KR20170005362A - 유기발광소자 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기발광소자 제조방법에 관한 것으로, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 위에 애노드를 증착하는 단계, 상기 애노드 위에 유기물 형성을 위한 패턴을 형성하는 단계, 상기 패턴 위에 유기물 및 캐소드를 증착하는 단계 및 상기 유기물 및 캐소드 위에 실록산, 실라잔 및 실란 중 적어도 하나를 포함하여 형성되는 봉지막을 증착하는 단계를 포함하는 유기발광소자 제조방법을 제공한다.

Description

유기발광소자 제조방법{Method for manufacturing of organic Light Emitting Device}
본 발명은 유기발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 실록산, 실라잔 또는 실란으로 형성되는 봉지막을 증착하여 수분과 산소가 유기발광소자에 침투하는 것을 방지하기 위한 유기발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 차세대 평판 디스플레이로 기대되고 있는 유기발광소자는 OLED(Organic Light Emitting Diode 또는 Organic Electroluminescent Display)로도 불리며, 자체 발광 특성과 함께 시야각이 넓고, 고선명, 고화질, 고속 응답성 등의 장점을 갖고 있어 소형 디스플레이어에 많이 적용되고 있다.
유기발광소자는 기판 위에 애노드(anode), 정공 주입층(hole injection layer;HIL), 정공 운송층(hole transfer layer;HTL), 발광층(emitting layer;EML), 정공 차단층(hole blocking layer;HBL), 전자 운송층(electron transport layer;ETL), 캐소드(cathode)가 순서대로 적층되어 형성된다. 애노드로는 면저항이 작고 투과성이 좋은 ITO(Indium Tin Oxide)가 주로 사용되고, 발광층으로 사용되는 유기층질은 Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, TCTA 등이 사용된다. 캐소드로는 주로 Al 금속막이 사용된다.
또한, 유기 박막은 공기 중의 수분과 산소에 매우 약하므로 소자의 수명(life time)을 증가시키기 위해 봉합하는 봉지막이 필요하다. 이 봉합하는 공정 중에 봉지막과 기판을 붙이기 위하여 프릿 글래스(frit glass) 및 여러 종류의 밀봉제(sealant) 등이 쓰이고 있다. 이러한 재료를 스핀코터, 스크린 프린터, 디스펜서를 이용하여 봉지막 위에 도포를 하고 상·하판을 붙이는 과정에 자외선(UV) 혹은 열을 가함으로서 완전한 밀폐효과를 얻어 내고 있다.
또한 유기 박막 형성 방법에는 진공증착법(Vacuum desposition Method), 스퍼터링(Sputtering)법, 이온빔 증착(Ion-beam Deposition)법, Pulsed-laser 증착법, 분자선 증착법, 화학기상증착법, 스핀코터(spin coater) 등이 있으며, 주로 진공증착법이 많이 사용되고 있다.
현재 유기발광소자 제조시 수분 및 산소 등의 외부 불순물이 소자 내부로 침투하여 발광면적의 수축을 방지하기 위해 흡습제(desiccant) 및 캔(can)을 사용하여 외부 침투를 방지하고 있다. 하지만 캔을 사용할 경우 소자의 두께가 두꺼워지고, 원가 측면에서 불리하고, 글라스(Glass)를 접착하기 위해 사용하는 밀봉제(Sealant)로부터 이물질이 발생하여 소자의 유기층에 영향을 주는 문제점이 발생한다.
