KR20160147982A - Method for splitting brittle substrate - Google Patents
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Abstract
날끝(51)을 취성 기판(4)의 표면(SF1) 상에서 슬라이딩시켜 소성 변형을 발생시킴으로써 홈 형상을 갖는 트렌치 라인(TL)이 형성된다. 트렌치 라인(TL)의 바로 아래에 있어서 취성 기판(4)은 연속적으로 연결되어 있다. 다음으로 표면(SF1) 상에 부재(11)가 설치된다. 부재(11)는 트렌치 라인(TL)을 통하여 서로 분리된 부분을 갖는다. 다음으로, 트렌치 라인(TL)을 따라서 두께 방향(DT)에 있어서의 취성 기판(4)의 크랙을 신전시킴으로써, 크랙 라인(CL)이 형성된다. 크랙 라인(CL)에 의하여 트렌치 라인(TL)의 바로 아래에 있어서 취성 기판(4)은 트렌치 라인(TL)과 교차하는 방향에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있다. 크랙 라인(CL)을 따라서 취성 기판(4)이 분단된다.The edge 51 is slid on the surface SF1 of the brittle substrate 4 to generate plastic deformation to form a trench line TL having a groove shape. Immediately below the trench line TL, the brittle substrate 4 is continuously connected. Next, the member 11 is provided on the surface SF1. The member 11 has portions separated from each other through the trench line TL. Next, the crack line CL is formed by extending a crack of the brittle substrate 4 in the thickness direction DT along the trench line TL. The brittle substrate 4 is disconnected continuously in the direction crossing the trench line TL immediately below the trench line TL by the crack line CL. The brittle substrate 4 is divided along the crack line CL.
Description
본 발명은 취성 기판(brittle substrate)의 분단 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of breaking a brittle substrate.
플랫 디스플레이 패널 또는 태양 전지 패널 등의 전기 기기의 제조에 있어서, 유리 기판 등의 취성 기판을 분단하는 것이 자주 필요해진다. 우선 기판 상에 스크라이브 라인이 형성되고, 다음으로 이 스크라이브 라인을 따라서 기판이 분단 된다. 예를 들면 일본공개특허공보 평9-188534호에 의하면, 스크라이브 라인을 유리 커터 휠에 의해서 형성하는 방법이 개시되어 있다. 유리 커터가 기판 상을 전동(rolling)함으로써, 기판 상에 소성 변형에 의한 트렌치가 형성됨과 동시에, 이 트렌치의 바로 아래에 수직 크랙이 형성된다. 그 후, 브레이크 공정으로 불리는 응력 부여가 이루어진다. 브레이크 공정에 의해 크랙을 두께 방향으로 완전하게 진행시킴으로써, 기판이 분단된다.In the production of electric devices such as a flat display panel or a solar cell panel, it is often necessary to separate a brittle substrate such as a glass substrate. First, a scribe line is formed on the substrate, and then the substrate is divided along the scribe line. For example, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 9-188534 discloses a method of forming a scribe line by a glass cutter wheel. As the glass cutter rolls on the substrate, a trench due to plastic deformation is formed on the substrate, and a vertical crack is formed immediately below the trench. Thereafter, a stress imparting called a braking process is applied. By progressing the cracks completely in the thickness direction by the breaking process, the substrate is divided.
기판이 분단되는 공정은, 기판에 스크라이브 라인을 형성하는 공정 직후에 행해지는 경우가 많다. 그러나, 스크라이브 라인을 형성하는 공정과 브레이크 공정의 사이에 있어서 기판 상에 어떠한 부재를 형성하는 공정을 행하는 것도 제안되고 있다.The step of dividing the substrate is often performed immediately after the step of forming the scribe line on the substrate. However, it has also been proposed to perform a step of forming any member on the substrate between the step of forming the scribe line and the step of breaking.
예를 들면 국제공개 제2002/104078호의 기술에 의하면, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법에 있어서, 밀봉 캡을 장착하기 전에 각 유기 EL 디스플레이로 되는 영역마다 유리 기판 상에 스크라이브 라인이 형성된다. 이 때문에, 밀봉 캡을 형성한 후에 유리 기판 상에 스크라이브 라인을 형성했을 때에 문제가 되는 밀봉 캡과 유리 커터의 접촉을 회피할 수 있다.For example, according to the technique of International Publication No. 2002/104078, in the method of manufacturing an organic EL display, a scribe line is formed on a glass substrate for each region to be an organic EL display before mounting a sealing cap. Therefore, when the scribe line is formed on the glass substrate after the sealing cap is formed, contact between the sealing cap and the glass cutter can be avoided.
(특허문헌 1): 일본공개특허공보 평9-188534호(Patent Document 1): JP-A-9-188534
(특허문헌 2) :국제 공개 제2002/104078호(Patent Document 2): International Publication No. 2002/104078
상기 종래의 기술에 의하면, 유리 기판(취성 기판) 상에 밀봉 캡(부재)을 형성하는 공정이 스크라이브 라인의 형성 후에 행해진다. 따라서 이 기술을 이용하면, 부재간의 좁은 영역을 경계로 하여 취성 기판을 분단할 수 있다. 한편으로, 취성 기판 상에 밀봉 캡을 형성하는 공정시에 수직 크랙이 이미 존재하는 것으로부터, 이 수직 크랙의 두께 방향에 있어서의 새로운 신전(extend)이 의도치 않게 발생하기 쉽다. 따라서, 이 공정 중은 일체여야 할 취성 기판이, 의도치 않게 분단되어 버리는 일이 있을 수 있다.According to the above conventional technique, a step of forming a sealing cap (member) on a glass substrate (brittle substrate) is performed after formation of the scribe line. Therefore, by using this technique, a brittle substrate can be divided with a narrow region between members as a boundary. On the other hand, since a vertical crack already exists in the process of forming the sealing cap on the brittle substrate, a new extension in the thickness direction of the vertical crack is likely to occur unintentionally. Therefore, the brittle substrate which should be integrated in this process may be unintentionally divided.
본 발명은 이상과 같은 과제를 해결하기 위하여 행해진 것으로, 그 목적은, 취성 기판 상에 부재를 형성하는 공정 중에 취성 기판이 의도치 않게 분단되어 버리는 것을 피하면서, 부재간의 좁은 영역을 경계로 하여 취성 기판을 분단할 수 있는, 취성 기판의 분단 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a brittle substrate, which avoids unintentional division of a brittle substrate during a step of forming a member on a brittle substrate, A method of dividing a brittle substrate by which a substrate can be divided.
본 발명의 취성 기판의 분단 방법은, 표면을 갖고, 상기 표면에 수직인 두께 방향을 갖는 취성 기판을 준비하는 공정과, 상기 취성 기판의 상기 표면에 날끝을 밀어붙이는 공정과, 상기 밀어붙이는 공정에 의해서 밀어붙여진 상기 날끝을 상기 취성 기판의 상기 표면 상에서 슬라이딩시킴으로써 상기 취성 기판의 상기 표면 상에 소성 변형을 발생시킴으로써, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인을 형성하는 공정을 구비한다. 상기 트렌치 라인을 형성하는 공정은, 상기 트렌치 라인의 바로 아래에 있어서 상기 취성 기판이 상기 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스(crackless) 상태가 얻어지도록 행해진다. 본 발명의 취성 기판의 분단 방법은 추가로 상기 트렌치 라인을 형성하는 공정 후, 상기 표면 상에 부재를 형성하는 공정을 구비한다. 상기 부재는, 상기 표면 상에 있어서 상기 트렌치 라인을 통하여 서로 분리된 부분을 갖는다. 본 발명의 취성 기판의 분단 방법은 추가로 상기 부재를 배치하는 공정 후에, 상기 트렌치 라인을 따라서 상기 두께 방향에 있어서의 상기 취성 기판의 크랙을 신전시킴으로써, 크랙 라인을 형성하는 공정을 구비한다. 상기 크랙 라인에 의해서 상기 트렌치 라인의 바로 아래에 있어서 상기 취성 기판은 상기 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있다. 본 발명의 취성 기판의 분단 방법은 추가로 상기 크랙 라인을 따라서 상기 취성 기판을 분단하는 공정을 구비한다.A method for separating a brittle substrate according to the present invention includes the steps of preparing a brittle substrate having a surface and having a thickness direction perpendicular to the surface, a step of pushing a blade tip onto the surface of the brittle substrate, And forming a trench line having a groove shape by causing plastic deformation on the surface of the brittle substrate by sliding the edge pressed by the brittle substrate on the surface of the brittle substrate. The step of forming the trench line is performed so as to obtain a crackless state in which the brittle substrate is continuously connected in the direction crossing the trench line immediately below the trench line. The method of breaking a brittle substrate of the present invention further comprises a step of forming a member on the surface after the step of forming the trench line. The member has portions separated from each other through the trench line on the surface. The breaking method of the brittle substrate according to the present invention further includes a step of forming a crack line by extending a crack of the brittle substrate in the thickness direction along the trench line after the step of disposing the member. The brittle substrate is disconnected continuously in a direction crossing the trench line immediately below the trench line by the crack line. The breaking method of the brittle substrate of the present invention further includes a step of breaking the brittle substrate along the crack line.
