable to select them based on the constituent material of the desired bottom film.

귀금속 이온을 코어 재료 입자의 표면에 포착시키기 전에, 주석 이온을 입자의 표면에 흡착시키는 감수성화 처리를 실시해도 좋다. 주석 이온을 입자의 표면에 흡착시키려면, 예를 들면 표면 개질 처리된 코어 재료 입자를 염화제1주석의 수용액에 투입해 소정 시간 교반하면 좋다.Before the noble metal ions are trapped on the surface of the core material particles, a sensitizing treatment may be performed to adsorb tin ions to the surface of the particles. In order to adsorb tin ions to the surfaces of the particles, for example, the surface-modified core material particles may be put into an aqueous solution of tin chloride and stirred for a predetermined time.

이와 같이 하여, 전처리가 행해진 코어 재료 입자에 대해, 제1 공정의 바닥 피막 형성 처리를 실시한다. 이하에서는, 바닥 피막 형성 처리로서, (a) 돌기부를 가지는 바닥 피막을 형성하는 처리 (이하, a처리라고도 한다), 및 (b) 표면이 평활한 바닥 피막을 형성하는 처리 (이하, b처리라고도 한다)의 두 종류를 설명한다.In this manner, the bottom film forming process of the first step is performed on the core material particles subjected to the pre-treatment. Hereinafter, as the bottom film forming process, a process (a) for forming a bottom film having a protrusion (hereinafter also referred to as a process) and a process for forming a bottom film having a smooth surface ) Are described.

a처리로서는, 이하의 a1공정, 및 a2공정을 실시한다.As a processing, the following a1 step and a2 step are carried out.

a1공정은, 코어 재료 입자의 수성 슬러리와 분산제, 니켈염, 환원제 및 착화제 등을 포함한 무전해 니켈 도금욕을 혼합하는 무전해 니켈 도금 공정이다. 이러한 a1공정에서는, 코어 재료 입자상에의 바닥 피막의 형성과 동시에 도금욕의 자기 분해가 일어난다. 이 자기 분해는, 코어 재료 입자의 근방에서 발생하기 때문에, 바닥 피막의 형성시에 자기 분해물이 코어 재료 입자 표면상에 포착되는 것에 의해, 미소 돌기의 핵이 생성되고, 그것과 동시에 바닥 피막의 형성이 이루어진다. 생성한 미소 돌기의 핵을 기점으로하여 돌기부가 성장한다.Step a1 is an electroless nickel plating process in which an aqueous electroless slurry of the core material particles is mixed with an electroless nickel plating bath containing a dispersant, a nickel salt, a reducing agent, and a complexing agent. In this a1 step, self-decomposition of the plating bath occurs simultaneously with the formation of the bottom coat on the core material particles. Since the self-decomposition occurs in the vicinity of the core material particles, nuclei of the microprojections are generated by the self-decomposition substance being trapped on the surface of the core material particles at the time of forming the bottom coating film, and at the same time, . The projecting portion grows from the nucleus of the generated fine protrusion as a starting point.

a1공정에서는, 상술한 코어 재료 입자를 바람직하게는 1~500 g/L, 더욱 바람직하게는 5~300 g/L의 범위에서 물에 충분히 분산시켜, 수성 슬러리를 조제한다. 분산 조작은, 통상 교반, 고속 교반 또는 콜로이드 밀 혹은 균질기와 같은 전단 분산 장치를 사용해 실시할 수 있다. 또한, 분산 조작에 초음파를 병용해도 상관없다. 필요에 따라 분산 조작에 있어서는 계면활성제 등의 분산제를 첨가하는 경우도 있다. 이어서, 니켈염, 환원제, 착화제 및 각종 첨가제 등을 포함한 무전해 니켈 도금욕에, 분산 조작을 실시한 코어 재료 입자의 수성 슬러리를 첨가해, 무전해 도금 a1공정을 실시한다.In the step a1, an aqueous slurry is prepared by sufficiently dispersing the above-mentioned core material particles in water preferably in the range of 1 to 500 g / L, more preferably 5 to 300 g / L. The dispersion operation can be carried out using a shear dispersion apparatus such as a usual stirring, high-speed stirring, or a colloid mill or a homogenizer. Ultrasonic waves may also be used in combination for the dispersion operation. If necessary, a dispersant such as a surfactant may be added in the dispersing operation. Subsequently, an electroless plating a1 step is carried out by adding an aqueous slurry of core material particles subjected to a dispersion operation to an electroless nickel plating bath containing a nickel salt, a reducing agent, a complexing agent and various additives.

상술한 분산제로서는, 예를 들면 비이온 계면활성제, 양성 이온 계면활성제 및/또는 수용성 고분자를 들 수 있다. 비이온 계면활성제로서는, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리옥시 에틸렌 알킬 에테르, 폴리옥시 에틸렌 알킬 페닐 에테르 등의 폴리옥시 알킬렌 에테르계의 계면활성제를 사용할 수 있다. 양성 이온 계면활성제로서는, 알킬 디메틸 아세트산 베타인, 알킬 디메틸 카복시메틸 아세트산 베타인, 알킬 디메틸 아미노 아세트산 베타인 등의 베타인계의 계면활성제를 사용할 수 있다. 수용성 고분자로서는, 폴리비닐 알코올, 폴리비닐피롤리디논, 히드록시 에틸 셀룰로오스 등을 사용할 수 있다. 이들 분산제는, 1종 또는 2종 이상을 조합해 이용할 수 있다. 분산제의 사용량은, 그 종류에 따라 다르지만, 일반적으로, 액체(무전해 니켈 도금욕)의 체적에 대해서 0.5~30 g/L이다. 특히, 분산제의 사용량이 액체(무전해 니켈 도금욕)의 체적에 대해서 1~10 g/L의 범위라면, 바닥 피막의 밀착성이 한층 향상하는 관점에서 바람직하다.Examples of the dispersant include nonionic surfactants, amphoteric surfactants and / or water-soluble polymers. As the nonionic surfactant, polyoxyalkylene ether surfactants such as polyethylene glycol, polyoxyethylene alkyl ether, and polyoxyethylene alkyl phenyl ether can be used. As the amphoteric surfactant, a betaine surfactant such as alkyldimethyl acetate betaine, alkyldimethylcarboxymethylacetate betaine, and alkyldimethylaminoacetic acid betaine can be used. As the water-soluble polymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidinone, hydroxyethyl cellulose and the like can be used. These dispersants may be used alone or in combination of two or more. The amount of the dispersing agent to be used varies depending on the kind thereof, but it is generally 0.5 to 30 g / L with respect to the volume of the liquid (electroless nickel plating bath). Particularly, when the amount of the dispersing agent used is in the range of 1 to 10 g / L with respect to the volume of the liquid (electroless nickel plating bath), it is preferable from the viewpoint of further improving the adhesion of the bottom film.

니켈염으로서는, 예를 들면 염화 니켈, 황산 니켈 또는 아세트산 니켈 등이 사용되며, 그 농도는 0.1~50 g/L의 범위로 하는 것이 바람직하다. 환원제로서는, 예를 들면 먼저 말한 귀금속 이온의 환원에 사용되고 있는 것과 같은 것을 이용할 수 있어, 목적으로 하는 바닥 피막의 구성 재료에 근거해 선택된다. 환원제로서 인 화합물, 예를 들면 하이포아인산 나트륨을 사용하는 경우, 그 농도는, 0.1~50 g/L의 범위인 것이 바람직하다.As the nickel salt, for example, nickel chloride, nickel sulfate or nickel acetate is used, and the concentration thereof is preferably in the range of 0.1 to 50 g / L. As the reducing agent, for example, the same materials as those used for the reduction of the noble metal ions mentioned above may be used, and they are selected on the basis of the intended constituent material of the bottom coating film. When a phosphorus compound such as sodium hypophosphite is used as the reducing agent, the concentration thereof is preferably in the range of 0.1 to 50 g / L.

착화제로서는, 예를 들면 구연산, 히드록시 아세트산, 주석산, 말산, 젖산, 글루콘산 혹은 그 알칼리 금속염이나 암모늄염 등의 카르본산(염), 글리신 등의 아미노산, 에틸렌 디아민, 알킬 아민 등의 아민산, 그 외의 암모늄, EDTA 또는 피롤린산(염) 등, 니켈 이온에 대해 착화 작용이 있는 화합물이 사용된다. 이것들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합해 이용할 수 있다. 그 농도는 바람직하게는 1~100 g/L, 더욱 바람직하게는 5~50 g/L의 범위이다. 이 단계에서의 바람직한 무전해 니켈 도금욕의 pH는, 4~14의 범위이다. 무전해 니켈 도금 반응은, 코어 재료 입자의 수성 슬러리를 첨가하면 신속하게 시작되어, 수소 가스의 발생을 수반한다. 무전해 도금 a1공정은, 그 수소 가스의 발생이 완전하게 확인되지 않게 된 시점에 종료한다.Examples of the complexing agent include carboxylic acids (salts) such as citric acid, hydroxyacetic acid, tartaric acid, malic acid, lactic acid, gluconic acid or its alkali metal salts or ammonium salts, amino acids such as glycine, amine acids such as ethylenediamine, Other compounds having a complexing action with respect to nickel ions, such as ammonium, EDTA or pyrophosphoric acid (salt), are used. These may be used singly or in combination of two or more. The concentration thereof is preferably in the range of 1 to 100 g / L, more preferably 5 to 50 g / L. The pH of the preferred electroless nickel plating bath at this stage is in the range of 4-14. The electroless nickel plating reaction starts quickly upon addition of the aqueous slurry of the core material particles and involves generation of hydrogen gas. The electroless plating a1 process is terminated when the generation of the hydrogen gas is not completely confirmed.

