KR20170006325A

KR20170006325A - Deposition device and method of manufacturing display device using the same

Info

Publication number: KR20170006325A
Application number: KR1020150096528A
Authority: KR
Inventors: 이수환; 김무현; 김은호
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2015-07-07
Filing date: 2015-07-07
Publication date: 2017-01-18
Also published as: CN106337162A; KR102356353B1; CN106337162B

Abstract

Provided are a deposition device and a method for manufacturing a display device using the same. For example, the deposition device includes: a first chamber in which a first area and a second area arranged in a first direction are defined; a first pattern mask assembly that is arranged inside the first chamber to overlap the first area; a first deposition source that is arranged inside the first chamber to emit deposition materials toward the first pattern mask assembly while moving in a second direction that is perpendicular to the first direction; a second chamber which is arranged to be spaced apart from the first chamber in the first direction and in which a first area and a second area that are arranged in the first direction are defined in the same scheme as the first chamber; a second pattern mask assembly that is arranged inside the second chamber to overlap the second area; a second deposition source that is arranged inside the second chamber to emit deposition materials toward the second pattern mask assembly while moving in the second direction; and blocking plates that are arranged between the first pattern mask assembly and the first deposition source inside the first chamber to correspond to the second area and are arranged between the second pattern mask assembly and the second deposition source inside the second chamber to correspond to the first area. In the present invention, when a thin film is formed on a large substrate, distortion of a thin film pattern may be reduced.

Description

TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a deposition apparatus and a manufacturing method of a display apparatus using the deposition apparatus. [0002]

본 발명은 증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus and a manufacturing method of a display using the same.

발광 표시 장치 중 유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답 속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 표시 장치로서 주목을 받고 있다.Among the light emitting display devices, the organic light emitting display device is a self-light emitting display device having a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response speed, and has been attracting attention as a next generation display device.

유기 발광 표시 장치는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 유기 발광 물질로 이루어진 발광층을 구비하고 있다. 이들 전극들에 양극 및 음극 전압이 각각 인가됨에 따라 애노드 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 정공 주입층 및 정공 수송층을 경유하여 발광층으로 이동되고, 전자는 캐소드 전극으로부터 전자 주입층과 전자 수송층을 경유하여 발광층으로 이동되어, 발광층에서 전자와 정공이 재결합된다. 이러한 재결합에 의해 여기자(exiton)가 생성되며, 이 여기자가 여기 상태에서 기저 상태로 변화됨에 따라 발광층으로부터 광이 방출되어 화상이 표시된다.The organic light emitting display includes a light emitting layer made of an organic light emitting material between an anode electrode and a cathode electrode. As the anode and cathode voltages are applied to these electrodes, holes injected from the anode electrode are transferred to the light emitting layer via the hole injecting layer and the hole transporting layer, and electrons are transferred from the cathode electrode to the light emitting layer through the electron injecting layer and the electron transporting layer And the electrons and holes are recombined in the light emitting layer. This recombination produces an exciton. As the exciton is changed from the excited state to the ground state, light is emitted from the light emitting layer to display an image.

유기 발광 표시 장치는 화소별로 형성되는 애노드 전극을 노출하도록 개구부를 가지는 화소 정의막을 포함하며, 이 화소 정의막의 개구부를 통해 노출되는 애노드 전극 상에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드 전극이 형성된다. 이 중, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층은 여러 방법으로 형성될 수 있으나, 그 중 한 방식이 증착 방법이다. 증착 방법으로는, 기판과 동일한 크기를 가지는 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask)를 기판과 밀착시킨 상태에서 증착이 수행되는 FMM 증착 방법과, 기판보다 작은 크기를 가지는 마스크와 기판을 이격시킨 상태에서 기판 또는 증착원을 이동시키면서 증착이 수행되는 SMS(Small Mask Scanning) 증착 방법 등이 있다.The OLED display includes a pixel defining layer having an opening to expose an anode electrode formed on a pixel-by-pixel basis, and a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, Layer and a cathode electrode are formed. Of these, the hole injecting layer, the hole transporting layer, the light emitting layer, the electron transporting layer, and the electron injecting layer may be formed by various methods, one of which is a deposition method. Examples of the deposition method include a FMM deposition method in which deposition is performed in a state in which a fine metal mask having the same size as that of the substrate is closely contacted with the substrate, Or an SMS (Small Mask Scanning) deposition method in which deposition is performed while moving an evaporation source.

한편, FMM 증착 방법으로 대형 기판에 증착 공정을 수행하는 경우, 대형 기판과 동일한 크기를 가지는 파인 메탈 마스크가 사용된다. 그런데, 파인 메탈 마스크가 대형 크기를 가지므로, 증착 공정 중에 파인 메탈 마스크의 자중에 의한 휨 현상이 발생될 수 있다. 이러한 휨 현상은 기판에 증착 물질을 증착하여 형성되는 박막의 패턴에 왜곡을 발생시킬 수 있다. On the other hand, when a deposition process is performed on a large substrate by the FMM deposition method, a fine metal mask having the same size as a large substrate is used. However, since the fine metal mask has a large size, warping due to the weight of the fine metal mask may occur during the deposition process. Such warping may cause distortion of the pattern of the thin film formed by depositing the evaporation material on the substrate.

또한, SMS 증착 방법으로 대형 기판에 증착 공정을 수행하는 경우, 대형 기판보다 작은 크기를 가지는 스몰 마스크가 사용된다. 그런데, 대형 기판의 증착 공정에 사용되는 스몰 마스크 자체의 크기가 크게 작지 않다. 이에 따라, 스몰 마스크의 자중에 의한 휨 현상이 발생될 수 있으며, 이러한 스몰 마스크와 대형 기판 사이의 이격 간격을 일정하게 유지시키기 어려울 수 있다. 스몰 마스크와 대형 기판 사이의 이격 간격 불균일 현상은 기판에 증착 물질을 증착하여 형성되는 박막의 패턴에 왜곡을 발생시킬 수 있다.Further, when the deposition process is performed on a large substrate by the SMS deposition method, a small mask having a smaller size than a large substrate is used. However, the size of the small mask itself used in the deposition process of a large substrate is not so small. As a result, a deflection due to the self weight of the small mask may occur, and it may be difficult to keep the spacing between the small mask and the large substrate constant. The non-uniformity of the spacing between the small mask and the large substrate can cause distortion in the pattern of the thin film formed by depositing the deposition material on the substrate.

이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 대형 기판에 박막을 형성시 박막 패턴에 왜곡이 발생되는 것을 줄일 수 있는 증착 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a deposition apparatus capable of reducing the occurrence of distortion in a thin film pattern when a thin film is formed on a large substrate.

또한, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 대형 기판에 박막을 형성시 박막 패턴에 왜곡이 발생되는 것을 줄일 수 있는 증착 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a display device using a deposition apparatus capable of reducing the occurrence of distortion in a thin film pattern when a thin film is formed on a large substrate.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing the same.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치는 내부에 제1 방향을 따라 배열되는 제1 영역과 제2 영역이 정의되는 제1 챔버; 상기 제1 챔버의 내부에서 상기 제1 영역과 중첩되게 배치되는 제1 패턴 마스크 어셈블리; 상기 제1 챔버의 내부에 배치되며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 이동하면서 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리 측으로 증착 물질을 방출하는 제1 증착원; 상기 제1 방향을 따라 상기 제1 챔버와 이격되게 배열되며, 상기 제1 챔버와 동일한 방식으로 내부에 상기 제1 방향을 따라 배열되는 제1 영역과 제2 영역이 정의되는 제2 챔버; 상기 제2 챔버의 내부에서 상기 제2 영역과 중첩되게 배치되는 제2 패턴 마스크 어셈블리; 상기 제2 챔버의 내부에 배치되며, 상기 제2 방향을 따라 이동하면서 상기 제2 패턴 마스크 어셈블리 측으로 증착 물질을 방출하는 제2 증착원; 및 상기 제1 챔버의 내부에서 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리와 상기 제1 증착원 사이에서 상기 제2 영역에 대응되게 배치되고, 상기 제2 챔버의 내부에서 상기 제2 패턴 마스크 어셈블리와 상기 제2 증착원 사이에서 상기 제1 영역에 대응되게 배치되는 차단판을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a deposition apparatus including: a first chamber defining a first region and a second region arranged in a first direction; A first pattern mask assembly disposed within the first chamber so as to overlap with the first region; A first deposition source disposed inside the first chamber and moving along a second direction intersecting the first direction to discharge the deposition material toward the first pattern mask assembly; A second chamber spaced apart from the first chamber along the first direction and defining a first region and a second region arranged in the first direction in the same manner as the first chamber; A second pattern mask assembly disposed in the second chamber so as to overlap with the second region; A second deposition source disposed inside the second chamber and moving along the second direction to discharge the deposition material toward the second pattern mask assembly; And a second pattern mask disposed within the first chamber and corresponding to the second region between the first pattern mask assembly and the first deposition source, wherein the second pattern mask assembly and the second deposition And a blocking plate disposed between the circles so as to correspond to the first area.

상기 제1 증착원의 상기 증착 물질과 상기 제2 증착원의 상기 증착 물질이 동일할 수 있다.The deposition material of the first evaporation source and the deposition material of the second evaporation source may be the same.

상기 제2 증착원은 상기 제1 증착원을 이용한 상기 증착 물질의 방출 후 상기 증착 물질을 방출하도록 구성될 수 있다.The second evaporation source may be configured to emit the evaporation material after the evaporation of the evaporation material using the first evaporation source.

상기 제1 방향에서 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리의 길이는 상기 제1 증착원의 길이보다 짧을 수 있다.The length of the first pattern mask assembly in the first direction may be shorter than the length of the first evaporation source.

상기 제1 패턴 마스크 어셈블리는 상기 제1 챔버의 내부에 인입되는 기판 중 상기 제1 영역과 중첩하는 기판 영역과 밀착하도록 구성될 수 있다.The first pattern mask assembly may be configured to come into close contact with a substrate region overlapping the first region among the substrates introduced into the first chamber.

상기 제2 패턴 마스크 어셈블리는 상기 제2 챔버의 내부에 인입되는 기판 중 상기 제2 영역과 중첩하는 기판 영역과 밀착하도록 구성될 수 있다.The second pattern mask assembly may be configured to come into close contact with a substrate region overlapping the second region of the substrate drawn into the second chamber.

상기 제1 챔버 내부에서 상기 제1 영역이 복수개이고, 상기 제2 영역이 복수개인 경우, 인접한 상기 제1 영역들 사이에 상기 제2 영역이 배치될 수 있다.The second region may be disposed between the adjacent first regions when a plurality of the first regions are present in the first chamber and a plurality of the second regions are present.

상기 제1 챔버 내부에서 상기 제1 영역이 복수개이고, 상기 제2 영역이 복수개인 경우, 상기 제1 영역들과 상기 제2 영역들이 매트릭스 형태로 배열되며 상기 제1 방향과 상기 제2 방향 모두에서 교번적으로 배열되는 증착 장치.The first regions and the second regions are arranged in a matrix form in a case where a plurality of the first regions are present in the first chamber and a plurality of the second regions are arranged in the first chamber, Wherein the deposition device is arranged alternately.

또한, 상기 증착 장치는 상기 제1 챔버, 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리, 상기 제1 증착원, 상기 제2 챔버, 상기 제2 패턴 마스크 어셈블리 및 상기 제2 증착원을 포함하는 증착부와 대응되는 또다른 증착부를 더 포함할 수 있다.In addition, the deposition apparatus may further include an evaporation unit corresponding to the evaporation unit including the first chamber, the first pattern mask assembly, the first evaporation source, the second chamber, the second pattern mask assembly, and the second evaporation source And may further include another vapor deposition section.