또한, 상기 「표면에 날끝을 밀어붙인다」란, 「표면」의 임의의 위치에 날끝을 밀어붙이는 것을 의미하는 것이고, 따라서, 「표면」의 가장자리에 날끝을 밀어붙이는 것도 의미할 수 있다.The above-mentioned "pushing the edge of the blade onto the surface" means pushing the edge of the blade at an arbitrary position on the "surface", which means that the edge of the blade is pushed against the edge of the "surface".
본 발명에 의하면, 취성 기판이 분단되는 위치를 규정하는 라인으로서, 그 바로 아래에 크랙을 갖지 않는 트렌치 라인이 형성된다. 분단의 직접적인 계기로서 이용되게 되는 크랙 라인은, 트렌치 라인을 따라서 크랙을 자기(自己) 정합적으로 신전시킴으로써 형성된다. 따라서, 트렌치 라인의 형성 후 또한 크랙 라인의 형성 전의 취성 기판은, 분단되는 위치가 트렌치 라인에 의해서 규정되면서도, 크랙 라인이 아직 형성되어 있지 않기 때문에 용이하게 분단은 발생하지 않는 안정 상태에 있다. 취성 기판 상에 부재를 형성하는 공정이 이 안정 상태에 있어서 행해짐으로써, 이 공정시에 취성 기판이 의도치 않게 분단되어 버리는 것을 피할 수 있다. 또한 이 공정은 트렌치 라인의 형성 후에 행해지기 때문에, 트렌치 라인의 형성을 위한 날끝의 이동이 부재에 의해서 방해받는 일이 없다. 이에 따라, 트렌치 라인의 배치와 부재의 배치는 상호 자유롭게 정해질 수 있다. 따라서 트렌치 라인이 부재간의 좁은 영역을 통과하는 구조를 얻는 것이 가능하다. 그 후, 트렌치 라인을 이용하여 크랙 라인을 형성하고, 그리고 그에 따라 취성 기판을 분단함으로써, 부재간의 좁은 영역을 경계로 하여 취성 기판을 분단 할 수 있다. 이상과 같이, 취성 기판상에 부재를 형성하는 공정 중에 취성 기판이 의도치 않게 분단되어 버리는 것을 피하면서, 부재간의 좁은 영역을 경계로 하여 취성 기판을 분단할 수 있다.According to the present invention, as a line defining the position where the brittle substrate is divided, a trench line having no crack is formed immediately below the line. The crack line to be used as a direct gauge of division is formed by self-aligning the crack along the trench line. Therefore, the brittle substrate after the formation of the trench line and before the formation of the crack line is in a stable state in which the division is not easily caused because the cracked line is not yet formed, while the divided position is defined by the trench line. Since the step of forming the member on the brittle substrate is performed in this stable state, it is avoided that the brittle substrate is unintentionally divided during this step. Also, since this process is performed after formation of the trench line, the movement of the edge of the trench for forming the trench line is not disturbed by the member. Accordingly, the arrangement of the trench lines and the arrangement of the members can be set freely mutually. Therefore, it is possible to obtain a structure in which the trench line passes through a narrow region between the members. Thereafter, a crack line is formed by using the trench line, and then the brittle substrate is divided, whereby the brittle substrate can be divided with a narrow region between the members as a boundary. As described above, it is possible to separate the brittle substrate with the narrow region between the members as the boundary while avoiding the unintentional division of the brittle substrate during the process of forming the member on the brittle substrate.
도 1은 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 상면도이다((A)∼(E)).
도 2는 도 1(A)의 선 ⅡA-ⅡA에 따르는 개략 단면도(A), 도 1(B)의 선 ⅡB-ⅡB에 따르는 개략 단면도(B), 도 1(C)의 선 ⅡC-ⅡC에 따르는 개략 단면도(C), 도 1(D)의 선 ⅡD-ⅡD에 따르는 개략 단면도(D) 및, 도 1(E)의 선 ⅡE-ⅡE에 따르는 개략 단면도(E)이다.
도 3은 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 있어서 형성되는 트렌치 라인의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도(A) 및, 크랙 라인의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도(B)이다.
도 4는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 구성을 개략적으로 나타내는 플로우도이다.
도 5는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 이용되는 기구의 구성을 개략적으로 나타내는 측면도(A) 및, 상기 기구가 갖는 날끝의 구성을 도 5(A)의 화살표 VB의 시점에서 개략적으로 나타내는 평면도(B)이다.
도 6은 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 상면도이다((A) 및 (B)).
도 7은 본 발명의 실시의 형태 2의 제1 변형예의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 상면도이다((A) 및 (B)).
도 8은 본 발명의 실시의 형태 2의 제2 변형예의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 9는 본 발명의 실시의 형태 2의 제3 변형예의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 10은 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 11은 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제2 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 12는 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제3 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 13은 본 발명의 실시의 형태 3의 제1 변형예의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 상면도이다((A) 및 (B)).
도 14는 본 발명의 실시의 형태 3의 제2 변형예의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 15는 본 발명의 실시의 형태 4에 있어서의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 상면도이다((A) 및 (B)).
도 16은 본 발명의 실시의 형태 5에 있어서의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 상면도이다((A) 및 (B)).
도 17은 본 발명의 실시의 형태 5의 변형예의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 18은 본 발명의 실시의 형태 6에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 이용되는 기구의 구성을 개략적으로 나타내는 측면도(A) 및, 상기 기구가 갖는 날끝의 구성을 도 18(A)의 화살표 XVⅢB의 시점에서 개략적으로 나타내는 평면도(B)이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a top plan view schematically showing a method for dividing a brittle substrate according to a first embodiment of the present invention ((A) to (E)).
Fig. 2 is a schematic sectional view (A) along the line IIA-IIA in Fig. 1 (A), a schematic cross-sectional view (B) along the line IIB-IIB in Fig. A schematic sectional view (D) taken along line IID-IID in FIG. 1 (D), and a schematic sectional view (E) taken along line IIE-IIE in FIG. 1 (E).
3 is a cross-sectional view (A) schematically showing a configuration of a trench line formed in the method of dividing a brittle substrate according to Embodiment 1 of the present invention and a cross-sectional view (B) schematically showing the configuration of a crack line.
4 is a flow chart schematically showing a configuration of a brittle substrate cutting method according to the first embodiment of the present invention.
Fig. 5 is a side view (A) schematically showing the structure of a mechanism used in the method of dividing a brittle substrate according to Embodiment 2 of the present invention, and Fig. 5 is a side view (B) schematically shown at the time point of FIG.
6 is a top view ((A) and (B)) schematically showing a dividing method of a brittle substrate according to Embodiment 2 of the present invention.
7 is a top view ((A) and (B)) schematically showing a dividing method of a brittle substrate according to a first modification of the second embodiment of the present invention.
8 is a top view schematically showing a method of dividing a brittle substrate according to a second modification of the second embodiment of the present invention.
Fig. 9 is a top view schematically showing a breaking method of a brittle substrate according to a third modification of the second embodiment of the present invention. Fig.
10 is a top view schematically showing a first step of a brittle substrate breaking method according to Embodiment 3 of the present invention.
11 is a top view schematically showing the second step of the brittle substrate breaking method according to the third embodiment of the present invention.
12 is a top view schematically showing a third step of the brittle substrate cutting method according to the third embodiment of the present invention.
13 is a top view ((A) and (B)) schematically showing a dividing method of a brittle substrate according to a first modification of the third embodiment of the present invention.
Fig. 14 is a top view schematically showing a breaking method of a brittle substrate according to a second modification of the third embodiment of the present invention. Fig.
15 is a top view ((A) and (B)) schematically showing a dividing method of a brittle substrate according to
16 is a top view ((A) and (B)) schematically showing a breaking method of a brittle substrate according to a fifth embodiment of the present invention.
17 is a top view schematically showing a breaking method of a brittle substrate according to a modification of the fifth embodiment of the present invention.
