KR20170007365A - Near-infrared-absorbent composition, near-infrared cut filter, method for manufacturing near-infrared cut filter, solid-state imaging element, and camera module - Google Patents
Near-infrared-absorbent composition, near-infrared cut filter, method for manufacturing near-infrared cut filter, solid-state imaging element, and camera module Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170007365A KR20170007365A KR1020167034410A KR20167034410A KR20170007365A KR 20170007365 A KR20170007365 A KR 20170007365A KR 1020167034410 A KR1020167034410 A KR 1020167034410A KR 20167034410 A KR20167034410 A KR 20167034410A KR 20170007365 A KR20170007365 A KR 20170007365A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- near infrared
- atom
- compound
- copper
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 111
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 33
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 title abstract description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 166
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 97
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims abstract description 96
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 88
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 86
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 84
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract description 31
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract description 17
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- -1 oxygen anion Chemical class 0.000 claims description 63
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 55
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 42
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 26
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 21
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 4
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 abstract description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 65
- 239000010408 film Substances 0.000 description 47
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 45
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 42
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 42
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 39
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 37
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 150000004699 copper complex Chemical class 0.000 description 33
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 32
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 26
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 25
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 24
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 23
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 21
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 19
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 18
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 16
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 16
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 15
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 15
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 15
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 14
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 13
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 12
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 10
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 9
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 9
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 8
- CABMTIJINOIHOD-UHFFFAOYSA-N 2-[4-methyl-5-oxo-4-(propan-2-yl)-4,5-dihydro-1H-imidazol-2-yl]quinoline-3-carboxylic acid Chemical compound N1C(=O)C(C(C)C)(C)N=C1C1=NC2=CC=CC=C2C=C1C(O)=O CABMTIJINOIHOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- WJJMNDUMQPNECX-UHFFFAOYSA-N Dipicolinic acid Natural products OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=N1 WJJMNDUMQPNECX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 7
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 7
- 125000003566 oxetanyl group Chemical group 0.000 description 7
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 7
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 6
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 6
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 description 5
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical group 0.000 description 5
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 229940052810 complex b Drugs 0.000 description 4
- BSXVKCJAIJZTAV-UHFFFAOYSA-L copper;methanesulfonate Chemical compound [Cu+2].CS([O-])(=O)=O.CS([O-])(=O)=O BSXVKCJAIJZTAV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000004148 curcumin Substances 0.000 description 4
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 4
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JJLJMEJHUUYSSY-UHFFFAOYSA-L Copper hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Cu+2] JJLJMEJHUUYSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000005750 Copper hydroxide Substances 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910001956 copper hydroxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005553 heteroaryloxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005368 heteroarylthio group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N Dimethyl phthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OC NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YZBOVSFWWNVKRJ-UHFFFAOYSA-N Monobutylphthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O YZBOVSFWWNVKRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007877 V-601 Substances 0.000 description 2
- LXEKPEMOWBOYRF-UHFFFAOYSA-N [2-[(1-azaniumyl-1-imino-2-methylpropan-2-yl)diazenyl]-2-methylpropanimidoyl]azanium;dichloride Chemical compound Cl.Cl.NC(=N)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(N)=N LXEKPEMOWBOYRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 125000004450 alkenylene group Chemical group 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007869 azo polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 2
- YEOCHZFPBYUXMC-UHFFFAOYSA-L copper benzoate Chemical compound [Cu+2].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 YEOCHZFPBYUXMC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- LTGBYAPCOUAFDM-UHFFFAOYSA-M copper(1+);phenoxide Chemical compound [Cu+].[O-]C1=CC=CC=C1 LTGBYAPCOUAFDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- SEKCXMNFUDONGJ-UHFFFAOYSA-L copper;2-ethylhexanoate Chemical compound [Cu+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O SEKCXMNFUDONGJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N pentyl acetate Chemical compound CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 239000007883 water-soluble azo polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-trimethylphenanthrene Chemical compound CC1=CC=C2C3=CC(C)=CC=C3C=CC2=C1C MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran Chemical group C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHENQXAPVKABON-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-1-ol Chemical compound CCC(O)OC LHENQXAPVKABON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-dinitroanilino)-4-methylpentanoic acid Chemical compound CC(C)CC(C(O)=O)NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXGVMFHEKMGWMA-UHFFFAOYSA-N 2-benzofuran Chemical group C1=CC=CC2=COC=C21 UXGVMFHEKMGWMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-yl)-2-phenylethanone Chemical class OC(C(=O)c1cccc2Oc12)c1ccccc1 NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)-2-morpholin-4-ylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(=O)C(C)(C)N1CCOCC1 LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylhex-1-yn-3-ol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#C NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTOQFOCYBTVOJZ-UHFFFAOYSA-N 3-bromopentane Chemical compound CCC(Br)CC VTOQFOCYBTVOJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNYWFRSQRHGKJT-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-3-[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxymethyl]oxetane Chemical compound C1OCC1(CC)COCC1(CC)COC1 FNYWFRSQRHGKJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDCLDNALSPBWPQ-UHFFFAOYSA-N 3-oxohexanoic acid Chemical compound CCCC(=O)CC(O)=O BDCLDNALSPBWPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDGNNLQZAPXALR-UHFFFAOYSA-N 3-sulfophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1C(O)=O SDGNNLQZAPXALR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFDVPJUYSDEJTH-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=NC=C1 KFDVPJUYSDEJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXSRRBVHLUJJFC-UHFFFAOYSA-N 7-amino-2-methylsulfanyl-[1,2,4]triazolo[1,5-a]pyrimidine-6-carbonitrile Chemical compound N1=CC(C#N)=C(N)N2N=C(SC)N=C21 JXSRRBVHLUJJFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Natural products CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerol Natural products OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007875 V-40 Substances 0.000 description 1
- AVTLBBWTUPQRAY-BUHFOSPRSA-N V-59 Substances CCC(C)(C#N)\N=N\C(C)(CC)C#N AVTLBBWTUPQRAY-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- WYGWHHGCAGTUCH-ISLYRVAYSA-N V-65 Substances CC(C)CC(C)(C#N)\N=N\C(C)(C#N)CC(C)C WYGWHHGCAGTUCH-ISLYRVAYSA-N 0.000 description 1
- 239000007874 V-70 Substances 0.000 description 1
- 239000007879 VA-044 Substances 0.000 description 1
- 239000007880 VA-057 Substances 0.000 description 1
- 239000007881 VA-086 Substances 0.000 description 1
- KNSXNCFKSZZHEA-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical class C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C KNSXNCFKSZZHEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIVQCJOGAHNXBO-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] propanoate Chemical compound CCC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HIVQCJOGAHNXBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRJHFUHAKCSNRY-UHFFFAOYSA-L [Cu+2].[O-]P([O-])=O Chemical compound [Cu+2].[O-]P([O-])=O RRJHFUHAKCSNRY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RAOSIAYCXKBGFE-UHFFFAOYSA-K [Cu+3].[O-]P([O-])([O-])=O Chemical compound [Cu+3].[O-]P([O-])([O-])=O RAOSIAYCXKBGFE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000000641 acridinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical group 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- IMHBYKMAHXWHRP-UHFFFAOYSA-N anilazine Chemical group ClC1=CC=CC=C1NC1=NC(Cl)=NC(Cl)=N1 IMHBYKMAHXWHRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N benzyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1=CC=CC=C1 AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 125000004965 chloroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 229940116318 copper carbonate Drugs 0.000 description 1
- ICKJJQMINSDAOV-UHFFFAOYSA-L copper dioxidophosphanium Chemical compound [Cu++].[O-][PH2]=O.[O-][PH2]=O ICKJJQMINSDAOV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940120693 copper naphthenate Drugs 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- SEVNKWFHTNVOLD-UHFFFAOYSA-L copper;3-(4-ethylcyclohexyl)propanoate;3-(3-ethylcyclopentyl)propanoate Chemical compound [Cu+2].CCC1CCC(CCC([O-])=O)C1.CCC1CCC(CCC([O-])=O)CC1 SEVNKWFHTNVOLD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GEZOTWYUIKXWOA-UHFFFAOYSA-L copper;carbonate Chemical compound [Cu+2].[O-]C([O-])=O GEZOTWYUIKXWOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HFDWIMBEIXDNQS-UHFFFAOYSA-L copper;diformate Chemical compound [Cu+2].[O-]C=O.[O-]C=O HFDWIMBEIXDNQS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 description 1
- FWBOFUGDKHMVPI-UHFFFAOYSA-K dicopper;2-oxidopropane-1,2,3-tricarboxylate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]C(=O)CC([O-])(C([O-])=O)CC([O-])=O FWBOFUGDKHMVPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940105990 diglycerin Drugs 0.000 description 1
- GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N diglycerol Chemical compound OCC(O)COCC(O)CO GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N dimethyl phthalate Natural products CC(=O)OC1=CC=CC=C1OC(C)=O FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001826 dimethylphthalate Drugs 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000005677 ethinylene group Chemical group [*:2]C#C[*:1] 0.000 description 1
- MSPOSRHJXMILNK-UHFFFAOYSA-N ethyl 1h-pyrazole-5-carboxylate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=NN1 MSPOSRHJXMILNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000000796 flavoring agent Substances 0.000 description 1
- 235000019634 flavors Nutrition 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000904 isoindolyl group Chemical group C=1(NC=C2C=CC=CC12)* 0.000 description 1
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N isothiazole Chemical group C=1C=NSC=1 ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- JZMJDSHXVKJFKW-UHFFFAOYSA-M methyl sulfate(1-) Chemical compound COS([O-])(=O)=O JZMJDSHXVKJFKW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- WVFLGSMUPMVNTQ-UHFFFAOYSA-N n-(2-hydroxyethyl)-2-[[1-(2-hydroxyethylamino)-2-methyl-1-oxopropan-2-yl]diazenyl]-2-methylpropanamide Chemical compound OCCNC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)NCCO WVFLGSMUPMVNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBOYHAZRFJBUEL-UHFFFAOYSA-N n-[2-(4-benzhydryloxypiperidin-1-yl)ethyl]-3-hydroxy-5-(pyridin-3-ylmethoxy)naphthalene-2-carboxamide Chemical compound C1=CC=C2C=C(C(=O)NCCN3CCC(CC3)OC(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C(O)=CC2=C1OCC1=CC=CN=C1 ZBOYHAZRFJBUEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000007882 oil-soluble azo polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- ZDHCZVWCTKTBRY-UHFFFAOYSA-N omega-Hydroxydodecanoic acid Natural products OCCCCCCCCCCCC(O)=O ZDHCZVWCTKTBRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical group O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007519 polyprotic acids Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N potassium tert-butoxide Chemical compound [K+].CC(C)(C)[O-] LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 125000004309 pyranyl group Chemical group O1C(C=CC=C1)* 0.000 description 1
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000004334 sorbic acid Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 description 1
- 150000003456 sulfonamides Chemical class 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
- C08F8/42—Introducing metal atoms or metal-containing groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/22—Absorbing filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
-
- H04N5/2254—
-
- H04N5/335—
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
높은 근적외선 차폐성을 유지하면서, 내열성이 우수한 경화막을 형성 가능한 근적외선 흡수성 조성물, 이를 이용한 근적외선 차단 필터, 근적외선 차단 필터의 제조 방법, 고체 촬상 소자, 카메라 모듈을 제공한다. 이 근적외선 흡수성 조성물은, 구리 성분과, 구리 성분에 대하여 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 함유하는 중합체의 반응으로 얻어지는 화합물을 포함한다. 배위 원자는, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자 및 인 원자로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다. 이 근적외선 흡수성 조성물을 이용하여 근적외선 차단 필터 및 카메라 모듈을 제조한다.A near infrared ray absorbing composition capable of forming a cured film excellent in heat resistance while maintaining a high near infrared ray shielding property, a near infrared ray shielding filter using the same, a method of manufacturing a near infrared ray shielding filter, a solid state image sensor and a camera module. The near infrared ray absorbent composition includes a compound obtained by a reaction of a copper component and a polymer containing coordination atoms coordinated to a copper component with a non-covalent electron pair. The coordinating atom is preferably at least one selected from oxygen atom, nitrogen atom, sulfur atom and phosphorus atom. A near infrared ray blocking filter and a camera module are manufactured using this near infrared absorbing composition.
Description
본 발명은, 근적외선 흡수성 조성물, 근적외선 차단 필터, 근적외선 차단 필터의 제조 방법, 고체 촬상 소자, 카메라 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a near-infrared light absorbing composition, a near-infrared ray blocking filter, a manufacturing method of a near-infrared ray blocking filter, a solid-state image sensor, and a camera module.
비디오 카메라, 디지털 스틸 카메라, 카메라 기능이 있는 휴대 전화 등에는 고체 촬상 소자인 CCD나 CMOS 이미지 센서가 이용되고 있다. 고체 촬상 소자는 그 수광부에 있어서 근적외선에 감도를 갖는 실리콘 포토다이오드를 사용하고 있기 때문에, 시감도(視感度) 보정을 행하는 것이 필요하고, 근적외선 차단 필터를 이용하는 경우가 많다.CCD or CMOS image sensor, which is a solid-state image sensor, is used for a video camera, a digital still camera, and a mobile phone having a camera function. Since the solid-state image pickup device uses a silicon photodiode having sensitivity to the near-infrared rays in the light-receiving portion, it is necessary to correct the visual sensitivity (luminosity), and a near-infrared ray cut filter is often used.
근적외선 차단 필터의 재료로서, 특허문헌 1에는, (메트)아크릴아마이드와 인산의 반응물 또는 그 가수분해물과, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물의 공중합체에, 금속 화합물을 첨가하여 이루어지는 적외선 차단성 수지를 포함하는 적외선 차단성 필름이 개시되어 있다.As a material of the near infrared ray blocking filter, Patent Document 1 discloses an infrared blocking resin comprising a metal compound added to a copolymer of a reaction product of (meth) acrylamide and phosphoric acid or a hydrolyzate thereof and a compound having an ethylenically unsaturated bond Discloses an infrared shielding film comprising
특허문헌 2에는, 설폰산 구리 착체를 이용한 근적외선 흡수성 조성물이 개시되어 있다.Patent Document 2 discloses a near infrared absorbing composition using a copper sulfonate complex.
특허문헌 3에는, 측쇄에 수산기 및/또는 카복실기를 갖는 폴리에스터계 수지와, 이 폴리에스터계 수지 중의 수산기 및/또는 카복실기와 반응할 수 있는 반응성 화합물을 포함하는 접착제가 개시되어 있다.Patent Document 3 discloses an adhesive comprising a polyester resin having a hydroxyl group and / or a carboxyl group in a side chain and a reactive compound capable of reacting with a hydroxyl group and / or a carboxyl group in the polyester resin.
그러나, 상기 특허문헌 1에 개시된 적외선 차단성 수지는, 인을 함유하는 산기를 갖는 점에서 내열성이 불충분하다고 생각된다.However, the infrared shielding resin disclosed in Patent Document 1 is considered to have insufficient heat resistance because it has an acid group containing phosphorus.
또, 특허문헌 2에 개시된 근적외선 흡수성 조성물은, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머와 구리를 반응시키고 있지만, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머의 중합 반응은, 구리의 존재하에서는 진행하기 어려워, 고분자화가 곤란한 경향이 있다. 이로 인하여, 내열성이 불충분한 경우가 있다고 생각된다.The near infrared absorptive composition disclosed in Patent Document 2 reacts with a monomer having an ethylenically unsaturated bond, but the polymerization reaction of the monomer having an ethylenically unsaturated bond is difficult to proceed in the presence of copper, . Therefore, it is considered that the heat resistance is insufficient.
또, 특허문헌 3의 실시예에서는, 반응성 화합물로서, 톨루엔다이아이소시아네이트의 트라이메틸올프로페인 어덕트체를 사용하고 있지만, 내열성은 불충분했다.In the example of Patent Document 3, a trimethylolpropane duct body of toluene diisocyanate was used as the reactive compound, but the heat resistance was insufficient.
본 발명은, 이러한 과제를 해결하는 것으로서, 높은 근적외선 차폐성을 유지하면서, 내열성이 우수한 경화막을 형성 가능한 근적외선 흡수성 조성물, 이를 이용한 근적외선 차단 필터, 근적외선 차단 필터의 제조 방법, 고체 촬상 소자 및 카메라 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention solves the above-mentioned problems and provides a near infrared absorbing composition capable of forming a cured film having excellent heat resistance while maintaining a high near infrared ray shielding property, a near infrared ray shielding filter using the same, a method of manufacturing near infrared ray shielding filter, a solid state image sensor and a camera module .
본 발명자들이 예의 검토를 행한 결과, 구리 성분과, 구리 성분에 대하여 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 함유하는 중합체의 반응으로 얻어지는 화합물을 포함하는 근적외선 흡수성 조성물은, 내열성이 양호하고, 높은 근적외선 차폐성을 갖는 막을 형성할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 본 발명은, 이하를 제공한다.As a result of intensive studies by the present inventors, it has been found that the near infrared absorptive composition comprising a compound obtained by the reaction of a copper component and a polymer containing a coordinating atom coordinated to a copper component with a non-covalent electron pair has good heat resistance and high near infrared ray shielding property And thus the present invention has been accomplished. The present invention provides the following.
<1> 구리 성분과, 구리 성분에 대하여 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 함유하는 중합체의 반응으로 얻어지는 화합물을 포함하는, 근적외선 흡수성 조성물.<1> A near infrared ray absorbing composition comprising a compound obtained by a reaction of a copper component and a polymer containing coordination atoms coordinated to a copper component with a non-covalent electron pair.
<2> 배위 원자가, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자 및 인 원자로부터 선택되는 1종 이상인, <1>에 기재된 근적외선 흡수성 조성물.<2> The near infrared absorbing composition according to <1>, wherein the near infrared absorbing composition is at least one selected from coordination atoms, oxygen atoms, nitrogen atoms, sulfur atoms and phosphorus atoms.
<3> 중합체는, 음이온으로 배위하는 배위 부위를 더 갖는, <1> 또는 <2>에 기재된 근적외선 흡수성 조성물.≪ 3 > The near infrared absorptive composition according to < 1 > or < 2 >, further comprising a coordination site coordinated with an anion.
<4> 음이온이, 산소 음이온, 질소 음이온 및 황 음이온으로부터 선택되는 1종 이상인, <3>에 기재된 근적외선 흡수성 조성물.<4> The near infrared ray absorbing composition according to <3>, wherein the anion is at least one selected from an oxygen anion, a nitrogen anion and a sulfur anion.
<5> 중합체는, 하기 식 (1)로 나타나는 기를 측쇄에 포함하는, <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 근적외선 흡수성 조성물;<5> The near infrared absorbing composition according to any one of <1> to <4>, wherein the polymer comprises a group represented by the following formula (1) in the side chain:
*-L1-Y1 …(1)-L 1 -Y 1 ... (One)
일반식 (1)에 있어서, L1은 단결합 또는 연결기를 나타내고, Y1은, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상 갖는 기 또는 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상과 음이온으로 배위하는 배위 부위를 1개 이상 갖는 기를 나타내며, *는, 중합체와의 연결손을 나타낸다.In the general formula (1), L 1 represents a single bond or a linking group, Y 1 represents a group having one or more coordination atoms coordinated with a non-covalent electron pair or a coordination atom coordinating to a pair of non- Represents a group having at least one coordination site to be coordinated, and * denotes a link to a polymer.
<6> 중합체는, 하기 식 (A1-1)로 나타나는 구성 단위를 포함하는, <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 근적외선 흡수성 조성물;<6> The near infrared absorbing composition according to any one of <1> to <5>, wherein the polymer comprises a constitutional unit represented by the following formula (A1-1)
[화학식 1][Chemical Formula 1]
식 (A1-1) 중, R1은 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내고, L1은 단결합 또는 연결기를 나타내며, Y1은, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상 갖는 기 또는 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상과 음이온으로 배위하는 배위 부위를 1개 이상 갖는 기를 나타낸다.In the formula (A1-1), R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, L 1 represents a single bond or a linking group, Y 1 represents a group having one or more coordination atoms coordinated with a pair of non- A group having one or more coordination atoms coordinating to one or more coordination atoms and anions coordinated to anions.
<7> 중합체는, 하기 식 (A1-1-1)~(A1-1-4)로부터 선택되는 적어도 1종의 구성 단위를 포함하는, <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 근적외선 흡수성 조성물;<7> The polymer according to any one of <1> to <6>, which contains at least one kind of structural unit selected from the following formulas (A1-1-1) to Composition;
[화학식 2](2)
식 (A1-1-1)~(A1-1-4) 중, R1은 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내고, L2는 단결합 또는 연결기를 나타내며, Y1은, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상 갖는 기 또는 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상과 음이온으로 배위하는 배위 부위를 1개 이상 갖는 기를 나타낸다.In the formulas (A1-1-1) to (A1-1-4), R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, L 2 represents a single bond or a linking group, Y 1 represents a coordination atom coordinated with a non- Or a group having one or more coordination sites for coordinating one or more coordinating atoms coordinated with a pair of non-covalent electrons and anions.
<8> <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 근적외선 흡수성 조성물을 이용하여 얻어진 근적외선 차단 필터.<8> A near infrared ray blocking filter obtained by using the near infrared absorbing composition according to any one of <1> to <7>.
<9> 고체 촬상 소자의 수광측에 있어서, <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 근적외선 흡수성 조성물을 도포하는 공정을 포함하는, 근적외선 차단 필터의 제조 방법.<9> A method of manufacturing a near-infrared light blocking filter, comprising the step of applying a near-infrared absorbing composition according to any one of <1> to <7> on the light receiving side of a solid-state imaging element.
<10> <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 근적외선 흡수성 조성물을 이용하여 얻어진 근적외선 차단 필터를 갖는 고체 촬상 소자.≪ 10 > A solid-state image pickup element having a near-infrared ray blocking filter obtained using the near infrared absorbing composition according to any one of < 1 >
<11> 고체 촬상 소자와, 고체 촬상 소자의 수광측에 배치된 근적외선 차단 필터를 갖고, 근적외선 차단 필터가 <8>에 기재된 근적외선 차단 필터인, 카메라 모듈.<11> A camera module having a solid-state imaging device and a near-infrared ray blocking filter disposed on the light-receiving side of the solid-state imaging device, wherein the near-infrared ray blocking filter is a near-infrared ray blocking filter described in <8>.
본 발명에 의하면, 높은 근적외선 차폐성을 유지하면서, 내열성이 우수한 경화막을 형성 가능한 근적외선 흡수성 조성물을 제공하는 것이 가능해졌다. 또, 이러한 근적외선 흡수성 조성물을 이용한 근적외선 차단 필터, 근적외선 차단 필터의 제조 방법, 고체 촬상 소자 및 카메라 모듈을 제공하는 것이 가능해졌다.According to the present invention, it becomes possible to provide a near infrared ray absorbing composition capable of forming a cured film excellent in heat resistance while maintaining a high near infrared ray shielding property. In addition, it has become possible to provide a near-infrared ray blocking filter, a method of manufacturing a near-infrared ray blocking filter, a solid-state image sensor and a camera module using such a near infrared ray absorbing composition.
도 1은 본 발명의 실시형태에 관한, 근적외선 차단 필터를 갖는 카메라 모듈의 구성을 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 카메라 모듈에 있어서의 근적외선 차단 필터 주변 부분의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 카메라 모듈에 있어서의 근적외선 차단 필터 주변 부분의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4는 카메라 모듈에 있어서의 근적외선 차단 필터 주변 부분의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a camera module having a near-IR cut filter according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view showing an example of a peripheral portion of the near-infrared cut filter in the camera module.
3 is a schematic cross-sectional view showing an example of a peripheral portion of the near-infrared cut filter in the camera module.
4 is a schematic cross-sectional view showing an example of a peripheral portion of the near-infrared cut filter in the camera module.
이하에 있어서, 본 발명의 내용에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서 "~"란 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로 사용된다.Hereinafter, the contents of the present invention will be described in detail. In the present specification, "~" is used to mean that the numerical values described before and after the numerical value are included as the lower limit value and the upper limit value.
본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"는, 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 나타내고, "(메트)아크릴"은, 아크릴 및 메타크릴을 나타내며, "(메트)아크릴로일"은, 아크릴로일 및 메타크릴로일을 나타낸다.As used herein, "(meth) acrylate" refers to acrylate and methacrylate, "(meth) acryl" refers to acrylic and methacrylic, "(meth) acryloyl" And methacryloyl.
본 명세서에 있어서, 모노머는, 올리고머 및 폴리머와 구별되며, 중량 평균 분자량이 2,000 이하인 화합물을 말한다.In the present specification, a monomer is distinguished from an oligomer and a polymer, and refers to a compound having a weight average molecular weight of 2,000 or less.
본 명세서에 있어서, 중합성 화합물이란, 중합성기를 갖는 화합물을 말한다. 중합성기란, 중합 반응에 관여하는 기를 말한다.In the present specification, the polymerizable compound means a compound having a polymerizable group. The polymerizable group means a group involved in the polymerization reaction.
본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하지 않은 표기는 치환기를 갖지 않는 기(원자단)와 함께 치환기를 갖는 기(원자단)도 포함하는 것이다.In the notation of the group (atomic group) in the present specification, the notation in which substitution and non-substitution are not described includes a group (atomic group) having a substituent together with a group (atomic group) having no substituent.
본 명세서에 있어서, 화학식 중의 Me는 메틸기를, Et는 에틸기를, Pr은 프로필기를, Bu는 뷰틸기를, Ph는 페닐기를 각각 나타낸다.In the present specification, Me in the formula represents a methyl group, Et represents an ethyl group, Pr indicates a propyl group, Bu indicates a butyl group, and Ph indicates a phenyl group.
본 명세서에 있어서, 근적외선이란, 파장 영역이 700~2500nm인 광(전자파)을 말한다.In the present specification, the near-infrared ray means light (electromagnetic wave) having a wavelength range of 700 to 2500 nm.
본 명세서에 있어서, 전체 고형분이란, 조성물의 전체 조성으로부터 용제를 제외한 성분의 총 질량을 말한다.In the present specification, the total solid content refers to the total mass of components excluding the solvent from the total composition of the composition.
본 명세서에 있어서, 고형분이란, 25℃에 있어서의 고형분을 말한다.In this specification, the solid content refers to the solid content at 25 占 폚.
본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량 및 수평균 분자량은, GPC 측정에 의한 폴리스타이렌 환산값으로서 정의된다. 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 예를 들면 HLC-8220(도소(주)제)을 이용하고, 칼럼으로서 TSKgel Super AWM-H(도소(주)제, 6.0mmID×15.0cm)를, 용리액으로서 10mmol/L 리튬 브로마이드 NMP(N-메틸피롤리딘온) 용액을 이용함으로써 구할 수 있다.In the present specification, the weight average molecular weight and the number average molecular weight are defined as polystyrene reduced values by GPC measurement. In this specification, the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) are, for example, HLC-8220 (manufactured by TOSOH CORPORATION) and TSKgel Super AWM-H , 6.0 mm ID x 15 cm) can be obtained by using 10 mmol / L lithium bromide NMP (N-methylpyrrolidinone) solution as an eluent.
<근적외선 흡수성 조성물>≪ Near-infrared absorbing composition >
본 발명의 근적외선 흡수성 조성물은, 구리 성분과, 구리 성분에 대하여 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 함유하는 중합체의 반응으로 얻어지는 화합물(폴리머 구리 화합물이라고도 함)을 함유한다.The near infrared absorbing composition of the present invention contains a compound (also referred to as a polymeric copper compound) obtained by a reaction between a copper component and a polymer containing a coordinating atom coordinated to a copper component with a non-covalent electron pair.
본 발명의 근적외선 흡수성 조성물을 이용함으로써, 근적외선 차폐성이 높은 경화막(근적외선 차단 필터)이 얻어진다. 또, 경화막의 내열성을 높게 할 수도 있다.By using the near infrared absorbing composition of the present invention, a cured film (near infrared ray shielding filter) having high near infrared ray shielding property can be obtained. In addition, the heat resistance of the cured film can be increased.
이와 같은 효과가 얻어지는 이유는 확실하지 않지만, 이하와 같이 추정된다.The reason why such an effect is obtained is not clear, but is presumed as follows.
구리 성분에 대하여 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 함유하는 중합체(이하, 중합체 (A)라고도 함)는, 구리 성분에 대하여 배위자로서 작용한다. 즉, 중합체 (A)의 배위 원자(비공유 전자쌍)가, 구리 성분의 구리와 배위함으로써, 폴리머 구리 화합물의 구조가 변형되어, 가시광 영역의 높은 투과성이 얻어지고, 근적외선의 흡광 능력이 향상되며, 나아가서는 색가(色價)도 향상된다고 생각된다. 또, 폴리머 구리 화합물은, 구리를 기점으로 하여, 중합체 (A)의 측쇄 간에 가교 구조가 형성된다고 생각되며, 내열성이 우수한 막이 얻어진다. 또, 흡수율(吸水率)이 낮고, 내습성이 양호한 폴리머 구리 화합물로 할 수 있다.A polymer containing coordination atoms coordinated with a pair of non-covalent electrons with respect to the copper component (hereinafter also referred to as polymer (A)) acts as a ligand to the copper component. That is, the coordination atom (unshared electron pair) of the polymer (A) coordinates with copper of the copper component, thereby deforming the structure of the polymer copper compound to obtain high transmittance in the visible light region and improve the absorptivity of near- It is considered that the color value is also improved. The polymer copper compound is considered to have a crosslinked structure between the side chains of the polymer (A) starting from copper, and a film excellent in heat resistance can be obtained. Further, a polymer copper compound having a low water absorption (water absorption) and a good moisture resistance can be obtained.
폴리머 구리 화합물은, 중합체 (A)를 배위자로 하는 구리 착체인 것이 바람직하다.The polymeric copper compound is preferably a copper complex having the polymer (A) as a ligand.
폴리머 구리 화합물은, 25℃, 상대 습도 95%의 조건에 5시간 방치하기 전을 기준으로 하는 질량 증가율이 60% 이하인 것이 바람직하다. 이하, 25℃, 상대 습도 95%의 조건에 방치하는 시험을 간단히 흡수율 시험이라고 하는 경우가 있다.It is preferable that the polymeric copper compound has a mass increase rate of 60% or less based on a condition before being allowed to stand at 25 DEG C and a relative humidity of 95% for 5 hours. Hereinafter, the test in which the sample is allowed to stand at 25 캜 and a relative humidity of 95% may be simply referred to as a water absorption test.
