KR102376728B1 - Deposition sorce, deposition device including the same and method of manufacturing display device using the deposition device - Google Patents
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Abstract
증착원, 이를 포함하는 증착 장치 및 증착 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법이 제공된다.
일례로, 증착원은 증착 물질을 수용하는 복수의 도가니; 상기 복수의 도가니 각각을 감싸며, 상기 복수의 도가니 중 적어도 하나의 도가니를 선택적으로 가열하도록 독립적으로 구동되는 복수의 히터; 상기 복수의 도가니 각각을 덮으며, 적어도 하나의 노즐을 포함하는 복수의 노즐부; 및 상기 복수의 도가니, 상기 복수의 노즐부 및 상기 복수의 히터를 수용하는 하우징을 포함한다.A deposition source, a deposition apparatus including the same, and a method of manufacturing a display device using the deposition apparatus are provided.
In one example, the deposition source may include a plurality of crucibles accommodating deposition materials; a plurality of heaters surrounding each of the plurality of crucibles and driven independently to selectively heat at least one of the plurality of crucibles; a plurality of nozzle units covering each of the plurality of crucibles and including at least one nozzle; and a housing accommodating the plurality of crucibles, the plurality of nozzle units, and the plurality of heaters.
Description
본 발명은 증착원, 이를 포함하는 증착 장치 및 증착 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition source, a deposition apparatus including the same, and a method of manufacturing a display device using the deposition apparatus.
발광 표시 장치 중 유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답 속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 표시 장치로서 주목을 받고 있다.Among the light emitting display devices, the organic light emitting display device is a self-emission type display device, and has the advantage of a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response speed, and thus has attracted attention as a next-generation display device.
유기 발광 표시 장치는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 유기 발광 물질로 이루어진 발광층을 구비하고 있다. 이들 전극들에 양극 및 음극 전압이 각각 인가됨에 따라 애노드 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 정공 주입층 및 정공 수송층을 경유하여 발광층으로 이동되고, 전자는 캐소드 전극으로부터 전자 주입층과 전자 수송층을 경유하여 발광층으로 이동되어, 발광층에서 전자와 정공이 재결합된다. 이러한 재결합에 의해 여기자(exiton)가 생성되며, 이 여기자가 여기 상태에서 기저 상태로 변화됨에 따라 발광층으로부터 광이 방출되어 화상이 표시된다.The organic light emitting diode display includes a light emitting layer made of an organic light emitting material between an anode electrode and a cathode electrode. As anode and cathode voltages are respectively applied to these electrodes, holes injected from the anode electrode move to the emission layer via the hole injection layer and the hole transport layer, and electrons from the cathode electrode pass through the electron injection layer and the electron transport layer. to the light emitting layer, where electrons and holes recombine. An exciton is generated by this recombination, and as this exciton changes from an excited state to a ground state, light is emitted from the light emitting layer to display an image.
유기 발광 표시 장치는 화소별로 형성되는 애노드 전극을 노출하도록 개구부를 가지는 화소 정의막을 포함하며, 이 화소 정의막의 개구부를 통해 노출되는 애노드 전극 상에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드 전극이 형성된다. 이 중, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층은 여러 방법으로 형성될 수 있으나, 그 중 한 방식이 증착 방법이다.The organic light emitting diode display includes a pixel defining layer having an opening to expose an anode electrode formed for each pixel, and a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer on the anode electrode exposed through the opening of the pixel defining layer. A layer and a cathode electrode are formed. Among them, the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer may be formed by various methods, but one of them is a deposition method.
한편, 증착 방법을 수행하기 위한 증착 장치는 증착 물질을 저장하는 도가니, 도가니를 가열하는 히터, 및 도가니 및 히터를 수납하는 하우징을 포함하는 적어도 하나의 증착원을 구비한다. Meanwhile, a deposition apparatus for performing a deposition method includes at least one deposition source including a crucible for storing deposition materials, a heater for heating the crucible, and a housing for accommodating the crucible and the heater.
통상적으로 이러한 하나의 증착원을 이용하여 대형 기판에 증착 물질을 증착하는 공정이 이루어지고 있다. 그런데, 대형 기판의 모델이 변경되는 경우 증착원의 변경이 필요하다. 이 경우, 증착원의 변경에 따른 번거로움이 있을 수 있으며, 증착원의 변경에 따른 별도의 공정들이 추가될 수 있다.In general, a process of depositing a deposition material on a large substrate using one such deposition source is being performed. However, when the model of the large substrate is changed, it is necessary to change the deposition source. In this case, there may be trouble due to the change of the deposition source, and separate processes according to the change of the deposition source may be added.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 대형 기판의 모델 변경시 증착원의 변경을 필요로 하지 않고 대형 기판에 증착을 가능하게 하는 증착원을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a deposition source that enables deposition on a large substrate without requiring a change in the deposition source when the model of the large substrate is changed.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 대형 기판의 모델 변경시 증착원의 변경을 필요로 하지 않고 대형 기판에 증착을 가능하게 하는 증착원을 포함하는 증착 장치를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a deposition apparatus including a deposition source that enables deposition on a large substrate without requiring a change in the deposition source when the model of the large substrate is changed.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 대형 기판의 모델 변경시 증착원의 변경을 필요로 하지 않고 대형 기판에 증착을 가능하게 하는 증착원을 포함하는 증착 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.In addition, another object to be solved by the present invention is to provide a method of manufacturing a display device using a deposition apparatus including a deposition source that enables deposition on a large substrate without requiring a change in the deposition source when the model of the large substrate is changed. will do
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 증착원은 증착 물질을 수용하는 복수의 도가니; 상기 복수의 도가니 각각을 감싸며, 상기 복수의 도가니 중 적어도 하나의 도가니를 선택적으로 가열하도록 독립적으로 구동되는 복수의 히터; 상기 복수의 도가니 각각을 덮으며, 적어도 하나의 노즐을 포함하는 복수의 노즐부; 및 상기 복수의 도가니, 상기 복수의 노즐부 및 상기 복수의 히터를 수용하는 하우징을 포함한다.A deposition source according to an embodiment of the present invention for achieving the above object includes a plurality of crucibles for accommodating a deposition material; a plurality of heaters surrounding each of the plurality of crucibles and driven independently to selectively heat at least one of the plurality of crucibles; a plurality of nozzle units covering each of the plurality of crucibles and including at least one nozzle; and a housing accommodating the plurality of crucibles, the plurality of nozzle units, and the plurality of heaters.
또한, 상기 증착원은 상기 하우징 내부에 상기 복수의 도가니 각각이 수용되는 공간을 분리시키도록 형성된 복수의 격벽을 더 포함할 수 있다.In addition, the deposition source may further include a plurality of barrier ribs formed inside the housing to separate spaces in which the plurality of crucibles are respectively accommodated.
상기 복수의 도가니 각각에 수용된 증착 물질이 동일할 수 있다.The deposition material accommodated in each of the plurality of crucibles may be the same.
상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치는 증착 챔버; 상기 증착 챔버의 내부에 배치되며, 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 증착부를 포함하고, 상기 복수의 증착부 중 적어도 하나의 증착부가 선택적으로 증착 물질을 방출하도록 구동되는 제1 증착원; 상기 제1 증착원 상부에서 상기 복수의 증착부 중 적어도 하나의 증착부와 대응되게 배치되는 제1 패턴 마스크 어셈블리; 상기 증착 챔버의 내부에서 상기 제1 방향을 따라 상기 제1 증착원과 이격되게 배치되며, 상기 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 증착부를 포함하고, 상기 복수의 증착부 중 적어도 하나의 증착부가 선택적으로 증착 물질을 방출하도록 구동되는 제2 증착원; 및 상기 제2 증착원 상부에서 상기 복수의 증착부 중 상기 제2 방향에서 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리와 다른 위치에 있는 적어도 하나의 증착부와 대응되게 배치되는 제2 패턴 마스크 어셈블리를 포함한다.A deposition apparatus according to an embodiment of the present invention for achieving the above another object includes a deposition chamber; a first deposition chamber disposed inside the deposition chamber, including a plurality of deposition units arranged in a second direction intersecting the first direction, wherein at least one deposition unit among the plurality of deposition units is driven to selectively emit a
상기 제1 증착원의 복수의 증착부와 상기 제2 증착원의 복수의 증착부 각각은 증착 물질을 수용하는 도가니와, 상기 도가니를 감싸며 상기 도가니를 가열하는 히터와, 상기 도가니를 덮으며 적어도 하나의 노즐을 포함하는 노즐부를 포함하며, 상기 제1 증착원의 복수의 증착부와 상기 제2 증착원의 복수의 증착부 각각의 구동은 상기 제1 증착원의 복수의 증착부와 상기 제2 증착원의 복수의 증착부 각각의 히터를 선택적으로 구동시킴에 따라 수행될 수 있다.Each of the plurality of deposition units of the first deposition source and the plurality of deposition units of the second deposition source includes a crucible accommodating a deposition material, a heater surrounding the crucible and heating the crucible, and at least one covering the crucible and a nozzle unit including a nozzle of This may be performed by selectively driving a heater of each of the plurality of deposition units in a circle.