Fig. 18 is a side view (A) schematically showing the structure of a mechanism used in the method of dividing a brittle substrate according to Embodiment 6 of the present invention, and Fig. 18 is a side view (B) schematically shown at the time point of FIG.
(발명을 실시하기 위한 형태)(Mode for carrying out the invention)
이하, 도면에 기초하여 본 발명의 실시의 형태에 대하여 설명한다. 또한, 이하의 도면에 있어서 동일 또는 상당하는 부분에는 동일한 참조 번호를 붙이고 그 설명은 반복하지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.
(실시의 형태 1)(Embodiment Mode 1)
본 실시의 형태의 취성 기판의 분단 방법에 대하여, 이하에 설명한다.A method of dividing the brittle substrate of the present embodiment will be described below.
도 1(A) 및 도 2(A)를 참조하고, 우선 유리 기판(4)(취성 기판)이 준비된다(도 4:스텝 S10). 유리 기판(4)은, 상면(SF1)(표면)과, 그 반대의 하면(SF2)을 갖는다. 유리 기판(4)은, 상면(SF1)에 수직인 두께 방향(DT)을 갖는다. 또한 날끝(51) 및 생크(shank;52)를 갖는 커팅 기구(50)가 준비된다. 날끝(51)은, 그 홀더로서의 생크(52)에 고정됨으로써 지지되어 있다. 또한, 커팅 기구의 보다 상세한 구조는 실시의 형태 2 및 6에 있어서 설명된다.1 (A) and Fig. 2 (A), a glass substrate 4 (brittle substrate) is first prepared (Fig. 4: step S10). The
다음으로, 유리 기판(4)의 상면(SF1)에 날끝(51)이 밀어붙여진다(도 4:스텝 S20). 다음으로, 밀어붙여진 날끝(51)이 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에서 슬라이딩된다(도 1(A) 중의 화살표 참조).Next, the
도 1(B) 및 도 2(B)를 참조하고, 날끝(51)의 상기 슬라이딩에 의해서 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에 소성 변형이 발생된다. 이에 따라 상면(SF1) 상에, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인(TL)이 형성된다(도 4:스텝 S30). 도 3(A)를 참조하고, 트렌치 라인(TL)을 형성하는 공정은, 트렌치 라인(TL)의 바로 아래에 있어서 유리 기판(4)이 트렌치 라인(TL)의 연재(延在) 방향(도 1(B)에 있어서의 횡방향)과 교차하는 방향(DC)에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스 상태가 얻어지도록 행해진다. 크랙리스 상태에 있어서는, 소성 변형에 의한 트렌치 라인(TL)은 형성되어 있지만, 그에 따른 크랙은 형성되어 있지 않다. 따라서 종래의 브레이크 공정과 같이 유리 기판(4)에 단순히 굽힘 모멘트 등을 발생시키는 외력을 가해도, 트렌치 라인(TL)에 따른 분단은 용이하게는 발생하지 않는다. 이 때문에 크랙리스 상태에 있어서는 트렌치 라인(TL)에 따른 분단 공정은 행해지지 않는다. 크랙리스 상태를 얻기 위하여, 날끝(51)에 가해지는 하중은, 크랙이 발생하지 않는 정도로 작고, 또한 소성 변형이 발생하는 정도로 커진다.1 (B) and Fig. 2 (B), plastic deformation is generated on the upper surface SF1 of the
크랙리스 상태는, 필요한 시간에 걸쳐 유지된다(도 4 : 스텝 S40). 크랙리스 상태의 유지를 위해서는, 트렌치 라인(TL)에 있어서 유리 기판(4)에 대하여 과도한 응력이 가해지는 조작, 예를 들면 기판에 파손을 일으키는 큰 외부 응력의 인가 또는 큰 온도 변화를 수반하는 가열을 피할 수 있으면 좋다. 크랙리스 상태가 유지되면서, 유리 기판(4)이 다음의 공정의 실시 장소로 반송될 수 있다. 또한 크랙리스 상태가 유지되면서, 유리 기판(4)이 다음의 공정의 실시까지 보관될 수 있다.The crackle state is maintained for the required time (Fig. 4: step S40). In order to maintain the cracked state, an operation of applying an excessive stress to the
도 1(C) 및 도 2(C)를 참조하고, 트렌치 라인(TL)의 형성 후, 크랙리스 상태가 유지되면서, 상면(SF1) 상에 적층재(11)(부재)가 설치된다. 적층재(11)를 설치하는 공정은, 예를 들면, 미리 준비된 부재를 접합함으로써, 또는, 원료를 퇴적함으로써 행할 수 있다.Referring to Figs. 1 (C) and 2 (C), after formation of the trench line TL, the laminated material 11 (member) is provided on the upper surface SF1 while the crackle state is maintained. The step of providing the laminate 11 can be performed, for example, by joining members prepared in advance or by depositing a raw material.
적층재(11)는, 상면(SF1) 상에 있어서 트렌치 라인(TL)을 통하여 서로 분리한 부분(11a 및 11b)을 갖는다. 환언하면, 상면(SF1) 상에 있어서 부분(11a 및 11b)은 트렌치 라인(TL)을 사이에 끼우고 있다. 부분(11a 및 11b)은 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에 트렌치 라인(TL)을 통하여 간격(W)으로 배치되어도 좋다. 간격(W)은, 표면(SF1) 상에 있어서 부분(11a 및 11b)의 사이를 통과하도록 날끝(51)을 슬라이딩시키는 동작이 불가능할정도로 작아도 좋다. 왜냐하면 본 실시의 형태에 의하면 그러한 동작이 불필요하기 때문이다. 날끝(51)의 상기 동작이 불가능하게 되는 원인은, 부재(11)와, 날끝(51) 또는 생크(52)의 충돌이다. 간격(W)은, 예를 들면 100㎛ 이하로 될 수 있다. 부분(11a 및 11b)의 각각은 트렌치 라인(TL)에 매우 근접해 있어도 좋다.The
적층재(11)는, 상면(SF1) 상에 있어서 부분(11a 및 11b)의 사이로부터 트렌치 라인(TL)이 돌출하도록 형성되는 것이 바람직하다. 도 1(C)에 있어서는, 부분(11a 및 11b)의 사이의 영역으로부터 트렌치 라인(TL)의 우단부 및 좌단부의 각각이 돌출하고 있다. 트렌치 라인(TL)의 한쪽끝만이 돌출하고 있어도 좋다.The laminate 11 is preferably formed such that the trench line TL protrudes from between the
또한 하면(SF2) 상에도 적층재(12)가 설치되어도 좋다. 적층재(12)는, 서로 분리된 부분(12a 및 12b)을 가져도 좋다.The
추가로, 도 1(D) 및 도 2(D)를 참조하고, 적층재(11)가 형성된 후, 트렌치 라인(TL)을 따라서 두께 방향(DT)에 있어서의 유리 기판(4)의 크랙이 신전된다. 이에 따라, 트렌치 라인(TL)에 대하여 자기 정합적으로 크랙 라인(CL)이 형성된다(도 4:스텝 S50). 도 3(B)를 참조하고, 크랙 라인(CL)에 의해서 트렌치 라인(TL)의 바로 아래에 있어서 유리 기판(4)은 트렌치 라인(TL)의 연재 방향(도 1(B)에 있어서의 횡방향)과 교차하는 방향(DC)에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있다. 여기서 「연속적인 연결」이란, 환언하면, 크랙에 의해서 차단되어 있지 않은 연결을 말한다. 또한, 전술한 바와같이 연속적인 연결이 끊어져 있는 상태에 있어서, 크랙 라인(CL)의 크랙을 통하여 유리 기판(4)의 부분끼리 접촉하고 있어도 좋다.1 (D) and 2 (D), the cracks of the
크랙 라인(CL)의 형성은, 예를 들면, 트렌치 라인(TL)의 단부에 있어서 유리 기판(4)에, 트렌치 라인(TL) 부근의 내부 응력의 왜곡을 해방하는 응력을 인가함으로써 개시된다. 도 1(C)의 예에 있어서는, 트렌치 라인(TL)의 우단부 또는 좌단부에 있어서 유리 기판(4)에 응력이 인가된다. 도 1(C)에 나타내는 바와같이 부분(11a 및 11b)의 사이로부터 트렌치 라인(TL)이 돌출되어 있는 경우, 응력 인가 시에 부분(11a 및 11b)이 장해로 되기 어렵다. 또한 상세한 것은 실시의 형태 2 이후에 후술하지만, 상기의 양단부 중 응력이 인가되는데 보다 바람직한 쪽이 존재할 수 있다. 또한 응력의 인가는, 예를 들면, 형성된 트렌치 라인(TL) 상에 다시 날끝을 밀어붙임에 의한 외부 응력의 인가, 또는, 레이저 광의 조사 등에 의한 가열에 의해서 행할 수 있다.Formation of the crack line CL is started by applying stress to the
또한 도 1(E) 및 도 2(E)를 참조하고, 다음으로, 크랙 라인(CL)을 따라서 유리 기판(4)이 기판편(4a 및 4b)으로 분단된다(도 4:스텝 S60). 즉, 이른바 브레이크 공정이 행해진다. 브레이크 공정은, 예를 들면, 유리 기판(4)에의 외력(FB)(도 2(D))의 인가에 의해서 행할 수 있다. 이에 따라 부분(11a 및 12a)이 형성된 기판편(4a)과, 부분(11b 및 12b)이 형성된 기판편(4b)이 얻어진다.1 (E) and Fig. 2 (E), the
본 실시의 형태에 의하면, 유리 기판(4)이 분단되는 위치를 규정하는 라인으로 하여, 그 바로 아래에 크랙을 갖지 않는 트렌치 라인(TL)이 형성된다. 분단의 직접적인 계기로서 이용되게 되는 크랙 라인(CL)은, 트렌치 라인(TL)을 따라서 크랙을 자기 정합적으로 신전시킴으로써 형성된다. 따라서 트렌치 라인(TL)의 형성 후 또한 크랙 라인(CL)의 형성 전의 유리 기판(4)은, 분단되는 위치가 트렌치 라인(TL)에 의해서 규정되면서도, 크랙 라인(CL)이 아직 형성되어 있지 않기 때문에 용이하게 분단은 발생하지 않는 안정 상태에 있다. 유리 기판(4) 상에 적층재(11)를 설치하는 공정이 이 안정 상태에 있어서 행해짐으로써, 이 공정시에 유리 기판(4)이 의도치 않게 분단되어 버리는 것을 피할 수 있다.According to the present embodiment, the trench line TL having no crack is formed directly below the line defining the position where the
