KR20160141801A - 전자 패치의 부착을 검출하기 위한 방법, 디바이스들 및 시스템들 - Google Patents

전자 패치의 부착을 검출하기 위한 방법, 디바이스들 및 시스템들 Download PDF

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로버트 브루스 겐턴
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퀄컴 인코포레이티드
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Abstract

전자 센서 패치는, 전자 센서 패치가 환자에게 적용될 때를 검출하도록 구성된 커패시턴스 센서를 포함한다. 프로세서는, 전자 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여 미리 결정된 시간 간격 동안 파워 다운될 수도 있다. 전자 센서 패치는, 전자 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정되는 것에 응답하여 활성화될 수도 있다. 커패시턴스 센서는, 커패시턴스 센서의 커패시턴스를 측정하는 것, 측정된 커패시턴스를 임계와 비교하는 것, 및 커패시턴?? 센서의 측정된 커패시턴스가 임계보다 큰 것에 응답하여 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하는 것에 의해, 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 사용될 수도 있다.

Description

전자 패치의 부착을 검출하기 위한 방법, 디바이스들 및 시스템들{METHOD, DEVICES AND SYSTEMS FOR DETECTING AN ATTACHMENT OF AN ELECTRONIC PATCH}
관련 출원들
이 출원은 2014 년 4 월 9 일에 출원된 U.S. 가특허출원 제 61/977,390 호에 대한 우선권의 이익을 주장하며, 그 전체 내용들은 모든 목적들을 위해 본 명세서에 참조로서 통합된다.
전자 센서들 또는 패치들은 생체 측정 및 생체 의학적 모니터링을 위해 사용될 수 있다. 전자 패치들은 어느 정도의 편의성을 제공하지만, 도전들이 여전히 남아있다.
전자 패치들을 구현하는데 있어서의 도전들은, 신뢰성, 접속 품질, 데이터 보안, 무결성 및 오류 허용, 다양한 센서 기술의 통합, 실시간 측정들의 지연 관리, 컴포트, 장수명화 및 다른 도전들을 포함한다. 도전들은 전자 패치들이 원하는 시간에 신뢰성있게 동작하는 것을 가능하게 하는 것을 더 포함할 수도 있다. 도전들은 동작 준비를 타협하지 않고 전자 패치들의 신뢰성 있는 어셈블리를 더 포함할 수도 있다.
다양한 실시형태들은 패치를 활성화하기 위해서 전자 패치가 환자에게 부착될 때를 검출하도록 구성된 단순한, 저비용 커패시턴스 센서를 제공한다. 환자에게 적용되도록 구성된 전자 센서 패치를 활성화하는 실시형태 방법은, 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 단계를 포함할 수도 있다. 패치가 바디에 적용되는지 여부를 검출하기 위해서, 전자 패치의 프로세서는 커패시턴스 센서에 전압을 잠시 적용하고 커패시턴스에서의 변화가 있었는지 여부를 결정할 수도 있다. 배터리 전력을 보존하기 위해서, 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여, 전자 센서 패치는 미리 결정된 시간 간격 동안 저전력 모드로 파워 다운할 수도 있다. 전자 패치가 바디에 아주 근접하다고 결정하는 것에 응답하여, 예컨대 커패시턴스에서의 변화를 검출하는 것에 의해, 프로세서는 온 바디 동작들을 개시할 수도 있도록 전자 센서 패치를 활성화할 수도 있다.
전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 단계는, 미리 결정된 시간 간격의 만료 시 커패시턴스 센서를 에너자이징하는 단계, 커패시턴스 센서의 커패시턴스를 측정하는 단계, 커패시턴스 센서의 측정된 커패시턴스를 임계와 비교하는 단계, 및 커패시턴스 센서의 측정된 커패시턴스가 임계와 동일하거나 임계를 초과하는 것에 응답하여 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하는 단계를 포함할 수도 있다. 커패시턴스 센서를 에너자이징하는 단계는, 전압 소스로부터의 전압 및 정전류 소스로부터의 정전류 중 하나를 커패시턴스 센서에 인가하는 단계를 포함할 수도 있다.
추가 실시형태 방법은, 커패시턴스 센서가 활성화되지 않는, 배터리 전원으로의 접속에 응답하여 전자 패치의 프로세서에 의해 제조 모드를 실행하는 방법을 포함한다. 제조 모드는, 타이머에 의해 측정되는 바와 같은, 시간의 미리 결정된 기간 동안 구현될 수도 있고, 그 시간 후에 전자 패치는 커패시턴스 센서가 주기적으로 에너자이징되는 모니터링 또는 쉘프 (shelf) 모드에 진입한다. 제조 모드는 제조 및 테스트 동안의 핸들링으로 인해 커패시턴스 센서가 전자 패치를 활성화하는 것을 방지한다. 추가 실시형태 방법은, 프로세서가 쉘프 모드에 있는 지속기간을 결정하는 단계, 및 전자 센서 패치의 활성화에 응답하여 프로세서가 쉘프 모드에 있는 결정된 지속기간의 표시를 송신하는 단계를 포함한다.
환자에게 적용되도록 구성된 전자 센서 패치를 비활성화하는 추가 실시형태 방법은, 활동 수명 (active life) 타이머를 활성화하는 단계, 활동 수명 타이머가 만료되었는지 여부를 결정하는 단계, 및 활동 수명 타이머가 만료되었다고 결정하는 것에 응답하여 전자 센서 패치를 비활성화하는 단계를 포함할 수도 있다.
추가 실시형태 방법은, 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 단계, 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하는 것에 응답하여 전자 센서 패치를 활성화하는 단계, 및 전자 센서 패치를 활성화하는 것에 응답하여 하나 이상의 온-바디 동작들을 수행하기 위해 온-바디 동작 모드를 실행하는 단계를 포함할 수도 있다.
추가 실시형태 방법에 있어서, 활동 수명 타이머가 만료되었다고 결정하는 것에 응답하여, 프로세서는 전자 패치가 비활성화될 것이라는 비활성화 신호를 전송할 수도 있다. 활동 수명 타이머가 만료한 것에 응답하여 전자 센서 패치를 비활성화하는 것은 예컨대 메모리로의 전력을 접속해제하는 것 및/또는 메모리에 저장된 데이터를 오버라이팅하는 것에 의해, 메모리에 저장된 데이터를 퍼징하는 것을 포함할 수도 있다.
다양한 실시형태들에 있어서, 일 실시형태의 전자 센서 패치는 배터리, 커패시턴스 센서, 메모리, 하나 이상의 의학적 또는 생물학적 센서들, 라디오 모듈 및 상술한 방법의 동작들을 수행하기 위해 프로세서 실행가능 명령들로 구성된 프로세서 중 하나 이상을 포함할 수도 있다. 일 실시형태의 센서 패치는 상술한 방법들의 동작들을 수행하기 위한 수단을 포함할 수도 있다. 실시형태는 전자 센서 패치의 프로세서로 하여금 상술한 방법들의 동작들을 수행하게 하도록 구성된 프로세서 실행가능 명령들을 저장하는 비일시적 프로세서 판독가능 매체를 포함한다.
본 명세서에 통합되고 이 명세서의 부분을 구성하는 첨부 도면들은, 예시적인 실시형태들을 도시하며, 주어진 일반적인 설명 및 하기에 주어진 상세한 설명과 함께, 다양한 실시형태들의 피처들을 설명하도록 제공한다.
도 1a 는 전자 패치가 패키징 기재 또는 절연체로부터 제거되는 실시형태를 도시하는 다이어그램이다.
도 1b 는 실시형태의 전자 패치가 대상에 배치되는 것을 도시하는 다이어그램이다.
도 1c 는 대상의 바디에 대한 실시형태의 전자 패치 배치를 도시하는 다이어그램이다.
도 2a 내지 도 2c 는 탈착가능 전자 패치들 및 전자 제어 유닛을 갖는 멀티 센서 유닛의 대안의 실시형태들을 도시하는 다이어그램들이다.
도 3a 는 원격 센싱 구성을 위한 수신기 및 부착 검출기를 갖는 전자 패치의 예시의 무선 상호접속들을 도시하는 컴포넌트 블록 다이어그램이다.
도 3b 는 전자 패치의 부착 검출기를 추가로 도시하는 컴포넌트 블록 다이어그램이다.
도 3c 는 비검출 조건 및 검출 조건에 있어서 전자 패치의 실시형태의 부착 검출기를 도시하는 컴포넌트 블록 다이어그램 및 회로 및 타이밍 다이어그램들이다.
도 3d 는 비검출 조건 및 검출 조건에 있어서 전자 패치의 실시형태의 부착 검출기를 추가로 도시하는 컴포넌트 블록 다이어그램 및 회로 및 타이밍 다이어그램들이다.
도 3e 는 비검출 조건 및 검출 조건에 있어서 전자 패치의 실시형태의 부착 검출기의 동작을 추가로 도시하는 실제 회로 및 타이밍 다이어그램들을 포함한다.
도 3f 는 다양한 실시형태들에서 사용하기에 적합한 커패시턴스 부착 검출기를 형성하는 공면 (co-planar) 금속 플레이트들을 포함하는 실제 실시형태의 전자 패치를 도시하는 사진 다이어그램이다.
도 4a 는 실시형태의 전자 패치에 대한 다양한 비검출 모드들을 위한 클록 및 타이밍 조건들을 도시하는 타이밍 다이어그램이다.
도 4b 는 실시형태의 전자 패치에 대한 다양한 비검출 및 검출 모드들을 위한 클록 및 타이밍 조건들을 도시하는 타이밍 다이어그램이다.
도 5 는 타이밍 동작들을 수행하고 전자 패치의 부착 조건을 검출하는 실시형태의 방법을 도시하는 프로세스 플로우 다이어그램이다.
도 6 은 전자 패치의 활동 수명 조건을 위한 타이밍 동작들을 수행하는 실시형태의 방법을 도시하는 프로세스 플로우 다이어그램이다.
다양한 실시형태들이 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 기재될 것이다. 가능한 어디든, 동일한 참조 번호들이 동일하거나 같은 부분들을 지칭하기 위해 도면들 전체에 걸쳐 사용될 것이다. 특정 예들 및 구현들에 대해 이루어지는 참조들은 예시적인 목적들을 위해서이며, 청구항들 또는 실시형태들의 범위를 제한하는 것으로 의도되지 않는다.
본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어들 "전자 패치" 및 "전자 센서 패치" 는 본 명세서에서 상호 교환가능하게 사용될 수도 있고 하나 이상의 검출가능한 물리적 현상 또는 양들을 센싱하거나 측정하기 위한 센서들을 포함할 수 있는 전자 패치의 형태의 의학적 디바이스를 지칭할 수도 있다. 전자 센서는 측정 또는 센싱된 상태, 조건, 또는 양을 표시하는 신호들을 송신하도록 구성될 수도 있다. 센서에 의해 생성된 신호들은 신호와 근본적인 물리적 양 사이의 상관 관계에 기초하여 하나 이상의 검출가능한 물리적 양들을 측정하도록 프로세싱될 수도 있다. 전자 센서 패치에서 구현될 수도 있는 센서들의 비한정 예들은, 온도 센서들, 펄스 센서들, 전기장 센서들 (예를 들어, 뇌파계 (electroencephalograph) 센서들), 수분 센서들, 유체 유동 센서들, 자기 센서들, 압전 센서들, 압력 센서들, 광학 센서들, 화학적 센서들 (예를 들어, 혈당 센서들), 및 다른 생체 의학 센서들을 포함한다.
종래 전자 패치들에 있어서, 일반적으로 온/오프 스위치는 다양한 이유들로 제공되지 않는다. 예를 들어, 온/오프 스위치는 부주의로 턴오프되어 진단 기능을 디피트 (defeat) 할 수도 있다. 대안으로, 전자 패치들은 일반적으로 "온" 포지션에서 패키징될 수도 있다. 그 결과, 도전들은 패치들이 저장되고 있을 때 배터리 수명을 유지하는 것을 포함할 수 있다.