한국공개특허 제2014-0081429호(2014.07.01)
따라서 본 발명의 목적은 봉지 공정을 기존의 캔 또는 글라스 대신 박막을 이용하여 제조된 봉지막을 사용하여 종래의 소자보다 얇은 두께를 가지는 유기발광소자 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 실록산, 실라잔 또는 실란으로 형성되는 봉지막을 증착함으로써 소자 외부로부터 유입되는 수분이나 산소 침투를 억제시켜 소자의 특성을 향상시키는 유기발광소자 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법은 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 위에 애노드를 증착하는 단계, 상기 애노드 위에 유기물 형성을 위한 패턴을 형성하는 단계, 상기 패턴 위에 유기물 및 캐소드를 증착하는 단계, 상기 유기물 및 캐소드 위에 실록산, 실라잔 및 실란 중 적어도 하나를 포함하여 형성되는 봉지막을 증착하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 봉지막은 실리콘산화막(Silicon oxide layer), 실리콘질화막(Silicon nitride layer), 실리콘산화질화막(Siliconoxynitride layer), 실리콘산화탄질화막(Siliconoxycarbonitride layer), 실리콘탄질화막(Siliconcarbonitride layer) 및 실리콘산화카바이드막(Siliconoxycarbide layer) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 봉지막의 소재는 헥사메틸디실록산, 옥타메틸트리실록산, 옥타메틸시클로테트라실록산, 데카메틸시클로트리실록산 및 도데카메틸시클로헥사실록산 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 봉지막의 소재는 클로로시란, 알콜시시란, 알킬, 아릴시란, 디메텔디클로로실란, 메틸트리메톡시실란, 디페닐실렌디올, 테트라메틸시란, 아미노, 니트릴, 옥사라닐, 옥시모, 아세톡시, 비스터셔리부틸아미노실란, 비스디메틸아미노실란, 비스디에틸아미노실란, 디메틸아미노실란, 디에틸아미노실란, 디프로필아미노실란, 부틸아미노실란, 비스에틸메틸아미노실란 및 디이소프로필아미노실란 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 봉지막의 소재는 디이소프로필아미노실란(DIPAS)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 봉지막의 소재는 헥사메틸디실라잔(HMDS), 헥사메틸디실록산(HMDSO) 및 비스에틸메틸아미노실란(BEMAS) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 봉지막은 원자층 증착(Atomic layer deposition) 공정으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 원자층 증착 공정으로 사용되는 반응 소스로는 아르곤 플라즈마, 산소 플라즈마, 질소 플라즈마, 오존 플라즈마, 산화질소 플라즈마 및 수소 플라즈마 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 원자층 증착은 20~200℃에서 진행되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 원자층 증착은 50~100℃에서 진행되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 기판은 사파이어 또는 유리인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴피프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리아세텔(POM), 폴리아미드(PA), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리슐폰(PSF), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리페닐렌술포이드(PPS), 폴리에스테르(PEN) 및 폴리이미드(PI) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 애노드는 은나노와이어, 금속나노와이어, 투명 전도성 산화물(TCO), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀, 전도성 고분자, 메탈메쉬 및 인듐 주석 산화물(ITO) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법은 실록산, 실라잔 및 실란 중 적어도 하나를 포함하여 형성되는 박막 형태의 봉지막을 사용하여, 제조되는 유기발광소자의 두께를 최소화하면서, 외부로부터 수분과 산소의 침투를 억제하여 소자의 특성을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법은 유기물을 봉지막의 소재로 사용하여 플렉시블 기판에 증착시킴으로써 봉지막의 파손을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 따른 흐름도이다.
도 2 내지 도 4는 도 1의 제조방법에 따른 각 단계를 나타내는 도면들이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광소자를 나타내는 단면도이다.
하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흩트리지 않는 범위에서 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.
이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명에 따른 유기발광소자(100) 제조방법에 따른 흐름도이다.
도 2 내지 도 4는 도 1의 제조방법에 따른 각 단계를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 유기발광소자(100)의 제조방법은 기판(10)을 준비하는 단계(S110), 기판(10) 위에 애노드(20)를 증착하는 단계(S120), 애노드 위에 유기물 형성을 위한 패턴을 형성하는 단계(S130), 패턴 위에 유기물 및 캐소드(30)를 증착하는 단계(S140) 및 유기물 및 캐소드(30) 위에 실록산, 실라잔 또는 실란으로 형성되는 봉지막(40)을 증착하는 단계(S150)를 포함한다.