다음으로 a2공정에 대해서는, 상기 a1공정에 이어, (i) 니켈염, 환원제 및 알칼리 가운데 1종을 포함하는 제1의 수용액과 나머지의 2종을 포함하는 제2의 수용액을 사용하거나, 또는 (ii) 니켈염을 포함하는 제1의 수용액과, 환원제를 포함하는 제2의 수용액과 알칼리를 포함하는 제3의 수용액을 사용하여 이들 수용액을 각각 동시에 그리고 경시적으로, a1공정의 액에 첨가해 무전해 니켈 도금을 실시한다. 이러한 액을 첨가하면 다시 도금 반응이 시작되지만, 그 첨가량을 조정하는 것에 의해, 형성되는 바닥 피막을 원하는 막 두께로 제어할 수가 있다. 무전해 니켈 도금액의 첨가 종료 후, 수소 가스의 발생이 완전하게 확인되지 않게 되고 나서 잠시 액체의 온도를 유지하면서 교반을 계속하여 반응을 완결시킨다.Next, for the a2 step, following the step a1, (i) a first aqueous solution containing a nickel salt, a reducing agent and one kind of alkali, and a second aqueous solution containing the remaining two species are used, or ii) adding a first aqueous solution containing a nickel salt, a second aqueous solution containing a reducing agent and a third aqueous solution containing an alkali to these aqueous solutions at the same time, Electroless nickel plating is performed. When such a solution is added, the plating reaction starts again, but by adjusting the addition amount, the formed bottom film can be controlled to a desired film thickness. After the completion of the addition of the electroless nickel plating solution, generation of hydrogen gas is not completely confirmed, and stirring is continued while maintaining the temperature of the liquid for a while to complete the reaction.

상기 (i)의 경우에는, 니켈염을 포함한 제1의 수용액과 환원제 및 알칼리를 포함한 제2의 수용액을 사용하는 것이 바람직하지만, 이 조합에 한정되지는 않는다. 이 경우에는, 제1의 수용액에는 환원제 및 알칼리는 포함되지 않고, 제2의 수용액에는 니켈염은 포함되지 않는다. 니켈염 및 환원제로서는, 상술한 것을 이용할 수가 있다. 알칼리로서는, 예를 들면 수산화 나트륨이나 수산화 칼륨 등의 알칼리 금속의 수산화물을 사용할 수가 있다. 앞에서 본 (ii)의 경우에 대해서도 마찬가지이다.In the case of (i), it is preferable to use a first aqueous solution containing a nickel salt, a second aqueous solution containing a reducing agent and an alkali, but the present invention is not limited to this combination. In this case, the reducing agent and the alkali are not included in the first aqueous solution, and the nickel salt is not included in the second aqueous solution. As the nickel salt and the reducing agent, those described above can be used. As the alkali, for example, a hydroxide of an alkali metal such as sodium hydroxide or potassium hydroxide can be used. The same applies to the case (ii).

앞에서 본 (ii)의 경우에는, 제1 ~ 제3의 수용액에 니켈염, 환원제 및 알칼리가 각각 포함되는 한편 각 수용액에는 해당 성분 이외의 다른 두 성분은 포함되지 않는다.In the case of (ii) described above, the first to third aqueous solutions each contain a nickel salt, a reducing agent and an alkali, and each of the aqueous solutions does not contain two components other than the component.

(i) 및 (ii) 어느 경우라 해도, 수용액 중의 니켈염의 농도는 10~1000 g/L, 특히 50~500 g/L인 것이 바람직하다. 환원제의 농도는, 환원제로서 인 화합물을 사용하는 경우, 100~1000 g/L, 특히 100~800 g/L인 것이 바람직하다. 환원제로서 붕소 화합물을 사용하는 경우, 5~200 g/L, 특히 10~100 g/L인 것이 바람직하다. 환원제로서 히드라진 또는 그 유도체를 사용하는 경우, 5~200 g/L, 특히 10~100 g/L인 것이 바람직하다. 알칼리의 농도는 5~500 g/L, 특히 10~200 g/L인 것이 바람직하다.(i) and (ii), the concentration of the nickel salt in the aqueous solution is preferably 10 to 1000 g / L, particularly preferably 50 to 500 g / L. The concentration of the reducing agent is preferably 100 to 1000 g / L, more preferably 100 to 800 g / L when a phosphorus compound is used as a reducing agent. When a boron compound is used as a reducing agent, it is preferably 5 to 200 g / L, particularly 10 to 100 g / L. When hydrazine or a derivative thereof is used as a reducing agent, it is preferably 5 to 200 g / L, particularly 10 to 100 g / L. The concentration of alkali is preferably 5 to 500 g / L, particularly preferably 10 to 200 g / L.

a2공정은, a1공정의 종료 후에 연속하여 실시하지만, 이를 대신해서, a1공정과 a2공정을 단속하여 실시하여도 좋다. 이 경우에는, a1공정의 종료 후, 여과 등의 방법에 따라 코어 재료 입자와 도금액을 분별하고, 새롭게 코어 재료 입자를 물에 분산시켜서 수성 슬러리를 조제하고, 거기에 착화제를 바람직하게는 1~100 g/L, 더욱 바람직하게는 5~50 g/L의 농도 범위에서 용해한 수용액을 첨가해, 분산제를 바람직하게는 0.5~30 g/L, 더욱 바람직하게는 1~10 g/L의 범위에서 용해해 수성 슬러리를 조제하여, 상기 수성 슬러리에 상기 각 수용액을 첨가하는 a2공정을 실시하는 방법도 좋다. 이와 같이 해서, 목적으로 하는 돌기부를 가지는 바닥 피막을 얻을 수 있다.The a2 step is carried out continuously after the end of the a1 step, but instead of this, the a1 step and the a2 step may be interrupted. In this case, after the end of the step a1, the core material particles and the plating liquid are separated by filtration or the like, the core material particles are dispersed in water to prepare an aqueous slurry, and a complexing agent is added thereto, The dispersant is preferably added in the range of 0.5 to 30 g / L, more preferably 1 to 10 g / L by adding the aqueous solution dissolved in the concentration range of 100 g / L, more preferably 5 to 50 g / L To prepare an aqueous slurry, and then carrying out the a2 step of adding the respective aqueous solutions to the aqueous slurry. In this way, a bottom film having a desired protrusion can be obtained.

다음으로, a처리 대신에, 표면 평활한 바닥 피막을 형성하는 처리인 b처리를 실시하는 경우에 대하여 설명한다. b처리는, 이하와 같이 하여 실시할 수가 있다. 우선, 사전 처리가 실시된 코어 재료 입자, 분산제, 착화제를 포함한 수성 슬러리를 조제한다. 그리고, a2공정으로 설명한 (i)의 제1의 수용액 및 제2의 수용액을 사용하는지, 또는 (ii)의 제1내지 제3의 수용액을 사용해 이러한 수용액을 수성 슬러리에 각각을 동시에 그리고 경시적으로 첨가하여 무전해 니켈 도금을 실시한다. 수성 슬러리에 각 수용액을 첨가하여 이루어지는 도금액의 pH는, 예를 들면 3~11의 범위에 조정하는 것이 바람직하다. 분산제 및 착화제의 종류 및 그러한 농도에 대해서는, a1공정의 설명에서 언급한 것을, a1공정에 있어 설명한 농도로 사용할 수 있다.Next, the case of performing the b process, which is the process of forming the surface smooth film, instead of the a process will be described. Process b can be carried out as follows. First, an aqueous slurry containing the pre-treated core material particles, a dispersant, and a complexing agent is prepared. Then, using the first aqueous solution and the second aqueous solution of (i) described in the a2 step, or using the first through third aqueous solutions of (ii), this aqueous solution is added to the aqueous slurry simultaneously and simultaneously And electroless nickel plating is performed. The pH of the plating solution formed by adding the respective aqueous solutions to the aqueous slurry is preferably adjusted to a range of, for example, 3 to 11. The kind of the dispersant and the complexing agent and the concentration thereof may be those described in the explanation of the a1 process as the concentrations described in the a1 process.

상기 (i)의 제1및 제2의 수용액 및 (ii)의 제1내지 제3의 수용액에 포함되는 니켈염, 환원제 및 알칼리는, a2공정에서 이러한 수용액에 사용한 것과 같은 것을 사용할 수가 있다. 수용액 중의 니켈염의 농도는 10~1000 g/L, 특히 50~500 g/L인 것이 바람직하다. 환원제의 농도는, 환원제로서 인 화합물을 이용하는 경우, 100~1000 g/L, 특히 100~800 g/L인 것이 바람직하다. 알칼리의 농도는 5~500 g/L, 특히 10~200 g/L인 것이 바람직하다. 이와 같이 하여, 목적하는 표면 평활한 바닥 피막을 얻을 수 있다.The nickel salt, reducing agent and alkali contained in the first and second aqueous solutions of (i) and the first to third aqueous solutions of (ii) may be the same as those used for such aqueous solutions in the a2 step. The concentration of the nickel salt in the aqueous solution is preferably 10 to 1000 g / L, particularly preferably 50 to 500 g / L. The concentration of the reducing agent is preferably 100 to 1000 g / L, more preferably 100 to 800 g / L when a phosphorus compound is used as a reducing agent. The concentration of alkali is preferably 5 to 500 g / L, particularly preferably 10 to 200 g / L. In this way, a desired surface smooth film can be obtained.

이상과 같이 하여 바닥 피막이 형성되면, 다음으로 제2 공정을 실시하고, 바닥 피막의 표면에, 돌기부를 가지는 상층 피막을 형성한다. 제2 공정에 대해서는, 제1 공정에서 형성된 바닥 피막 피복 입자와 니켈원, 금속 M원, 환원제 및 히드록시산을 포함한 무전해 도금욕을 혼합한다. 상층 피막에 돌기부를 형성하기 위해서, 무전해 도금욕 중에 히드록시산을 배합하는 점이, 제2 공정의 특징의 하나이다.After the bottom film is formed as described above, the second process is then performed to form an upper layer film having projections on the surface of the bottom film. For the second step, the bottom coat covering particles formed in the first step are mixed with an electroless plating bath containing a nickel source, a metal M source, a reducing agent and a hydroxy acid. One of the characteristics of the second step is that a hydroxy acid is compounded in the electroless plating bath in order to form the projections on the upper coat.