다양한 실시형태들은 부착 검출 디바이스를 갖는 전자 패치를 제공하는 것에 의해 기존 및 제안된 전자 패치들의 결점 등을 극복한다. 전자 센서는 다양한 동작 모드들을 결정하기 위해서 부착 검출 디바이스의 조건 및 소정의 타이밍 조건들을 검출하도록 구성될 수도 있다. 전자 패치에는 전자 패치가 환자에게 부착될 때를 결정하기 위한 부착 검출 디바이스가 제공될 수도 있다. 전자 센서는 알려진 최대 지속기간을 갖는 어셈블리 프로세스 동안 배터리 또는 전원이 전자 패치 내에 삽입될 수도 있도록 어셈블링될 수도 있다. 어셈블리 동안 전자 패치로의 전력의 인가 시, 프로세서 또는 제어기는 전자 패치가 구성되고, 테스팅되고 밀봉되는 팩토리 모드 또는 제조 모드에 진입할 수도 있다. 전력의 인가 시, 프로세서는 팩토리 모드 동안 확립된 지속기간 내에 전자 패치가 여전히 있는지 여부를 결정하는 것을 시작하도록 구성될 수도 있다. 팩토리 또는 제조 모드의 지속기간은 분산 채널에 패키징된 전자 패치를 어셈블, 구성, 테스팅, 밀봉 및 제공하기 위해 통상의 시간, 최대 시간, 또는 평균 시간의 지식에 기초하여 확립될 수도 있다. 프로세서는 클록에 의해 구동되는 카운터 또는 타이머를 체크하는 것에 의해 팩토리 모드가 여전히 활성인지 여부를 결정할 수도 있다. 전자 패치는 전자 패치가 전력을 공급받도록 어셈블리 동안 밀봉될 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 팩토리 모드는 전체 전력 및 기능에서의 테스팅, 저전력 동작들의 테스팅 및/또는 저전력 클록의 테스팅과 같은 테스팅을 위한 다양한 모드들을 포함할 수도 있다.
팩토리 모드 타이머가 만료할 때, 전자 패치가 구매 및 사용을 위해 패키징되고 준비된다고 가정된다. 전자 패치는, 검출 모드로서 또한 지칭될 수도 있는, 쉘프 모드에 진입할 수도 있다. 쉘프 모드는, 타이머를 작동, 예컨대 타이머를 추적하도록 구성될 수도 있는 저전력 모드이다. 전자 패치는 전자 패치가 대상에 배치되었는지 여부를 검출하기 위해, 소정의 짧은 간격들에서, 예컨대 타이머가 만료될 때 에너자이징될 수도 있다. 전자 패치는, 부착 검출 디바이스를 포함할 수도 있으며, 이는 부착 검출기, 예컨대 터치 또는 접촉 센싱형 커패시턴스 센서 또는 패치가 환자에게 부착될 때를 센싱하도록 구성된 유사한 회로일 수도 있다. 그러한 부착 검출 디바이스에 의해 환자로의 부착을 검출하기 위해 소비된 전력이 낮고 이러한 동작을 수행하기 위한 활동 시간이 전자 패치가 디에너자이징되는 시간 (대략 수 초) 에 비해 매우 짧기 (대략 밀리 초) 때문에, 배터리에 대한 유출이 매우 낮아서 최종적으로 환자에게 부착될 때 센서 동작들에 전력을 공급하기 위해 배터리에 저장된 충분한 에너지를 남기면서 많은 여러 달 동안 쉘프/검출 모드가 유지되도록 하는 것을 가능하게 한다. 전자 패치에 적용되는 밀봉 재료들은 밀봉된 전자 패치를 핸들링하는 사람에 의해 영향을 받는 것으로부터 커패시턴스 타입 부착 검출 디바이스를 격리하여 충분한 전기적 저항을 제공할 수도 있다. 전자 패치가 밀봉되지 않고 대상에 직접 부착될 때, 용량성 회로에서의 커패시턴스가 변화한다. 전자 패치가 부착 조건을 검출하기 위해 주기적으로 활성화될 때, 접촉으로부터의 커패시턴스의 변화는 프로세서로 하여금, 예를 들어 부착 검출 디바이스 (예를 들어, 디바이스의 부착 검출 회로) 의 RC 시간 상수와 같은 파라미터에서의 변화를 검출하게 한다.
대상으로의 전자 패치의 부착이 (예를 들어, 전자 패치 프로세서에 의해) 검출될 때, 전자 패치는 검출 모드로서 또한 지칭될 수도 있는 쉘프 모드로부터, 전자 패치와 연관된 양 센서 유닛이 배터리 전력 상에서 작동하는 생체 측정 양들 (예를 들어, 온도, 맥박 수, B/P, 전기장 등) 을 측정하기 위해 활성화되고 사용될 수도 있는 온 바디 동작 모드로 스위칭할 수도 있다.
수신기는 전자 패치로부터 데이터를 수신할 수도 있다. 수신기는 모바일 컴퓨팅 디바이스, 액세스 포인트, 또는 다른 전자 센서를 포함하는 적절한 무선 통신 회로로 구성된 다른 컴퓨팅 디바이스일 수도 있다.
일 실시형태에서, 전자 패치는 인간들에 의해 핸들링되고 사물들에 의해 접촉될 때 부착 검출 디바이스가 부주의로 트리거되지 않게 되도록 제조 동안 어셈블링될 수도 있다. 예를 들어, 전자 패치는 필 오프 (peel off) 접착 패치로서 패키징될 수도 있다. 전자 패치는 부착 검출 회로가 우연히 트리거되는 것을 방지하는 절연 기재로부터 필 오프될 수도 있다. 전자 패치는, 절연 기재로부터 제거, 필 오프, 또는 분리되도록 구성될 수도 있다. 전자 패치는 전자 패치의 저부 표면에 첩부될 수도 있는 접착 기판을 더 포함할 수도 있다. 접착 기판은 패키징될 때 절연 기재에 전자 패치를 단단히 부착할 수도 있다. 접착 기판은 또한 패키징으로부터 제거되고 동작으로 배치될 때, 대상의 바디에, 예컨대 환자 또는 착용자의 피부 또는 다른 표면에 전자 패치를 단단히 부착할 수도 있다.
다양한 실시형태들에 있어서, 전자 패치는 상이한 물리적 또는 생리학적 파라미터들, 예컨대 온도, 혈압, 전기 생리학 신호들 (예를 들어, 심전도 (EKG) 및 뇌파도 신호들), 근육 움직임들, 혈액 산소화, 및 다른 물리적 또는 생리학적 파라미터들을 측정하도록 구성될 수도 있다.
다양한 실시형태들에 있어서, 전자 패치는 또한, 센서의 활동 수명이 만료되는 것을 검출하도록 구성될 수도 있다. 전자 패치의 프로세서는 활성 온 바디 동작들을 행할 수도 있고, 또한 전자 패치의 활동 수명 동안 타이머 값을 체크할 수도 있다. 대안으로, 전자 패치에 대한 활동 수명, 남은 활동 수명, 및/또는 수명의 말기는 배터리 전압을 측정하는 것에 의해 결정될 수도 있다. 수명의 말기의 결정은 패치가 비활성화되기 전에 완료되어야 하는 임의의 단말기 프로세싱을 위한 시간의 적절한 양을 결정하는 것을 요인으로 포함할 수도 있다. 활동 수명이 만료될 때, 전자 패치는 비활성화되고 임의의 저장된 값들의 삭제와 같은 추가 액션들이 취해질 수도 있다.
도 1a 는 전자 패치가 패키징 기재 또는 절연체로부터 제거되는 것을 도시하는 다이어그램을 나타낸다. 다양한 실시형태들에서, 전자 패치 (110) 는 절연 기재 (120) 로부터 전자 패치의 제거 및 배치가 전자 패치 (110) 를 손상시키기 않도록 가요성이며 탄성이도록 구성될 수도 있다. 사용자 (101) 는 예컨대 풀 탭에 의해서 전자 패치 (110) 를 잡고, 절연 기재 (120) 로부터 전자 패치 (110) 를 제거하기 위해 제거력을 가할 수도 있다. 제거력은 전자 패치 (110) 에 부착하는 접착제에 의해 공급되는 접착력을 극복하기에 충분할 수도 있다. 절연 기재 (120) 는 커패시턴스 센서에서의 의사 검출을 방지할 수도 있다.
도 1b 에 도시된 바와 같은 다양한 실시형태들에 있어서, 전자 패치 (110) 는 대상 (140) 에, 예컨대 대상 (140) 의 피부 표면 (130) 에 배치될 수도 있다. 접착층 (111) 은 피부 표면에 전자 패치 (110) 을 첩부하기 위해 사용될 수도 있다. 접착층 (111) 은 또한 절연 기재 (120) 에 전자 패치 (110) 가 첩부되게 할 수도 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 전자 패치 (110) 의 활동 수명이 만료하지 않았을 때, 전자 패치는 접착 기재 (120) 상에 역 배치될 수도 있고, 그래서 전자 패치는 저전력 쉘프 모드에 재진입할 수도 있다.
다양한 실시형태들에 있어서, 전자 패치 (110) 는, 전자 패치 (110) 가 대상 (140) 에 부착되고 특정된 제거 시간 이전인 시간 기간 후에 제거되는 경우 경보를 발행하도록 구성될 수도 있다. 그러한 전자 패치 (110) 의 조기 제거는 처리 또는 모니터링 프로토콜에 대한 불응 또는 준수하지 않음을 표시할 수 있고 또는 다른 변칙들, 에러 조건들 또는 실패들을 표시할 수도 있다. 따라서, 하나 이상의 부가 모드들이 제공될 수도 있다. 예를 들어, 제거 시, 전자 패치 (110) 는 검출 또는 쉘프 모드로 복귀할 수도 있다. 대안으로, 전자 패치 (110) 는, 적용된 후 조기에 제거되는 경우 경보 모드에 진입할 수도 있다. 전자 패치 (110) 의 사용 경우에 의존하여 다른 모드들이 가능하다. 부가 경우들 중 하나 또는 전부에 있어서, 전자 패치는 패치 제거, 경보 조건, 변칙, 또는 에러를 수신 디바이스에 통신하도록 구성될 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 전자 패치 (110) 의 조기 제거가 검출될 때, 리셋 및/또는 메모리 퍼지 동작이 전자 패치 (110) 와 연관된 또는 전자 패치 (110) 내의 메모리에 저장될 수도 있는, 비공개 환자 데이터와 같은 데이터를 삭제하도록 행해질 수도 있다. 데이터를 오버라이팅하고 휘발성 메모리로의 전력을 제거하는 것을 포함하는, 메모리로부터 데이터를 퍼지하기 위한 동작들은 도 6 을 참조하여 하기에서 기재된다. 또 다른 전자 패치가 환자에 배치되는 이벤트에 있어서, 데이터는 예컨대 재배치 전자 패치 (110) 와의 통신이 확립될 때, 서버 또는 허브로부터 새로운 패치의 메모리로 업로드될 수도 있다.
다양한 실시형태들에 있어서, 전자 패치 (110) 는 도 1c 에 도시된 바와 같이 특정 위치 (131) 에서 대상 (140) 에 배치될 수도 있다. 위치 (131) 의 포지션은 전자 패치 (110) 와 연관된 센서 유닛에 대한 생물 측정 양 판독을 용이하게 할 수도 있다.