또한 이 공정은 트렌치 라인(TL)의 형성 후에 행해지기 때문에, 트렌치 라인(TL)의 형성을 위한 날끝의 이동이 적층재(11)에 의해서 방해되는 일이 없다. 이에 따라, 트렌치 라인(TL)의 배치와 적층재(11)의 배치는 서로 자유롭게 정해질 수 있다. 따라서 트렌치 라인(TL)이 적층재(11)간의 좁은 영역을 통과하는 구조를 얻는 것이 가능하다. 그 후, 트렌치 라인(TL)을 이용하여 크랙 라인(CL)을 형성하고, 그리고 그에 따라 유리 기판(4)을 분단함으로써, 적층재(11)간의 좁은 영역(도 1(D)에 있어서의 부분(11a 및 11b)의 사이의 영역)을 경계로 하여 유리 기판(4)을 분단할 수 있다.Further, since this process is performed after the formation of the trench line TL, the movement of the edge of the trench for forming the trench line TL is not disturbed by the
이상과 같이, 유리 기판(4) 상에 적층재(11)를 형성하는 공정 중에 유리 기판(4)이 의도치 않게 분단해 버리는 것을 피하면서, 적층재(11)간의 좁은 영역을 경계로 하여 유리 기판(4)을 분단할 수 있다.As described above, while the
또한 본 실시의 형태에 의하면, 적층재(11)의 부분(11a 및 11b)간의 폭(W)을 임의로 좁게 할 수 있다. 이에 따라 부분(11a 및 11b)이 보다 밀집하여 배치될 수 있다. 따라서 유리 기판(4)을 보다 효율적으로 이용할 수 있다.According to the present embodiment, the width W between the
또한 본 실시의 형태는, 적층재(11)가 내열성이 낮은 재료, 예를 들면 합성 수지로 이루어지는 부분을 포함하는 경우에, 특히 유리하다. 왜냐하면 그러한 경우, 적층재의 사이의 좁은 극간에 대응하여 좁은 폭을 갖는 레이저 광에 의한 스크라이브를 행하는 기술을 본 실시 형태의 방법에 대신하여 이용하는 것이, 적층재로의 열적 악영향을 고려하면 곤란하기 때문이다.This embodiment is particularly advantageous when the laminate 11 includes a material having a low heat resistance, for example, a synthetic resin. This is because, in such a case, it is difficult to use the technique of scribing with laser light having a narrow width corresponding to a narrow gap between the lamination materials in place of the method of the present embodiment, considering thermal adverse effects on the lamination material .
또한 본 실시의 형태에 있어서의 크랙 라인(CL)의 형성 공정은, 이른바 브레이크 공정과 본질적으로 상이하다. 브레이크 공정은, 이미 형성되어 있는 크랙을 두께 방향으로 더욱 신전시켜, 기판을 완전하게 분리하는 것이다. 한편, 크랙 라인(CL)의 형성 공정은, 트렌치 라인(TL)의 형성에 의해서 얻어진 크랙리스 상태로부터, 크랙을 갖는 상태로의 변화를 가져오는 것이다. 이 변화는, 크랙리스 상태가 갖는 내부 응력의 개방에 의해서 발생한다고 생각된다. 트렌치 라인(TL)의 형성시의 소성 변형 상태, 및 트렌치 라인(TL)의 형성에 의해서 생성되는 내부 응력의 크기나 방향성 등의 상태는, 회전날의 전동이 이용되는 경우와, 본 실시의 형태와 같이 날끝의 슬라이딩이 이용되는 경우에서는 상이하다고 생각되고, 날끝의 슬라이딩이 이용되는 경우에는, 보다 넓은 스크라이브 조건에 있어서 크랙이 발생하기 쉬워진다. 또한 내부 응력의 개방에는 어떠한 계기가 필요하고, 전술한 바와같은 외부로부터의 응력 인가에 의한 트렌치 라인(TL) 상의 크랙의 발생이 그러한 계기로서 작용한다고 생각된다. 트렌치 라인(TL) 및 크랙 라인(CL)의 적합한 형성 방법의 상세는, 이하의 실시의 형태 2∼6에 있어서 설명한다.The process of forming the crack line CL in this embodiment is essentially different from the so-called break process. In the breaking process, the already formed crack is further extended in the thickness direction to completely separate the substrate. On the other hand, the step of forming the crack line CL causes a change from a crackle state obtained by forming the trench line TL to a state having a crack. It is considered that this change is caused by the opening of the internal stress of the crackle state. The plastic deformation state at the time of formation of the trench line TL and the state such as the magnitude and direction of the internal stress generated by the formation of the trench line TL are the same as in the case where the rotation of the rotary blade is used, It is considered that the sliding is used in the case where the sliding of the nose end is used, and when sliding of the nose end is used, the crack is likely to occur in the wider scribe condition. Further, it is considered that what kind of instrument is required to open the internal stress, and the occurrence of cracks on the trench line TL due to application of stress from outside as described above acts as such an instrument. Details of a suitable formation method of the trench line TL and the crack line CL will be described in the following second to sixth embodiments.
(실시의 형태 2) (Embodiment 2)
처음으로, 본 실시의 형태에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 있어서 이용되는 날끝에 대하여, 이하에 설명한다.First, the blade edge used in the breaking method of the brittle substrate in the present embodiment will be described below.
도 5(A) 및 (B)를 참조하고, 날끝(51)에는, 천면(天面;SD1)(제1 면)과, 천면(SD1)을 둘러싸는 복수의 면이 형성되어 있다. 이들 복수의 면은 측면(SD2)(제2 면) 및 측면(SD3)(제3 면)을 포함한다. 천면(SD1), 측면(SD2 및 SD3)(제1∼제3 면)은, 서로 상이한 방향을 향하고 있고, 또한 서로 이웃하고 있다. 날끝(51)은, 천면(SD1), 측면(SD2 및 SD3)이 합류하는 정점(頂点)을 갖고, 이 정점에 의해서 날끝(51)의 돌기부(PP)가 구성되어 있다. 또한 측면(SD2 및 SD3)은, 날끝(51)의 측부(PS)를 구성하는 능선을 이루고 있다. 측부(PS)는 돌기부(PP)로부터 선상(線狀)으로 연장되어 있다. 또한 측부(PS)는, 전술한 바와같이 능선인 점에서, 선상으로 연장되는 볼록 형상을 갖는다.5A and 5B, a plurality of surfaces surrounding the top surface SD1 (first surface) and the top surface SD1 are formed on the
날끝(51)은 다이아몬드 포인트인 것이 바람직하다. 즉 날끝(51)은, 경도 및 표면 거칠기를 작게 할 수 있는 점에서 다이아몬드로 만들어져 있는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 날끝(51)은 단결정 다이아몬드로 만들어져 있다. 더욱 바람직하게는 결정학적으로 말하여, 천면(SD1)은 {001}면이고, 측면(SD2 및 SD3)의 각각은 {111}면이다. 이 경우, 측면(SD2 및 SD3)은, 상이한 방향을 갖지만, 결정학 상, 서로 등가인 결정면이다.The
또한 단결정이 아닌 다이아몬드가 이용되어도 좋고, 예를 들면, CVD(Chemical Vapor Deposition)법으로 합성된 다결정체 다이아몬드가 이용되어도 좋다. 혹은, 미립의 그래파이트나 비(非)그래파이트상 탄소로부터, 철족 원소 등의 결합재를 포함하지 않고 소결된 다결정체 다이아몬드 입자를 철족 원소 등의 결합재에 의해서 결합시킨 소결 다이아몬드가 이용되어도 좋다.Further, a diamond other than a single crystal may be used. For example, a polycrystalline diamond synthesized by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method may be used. Alternatively, a sintered diamond obtained by bonding polycrystalline diamond particles sintered from fine graphite or non-graphitized carbon, which does not contain a binding material such as an iron family element, with a binding material such as an iron family element may be used.