제2 공정으로 사용하는 환원제는, 하이포아인산 또는 그 염 등의 인 화합물인 것이 바람직하고, 특히 하이포아인산 나트륨인 것이 바람직하다. 무전해 도금욕 중의 환원제의 농도는, 0.1~50 g/L인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.5~20 g/L이다.The reducing agent used in the second step is preferably a phosphorus compound such as hypophosphorous acid or a salt thereof, particularly preferably sodium hypophosphite. The concentration of the reducing agent in the electroless plating bath is preferably 0.1 to 50 g / L, more preferably 0.5 to 20 g / L.

제2 공정에서 사용되는 니켈 이온의 니켈원으로서는, 제1 공정에서 사용한 니켈원과 같은 니켈염을 사용할 수가 있다. 무전해 도금욕 중의 니켈염의 농도는, 0.1~100 g/L인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 1~50 g/L이다.As the nickel source of the nickel ion used in the second step, a nickel salt such as the nickel source used in the first step can be used. The concentration of the nickel salt in the electroless plating bath is preferably 0.1 to 100 g / L, more preferably 1 to 50 g / L.

금속 M의 이온의 금속원으로서는, 예를 들면 황산염, 질산염, 나트륨염, 염화물, 수산화물 등이 사용된다. 나트륨염을 사용하는 경우, 그 무전해 도금욕 중에서의 농도는, 0.01~100 g/L인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.1~50 g/L이다. 이 농도는, 상층 피막이 금속 M을 2 종류 이상 함유하는 경우, 2 종류 이상의 금속 M의 합계 농도이다.As the metal source of the metal M ions, for example, sulfate, nitrate, sodium salt, chloride, hydroxide and the like are used. When a sodium salt is used, the concentration in the electroless plating bath is preferably 0.01 to 100 g / L, more preferably 0.1 to 50 g / L. This concentration is the total concentration of two or more kinds of metals M when the upper layer coating contains two or more kinds of metals M.

제2 공정에서 이용되는 무전해 도금욕 중에 배합되는 히드록시산은, 상층 피막에 돌기부 형성하는 목적으로 이용된다. 히드록시산으로는, 예를 들면 모노히드록시 모노카르본산이나, 디히드록시 모노카르본산 등을 이용할 수가 있다. 또한, 히드록시산으로는, 예를 들면 α-히드록시산, β-히드록시산, α,β-히드록시산을 사용할 수가 있다. 특히 히드록시산으로서 α-모노히드록시 모노카르본산인 글리콜산 및 젖산이나, α,β-디히드록시 모노카르본산인 글리세린산을 사용하면, 원하는 형상을 가지는 돌기부를 용이하게 형성할 수 있으므로 바람직하다. 이들 히드록시산은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합해 사용할 수가 있다. 무전해 도금욕 중에서의 히드록시산의 농도는, 0.5~20 g/L인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 1~15 g/L이다.The hydroxy acid compounded in the electroless plating bath used in the second step is used for the purpose of forming protrusions on the upper layer coating. As the hydroxy acid, for example, monohydroxymonocarboxylic acid, dihydroxymonocarboxylic acid and the like can be used. As the hydroxy acid, for example,? -Hydroxy acid,? -Hydroxy acid,?,? -Hydroxy acid can be used. Particularly, when glycolic acid and lactic acid, which is? -Monohydroxymonocarboxylic acid, or glyceric acid,?,? - dihydroxymonocarboxylic acid, are used as the hydroxy acid, protrusions having a desired shape can be easily formed, Do. These hydroxy acids may be used alone or in combination of two or more. The concentration of the hydroxy acid in the electroless plating bath is preferably 0.5 to 20 g / L, more preferably 1 to 15 g / L.

제2 공정에서 이용되는 무전해 도금욕에는, 더 나아가 착화제를 함유시켜 두어도 좋다. 착화제로는, a1공정의 설명에서 언급한 것과 같은 것을 들 수 있다. 착화제의 농도도 a1공정과 마찬가지로 할 수가 있다.The electroless plating bath used in the second step may further contain a complexing agent. Examples of the complexing agent include those mentioned in the description of the a1 process. The concentration of the complexing agent may be the same as in the step a1.

제2 공정에서 이용되는 무전해 도금욕의 pH는, 3~11으로 유지되는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 4~10이다.The pH of the electroless plating bath used in the second step is preferably maintained at 3 to 11, more preferably 4 to 10.

바닥 피막 피복 입자와 무전해 도금욕을 혼합하는 방법에 특별한 제한은 없다. 예를 들면 무전해 도금욕을, 니켈 이온이 환원 가능한 온도에 가열해 두고, 그 상태하에, 바닥 피막 피복 입자를 무전해 도금욕 중에 투입할 수가 있다. 이 조작에 의해, 니켈 이온이 환원하고, 환원에 의해 생긴 니켈이, 바닥 입자의 표면에 돌기부를 가지는 상층 피막을 형성한다.There is no particular limitation on the method of mixing the bottom coat-coated particles and the electroless plating bath. For example, the electroless plating bath can be heated to a temperature at which nickel ions can be reduced, and the bottom coat-coated particles can be charged into the electroless plating bath under this condition. By this operation, the nickel ions are reduced, and the nickel formed by the reduction forms the upper layer coating having the protrusions on the surface of the bottom particles.

이와 같이 하여, 목적하는 도전성 입자를 얻을 수 있다. 이 도전성 입자는, 필요에 따라 더 나아가 최외층 피막을 형성하기 위한 후처리에 덧붙일 수 있다. 후처리로는, 예를 들면 무전해 금도금 공정 혹은 무전해 팔라듐 도금 공정을 들 수 있다. 이 공정에 덧붙임에 따라, 도전성 입자의 표면에 최외층 피막으로서, 금도금층 혹은 팔라듐 도금층이 형성된다. 금도금층의 형성은, 종래 공지의 무전해 도금법에 따라 실시할 수가 있다. 예를 들면, 도전성 입자의 수성현탁체에, 에틸렌 디아민 4 아세트산 4 나트륨, 구연산 2 나트륨 및 시안화금 칼륨을 포함해, 수산화 나트륨으로 pH가 조정된 무전해 도금액을 첨가하는 것으로, 금도금층을 형성할 수가 있다.In this way, desired conductive particles can be obtained. The conductive particles may be added to a post-treatment for further forming an outermost layer coating as necessary. Examples of the post-treatment include an electroless gold plating process or an electroless palladium plating process. By adding to this step, a gold plating layer or a palladium plating layer is formed as an outermost layer coating on the surface of the conductive particles. The gold plating layer can be formed by a conventionally known electroless plating method. For example, an electroless plating solution whose pH is adjusted with sodium hydroxide, including tetraethylenediaminetetraacetate, disodium citrate and potassium cyanide, is added to an aqueous suspension of conductive particles to form a gold plating layer There is a number.

팔라듐 도금층의 형성도, 종래 공지의 무전해 도금법에 따라 실시할 수가 있다. 예를 들면, 도전성 입자의 수성 현탁액에, 염화 팔라듐 등의 수용성 팔라듐 화합물;하이포아인산, 아인산, 포름산, 아세트산, 히드라진, 수소화 붕소, 아민보란 화합물, 또는 이러한 염 등의 환원제;및 착화제 등을 함유하는 상용의 무전해팔라듐 도금액을 더하여, 더 나아가 필요에 따라서 분산제, 안정제, pH 완충제를 더한다. 그리고, 염산이나 황산 등의 산 혹은 수산화 나트륨 등의 염기로 pH를 조정하면서, 환원형 무전해 도금을 실시하고, 팔라듐 도금층을 형성할 수가 있다. 별법으로서, 도전성 입자의 수성 현탁액에, 테트라안민팔라듐 염 등의 팔라듐 이온원, 착화제 및 필요에 따라 분산제를 첨가해, 팔라듐 이온과 니켈 이온과의 치환 반응을 이용해, 치환형 무전해 도금을 실시하고, 팔라듐 도금층을 형성해도 좋다.The palladium plating layer can also be formed by a conventionally known electroless plating method. For example, a water-soluble palladium compound such as palladium chloride, a reducing agent such as hypophosphorous acid, phosphorous acid, formic acid, acetic acid, hydrazine, boron hydride, an amine borane compound or a salt thereof, and a complexing agent are added to an aqueous suspension of the conductive particles A commercially available electroless palladium plating solution is added, and further, a dispersant, a stabilizer, and a pH buffer are added as necessary. The palladium plating layer can be formed by carrying out reduction electroless plating while adjusting the pH with an acid such as hydrochloric acid or sulfuric acid or a base such as sodium hydroxide. Alternatively, a palladium ion source such as tetraaminepalladium salt, a complexing agent and, if necessary, a dispersant are added to an aqueous suspension of the conductive particles to carry out substitutional electroless plating using substitution reaction between palladium ions and nickel ions And a palladium plating layer may be formed.

환원형 무전해 도금 또는 치환형 무전해 도금에서 사용하는 분산제로서는, 상술한 a1공정에서 예시한 분산제와 같은 것을 사용할 수가 있다. 또한, 상용의 무전해 팔라듐 도금액으로서, 예를 들면, 코지마화학약품 주식회사, 일본카니젠 주식회사, 츄오화학 산업 주식회사 등에서 입수 가능한 시판품을 사용하여도 좋다.As the dispersant used in the reduction type electroless plating or the substitutional electroless plating, the same dispersant as the one exemplified in the above a1 step can be used. As a commercially available electroless palladium plating solution, commercially available products such as those available from Kojima Chemical Co., Ltd., Nippon Kanzen Co., Ltd., and Chuo Chemical Industries Co., Ltd. may be used.

다른 후처리로는, 도전성 입자를 볼 밀 등의 미디어밀을 사용한 분쇄 공정에 더할 수도 있다. 이 분쇄 공정에 더함으로써, 도전성 입자로 이루어지는 분체의 질량에 대한 일차 입자가 차지하는 질량을, 용이하게 더 향상시킬 수가 있다.As another post-treatment, the conductive particles may be added to a milling step using a media mill such as a ball mill. By adding the powder to the pulverizing step, the mass occupied by the primary particles with respect to the mass of the powder made of the conductive particles can be easily further improved.