또한, 상기 증착 장치는 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리와 상기 제1 증착원 사이에서 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리와 비중첩하는 적어도 하나의 증착부와, 상기 제2 패턴 마스크 어셈블리와 상기 제2 증착원 사이에서 상기 제2 패턴 마스크 어셈블리와 비중첩하는 적어도 하나의 증착부와 대응되는 위치에 배치되는 차단판을 더 포함할 수 있다.The deposition apparatus may include at least one deposition part that does not overlap the first pattern mask assembly between the first pattern mask assembly and the first deposition source, and between the second pattern mask assembly and the second deposition source. may further include a blocking plate disposed at a position corresponding to the at least one deposition part that does not overlap the second pattern mask assembly.
상기 제1 증착원의 상기 증착 물질과 상기 제2 증착원의 상기 증착 물질이 동일할 수 있다.The deposition material of the first deposition source and the deposition material of the second deposition source may be the same.
상기 제2 증착원은 상기 제1 증착원을 이용한 상기 증착 물질의 방출 후 상기 증착 물질을 방출하도록 구성될 수 있다.The second deposition source may be configured to discharge the deposition material after the deposition material is released using the first deposition source.
상기 제2 방향에서 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리의 길이는 상기 제1 증착원의 길이보다 짧을 수 있다.A length of the first pattern mask assembly in the second direction may be shorter than a length of the first deposition source.
상기 제2 방향에서 상기 제2 패턴 마스크 어셈블리의 길이는 상기 제2 증착원의 길이보다 짧을 수 있다.A length of the second pattern mask assembly in the second direction may be shorter than a length of the second deposition source.
상기 제1 패턴 마스크 어셈블리와 상기 제2 패턴 마스크 어셈블리는 상기 제1 방향을 따라 상기 증착 챔버의 내부에 인입되는 기판과 이격되게 배치될 수 있다.The first pattern mask assembly and the second pattern mask assembly may be disposed to be spaced apart from the substrate introduced into the deposition chamber in the first direction.
상기 또다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 증착 챔버의 내부에서 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 증착부를 포함하는 제1 증착원의 상부에, 상기 복수의 증착부 중 적어도 어느 하나의 증착부와 대응되게 제1 패턴 마스크 어셈블리를 배치하는 단계; 상기 증착 챔버의 내부에서 상기 제1 방향을 따라 상기 제1 증착원과 이격되며 상기 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 증착부를 포함하는 제2 증착원의 상부에, 상기 복수의 증착부 중 상기 제2 방향에서 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리와 다른 위치에 있는 적어도 어느 하나의 증착부와 대응되게 제2 패턴 마스크 어셈블리를 배치하는 단계; 복수의 기판 영역이 정의되는 기판을 상기 제1 방향을 따라 상기 증착 챔버의 내부에 이동시키면서 상기 제1 증착원을 통해 상기 기판 측에 증착 물질을 방출하여 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리를 통과하는 기판 영역에 패턴층을 형성하는 단계; 및 상기 기판을 상기 제1 방향을 따라 이동시키면서 상기 제2 증착원을 통해 상기 기판 측에 증착 물질을 방출하여 상기 제2 패턴 마스크 어셈블리를 통과하는 기판 영역에 패턴층을 형성하는 단계를 포함한다. In another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a display device according to an exemplary embodiment of the present invention, wherein the first deposition source includes a plurality of deposition units arranged in a second direction intersecting the first direction in a deposition chamber. disposing a first pattern mask assembly on the upper portion of the plurality of deposition parts to correspond to at least one deposition part; An upper portion of a second deposition source including a plurality of deposition parts spaced apart from the first deposition source along the first direction in the deposition chamber and arranged in the second direction, the first of the plurality of deposition parts disposing a second pattern mask assembly to correspond to at least one deposition unit located at a different position from the first pattern mask assembly in two directions; A substrate region passing through the first pattern mask assembly by discharging a deposition material to the substrate side through the first deposition source while moving a substrate on which a plurality of substrate regions are defined inside the deposition chamber in the first direction forming a pattern layer on the; and discharging a deposition material to the substrate side through the second deposition source while moving the substrate in the first direction to form a pattern layer in a substrate region passing through the second pattern mask assembly.
상기 패턴층은 발광 표시 장치의 정공 수송층 및 발광층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The pattern layer may include at least one of a hole transport layer and a light emitting layer of the light emitting display device.
상기 제1 증착원의 상기 증착 물질과 상기 제2 증착원의 상기 증착 물질이 동일할 수 있다.The deposition material of the first deposition source and the deposition material of the second deposition source may be the same.
상기 제2 증착원을 이용한 상기 증착 물질의 방출은 상기 제1 증착원을 이용한 상기 증착 물질의 방출 후 수행될 수 있다.The deposition of the deposition material using the second deposition source may be performed after the deposition of the deposition material using the first deposition source.
상기 제2 방향에서 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리의 길이는 상기 제1 증착원의 길이보다 짧을 수 있다.A length of the first pattern mask assembly in the second direction may be shorter than a length of the first deposition source.
상기 제2 방향에서 상기 제2 패턴 마스크 어셈블리의 길이는 상기 제2 증착원의 길이보다 짧을 수 있다.A length of the second pattern mask assembly in the second direction may be shorter than a length of the second deposition source.
상기 제1 패턴 마스크 어셈블리와 상기 제2 패턴 마스크 어셈블리는 상기 제1 방향을 따라 상기 증착 챔버의 내부에 인입되는 기판과 이격되게 배치될 수 있다.The first pattern mask assembly and the second pattern mask assembly may be disposed to be spaced apart from the substrate introduced into the deposition chamber in the first direction.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.According to the embodiments of the present invention, there are at least the following effects.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착원에 따르면, 대형 기판의 모델 변경시 증착원의 변경을 필요로 하지 않고 대형 기판에 증착이 가능할 수 있다. According to the deposition source according to an embodiment of the present invention, when the model of the large substrate is changed, it is possible to deposit on the large substrate without changing the deposition source.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effect according to the present invention is not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착원의 구성도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 선의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착원이 적용된 증착 장치를 개략적으로 도시한 시스템 구성도이다.
도 4는 도 3의 제1 증착 챔버를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5는 도 4의 오픈 마스크 어셈블리를 도시한 사시도이다.
도 6은 도 4의 제1 증착 챔버 내부의 구성들을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 7은 도 4의 제1 증착 챔버 내부의 구성들을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 8은 도 3의 제3 증착 챔버를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 9는 도 8의 제1 패턴 마스크 어셈블리의 사시도이다.
도 10은 도 8의 제3 증착 챔버 내부의 구성들을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 11은 도 8의 제3 증착 챔버 내부의 구성들을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 이용하여 증착된 기판을 보여주는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 이용하여 제조된 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치 중 제3 증착 챔버를 개략적으로 도시한 평면도이다.1 is a block diagram of an evaporation source according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II′ of FIG. 1 .
3 is a system configuration diagram schematically illustrating a deposition apparatus to which a deposition source is applied according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a plan view schematically illustrating the first deposition chamber of FIG. 3 .
5 is a perspective view illustrating the open mask assembly of FIG. 4 .
FIG. 6 is a perspective view schematically illustrating components inside the first deposition chamber of FIG. 4 .
FIG. 7 is a cross-sectional view schematically illustrating components inside the first deposition chamber of FIG. 4 .
8 is a plan view schematically illustrating a third deposition chamber of FIG. 3 .
9 is a perspective view of the first pattern mask assembly of FIG. 8 .
FIG. 10 is a perspective view schematically illustrating components inside a third deposition chamber of FIG. 8 .
FIG. 11 is a cross-sectional view schematically illustrating components inside a third deposition chamber of FIG. 8 .
12 is a cross-sectional view illustrating a substrate deposited using a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
13 is a cross-sectional view of a light emitting display device manufactured using a deposition apparatus according to an exemplary embodiment.
14 is a plan view schematically illustrating a third deposition chamber of a deposition apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Reference to an element or layer “on” another element or layer includes any intervening layer or other element directly on or in the middle of another element. Like reference numerals refer to like elements throughout.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms, of course. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, it goes without saying that the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착원의 구성도이고, 도 2는 도 1의 I-I' 선의 단면도이다.1 is a block diagram of an evaporation source according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II′ of FIG. 1 .