폴리머 구리 화합물은, 상기 질량 증가율이 60% 이하인 것이 바람직하고, 25% 이하인 것이 보다 바람직하며, 10% 이하인 것이 더 바람직하고, 3% 이하인 것이 특히 바람직하다. 또, 흡수율 시험의 시간은 길게 설정해도 되고, 10시간이어도 되며, 20시간이어도 된다. 이 경우에도, 상기 화합물의 질량 증가율은, 상기 범위를 충족시키는 것이 바람직하다. 흡수율 시험의 시험 시간을 장시간으로 설정한 경우의 질량 증가율이 작을수록, 내습성이 높은 근적외선 차단 필터가 얻어진다. 또, 상기 화합물의 질량 증가율의 하한은 0%이며, 흡수율 시험 후에도 질량이 증가하지 않는 것이 바람직하다.The polymer copper compound preferably has a mass increase rate of 60% or less, more preferably 25% or less, more preferably 10% or less, and particularly preferably 3% or less. The time of the absorption rate test may be set long, or may be 10 hours or 20 hours. Also in this case, it is preferable that the mass increase rate of the compound satisfies the above range. As the mass increase rate when the test time of the water absorption test is set to a long time, the closer to the infrared ray shielding filter is, the higher the moisture resistance is. The lower limit of the mass increase rate of the compound is 0%, and it is preferable that the mass does not increase even after the water absorption test.
본 발명의 근적외선 흡수성 조성물에 있어서의, 폴리머 구리 화합물의 함유량은, 전체 고형분의 30질량% 이상이 바람직하고, 50질량% 이상이 보다 바람직하며, 70~100질량%가 더 바람직하고, 80~100질량%가 특히 바람직하다. 폴리머 구리 화합물의 함유량을 증가시킴으로써, 근적외선 차폐성을 향상시킬 수 있다.The content of the polymeric copper compound in the near infrared absorbing composition of the present invention is preferably 30 mass% or more, more preferably 50 mass% or more, further preferably 70 to 100 mass%, and most preferably 80 to 100 mass% % By mass is particularly preferable. By increasing the content of the polymer copper compound, the near infrared ray shielding property can be improved.
<<중합체 (A)>>≪ Polymer (A) >
중합체 (A)는, 구리 성분에 대하여 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 함유하는 것이면, 특별히 한정되지 않는다.The polymer (A) is not particularly limited as long as it contains coordination atoms coordinated with a pair of non-covalent electrons to the copper component.
중합체 (A)에 있어서, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자는, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자 및 인 원자로부터 선택되는 1종 이상이 바람직하고, 산소 원자, 질소 원자 및 황 원자로부터 선택되는 1종 이상이 보다 바람직하며, 질소 원자가 더 바람직하다. 또, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자가 질소 원자이며, 이러한 질소 원자에 인접하는 원자가 탄소 원자인 양태가 바람직하고, 이러한 탄소 원자가 치환기를 갖는 것도 바람직하다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 구리 착체의 구조가 보다 변형되기 쉬워지기 때문에, 색가를 보다 향상시킬 수 있다. 치환기는, 후술하는 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 포함하는 환이 갖고 있어도 되는 치환기와 동의이며, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 6~12의 아릴기, 카복실기, 탄소수 1~12의 알콕시기, 탄소수 2~12의 아실기, 탄소수 1~12의 알킬싸이오기, 할로젠 원자가 바람직하다.In the polymer (A), coordination atoms coordinated with a pair of non-covalent electrons are preferably at least one selected from oxygen atom, nitrogen atom, sulfur atom and phosphorus atom, and at least one selected from oxygen atom, nitrogen atom and sulfur atom Or more, and more preferably a nitrogen atom. It is also preferable that the coordination atom coordinated with the unshared electron pair is a nitrogen atom and the atom adjacent to the nitrogen atom is a carbon atom, and such a carbon atom preferably has a substituent. With this structure, the structure of the copper complex is more easily deformed, so that the color value can be further improved. The substituent is the same as the substituent which the ring containing the coordinating atom coordinated by a non-covalent electron pair described below may have and includes an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a carboxyl group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, An acyl group having 2 to 12 carbon atoms, an alkylthio group having 1 to 12 carbon atoms, and a halogen atom are preferable.
비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자는, 환에 포함되어 있어도 되고, 이하의 군 (UE)로부터 선택되는 적어도 1종의 부분 구조에 포함되어 있어도 된다.The coordinating atoms coordinated with a non-covalent electron pair may be included in the ring or may be contained in at least one partial structure selected from the following group (UE).
군 (UE)The UE (UE)
[화학식 3](3)
군 (UE) 중, R1은, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2는, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 헤테로아릴옥시기, 알킬싸이오기, 아릴싸이오기, 헤테로아릴싸이오기, 아미노기 또는 아실기를 나타낸다.In the groups (UE), each R 1 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group or a heteroaryl group, and each R 2 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, An aryl group, a heteroaryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a heteroaryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, a heteroarylthio group, an amino group or an acyl group.
R1이 나타내는 알킬기는, 직쇄상, 분기상 또는 환상이어도 되지만, 직쇄상이 바람직하다. 알킬기의 탄소수는, 1~10이 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~4가 더 바람직하다. 알킬기의 예로서는, 메틸기를 들 수 있다. 알킬기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기로서는 할로젠 원자, 카복실기, 헤테로환기를 들 수 있다. 치환기로서의 헤테로환기는, 단환이어도 되고 다환이어도 되며, 또 방향족이어도 되고 비방향족이어도 된다. 헤테로환을 구성하는 헤테로 원자의 수는 1~3이 바람직하고 1 또는 2가 바람직하다. 헤테로환을 구성하는 헤테로 원자는, 질소 원자가 바람직하다. 알킬기가 치환기를 갖고 있는 경우, 치환기를 더 갖고 있어도 된다.The alkyl group represented by R 1 may be linear, branched or cyclic, but is preferably straight-chain. The alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms. Examples of the alkyl group include a methyl group. The alkyl group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, a carboxyl group and a heterocyclic group. The heterocyclic group as a substituent may be monocyclic or polycyclic, and may be aromatic or non-aromatic. The number of heteroatoms constituting the heterocycle is preferably from 1 to 3, and is preferably 1 or 2. The hetero atom constituting the heterocycle is preferably a nitrogen atom. When the alkyl group has a substituent, it may further have a substituent.
R1이 나타내는 알켄일기 및 알카인일기의 탄소수는, 2~10이 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하다.The carbon number of the alkenyl group and the alkynyl group represented by R 1 is preferably from 2 to 10, more preferably from 2 to 6.
R1이 나타내는 아릴기는, 단환이어도 되고 다환이어도 되지만 단환이 바람직하다. 아릴기의 탄소수는 6~18이 바람직하고, 6~12가 보다 바람직하며, 6이 더 바람직하다.The aryl group represented by R 1 may be monocyclic or polycyclic, but monocyclic is preferred. The aryl group preferably has 6 to 18 carbon atoms, more preferably 6 to 12 carbon atoms, and more preferably 6 carbon atoms.
R1이 나타내는 헤테로아릴기는, 단환이어도 되고 다환이어도 된다. 헤테로아릴기의 환을 구성하는 헤테로 원자의 수는 1~3이 바람직하다. 헤테로아릴기의 환을 구성하는 헤테로 원자는, 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자가 바람직하다. 헤테로아릴기의 환의 탄소수는 6~18이 바람직하고, 6~12가 보다 바람직하다.The heteroaryl group represented by R 1 may be monocyclic or polycyclic. The number of heteroatoms constituting the ring of the heteroaryl group is preferably from 1 to 3. The hetero atom constituting the ring of the heteroaryl group is preferably a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom. The carbon number of the ring of the heteroaryl group is preferably from 6 to 18, more preferably from 6 to 12.
R2가 나타내는 알킬기는, R1에서 설명한 알킬기와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.The alkyl group represented by R 2 is synonymous with the alkyl group described for R 1 , and the preferable range is also the same.
R2가 나타내는 알켄일기의 탄소수는, 2~10이 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하다.The carbon number of the alkenyl group represented by R 2 is preferably from 2 to 10, more preferably from 2 to 6.
R2가 나타내는 알카인일기의 탄소수는, 2~10이 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하다.The carbon number of the alkane group represented by R 2 is preferably from 2 to 10, more preferably from 2 to 6.
R2가 나타내는 아릴기는, 상기 군 (UE)에서 설명한 아릴기와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.The aryl group represented by R 2 is in agreement with the aryl group described in the above-mentioned group (UE), and the preferable range is also the same.
R2가 나타내는 헤테로아릴기는, R1에서 설명한 헤테로아릴기와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.The heteroaryl group represented by R 2 is synonymous with the heteroaryl group described for R 1 , and the preferred range is also the same.
R2가 나타내는 알콕시기의 탄소수는, 1~12가 바람직하다.The carbon number of the alkoxy group represented by R 2 is preferably from 1 to 12.
R2가 나타내는 아릴옥시기의 탄소수는, 6~18이 바람직하다.The carbon number of the aryloxy group represented by R 2 is preferably 6 to 18.
R2가 나타내는 헤테로아릴옥시기는, 단환이어도 되고 다환이어도 된다. 헤테로아릴옥시기를 구성하는 헤테로아릴기는, R1에서 설명한 헤테로아릴기와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.The heteroaryloxy group represented by R 2 may be monocyclic or polycyclic. The heteroaryl group constituting the heteroaryloxy group is in agreement with the heteroaryl group described for R 1 , and the preferable range is also the same.
R2가 나타내는 알킬싸이오기의 탄소수는, 1~12가 바람직하다.The alkyl thio group represented by R 2 preferably has 1 to 12 carbon atoms.
R2가 나타내는 아릴싸이오기의 탄소수는, 6~18이 바람직하다.The carbon number of the arylthio group represented by R 2 is preferably 6 to 18.
R2가 나타내는 헤테로아릴싸이오기는, 단환이어도 되고 다환이어도 된다. 헤테로아릴싸이오기를 구성하는 헤테로아릴기는, R1에서 설명한 헤테로아릴기와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.The heteroarylthio group represented by R 2 may be monocyclic or polycyclic. The heteroaryl group constituting the heteroarylthio is in agreement with the heteroaryl group described for R 1 , and the preferable range is also the same.
R2가 나타내는 아실기의 탄소수는, 2~12가 바람직하다.The carbon number of the acyl group represented by R 2 is preferably from 2 to 12.
비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자가 환에 포함되는 경우, 배위 원자를 포함하는 환은, 단환이어도 되고 다환이어도 되며, 또 방향족이어도 되고 비방향족이어도 된다. 바람직하게는, 5~12원환이며, 보다 바람직하게는 5~7원환이고, 더 바람직하게는 5원환 또는 6원환이다.When the coordinating atoms coordinated with the unshared electron pair are included in the ring, the ring containing the coordinating atom may be monocyclic or polycyclic, and may be aromatic or non-aromatic. Is preferably a 5- to 12-membered ring, more preferably a 5- to 7-membered ring, more preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring.
비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 포함하는 환은, 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 탄소수 1~10의 직쇄상, 분기상 또는 환상의 알킬기, 탄소수 6~12의 아릴기, 할로젠 원자, 규소 원자, 탄소수 1~12의 알콕시기, 탄소수 1~12의 아실기, 탄소수 1~12의 알킬싸이오기, 카복실기 등을 들 수 있다.A ring containing a coordinating atom coordinated with a non-covalent electron pair may have a substituent. Examples of the substituent include a linear, branched or cyclic alkyl group of 1 to 10 carbon atoms, an aryl group of 6 to 12 carbon atoms, a halogen atom, a silicon atom, an alkoxy group of 1 to 12 carbon atoms, an acyl group of 1 to 12 carbon atoms, An alkylthio group having 1 to 12 carbon atoms, and a carboxyl group.
상기 치환기는, 치환기를 더 갖고 있어도 된다. 이와 같은 치환기로서는, 예를 들면 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 포함하는 환으로 이루어지는 기, 상술한 군 (UE)로부터 선택되는 적어도 1종의 부분 구조를 포함하는 기, 탄소수 1~12의 알킬기, 탄소수 1~12의 아실기, 하이드록시기 등을 들 수 있다.The substituent may further have a substituent. Examples of such a substituent include a group comprising a ring containing a coordinating atom coordinated with a non-covalent electron pair, a group containing at least one partial structure selected from the above-mentioned group (UE), an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, An acyl group having 1 to 12 carbon atoms, and a hydroxyl group.
중합체 (A)는, 음이온으로 배위하는 배위 부위를 더 갖고 있어도 된다. 여기에서, 음이온으로 배위하는 배위 부위란, 구리 성분 중의 구리 원자에 배위 가능한 음이온을 포함하는 것이며, 예를 들면 산소 음이온, 질소 음이온 또는 황 음이온을 포함하는 것을 들 수 있다.The polymer (A) may further have a coordination site coordinated with an anion. Here, the coordination moiety coordinated with the anion includes an anion capable of coordinating to the copper atom in the copper component, and includes, for example, an oxygen anion, a nitrogen anion or a sulfur anion.
음이온으로 배위하는 배위 부위는, 이하의 군 (AN)으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.The coordination moiety coordinated with the anion is preferably at least one selected from the following group (AN).
군 (AN)County (AN)
[화학식 4][Chemical Formula 4]
상기의 군 (AN)에 있어서, X는, N 또는 CR을 나타내고, R은, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내는 것이 바람직하다.In the above group (AN), it is preferable that X represents N or CR and each R independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group or a heteroaryl group.
군 (AN)에 있어서의 R이 나타내는 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아릴기 및 헤테로아릴기는, 상기 군 (UE)에 있어서의 R1이 나타내는 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아릴기 및 헤테로아릴과 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.The alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group and heteroaryl group represented by R in the group (AN) may be any of alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group and alkynyl group represented by R 1 in the above- It is synonymous with heteroaryl and the preferred range is the same.
중합체 (A)는, 하기 식 (1)로 나타나는 기를 측쇄에 포함하는 것이 바람직하다.The polymer (A) preferably contains a group represented by the following formula (1) in the side chain.
*-L1-Y1 …(1)-L 1 -Y 1 ... (One)
일반식 (1)에 있어서, L1은 단결합 또는 연결기를 나타내고, Y1은, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상 갖는 기 또는 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상과 음이온으로 배위하는 배위 부위를 1개 이상 갖는 기를 나타내며, *는, 중합체와의 연결손을 나타낸다.In the general formula (1), L 1 represents a single bond or a linking group, Y 1 represents a group having one or more coordination atoms coordinated with a non-covalent electron pair or a coordination atom coordinating to a pair of non- Represents a group having at least one coordination site to be coordinated, and * denotes a link to a polymer.
Y1은, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 2개 이상 갖는 기, 또는 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상과 음이온으로 배위하는 배위 부위를 1개 이상 갖는 기가 바람직하고, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상과 음이온으로 배위하는 배위 부위를 1개 이상 갖는 기가 보다 바람직하다.Y 1 is preferably a group having two or more coordination atoms coordinated with a non-covalent electron pair, or a group having at least one coordination site coordinating one or more coordination atoms coordinated with a non-covalent electron pair with an anion, And a group having at least one coordination site for coordinating at least one coordinating atom with an anion is more preferable.
일반식 (1)에 있어서, L1이 연결기를 나타내는 경우, 2가의 연결기로서는, 알킬렌기, 아릴렌기, 헤테로아릴렌기, -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -SO2-, -NR10-(R10은 수소 원자 혹은 알킬기를 나타내고, 수소 원자가 바람직함), 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기를 들 수 있고, 알킬렌기, 아릴렌기, -CO-, -COO-, -NR10- 및 이들의 조합으로 이루어지는 기가 바람직하며, 알킬렌기, 아릴렌기, -CO-, -COO-, -NR10-, 알킬렌기와 -COO-의 조합으로 이루어지는 기, -CO-와 -NR10-의 조합으로 이루어지는 기, 또는 알킬렌기와 -CO-와 -NR10-의 조합으로 이루어지는 기가 보다 바람직하다.In the general formula (1), when L 1 represents a linking group, examples of the divalent linking group include an alkylene group, an arylene group, a heteroarylene group, -O-, -S-, -CO-, -COO-, , -SO 2 -, -NR 10 - (R 10 represents a hydrogen atom or an alkyl group and preferably a hydrogen atom), or a combination thereof, and examples thereof include an alkylene group, an arylene group, -CO-, -COO -, -NR 10 -, and a combination thereof, and is preferably a group consisting of a combination of an alkylene group, an arylene group, -CO-, -COO-, -NR 10 -, an alkylene group and -COO-, And -NR 10 -, or a group formed by a combination of an alkylene group and -CO- and -NR 10 - is more preferable.
알킬렌기의 탄소수는, 1~30이 바람직하고, 1~15가 보다 바람직하며, 1~10이 더 바람직하다. 알킬렌기는, 치환기를 갖고 있어도 되지만, 무치환이 바람직하다. 알킬렌기는, 직쇄, 분기, 환상 중 어느 것이어도 된다. 또, 환상의 알킬렌기는, 단환, 다환 중 어느 것이어도 된다.The number of carbon atoms in the alkylene group is preferably from 1 to 30, more preferably from 1 to 15, and even more preferably from 1 to 10. The alkylene group may have a substituent, but is preferably unsubstituted. The alkylene group may be linear, branched or cyclic. The cyclic alkylene group may be either monocyclic or polycyclic.
아릴렌기의 탄소수는, 6~18이 바람직하고, 6~14가 보다 바람직하며, 6~10이 더 바람직하고, 페닐렌기가 특히 바람직하다.The carbon number of the arylene group is preferably from 6 to 18, more preferably from 6 to 14, still more preferably from 6 to 10, and particularly preferably a phenylene group.
헤테로아릴렌기로서는, 특별히 한정되지 않지만, 5원환 또는 6원환이 바람직하다. 헤테로 원자로서는, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자를 들 수 있다. 헤테로 원자의 수는, 1~3이 바람직하다. 헤테로아릴렌기는, 단환이어도 되고 축합환이어도 되며, 단환 또는 축합수가 2~8인 축합환이 바람직하고, 단환 또는 축합수가 2~4인 축합환이 보다 바람직하다.The heteroarylene group is not particularly limited, but a 5-membered ring or a 6-membered ring is preferable. Examples of the hetero atom include an oxygen atom, a nitrogen atom and a sulfur atom. The number of heteroatoms is preferably 1 to 3. The heteroarylene group may be either a monocyclic or condensed ring, preferably a monocyclic or condensed ring having 2 to 8 condensed rings, and more preferably a monocyclic or condensed ring having 2 to 4 condensed rings.
L1이 3가 이상의 연결기를 나타내는 경우는, 상술한 2가의 연결기의 예로서 든 기 중, 1개 이상의 수소 원자를 제거한 기를 들 수 있다.When L 1 represents a linking group having three or more valences, examples of the above-mentioned divalent linking group include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed.
<<<비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상 갖는 기>>><<< Group having one or more coordination atoms coordinated by unpaired electron pair >>>
상기 일반식 (1)에 있어서, Y1이 나타내는, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상 갖는 기로서는, 예를 들면 하기 식 (1a1) 또는 (1a2)로 나타나는 기를 들 수 있다.Examples of the group represented by Y 1 in the above general formula (1) and having at least one coordination atom coordinated with a non-covalent electron pair include groups represented by the following formulas (1a 1) and (1a 2).
*-L11-(Y11)p …(1a1)* -L11- (Y11)p ... (1a1)
*-L11-(Y11a-L12-Y11)p …(1a2)* -L11- (Y11a-L12-Y11)p ... (1a2)
"*"는 식 (1)의 L1과의 연결손을 나타낸다."*" Indicates the connection with L 1 in Eq. (1).
L11은, 단결합 또는 (p+1)가의 연결기를 나타낸다. L11이 2가의 연결기를 나타내는 경우, 탄소수 1~12의 알킬렌기, 탄소수 6~12의 아릴렌기, -CO-, -COO-, -OCO-, -SO2-, -O-, -NR10-(R10은 수소 원자 혹은 알킬기를 나타내고, 수소 원자가 바람직함), 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기가 바람직하다.L 11 represents a single bond or a linking group of (p + 1). When L 11 represents a divalent connecting group, an alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, an arylene group having 6 to 12 carbon atoms, -CO-, -COO-, -OCO-, -SO 2 -, -O-, -NR 10 - (wherein R 10 represents a hydrogen atom or an alkyl group, preferably a hydrogen atom), or a combination thereof.
L11이 3가 이상의 연결기를 나타내는 경우는, 상술한 2가의 연결기의 예로서 든 기 중, 1개 이상의 수소 원자를 제거한 기를 들 수 있다.When L 11 represents a linking group having three or more atoms, examples of the above-mentioned divalent linking groups include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed.
L12는, 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 2가의 연결기로서는, L11에서 설명한 2가의 연결기를 바람직하게 들 수 있다. L12는, 단결합, 알킬렌기, 또는 -NH-와 -CO-의 조합으로 이루어지는 기가 보다 바람직하다.L 12 represents a single bond or a divalent linking group. As the divalent linking group, the divalent linking group described in L 11 is preferable. L 12 is more preferably a group consisting of a single bond, an alkylene group, or a combination of -NH- and -CO-.
Y11은, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 포함하는 환, 또는 상술한 군 (UE)로 나타나는 부분 구조를 나타낸다. p가 2 이상의 정수를 나타내는 경우, 복수의 Y11은 동일해도 되고, 상이해도 된다.Y 11 represents a partial structure represented by a ring containing a coordinating atom coordinated with a non-covalent electron pair, or the above-mentioned group (UE). When p represents an integer of 2 or more, a plurality of Y 11 s may be the same or different.
Y11a는, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 포함하는 환, 또는 이하의 군 (UE-1)로부터 선택되는 적어도 1종을 나타낸다. 군 (UE-1) 중의 R1은, 군 (UE)의 R1과 동의이다. p가 2 이상의 정수를 나타내는 경우, 복수의 Y11a는 동일해도 되고, 상이해도 된다.Y 11a represents a ring containing coordination atoms coordinated to a non-covalent electron pair, or at least one selected from the following group (UE-1). R 1 in the group UE-1 agrees with R 1 of the group UE. When p represents an integer of 2 or more, a plurality of Y 11a may be the same or different.
군 (UE-1)The group UE-
[화학식 5][Chemical Formula 5]
식 (1a1) 및 (1a2)에 있어서, p는, 1 이상의 정수를 나타내고, 2 이상이 바람직하다. 상한은, 예를 들면 5 이하가 바람직하고, 3 이하가 보다 바람직하다.In the formulas (1a1) and (1a2), p represents an integer of 1 or more, preferably 2 or more. The upper limit is preferably 5 or less, more preferably 3 or less, for example.
<<<비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상과 음이온으로 배위하는 배위 부위를 1개 이상 갖는 기>>><<< Group having one or more coordination atoms coordinated with non-covalent electron pairs and coordination sites coordinating with anions >>>
상기 일반식 (1)에 있어서, Y1이 나타내는, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상과 음이온으로 배위하는 배위 부위를 1개 이상 갖는 기는, 예를 들면 하기 식으로 나타나는 기를 들 수 있다.In the above general formula (1), the group represented by Y 1 having one or more coordination sites coordinating one or more coordination atoms coordinated with a non-covalent electron pair and anions includes, for example, a group represented by the following formula .
*-L21-(Y21a-L23-Y22)q …(1b1)-L 21 - (Y 21a -L 23 -Y 22 ) q ... (1b1)
*-L21-(Y22a-L23-Y21)q …(1b2)* -L21- (Y22a-L23-Y21)q ... (1b2)
*-L22-(Y21)q(Y22)r …(1b3)* -L22- (Y21)q(Y22)r ... (1b3)
*-L22-(Y21a-L23-Y22)q(Y21)r …(1b4)* -L22- (Y21a-L23-Y22)q(Y21)r ... (1b4)
*-L22-(Y22a-L23-Y21)q(Y21)r …(1b5)* -L22- (Y22a-L23-Y21)q(Y21)r ... (1b5)
*-L22-(Y21a-L23-Y22)q(Y22)r …(1b6)* -L22- (Y21a-L23-Y22)q(Y22)r ... (1b6)
*-L22-(Y22a-L23-Y21)q(Y22)r …(1b7)* -L22- (Y22a-L23-Y21)q(Y22)r ... (1b7)
"*"는 식 (1)의 L1과의 연결손을 나타낸다."*" Indicates the connection with L 1 in Eq. (1).
L21은, 단결합 또는 (q+1)가의 연결기를 나타낸다. L21은, 식 (1a)의 L11과 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.L 21 represents a single bond or a linking group of (q + 1). L 21 agrees with L 11 in formula (1a), and the preferred range is also the same.
L22는, 단결합 또는 (q+r+1)가의 연결기를 나타낸다. L22는, 식 (1a)의 L11과 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.L 22 represents a single bond or a linking group of (q + r + 1). L 22 is synonymous with L 11 in formula (1a), and the preferred range is also the same.
L23은, 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 2가의 연결기로서는, 식 (1a)의 L11에서 설명한 2가의 연결기를 바람직하게 들 수 있다. L23은, 단결합, 알킬렌기, 또는 -NH-와 -CO-의 조합으로 이루어지는 기가 보다 바람직하다.L 23 represents a single bond or a divalent linking group. As the divalent linking group, the divalent linking group described in L 11 in the formula (1a) is preferably exemplified. L 23 is more preferably a single bond, an alkylene group, or a combination of -NH- and -CO-.
Y21은, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 포함하는 환, 또는 상술한 군 (UE)로 나타나는 부분 구조를 나타낸다. q, r이, 2 이상의 정수를 나타내는 경우, 복수의 Y21은 동일해도 되고, 상이해도 된다.Y 21 represents a ring including a coordinating atom coordinated to a non-covalent electron pair, or a partial structure represented by the above-mentioned group (UE). When q and r represent an integer of 2 or more, a plurality of Y 21 s may be the same or different.
Y21a는, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 포함하는 환, 또는 상술한 군 (UE-1)로부터 선택되는 적어도 1종을 나타낸다. q, r이, 2 이상의 정수를 나타내는 경우, 복수의 Y21a는 동일해도 되고, 상이해도 된다.Y 21a represents a ring containing a coordinating atom coordinated to a non-covalent electron pair, or at least one selected from the group (UE-1) described above. q and r represent integers of 2 or more, a plurality of Y 21a may be the same or different.
Y22는, 상술한 군 (AN)으로 나타나는 부분 구조를 나타낸다. q, r이, 2 이상의 정수를 나타내는 경우, 복수의 Y22는 동일해도 되고, 상이해도 된다.Y 22 represents a partial structure represented by the aforementioned group (AN). When q and r represent integers of 2 or more, a plurality of Y 22 may be the same or different.
Y22a는, 이하의 군 (AN-1)로부터 선택되는 적어도 1종을 나타낸다. 군 (AN-1) 중의 X는, N 또는 CR을 나타내고, R은, 상술한 군 (AN) 중의 CR에서 설명한 R과 동의이다. q, r이, 2 이상의 정수를 나타내는 경우, 복수의 Y22a는 동일해도 되고, 상이해도 된다.Y 22a represents at least one kind selected from the following group (AN-1). X in the group (AN-1) represents N or CR, and R is synonymous with R described in CR in the aforementioned group (AN). When q and r represent integers of 2 or more, a plurality of Y 22a may be the same or different.
군 (AN-1)Group (AN-1)
[화학식 6][Chemical Formula 6]
q는, 1 이상의 정수를 나타내고, 1~5가 바람직하며, 1~3이 특히 바람직하다.q represents an integer of 1 or more, preferably 1 to 5, and particularly preferably 1 to 3.
r은, 1 이상의 정수를 나타내고, 1~5가 바람직하며, 1~3이 특히 바람직하다.r represents an integer of 1 or more, preferably 1 to 5, and particularly preferably 1 to 3.
q+r은, 2 이상을 나타내고, 2~5가 바람직하며, 2~3이 특히 바람직하다.q + r represents 2 or more, preferably 2 to 5, and particularly preferably 2 to 3.
중합체 (A)는, 하기 식 (A1-1)로 나타나는 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다.The polymer (A) preferably contains a constitutional unit represented by the following formula (A1-1).
[화학식 7](7)
식 (A1-1) 중, R1은 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내고, L1은 단결합 또는 연결기를 나타내며, Y1은, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상 갖는 기 또는 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상과 음이온으로 배위하는 배위 부위를 1개 이상 갖는 기를 나타낸다.In the formula (A1-1), R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, L 1 represents a single bond or a linking group, Y 1 represents a group having one or more coordination atoms coordinated with a pair of non- A group having one or more coordination atoms coordinating to one or more coordination atoms and anions coordinated to anions.
식 (A1-1)에 있어서, R1은, 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타낸다. 탄화 수소기로서는, 직쇄상, 분기상 또는 환상의 지방족 탄화 수소기나, 방향족 탄화 수소기를 들 수 있다. 탄화 수소기는, 치환기를 갖고 있어도 되지만, 무치환이 바람직하다. 탄화 수소기의 탄소수는, 1~10이 바람직하고, 1~5가 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다. 탄화 수소기는 메틸기가 바람직하다. R1은 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.In the formula (A1-1), R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group. Examples of the hydrocarbon group include linear, branched or cyclic aliphatic hydrocarbon groups and aromatic hydrocarbon groups. The hydrocarbon group may have a substituent, but is preferably unsubstituted. The number of carbon atoms in the hydrocarbon group is preferably from 1 to 10, more preferably from 1 to 5, and still more preferably from 1 to 3. The hydrocarbon group is preferably a methyl group. R 1 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
식 (A1-1)의 L1 및 Y1은, 상술한 식 (1)의 L1 및 Y1과 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.L 1 and Y 1 in the formula (A1-1) are, and L 1 and Y 1 and consent of the equation (1), are also the same preferable range.
식 (A1-1)로 나타나는 구성 단위로서는, 예를 들면 이하의 (A1-1-1)~(A1-1-4)로 나타나는 구성 단위를 들 수 있다. 이하의 (A1-1-1), (A1-1-2)가 바람직하다.Examples of the structural unit represented by the formula (A1-1) include structural units represented by the following (A1-1-1) to (A1-1-4). The following (A1-1-1) and (A1-1-2) are preferable.
[화학식 8][Chemical Formula 8]
식 (A1-1-1)~(A1-1-4) 중, R1은 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내고, L2는 단결합 또는 연결기를 나타내며, Y1은, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상 갖는 기 또는 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상과 음이온으로 배위하는 배위 부위를 1개 이상 갖는 기를 나타낸다.In the formulas (A1-1-1) to (A1-1-4), R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, L 2 represents a single bond or a linking group, Y 1 represents a coordination atom coordinated with a non- Or a group having one or more coordination sites for coordinating one or more coordinating atoms coordinated with a pair of non-covalent electrons and anions.
식 (A1-1-1)~(A1-1-4)의 R1은, 식 (A1-1)의 R1과 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.Equation (A1-1-1) ~ R 1 of (A1-1-4) is a, and R 1 and consent of the formula (A1-1), it is also the same preferable range.
식 (A1-1-1)~(A1-1-4)의 Y1은, 식 (A1-1)의 Y1과 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.Y 1 of formula (A1-1-1) ~ (A1-1-4) is a Y 1 and consent of the formula (A1-1), it is also the same preferable range.