본 발명의 도전성 입자는, 후술하는 바와 같이 도전성 접착제의 도전성 필러로서 사용하는 경우에, 도전성 입자간의 쇼트의 발생을 방지하기 위해, 그 표면을 더 나아가 절연성 수지로 피복 할 수 있다. 절연성 수지의 피복은, 압력 등을 더하지 않는 상태에서는 도전성 입자의 표면이 최대한 노출하지 않도록 하는 한편 도전성 접착제를 사용해 2매의 전극을 접착할 때에 더해지는 열 및 압력에 의해 파괴되고, 도전성 입자의 표면 중 적어도 돌기가 노출하도록 형성된다. 절연 수지의 두께는 0.1~0.5 μm정도로 할 수가 있다. 절연 수지는 도전성 입자의 표면 전체를 덮고 있어도 괜찮고, 도전성 입자의 표면의 일부를 가리고 있는 것만으로도 좋다.When the conductive particle of the present invention is used as an electrically conductive filler of a conductive adhesive agent as described later, the surface of the electrically conductive particle can further be covered with an insulating resin so as to prevent the occurrence of a short between the conductive particles. The coating of the insulating resin prevents the surface of the conductive particles from being exposed to the maximum in the state where the pressure or the like is not added and is destroyed by the heat and pressure added when the two electrodes are bonded using the conductive adhesive, At least the projections are exposed. The thickness of the insulating resin may be about 0.1 to 0.5 mu m. The insulating resin may cover the whole surface of the conductive particles and may be only partially covering the surface of the conductive particles.

절연 수지로서는, 해당 기술 분야에서 공지의 것을 넓게 사용할 수 있다. 그 일례를 나타내면, 페놀 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 아릴 수지, 푸란 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리아미드-이미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리우레탄 수지, 불소 수지, 폴리올레핀 수지(예:폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부틸렌), 폴리 알킬(메타)아크릴레이트 수지, 폴리(메타)아크릴산 수지, 폴리스티렌 수지, 아크릴로니트릴-스틸렌-부타디엔 수지, 비닐 수지, 폴리아미드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리아세탈 수지, 아이오노머 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐 옥시드 수지, 포리술폰 수지, 폴리플루오르화 비닐리덴 수지, 에틸 셀룰로오스 및 아세트산 셀룰로오스를 들 수 있다.As the insulating resin, those widely known in the technical field can be widely used. Examples of such resins include phenol resins, urea resins, melamine resins, aryl resins, furan resins, polyester resins, epoxy resins, silicone resins, polyamide-imide resins, polyimide resins, polyurethane resins, (Meth) acrylate resin, a polystyrene resin, an acrylonitrile-styrene-butadiene resin, a vinyl resin, a polyamide resin, a polycarbonate resin, A resin, a polyacetal resin, an ionomer resin, a polyether sulfone resin, a polyphenyl oxide resin, a polysulfone resin, a polyvinylidene fluoride resin, ethylcellulose, and cellulose acetate.

도전성 입자의 표면에 절연 피복층을 형성하는 방법으로서는, 코어셀베이션법, 계면중합법, in situ 중합법 및 액중 경화 피복법등의 화학적 방법, 스프레이드라잉법, 기중 현탁 피복법, 진공 증착 피복법, 드라이블렌드법, 하이브리디제이션법, 정전적 합체법, 융해 분산 냉각법 및 무기질 캡슐화법 등의 물리 기계적 방법, 계면침전법 등의 물리화학적 방법을 들 수 있다.Examples of the method for forming the insulating coating layer on the surface of the conductive particles include chemical methods such as core sintering method, interfacial polymerization method, in situ polymerization method and liquid curing coating method, spray drying method, suspension coating method, vacuum evaporation coating method, dry Physical and mechanical methods such as blending, hybridization, electrostatic coalescence, fusion-dispersion cooling and inorganic encapsulation, and physicochemical methods such as interfacial precipitation.

이와 같이 해서 얻을 수 있던 본 발명의 도전성 입자는, 예를 들면 이방성 도전 필름(ACF)이나 히트 실 커넥터(HSC), 액정 디스플레이 패널의 전극을 구동용 LSI 칩의 회로 기판에 접속하기 위한 도전재료 등으로 적합하게 사용된다. 특히, 본 발명의 도전성 입자는, 도전성 접착제의 도전성 필러로서 적합하게 사용된다.The conductive particles of the present invention thus obtained can be used as an anisotropic conductive film (ACF), a heat seal connector (HSC), a conductive material for connecting electrodes of a liquid crystal display panel to a circuit board of a driving LSI chip . In particular, the conductive particles of the present invention are suitably used as conductive fillers for conductive adhesives.

앞에서 본 도전성 접착제는, 도전성 기재가 형성된 2매의 기판간에 배치되어 가열 가압에 의해 상기 도전성 기재를 접착해 전도하는 이방도전성 접착제로서 바람직하게 사용된다. 이 이방도전성 접착제는, 본 발명의 도전성 입자와 접착제 수지를 포함한다. 접착제 수지로서는, 절연성인 한편 접착제 수지로서 이용되고 있는 것이면, 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 열가소성 수지 및 열경화성 중 어느 것이어도 좋고, 가열에 의해 접착 성능이 발현하는 것이 바람직하다. 그러한 접착제 수지에는, 예를 들면 열가소성 타입, 열경화성 타입, 자외선 경화 타입 등이 있다. 또한, 열가소성 타입과 열경화성 타입과의 중간적인 성질을 나타내는, 이른바 반열경화성 타입, 열경화성 타입과 자외선 경화 타입과의 복합 타입 등이 있다. 이러한 접착제 수지는 피착 대상인 회로 기판 등의 표면 특성이나 사용 형태에 맞추어 적당히 선택할 수 있다. 특히, 열경화성 수지를 포함하여 구성되는 접착제 수지가, 접착 후의 재료적 강도가 뛰어나는 점에서 바람직하다.The above-mentioned conductive adhesive is preferably used as an anisotropic conductive adhesive which is disposed between two substrates on which an electroconductive substrate is formed and which conducts the electroconductive substrate by heating and pressing. The anisotropic conductive adhesive includes the conductive particles of the present invention and an adhesive resin. The adhesive resin is not particularly limited as long as it is insulating and used as an adhesive resin. Thermoplastic resin, and thermosetting property, and it is preferable that the adhesive property is exhibited by heating. Such adhesive resins include, for example, a thermoplastic type, a thermosetting type, and an ultraviolet curing type. There are also so-called semi-thermosetting type, thermosetting type, and ultraviolet curing type, which exhibit an intermediate property between the thermoplastic type and the thermosetting type. Such an adhesive resin can be appropriately selected in accordance with the surface characteristics of the circuit board or the like to be adhered or the use form thereof. Particularly, an adhesive resin comprising a thermosetting resin is preferable in that it has excellent material strength after bonding.

접착제 수지로서는, 구체적으로는, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 카르복실 변성 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌 이소부틸 아크릴레이트 공중합체, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리비닐 에테르, 폴리비닐 부티랄, 폴리우레탄, SBS 블록 공중합체, 카르복실 변성 SBS 공중합체, SIS 공중합체, SEBS 공중합체, 말레인산 변성 SEBS 공중합체, 폴리 부타디엔 고무, 클로로프렌 고무, 카르복실 변성 클로로프렌 고무, 스틸렌-부타디엔 고무, 이소부틸렌-이소프렌 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 고무(이하, NBR로 나타낸다.), 카르복실 변성 NBR, 아민 변성 NBR, 에폭시 수지, 엑폭시 에스테르 수지, 아크릴 수지, 페놀 수지 또는 실리콘 수지 등에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 조합에 의해 얻을 수 있는 것을 주제로 하여 조제된 것을 들 수 있다. 이들 중, 열가소성 수지로는, 스틸렌-부타디엔 고무나 SEBS 등이 리워크성이 뛰어나므로 바람직하다. 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지가 바람직하다. 이들 중 접착력이 높고, 내열성, 전기 절연성이 뛰어나고, 게다가 용해 점도가 낮고, 저압력에서 접속이 가능하다는 이점으로부터, 에폭시 수지가 가장 바람직하다.Specific examples of the adhesive resin include ethylene-vinyl acetate copolymer, carboxyl-modified ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene isobutyl acrylate copolymer, polyamide, polyimide, polyester, polyvinyl ether, polyvinyl butyral , Polyurethane, SBS block copolymer, carboxyl modified SBS copolymer, SIS copolymer, SEBS copolymer, maleic acid modified SEBS copolymer, polybutadiene rubber, chloroprene rubber, carboxyl modified chloroprene rubber, styrene-butadiene rubber, isobutyl (1) selected from the group consisting of acrylonitrile-butadiene rubber (hereinafter referred to as NBR), carboxyl-modified NBR, amine-modified NBR, epoxy resin, epoxy ester resin, acrylic resin, phenol resin, Or a combination of two or more of them. Of these, styrene-butadiene rubber, SEBS and the like are preferable as the thermoplastic resin since they have excellent reworkability. As the thermosetting resin, an epoxy resin is preferable. Among them, an epoxy resin is most preferable from the viewpoint of high adhesive strength, excellent heat resistance, excellent electrical insulation, low melting viscosity, and connection at low pressure.

상기 에폭시 수지로는, 1 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 가지는 다가 에폭시 수지이면, 일반적으로 이용되고 있는 에폭시 수지가 사용 가능하다. 구체적인 것으로는, 페놀 노볼락, 크레졸 노볼락 등의 노볼락 수지, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AD, 레조르신, 비스 히드록시 디페닐 에테르 등의 다가 페놀류, 에틸렌글리콜, 네오펜틸 글리콜, 글리세린, 트리메티롤프로판, 폴리프로필렌 글리콜 등의 다가 알코올류, 에틸렌 디아민, 트리에틸렌테트라민, 아닐린 등의 폴리 아미노 화합물, 아디핀산, 프탈산, 이소프탈산 등의 다가 카르복시 화합물 등과 에피클로르히드린 또는 2-메틸에피클로르히드린을 반응시켜 얻을 수 있는 그리시딜형의 에폭시 수지가 예시된다. 또한, 디시크로펜타디엔 에폭시드, 부타디엔 다이머 디에폭시드 등의 지방족 및 지환족 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상 혼합해 사용할 수 있다.As the epoxy resin, a commonly used epoxy resin can be used as long as it is a polyvalent epoxy resin having two or more epoxy groups in a molecule. Specific examples thereof include novolac resins such as phenol novolak and cresol novolac; polyhydric phenols such as bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AD, resorcin and bishydroxy diphenyl ether; ethylene glycol, neopentyl glycol, glycerin, Polyhydric alcohols such as methylol propane and polypropylene glycol, polyamino compounds such as ethylenediamine, triethylenetetramine and aniline, polyhydric carboxy compounds such as adipic acid, phthalic acid and isophthalic acid, and epichlorohydrin or 2- There can be exemplified the glycidyl-type epoxy resin obtainable by reacting chlorohydrin. Aliphatic and alicyclic epoxy resins such as dicyclopentadiene epoxide and butadiene dimer diepoxide; and the like. These may be used singly or in combination of two or more.