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착원(231)은 복수의 도가니(237), 복수의 히터(238), 복수의 노즐부(239) 및 하우징(235)을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착원(231)은 복수의 격벽(236)을 포함할 수 있다.1 and 2 , the
복수의 도가니(237)는 일 방향(Y)으로 배열되며, 각 도가니(237)는 상부가 노출되고 내부에 증착 물질(DM)을 수용하도록 구성된다. 각 도가니(237)의 증착 물질은 동일할 수 있다.The plurality of
복수의 히터(238) 각각은 복수의 도가니(237) 각각을 감싸며 가열하도록 구성된다. 이러한 복수의 히터(238)는 복수의 도가니(237)를 가열하여 복수의 도가니(237)에 수용된 증착 물질(DM)을 기화시켜 박막을 형성하고자 하는 기판(미도시)에 증착시킨다. 복수의 히터(238) 각각은 발열 코일과 같은 것일 수 있으나, 이러한 구성으로 한정하는 것은 아니다.Each of the plurality of
한편, 복수의 히터(238)는 복수의 도가니(237) 중 적어도 하나의 도가니를 선택적으로 가열하도록 독립적으로 구동될 수 있다. 이러한 구동은 제어부(미도시)에 의해 제어될 수 있다. 이와 같이 복수의 히터(238)의 독립 구동에 의해 복수의 도가니(237)가 선택적으로 가열되면, 증착 물질(DM)을 증착시키고자 하는 기판(미도시)에 선택적으로 증착시킬 수 있다. 이에 따라, 기판의 모델이 달라지더라도 기판의 원하는 위치에 증착 물질(DM)을 증착시킬 수 있다.Meanwhile, the plurality of
복수의 노즐부(239)는 복수의 도가니(237) 각각을 덮으며, 기화되는 증착 물질(DM)이 상기 기판에 증착되도록 개구 형태의 적어도 하나의 노즐(239a)을 포함할 수 있다. The plurality of
하우징(235)은 상부가 노출되고 복수의 도가니(237), 복수의 히터(238), 복수의 노즐부(239)를 수용하도록 구성된다.The
복수의 격벽(236)은 하우징(235)의 내부에서 복수의 도가니(237) 각각이 수용되는 공간을 분리시키도록 형성된다. 복수의 격벽(236)은 도가니(237)가 선택적으로 가열되는 경우 인접한 도가니에 열이 전달되는 것을 방지할 수 있다. 이러한 복수의 격벽(236)의 내부에는 냉각수가 흐를 수 있게 구성될 수 있다. 예를 들어, 복수의 격벽(236)의 내부에 냉각수가 흐르는 경로를 제공하는 냉각 파이프가 내장될 수 있다. 도 2에서는 복수의 격벽(236)이 하우징(235)과 분리된 형태로 설치되는 것으로 도시되었으나, 하우징(235)과 일체로 형성될 수도 있다. 한편, 격벽(236)에 의해 분리된 하나의 공간에 구비된 도가니(237), 히터(238) 및 노즐부(239)는 하나의 증착부로 구분될 수 있다. 이에 따라 증착원(231)은 복수의 증착부, 예를 들어 하우징(235)의 일측부터 타측으로 배열되는 제1 증착부(231a), 제2 증착부(231b), 제3 증착부(231c), 제4 증착부(231d), 제5 증착부(231e) 및 제6 증착부(231f)를 포함할 수 있다. 도 1 및 도 2에서는 복수의 증착부가 6개인 것으로 도시되었으나, 이러한 개수로 본 발명을 한정하는 것은 아니다. The plurality of
상기와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착원(231)은 복수의 도가니(237) 중 적어도 하나의 도가니를 선택적으로 가열하도록 독립적으로 구동되는 복수의 히터(238)를 포함함으로써, 증착 물질(DM)을 증착시키고자 하는 기판(미도시)에 선택적으로 증착시킬 수 있다.As described above, the
따라서, 기판의 모델이 달라지더라도 기판의 원하는 위치에 증착 물질(DM)이 증착될 수 있다.Accordingly, the deposition material DM may be deposited at a desired position on the substrate even if the model of the substrate is changed.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착원이 적용된 증착 장치를 개략적으로 도시한 시스템 구성도이다. 3 is a system configuration diagram schematically illustrating a deposition apparatus to which a deposition source is applied according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착원(231)이 적용된 증착 장치(500)는 로딩부(100), 증착부(200) 및 언로딩부(300)를 포함한다. Referring to FIG. 3 , the
로딩부(100)는 증착이 이루어지기 이전 복수의 기판(S)이 적재되도록 구성된다. 로딩부(100)에 적재된 복수의 기판(S) 중 어느 하나의 기판(S)은 정전척과 같은 캐리어(C)를 이용하여 지지되며, 증착부(200)로 이동될 수 있다. 캐리어(C)는 도 3의 제1 방향(X)과 제1 방향과 교차하는 제2 방향(Y)으로 이동이 가능하다. 기판(S)은 표시 장치용 기판일 수 있으며, 복수의 표시 장치를 형성하기 위한 복수의 기판 영역이 정의되는 마더 글라스(mother glass)와 같은 대면적 기판이 적용될 수 있다. 도 3에서 기판(S)에 점선으로 표시된 6개의 영역(S1~S6)은 6개의 표시 장치가 형성될 기판 영역을 나타낸 것이나, 이러한 개수로 기판(S)을 한정하는 것은 아니다.The
증착부(200)는 기판(S)에 증착 물질을 증착시키는 공정이 이루어질 수 있도록 구성된다. 증착부(200)는 적어도 하나의 증착 챔버를 포함하며, 예를 들어 제1 방향(X)으로 배열된 제1 증착 챔버(210), 제2 증착 챔버(220), 제3 증착 챔버(230), 제4 증착 챔버(240), 제5 증착 챔버(250), 제6 증착 챔버(260) 및 제7 증착 챔버(270)를 포함할 수 있다. 제1 증착 챔버(210), 제6 증착 챔버(260) 및 제7 증착 챔버(270)는 기판(S)에 증착 물질을 증착하여 형성되는 박막이 별도의 패터닝이 없는 공통층을 형성하기 위한 증착 챔버들일 수 있으며, 제2 증착 챔버(220), 제3 증착 챔버(230), 제4 증착 챔버(240) 및 제5 증착 챔버(250)는 기판(S)에 증착 물질을 증착하여 형성되는 박막이 특정 패턴이 있는 패턴층을 형성하기 위한 증착 챔버들일 수 있다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 증착부(200)에 대한 상세한 설명은 후술한다. The
언로딩부(300)는 증착부(200)를 거친 기판(S)을 캐리어(C)로부터 분리시켜 적재되도록 구성된다. 언로딩부(300)에 적재된 기판(S)은 다른 공정의 수행을 위해 대기 상태로 있을 수 있다.The
이하, 증착부(200)에 대해 제1 증착 챔버(210)와 제3 증착 챔버(230)을 예로 들어 상세히 설명한다. Hereinafter, the
도 4는 도 3의 제1 증착 챔버를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 5는 도 4의 오픈 마스크 어셈블리를 도시한 사시도이고, 도 6은 도 4의 제1 증착 챔버 내부의 구성들을 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 7은 도 4의 제1 증착 챔버 내부의 구성들을 개략적으로 도시한 단면도이다.FIG. 4 is a plan view schematically illustrating the first deposition chamber of FIG. 3 , FIG. 5 is a perspective view illustrating the open mask assembly of FIG. 4 , and FIG. 6 is a schematic view of internal components of the first deposition chamber of FIG. 4 . It is a perspective view, and FIG. 7 is a cross-sectional view schematically illustrating components inside the first deposition chamber of FIG. 4 .
도 4 내지 도 7을 참조하면, 제1 증착 챔버(210)는 기판(S)에 증착 물질을 증착하여 공통층을 형성하기 위한 공간을 제공한다. 제1 증착 챔버(210)는 기판(S)에 증착 물질을 증착시 진공 상태로 유지될 수 있다. 제1 증착 챔버(210)의 내부에는 적어도 하나의 증착원(212, 213)과 오픈 마스크 어셈블리(OMA)가 배치될 수 있다.4 to 7 , the
오픈 마스크 어셈블리(OMA)는 제1 증착 챔버(210)의 내부에서 일 영역에 고정되게 배치될 수 있다. 제2 방향(Y)에서 오픈 마스크 어셈블리(OMA)의 길이는 캐리어(C)를 이용해 제1 증착 챔버(210)의 내부에 인입되는 기판(S)이 제1 방향(X)으로 이동시 제2 방향(Y)에서 기판(S)의 길이와 대략 유사하다. 오픈 마스크 어셈블리(OMA)는 오픈 마스크(OM)와 프레임(FR)을 포함할 수 있다. 오픈 마스크(OM)는 마스크 개구(OP1)를 정의하는 링 형상으로 형성될 수 있다. 프레임(FR)은 오픈 마스크(OM)를 지지하는 것으로, 오픈 마스크(OM)와 대응되도록 프레임 개구(OP2)를 정의하는 링 형상으로 형성될 수 있다. 오픈 마스크 어셈블리(OMA)는 제1 증착 챔버(210)의 내부에 인입되는 기판(S)이 제1 방향(X)으로 이동시 기판(S)과 일정한 이격 간격을 유지한다. 오픈 마스크 어셈블리(OMA)와 기판(S)의 일정한 이격 간격은 오픈 마스크 어셈블리(OMA)의 하부에서 오픈 마스크 어셈블리(OMA)를 지지하는 마스크 스테이지(ST1)와 캐리어(C)의 얼라인 동작에 의해 제어될 수 있다. The open mask assembly OMA may be fixedly disposed in one area inside the
이러한 오픈 마스크(OM)와 프레임(FR)을 포함하는 오픈 마스크 어셈블리(OMA)는 기판(S)에 패터닝이 없는 공통층을 형성시 증착 물질이 불필요한 영역으로 새는 것을 방지할 수 있다.The open mask assembly OMA including the open mask OM and the frame FR may prevent a deposition material from leaking into an unnecessary region when the common layer without patterning is formed on the substrate S.