일부 실시형태들에 있어서, 전자 패치 (110) 는 전자 허브 유닛 (230) 을 갖는 센서 어레이 유닛 (210) 으로서 제공될 수도 있다. 그러한 어레이에 있어서, 임의의 수의 전자 패치들 (110) 이 센서 어레이 유닛 (210) 에 포함될 수도 있다. 예를 들어, 센서 어레이 유닛 (210) 은 도 2a 에 도시된 바와 같은 단일 전자 패치 (110), 도 2b 에 도시된 바와 같은 2 개의 전자 패치들 (110), 또는 도 2c 에 도시된 바와 같은 3 개의 전자 패치들 (110) 을 포함할 수도 있다. 일부 실시형태들 (미도시) 에 있어서, 센서 어레이 유닛 (210) 의 전자 패치들 (110) 의 수는 3 개보다 클 수도 있고 전자 패치들 (110) 의 사이즈 및 절연 기재 (120) 상의 가용 공간에 의해서만 제한될 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 센서 어레이 유닛 (210) 은 일부 또는 전부가 허브 유닛 (230) 또는 다른 수신기 디바이스와 통신할 수도 있는 측정 어레이를 형성하는 적소에 사용될 수도 있는, 다수의 전자 패치들 (110) 로 장착되고, 물리적 또는 물리적 또는 생리학적 파라미터의 측정에 있어서 개선된 정확도를 제공할 수도 있다. 적소에 사용되더라도, 일부 실시형태들에 있어서, 전자 패치들 (110) 은 본 명세서에 기재된 바와 같이 환자로의 부착을 검출하도록 구성될 수도 있다. 검출은 전자 패치들 (110) 의 하나 이상이 절연 기재 (120) 로부터 제거되고 환자의 바디에 배치될 때의 적소 모두에서 가능할 수도 있다. 다른 실시형태들에 있어서, 센서 어레이 유닛 (210) 은 개별 전자 패치들 (110) 에 대해 온 바디 모드를 활성화하기 위해 사용될 수도 있는, 별도의 부착 검출 회로를 가질 수도 있다. 당업자는 일부 실시형태들에서 하나 이상의 전자 패치들 (110) 이 단일 형태 팩터로 통합될 필요가 없다는 것을 알 것이다. 오히려, 전자 패치들은 환자에게 별도로 부착되고 여전히 허브 유닛 (230) 또는 다른 수신기 디바이스와 통신하도록 구성될 수도 있다.
수신기 (360) 및 전자 패치 (310) 의 실시형태 시스템 (300) 의 컴포넌트 블록 다이어그램이 도 3a 에 나타나 있다. 전자 패치 (310) 는 안테나 (311), 라디오 모듈 (320), 프로세서 (330), 부착 검출 디바이스 (340), 하나 이상의 센서들 (345), 및 전력 공급부 (350) 을 포함할 수도 있다. 부착 검출 디바이스 (340) 는 용량성 센싱 유닛일 수도 있는 센싱 유닛 (342) 을 포함할 수도 있다. 점선으로 나타낸 바와 같이, 전자 패치 (310) 의 일부 또는 모든 컴포넌트들은 환경적 보호를 제공하기 위해 전자 패치 (310) 내에서 캡슐화되거나 밀봉될 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 전자 패치 (310) 는 습윤 조건들을 포함하는 다양한 환경적 조건들에서 동작하도록 구성될 수도 있다. 전자 패치 (310) 의 컴포넌트들의 일부 또는 전부, 예컨대 프로세서 (330) 및 라디오 모듈 (320) 은 개별 컴포넌트들로서 제공될 수도 있고 단일 디바이스로 통합될 수도 있다. 전자 패치 (310) 의 컴포넌트들은 물 또는 다른 액체들에 적어도 부분적으로 침수될 때 동작을 허용하기 위해 밀봉되거나 캡슐화될 수도 있다.
수신기 (360) 는 안테나 (362) 및 다른 컴포넌트들 (미도시), 예컨대 프로세서, RF 모듈, 메모리 및 다른 컴포넌트들을 포함할 수도 있다. 수신기 (360) 는 전자 패치 (310) 의 동작 및 대상으로의 전자 패치 (310) 의 적용 동안 전자 패치 (310) 로부터 센서 데이터를 수신하도록 구성될 수도 있다.
전자 패치 (310) 가 수신기 (360) 의 범위 내에 있을 때, 무선 통신 링크 (311a) 는 전자 패치 (310) 와 수신기 (360) 사이에서 안테나 (362) 를 통해 확립될 수도 있다. 무선 통신 링크 (311a) 는 전자 패치 (310) 가 전자 패치 (310) 와 연관된 센서들 (345) 의 하나 이상으로부터의 센서 데이터 또는 판독들과 같은 정보를 수신기 (360) 에 전송하는 것을 허용할 수도 있다.
실시형태 시스템 (300) 의 전자 패치 (310) 의 컴포넌트 블록 다이어그램이 도 3b 에 나타나 있다. 상술한 바와 같이, 전자 패치 (310) 는 안테나 (311) 및 무선 (RF) 모듈 (320) 을 포함할 수도 있다. RF 모듈 (320) 은 일방향 또는 양방향 무선 주파수 통신을 행하기 위해 프로세서 (330) 와 관련되어 인에이블하기 위한 다양한 컴포넌트들을 포함하는 송수신기 모듈 또는 송신 전용일 수도 있다. 예를 들어, RF 모듈은 기저 대역, 중간 및 송신 주파수 모듈들 및 인코더들을 포함할 수도 있다. RF 모듈 (320) 은 수신기 (360) 의 구성에 의해 지원되는 통신들의 타입에 의존하여 무선 주파수 대역들의 수의 하나 이상에서 동작할 수도 있다.
프로세서 (330) 는 프로세싱 유닛 (332) 및 메모리 (331) 로 구성될 수도 있다. 프로세싱 유닛 (332) 은 단일 또는 멀티 코어 프로세서일 수도 있으며, 이는 범용이거나 전자 센서 (310) 에서의 사용을 위해 특별히 적응될 수도 있다. 프로세서 (330) 의 메모리 (331) 는 휘발성 또는 비휘발성 메모리 또는 이들의 조합일 수도 있다. 프로세서 (330), 부착 검출 디바이스 (340), 및 RF 모듈 (320) 및 전자 패치 (310) 의 임의의 다른 전자 컴포넌트들은 전력 공급부 (350) 에 의해 전력을 공급받을 수도 있다. 전력 공급부 (350) 는 통상적으로 리튬 이온 배터리 또는 다른 장수명 배터리와 같은 배터리일 수도 있다. 대안으로, 전력 공급부 (350) 는 태양 전력 공급부를 포함할 수도 있는, 에너지 하베스팅 전력 공급부와 같은 전력 공급부의 다른 타입일 수도 있다.
다양한 실시형태들에 있어서, 부착 검출 디바이스 (340) 는 도 3c 및 도 3d 에 추가로 도시된 바와 같이 전자 패치 (310) 가 대상에 적용될 때를 검출하도록 구성될 수도 있다. 부착 검출 디바이스 (340) 는 유효 커패시턴스 (커패시턴스 (342) 로서 나타냄) 및 저항 (346) 를 갖는 센싱 패드들 (348) 을 포함할 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 커패시턴스 (342) 및 저항 (346) 은 본 명세서에 기재된 바와 같이 용량성 센싱 유닛의 적어도 일부를 형성할 수도 있다. 도시를 용이하게 하기 위해, 커패시턴스 (342) 는 커패시터로서 다양한 배치들로 도면에 도시되어 있다. 하지만, 유효 커패시턴스 (C 및 C') 가 부착 조건을 검출하기 위해 사용될 수도 있는, 가변 커패시턴스를 형성할 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 센싱 패드들 (348) 은 전자 패치 (310) 의 다른 컴포넌트들로 매입되지 않는 외부 표면을 각각 가질 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 저항 (346) 은 선택적이며, 이는 정전류 소스가 용량성 센싱 회로를 구동할 수도 있기 때문이다. 또한, 일부 실시형태들에 있어서, 저항 (346) 및 센싱 패드들 (348) 은 커패시터들 및 저항기들에 기능적으로 등가이거나 센싱 패드들 (348) 에 인가되는 터치 신호에 유사한 응답들을 제공하는 다른 컴포넌트들일 수도 있다. 도시된 실시형태들은 예시적인 것이고 한정이 아닌 것으로 의미되며 검출 기능을 달성하기 위해 사용될 수도 있는 회로들의 예들을 나타낸다. 따라서, 다른 회로들이 전자 패치가 대상에 적용된 것을 검출하기 위해 사용될 수도 있다.
도 3c 에 도시된 실시형태에 있어서, 전자 패치 (310) 가 대상에 부착되지 않을 때 (즉, 센싱 패드들 (348) 이 대상에 근접하거나 또는 대상과 접촉하지 않을 때), 예컨대 전자 패치가 절연 기재 (예를 들어, 절연 기재 (120)) 에 부착될 때, 부착 검출 디바이스 (340a) 와 연관된 신호는 커패시턴스 (342) 및 저항 (346) 의 값들에 기초하여 주어진 시간 상수 (예를 들어, RC 시간 상수) 를 가질 수도 있다. 그러한 신호는 전압 소스 또는 정전류 소스 중 어느 하나로부터 주어진 펄스 또는 신호로 회로를 시뮬레이팅하는 것에 의해 생성될 수도 있다. 그러한 신호는 저항기 (346) 의 노드 (346a) 에 인가될 수도 있다. 응답은 프로세서 (330) 상의 핀에 커플링될 수도 있는 노드 (346b) 로부터 "판독" 될 수도 있다. 예를 들어, 그러한 펄스 또는 신호의 상승 시간 (349a) 은 노드 (346b) 상의 신호를 판독하는 것에 의해 프로세서 (330) 에 의해 측정될 수도 있다. 대안으로, 신호는 커패시턴스 (342) 및 저항 (346) 의 값들에 의해 확립된 시간 상수에 기초하여 프로세서 (330) 에서 내부적으로 생성될 수도 있다. 당업자는 커패시턴스 (342) 및 저항 (346) 의 값들에 의해 확립되는 관계를 이용하는 다른 접근법들이 또한 사용될 수도 있다는 것을 알 것이다.
도 3c 에 도시된 바와 같이, 전자 패치가 대상 (140) 의 피부 (130) 에 부착되고 센서 패드 (348) 가 대상 (140) 의 피부 (130) 에 근접하거나 피부 (130) 와 접촉할 때, 커패시턴스 (342) 의 유효 커패시턴스는 대상의 전기적 특성들에 의해 변경된다 (예를 들어 C 대 C'). C 로부터 C' 로의 커패시턴스 (342) 의 변화에 응답하여, 부착 검출 디바이스 (340b) 와 연관된 신호는 커패시턴스 (342) 및 저항 (346) 의 새로운 값에 기초하여 새로운 시간 상수 (예를 들어, RC' 시간 상수) 를 가질 수도 있다. 기재된 바와 같이, 그러한 신호는 노드 (346a) 에 인가된 주어신 펄스 또는 신호로 회로를 시뮬레이팅하고 노드 (346b) 로부터의 응답을 판독하는 것에 의해 생성될 수도 있다. 예를 들어, 그러한 펄스 또는 시간의 상승 시간 (349b) 은 프로세서 (330) 에 의해 측정될 수도 있다. 상승 시간 (349a 및 349b) 에서의 차이는 프로세서 (330) 에 의해 측정될 수도 있고 부착 조건이 검출될 수도 있다. 상승 시간들로서 349a 및 349b 이 기재되지만, 검출 상태 및 비검출 상태 사이의 시간 상수들에서의 차이를 계산하기 위해 감쇠 시간이 또한 효과적으로 사용될 수도 있다.