상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 내부에 제1 방향을 따라 배열되는 제1 영역과 제2 영역이 정의되는 제1 챔버의 내부에서 상기 제1 영역과 중첩되게 제1 패턴 마스크 어셈블리를 배치하는 단계; 제1 기판 영역과 제2 기판 영역이 정의되는 기판을 상기 제1 챔버의 내부에 인입시키고 상기 제1 기판 영역을 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리와 밀착시키는 단계; 상기 제1 챔버의 내부에 배치되는 제1 증착원을 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 이동시키면서 상기 기판 측에 증착 물질을 방출하여 상기 제1 기판 영역에 패턴층을 형성하는 단계; 상기 제1 방향을 따라 상기 제1 챔버와 이격되게 배열되며 상기 제1 챔버와 동일한 방식으로 내부에 상기 제1 방향을 따라 배열되는 제1 영역과 제2 영역이 정의되는 제2 챔버의 내부에서 상기 제2 영역과 중첩되게 제2 패턴 마스크 어셈블리를 배치하는 단계; 상기 기판을 상기 제2 챔버의 내부에 인입시키고 상기 제2 기판 영역을 상기 제2 패턴 마스크 어셈블리와 밀착시키는 단계; 및 상기 제2 챔버의 내부에 배치되는 제2 증착원을 상기 제2 방향을 따라 이동시키면서 상기 기판 측에 증착 물질을 방출하여 상기 제2 기판 영역에 패턴층을 형성하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a display device, comprising: forming a first region and a second region in a first chamber, the first region and the second region being defined along a first direction, Disposing the first pattern mask assembly so as to overlap the first pattern mask assembly; Drawing a substrate having a first substrate region and a second substrate region defined therein into the first chamber and bringing the first substrate region into close contact with the first pattern mask assembly; Forming a pattern layer on the first substrate region by discharging a deposition material to the substrate while moving a first evaporation source disposed in the first chamber along a second direction intersecting with the first direction; A first chamber arranged in the first direction along the first direction and arranged in the first chamber in the same manner as the first chamber and arranged in the first chamber along the first direction, Disposing a second pattern mask assembly overlying the second region; Drawing the substrate into the second chamber and bringing the second substrate region into close contact with the second pattern mask assembly; And forming a pattern layer on the second substrate region by discharging a deposition material to the substrate while moving a second evaporation source disposed in the second chamber along the second direction.

상기 패턴층은 발광 표시 장치의 정공 수송층 및 발광층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The pattern layer may include at least one of a hole transporting layer and a light emitting layer of a light emitting display.

상기 제2 증착원을 이용한 상기 증착 물질의 방출은 상기 제1 증착원을 이용한 상기 증착 물질의 방출 후 수행될 수 있다.The release of the deposition material using the second evaporation source may be performed after the deposition material is discharged using the first evaporation source.

상기 제1 챔버 내부에서 상기 제1 영역이 복수개이고, 상기 제2 영역이 복수개인 경우, 상기 제1 영역들과 상기 제2 영역들이 매트릭스 형태로 배열되며 상기 제1 방향과 상기 제2 방향 모두에서 교번적으로 배열될 수 있다.The first regions and the second regions are arranged in a matrix form in a case where a plurality of the first regions are present in the first chamber and a plurality of the second regions are arranged in the first chamber, Can be alternately arranged.

또한, 상기 표시 장치의 제조 방법은 상기 제1 챔버, 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리, 상기 제1 증착원, 상기 제2 챔버, 상기 제2 패턴 마스크 어셈블리 및 상기 제2 증착원을 포함하는 증착부와 대응되는 또다른 증착부를 이용하여 또다른 기판에 패턴층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, the manufacturing method of the display device may include a deposition unit including the first chamber, the first pattern mask assembly, the first evaporation source, the second chamber, the second pattern mask assembly, and the second evaporation source And forming a pattern layer on another substrate using another corresponding vapor deposition portion.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.The embodiments of the present invention have at least the following effects.

본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치에 따르면, 대형 기판에 박막을 형성시 박막 패턴에 왜곡이 발생되는 것이 줄어들 수 있다.According to the deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, when a thin film is formed on a large substrate, the occurrence of distortion in the thin film pattern can be reduced.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 도시한 시스템 구성도이다.
도 2는 도 1의 제1 증착 챔버를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 오픈 마스크 어셈블리를 도시한 사시도이다.
도 4는 도 2의 제1 증착 챔버 내부의 구성들을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 5는 도 2의 제1 증착 챔버 내부의 구성들을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 도 1의 제3 증착 챔버를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 7은 도 6의 제1 패턴 마스크 어셈블리의 사시도이다.
도 8은 도 7의 'A' 부분의 확대도이다.
도 9는 도 6의 제3 증착 챔버 내부의 구성들을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 10은 도 6의 제3 증착 챔버 내부의 구성들을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 11은 도 2에 도시된 제1 증착 챔버 내에서 기판 상에 공통층을 형성하는 과정을 나타내는 평면도이다.
도 12는 도 2의 제1 증착 챔버 내에서 기판 상에 공통층이 형성된 예를 보여주는 단면도이다.
도 13은 도 6에 도시된 제3 증착 챔버의 제1 챔버 내에서 기판 중 제1 챔버의 제1 영역과 대응되는 부분에 패턴층을 형성하는 과정을 나타내는 평면도이다.
도 14는 도 6에 도시된 제3 증착 챔버의 제1 챔버 내에서 기판 중 제1 챔버의 제1 영역과 대응되는 부분에 패턴층이 형성된 예를 보여주는 단면도이다.
도 15는 도 6에 도시된 제3 증착 챔버의 제2 챔버 내에서 기판 중 제2 증착 챔버의 제2 영역과 대응되는 부분에 패턴층을 형성하는 과정을 나타내는 평면도이다.
도 16은 도 6에 도시된 제3 증착 챔버의 제2 챔버 내에서 기판 중 제2 챔버의 제2 영역과 대응되는 부분에 패턴층이 형성된 예를 보여주는 단면도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 이용하여 제조된 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치 중 제3 증착 챔버를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 19는 도 18의 제3 증착 챔버의 제1 챔버 내에서 기판 중 제1 챔버의 제1 영역과 대응되는 부분에 패턴층을 형성하는 과정을 나타내는 평면도이다.
도 20은 도 18의 제3 증착 챔버의 제2 챔버 내에서 기판 중 제2 챔버의 제2 영역과 대응되는 부분에 패턴층을 형성하는 과정을 나타내는 평면도이다.
도 21은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 도시한 시스템 구성도이다.1 is a system configuration diagram schematically showing a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a plan view schematically showing the first deposition chamber of Fig. 1; Fig.
3 is a perspective view illustrating the open mask assembly of FIG. 2. FIG.
FIG. 4 is a perspective view schematically showing the structures inside the first deposition chamber of FIG. 2; FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically illustrating the configuration inside the first deposition chamber of FIG. 2. FIG.
FIG. 6 is a plan view schematically showing the third deposition chamber of FIG. 1; FIG.
7 is a perspective view of the first pattern mask assembly of FIG.
8 is an enlarged view of a portion 'A' in FIG.
FIG. 9 is a perspective view schematically showing the configurations inside the third deposition chamber of FIG. 6; FIG.
FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing the configuration inside the third deposition chamber of FIG. 6; FIG.
11 is a plan view showing a process of forming a common layer on a substrate in the first deposition chamber shown in FIG.
FIG. 12 is a cross-sectional view showing an example in which a common layer is formed on a substrate in the first deposition chamber of FIG. 2. FIG.
FIG. 13 is a plan view showing a process of forming a pattern layer in a first chamber of the third deposition chamber shown in FIG. 6 in a portion of the substrate corresponding to the first region of the first chamber.
FIG. 14 is a cross-sectional view showing an example in which a pattern layer is formed in a portion of the substrate corresponding to the first region of the first chamber in the first chamber of the third deposition chamber shown in FIG. 6;
FIG. 15 is a plan view showing a process of forming a pattern layer in the second chamber of the third deposition chamber shown in FIG. 6 in a portion of the substrate corresponding to the second region of the second deposition chamber.
FIG. 16 is a cross-sectional view showing an example in which a pattern layer is formed in a portion of the substrate corresponding to the second region of the second chamber in the second chamber of the third deposition chamber shown in FIG. 6;
17 is a cross-sectional view of a light emitting display device manufactured using a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
18 is a plan view schematically showing a third deposition chamber of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
19 is a plan view showing a process of forming a pattern layer in a portion of the substrate corresponding to the first region of the first chamber in the first chamber of the third deposition chamber of FIG. 18;
20 is a plan view showing a process of forming a pattern layer in the second chamber of the third deposition chamber of FIG. 18 in a portion corresponding to the second region of the second chamber of the substrate.
21 is a system configuration diagram schematically showing a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.It is to be understood that elements or layers are referred to as being "on " other elements or layers, including both intervening layers or other elements directly on or in between. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, it goes without saying that these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, it goes without saying that the first component mentioned below may be the second component within the technical scope of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 도시한 시스템 구성도이다. 1 is a system configuration diagram schematically showing a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(500)는 로딩부(100), 증착부(300) 및 언로딩부(400)를 포함한다. Referring to FIG. 1, a deposition apparatus 500 according to an embodiment of the present invention includes a loading unit 100, a deposition unit 300, and an unloading unit 400.

로딩부(100)는 증착 물질의 증착이 이루어지기 이전에 복수의 기판(S)이 적재되도록 구성된다. 로딩부(100)에 적재된 복수의 기판(S) 중 어느 하나의 기판(S)은 정전척과 같은 캐리어(C)를 이용하여 지지되며, 이동 공간(MS)을 통해 증착부(300)로 이동될 수 있다. 캐리어(C)는 도 1의 제1 방향(X)과 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)으로 이동이 가능하다. 기판(S)은 표시 장치용 기판일 수 있으며, 복수의 표시 장치를 형성하기 위한 복수의 기판 영역이 정의되는 마더 글라스(mother glass)와 같은 대면적 기판이 적용될 수 있다. 도 1에서 기판(S)에 점선으로 표시된 8개의 사각형은 8개의 표시 장치가 형성될 기판 영역들을 나타낸 것이나, 이러한 개수로 기판(S)을 한정하는 것은 아니다.The loading unit 100 is configured to load a plurality of substrates S before deposition of the deposition material is performed. Any one of the plurality of substrates S mounted on the loading unit 100 is supported using a carrier C such as an electrostatic chuck and moved to the deposition unit 300 through the moving space MS . The carrier C is movable in the first direction X and the second direction Y intersecting the first direction X in Fig. The substrate S may be a substrate for a display device or a large area substrate such as a mother glass in which a plurality of substrate regions for forming a plurality of display devices are defined. In FIG. 1, the eight squares indicated by dashed lines on the substrate S represent substrate regions on which eight display devices are to be formed, but do not limit the number of such substrates.

증착부(300)는 기판(S)에 증착 물질을 증착시키는 공정이 이루어질 수 있도록 구성된다. 증착부(300)는 적어도 하나의 증착 챔버를 포함하며, 예를 들어 제1 방향(X)을 따라 배열된 제1 증착 챔버(310), 제2 증착 챔버(320), 제3 증착 챔버(330), 제4 증착 챔버(340), 제5 증착 챔버(350), 제6 증착 챔버(360) 및 제7 증착 챔버(370)를 포함할 수 있다. 제1 증착 챔버(310), 제6 증착 챔버(360) 및 제7 증착 챔버(370)는 기판(S)에 증착 물질을 증착하여 형성되는 박막이 별도의 패터닝이 없는 공통층을 형성하기 위한 증착 챔버들일 수 있으며, 제2 증착 챔버(320), 제3 증착 챔버(330), 제4 증착 챔버(340) 및 제5 증착 챔버(350)는 기판(S)에 증착 물질을 증착하여 형성되는 박막이 특정 패턴이 있는 패턴층을 형성하기 위한 증착 챔버들일 수 있다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 증착부(300)에 대한 상세한 설명은 후술한다. The deposition unit 300 is configured to deposit a deposition material on the substrate S. The deposition unit 300 includes at least one deposition chamber and includes a first deposition chamber 310, a second deposition chamber 320 and a third deposition chamber 330 arranged in the first direction X, for example, A fourth deposition chamber 340, a fifth deposition chamber 350, a sixth deposition chamber 360, and a seventh deposition chamber 370. The fourth deposition chamber 340, The first deposition chamber 310, the sixth deposition chamber 360 and the seventh deposition chamber 370 are formed by depositing a deposition material on the substrate S to form a thin film which is deposited on the substrate S to form a common layer The third deposition chamber 330, the fourth deposition chamber 340 and the fifth deposition chamber 350 may be formed of a thin film formed by depositing an evaporation material on the substrate S. The second deposition chamber 320, the third deposition chamber 330, the fourth deposition chamber 340, May be deposition chambers for forming a pattern layer with this particular pattern. However, the present invention is not limited thereto. A detailed description of the deposition unit 300 will be given later.