먼저, 기판(10)을 준비(S110)한다. 기판(10)은 유리 또는 사파이어를 사용할 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 투명재질의 소재라면 어떠한 것도 사용이 가능하다.
또한 기판(10)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴피프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리아세텔(POM), 폴리아미드(PA), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리슐폰(PSF), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리페닐렌술포이드(PPS), 폴리에스테르(PEN) 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이러한 기판(10)은 유연성(flexibility)을 갖는 재질을 사용할 수 있다.
다음으로 도 2를 참조하면, 기판(10) 위에 애노드(20)를 증착(S120)한다.
애노드(20)는 발광에 필요한 정공을 생성한다.
애노드(20)는 은나노와이어, 금속나노와이어, 투명 전도성 산화물(TCO), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀, 전도성 고분자, 메탈메쉬 또는 인듐 주석 산화물(ITO)로 형성될 수 있다.
투명 전도성 산화물(TCO)으로 ZnO(Zinc Oxide), SnO2(Tin Dioxide), TiO2(Titanium Dioxide), GZO(Ga-doped ZnO), AZO(Al-doped ZnO), 산화물-금속-산화물 구조의 다층박막 등을 사용할 수 있고, 인듐 주석 산화물(ITO)을 사용하는 것이 바람직하다.
탄소나노튜브(CNT)으로 Single Wall Carbon Nanotubes(SWCNT), Double Wall Carbon Nanotubes(DWCNT) 또는 Muti Wall Carbon Nanotubes(MWCNT)등을 사용할 수 있다.
전도성 고분자로는 PEDOT(Poly 3,4-ethylene-dioxythiophene) : PSS(Polystyrene Sulfonate), DMSO(Dimethyl Sulfoxide), NMP(N-methylpyrrolidone), EG(Ethylene Glycol), MeOH(Methanol), ETOH(Ethanol), IPA(Isoproply Alcohol) 등을 사용할 수 있다.
다음으로, 애노드(20) 위에 유기물 형성을 위한 패턴을 형성(S130)한다. 패턴은 발광층에서 발생하거나 반사된 빛이 발광할 수 있도록 한다.
다음으로 도 3을 참조하면, 패턴 위에 유기물 및 캐소드(30)를 형성한다. 여기서 도 3은 애노드(20) 위에 유기물 및 캐소드(30)를 형성한 단면도이다.
유기물 및 캐소드(30)는 정공 주입층(hole injection layer;HIL, 30a), 정공 운송층(hole transfer layer;HTL, 30b), 발광층(emitting layer;EML, 30c), 정공 차단층(hole blocking layer;HBL, 30d), 전자 운송층(electron transport layer;ETL, 30e), 전자 주입층(electron injection layer;EIL, 30f), 캐소드(cathode, 30g)를 포함한다.
정공 주입층(30a)은 애노드(20)에서 생성된 정공을 발광층(30c)으로 주입한다. 정공 주입층(30a)은 애노드(20)와 에너지 차이가 작으며 우수한 접착력과 전도율을 가지기 위해 친수성 및 평면성을 가진 소재를 사용한다. 정공 주입층(30a)의 소재로는 CuPc, PEDOT 또는 PSS 등이 사용될 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 운송층(30b)은 정공 주입층(30a) 위에 형성된다.
정공 운송층(30b)은 정공이 이동하기 쉽고, 전자가 주입되지 않도록 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)에너지가 낮은 소재를 사용한다. 정공 운송층(30b)의 소재로는 arylamine, TPD 등이 사용될 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.
발광층(30c)는 정공 운송층(30b) 위에 형성된다.