부착 조건은 부착되지 않은 조건에 대응하기 위해 알려진 이전 판독들 또는 저장된 판독들 중 어느 하나와 주기적 부착 검출 디바이스 (340) 판독들을 비교하는 것에 의해 검출될 수도 있다. R 및 C 에 대해 선택된 값들에 의존하여, 비검출 및 검출 조건들 사이의 차이가 크게 달라질 수도 있다. 하지만, R 및 C 값들에 대한 일부 선택들은 부착 검출 디바이스 (340) 에 대한 고 감도를 유도할 수도 있다. 고 감도를 위해 구성되는 부착 검출 디바이스는 또한 거짓 긍정 부착 결정들을 제공하기 더 쉬울 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서 R 및 C 에 대한 값들은 또한 RC 시간 상수 (예를 들어, 상승 시간, 감쇠 시간) 을 측정하기 위해 사용된 시간에 의존할 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, R 및 C 에 대한 값들을 위한 추가적인 고려 사항은 전류 소비를 포함할 수도 있다. 전류 소비는 인가된 전압 레벨들, 측정 시간 및/또는 다른 고려 사항들에 직접 의존할 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 연장된 배터리 수명을 제공하기 위해서, 검출 감도를 보전하면서 전류 소비가 최소화될 수도 있다. 위에서 언급된 바와 같이, 저항기를 포함하는 대신,커패시턴스 (342) 를 에너자이징하기 위해 정전류 소스를 사용하여 유사한 결과들이 획득될 수도 있다.
위에서 논의된 바와 같이, 부착 검출 회로는 전자 패치 (310) 의 적용을 검출하는 것을 가능하게 하는 다수의 방식들로 구성될 수도 있다. 추가적인 예가 도 3d 에 도시되어 있다. 부착 검출 디바이스 (340) 는 전자 디바이스 (310) 의 다른 컴포넌트들과 함께 캡슐화될 수도 있는 한 쌍의 검출 센서 전극들 (348a 및 348b) 을 포함할 수도 있다. 전자 패치 (310) 는 사람에게 배치되기 때문에, 전자 기기에 적대적인 여러 엘리먼트들, 예컨대 수분, 물, 다른 유체 또는 재료들, 디바이스들과의 기계적 접촉으로부터의 쇼크에 대한 노출이 가능하다. 따라서, 캡슐화는 환경 엘리먼트들로부터 회로를 보호하는 밀봉 또는 배리어를 제공하는, 수지 또는 다른 재료와 같은 재료로 전자 패치들의 컴포넌트들을 매입 (encasing) 하는 것을 지칭한다. 캡슐화는 예컨대, 컴포넌트들을 특정 배치 또는 배향으로 유지하기 위해 그리고 손상으로부터 컴포넌트들을 보호하기 위해, 부서지기 쉬운 컴포넌트들에 대한 구조적 지원을 추가로 제공할 수도 있다. 도시를 용이하게 하기 위해, 검출 회로는 커패시턴스 (342) 로서 다양한 배치들로 나타낼 수도 있다. 하지만, 여러 실시형태들에 있어서, 검출 센서 전극들 (348a 및 348b) 은 검출 및 비검출 조건들에서 그들 사이의 유효 커패시턴스를 가질 수도 있다. 부착 검출 회로 (340b) 가 대상 (140) 의 피부 (130) 에 아주 근접하거나 이를 터치할 때, 검출 센서 전극들 (348a 및 348b) 와 연관된 전기장들이 수정되며, 이는 유효 커패시턴스를 C 에서 C' 로 직접 변경한다. 본 실시형태에 있어서, 센서 전극들 (348a 및 348b) 은 캡슐화될 수도 있고 대상 (140) 의 피부 (130) 와 직접 접촉하지 않을 수도 있다. 캡슐화되고 대상 (140) 의 피부 (130) 와 직접 접촉하지 않는 것에 의해, 센서 전극들 (348a 및 348b) 의 포텐셜 저하가 방지될 수도 있다. 캡슐화는 또한, 센서 전극들 (348a 및 348b) 에 의해 제공된 판독들 상의 수분과 같은 환경적 팩터들에 대한 영향을 방지할 수도 있다. 추가로, 캡슐 재료는 피부 (130) 의 자극에 대한 잠재성을 방지하거나 감소하도록 구성될 수도 있다. 따라서, 센서 전극들 (348a 및 348b) 과 피부 (130) 의 직접 접촉을 방지하는 것에 의해, 대상 (140) 의 피부 (130) 뿐만 아니라 센서 전극들이 보호될 수도 있다. 기재된 바와 같이, 그러한 변화들은 RC 시간 상수로부터 RC' 시간 상수로의, RC 시간 상수의 변화에 의해 영향을 받는 신호의 상승 시간들 (349a 및 349b) 을 비교하는 것에 의해 검출될 수도 있다. 349a 및 349b 가 충전 시간들, 또는 상승 시간들로서 기재되지만, 감쇠 시간들이 또한 검출 상태와 비검출 상태 사이의 시간 상수들의 차이들을 계산하는데 사용될 수도 있다.
일부 실시형태들, 예컨대 도 3e 에 나타낸 바와 같은 실시형태 (302) 에 있어서, 신호는 부착 검출 회로 (340) 로 출력되거나 "기입" 될 수도 있고, 또는 프로세서 (330) 의 범용 입력/출력 (GPIO) 으로부터의 부착 검출 회로 (340) 로부터 판독될 수도 있다. 출력 신호는, 저항 (361), 베이스 커패시턴스 (Cbase(9363), 및 바디 검출 커패시턴스 (Cbody detect)(364) 로 구성될 수도 있는, 부착 검출 회로 (340) 의 RC 회로를 충전할 수도 있다. 바디 검출 커패시턴스 (Cbody detect)(364) 는, 도 3f 를 참조하여 추가로 기재되는 바와 같이 폴딩형 가요성 배열에서의 한 쌍의 플레이트들일 수도 있는, 전극들 (348a 및 348b) 로 구성될 수도 있다. 프로세서 (330) 의 GPIO 핀은 입력 및 출력 핀일 수도 있다. 프로세서 (330) 의 GPIO 핀은 입력과 출력 기능들 사이에서 GPIO 핀을 스위칭하는 스위치 (369) 에 커플링될 수도 있다.
출력 모드에서, 스위치 (369) 는 핀 드라이버 (365) 에 커플링될 수도 있다. 출력 신호 (GPIO_WR) 가 프로세서 (330) 에 의해 생성될 때, 출력 신호는 핀 드라이버 (365) 및 스위치 (369) 를 통해 부착 검출 회로 (340) 에 커플링될 수도 있다.
입력 모드에서, 스위치 (369) 는 부착 검출 회로 (340) 로부터의 입력이 스위치 (369) 를 통해 판독될 수도 있도록 핀 버퍼 (367) 에 커플링될 수도 있다. 스위치 (369) 의 상태를 스위칭하는 것은 프로세서 (330) 에 의해 제어될 수도 있다. 예를 들어, 프로세서 (330) 는 스위치 (365) 를 출력 모드로 구성할 수도 있다. 프로세서 (330) 는 출력 신호 (GPIO_WR) 를 생성하고 그 신호를 핀 드라이버 (365) 및 스위치 (369) 를 통해 부착 검출 회로 (340) 에 인가할 수도 있다. 출력 신호는 모니터링 사이클의 시작에서 부착 검출 회로 (340) 를 충전하기 위해 부착 검출 회로 (340) 에 인가될 수도 있다. 프로세서 (330) 는 그 후 스위치 (369) 를 입력 모드로 변경할 수도 있으며, 여기서 입력 신호 (GPIO_RD) 가 핀 버퍼 (367), 스위치 (369) 및 부착 회로 (340) 를 통해 판독될 수도 있다. 예를 들어, 입력 신호 (GPIO_RD) 는 프로세서 (330) 가 부착 검출 회로 (340) 의 시간 상수 또는 충전 프로파일을 판독하게 할 수도 있다. 당업자는 부착 검출 회로 (340) 로부터 신호들을 인가하고 판독하는 다른 구성들이 가능하다는 것을 알 것이다.
일부 실시형태들에 있어서, 예를 들어 바디가 존재하지 않을 때, 프로세서 (330) 는 시간 (t0) 에서 출력 신호 (GPIO_WR) 를 인가하는 것에 의해 범용 신호 라인 (GPIO)의 동작을 스위칭할 수도 있다. 프로세서 (330) 는 그 후 부착 검출 회로 (340) 로부터 입력 신호 (GPIO_RD) 를 수신하기 위해 입력 모드로 스위칭할 수도 있다. 신호의 상승 특성이 충전 페이즈 동안 판독될 수도 있거나, 또는 신호의 감쇠 특성이 충전 페이즈 후에 판독될 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 시간 (t1) 에서, 커패시턴스 (Cbase)(353) 및 바디 검출 커패시턴스 (Cbody detect)(340) 의 결합 커패시턴스에 대한 충전 기간이 시작될 수도 있다. 신호는, 예컨대 전압 (VGPIO high) 에 도달될 때 시간 (t2) 에서, 임계 값에 도달될 때까지 충전하는 것을 계속할 수도 있다. 따라서, 충전/방전 레벨이 임계 값에 도달할 때, 시간 (t2) 가 판독될 수도 있고 t1 과 t2 사이의 시간 (349a) 이 측정될 수도 있다.
일부 실시형태들에 있어서, 예를 들어 바디가 존재할 때, 프로세서 (330) 는 시간 (t0) 에서 출력 신호 (GPIO_WR) 를 인가하는 것에 의해 범용 신호 라인 (GPIO) 의 동작을 스위칭할 수도 있다. 프로세서 (330) 는 그 후 부착 검출 회로 (340) 로부터 입력 신호 (GPIO_RD) 를 수신하기 위해 입력 모드로 스위칭할 수도 있다. 대안으로, 전압 소스가 상술한 바와 같이 노드 (346b) 에 인가될 수도 있고, 프로세서는 입력 신호를 달성하기 위해 저항기 (346) 에 커플링된 핀을 선택적으로 토글링하는 것에 의해 노드 (346b) 상의 전압 레벨을 조종할 수도 있다. 신호의 상승 또는 감쇠 특성은, 본 명세서에서 위에 기재된 바와 같이, 예컨대 노드 (346b) 상에서, 충전 또는 방전 페이즈 동안, 각각 판독될 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 바디가 존재할 때, 시간 (t'1) 에서, 커패시턴스 (Cbase)(363) 및 바디 검출 커패시턴스 (Cbody detect)(364) 의 결합된 커패시턴스에 대한 충전/방전 기간이 시작될 수도 있다. 바디의 존재는 바디 검출 커패시턴스 (Cbody detect)(364) 의 커패시턴스를 변화시킬 수도 있어서, 결합된 커패시턴스를 변화시키는 효과를 갖는다. 신호는 예컨대, 전압 (VGPIO high) 에 도달될 때 시간 (t'2) 에서, 임계 값에 도달될 때까지 충전 또는 방전하는 것을 계속할 수도 있다. 충전 또는 방전 레벨이 임계 값에 도달될 때, 시간 (t'2) 가 판독될 수도 있고, t'1 과 t'2 사이의 시간 (349b) 이 측정될 수도 있다.
시간 (349a)(예를 들어, t1 내지 t2) 와 시간 (349b)(예를 들어, t'1 내지 t'2) 사이의 차이와 같은, 시간 측정들에서의 차이는 바디 존재와 바디 부재 조건 사이의 상이한 커패시턴스들을 반영할 수 있다. 따라서, 이러한 차이는 바디의 존재를 검출하는데 사용될 수도 있다. 대안으로, 시간 측정들 (t1 및 t2 와 t'1 및 t'2) 사이의 차이는 바디가 존재하거나 존재하지 않는 것과 연관된 유효 커패시턴스를 측정하는데 사용될 수도 있다. 바디의 존재는 부착을 표시할 수도 있다. 대안으로, 일부 실시형태들에 있어서, 2 개의 GPIO 라인들이 사용될 수도 있다. 하나의 GPIO 라인은, 예컨대 저항 (361) 을 통해 전극들 (348a 및 348b) 사이의 커패시턴스를 충전하기 위한 신호를 인가하기 위해 사용될 수도 있다. 다른 GPIO 라인은, 예컨대 저항 (361) 에 접속되는 전극 (348a) 과 같은 전극들 (348a 및 348b) 의 하나 이상으로의 직접 접속을 통해 커패시턴스로부터 전압을 측정하거나 판독하는데 사용될 수도 있다.