더 나아가, 상술한 각종의 접착 수지로서는, 불순물 이온(Na나 Cl 등)이나 가수분해성 염소 등이 저감 된 고순도품을 이용하는 것이, 이온마이그레이션의 방지의 관점에서 바람직하다.Furthermore, as the above-mentioned various kinds of adhesive resins, it is preferable to use a high-purity product in which impurity ions (such as Na and Cl) and hydrolyzable chlorine are reduced, from the viewpoint of prevention of ion migration.

이방도전성 접착제에 있어서의 본 발명의 도전성 입자의 사용량은, 접착제 수지 성분 100 질량부에 대해 통상 0.1~30 질량부, 바람직하게는 0.5~25 질량부, 보다 바람직하게는 1~20 질량부이다. 도전성 입자의 사용량이 이 범위내인 것에 의해, 접속 저항이나 용해 점도가 높아지는 것이 억제되어 접속 신뢰성을 향상시키고, 접속의 이방성을 충분히 확보할 수 있다.The amount of the conductive particles of the present invention in the anisotropic conductive adhesive is usually 0.1 to 30 parts by mass, preferably 0.5 to 25 parts by mass, more preferably 1 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the adhesive resin component. When the amount of the conductive particles used is within this range, the connection resistance and the melt viscosity are prevented from increasing, so that the connection reliability is improved and the anisotropy of connection can be sufficiently secured.

상기 이방도전성 접착제에는, 상술한 도전성 입자 및 접착제 수지 이외에, 해당 기술 분야에 있어, 공지의 첨가제를 배합할 수가 있다. 그 배합량도 해당 기술 분야에 있어 공지의 범위내로 할 수가 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들면 점착 부여제, 반응성조제, 에폭시 수지 경화제, 금속 산화물, 광개시제, 증감제, 경화제, 가황제, 열화 방지제, 내열 첨가제, 열전도 향상제, 연화제, 착색제, 각종 커플링제 또는 금속 불활성제 등을 예시할 수 있다.The above-mentioned anisotropic conductive adhesive may be blended with known additives in the technical field besides the above-mentioned conductive particles and adhesive resin. And the amount thereof may be within the range known in the art. Examples of other additives include additives such as a tackifier, a reactive additive, an epoxy resin curing agent, a metal oxide, a photoinitiator, a sensitizer, a curing agent, a vulcanizing agent, a deterioration inhibitor, a heat resistant additive, a thermal conductivity improving agent, a softening agent, And the like can be exemplified.

점착 부여제로서는, 예를 들면 로진, 로진 유도체, 테르펜 수지, 테르펜페놀수지, 석유 수지, 쿠마론-인덴 수지, 스틸렌계 수지, 이소프렌계 수지, 알킬 페놀 수지, 크실렌 수지 등을 들 수 있다. 반응성조제 즉 가교제로서는, 예를 들면 폴리올, 이소시아네이트류, 멜라민 수지, 요소 수지, 우로트로핀류, 아민류, 산무수물, 과산화물 등을 들 수 있다. 에폭시 수지 경화제로서는, 1 분자 중에 2개 이상의 활성 수소를 가지는 것이면 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 구체적인 것으로, 예를 들면 디에틸렌 트리아민, 트리에틸렌테트라민, 메타페닐렌디아민, 디시안디아미드, 폴리아미드아민 등의 폴리아미노 화합물;무수 프탈산, 무수 메틸나딕산, 헥사 히드로 무수 프탈산, 무수 필로멜리트산 등의 유기산 무수물;페놀 노볼락, 크레졸 노볼락 등의 노볼락 수지 등을 들 수 있다. 이것들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상 혼합해 사용할 수 있다. 또한, 필요에 따라서 잠재성 경화제를 사용해도 좋다. 사용할 수 있는 잠재성 경화제로서는, 예를 들면, 이미다졸계, 히드라지드계, 3 플루오르화 붕소-아민 착체, 술포늄염, 아민이미드, 폴리아민의 염, 디시안디아미드 등 및 이들의 변성물을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상의 혼합체로서 사용할 수 있다.Examples of the tackifier include rosin, rosin derivatives, terpene resins, terpene phenol resins, petroleum resins, coumarone-indene resins, styrene resins, isoprene resins, alkylphenol resins and xylene resins. Examples of the reactive preparation, that is, the crosslinking agent include polyols, isocyanates, melamine resins, urea resins, urotropins, amines, acid anhydrides, peroxides and the like. As the epoxy resin curing agent, any one having two or more active hydrogens in one molecule can be used without particular limitation. Specific examples thereof include polyamino compounds such as diethylenetriamine, triethylenetetramine, metaphenylenediamine, dicyandiamide, and polyamidoamine; acid anhydrides such as phthalic anhydride, methylnadic acid anhydride, hexahydrophthalic anhydride, And novolak resins such as phenol novolak and cresol novolak. These may be used singly or in combination of two or more. If necessary, a latent curing agent may be used. Examples of the latent curing agent that can be used include imidazole-based, hydrazide-based, boron trifluoride-amine complexes, sulfonium salts, amine imides, salts of polyamines, dicyandiamides, . These may be used singly or as a mixture of two or more kinds.

상기 이방도전성 접착제는, 상기 기술 분야에 있어 통상 사용되고 있는 제조 장치를 이용하고 제조된다. 예를 들면, 본 발명의 도전성 입자 및 접착제 수지 및 필요에 따라 경화제나 각종 첨가제를 배합하여, 접착제 수지가 열경화성 수지의 경우는 유기용매 중에서 혼합함으로써, 열가소성 수지의 경우는 접착제 수지의 연화점 이상의 온도에서, 구체적으로는 바람직하게는 약 50~130℃ 정도, 더욱 바람직하게는 약 60~110℃ 정도로 용해 혼합함으로써 제조된다. 이와 같이 하여 얻어진 이방도전성 접착제는, 도포해도 괜찮고, 필름상으로 하여 적용하여도 좋다.The anisotropically conductive adhesive is manufactured using a manufacturing apparatus commonly used in the technical field. For example, by mixing the conductive particles and the adhesive resin of the present invention and, if necessary, a curing agent and various additives, and by mixing the adhesive resin in an organic solvent in the case of a thermosetting resin, in the case of a thermoplastic resin, , Specifically about 50 to 130 캜, and more preferably about 60 to 110 캜. The anisotropic conductive adhesive thus obtained may be applied or may be applied in the form of a film.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명의 범위는, 이러한 실시예에 제한되지 않는다. 특별히 언급이 없는 한 「%」및 「부」는 각각 「질량%」및 「질량부」를 의미한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the scope of the present invention is not limited to these embodiments. "%" And "part" refer to "% by mass" and "part by mass", respectively, unless otherwise specified.

[실시예 1][Example 1]

(1) 제1 공정(1) First step

(1-1) 전처리(1-1) Pretreatment

평균 입경 3.0μm의 구상 스틸렌계 수지를 코어 재료 입자로서 사용했다. 그 9 g을, 400 mL의 컨디셔너 수용액(롬·앤드·하스 전자재료제의 「클리너 컨디셔너 231」)에 교반하면서 투입했다. 컨디셔너 수용액의 농도는 40 mL/L였다. 계속해서, 액체의 온도 60℃으로 초음파를 가하면서 30분간 교반하여 코어 재료 입자의 표면 개질 및 분산처리를 실시했다. 수용액을 여과하고, 1회 리펄프 수세한 코어 재료 입자를 200 mL의 슬러리로 하였다. 이 슬러리에 염화제1주석 수용액 200 mL를 투입했다. 이 수용액의 농도는 5×10- 3 mol/L였다. 상온에서 5분 교반해, 주석 이온을 코어 재료 입자의 표면에 흡착시키는 감수성화 처리를 실시했다. 계속하여 수용액을 여과해, 1회 리펄프 수세하였다. 이어서 코어 재료 입자를 400 mL의 슬러리로 하여, 60℃로 유지했다. 초음파를 병용하여 슬러리를 교반하면서, 0.11 mol/L의 염화 팔라듐 수용액 2 mL를 첨가했다. 그대로의 교반 상태를 5분간 유지시키고, 코어 재료 입자의 표면에 팔라듐 이온을 포착하는 활성화 처리를 실시했다.A spherical styrene resin having an average particle diameter of 3.0 mu m was used as the core material particle. 9 g thereof was added to 400 ml of a conditioner aqueous solution ("Cleaner Conditioner 231" made by Rohm and Haas Electronic Materials) while stirring. The concentration of the conditioner aqueous solution was 40 mL / L. Subsequently, the mixture was stirred for 30 minutes while applying ultrasonic waves at a liquid temperature of 60 캜 to carry out surface modification and dispersion treatment of the core material particles. The aqueous solution was filtered, and the core material particles washed once with repulping to make 200 mL of the slurry. 200 mL of an aqueous solution of tin chloride was added to this slurry. The concentration of the aqueous solution is 5 × 10 - was a 3 mol / L. And the mixture was stirred at room temperature for 5 minutes to carry out a sensitization treatment in which tin ions were adsorbed on the surface of the core material particles. Subsequently, the aqueous solution was filtered and rinsed with water once. Subsequently, the core material particles were made into 400 mL of a slurry and maintained at 60 캜. 2 mL of 0.11 mol / L palladium chloride aqueous solution was added while stirring the slurry using ultrasonic waves in combination. The same stirring state was maintained for 5 minutes to carry out an activation treatment for trapping palladium ions on the surface of the core material particles.