식 (A1-1-2)의 L2는, 단결합 또는 연결기를 나타낸다. 연결기로서는, 식 (A1-1)의 L1에서 설명한 연결기를 바람직하게 들 수 있고, 알킬렌기, 또는 알킬렌기와 -COO-의 조합으로 이루어지는 기가 보다 바람직하다.L 2 in the formula (A1-1-2) represents a single bond or a linking group. As the linking group, a linking group described in L 1 of the formula (A1-1) is preferable, and a group formed by a combination of an alkylene group or an alkylene group and -COO- is more preferable.
중합체 (A)는, 식 (A1-1)로 나타나는 구성 단위 외에, 다른 구성 단위를 함유하고 있어도 된다.The polymer (A) may contain other constituent units in addition to the constituent units represented by the formula (A1-1).
다른 구성 단위를 구성하는 성분으로서는, 일본 공개특허공보 2010-106268호의 단락 번호 0068~0075(대응하는 미국 특허출원 공개공보 제2011/0124824호의 [0112]~[0118])에 개시된 공중합 성분의 기재를 참조할 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.Examples of the components constituting the other constituent units are described in detail in JP-A-2010-106268, paragraphs 0068 to 0075 (corresponding to [0112] to [0118] of U.S. Patent Application Publication No. 2011/0124824) , The contents of which are incorporated herein by reference.
바람직한 다른 구성 단위로서는, 하기 식 (A2-1)로 나타나는 구성 단위를 들 수 있다.As a preferable other structural unit, a structural unit represented by the following formula (A2-1) may be mentioned.
[화학식 9][Chemical Formula 9]
식 (A2-1) 중, R5는 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내고, L4는 단결합 또는 연결기를 나타내며, R10은, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.In formula (A2-1), R 5 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, L 4 represents a single bond or a linking group, and R 10 represents an alkyl group or an aryl group.
식 (A2-1)의 R5는, 식 (A1-1)의 R1과 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.R 5 in the formula (A2-1) agrees with R 1 in the formula (A1-1), and the preferable range is also the same.
식 (A2-1)의 L4는, 단결합 또는 연결기를 나타낸다. 연결기로서는, 식 (A1-1)의 L1에서 설명한 연결기를 들 수 있고, 알킬렌기, -O-, -CO-, -COO-, -NR10-(R10은 수소 원자 혹은 알킬기를 나타낸다. 알킬기의 탄소수는 1~10이 바람직하고, 1~5가 보다 바람직함), 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기가 바람직하다.L 4 in the formula (A2-1) represents a single bond or a linking group. Examples of the linking group include linking groups described in L 1 of formula (A1-1), and examples thereof include an alkylene group, -O-, -CO-, -COO-, -NR 10 - (R 10 represents a hydrogen atom or an alkyl group). The number of carbon atoms of the alkyl group is preferably from 1 to 10, more preferably from 1 to 5), or a combination thereof.
식 (A2-1)의 R10으로 나타나는 알킬기는, 직쇄상, 분기상 또는 환상 중 어느 것이어도 된다. 알킬기의 탄소수는, 1~30이 바람직하고, 1~20이 보다 바람직하며, 1~10이 더 바람직하다. 알킬기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기로서는, 상술한 것을 들 수 있다.The alkyl group represented by R 10 in the formula (A2-1) may be any of linear, branched and cyclic. The number of carbon atoms of the alkyl group is preferably from 1 to 30, more preferably from 1 to 20, and even more preferably from 1 to 10. The alkyl group may have a substituent, and examples of the substituent include those described above.
식 (A2-1)의 R10으로 나타나는 아릴기는, 단환이어도 되고 다환이어도 되지만 단환이 바람직하다. 아릴기의 탄소수는 6~18이 바람직하고, 6~12가 보다 바람직하며, 6이 더 바람직하다.The aryl group represented by R 10 in formula (A2-1) may be monocyclic or polycyclic, but monocyclic is preferred. The aryl group preferably has 6 to 18 carbon atoms, more preferably 6 to 12 carbon atoms, and more preferably 6 carbon atoms.
중합체 (A)가, 다른 구성 단위(바람직하게는 식 (A2-1)로 나타나는 구성 단위)를 포함하는 경우, 식 (A1-1)로 나타나는 구성 단위와 다른 구성 단위의 몰비는, 95:5~20:80인 것이 바람직하고, 90:10~40:60인 것이 보다 바람직하다.When the polymer (A) contains another constituent unit (preferably a constituent unit represented by the formula (A2-1)), the molar ratio of the constituent unit represented by the formula (A1-1) to the other constituent unit is preferably 95: To 20:80, and more preferably 90:10 to 40:60.
중합체 (A)의 중량 평균 분자량은, 2000 이상이 바람직하고, 2000~200만이 보다 바람직하며, 6000~200,000이 더 바람직하다. 중합체 (A)의 중량 평균 분자량을 이와 같은 범위로 함으로써, 얻어지는 경화막의 내습성이 보다 향상되는 경향이 있다.The weight average molecular weight of the polymer (A) is preferably 2000 or more, more preferably 2,000 to 2,000, and still more preferably 6,000 to 200,000. When the weight average molecular weight of the polymer (A) is set in this range, the moisture resistance of the resulting cured film tends to be further improved.
중합체 (A)의 구체예로서는, 하기의 화합물 및 그 염을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 염을 구성하는 원자로서는, 금속 원자가 바람직하고, 알칼리 금속 원자 또는 알칼리 토류 금속 원자가 보다 바람직하다. 알칼리 금속 원자로서는, 나트륨, 칼륨 등을 들 수 있다. 알칼리 토류 금속 원자로서는, 칼슘, 마그네슘 등을 들 수 있다.Specific examples of the polymer (A) include the following compounds and salts thereof, but are not limited thereto. The atom constituting the salt is preferably a metal atom, more preferably an alkali metal atom or an alkaline earth metal atom. Examples of the alkali metal atom include sodium, potassium and the like. Examples of the alkaline earth metal atom include calcium, magnesium and the like.
[화학식 10][Chemical formula 10]
[화학식 11](11)
[화학식 12][Chemical Formula 12]
중합체 (A)는, 상술한 구성 단위를 구성하는 모노머를 중합 반응시킴으로써 얻어진다. 중합 반응은, 공지의 중합 개시제를 이용하여 반응시킬 수 있다. 중합 개시제로서는, 아조 중합 개시제를 사용할 수 있고, 구체적으로는, 수용성 아조 중합 개시제, 유용(油溶)성 아조 중합 개시제, 고분자 중합 개시제를 들 수 있다. 중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.The polymer (A) is obtained by subjecting a monomer constituting the above-mentioned constituent unit to polymerization reaction. The polymerization reaction can be carried out by using a known polymerization initiator. As the polymerization initiator, an azo polymerization initiator can be used. Specific examples thereof include a water-soluble azo polymerization initiator, an oil-soluble azo polymerization initiator, and a polymeric polymerization initiator. The polymerization initiator may be used alone or in combination of two or more.
모노머로서는, 예를 들면 이하에 나타내는 것을 들 수 있다.Examples of the monomer include those shown below.
[화학식 13][Chemical Formula 13]
[화학식 14][Chemical Formula 14]
수용성 아조 중합 개시제로서는, 예를 들면 시판품인 VA-044, VA-046B, V-50, VA-057, VA-061, VA-067, VA-086 등(상품명: 모두 와코 준야쿠 고교 가부시키가이샤제)을 이용할 수 있다. 유용성 아조 중합 개시제로서는, 예를 들면 시판품인 V-60, V-70, V-65, V-601, V-59, V-40, VF-096, VAm-110 등(상품명: 모두 와코 준야쿠 고교 가부시키가이샤제)을 이용할 수 있다. 고분자 중합 개시제로서는, 예를 들면 시판품인 VPS-1001, VPE-0201 등(상품명: 모두 와코 준야쿠 고교 가부시키가이샤제)을 이용할 수 있다.Examples of the water-soluble azo polymerization initiator include VA-044, VA-046B, V-50, VA-057, VA-061, VA-067 and VA-086 (trade names: all manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Can be used. Examples of usable azo polymerization initiators include commercially available products such as V-60, V-70, V-65, V-601, V-59, V-40, VF-096, VAm- Ltd.) can be used. As the polymeric polymerization initiator, for example, commercially available products such as VPS-1001 and VPE-0201 (all trade names, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) can be used.
<<구리 성분>><< Copper Ingredients >>
구리 성분은, 구리 또는 구리를 포함하는 화합물을 이용할 수 있고, 2가의 구리를 포함하는 화합물이 바람직하다. 구리의 함유량을 증가시킴으로써, 근적외선 차폐성이 향상되는 점에서, 근적외선 흡수성 조성물의 전체 고형분에 대하여, 구리를 원소 기준으로 10% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 20% 이상이 바람직하며, 30% 이상이 더 바람직하다. 상한은 특별히 없지만, 70% 이하가 바람직하고, 60% 이하가 더 바람직하다. 구리 성분은, 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 이용해도 된다.The copper component may be a compound containing copper or copper, and is preferably a compound containing divalent copper. It is preferable that copper is contained in an amount of 10% or more, preferably 20% or more, more preferably 30% or more in terms of the total solid content of the near infrared absorptive composition in view of improving near infrared ray shielding property by increasing the content of copper desirable. The upper limit is not particularly limited, but is preferably 70% or less, more preferably 60% or less. The copper component may be used alone, or two or more copper components may be used.
구리 성분으로서는, 예를 들면 산화 구리나 구리염을 이용할 수 있다. 구리염은, 예를 들면 카복실산 구리(예를 들면, 아세트산 구리, 에틸아세토아세트산, 폼산 구리, 벤조산 구리, 스테아르산 구리, 나프텐산 구리, 시트르산 구리, 2-에틸헥산산 구리 등), 설폰산 구리(예를 들면, 메테인설폰산 구리 등), 인산 구리, 인산 에스터 구리, 포스폰산 구리, 포스폰산 에스터 구리, 포스핀산 구리, 아마이드 구리, 설폰아마이드 구리, 이미드 구리, 아실설폰이미드 구리, 비스설폰이미드 구리, 메타이드 구리, 알콕시 구리, 페녹시 구리, 수산화 구리, 탄산 구리, 황산 구리, 질산 구리, 과염소산 구리, 염화 구리, 브로민화 구리가 바람직하고, 카복실산 구리, 설폰산 구리, 설폰아마이드 구리, 이미드 구리, 아실설폰이미드 구리, 비스설폰이미드 구리, 알콕시 구리, 페녹시 구리, 수산화 구리, 탄산 구리, 염화 구리, 황산 구리가 보다 바람직하며, 카복실산 구리, 아실설폰이미드 구리, 페녹시 구리, 염화 구리가 더 바람직하고, 카복실산 구리, 아실설폰이미드 구리가 특히 바람직하다.As the copper component, for example, copper oxide or copper salt can be used. Examples of the copper salt include copper carboxylate (for example, copper acetate, ethylacetoacetic acid, copper formate, copper benzoate, copper stearate, copper naphthenate, copper citrate and copper 2-ethylhexanoate) (For example, copper methanesulfonate), copper phosphate, phosphoric acid ester copper, copper phosphonate, phosphonate ester copper, copper phosphinate, amide copper, sulfonamide copper, imide copper, acylsulfonimide copper, bis Copper sulfide, copper sulfate, copper sulfide, copper sulfide, copper sulfide, copper sulfide, copper sulfide, copper sulfide, copper sulfide, copper sulfide, Copper, imide copper, acyl sulfone imide copper, bissulfone imide copper, alkoxy copper, phenoxy copper, copper hydroxide, copper carbonate, copper chloride, And more preferable are copper carboxylate, acylsulfonimide copper, phenoxy copper and copper chloride, and particularly preferable are copper carboxylate and acylsulfonimide copper.
<폴리머 구리 화합물의 제조 방법>≪ Process for producing polymer copper compound >
폴리머 구리 화합물은, 상술한 중합체 (A)와 구리 성분을 반응시켜 제조할 수 있다.The polymeric copper compound can be produced by reacting the above-mentioned polymer (A) with a copper component.
중합체 (A)와 반응시키는 구리 성분의 양은, 중합체 (A)의 전체 배위부(비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자와, 음이온으로 배위하는 배위 부위의 합계)와 구리 화합물을, 몰비로, 중합체 (A)의 전체 배위부:구리 화합물=1:0.05~2몰이 바람직하고, 1:0.1~1.4몰이 보다 바람직하며, 1:0.2~1.0몰이 더 바람직하다. 이와 같은 범위로 함으로써, 보다 높은 근적외선 차폐성을 갖는 경화막이 얻어지는 경향이 있다.The amount of the copper component to be reacted with the polymer (A) is such that the total coordination portion of the polymer (A) (the coordination atom coordinated with the unshared electron pair and the coordination site coordinated with the anion) Preferably 1: 0.1 to 1.4 moles, more preferably 1: 0.2 to 1.0 moles of the total coordination portion: copper compound = 1: 0.05 to 2 moles. By setting this range, a cured film having a higher near infrared ray shielding property tends to be obtained.
또, 구리 성분과 중합체 (A)를 반응시킬 때의 반응 조건은, 예를 들면 20~70℃에서, 0.5시간 이상으로 하는 것이 바람직하다.The reaction conditions at the time of reacting the copper component with the polymer (A) are preferably set at 20 to 70 캜 for 0.5 hour or more, for example.
또, 구리 성분은, 중합체 (A)와 반응시키기 전에, 후술하는 저분자 화합물인, 음이온으로 배위하는 배위 부위를 갖는 화합물, 및 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 부위를 갖는 화합물로부터 선택되는 1종 이상과 반응시켜도 된다. 이 양태에 의하면, 근적외선 차폐성, 내열성을 더 향상시킬 수 있다. 저분자 화합물은, 음이온으로 배위하는 배위 부위를 갖는 화합물이 바람직하다.The copper component is reacted with at least one member selected from a compound having a coordination site coordinated with an anion and a compound having a coordination site coordinated with a non-covalent electron pair, which is a low molecular compound, which will be described later, before being reacted with the polymer (A) . According to this embodiment, near infrared ray shielding property and heat resistance can be further improved. The low-molecular compound is preferably a compound having a coordination site coordinated with an anion.
구리 성분과 반응시키는 상기 저분자 화합물의 양은, 구리 성분과 저분자 화합물을, 몰비로 저분자 성분:구리 성분=1:0.05~2가 바람직하고, 1:0.2~1.4가 보다 바람직하다.The amount of the low molecular compound to be reacted with the copper component is preferably 1: 0.05 to 2, more preferably 1: 0.2 to 1.4 in terms of the molar ratio of the low molecular weight component and the low molecular weight component.
본 발명의 근적외선 흡수성 조성물은, 구리 성분과 중합체 (A)의 반응으로 얻어지는 화합물(폴리머 구리 화합물)을 함유하고 있으면 되지만, 미반응의 구리 성분이나 중합체 (A) 등을 함유해도 된다. 또, 상기 구리 성분 이외의 구리 화합물, 용제, 경화성 화합물, 바인더 폴리머, 계면활성제, 중합 개시제, 그 외의 성분을 함유해도 된다.The near infrared absorbing composition of the present invention may contain a compound (polymer copper compound) obtained by the reaction of the copper component and the polymer (A), but may contain the unreacted copper component or the polymer (A). In addition, copper compounds other than the copper component, a solvent, a curing compound, a binder polymer, a surfactant, a polymerization initiator, and other components may be contained.
<<다른 근적외선 흡수성 화합물>><< Other Near Infrared Absorbing Compound >>
본 발명의 근적외선 흡수성 조성물은, 근적외선 차폐성을 더 향상시킬 목적으로, 상술한 폴리머 구리 화합물 이외의 근적외선 흡수성 화합물(이하, 다른 근적외선 흡수성 화합물이라고도 함)을 배합해도 된다.The near infrared absorbing composition of the present invention may be blended with a near infrared absorbing compound (hereinafter also referred to as another near infrared absorbing compound) other than the above-mentioned polymer copper compound for the purpose of further improving the near infrared ray shielding property.
본 발명에서 이용하는 근적외선 흡수성 화합물은, 극대 흡수 파장 영역을 700~2500nm, 바람직하게는 700~1000nm의 범위 내(근적외선 영역)로 갖는 것이라면 특별히 제한되는 것은 아니다.The near infrared absorbing compound used in the present invention is not particularly limited as long as it has a maximum absorption wavelength region within the range of 700 to 2500 nm, preferably 700 to 1000 nm (near infrared region).
다른 근적외선 흡수성 화합물은, 구리 화합물이 바람직하고, 구리 착체가 보다 바람직하다.The other near infrared absorbing compound is preferably a copper compound, more preferably a copper complex.
다른 근적외선 흡수성 화합물을 배합하는 경우, 폴리머 구리 화합물과, 다른 근적외선 흡수성 화합물의 비(질량비)는, 10:90~95:5가 바람직하고, 20:80~90:10이 보다 바람직하며, 20:80~80:20이 더 바람직하다.The ratio of the polymer copper compound to other near infrared absorbing compound (mass ratio) is preferably from 10:90 to 95: 5, more preferably from 20:80 to 90:10, even more preferably from 20: 80 to 80:20 is more preferable.
다른 근적외선 흡수성 화합물로서는, 음이온으로 배위하는 배위 부위를 갖는 저분자 화합물(예를 들면, 분자량 1000 이하)과 구리 성분의 반응으로 얻어지는 구리 화합물, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 갖는 저분자 화합물(예를 들면, 분자량 1000 이하)과 구리 성분의 반응으로 얻어지는 구리 화합물 등을 이용할 수 있다.Examples of other near infrared absorbing compounds include copper compounds obtained by the reaction of a low molecular weight compound having a coordination site coordinated with an anion (for example, a molecular weight of 1000 or less) and a copper component, low molecular weight compounds having coordination atoms coordinated by a non- , A molecular weight of 1000 or less) and a copper component.
구리 화합물로서는, 예를 들면 하기 식 (B)로 나타나는 구리 착체를 이용할 수 있다.As the copper compound, for example, a copper complex represented by the following formula (B) can be used.
Cu(L)n1·(X)n2 식 (B)Cu (L) n1 (X) n2 ????? (B)
상기 식 (B) 중, L은, 구리에 배위하는 배위자를 나타내고, X는, 존재하지 않거나, 할로젠 원자, H2O, NO3, ClO4, SO4, CN, SCN, BF4, PF6, BPh4(Ph는 페닐기를 나타냄) 또는 알코올을 나타낸다. n1, n2는, 각각 독립적으로 1~4의 정수를 나타낸다.In the formula (B), L represents a ligand to be coordinated to copper, X does not exist, or a halogen atom, H 2 O, NO 3 , ClO 4 , SO 4 , CN, SCN, BF 4 , PF 6 , BPh 4 (Ph represents a phenyl group), or an alcohol. n1 and n2 each independently represent an integer of 1 to 4;
배위자 L은, 구리에 대하여 음이온으로 배위하는 배위 부위, 및 구리에 대하여 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자로부터 선택되는 1종 이상을 갖는 기이다. 음이온으로 배위하는 배위 부위는, 해리되어도 되고, 비해리되어도 된다. 비해리의 경우, X는 존재하지 않는다.The ligand L is a group having at least one selected from a coordination site coordinated with an anion for copper and a coordination atom coordinated with a non-covalent electron pair with respect to copper. The coordination site coordinated with the anion may be dissociated or compared. In contrast, X does not exist.
상기 구리 착체는, 중심 금속의 구리에 배위자가 배위한 구리 화합물이며, 구리는, 통상 2가의 구리이다. 예를 들면 구리 성분에 대하여, 배위자가 되는 화합물 또는 그 염을 혼합·반응 등 시켜 얻을 수 있다.The copper complex is a copper compound for ligating the ligand to the copper of the central metal, and the copper is usually bivalent copper. For example, by compounding or reacting a compound or salt thereof as a ligand with respect to a copper component.
배위자가 되는 화합물 또는 그 염으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 하기 일반식 (i)로 나타나는 화합물이 바람직하다.The compound or salt thereof to be a ligand is not particularly limited, but a compound represented by the following general formula (i) is preferable.
R100-(X100)n3 …(i)R100- (X100)n3 ... (i)
(일반식 (i) 중, X100은 배위 부위를 나타내고, n3은 1~6의 정수를 나타내며, R100은 단결합 또는 n가의 기를 나타낸다.)(In the general formula (i), X 100 represents a coordination site, n 3 represents an integer of 1 to 6, and R 100 represents a single bond or an n-valent group.)
일반식 (i) 중, X100은, 음이온으로 배위하는 배위 부위 및 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하고, 음이온으로 배위하는 배위 부위를 1종 이상 포함하는 것이 보다 바람직하다.In the general formula (i), X 100 is preferably at least one selected from a coordination site coordinated with an anion and a coordination atom coordinated with a non-covalent electron pair, more preferably at least one coordination site coordinated with an anion Do.
상기 음이온은, 구리 성분 중의 구리 원자에 배위 가능한 것이면 되고, 산소 음이온, 질소 음이온 또는 황 음이온이 바람직하다.The anion is preferably an oxygen anion, a nitrogen anion or a sulfur anion so long as it can coordinate to a copper atom in the copper component.
음이온으로 배위하는 배위 부위는, 예를 들면 상술한 군 (AN)으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.The coordination moiety coordinated with the anion is preferably at least one selected from the above-mentioned group (AN), for example.
음이온으로 배위하는 배위 부위의 예로서, 모노 음이온성 배위 부위도 들 수 있다. 모노 음이온성 배위 부위는, 1개의 부전하를 갖는 관능기를 개재하여 구리 원자와 배위하는 부위를 나타낸다. 예를 들면, 산해리 상수(pKa)가 12 이하인 산기를 들 수 있다. 구체적으로는, 인 원자를 함유하는 산기(인산 다이에스터기, 포스폰산 모노에스터기, 포스핀산기 등), 설포기, 카복실기, 이미드산기 등을 들 수 있고, 설포기, 카복실기가 바람직하며, 카복실기가 보다 바람직하다.Examples of coordination sites coordinated with anions include monoanionic coordination sites. The monoanionic coordination site represents a moiety coordinating with a copper atom via a functional group having one negatively charged moiety. For example, an acid group having a acid dissociation constant (pKa) of 12 or less can be mentioned. Specific examples thereof include acid groups (phosphoric acid diastereoisomeric groups, phosphonic acid monoester groups and phosphinic acid groups) containing a phosphorus atom, sulfo groups, carboxyl groups, imidic acid groups and the like, and a sulfo group and a carboxyl group are preferable , And a carboxyl group is more preferable.
비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자는, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자 또는 인 원자를 포함하는 것이 바람직하고, 산소 원자, 질소 원자 또는 황 원자를 포함하는 것이 보다 바람직하며, 질소 원자를 포함하는 것이 더 바람직하다. 또, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자가 질소 원자이며, 이러한 질소 원자에 인접하는 원자가 탄소 원자인 양태가 바람직하고, 이러한 탄소 원자가 치환기를 갖는 것도 바람직하다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 구리 착체의 구조가 보다 변형되기 쉬워지기 때문에, 색가를 보다 향상시킬 수 있다. 치환기는, 후술하는 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 포함하는 환이 갖고 있어도 되는 치환기와 동의이며, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 6~12의 아릴기, 카복실기, 탄소수 1~12의 알콕시기, 탄소수 2~12의 아실기, 탄소수 1~12의 알킬싸이오기, 할로젠 원자가 바람직하다.The coordinating atom coordinated with a non-covalent electron pair preferably contains an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom or a phosphorus atom, more preferably an oxygen atom, a nitrogen atom or a sulfur atom, more preferably a nitrogen atom desirable. It is also preferable that the coordination atom coordinated with the unshared electron pair is a nitrogen atom and the atom adjacent to the nitrogen atom is a carbon atom, and such a carbon atom preferably has a substituent. With this structure, the structure of the copper complex is more easily deformed, so that the color value can be further improved. The substituent is the same as the substituent which the ring containing the coordinating atom coordinated by a non-covalent electron pair described below may have and includes an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a carboxyl group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, An acyl group having 2 to 12 carbon atoms, an alkylthio group having 1 to 12 carbon atoms, and a halogen atom are preferable.
비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자는, 환에 포함되어 있어도 되고, 상술한 군 (UE)로부터 선택되는 적어도 1종의 부분 구조에 포함되어 있어도 된다.The coordinating atoms coordinated with a non-covalent electron pair may be contained in the ring or may be contained in at least one partial structure selected from the group UE described above.
비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자가 환에 포함되는 경우, 배위 원자를 포함하는 환은, 단환이어도 되고 다환이어도 되며, 또 방향족이어도 되고 비방향족이어도 된다. 바람직하게는, 5~12원환이며, 보다 바람직하게는 5~7원환이고, 더 바람직하게는 5원환 또는 6원환이다.When the coordinating atoms coordinated with the unshared electron pair are included in the ring, the ring containing the coordinating atom may be monocyclic or polycyclic, and may be aromatic or non-aromatic. Is preferably a 5- to 12-membered ring, more preferably a 5- to 7-membered ring, more preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring.
비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 포함하는 환은, 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 탄소수 1~10의 직쇄상, 분기상 또는 환상의 알킬기, 탄소수 6~12의 아릴기, 할로젠 원자, 규소 원자, 탄소수 1~12의 알콕시기, 탄소수 1~12의 아실기, 탄소수 1~12의 알킬싸이오기, 카복실기 등을 들 수 있다.A ring containing a coordinating atom coordinated with a non-covalent electron pair may have a substituent. Examples of the substituent include a linear, branched or cyclic alkyl group of 1 to 10 carbon atoms, an aryl group of 6 to 12 carbon atoms, a halogen atom, a silicon atom, an alkoxy group of 1 to 12 carbon atoms, an acyl group of 1 to 12 carbon atoms, An alkylthio group having 1 to 12 carbon atoms, and a carboxyl group.
상기 치환기는, 치환기를 더 갖고 있어도 된다. 이와 같은 치환기로서는, 예를 들면 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 포함하는 환으로 이루어지는 기, 상술한 군 (UE)로부터 선택되는 적어도 1종의 부분 구조를 포함하는 기, 탄소수 1~12의 알킬기, 탄소수 1~12의 아실기, 하이드록시기 등을 들 수 있다.The substituent may further have a substituent. Examples of such a substituent include a group comprising a ring containing a coordinating atom coordinated with a non-covalent electron pair, a group containing at least one partial structure selected from the above-mentioned group (UE), an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, An acyl group having 1 to 12 carbon atoms, and a hydroxyl group.
일반식 (i) 중, n3은 1~6의 정수를 나타내고, 1~3이 바람직하며, 2 또는 3이 보다 바람직하고, 3이 더 바람직하다.In the general formula (i), n3 represents an integer of 1 to 6, preferably 1 to 3, more preferably 2 or 3, and further preferably 3.
일반식 (i) 중, R100은 단결합 또는 n가의 기를 나타낸다. n가의 기로서는, n가의 유기기, 또는 n가의 유기기와, -O-, -SO-, -SO2-, -NRN1-, -CO-, -CS-의 조합으로 이루어지는 기가 바람직하다. n가의 유기기는, 탄화 수소기, 옥시알킬렌기, 헤테로환기 등을 들 수 있다. 또, n가의 기는, 상술한 군 (AN-1)로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 기, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 포함하는 환, 또는 상술한 군 (UE-1)로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 기여도 된다.In the general formula (i), R 100 represents a single bond or an n-valent group. The n-valent group is preferably an n-valent organic group or a group formed by a combination of an n-valent organic group and -O-, -SO-, -SO 2 -, -NR N 1 -, -CO-, and -CS-. The n-valent organic group includes a hydrocarbon group, an oxyalkylene group, and a heterocyclic group. The n-valent group includes at least one group selected from the above-mentioned group (AN-1), a ring containing coordinating atoms coordinated to a pair of non-covalent electrons, or a group containing at least A contribution including one species may also be made.
탄화 수소기는, 지방족 탄화 수소기 또는 방향족 탄화 수소기가 바람직하다. 탄화 수소기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기로서는, 알킬기, 할로젠 원자(바람직하게는 불소 원자), 중합성기(예를 들면, 바이닐기, (메트)아크릴로일기, 에폭시기, 옥세테인기 등), 설포기, 카복실기, 인 원자를 함유하는 산기, 카복실산 에스터기(예를 들면 -CO2CH3), 하이드록실기, 알콕시기(예를 들면 메톡시기), 아미노기, 카바모일기, 카바모일옥시기, 할로젠화 알킬기(예를 들면 플루오로알킬기, 클로로알킬기), (메트)아크릴로일옥시기 등을 들 수 있다. 탄화 수소기가 치환기를 갖는 경우, 치환기를 더 갖고 있어도 되고, 치환기로서는 알킬기, 상기 중합성기, 할로젠 원자 등을 들 수 있다.The hydrocarbon group is preferably an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. The hydrocarbon group may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, a halogen atom (preferably a fluorine atom), a polymerizable group (e.g., a vinyl group, a (meth) acryloyl group, an epoxy group, (For example, -CO 2 CH 3 ), a hydroxyl group, an alkoxy group (for example, methoxy group), an amino group, a carbamoyl group, a carbamoyl group, a carboxyl group, A halogenated alkyl group (e.g., a fluoroalkyl group, a chloroalkyl group), (meth) acryloyloxy group, and the like. When the hydrocarbon group has a substituent, it may further have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, a polymerizable group, and a halogen atom.
상기 탄화 수소기가 1가인 경우, 알킬기, 알켄일기 또는 아릴기가 바람직하고, 아릴기가 보다 바람직하다. 탄화 수소기가 2가인 경우, 알킬렌기, 아릴렌기, 옥시알킬렌기가 바람직하고, 아릴렌기가 보다 바람직하다. 탄화 수소기가 3가 이상인 경우에는, 상기 1가의 탄화 수소기 또는 2가의 탄화 수소기에 대응하는 것이 바람직하다.When the hydrocarbon group is monovalent, an alkyl group, an alkenyl group or an aryl group is preferable, and an aryl group is more preferable. When the hydrocarbon group is divalent, an alkylene group, an arylene group, or an oxyalkylene group is preferable, and an arylene group is more preferable. When the hydrocarbon group is trivalent or more, it is preferable that the hydrocarbon group corresponds to the monovalent hydrocarbon group or the divalent hydrocarbon group.
알킬기 및 알킬렌기는, 직쇄상, 분기상 또는 환상 중 어느 것이어도 된다. 직쇄상의 알킬기 및 알킬렌기의 탄소수는, 1~20이 바람직하고, 1~12가 보다 바람직하며, 1~8이 더 바람직하다. 분기상의 알킬기 및 알킬렌기의 탄소수는, 3~20이 바람직하고, 3~12가 보다 바람직하며, 3~8이 더 바람직하다. 환상의 알킬기 및 알킬렌기는, 단환, 다환 중 어느 것이어도 된다. 환상의 알킬기 및 알킬렌기의 탄소수는, 3~20이 바람직하고, 4~10이 보다 바람직하며, 6~10이 더 바람직하다.The alkyl group and the alkylene group may be any of linear, branched or cyclic. The straight-chain alkyl group and the alkylene group preferably have 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, and even more preferably 1 to 8 carbon atoms. The number of carbon atoms in the branched alkyl group and alkylene group is preferably from 3 to 20, more preferably from 3 to 12, and still more preferably from 3 to 8. The cyclic alkyl group and alkylene group may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms in the cyclic alkyl group and the alkylene group is preferably from 3 to 20, more preferably from 4 to 10, and still more preferably from 6 to 10.