생크(52)는 축 방향(AX)을 따라서 연재하고 있다. 날끝(51)은, 천면(SD1)의 법선 방향이 축 방향(AX)에 대략 따르도록 생크(52)에 부착되는 것이 바람직하다.The
커팅 기구(50)를 이용하여 트렌치 라인(TL)(도 3(A))을 형성하기 위해서는, 유리 기판(4)의 상면(SF1)에, 날끝(51)의 돌기부(PP) 및 측부(PS)가, 유리 기판(4)이 갖는 두께 방향(DT)으로 밀어붙여진다. 다음으로 측부(PS)를 상면(SF1) 상에 투영한 방향을 대략 따라, 날끝(51)이 상면(SF1) 상을 슬라이딩된다. 이에 따라 상면(SF1) 상에, 수직 크랙을 수반하지 않는 홈 형상의 트렌치 라인(TL)이 형성된다. 트렌치 라인(TL)은 유리 기판(4)의 소성 변형에 의해서 발생하지만, 이 때에 유리 기판(4)이 약간 깎여도 좋다. 다만 이러한 깎임은 미세한 파편을 발생시킬 수 있기 때문에, 가능한 한 적은 것이 바람직하다.3 (A)) is formed on the upper surface SF1 of the
날끝(51)의 슬라이딩에 의해서, 트렌치 라인(TL) 및 크랙 라인(CL)(도 3(B))이 동시에 형성되는 경우와, 트렌치 라인(TL)만이 형성되는 경우가 있다. 크랙 라인(CL)은, 트렌치 라인(TL)의 패임으로부터 두께 방향(DT)으로 신전한 크랙이고, 상면(SF1) 상에 있어서는 선상으로 연장되어 있다. 후술하는 방법에 의하면, 트렌치 라인(TL)만이 형성된 후, 그에 따라 크랙 라인(CL)을 형성할 수 있다.The trench line TL and the crack line CL (Fig. 3 (B)) are formed at the same time, and only the trench line TL is formed by sliding the
다음으로, 유리 기판(4)의 분단 방법에 대하여, 이하에 설명한다.Next, the method of dividing the
도 6(A)를 참조하고, 스텝 S10(도 4)에서, 우선 유리 기판(4)이 준비된다. 유리 기판(4)은 평탄한 상면(SF1)을 갖는다. 상면(SF1)을 둘러싸는 가장자리는, 서로 대향하는 변(ED1)(제1 변) 및 변(ED2)(제2 변)을 포함한다. 도 6(A)에서 나타내는 예에 있어서는, 가장자리는 장방 형상이다. 따라서 변(ED1 및 ED2)은 서로 평행한 변이다. 또한 도 6(A)에서 나타내는 예에 있어서는 변(ED1 및 ED2)은 장방형의 단변이다. 또한 유리 기판(4)은, 상면(SF1)에 수직인 두께 방향(DT)(도 5(A))을 갖는다.Referring to Fig. 6 (A), in step S10 (Fig. 4), the
다음으로, 스텝 S20(도 4)에서, 상면(SF1)에 날끝(51)이 위치(N1)에서 밀어붙여진다. 위치(N1)의 상세는 후술한다. 날끝(51)의 밀어붙임은, 도 5(A)를 참조하고, 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에서 날끝(51)의 돌기부(PP)가 변(ED1) 및 측부(PS)의 사이에 배치되도록, 또한 날끝(51)의 측부(PS)가 돌기부(PP)와 변(ED2)의 사이에 배치되도록 행해진다.Next, in step S20 (Fig. 4), the
다음으로, 스텝 S30(도 4)에서, 상면(SF1) 상에 복수의 트렌치 라인(TL)(도면 중에서는 5개의 라인)이 형성된다. 트렌치 라인(TL)의 형성은, 위치(N1)(제1 위치) 및 위치(N3)의 사이에서 행해진다. 위치(N1 및 N3)의 사이에는 위치(N2)(제2 위치)가 위치한다. 따라서 트렌치 라인(TL)은, 위치(N1 및 N2)의 사이와, 위치(N2 및 N3)의 사이에 형성된다.Next, in step S30 (Fig. 4), a plurality of trench lines TL (five lines in the figure) are formed on the upper surface SF1. The formation of the trench line TL is performed between the position N1 (first position) and the position N3. A position N2 (second position) is located between the positions N1 and N3. Therefore, the trench line TL is formed between the positions N1 and N2 and between the positions N2 and N3.
위치(N1 및 N3)는, 도 6(A)에 나타내는 바와같이 유리 기판(4)의 상면(SF1)의 가장자리로부터 떨어져 위치해도 좋고, 혹은, 그 한쪽 또는 양쪽이 상면(SF1)의 가장자리에 위치해도 좋다. 형성되는 트렌치 라인(TL)은, 전자의 경우는 유리 기판(4)의 가장자리로부터 떨어져 있고, 후자의 경우는 유리 기판(4)의 가장자리에 접하고 있다.The positions N1 and N3 may be located apart from the edge of the upper surface SF1 of the
위치(N1 및 N2) 중 위치(N1)의 쪽이 변(ED1)에 보다 가깝고, 또한 위치(N1 및 N2) 중 위치(N2)의 쪽이 변(ED2)에 보다 가깝다. 또한 도 6(A)에 나타내는 예에서는, 위치(N1)는 변(ED1 및 ED2) 중 변(ED1)에 가깝고, 위치(N2)는 변(ED1 및 ED2) 중 변(ED2)에 가깝지만, 위치(N1 및 N2)의 양쪽이 변(ED1 또는 ED2) 중 어느 한쪽의 가까이에 위치해도 좋다.The position N1 of the positions N1 and N2 is closer to the side ED1 and the position N2 of the positions N1 and N2 is closer to the side ED2. 6A, the position N1 is close to the side ED1 of the sides ED1 and ED2 and the position N2 is close to the side ED2 of the sides ED1 and ED2, Both of the nodes N1 and N2 may be located near either of the sides ED1 or ED2.