증착원(212)은 오픈 마스크 어셈블리(OMA)의 하부에 고정되게 배치되며, 제1 증착 챔버(210)에서 오픈 마스크 어셈블리(OMA)와 이격 간격을 유지하면서 제1 방향(X)으로 이동하는 기판(S) 측에 증착 물질(212c)을 방출할 수 있다. 이에 따라, 기판(S) 전체에 패터닝이 없는 공통층이 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(S)이 발광 표시 장치인 경우 기판(S) 상에 형성된 화소 정의막(도 12의 20) 전체면에 화소에 관계 없이 정공 주입층(도 12의 30)이 형성될 수 있다.The
증착원(212)은 구체적으로 내부에 증착 물질(212c)이 채워지는 도가니(212a), 도가니(212a)를 감싸도록 배치되며 도가니(212a)를 가열하여 증착 물질(212c)을 기화시키는 히터(212b), 증착원 노즐(212e)이 기판(S)측으로 향하도록 도가니(212a)의 상부에 배치되는 노즐부(212d), 및 도가니(212a), 히터(212b) 및 노즐부(212d)를 포함하는 하우징(212f)를 포함할 수 있다. 제2 방향(Y)에서 증착원(212)의 길이는 마스크 어셈블리(OMA)의 길이와 유사할 수 있다.The
증착원(213)은 증착원(212)과 동일하게 구성되며 제1 방향(X)을 따라 증착원(213)과 이격되게 배치된다. 증착원(213)은 증착원(212)과 함께 공통층을 형성시키기 위한 증착 물질을 기판(S) 측으로 방출한다. 증착원(212)의 증착 물질(212c)로 기판(S)에 공통층을 형성시키는데 충분하면, 증착원(213)은 생략될 수도 있다.The
도 8은 도 3의 제3 증착 챔버를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 9는 도 8의 제1 패턴 마스크 어셈블리의 사시도이고, 도 10은 도 8의 제3 증착 챔버 내부의 구성들을 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 11은 도 8의 제3 증착 챔버 내부의 구성들을 개략적으로 도시한 단면도이다.FIG. 8 is a plan view schematically illustrating the third deposition chamber of FIG. 3 , FIG. 9 is a perspective view of the first pattern mask assembly of FIG. 8 , and FIG. 10 is a schematic view of internal components of the third deposition chamber of FIG. 8 It is a perspective view, and FIG. 11 is a cross-sectional view schematically illustrating components inside the third deposition chamber of FIG. 8 .
도 8 내지 도 11을 참조하면, 제3 증착 챔버(230)는 기판(S)에 증착 물질을 증착하여 패턴층을 형성하기 위한 공간을 제공한다. 제3 증착 챔버(230)는 기판(S)에 증착 물질을 증착시 진공 상태로 유지될 수 있다. 제3 증착 챔버(230)의 내부에는 적어도 하나의 증착원(231, 232)과 적어도 하나의 패턴 마스크 어셈블리(PMA1, PMA2, PMA3)가 배치될 수 있다. 본 실시예에서는, 증착원이 제3 증착 챔버(230)의 내부에 두 개, 즉, 제1 증착원(231)과 제2 증착원이 배치되는 것으로 예시된다. 또한, 패턴 마스크 어셈블리가 제3 증착 챔버(230)의 내부에 세 개, 즉, 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1), 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2) 및 제3 패턴 마스크 어셈블리(PMA3)가 배치되는 것으로 예시된다.8 to 11 , the
제1 증착원(231)은 도 1 및 도 2의 증착원(231)과 용어만 다를뿐 동일한 구성을 가진다. 즉, 제1 증착원(231)은 복수의 증착부, 예를 들어 제1 증착부(231a), 제2 증착부(231b), 제3 증착부(231c), 제4 증착부(231d), 제5 증착부(231e) 및 제6 증착부(231f)를 포함할 수 있다.The
이러한 제1 증착원(231)은 복수의 증착부(231a~231f)가 제3 증착 챔버(230)에서 기판(S)이 이동하는 방향인 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)을 따라 배열되게 배치된다. The
제1 증착원(231)은 제1 방향(X)으로 이동하는 기판(S)의 기판 영역(S1~S6) 중 제2 방향(Y)을 따라 제1 기판 영역을 S1과 S4라하고, 제2 기판 영역을 S2와 S5라하고, 제3 기판 영역을 S3과 S6이라 할 때, 제1 기판 영역(S1, S4)와 제3 영역(S3, S6)에 선택적으로 증착 물질(DM)을 방출하도록 하며, 이를 위해 제어부(미도시)에 의해 제1 증착부(231a), 제2 증착부(231b), 제5 증착부(231e) 및 제6 증착부(231f)가 구동될 수 있다. 즉, 제1 증착부(231a), 제2 증착부(231b), 제5 증착부(231e) 및 제6 증착부(231f)의 구동은 제1 증착부(231a), 제2 증착부(231b), 제5 증착부(231e) 및 제6 증착부(231f) 각각의 히터(238)가 도가니(237)를 가열시켜 증착 물질(DM)이 기화됨에 따라 수행될 수 있다. The
한편, 기판(S)의 기판 영역이 도 8의 S1, S2, S4, S5로 정의된 된 경우 기판(S)의 기판 영역(S1, S2, S4, S5) 중 제2 방향을 따라 제1 기판 영역을 S1과 S4라하고, 제2 기판 영역을 S2와 S5라 할 때, 제1 증착원(231)은 제1 기판 영역(S1, S4)에 선택적으로 증착 물질(DM)을 방출하도록 하며, 이를 위해 제어부(미도시)에 의해 제1 증착부(231a) 및 제2 증착부(231b)가 구동될 수 있다. 즉, 제1 증착부(231a) 및 제2 증착부(231b)의 구동은 제1 증착부(231a) 및 제2 증착부(231b) 각각의 히터(238)가 도가니(237)를 가열시켜 증착 물질(DM)이 기화됨에 따라 수행될 수 있다. On the other hand, when the substrate region of the substrate S is defined as S1, S2, S4, and S5 of FIG. 8, the first substrate along the second direction among the substrate regions S1, S2, S4, and S5 of the substrate S When the regions are S1 and S4 and the second substrate regions are S2 and S5, the
제2 증착원(232)은 제1 방향(X)을 따라 제1 증착원(231)과 이격되게 배치되며, 제1 증착원(231)과 동일한 구성을 가진다. 다만, 제2 증착원(232)은 제1 증착원(231)을 이용한 증착 물질(DM)의 방출 후 증착 물질을 방출하도록 구성될 수 있다. 제2 증착원(232)의 증착 물질은 제1 증착원(231)의 증착 물질(DM)과 동일할 수 있다.The
제2 증착원(232)은 복수의 증착부, 예를 들어 제1 증착부(232a), 제2 증착부(232b), 제3 증착부(232c), 제4 증착부(232d), 제5 증착부(232e) 및 제6 증착부(232f)를 포함할 수 있다. 이러한 제2 증착원(232)은 복수의 증착부(232a~232f)가 제3 증착 챔버(230)에서 기판(S)이 이동하는 방향인 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)을 따라 배열되게 배치된다. The
제2 증착원(232)은 제1 방향(X)으로 이동하는 기판(S)의 기판 영역(S1~S6) 중 제2 기판 영역(S2, S5)에 선택적으로 증착 물질(도 1의 DM)을 방출하도록 하며, 이를 위해 제어부(미도시)에 의해 제3 증착부(232c) 및 제4 증착부(232d)가 구동될 수 있다. 즉, 제3 증착부(232c) 및 제 증착부(231d)의 구동은 제3 증착부(232c) 및 제4 증착부(232d) 각각의 히터(238)가 도가니(237)를 가열시켜 증착 물질(DM)이 기화됨에 따라 수행될 수 있다. The
한편, 기판(S)의 기판 영역이 도 8의 S1, S2, S4, S5로 정의된 된 경우에도, 제2 증착원(232)은 기판(S)의 기판 영역(S1, S2, S4, S5) 중 제2 기판 영역(S2, S5)에 선택적으로 증착 물질(DM)을 방출하도록 하며, 이를 위해 제어부(미도시)에 의해 제3 증착부(232c) 및 제4 증착부(232d)가 구동될 수 있다. 즉, 제3 증착부(232c) 및 제4 증착부(232d)의 구동은 제3 증착부(232c) 및 제4 증착부(232d) 각각의 히터(238)가 도가니(237)를 가열시켜 증착 물질(DM)이 기화됨에 따라 수행될 수 있다.Meanwhile, even when the substrate regions of the substrate S are defined as S1 , S2 , S4 , and S5 of FIG. 8 , the
제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)는 제1 증착원(231)의 상부에서 복수의 증착부(231a~231f) 중 적어도 하나의 증착부, 예를 들어 제1 증착부(231a) 및 제2 증착부(231b)와 대응되게 배치된다. 제2 방향(Y)에서 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)의 길이는 제1 증착원(231)의 길이보다 짧으며, 기판(S)의 제1 기판 영역(S1 또는 S4)의 길이와 대략 유사할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제2 방향(Y)에서 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)의 길이는 제1 증착원(231)의 길이보다 길수도 있다. 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)는 제1 패턴 마스크(PM1)과 제1 프레임(FR1)을 포함할 수 있다.The first pattern mask assembly PMA1 may include at least one deposition part, for example, a
제1 패턴 마스크(PM1)는 기판(S)의 제1 기판 영역(S1 또는 S4) 중 화소에 대응되는 증착 개구(DP)를 포함하는 복수의 금속 플레이트, 예를 들어 복수의 스틱 본체를 포함하여 구성될 수 있다. 증착 개구(DP)는 기판(S)의 제1 기판 영역(S1 또는 S4)에 패턴층, 예를 들어 적색 발광층을 형성하도록 적색 발광층이 형성되는 적색 화소와 대응되게 배치될 수 있다. The first pattern mask PM1 includes a plurality of metal plates including deposition openings DP corresponding to pixels in the first substrate area S1 or S4 of the substrate S, for example, a plurality of stick bodies. can be configured. The deposition opening DP may be disposed to correspond to a red pixel in which a red emission layer is formed to form a pattern layer, for example, a red emission layer, in the first substrate region S1 or S4 of the substrate S.