언로딩부(400)는 증착부(300)를 거친 기판(S)을 캐리어(C)로부터 분리시켜 적재되도록 구성된다. 언로딩부(400)에 적재된 기판(S)은 다른 공정의 수행을 위해 대기 상태로 있을 수 있다.The unloading unit 400 is configured to separate the substrate S having passed through the deposition unit 300 from the carrier C to be stacked. The substrate S loaded on the unloading portion 400 may be in a standby state for performing another process.

이하, 증착부(300)에 대해 제1 증착 챔버(310)와 제3 증착 챔버(330)를 예로 들어 상세히 설명한다. Hereinafter, the deposition unit 300 will be described in detail with reference to the first deposition chamber 310 and the third deposition chamber 330 as an example.

도 2는 도 1의 제1 증착 챔버를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 3은 도 2의 오픈 마스크 어셈블리를 도시한 사시도이고, 도 4는 도 2의 제1 증착 챔버 내부의 구성들을 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 5는 도 2의 제1 증착 챔버 내부의 구성들을 개략적으로 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a plan view schematically illustrating the first deposition chamber of FIG. 1, FIG. 3 is a perspective view of the open mask assembly of FIG. 2, And FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing structures inside the first deposition chamber of FIG. 2. FIG.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 제1 증착 챔버(310)는 기판(S)에 증착 물질을 증착하여 공통층을 형성하기 위한 공간을 제공한다. 제1 증착 챔버(310)는 기판(S)에 증착 물질을 증착시 진공 상태로 유지될 수 있다. 제1 증착 챔버(310)의 내부에는 오픈 마스크 어셈블리(OMA)와 증착원(312)이 배치될 수 있다.Referring to FIGS. 2 to 5, the first deposition chamber 310 provides a space for depositing a deposition material on the substrate S to form a common layer. The first deposition chamber 310 may be maintained in a vacuum state when the deposition material is deposited on the substrate S. An open mask assembly (OMA) and an evaporation source 312 may be disposed inside the first deposition chamber 310.

오픈 마스크 어셈블리(OMA)는 캐리어(C)를 이용해 제1 증착 챔버(310)의 내부에 인입되는 기판(S)과 밀착되는 것으로, 오픈 마스크(OM)과 프레임(FR)을 포함할 수 있다. 오픈 마스크(OM)은 기판(S)에서 복수의 표시 장치가 형성될 복수의 기판 영역 모두와 대응되는 개구를 정의하는 링 형상으로 형성될 수 있다. 프레임(FR)은 오픈 마스크(OM)를 지지하는 것으로, 오픈 마스크(OM)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 오픈 마스크 어셈블리(OMA)와 기판(S)의 밀착은 기판(S)이 오픈 마스크(OM)의 상부에 배치된 상태로 캐리어(C)와 프레임(FR)의 결합에 의해 이루어질 수 있다. 캐리어(C)와 프레임(FR)의 결합은 볼트 및 너트를 이용한 물리적 방법 또는 자기력을 이용한 방법 등으로 이루어질 수 있다.The open mask assembly OMA may include an open mask OM and a frame FR in close contact with the substrate S that is drawn into the first deposition chamber 310 using the carrier C. [ The open mask OM may be formed in a ring shape defining openings corresponding to all of a plurality of substrate regions in which a plurality of display devices are to be formed on the substrate S. [ The frame FR supports the open mask OM and may have a shape corresponding to the open mask OM. The close contact between the open mask assembly OMA and the substrate S can be achieved by the combination of the carrier C and the frame FR with the substrate S disposed on the open mask OM. The coupling between the carrier C and the frame FR can be achieved by a physical method using bolts and nuts or a method using magnetic forces.

이러한 오픈 마스크(OM)와 프레임(FR)을 포함하는 오픈 마스크 어셈블리(OMA)는 기판(S)에 패터닝이 없는 공통층을 형성시 증착 물질이 불필요한 영역으로 새는 것을 방지할 수 있다. 한편, 오픈 마스크 어셈블리(OMA)의 하부에는 오픈 마스크 어셈블리(OMA)를 지지하는 마스크 스테이지(ST1)가 배치될 수 있다. The open mask assembly (OMA) including the open mask OM and the frame FR can prevent the deposition material from leaking into an unnecessary region when forming a common layer without patterning on the substrate S. [ Meanwhile, a mask stage ST1 for supporting the open mask assembly (OMA) may be disposed under the open mask assembly (OMA).

증착원(312)은 오픈 마스크 어셈블리(OMA)와 밀착된 기판(S) 측에 증착 물질(317)을 방출하는 것으로, 내부에 증착 물질(317)이 채워지는 도가니(315), 도가니(315)를 감싸도록 배치되며 도가니(315)를 가열하여 증착 물질(317)을 기화시키는 히터(316), 증착원 노즐(318)이 기판(S)측으로 향하도록 도가니(315)의 상부에 배치되는 노즐부(314)를 포함한다. The evaporation source 312 discharges the evaporation material 317 on the side of the substrate S closely adhering to the open mask assembly OMA and includes a crucible 315 and a crucible 315 filled with the evaporation material 317 therein. A heater 316 disposed to surround the crucible 315 and heating the crucible 315 to vaporize the evaporation material 317; a nozzle 316 disposed above the crucible 315 such that the evaporation source nozzle 318 faces the substrate S; (314).

이러한 증착원(312)은 오픈 마스크 어셈블리(OMA)와 밀착된 기판(S)의 하부에서 제2 방향(Y)으로 이동하면서 기판(S)측에 기화된 증착 물질을 방출할 수 있다. 이에 따라, 기판(S) 전체에 패터닝이 없는 공통층이 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(S)이 발광 표시 장치인 경우 기판(S) 상에 형성된 화소 정의막(도 17의 20) 전체면에 화소에 관계 없이 정공 주입층(도 17의 30)이 형성될 수 있다. The evaporation source 312 may emit vaporized evaporation material to the substrate S side while moving in the second direction Y at the bottom of the substrate S adhered to the open mask assembly OMA. Thus, a common layer without patterning can be formed over the entire substrate S. For example, when the substrate S is a light emitting display, a hole injection layer (30 in FIG. 17) may be formed on the entire surface of the pixel defining film (20 in FIG. 17) have.

도 6은 도 1의 제3 증착 챔버를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 7은 도 6의 제1 패턴 마스크 어셈블리의 사시도이고, 도 8은 도 7의 'A' 부분의 확대도이고, 도 9는 도 6의 제3 증착 챔버 내부의 구성들을 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 10은 도 6의 제3 증착 챔버 내부의 구성들을 개략적으로 도시한 단면도이다.FIG. 6 is a plan view schematically showing the third deposition chamber of FIG. 1, FIG. 7 is a perspective view of the first pattern mask assembly of FIG. 6, FIG. 8 is an enlarged view of the 'A' Is a perspective view schematically showing the configurations inside the third deposition chamber of Fig. 6, and Fig. 10 is a cross-sectional view schematically showing the configurations inside the third deposition chamber of Fig.

도 6 내지 도 10을 참조하면, 제3 증착 챔버(330)는 기판(S)에 증착 물질을 증착하여 패턴층을 형성하기 위한 공간을 제공한다. 제3 증착 챔버(330)는 기판(S)에 증착 물질을 증착시 진공 상태로 유지될 수 있다. 제3 증착 챔버(310)는 제1 챔버(331)와 제2 챔버(332)를 포함할 수 있다. 또한, 제3 증착 챔버(310)는 제3 챔버(333)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 6 to 10, the third deposition chamber 330 provides a space for depositing a deposition material on the substrate S to form a pattern layer. The third deposition chamber 330 may be maintained in a vacuum state when the deposition material is deposited on the substrate S. The third deposition chamber 310 may include a first chamber 331 and a second chamber 332. In addition, the third deposition chamber 310 may include a third chamber 333.

제1 챔버(331)는 기판(S)에서 복수의 표시 장치가 형성될 기판 영역들(S1~S8) 중 적어도 어느 하나의 기판 영역에 증착 물질을 증착하여 패턴층을 형성하기 위한 공간을 제공한다. 이를 위해, 도 6에서는 제1 챔버(331)가 제1 영역(DA1)과 제2 영역(DA2)을 포함하는 것을 예시한다. The first chamber 331 provides a space for forming a pattern layer by depositing an evaporation material on at least one of the substrate areas S1 to S8 on which a plurality of display devices are to be formed on the substrate S . To this end, FIG. 6 illustrates that the first chamber 331 includes a first region DA1 and a second region DA2.

제1 영역(DA1)과 제2 영역(DA2)은 이후 설명되는 제1 증착원(335)의 이동 방향과 교차하는 방향, 즉 제1 방향(X)을 따라 배열될 수 있다. 제1 영역(DA1)은 제1 챔버(331)에 인입되는 기판(S) 중 증착 물질이 증착될 기판 영역(S1, S2, S5, S6)과 중첩하는 영역일 수 있으며, 제2 영역(DA2)은 제1 챔버(331)에 인입되는 기판(S) 중 증착 물질이 증착되지 않는 기판 영역(S3, S4, S7, S8)과 중첩하는 영역일 수 있다. 여기서, 제1 영역(DA1)이 복수개이고 제2 영역(DA2)이 복수개인 경우에는, 제2 영역(DA2)이 두개의 제1 영역들(DA1) 사이에 있도록 배치될 수 있다. The first region DA1 and the second region DA2 may be arranged in a direction crossing the moving direction of the first evaporation source 335, that is, a first direction X, which will be described later. The first region DA1 may be a region overlapping the substrate regions S1, S2, S5, and S6 among the substrates S to be introduced into the first chamber 331 on which the deposition material is to be deposited, May be a region overlapping the substrate regions S3, S4, S7, and S8 in which evaporation material is not deposited among the substrates S introduced into the first chamber 331. [ Here, when there are a plurality of the first areas DA1 and a plurality of the second areas DA2, the second area DA2 may be disposed between the two first areas DA1.

제1 챔버(331)는 기판(S)에 증착 물질(335c)을 증착시 진공 상태로 유지될 수 있다. 제1 챔버(331)의 내부에는 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)와 증착원(335)이 배치될 수 있다.The first chamber 331 may be maintained in a vacuum state when the deposition material 335c is deposited on the substrate S. [ A first pattern mask assembly (PMA1) and an evaporation source (335) may be disposed in the first chamber (331).

제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)는 제1 챔버(331)의 제1 영역(DA1)에 배치되며, 캐리어(C)를 이용해 제1 챔버(331)의 내부에 인입되는 기판(S) 중 제1 챔버(331)의 제1 영역(DA1)과 중첩하는 기판 영역(S1, S2, S5, S6)과 밀착한다. 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)는 제1 패턴 마스크(PM1)와 제1 프레임(FR1)을 포함할 수 있다.The first pattern mask assembly PMA1 is disposed in the first area DA1 of the first chamber 331 and is disposed in the first chamber 331 by using the carrier C, S2, S5, and S6 overlapping with the first area DA1 of the chamber 331. In this case, The first pattern mask assembly PMA1 may include a first pattern mask PM1 and a first frame FR1.