트렌치 라인(TL)이 형성될 때에는, 본 실시의 형태에 있어서는, 위치(N1)로부터 위치(N2)로 날끝(51)이 변위되고, 추가로 위치(N2)로부터 위치(N3)로 변위된다. 즉, 도 5(A)를 참조하고, 날끝(51)이, 변(ED1)으로부터 변(ED2)으로 향하는 방향인 방향(DA)으로 변위된다. 방향(DA)은, 날끝(51)으로부터 연장되는 축(AX)을 상면(SF1) 상에 투영한 방향에 대응하고 있다. 이 경우, 날끝(51)은 생크(52)에 의해서 상면(SF1) 상에 끌려 슬라이딩된다.When the trench line TL is formed, in this embodiment, the
도 6(B)를 참조하고, 다음으로, 실시의 형태 1에서 설명한 크랙리스 상태(도 3(a))가 소망하는 시간에 걸쳐 유지된다. 그 사이에, 스텝 S40(도 4)으로서, 실시의 형태 1과 동일하게 적층재(11)가 형성된다. 적층재는 상면(SF1) 상에 있어서 적층재(11) 부분의 사이로부터 트렌치 라인(TL)이 변(ED2)을 향하여 돌출하도록 형성된다.Referring to Fig. 6 (B), next, the crackle state (Fig. 3 (a)) described in the first embodiment is maintained for a desired time. In the meantime, as step S40 (Fig. 4), the
다음으로 스텝 S50(도 4)에서, 트렌치 라인(TL)을 따라서 위치(N2)로부터 위치(N1)의 쪽으로(도면 중, 파선 화살표 참조), 두께 방향(DT)(도 3(B))에 있어서의 유리 기판(4)의 크랙을 신전시킴으로써 크랙 라인(CL)이 형성된다. 크랙 라인(CL)의 형성은, 어시스트 라인(AL) 및 트렌치 라인(TL)이 위치(N2)에서 서로 교차함으로써 개시된다. 이 목적으로, 트렌치 라인(TL)을 형성한 후에 어시스트 라인(AL)이 형성된다. 어시스트 라인(AL)은, 두께 방향(DT)에 있어서의 크랙을 수반하는 통상의 스크라이브 라인이고, 트렌치 라인(TL) 부근의 내부 응력의 왜곡을 해방하는 것이다. 어시스트 라인(AL)의 형성 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 도 6(B)에 나타내는 바와같이, 상면(SF1)의 가장자리를 기점으로 하여 형성되어도 좋다.Next, in the step S50 (Fig. 4), the thickness direction DT (see Fig. 3B) from the position N2 to the position N1 (see the broken line arrow in the figure) along the trench line TL The crack line CL is formed by expanding the cracks of the
또한 위치(N2)로부터 위치(N1)로의 방향에 비하여, 위치(N2)로부터 위치(N3)로의 방향으로는, 크랙 라인(CL)이 형성되기 어렵다. 즉 크랙 라인(CL)의 신전의 용이함에는 방향 의존성이 존재한다. 따라서 크랙 라인(CL)이 위치(N1 및 N2)의 사이에는 형성되고, 위치(N2 및 N3)의 사이에는 형성되지 않는다는 현상이 발생할 수 있다. 본 실시의 형태는 위치(N1 및 N2)간에 따른 유리 기판(4)의 분단을 목적으로 하고 있고, 위치(N2 및 N3)간에 따른 유리 기판(4)의 분리는 목적으로 하지 않는다. 따라서 위치(N1 및 N2)간에서 크랙 라인(CL)이 형성되는 것이 필요한 한편으로, 위치(N2 및 N3)간에서의 크랙 라인(CL)의 형성되기 어려움은 문제가 되지 않는다.The crack line CL is hardly formed in the direction from the position N2 to the position N3 in comparison with the direction from the position N2 to the position N1. In other words, there is a direction dependency in easiness of extension of the crack line CL. Therefore, a phenomenon may occur that the crack line CL is formed between the positions N1 and N2 and not between the positions N2 and N3. This embodiment aims at the division of the
다음으로, 스텝 S60(도 4)에서, 크랙 라인(CL)을 따라서 유리 기판(4)이 분단된다. 구체적으로는 브레이크 공정이 행해진다. 또한 크랙 라인(CL)이 그 형성시에 두께 방향(DT)으로 완전하게 진행한 경우는, 크랙 라인(CL)의 형성과 유리 기판(4)의 분단이 동시에 발생할 수 있다. 이 경우, 브레이크 공정을 생략할 수 있다.Next, in step S60 (Fig. 4), the
이상에 의해 유리 기판(4)의 분단이 행해진다.As a result, the
다음으로, 상기 분단 방법의 제1∼제3의 변형예에 대하여, 이하에 설명한다.Next, the first to third modified examples of the dividing method will be described below.
도 7(A)를 참조하고, 제1의 변형예는, 어시스트 라인(AL)과 트렌치 라인(TL)의 교차가, 크랙 라인(CL)(도 6(B))의 형성 개시의 계기로서 불충분한 경우에 관한 것이다. 도 7(B)를 참조하고, 유리 기판(4)에, 굽힘 모멘트 등을 발생시키는 외력을 더함으로써, 어시스트 라인(AL)을 따라서 유리 기판(4)이 분리된다. 이에 따라 크랙 라인(CL)의 형성이 개시된다.7A, the first modification is such that the intersection of the assist line AL and the trench line TL is insufficient as an opportunity to start the formation of the crack line CL (Fig. 6B) Quot; 7B, the
또한, 도 7(A)에 있어서는 어시스트 라인(AL)이 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에 형성되지만, 유리 기판(4)을 분리하기 위한 어시스트 라인(AL)은 유리 기판(4)의 하면(SF2) 상에 형성되어도 좋다. 이 경우, 어시스트 라인(AL) 및 트렌치 라인(TL)은, 평면 레이아웃 상, 위치(N2)에서 서로 교차하지만, 서로 직접 접촉은 하지 않는다.7 (A), the assist line AL is formed on the upper surface SF1 of the
또한 제1의 변형예에 있어서는, 유리 기판(4)의 분리에 의해 트렌치 라인(TL) 부근의 내부 응력의 왜곡이 해방되고, 그에 따라 크랙 라인(CL)의 형성이 개시된다. 따라서 어시스트 라인(AL) 자신이, 트렌치 라인(TL)에 응력을 더함으로써 형성된 크랙 라인(CL)이라도 좋다.In the first modified example, the distortion of the internal stress in the vicinity of the trench line TL is released by the separation of the
도 8을 참조하고, 제2의 변형예에 있어서는, 스텝 S20(도 4)에서, 유리 기판(4)의 상면(SF1)에 날끝(51)이 위치(N3)에서 밀어붙여진다. 스텝 S30(도 4)에서, 트렌치 라인(TL)이 형성될 때는, 본 변형예에 있어서는, 위치(N3)로부터 위치(N2)로 날끝(51)이 변위되고, 추가로 위치(N2)로부터 위치(N1)로 변위된다. 즉, 도 5를 참조하고, 날끝(51)이, 변(ED2)으로부터 변(ED1)으로 향하는 방향인 방향(DB)으로 변위된다. 방향(DB)은, 날끝(51)으로부터 연장되는 축(AX)을 상면(SF1) 상에 투영 한 방향과 반대 방향에 대응하고 있다. 이 경우, 날끝(51)은 생크(52)에 의해서 상면(SF1) 상을 밀려나아간다.8, in the second modified example, the
도 9를 참조하고, 제3의 변형예에 있어서는, 스텝 S30(도 4)에서 트렌치 라인(TL)이 형성될 때에, 날끝(51)은 유리 기판(4)의 상면(SF1)에 위치(N1)에 비하여 위치(N2)에서 보다 큰 힘으로 밀어붙여진다. 구체적으로는, 위치(N4)를 위치(N1 및 N2)의 사이의 위치로서, 트렌치 라인(TL)의 형성이 위치(N4)에 이른 시점에서, 날끝(51)의 하중이 높아진다. 환언하면, 트렌치 라인(TL)의 하중이, 위치(N1)에 비하여, 트렌치 라인(TL)의 종단부인 위치(N4 및 N3)의 사이에서 높아진다. 이에 따라, 종단부 이외에서의 하중을 경감하면서, 위치(N2)로부터의 크랙 라인(CL)의 형성을 야기되기 쉽게 할 수 있다.9, in the third modified example, when the trench line TL is formed in step S30 (FIG. 4), the
본 실시의 형태에 의하면, 트렌치 라인(TL)으로부터 크랙 라인(CL)을, 보다 확실하게 형성할 수 있다.According to the present embodiment, the crack line CL can be more reliably formed from the trench line TL.
또한, 후술하는 실시의 형태 3과 달리 본 실시의 형태에 있어서는, 트렌치 라인(TL)이 형성된 시점(도 6(A))에서는 어시스트 라인(AL)은 아직 형성되어 있지 않다. 따라서 크랙리스 상태를, 어시스트 라인(AL)으로부터의 영향없이, 보다 안정적으로 유지할 수 있다. 또한, 크랙리스 상태의 안정성이 문제가 되지 않는 경우는, 어시스트 라인(AL)이 형성되어 있지 않은 도 6(A)의 상태 대신에, 어시스트 라인(AL)이 형성된 도 7(a)의 상태에서 적층재(11)가 형성되어도 좋다.Unlike the third embodiment described later, in this embodiment, the assist line AL is not yet formed at the point of time when the trench line TL is formed (Fig. 6 (A)). Therefore, the crackle state can be more stably maintained without the influence from the assist line (AL). 7A in which the assist line AL is formed instead of the state shown in Fig. 6A in which the assist line AL is not formed, when the stability in the cracked state does not matter, The
(실시의 형태 4)(Fourth Embodiment)
본 실시의 형태에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 대하여, 도 10∼도 12를 이용하면서, 이하에 설명한다.The method of dividing the brittle substrate in the present embodiment will be described below with reference to Figs. 10 to 12. Fig.