(1-2) 돌기부를 가지는 바닥 피막 형성 처리(1-2) Bottom film formation treatment with protrusions

(1-2-1) a1 공정(1-2-1) a1 Process

20 g/L의 주석산 나트륨, 4.5 g/L의 황산 니켈 6 수화물, 5.4 g/L의 하이포아인산 나트륨, 및 5 g/L의 폴리에틸렌 글리콜을 용해한 수용액으로 이루어지는 무전해 니켈-인 도금욕 3 L를 70℃에 온도상승시켜, 이 무전해 도금욕에, 팔라듐을 담지한 코어 재료 입자 9 g를 투입하여, a1공정을 개시했다. 5분간 교반하여 수소의 발포가 정지하는 것을 확인해, a1공정을 완료시켰다.3 L of an electroless nickel-phosphorus plating bath consisting of an aqueous solution of 20 g / L of sodium tartrate, 4.5 g / L of nickel sulfate hexahydrate, 5.4 g / L of sodium hypophosphite and 5 g / L of polyethylene glycol The temperature was raised to 70 占 폚, and 9 g of the core material particles carrying palladium was charged into this electroless plating bath to start the a1 step. The mixture was stirred for 5 minutes to confirm that the foaming of hydrogen stopped, and the a1 step was completed.

(1-2-2) a2 공정(1-2-2) a2 Process

224 g/L의 황산 니켈 수용액(제1의 수용액)과 210 g/L의 하이포아인산 나트륨 및 80 g/L의 수산화 나트륨을 포함한 혼합 수용액(제2의 수용액)을 각각 300 mL 사용해 이것들을 a1공정으로 얻어진 코어 재료 입자의 슬러리에, 정량 펌프에 의해 연속적으로 분별 첨가하고, 무전해 도금 a2공정을 개시했다. 첨가 속도는 모두 2.5 mL/분으로 했다. 액을 전량 첨가한 후, 70℃의 온도를 유지하면서 5분 교반을 계속했다. 이어서 액을 여과해, 여과물을 3회 세정한 후, 100℃의 진공 건조기로 건조하여, 니켈-인 합금으로 이루어지는 바닥 피막이 형성된 바닥 피막 피복 입자를 얻었다. 이 바닥 피막의 막두께를 아래와 같은 방법으로 구한 결과, 100 nm였다.300 mL of a mixed aqueous solution (second aqueous solution) containing 224 g / L of nickel sulfate aqueous solution (first aqueous solution), 210 g / L of sodium hypophosphite and 80 g / L of sodium hydroxide was used, Was added to the slurry of the core material particles obtained in the above-mentioned manner by a metering pump to initiate the electroless plating a2 step. All the addition rates were 2.5 mL / min. And the stirring was continued for 5 minutes while maintaining the temperature at 70 캜. Subsequently, the solution was filtered, and the filtrate was washed three times, and then dried with a vacuum dryer at 100 ° C to obtain a bottom coat coated particle having a bottom coat made of a nickel-phosphorus alloy. The film thickness of the bottom film was measured by the following method, and it was found to be 100 nm.

[바닥 피막의 두께의 측정 방법][Measurement method of thickness of bottom film]

상층 피막 피복전의 바닥 피막 피복 입자를 왕수에 침지해 바닥 피막을 용해해, 바닥 피막 성분을 ICP 또는 화학분석 하고, 이하의 식 3, 4로부터 바닥 피막의 두께(μm)를 산출했다. 이 방법으로 얻어진 값은 계산값이며, 바닥 피막에 돌기부가 형성된 경우에는, 가상적으로 상기 돌기부를 평평하게 한 경우의 두께를 의미한다.The bottom coat-coated particles before top coat coating was immersed in aqua regia to dissolve the bottom coat, and the bottom coat component was subjected to ICP or chemical analysis, and the thickness (μm) of the bottom coat was calculated from the following formulas 3 and 4. The value obtained by this method is a calculated value, and when the protrusion is formed on the bottom coating, it means the thickness when the protrusion is virtually flattened.

[식 3] J=[(r+t)3―r3]d1/r32 J = [(r + t) 3 - r 3 ] d 1 / r 3 d 2

[식 4] J=W/(100-W)J = W / (100-W)

식 중, r은 코어 재료 입자의 반경(μm), t는 바닥 피막의 두께(μm), d1은 바닥 피막의 밀도(g/μm3), d2는 코어 재료 입자의 밀도(g/μm3), W는 바닥 피막 피복 입자에 있어서의 니켈 및 인의 함유율의 합계(질량%), J는 코어 재료 입자에 대한 바닥 피막의 질량비이다.Wherein, r is the radius of the core material particles (μm), t is (μm) The thickness of the bottom film, d 1 is the density of the bottom film (g / μm 3), d 2 is the density (g / μm of the core material particles 3 ), W is the total content (% by mass) of the content of nickel and phosphorus in the bottom coat covering particles, and J is the mass ratio of the bottom coating to the core material particles.

(2) 제2 공정(돌기부를 가지는 상층 피막 형성 처리)(2) Second Step (Upper Layer Film Forming Process Having Projections)

20 g/L의 구연산 나트륨, 2.5 g/L의 황산 니켈, 0.5 g/L의 텅스텐산나트륨, 5.0 g/L의 글리콜산, 및 2.7 g/L의 하이포아인산 나트륨으로 이루어지는 무전해 니켈-텅스텐-인 도금욕을 조제했다. 이 도금욕 1 L를 80℃로 가열한 후 pH를 9로 조정하고, 이것을 교반하면서 제1 공정으로 얻은 바닥 피막 피복 입자를 6 g 투입해 무전해 도금을 실시했다. 도금 시간은 30분으로 했다. 이에 의해 바닥 피막의 표면에 무전해 도금 처리를 실시했다. 처리 완료 후, 액체를 분리하여, 3회 세정 후, 110℃로 진공 건조시켜, 니켈-인 합금 피막으로 이루어지는 바닥 피막상에 니켈-텅스텐-인 합금으로 이루어지는 상층 피막을 피복 한 도전성 입자를 얻었다. 상층 피막의 막두께를 아래와 같은 방법으로 측정한 결과, 25 nm였다.An electroless nickel-tungsten-zinc alloy consisting of 20 g / L of sodium citrate, 2.5 g / L of nickel sulfate, 0.5 g / L of sodium tungstate, 5.0 g / L of glycolic acid and 2.7 g / L of sodium hypophosphite, Was prepared. 1 L of this plating bath was heated to 80 캜 and adjusted to pH 9, and 6 g of the bottom coat covering particles obtained in the first step was charged with stirring to perform electroless plating. The plating time was 30 minutes. Thus, the surface of the bottom coating was subjected to electroless plating treatment. After the completion of the treatment, the liquid was separated, washed three times, and then vacuum-dried at 110 캜 to obtain conductive particles coated with a nickel-tungsten-phosphorus alloy film on the bottom film made of nickel-phosphorus alloy film. The film thickness of the upper layer coating film was measured by the following method and found to be 25 nm.

[상층 피막의 두께의 측정 방법][Method of Measuring Thickness of Upper Layer Film]

도전성 입자를 왕수에 침지하여 전피막을 용해해, 전피막 성분을 ICP 또는 화학분석 하고, 이하의 식 5, 6으로부터 전피막의 두께(μm)를 산출했다.The conductive particles were immersed in aqua regia to dissolve the entire coating, and ICP or chemical analysis of the total coating component was carried out, and the thickness (μm) of the entire coating was calculated from the following formulas 5 and 6.

[식 5] J’=[(r+t’)3―r3]d1/r32 J '= [(r + t') 3 - r 3 ] d 1 / r 3 d 2

[식 6] J’=W’/(100-W’)J '= W' / (100-W ') <

식 중, r는 코어 재료 입자의 반경(μm), t'는 전피막의 두께(μm), d1은 전피막의 밀도(g/μm3)、d2는 코어 재료 입자의 밀도(g/μm3)、W’는 도전성 입자에 있어서의 니켈, 텅스텐, 몰리브덴 및 인의 함유율의 합계(질량%), J'는 코어 재료 입자에 대한 전피막의 질량비이다.Wherein, r is the core material a radius (μm), t 'is the density of the entire film thickness (μm), d 1 is around the film density (g / μm 3), d 2 is the core material particles of the particles (g / 3 μm), W 'is the sum (% by weight of nickel, tungsten, molybdenum and phosphorus content of the conductive particles), J' is a mass ratio of the former coating on the core material particles.

상층 피막의 두께 T(μm)는, 전피막의 두께 t'(μm)와 바닥 피막의 두께 t(μm)를 사용해 이하의 식(7)에 의해 산출했다. 이 방법으로 얻은 값은 계산값이며, 상층 피막에 돌기부가 형성되어 있는 경우에는, 가상적으로 해당 돌기부를 평평하게 고르게 한 경우의 두께를 의미한다.The thickness T (μm) of the upper coating film was calculated by the following formula (7) using the thickness t '(μm) of the total coating and the thickness t (μm) of the bottom coating. The value obtained by this method is a calculated value, and in the case where a protrusion is formed on the upper layer coating, it means the thickness when the protrusion is virtually evenly formed.

[식 7] T = t'―t[Equation 7] T = t'-t

[실시예 2 내지 14][Examples 2 to 14]

이하의 표 1에 나타내는 조건을 채용하는 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자는, 실시예 1의 도전성 입자와 마찬가지로, 바닥 피막 및 상층 피막의 쌍방에 돌기부를 가지는 것이었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1, except that the conditions shown in the following Table 1 were used. The conductive particles thus obtained had projections on both the bottom coating and the upper coating, as in the case of the conductive particles of Example 1.

[표 1][Table 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

[실시예 15][Example 15]

(1) 제1 공정(1) First step

(1-1) 전처리(1-1) Pretreatment

실시예 1과 마찬가지로 실시했다.Was carried out in the same manner as in Example 1.