제1 프레임(FR1)은 제1 패턴 마스크(PM1)를 지지하는 것으로, 제1 패턴 마스크(PM1)의 증착 개구(DP)를 노출하는 프레임 개구를 가질 수 있다. 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)는 제3 증착 챔버(230)의 내부에 인입되는 기판(S)이 제1 방향(X)으로 이동시 기판(S)과 일정한 이격 간격을 유지한다. 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)와 기판(S)의 일정한 이격 간격은 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)의 하부에서 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)를 지지하는 마스크 스테이지(ST2)와 캐리어(C)의 얼라인 동작에 의해 제어될 수 있다.The first frame FR1 supports the first pattern mask PM1 , and may have a frame opening exposing the deposition opening DP of the first pattern mask PM1 . The first pattern mask assembly PMA1 maintains a predetermined distance from the substrate S when the substrate S introduced into the
이러한 제1 패턴 마스크(PM1)와 제1 프레임(FR1)을 포함하는 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)는 제1 증착원(231)을 통해 제1 방향(X)으로 이동하는 기판(S) 측으로 증착 물질을 방출시, 기판(S)의 제1 기판 영역(S1, S4)의 특정 부분에 패턴층, 예를 들어 발광 표시 장치에서 적색 화소에 적색 발광층이 형성되게 할 수 있다.The first pattern mask assembly PMA1 including the first pattern mask PM1 and the first frame FR1 moves toward the substrate S moving in the first direction X through the
제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)는 제2 증착원(232)의 상부에서 복수의 복수의 증착부(232a~232f) 중 제2 방향(Y)에서 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)와 다른 위치에 있는 적어도 하나의 증착부, 예를 들어 제3 증착부(232c) 및 제4 증착부(232d)와 대응되게 배치된다. 제2 방향(Y)에서 제 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)의 길이는 제2 방향(Y)에서 제2 증착원(232)의 길이보다 짧으며, 기판(S)의 제2 기판 영역(S2 또는 S5)의 길이와 대략 유사할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제2 방향(Y)에서 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)의 길이는 제2 증착원(232)의 길이보다 길수도 있다. 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)는 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)와 동일한 패턴으로 형성될 수 있다. The second pattern mask assembly PMA2 is positioned above the
이러한 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)는 제2 증착원(232)을 통해 제1 방향(X)으로 이동하는 기판(S) 측으로 증착 물질을 방출시, 기판(S)의 제2 기판 영역(S2, S5)의 특정 부분에 패턴층, 예를 들어 발광 표시 장치에서 적색 화소에 적색 발광층이 형성되게 할 수 있다.When the deposition material is emitted toward the substrate S moving in the first direction X through the
제3 패턴 마스크 어셈블리(PMA3)는 제1 증착원(231)의 상부에 제5 증착부(231e) 및 제6 증착부(231f)와 대응되게 배치된다. 제3 패턴 마스크 어셈블리(PMA3)는 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)와 동일한 패턴으로 형성될 수 있다. The third pattern mask assembly PMA3 is disposed on the
이러한 제3 패턴 마스크 어셈블리(PMA3)는 제1 증착원(231)을 통해 제1 방향(X)으로 이동하는 기판(S) 측으로 증착 물질을 방출시, 기판(S)의 제3 기판 영역(S3, S6)의 특정 부분에 패턴층, 예를 들어 발광 표시 장치에서 적색 화소에 적색 발광층이 형성되게 할 수 있다.The third pattern mask assembly PMA3 emits the deposition material toward the substrate S moving in the first direction X through the
한편, 증착원(231, 232)과 기판(S) 사이에 차단판(233)이 배치될 수 있다. 차단판(233)은 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1) 및 제3 패턴 마스크 어셈블리(PMA3)와 제1 증착원(231) 사이에서 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1) 및 제3 패턴 마스크 어셈블리(PMA36)와 비중첩하는 적어도 하나의 증착부들과, 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)와 제2 증착원(232) 사이에서 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)와 비중첩하는 적어도 하나의 증착부들과 대응되는 위치에 배치될 수 있다. Meanwhile, a blocking
본 발명의 실시예에서는, 차단판(233)이 기판(S)이 제1 증착원(231)의 상부를 이동할 때 증착 물질(DM)이 제2 기판 영역(S2, S5)에 증착되는 것을 방지하기 위해 제1 증착원(231)의 제3 증착부(231c)와 제4 증착부(231d)의 상부에 배치될 수 있으며, 또한 기판(S)이 제2 증착원(232)의 상부를 이동할 때 증착 물질(DM)이 제1 기판 영역(S1, S4)과 제3 기판 영역(S3, S6)에 증착되는 것을 방지하기 위해 제2 증착원(232)의 제1 증착부(232a), 제2 증착부(232b), 제5 증착부(232f)와 제6 증착부(231f)의 상부에 배치될 수 있다. 도 10에서는, 차단판(233)이 플레이트 형태로 도시되었으나, 이러한 형상으로 본 발명을 한정하는 것은 아니다.In the embodiment of the present invention, the blocking
상기와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 증착원(231)이 적용된 증착 장치는 선택적으로 증착 물질(DM)을 방출하도록 독립적으로 구동되는 복수의 증착부(231a~231f)를 포함함으로써, 기판(S) 중 증착 물질(DM)을 증착시키고자 하는 기판 영역에 선택적으로 증착시킬 수 있다.As described above, the deposition apparatus to which the
따라서, 기판(S)에 정의되는 기판 영역의 모델이 달라지더라도 기판(S) 중 원하는 기판 영역에 원하는 형태의 증착 물질(DM)이 증착될 수 있다.Accordingly, even if the model of the substrate region defined on the substrate S is changed, the deposition material DM having a desired shape may be deposited on a desired substrate region of the substrate S.
이하에서는 도 3 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(500)를 이용한 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a display device using the
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 이용하여 증착된 기판을 보여주는 단면도이다.12 is a cross-sectional view illustrating a substrate deposited using a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
표시 장치의 제조 방법에 대해서는 발광 표시 장치의 제조 방법을 예로 들어 설명하기로 한다. 또한, 발광 표시 장치의 제조 방법 중 공통층, 예를 들어 정공 주입층(30)과 패턴층, 예를 들어 발광층(50)을 형성하는 과정에 대해 설명하기로 한다.A method of manufacturing a display device will be described using a method of manufacturing a light emitting display device as an example. In addition, a process of forming a common layer, for example, the
먼저, 도 4 내지 도 7을 참조하면, 캐리어(C)에 의해 지지되는 기판(S)을 제1 증착 챔버(210)의 내부에 인입시키고, 증착원(210)의 상부에 배치된 오픈 마스크 어셈블리(OMA)의 상부에서 제1 방향(X)으로 이동시키면서 증착원(212, 213)을 이용하여 기판(S)측에 기화된 증착 물질을 방출한다. First, referring to FIGS. 4 to 7 , a substrate S supported by a carrier C is introduced into the
그럼, 도 12에 도시된 바와 같이, 화소 별로 형성되는 제1 전극(10)을 포함하는 기판(도 4의 S) 상에 제1 전극(10)을 노출하는 화소 개구(21)를 포함하도록 형성되는 화소 정의막(20)의 전체면에 화소에 관계없이 정공 주입층(30)이 형성된다. 도 12에서는 기판(도 4의 S) 중 기판 영역(S1)과 기판 영역(S5) 만을 도시하였다. 기판(도 4의 S)의 기판 영역들(S1~S6)은 후속 커팅 공정에서 개별화될 수 있으며, 기판 영역(S1)은 하나의 발광 표시 장치의 기판이 될 수 있으며, 기판 영역(S5)은 또다른 하나의 발광 표시 장치의 기판이 될 수 있다.Then, as shown in FIG. 12 , the substrate (S of FIG. 4 ) including the
이어서, 도 8 내지 도 11을 참조하면, 캐리어(C)에 의해 지지되는 기판(S)을 제3 증착 챔버(230)의 내부에 인입시키고, 제1 증착원(231)의 상부에 배치된 패턴 마스크 어셈블리(PMA1, PMA3)의 상부에서 제1 방향(X)으로 이동시키면서 제1 증착원(231)을 이용하여 패턴 마스크 어셈블리(PMA1, PMA3)를 통과하는 기판(S)측에 기화된 증착 물질을 방출한다.Next, referring to FIGS. 8 to 11 , the substrate S supported by the carrier C is introduced into the
그럼, 도 12에 도시된 바와 같이, 기판(도 8의 S) 중 기판 영역(S1, S4, S3, S6)의 정공 주입층(30) 상에서 화소 정의막(20)의 화소 개구(21) 내부에 형성된 정공 수송층(40) 상에 발광층(50)이 형성된다. 도 12에 도시된 발광층(50)은 적색 화소에 배치되는 적색 발광층일 수 있다. Then, as shown in FIG. 12 , inside the
다시, 도 8 내지 도 11을 참조하면, 캐리어(C)에 의해 지지되는 기판(S)을, 제2 증착원(232)의 상부에 배치된 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)의 상부에서 제1 방향(X)으로 이동시키면서 제2 증착원(232)을 이용하여 패턴 마스크 어셈블리(PMA2)를 통과하는 기판(S)측에 기화된 증착 물질을 방출한다.Again, referring to FIGS. 8 to 11 , the substrate S supported by the carrier C is moved from the top of the pattern mask assembly PMA2 disposed on the
그럼, 도 12에 도시된 바와 같이, 기판(도 8의 S) 중 기판 영역(S2, S5)의 정공 주입층(30) 상에서 화소 정의막(20)의 화소 개구(21) 내부에 형성된 정공 수송층(40) 상에 발광층(50)이 형성된다. 도 12에 도시된 발광층(50)은 적색 화소에 배치되는 적색 발광층일 수 있다.Then, as shown in FIG. 12 , a hole transport layer formed inside the
한편, 도시하진 않았지만 발광층(50) 형성 전에 정공 수송층(40)은 발광층(50)의 형성 방법과 동일한 방식으로 형성된다. 또한, 위에서는 발광층(50)이 적색 발광층인 것으로 설명하였으나, 녹색 화소에 배치되는 녹색 발광층 및 청색 화소에 배치되는 청색 발광층일 수 있다. 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 각각은 증착 챔버들 각각에서 형성될 수 있다. 또한, 도시하진 않았지만 발광층(50) 형성 후에 전자 수송층(60), 전자 주입층(70) 및 제2 전극(90)은 정공 주입층(30)의 형성 방법과 동일한 방식으로 형성된다.Meanwhile, although not shown, before the formation of the
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 이용하여 제조된 발광 표시 장치의 단면도이다. 13 is a cross-sectional view of a light emitting display device manufactured using a deposition apparatus according to an exemplary embodiment.