발광층(30c)은 전자와 정공이 결합되어 만들어진 엑시톤(exciton)이 여기상태에서 기저상태로 떨어지면서 에너지를 방출하고 방광이 이루어진다. 전자와 정공이 발광층(30c)으로 주입될 때 전자는 전도대(Conduction band)로, 정공은 전자대(Balance band)로 주입되며, 주입된 전자와 정공이 발광층(30c) 내에서 전자-격자 상호작용(Electron-latticed interaction)으로 각각 음성 및 양성 폴라론(Polaron)을 생성한다. 생성된 플라론이 발광체 내의 어느 한 부분에서 만나 재결합하여 일증항 플라론 여기자(Singlet polaron excition)를 형성하게 된다. 여기자가 발광소멸하게 되면 폴라론과 엑시톤의 에너지 갭에 해당하는 빛이 생성된다. 발광층(30c)의 소재로는 Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, TCTA 등이 사용될 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 운송층(30d)는 발광층(30c) 위에 형성된다.
전자 운송층(30d)은 전자를 발광층(30c)으로 운송한다. 전자 운송층(30d)은 불안정한 음이온 라디칼(radical anion)을 안정화 시켜준다. 전자 운송층(30d)의 소재로는 Alq3 또는 벤즈아졸 등을 사용하지만 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 주입층(30e)은 전자 운송층(30d) 위에 형성된다.
전자 주입층(30e)은 전자를 발광층(30c)으로 주입한다. 전자 주입층(30e)의 소재로는 Li 등의 알칼리 금속이나 그 착제, Ba, Ca 등을 사용하지만 이에 한정되는 것은 아니다.
캐소드(30f)는 전자 주입층(30e) 위에 형성된다.
캐소드(30f)는 전자를 생성하고, 생성된 전자는 전자 주입층(30e)을 통해 발광층(30c)으로 이동한다. 캐소드의 소재로는 주로 금속재질을 사용하고 바람직하게는 알루미늄을 사용한다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고 도 4를 참조하면 봉지막(40)을 유기물 및 캐소드(30) 위에 증착(S150)한다. 여기서 도 4는 유기물 및 캐소드(30) 위에 봉지막(40)을 증착한 단면도이다.
봉지막(40)은 산소와 수분에 쉽게 산화되는 유기발광소자(100)의 유기물 및 캐소드(30)를 외부로부터의 산소나 수분의 침투를 차단시킨다.
봉지막(40)은 실리콘산화막(Silicon oxide layer), 실리콘질화막(Silicon nitride layer), 실리콘산화질화막(Siliconoxynitride layer), 실리콘산화탄질화막(Siliconoxycarbonitride layer), 실리콘탄질화막(Siliconcarbonitride layer) 및 실리콘산화카바이드막(Siliconoxycarbide layer) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
예컨데 봉지막(40)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 실리콘옥시카르보나이트라이드 및 실리콘카보나이트라이드 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
봉지막(40)은 실록산, 실라잔 또는 실란으로 유기물 및 캐소드(30) 위에 증착할 수 있다.
봉지막(40)의 소재로는 헥사메틸디실록산, 옥타메틸트리실록산, 옥타메틸시클로테트라실록산, 데카메틸시클로트리실록산 또는 도데카메틸시클로헥사실록산 등을 사용할 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다.
봉지막(40)의 소재로는 클로로시란, 알콜시시란, 알킬, 아릴시란, 디메텔디클로로실란, 메틸트리메톡시실란, 디페닐실렌디올, 테트라메틸시란, 아미노, 니트릴, 옥사라닐, 옥시모, 아세톡시, 비스터셔리부틸아미노실란, 비스디메틸아미노실란, 비스디에틸아미노실란, 디메틸아미노실란, 디에틸아미노실란, 디프로필아미노실란, 부틸아미노실란, 비스에틸메틸아미노실란 또는 디이소프로필아미노실란 등을 사용할 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게는 디이소프로필아미노실란(DIPAS)를 사용할 수 있다. 또한 봉지막(40)의 소재로 헥사메틸디실라잔(HMDS), 헥사메틸디실록산(HMDSO) 또는 비스에틸메틸아미노실란(BEMAS)를 사용할 수 있다.
봉지막(40)은 원자층 증착(Atomic layer deposition) 공정으로 형성할 수 있다. 원자층 증착은 20~200℃에서 진행될 수 있으며, 바람직하게는 50~100℃가 적합하다.