알켄일기 및 알켄일렌기의 탄소수는, 2~10이 바람직하고, 2~8이 보다 바람직하며, 2~4가 더 바람직하다.The number of carbon atoms of the alkenyl group and the alkenylene group is preferably from 2 to 10, more preferably from 2 to 8, and even more preferably from 2 to 4.
아릴기 및 아릴렌기의 탄소수는, 6~18이 바람직하고, 6~14가 보다 바람직하며, 6~10이 더 바람직하다.The carbon number of the aryl group and the arylene group is preferably 6 to 18, more preferably 6 to 14, and even more preferably 6 to 10.
헤테로환기는, 지환기 중에 헤테로 원자가 있는 것 또는 방향족 헤테로환기를 들 수 있다. 헤테로환기로서는, 5원환 또는 6원환이 바람직하다. 또, 헤테로환기는, 단환 또는 축합환이며, 단환 또는 축합수가 2~8인 축합환이 바람직하고, 단환 또는 축합수가 2~4인 축합환이 보다 바람직하다. 헤테로환기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기로서는, 상술한 탄화 수소기를 갖고 있어도 되는 치환기와 동의이다.The heterocyclic group may be one having a hetero atom in the vicinal group or an aromatic heterocyclic group. The heterocyclic group is preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring. The heterocyclic group is preferably a monocyclic or condensed ring, preferably a monocyclic or condensed ring having 2 to 8 condensed rings, more preferably a monocyclic or condensed ring having 2 to 4 condensed rings. The heterocyclic group may have a substituent, and the substituent is the same as the above-mentioned substituent which may have a hydrocarbon group.
-NRN1-에 있어서, RN1은, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다. RN1에 있어서의 알킬기로서는, 쇄상, 분기상, 환상 중 어느 것이어도 된다. 직쇄상 또는 분기상의 알킬기의 탄소수는, 1~20이 바람직하고, 1~12가 보다 바람직하다. 환상의 알킬기는, 단환, 다환 중 어느 것이어도 된다. 환상의 알킬기의 탄소수는, 3~20이 바람직하고, 4~14가 보다 바람직하다.In -NR N1 -, R N1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or an aralkyl group. The alkyl group in R N1 may be any of chain, branched, and cyclic. The number of carbon atoms of the linear or branched alkyl group is preferably from 1 to 20, more preferably from 1 to 12. The cyclic alkyl group may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms of the cyclic alkyl group is preferably from 3 to 20, more preferably from 4 to 14.
RN1에 있어서의 아릴기의 탄소수는, 6~18이 바람직하고, 6~14가 보다 바람직하다. 구체적으로는, 페닐기, 나프틸기 등이 예시된다. RN1에 있어서의 아랄킬기로서는, 탄소수 7~20의 아랄킬기가 바람직하고, 무치환의 탄소수 7~15의 아랄킬기가 보다 바람직하다.The carbon number of the aryl group in R N1 is preferably 6 to 18, more preferably 6 to 14. Specific examples thereof include a phenyl group and a naphthyl group. As the aralkyl group in R N1 , an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms is preferable, and an unsubstituted aralkyl group having 7 to 15 carbon atoms is more preferable.
배위자가 되는 화합물의 구체적인 형태로서는, 적어도 2개소의 배위 부위를 갖는 화합물이 바람직하다. 구체적으로는, 음이온으로 배위하는 배위 부위를 1개 이상과 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상을 포함하는 화합물(이하, 화합물 (B1)이라고도 함), 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 2개 이상 갖는 화합물(이하, 화합물 (B2)라고도 함), 음이온으로 배위하는 배위 부위를 2개 포함하는 화합물(이하, 화합물 (B3)이라고도 함) 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 각각 독립적으로, 1종 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.As a specific form of the compound to be a ligand, a compound having at least two coordination sites is preferable. Specifically, a compound (hereinafter also referred to as a compound (B1)) containing at least one coordination atom coordinated with an anion and at least one coordination atom coordinating to a non-covalent electron pair, a coordination atom coordinated with a non- (Hereinafter also referred to as a compound (B2)), and a compound containing two coordination sites coordinated to an anion (hereinafter also referred to as a compound (B3)). These compounds may be used independently or in combination of two or more.
또, 배위자가 되는 화합물은, 배위 부위를 1개만 갖는 화합물을 이용할 수도 있다.The compound to be a ligand may be a compound having only one coordination site.
<<화합물 (B1)>>≪ Compound (B1) >
화합물 (B1)은, 1분자내 중의 음이온으로 배위하는 배위 부위와 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자의 합계가 2개 이상이면 되고, 3개여도 되며, 4개여도 된다.The total of the coordination sites coordinated with the anions in one molecule and coordination atoms coordinated with the non-covalent electron pair may be two or more, three or four.
화합물 (B1)로서는, 예를 들면 하기 식 (i-1)로 나타나는 화합물이 바람직하다.As the compound (B1), for example, a compound represented by the following formula (i-1) is preferable.
X11-L11-Y11 …(i-1)X 11 -L 11 -Y 11 ... (i-1)
X11은, 상술한 군 (AN)으로 나타나는 배위 부위를 나타낸다.X 11 represents a coordination site represented by the above-mentioned group (AN).
Y11은, 상술한 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 포함하는 환, 또는 군 (UE)로 나타나는 부분 구조를 나타낸다.Y 11 represents a partial structure represented by a ring or a group (UE) containing coordination atoms coordinated to the above-described non-covalent electron pair.
L11은, 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 2가의 연결기로서는, 탄소수 1~12의 알킬렌기, 탄소수 6~12의 아릴렌기, -SO-, -SO2-, -O-, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기가 바람직하다.L 11 represents a single bond or a divalent linking group. The divalent linking group is preferably an alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, an arylene group having 6 to 12 carbon atoms, -SO-, -SO 2 -, -O-, or a combination thereof.
화합물 (B1)의 보다 상세한 예로서, 하기 일반식 (i-2)~(i-9)로 나타나는 화합물도 들 수 있다.As a more specific example of the compound (B1), compounds represented by the following general formulas (i-2) to (i-9) are also exemplified.
X12-L12-Y12-L13-X13 …(i-2)X 12 -L 12 -Y 12 -L 13 -X 13 ... (i-2)
Y13-L14-Y14-L15-X14 …(i-3)Y 13 -L 14 -Y 14 -L 15 -X 14 ... (i-3)
Y15-L16-X15-L17-X16 …(i-4)Y 15 -L 16 -X 15 -L 17 -X 16 ... (i-4)
Y16-L18-X17-L19-Y17 …(i-5)Y 16 -L 18 -X 17 -L 19 -Y 17 ... (i-5)
X18-L20-Y18-L21-Y19-L22-X19 …(i-6)X 18 -L 20 -Y 18 -L 21 -Y 19 -L 22 -X 19 ... (i-6)
X19-L23-Y20-L24-Y21-L25-Y22 …(i-7)X 19 -L 23 -Y 20 -L 24 -Y 21 -L 25 -Y 22 ... (i-7)
Y23-L26-X20-L27-X21-L28-Y24 …(i-8)Y 23 -L 26 -X 20 -L 27 -X 21 -L 28 -Y 24 ... (i-8)
Y25-L29-X22-L30-Y26-L31-Y27 …(i-9)Y 25 -L 29 -X 22 -L 30 -Y 26 -L 31 -Y 27 ... (i-9)
일반식 (i-2)~(i-9) 중, X12~X14, X18, X19는 각각 독립적으로, 상술한 군 (AN)으로 나타나는 배위 부위를 나타낸다. 또, X15, X17, X20~X22는 각각 독립적으로, 상술한 군 (AN-1)로 나타나는 배위 부위를 나타낸다.In the general formulas (i-2) to (i-9), X 12 to X 14 , X 18 and X 19 each independently represent a coordination site represented by the above-mentioned group (AN). Each of X 15 , X 17 and X 20 to X 22 independently represents a coordination site represented by the aforementioned group (AN-1).
일반식 (i-2)~(i-9) 중, L12~L31은 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 2가의 연결기는, 일반식 (i-1) 중의 L1이 2가의 연결기를 나타내는 경우와 동의이다.In the general formulas (i-2) to (i-9), L 12 to L 31 each independently represent a single bond or a divalent linking group. The divalent linking group is synonymous with the case where L 1 in the general formula (i-1) represents a divalent linking group.
화합물 (B1)로서는, 식 (i-10) 또는 식 (i-11)로 나타나는 화합물이 바람직하다.As the compound (B1), a compound represented by the formula (i-10) or (i-11) is preferable.
[화학식 15][Chemical Formula 15]
식 (i-10) 중, X2는, 음이온으로 배위하는 배위 부위를 포함하는 기를 나타낸다. Y2는, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자 또는 인 원자를 나타낸다. A1 및 A5는, 각각 독립적으로 탄소 원자, 질소 원자 또는 인 원자를 나타낸다. A2~A4는, 각각 독립적으로 탄소 원자, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자 또는 인 원자를 나타낸다. R1은, 치환기를 나타낸다. RX2는, 치환기를 나타낸다. n2는 0~3의 정수를 나타낸다.In the formula (i-10), X 2 represents a group including a coordination site coordinated with an anion. Y 2 represents an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom or a phosphorus atom. A 1 and A 5 each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom or a phosphorus atom. A 2 to A 4 each independently represent a carbon atom, an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom or a phosphorus atom. R 1 represents a substituent. R X2 represents a substituent. n2 represents an integer of 0 to 3;
식 (i-10) 중, X2는, 상기 음이온으로 배위하는 배위 부위를 포함하는 기만으로 이루어져 있어도 되고, 상기 음이온으로 배위하는 배위 부위를 포함하는 기가 치환기를 갖고 있어도 된다. 음이온으로 배위하는 배위 부위를 포함하는 기가 갖고 있어도 되는 치환기는, 할로젠 원자, 카복실기, 헤테로환기를 들 수 있다. 치환기로서의 헤테로환기는, 단환이어도 되고 다환이어도 되며, 또 방향족이어도 되고 비방향족이어도 된다. 헤테로환을 구성하는 헤테로 원자의 수는 1~3이 바람직하다. 헤테로환을 구성하는 헤테로 원자는, 질소 원자가 바람직하다.In the formula (i-10), X 2 may be composed only of a group including a coordination site coordinated with the anion, and the group including a coordination site coordinated with the anion may have a substituent. Examples of the substituent which the group containing the coordination site coordinated to the anion may have include a halogen atom, a carboxyl group and a heterocyclic group. The heterocyclic group as a substituent may be monocyclic or polycyclic, and may be aromatic or non-aromatic. The number of heteroatoms constituting the heterocycle is preferably from 1 to 3. The hetero atom constituting the heterocycle is preferably a nitrogen atom.
식 (i-10) 중, Y2는, 산소 원자, 질소 원자 또는 황 원자가 바람직하고, 산소 원자 또는 질소 원자가 보다 바람직하며, 질소 원자가 더 바람직하다.In formula (i-10), Y 2 is preferably an oxygen atom, a nitrogen atom or a sulfur atom, more preferably an oxygen atom or a nitrogen atom, and more preferably a nitrogen atom.
식 (i-10) 중, A1 및 A5는, 탄소 원자가 바람직하다.In the formula (i-10), A 1 and A 5 are preferably carbon atoms.
식 (i-10) 중, A2 및 A3은, 탄소 원자를 나타내는 것이 바람직하다. A4는, 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타내는 것이 바람직하다.In the formula (i-10), A 2 and A 3 preferably represent a carbon atom. A 4 is preferably a carbon atom or a nitrogen atom.
식 (i-10) 중, R1은, 상술한 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 포함하는 환이 갖고 있어도 되는 치환기와 동의이다.In the formula (i-10), R 1 is the same as the substituent which the ring containing the coordinating atom coordinated with the above-described non-covalent electron pair may have.
식 (i-10) 중, RX2는, 상술한 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 포함하는 환이 갖고 있어도 되는 치환기와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.In the formula (i-10), R X2 is synonymous with the substituent group which the ring containing coordination atoms coordinated with the above-described non-covalent electron pair may have, and the preferable range is also the same.
식 (i-10) 중, n2는 0~3의 정수를 나타내고, 0 또는 1이 바람직하며, 0이 보다 바람직하다.In the formula (i-10), n2 represents an integer of 0 to 3, preferably 0 or 1, and more preferably 0.
식 (i-10)으로 나타나는 화합물은, Y2를 포함하는 헤테로환이, 단환 구조여도 되고, 다환 구조여도 된다. Y2를 포함하는 헤테로환이 단환 구조인 경우의 구체예로서는, 피리딘환, 피리다진환, 피리미딘환, 피라진환, 트라이아진환, 피란환 등을 들 수 있다. Y2를 포함하는 헤테로환이 다환 구조인 경우의 구체예로서는, 퀴놀린환, 아이소퀴놀린환, 퀴녹살린환, 아크리딘환 등을 들 수 있다.The compound represented by the formula (i-10) may be a monocyclic structure or a polycyclic structure with a hetero ring containing Y 2 . Specific examples of the heterocyclic ring containing Y 2 in the monocyclic structure include a pyridine ring, a pyridazin ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazin ring, and a pyran ring. Specific examples of the heterocyclic ring containing Y 2 include a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinoxaline ring, an acridine ring, and the like.
식 (i-11) 중, X3은, 상기 음이온으로 배위하는 배위 부위를 포함하는 기를 나타낸다. Y3은, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자 또는 인 원자를 나타낸다. A6 및 A9는, 각각 독립적으로 탄소 원자, 질소 원자 또는 인 원자를 나타낸다. A7 및 A8은, 각각 독립적으로 탄소 원자, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자 또는 인 원자를 나타낸다. R2는, 치환기를 나타낸다. RX3은, 치환기를 나타낸다. n3은 0~2의 정수를 나타낸다.In the formula (i-11), X 3 represents a group including a coordination site coordinated with the anion. Y 3 represents an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom or a phosphorus atom. A 6 and A 9 each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom or a phosphorus atom. A 7 and A 8 each independently represent a carbon atom, an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom or a phosphorus atom. R 2 represents a substituent. R X3 represents a substituent. and n3 represents an integer of 0 to 2.
식 (i-11) 중, X3은, 식 (i-10) 중의 X2와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.In the formula (i-11), X 3 is the same as X 2 in the formula (i-10), and the preferable range is also the same.
식 (i-3) 중, Y3은, 산소 원자, 질소 원자 또는 황 원자가 바람직하고, 산소 원자 또는 질소 원자가 보다 바람직하다.In the formula (i-3), Y 3 is preferably an oxygen atom, a nitrogen atom or a sulfur atom, more preferably an oxygen atom or a nitrogen atom.
식 (i-11) 중, A6은, 탄소 원자 또는 질소 원자가 바람직하다. A9는, 탄소 원자가 바람직하다.In the formula (i-11), A 6 is preferably a carbon atom or a nitrogen atom. A 9 is preferably a carbon atom.
식 (i-11) 중, A7은, 탄소 원자가 바람직하다. A8은, 탄소 원자, 질소 원자 또는 황 원자가 바람직하다.In the formula (i-11), A 7 is preferably a carbon atom. A 8 is preferably a carbon atom, a nitrogen atom or a sulfur atom.
식 (i-11) 중, R2는, 소수적인 치환기가 바람직하고, 탄소수 1~30의 탄화 수소기가 보다 바람직하며, 탄소수 3~30의 알킬기 또는 탄소수 6~30의 아릴기가 더 바람직하고, 탄소수 3~15의 알킬기가 특히 바람직하다.In the formula (i-11), R 2 is preferably a hydrophobic substituent, more preferably a hydrocarbon group of 1 to 30 carbon atoms, more preferably an alkyl group of 3 to 30 carbon atoms or an aryl group of 6 to 30 carbon atoms, An alkyl group of 3 to 15 is particularly preferred.
식 (i-11) 중, RX3은, 식 (i-10) 중의 RX2와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.In the formula (i-11), R X3 is synonymous with R X2 in the formula (i-10), and the preferable range is also the same.
식 (i-11) 중, n3은, 0 또는 1이 바람직하고, 0이 보다 바람직하다.In the formula (i-11), n3 is preferably 0 or 1, and more preferably 0.
식 (i-11)로 나타나는 화합물은, Y3을 포함하는 헤테로환이, 단환 구조여도 되고, 다환 구조여도 된다. Y3을 포함하는 헤테로환이 단환 구조인 경우의 구체예로서는, 피라졸환, 이미다졸환, 트라이아졸환, 옥사졸환, 싸이아졸환, 아이소싸이아졸환 등을 들 수 있다. Y3을 포함하는 헤테로환이 다환 구조인 경우의 구체예로서는, 인돌환, 아이소인돌환, 벤조퓨란환, 아이소벤조퓨란환 등을 들 수 있다.As the compound represented by the formula (i-11), the heterocycle containing Y 3 may be a monocyclic structure or a polycyclic structure. Specific examples of the heterocyclic ring containing Y 3 in the monocyclic structure include a pyrazole ring, an imidazole ring, a triazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring and an isothiazole ring. Specific examples of the heterocyclic ring containing Y 3 include a polycyclic structure include an indole ring, an isoindole ring, a benzofuran ring, and an isobenzofuran ring.
특히, 식 (i-11)로 나타나는 화합물은, 피라졸환을 포함하는 화합물로서 피라졸환의 5위에 2급 또는 3급의 알킬기를 갖는 것이 바람직하다. 본원 명세서에 있어서, 식 (i-11)로 나타나는 화합물이, 피라졸환을 포함하는 화합물인 경우의 피라졸환의 5위란, 상기 (i-3) 중의 Y3 및 A6이 질소 원자를 나타내고, A7~A9가 탄소 원자를 나타내는 경우의 R2의 치환 위치를 말한다. 피라졸환의 5위에 있어서의 2급 또는 3급의 알킬기의 탄소수는, 3~15가 바람직하고, 3~12가 보다 바람직하다.In particular, it is preferable that the compound represented by the formula (i-11) has a secondary or tertiary alkyl group at the 5th position of the pyrazole ring as a compound containing a pyrazole ring. In the present specification, the 5th position of the pyrazole ring in the case where the compound represented by the formula (i-11) is a compound containing a pyrazole ring, Y 3 and A 6 in the above-mentioned (i-3) 7 ~ 9 a refers to the substitution position of R 2 cases showing a carbon atom. The carbon number of the secondary or tertiary alkyl group at the 5th position of the pyrazole ring is preferably 3 to 15, more preferably 3 to 12.
화합물 (B1)의 분자량은, 1000 이하가 바람직하고, 750 이하가 보다 바람직하며, 600 이하가 더 바람직하다. 또, 화합물 (B1)의 분자량은, 50 이상이 바람직하고, 80 이상이 보다 바람직하다.The molecular weight of the compound (B1) is preferably 1000 or less, more preferably 750 or less, and still more preferably 600 or less. The molecular weight of the compound (B1) is preferably 50 or more, more preferably 80 or more.
화합물 (B1)의 구체예로서는, 이하에 나타내는 화합물 및 그 염을 들 수 있다. 염을 구성하는 원자로서는, 금속 원자, 테트라뷰틸암모늄 등을 들 수 있다. 금속 원자로서는, 알칼리 금속 원자 또는 알칼리 토류 금속 원자가 보다 바람직하다. 알칼리 금속 원자로서는, 나트륨, 칼륨 등을 들 수 있다. 알칼리 토류 금속 원자로서는, 칼슘, 마그네슘 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound (B1) include the following compounds and salts thereof. Examples of the atoms constituting the salt include metal atoms and tetrabutylammonium. As the metal atom, an alkali metal atom or an alkaline earth metal atom is more preferable. Examples of the alkali metal atom include sodium, potassium and the like. Examples of the alkaline earth metal atom include calcium, magnesium and the like.
[화학식 16][Chemical Formula 16]
<<화합물 (B2)>>≪ Compound (B2) >
화합물 (B2)는, 1분자 내에, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 2개 이상 갖고 있으면 되고, 3개 이상 갖고 있어도 되며, 2~4개 갖고 있는 것이 바람직하다.The compound (B2) may contain two or more coordination atoms coordinated with a pair of non-covalent electrons in one molecule, or may have three or more coordination atoms and preferably have 2 to 4 coordination atoms.
화합물 (B2)는, 예를 들면 하기 일반식 (ii-1)로 나타나는 화합물이 바람직하다.The compound (B2) is, for example, a compound represented by the following formula (ii-1).
Y40-L40-Y41 …(ii-1)Y 40- L 40 -Y 41 ... (ii-1)
일반식 (ii-1) 중, Y40 및 Y41은 각각 독립적으로, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 포함하는 환, 또는 군 (UE)로 나타나는 부분 구조를 나타낸다.In the general formula (ii-1), Y 40 and Y 41 each independently represent a partial structure represented by a ring or a group (UE) containing coordinating atoms coordinated to a non-covalent electron pair.
일반식 (ii-1) 중, L40은, 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. L1이 2가의 연결기를 나타내는 경우, 탄소수 1~12의 알킬렌기, 탄소수 6~12의 아릴렌기, -SO-, -O-, -SO2- 또는, 이들의 조합으로 이루어지는 기가 바람직하고, 탄소수 1~3의 알킬렌기, 페닐렌기 또는 -SO2-가 바람직하다.In the general formula (ii-1), L 40 represents a single bond or a divalent linking group. When L 1 represents a divalent linking group, an alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, an arylene group having 6 to 12 carbon atoms, -SO-, -O-, -SO 2 -, or a combination thereof is preferable, An alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, a phenylene group or -SO 2 -.
화합물 (B2)의 보다 상세한 예로서, 하기 일반식 (ii-2) 또는 (ii-3)으로 나타나는 화합물도 들 수 있다.As a more specific example of the compound (B2), a compound represented by the following formula (ii-2) or (ii-3) is also exemplified.
Y42-L41-Y43-L42-Y44 …(ii-2)Y 42 -L 41 -Y 43 -L 42 -Y 44 ... (ii-2)
Y45-L43-Y46-L44-Y47-L45-Y48 …(ii-3)Y 45 -L 43 -Y 46 -L 44 -Y 47 -L 45 -Y 48 ... (ii-3)
일반식 (ii-2) 및 (ii-3) 중, Y42, Y44, Y45 및 Y48은 각각 독립적으로, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 포함하는 환, 또는 군 (UE)로 나타나는 부분 구조를 나타낸다.Y 42 , Y 44 , Y 45 and Y 48 in the general formulas (ii-2) and (ii-3) are each independently a ring containing a coordinating atom coordinated to a non-covalent electron pair, Represents a partial structure.
또, Y43, Y46, Y47은 각각 독립적으로, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 포함하는 환, 또는 상술한 군 (UE-1)로 나타나는 부분 구조이다.Y 43 , Y 46 and Y 47 each independently represent a ring containing a coordinating atom coordinated with a non-covalent electron pair, or a partial structure represented by the group (UE-1) described above.
일반식 (ii-2) 및 (ii-3) 중, L41~L48은 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 2가의 연결기는, 일반식 (ii-1) 중의 L40이 2가의 연결기를 나타내는 경우와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.In the general formula (ii-2) and (ii-3), L 41 ~ L 48 represents a single bond or a divalent connecting group independently. The divalent linking group is synonymous with the case where L 40 in the general formula (ii-1) represents a divalent linking group, and the preferable range is also the same.
화합물 (B2)의 분자량은, 1000 이하가 바람직하고, 750 이하가 보다 바람직하며, 600 이하가 더 바람직하다. 또, 화합물 (B2)의 분자량은, 50 이상이 바람직하고, 80 이상이 보다 바람직하다.The molecular weight of the compound (B2) is preferably 1000 or less, more preferably 750 or less, and still more preferably 600 or less. The molecular weight of the compound (B2) is preferably 50 or more, more preferably 80 or more.
화합물 (B2)의 구체예로서는, 이하를 들 수 있다.Specific examples of the compound (B2) include the following.
[화학식 17][Chemical Formula 17]
<<화합물 (B3)>>≪ Compound (B3) >
화합물 (B3)은, 음이온으로 배위하는 배위 부위를 2개 갖는다. 음이온으로 배위하는 배위 부위는, 상술한 음이온으로 배위하는 배위 부위와 동의이다.The compound (B3) has two coordination sites coordinated with anions. The coordination site coordinated with the anion is in agreement with the coordination site coordinated with the above-mentioned anion.
화합물 (B3)으로서는, 하기 일반식 (iii-1)로 나타나는 화합물이 바람직하다.As the compound (B3), a compound represented by the following general formula (iii-1) is preferable.
X50-L50-X51 (iii-1)X 50 -L 50 -X 51 (iii-1)
일반식 (iii-1) 중, X50 및 X51은, 각각 독립적으로, 음이온으로 배위하는 배위 부위를 나타내고, 상술한 음이온으로 배위하는 배위 부위와 동의이며, 모노 음이온성 배위 부위가 바람직하다.In the general formula (iii-1), each of X 50 and X 51 independently represents a coordination site coordinated with an anion, agrees with a coordination site coordinated with the above-mentioned anion, and is preferably a monoanionic coordination site.
일반식 (iii-1) 중, L50은, 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 2가의 연결기로서는, 탄소수 1~20의 알킬렌기, 탄소수 2~10의 알켄일렌기, 탄소수 6~18의 아릴렌기, 헤테로환기, -O-, -S-, -NRN1-, -CO-, -CS-, -SO2-, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기가 바람직하다. RN1은, 수소 원자, 탄소수 1~12의 알킬기, 탄소수 6~18의 아릴기 또는 탄소수 7~20의 아랄킬기가 바람직하다.In the general formula (iii-1), L 50 represents a single bond or a divalent linking group. Examples of the divalent linking group include an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenylene group having 2 to 10 carbon atoms, an arylene group having 6 to 18 carbon atoms, a heterocyclic group, -O-, -S-, -NR N1 -, - -CS-, -SO 2 -, or a combination thereof. R N1 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms.
화합물 (B3)은, 설포기 및 카복실기로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하고, 설포기 및 카복실기를 포함하는 것이 더 바람직하다. 설포기 및 카복실기로부터 선택되는 적어도 1종을 갖는 화합물을 이용함으로써, 색가를 보다 향상시킬 수 있다.The compound (B3) preferably contains at least one member selected from the group consisting of a sulfo group and a carboxyl group, more preferably a group containing a sulfo group and a carboxyl group. By using a compound having at least one kind selected from a sulfo group and a carboxyl group, the color value can be further improved.
화합물 (B3)의 분자량은, 1000 이하가 바람직하고, 750 이하가 보다 바람직하며, 600 이하가 더 바람직하다. 또, 화합물 (B3)의 분자량은, 50 이상이 바람직하고, 80 이상이 보다 바람직하다.The molecular weight of the compound (B3) is preferably 1000 or less, more preferably 750 or less, and still more preferably 600 or less. The molecular weight of the compound (B3) is preferably 50 or more, more preferably 80 or more.
화합물 (B3)의 구체예로서는, 이하에 나타내는 화합물 및 그 염을 들 수 있다. 염을 구성하는 원자로서는, 상술한 것과 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.Specific examples of the compound (B3) include the following compounds and salts thereof. The atoms constituting the salt are the same as those described above, and the preferable range thereof is also the same.
[화학식 18][Chemical Formula 18]
본 발명의 근적외선 흡수성 조성물은, 다른 근적외선 흡수성 화합물로서, 피롤로피롤계 화합물, 사이아닌계 화합물, 프탈로사이아닌계 화합물, 나프탈로사이아닌계 화합물, 이미늄계 화합물, 싸이올 착체계 화합물, 천이 금속 산화물계 화합물, 스쿠아릴륨계 화합물, 쿼터릴렌계 화합물, 다이싸이올 금속 착체계 화합물, 크로코늄계 화합물 등을 더 함유할 수도 있다.The near infrared absorbing composition of the present invention can be used as the near infrared absorbing compound as a near infrared absorbing compound such as a pyrrolopyrrole compound, a cyanide compound, a phthalocyanine compound, a naphthalocyanine compound, an iminium compound, a thiol complex compound, A metal oxide-based compound, a squarylium-based compound, a quaternary-based compound, a dithiol metal complex compound, a chromium-based compound, and the like.
피롤로피롤계 화합물은, 안료여도 되고, 염료여도 되지만, 내열성이 우수한 막을 형성할 수 있는 착색 조성물이 얻어지기 쉽다는 이유에서 안료가 바람직하다. 피롤로피롤계 화합물로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2009-263614호의 단락 번호 0016~0058에 기재된 피롤로피롤 화합물 등을 들 수 있다.The pyrrolopyrrole compound may be a pigment or a dye but is preferably a pigment because a coloring composition capable of forming a film having excellent heat resistance tends to be obtained. Examples of the pyrrolopyrrole compound include the pyrrolopyrrole compounds described in paragraphs 0016 to 0058 of JP-A No. 2009-263614.
사이아닌계 화합물, 프탈로사이아닌계 화합물, 이미늄계 화합물, 스쿠아릴륨계 화합물 및 크로코늄계 화합물은, 일본 공개특허공보 2010-111750호의 단락 0010~0081에 기재된 화합물을 사용해도 되고, 이 내용은 본 명세서에 원용된다. 또, 사이아닌계 화합물은, 예를 들면 "기능성 색소, 오가와라 마코토/마쓰오카 마사루/기타오 데이지로/히라시마 쓰네아키·저, 고단샤 사이언티픽"을 참조할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다. 또, 프탈로사이아닌계 화합물은, 일본 공개특허공보 2013-195480호의 단락 0013~0029의 기재를 참조할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.The compounds described in paragraphs 0010 to 0081 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2010-111750 may be used as the cyanide compound, the phthalocyanine compound, the iminium compound, the squarylium compound and the croconium compound, Which is incorporated herein by reference. The cyanine compound can be referred to, for example, as "functional coloring matter, Makawa Ogawa / Masaru Matsuoka / Kitao Daiziro / Hirashimatsuaki Aichi, Kodansha Scientific" Is used. The phthalocyanine-based compound can be referred to the description of paragraphs 0013 to 0029 of JP-A-2013-195480, the content of which is incorporated herein by reference.
<<무기 미립자>><< Inorganic Particles >>
본 발명의 근적외선 흡수성 조성물은, 무기 미립자를 포함하고 있어도 된다. 무기 미립자는, 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 이용해도 된다.The near infrared absorbing composition of the present invention may contain inorganic fine particles. The inorganic fine particles may be used alone, or two or more kinds may be used.