도 13을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 이용하여 제조된 발광 표시 장치는 기판(5), 제1 전극(10), 화소 정의막(20), 정공 주입층(30), 정공 수송층(40), 발광층(50), 전자 수송층(60), 전자 주입층(70) 및 제2 전극(80)을 포함한다. Referring to FIG. 13 , a light emitting display device manufactured using a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes a
기판(5)은 투명한 절연성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(5)은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 형성될 수 있다. 기판(5)은 평탄한 판상일 수 있다. 몇몇 실시예에 의하면 기판(5)은 외력에 의하여 용이하게 구부러질 수 있는 재질로 형성될 수도 있다. 기판(5)은 기판(5) 상에 배치된 타 구성들을 지지할 수 있다. 도시되진 않았지만, 기판(5)은 복수의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 복수의 박막 트랜지스터 중 적어도 일부의 드레인 전극은 제1 전극(10)과 전기적으로 연결될 수 있다.The
제1 전극(10)은 기판(5) 상에 각 화소 별로 배치될 수 있다. 제1 전극(10)은 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 인가된 신호를 받아 발광층(50)으로 정공을 제공하는 애노드 전극 또는 전자를 제공하는 캐소드 전극일 수 있다.The
제1 전극(10)은 투명 전극, 반사 전극 또는 반투과 전극으로 사용될 수 있다. 제1 전극(10)이 투명 전극으로 사용될 때는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide) 또는 In2O3로 형성될 수 있다. 제1 전극(10)이 반사 전극으로 사용될 때는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 를 형성하여 구성될 수 있다. 제1 전극(10)이 반투과 전극으로 사용될 때는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 얇은 두께로 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 를 형성하여 구성될 수 있다. 제1 전극(10)은 포토리소그래피 방법을 통해 형성될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.The
화소 정의막(20)은 제1 전극(10)을 노출하는 개구부(21)를 가지도록 기판(5) 상에 배치되며, 기판(5) 상에 각 화소를 구획한다. 화소 정의막(20)은 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(20)은 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene;BCB), 폴리이미드(polyimide;PI), 폴리아미드(polyamide;PA), 아크릴 수지 및 페놀수지 등으로부터 선택된 적어도 하나의 유기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 또 다른 예로, 화소 정의막(20)은 실리콘 질화물 등과 같은 무기 물질을 포함하여 이루어질 수도 있다. 화소 정의막(20)은 포토리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The
정공 주입층(30)은 화소 정의막(20)의 개구부(21)를 통해 노출되는 제1 전극(10) 상에 형성되되, 화소 정의막(20)을 모두 덮도록 형성될 수도 있다. 정공 주입층(30)은 제1 전극(10)과 정공 수송층(40) 사이의 에너지 장벽을 낮추는 완충층으로써 제1 전극(10)으로부터 제공되는 정공이 정공 수송층(40)으로 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다. 정공 주입층(30)은 유기 화합물, 예를 들어 MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), CuPc(copper phthalocyanine) 또는 PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene, polystyrene sulfonate)) 등으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. The
정공 수송층(40)은 정공 주입층(30) 상에 형성된다. 정공 수송층(40)은 정공 주입층(30)을 통해 제공받는 정공을 발광층(50)으로 전달하는 역할을 한다. 이러한 정공 수송층(40)은 유기 화합물, 예를 들어 TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) 또는 NPB(N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)등으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. The
발광층(50)은 정공 수송층(40) 상에 형성된다. 발광층(50)은 제1 전극(10)에서 제공되는 정공과 제2 전극(80)에서 제공되는 전자를 재결합시켜 광을 방출한다. 보다 상세히 설명하면, 발광층(50)에 정공 및 전자가 제공되면 정공 및 전자가 결합하여 엑시톤을 형성하고, 이러한 엑시톤이 여기 상태로부터 기저 상태로 변화면서 광을 방출시킨다. 이러한 발광층(50)은 적색을 방출하는 적색 발광층, 녹색을 방출하는 녹색 발광층, 및 청색을 방출하는 청색 발광층을 포함할 수 있다.The
상기 적색 발광층은 하나의 적색 발광 물질을 포함하거나, 호스트와 적색 도펀트를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 적색 발광층의 호스트의 예로는 Alq3(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium), CBP(4,4'-N,N'-dicarbazol-biphenyl), PVK(ploy(n-vinylcarbazole)), ADN(9,10-Di(naphthyl-2-yl)anthracene), TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl) anthracene), DSA(distyrylarylene) 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 상기 적색 도펀트로서, PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac)등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The red emission layer may include one red emission material or may include a host and a red dopant. Examples of the host of the red light emitting layer include Alq 3 (tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum), CBP (4,4'-N, N'-dicarbazol-biphenyl), PVK (ploy (n-vinylcarbazole)), ADN (9 ,10-Di(naphthyl-2-yl)anthracene), TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth -2-yl) anthracene), DSA (distyrylarylene), etc. may be used, but the present invention is not limited thereto. In addition, as the red dopant, PtOEP, Ir(piq) 3 , Btp 2 Ir(acac), etc. may be used, but the present invention is not limited thereto.
상기 녹색 발광층은 하나의 녹색 발광 물질을 포함하거나, 호스트와 녹색 도펀트를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 녹색 발광층의 호스트로는 상기 적색 발광층의 호스트가 사용될 수 있다. 그리고, 상기 녹색 도펀트로서, Ir(ppy)3, Ir(ppy)2(acac), Ir(mpyp)3 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The green light emitting layer may include one green light emitting material or may include a host and a green dopant. The host of the red light emitting layer may be used as the host of the green light emitting layer. In addition, as the green dopant, Ir(ppy) 3 , Ir(ppy) 2 (acac), Ir(mpyp) 3 , etc. may be used, but is not limited thereto.
상기 청색 발광층은 하나의 청색 발광 물질을 포함하거나, 호스트와 청색 도펀트를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 청색 발광층의 호스트로는 상기 적색 발광층의 호스트가 사용될 수 있다. 그리고, 상기 청색 도펀트로서, F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, ter-fluorene, DPAVBi(4,4'-bis(4-di-p- tolylaminostyryl) biphenyl), TBPe(2,5,8,11-tetra-tert-butyl perylene) 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The blue light emitting layer may include one blue light emitting material or may include a host and a blue dopant. As the host of the blue light emitting layer, the host of the red light emitting layer may be used. And, as the blue dopant, F 2 Irpic, (F 2 ppy) 2 Ir(tmd), Ir(dfppz) 3 , ter-fluorene, DPAVBi(4,4'-bis(4-di-p-tolylaminostyryl) biphenyl ), TBPe (2,5,8,11-tetra-tert-butyl perylene), etc. may be used, but the present invention is not limited thereto.
전자 수송층(60)은 발광층(50) 상에 형성되며, 제2 전극(80)에서 제공받은 전자를 발광층(50)으로 전달하는 역할을 한다. 이러한 전자 수송층(60)은 유기 화합물, 예를 들어 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)), BAlq(aluminum(III)bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)4-phenylphenolate), Alq3(Tris(8-quinolinolato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene) 등의 재료를 사용할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The
전자 주입층(70)은 전자 수송층(60) 상에 형성되며, 전자 수송층(60)과 제2 전극(80) 사이의 에너지 장벽을 낮추는 완충층으로써 제2 전극(80)로부터 제공되는 전자가 전자 수송층(60)으로 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다. 이러한 전자 주입층(70)은 예를 들어, LiF 또는 CsF 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The
제2 전극(80)은 전자 주입층(70)의 상부에 배치될 수 있다. 제2 전극(80)은 제1 전극(10)과 동일한 재질로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에 의하면, 제2 전극(80)은 발광 표시 장치에 포함된 복수의 화소들에 배치되는 공통 전극일 수 있다. 몇몇 실시예에 의하면, 제2 전극(80)은 전자 주입층(70)의 상부 및 화소 정의막(20)의 상부 전면에 배치될 수도 있다. 제1 전극(10)과 제2 전극(80) 사이에 흐르는 전류에 따라 발광층(50)의 발광이 제어될 수 있다.The
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치에 대해 설명한다.Hereinafter, a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention will be described.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치 중 제3 증착 챔버를 개략적으로 도시한 평면도이다.14 is a plan view schematically illustrating a third deposition chamber of a deposition apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention.