실시형태의 전자 패치의 실제 예가 도 3f 에 도시되어 있다. 전자 패치 (310) 는 패치의 부착 검출 부분이 활성화되는 것을 격리하는 패키지 (미도시) 로부터 제거될 수도 있는, 밀봉된 패치로서 구성될 수도 있다. 전자 패치 (310) 는 전원 (350) 을 포함할 수도 있고, 전원 (350) 은 포지티브 및 네거티브 단자들 (예를 들어, 포지티브 측, 네거티브 측) 을 갖는 얇은 플랫 패키지의 배터리 (350) 일 수도 있다. 배터리 (350) 는 기대된 쉘프 수명과 같은 팩터들을 고려하여, 패치의 예상된 수명에 걸쳐 전자 패치 (310) 와 연관된 다양한 회로들을 에너자이징하기에 충분한 전력의 임의의 적절한 배터리일 수도 있다. 예를 들어, 배터리 (350) 는 표준 시계, 계산기, 또는 전자 디바이스 배터리일 수도 있다. 전자 패치 (310) 의 컴포넌트들은 물, 먼지, 체액들, 습도, 및 다른 에이전트들을 포함한, 모든 종류의 환경적 에이전트들의 급습을 방지하기 위해 함께 밀봉될 수도 있다. 전자 패치 (310) 에는 도시된 실시형태에서 2 개의 금속 플레이트들일 수도 있는, 전극들 (348a 및 348b) 로 구성된 부착 검출 디바이스 또는 회로가 제공될 수도 있다. 전극들 (348a 및 348b) 을 구성하는 금속 플레이트들은 샌드위치 구성 (즉, 공면 (co-planar)) 으로 위치될 수도 있다. 전극들 (348a 및 348b) 을 구성하는 금속 플레이트들은 플레이트들의 공면 배열을 달성하기 위해 폴딩될 수도 있는 가용성 재료로 제공되고 인케이싱될 수도 있고 전기 접속들 및 임의의 지지 회로 (예를 들어, 플렉스 회로) 를 통합할 수도 있다. 다른 컴포넌트들, 예컨대 프로세서 (330), 안테나 회로들을 포함하는 라디오 모듈 (320), 및 가능한 다른 회로들이 전자 패치 (310) 에서 함께 인케이싱될 수도 있다.
전극들 (348a 및 348b) 를 구성하는 금속 플레이트들은 전자 패치 (310) 내에서 밀봉되고, 전자 패치가 대상에 부착될 때, 전극들 (348a 및 348b) 를 구성하는 플레이트들이 서로 공면이고 대상의 피부 표면과 평행하도록 포지셔닝된다. 그러한 배치는 부착 검출을 용이하게 하기 위해 전극들 (348a 및 348b) 를 구성하는 평면들과 피부 사이에 양호한 전기장 커플링을 제공한다. 일부 실시형태들에 있어서, 전극들 (348a 및 348b) 를 구성하는 플레이트들은 공면이도록 구성되고, 저유전 상수를 갖는 캡슐화 매체들과 같은 매체들에 의해 캡슐화된다. 전극들 (348a 및 348b) 을 구성하는 플레이트들이 바디 (즉, 자유 공간) 에 근접하지 않을 때, 유효 커패시턴스가 매체들의 유전 상수로 인해 낮아질 것이다. 부착 동안, 전극들 (348a 및 348b) 을 구성하는 플레이트들은 바디 상에 또는 바디에 매우 근접하여 배치될 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 전극들 (348a 및 348b) 을 구성하는 플레이트들은 부착을 위해 사용된 상대적으로 얇은 접착층에 의해 바디로부터 분리될 수도 있다. 부착 동안, 바디의 존재로 인해 유전 상수가 현저하게 증가될 수도 있고, 그 결과 유효 커패시턴스가 증가할 수도 있다.
도 3a 내지 도 3f 는 전자 패치에 포함된 단일 커패시턴스 센서를 나타내지만, 일부 실시형태에서는 하나보다 많은 커패시턴스 센서가 전자 패치에 포함될 수도 있다. 하나보다 많은 커패시턴스 센서를 포함하면, 리던던시를 제공하고 전체 패치가 사람의 바디와 접촉하지 않을 때에도 활동을 보장함으로써 일부 어플리케이션들에 유용할 수도 있다. 예를 들어, 비전자 컴포넌트들에 포함되는 실시형태의 전자 패치는 패치가 환자에게 잘 부착되는 것을 보장하기 위해 비전자 컴포넌트들 주위에 용량성 센서들을 포함할 수도 있다.
다양한 실시형태들에 있어서, 전자 패치 (310) 는, 전자 패치가 예컨대 쉘프 모드 동안, 저전력 모드에 있는 것을 제외하고, "활성" 디바이스로서 어셈블링되고 패키징될 수도 있다는 점에서 이점을 제공할 수도 있다. 팩토리 모드는 전자 패치 (310) 의 테스팅 및 구성을 허용하는 천이 모드일 수도 있다. 쉘프 모드의 저전력 모드에서, 전자 디바이스 (310) 가 디바이스의 쉘프 수명을 연장하기 위해 전력을 아낄 수도 있다. 하지만, 쉘프 모드의 저전력 모드에서 디바이스가 "활성" 이기 때문에, 전자 패치 (310) 는 디바이스가 부착되자 마자 전부 동작될 수도 있다.
모드 관리를 달성하기 위해서, 도 4a 및 도 4b 에 도시된 바와 같이 실시형태의 타이밍 스케줄 (400) 이 추적될 수도 있다. 전자 패치 (310) 의 제조 및 어셈블리는 알려진 스케줄에 따라 행해질 수도 있다. 즉, 정상 동작 조건들 하에서, 제조 프로세스에서의 각각의 단계의 시간의 지속기간은 전자 패치 (310) 에 대한 최대 어셈블리 시간과 함께 알려질 수도 있다.
이로써, 제조, 어셈블리 및 패키징 프로세스가 완료될 때까지, 전력의 제 1 인가로부터의 시간을 나타내는 팩토리 모드 (410) 지속기간이 확립될 수도 있다. 배터리가 전자 디바이스 (310) 에 설치될 때, 프로세서는 저전력 클록 (LP CLK1)(404) 의 동작을 포함하는 동작을 시작할 수도 있다. LP CLK1 (404) 는 프로세서가 활성화 (예를 들어, 배터리 설치) 된 후의 경과된 시간을 알고 팩토리 모드 (410) 동안 남은 시간을 추적하는 것을 허용한다. 프로세서 (330) 는, 예컨대 관련된 타이머들의 만료에 의해, 팩토리 모드 (410) 의 만료를 검출할 수도 있다. 팩토리 모드 (410) 가 만료할 때, 전자 패치 (310) 는 프로세서가 저전력 모드에 있는 훨씬 긴 간격들에 의해 짧게 수행되고 주기적으로 중단되는 쉘프 모드에 진입하도록 천이할 수도 있다. 쉘프 모드에서, 전자 패치 (310) 는, 전자 패치 (310) 가 적용되거나 부착되었는지를 결정하기 위해 주기적으로 웨이크 업하도록 저전력 클록을 사용할 수 있다.
따라서, 검출 간격 (430) 은 환자 검출 루프로서 확립될 수도 있다. 즉, 검출 간격들 (430) 은 패치가 바디에 배치될 때까지 순환적으로 수행될 수도 있다. 검출 간격 (430) 은 다양한 실시형태들에서 수 초에서 수 분까지일 수도 있다. 다른 실시형태들에 있어서, 검출 간격 (430) 은 더 짧거나 더 길 수도 있다. 검출 간격 (430) 은 완성된 패치 제품의 반응성을 최적화하기 위해 설정될 수도 있다. 예를 들어, 검출 간격 (430) 은, 개선된 반응성에 대해 상대적으로 짧은 센싱 간격을 제공하면서, 배터리 수명을 보존하기 위해 저전력 상태의 길이를 최적화하도록 설정될 수도 있다.
실시형태들에 있어서, 검출 간격 (430) 은 환자가 패키징으로부터 전자 패치 (310) 를 제거하고, 절연 기재 (120) 로부터 전자 패치 (310) 를 제거하고 대상 (140) 의 피부 (130) 에 적용하는데 걸리는 시간을 고려하여 설정될 수도 있다. 대안으로 또는 부가적으로, 검출 간격 (430) 은 쉘프 수명과 검출 레이턴시 사이의 트레이드 오프를 고려하여 설정될 수도 있다. 환자 검출 루프의 만료에서, 프로세서 (330) 또는 보조 프로세싱 유닛은 위에 기재된 방식 또는 다른 방식으로, 부착 검출 디바이스 (340) 의 체크를 수행하도록 구성될 수도 있다. 일 예에서, 전체 듀티 사이클 클록 (CLK2)(402) 은 검출 활동들을 완료하기에 충분한 시간의 기간 동안 인에이블될 수도 있다. 전체 듀티 사이클 클록 (402) 은 전체 듀티 사이클 클록 신호 (406) 를 생성할 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 전체 듀티 사이클 클록 (402) 은 배터리 전력에 대한 최소 영향을 가지면서 전체 듀티 사이클 부착 조건을 생성할 수도 있다.
환자 검출 루프는 도 4b 에 도시된 바와 같이, 부착이 검출될 때까지 지속될 수도 있다. 예컨대 시간 (441) 에서, 검출 시, 전자 패치 (310) 는 전체 온 바디 프로세싱 모드 (450) 로 천이할 수도 있다. 전자 패치 (310) 가 온 바디 프로세싱 모드 (450) 에 있을 때, 전자 패치 (310) 와 연관된 센서들이 활성화될 수도 있다. RF 모듈 (320) 과 같은 다른 시스템들은, 예컨대 인에이블 신호 (408) 을 활성화하는 것에 의해, 전력 레일들을 활성화하는 것에 의해, 또는 다른 액션들에 의해, 활성화될 수도 있다. 부착이 검출되었을 때, 전체 듀티 사이클 클록 (402) 은 센서 판독들을 완성하고 이 센서 판독들을 수신기 디바이스에 송신하기 위해서 프로세서의 제어 하에서 연속적으로 적용될 수도 있고 또는 호출될 수도 있다. 전자 패치 (310) 의 전체 동작은 온 바디 프로세싱 모드 (350) 에 있는 동안 계속할 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 전자 패치 (310) 는 부착 검출 디바이스 (340) 가 더 이상 부착 조건을 검출하지 않을 수도 있는 시간에 대상 (140) 의 피부 (130) 로부터 제거될 수도 있다. 그러한 예에서, 전자 패치 (310) 는 저전력 모드로 재진입할 수도 있다. 대안으로 또는 부가적으로, 전자 패치 (310) 는 수신기, 예컨대 스마트 폰, 클라우드 서버, 또는 전자 패치가 제거된 것을 표시하는 다른 디바이스에 경보 또는 통지를 제공할 수도 있다.