무기 미립자는, 주로, 적외선을 차광(흡수)하는 역할을 하는 입자이다. 무기 미립자는, 적외선 차폐성이 보다 우수한 점에서, 금속 산화물 미립자 또는 금속 미립자가 바람직하다.The inorganic fine particles are mainly particles that act to shield (absorb) infrared rays. The inorganic fine particles are preferably metal oxide fine particles or metal fine particles because they are more excellent in infrared ray shielding property.
금속 산화물 입자로서는, 예를 들면 산화 인듐 주석(ITO) 입자, 산화 안티모니 주석(ATO) 입자, 산화 아연(ZnO) 입자, Al 도프 산화 아연(Al 도프 ZnO) 입자, 불소 도프 이산화 주석(F 도프 SnO2) 입자, 나이오븀 도프 이산화 타이타늄(Nb 도프 TiO2) 입자 등을 들 수 있다.Examples of the metal oxide particles include indium tin oxide (ITO) particles, antimony tin oxide (ATO) particles, zinc oxide (ZnO) particles, Al-doped zinc oxide (Al-doped ZnO) particles, SnO 2 ) particles, and niobium doped titanium dioxide (Nb doped TiO 2 ) particles.
금속 미립자로서는, 예를 들면 은(Ag) 입자, 금(Au) 입자, 구리(Cu) 입자, 니켈(Ni) 입자 등을 들 수 있다. 또한, 적외선 차폐성과 포토리소그래피성을 양립하기 위해서는, 노광 파장(365-405nm)의 투과율이 높은 것이 바람직하고, 산화 인듐 주석(ITO) 입자 또는 산화 안티모니 주석(ATO) 입자가 바람직하다.Examples of the metal fine particles include silver (Ag) particles, gold (Au) particles, copper (Cu) particles, and nickel (Ni) particles. In order to achieve both infrared shielding property and photolithographic property, it is preferable that the transmittance of the exposure wavelength (365-405 nm) is high, and indium tin oxide (ITO) particles or antimony tin oxide (ATO) particles are preferable.
무기 미립자의 형상은 특별히 제한되지 않고, 구상, 비구상을 불문하고, 시트 형상, 와이어 형상, 튜브 형상이어도 된다.The shape of the inorganic fine particles is not particularly limited and may be a sheet shape, a wire shape, or a tube shape regardless of spherical shape or non-spherical shape.
또, 무기 미립자로서는 산화 텅스텐계 화합물을 사용할 수 있다, 구체적으로는, 하기 일반식(조성식) (I)로 나타나는 산화 텅스텐계 화합물인 것이 보다 바람직하다.As the inorganic fine particles, a tungsten oxide-based compound can be used. Specifically, it is more preferably a tungsten oxide-based compound represented by the following general formula (composition formula) (I).
MxWyOz …(I)MxWyOz ... (I)
M은 금속, W는 텅스텐, O는 산소를 나타낸다.M represents a metal, W represents tungsten, and O represents oxygen.
0.001≤x/y≤1.10.001? X / y?
2.2≤z/y≤3.02.2? Z / y? 3.0
M이 나타내는 금속으로서는, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, Mg, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Sn, Pb, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Be, Hf, Os, Bi를 들 수 있고, 알칼리 금속이 바람직하며, Rb 또는 Cs가 보다 바람직하고, Cs가 특히 바람직하다. M의 금속은 1종이어도 되고 2종 이상이어도 된다.As the metal represented by M, an alkali metal, an alkaline earth metal, Mg, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, In, Tl, Sn, Pb, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Be, Hf, Os and Bi are preferable. Rb or Cs is more preferable, desirable. The metal of M may be one kind or two kinds or more.
x/y가 0.001 이상인 것에 의하여, 적외선을 충분히 차폐할 수 있고, 1.1 이하인 것에 의하여, 산화 텅스텐계 화합물 중에 불순물상(相)이 생성되는 것을 보다 확실히 회피할 수 있다.When x / y is 0.001 or more, infrared rays can be shielded sufficiently, and when it is 1.1 or less, generation of an impurity phase in the tungsten oxide compound can be more reliably avoided.
z/y가 2.2 이상인 것에 의하여, 재료로서의 화학적 안정성을 보다 향상시킬 수 있고, 3.0 이하인 것에 의하여 적외선을 충분히 차폐할 수 있다.When z / y is 2.2 or more, the chemical stability as a material can be further improved, and the infrared ray can be sufficiently shielded by having 3.0 or less.
상기 일반식 (I)로 나타나는 산화 텅스텐계 화합물의 구체예로서는, Cs0 . 33WO3, Rb0.33WO3, K0. 33WO3, Ba0 . 33WO3 등을 들 수 있고, Cs0 . 33WO3 또는 Rb0 . 33WO3인 것이 바람직하며, Cs0 . 33WO3인 것이 더 바람직하다.Specific examples of the tungsten oxide compound represented by the general formula (I) include Cs 0 . 33 WO 3, Rb 0.33 WO 3 , K 0. 33 WO 3, Ba 0. 33 WO 3 and the like, and Cs 0 . 33 WO 3 or Rb 0 . 33 WO 3 , and Cs 0 . 33 WO 3 is more preferable.
산화 텅스텐계 화합물은, 예를 들면 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤제의 YMF-02 등의 텅스텐 미립자의 분산물로서 입수 가능하다.The tungsten oxide-based compound is available, for example, as a dispersion of tungsten fine particles such as YMF-02 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.
무기 미립자의 평균 입자경은, 800nm 이하가 바람직하고, 400nm 이하가 보다 바람직하며, 200nm 이하가 더 바람직하다. 무기 미립자의 평균 입자경이 이와 같은 범위인 것에 의하여, 가시광 영역에 있어서의 투광성을 보다 확실히 할 수 있다. 광산란을 회피하는 관점에서는, 평균 입자경은 작을수록 바람직하지만, 제조 시에 있어서의 취급 용이성 등의 이유에서, 무기 미립자의 평균 입자경은, 통상 1nm 이상이다.The average particle diameter of the inorganic fine particles is preferably 800 nm or less, more preferably 400 nm or less, and further preferably 200 nm or less. When the average particle diameter of the inorganic fine particles is in this range, the light transmittance in the visible light region can be more surely obtained. From the viewpoint of avoiding light scattering, the smaller the average particle size is, the better, but the average particle size of the inorganic fine particles is usually 1 nm or more for ease of handling at the time of production.
무기 미립자의 함유량은, 근적외선 흡수성 조성물의 전체 고형분에 대하여, 0.01~30질량%가 바람직하다. 하한은, 0.1질량% 이상이 바람직하고, 1질량% 이상이 더 바람직하다. 상한은, 20질량% 이하가 바람직하고, 10질량% 이하가 더 바람직하다.The content of the inorganic fine particles is preferably from 0.01 to 30% by mass relative to the total solid content of the near infrared absorptive composition. The lower limit is preferably 0.1 mass% or more, more preferably 1 mass% or more. The upper limit is preferably 20 mass% or less, more preferably 10 mass% or less.
<<용제>><< Solvent >>
본 발명의 근적외선 흡수성 조성물은, 용제를 함유하고 있어도 된다. 용제는, 특별히 제한은 없고, 각 성분을 균일하게 용해 혹은 분산할 수 있는 것이면, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 물, 유기 용제를 이용할 수 있다.The near infrared absorbing composition of the present invention may contain a solvent. The solvent is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose if it is capable of dissolving or dispersing each component uniformly. For example, water and an organic solvent can be used.
유기 용제로서는, 예를 들면 알코올류, 케톤류, 에스터류, 방향족 탄화 수소류, 할로젠화 탄화 수소류, 및 다이메틸폼아마이드, 다이메틸아세트아마이드, 다이메틸설포옥사이드, 설포레인 등을 적합하게 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.Examples of the organic solvent include alcohols, ketones, esters, aromatic hydrocarbons, halogenated hydrocarbons, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, sulfolane and the like . These may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.
알코올류, 방향족 탄화 수소류, 할로젠화 탄화 수소류의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2012-194534호 단락 0136 등에 기재된 것을 들 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.Specific examples of alcohols, aromatic hydrocarbons, and halogenated hydrocarbons include those described in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-194534, paragraph 0136, the contents of which are incorporated herein by reference.
에스터류, 케톤류, 에터류의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2012-208494호 단락 0497(대응하는 미국 특허출원 공개공보 제2012/0235099호의 [0609])에 기재된 것을 들 수 있다. 또한, 아세트산-n-아밀, 프로피온산 에틸, 프탈산 다이메틸, 벤조산 에틸, 황산 메틸, 아세톤, 메틸아이소뷰틸케톤, 다이에틸에터, 에틸렌글라이콜모노뷰틸에터아세테이트 등을 들 수 있다.Specific examples of esters, ketones and ethers include those described in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-208494, paragraph 0497 (corresponding US Patent Application Publication No. 2012/0235099 [0609]). In addition, examples include n-amyl acetate, ethyl propionate, dimethyl phthalate, ethyl benzoate, methyl sulfate, acetone, methyl isobutyl ketone, diethyl ether and ethylene glycol monobutyl ether acetate.
용제로서는, 1-메톡시-2-프로판올, 사이클로펜탄온, 사이클로헥산온, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, N-메틸-2-피롤리돈, 아세트산 뷰틸, 락트산 에틸 및 프로필렌글라이콜모노메틸에터로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 이용하는 것이 바람직하다.Examples of the solvent include 1-methoxy-2-propanol, cyclopentanone, cyclohexanone, propylene glycol monomethyl ether acetate, N-methyl-2-pyrrolidone, butyl acetate, ethyl lactate and propylene glycol And at least one selected from monomethyl ether is preferably used.
용제의 함유량은, 본 발명의 근적외선 흡수성 조성물의 전체 고형분이 5~60질량%가 되는 양이 바람직하다. 하한은, 10질량% 이상이 보다 바람직하다. 상한은, 40질량% 이하가 보다 바람직하다.The content of the solvent is preferably such that the total solid content of the near infrared absorbing composition of the present invention is 5 to 60% by mass. The lower limit is more preferably 10% by mass or more. The upper limit is more preferably 40 mass% or less.
용제는 1종류만이어도 되고, 2종류 이상이어도 되며, 2종류 이상의 경우는, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.The solvent may be one kind or two kinds or more, and in the case of two or more types, the total amount is preferably in the above range.
<<경화성 화합물>><< Curing compound >>
본 발명의 근적외선 흡수성 조성물은, 경화성 화합물을 함유해도 된다. 경화성 화합물은, 중합성기를 갖는 화합물(이하, "중합성 화합물"이라고 하는 경우가 있음)이어도 되고, 바인더 등의 비중합성 화합물이어도 된다. 경화성 화합물은, 모노머, 올리고머, 프리폴리머, 폴리머 등의 화학적 형태 중 어느 것이어도 된다. 경화성 화합물로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2014-41318호의 단락 0070~0191(대응하는 국제 공개공보 WO2014/017669호 팸플릿의 단락 0071~0192), 일본 공개특허공보 2014-32380호의 단락 0045~0216 등의 기재를 참조할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.The near infrared absorbing composition of the present invention may contain a curable compound. The curable compound may be a compound having a polymerizable group (hereinafter may be referred to as a "polymerizable compound"), or may be a non-polymerizable compound such as a binder. The curable compound may be any of chemical forms such as monomers, oligomers, prepolymers, polymers, and the like. As curable compounds, for example, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2014-41318, paragraphs 0070 to 0191 (Corresponding International Publication Pamphlet WO2014 / 017669, paragraphs 0071 to 0192), Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2014-32380, paragraphs 0045 to 0216 , The contents of which are incorporated herein by reference.
경화성 화합물로서는, 중합성 화합물이 바람직하다. 중합성 화합물로서는, 예를 들면 에틸렌성 불포화 결합, 환상 에터(에폭시, 옥세테인) 등의 중합성기를 포함하는 화합물을 들 수 있다. 에틸렌성 불포화 결합으로서는, 바이닐기, 스타이릴기, (메트)아크릴로일기, 알릴기가 바람직하다. 중합성 화합물은, 중합성기를 1개 갖는 단관능 화합물이어도 되고, 중합성기를 2개 이상 갖는 다관능 화합물이어도 되지만, 다관능 화합물인 것이 바람직하다. 근적외선 흡수성 조성물이, 다관능 화합물을 함유함으로써, 내열성을 보다 향상시킬 수 있다.As the curable compound, a polymerizable compound is preferable. Examples of the polymerizable compound include compounds containing polymerizable groups such as ethylenic unsaturated bonds and cyclic ethers (epoxy, oxetane). The ethylenically unsaturated bond is preferably a vinyl group, a styryl group, a (meth) acryloyl group or an allyl group. The polymerizable compound may be a monofunctional compound having one polymerizable group or a polyfunctional compound having two or more polymerizable groups, but is preferably a polyfunctional compound. The heat resistance of the near infrared absorbing composition can be further improved by containing a polyfunctional compound.
경화성 화합물로서는, 단관능의 (메트)아크릴레이트, 다관능의 (메트)아크릴레이트(바람직하게는 3~6관능의 (메트)아크릴레이트), 다염기산 변성 아크릴 올리고머, 에폭시 수지, 다관능의 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Examples of the curable compound include monofunctional (meth) acrylates, polyfunctional (meth) acrylates (preferably trifunctional to hexafunctional (meth) acrylates), polybasic acid modified acrylic oligomers, epoxy resins, polyfunctional epoxy resins And the like.
<<<에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 화합물>>><<< Compounds Containing Ethylenically Unsaturated Bonds >>>
본 발명에서는, 경화성 화합물로서, 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 화합물을 이용할 수 있다. 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 화합물의 예로서는, 일본 공개특허공보 2013-253224호의 단락 0033~0034의 기재를 참조할 수 있고, 이 내용은 본 명세서에 원용된다.In the present invention, as the curing compound, a compound containing an ethylenic unsaturated bond can be used. As an example of the compound containing an ethylenic unsaturated bond, reference can be made to the description of paragraphs 0033 to 0034 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2013-253224, the content of which is incorporated herein by reference.
에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 화합물로서는, 에틸렌옥시 변성 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트(시판품으로서는, NK 에스터 ATM-35E; 신나카무라 가가쿠사제), 다이펜타에리트리톨트라이아크릴레이트(시판품으로서는, KAYARAD D-330; 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제), 다이펜타에리트리톨테트라아크릴레이트(시판품으로서는, KAYARAD D-320; 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제), 다이펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-310; 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제), 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트(시판품으로서는, KAYARAD DPHA; 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제, A-DPH-12E; 신나카무라 가가쿠 고교사제), 및 이들의 (메트)아크릴로일기가 에틸렌글라이콜, 프로필렌글라이콜 잔기를 개재하고 있는 구조가 바람직하다. 또 이들의 올리고머 타입도 사용할 수 있다.Examples of the compound containing an ethylenic unsaturated bond include ethyleneoxy-modified pentaerythritol tetraacrylate (NK Ester ATM-35E, Shin Nakamura Kagaku Co., Ltd.) and dipentaerythritol triacrylate (a commercial product, KAYARAD D- 330 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), dipentaerythritol tetraacrylate (commercially available as KAYARAD D-320, manufactured by Nippon Kayaku K.K.), dipentaerythritol penta (meth) acrylate (commercially available as KAYARAD D-310 manufactured by Nippon Kayaku K.K.), dipentaerythritol hexa (meth) acrylate (KAYARAD DPHA, A-DPH-12E, manufactured by Nippon Kayaku Co., ), And a structure in which the (meth) acryloyl group intervenes between ethylene glycol and propylene glycol moieties. These oligomer types can also be used.
또, 일본 공개특허공보 2013-253224호의 단락 0034~0038의 중합성 화합물의 기재를 참조할 수 있고, 이 내용은 본 명세서에 원용된다.Reference can also be made to the description of polymerizable compounds in paragraphs 0034 to 0038 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2013-253224, the content of which is incorporated herein by reference.
또, 일본 공개특허공보 2012-208494호 단락 0477(대응하는 미국 특허출원 공개공보 제2012/0235099호의 [0585])에 기재된 중합성 모노머 등을 들 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.The polymerizable monomers described in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2012-208494, paragraph 0477 (corresponding to United States Patent Application Publication No. 2012/0235099 [0585]), and the contents thereof are herein incorporated by reference.
또, 다이글리세린 EO(에틸렌옥사이드) 변성 (메트)아크릴레이트(시판품으로서는 M-460; 도아 고세이제)가 바람직하다. 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트(신나카무라 가가쿠제, A-TMMT), 1,6-헥세인다이올다이아크릴레이트(닛폰 가야쿠사제, KAYARAD HDDA)도 바람직하다. 이들의 올리고머 타입도 사용할 수 있다. 예를 들면, RP-1040(닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제) 등을 들 수 있다.Further, diglycerin EO (ethylene oxide) -substituted (meth) acrylate (M-460, a commercially available product) is preferred. Pentaerythritol tetraacrylate (Shin-Nakamura Kagaku Co., A-TMMT) and 1,6-hexanediol diacrylate (KAYARAD HDDA manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) are also preferable. These oligomer types can also be used. For example, RP-1040 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) and the like.
에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 화합물은, 카복실기, 설포기, 인산기 등의 산기를 갖고 있어도 된다.The compound containing an ethylenically unsaturated bond may have an acid group such as a carboxyl group, a sulfo group or a phosphoric acid group.
산기와 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 화합물로서는, 지방족 폴리하이드록시 화합물과 불포화 카복실산의 에스터 등을 들 수 있다. 지방족 폴리하이드록시 화합물의 미반응의 하이드록실기에, 비방향족 카복실산 무수물을 반응시켜 산기를 갖게 한 화합물이 바람직하고, 특히 바람직하게는, 이 에스터에 있어서, 지방족 폴리하이드록시 화합물이 펜타에리트리톨 및/또는 다이펜타에리트리톨인 것이다. 시판품으로서는, 예를 들면 도아 고세이 가부시키가이샤제의 다염기산 변성 아크릴 올리고머로서, 아로닉스 시리즈의 M-305, M-510, M-520 등을 들 수 있다.Examples of the compound containing an acid group and an ethylenic unsaturated bond include an ester of an aliphatic polyhydroxy compound and an unsaturated carboxylic acid. A compound in which an unreacted hydroxyl group of an aliphatic polyhydroxy compound is reacted with a nonaromatic carboxylic acid anhydride to have an acid group is preferable, and particularly preferred is a compound wherein the aliphatic polyhydroxy compound is pentaerythritol and / / ≪ / RTI > or dipentaerythritol. Commercially available products include, for example, M-305, M-510, and M-520 of Aronix series as a polybasic acid-modified acrylic oligomer made by Toagosei Co.,
산기와 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 화합물의 산가는, 0.1~40mgKOH/g이 바람직하다. 하한은 5mgKOH/g 이상이 바람직하다. 상한은, 30mgKOH/g 이하가 바람직하다.The acid value of the compound containing an acid group and an ethylenic unsaturated bond is preferably 0.1 to 40 mg KOH / g. The lower limit is preferably 5 mgKOH / g or more. The upper limit is preferably 30 mgKOH / g or less.
<<<에폭시기 또는 옥세탄일기를 갖는 화합물>>><<< Compound having an epoxy group or an oxetanyl group >>>
본 발명에서는, 경화성 화합물로서, 에폭시기 또는 옥세탄일기를 갖는 화합물을 이용할 수 있다. 에폭시기 또는 옥세탄일기를 갖는 화합물로서는, 측쇄에 에폭시기를 갖는 폴리머, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 모노머 또는 올리고머 등을 들 수 있다. 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또 단관능 또는 다관능 글리시딜에터 화합물도 들 수 있고, 다관능 지방족 글리시딜에터 화합물이 바람직하다.In the present invention, as the curable compound, a compound having an epoxy group or an oxetanyl group can be used. Examples of the compound having an epoxy group or an oxetanyl group include a polymer having an epoxy group in the side chain, a monomer or oligomer having two or more epoxy groups in the molecule, and the like. Examples thereof include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, phenol novolak type epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, aliphatic epoxy resins and the like. A monofunctional or polyfunctional glycidyl ether compound may also be used, and a polyfunctional aliphatic glycidyl ether compound is preferable.
중량 평균 분자량은, 500~5000000이 바람직하고, 1000~500000이 보다 바람직하다.The weight average molecular weight is preferably 500 to 5,000,000, more preferably 1,000 to 500,000.
이들 화합물은, 시판품을 이용해도 되고, 폴리머의 측쇄에 에폭시기를 도입하는 것에 의해서도 얻어지는 것을 이용해도 된다.These compounds may be commercially available products, or may be obtained by introducing an epoxy group into the side chain of the polymer.
시판품으로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2012-155288호 단락 0191 등의 기재를 참조할 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.As a commercially available product, reference can be made, for example, to Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-155288, paragraph 0191, which are incorporated herein by reference.
또, 데나콜 EX-212L, EX-214L, EX-216L, EX-321L, EX-850L(이상, 나가세 켐텍스(주)제) 등의 다관능 지방족 글리시딜에터 화합물을 들 수 있다. 이들은, 저염소품이지만, 저염소품이 아닌, EX-212, EX-214, EX-216, EX-321, EX-850 등도 동일하게 사용할 수 있다.Further, polyfunctional aliphatic glycidyl ether compounds such as Denacol EX-212L, EX-214L, EX-216L, EX-321L and EX-850L (manufactured by Nagase ChemteX Corporation) can be mentioned. These are low-salt small articles, but EX-212, EX-214, EX-216, EX-321, EX-850 and the like can be used in the same manner.
그 외에도, ADEKA RESIN EP-4000S, 동 EP-4003S, 동 EP-4010S, 동 EP-4011S(이상, (주)ADEKA제), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501, EPPN-502(이상, (주)ADEKA제), JER1031S, 셀록사이드 2021P, 셀록사이드 2081, 셀록사이드 2083, 셀록사이드 2085, EHPE3150, EPOLEAD PB 3600, 동 PB 4700(이상, 다이셀 가가쿠 고교(주)제), 사이클로머 P ACA 200M, 동 ACA 230AA, 동 ACA Z250, 동 ACA Z251, 동 ACA Z300, 동 ACA Z320(이상, 다이셀 가가쿠 고교(주)제) 등도 들 수 있다.In addition, ADEKA RESIN EP-4000S, EP-4003S, EP-4010S and EP-4011S (manufactured by ADEKA), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD- -501, EPPN-502 (manufactured by ADEKA), JER1031S, Celloxide 2021P, Celloxide 2081, Celloxide 2083, Celloxide 2085, EHPE3150, EPOLEAD PB 3600, (Manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), cyclomer P ACA 200M, ACA 230AA, ACA Z250, ACA Z251, ACA Z300 and ACA Z320 (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.).
또한, 페놀 노볼락형 에폭시 수지의 시판품으로서, JER-157S65, JER-152, JER-154, JER-157S70(이상, 미쓰비시 가가쿠(주)제) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available phenol novolac epoxy resins include JER-157S65, JER-152, JER-154 and JER-157S70 (manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.).
또, 측쇄에 옥세탄일기를 갖는 폴리머, 분자 내에 2개 이상의 옥세탄일기를 갖는 중합성 모노머 또는 올리고머의 구체예로서는, 아론옥세테인 OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX(이상, 도아 고세이(주)제)를 이용할 수 있다.Specific examples of the polymer having an oxetanyl group in the side chain and the polymerizable monomer or oligomer having at least two oxetane groups in the molecule include AOXT-121, OXT-221, OX-SQ and PNOX Available from Kosei Co., Ltd.) can be used.
에폭시기를 갖는 화합물로서는, 글리시딜(메트)아크릴레이트나 알릴글리시딜에터 등의 에폭시기로서 글리시딜기를 갖는 것도 사용 가능하지만, 바람직한 것은 지환식 에폭시기를 갖는 불포화 화합물이다. 이와 같은 것으로서는 예를 들면 일본 공개특허공보 2009-265518호 단락 0045 등의 기재를 참조할 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.As the compound having an epoxy group, a compound having a glycidyl group as an epoxy group such as glycidyl (meth) acrylate or allyl glycidyl ether may be used, but an unsaturated compound having an alicyclic epoxy group is preferable. As such, reference may be made to, for example, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-265518, paragraph 0045, the contents of which are incorporated herein by reference.
에폭시기 또는 옥세탄일기를 포함하는 화합물은, 에폭시기 또는 옥세탄일기를 반복 단위로서 갖는 중합체를 포함하고 있어도 된다. 구체적으로는, 하기의 반복 단위를 갖는 중합체(공중합체)를 들 수 있다.The compound containing an epoxy group or an oxetanyl group may contain a polymer having an epoxy group or an oxetanyl group as a repeating unit. Specifically, a polymer (copolymer) having the following repeating units can be mentioned.
[화학식 19][Chemical Formula 19]
<<<그 외의 경화성 화합물>>><<< Other Curable Compounds >>>
경화성 화합물로서, 카프로락톤 변성 구조를 갖는 중합성 화합물을 이용할 수 있다.As the curable compound, a polymerizable compound having a caprolactone-modified structure can be used.
카프로락톤 변성 구조를 갖는 중합성 화합물로서는, 일본 공개특허공보 2013-253224호의 단락 0042~0045의 기재를 참조할 수 있고, 이 내용은 본 명세서에 원용된다.As a polymerizable compound having a caprolactone-modified structure, reference can be made to the description of paragraphs 0042 to 0045 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2013-253224, the content of which is incorporated herein by reference.
카프로락톤 변성 구조를 갖는 중합성 화합물은, 예를 들면 닛폰 가야쿠(주)로부터 KAYARAD DPCA 시리즈로서 시판되고 있는, DPCA-20, DPCA-30, DPCA-60, DPCA-120 등, 사토머사제의 에틸렌옥시쇄를 4개 갖는 4관능 아크릴레이트인 SR-494, 아이소뷰틸렌옥시쇄를 3개 갖는 3관능 아크릴레이트인 TPA-330 등을 들 수 있다.Examples of the polymerizable compound having a caprolactone-modified structure include DPCA-20, DPCA-30, DPCA-60 and DPCA-120, which are commercially available from Nippon Kayaku KAYARAD DPCA series SR-494, which is a tetrafunctional acrylate having four ethylene oxy chains, and TPA-330, which is a trifunctional acrylate having three isobutyleneoxy chains.
경화성 화합물의 함유량은, 근적외선 흡수성 조성물의 전체 고형분에 대하여, 1~90질량%가 바람직하다. 하한은, 5질량% 이상이 바람직하고, 10질량% 이상이 보다 바람직하며, 20질량% 이상이 더 바람직하다. 상한은, 80질량% 이하가 바람직하고, 75질량% 이하가 보다 바람직하다.The content of the curable compound is preferably 1 to 90% by mass based on the total solid content of the near infrared absorbing composition. The lower limit is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, and still more preferably 20% by mass or more. The upper limit is preferably 80 mass% or less, and more preferably 75 mass% or less.
또, 경화성 화합물로서, 중합성기를 갖는 반복 단위를 포함하는 중합체를 이용하는 경우, 경화성 화합물의 함유량은, 근적외선 흡수성 조성물의 전체 고형분에 대하여 10~75질량%가 바람직하다. 하한은 20질량% 이상이 바람직하다. 상한은 65질량% 이하가 바람직하고, 60질량% 이하가 더 바람직하다.When a polymer containing a repeating unit having a polymerizable group is used as the curable compound, the content of the curable compound is preferably 10 to 75% by mass relative to the total solid content of the near infrared absorptive composition. The lower limit is preferably 20% by mass or more. The upper limit is preferably 65 mass% or less, more preferably 60 mass% or less.
경화성 화합물은, 1종류만이어도 되고, 2종류 이상이어도 된다. 2종류 이상의 경우는, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.The curing compound may be either one type or two or more kinds. In the case of two or more kinds, it is preferable that the total amount falls within the above range.
<<바인더 폴리머>><< Binder Polymer >>
본 발명의 근적외선 흡수성 조성물은, 막 특성 향상 등의 목적으로, 바인더 폴리머를 포함할 수 있다. 바인더 폴리머로서는, 알칼리 가용성 수지가 바람직하게 이용된다. 알칼리 가용성 수지를 함유함으로써, 내열성 등의 향상이나, 도포 적정의 미조정(微調整)에 효과가 있다. 알칼리 가용성 수지로서는, 일본 공개특허공보 2012-208494호 단락 0558~0571(대응하는 미국 특허출원 공개공보 제2012/0235099호의 [0685]~[0700])의 기재를 참조할 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.The near infrared absorbing composition of the present invention may contain a binder polymer for the purpose of improving film properties and the like. As the binder polymer, an alkali-soluble resin is preferably used. By containing the alkali-soluble resin, it is effective in improving the heat resistance and the like and fine adjustment of the application suitability. As the alkali-soluble resin, reference can be made to the description of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2012-208494, paragraphs 0558 to 0571 (corresponding to US Patent Application Publication No. 2012/0235099 [0685] to [0700]), Quot;
바인더 폴리머의 함유량은, 근적외선 흡수성 조성물의 전체 고형분에 대하여, 1~80질량%가 바람직하다. 하한은 5질량% 이상이 바람직하고, 7질량% 이상이 보다 바람직하다. 상한은 50질량% 이하가 바람직하고, 30질량% 이하가 보다 바람직하다.The content of the binder polymer is preferably 1 to 80% by mass based on the total solid content of the near infrared absorbing composition. The lower limit is preferably 5% by mass or more, and more preferably 7% by mass or more. The upper limit is preferably 50 mass% or less, and more preferably 30 mass% or less.
<<계면활성제>><< Surfactant >>
본 발명의 근적외선 흡수성 조성물은, 계면활성제를 포함하고 있어도 된다. 계면활성제는, 1종만을 이용해도 되고, 2종류 이상을 조합해도 된다. 계면활성제의 함유량은, 근적외선 흡수성 조성물의 전체 고형분에 대하여, 0.0001~2질량%가 바람직하다. 하한은, 0.005질량% 이상이 바람직하고, 0.01질량% 이상이 더 바람직하다. 상한은, 1.0질량% 이하가 바람직하고, 0.1질량% 이하가 더 바람직하다.The near infrared absorbing composition of the present invention may contain a surfactant. Only one surfactant may be used, or two or more surfactants may be combined. The content of the surfactant is preferably 0.0001 to 2% by mass based on the total solid content of the near infrared absorbing composition. The lower limit is preferably 0.005 mass% or more, and more preferably 0.01 mass% or more. The upper limit is preferably 1.0 mass% or less, more preferably 0.1 mass% or less.