제1 패턴 마스크(PM1)는 기판(S) 중 제1 챔버(331)의 제1 영역(DA1)과 중첩하는 기판 영역(S1, S2, S5, S6) 중 화소에 대응되는 증착 개구(SP)를 포함하는 복수의 금속 플레이트, 예를 들어 복수의 스틱 본체를 포함하여 구성될 수 있다. 증착 개구(SP)는 기판(S) 중 제1 챔버(331)의 제1 영역(DA1)과 중첩하는 기판 영역(S1, S2, S5, S6)에 패턴층, 예를 들어 적색 발광층을 형성하도록 적색 발광층이 형성되는 적색 화소(R)와 대응되게 배치될 수 있다. The first pattern mask PM1 is formed by depositing a deposition opening SP corresponding to a pixel in the substrate regions S1, S2, S5, and S6 overlapping with the first region DA1 of the first chamber 331 of the substrate S, And a plurality of metal plates, for example, a plurality of stick bodies. The deposition opening SP is formed to form a pattern layer, for example, a red light emitting layer, in the substrate areas S1, S2, S5, S6 overlapping with the first area DA1 of the first chamber 331 of the substrate S. And the red pixel R in which the red light emitting layer is formed.

제1 프레임(FR1)은 제1 패턴 마스크(PM1)를 지지하는 것으로, 제1 패턴 마스크(PM1)의 증착 개구(SP)를 노출하는 프레임 개구(OP)를 가질 수 있다. 제1 프레임(FR1)의 프레임 개구(OP)는 기판(S) 중 제1 챔버(331)의 하나의 제1 영역(DA1)과 중첩하는 기판 영역(S1, S2)이 2개인 경우 2개일 수 있으며, 이때 제1 프레임(FR1)은 2개의 개구(OP)를 정의하도록 링 형상의 테두리부(T)와 테두리부(T)의 마주보는 변들을 연결하는 분할부(D)를 포함할 수 있다. 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)와 기판(S)의 밀착은 기판(S)이 제1 패턴 마스크(PM1)의 상부에 배치된 상태로 캐리어(C)와 제1 프레임(FR1)의 결합에 의해 이루어질 수 있다. 캐리어(C)와 제1 프레임(FR1)의 결합은 볼트 및 너트를 이용한 물리적 방법 또는 자기력을 이용한 방법 등으로 이루어질 수 있다.The first frame FR1 supports the first pattern mask PM1 and can have a frame opening OP that exposes the deposition opening SP of the first pattern mask PM1. The frame opening OP of the first frame FR1 may be two in the case where there are two substrate areas S1 and S2 overlapping one first area DA1 of the first chamber 331 of the substrate S. [ Wherein the first frame FR1 may include a dividing portion D connecting the opposite sides of the rim T with the ring-shaped rim T to define two openings OP . The first pattern mask assembly PMA1 and the substrate S are brought into close contact with each other by the combination of the carrier C and the first frame FR1 while the substrate S is disposed on the first pattern mask PM1 Lt; / RTI > The coupling between the carrier C and the first frame FR1 may be performed by a physical method using bolts and nuts or a method using magnetic force.

이러한 제1 패턴 마스크(PM1)와 제1 프레임(FR1)을 포함하는 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)는 제1 증착원(335)을 통해 기판(S) 측으로 증착 물질을 방출시, 기판(S) 중 제1 챔버(331)의 제1 영역(DA1)과 중첩하는 기판 영역(S1, S2, S5, S6)의 특정 부분에 패턴층, 예를 들어 발광 표시 장치에서 적색 화소(R)에 적색 발광층이 형성되게 할 수 있다. 한편, 제1 방향(X)에서 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)의 길이는 제1 증착원(335)의 길이보다 짧을 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 방향(X)에서 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)의 길이는 제1 증착원(335)의 길이보다 길 수도 있다.The first pattern mask assembly PMA1 including the first pattern mask PM1 and the first frame FR1 is formed on the substrate S when the deposition material is discharged toward the substrate S through the first evaporation source 335. [ For example, a red pixel R in a light emitting display device, is formed on a specific portion of the substrate region S1, S2, S5, S6 overlapping with the first region DA1 of the first chamber 331, A light emitting layer can be formed. In the meantime, the length of the first pattern mask assembly PMA1 in the first direction X may be shorter than the length of the first evaporation source 335. In some embodiments, the length of the first pattern mask assembly PMA1 in the first direction X may be longer than the length of the first deposition source 335. [

제1 증착원(335)은 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)와 밀착된 기판(S) 측에 증착 물질(335c)을 방출하는 것으로, 내부에 증착 물질(335c)이 채워지는 도가니(335a), 도가니(335a)를 감싸도록 배치되며 도가니(335a)를 가열하여 증착 물질(335c)을 기화시키는 히터(335b), 증착원 노즐(335e)이 기판(S)측으로 향하도록 도가니(335a)의 상부에 배치되는 노즐부(335d)를 포함한다. The first evaporation source 335 emits an evaporation material 335c to the substrate S in close contact with the first pattern mask assembly PMA1 and includes a crucible 335a filled with an evaporation material 335c, A heater 335b arranged to surround the crucible 335a and heating the crucible 335a to vaporize the evaporation material 335c and a heater 335b disposed above the crucible 335a such that the evaporation source nozzle 335e is directed toward the substrate S And a nozzle unit 335d disposed therein.

이러한 제1 증착원(335)은 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)와 밀착된 기판(S)의 하부에서 제2 방향(Y)으로 이동하면서 기판(S)측에 기화된 증착 물질(335c)을 방출할 수 있다. 이에 따라, 기판(S) 중 제1 챔버(331)의 제1 영역(DA1)과 중첩하는 기판 영역(S1, S2, S5, S6)의 특정 부분에 패턴층이 형성될 수 있다. 예를 들어 발광 표시 장치의 기판(5) 상에 형성된 화소 정의막(도 17의 20)의 개구부(21) 중 적색 화소에 해당하는 개구부(21)에 적색 발광층(도 17의 50)이 형성될 수 있다.The first evaporation source 335 moves the evaporation material 335c vaporized on the substrate S side while moving in the second direction Y at a lower portion of the substrate S which is in close contact with the first pattern mask assembly PMA1 Can be released. Accordingly, a pattern layer may be formed at a specific portion of the substrate areas S1, S2, S5, S6 overlapping the first area DA1 of the first chamber 331 of the substrate S. [ 17) is formed in the opening 21 corresponding to a red pixel in the opening 21 of the pixel defining layer (20 in Fig. 17) formed on the substrate 5 of the light emitting display device .

한편, 기판(S) 중 제1 챔버(331)의 제2 영역(DA2)과 중첩하는 기판 영역(S3, S4, S7, S8)에는 증착 물질(335c)이 증착되지 않도록 제1 챔버(331)의 제2 영역(DA2)에 차단판(337)이 배치될 수 있다. 차단판(337)의 형태는 도 9의 도시된 형태로 한정되는 것은 아니다.The first chamber 331 is formed on the substrate S so as to prevent the evaporation material 335c from being deposited on the substrate regions S3, S4, S7, and S8 overlapping the second region DA2 of the first chamber 331, The blocking plate 337 may be disposed in the second area DA2. The shape of the blocking plate 337 is not limited to that shown in Fig.

제2 챔버(332)는 기판(S)에서 복수의 표시 장치가 형성될 기판 영역들(S1~S8) 중 제1 챔버(331)에서 패턴층이 형성된 기판 영역(S1, S2, S5, S6)을 제외한 나머지 기판 영역(S3, S4, S7, S8)에 증착 물질을 증착하여 패턴층을 형성하기 위한 공간을 제공한다. 이를 위해, 도 6에서는 제2 챔버(332)가 제1 영역(DA1)과 제2 영역(DA2)을 포함하는 것을 예시한다. 제2 챔버(332)의 제1 영역(DA1)과 제2 영역(DA2)은 제1 챔버(331)의 제1 영역(DA1)과 제2 영역(DA2)을 구분하는 방식과 동일할 수 있다.The second chamber 332 includes substrate regions S1, S2, S5 and S6 in which a pattern layer is formed in the first chamber 331 among the substrate regions S1 to S8 in which a plurality of display devices are to be formed on the substrate S, The deposition material is deposited on the remaining substrate regions S3, S4, S7, and S8 except for the region A to provide a space for forming the pattern layer. To this end, FIG. 6 illustrates that the second chamber 332 includes a first region DA1 and a second region DA2. The first region DA1 and the second region DA2 of the second chamber 332 may be the same as the manner of distinguishing the first region DA1 and the second region DA2 of the first chamber 331 .

즉, 제2 챔버(332)의 제1 영역(DA1)과 제2 영역(DA2)은 이후 설명되는 제2 증착원(336)의 이동 방향과 교차하는 방향, 즉 제1 방향(X)을 따라 배열될 수 있다. 제2 챔버(332)의 제1 영역(DA1)은 제2 챔버(332)에 인입되는 기판(S) 중 증착 물질이 증착되지 않는 기판 영역(S1, S2, S5, S6)과 중첩하는 영역일 수 있으며, 제2 영역(DA2)은 제2 챔버(332)에 인입되는 기판(S) 중 증착 물질이 증착되는 기판 영역(S3, S4, S7, S8)과 중첩하는 영역일 수 있다. 여기서, 제1 영역(DA1)이 복수개이고 제2 영역(DA2)이 복수개인 경우에는, 제2 영역(DA2)과 두개의 제1 영역들(DA1) 사이에 있도록 배치될 수 있다. That is, the first region DA1 and the second region DA2 of the second chamber 332 are formed in a direction intersecting the moving direction of the second evaporation source 336 described later, that is, along the first direction X Lt; / RTI > The first region DA1 of the second chamber 332 is a region overlapping the substrate regions S1, S2, S5, and S6 in which evaporation material is not deposited among the substrates S introduced into the second chamber 332 And the second region DA2 may be a region overlapping the substrate regions S3, S4, S7, and S8 on which the deposition material is deposited, of the substrates S that are introduced into the second chamber 332. [ Here, when there are a plurality of the first areas DA1 and a plurality of the second areas DA2, they may be disposed between the second area DA2 and the two first areas DA1.

제2 챔버(332)는 기판(S)에 증착 물질을 증착시 진공 상태로 유지될 수 있다. 제2 챔버(332)의 내부에는 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)와 증착원(336)이 배치될 수 있다.The second chamber 332 may be maintained in a vacuum state when the deposition material is deposited on the substrate S. A second pattern mask assembly (PMA2) and an evaporation source (336) may be disposed in the second chamber (332).

제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)는 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)와 동일하게 구성된다. 다만, 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)는 제2 챔버(332)의 제2 영역(DA2)에 배치되며, 캐리어(C)를 이용해 제2 챔버(332)의 내부에 인입되는 기판(S) 중 제2 챔버(332)의 제2 영역(DA2)과 중첩하는 기판 영역(S3, S4, S7, S8)과 밀착한다. The second pattern mask assembly PMA2 is configured similarly to the first pattern mask assembly PMA1. The second pattern mask assembly PMA2 is disposed in the second area DA2 of the second chamber 332 and is disposed in the second chamber 332 using the carrier C, S4, S7, and S8 that overlap with the second area DA2 of the second chamber 332. As shown in FIG.