일부 실시형태들에 있어서, 전자 패치 (310) 에는 품질 또는 다른 팩터들에 의해 영향을 받을 수도 있는 총 활동 수명 파라미터가 제공될 수도 있다. 총 활동 수명 파라미터는 본 명세서에 기재된 다른 타이머 값들처럼, LP CLK1 (404) 의 동작에 의해 카운트 다운될 수도 있는 타이머 값의 형태로 있을 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 활동 수명 파라미터는 다양한 모드들 동안, 예컨대 쉘프 모드 및 온 바디 모드 동안 카운트 다운될 수도 있다. 활동 수명 타이머가 전자 패치 (310) 가 그 활동 수명의 말기에 도착하는 것을 표시할 때, 전자 패치는 전자 패치 (310) 의 사용자에게 경고할 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 경보는 전자 패치 (310) 가 제거되고 재배치되어야 하는 것을 표시할 수도 있다. 전자 패치 (310) 가 부착되지 않은 경우, 경보는 전자 패치 (310) 가 그 활동 수명의 말기 근방에 있거나 말기에 있고 이에 따라 사용되지 않아야 하는 것을 표시할 수도 있다.
팩토리 모드 (410) 동안 저전력 동작 및 쉘프 모드 (440) 동안 검출 동작들을 위한 실시형태 방법 (500) 이 도 5 에 도시되어 있다. 실시형태 방법 (500) 은 전자 패치의 제어기들 또는 프로세서들 상에서 실행하는 프로세서 실행가능 명령들로 구현될 수도 있으며, 그 실시형태들은 위에 기재되어 있다.
제조 동안, 블록 (502) 에서, 전자 패치의 회로들은 전자 패치로 배터리와 같은 전원의 삽입에 응답하여 에너자이징될 수도 있다. 전원의 삽입은 제조 프로세서에서 알려진 시간 지점에서 발생할 수도 있다. 블록 (504) 에서, 전원의 삽입에 응답하여, 저전력 클록 (CLK1) 은 저전력 프로세서 동작에 있는 것으로 시작될 수도 있다. 블록 (506) 에서, 프로세서는 적어도 기본적인 또는 "부트" 프로그램을 메모리로부터 로딩하는 것에 의해 초기화할 수도 있다. 블록 (508) 에서, 프로세서는 초기화의 부분일 수도 있는 자체 테스트 동작을 선택적으로 수행할 수도 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 자체 테스트는 부착 검출 디바이스를 포함한 전자 패치의 컴포넌트들에 대한 시스템 테스트를 더 포함할 수도 있다. 블록 (510) 에서, 프로세서로 값을 로딩하는 것에 의해 팩토리 모드 타이머 값이 설정될 수도 있다. 블록 (512) 에서, 팩토리 모드 동안 부착 검출 디바이스가 디스에이블될 수도 있다. 따라서, 검출 이벤트가 트리거되지 않도록 팩토리 모드에 있는 동안 검출 능력이 활성으로 테스트될 수도 있다. 예를 들어, 검출 센서들의 RC 시간 상수를 표시하는 신호의 판독은 적절한 동작을 유효화하기 위해 알려진 값들에 대해 이루어지고 비교될 수도 있다.
팩토리 모드 타이머 값은 프로세서 레지스터에 저장될 수도 있고, 프로세서는 팩토리 모드 타이머가 완료되었는지를 결정할 수도 있다. 팩토리 모드 타이머가 완료되지 않았다고 결정하는 것에 응답하여 (즉, 결정 블록 (514) = "아니오"), 블록 (516) 에서 프로세서는 팩토리 모드 타이머를 감쇠시킬 수도 있다. 팩토리 모드 타이머가 만료되었다고 결정하는 것에 응답하여 (즉, 결정 블록 (514) = "예"), 블록 (517) 에서 프로세서는 쉘프 모드 타이머를 초기화할 수도 있다. 팩토리 모드 타이머의 만료에 의해 그리고 쉘프 모드 타이머를 초기화하는 것에 의해, 팩토리 모드 (410) 는 종료될 수도 있고 쉘프 모드 (440) 가 시작할 수도 있다.
쉘프 모드에 있어서, 쉘프 모드 타이머 값은, 쉘프 모드 시간이 만료되었는지를 결정하기 위해 각각의 클록 사이클 후에, 메모리로부터의 타이머 값을 프로세서 레지스터에 로딩하고 체크하는 것에 의해 초기화될 수도 있다. 쉘프 모드 타이머가 만료되지 않았다고 결정하는 것에 응답하여 (즉, 결정 블록 (522) = "아니오"), 블록 (524) 에서 프로세서는 쉘프 모드 타이머를 감쇠시킬 수도 있다. 쉘프 모드 타이머가 만료되었다고 결정하는 것에 응답하여 (즉, 결정 블록 (522) = "예"), 블록 (526) 에서 프로세서는 부착 검출 디바이스를 활성화할 수도 있다. 예를 들어, 전체 사이클 클록이 활성화되고 프로세서 동작들이 인에이블될 수도 있다. 블록 (528) 에서, 부착 검출 디바이스 및 프로세서는 부착 검출 판독을 취할 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 부착 검출은 바디의 존재를 검출하기 위해 커패시턴스 센서와 연관된 커패시턴스를 측정하는 것에 의해 달성될 수도 있다. 예를 들어, 커패시턴스는 본 명세서에서 위에 기재된 바와 같이 부착 검출 회로에 적용되고 또는 부착 검출 회로로부터 나오는 신호의 시간 상수를 판독함으로써 측정될 수도 있다. 커패시턴스를 측정하는 것은 시간 상수로부터 커패시턴스를 계산하거나 신호와 연관된 상승 시간의 양의 변화들에 의해 커패시턴스를 추론하는 것에 의해 달성될 수도 있다. 부착 조건이 발생하지 않았다고 검출하는 것에 응답하여 (즉, 결정 블록 (530) = "아니오"), 프로세서 및 부착 검출 디바이스는 비활성화될 수도 있고, 프로세서가 저전력 클록으로부터 동작할 수도 있는 것과 같은, 쉘프 모드의 저전력 모드는 또 다른 미리 결정된 시간 간격 동안 블록 (532) 에서 재진입될 수도 있다. 저전력 모드에 재진입하는 것에 의해, 전체 사이클 클록이 디스에이블될 수도 있다. 프로세싱이 블록 (518) 로 복귀할 수도 있으며, 여기서 쉘프 모드 타이머는 루프 타이머 값으로 재설정될 수도 있고 프로세싱은 상술한 바와 같이 계속될 수도 있다.
부착 조건이 발생했다고 결정하는 것에 응답하여 (즉, 결정 블록 (530) = "예"), 블록 (530) 에서, 온 바디 동작 모드가 활성화될 수도 있다. 온 바디 동작 모드의 활성화 시, 전자 패치의 전체 능력들은 센싱 및 통신 기능들을 포함하여 활성화될 수도 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 저전력 클록은 전자 패치의 프로세서가 시간을 추적하기 위해서 적어도 팩토리 모드 및 쉘프 모드 동안 동작될 수도 있다. 전체 바디 동작 동안, 저전력 클록은 선택적으로 디스에이블될 수도 있다. 하지만, 일부 실시형태들에 있어서, 예컨대 저전력 클록이 동작하는 것을 계속할 수도 있는 경우, 도 6 을 참조하여 하기에서 기재되는 바와 같이, 남은 배터리 충전 상태를 모니터링하거나 남은 시간 대 수명을 추정하기 위해, 전체 바디 동작들 동안에도 시간이 추적될 수도 있다.
상술한 바와 같이, 배터리 동작형이면, 실시형태 전자 센서 패치들은 배터리에 저장된 에너지가 완전히 소모되기 전 활성화 후에 시간의 제한된 기간 동안 동작할 수도 있다. 전자 패치가 환자에게 적용될 때 배터리에 저장된 상태를 유지하는 에너지의 양은, 사용 전에 "쉘프 상에" 전자 패치가 있던 동안 소비된 에너지의 양 뿐만 아니라, 초기에 전자 패치에 설치되었을 때 배터리에 얼마나 많은 에너지가 저장되었는지에 (제조 가변성을 겪을 수도 있음) 의존할 것이다. 상술한 바와 같이, 환자로의 전자 패치의 적용을 검출하기 위해 커패시턴스 센서를 모니터링하는 것은 소량의 전력을 소비하며, 이로써 전자 패치가 환자에게 적용될 때 배터리에 저장된 에너지의 양이 시간에 걸쳐 감소할 것이다. 이에 따라, 전자 패치가 쉘프 상에 있던 (즉, 쉘프 모드에서 동작하는) 시간 및/또는 남은 전력을 결정하기 위한 일부 능력은 이로울 수도 있다.
이를 해결하기 위해서, 일부 실시형태들은 전자 패치가 쉘프 모드에 있던 시간 양을 계속 추적하도록 프로세서를 구성하는 것 및 전자 패치가 환자에게 적용될 때 이와 통신하는 디바이스에게 하나의 포맷 또는 다른 것으로 이러한 정보를 보고하는 것을 포함한다. 도 6 은 그러한 정보에 대한 액션을 제공하고 취하기 위해 실시형태 패치의 프로세서에서 구현될 수도 있는 방법 (600) 에서의 일부 예시의 동작들을 도시한다.
방법 (600) 에 있어서, 블록 (530) 에서 온 바디 동작을 활성화한 후 또는 그 부분으로서, 전자 패치의 프로세서는 블록 (602) 에서, 전자 패치 식별자 (패치 ID) 및/또는 패치의 배터리가 설치되었기 때문에 대략적인 에이지 또는 시간을 결정하기 위해 수신기 디바이스가 사용할 수 있는 다른 정보를 포함할 수도 있는 활성화 신호를 수신기 디바이스에 송신할 수도 있다. 예를 들어, 전자 패치 ID 는 제조 날짜 및/또는 만료 날짜를 포함할 수도 있는 제조 데이터베이스 (예를 들어, 네트워크 또는 인터넷 서버를 통해 액세스가능한 데이터베이스) 에서 전자 패치를 검색하는데 사용될 수도 있다. 부가적으로 또는 대안으로, 전자 패치의 프로세서는 전자 패치가 초기에 활성화된 때로부터의 타임 스탬프 또는 시간의 다른 표시 (배터리가 설치된 때로부터의 시간, 제조 모드가 종료된 때로부터의 시간, 또는 전자 패치가 쉘프 모드에 있던 지속기간) 를 송신할 수도 있다. 그 후 전자 패치로부터 정보를 수신하는 디바이스는 배터리에 저장될 것으로 예상될 수도 있는 전력의 양을 추정하고, 전자 패치가 환자에 대해 동작할 가능성이 있는 지속기간을 추정할 수도 있다.
전자 패치 프로세서는 또한 온 바디 동작들로부터 배터리가 소모되기 전에 남아있는 시간의 양을 추정하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 블록 (530) 에서 활성화 시, 프로세서는 블록 (603) 에서 활동 수명 타이머를 초기화하거나 리셋할 수도 있다. 그러한 활동 수명 타이머는 블록 (604) 에서 프로세서가 온 바디 동작들을 실행하는 동안 배터리가 고 유출 조건에 있는 시간을 측정하기 위해 전자 패치가 동작 모드에 있는 한 작동할 수도 있다. 선택적으로, 프로세서는 선택적 블록 (606) 에서 이러한 타이머를 사용하여 활성화된 때로부터의 시간을 결정할 수도 있다. 가끔, 선택적 블록 (606) 에서의 동작들의 부분으로서, 프로세서는 온 바디 동작들의 지속기간을 표시하는 시간 표시를 송신할 수도 있다. 부가적으로 또는 대안으로, 선택적 블록 (608) 에서, 프로세서는 시간 대 수명 (도 6 에서 "TTL") 을 결정하고 수신기로의 송신들에서 그것을 주기적으로 보고할 수도 있다. 프로세서는 배터리에 의한 방전의 레이트 또는 프로세서에 의한 전력 소비 레이트를 모니터링하는 것에 의해 시간 대 수명의 추정을 계산하고, 그 레이트를 사용하여 활성화 시간에서 배터리에 저장되었던 에너지가 고갈되기 전에 시간의 양을 추정할 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, TTL 은 또한 또는 대안으로 배터리의 전압을 모니터링하고 그 값을 테이블 색인에서 사용하여 추정된 남은 충전 레벨을 획득하는 것에 의해 계산될 수도 있다. 그 후 추정된 남은 충전 레벨은 배터리가 전부 연장되기 전에 남은 시간의 추정을 획득하기 위해 관측된 방전 레이트와 비교될 수 있다.