계면활성제로서는, 불소계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 양이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등의 각종 계면활성제를 사용할 수 있다. 본 발명의 근적외선 흡수성 조성물은, 불소계 계면활성제 및 실리콘계 계면활성제 중 적어도 한쪽을 함유하는 것이 바람직하다. 이에 의하면, 피도포면과 도포액의 계면 장력이 저하되고, 피도포면에 대한 습윤성이 개선된다. 이로 인하여, 근적외선 흡수성 조성물의 액 특성(특히, 유동성)이 향상되고, 도포 후의 균일성이나 성액성(省液性)이 보다 개선된다. 그 결과, 소량의 액량으로 수μm 정도의 박막을 형성한 경우이더라도, 두께 편차가 작은 균일한 두께의 막 형성을 보다 적합하게 행할 수 있다.As the surfactant, various surfactants such as a fluorine surfactant, a nonionic surfactant, a cationic surfactant, an anionic surfactant, and a silicone surfactant can be used. The near infrared absorbing composition of the present invention preferably contains at least one of a fluorinated surfactant and a silicone surfactant. According to this, the interfacial tension between the surface to be coated and the coating liquid is lowered, and the wettability to the surface to be coated is improved. This improves the liquid property (in particular, the fluidity) of the near-infrared absorbing composition and further improves the uniformity and liquid-repellency after application. As a result, even when a thin film of about several micrometers is formed in a small amount of liquid, film formation with a uniform thickness with a small thickness deviation can be more suitably performed.
불소계 계면활성제의 불소 함유율은, 3~40질량%가 바람직하다. 하한은, 5질량% 이상이 바람직하고, 7질량% 이상이 더 바람직하다. 상한은, 30질량% 이하가 바람직하고, 25질량% 이하가 더 바람직하다. 불소 함유율이 상술한 범위 내인 경우는, 도포막의 두께의 균일성이나 성액성의 점에서 효과적이며, 근적외선 흡수성 조성물 중에 있어서의 용해성도 양호하다.The fluorine content of the fluorine surfactant is preferably 3 to 40% by mass. The lower limit is preferably 5% by mass or more, and more preferably 7% by mass or more. The upper limit is preferably 30 mass% or less, more preferably 25 mass% or less. When the fluorine content is within the above range, it is effective from the viewpoint of the uniformity of the thickness of the coating film and the lyophobic property, and the solubility in the near infrared absorbing composition is also good.
불소계 계면활성제로서 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2014-41318호의 단락 0060~0064(대응하는 국제 공개공보 WO2014/17669호 팸플릿의 단락 0060~0064) 등에 기재된 계면활성제를 들 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.Specific examples of the fluorine-based surfactant include surfactants described in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2014-41318, paragraphs 0060 to 0064 (paragraphs 0060 to 0064 of corresponding international publication publication WO2014 / 17669 pamphlet) Quot;
비이온계 계면활성제로서는, 폴리옥시에틸렌알킬에터, 폴리옥시에틸렌알킬알릴에터, 폴리옥시에틸렌 지방산 에스터, 소비탄 지방산 에스터, 폴리옥시에틸렌소비탄 지방산 에스터, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 글리세린 지방산 에스터, 옥시에틸렌옥시프로필렌 블록 코폴리머, 아세틸렌글라이콜계 계면활성제, 아세틸렌계 폴리옥시에틸렌옥사이드 등을 들 수 있다. 이들은 단독 혹은 2종 이상을 이용할 수 있다.Examples of the nonionic surfactants include polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyethylene alkyl allyl ethers, polyoxyethylene fatty acid esters, sorbitan fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters, polyoxyethylene alkylamine, glycerin fatty acid esters , Oxyethylene oxypropylene block copolymer, acetylene glycol surfactant, and acetylene-based polyoxyethylene oxide. These may be used alone or in combination of two or more.
구체적인 상품명으로서는, 서피놀 61, 82, 104, 104E, 104H, 104A, 104BC, 104DPM, 104PA, 104PG-50, 104S, 420, 440, 465, 485, 504, CT-111, CT-121, CT-131, CT-136, CT-141, CT-151, CT-171, CT-324, DF-37, DF-58, DF-75, DF-110D, DF-210, GA, OP-340, PSA-204, PSA-216, PSA-336, SE, SE-F, TG, GA, 다이놀 604(이상, 닛신 가가쿠(주) 및 Air Products&Chemicals사), 올핀 A, B, AK-02, CT-151W, E1004, E1010, P, SPC, STG, Y, 32W, PD-001, PD-002W, PD-003, PD-004, EXP. 4001, EXP. 4036, EXP. 4051, AF-103, AF-104, SK-14, AE-3(이상, 닛신 가가쿠(주)), 아세틸렌올 E00, E13T, E40, E60, E81, E100, E200(이상 모두 상품명, 가와켄 파인 케미컬(주)사제) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 올핀 E1010이 적합하다.Concrete product names include Surfynol 61, 82, 104, 104E, 104H, 104A, 104BC, 104DPM, 104PA, 104PG-50, 104S, 420, 440, 465, 485, 504, CT- DF-75, DF-110, DF-210, GA, OP-340, PSA-131, CT-136, CT-141, CT-151, CT-171, CT-324, DF- B, AK-02, CT-151W (manufactured by Nisshin Kagaku Co., Ltd. and Air Products & Chemicals), PSA-216, PSA-216, PSA-336, SE, SE- , E1004, E1010, P, SPC, STG, Y, 32W, PD-001, PD-002W, PD-003, PD-004, EXP. 4001, EXP. 4036, EXP. E100, E100, E100, E100, and E200 (all of which are trade names, all of which are trade names, manufactured by Nisshin Chemical Industries, Ltd.), 4051, AF-103, AF-104, SK- (Manufactured by Fine Chemical Co., Ltd.). Of these, Olfin E1010 is suitable.
그 외에, 비이온계 계면활성제로서 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2012-208494호 단락 0553(대응하는 미국 특허출원 공개공보 제2012/0235099호의 [0679]) 등에 기재된 비이온계 계면활성제를 들 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.Other examples of the nonionic surfactant include nonionic surfactants described in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2012-208494, paragraph 0553 (corresponding to United States Patent Application Publication No. 2012/0235099 [0679]), etc. , The contents of which are incorporated herein by reference.
양이온계 계면활성제로서 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2012-208494호 단락 0554(대응하는 미국 특허출원 공개공보 제2012/0235099호의 [0680])에 기재된 양이온계 계면활성제를 들 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.Specific examples of the cationic surfactant include cationic surfactants described in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2012-208494, paragraph 0554 (corresponding to United States Patent Application Publication No. 2012/0235099 [0680]), Which is incorporated herein by reference.
음이온계 계면활성제로서 구체적으로는, W004, W005, W017(유쇼(주)사제) 등을 들 수 있다.Specific examples of the anionic surfactant include W004, W005 and W017 (manufactured by YUHO Co., Ltd.).
실리콘계 계면활성제로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2012-208494호 단락 0556(대응하는 미국 특허출원 공개공보 제2012/0235099호의 [0682]) 등에 기재된 실리콘계 계면활성제를 들 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다. 또, 도레이·다우코닝(주)제 "도레이 실리콘 SF8410", "동 SF8427", "동 SH8400", "ST80PA", "ST83PA", "ST86PA", 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈사제 "TSF-400", "TSF-401", "TSF-410", "TSF-4446", 신에쓰 실리콘 가부시키가이샤제 "KP321", "KP323", "KP324", "KP340" 등도 예시된다.Examples of the silicone surfactants include silicone surfactants described in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-208494, paragraph 0556 (corresponding to United States Patent Application Publication No. 2012/0235099 [0682]), . "TSF-400" manufactured by Momentive Performance Materials Co., Ltd., "TORAY Silicone SF8410", "Dong SF8427", "SH8400", "ST80PA", "ST83PA", "ST86PA" manufactured by Toray Dow Corning Co., TSF-401, TSF-410, TSF-4446, KP321, KP323, KP324, and KP340 manufactured by Shin-Etsu Silicones.
<<중합 개시제>><< Polymerization initiator >>
본 발명의 근적외선 흡수성 조성물은, 중합 개시제를 포함하고 있어도 된다. 중합 개시제로서는, 광, 열 중 어느 하나 혹은 그 쌍방에 의하여 중합성 화합물의 중합을 개시하는 능력을 갖는 한, 특별히 제한은 없지만, 광중합성 화합물(광중합 개시제)이 바람직하다. 광으로 중합을 개시시키는 경우, 자외선 영역으로부터 가시의 광선에 대하여 감광성을 갖는 것이 바람직하다. 또, 열로 중합을 개시시키는 경우에는, 150~250℃에서 분해하는 중합 개시제가 바람직하다.The near infrared absorbing composition of the present invention may contain a polymerization initiator. The polymerization initiator is not particularly limited as long as it has an ability of initiating polymerization of the polymerizable compound by either or both of light and heat, but a photopolymerizable compound (photopolymerization initiator) is preferable. In the case of initiating polymerization by light, it is preferable to have photosensitivity to visible light from the ultraviolet region. When heat polymerization is initiated, a polymerization initiator which decomposes at 150 to 250 캜 is preferable.
중합 개시제로서는, 방향족기를 갖는 화합물이 바람직하다. 예를 들면, 아실포스핀 화합물, 아세토페논 화합물, α-아미노케톤 화합물, 벤조페논 화합물, 벤조인에터 화합물, 케탈 유도체 화합물, 싸이오잔톤 화합물, 옥심 화합물, 헥사아릴바이이미다졸 화합물, 트라이할로메틸 화합물, 아조 화합물, 유기 과산화물, 다이아조늄 화합물, 아이오도늄 화합물, 설포늄 화합물, 아지늄 화합물, 메탈로센 화합물 등의 오늄염 화합물, 유기 붕소염 화합물, 다이설폰 화합물, 싸이올 화합물 등을 들 수 있다.As the polymerization initiator, a compound having an aromatic group is preferable. Examples of the compound include acylphosphine compounds, acetophenone compounds,? -Aminoketone compounds, benzophenone compounds, benzoin ether compounds, ketal derivative compounds, thiazonthone compounds, oxime compounds, hexaarylbaimidazole compounds, An onium salt compound such as a chloromethyl compound, an azo compound, an organic peroxide, a diazonium compound, an iodonium compound, a sulfonium compound, an azinium compound and a metallocene compound, an organic boron salt compound, a disulfone compound, .
중합 개시제는, 일본 공개특허공보 2013-253224호의 단락 0217~0228의 기재를 참조할 수 있고, 이 내용은 본 명세서에 원용된다.As the polymerization initiator, reference can be made to the description in paragraphs 0217 to 0228 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2013-253224, the content of which is incorporated herein by reference.
중합 개시제는, 옥심 화합물, 아세토페논 화합물 또는 아실포스핀 화합물이 바람직하다.The polymerization initiator is preferably an oxime compound, acetophenone compound or acylphosphine compound.
옥심 화합물의 시판품으로서는, IRGACURE-OXE01(BASF사제), IRGACURE-OXE02(BASF사제), TR-PBG-304(창저우 강력 전자 신재료 유한공사(Changzhou Tronly New Electronic Materials Co., Ltd.)제), 아데카 아클즈 NCI-831(ADEKA사제), 아데카 아클즈 NCI-930(ADEKA사제) 등을 이용할 수 있다.IRGACURE-OXE01 (manufactured by BASF), IRGACURE-OXE02 (manufactured by BASF), TR-PBG-304 (manufactured by Changzhou Tronly New Electronic Materials Co., Ltd.) , ADEKA ACKLES NCI-831 (manufactured by ADEKA), ADEKA ACKLS NCI-930 (manufactured by ADEKA), and the like.
아세토페논 화합물의 시판품으로서는, IRGACURE-907, IRGACURE-369, IRGACURE-379(상품명: 모두 BASF사제) 등을 이용할 수 있다.IRGACURE-907, IRGACURE-369 and IRGACURE-379 (all trade names, manufactured by BASF) can be used as commercially available acetophenone compounds.
아실포스핀 화합물의 시판품으로서는, IRGACURE-819, DAROCUR-TPO(상품명: 모두 BASF사제) 등을 이용할 수 있다.As commercially available products of the acylphosphine compounds, IRGACURE-819 and DAROCUR-TPO (all trade names, manufactured by BASF) can be used.
중합 개시제의 함유량은, 근적외선 흡수성 조성물의 전체 고형분에 대하여, 0.01~30질량%가 바람직하다. 하한은, 0.1질량% 이상이 바람직하다. 상한은, 20질량% 이하가 바람직하고, 15질량% 이하가 보다 바람직하다.The content of the polymerization initiator is preferably 0.01 to 30% by mass relative to the total solid content of the near infrared absorbing composition. The lower limit is preferably 0.1% by mass or more. The upper limit is preferably 20 mass% or less, and more preferably 15 mass% or less.
중합 개시제는 1종류만이어도 되고, 2종류 이상이어도 되며, 2종류 이상인 경우는, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.The polymerization initiator may be used singly or in combination of two or more, and in the case of two or more types, the total amount is preferably in the above range.
<<그 외의 성분>><< Other Ingredients >>
본 발명의 근적외선 흡수성 조성물에서 병용 가능한 그 외의 성분으로서는, 예를 들면 분산제, 증감제, 가교제, 경화 촉진제, 필러, 열경화 촉진제, 열중합 금지제, 가소제 등을 들 수 있고, 또한 기재 표면에 대한 밀착 촉진제 및 그 외의 조제(助劑)류(예를 들면, 도전성 입자, 충전제, 소포제, 난연제, 레벨링제, 박리 촉진제, 산화 방지제, 향료, 표면 장력 조정제, 연쇄 이동제 등)를 병용해도 된다.Examples of other components that can be used in combination with the near infrared absorbing composition of the present invention include dispersants, sensitizers, crosslinking agents, curing accelerators, fillers, thermal curing accelerators, thermal polymerization inhibitors and plasticizers. Adhesion promoters and other auxiliary agents (for example, conductive particles, fillers, defoamers, flame retardants, leveling agents, release promoters, antioxidants, flavors, surface tension regulators, chain transfer agents and the like) may be used in combination.
이들 성분을 적절히 함유시킴으로써, 목적으로 하는 근적외선 흡수 필터의 안정성, 막 물성 등의 성질을 조정할 수 있다.By suitably containing these components, properties such as stability and film physical properties of the objective near-infrared absorption filter can be adjusted.
이들 성분은, 예를 들면 일본 공개특허공보 2012-003225호의 단락 번호 0183 이후(대응하는 미국 특허출원 공개공보 제2013/0034812호의 [0237] 이후)의 기재, 일본 공개특허공보 2008-250074호의 단락 번호 0101~0104, 0107~0109 등의 기재를 참조할 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.These components are described, for example, in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2012-003225, paragraphs 0183 and 2013 (corresponding to [0237] of U.S. Patent Application Publication No. 2013/0034812), Japanese Patent Application Publication No. 2008-250074 0101 to 0104, 0107 to 0109, and the like, the content of which is incorporated herein by reference.
<근적외선 흡수성 조성물의 조제, 용도><Preparation of Near-Infrared Absorbent Composition>
본 발명의 근적외선 흡수성 조성물은, 액상으로 할 수 있기 때문에, 예를 들면 본 발명의 근적외선 흡수성 조성물을 기재 등에 적용하여, 건조시킴으로써 근적외선 차단 필터를 용이하게 제조할 수 있다.Since the near infrared absorbing composition of the present invention can be in a liquid form, for example, the near infrared ray shielding filter can be easily manufactured by applying the near infrared absorbing composition of the present invention to a substrate or the like and then drying it.
본 발명의 근적외선 흡수성 조성물의 점도는, 도포에 의하여 근적외선 차단 필터를 형성하는 경우는, 1~3000mPa·s인 것이 바람직하다. 하한은, 10mPa·s 이상이 바람직하고, 100mPa·s 이상이 더 바람직하다. 상한은, 2000mPa·s 이하가 바람직하고, 1500mPa·s 이하가 더 바람직하다.When the near infrared ray shielding filter is formed by coating, the viscosity of the near infrared ray absorbent composition of the present invention is preferably 1 to 3000 mPa · s. The lower limit is preferably 10 mPa · s or more, more preferably 100 mPa · s or more. The upper limit is preferably 2000 mPa · s or less, more preferably 1500 mPa · s or less.
본 발명의 근적외선 흡수성 조성물의 전체 고형분은, 도포 방법에 의하여 변경되는데, 예를 들면 1~50질량%인 것이 바람직하다. 하한은 10질량% 이상이 보다 바람직하다. 상한은 30질량% 이하가 보다 바람직하다.The total solid content of the near infrared absorbing composition of the present invention is changed depending on the application method, and is preferably 1 to 50% by mass, for example. The lower limit is more preferably 10% by mass or more. The upper limit is more preferably 30 mass% or less.
본 발명의 근적외선 흡수성 조성물의 용도는, 특별히 한정되지 않지만, 근적외선 차단 필터 등의 형성에 바람직하게 이용할 수 있다. 예를 들면, 고체 촬상 소자의 수광측에 있어서의 근적외선 차단 필터(예를 들면, 웨이퍼 레벨 렌즈에 대한 근적외선 차단 필터용 등), 고체 촬상 소자의 이면측(수광측과는 반대측)에 있어서의 근적외선 차단 필터 등에 바람직하게 이용할 수 있다. 특히, 고체 촬상 소자의 수광측에 있어서의 근적외선 차단 필터로서 바람직하게 이용할 수 있다.The use of the near infrared absorbing composition of the present invention is not particularly limited, but can be suitably used for forming a near infrared ray shielding filter and the like. (For example, a near-infrared ray filter for a wafer-level lens and the like) on the light-receiving side of the solid-state image sensor, a near-infrared ray filter (for example, A cut filter and the like. In particular, it can be suitably used as a near-infrared ray cut filter on the light receiving side of the solid-state image pickup device.
또, 본 발명의 근적외선 흡수성 조성물에 의하면, 가시 영역에서는 높은 투과율을 유지하면서, 높은 근적외선 차폐성을 실현시킬 수 있는 근적외선 차단 필터가 얻어진다. 나아가서는, 근적외선 차단 필터의 막두께를 얇게 할 수 있고, 카메라 모듈의 저배화(低背化)에 기여할 수 있다.Further, according to the near infrared ray absorbing composition of the present invention, a near infrared ray shielding filter capable of realizing a high near infrared ray shielding property while maintaining a high transmittance in a visible region can be obtained. Further, the film thickness of the near-infrared cutoff filter can be reduced, contributing to lowering of the height of the camera module.
<근적외선 차단 필터><Near-infrared ray filter>
다음으로, 본 발명의 근적외선 차단 필터에 대하여 설명한다.Next, the near-IR blocking filter of the present invention will be described.
본 발명의 근적외선 차단 필터는, 상술한 본 발명의 근적외선 흡수성 조성물을 경화하여 이루어지는 것이다.The near infrared ray blocking filter of the present invention is obtained by curing the above-described near infrared ray absorbing composition of the present invention.
본 발명의 근적외선 차단 필터는, 광투과율이 이하의 (1)~(9) 중 적어도 하나의 조건을 충족시키는 것이 바람직하고, 이하의 (1)~(8)의 모든 조건을 충족시키는 것이 보다 바람직하며, (1)~(9)의 모든 조건을 충족시키는 것이 더 바람직하다.The near-infrared cut filter of the present invention preferably satisfies at least one of the following conditions (1) to (9) and more preferably satisfies all the following conditions (1) to (8) , And it is more preferable that all the conditions (1) to (9) are satisfied.
(1) 파장 400nm에서의 광투과율은 80% 이상이 바람직하고, 90% 이상이 보다 바람직하며, 92% 이상이 더 바람직하고, 95% 이상이 특히 바람직하다.(1) The light transmittance at a wavelength of 400 nm is preferably 80% or more, more preferably 90% or more, more preferably 92% or more, and particularly preferably 95% or more.
(2) 파장 450nm에서의 광투과율은 80% 이상이 바람직하고, 90% 이상이 보다 바람직하며, 92% 이상이 더 바람직하고, 95% 이상이 특히 바람직하다.(2) The light transmittance at a wavelength of 450 nm is preferably 80% or more, more preferably 90% or more, more preferably 92% or more, and particularly preferably 95% or more.
(3) 파장 500nm에서의 광투과율은 80% 이상이 바람직하고, 90% 이상이 보다 바람직하며, 92% 이상이 더 바람직하고, 95% 이상이 특히 바람직하다.(3) The light transmittance at a wavelength of 500 nm is preferably 80% or more, more preferably 90% or more, still more preferably 92% or more, and particularly preferably 95% or more.
(4) 파장 550nm에서의 광투과율은 80% 이상이 바람직하고, 90% 이상이 보다 바람직하며, 92% 이상이 더 바람직하고, 95% 이상이 특히 바람직하다.(4) The light transmittance at a wavelength of 550 nm is preferably 80% or more, more preferably 90% or more, more preferably 92% or more, and particularly preferably 95% or more.
(5) 파장 700nm에서의 광투과율은 20% 이하가 바람직하고, 15% 이하가 보다 바람직하며, 10% 이하가 더 바람직하고, 5% 이하가 특히 바람직하다.(5) The light transmittance at a wavelength of 700 nm is preferably 20% or less, more preferably 15% or less, more preferably 10% or less, particularly preferably 5% or less.
(6) 파장 750nm에서의 광투과율은 20% 이하가 바람직하고, 15% 이하가 보다 바람직하며, 10% 이하가 더 바람직하고, 5% 이하가 특히 바람직하다.(6) The light transmittance at a wavelength of 750 nm is preferably 20% or less, more preferably 15% or less, more preferably 10% or less, particularly preferably 5% or less.
(7) 파장 800nm에서의 광투과율은 20% 이하가 바람직하고, 15% 이하가 보다 바람직하며, 10% 이하가 더 바람직하고, 5% 이하가 특히 바람직하다.(7) The light transmittance at a wavelength of 800 nm is preferably 20% or less, more preferably 15% or less, more preferably 10% or less, particularly preferably 5% or less.
(8) 파장 850nm에서의 광투과율은 20% 이하가 바람직하고, 15% 이하가 보다 바람직하며, 10% 이하가 더 바람직하고, 5% 이하가 특히 바람직하다.(8) The light transmittance at a wavelength of 850 nm is preferably 20% or less, more preferably 15% or less, more preferably 10% or less, particularly preferably 5% or less.
(9) 파장 900nm에서의 광투과율은 20% 이하가 바람직하고, 15% 이하가 보다 바람직하며, 10% 이하가 더 바람직하고, 5% 이하가 특히 바람직하다.(9) The light transmittance at a wavelength of 900 nm is preferably 20% or less, more preferably 15% or less, more preferably 10% or less, particularly preferably 5% or less.
근적외선 차단 필터는, 파장 400~550nm의 모든 범위에서의 광투과율이 85% 이상인 것이 바람직하고, 90% 이상인 것이 보다 바람직하다. 가시 영역에서의 투과율은 높을수록 바람직하고, 파장 400~550nm에서 고투과율이 되는 것이 바람직하다. 또, 파장 700~800nm의 범위 중 적어도 한 점에서의 광투과율이 20% 이하인 것이 바람직하고, 파장 700~800nm의 모든 범위에서의 광투과율이 20% 이하인 것이 더 바람직하다.The near-infrared cut filter preferably has a light transmittance of 85% or more, more preferably 90% or more, in all the wavelengths of 400 to 550 nm. The higher the transmittance in the visible region, the better, and the higher the transmittance in the wavelength range of 400 to 550 nm. Further, it is preferable that the light transmittance at at least one of the wavelengths in the range of 700 to 800 nm is 20% or less, and the light transmittance in all the wavelengths of 700 to 800 nm is more preferably 20% or less.
근적외선 차단 필터의 막두께는, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 500μm 이하가 바람직하고, 300μm 이하가 보다 바람직하며, 250μm 이하가 더 바람직하고, 200μm 이하가 특히 바람직하다. 막두께의 하한은, 예를 들면 0.1μm 이상이 바람직하고, 0.2μm 이상이 보다 바람직하며, 0.5μm 이상이 보다 바람직하다.The film thickness of the near-infrared cutoff filter can be appropriately selected in accordance with the purpose. For example, it is preferably 500 μm or less, more preferably 300 μm or less, more preferably 250 μm or less, particularly preferably 200 μm or less. The lower limit of the film thickness is, for example, preferably 0.1 占 퐉 or more, more preferably 0.2 占 퐉 or more, and still more preferably 0.5 占 퐉 or more.
본 발명의 근적외선 흡수성 조성물에 의하면, 높은 근적외선 차폐성을 갖는 점에서, 근적외선 차단 필터의 막두께를 얇게 할 수 있다.According to the near infrared absorbing composition of the present invention, the film thickness of the near infrared ray shielding filter can be made thin in view of high near infrared ray shielding property.
본 발명의 근적외선 차단 필터는, 85℃/상대 습도 85%의 고온 고습하에서 1시간 방치하기 전후에서의, 하기 식으로 구해지는 흡광도비의 변화율이 각각 7% 이하인 것이 바람직하고, 4% 이하인 것이 보다 바람직하며, 2% 이하인 것이 더 바람직하다. 흡광도비의 변화율이 상기 범위이면, 내습성이 우수하다.The near infrared ray shielding filter of the present invention preferably has a rate of change of the absorbance ratio determined by the following equation before and after leaving for 1 hour under high temperature and high humidity of 85 캜 / relative humidity of 85%, preferably at most 7% , More preferably not more than 2%. When the rate of change of the absorbance ratio is in the above range, moisture resistance is excellent.
흡광도비의 변화율(%)=|(시험 전에 있어서의 흡광도비-시험 후에 있어서의 흡광도비)/시험 전에 있어서의 흡광도비|×100(%)(%) = (Absorbance ratio before test - Absorbance ratio after test) / Absorbance ratio before test 占 100 (%)
여기에서, 흡광도비란, 하기 식으로 나타나는 값이다.Here, the absorbance ratio is a value represented by the following formula.
흡광도비=(근적외선 차단 필터의 파장 700~1400nm에 있어서의 최대 흡광도/근적외선 차단 필터의 파장 400~700nm에 있어서의 최소 흡광도)Absorbance ratio = (maximum absorbance at a wavelength of 700 to 1400 nm / near infrared ray blocking filter / minimum absorbance at a wavelength of 400 to 700 nm of a near infrared ray blocking filter)
본 발명의 근적외선 차단 필터는, 200℃에서 5분간 가열한 전후에 있어서의, 파장 400nm의 흡광도의 변화율 및 파장 800nm의 흡광도의 변화율이 모두 7% 이하인 것이 바람직하고, 5% 이하인 것이 특히 바람직하다. 흡광도의 변화율이 상기 범위이면, 내열성이 우수하다.The near infrared ray blocking filter of the present invention preferably has a rate of change in absorbance at a wavelength of 400 nm and a rate of change in absorbance at a wavelength of 800 nm both before and after heating at 200 DEG C for 5 minutes, and is particularly preferably 5% or less. When the rate of change of the absorbance is within the above range, the heat resistance is excellent.
본 발명의 근적외선 차단 필터는, 근적외선을 흡수·차단하는 기능을 갖는 렌즈(디지털 카메라나 휴대 전화나 차재 카메라 등의 카메라용 렌즈, f-θ 렌즈, 픽업 렌즈 등의 광학 렌즈) 및 반도체 수광 소자용의 광학 필터, 에너지 절약용으로 열선을 차단하는 근적외선 흡수 필름이나 근적외선 흡수판, 태양광의 선택적인 이용을 목적으로 하는 농업용 코팅제, 근적외선의 흡수열을 이용하는 기록 매체, 전자 기기용이나 사진용 근적외선 필터, 보호 안경, 선글라스, 열선 차단 필름, 광학 문자 판독 기록, 기밀 문서 복사 방지용, 전자 사진 감광체, 레이저 용착 등에 이용된다. 또 CCD 카메라용 노이즈 차단 필터, CMOS 이미지 센서용 필터로서도 유용하다.The near-IR cut filter of the present invention is a filter for absorbing and blocking near-infrared rays (a lens for a camera such as a digital camera, a camera lens for a mobile phone, a vehicle camera, an optical lens such as an f- A near infrared ray absorbing film for blocking heat rays for energy saving, a near infrared ray absorbing plate, an agricultural coating agent for selective use of sunlight, a recording medium using absorption heat of near infrared rays, a near infrared ray filter for electronic devices or photographs, Protective glasses, sunglasses, heat-ray shielding film, reading of optical characters, prevention of confidential document copying, electrophotographic photosensitive member, laser welding. It is also useful as a noise filter for a CCD camera or as a filter for a CMOS image sensor.
<근적외선 차단 필터의 제조 방법>≪ Method of manufacturing near-infrared cut filter >
본 발명의 근적외선 차단 필터는, 본 발명의 근적외선 흡수성 조성물을 지지체에 적용함으로써 막을 형성하는 공정, 막을 건조하는 공정을 거쳐 제조할 수 있다. 막두께, 적층 구조 등에 대해서는, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 또, 추가로 패턴을 형성하는 공정을 행해도 된다.The near infrared ray shielding filter of the present invention can be manufactured by applying a near infrared ray absorbing composition of the present invention to a support to form a film and drying the film. The film thickness, the lamination structure, and the like can be appropriately selected depending on the purpose. Further, a step of forming a pattern may be further performed.
막을 형성하는 공정은, 예를 들면 본 발명의 근적외선 흡수성 조성물을, 지지체에 적하법(드롭 캐스트), 스핀 코터, 슬릿 스핀 코터, 슬릿 코터, 스크린 인쇄, 어플리케이터 도포 등을 이용함으로써 실시할 수 있다. 적하법(드롭 캐스트)의 경우, 소정의 막두께로, 균일한 막이 얻어지도록, 지지체 상에 포토레지스트를 격벽으로 하는 근적외선 흡수성 조성물의 적하 영역을 형성하는 것이 바람직하다. 근적외선 흡수성 조성물의 적하량 및 고형분 농도, 적하 영역의 면적을 조정함으로써, 원하는 막두께가 얻어진다. 건조 후의 막의 두께로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 막의 두께로서는, 예를 들면 1~500μm가 바람직하고, 1~300μm가 보다 바람직하며, 1~200μm가 특히 바람직하다. 본 발명에서는, 이와 같은 얇은 막으로 한 경우에도, 근적외선 차폐성을 유지할 수 있다.The step of forming the film can be carried out, for example, by using a dropping method, a spin coater, a slit spin coater, a slit coater, a screen printing, an applicator application, or the like on the support in the near infrared ray absorbing composition of the present invention. In the case of the dropping method (droplet casting), it is preferable to form a dropping region of the near infrared absorptive composition having a photoresist as a partition wall on the support so as to obtain a uniform film with a predetermined film thickness. By adjusting the amount of the near infrared absorbing composition to be dropped, the solid content concentration, and the area of the dropping region, a desired film thickness can be obtained. The thickness of the film after drying is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. The thickness of the film is preferably, for example, 1 to 500 μm, more preferably 1 to 300 μm, and particularly preferably 1 to 200 μm. In the present invention, even in the case of such a thin film, the near infrared ray shielding property can be maintained.