(1-2) 거의 균일한 두께를 가지는 바닥 피막 형성 처리(1-2) Bottom film formation treatment having almost uniform thickness

224 g/L의 황산 니켈 수용액(제1 수용액)과 210 g/L의 하이포아인산 나트륨 및 80 g/L의 수산화 나트륨을 포함하는 혼합 수용액(제2 수용액)을 각각 300 mL 사용했다. 이들을, 전처리한 코어 재료 입자의 슬러리에, 정량 펌프에 의해 연속적으로 분별 첨가하고, 무전해 도금 공정을 개시했다. 첨가 속도는 모두 2.5 mL/분으로 했다. 액을 전량 첨가한 후, 70℃의 온도를 유지하면서 5분 교반을 계속했다. 이어서 액을 여과하고, 여과물을 3회 세정한 후, 100℃의 진공 건조기로 건조해, 니켈-인 합금으로 이루어지는 바닥 피막이 형성된 바닥 피막 피복 입자를 얻었다. 이 바닥 피막의 막두께를 상술한 방법으로 구한 결과, 100 nm였다.300 mL each of a mixed aqueous solution (second aqueous solution) containing 224 g / L nickel sulfate aqueous solution (first aqueous solution), 210 g / L sodium hypophosphite and 80 g / L sodium hydroxide was used. These were added to the slurry of the pretreated core material particles continuously by fractionation pump to start the electroless plating step. All the addition rates were 2.5 mL / min. And the stirring was continued for 5 minutes while maintaining the temperature at 70 캜. Subsequently, the solution was filtered, the filtrate was washed three times, and then dried with a vacuum dryer at 100 ° C to obtain a bottom coat-coated particle having a bottom coat made of a nickel-phosphorus alloy. The film thickness of the bottom coating film was found to be 100 nm by the above-mentioned method.

(2) 제2 공정(돌기부를 가지는 상층 피막 형성 처리)(2) Second Step (Upper Layer Film Forming Process Having Projections)

실시예 1과 마찬가지로 실시하였다. 형성된 상층 피막의 막두께를 상술한 방법으로 측정한 결과 25 nm였다.Was carried out in the same manner as in Example 1. The film thickness of the formed upper coating film was measured by the above-mentioned method and found to be 25 nm.

[실시예 16 내지 24][Examples 16 to 24]

이하의 표 2에서 나타내는 조건을 채용하는 이외는, 실시예 15와 마찬가지로 하여 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자는, 실시예 15의 도전성 입자와 마찬가지로, 거의 균일한 두께를 가지는 평탄한 바닥 피막 및 돌기부를 가지는 상층 피막을 구비하는 것이었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 15, except that the conditions shown in the following Table 2 were used. The obtained conductive particles had a flat bottom coating having a substantially uniform thickness and an upper coating having a projection as in the case of the conductive particles of Example 15.

[비교예 1 내지 6][Comparative Examples 1 to 6]

이하의 표 2에 나타내는 조건을 이용하는 이외는, 실시예 15와 마찬가지로 하여 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자는, 거의 균일한 두께를 가지는 평탄한 바닥 피막 및 거의 균일한 두께를 가지는 평탄한 상층 피막을 구비하는 것이었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 15 except that the conditions shown in the following Table 2 were used. The obtained conductive particles had a flat bottom coating having a substantially uniform thickness and a flat upper coating having a substantially uniform thickness.

[표 2][Table 2]

Figure pat00002
Figure pat00002

[평가][evaluation]

실시예 및 비교예에서 얻은 도전성 입자에 대해, 그 바닥 피막의 인 함유량, 상층 피막의 인 함유량, 상층 피막의 텅스텐 함유량, 상층 피막의 몰리브덴 함유량, 바닥 피막 및 상층 피막 각각의 결정 구조의 유무, 및 실온하 및 고온고습하에서의 도전성을 각각 측정·평가했다. 측정·평가는 이하의 방법에 의해 실시했다. 그러한 결과를 이하의 표 3에 나타낸다. The phosphorus content of the bottom coating film, the phosphorus content of the upper coating film, the tungsten content of the upper coating film, the molybdenum content of the upper coating film, the presence or absence of the crystal structure of each of the bottom coating film and the upper coating film, And the conductivity at room temperature and under high temperature and high humidity were respectively measured and evaluated. Measurement and evaluation were carried out by the following methods. The results are shown in Table 3 below.

[바닥 피막의 인 함유량][Phosphorus content of bottom coating]

상층 피막 피복전의 바닥 피막 피복 입자를 왕수에 침지해 바닥 피막을 용해하고, 피막 성분을 ICP 또는 화학분석 하여, 인 함유량(%)을 구하였다.The bottom coat-coated particles before top coat coating was immersed in aqua regia to dissolve the bottom coat, and the content of the film component was determined by ICP or chemical analysis to determine the phosphorus content (%).

[상층 피막의 인 함유량, 텅스텐 함유량, 몰리브덴 함유량][Phosphorus content, tungsten content, molybdenum content in the upper layer film]

상층 피복 처리를 실시한 후에 왕수에 담지하여 전피막을 용해해, 전피막 성분을 ICP 또는 화학분석 해, 니켈 함유량 A(%), 인 함유량 B(%), 텅스텐 함유량 C(%) 및 몰리브덴 함유량 D(%)를 산출했다. 더 나아가 바닥 피복 처리를 실시하였을 때의 ICP 분석으로부터 니켈 함유량 A'(%) 및 인 함유량 B'(%)를 산출했다. 이것들을 사용해 이하의 식 8에 의해 상층 피막중의 인 함유율 E(%)를 산출하고, 이하의 식 9에 의해 텅스텐 함유율 F(질량%)를 산출하고, 이하의 식 10에 의해 몰리브덴 함유율 G(질량%)를 산출했다.The coating film was subjected to ICP or chemical analysis to obtain a nickel content A (%), a phosphorus content B (%), a tungsten content C (%) and a molybdenum content D (%) Was calculated. Further, the nickel content A '(%) and the phosphorus content B' (%) were calculated from the ICP analysis when the bottom coating treatment was carried out. Using these, the phosphorus content E (%) in the upper coating film is calculated by the following Expression 8, and the tungsten content F (mass%) is calculated by the following Expression 9 and the molybdenum content G Mass%) was calculated.

[식 8] E = (B-B')/(A-A'+B-B'+C+D)×100E = (B-B ') / (A-A' + B-B '+ C + D) 100

[식 9] F = C/( A-A'+B-B'+C +D)×100F = C / (A-A '+ B-B' + C + D) x 100

[식 10] G = D/( A-A'+B-B'+C +D)×100G = D / (A-A '+ B-B' + C + D) 100

[바닥 피막 및 상층 피막의 결정 구조][Crystal structure of bottom coating and upper coating]

바닥 피막의 결정 구조는, 상층 피막 피복전의 바닥 피막 피복 입자에 대하여 X선회절 측정을 실시하여 구했다. X선회절 측정은, Rigaku사제 「X-ray diffraction UltimaIV」를 사용하고, 측정 조건은 관전압:40 kV, 관전류:40 mA, X선:CuKα(파장λ=1. 541Å)로 했다. X선회절 측정에 의해 니켈-인 합금의 회절 피크가 확인되었을 때, 결정 구조있음으로 판단했다. 또, 상층 피막의 결정 구조는, 피막을 FIB등으로 박편화 후, 상층 피막 최표층에서 수 nm 정도의 깊이의 피막을, 바닥 피막의 X선회절 측정과 같은 측정 기기 및 측정 조건을 사용해 X선회절 측정하고, 니켈이나 니켈 합금의 회절 피크가 확인되었을 때에 결정 구조있음으로 판단했다.The crystal structure of the bottom coating was obtained by performing X-ray diffraction measurement on the bottom coating-coated particles before covering the upper coating. X-ray diffraction measurement was carried out under the conditions of a tube voltage of 40 kV, a tube current of 40 mA and an X-ray: CuK? (Wavelength? = 1. 541 ANGSTROM) using X-ray diffraction UltimaIV manufactured by Rigaku. When the diffraction peak of the nickel-phosphorus alloy was confirmed by X-ray diffraction measurement, it was judged that a crystal structure was present. The crystal structure of the upper layer coating is obtained by thinning the coating with FIB or the like and then coating a film having a depth of several nm at the uppermost layer of the upper layer coating film using a measuring instrument such as X- When the diffraction peaks of the nickel or nickel alloy were confirmed, it was judged that there was a crystal structure.

[실온하 및 고온 고습하에서의 도전성의 평가][Evaluation of conductivity under room temperature and high temperature and high humidity]

에폭시 수지 100부, 경화제 150부, 톨루엔 70부를 혼합해, 절연성 접착제를 제조했다. 이 절연성 접착제에 도전성 입자 15부를 배합하여 페이스트를 얻었다. 바 코터를 사용해 이 페이스트를 실리콘 처리 폴리에스테르 필름상에 도포하여 건조시켰다. 얻어진 도공 필름을 사용하여 전면을 알루미늄으로 증착한 유리와 20μm 피치에 동패턴을 형성한 폴리이미드 필름 기판과의 사이의 전기 접속을 실시했다. 그리고 양자 사이의 전도 저항값을 측정함으로써, 도전성 입자의 도전성을 평가했다. 전도 저항은 실온하(25℃·50%RH) 및 고온고습하(85℃·85%RH, 500시간 보존 후)에서 측정했다.100 parts of an epoxy resin, 150 parts of a curing agent and 70 parts of toluene were mixed to prepare an insulating adhesive. 15 parts of conductive particles were blended with the insulating adhesive to obtain a paste. This paste was applied on a silicone-treated polyester film using a bar coater and dried. Using the obtained coated film, electrical connection was made between the glass having the entire surface thereof deposited with aluminum and the polyimide film substrate having a copper pattern having a pitch of 20 mu m. The conductivity of the conductive particles was evaluated by measuring the conduction resistance between them. The conduction resistance was measured at room temperature (25 캜, 50% RH) and at high temperature and high humidity (85 캜, 85% RH, after 500 hours of storage).