결정 블록 (610) 에서, 프로세서는 예컨대 사용자 액션에 의해 전자 패치가 비활성화되는지 또는 환자로부터 제거되는지 여부를 결정할 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 프로세서는 배터리가 TTL 을 갖기 전에 타이머가 만료되거나 미리 결정된 처리 전에 시간이 경과되는 것과 같은, 전자 패치가 환자로부터 조기에 제거될 때를 검출할 수도 있다.
일부 실시형태들에서, 프로세서는 블록 (614) 에서 활동 수명 타이머에 의해 감쇠되는 초기의 시간 대 수명 추정 (그 자체가 초기에 결정된 에너지 고갈 레이트 및 활성화 시간에서의 배터리 저장 레벨에 기초할 수도 있음) 에 기초하여 수명 값으로 작동 시간을 유지할 수도 있다. 예를 들어, 전자 패치가 비활성화되거나 제거되지 않았다고 결정하는 것에 응답하여 (즉, 결정 블록 (610) = "아니오"), 프로세서는 결정 블록 (612) 에서 활동 수명 타이머가 만료되었는지 여부를 결정할 수도 있다. 전자 패치가 비활성화되고 활동 수명 타이머가 만료되지 않는 한 (즉, 결정 블록 (612) = "아니오"), 프로세서는 블록 (614) 에서, 예컨대 수 밀리초, 수 초, 수 분 등 마다 활동 시간 타이머를 감쇠시킬 수도 있다. 이 프로세스는 전자 패치가 온 바디 동작들 (예를 들어, 블록 (604) 에서의 동작들) 을 실행하는 한 계속될 수도 있다. 일부 실시형태들에서, TTL 은 패치 그 자체 상에 시각적으로 디스플레이되고 및/또는 원격 소스로 송신될 수도 있어서 사용자가 별도의 디바이스 상에서 특정 패치의 TTL 을 시각적으로 볼 수 있다.
이러한 방식으로 남은 TTL 을 모니터링하는 것은 또한, 배터리가 전부 만료되기 전에, 데이터를 퍼징하는 것, 센서들을 비활성화하는 것, 또는 전자 패치 안전을 렌더링하고 환자 사생활을 보호하기 위한 (예를 들어, 임의의 건강 정보 사생활 보호법 또는 요구 사항들을 준수하기 위해서) 임의의 다른 적절한 동작들과 같은, 비활성화 동작들을 프로세서가 수행하게 할 수도 있다. 예를 들어, 프로세서가 전자 패치가 비활성화되었다고 결정하거나 (즉, 결정 블록 (610) = "예"), 또는 배터리가 거의 소모될 것을 표시하게 되는 활동 수명 타이머가 만료되었다고 결정하는 것 (즉, 결정 블록 (612) = "예") 에 응답하여, 블록 (616) 에서 프로세서는 전자 패치가 비활성화되고 있다는 것을 수신기 디바이스에 경고하기 위해서 비활성화 신호를 송신할 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 전자 센서 패치는 비활성화의 시간을 표시하는 타임 스탬프 및 패치 ID 를 포함할 수 있는 메시지를 송신할 수 있다. 선택적으로, 전자 센서 패치는 또한 선택적 블록 (618) 에서 추가 메시지가 전송되지 않을 것을 표시하는 메시지를 송신할 수도 있다.
전자 패치가 일회용인 실시형태들에 있어서, 프로세서는, 예컨대 패치가 환자로부터 조기에 제거되고 있거나 비활성화되는 것에 응답하여 패치가 완전히 디에너자이징되거나 동작할 수 없게 되기 전에 패치가 제거되면, 임의의 PHI (환자 건강 정보) 를 노출하는 가능성을 방지하기 위해 패치 상의 임의의 비휘발성 데이터 스토리지를 퍼지할 수도 있다. 이러한 방식으로, HIPPA (Health Insurance Portability and Accountability Act, 1996, Pub. L. 104-191, 110 Stat. 1936) 에 의한 준수가 달성될 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 전자 패치의 배터리가 완전히 유출되기 전일 수도 있는, 전자 패치가 비활성화되거나 환자로부터 조기에 제거되는 것에 응답하여 및/또는 전자 패치의 유효 수명이 만료하면 (예를 들어, 활동 수명 타이머 만료 시), 프로세서는 패치의 휘발성 메모리 또는 저장 디바이스에 포함된 임의의 데이터를 퍼지할 수도 있다. 프로세서는 데이터가 저장되는 메모리 영역들을 오버라이팅하는 것에 의해, 또는 배터리에 남아 있는 임의의 충전에 의해 데이터가 보유되지 않는 것을 보장하기 위해 휘발성 메모리로의 전력을 제거하는 것에 의해, 데이터 퍼징을 수행할 수도 있다. 사설 정보가 휘발성 RAM 에만 저장되는 실시형태들에 있어서, 프로세서는 배터리로부터 RAM 을 접속해제하여 다양한 사생활 보호법 요구 사항들을 준수하여 데이터를 소거할 수도 있다.
센서 어레이 유닛을 포함하는 일부 실시형태들에 있어서, 프로세서는 패치 데이터를 디에너자이징하거나 퍼지하기 전에 허브, 또는 세컨더리 고정 또는 모바일 디바이스, 또는 원격 서버에 신호를 전송할 수도 있다. 신호는 패치가 비활성화되거나 비활성화된 것을 세컨더리 디바이스 또는 허브에 통지할 수도 있다. 신호는 기록 유지 및/또는 준수 목적들을 위해 비활성화의 시간을 표시하는 타임 스탬프 및 패치 ID 를 포함할 수도 있다. 부가적으로, 프로세서는 그것이 셧 다운된 것을 표시하는 메시지와 같은 최종 메시지를 송신할 수도 있다. 하지만, 그러한 메시지는 반드시 수신되거나 확인응답되지 않을 수도 있다. 따라서, 예컨대 중요한 액션을 취하거나 중요한 정보를 전달하기 위해, 그러한 최종 메시지에 의존하는 것은 실용적이지 않을 수도 있다.
블록 (620) 에서, 프로세서는 어떠한 환자 정보도 전자 패치 상의 메모리에 남지 않도록 모든 비휘발성 데이터 스토리지를 퍼지하는 것과 같은, 환자 데이터를 보호하고 전자 패치 안전을 렌더링하기 위해 액션들의 최종 세트를 구현할 수도 있다. 대안으로, 환자의 사생활 정보가 패치 상의 비휘발성 메모리 (예를 들어, RAM) 에만 저장되는 경우, 프로세서는 배터리를 유출하거나 메모리로부터 배터리를 접속해제함으로써 사설 정보를 조기에 소거할 수 있다. 배터리가 거의 만료하는 것을 검출하는 것에 응답하여 프로세서가 그러한 비활성화 동작들을 구현하는 것에 의해 (예를 들어, 결정 블록 (612) = "예"), 프로세서는 그러한 비활성화 동작들을 완료하기에 충분한 전력을 유지할 수 있으며, 이는 비활성화가 배터리의 완전 고갈에 의해 야기되었다면 그 경우는 아닐 수도 있다.
상술한 바와 같이, 다양한 실시형태들은 팩토리 모드, 쉘프 모드, 및 온 바디 동작 모드로 전자 패치를 구성하고, 전자 패치가 환자에게 적용될 때 자동으로 발생하는, 쉘프 모드에서 온 바디 동작 모드로 자동으로 천이하기 위한 효율적인 메커니즘을 제공한다. 이로써, 다양한 실시형태들에 있어서, 전자 패치의 프로세서는, 전자 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 단계, 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여 미리 결정된 시간 간격 동안 저전력 모드로 전자 패치의 프로세서를 파워 다운하는 단계, 그리고 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하는 것에 응답하여 전자 패치를 활성화하는 단계를 포함하는, 환자에게 적용 시 전자 패치를 활성화하는 방법을 실행하도록 구성될 수도 있다. 일 실시형태데 있어서, 전자 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 단계는, 커패시턴스 센서의 커패시턴스를 측정하는 단계, 커패시턴스 센서의 측정된 커패시턴스를 임계와 비교하는 단계, 및 커패시턴스 센서의 측정된 커패시턴스가 임계보다 큰 것에 응답하여 전자 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하는 단계를 포함할 수도 있다.
일 실시형태에서, 전자 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 단계는, 임계 시간 간격의 만료 시 전자 패치의 프로세서를 에너자이징 하는 단계, 커패시턴스 센서를 에너자이징하는 단계, 프로세서에 의해, 커패시턴스 센서를 에너자이징하는 것에 기초하여 커패시턴스 센서의 커패시턴스를 측정하는 단계, 프로세서에 의해 커패시턴스 센서의 측정된 커패시턴스를 임계와 비교하는 단계, 및 커패시턴스 센서의 측정된 커패시턴스가 임계보다 큰 것에 응답하여 전자 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하는 단계를 포함할 수도 있다. 일 실시형태에 있어서, 커패시턴스 센서를 에너자이징하는 단계는, 전압 소스로부터 커패시턴스 센서로 전압을 인가하는 단계 또는 정전류 소스로부터 커패시턴스 센서로 정전류를 인가하는 단계를 수반할 수도 있다. 일 실시형태에 있어서, 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하는 것에 응답하여 미리 결정된 시간 간격 동안 저전력 모드로 전자 패치의 프로세서를 파워 다운하는 단계는, 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여 타이머를 시작하는 단계, 프로세서 및 전자 패치 컴포넌트에 의한 시간을 유지하지만 전력 소비는 최소화하는 저전력 모드로 전자 패치의 프로세서를 파워 다운하는 단계, 타이머에 기초하여 미리 결정된 시간 간격이 경과되었는지 여부를 결정하는 단계, 및 타이머에 기초하여 미리 결정된 시간 간격이 경과되지 않았다고 결정하는 것에 응답하여 프로세서를 저전력 모드에 그대로 두는 단계를 포함할 수도 있고, 미리 결정된 시간 간격의 만료 시 전자 패치의 프로세서를 에너자이징하는 단계는, 타이머에 기초하여 미리 결정된 시간이 경과되었다고 결정하는 것에 응답하여 전자 패치의 프로세서를 에너자이징하는 단계를 포함할 수도 있다.