지지체는, 유리 등으로 이루어지는 투명 기판이어도 된다. 또, 고체 촬상 소자여도 된다. 또, 고체 촬상 소자의 수광측에 마련된 별도의 기판이어도 된다. 또, 고체 촬상 소자의 수광측에 마련된 평탄화층 등의 층이어도 된다.The support may be a transparent substrate made of glass or the like. In addition, a solid-state imaging device may be used. Alternatively, it may be a separate substrate provided on the light-receiving side of the solid-state image sensor. A layer such as a planarization layer provided on the light-receiving side of the solid-state imaging element may also be used.
막을 건조하는 공정에 있어서, 건조 조건으로서는, 각 성분, 용제의 종류, 사용 비율 등에 따라서 상이하다. 예를 들면, 60~150℃의 온도에서, 30초간~15분간이 바람직하다.In the step of drying the film, the drying conditions are different depending on the components, the kind of the solvent, the use ratio and the like. For example, at a temperature of 60 to 150 캜 for 30 seconds to 15 minutes.
패턴을 형성하는 공정으로서는, 예를 들면 본 발명의 근적외선 흡수성 조성물을 지지체 상에 적용하여 막 형상의 조성물층을 형성하는 공정과, 조성물층을 패턴 형상으로 노광하는 공정과, 미노광부를 현상 제거하여 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 방법 등을 들 수 있다. 패턴을 형성하는 공정으로서는, 포토리소그래피법으로 패턴을 형성해도 되고, 드라이 에칭법으로 패턴을 형성해도 된다.Examples of the step of forming the pattern include a step of forming a film-like composition layer by applying the near infrared absorbing composition of the present invention on a support, a step of exposing the composition layer in a pattern shape, And a method including a step of forming a pattern. As the step of forming the pattern, a pattern may be formed by a photolithography method, or a pattern may be formed by a dry etching method.
근적외선 차단 필터의 제조 방법에 있어서, 그 외의 공정을 포함하고 있어도 된다. 그 외의 공정으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 기재의 표면 처리 공정, 전가열 공정(프리베이크 공정), 경화 처리 공정, 후가열 공정(포스트베이크 공정) 등을 들 수 있다.The manufacturing method of the near-infrared cut filter may include other processes. The other processes are not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, the surface treatment of the base material, the preheating step (prebaking step), the curing step, and the postheating step (postbake step).
<<전가열 공정· 후가열 공정>><< Preheating process · Post-heating process >>
전가열 공정 및 후가열 공정에 있어서의 가열 온도는, 80~200℃가 바람직하다. 상한은 150℃ 이하가 바람직하다. 하한은 90℃ 이상이 바람직하다.The heating temperature in the pre-heating step and the post-heating step is preferably 80 to 200 占 폚. The upper limit is preferably 150 占 폚 or lower. The lower limit is preferably 90 DEG C or higher.
전가열 공정 및 후가열 공정에 있어서의 가열 시간은, 30~240초가 바람직하다. 상한은 180초 이하가 바람직하다. 하한은 60초 이상이 바람직하다.The heating time in the pre-heating step and the post-heating step is preferably 30 to 240 seconds. The upper limit is preferably 180 seconds or less. The lower limit is preferably 60 seconds or more.
<<경화 처리 공정>><< Curing Treatment Process >>
경화 처리 공정은, 필요에 따라서, 형성된 상기 막에 대하여 경화 처리를 행하는 공정이며, 이 처리를 행함으로써, 근적외선 차단 필터의 기계적 강도가 향상된다.The curing treatment step is a step of performing a curing treatment to the film formed as necessary, and by performing this treatment, the mechanical strength of the near-infrared cut filter is improved.
경화 처리 공정으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 전체면 노광 처리, 전체면 가열 처리 등을 적합하게 들 수 있다. 여기에서, 본 발명에 있어서 "노광"이란, 각종 파장의 광뿐만 아니라, 전자선, X선 등의 방사선 조사도 포함하는 의미로 이용된다.The curing treatment step is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, the whole surface exposure treatment, the whole surface heating treatment, and the like are suitably exemplified. Here, in the present invention, the term "exposure" is used not only to light of various wavelengths but also to include irradiation with radiation such as electron beams and X-rays.
노광은 방사선의 조사에 의하여 행하는 것이 바람직하고, 노광 시에 이용할 수 있는 방사선으로서는, 특히, 전자선, KrF, ArF, g선, h선, i선 등의 자외선이나 가시광이 바람직하게 이용된다.The exposure is preferably performed by irradiation of radiation. Especially, ultraviolet rays or visible rays such as electron beams, KrF, ArF, g line, h line and i line are preferably used as the radiation usable in exposure.
노광 방식으로서는, 스테퍼 노광이나, 고압 수은등에 의한 노광 등을 들 수 있다.Examples of the exposure method include stepper exposure and exposure using a high-pressure mercury lamp.
노광량은 5~3000mJ/cm2가 바람직하다. 상한은, 2000mJ/cm2 이하가 바람직하고, 1000mJ/cm2 이하가 보다 바람직하다. 하한은, 10mJ/cm2 이상이 바람직하고, 50mJ/cm2 이상이 보다 바람직하다.The exposure dose is preferably 5 to 3000 mJ / cm 2 . The upper limit is not more than 2000mJ / cm 2 are preferred, and more preferably not more than 1000mJ / cm 2. The lower limit is preferably 10 mJ / cm 2 or more, more preferably 50 mJ / cm 2 or more.
전체면 노광 처리의 방법으로서는, 예를 들면 형성된 막의 전체면을 노광하는 방법을 들 수 있다. 근적외선 흡수성 조성물이 중합성 화합물을 함유하는 경우, 전체면 노광에 의하여, 중합성 화합물의 경화가 촉진되고, 막의 경화가 더 진행되어, 기계적 강도, 내구성이 개량된다.As a method of the entire surface exposure treatment, for example, a method of exposing the entire surface of the formed film may be mentioned. When the near infrared absorptive composition contains a polymerizable compound, the curing of the polymerizable compound is promoted by the entire surface exposure, and the curing of the film proceeds further, thereby improving the mechanical strength and durability.
전체면 노광을 행하는 장치로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있는데, 예를 들면 초고압 수은등 등의 UV 노광기를 적합하게 들 수 있다.The apparatus for performing the entire surface exposure is not particularly limited and may be appropriately selected according to the purpose. For example, a UV exposure apparatus such as an ultra-high pressure mercury lamp is suitably used.
또, 전체면 가열 처리의 방법으로서는, 형성된 상기 막의 전체면을 가열하는 방법을 들 수 있다. 전체면 가열에 의하여, 패턴의 막강도를 높일 수 있다.As a method of heating the entire surface, there is a method of heating the entire surface of the formed film. By heating the entire surface, the film strength of the pattern can be increased.
전체면 가열에 있어서의 가열 온도는, 120~250℃가 바람직하다. 하한은 160℃ 이상이 바람직하다. 상한은 220℃ 이상이 바람직하다. 가열 온도가 상기 범위이면, 강도가 우수한 막이 얻어지기 쉽다.The heating temperature in the whole surface heating is preferably 120 to 250 ° C. The lower limit is preferably 160 DEG C or more. The upper limit is preferably 220 DEG C or higher. If the heating temperature is within the above range, a film having excellent strength tends to be obtained.
전체면 가열에 있어서의 가열 시간은, 3~180분이 바람직하다. 하한은 5분 이상이 바람직하다. 상한은 120분 이하가 바람직하다.The heating time for heating the entire surface is preferably 3 to 180 minutes. The lower limit is preferably 5 minutes or longer. The upper limit is preferably 120 minutes or less.
전체면 가열을 행하는 장치로서는, 특별히 제한은 없고, 공지의 장치 중에서, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면 드라이 오븐, 핫플레이트, IR 히터 등을 들 수 있다.The apparatus for heating the entire surface is not particularly limited and may be appropriately selected from known apparatuses according to the purpose, and examples thereof include a dry oven, a hot plate, and an IR heater.
<카메라 모듈, 카메라 모듈의 제조 방법><Manufacturing Method of Camera Module and Camera Module>
본 발명의 카메라 모듈은, 고체 촬상 소자와, 고체 촬상 소자의 수광측에 배치된 근적외선 차단 필터를 갖는다.The camera module of the present invention has a solid-state image pickup device and a near-IR cut filter disposed on the light-receiving side of the solid-state image pickup device.
또, 본 발명의 카메라 모듈의 제조 방법은, 고체 촬상 소자의 수광측에 있어서, 상술한 본 발명의 근적외선 흡수성 조성물을 도포하는 공정을 갖는다.The manufacturing method of the camera module of the present invention has a step of applying the above-mentioned near infrared absorbing composition of the present invention on the light receiving side of the solid state image pickup device.
도 1은, 본 발명의 실시형태에 관한 근적외선 차단 필터를 갖는 카메라 모듈의 구성을 나타내는 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a camera module having a near-infrared cut filter according to an embodiment of the present invention.
카메라 모듈(10)은, 예를 들면 고체 촬상 소자(11)와, 고체 촬상 소자의 주면(主面)측(수광측)에 마련된 평탄화층(12)과, 근적외선 차단 필터(13)와, 근적외선 차단 필터의 상방에 배치되고 내부 공간에 촬상 렌즈(14)를 갖는 렌즈 홀더(15)를 구비한다.The camera module 10 includes a solid-state image pickup device 11, a planarization layer 12 provided on a main surface side (light receiving side) of the solid-state image pickup device, a near-infrared cut filter 13, And a lens holder (15) disposed above the blocking filter and having an imaging lens (14) in an inner space.
카메라 모듈(10)에서는, 외부로부터의 입사광(hν)이, 촬상 렌즈(14), 근적외선 차단 필터(13), 평탄화층(12)을 순차 투과한 후, 고체 촬상 소자(11)의 촬상 소자부에 도달하도록 이루어져 있다.In the camera module 10, incident light hν from the outside sequentially passes through the imaging lens 14, the near-IR cut filter 13, and the planarization layer 12, .
고체 촬상 소자(11)는, 예를 들면 기체(基體)인 실리콘 기판(16)의 주면에, 포토다이오드, 층간 절연막(도시하지 않음), 베이스층(도시하지 않음), 컬러 필터(17), 오버코트(도시하지 않음), 마이크로 렌즈(18)를 이 순서로 구비하고 있다. 컬러 필터(17)(적색의 컬러 필터, 녹색의 컬러 필터, 청색의 컬러 필터)나 마이크로 렌즈(18)는, 고체 촬상 소자(11)에 대응하도록, 각각 배치되어 있다.The solid-state image pickup device 11 is provided with a photodiode, an interlayer insulating film (not shown), a base layer (not shown), a
또, 평탄화층(12)의 표면에 근적외선 차단 필터(13)가 마련되는 대신에, 마이크로 렌즈(18)의 표면, 베이스층과 컬러 필터(17)의 사이, 또는 컬러 필터(17)와 오버코트의 사이에, 근적외선 차단 필터(13)가 마련되는 형태여도 된다. 예를 들면, 근적외선 차단 필터(13)는, 마이크로 렌즈 표면으로부터 2mm 이내(보다 바람직하게는 1mm 이내)의 위치에 마련되어 있어도 된다. 이 위치에 마련되면, 근적외선 차단 필터를 형성하는 공정을 간략화할 수 있고, 마이크로 렌즈로의 불필요한 근적외선을 충분히 차단할 수 있으므로, 근적외선 차폐성을 보다 높일 수 있다.Instead of providing the near infrared ray blocking filter 13 on the surface of the flattening layer 12, the surface of the
본 발명의 근적외선 차단 필터는, 땜납 리플로 공정에 이용할 수 있다. 땜납 리플로 공정에 의하여 카메라 모듈을 제조함으로써, 납땜을 행하는 것이 필요한 전자 부품 실장 기판 등의 자동 실장화가 가능해지고, 땜납 리플로 공정을 이용하지 않는 경우와 비교하여, 생산성을 현격히 향상시킬 수 있다. 또한, 자동으로 행할 수 있기 때문에, 저비용화를 도모할 수 있다. 땜납 리플로 공정에 이용되는 경우, 250~270℃ 정도의 온도에 노출되게 되기 때문에, 근적외선 차단 필터는, 땜납 리플로 공정에 견딜 수 있는 내열성(이하, "내(耐)땜납 리플로성"이라고도 함)을 갖는 것이 바람직하다.The near-infrared cut filter of the present invention can be used in a solder reflow process. By manufacturing the camera module by the solder reflow process, it becomes possible to automatically mount the electronic component mounting board or the like which requires soldering, and the productivity can be remarkably improved as compared with the case where the solder reflow process is not used. In addition, since it can be performed automatically, the cost can be reduced. When the solder reflow process is used, the near-infrared cut filter is also excellent in heat resistance (hereinafter referred to as "resistant solder reflow resistance") that can withstand the solder reflow process ).
본 명세서 중에서, "내땜납 리플로성을 갖는다"란, 200℃에서 10분간의 가열을 행하기 전후로 근적외선 차단 필터로서의 특성을 유지하는 것을 말한다. 보다 바람직하게는, 230℃에서 10분간의 가열을 행하기 전후로 특성을 유지하는 것이다. 더 바람직하게는, 250℃에서 3분간의 가열을 행하기 전후로 특성을 유지하는 것이다. 내땜납 리플로성을 갖지 않는 경우에는, 상기 조건으로 유지한 경우에, 근적외선 차단 필터의 근적외선 차폐성이 저하되거나, 막으로서의 기능이 불충분해지는 경우가 있다.In the present specification, "having solder reflow property" means maintaining the characteristic as a near-infrared cutoff filter before and after heating at 200 DEG C for 10 minutes. More preferably, the characteristics are maintained before and after heating at 230 DEG C for 10 minutes. More preferably, the characteristics are maintained before and after heating at 250 DEG C for 3 minutes. In the case where the solder has no solder reflow property, the near infrared ray shielding property of the near-infrared cut filter may be lowered or the function as a film may become insufficient when the condition is maintained under the above conditions.
또 본 발명은, 리플로 처리하는 공정을 포함하는, 카메라 모듈의 제조 방법에도 관한 것이다. 본 발명의 근적외선 차단 필터는, 리플로 공정이 있어도, 근적외선 차폐성이 유지되므로, 소형 경량·고성능화된 카메라 모듈의 특성을 저해시키지 않는다.The present invention also relates to a manufacturing method of a camera module including a reflow process. The near infrared ray shielding filter of the present invention maintains the near infrared ray shielding property even when the reflow process is performed, so that it does not hinder the characteristics of the camera module which is small and lightweight and has high performance.
도 2~4는, 카메라 모듈에 있어서의 근적외선 차단 필터 주변 부분의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.2 to 4 are schematic sectional views showing an example of a peripheral portion of a near infrared ray blocking filter in a camera module.
도 2에 나타내는 바와 같이, 카메라 모듈은, 고체 촬상 소자(11)와, 평탄화층(12)과, 자외·적외광 반사막(19)과, 투명 기재(20)와, 근적외선 흡수층(근적외선 차단 필터)(21)과, 반사 방지층(22)을 이 순서로 갖고 있어도 된다.2, the camera module includes a solid-state imaging element 11, a planarization layer 12, an ultraviolet / infrared light reflective film 19, a transparent substrate 20, a near infrared absorbing layer (near- An antireflection layer 21, and an antireflection layer 22 in this order.
자외·적외광 반사막(19)은, 근적외선 차단 필터의 기능을 부여 또는 높이는 효과를 가지며, 예를 들면 일본 공개특허공보 2013-68688호의 단락 0033~0039를 참조할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.The ultraviolet / infrared ultraviolet reflective film 19 has an effect of imparting or enhancing the function of the near-infrared cut filter. For example, reference can be made to paragraphs 0033 to 0039 of JP-A-2013-68688, Is used.
투명 기재(20)는, 가시 영역의 파장의 광을 투과하는 것이며, 예를 들면 일본 공개특허공보 2013-68688호의 단락 0026~0032를 참조할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.The transparent substrate 20 transmits light having a wavelength in the visible region, for example, refer to paragraphs 0026 to 0032 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2013-68688, the content of which is incorporated herein by reference.
근적외선 흡수층(21)은, 상술한 본 발명의 근적외선 흡수성 조성물을 도포함으로써 형성할 수 있다.The near-infrared absorbing layer 21 can be formed by applying the above-described near infrared absorbing composition of the present invention.
반사 방지층(22)은, 근적외선 차단 필터에 입사하는 광의 반사를 방지함으로써 투과율을 향상시켜, 효율적으로 입사광을 이용하는 기능을 갖는 것이며, 예를 들면 일본 공개특허공보 2013-68688호의 단락 0040을 참조할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.The antireflection layer 22 has a function of improving the transmittance by preventing the reflection of light incident on the near-infrared cut filter and using the incident light efficiently. For example, refer to paragraph 0040 of JP-A-2013-68688 , The contents of which are incorporated herein by reference.
도 3에 나타내는 바와 같이, 카메라 모듈은, 고체 촬상 소자(11)와, 근적외선 흡수층(근적외선 차단 필터)(21)과, 반사 방지층(22)과, 평탄화층(12)과, 반사 방지층(22)과, 투명 기재(20)와, 자외·적외광 반사막(19)을 이 순서로 갖고 있어도 된다.3, the camera module includes a solid-state imaging element 11, a near-infrared absorbing layer (near infrared ray blocking filter) 21, an antireflection layer 22, a planarization layer 12, an antireflection layer 22, The transparent substrate 20, and the ultraviolet / infrared light reflective film 19 in this order.
도 4에 나타내는 바와 같이, 카메라 모듈은, 고체 촬상 소자(11)와, 근적외선 흡수층(근적외선 차단 필터)(21)과, 자외·적외광 반사막(19)과, 평탄화층(12)과, 반사 방지층(22)과, 투명 기재(20)와, 반사 방지층(22)을 이 순서로 갖고 있어도 된다.4, the camera module includes a solid-state image pickup element 11, a near-infrared absorbing layer (near-infrared ray blocking filter) 21, an ultraviolet / infrared light reflecting film 19, a planarization layer 12, An antireflection layer 22, a transparent substrate 20, and an antireflection layer 22 in this order.
실시예Example
이하에 실시예를 들어 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 순서 등은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한, 적절히 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. The materials, the amounts to be used, the ratios, the contents of the treatments, the processing procedures, and the like shown in the following examples can be appropriately changed as long as they do not depart from the gist of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the following specific examples.
<합성예 1>(중합체 (P-1)~(P-10)의 합성)Synthesis Example 1 (Synthesis of Polymers (P-1) to (P-10)
3구 플라스크에, 1-메톡시-2-프로판올(21g)을 넣고, 질소 분위기하에 있어서 85℃로 승온했다.Methoxy-2-propanol (21 g) was charged into a three-necked flask, and the temperature was raised to 85 캜 under a nitrogen atmosphere.
다음으로, 4-바이닐피리딘(11.21g), 메타크릴산 벤질(18.79g), 및 V-601(와코 준야쿠 고교 가부시키가이샤제 아조계 중합 개시제, 1.06g)을, 1-메톡시-2-프로판올(49g)에 용해시킨 용액을 2시간 동안 적하했다.Next, 4-vinylpyridine (11.21 g), benzyl methacrylate (18.79 g), and V-601 (azo type polymerization initiator manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., 1.06 g) were added to 1-methoxy- -Propanol (49 g) was added dropwise over 2 hours.
적하 종료 후 4시간 교반하고, 반응을 종료시킴으로써 중합체 (P-1)을 얻었다. 중합체 (P-1)의 중량 평균 분자량은 20,000이었다.After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred for 4 hours, and the reaction was terminated to obtain a polymer (P-1). The polymer (P-1) had a weight average molecular weight of 20,000.
중합체 (P-2)~(P-10)에 대해서도, 중합체 (P-1)과 동일한 방법으로 얻었다. 중합체 (P-2)~(P-9)의 중량 평균 분자량은 20,000이었다. 또, 중합체 (P-10)의 중량 평균 분자량은 30,000이었다.Polymers (P-2) to (P-10) were also obtained in the same manner as in polymer (P-1). The weight average molecular weight of the polymers (P-2) to (P-9) was 20,000. The weight average molecular weight of the polymer (P-10) was 30,000.
<근적외선 흡수성 조성물>≪ Near-infrared absorbing composition >
(실시예 1)(Example 1)
가지 플라스크에, 2,6-피리딘다이카복실산(17.82g), 메탄올(50g)을 넣고 실온에서 용해시켰다. 아세트산 구리(19.37g)를 메탄올(50g) 및 물(20g)에 용해시킨 용액을 첨가하고, 실온에서 30분간 교반함으로써 침전의 생성을 확인했다. 거기에, 중합체 (P-1)의 1-메톡시-2-프로판올 용액(100g, 30질량%)을 첨가하고 실온에서 1시간 교반시킴으로써 폴리머 구리 화합물을 얻어, 근적외선 흡수성 조성물을 조제했다. 고형분 농도(폴리머 구리 화합물의 함유량)는 21질량%였다.2,6-pyridine dicarboxylic acid (17.82 g) and methanol (50 g) were added to a branch flask and dissolved at room temperature. A solution prepared by dissolving copper acetate (19.37 g) in methanol (50 g) and water (20 g) was added and stirred at room temperature for 30 minutes to confirm the formation of the precipitate. Then, a 1-methoxy-2-propanol solution (100 g, 30 mass%) of the polymer (P-1) was added thereto and stirred at room temperature for 1 hour to obtain a polymer copper compound to prepare a near infrared absorbing composition. The solid content concentration (content of the polymeric copper compound) was 21 mass%.
또한, 중합체 (P-1)의 전체 배위부(비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자와, 음이온으로 배위하는 배위 부위의 합계)와, 구리의 몰비는, 전체 배위부:구리=1:1이었다.The total coordination portion (the coordination atom coordinated with the unshared electron pair and the coordination site coordinated with the anion) of the polymer (P-1) and the molar ratio of copper were as follows: total coordination portion: copper = 1: 1.
(실시예 2~6)(Examples 2 to 6)
실시예 1에 있어서, 중합체 (P-1) 대신에, 중합체 (P-2)~(P-6)을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 폴리머 구리 화합물을 얻어, 근적외선 흡수성 조성물을 조제했다. 각 근적외선 흡수성 조성물의 고형분 농도(폴리머 구리 화합물의 함유량)는 21질량%였다.A polymer copper compound was obtained in the same manner as in Example 1 except that Polymers (P-2) to (P-6) were used instead of Polymer (P-1) in Example 1 to prepare a near infrared absorbing composition It was prepared. The solid content concentration (content of the polymeric copper compound) of each near-infrared absorbing composition was 21 mass%.
또한, 실시예 2~5에 있어서는, 중합체의 전체 배위부(비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자와, 음이온으로 배위하는 배위 부위의 합계)와, 구리의 몰비는, 전체 배위부:구리=1:1이었다. 또, 실시예 6에 있어서는, 중합체의 전체 배위부(비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자와, 음이온으로 배위하는 배위 부위의 합계)와, 구리의 몰비는, 전체 배위부:구리=2:1이었다. 또, 고형분 농도가 21질량%가 되도록 메탄올의 양을 조정했다.In Examples 2 to 5, the total coordination portion (the coordination atom coordinated with a non-covalent electron pair and the coordination site coordinated with anion) and the molar ratio of copper in the polymer were as follows: total coordination portion: copper = 1: 1 . In Example 6, the total coordination portion (the coordination atom coordinated with the non-covalent electron pair and the coordination site coordinated with the anion) and the molar ratio of copper in the polymer were as follows: total coordination portion: copper = 2: 1. The amount of methanol was adjusted so that the solid concentration became 21 mass%.
(실시예 7)(Example 7)
실시예 6에 있어서, 2,6-피리딘다이카복실산 대신에 이타콘산을 이용한 것 이외에는, 실시예 6과 동일하게 하여, 폴리머 구리 화합물을 얻어, 근적외선 흡수성 조성물을 조제했다. 근적외선 흡수성 조성물의 고형분 농도(폴리머 구리 화합물의 함유량)는 21질량%였다. 실시예 7에 있어서는, 중합체의 전체 배위부(비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자와, 음이온으로 배위하는 배위 부위의 합계)와, 구리의 몰비는, 전체 배위부:구리=2:1이었다. 또, 고형분 농도가 21질량%가 되도록 메탄올의 양을 조정했다.A polymer copper compound was obtained in the same manner as in Example 6 except that itaconic acid was used instead of 2,6-pyridinedicarboxylic acid in Example 6 to prepare a near infrared absorbing composition. The solid content concentration (content of the polymeric copper compound) of the near infrared absorptive composition was 21 mass%. In Example 7, the total coordination portion (the coordination atom coordinated with the unshared electron pair and the coordination site coordinated with the anion) of the polymer and the molar ratio of copper were as follows: total coordination portion: copper = 2: 1. The amount of methanol was adjusted so that the solid concentration became 21 mass%.
(실시예 8)(Example 8)
실시예 6에 있어서, 2,6-피리딘다이카복실산을 이용하지 않는 것, 아세트산 구리 대신에 2-에틸헥산산 구리를 이용하는 것 이외에는, 실시예 6과 동일하게 하여, 폴리머 구리 화합물을 얻어, 근적외선 흡수성 조성물을 조제했다. 근적외선 흡수성 조성물의 고형분 농도(폴리머 구리 화합물의 함유량)는 21질량%였다. 실시예 8에 있어서는, 중합체의 전체 배위부(비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자와, 음이온으로 배위하는 배위 부위의 합계)와, 구리의 몰비는, 전체 배위부:구리=2:1이었다. 또, 고형분 농도가 21질량%가 되도록 메탄올의 양을 조정했다.A polymer copper compound was obtained in the same manner as in Example 6 except that 2,6-pyridinedicarboxylic acid was not used and that 2-ethylhexanoate copper was used instead of copper acetate to obtain a near infrared ray absorbing property A composition was prepared. The solid content concentration (content of the polymeric copper compound) of the near infrared absorptive composition was 21 mass%. In Example 8, the total coordination portion (the coordination atom coordinated with the unshared electron pair and the coordination site coordinated with the anion) and the molar ratio of copper in the polymer were as follows: total coordination portion: copper = 2: 1. The amount of methanol was adjusted so that the solid concentration became 21 mass%.
(실시예 9)(Example 9)
실시예 6에 있어서, 2,6-피리딘다이카복실산을 이용하지 않는 것, 아세트산 구리 대신에 메테인설폰산 구리를 이용하는 것 이외에는, 실시예 6과 동일하게 하여, 폴리머 구리 화합물을 얻어, 근적외선 흡수성 조성물을 조제했다. 근적외선 흡수성 조성물의 고형분 농도(폴리머 구리 화합물의 함유량)는 21질량%였다. 실시예 9에 있어서는, 중합체의 전체 배위부(비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자와, 음이온으로 배위하는 배위 부위의 합계)와, 구리의 몰비는, 전체 배위부:구리=2:1이었다. 또, 고형분 농도가 21질량%가 되도록 메탄올의 양을 조정했다.A polymer copper compound was obtained in the same manner as in Example 6 except that 2,6-pyridinedicarboxylic acid was not used and copper methanesulfonate was used instead of copper acetate to obtain a near infrared absorbing composition It was prepared. The solid content concentration (content of the polymeric copper compound) of the near infrared absorptive composition was 21 mass%. In Example 9, the total coordination portion (the coordination atom coordinated with the unshared electron pair and the coordination site coordinated with the anion) and the molar ratio of copper were as follows: total coordination portion: copper = 2: 1. The amount of methanol was adjusted so that the solid concentration became 21 mass%.
(실시예 10)(Example 10)
실시예 1에 있어서, 중합체 (P-1) 대신에, 중합체 (P-7)을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 폴리머 구리 화합물을 얻어, 근적외선 흡수성 조성물을 조제했다. 근적외선 흡수성 조성물의 고형분 농도(폴리머 구리 화합물의 함유량)는 21질량%였다. 실시예 10에 있어서는, 중합체의 전체 배위부(비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자와, 음이온으로 배위하는 배위 부위의 합계)와, 구리의 몰비는, 전체 배위부:구리=2:1이었다. 또, 고형분 농도가 21질량%가 되도록 메탄올의 양을 조정했다.A polymer copper compound was obtained in the same manner as in Example 1 except that the polymer (P-7) was used instead of the polymer (P-1) in Example 1 to prepare a near infrared absorbing composition. The solid content concentration (content of the polymeric copper compound) of the near infrared absorptive composition was 21 mass%. In Example 10, the total coordination portion (total coordination atom coordinated with a non-covalent electron pair and the coordination site coordinated with anion) and copper molar ratio of the polymer were as follows: total coordination portion: copper = 2: 1. The amount of methanol was adjusted so that the solid concentration became 21 mass%.
(실시예 11)(Example 11)
실시예 1에 있어서, (2,6-피리딘다이카복실산을 이용하지 않는 것, 중합체 (P-1) 대신에 중합체 (P-8)을 이용하는 것, 아세트산 구리 대신에 메테인설폰산 구리를 이용하는 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 폴리머 구리 화합물을 얻어, 근적외선 흡수성 조성물을 조제했다. 근적외선 흡수성 조성물의 고형분 농도(폴리머 구리 화합물의 함유량)는 21질량%였다. 실시예 11에 있어서는, 중합체의 전체 배위부(비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자와, 음이온으로 배위하는 배위 부위의 합계)와, 구리의 몰비는, 전체 배위부:구리=1:1이었다. 또, 고형분 농도가 21질량%가 되도록 메탄올의 양을 조정했다.Except that 2,6-pyridinedicarboxylic acid was not used, polymer (P-8) was used instead of polymer (P-1), copper methanesulfonate was used in place of copper acetate, , The polymer copper compound was obtained in the same manner as in Example 1 to prepare a near infrared absorbing composition. The solid content concentration (content of the polymeric copper compound) of the near infrared absorbing composition was 21 mass%. In Example 11, The total coordination portion: copper = 1: 1. The molar ratio of copper to the coordination portion (the sum of the coordination atoms coordinated with the unshared electron pair and the coordination portion coordinated with the anion) and copper were 1: 1. Of the total amount.
(실시예 12)(Example 12)
실시예 1에 있어서, 2,6-피리딘다이카복실산을 이용하지 않는 것, 중합체 (P-1) 대신에 중합체 (P-9)를 이용하는 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 폴리머 구리 화합물을 얻어, 근적외선 흡수성 조성물을 조제했다. 근적외선 흡수성 조성물의 고형분 농도(폴리머 구리 화합물의 함유량)는 21질량%였다. 실시예 12에 있어서는, 중합체의 전체 배위부(비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자와, 음이온으로 배위하는 배위 부위의 합계)와, 구리의 몰비는, 전체 배위부:구리=2:1이었다. 또, 고형분 농도가 21질량%가 되도록 메탄올의 양을 조정했다.A polymer copper compound was obtained in the same manner as in Example 1 except that 2,6-pyridinedicarboxylic acid was not used and the polymer (P-9) was used instead of the polymer (P-1) To obtain a near infrared absorbing composition. The solid content concentration (content of the polymeric copper compound) of the near infrared absorptive composition was 21 mass%. In Example 12, the total coordination portion (the coordination atom coordinated with the unshared electron pair and the coordination site coordinated with the anion) and the molar ratio of copper in the polymer were as follows: total coordination portion: copper = 2: 1. The amount of methanol was adjusted so that the solid concentration became 21 mass%.