도 10을 참조하고, 본 실시의 형태에 있어서는 어시스트 라인(AL)이 트렌치 라인(TL)의 형성 전에 형성된다. 어시스트 라인(AL)의 형성 방법 자체는, 도 6(B)(실시의 형태 2)와 동일하다.Referring to Fig. 10, in this embodiment, the assist line AL is formed before the formation of the trench line TL. The method of forming the assist line AL itself is the same as that of Fig. 6B (Embodiment 2).
도 11을 참조하고, 다음으로, 스텝 S20(도 4)에서 상면(SF1)에 날끝(51)이 밀어붙여지고, 그리고 스텝 S30(도 4)에서, 트렌치 라인(TL)이 형성된다. 트렌치 라인(TL)의 형성 방법 자체는, 도 6(A)(실시의 형태 2)와 동일하다. 어시스트 라인(AL) 및 트렌치 라인(TL)은 위치(N2)에서 서로 교차한다. 다음으로, 실시의 형태 2와 동일하게, 스텝 S40(도 4)이 행해진다.11, next, the
도 12를 참조하고, 다음으로, 스텝 S40(도 4)으로서 실시 형태 2와 동일하게 적층재(11)가 형성된다. 다음으로, 유리 기판(4)에 굽힘 모멘트 등을 발생시키는 외력을 더하는 통상의 브레이크 공정에 의해서, 어시스트 라인(AL)을 따라서 유리 기판(4)이 분리된다. 이에 따라, 스텝 S50(도 5)으로서, 실시 형태 1과 동일한 크랙 라인(CL)의 형성이 개시된다(도면 중, 파선 화살표 참조). 또한, 도 10에 있어서는 어시스트 라인(AL)이 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에 형성되지만, 유리 기판(4)을 분리하기 위한 어시스트 라인(AL)은 유리 기판(4)의 하면(SF2) 상에 형성되어도 좋다. 이 경우, 어시스트 라인(AL) 및 트렌치 라인(TL)은, 평면 레이아웃 상, 위치(N2)에서 서로 교차하지만, 서로 직접 접촉은 하지 않는다.Next, referring to Fig. 12, a
또한, 상기 이외의 구성에 대해서는, 전술한 실시의 형태 2의 구성과 거의 같다.The configuration other than the above is almost the same as the configuration of the second embodiment described above.
도 13(A)를 참조하고, 제1의 변형예에 있어서는, 어시스트 라인(AL)은 유리 기판(4)의 하면(SF2) 상에 형성된다. 그리고, 도 8(실시의 형태 2)과 동일하게, 트렌치 라인(TL)의 형성이 위치(N3)로부터 위치(N1)로 행해진다. 도 13(B)를 참조하고, 적층재(11)가 형성된 후, 유리 기판(4)에 굽힘 모멘트 등을 발생시키는 외력을 더함으로써 어시스트 라인(AL)을 따라서 유리 기판(4)이 분리된다. 이에 따라 크랙 라인(CL)의 형성이 개시된다(도면 중, 파선 화살표 참조).Referring to Fig. 13 (A), in the first modification, the assist line AL is formed on the lower surface SF2 of the
도 14를 참조하고, 제2의 변형예에 있어서는, 스텝 S30(도 4)에서 트렌치 라인(TL)이 형성될 때에, 날끝(51)은 유리 기판(4)의 상면(SF1)의 위치(N1)에 비하여 위치(N2)에서 보다 큰 힘으로 밀어붙여진다. 구체적으로는, 위치(N4)를 위치(N1 및 N2)의 사이의 위치로서, 트렌치 라인(TL)의 형성이 위치(N4)에 이른 시점에서, 날끝(51)의 하중이 높아진다. 환언하면, 트렌치 라인(TL)의 하중이, 위치(N1)에 비하여, 트렌치 라인(TL)의 종단부인 위치(N4 및 N3)의 사이에서 높아진다. 이에 따라, 종단부 이외에서의 하중을 경감하면서, 위치(N2)로부터의 크랙 라인(CL)의 형성을 야기되기 쉽게 할 수 있다.14, in the second modified example, when the trench line TL is formed in step S30 (FIG. 4), the
(실시의 형태 4)(Fourth Embodiment)
도 15(A)를 참조하고, 본 실시의 형태에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 있어서는, 스텝 S30(도 4)에서, 위치(N1)로부터 위치(N2)를 경유하여 변(ED2)에 도달하는 트렌치 라인(TL)이 형성된다. 15 (A), in the method of dividing the brittle substrate according to the present embodiment, in the step S30 (FIG. 4), the position ED2 is reached from the position N1 via the position N2 A trench line TL is formed.
도 15(B)를 참조하고, 다음으로 실시 형태 2와 동일하게, 스텝 S40(도 4)으로서 적층재(11)가 형성된다. 다음으로 위치(N2)와 변(ED2)의 사이에, 트렌치 라인(TL) 부근의 내부 응력의 왜곡을 해방시키는 응력이 가해진다. 이에 따라, 트렌치 라인(TL)에 따른 크랙 라인의 형성이 야기된다(도 4:스텝 S50).Referring to Fig. 15 (B), a
응력의 인가로서 구체적으로는, 상면(SF1) 상에 있어서 위치(N2)와 변(ED2)의 사이(도면 중, 파선 및 변(ED2)의 사이의 영역)에서, 밀어붙여진 날끝(51)이 슬라이딩된다. 이 슬라이딩은 변(ED2)에 도달할 때까지 행해진다. 날끝(51)은 바람직하게는 최초로 형성된 트렌치 라인(TL)의 궤도에 교차하도록, 보다 바람직하게는 최초로 형성된 트렌치 라인(TL)의 궤도에 겹쳐지도록 슬라이딩된다. 이 재차의 슬라이딩의 길이는, 예를 들면 0.5mm 정도이다. 또한 이 재차의 슬라이딩은, 복수의 트렌치 라인(TL)(도 15(A))이 형성된 후에 각각에 대하여 행해져도 좋고, 혹은, 1개의 트렌치 라인(TL)의 형성 및 재차의 슬라이딩을 행하는 공정이 트렌치 라인(TL)마다 순차적으로 행해져도 좋다.Concretely as the application of the stress, in the area between the position N2 and the edge ED2 (the area between the broken line and the edge ED2 in the figure) on the upper face SF1, Lt; / RTI > This sliding is performed until the side ED2 is reached. The
변형예로서, 위치(N2)와 변(ED2)의 사이에 응력을 더하기 위하여, 전술한 날끝(51)의 재차의 슬라이딩에 대신하여, 상면(SF1) 상에 있어서 위치(N2)와 변(ED2)의 사이에 레이저 광이 조사되어도 좋다. 이에 따라 발생한 열 응력에 의해서도, 트렌치 라인(TL) 부근의 내부 응력의 왜곡이 해방되고, 그에 따라 크랙 라인의 형성 개시를 야기할 수 있다.As a modified example, in order to add stress between the position N2 and the side ED2, in place of the above-described sliding of the
또한, 상기 이외의 구성에 대해서는, 전술한 실시의 형태 2의 구성과 거의 동일하다.The configuration other than the above is almost the same as the configuration of the second embodiment described above.
(실시의 형태 5) (Embodiment 5)
도 16(A)을 참조하고, 본 실시의 형태에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 있어서는, 스텝 S30(도 4)에서, 위치(N1)로부터 위치(N2)에, 그리고 추가로 위치(N3)로 날끝(51)을 변위시킴으로써, 상면(SF1)의 가장자리로부터 떨어진 트렌치 라인(TL)이 형성된다. 트렌치 라인(TL)의 형성 방법 자체는 도 6(A)(실시의 형태 2)와 거의 동일하다.16A, in the method of dividing a brittle substrate according to the present embodiment, the position N2 is moved from the position N1 to the position N2 in the step S30 (Fig. 4) , The trench line TL is formed away from the edge of the upper surface SF1. The formation method of the trench line TL itself is almost the same as that of Fig. 6A (Embodiment 2).
도 16(B)를 참조하고, 다음으로 실시 형태 2와 동일하게, 스텝 S40(도 4)으로서 적층재(11)가 형성된다. 다음으로 도 15(B)(실시의 형태 4 또는 그 변형예)와 동일한 응력 인가가 행해진다. 이에 따라 트렌치 라인(TL)을 따른 크랙 라인의 형성이 야기된다(도 4:스텝 S50).Referring to Fig. 16 (B), the
도 17을 참조하고, 도 16(A)의 공정의 변형예로서, 트렌치 라인(TL)의 형성에 있어서, 날끝(51)이 위치(N3)로부터 위치(N2)로 그리고 위치(N2)로부터 위치(N1)로 변위되어도 좋다.17, as a modification of the process of Fig. 16A, in the formation of the trench line TL, the
또한, 상기 이외의 구성에 대해서는, 전술한 실시의 형태 2의 구성과 거의 동일하다.The configuration other than the above is almost the same as the configuration of the second embodiment described above.