[표 3][Table 3]

Figure pat00003
Figure pat00003

표 3에 나타내는 결과로부터 분명해지는 바와 같이, 각 실시예에서 얻은 도전성 입자(본 발명품)는, 비교예에서 얻은 도전성 입자에 비해 저항값이 낮고, 도전성이 높은 것을 알 수 있다. 또한, 각 실시예에서 얻은 도전성 입자는, 비교예에서 얻은 도전성 입자에 비해, 고온고습하에서 보존한 후의 저항값의 상승의 정도가 작은 것을 알 수 있다. 특히, 실시예 1 내지 14와 실시예 15 내지 24의 대비로부터 분명해지는 바와 같이, 바닥 피막 및 상층 피막의 쌍방으로 돌기부가 형성되어 있는 실시예 1 내지 14의 도전성 입자는, 상층 피막에만 돌기부가 형성되어 있는 실시예 15 내지 24의 도전성 입자에 비해 저항값이 한층 더 낮고, 도전성이 한층 더 높은 것을 알 수 있다. As is clear from the results shown in Table 3, it can be seen that the conductive particles (the present invention) obtained in each example had a lower resistance value and higher conductivity than the conductive particles obtained in the comparative examples. It can also be seen that the conductive particles obtained in each of the Examples had a smaller increase in resistance value after storage under high temperature and high humidity than the conductive particles obtained in Comparative Example. Particularly, as apparent from the comparison between Examples 1 to 14 and Examples 15 to 24, the conductive particles of Examples 1 to 14 in which protrusions were formed in both the bottom coating and the upper coating were formed only in the upper layer coating It is understood that the resistance value is further lower and the conductivity is further higher than that of the conductive particles of Examples 15 to 24,

Claims (9)

코어 재료 입자의 표면에 도전성 피막이 형성되는 도전성 입자에 있어서,
상기 도전성 피막이 상기 코어 재료 입자의 표면에 접하는 바닥 피막과 상기 바닥 피막의 표면에 접하는 상층 피막을 가지고,
상기 바닥 피막은 니켈 및 인을 포함하고,
상기 바닥 피막은 요철 형상이 없는 평활한 피막이고,
상기 상층 피막은 결정 구조를 가지고, 니켈, 인 및 1 종류 이상의 금속 M(다만 니켈을 제외한다.)을 포함하며,
상기 상층 피막은, 평탄부와, 상기 평탄부로부터 돌출하고 또한 상기 평탄부로부터의 연속체가 되어 있는 복수의 돌기부를 가지며, 상기 평탄부와 상기 돌기부가 동일한 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 도전성 입자.
In the conductive particle in which the conductive film is formed on the surface of the core material particles,
Wherein the conductive coating has a bottom coating contacting the surface of the core material particles and an upper coating contacting the surface of the bottom coating,
Wherein the bottom coating comprises nickel and phosphorus,
Wherein the bottom film is a smooth film having no concavo-convex shape,
Wherein the upper layer coating has a crystal structure and includes nickel, phosphorus, and at least one kind of metal M (except nickel)
Wherein the upper coating film has a flat portion and a plurality of protrusions projecting from the flat portion and continuing from the flat portion, wherein the flat portion and the protrusions are made of the same material, .
청구항 1에 있어서,
상기 바닥 피막은, 결정 구조를 가지고, 또한 인의 함유량이 1 질량% 이상 10 질량% 미만인, 도전성 입자.
The method according to claim 1,
Wherein the bottom film has a crystal structure and the content of phosphorus is 1% by mass or more and less than 10% by mass.
청구항 1에 있어서,
상기 바닥 피막은, 비결정 구조를 가지고, 또한 인의 함유량이 10~18 질량%인, 도전성 입자.
The method according to claim 1,
Wherein the bottom film has an amorphous structure and a phosphorus content of 10 to 18 mass%.
청구항 1 내지 3 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 도전성 피막이, 상기 상층 피막의 표면에 접하고, 귀금속으로 이루어지는 최외층 피막을 더 가지는, 도전성 입자.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the conductive coating further has an outermost layer coating that is in contact with the surface of the upper coating layer and is made of a noble metal.
청구항 1 내지 3 중 어느 하나의 항에 있어서,
금속 M은 모스 경도가 4 이상인, 도전성 입자.
The method according to any one of claims 1 to 3,
And the metal M has a Mohs hardness of 4 or more.
청구항 5에 있어서,
금속 M은 텅스텐, 팔라듐, 백금 및 몰리브덴으로부터 선택되는 1 종류 이상인, 도전성 입자.
The method of claim 5,
And the metal M is one or more kinds selected from tungsten, palladium, platinum and molybdenum.
청구항 1 내지 3 중 어느 하나의 항에 기재된 도전성 입자와 절연성 수지를 포함하는, 도전성 재료.A conductive material comprising the conductive particles according to any one of claims 1 to 3 and an insulating resin. 청구항 1에 기재된 도전성 입자의 제조 방법으로,
니켈원 및 인 화합물로 이루어지는 환원제를 포함하는 무전해 도금욕을 사용하고, 무전해 도금에 의해 코어 재료 입자의 표면에 니켈 및 인을 포함하는 요철 형상이 없는 평활한 바닥 피막을 형성하며,
니켈원, 금속 M(다만 니켈을 제외하다.)원, 인 화합물로 이루어지는 환원제 및 히드록시산을 포함하는 무전해 도금욕을 사용하여, 무전해 도금에 의해 상기 바닥 피막의 표면에 니켈, 인 및 금속 M(다만 니켈을 제외하다.)을 포함하고, 또한 평탄부와, 상기 평탄부로부터 돌출하고 또한 상기 평탄부로부터 연속체가 되어 있는 복수의 돌기부를 가지고, 상기 평탄부와 상기 돌기부가 동일한 재료로 구성되어 있는 상층 피막을 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 도전성 입자의 제조 방법.
In the method for producing conductive particles according to claim 1,
An electroless plating bath containing a reducing agent comprising a nickel source and a phosphorus compound is used to form a smooth bottom coating free of irregularities including nickel and phosphorus on the surface of the core material particles by electroless plating,
Nickel, phosphorus, and phosphorus were deposited on the surface of the bottom film by electroless plating using an electroless plating bath containing a nickel source, a metal M (except nickel) source and a phosphorus compound, and a hydroxy acid, And a plurality of protrusions protruding from the flat portion and continuing from the flat portion, wherein the flat portion and the protrusion are made of the same material And a step of forming an upper coat film constituting the conductive particles.
청구항 8에 있어서,
상기 히드록시산이, 글리콜산, 젖산 또는 글리세린산인, 도전성 입자의 제조 방법.
The method of claim 8,
Wherein the hydroxy acid is glycolic acid, lactic acid or glyceric acid.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200114270A (en) 2019-03-28 2020-10-07 장수경 bee hive box
KR20210076809A (en) 2019-12-16 2021-06-24 정진우 bee hive box
KR20230021294A (en) 2021-08-05 2023-02-14 정진우 beehive lid

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6423687B2 (en) * 2013-11-01 2018-11-14 積水化学工業株式会社 Conductive particles, conductive materials, and connection structures
JP6646366B2 (en) * 2014-06-24 2020-02-14 積水化学工業株式会社 Conductive particles, conductive material and connection structure
JP6567921B2 (en) * 2014-08-29 2019-08-28 Dowaエレクトロニクス株式会社 Silver-coated copper powder and method for producing the same
JP6443732B2 (en) 2014-10-24 2018-12-26 日立金属株式会社 Conductive particles, conductive powder, conductive polymer composition and anisotropic conductive sheet
WO2016080407A1 (en) * 2014-11-17 2016-05-26 積水化学工業株式会社 Conductive particle, conductive material, and connection structure
JP6660171B2 (en) * 2014-12-18 2020-03-11 積水化学工業株式会社 Conductive particles, method for producing conductive particles, conductive material and connection structure
TWI666660B (en) * 2018-03-16 2019-07-21 新力應用材料有限公司 Conductive terminal material, resistor and method of manufacturing the same
FR3119172A1 (en) * 2021-01-28 2022-07-29 Swissto12 Sa Stable composition for catalytic silver deposition
CN114307883B (en) * 2021-12-29 2023-01-31 苏州纳微科技股份有限公司 Preparation method of nickel-plated microspheres suitable for anisotropic conduction

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004197160A (en) 2002-12-18 2004-07-15 Nippon Chem Ind Co Ltd Conductive electroless-plated powder and manufacturing method therefor
JP2007173075A (en) 2005-12-22 2007-07-05 Sekisui Chem Co Ltd Conductive particulate and anisotropic conductive material

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3696429B2 (en) * 1999-02-22 2005-09-21 日本化学工業株式会社 Conductive electroless plating powder, method for producing the same, and conductive material comprising the plating powder
JP4387175B2 (en) * 2003-07-07 2009-12-16 積水化学工業株式会社 Coated conductive particles, anisotropic conductive material, and conductive connection structure
US20080124552A1 (en) * 2004-05-24 2008-05-29 Nisshinbo Industries, Inc. Particle With Rough Surface For Plating Or Vapor Deposition
JP4737177B2 (en) * 2006-10-31 2011-07-27 日立化成工業株式会社 Circuit connection structure
JP5430093B2 (en) * 2008-07-24 2014-02-26 デクセリアルズ株式会社 Conductive particles, anisotropic conductive film, joined body, and connection method
JP4746116B2 (en) * 2008-10-14 2011-08-10 日本化学工業株式会社 Conductive powder, conductive material containing the same, and method for producing conductive particles
JP5358328B2 (en) * 2009-07-16 2013-12-04 デクセリアルズ株式会社 Conductive particles, anisotropic conductive film, joined body, and connection method
JP5512306B2 (en) * 2010-01-29 2014-06-04 日本化学工業株式会社 Method for producing conductive particles

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004197160A (en) 2002-12-18 2004-07-15 Nippon Chem Ind Co Ltd Conductive electroless-plated powder and manufacturing method therefor
JP2007173075A (en) 2005-12-22 2007-07-05 Sekisui Chem Co Ltd Conductive particulate and anisotropic conductive material

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
없음

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200114270A (en) 2019-03-28 2020-10-07 장수경 bee hive box
KR20210076809A (en) 2019-12-16 2021-06-24 정진우 bee hive box
KR20230021294A (en) 2021-08-05 2023-02-14 정진우 beehive lid

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JP2014013660A (en) 2014-01-23

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