본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치는 도 3의 증착 장치와 비교하여 제3 증착 챔버(430)만 다를 뿐 동일하다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치에서는 제3 증착 챔버(430)에 대해서만 상세히 설명한다.The deposition apparatus according to another embodiment of the present invention is the same as the deposition apparatus of FIG. 3 except that the
도 14를 참조하면, 제3 증착 챔버(430)는 도 8의 제3 증착 챔버(230)와 유사하다. 다만, 제3 증착 챔버(430)의 내부에 배치되는 제1 증착원(431)과 제2 증착원(432)의 구동 및 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA11)와 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA12)의 구성이 상이하다.Referring to FIG. 14 , the
제1 증착원(431)은 도 6의 증착원(231)과 동일한 구성을 가진다. 즉, 제1 증착원(431)은 복수의 증착부, 예를 들어 제1 증착부(431a), 제2 증착부(431b), 제3 증착부(431c), 제4 증착부(431d), 제5 증착부(431e) 및 제6 증착부(431f)를 포함할 수 있다.The
이러한 증착원 제1 증착원(431)은 제1 방향(X)으로 이동하는 기판(S)의 기판 영역(S11~S14) 중 제2 방향(Y)을 따라 제1 기판 영역을 S11과 S13이라 하고, 제2 기판 영역을 S12와 S14라 할 때, 제1 기판 영역(S11, S13)에 선택적으로 증착 물질(DM)을 방출하도록 하며, 이를 위해 제어부(미도시)에 의해 제1 증착부(431a), 제2 증착부(431b) 및 제3 증착부(431c)가 구동될 수 있다. 즉, 제1 증착부(431a), 제2 증착부(431b) 및 제3 증착부(431c)의 구동은 제1 증착부(431a), 제2 증착부(431b) 및 제3 증착부(431c) 각각의 히터(238)가 도가니(237)를 가열시켜 증착 물질(DM)이 기화됨에 따라 수행될 수 있다.The
제2 증착원(432)은 제1 방향(X)을 따라 제1 증착원(431)과 이격되게 배치되며, 제1 증착원(331)과 동일한 구성을 가진다. 즉, 제2 증착원(432)은 복수의 증착부, 예를 들어 제1 증착부(432a), 제2 증착부(432b), 제3 증착부(432c), 제4 증착부(432d), 제5 증착부(432e) 및 제6 증착부(432f)를 포함할 수 있다. 이러한 제2 증착원(432)은 복수의 증착부(432a~432e)가 제3 증착 챔버(430)에서 기판(S)이 이동하는 방향인 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)을 따라 배열되게 배치된다.The
제2 증착원(432)은 제1 방향(X)으로 이동하는 기판(S)의 기판 영역(S11~S14) 중 제2 기판 영역(S12, S14)에 선택적으로 증착 물질(DM)을 방출하도록 하며, 이를 위해 제어부(미도시)에 의해 제4 증착부(432d) 및 제5 증착부(432e)가 구동될 수 있다. 즉, 4 증착부(432d) 및 제5 증착부(432e)의 구동은 4 증착부(432d) 및 제5 증착부(432e) 각각의 히터(238)가 도가니(237)를 가열시켜 증착 물질(DM)이 기화됨에 따라 수행될 수 있다.The
제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA11)는 도 8의 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA1)과 유사하다. 다만, 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA11)는 제1 증착원(431)의 상부에 제1 증착부(431a), 제2 증착부(431b) 및 제3 증착부(431c)와 대응되게 배치된다.The first pattern mask assembly PMA11 is similar to the first pattern mask assembly PMA1 of FIG. 8 . However, the first pattern mask assembly PMA11 is disposed on the
이러한 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA11)는 제1 증착원(431)을 통해 제1 방향(X)으로 이동하는 기판(S) 측으로 증착 물질을 방출시, 기판(S)의 제1 기판 영역(S11, S13)의 특정 부분에 패턴층, 예를 들어 발광 표시 장치에서 적색 화소에 적색 발광층이 형성되게 할 수 있다.When the first pattern mask assembly PMA11 discharges the deposition material toward the substrate S moving in the first direction X through the
제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA12)는 제2 증착원(432)의 상부에 제4 증착부(432d) 및 제5 증착부(432e)와 대응되게 배치된다. 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA12)는 제1 패턴 마스크 어셈블리(PMA11)와 동일한 패턴으로 형성될 수 있다. The second pattern mask assembly PMA12 is disposed on the
이러한 제2 패턴 마스크 어셈블리(PMA12)는 제2 증착원(432)을 통해 제1 방향(X)으로 이동하는 기판(S) 측으로 증착 물질을 방출시, 기판(S)의 제2 기판 영역(S12, S14)의 특정 부분에 패턴층, 예를 들어 발광 표시 장치에서 적색 화소에 적색 발광층이 형성되게 할 수 있다.When the deposition material is emitted toward the substrate S moving in the first direction X through the
상기와 같이 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치는 선택적으로 증착 물질(DM)을 방출하도록 독립적으로 구동되는 복수의 증착부(431a~431f)를 포함함으로써, 기판(S) 중 증착 물질(DM)을 증착시키고자 하는 기판 영역에 선택적으로 증착시킬 수 있다.As described above, the deposition apparatus according to another embodiment of the present invention includes a plurality of
따라서, 기판(S)에 정의되는 기판 영역의 모델이 달라지더라도 기판(S) 중 원하는 기판 영역에 원하는 형태의 증착 물질(DM)이 증착될 수 있다.Accordingly, even if the model of the substrate region defined on the substrate S is changed, the deposition material DM having a desired shape may be deposited on a desired substrate region of the substrate S.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. you will be able to understand Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.
100: 로딩부 200: 증착부
210: 제1 증착 챔버 230, 430: 제3 증착 챔버
231, 431: 제1 증착원 232, 432: 제2 증착원
300: 언로딩부 500: 증착 장치100: loading unit 200: deposition unit
210:
231, 431:
300: unloading unit 500: deposition apparatus
Claims (18)
상기 증착 챔버의 내부에 배치되며, 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 증착부를 포함하고, 상기 복수의 증착부 중 적어도 하나의 증착부가 선택적으로 증착 물질을 방출하도록 구동되는 제1 증착원;
상기 제1 증착원 상부에서 상기 복수의 증착부 중 적어도 하나의 증착부와 대응되게 배치되는 제1 패턴 마스크 어셈블리;
상기 증착 챔버의 내부에서 상기 제1 방향을 따라 상기 제1 증착원과 이격되게 배치되며, 상기 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 증착부를 포함하고, 상기 복수의 증착부 중 적어도 하나의 증착부가 선택적으로 증착 물질을 방출하도록 구동되는 제2 증착원; 및
상기 제2 증착원 상부에서 상기 복수의 증착부 중 상기 제2 방향에서 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리와 다른 위치에 있는 적어도 하나의 증착부와 대응되게 배치되는 제2 패턴 마스크 어셈블리를 포함하되,
상기 제1 패턴 마스크 어셈블리와 상기 제2 패턴 마스크 어셈블리는 상기 제1 방향을 따라 상기 증착 챔버의 내부에 인입되는 기판과 이격되게 배치되도록 구성되는 증착 장치.deposition chamber;
a first deposition chamber disposed inside the deposition chamber, including a plurality of deposition units arranged in a second direction intersecting the first direction, wherein at least one deposition unit among the plurality of deposition units is driven to selectively emit a deposition material 1 evaporation source;
a first pattern mask assembly disposed on the first deposition source to correspond to at least one deposition part among the plurality of deposition parts;
and a plurality of deposition units disposed to be spaced apart from the first deposition source along the first direction in the deposition chamber and arranged along the second direction, wherein at least one deposition part of the plurality of deposition parts is selective a second deposition source driven to emit deposition material into the furnace; and
a second pattern mask assembly disposed above the second deposition source to correspond to at least one deposition part positioned at a different position from the first pattern mask assembly in the second direction among the plurality of deposition parts;
and the first pattern mask assembly and the second pattern mask assembly are configured to be spaced apart from the substrate introduced into the deposition chamber along the first direction.
상기 제1 증착원의 복수의 증착부와 상기 제2 증착원의 복수의 증착부 각각은 증착 물질을 수용하는 도가니와, 상기 도가니를 감싸며 상기 도가니를 가열하는 히터와, 상기 도가니를 덮으며 적어도 하나의 노즐을 포함하는 노즐부를 포함하며,
상기 제1 증착원의 복수의 증착부와 상기 제2 증착원의 복수의 증착부 각각의 구동은 상기 제1 증착원의 복수의 증착부와 상기 제2 증착원의 복수의 증착부 각각의 히터를 선택적으로 구동시킴에 따라 수행되는 증착 장치.5. The method of claim 4,
Each of the plurality of deposition units of the first deposition source and the plurality of deposition units of the second deposition source includes a crucible accommodating a deposition material, a heater surrounding the crucible and heating the crucible, and at least one covering the crucible It includes a nozzle unit including a nozzle of
Each of the plurality of deposition units of the first deposition source and the plurality of deposition units of the second deposition source is driven by a heater of each of the plurality of deposition units of the first deposition source and the plurality of deposition units of the second deposition source A deposition apparatus performed by selectively driving.
상기 제1 패턴 마스크 어셈블리와 상기 제1 증착원 사이에서 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리와 비중첩하는 적어도 하나의 증착부와, 상기 제2 패턴 마스크 어셈블리와 상기 제2 증착원 사이에서 상기 제2 패턴 마스크 어셈블리와 비중첩하는 적어도 하나의 증착부와 대응되는 위치에 배치되는 차단판을 더 포함하는 증착 장치.5. The method of claim 4,
at least one deposition part that does not overlap the first pattern mask assembly between the first pattern mask assembly and the first deposition source, and the second pattern mask between the second pattern mask assembly and the second deposition source The deposition apparatus further comprising a blocking plate disposed at a position corresponding to the at least one deposition part that does not overlap the assembly.
상기 제1 증착원의 상기 증착 물질과 상기 제2 증착원의 상기 증착 물질이 동일한 증착 장치.5. The method of claim 4,
A deposition apparatus in which the deposition material of the first deposition source and the deposition material of the second deposition source are the same.
상기 제2 증착원은 상기 제1 증착원을 이용한 상기 증착 물질의 방출 후 상기 증착 물질을 방출하도록 구성되는 증착 장치.5. The method of claim 4,
The second deposition source is configured to discharge the deposition material after the deposition material is released using the first deposition source.
상기 증착 챔버의 내부에 배치되며, 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 증착부를 포함하고, 상기 복수의 증착부 중 적어도 하나의 증착부가 선택적으로 증착 물질을 방출하도록 구동되는 제1 증착원;
상기 제1 증착원 상부에서 상기 복수의 증착부 중 적어도 하나의 증착부와 대응되게 배치되는 제1 패턴 마스크 어셈블리;
상기 증착 챔버의 내부에서 상기 제1 방향을 따라 상기 제1 증착원과 이격되게 배치되며, 상기 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 증착부를 포함하고, 상기 복수의 증착부 중 적어도 하나의 증착부가 선택적으로 증착 물질을 방출하도록 구동되는 제2 증착원; 및
상기 제2 증착원 상부에서 상기 복수의 증착부 중 상기 제2 방향에서 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리와 다른 위치에 있는 적어도 하나의 증착부와 대응되게 배치되는 제2 패턴 마스크 어셈블리를 포함하되,
상기 제2 방향에서 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리의 길이는 상기 제1 증착원의 길이보다 짧은 증착 장치.deposition chamber;
a first deposition chamber disposed inside the deposition chamber, including a plurality of deposition units arranged in a second direction intersecting the first direction, wherein at least one deposition unit among the plurality of deposition units is driven to selectively emit a deposition material 1 evaporation source;
a first pattern mask assembly disposed on the first deposition source to correspond to at least one deposition part among the plurality of deposition parts;
and a plurality of deposition units disposed to be spaced apart from the first deposition source along the first direction in the deposition chamber and arranged along the second direction, wherein at least one deposition part of the plurality of deposition parts is selective a second deposition source driven to emit deposition material into the furnace; and
a second pattern mask assembly disposed above the second deposition source to correspond to at least one deposition part positioned at a different position from the first pattern mask assembly in the second direction among the plurality of deposition parts;
A length of the first pattern mask assembly in the second direction is shorter than a length of the first deposition source.
상기 증착 챔버의 내부에 배치되며, 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 증착부를 포함하고, 상기 복수의 증착부 중 적어도 하나의 증착부가 선택적으로 증착 물질을 방출하도록 구동되는 제1 증착원;
상기 제1 증착원 상부에서 상기 복수의 증착부 중 적어도 하나의 증착부와 대응되게 배치되는 제1 패턴 마스크 어셈블리;
상기 증착 챔버의 내부에서 상기 제1 방향을 따라 상기 제1 증착원과 이격되게 배치되며, 상기 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 증착부를 포함하고, 상기 복수의 증착부 중 적어도 하나의 증착부가 선택적으로 증착 물질을 방출하도록 구동되는 제2 증착원; 및
상기 제2 증착원 상부에서 상기 복수의 증착부 중 상기 제2 방향에서 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리와 다른 위치에 있는 적어도 하나의 증착부와 대응되게 배치되는 제2 패턴 마스크 어셈블리를 포함하되,
상기 제2 방향에서 상기 제2 패턴 마스크 어셈블리의 길이는 상기 제2 증착원의 길이보다 짧은 증착 장치.deposition chamber;
a first deposition chamber disposed inside the deposition chamber, including a plurality of deposition units arranged in a second direction intersecting the first direction, wherein at least one deposition unit among the plurality of deposition units is driven to selectively emit a deposition material 1 evaporation source;
a first pattern mask assembly disposed on the first deposition source to correspond to at least one deposition part among the plurality of deposition parts;
and a plurality of deposition units disposed to be spaced apart from the first deposition source along the first direction in the deposition chamber and arranged along the second direction, wherein at least one deposition part of the plurality of deposition parts is selective a second deposition source driven to emit deposition material into the furnace; and
a second pattern mask assembly disposed above the second deposition source to correspond to at least one deposition part positioned at a different position from the first pattern mask assembly in the second direction among the plurality of deposition parts;
A length of the second pattern mask assembly in the second direction is shorter than a length of the second deposition source.
상기 증착 챔버의 내부에서 상기 제1 방향을 따라 상기 제1 증착원과 이격되며 상기 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 증착부를 포함하는 제2 증착원의 상부에, 상기 복수의 증착부 중 상기 제2 방향에서 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리와 다른 위치에 있는 적어도 어느 하나의 증착부와 대응되게 제2 패턴 마스크 어셈블리를 배치하는 단계;
복수의 기판 영역이 정의되는 기판을 상기 제1 방향을 따라 상기 증착 챔버의 내부에 이동시키면서 상기 제1 증착원을 통해 상기 기판 측에 증착 물질을 방출하여 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리를 통과하는 기판 영역에 패턴층을 형성하는 단계; 및
상기 기판을 상기 제1 방향을 따라 이동시키면서 상기 제2 증착원을 통해 상기 기판 측에 증착 물질을 방출하여 상기 제2 패턴 마스크 어셈블리를 통과하는 기판 영역에 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.A first pattern on an upper portion of a first deposition source including a plurality of deposition parts arranged in a second direction intersecting the first direction in the deposition chamber to correspond to at least one deposition part among the plurality of deposition parts placing the mask assembly;
An upper portion of a second deposition source including a plurality of deposition parts spaced apart from the first deposition source along the first direction in the deposition chamber and arranged in the second direction, the first of the plurality of deposition parts disposing a second pattern mask assembly to correspond to at least one deposition unit positioned at a different position from the first pattern mask assembly in two directions;
A substrate region passing through the first pattern mask assembly by discharging a deposition material to the substrate side through the first deposition source while moving a substrate on which a plurality of substrate regions are defined inside the deposition chamber in the first direction forming a pattern layer on the; and
and discharging a deposition material to the substrate side through the second deposition source while moving the substrate in the first direction to form a pattern layer in a substrate region passing through the second pattern mask assembly; manufacturing method.
상기 패턴층은 발광 표시 장치의 정공 수송층 및 발광층 중 적어도 어느 하나를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.13. The method of claim 12,
wherein the pattern layer includes at least one of a hole transport layer and a light emitting layer of a light emitting display device.
상기 제1 증착원의 상기 증착 물질과 상기 제2 증착원의 상기 증착 물질이 동일한 표시 장치의 제조 방법.13. The method of claim 12,
The method of manufacturing a display device, wherein the deposition material of the first deposition source and the deposition material of the second deposition source are the same.
상기 제2 증착원을 이용한 상기 증착 물질의 방출은 상기 제1 증착원을 이용한 상기 증착 물질의 방출 후 수행되는 표시 장치의 제조 방법.13. The method of claim 12,
The method of manufacturing a display device, wherein the discharging of the deposition material using the second deposition source is performed after the deposition of the deposition material using the first deposition source.
상기 제2 방향에서 상기 제1 패턴 마스크 어셈블리의 길이는 상기 제1 증착원의 길이보다 짧은 표시 장치의 제조 방법.13. The method of claim 12,
A length of the first pattern mask assembly in the second direction is shorter than a length of the first deposition source.
상기 제2 방향에서 상기 제2 패턴 마스크 어셈블리의 길이는 상기 제2 증착원의 길이보다 짧은 표시 장치의 제조 방법.13. The method of claim 12,
A length of the second pattern mask assembly in the second direction is shorter than a length of the second deposition source.
상기 제1 패턴 마스크 어셈블리와 상기 제2 패턴 마스크 어셈블리는 상기 제1 방향을 따라 상기 증착 챔버의 내부에 인입되는 기판과 이격되게 배치되는 표시 장치의 제조 방법.13. The method of claim 12,
The first pattern mask assembly and the second pattern mask assembly are disposed to be spaced apart from the substrate introduced into the deposition chamber along the first direction.
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