(실시의 형태 6) (Embodiment 6)
도 18(A) 및 (B)를 참조하고, 상기 각 실시의 형태에 있어서, 날끝(51)(도 5(A) 및 (B))에 대신하여, 날끝(51v)이 이용되어도 좋다. 날끝(51v)은, 정점과, 원추면(SC)을 갖는 원추 형상을 갖는다. 날끝(51v)의 돌기부(PPv)는 정점으로 구성되어 있다. 날끝의 측부(PSv)는 정점으로부터 원추면(SC) 상으로 연장되는 가상선(도 18(B)에 있어서의 파선)을 따라서 구성되어 있다. 이에 따라 측부(PSv)는, 선상으로 연장되는 볼록 형상을 갖는다.18 (A) and 18 (B), in each of the above-described embodiments, a
상기 각 실시의 형태에 있어서는 유리 기판의 가장자리의 제1 및 제2 변이 장방형의 단변이지만, 제1 및 제2 변은 장방형의 장변이라도 좋다. 또한 가장자리의 형상은 장방형에 한정되는 것이 아니고, 예를 들어 정방형이라도 좋다. 또한 제1 및 제2 변은 직선상의 것에 한정되는 것은 아니고 곡선상이라도 좋다. 또한 상기 각 실시의 형태에 있어서는 유리 기판의 면이 평탄하지만, 유리 기판의 면은 만곡해 있어도 좋다.In each of the above embodiments, the first and second sides of the edge of the glass substrate are rectangular short sides, but the first and second sides may be rectangular long sides. Further, the shape of the edge is not limited to the rectangular shape, and may be square, for example. In addition, the first and second sides are not limited to straight lines but may be curved lines. In each of the above embodiments, the surface of the glass substrate is flat, but the surface of the glass substrate may be curved.
전술한 분단 방법에 특히 적합한 취성 기판으로서 유리 기판이 이용되지만, 취성 기판은 유리 기판에 한정되는 것은 아니다. 취성 기판은, 유리 이외에, 예를 들면, 세라믹스, 실리콘, 화합물 반도체, 사파이어, 또는 석영으로 만들어질 수 있다.A glass substrate is used as the brittle substrate particularly suitable for the above-described separation method, but the brittle substrate is not limited to the glass substrate. The brittle substrate may be made of, for example, ceramics, silicon, compound semiconductor, sapphire, or quartz in addition to glass.
본 발명은, 그 발명의 범위 내에 있어서, 각 실시의 형태를 자유롭게 조합하거나 각 실시의 형태를 적절히, 변형, 생략하는 것이 가능하다.The present invention can freely combine the embodiments of the present invention within the scope of the invention, or appropriately modify or omit the embodiments.
4 : 유리 기판(취성 기판)
11 : 적층재(부재)
50 : 커팅 기구
51, 51v : 날끝
52 : 생크
AL : 어시스트 라인
CL : 크랙 라인
ED1 : 변(제1 변)
ED2 : 변(제2 변)
N1 : 위치(제1 위치)
N2 : 위치(제2 위치)
SF1 : 상면(표면)
SF2 : 하면
TL : 트렌치 라인
PP, PPv : 돌기부
PS, PSv : 측부4: Glass substrate (brittle substrate)
11: laminated material (member)
50:
51, 51v: end point
52: Shank
AL: assist line
CL: crack line
ED1: side (first side)
ED2: side (second side)
N1: Position (first position)
N2: position (second position)
SF1: upper surface (surface)
SF2: when
TL: Trench line
PP, PPv:
PS, PSv: Side
Claims (5)
상기 취성 기판의 상기 표면에 날끝을 밀어붙이는 공정과,
상기 밀어붙이는 공정에 의해서 밀어붙여진 상기 날끝을 상기 취성 기판의 상기 표면 상에서 슬라이딩시킴으로써 상기 취성 기판의 상기 표면 상에 소성 변형을 발생시킴으로써, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 트렌치 라인을 형성하는 공정은, 상기 트렌치 라인의 바로 아래에 있어서 상기 취성 기판이 상기 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스 상태가 얻어지도록 행해지고, 추가로
상기 트렌치 라인을 형성하는 공정 후, 상기 표면 상에 부재를 형성하는 공정을 구비하고, 상기 부재는, 상기 표면 상에 있어서 상기 트렌치 라인을 통하여 상호 분리된 부분을 갖고, 추가로,
상기 부재를 배치하는 공정 후에, 상기 트렌치 라인을 따라서 상기 두께 방향에 있어서의 상기 취성 기판의 크랙을 신전시킴으로써, 크랙 라인을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 크랙 라인에 의해서 상기 트렌치 라인의 바로 아래에 있어서 상기 취성 기판은 상기 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있고, 추가로
상기 크랙 라인을 따라서 상기 취성 기판을 분단하는 공정을 구비하는, 취성 기판의 분단 방법.Preparing a brittle substrate having a surface and a thickness direction perpendicular to the surface,
A step of pushing a blade tip onto the surface of the brittle substrate,
Forming a trench line having a groove shape by causing plastic deformation on the surface of the brittle substrate by sliding the edge pressed by the pressing step on the surface of the brittle substrate, The step of forming the line is carried out so as to obtain a crackle state in a state in which the brittle substrate is continuously connected in the direction crossing the trench line immediately below the trench line,
And forming a member on the surface after the step of forming the trench line, the member having a portion separated from each other through the trench line on the surface,
And a step of forming a crack line by extending a crack of the brittle substrate in the thickness direction along the trench line after the step of disposing the member so as to form a crack line, Wherein the brittle substrate is continuously disconnected in a direction crossing the trench line,
And dividing the brittle substrate along the crack line.
상기 부재를 형성하는 공정은, 상기 표면 상에 있어서, 서로 분리된 상기 부분의 사이로부터 상기 트렌치 라인이 돌출하도록 행해지는, 취성 기판의 분단 방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the member is performed so that the trench line protrudes from between the portions separated from each other on the surface.
상기 부재를 형성하는 공정에 있어서, 상기 부분은 상기 취성 기판의 상기 표면 상에 상기 트렌치 라인을 통하여 100㎛ 이하의 간격으로 배치되는, 취성 기판의 분단 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein in the step of forming the member, the portion is disposed on the surface of the brittle substrate through the trench line at an interval of 100 mu m or less.
상기 취성 기판을 준비하는 공정에 있어서, 상기 취성 기판은 유리로 만들어져 있는, 취성 기판의 분단 방법.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein in the step of preparing the brittle substrate, the brittle substrate is made of glass.
상기 취성 기판을 준비하는 공정에 있어서, 상기 표면은, 서로 대향하는 제1 및 제2 변을 포함하는 가장자리에 둘러싸여 있고,
상기 날끝을 밀어붙이는 공정에 있어서, 상기 날끝은, 돌기부와, 상기 돌기부로부터 연장되고 또한 볼록 형상을 갖는 측부를 갖고, 상기 날끝을 밀어붙이는 공정은 상기 취성 기판의 상기 표면 상에서 상기 날끝의 상기 측부가 상기 돌기부와 상기 제2 변의 사이에 배치되도록 행해지고,
상기 트렌치 라인을 형성하는 공정에 있어서, 상기 트렌치 라인은, 제1 위치와, 상기 제1 위치보다 상기 제2 변에 가까운 제2 위치의 사이에서 형성되고,
상기 크랙 라인을 형성하는 공정은, 상기 트렌치 라인을 따라서 상기 제2 위치로부터 상기 제1 위치로, 상기 두께 방향에 있어서의 상기 취성 기판의 크랙을 신전시킴으로써 행해지는 취성 기판의 분단 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein in the step of preparing the brittle substrate, the surface is surrounded by the edges including the first and second sides facing each other,
Wherein the blade edge has a protruding portion and a side portion extending from the protruding portion and having a convex shape, and the step of pressing the blade edge is characterized in that the side edge of the blade edge on the surface of the brittle substrate The second side being disposed so as to be disposed between the protrusion and the second side,
In the step of forming the trench line, the trench line is formed between a first position and a second position closer to the second side than the first position,
Wherein the step of forming the crack line is carried out by extending a crack of the brittle substrate in the thickness direction from the second position to the first position along the trench line.
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