원자층 증착 공정에 사용되는 반응 소스로는 아르곤, 산소, 질소, 암모니아, 물(H2O) 또는 산소를 포함하는 가스일 수 있다. 또한 원자층 증착 공정에 사용되는 반응 소스로 아르곤 플라즈마, 산소 플라즈마, 질소 플라즈마, 오존 플라즈마, 산화질소 플라즈마, 또는 수소 플라즈마를 포함할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광소자(110)를 나타내는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광소자(110) 제조 방법으로는, 본 발명의 실시예와 동일한 조건으로 구성되되, 기판(10)으로 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴피프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리아세텔(POM), 폴리아미드(PA), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리슐폰(PSF), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리페닐렌술포이드(PPS), 폴리에스테르(PEN) 또는 폴리이미드(PI)를 포함하는 유연성(flexibility)을 갖는 소재를 사용한다. 그리고 기판(10)위에 차단층(50)을 증착한다. 차단층(50)은 봉지막(40)과 동일한 소재와 동일한 방법으로 증착한다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.
10 : 기판 20 : 애노드
30 : 유기물 및 캐소드 30a : 정공 주입층
30b : 정공 운송층 30c : 발광층
30d : 전자 운송층 30e : 전자 주입층
30f : 캐소드 40 : 봉지막
50 : 차단층 100, 110 : 유기발광소자

Claims (13)

  1. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 위에 애노드를 증착하는 단계;
    상기 애노드 위에 유기물 형성을 위한 패턴을 형성하는 단계;
    상기 패턴 위에 유기물 및 캐소드를 증착하는 단계;
    상기 유기물 및 캐소드 위에 실록산, 실라잔 및 실란 중 적어도 하나를 포함하여 형성되는 봉지막을 증착하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 봉지막은 실리콘산화막(Silicon oxide layer), 실리콘질화막(Silicon nitride layer), 실리콘산화질화막(Siliconoxynitride layer), 실리콘산화탄질화막(Siliconoxycarbonitride layer), 실리콘탄질화막(Siliconcarbonitride layer) 및 실리콘산화카바이드막(Siliconoxycarbide layer) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 봉지막의 소재는 헥사메틸디실록산, 옥타메틸트리실록산, 옥타메틸시클로테트라실록산, 데카메틸시클로트리실록산 및 도데카메틸시클로헥사실록산 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 봉지막의 소재는 클로로시란, 알콜시시란, 알킬, 아릴시란, 디메텔디클로로실란, 메틸트리메톡시실란, 디페닐실렌디올, 테트라메틸시란, 아미노, 니트릴, 옥사라닐, 옥시모, 아세톡시, 비스터셔리부틸아미노실란, 비스디메틸아미노실란, 비스디에틸아미노실란, 디메틸아미노실란, 디에틸아미노실란, 디프로필아미노실란, 부틸아미노실란, 비스에틸메틸아미노실란 및 디이소프로필아미노실란 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 봉지막의 소재는 디이소프로필아미노실란(DIPAS)을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 봉지막의 소재는 헥사메틸디실라잔(HMDS), 헥사메틸디실록산(HMDSO) 및 비스에틸메틸아미노실란(BEMAS) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법
  7. 제1항에 있어서,
    상기 봉지막은 원자층 증착(Atomic layer deposition) 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 원자층 증착 공정으로 사용되는 반응 소스로는 아르곤 플라즈마, 산소 플라즈마, 질소 플라즈마, 오존 플라즈마, 산화질소 플라즈마 및 수소 플라즈마 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 원자층 증착은 20~200℃에서 진행되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 원자층 증착은 50~100℃에서 진행되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 사파이어 또는 유리인 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴피프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리아세텔(POM), 폴리아미드(PA), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리슐폰(PSF), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리페닐렌술포이드(PPS), 폴리에스테르(PEN) 및 폴리이미드(PI) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 애노드는 은나노와이어, 금속나노와이어, 투명 전도성 산화물(TCO), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀, 전도성 고분자, 메탈메쉬 및 인듐 주석 산화물(ITO) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.
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