이러한 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)는 제2 증착원(336)을 통해 기판(S) 측으로 증착 물질을 방출시, 기판(S) 중 제2 챔버(332)의 제2 영역(DA2)과 중첩하는 기판 영역(S3, S4, S7, S8)의 특정 부분에 패턴층, 예를 들어 발광 표시 장치에서 적색 화소에 적색 발광층이 형성되게 할 수 있다. The second pattern mask assembly PMA2 overlaps with the second area DA2 of the second chamber 332 of the substrate S when the deposition material is discharged toward the substrate S through the second evaporation source 336 A red light emitting layer may be formed on a pattern layer, for example, a red pixel in a red pixel in a specific portion of the substrate regions S3, S4, S7, and S8.

제2 증착원(336)은 제1 증착원(335)과 동일하게 구성된다. 다만, 제2 증착원(336)은 제1 증착원(335)을 이용한 증착 물질(335c)의 방출 후 증착 물질을 방출하도록 구성될 수 있다. 제2 증착원(336)의 증착 물질은 제1 증착원(335)의 증착 물질(335c)과 동일할 수 있다. 제2 증착원(336)은 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)와 밀착된 기판(S)의 하부에서 제2 방향(Y)으로 이동하면서 기판(S)측에 기화된 증착 물질을 방출할 수 있다. 이에 따라, 기판(S) 중 제2 챔버(332)의 제2 영역(DA2)과 중첩하는 기판 영역(S3, S4, S7, S8)의 특정 부분에 패턴층이 형성될 수 있다. 예를 들어 발광 표시 장치의 기판(S4) 상에 형성된 화소 정의막(도 17의 20)의 개구부(21) 중 적색 화소에 해당하는 개구부(21)에 적색 발광층(도 17의 50)이 형성될 수 있다. 한편, 제1 방향(X)에서 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)의 길이는 제2증착원(336의 길이보다 짧을 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 방향(X)에서 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)의 길이는 제2 증착원(336)의 길이보다 길 수도 있다.The second evaporation source 336 is configured in the same manner as the first evaporation source 335. However, the second evaporation source 336 may be configured to emit the evaporation material after the evaporation of the evaporation material 335c using the first evaporation source 335. The deposition material of the second deposition source 336 may be the same as the deposition material 335c of the first deposition source 335. The second evaporation source 336 may emit vaporized deposition material to the substrate S side while moving in the second direction Y at the bottom of the substrate S which is in close contact with the second pattern mask assembly PMA2 . Accordingly, a pattern layer can be formed on a specific portion of the substrate regions S3, S4, S7, and S8 that overlap the second region DA2 of the second chamber 332 of the substrate S. [ 17) is formed in the opening 21 corresponding to a red pixel in the opening 21 of the pixel defining layer (20 in FIG. 17) formed on the substrate S4 of the light emitting display device . The length of the second pattern mask assembly PMA2 in the first direction X may be less than the length of the second deposition source 336. In some embodiments, (PMA2) may be longer than the length of the second evaporation source (336).

기판(S) 중 제2 챔버(332)의 제1 영역(DA1)과 중첩하는 기판 영역(S1, S2, S5, S6)에는 증착 물질이 증착되지 않도록 제2 챔버(332)의 제1 영역(DA1)에 차단판(도 9의 337)이 배치될 수 있다.S2, S5, and S6 overlap the first region DA1 of the second chamber 332 of the substrate S, the first region of the second chamber 332 DA1) may be disposed on the shield plate (337 in Fig. 9).

제3 챔버(333)는 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1) 또는 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)의 교환이 필요한 경우 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1) 또는 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)와 동일한 크기 및 패턴을 가지는 교환 마스크 어셈블리(SPMA)를 제공할 수 있도록 구성된다.The third chamber 333 may have the same size as the first pattern mask assembly PMA1 or the second pattern mask assembly PMA2 when the first pattern mask assembly PMA1 or the second pattern mask assembly PMA2 needs to be replaced, (SPMA) having a pattern having a predetermined pattern.

상기와 같이 기판(S)에 정의된 복수의 표시 장치가 형성될 기판 영역들(S1~S8)에 배치되는 패턴층이 제1 챔버(331)와 제2 챔버(332)를 통해 기판(S)보다 작은 크기를 가지는 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)와 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)의 배치에 대한 간섭 없이 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)와 기판(S)의 밀착 및 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)와 기판(S)의 밀착 상태에서 증착 물질의 증착에 의해 형성되기 때문에, FMM 방식에서 마스크의 자중에 의한 휨 현상으로 인해 기판(S)에 형성되는 패턴층에 왜곡이 발생되는 것이 줄어들 수 있으며 SMS 방식에서 마스크와 기판(S) 사이의 이격 간격 불균일 현상으로 인해 기판(S)에 형성되는 패턴층에 왜곡이 발생되는 것이 줄어들 수 있다. A pattern layer disposed in the substrate areas S1 to S8 on which a plurality of display devices defined in the substrate S are to be formed is formed on the substrate S through the first chamber 331 and the second chamber 332. [ The first pattern mask assembly PMA1 and the second pattern mask assembly PMA2 can be closely contacted with each other without interference with the arrangement of the first pattern mask assembly PMA1 and the second pattern mask assembly PMA2 having a smaller size, PMA2) and the substrate (S), the generation of distortion in the pattern layer formed on the substrate (S) due to the deflection due to the self weight of the mask in the FMM system is reduced And the generation of distortion in the pattern layer formed on the substrate S can be reduced due to the non-uniformity in the spacing between the mask and the substrate S in the SMS system.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(500)를 이용한 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing a display device using the deposition apparatus 500 according to an embodiment of the present invention will be described.

도 11은 도 2에 도시된 제1 증착 챔버 내에서 기판 상에 공통층을 형성하는 과정을 나타내는 평면도이고, 도 12는 도 2의 제1 증착 챔버 내에서 기판 상에 공통층이 형성된 예를 보여주는 단면도이고, 도 13은 도 6에 도시된 제3 증착 챔버의 제1 챔버 내에서 기판 중 제1 챔버의 제1 영역과 대응되는 부분에 패턴층을 형성하는 과정을 나타내는 평면도이고, 도 14는 도 6에 도시된 제3 증착 챔버의 제1 챔버 내에서 기판 중 제1 챔버의 제1 영역과 대응되는 부분에 패턴층이 형성된 예를 보여주는 단면도이고, 도 15는 도 6에 도시된 제3 증착 챔버의 제2 챔버 내에서 기판 중 제2 증착 챔버의 제2 영역과 대응되는 부분에 패턴층을 형성하는 과정을 나타내는 평면도이고, 도 16은 도 6에 도시된 제3 증착 챔버의 제2 챔버 내에서 기판 중 제2 챔버의 제2 영역과 대응되는 부분에 패턴층이 형성된 예를 보여주는 단면도이다.FIG. 11 is a plan view showing a process of forming a common layer on a substrate in the first deposition chamber shown in FIG. 2, and FIG. 12 is a view showing an example in which a common layer is formed on a substrate in the first deposition chamber of FIG. And FIG. 13 is a plan view showing a process of forming a pattern layer in a portion of the substrate corresponding to the first region of the first chamber in the first chamber of the third deposition chamber shown in FIG. 6, and FIG. 14 6 is a cross-sectional view showing an example in which a pattern layer is formed in a portion of the substrate corresponding to the first region of the first chamber in the first chamber of the third deposition chamber shown in FIG. 6, and FIG. FIG. 16 is a plan view showing a process of forming a pattern layer in a portion of the substrate corresponding to the second region of the second deposition chamber in the second chamber of the third deposition chamber shown in FIG. 6 A second portion of the substrate corresponding to the second region, Min. &Lt; / RTI >

표시 장치의 제조 방법에 대해서는 발광 표시 장치의 제조 방법을 예로 들어 설명하기로 한다. 또한, 발광 표시 장치의 제조 방법 중 공통층, 예를 들어 정공 주입층(30)과 패턴층, 예를 들어 발광층(50)을 형성하는 과정에 대해 설명하기로 한다. A manufacturing method of a display device will be described by taking a manufacturing method of a light emitting display device as an example. The process of forming the common layer, for example, the hole injection layer 30 and the pattern layer, for example, the light emitting layer 50, in the manufacturing method of the light emitting display device will be described.

먼저, 도 11을 참조하면, 캐리어(C)에 의해 지지되는 기판(S)을 제1 증착 챔버(310)의 내부에 인입시키고, 오픈 마스크 어셈블리(OMA)와 밀착시킨다. 이후, 증착원(312)을 제2 방향(Y)으로 이동시키면서 기판(S)측에 기화된 증착 물질을 방출한다. First, referring to FIG. 11, a substrate S supported by a carrier C is drawn into the first deposition chamber 310 and is brought into close contact with the open mask assembly (OMA). Thereafter, the evaporation source 312 is moved in the second direction Y, and the vaporized deposition material is discharged to the substrate S side.

그럼, 도 12에 도시된 바와 같이, 화소 별로 형성되는 제1 전극(10)을 포함하는 기판(도 11의 S) 상에 제1 전극(10)을 노출하는 개구부(21)를 포함하도록 형성되는 화소 정의막(20)의 전체면에 화소에 관계없이 정공 주입층(30)이 형성된다. 도 12에서는 기판(도 11의 S) 중 기판 영역(S2)과 기판 영역(S4) 만을 도시하였다. 기판(도 11의 S) 의 기판 영역들(S1~S8)은 후속 커팅 공정에서 개별화될 수 있으며, 기판 영역(S2)은 하나의 발광 표시 장치의 기판이 될 수 있으며, 기판 영역(S4)은 또다른 하나의 발광 표시 장치의 기판이 될 수 있다.12, the first electrode 10 is formed to include an opening 21 exposing the first electrode 10 on a substrate (S in FIG. 11) including a first electrode 10 formed on a pixel-by-pixel basis The hole injection layer 30 is formed on the entire surface of the pixel defining layer 20 regardless of the pixel. In Fig. 12, only the substrate region S2 and the substrate region S4 in the substrate (S in Fig. 11) are shown. The substrate areas S1 to S8 of the substrate (S in Fig. 11) may be individualized in a subsequent cutting process, the substrate area S2 may be the substrate of one light emitting display, And may be a substrate of another light emitting display device.

이어서, 도 13을 참조하면, 캐리어(도 11의 C)에 의해 지지되는 기판(S)을 제3 증착 챔버(330)의 제1 챔버(331)의 내부에 인입시키고, 제1 챔버(331)의 제1 영역(도 6의 DA1)에 배치되는 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)와 밀착시킨다. 이후, 제1 증착원(335)을 제2 방향(Y)으로 이동시키면서 기판(S)측에 기화된 증착 물질(335c)을 방출한다. 13, the substrate S supported by the carrier (C in Fig. 11) is drawn into the first chamber 331 of the third deposition chamber 330, and the first chamber 331, And the first pattern mask assembly PMA1 disposed in the first area (DA1 in FIG. Thereafter, the evaporation material 335c vaporized on the substrate S side is discharged while the first evaporation source 335 is moved in the second direction Y.

그럼, 도 14에 도시된 바와 같이, 기판(도 13의 S) 중 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)와 밀착된 기판 영역(예를 들어, S2)의 정공 주입층(30) 상에서 화소 정의막(20)의 개구부(21) 내부에 형성된 정공 수송층(40) 상에 발광층(50)이 형성된다. 도 14에 도시된 발광층(50)은 적색 화소에 배치되는 적색 발광층일 수 있다. 14, on the hole injection layer 30 of the substrate region (for example, S2) in close contact with the first pattern mask assembly PMA1 of the substrate (S of FIG. 13) The light emitting layer 50 is formed on the hole transport layer 40 formed in the opening 21 of the light emitting layer 20. The light emitting layer 50 shown in Fig. 14 may be a red light emitting layer disposed in a red pixel.

이어서, 도 15를 참조하면, 캐리어(도 11의 C)에 의해 지지되는 기판(S)을 제3 증착 챔버(330)의 제2 챔버(332)의 내부에 인입시키고, 제2 챔버(332)의 제2 영역(도 6의 DA2)에 배치되는 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)와 밀착시킨다. 이후, 제2 증착원(336)을 제2 방향(Y)으로 이동시키면서 기판(S)측에 기화된 증착 물질을 방출한다. 15, the substrate S supported by the carrier (C in Fig. 11) is drawn into the second chamber 332 of the third deposition chamber 330, and the second chamber 332 is brought into contact with the substrate S, And the second pattern mask assembly PMA2 disposed in the second area (DA2 in FIG. Thereafter, the second evaporation source 336 is moved in the second direction Y, and the vaporized deposition material is discharged to the substrate S side.

그럼, 도 16에 도시된 바와 같이, 기판(도 15의 S) 중 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)와 밀착된 기판 영역(예를 들어, S4)의 정공 주입층(30) 상에서 화소 정의막(20)의 개구부(21) 내부에 형성된 정공 수송층(40) 상에 발광층(50)이 형성된다. 도 16에 도시된 발광층(50)은 적색 화소에 배치되는 적색 발광층일 수 있다. 16, on the hole injection layer 30 of the substrate region (for example, S4) in close contact with the second pattern mask assembly PMA2 of the substrate (S in FIG. 15) The light emitting layer 50 is formed on the hole transport layer 40 formed in the opening 21 of the light emitting layer 20. The light emitting layer 50 shown in FIG. 16 may be a red light emitting layer disposed in a red pixel.

한편, 도시하진 않았지만 발광층(50) 형성 전에 정공 수송층(40)은 발광층(50)의 형성 방법과 동일한 방식으로 형성된다. 또한, 위에서는 발광층(50)이 적색 발광층인 것으로 설명하였으나, 녹색 화소에 배치되는 녹색 발광층 및 청색 화소에 배치되는 청색 발광층일 수 있다. 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 각각은 증착 챔버들 각각에서 형성될 수 있다. 또한, 도시하진 않았지만 발광층(50) 형성 후에 전자 수송층(도 17의 60), 전자 주입층(도 17의 70) 및 제2 전극(80)은 정공 주입층(30)의 형성 방법과 동일한 방식으로 형성된다. Although not shown, the hole transport layer 40 is formed in the same manner as the formation method of the light emitting layer 50 before the formation of the light emitting layer 50. In the above description, the light emitting layer 50 is a red light emitting layer, but may be a green light emitting layer disposed in a green pixel and a blue light emitting layer disposed in a blue pixel. Each of the red light emitting layer, the green light emitting layer, and the blue light emitting layer may be formed in each of the deposition chambers. 17), the electron injection layer (70 in FIG. 17) and the second electrode 80 are formed in the same manner as the method of forming the hole injection layer 30 after forming the light emitting layer 50 .

도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 이용하여 제조된 발광 표시 장치의 단면도이다. 17 is a cross-sectional view of a light emitting display device manufactured using a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 17을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(500)를 이용하여 제조된 발광 표시 장치는 기판(5), 제1 전극(10), 화소 정의막(20), 정공 주입층(30), 정공 수송층(40), 발광층(50), 전자 수송층(60), 전자 주입층(70) 및 제2 전극(80)을 포함한다. 17, a light emitting display device manufactured using a deposition apparatus 500 according to an embodiment of the present invention includes a substrate 5, a first electrode 10, a pixel defining layer 20, A hole transport layer 40, a light emitting layer 50, an electron transport layer 60, an electron injection layer 70, and a second electrode 80.

기판(5)은 투명한 절연성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(5)은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 형성될 수 있다. 기판(5)은 평탄한 판상일 수 있다. 몇몇 실시예에 의하면 기판(5)은 외력에 의하여 용이하게 구부러질 수 있는 재질로 형성될 수도 있다. 기판(5)은 기판(5) 상에 배치된 타 구성들을 지지할 수 있다. 도시되진 않았지만, 기판(5)은 복수의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 복수의 박막 트랜지스터 중 적어도 일부의 드레인 전극은 제1 전극(10)과 전기적으로 연결될 수 있다.The substrate 5 may be formed of a transparent insulating material. For example, the substrate 5 may be formed of glass, quartz, ceramics, plastic, or the like. The substrate 5 may be in the form of a flat plate. According to some embodiments, the substrate 5 may be formed of a material that can be easily bent by an external force. The substrate 5 may support other arrangements disposed on the substrate 5. [ Although not shown, the substrate 5 may comprise a plurality of thin film transistors. At least some drain electrodes of the plurality of thin film transistors may be electrically connected to the first electrode 10.

제1 전극(10)은 기판(5) 상에 각 화소 별로 배치될 수 있다. 제1 전극(10)은 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 인가된 신호를 받아 발광층(50)으로 정공을 제공하는 애노드 전극 또는 전자를 제공하는 캐소드 전극일 수 있다.The first electrode 10 may be disposed on the substrate 5 for each pixel. The first electrode 10 may be an anode electrode that receives a signal applied to a drain electrode of the thin film transistor and provides holes to the light emitting layer 50 or a cathode electrode that provides electrons.

제1 전극(10)은 투명 전극, 반사 전극 또는 반투과 전극으로 사용될 수 있다. 제1 전극(10)이 투명 전극으로 사용될 때는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide) 또는 In₂O₃로 형성될 수 있다. 제1 전극(10)이 반사 전극으로 사용될 때는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃ 를 형성하여 구성될 수 있다. 제1 전극(10)이 반투과 전극으로 사용될 때는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 얇은 두께로 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃ 를 형성하여 구성될 수 있다. 제1 전극(10)은 포토리소그래피 방법을 통해 형성될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.The first electrode 10 may be used as a transparent electrode, a reflective electrode, or a transflective electrode. When the first electrode 10 is used as a transparent electrode, it may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), or In ₂ O ₃ . When the first electrode 10 is used as a reflective electrode, a reflective film is formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, or a compound thereof, and ITO, IZO, ZnO Or In ₂ O ₃ May be formed. When the first electrode 10 is used as a transflective electrode, a thin reflective film is formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, , IZO, ZnO, or In ₂ O ₃ May be formed. The first electrode 10 may be formed through a photolithography method, but is not limited thereto.

화소 정의막(20)은 제1 전극(10)을 노출하는 개구부(21)를 가지도록 기판(5) 상에 배치되며, 기판(5) 상에 각 화소를 구획한다. 화소 정의막(20)은 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(20)은 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene;BCB), 폴리이미드(polyimide;PI), 폴리아미드(polyamide;PA), 아크릴 수지 및 페놀수지 등으로부터 선택된 적어도 하나의 유기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 또 다른 예로, 화소 정의막(20)은 실리콘 질화물 등과 같은 무기 물질을 포함하여 이루어질 수도 있다. 화소 정의막(20)은 포토리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The pixel defining layer 20 is disposed on the substrate 5 so as to have an opening 21 for exposing the first electrode 10 and divides each pixel on the substrate 5. The pixel defining layer 20 may be formed of an insulating material. For example, the pixel defining layer 20 may include at least one organic material selected from the group consisting of benzocyclobutene (BCB), polyimide (PI), polyamide (PA), acrylic resin, . As another example, the pixel defining layer 20 may include an inorganic material such as silicon nitride or the like. The pixel defining layer 20 may be formed through a photolithography process, but is not limited thereto.

정공 주입층(30)은 화소 정의막(20)의 개구부(21)를 통해 노출되는 제1 전극(10) 상에 형성되되, 화소 정의막(20)을 모두 덮도록 형성될 수도 있다. 정공 주입층(30)은 제1 전극(10)과 정공 수송층(40) 사이의 에너지 장벽을 낮추는 완충층으로써 제1 전극(10)으로부터 제공되는 정공이 정공 수송층(40)으로 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다. 정공 주입층(30)은 유기 화합물, 예를 들어 MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), CuPc(copper phthalocyanine) 또는 PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene, polystyrene sulfonate)) 등으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. The hole injection layer 30 is formed on the first electrode 10 exposed through the opening 21 of the pixel defining layer 20 and may be formed to cover the entire pixel defining layer 20. The hole injection layer 30 is a buffer layer for lowering an energy barrier between the first electrode 10 and the hole transport layer 40. The hole injection layer 30 serves to facilitate the injection of holes provided from the first electrode 10 into the hole transport layer 40 . The hole injection layer 30 may be formed of an organic compound such as MTDATA (4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine), CuPc (copper phthalocyanine) or PEDOT / PSS (poly (3,4- ethylenedioxythiophene, polystyrene sulfonate), and the like, but is not limited thereto.

정공 수송층(40)은 정공 주입층(30) 상에 형성된다. 정공 수송층(40)은 정공 주입층(30)을 통해 제공받는 정공을 발광층(50)으로 전달하는 역할을 한다. 이러한 정공 수송층(40)은 유기 화합물, 예를 들어 TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) 또는 NPB(N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)등으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. The hole transport layer 40 is formed on the hole injection layer 30. The hole transport layer 40 serves to transmit the holes provided through the hole injection layer 30 to the light emitting layer 50. The hole transport layer 40 may be formed of an organic compound such as TPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl) -1,1'- Or NPB (N, N'-di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine).

발광층(50)은 정공 수송층(40) 상에 형성된다. 발광층(50)은 제1 전극(10)에서 제공되는 정공과 제2 전극(80)에서 제공되는 전자를 재결합시켜 광을 방출한다. 보다 상세히 설명하면, 발광층(50)에 정공 및 전자가 제공되면 정공 및 전자가 결합하여 엑시톤을 형성하고, 이러한 엑시톤이 여기 상태로부터 기저 상태로 변화면서 광을 방출시킨다. 이러한 발광층(50)은 적색을 방출하는 적색 발광층, 녹색을 방출하는 녹색 발광층, 및 청색을 방출하는 청색 발광층을 포함할 수 있다.The light emitting layer 50 is formed on the hole transporting layer 40. The light emitting layer 50 recombines the holes provided in the first electrode 10 and the electrons provided in the second electrode 80 to emit light. More specifically, when holes and electrons are supplied to the light emitting layer 50, holes and electrons are combined to form an exciton, and the excitons emit light while changing from the excited state to the ground state. The light emitting layer 50 may include a red light emitting layer that emits red light, a green light emitting layer that emits green light, and a blue light emitting layer that emits blue light.

상기 적색 발광층은 하나의 적색 발광 물질을 포함하거나, 호스트와 적색 도펀트를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 적색 발광층의 호스트의 예로는 Alq₃(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium), CBP(4,4'-N,N'-dicarbazol-biphenyl), PVK(ploy(n-vinylcarbazole)), ADN(9,10-Di(naphthyl-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4"-tris(N- carbazolyl) triphenylamine), TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl) anthracene), DSA(distyrylarylene) 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 상기 적색 도펀트로서, PtOEP, Ir(piq)₃, Btp₂Ir(acac)등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The red light emitting layer may include one red light emitting material, or may include a host and a red dopant. Examples of the host of the red light emitting layer include Alq ₃ (Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum), CBP (4,4'-N, N'-dicarbazol- biphenyl), PVK , 10-Di (naphthyl-2-yl) anthracene, TCTA (4,4 ', 4 "-tris (N- carbazolyl) triphenylamine), TPBI (1,3,5- ) benzene, TBADN (3-tert-butyl-9,10-di naphth-2-yl) anthracene, DSA (distyrylarylene), etc. However, the present invention is not limited thereto. , Ir (piq) ₃ , Btp ₂ Ir (acac), and the like, but the present invention is not limited thereto.

상기 녹색 발광층은 하나의 녹색 발광 물질을 포함하거나, 호스트와 녹색 도펀트를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 녹색 발광층의 호스트로는 상기 적색 발광층의 호스트가 사용될 수 있다. 그리고, 상기 녹색 도펀트로서, Ir(ppy)₃, Ir(ppy)₂(acac), Ir(mpyp)₃ 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The green light emitting layer may include one green light emitting material, or may include a host and a green dopant. As the host of the green light emitting layer, the host of the red light emitting layer may be used. Ir (ppy) ₃ , Ir (ppy) ₂ (acac), Ir (mpyp) ₃ and the like can be used as the green dopant, but the present invention is not limited thereto.

상기 청색 발광층은 하나의 청색 발광 물질을 포함하거나, 호스트와 청색 도펀트를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 청색 발광층의 호스트로는 상기 적색 발광층의 호스트가 사용될 수 있다. 그리고, 상기 청색 도펀트로서, F₂Irpic, (F₂ppy)₂Ir(tmd), Ir(dfppz)₃, ter-fluorene, DPAVBi(4,4'-bis(4-di-p- tolylaminostyryl) biphenyl), TBPe(2,5,8,11-tetra-tert-butyl perylene) 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The blue light emitting layer may include one blue light emitting material, or may include a host and a blue dopant. The host of the blue light emitting layer may be a host of the red light emitting layer. As the blue dopant, there can be used at least one selected from the group consisting of F ₂ Irpic, (F ₂ ppy) ₂ Ir (tmd), Ir (dfppz) ₃ , ter-fluorene, DPAVBi (4,4'- ) And TBPe (2,5,8,11-tetra-tert-butyl perylene), but the present invention is not limited thereto.

전자 수송층(60)은 발광층(50) 상에 형성되며, 제2 전극(80)에서 제공받은 전자를 발광층(50)으로 전달하는 역할을 한다. 이러한 전자 수송층(60)은 유기 화합물, 예를 들어 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), BAlq(aluminum(III)bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)4-phenylphenolate), Alq₃(Tris(8-quinolinolato)aluminum), Bebq₂(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene) 등의 재료를 사용할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The electron transport layer 60 is formed on the light emitting layer 50 and transmits electrons provided by the second electrode 80 to the light emitting layer 50. The electron transport layer 60 may be formed of an organic compound such as Bphen (4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), BAlq (aluminum III) bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) _A material such as Tris (8-quinolinolato) aluminum, Bebq ₂ (benzoquinolin-10-olate) and TPBI (1,3,5-tris (N-phenylbenzimidazole- , But is not limited thereto.

전자 주입층(70)은 전자 수송층(60) 상에 형성되며, 전자 수송층(60)과 제2 전극(80) 사이의 에너지 장벽을 낮추는 완충층으로써 제2 전극(80)로부터 제공되는 전자가 전자 수송층(60)으로 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다. 이러한 전자 주입층(70)은 예를 들어, LiF 또는 CsF 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The electron injection layer 70 is formed on the electron transport layer 60 and serves as a buffer layer for lowering an energy barrier between the electron transport layer 60 and the second electrode 80. The electrons supplied from the second electrode 80, (60). The electron injection layer 70 may be formed of, for example, LiF or CsF, but is not limited thereto.

제2 전극(80)은 전자 주입층(70)의 상부에 배치될 수 있다. 제2 전극(80)은 제1 전극(10)과 동일한 재질로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에 의하면, 제2 전극(80)은 발광 표시 장치에 포함된 복수의 화소들에 배치되는 공통 전극일 수 있다. 몇몇 실시예에 의하면, 제2 전극(80)은 전자 주입층(70)의 상부 및 화소 정의막(20)의 상부 전면에 배치될 수도 있다. 제1 전극(10)과 제2 전극(80) 사이에 흐르는 전류에 따라 발광층(50)의 발광이 제어될 수 있다.The second electrode 80 may be disposed on top of the electron injection layer 70. The second electrode 80 may be formed of the same material as the first electrode 10, but is not limited thereto. According to some embodiments, the second electrode 80 may be a common electrode disposed in a plurality of pixels included in the light emitting display. According to some embodiments, the second electrode 80 may be disposed on the upper portion of the electron injection layer 70 and the upper surface of the pixel defining layer 20. The light emission of the light emitting layer 50 can be controlled according to the current flowing between the first electrode 10 and the second electrode 80.

이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치에 대해 설명한다. Hereinafter, a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention will be described.

도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치 중 제3 증착 챔버를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 19는 도 18의 제3 증착 챔버의 제1 챔버 내에서 기판 중 제1 챔버의 제1 영역과 대응되는 부분에 패턴층을 형성하는 과정을 나타내는 평면도이고, 도 20은 도 18의 제3 증착 챔버의 제2 챔버 내에서 기판 중 제2 챔버의 제2 영역과 대응되는 부분에 패턴층을 형성하는 과정을 나타내는 평면도이다.FIG. 18 is a plan view schematically showing a third deposition chamber of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention, FIG. 19 is a cross-sectional view of the first chamber of the first chamber of the substrate in the first chamber of the third deposition chamber of FIG. And FIG. 20 is a plan view showing a process of forming a pattern layer at a portion corresponding to a region of the second chamber of the substrate in the second chamber of the third deposition chamber of FIG. 18 And FIG.

본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치는 도 1의 증착 장치(500)와 비교하여 제3 증착 챔버(330a)만 다를 뿐 동일하다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치에서는 제3 증착 챔버(330a)에 대해서만 상세히 설명한다.The deposition apparatus according to another embodiment of the present invention is the same as the deposition apparatus 500 of FIG. 1 except that only the third deposition chamber 330a is different. Accordingly, only the third deposition chamber 330a will be described in detail in the deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 18 내지 도 20을 참조하면, 제3 증착 챔버(330a)는 제1 챔버(331a), 제2 챔버(332a) 및 제3 챔버(333a)를 포함하며, 도 6의 제3 증착 챔버(330)와 유사하다. 다만, 제1 챔버(331a) 및 제2 챔버(332a) 각각의 제1 영역(DA11)과 제2 영역(DA12)의 배열이 도 6의 제1 챔버(331) 및 제2 챔버(332) 각각의 제1 영역(DA1)과 제2 영역(DA2)의 배열과 상이하다.18 to 20, the third deposition chamber 330a includes a first chamber 331a, a second chamber 332a, and a third chamber 333a. The third deposition chamber 330a includes a first chamber 331a, a second chamber 332a, ). The arrangement of the first region DA11 and the second region DA12 of the first chamber 331a and the second chamber 332a is the same as the arrangement of the first chamber 331 and the second chamber 332 Is different from the arrangement of the first region DA1 and the second region DA2.

구체적으로, 제1 챔버(331a)의 제1 영역(DA11)과 제2 영역(DA12)은 제1 방향(X)과 제2 방향(Y)을 따라 매트릭스 형태로 배열되되, 제1 방향(X)과 제2 방향(Y) 모두에서 교번적으로 배열된다. Specifically, the first area DA11 and the second area DA12 of the first chamber 331a are arranged in a matrix along the first direction X and the second direction Y, and are arranged in the first direction X ) And the second direction (Y).

제1 챔버(331a)의 제1 영역(DA11)은 제1 챔버(331a)에 인입되는 기판(S) 중 증착 물질이 증착되는 기판 영역(S2, S3, S6, S7)과 중첩하는 영역일 수 있으며, 제2 영역(DA12)은 제1 챔버(331a)에 인입되는 기판(S) 중 증착 물질이 증착되지 않는 기판 영역(S1, S4, S5, S8)과 중첩하는 영역일 수 있다.The first region DA11 of the first chamber 331a may be a region overlapping the substrate regions S2, S3, S6, and S7 on which the evaporation material is deposited among the substrates S introduced into the first chamber 331a And the second region DA12 may be a region overlapping the substrate regions S1, S4, S5, and S8 in which evaporation material is not deposited among the substrates S introduced into the first chamber 331a.

제2 챔버(332a)의 제1 영역(DA11)과 제2 영역(DA12)은 제1 챔버(331a)의 제1 영역(DA11)과 제2 영역(DA12)을 구분하는 방식과 동일할 수 있다.The first region DA11 and the second region DA12 of the second chamber 332a may be the same as the manner of distinguishing the first region DA11 and the second region DA12 of the first chamber 331a .

다만, 제2 챔버(332a)의 제1 영역(DA11)은 제2 챔버(332a)에 인입되는 기판(S) 중 증착 물질이 증착되지 않는 기판 영역(S2, S3, S6, S7)과 중첩하는 영역일 수 있으며, 제2 영역(DA12)은 제2 챔버(332a)에 인입되는 기판(S) 중 증착 물질이 증착되는 기판 영역(S1, S4, S5, S8)과 중첩하는 영역일 수 있다.However, the first area DA11 of the second chamber 332a may overlap the substrate areas S2, S3, S6, and S7 in which evaporation material is not deposited among the substrates S introduced into the second chamber 332a And the second region DA12 may be a region overlapping the substrate regions S1, S4, S5, and S8 on which the evaporation material is deposited among the substrates S that are introduced into the second chamber 332a.

이러한 제1 챔버(331a) 및 제2 챔버(332b)의 구성에 따라, 제1 챔버(331a)의 내부에 배치되는 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA11)의 배치 및 제2 챔버(332a)의 내부에 배치되는 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA12)의 배치가 달라질 수 있다. According to the configurations of the first chamber 331a and the second chamber 332b, the arrangement of the first pattern mask assembly PMA11 disposed inside the first chamber 331a and the arrangement of the first pattern mask assembly PMA11 inside the second chamber 332a The arrangement of the second pattern mask assembly PMA12 to be disposed may be changed.

제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA11)는 제1 챔버(331a)의 제1 영역(DA11)에 배치되며, 캐리어(도 10의 C)를 이용해 제1 챔버(331a)의 내부에 인입되는 기판(S) 중 제1 챔버(331a)의 제1 영역(DA11)과 중첩하는 기판 영역(S2, S3, S6, S7)과 밀착한다. 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA11)는 도 7의 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)와 유사하다. 다만, 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA11)는 하나의 기판 영역과 밀착하므로, 도 7의 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)의 크기보다 작을 수 있다. 이 경우, 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA11)의 프레임은 도 7의 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)의 프레임과 달리 분할부를 포함하지 않는다.The first pattern mask assembly PMA11 is disposed in the first area DA11 of the first chamber 331a and is disposed on the substrate S drawn into the first chamber 331a using the carrier C, S3, S6, and S7 overlapping the first region DA11 of the first chamber 331a among the first regions 331a. The first pattern mask assembly PMA11 is similar to the first pattern mask assembly PMA1 of FIG. However, since the first pattern mask assembly PMA11 is in close contact with one substrate region, it may be smaller than the first pattern mask assembly PMA1 of FIG. In this case, the frame of the first pattern mask assembly PMA11 does not include a divided portion unlike the frame of the first pattern mask assembly PMA1 of FIG.

이러한 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA11)는 제1 증착원(335)을 통해 기판(S) 측으로 증착 물질을 방출시, 기판(S) 중 제1 챔버(331a)의 제1 영역(DA11)과 중첩하는 기판 영역(S2, S3, S6, S7)의 특정 부분에 패턴층, 예를 들어 발광 표시 장치에서 적색 화소에 적색 발광층이 형성되게 할 수 있다. The first pattern mask assembly PMA11 overlaps with the first region DA11 of the first chamber 331a of the substrate S when the deposition material is discharged toward the substrate S through the first evaporation source 335 A red light emitting layer may be formed on a pattern layer, for example, a red pixel in a light emitting display device, at a specific portion of the substrate regions S2, S3, S6, and S7.

제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA12)는 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA11)와 동일하게 구성된다. 다만, 제2 마스크 어셈블리(PMA12)는 제2 챔버(332a)의 제2 영역(DA12)에 배치되며, 캐리어(도 10의 C)를 이용해 제2 챔버(332a)의 내부에 인입되는 기판(S) 중 제2 챔버(332a)의 제2 영역(DA12)과 중첩하는 기판 영역(S1, S4, S5, S8)과 밀착한다. The second pattern mask assembly PMA12 is configured similarly to the first pattern mask assembly PMA11. The second mask assembly PMA12 is disposed in the second area DA12 of the second chamber 332a and is mounted on the substrate S (see FIG. 10) that is drawn into the second chamber 332a using the carrier S4, S5, and S8 overlapping the second region DA12 of the second chamber 332a among the first region DA1 and the second region DA2.

이러한 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA12)는 제2 증착원(336)을 통해 기판(S) 측으로 증착 물질을 방출시, 기판(S) 중 제2 챔버(332a)의 제2 영역(DA12)과 중첩하는 기판 영역(S1, S4, S5, S8)의 특정 부분에 패턴층, 예를 들어 발광 표시 장치에서 적색 화소에 적색 발광층이 형성되게 할 수 있다. The second pattern mask assembly PMA12 overlaps with the second region DA12 of the second chamber 332a of the substrate S when the deposition material is discharged toward the substrate S through the second evaporation source 336 A red light emitting layer may be formed on a patterned layer, for example, a red pixel in a light emitting display device, at a specific portion of the substrate regions S1, S4, S5, and S8.

제3 챔버(333a)는 도 6의 제3 챔버(333)과 유사하다. 다만, 제3 챔버(333a)는 내부에 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA11) 또는 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA12)와 동일한 크기 및 패턴을 가지는 교환 마스크 어셈블리(SPMA1)가 구비된다.The third chamber 333a is similar to the third chamber 333 of FIG. The third chamber 333a is provided with an exchange mask assembly (SPMA1) having the same size and pattern as the first pattern mask assembly (PMA11) or the second pattern mask assembly (PMA12).

상기와 같이 기판(S)에 정의된 복수의 표시 장치가 형성될 기판 영역들(S1~S8)에 배치되는 패턴층이 제1 챔버(331a)와 제2 챔버(332a)를 통해 기판(S)보다 작은 크기를 가지는 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA11)와 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA12)의 배치에 대한 간섭 없이 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA11)와 기판(S)의 밀착 및 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA12)와 기판(S)의 밀착 상태에서 증착 물질의 증착에 의해 형성되기 때문에, FMM 방식에서 마스크의 자중에 의한 휨 현상으로 인해 기판(S)에 형성되는 패턴층에 왜곡이 발생되는 것이 줄어들 수 있으며 SMS 방식에서 마스크와 기판(S) 사이의 이격 간격 불균일 현상으로 인해 기판(S)에 형성되는 패턴층에 왜곡이 발생되는 것이 줄어들 수 있다.The pattern layer disposed in the substrate areas S1 to S8 on which a plurality of display devices defined in the substrate S are to be formed is formed on the substrate S through the first chamber 331a and the second chamber 332a, The contact between the first pattern mask assembly PMA11 and the substrate S and the second pattern mask assembly PMA11 without interference with the arrangement of the first pattern mask assembly PMA11 having a smaller size and the second pattern mask assembly PMA12 PMA 12 and the substrate S, the generation of distortion in the pattern layer formed on the substrate S due to the deflection due to the self-weight of the mask in the FMM system is reduced And the generation of distortion in the pattern layer formed on the substrate S can be reduced due to the non-uniformity in the spacing between the mask and the substrate S in the SMS system.

이하, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 증착 장치(700)에 대해 설명한다. Hereinafter, a deposition apparatus 700 according to another embodiment of the present invention will be described.

도 21은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 도시한 시스템 구성도이다.21 is a system configuration diagram schematically showing a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 또다른 실시예에 따른 증착 장치(700)는 도 1의 증착 장치(500)와 비교하여 또다른 증착부인 제2 증착부(600)를 더 포함하는 점만 다르며 동일한 구성을 가진다. 이에 따라, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 증착 장치(700)에서는 제2 증착부(600)에 대해서만 상세히 설명한다.The deposition apparatus 700 according to another embodiment of the present invention differs from the deposition apparatus 500 of FIG. 1 in that it further includes a second deposition unit 600, which is another deposition unit, and has the same configuration. Accordingly, only the second deposition unit 600 will be described in detail in the deposition apparatus 700 according to another embodiment of the present invention.

도 21을 참조하면, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 증착 장치(700)는 로딩부(100), 제1 증착부(300), 언로딩부(400) 및 제2 증착부(600)를 포함한다.Referring to FIG. 21, a deposition apparatus 700 according to another embodiment of the present invention includes a loading unit 100, a first deposition unit 300, an unloading unit 400, and a second deposition unit 600 .

로딩부(100)와 언로딩부(400)는 앞에서 설명되었으므로, 중복된 설명은 생략한다. 제1 증착부(300)는 도 1의 증착부(300)와 용어만 다를 뿐 동일하므로, 중복된 설명은 생락된다. Since the loading unit 100 and the unloading unit 400 have been described above, redundant description is omitted. Since the first deposition unit 300 is the same as the deposition unit 300 of FIG. 1 only, the overlapping description is omitted.

제2 증착부(600)는 기판(S) 외에 또다른 기판에 증착 물질을 증착시키는 공정이 이루어질 수 있도록, 제1 증착부(300)와 대응되게 구성된다. 즉, 증착부(600)는 적어도 하나의 증착 챔버를 포함하며, 예를 들어 제1 방향(X)으로 배열된 제1 증착 챔버(610), 제2 증착 챔버(620), 제3 증착 챔버(630), 제4 증착 챔버(640), 제5 증착 챔버(650), 제6 증착 챔버(660) 및 제7 증착 챔버(670)를 포함할 수 있다. The second deposition unit 600 is configured to correspond to the first deposition unit 300 so that a process of depositing a deposition material on another substrate other than the substrate S can be performed. That is, the deposition unit 600 includes at least one deposition chamber, for example, a first deposition chamber 610, a second deposition chamber 620, and a third deposition chamber (not shown) arranged in a first direction X 630, a fourth deposition chamber 640, a fifth deposition chamber 650, a sixth deposition chamber 660, and a seventh deposition chamber 670.

제2 증착부(600)의 제1 증착 챔버(610), 제2 증착 챔버(620), 제3 증착 챔버(630), 제4 증착 챔버(640), 제5 증착 챔버(650), 제6 증착 챔버(660) 및 제7 증착 챔버(670)는 제1 증착부(300)의 제1 증착 챔버(310), 제2 증착 챔버(320), 제3 증착 챔버(330), 제4 증착 챔버(340), 제5 증착 챔버(350), 제6 증착 챔버(360) 및 제7 증착 챔버(370)과 이동 공간(MS)을 사이에 두고 마주볼 수 있다.The second deposition chamber 620, the third deposition chamber 630, the fourth deposition chamber 640, the fifth deposition chamber 650, the sixth deposition chamber 640, The deposition chamber 660 and the seventh deposition chamber 670 are connected to the first deposition chamber 310, the second deposition chamber 320, the third deposition chamber 330, The fifth deposition chamber 350, the sixth deposition chamber 360, and the seventh deposition chamber 370 and the moving space MS.

상기와 같은 증착 장치(700)은 두개의 증착부(300, 600)를 포함하여 동일한 시간 동안 복수의 기판에 대해 증착 공정을 수행하게 할 수 있다. 이에 따라, 증착 장치(700)를 이용하여 제조되는 표시 장치의 수율이 향상될 수 있다. The deposition apparatus 700 may include two deposition units 300 and 600 to perform a deposition process on a plurality of substrates for the same period of time. Thus, the yield of the display device manufactured using the deposition apparatus 700 can be improved.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, You will understand. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

100: 로딩부 300, 600: 증착부
310: 제1 증착 챔버 330, 330a: 제3 증착 챔버
331: 제1 챔버 332: 제2 챔버
400: 언로딩부 500, 700: 증착 장치100: loading part 300, 600: evaporation part
310: first deposition chamber 330, 330a: third deposition chamber
331: first chamber 332: second chamber
400: Unloading section 500, 700: Deposition device

Claims

A first chamber in which a first region and a second region are defined along a first direction;
A first pattern mask assembly disposed within the first chamber so as to overlap with the first region;
A first deposition source disposed inside the first chamber and moving along a second direction intersecting the first direction to discharge the deposition material toward the first pattern mask assembly;
A second chamber spaced apart from the first chamber along the first direction and defining a first region and a second region arranged in the first direction in the same manner as the first chamber;
A second pattern mask assembly disposed in the second chamber so as to overlap with the second region;
A second deposition source disposed inside the second chamber and moving along the second direction to discharge the deposition material toward the second pattern mask assembly; And
Wherein the second pattern mask assembly and the second evaporation source are disposed in the first chamber in correspondence with the second region between the first pattern mask assembly and the first evaporation source, And a blocking plate disposed corresponding to the first area between the first area and the second area.

The method according to claim 1,
Wherein the evaporation material of the first evaporation source and the evaporation material of the second evaporation source are the same.

The method according to claim 1,
Wherein the second evaporation source is configured to discharge the evaporation material after the evaporation of the evaporation material using the first evaporation source.

The method according to claim 1,
Wherein a length of the first pattern mask assembly in the first direction is shorter than a length of the first evaporation source.

The method according to claim 1,
Wherein the first pattern mask assembly is configured to come into close contact with a substrate region overlapping the first region among the substrates introduced into the first chamber.

The method according to claim 1,
Wherein the second pattern mask assembly is configured to come into close contact with a substrate region overlapping the second region among the substrates introduced into the second chamber.

The method according to claim 1,
Wherein the second region is disposed between adjacent first regions when a plurality of the first regions are within the first chamber and a plurality of second regions are disposed within the first chamber.

The method according to claim 1,
The first regions and the second regions are arranged in a matrix form in a case where a plurality of the first regions are present in the first chamber and a plurality of the second regions are arranged in the first chamber, Wherein the deposition device is arranged alternately.

The method according to claim 1,
Further comprising another deposition section corresponding to the deposition section including the first chamber, the first pattern mask assembly, the first deposition source, the second chamber, the second pattern mask assembly, and the second deposition source Deposition apparatus.

Disposing a first pattern mask assembly so as to overlap with the first region within a first chamber in which a first region and a second region are defined along a first direction;
Drawing a substrate having a first substrate region and a second substrate region defined therein into the first chamber and bringing the first substrate region into close contact with the first pattern mask assembly;
Forming a pattern layer on the first substrate region by discharging a deposition material to the substrate while moving a first evaporation source disposed in the first chamber along a second direction intersecting with the first direction;
A first chamber arranged in the first direction along the first direction and arranged in the first chamber in the same manner as the first chamber and arranged in the first chamber along the first direction, Disposing a second pattern mask assembly overlying the second region;
Drawing the substrate into the second chamber and bringing the second substrate region into close contact with the second pattern mask assembly; And
Forming a pattern layer on the second substrate region by discharging a deposition material to the substrate while moving a second evaporation source disposed in the second chamber along the second direction; Way.

11. The method of claim 10,
Wherein the pattern layer includes at least one of a hole transporting layer and a light emitting layer of a light emitting display device.

11. The method of claim 10,
Wherein the evaporation material of the first evaporation source and the evaporation material of the second evaporation source are the same.

11. The method of claim 10,
Wherein the deposition material is ejected using the second evaporation source after the evaporation material is ejected using the first evaporation source.

11. The method of claim 10,
Wherein a length of the first pattern mask assembly in the first direction is shorter than a length of the first evaporation source.

11. The method of claim 10,
Wherein the second region is disposed between the adjacent first regions when a plurality of the first regions are within the first chamber and a plurality of the second regions are disposed within the first chamber.

11. The method of claim 10,
The first regions and the second regions are arranged in a matrix form in a case where a plurality of the first regions are present in the first chamber and a plurality of the second regions are arranged in the first chamber, Wherein the display device is arranged alternately.

11. The method of claim 10,
And a second deposition unit corresponding to the deposition unit including the first chamber, the first pattern mask assembly, the first deposition source, the second chamber, the second pattern mask assembly, and the second deposition source, And forming a pattern layer on another substrate.