(실시예 13)(Example 13)
실시예 1에 있어서, 2,6-피리딘다이카복실산을 이용하지 않는 것, 중합체 (P-1) 대신에 중합체 (P-10)을 이용하는 것, 아세트산 구리 대신에 메테인설폰산 구리를 이용하는 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 폴리머 구리 화합물을 얻어, 근적외선 흡수성 조성물을 조제했다. 근적외선 흡수성 조성물의 고형분 농도(폴리머 구리 화합물의 함유량)는 21질량%였다. 실시예 13에 있어서는, 중합체의 전체 배위부(비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자와, 음이온으로 배위하는 배위 부위의 합계)와, 구리의 몰비는, 전체 배위부:구리=1:1이었다. 또, 고형분 농도가 21질량%가 되도록 메탄올의 양을 조정했다.Except that 2,6-pyridinedicarboxylic acid was not used in Example 1, polymer (P-10) was used instead of polymer (P-1), copper methanesulfonate was used instead of copper acetate, A polymer copper compound was obtained in the same manner as in Example 1 to prepare a near infrared absorbing composition. The solid content concentration (content of the polymeric copper compound) of the near infrared absorptive composition was 21 mass%. In Example 13, the total coordination portion (total coordination atom coordinated with a non-covalent electron pair and the coordination site coordinated with anion) and the mole ratio of copper were as follows: the total coordination portion: copper = 1: 1. The amount of methanol was adjusted so that the solid concentration became 21 mass%.
(비교예 1)(Comparative Example 1)
일본 공개특허공보 2010-134457호의 실시예 1과 동일하게 하여, 근적외선 흡수성 조성물을 조제했다.A near infrared absorbing composition was prepared in the same manner as in Example 1 of JP-A-2010-134457.
<<근적외선 차단 필터의 제작>><< Fabrication of NIR filter >>
각 근적외선 흡수성 조성물을 이용하여, 근적외선 차단 필터를 제작했다.A near infrared ray shielding filter was produced using each near infrared absorbing composition.
유리 기판 상에, 포토레지스트를 도포하고, 리소그래피에 의하여 패터닝하여 포토레지스트의 격벽을 형성하여 근적외선 흡수성 조성물의 적하 영역을 형성했다. 유리 기판 상의 적하 영역에, 각 근적외선 흡수성 조성물을 3ml 적하하고, 24시간 실온 방치에 의하여 건조시켰다. 건조 후의 도포막의 막두께를 평가한바, 막두께는 200μm였다.A photoresist was coated on the glass substrate and patterned by lithography to form a partition of the photoresist to form a dropping region of the near infrared absorbing composition. 3 ml of each near infrared absorptive composition was dropped into a dropping area on a glass substrate, and the resultant was left to stand at room temperature for 24 hours. The film thickness of the coated film after drying was evaluated, and the film thickness was 200 m.
<<근적외선 차폐성 평가>><< Evaluation of near infrared ray shielding >>
상기와 같이 하여 얻은 근적외선 차단 필터에 있어서의 파장 800nm의 투과율을 분광 광도계 U-4100(히타치 하이테크놀로지즈사제)을 이용하여 측정했다. 근적외선 차폐성을 이하의 기준으로 평가했다. 결과를 이하의 표에 나타낸다.The transmittance at a wavelength of 800 nm in the near-infrared cut filter obtained as described above was measured using a spectrophotometer U-4100 (manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). The near infrared ray shielding property was evaluated by the following criteria. The results are shown in the following table.
A: 800nm의 투과율≤5%A: transmittance of 800 nm < = 5%
B: 5%<800nm의 투과율≤7%B: transmittance of 5% < 800 nm < 7%
C: 7%<800nm의 투과율≤10%C: transmittance of 7% < 800 nm < = 10%
D: 10%<800nm의 투과율D: transmittance of 10% < 800 nm
<<내열성 평가>><< Heat resistance evaluation >>
상기와 같이 하여 얻은 근적외선 차단 필터를 200℃에서 5분간 방치했다. 내열성 시험 전과 내열성 시험 후의 각각에 있어서, 근적외선 차단 필터의 800nm에 있어서의 흡광도를 측정하여, ((시험 전에 있어서의 흡광도-시험 후에 있어서의 흡광도)/시험 전에 있어서의 흡광도)×100(%)으로 나타나는 800nm의 흡광도의 변화율을 구했다. 400nm에 있어서의 흡광도도 측정하여, ((시험 후에 있어서의 흡광도-시험 전에 있어서의 흡광도)/시험 전에 있어서의 흡광도)×100(%)으로 나타나는 400nm의 흡광도의 변화율을 구했다. 각각의 파장에 있어서의 내열성을 이하의 기준으로 평가했다. 흡광도의 측정에는, 분광 광도계 U-4100(히타치 하이테크놀로지즈사제)을 이용했다.The near-infrared cut filter thus obtained was allowed to stand at 200 占 폚 for 5 minutes. The absorbance at 800 nm of the near infrared ray shielding filter was measured before and after the heat resistance test and after the heat resistance test, and the absorbance at 800 nm was measured as ((absorbance before test - absorbance after test) / The rate of change of the absorbance at 800 nm was obtained. The absorbance at 400 nm was also measured to determine the rate of change of absorbance at 400 nm, which is expressed as ((absorbance after test - absorbance before test) / absorbance before test) x 100 (%). The heat resistance at each wavelength was evaluated by the following criteria. A spectrophotometer U-4100 (manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) was used for measurement of the absorbance.
A: 흡광도의 변화율≤3%A: Rate of change of absorbance? 3%
B: 3%<흡광도의 변화율≤6%B: 3% <change rate of absorbance? 6%
C: 6%<흡광도의 변화율≤10%C: 6% <change rate of absorbance ≤10%
D: 10%<흡광도의 변화율D: 10% <change in absorbance
<<내습성 평가>><< Evaluation of moisture resistance >>
상기와 같이 하여 얻은 근적외선 차단 필터를 85℃/상대 습도 85%의 고온 고습하에서 1시간 방치했다. 내습성 시험 전과 내습성 시험 후의 각각에 있어서, 근적외선 차단 필터의 파장 700~1400nm에 있어서의 최대 흡광도(Abs λmax)와, 파장 400~700nm에 있어서의 최소 흡광도(Abs λmin)를, 분광 광도계 U-4100(히타치 하이테크놀로지즈사제)을 이용하여 측정하고, "Abs λmax/Abs λmin"으로 나타나는 흡광도비를 구했다. |(시험 전에 있어서의 흡광도비-시험 후에 있어서의 흡광도비)/시험 전에 있어서의 흡광도비×100|(%)으로 나타나는 흡광도비 변화율을 이하의 기준으로 평가했다.The near-infrared cut filter thus obtained was allowed to stand under high temperature and high humidity at 85 캜 / 85% relative humidity for 1 hour. (Abs λmax) at a wavelength of 700 to 1400 nm and a minimum absorbance (Abs λmin) at a wavelength of 400 to 700 nm of the near infrared ray blocking filter were measured by a spectrophotometer U- 4100 (manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), and the absorbance ratio represented by "Abs λmax / Abs λmin" was obtained. | Absorbance ratio before test (Absorbance ratio before test - Absorbance ratio after test) / Absorbance ratio before test × 100 | (%) The rate of change in absorbance was expressed by the following criteria.
A: 흡광도비 변화율≤2%A: Absorption ratio change rate ≤ 2%
B: 2%<흡광도비 변화율≤4%B: 2% <change in absorbance ratio? 4%
C: 4%<흡광도비 변화율≤7%C: 4% <change in absorbance ratio ≤7%
D: 7%<흡광도비 변화율D: 7% <change in absorbance ratio
<<흡수율 평가>><< Absorption Rate Evaluation >>
충분히 건조한 구리 착체(폴리머 구리 착체) 분말을 25℃, 상대 습도 95%의 조건에 5시간 방치했다(흡수율 시험). 흡수율 시험 전의 질량을 기준으로 하여, 흡수율 시험 후에 있어서의 구리 착체 분말의 질량 증가율을 산출하여, 이하의 기준으로 평가했다.The sufficiently dried copper complex (polymer copper complex) powder was allowed to stand at 25 캜 and 95% relative humidity for 5 hours (absorption rate test). Water absorption rate The mass increase rate of the copper complex powder after the water absorption test was calculated on the basis of the mass before the test and evaluated according to the following criteria.
A1: 0≤질량 증가율≤3%A1: 0? Mass increase rate? 3%
A2: 3%<질량 증가율≤10%A2: 3% <Mass increase rate ≤10%
B: 10%<질량 증가율≤25%B: 10% < mass increase rate < = 25%
C: 25%<질량 증가율≤60%C: 25% <Mass increase rate ≤60%
D: 60%<질량 증가율D: 60% <Mass increase rate
[표 1][Table 1]
상기 표 1로부터 명확한 바와 같이, 본 발명의 근적외선 흡수성 조성물은, 높은 근적외선 차폐성을 유지하면서, 내열성이 우수한 경화막을 형성할 수 있었다. 또, 내습성도 우수한 경화막을 형성할 수 있었다. 또, 파장 450~550nm의 범위에서의 광투과율을 85% 이상으로 하고, 파장 800~900nm의 범위에서의 광투과율을 20% 이하로 할 수도 있다.As is apparent from Table 1, the near infrared absorbing composition of the present invention was able to form a cured film having excellent heat resistance while maintaining a high near infrared ray shielding property. In addition, a cured film excellent in moisture resistance could be formed. It is also possible to set the light transmittance in the wavelength range of 450 to 550 nm to 85% or more and the light transmittance in the wavelength range of 800 to 900 nm to 20% or less.
이에 대하여, 비교예 1은, 내열성이 뒤떨어지는 것이었다.On the other hand, Comparative Example 1 was poor in heat resistance.
실시예 1~13의 근적외선 흡수성 조성물에 있어서, 조성물의 전체 고형분에 대한 폴리머 구리 화합물의 함유량을 15질량%, 20질량%, 30질량% 또는 40질량%로 한 경우에도, 그것들과 마찬가지로 우수한 근적외선 차폐성이 얻어진다.In the near infrared absorbing composition of Examples 1 to 13, even when the content of the polymeric copper compound relative to the total solid content of the composition was 15 mass%, 20 mass%, 30 mass% or 40 mass%, excellent near infrared ray shielding .
(실시예 20)(Example 20)
실시예 1의 근적외선 흡수성 조성물에 있어서, 이하에 나타내는 저분자 구리 착체 A를 더 추가하고, 고형분 기준으로 폴리머 구리 화합물과, 저분자 구리 착체 A의 비가 7:3이 되도록 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 20의 근적외선 흡수성 조성물을 얻었다.Except that the following low-molecular-weight copper complex A was further added to the near infrared absorbing composition of Example 1 to make the ratio of the polymeric copper compound to the low-molecular-weight copper complex A was 7: 3 on the basis of the solid content To thereby obtain the near infrared absorbing composition of Example 20.
(실시예 21~24)(Examples 21 to 24)
실시예 20의 근적외선 흡수성 조성물에 있어서, 저분자 구리 착체 A를 각각 저분자 구리 착체 B, C, D 또는 E로 변경한 것 이외에는, 실시예 20과 동일하게 하여, 실시예 21~24의 근적외선 흡수성 조성물을 얻었다.Infrared absorptive composition of Examples 21 to 24 was obtained in the same manner as in Example 20 except that the low molecular weight copper complex A was changed to the low molecular weight copper complex B, C, D or E in the near infrared absorbing composition of Example 20, .
(실시예 25~28)(Examples 25 to 28)
실시예 20의 근적외선 흡수성 조성물에 있어서, 고형분 기준으로 폴리머 구리 화합물과 저분자 구리 착체 A의 비를, 각각 5:5, 6:4, 8:2로 변경한 것 이외에는, 실시예 20과 동일하게 하여, 실시예 25~28의 근적외선 흡수성 조성물을 얻었다.The procedure of Example 20 was repeated except that the proportion of the polymeric copper compound and the low molecular weight copper complex A was changed to 5: 5, 6: 4, and 8: 2, respectively, on the basis of the solid content in the near infrared absorbing composition of Example 20 , And the near infrared absorbing compositions of Examples 25 to 28 were obtained.
이들, 폴리머 구리 화합물과 저분자 구리 착체의 혼합 타입에서는, 더 높은 근적외선 차폐성을 달성할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.It was confirmed that these types of mixed types of the polymer copper compound and the low molecular weight copper complex can achieve a higher near infrared ray shielding property.
(저분자 구리 착체)(Low molecular weight copper complex)
저분자 구리 착체 A: 하기 (M-1)을 배위자로서 갖는 구리 착체. 합성 방법은 후술한다.Low molecular copper complex A: Copper complex having (M-1) below as a ligand. The synthesis method will be described later.
저분자 구리 착체 B: 하기 화합물 (B1-21)을 배위자로 하는 구리 착체. 합성 방법은 후술한다.Low molecular weight copper complex B: Copper complex having the following compound (B1-21) as a ligand. The synthesis method will be described later.
저분자 구리 착체 C: 프탈산 모노뷰틸 구리, 도쿄 가세이 고교 가부시키가이샤Low molecular weight copper complex C: monobutyl phthalate, Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.
저분자 구리 착체 D: 하기 화합물 (B2-1)을 배위자로 하는 구리 착체. 합성 방법은 후술한다.Low molecular weight copper complex D: Copper complex having the following compound (B2-1) as a ligand. The synthesis method will be described later.
저분자 구리 착체 E: 하기 화합물 (B3-18)을 배위자로 하는 구리 착체. 합성 방법은 후술한다.Low molecular copper complex E: Copper complex having the following compound (B3-18) as a ligand. The synthesis method will be described later.
[화학식 20][Chemical Formula 20]
<저분자 구리 착체 A의 합성><Synthesis of low molecular weight copper complex A>
3구 플라스크에, 질소 분위기하, 피라졸-3-카복실산 에틸 4.0g, 탄산 세슘 11.16g, 3-브로모펜테인 5.17g, 2,6-다이메틸-4-헵탄온 60mL를 첨가하고, 150℃에서 1시간 가열했다. 실온에 냉각 후, 여과에 의하여 불용물을 제거하고, 여과액을 농축하여 얻어진 조생성물(粗生成物)을 실리카젤 칼럼 크로마토그래피(용매: 헥세인/아세트산 에틸)로 정제함으로써, 1-(3-펜틸)피라졸-3-카복실산 에틸을 3.3g 얻었다.In a three-necked flask, 4.0 g of ethyl pyrazole-3-carboxylate, 11.16 g of cesium carbonate, 5.17 g of 3-bromopentane and 60 mL of 2,6-dimethyl-4-heptanone were added in a nitrogen atmosphere, For 1 hour. After cooling to room temperature, the insoluble material was removed by filtration, and the filtrate was concentrated. The obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (solvent: hexane / ethyl acetate) to obtain 1- (3 -Pentyl) pyrazole-3-carboxylate (3.3 g).
플라스크에 상기 생성물을 0.87g, 에탄올 6mL를 첨가하고, 실온에서 교반하면서 물 0.1g, tert-뷰톡시칼륨 0.46g을 첨가한 후, 70℃에서 30분간 교반했다. 실온에 냉각 후, 황산 구리 0.52g을 물 5mL에 용해한 용액을 첨가하고, 실온에서 1시간 교반했다. 석출한 고체를 여과 분리하여, 감압하에서 건조함으로써 저분자 구리 착체 A를 0.7g 얻었다.0.87 g of the above product and 6 mL of ethanol were added to the flask, and while stirring at room temperature, 0.1 g of water and 0.46 g of tert-butoxy potassium were added, followed by stirring at 70 캜 for 30 minutes. After cooling to room temperature, a solution of 0.52 g of copper sulfate in 5 mL of water was added, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. The precipitated solid was separated by filtration and dried under reduced pressure to obtain 0.7 g of low molecular weight copper complex A.
<구리 착체 B의 합성><Synthesis of Copper Complex B>
화합물 B1-21(886mg, 9.84mmol)을 메탄올 20ml에 용해했다. 이 용액을 50℃로 승온한 후, 수산화 구리(449mg, 4.60mmol)의 메탄올 용액(160ml)을 적하하고, 50℃에서 2시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 에바포레이터로 발생한 물 및 용제를 증류 제거함으로써 저분자 구리 착체 B(1.00g)를 얻었다.Compound B1-21 (886 mg, 9.84 mmol) was dissolved in 20 ml of methanol. After raising the temperature of the solution to 50 占 폚, a methanol solution (160 ml) of copper hydroxide (449 mg, 4.60 mmol) was added dropwise and reacted at 50 占 폚 for 2 hours. After completion of the reaction, water and solvent generated in the evaporator were distilled off to obtain a low molecular weight copper complex B (1.00 g).
<구리 착체 D의 합성><Synthesis of Copper Complex D>
화합물 B2-1(0.2g, 1.1mmol)을 에탄올 5ml에 용해했다. 이 용액을 70℃로 승온한 후, 아세트산 구리(0.2g, 1.1mmol)의 에탄올 용액(5ml)을 적하하고, 70℃에서 2시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 에바포레이터로 발생한 물 및 용제를 증류 제거함으로써 저분자 구리 착체 D(0.6g)를 얻었다.Compound B2-1 (0.2 g, 1.1 mmol) was dissolved in 5 ml of ethanol. After raising the temperature of the solution to 70 占 폚, an ethanol solution (5 ml) of copper acetate (0.2 g, 1.1 mmol) was added dropwise and the mixture was reacted at 70 占 폚 for 2 hours. After completion of the reaction, water and solvent generated in the evaporator were distilled off to obtain low molecular weight copper complex D (0.6 g).
<구리 착체 E의 합성><Synthesis of Copper Complex E>
화합물 B3-18(설포프탈산) 53.1질량% 수용액(13.49g, 29.1mmol)을 메탄올 50mL에 용해하고, 이 용액을 50℃로 승온한 후, 수산화 구리(2.84g, 29.1mmol)를 첨가하여 50℃에서 2시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 에바포레이터로 용제 및 발생한 물을 증류 제거함으로써 저분자 구리 착체 E(8.57g)를 얻었다.An aqueous solution (13.49 g, 29.1 mmol) of 53.1% by mass of the compound B3-18 (sulfophthalic acid) was dissolved in 50 mL of methanol, and the temperature of the solution was raised to 50 캜. Copper hydroxide (2.84 g, 29.1 mmol) For 2 hours. After completion of the reaction, the solvent and the resulting water were distilled off with an evaporator to obtain a low molecular weight copper complex E (8.57 g).
10 카메라 모듈
11 고체 촬상 소자
12 평탄화층
13 근적외선 차단 필터
14 촬상 렌즈
15 렌즈 홀더
16 실리콘 기판
17 컬러 필터
18 마이크로 렌즈
19 자외·적외광 반사막
20 투명 기재
21 근적외선 흡수층
22 반사 방지층10 Camera module
11 solid-
12 planarization layer
13 NIR filter
14 imaging lens
15 Lens Holder
16 silicon substrate
17 Color filters
18 micro lenses
19 Ultraviolet / infrared reflective film
20 transparent substrate
21 Near infrared absorbing layer
22 Antireflection layer
Claims (11)
상기 배위 원자가, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자 및 인 원자로부터 선택되는 1종 이상인, 근적외선 흡수성 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the coordination atom is at least one element selected from the group consisting of an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom and a phosphorus atom.
상기 중합체는, 음이온으로 배위하는 배위 부위를 더 갖는, 근적외선 흡수성 조성물.The method according to claim 1 or 2,
The polymer further has a coordination site coordinated with an anion.
상기 음이온이, 산소 음이온, 질소 음이온 및 황 음이온으로부터 선택되는 1종 이상인, 근적외선 흡수성 조성물.The method of claim 3,
Wherein the anion is at least one selected from an oxygen anion, a nitrogen anion and a sulfur anion.
상기 중합체는, 하기 식 (1)로 나타나는 기를 측쇄에 포함하는, 근적외선 흡수성 조성물;
*-L1-Y1 …(1)
일반식 (1)에 있어서, L1은 단결합 또는 연결기를 나타내고, Y1은, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상 갖는 기 또는 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상과 음이온으로 배위하는 배위 부위를 1개 이상 갖는 기를 나타내며, *는, 중합체와의 연결손을 나타낸다.The method according to any one of claims 1 to 4,
The polymer contains a group represented by the following formula (1) in the side chain: a near infrared absorbing composition;
-L 1 -Y 1 ... (One)
In the general formula (1), L 1 represents a single bond or a linking group, Y 1 represents a group having one or more coordination atoms coordinated with a non-covalent electron pair or a coordination atom coordinating to a pair of non- Represents a group having at least one coordination site to be coordinated, and * denotes a link to a polymer.
상기 중합체는, 하기 식 (A1-1)로 나타나는 구성 단위를 포함하는, 근적외선 흡수성 조성물;
[화학식 1]
식 (A1-1) 중, R1은 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내고, L1은 단결합 또는 연결기를 나타내며, Y1은, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상 갖는 기 또는 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상과 음이온으로 배위하는 배위 부위를 1개 이상 갖는 기를 나타낸다.The method according to any one of claims 1 to 5,
The polymer includes a constituent unit represented by the following formula (A1-1): a near infrared absorbing composition;
[Chemical Formula 1]
In the formula (A1-1), R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, L 1 represents a single bond or a linking group, Y 1 represents a group having one or more coordination atoms coordinated with a pair of non- A group having one or more coordination atoms coordinating to one or more coordination atoms and anions coordinated to anions.
상기 중합체는, 하기 식 (A1-1-1)~(A1-1-4)로부터 선택되는 적어도 1종의 구성 단위를 포함하는, 근적외선 흡수성 조성물;
[화학식 2]
식 (A1-1-1)~(A1-1-4) 중, R1은 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내고, L2는 단결합 또는 연결기를 나타내며, Y1은, 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상 갖는 기 또는 비공유 전자쌍으로 배위하는 배위 원자를 1개 이상과 음이온으로 배위하는 배위 부위를 1개 이상 갖는 기를 나타낸다.The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the polymer comprises at least one constituent unit selected from the following formulas (A1-1-1) to (A1-1-4): a near infrared absorbing composition;
(2)
In the formulas (A1-1-1) to (A1-1-4), R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, L 2 represents a single bond or a linking group, Y 1 represents a coordination atom coordinated with a non- Or a group having one or more coordination sites for coordinating one or more coordinating atoms coordinated with a pair of non-covalent electrons and anions.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014134256 | 2014-06-30 | ||
JPJP-P-2014-134256 | 2014-06-30 | ||
PCT/JP2015/068641 WO2016002701A1 (en) | 2014-06-30 | 2015-06-29 | Near-infrared-absorbent composition, near-infrared cut filter, method for manufacturing near-infrared cut filter, solid-state imaging element, and camera module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170007365A true KR20170007365A (en) | 2017-01-18 |
KR101958696B1 KR101958696B1 (en) | 2019-03-15 |
Family
ID=55019236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020167034410A KR101958696B1 (en) | 2014-06-30 | 2015-06-29 | Near-infrared-absorbent composition, near-infrared cut filter, method for manufacturing near-infrared cut filter, solid-state imaging element, and camera module |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6340078B2 (en) |
KR (1) | KR101958696B1 (en) |
TW (1) | TWI667243B (en) |
WO (1) | WO2016002701A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11181673B2 (en) | 2017-11-01 | 2021-11-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical filter, and camera module and electronic device comprising the same |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6563014B2 (en) * | 2015-06-24 | 2019-08-21 | 富士フイルム株式会社 | Near-infrared absorbing composition, near-infrared cut filter, method for producing near-infrared cut filter, apparatus, method for producing copper-containing polymer, and copper-containing polymer |
KR20200095923A (en) | 2019-02-01 | 2020-08-11 | 삼성전자주식회사 | Near-Infrared Absorbing COMPOSITION, Near-Infrared Absorbing COMPOSITION Film, AND CAMERA MODULE AND ECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001213918A (en) | 2000-02-04 | 2001-08-07 | Nisshinbo Ind Inc | Near infrared ray absorbing composition and near infrared ray absorbing filter manufactured using the same |
JP2009013200A (en) | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | Near-infrared absorbing pressure-sensitive adhesive and near-infrared absorbing pressure-sensitive adhesive sheet |
JP2010134457A (en) | 2008-11-06 | 2010-06-17 | Uni-Chemical Co Ltd | Infrared ray blocking film and infrared ray blocking laminated film |
WO2014010425A1 (en) * | 2012-07-09 | 2014-01-16 | 富士フイルム株式会社 | Near-infrared absorbing composition, near-infrared cut-off filter using same, method for manufacturing near-infrared cut-off filter, camera module, and method for manufacturing camera module |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0866971A (en) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Nippon Hikyumen Lens Kk | Preparation of metal containing resin and lens using resin as material |
JP3939822B2 (en) * | 1997-08-07 | 2007-07-04 | 協立化学産業株式会社 | Near-infrared absorbing material, synthesis method thereof, and near-infrared absorbing resin composition |
JPH11315215A (en) * | 1998-02-20 | 1999-11-16 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Resin composition containing copper compound, resin sheet, and front panel for pdp |
JP2000007870A (en) * | 1998-06-23 | 2000-01-11 | Kureha Chem Ind Co Ltd | Resin composition and its production, optical filter and device equipped with the same, athermanous filter, optical fiber and glass lens |
JP4855070B2 (en) * | 2005-12-28 | 2012-01-18 | 富士フイルム株式会社 | Metal fine particle dispersion and infrared shielding filter |
US8618232B2 (en) * | 2010-04-26 | 2013-12-31 | Dic Corporation | Infrared absorbing thin film containing rutile-type titanium oxide crystal and method for producing the same |
JP5829641B2 (en) * | 2012-05-08 | 2015-12-09 | 富士フイルム株式会社 | Near-infrared absorbing liquid composition, near-infrared cut filter using the same, and manufacturing method thereof, and camera module and manufacturing method thereof |
KR20150081315A (en) * | 2012-11-30 | 2015-07-13 | 후지필름 가부시키가이샤 | Curable resin composition, and image-sensor-chip production method and image sensor chip using same |
JP2015043080A (en) * | 2013-07-24 | 2015-03-05 | 富士フイルム株式会社 | Near-infrared-absorbing composition, near-infrared cut filter using this and method for producing the same, camera module and method for producing the same, and solid photographing element |
JP6242782B2 (en) * | 2014-01-21 | 2017-12-06 | 富士フイルム株式会社 | Near-infrared absorbing composition, near-infrared cut filter and manufacturing method thereof, and camera module and manufacturing method thereof |
-
2015
- 2015-06-09 TW TW104118547A patent/TWI667243B/en not_active IP Right Cessation
- 2015-06-29 KR KR1020167034410A patent/KR101958696B1/en active IP Right Grant
- 2015-06-29 JP JP2016531356A patent/JP6340078B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-29 WO PCT/JP2015/068641 patent/WO2016002701A1/en active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001213918A (en) | 2000-02-04 | 2001-08-07 | Nisshinbo Ind Inc | Near infrared ray absorbing composition and near infrared ray absorbing filter manufactured using the same |
JP2009013200A (en) | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | Near-infrared absorbing pressure-sensitive adhesive and near-infrared absorbing pressure-sensitive adhesive sheet |
JP2010134457A (en) | 2008-11-06 | 2010-06-17 | Uni-Chemical Co Ltd | Infrared ray blocking film and infrared ray blocking laminated film |
WO2014010425A1 (en) * | 2012-07-09 | 2014-01-16 | 富士フイルム株式会社 | Near-infrared absorbing composition, near-infrared cut-off filter using same, method for manufacturing near-infrared cut-off filter, camera module, and method for manufacturing camera module |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11181673B2 (en) | 2017-11-01 | 2021-11-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical filter, and camera module and electronic device comprising the same |
US11719867B2 (en) | 2017-11-01 | 2023-08-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical filter, and camera module and electronic device comprising the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016002701A1 (en) | 2016-01-07 |
TW201600523A (en) | 2016-01-01 |
JP6340078B2 (en) | 2018-06-06 |
TWI667243B (en) | 2019-08-01 |
JPWO2016002701A1 (en) | 2017-06-01 |
KR101958696B1 (en) | 2019-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101865599B1 (en) | Near-infrared-ray-absorbing composition, near-infrared-ray cut filter using same, manufacturing method therefor, camera module, and manufacturing method therefor | |
KR101962664B1 (en) | Near-infrared absorbing composition, near-infrared blocking filter, method for producing near-infrared blocking filter, camera module and method for manufacturing camera module | |
WO2015012322A1 (en) | Near-infrared-absorbing composition, near-infrared cut filter obtained using same, process for producing said cut filter, camera module and process for producing same, and solid photographing element | |
US10215898B2 (en) | Near infrared ray absorbent composition, near infrared ray cut filter, solid image pickup element, and camera module | |
KR20170007387A (en) | Near infrared absorbing composition, near infrared blocking filter, method for producing near infrared blocking filter, solid-state imaging element, and camera module | |
US9698186B2 (en) | Near-infrared-absorbing composition, near-infrared cut-off filter using same, camera module, and manufacturing method therefor | |
TW201508346A (en) | Method for manufacturing near infrared cut filter, and solid-state image sensing device | |
KR101958696B1 (en) | Near-infrared-absorbent composition, near-infrared cut filter, method for manufacturing near-infrared cut filter, solid-state imaging element, and camera module | |
WO2014189098A1 (en) | Near-infrared absorbing composition, near-infrared blocking filter using same, method for producing said near-infrared blocking filter, camera module, and method for manufacturing said camera module | |
TW201506092A (en) | Near infrared absorbing composition, near infrared cut filter, method for manufacturing the same, and solid-state image sensing device | |
TWI660036B (en) | Near-infrared ray cut filter, near-infrared absorption composition, photo-sensitive resin composition, cured film, compound, camera module, and method for manufacturing camera module | |
US20160077256A1 (en) | Near-infrared-absorbing composition, near-infrared cut-off filter and production method using same, and camera module | |
TW201700701A (en) | Near-infrared absorbing composition, near-infrared blocking filter, method for producing near-infrared blocking filter, apparatus, method for producing copper-containing polymer, and copper-containing polymer | |
KR20160091970A (en) | Near-infrared absorbing composition, near-infrared blocking filter, method for producing near-infrared blocking filter, camera module and method for manufacturing camera module | |
WO2015016142A1 (en) | Method for manufacturing film containing copper compound, method for suppressing thickening of film-forming composition, kit for manufacturing film-forming composition, and solid-state image sensor | |
JP6277056B2 (en) | Spectral adjustment method of near-infrared absorbing substance, near-infrared absorbing composition and manufacturing method thereof, near-infrared cut filter and manufacturing method thereof, camera module, and copper compound spectral adjusting agent |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |