KR20160148833A

KR20160148833A - Deposition apparatus

Info

Publication number: KR20160148833A
Application number: KR1020150085455A
Authority: KR
Inventors: 나흥열; 이명기
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2015-06-16
Filing date: 2015-06-16
Publication date: 2016-12-27
Also published as: KR102369314B1; CN106256924A; CN106256924B

Abstract

According to an embodiment of the present invention, a deposition apparatus includes: a chamber receiving a substrate therein and including, on the substrate, a deposition area where a deposition process is performed and a waiting area provided on at least one side of the deposition area; a deposition source provided inside the chamber and emitting a deposition material; two or more sheets of angle control boards disposed to be adjacent to the deposition source and controlling the emission direction of the deposition material; and a collector covering the upper portion of the deposition source and collecting extra deposition material which is not deposited on the substrate. The collector is provided in the waiting area.

Description

[0001] DEPOSITION APPARATUS [0002]

본 발명은 증착 장치에 관한 것으로, 상세하게는 표시 장치의 제조에 사용되는 증착 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a deposition apparatus, and more particularly, to a deposition apparatus used for manufacturing a display apparatus.

유기 전계발광 표시장치는 자발광형 표시장치로서, 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답 속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어서 차세대 표시장치로서 주목 받고 있다.BACKGROUND ART An organic electroluminescent display device is a self-luminous display device having a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response speed, and has been attracting attention as a next generation display device.

유기 전계발광 표시장치에 구비되는 유기 전계발광 소자는 서로 대향된 두 전극 및 상기 전극들 사이에 형성된 중간층으로 구성되며, 상기 중간층에는 다양한 층들이 구비될 수 있는데, 이는 예컨대 홀 주입층, 홀 수송층, 발광층, 전자 수송층 또는 전자 주입층 등을 들 수 있다.The organic electroluminescent device of the organic electroluminescent display device includes two electrodes facing each other and an intermediate layer formed between the electrodes. The intermediate layer may include various layers, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, A light emitting layer, an electron transporting layer, or an electron injecting layer.

상기와 같은 구성을 갖는 유기 전계발광 소자를 제조함에 있어서, 기판 상에 형성되는 상기 홀 주입층, 홀 수송층, 발광층, 전자 수송층 또는 전자 주입층 등의 박막들 또는 전극들은 증착 장치를 이용한 증착(deposition)의 방법에 의해 형성될 수 있다.In manufacturing the organic electroluminescent device having the above-described structure, the thin films or electrodes formed on the substrate, such as the hole injection layer, the hole transporting layer, the light emitting layer, the electron transporting layer, or the electron injecting layer, ). &Lt; / RTI >

본 발명은 증착 재료의 손실이 최소화된 증착 장치를 제공하는 데 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a deposition apparatus in which the loss of the evaporation material is minimized.

본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치는, 그 내부에 기판이 제공되며, 상기 기판 상에 증착 공정이 수행되는 증착 영역과 상기 증착 영역의 적어도 일측에 제공된 대기 영역을 포함하는 챔버, 상기 챔버 내부에 제공되며 증착 재료를 방출하는 증착원, 상기 증착원에 인접하게 배치되며 상기 증착 재료의 방출 방향 각도를 제한하는 2매 이상의 각도 제한판들, 및 상기 증착원의 상부를 커버하며 상기 기판에 증착되지 않은 여분의 증착 재료를 포집하는 포집기를 포함한다. 상기 포집기는 상기 대기 영역에 제공된다.A deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber provided with a substrate therein and including a deposition region on which a deposition process is performed and an atmosphere region provided on at least one side of the deposition region, And at least two angle restricting plates disposed adjacent to the evaporation source and restricting an angle in a direction of emission of the evaporation material and covering the top of the evaporation source, And a collector for collecting the excess evaporation material that is not removed. The collector is provided in the waiting area.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 포집기는 상기 증착원과 마주하는 커버부, 및 상기 커버부로부터 상기 증착원 방향으로 연장된 측벽들을 포함할 수 있다. 상기 측벽들은 상기 각도 제한판들에 대응하여 배치될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the collector may include a cover portion facing the evaporation source, and side walls extending in the evaporation source direction from the cover portion. The sidewalls may be disposed corresponding to the angle limiting plates.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 증착원은 복수 개로 구비되어 서로 나란하게 배열될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the evaporation sources may be provided in plural and arranged in parallel with each other.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 각도 제한판들은 서로 인접한 상기 증착원들 사이 및 상기 증착원들의 연장 방향의 양 단부에 제공될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the angle restricting plates may be provided between the vapor sources adjacent to each other and at both ends in the extending direction of the vapor sources.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 각도 제한판들의 높이는 모두 동일하거나, 상기 각도 제한판들 중 적어도 하나는 나머지와 서로 다른 높이를 가질 수 있다. 상기 측벽들은 상기 각도 제한판들에 일대일로 대응하며, 각 측벽은 대응하는 각 각도 제한판의 상부에 제공될 수 있다. 이 경우, 서로 대응하는 상기 각도 제한판과 각 측벽의 합들은 동일할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the height of the angle limiting plates is all the same, or at least one of the angle limiting plates may have a height different from the rest. The side walls correspond one-to-one with the angle limiting plates, and each side wall may be provided on an upper portion of each corresponding angle limiting plate. In this case, the sums of the angle limiting plates and the respective side walls corresponding to each other may be the same.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 증착 장치는 상기 포집기를 수직 이동시키는 이동 수단을 더 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the deposition apparatus may further include moving means for vertically moving the collector.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 포집기는 복수 개로 제공될 수 있다. In an embodiment of the present invention, the collector may be provided in a plurality of.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 대기 영역은 상기 증착 영역을 사이에 두고 배치된 제1 대기 영역과 제2 대기 영역을 포함하며, 상기 증착원은 상기 제1 대기 영역으로부터 상기 증착 영역을 거쳐 상기 제2 대기 영역으로 이동 가능하다. 상기 포집기는 상기 제1 대기 영역에 제공된 제1 포집기와, 상기 제2 대기 영역에 제공된 제2 포집기를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the atmospheric region includes a first atmospheric region and a second atmospheric region disposed with the deposition region interposed therebetween, and the evaporation source is arranged to pass from the first atmospheric region to the deposition region And is movable to the second waiting area. The trapper may include a first trapper provided in the first waiting area and a second trapper provided in the second waiting area.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 챔버는 서로 인접하게 배치된 제1 챔버와 제2 챔버를 포함하며, 상기 제1 챔버는 순차적으로 인접하게 배치된 제1 대기 영역, 제1 증착 영역, 및 제2 대기 영역을 포함하며, 상기 제2 챔버는 순차적으로 인접하게 배치된 상기 제1 대기 영역, 제2 증착 영역, 및 제2 대기 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 챔버 및 상기 제2 챔버는 상기 제1 챔버의 제2 대기 영역과, 상기 제2 챔버의 대기 영역 사이에 제공된 스윙 영역을 더 포함하며, 상기 제1 챔버 및 상기 제2 챔버는 상기 스윙 영역을 공유할 수 있다. 이때, 증착 장치는 상기 포집기는 상기 스윙 영역에 제공된 제3 포집기를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the chamber includes a first chamber and a second chamber disposed adjacent to each other, wherein the first chamber includes a first waiting region, a first deposition region, and a second waiting region, And the second chamber may include the first waiting area, the second deposition area, and the second waiting area sequentially disposed adjacent to each other. Wherein the first chamber and the second chamber further include a swing region provided between a second atmospheric region of the first chamber and an atmospheric region of the second chamber, Area can be shared. At this time, the deposition apparatus may further include a third collector provided in the swing region.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 증착 장치는 상기 포집기에 부착되어 상기 포집기를 냉각시키는 냉각기를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the deposition apparatus may further include a cooler attached to the trapper to cool the trapper.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 증착 장치는 그 상면이 메쉬 형상일 수 있다.In an embodiment of the present invention, the upper surface of the deposition apparatus may have a mesh shape.

본 발명의 일 실시예에 따르면 증착 재료의 손실이 대폭 감소한 증착 장치를 제공한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a deposition apparatus in which loss of deposition material is greatly reduced.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 증착 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 증착 장치의 구성을 증착원의 이동 경로에 따라 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 증착 장치의 구성 요소 중 증착원과 각도 제한판들 및 제1 포집기를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치가 증착부로서 구비된 증착 시스템의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a configuration of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention in accordance with the movement path of an evaporation source.
FIG. 3 is a perspective view schematically showing an evaporation source, angle limiting plates, and a first collector of constituent elements of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a plan view schematically showing a part of a deposition system having a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention as a deposition unit.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown enlarged from the actual for the sake of clarity of the present invention. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 증착 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 평면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 증착 장치의 구성을 증착원의 이동 경로에 따라 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 증착 장치의 구성 요소 중 증착원과 각도 제한판들 및 제1 포집기를 개략적으로 도시한 사시도이다.1 is a plan view schematically showing a configuration of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention in accordance with the movement path of an evaporation source. FIG. 3 is a perspective view schematically showing an evaporation source, angle limiting plates, and a first collector of constituent elements of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치는, 그 내부에 기판(SUB)이 제공되는 챔버(CHM), 상기 챔버(CHM) 내부에 제공된 증착원(SC), 상기 증착원(SC)에 인접하게 배치된 각도 제한판들(AC1, AC2, AC3), 및 상기 증착원(SC)의 상부에 제공된 포집기(CLT)를 포함한다.1 to 3, a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber CHM in which a substrate SUB is provided, an evaporation source SC provided in the chamber CHM, An angle limiting plates AC1, AC2 and AC3 arranged adjacent to the evaporation source SC and a collector CLT provided on the evaporation source SC.

상기 증착 장치는 기판 상에 박막을 증착을 이용하여 형성하기 위한 장치이다. The deposition apparatus is an apparatus for forming a thin film on a substrate by using deposition.

상기 기판은 판상으로 제공된다. 상기 기판은 그 상면에 어떤 소자가 형성되느냐에 따라 다양한 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 기판은 그 상면에 표시 소자가 제공되는 경우 유리, 석영, 플라스틱 등의 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 또는, 상기 기판은 그 상면에 메모리 소자가 제공되는 경우 실리콘으로 이루어진 웨이퍼일 수 있다. The substrate is provided in a plate form. The substrate may be made of various materials depending on which device is formed on the upper surface thereof. For example, the substrate may be made of an insulating material such as glass, quartz, or plastic when the display device is provided on the upper surface thereof. Alternatively, the substrate may be a wafer of silicon if a memory element is provided on its top surface.

상기 챔버(CHM)는 상기 기판 상에 성막 공정이 수행되는 공간이다.The chamber (CHM) is a space in which a film forming process is performed on the substrate.

상기 챔버(CHM)는 단일 개수로 제공될 수 있으나, 도 1에 도시된 바와 같이 복수 개로 제공될 수 있다. 각 챔버(CHM)에는 상기 기판이 제공되어 상기 기판 상에 성막 공정이 수행될 수 있다. The chambers CHM may be provided in a single number, but may be provided in plural as shown in FIG. Each of the chambers CHM may be provided with the substrate, and the deposition process may be performed on the substrate.

도 2는 일 예로서, 상기 챔버(CHM)가 서로 인접한 제1 챔버(CHM1)와 제2 챔버(CHM2)를 포함하고, 상기 제1 챔버(CHM1)에는 제1 기판(SUB1)이, 상기 제2 챔버(CHM2)에는 제2 기판(SUB2)이 제공된 것을 도시하였다. 이하, 본 발명의 일 실시예에서는 증착 장치가 서로 인접한 두 개의 챔버(CHM1, CHM2)를 갖는 일 예로서 설명한다.FIG. 2 illustrates an example in which the chamber CHM includes a first chamber CHM1 and a second chamber CHM2 adjacent to each other, a first substrate SUB1 is disposed in the first chamber CHM1, And the second substrate CHM2 is provided with the second substrate SUB2. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described as an example in which the deposition apparatus has two chambers CHM1 and CHM2 adjacent to each other.

상기 제1 챔버(CHM1) 및 제2 챔버(CHM2) 각각은 상기 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2) 상에 성막 공정이 수행되는 공간이다. 상기 제1 챔버(CHM1) 및 제2 챔버(CHM2) 각각에는 진공 펌프(미도시)가 연결될 수 있으며, 상기 진공 펌프를 이용하여 상기 제1 챔버(CHM1) 및 제2 챔버(CHM2) 각각의 내부를 진공으로 유지할 수 있다.Each of the first chamber CHM1 and the second chamber CHM2 is a space in which the film formation process is performed on the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2. A vacuum pump (not shown) may be connected to each of the first and second chambers CHM1 and CHM2. The vacuum pump may be connected to the inside of the first chamber CHM1 and the second chamber CHM2, Can be kept in a vacuum.

상기 제1 및 제2 챔버(CHM1, CHM2) 각각에는 상기 기판 상에 증착 공정이 실질적으로 수행되는 증착 영역과, 상기 증착 영역의 적어도 일측에 제공된 대기 영역을 포함한다. 예를 들어, 상기 제1 챔버(CHM1)는 상기 제1 기판(SUB)이 제공되며 상기 제1 기판(SUB)에 대한 증착 공정이 수행되는 제1 증착 영역(DPA1)과, 상기 제1 증착 영역(DPA1)의 일 측에 제공된 제1 대기 영역(WTA1), 상기 제1 증착 영역(DPA1)의 타 측에 제공된 제2 대기 영역(WTA2)을 포함한다. 상기 제2 챔버(CHM2)는 상기 제2 기판(SUB2)이 제공되며 상기 제2 기판(SUB2)에 대한 증착 공정이 수행되는 제2 증착 영역(DPA2)과, 상기 제2 증착 영역(DPA2)의 일 측에 제공된 제1 대기 영역(WTA1'), 상기 제2 증착 영역(DPA2)의 타 측에 제공된 제2 대기 영역(WTA2')을 포함한다. Each of the first and second chambers CHM1 and CHM2 includes a deposition region in which a deposition process is substantially performed on the substrate and an atmospheric region provided in at least one side of the deposition region. For example, the first chamber CHM1 may include a first deposition region DPA1 provided with the first substrate SUB and performing a deposition process on the first substrate SUB, A first waiting area WTA1 provided on one side of the first deposition area DPA1 and a second waiting area WTA2 provided on the other side of the first deposition area DPA1. The second chamber CHM2 includes a second deposition area DPA2 on which the second substrate SUB2 is provided and on which the deposition process is performed on the second substrate SUB2, A first waiting area WTA1 'provided on one side, and a second waiting area WTA2' provided on the other side of the second deposition area DPA2.

상기 제1 챔버(CHM1) 및 상기 제2 챔버(CHM2)는 상기 제1 챔버(CHM1)의 제2 대기 영역(WTA2)과, 상기 제2 챔버(CHM2)의 제2 대기 영역(WTA2) 사이에 제공된 스윙 영역(SWZ)을 더 포함한다. 상기 제1 챔버(CHM1) 및 상기 제2 챔버(CHM2)는 상기 스윙 영역(SWZ)을 공유한다.The first chamber CHM1 and the second chamber CHM2 are disposed between the second waiting area WTA2 of the first chamber CHM1 and the second waiting area WTA2 of the second chamber CHM2 And further includes a swing area SWZ provided. The first chamber CHM1 and the second chamber CHM2 share the swing region SWZ.

상기 증착원(SC)은 상기 기판 상에 증착 재료를 제공한다. 상기 증착원(SC)은 그 내부에 상기 증착 재료가 수납된 몸체(BD)와, 상기 기판과 대향하는 상기 몸체(BD) 상에 배치되어 상기 기판 방향으로 증착 재료를 방출하는 적어도 하나의 노즐을 포함한다. The evaporation source (SC) provides an evaporation material on the substrate. The deposition source SC includes a body BD containing the evaporation material therein and at least one nozzle disposed on the body BD opposed to the substrate to discharge the evaporation material toward the substrate .

상기 몸체(BD)는 증착 재료를 수납할 수 있는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 세라믹 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(BD)의 외부에는 상기 증착 재료를 가열하여 기화 또는 승화시키기 위한 히터(미도시)가 구비될 수도 있다.The body BD is not particularly limited as long as it can accommodate an evaporation material, and may be formed of, for example, a ceramic material. A heater (not shown) for heating or vaporizing or sublimating the evaporation material may be provided outside the body BD.

상기 노즐은 상기 몸체(BD)의 내부의 증착 재료들을 상기 기판(SUB) 방향으로 분사한다. 상기 노즐은 상기 몸체(BD) 상에 복수 개 제공될 수 있으며, 다양한 형상과 배열을 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 일 방향으로 선형 배열된 것이 개시되었다.The nozzle injects the evaporation materials in the body (BD) toward the substrate (SUB). The plurality of nozzles may be provided on the body (BD), and may have various shapes and arrangements. In one embodiment of the present invention, linear alignment in one direction has been disclosed.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 증착원(SC)은 하나만 제공될 수 있으나, 복수 개로 제공될 수 있다. 상기 기판에 박막을 증착할 때 여러 종의 증착 재료를 사용하는 경우, 상기 증착원(SC)은 2개 이상 제공될 수 있다. 상기 복수의 증착원들(SC)은 나란히 배치될 수 있다. 도 3에서는 두 개의 증착원(SC)이 나란히 제공된 것을 도시하였으며, 각각의 증착원(SC)에는 제1 노즐(NZ1)과 제2 노즐(NZ2)이 제공되었다.In one embodiment of the present invention, only one evaporation source SC may be provided, but a plurality of evaporation sources SC may be provided. When a plurality of kinds of evaporation materials are used in depositing a thin film on the substrate, the evaporation source SC may be provided in two or more. The plurality of evaporation sources SC may be arranged side by side. In FIG. 3, two evaporation sources SC are provided side by side, and each of the evaporation sources SC is provided with a first nozzle NZ1 and a second nozzle NZ2.

상기 증착원(SC)에는 상기 증착원(SC)을 상기 챔버(CHM) 내에서, 그리고 두 인접한 챔버들(CHM1, CHM2) 사이에서 이동시킬 수 있는 이동 수단(MM)이 제공된다.The deposition source SC is provided with a moving means MM capable of moving the deposition source SC in the chamber CHM and between the two adjacent chambers CHM1 and CHM2.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 증착원(SC)은 상기 제1 챔버(CHM1) 내에서 상기 제1 증착 영역(DPA1)을 거쳐 상기 제1 대기 영역(WTA1)과 상기 제2 대기 영역(WTA2) 사이를 이동할 수 있다. 상기 제1 대기 영역(WTA1), 상기 제1 증착 영역(DPA1), 및 상기 제2 대기 영역(WTA2)을 잇는 경로를 제1 경로(PTH1)라고 하면, 상기 증착원(SC)은 상기 제1 경로(PTH1)를 따라 이동할 수 있다. 상기 증착원(SC)은 상기 상기 제1 기판(SUB1) 상에 성막 공정이 수행되지 않을 때, 상기 제1 대기 영역(WTA1) 또는 상기 제2 대기 영역(WTA1)에 위치한다. 상기 증착원(SC)은 상기 제1 기판(SUB1) 상에 성막 공정이 수행될 때, 상기 제1 증착 영역(DPA1) 내에서 상기 제1 경로(PTH)를 따라 상기 제1 기판(SUB1)의 양단에 대응하는 위치를 복수 회 왕복함으로써 상기 제1 기판(SUB1)에 증착 물질을 제공할 수 있다. 여기서, 상기 증착원(SC)은 상기 제1 기판(SUB1)에 증착되는 박막의 단일성(uniformity)를 위해 상기 제1 기판(SUB1)의 단부를 완전히 벗어난 후에 다시 반대 방향으로 진행하는 방식으로 왕복 이동할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the deposition source SC is disposed in the first chamber CHM1 via the first deposition area DPA1 and between the first waiting area WTA1 and the second waiting area < RTI ID = 0.0 > WTA2). If the path connecting the first waiting area WTA1, the first deposition area DPA1 and the second waiting area WTA2 is referred to as a first path PTH1, It can move along the path PTH1. The deposition source SC is located in the first waiting area WTA1 or the second waiting area WTA1 when the film formation process is not performed on the first substrate SUB1. The deposition source SC may be disposed on the first substrate SUB1 along the first path PTH in the first deposition area DPA1 when the deposition process is performed on the first substrate SUB1. The deposition material may be provided to the first substrate SUB1 by reciprocating a plurality of positions corresponding to both ends. Here, the deposition source SC is moved backward in the opposite direction after the end of the first substrate SUB1 is completely deviated for uniformity of the thin film deposited on the first substrate SUB1 .

상기 증착원(SC)은 상기 제1 챔버(CHM1)에서의 증착 공정 이후 상기 제2 챔버(CHM2)로 이동할 수 있다. 상기 증착원(SC)은 상기 제1 챔버(CHM1)의 제2 대기 영역(WTA2)으로부터 스윙 영역(SWZ)을 지나 상기 제2 챔버(CHM2)의 제2 대기 영역(WTA2')으로 이동할 수 있다. 상기 제1 챔버(CHM1)의 제2 대기 영역(WTA2), 상기 스윙 영역(SWZ), 및 상기 제2 챔버(CHM2)의 상기 제2 대기 영역(WTA2')을 잇는 경로를 제2 경로(PTH2)라고 하면, 상기 증착원(SC)은 상기 제2 경로(PTH2)를 따라 이동할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 경로(PTH2)의 형상은 직선으로 표시되었으나, 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 다른 실시예에서는 상기 제2 경로(PTH2)의 형상이 곡선, 예를 들어, 호 형상일 수 있다.The deposition source SC may move to the second chamber CHM2 after the deposition process in the first chamber CHM1. The deposition source SC may move from the second waiting area WTA2 of the first chamber CHM1 to the second waiting area WTA2 'of the second chamber CHM2 through the swing area SWZ . A path connecting the second waiting area WTA2 of the first chamber CHM1, the swing area SWZ and the second waiting area WTA2 'of the second chamber CHM2 is referred to as a second path PTH2 ), The evaporation source SC may move along the second path PTH2. In an embodiment of the present invention, the shape of the second path PTH2 is represented by a straight line, but the present invention is not limited thereto. In another embodiment of the present invention, the shape of the second path PTH2 is a curve, For example, it may be arc-shaped.

상기 제2 챔버(CHM2)로 이동된 증착원(SC)은 상기 제2 증착 영역(DPA2)을 거쳐, 상기 제2 챔버(CHM2)의 제2 대기 영역(WTA2')과 제1 대기 영역(WTA1') 사이를 이동할 수 있다. 상기 제1 대기 영역(WTA1'), 상기 제2 증착 영역(DPA2), 및 상기 제2 대기 영역(WTA2')을 잇는 경로를 제3 경로(PTH3)라고 하면, 상기 증착원(SC)은 상기 제3 경로(PTH3)를 따라 이동할 수 있다. The deposition source SC moved to the second chamber CHM2 is moved to the second waiting area WTA2 'and the first waiting area WTA1' of the second chamber CHM2 via the second deposition area DPA2, '). If the path connecting the first waiting area WTA1 ', the second deposition area DPA2 and the second waiting area WTA2' is referred to as a third path PTH3, And can move along the third path PTH3.

상기 증착원(SC)은 상기 제1 챔버(CHM1)에서와 마찬가지로, 상기 제2 기판(SUB2) 상에 성막 공정이 수행되지 않을 때, 상기 제1 대기 영역(WTA1') 또는 상기 제2 대기 영역(WTA2')에 위치하고, 상기 제2 기판(SUB2) 상에 성막 공정이 수행될 때, 상기 제2 증착 영역(DPA2) 내에서 상기 제3 경로(PTH3)를 따라 상기 제2 기판(SUB2)의 양단에 대응하는 위치를 복수 회 왕복함으로써 상기 제2 기판(SUB2)에 증착 물질을 제공할 수 있다. The deposition source SC may be formed in the first waiting area WTA1 'or the second waiting area WTA2 when the film formation process is not performed on the second substrate SUB2, as in the first chamber CHM1. And the second substrate SUB2 is positioned along the third path PTH3 in the second deposition area DPA2 when the deposition process is performed on the second substrate SUB2. The deposition material may be provided to the second substrate SUB2 by reciprocating a plurality of positions corresponding to both ends.

상기 기판(SUB)과 상기 증착원(SC)은 서로 대향하여 이격 배치된다. The substrate SUB and the evaporation source SC are disposed opposite to each other.

본 발명의 일 실시예에서는 상기 증착원(SC)이 상기 이동 수단에 의해 움직이면서 증착이 수행되는 것을 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 증착원(SC)과 상기 기판은 서로 상대적으로 이동하면서 증착 공정이 수행될 수 있다. 즉, 상기 기판은 고정되고 상기 증착원(SC)만 움직이면서 증착이 수행될 수 있으며, 또는, 상기 증착원(SC)이 상기 증착 영역 내에 배치되고 상기 기판이 움직이면서 증착이 수행될 수 있으며, 또는 상기 증착원(SC)과 상기 기판이 모두 움직이면서 증착이 수행될 수 있다.In the embodiment of the present invention, the evaporation source SC is moved by the moving means, but the present invention is not limited thereto. The deposition source SC and the substrate may be moved relative to each other and the deposition process may be performed. That is, the substrate is fixed and deposition can be performed while moving only the deposition source (SC), or deposition can be performed while the deposition source (SC) is disposed in the deposition area and the substrate moves, The deposition can be performed while moving both the evaporation source SC and the substrate.

또한, 상기 기판과 상기 증착원(SC)의 위치는 방향에 따라 달리 설정될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에서는 상기 상기 기판과 상기 증착원(SC)이 도 2에 도시된 바와 같이 수직한 방향으로 배치될 수 있으며, 본 발명의 다른 실시예에서는 상기 기판과 상기 증착원이 수평한 방향으로, 또는 다른 방향으로 배치될 수 있다. Further, the position of the substrate and the evaporation source SC may be set differently depending on the direction. That is, in one embodiment of the present invention, the substrate and the evaporation source SC may be arranged in a vertical direction as shown in FIG. 2. In another embodiment of the present invention, the substrate and the evaporation source In a horizontal direction, or in a different direction.

상기 각도 제한판들은 상기 증착원(SC)에 인접하게 배치된다. 상기 각도 제한판들은 예를 들어, 서로 인접한 상기 증착원들(SC) 사이 및 상기 증착원들(SC)의 연장 방향의 양 단부에 제공된다. 상기 각도 제한판은 상기 증착 재료의 방출 방향 각도를 제한한다. The angle limiting plates are disposed adjacent to the evaporation source SC. The angle restricting plates are provided, for example, at both ends of the extending direction of the evaporation sources SC and between the adjacent evaporation sources SC. The angle restricting plate limits the angle of the evaporation material in the discharge direction.

상기 각도 제한판들은 상기 증착원(SC) 상의 상기 노즐의 양측에 배치될 수 있으며, 상기 증착원(SC)이 복수로 제공되는 경우, 서로 인접한 증착원들(SC) 사이의 각도 제한판은 양측에서 서로 공유할 수 있다. The angle limiting plates may be disposed on both sides of the nozzle on the evaporation source SC, and when the evaporation sources SC are provided in plural, the angle limiting plate between adjacent evaporation sources SC may be disposed on both sides Can share with each other.

상기 각도 제한판들은 제1 각도 제한판(AC1) 내지 제3 각도 제한판(AC3)을 포함할 수 있다. 상기 제1 각도 제한판(AC1) 및 상기 제3 각도 제한판(AC3)은 상기 증착원들(SC)의 바깥쪽에 배치된 것이며, 상기 제2 각도 제한판(AC2)은 두 증착원(SC)의 사이에 배치된 것이다. 다시 말하면 상기 제1 노즐(NZ1)의 양측에는 제1 각도 제한판(AC1)과 제2 각도 제한판(AC2)이 제공되며, 상기 제2 노즐(NZ2)의 양측에는 제2 각도 제한판(AC2)과 제3 각도 제한판(AC3)이 제공된다. The angle limiting plates may include a first angle limiting plate AC1 to a third angle limiting plate AC3. The first angle limiting plate AC1 and the third angle limiting plate AC3 are disposed outside the evaporation sources SC and the second angle limiting plate AC2 is disposed between the two evaporation sources SC, Respectively. In other words, the first angle limiting plate AC1 and the second angle limiting plate AC2 are provided on both sides of the first nozzle NZ1, and the second angle limiting plates AC2 and AC2 are provided on both sides of the second nozzle NZ2. And a third angle limiting plate AC3 are provided.

상기 증착 재료는 방출 방향으로 일직선으로 날아가는 것이 아니라, 방출 방향으로 전방으로 넓게 퍼지면서 분사된다. 따라서, 상기 각도 제한판들 높이에 따라 상기 노즐의 양측에서 방출된 상기 증착 재료의 방사 각도가 제한될 수 있다. The evaporation material is not sprayed in a straight line in the discharge direction, but is sprayed while spreading forward in the discharge direction. Therefore, the angle of emission of the evaporation material emitted from both sides of the nozzle can be limited depending on the height of the angle limiting plates.

상기 각도 제한판들은 상기 기판에 대향하는 상기 증착원(SC) 몸체(BD)의 상면에 배치될 수 있다. The angle limiting plates may be disposed on the upper surface of the evaporation source (SC) body (BD) facing the substrate.

상기 각도 제한판들은 상기 몸체(BD)의 상면으로부터 소정 높이를 갖는다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 각도 제한판들은 서로 동일한 높이를 가질 수 있다. The angle limiting plates have a predetermined height from the upper surface of the body BD. In one embodiment of the present invention, the angle limiting plates may have the same height as each other.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 각도 제한판들은 서로 동일한 높이를 가지지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 각도 제한판들 중 적어도 하나가 나머지와 다른 높이를 가질 수 있다. In one embodiment of the present invention, the angle limiting plates may not have the same height as each other. For example, at least one of the angular limiting plates may have a height different from the rest.

상기 제1 내지 제3 각도 제한판들(AC1, AC2, AC3) 중 상기 제1 각도 제한판(AC1)과 상기 제3 각도 제한판(AC3)은 동일한 높이를 가질 수 있으며, 상기 제2 각도 제한판(AC2)은 상기 제1 및 제3 각도 제한판(AC1, AC3)보다 작은 높이를 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제3 각도 제한판들(AC1, AC3, AC3)의 높이는 이에 한정되는 것은 아니며, 이와 달리 설정될 수 있음은 물론이다.The first angle limiting plate AC1 and the third angle limiting plate AC3 of the first through third angle limiting plates AC1, AC2 and AC3 may have the same height, The plate AC2 may have a smaller height than the first and third angle limiting plates AC1 and AC3. In one embodiment of the present invention, the height of the first to third angle limiting plates AC1, AC3, and AC3 is not limited to this, and may be set differently.

상기 각도 제한판들은 상기 노즐들의 배열 방향에 대응하여 상기 배열 방향과 평행하게 연장될 수 있다.The angle limiting plates may extend parallel to the arrangement direction corresponding to the arrangement direction of the nozzles.

상기 포집기는 상기 기판 상에 증착되지 않은 여분의 증착 재료들을 포집하기 위한 것으로 각 챔버의 대기 영역에 제공될 수 있다. 상기 포집기들은 증착 재료 손실을 최소화하기 위한 것으로, 상기 증착원(SC) 및 각도 제한판의 상부를 커버한다. The collector may be provided in the atmospheric region of each chamber for collecting extra deposition material not deposited on the substrate. The collectors are for minimizing evaporation material loss and cover the upper portion of the evaporation source SC and the angle limiting plate.

상기 포집기에는 상기 포집기의 수직 이동이 가능하도록 이동 수단이 제공될 수 있다. 상기 포집기는 상기 증착원(SC)이 증착 영역으로 이동하여 대기 영역이나 스윙 영역에 존재하지 않는 경우, 원래의 위치, 즉, 상부 방향으로 이동될 수 있다.The collecting device may be provided with a moving means to allow vertical movement of the collecting device. The collector may be moved to the original position, i.e., the upper direction, when the evaporation source SC moves to the deposition region and is not present in the atmospheric region or the swing region.

상기 포집기는 복수로 제공될 수 있으며, 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 챔버(CHM1, CHM2) 각각의 제1 대기 영역(WTA1, WTA1')에 제공된 제1 포집기(CLT1, CLT1'), 상기 제2 대기 영역(WTA2, WTA2')에 제공된 제2 포집기(CLT2, CLT2'), 및 상기 스윙 영역(SWZ)에 제공된 제3 포집기(CLT3)를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the collector may be provided in a plurality of first collectors CLT1 and CLT2 provided in the first waiting areas WTA1 and WTA1 'of the first and second chambers CHM1 and CHM2, respectively. CLT1 'provided in the second waiting area WTA2, WTA2', and a third trap CLT3 provided in the swing area SWZ.

상기 제1 내지 제3 포집기(CLT1, CLT2, CLT3)은 실질적으로 동일한 구조를 가지는 바, 도 3을 참조하여 제1 포집기(CLT1)를 설명하면 다음과 같다.The first to third collectors CLT1, CLT2 and CLT3 have substantially the same structure, and the first collector CLT1 will be described with reference to FIG.

상기 제1 포집기(CLT1)는 상기 증착원(SC)의 제1 및 제2 노즐(NZ1, NZ2)이 배치된 상면과 마주하는 커버부(CV)와, 상기 커버부(CV)로부터 상기 증착원(SC) 방향으로 연장된 측벽들을 포함한다.The first collector CLT1 includes a cover CV facing the upper surface of the evaporation source SC on which the first and second nozzles NZ1 and NZ2 are disposed, (SC) direction.

상기 커버부(CV)는 상기 증착원(SC) 및 상기 각도 제한판들과 이격된다. 상기 커버부(CV)는 상기 증착원(SC)의 상면과 실질적으로 평행하게 제공될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The cover portion CV is spaced apart from the evaporation source SC and the angle limiting plates. The cover portion CV may be provided substantially parallel to the upper surface of the evaporation source SC, but is not limited thereto.

상기 측벽들은 상기 커버부(CV)로부터 상기 증착원(SC) 방향으로 연장된다. 상기 측벽들은 상기 각도 제한판들에 일대일 대응한다. 즉, 상기 측벽들의 개수는 상기 각도 제한판들의 개수와 동일하며, 각 측벽의 위치는 각각이 대응하는 각도 제한판의 위치에 맞추어 대응하는 각도 제한판들의 상부에 배치된다.The side walls extend from the cover portion CV toward the evaporation source SC. The sidewalls correspond one-to-one to the angle limiting plates. That is, the number of the side walls is equal to the number of the angle limiting plates, and the positions of the respective side walls are disposed on the upper portions of the corresponding angle limiting plates in correspondence with the positions of the corresponding angle limiting plates.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 측벽들은 제1 측벽(WL1), 제2 측벽(WL2), 및 제3 측벽(WL3)을 포함할 수 있다. 상기 제1 측벽(WL1)은 상기 제1 각도 제한판(AC1)에 대응하고, 상기 제2 측벽(WL2)은 제2 각도 제한판(AC2)에 대응하며, 상기 제3 측벽(WL3)은 상기 제3 각도 제한판(AC3)에 대응한다. 상기 제1 내지 제3 측벽들(WL1, WL2, WL3)은 상기 제1 내지 제3 각도 제한판들(AC1, AC2, AC3)의 높이와 역으로 대응하는 높이를 가지도록 형성된다. 예를 들어, 제2 각도 제한판(AC2)의 높이가 가장 작은 도 3의 실시예에 있어서, 상기 제2 각도 제한판(AC2)에 대응하는 제2 측벽(WL2)의 높이가 가장 크다. 이에 따라, 상기 제1 각도 제한판(AC1)과 제1 측벽(WL1)의 높이의 합, 상기 제2 각도 제한판(AC2)과 상기 제2 측벽(WL2)의 높이의 합, 및 상기 제3 각도 제한판(AC3)과 제3 측벽(WL3)의 높이의 합은 모두 동일할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the sidewalls may include a first sidewall WL1, a second sidewall WL2, and a third sidewall WL3. The first sidewall WL1 corresponds to the first angle limiting plate AC1 and the second sidewall WL2 corresponds to the second angle limiting plate AC2, And corresponds to the third angle restricting plate AC3. The first through third sidewalls WL1, WL2, and WL3 are formed to have heights that are opposite to the heights of the first through third angle limiting plates AC1, AC2, AC3. For example, in the embodiment of FIG. 3 in which the height of the second angle limiting plate AC2 is the smallest, the height of the second side wall WL2 corresponding to the second angle limiting plate AC2 is the largest. Thus, the sum of the heights of the first angle limiting plate AC1 and the first sidewall WL1, the sum of the heights of the second angle limiting plate AC2 and the second sidewall WL2, The sum of the heights of the angle limiting plate AC3 and the third sidewall WL3 may be the same.

상기 제1 포집기(CLT1)는 상기 증착원(SC)이 상기 제1 챔버(CHM1)의 제1 대기 영역(WTA1') 및 제2 대기 영역(WTA2')에 있을 때, 하부 방향으로 이동하여 상기 증착원(SC)의 상부를 커버한다. 이때, 상기 제1 내지 제3 측벽들(WL1, WL2, WL3)은 대응하는 제1 내지 제3 각도 제한판들(AC1, AC2, AC3)과 접촉하여 상기 증착원(SC) 상부 공간을 닫음으로써 상기 증착원(SC)으로부터 방사된 증착 재료들이 제1 챔버(CHM1)로 새지 않도록 한다. 이에 따라 상기 방사된 증착 재료들은 상기 제1 포집기(CLT1)의 상면에 쌓인다.The first collector CLT1 moves downward when the evaporation source SC is in the first waiting area WTA1 'and the second waiting area WTA2' of the first chamber CHM1, And covers the upper portion of the evaporation source SC. At this time, the first to third sidewalls WL1, WL2 and WL3 contact the corresponding first to third angle limiting plates AC1, AC2 and AC3 to close the space above the evaporation source SC So that the evaporation materials emitted from the evaporation source SC do not leak into the first chamber CHM1. Accordingly, the emitted evaporated materials are accumulated on the upper surface of the first collector (CLT1).

상기 제2 포집기(CLT2) 및 상기 제3 포집기(CLT3)도 동일한 방식으로 상기 스윙 영역(SWZ)과 상기 제2 챔버(CHM2) 내에서 증착 재료들을 포집한다.The second collector (CLT2) and the third collector (CLT3) also collect the deposition materials in the swing region (SWZ) and the second chamber (CHM2) in the same manner.

본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 경우, 증착 공정이 수행되지 않을 때 버려지던 증착 재료들을 상기 포집기로 포집할 수 있다. 상기 증착 재료들은 회수되어 증착 공정에 재사용될 수 있다. 또한, 상기 포집기의 각 측벽에 의해 서로 다른 증착 재료들이 섞이는 것을 최소화한다.In the case of the deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, the deposition materials that are discarded when the deposition process is not performed can be collected by the trapper. The deposition materials can be recovered and reused for the deposition process. In addition, mixing of the different deposition materials is minimized by the side walls of the collector.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 기판을 증착 장치에 로딩하고 얼라인하는 데에는 소정 시간이 소요되는 바, 챔버를 복수 개 배치하여, 일측의 챔버에서 기판을 로딩하고 얼라인하는 동안 타측의 챔버에서 증착을 수행하는 방식으로 대기시간을 감소시킬 수 있다. 이 경우에도 스윙 존에서의 재료 손실이 발생할 수 있으나, 본 발명의 일 실시예에 따르면 스윙 영역에 포집기가 제공되므로 스윙 영역에서의 재료 손실이 최소화된다. According to an embodiment of the present invention, it takes a predetermined time to load and align the substrate on the deposition apparatus. Since a plurality of chambers are arranged and the substrates are loaded and aligned in one chamber, Lt; RTI ID = 0.0 > deposition < / RTI > In this case, material loss in the swing zone may occur. However, according to the embodiment of the present invention, the material loss in the swing region is minimized since the collector is provided in the swing region.

본 발명의 일 실시예에서는 상기 포집기가 각 챔버의 대기 영역들, 그리고 스윙 영역에 제공된 것을 도시하였으나, 상기 포집기의 제공 위치는 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 포집기는 상기 증착 영역 내의, 증착원이 왕복 운동시 운동 방향을 바꾸는 위치, 즉, 증착원의 터닝 위치에도 추가적으로 제공될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the trapper is provided in the waiting areas of each chamber and the swing area, but the position of the trapper is not limited thereto. The collector may additionally be provided in a position in the deposition area where the evaporation source changes the direction of motion in the reciprocating motion, that is, the turning position of the evaporation source.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 포집기에는 상기 포집기를 냉각시키는 냉각기를 더 포함할 수 있다. 상기 냉각기는 상기 포집기를 상기 챔버 내의 온도보다 낮은 온도로 유지함으로써 상기 챔버 내의 증착 재료들을 용이하게 포집하게 한다.In one embodiment of the present invention, the collector may further include a cooler for cooling the collector. The cooler keeps the collector at a temperature below the temperature in the chamber, thereby facilitating trapping of the deposition materials in the chamber.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 포집기는 상기 증착원과 마주보는 면이 메쉬(mesh) 형상을 가질 수 있다. 상기 포집기의 면이 메쉬 형상인 경우, 증착 물질이 더 용이하게 상기 포집기에 부착될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the collector may have a mesh shape on a surface facing the evaporation source. When the surface of the collector is in the form of a mesh, the deposition material can be more easily attached to the collector.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치가 증착부로서 구비된 증착 시스템의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다. 여기서, 도 4의 증착 시스템은 도 1 내지 도 4에 도시된 증착 장치를 채용한 것이다. 4 is a plan view schematically showing a part of a deposition system having a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention as a deposition unit. Here, the deposition system of FIG. 4 employs the deposition apparatus shown in FIGS. 1 to 4. FIG.

도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 증착 시스템은, 증착 공정을 수행하는 복수의 챔버들(CHM, CHM')을 포함하는 증착부와, 상기 복수의 챔버들(CHM, CHM')을 공통으로 연결하는 트랜스퍼 챔버와, 상기 트랜스퍼 챔버를 통해 상기 챔버 내부로 투입되는 기판의 로딩 및/또는 언로딩을 수행하는 로드락 챔버(LDC1, LDC2)가 포함된 클러스터(cluster) 타입으로 구성된다. 또한, 상기 트랜스퍼 챔버의 일측에는 상기 챔버에서의 증착 공정시 사용되는 쉐도우 마스크가 구비된 쉐도우 마스크 유닛(SMU)이 추가로 구비될 수 있다.4, a deposition system according to an embodiment of the present invention includes a deposition unit including a plurality of chambers CHM and CHM 'for performing a deposition process, a plurality of chambers CHM and CHM' And a load lock chamber (LDC1, LDC2) for performing loading and / or unloading of the substrate to be introduced into the chamber through the transfer chamber . In addition, a shadow mask unit (SMU) having a shadow mask used in the deposition process in the chamber may be further provided on one side of the transfer chamber.

상기 증착부는 증착 공정이 진행되는 곳으로, 2개의 기판(SUB1, SUB2)에 대한 증착 공정을 수행하는 챔버들(CHM)과, 하나의 기판(SUB3)에 대한 증착 공정을 수행하는 공정을 수행하는 챔버들(CHM')을 포함할 수 있다. 상기 증착부에 있어서, 챔버들의 구성은 이에 한정되는 것은 아니며, 두 개의 기판에 대한 증착 공정을 수행하는 챔버들로만 구성될 수도 있다.The deposition unit performs a deposition process for the one substrate SUB3 and the chambers CHM for performing the deposition process for the two substrates SUB1 and SUB2 where the deposition process is performed Chambers CHM '. In the deposition unit, the configuration of the chambers is not limited thereto, and may be configured only as chambers for performing the deposition process for the two substrates.

상기 트랜스퍼 챔버는 기판 이송을 위한 이송 공간을 갖는 몸체부(BDP)와, 상기 몸체부 내에 마련된 로봇 암(RBA)을 포함한다. 상기 로봇 암(RBA)은 로드락 챔버(LDC1, LDC2)에 마련된 기판을 챔버들(CHM, CHM')로 이송하거나, 챔버들(CHM, CHM')을 통해 증착이 수행된 기판을 다른 챔버들(CHM, CHM') 또는 로드락 챔버들(LDC1, LDC2)로 이송 및 반송시킨다. 상기 로봇 암(RBA)은 복수 개, 예를 들어 2개로 구비될 수 있으며, 상기 로봇 암들을 이용하여 복수 개의 기판을 동시에 이송시킬 수 있다.The transfer chamber includes a body portion (BDP) having a transfer space for transferring a substrate, and a robot arm (RBA) provided in the body portion. The robot arm RBA transfers the substrate provided in the load lock chambers LDC1 and LDC2 to the chambers CHM and CHM 'or the substrate on which the deposition is performed through the chambers CHM and CHM' (CHM, CHM ') or load lock chambers (LDC1, LDC2). The robot arm (RBA) may be provided in a plurality of, for example, two, and the plurality of substrates may be simultaneously transferred using the robot arms.

상기 로드락 챔버들(LDC1, LDC2)는 상기 챔버 내부로 투입되는 기판의 로딩 및/또는 언로딩을 수행 한다.The load lock chambers LDC1 and LDC2 perform loading and / or unloading of the substrate into the chamber.

또한, 상기 트랜스퍼 챔버는 챔버들(CHM, CHM'), 로드락 챔버들(LDC1, LDC2) 및 쉐도우 마스크 유닛과 연결된다. 이 때, 상기 각 챔버들(CHM, CHM')에는 기판의 출입을 위한 관통부가 마련되어 있다.Further, the transfer chamber is connected to the chambers CHM and CHM ', the load lock chambers LDC1 and LDC2, and the shadow mask unit. At this time, the chambers CHM and CHM 'are provided with penetration parts for the entrance and exit of the substrate.

본 발명의 실시예에 의한 클러스터 타입의 증착 시스템은, 챔버들의 길이가 상이한 다각형의 통 형태로 구현되며, 이에 따라 상기 증착 시스템이 차지하는 면적을 기존 대비 축소시킬 수 있다. 또한 복수 개의 챔버들 구비됨으로써 복수 개의 기판들을 동시에 처리할 수 있는 장점이 있다.The cluster-type deposition system according to the embodiment of the present invention is realized in the form of a polygonal cylinder having different lengths of chambers, thereby reducing the area occupied by the deposition system. Also, since the plurality of chambers are provided, a plurality of substrates can be simultaneously processed.

이와 같은 각각의 챔버들은 각각 별도의 증착 재료를 기판 상에 증착 할 수도 있고, 동일한 재료를 기판 상에 증착할 수도 있다.Each of these chambers may deposit a separate deposition material on a substrate, or the same material may be deposited on a substrate.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and changes may be made thereto without departing from the scope of the present invention.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

AC1, AC2, AC3 : 제1, 제2, 제3 각도 제한판
BD : 몸체 CHM1, CHM2 : 제1, 제2 챔버
CLT1, CLT1' : 제1 포집기 CLT2, CLT2' : 제2 포집기
CLT3 : 제3 포집기 CS : 증착원
CV : 커버부 DPA1, DPA2 : 제1, 제2 증착 영역
PTH1, PTH2, PTH3 : 제1, 제2, 제3 경로
SUB1, SUB2 : 제1, 제2 기판 SWZ : 스윙 영역
WL1, WL2, WL3 : 제1, 제2, 제3 측벽
WTA1, WTA1' : 제1 대기 영역 WTA2, WTA2' : 제2 대기 영역AC1, AC2, AC3: first, second and third angle restricting plates
BD: body CHM1, CHM2: first and second chambers
CLT1, CLT1 ': first collectors CLT2, CLT2': second collectors
CLT3: Third Collector CS: Depositor
CV: cover part DPA1, DPA2: first and second deposition areas
PTH1, PTH2, PTH3: first, second, third path
SUB1, SUB2: first and second substrates SWZ: swing region
WL1, WL2, and WL3: First, second, and third sidewalls
WTA1, WTA1 ': first waiting area WTA2, WTA2': second waiting area

Claims

A chamber provided with a substrate therein and including a deposition region on which a deposition process is performed and an atmosphere region provided on at least one side of the deposition region;
An evaporation source provided inside the chamber and emitting an evaporation material;
Two or more angle restricting plates disposed adjacent to the evaporation source and restricting an emission direction angle of the evaporation material; And
And a collector for covering an upper portion of the evaporation source and collecting excess evaporation material not deposited on the substrate,
Wherein the collecting device is provided in the waiting area.

The method according to claim 1,
Wherein the collector includes: a cover portion facing the evaporation source; And
And sidewalls extending from the cover portion in the direction of the evaporation source,
And the side walls are disposed corresponding to the angle limiting plates.

3. The method of claim 2,
Wherein the plurality of evaporation sources are arranged in parallel with each other.

The method of claim 3,
Wherein the angle limiting plates are provided between the evaporation sources adjacent to each other and at both ends in the extending direction of the evaporation sources.

The method of claim 3,
Wherein at least one of the angle limiting plates has a different height from the rest.

6. The method of claim 5,
Wherein the sidewalls correspond one-to-one to the angle limiting plates, and each sidewall is provided on an upper portion of the corresponding angle restricting plate.

The method according to claim 6,
And the sums of the angle limiting plates and the sidewalls corresponding to each other are the same.

8. The method of claim 7,
Wherein the angle limiting plates are all the same height.

The method according to claim 1,
And moving means for moving the collector vertically.

The method according to claim 1,
Wherein the plurality of collectors are provided.

11. The method of claim 10,
Wherein the atmospheric region comprises a first atmospheric region and a second atmospheric region disposed with the deposition region interposed therebetween, the evaporation source being capable of moving from the first atmospheric region to the second atmospheric region via the deposition region, Device.

12. The method of claim 11,
Wherein the collector includes a first collector provided in the first waiting region and a second collector provided in the second waiting region.

13. The method of claim 12,
Wherein the chamber includes a first chamber and a second chamber disposed adjacent to each other,
Wherein the first chamber includes a first waiting region, a first deposition region, and a second waiting region that are sequentially disposed adjacent to each other,
And the second chamber includes the first waiting area, the second deposition area, and the second waiting area sequentially disposed adjacent to each other.

14. The method of claim 13,
Wherein the first chamber and the second chamber further include a swing region provided between a second atmospheric region of the first chamber and an atmospheric region of the second chamber, A deposition apparatus sharing an area.

15. The method of claim 14,
Wherein the collector further comprises a third collector provided in the swing region.

The method according to claim 1,
And a cooler attached to the collector to cool the collector.

The method according to claim 1,
Wherein the upper surface of the collector is a mesh shape.