일 실시형태에서, 전자 센서 패치의 프로세서는, 배터리 전원으로의 접속에 응답하여 프로세서에 의해 제조 모드를 실행하는 것으로서, 제조 모드 중에 커패시턴스 센서는 활성화되지 않는, 상기 제조 모드를 실행하는 것, 배터리 전원으로의 접속 후의 시간이 제 1 시간 임계를 초과하는지 여부를 결정하는 것으로서, 제 1 시간 임계는 제조 및 테스팅 동안 전자 패치가 핸들링될 수도 있는 시간의 양을 나타내는, 상기 제 1 시간 임계를 초과하는지 여부를 결정하는 것, 프로세서에 의해, 배터리 전원으로의 접속 후의 시간이 제 1 시간 임계를 초과한다고 결정하는 것에 응답하여 미리 결정된 시간 간격에서 커패시턴스 센서가 활성화되는 쉘프 모드를 실행하는 것을 포함하는 추가 동작들을 수행하도록 구성될 수도 있다. 그러한 실시형태들에 있어서, 프로세서는, 프로세서가 전자 패치의 활성화에 응답하여 쉘프 모드에 있던 지속기간을 결정하는 것, 및 프로세서가 쉘프 모드에 있던 결정된 지속기간의 표시를 송신하는 것을 포함하는 추가 동작들을 수행하도록 구성될 수도 있다. 그러한 실시형태들에 있어서, 프로세서는 시간 대 수명 값을 결정하는 것 및 시간 대 수명 값을 송신하는 것을 포함하는 추가 동작들을 수행하도록 구성될 수도 있다. 그러한 실시형태들에 있어서, 시간 대 수명 값은 전자 패치의 활성화 시 배터리에 저장된 에너지의 양을 결정하는 것, 전자 패치의 에너지 소비 레이트를 결정하는 것, 전자 패치의 결정된 에너지 소비 레이트에 의해 제산된 전자 패치의 활성화 시의 배터리에 저장된 에너지의 결정된 양 마이너스 전자 패치의 활성화 후 일어난 시간의 양에 기초하여, 시간 대 수명을 결정하는 것을 포함할 수도 있다. 그러한 실시형태들에 있어서, 프로세서는 결정된 시간 대 수명이 제 2 시간 임계 미만일 때를 결정하는 것, 및 결정된 시간 대 수명이 제 2 임계 미만이라고 결정하는 것에 응답하여 전자 패치의 비휘발성 메모리로부터 데이터를 삭제하는 것을 포함하는 추가 동작들을 수행하도록 구성될 수도 있다.
당업자는 여러 상이한 기술들 및 기법들 중 어느 것을 사용하여 정보 및 신호들을 나타낼 수도 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 위의 기재 전체를 통해 언급될 수도 있는, 데이터, 명령들, 커맨드들, 정보들, 신호들, 비트들, 심볼들, 및 칩들은 전압, 전류. 전자기파, 자기장 또는 자기 입자, 광학장 또는 광학 입자, 또는 이들의 임의의 조합으로 나타낼 수도 있다.
또한, 당업자는 상기 방법 설명들 및 프로세스 플로우 다이어그램들이 단지 예시적인 예들로서 제공되며 다양한 실시형태들의 단계들이 제시된 순서로 수행되어야 한다는 것을 요구하거나 또는 암시하려고 의도된 것이 아니라는 것을 알 것이다. 당업자가 주지하고 있는 바와 같이 전술한 실시형태들에서 단계들의 순서는 임의의 순서로 수행될 수도 있다. "이 후", "그 후", "다음" 등과 같은 단어들은 단계들의 순서를 한정하려고 의도되지 않으며; 이들 단어들은 방법들의 설명을 통해서 독자를 안내하기 위해서 단지 사용된다. 또, 단수형으로, 예를 들어, 한정사 "한 (a)", "하나 (an)" 또는 "그 (the)" 을 이용한, 청구항 엘리먼트들에 대한 임의의 참조는, 그 엘리먼트를 단수에 한정하는 것으로 해석되어서는 안된다.
본 명세서에 개시된 실시형태들과 관련하여 기재되는 다양한 예시적인 논리 블록들, 모듈들, 회로들 및 알고리즘 단계들은 전자 하드웨어, 컴퓨터 소프트웨어, 또는 양자의 조합으로서 구현될 수도 있다. 하드웨어 및 소프트웨어의 이러한 상호교환 가능성을 명백히 예시하기 위해, 다양한 예시적인 컴포넌트들, 블록들, 모듈들, 회로들 및 단계들은 일반적으로 그 기능에 관하여 위에서 기재되었다. 그러한 기능이 하드웨어 또는 소프트웨어로서 구현되는지 여부는 전체 시스템에 부과된 설계 제약들 및 특정 어플리케이션에 의존한다. 당업자는 각각의 특정 어플리케이션에 대해 다양한 방식으로 기재된 기능을 구현할 수도 있지만, 그러한 구현 결정들은 실시형태들의 범위로부터의 벗어남을 야기하는 것으로 해석되지 않아야 한다.
본 명세서에 개시된 실시형태에 관하여 기재된 다양한 예시적인 로직들, 로직 블록들, 모듈들 및 회로들을 구현하기 위해 사용되는 하드웨어는 범용 프로세서, 디지털 신호 프로세서 (DSP), 어플리케이션 특정 집적 회로 (AISC), 필드 프로그램가능 게이트 어레이 (FPGA), 또는 다른 프로그램가능 로직 디바이스, 이산 게이트 또는 트랜지스터 로직, 이산 하드웨어 컴포넌트들, 또는 본 명세서에 기재된 기능들을 수행하도록 설정된 그 임의의 조합으로 구현되거나 수행될 수도 있다. 범용 프로세서는 마이크로프로세서일 수도 있지만, 대안으로, 프로세서는 임의의 종래 프로세서, 제어기, 마이크로제어기, 또는 상태 머신일 수도 있다. 프로세서는 또한 컴퓨팅 디바이스들의 조합, 예를 들어 DSP 및 마이크로프로세서의 조합, 복수의 마이크로프로세서들, DSP 코어와 협력하는 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 임의의 다른 그러한 구성으로서 구현될 수도 있다. 대안으로, 일부 단계들 또는 방법들은 주어진 기능에 특정되는 회로에 의해 수행될 수도 있다.
다양한 실시형태들에서의 기능들은 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어 또는 그 임의의 조합으로 구현될 수도 있다. 소프트웨어로 구현되는 경우, 기능들은 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체 또는 비일시적 프로세서 판독가능 매체 상에 하나 이상의 프로세서 실행가능 명령들 또는 코드로서 저장될 수도 있다. 본 명세서에 개시된 방법 또는 알고리즘의 단계들은 비일시적 컴퓨터 판독가능 또는 프로세서 판독가능 저장 매체 상에 상주할 수도 있는 프로세서 실행가능 소프트웨어 모듈에서 구현될 수도 있다. 비일시적 컴퓨터 판독가능 또는 프로세서 판독가능 저장 매체들은 컴퓨터 또는 프로세서에 의해 액세스될 수도 있는 임의의 저장 매체들일 수도 있다. 한정이 아닌 예시로서, 그러한 비일시적 컴퓨터 판독가능 또는 프로세서 판독가능 매체들은 RAM, ROM, EEPROM, FLASH 메모리, CD-ROM 또는 다른 광학 디스크 저장, 자기 디스크 저장 또는 다른 자기 저장 디바이스들, 또는 명령들 또는 데이터 구조들의 형태로 원하는 프로그램 코드를 저장하는데 사용될 수도 있고 컴퓨터에 의해 액세스될 수도 있는 임의의 다른 매체를 포함할 수도 있다. 디스크 (disk) 및 디스크 (disc) 는, 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 컴팩트 디스크 (CD), 레이저 디스크, 광학 디스크, 디지털 다기능 디스크 (DVD), 플로피 디스크, 및 블루 레이 디스크를 포함하고, 여기서 디스크 (disk) 들은 보통 데이터를 자기적으로 재생하는 한편 디스크 (disc) 들은 데이터를 레이저에 의해 광학으로 재생한다. 위의 조합들은 또한 비일시적 컴퓨터 판독가능 및 프로세서 판독가능 매체의 범위 내에 포함된다. 부가적으로, 방법 또는 알고리즘의 동작들은, 컴퓨터 프로그램 제품에 통합될 수도 있는, 비일시적 프로세서 판독가능 매체 및/또는 컴퓨터 판독가능 매체 상에 코드들 및/또는 명령들 중 하나 또는 임의의 조합 또는 세트로서 상주할 수도 있다.
개시된 실시형태들의 앞선 기재는 당업자가 실시형태들을 행하거나 사용하는 것을 가능하게 하기 위해 제공된다. 이들 실시형태들에 대한 다양한 수정들은 당업자에게 쉽게 자명할 것이고, 본 명세서에 정의된 일반 원리들은 실시형태들의 범위로부터 벗어나지 않으면서 다른 실시형태들에 적용될 수도 있다. 따라서, 개시된 실시형태들이 본 명세서에 나타낸 실시형태들에만 제한되는 것으로 의도되는 것이 아니라 다음의 청구항들 및 본 명세서에 개시된 원리들 및 신규 피처들과 일치하는 최광 범위에 부합되는 것으로 의도된다.

Claims (68)

  1. 환자에게 적용되도록 구성된 전자 센서 패치를 활성화하는 방법으로서,
    상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 단계;
    상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여 미리 결정된 시간 간격 동안 상기 전자 센서 패치의 프로세서를 저전력 모드로 파워 다운하는 단계; 및
    상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하는 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치를 활성화하는 단계를 포함하는, 전자 센서 패치를 활성화하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 단계는,
    상기 커패시턴스 센서의 커패시턴스를 측정하는 단계;
    상기 커패시턴스 센서의 측정된 커패시턴스를 임계와 비교하는 단계; 및
    상기 커패시턴스 센서의 측정된 커패시턴스가 상기 임계보다 큰 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하는 단계를 포함하는, 전자 센서 패치를 활성화하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 단계는,
    상기 미리 결정된 시간 간격의 만료 시 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서를 에너자이징하는 단계;
    상기 커패시턴스 센서를 에너자이징하는 단계;
    상기 프로세서에 의해, 상기 커패시턴스 센서를 에너자이징 하는 것에 기초하여, 상기 커패시턴스 센서의 커패시턴스를 측정하는 단계;
    상기 프로세서에 의해, 상기 커패시턴스 센서의 측정된 커패시턴스를 임계와 비교하는 단계; 및
    상기 커패시턴스 센서의 측정된 커패시턴스가 상기 임계보다 큰 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하는 단계를 포함하는, 전자 센서 패치를 활성화하는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 커패시턴스 센서를 에너자이징하는 단계는, 전압 소스로부터의 전압, 및 정전류 소스로부터의 정전류 중 하나를 상기 커패시턴스 센서에 인가하는 단계를 포함하는, 전자 센서 패치를 활성화하는 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    전자 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여 미리 결정된 시간 간격 동안 상기 전자 센서 패치의 프로세서를 저전력 모드로 파워 다운하는 단계는,
    상기 전자 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여 타이머를 시작하는 단계;
    상기 타이머를 모니터링하고 프로세서 및 전자 센서 패치 컴포넌트들에 의한 전력 소비를 감소시키는 저전력 모드로 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서를 파워 다운하는 단계;
    상기 타이머에 기초하여 상기 미리 결정된 시간 간격이 경과되었는지 여부를 결정하는 단계; 및
    상기 타이머에 기초하여 상기 미리 결정된 시간 간격이 경과되지 않았다고 결정하는 것에 응답하여 상기 프로세서를 상기 저전력 모드에 그대로 두는 단계를 포함하고,
    상기 미리 결정된 시간 간격의 만료 시 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서를 에너자이징하는 단계는, 상기 타이머에 기초하여 상기 미리 결정된 시간 간격이 경과되었다고 결정하는 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서를 에너자이징하는 단계를 포함하는, 전자 센서 패치를 활성화하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세서에 의해, 배터리 전원으로의 접속에 응답하여 제조 모드를 실행하는 단계로서, 상기 제조 모드 중에, 상기 커패시턴스 센서는 활성화되지 않는, 상기 제조 모드를 실행하는 단계;
    상기 배터리 전원으로의 접속 후의 시간이 제 1 시간 임계를 초과하는지 여부를 결정하는 단계로서, 상기 제 1 시간 임계는 상기 전자 센서 패치가 제조 및 테스팅 동안 핸들링될 수도 있는 시간의 양을 나타내는, 상기 제 1 시간 임계를 초과하는지 여부를 결정하는 단계; 및
    상기 프로세서에 의해, 상기 배터리 전원으로의 접속 후의 상기 시간이 제 1 시간 임계를 초과한다고 결정하는 것에 응답하여 상기 커패시턴스 센서가 상기 미리 결정된 시간 간격에서 활성화되는 쉘프 (shelf) 모드를 실행하는 단계를 더 포함하는, 전자 센서 패치를 활성화하는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 전자 센서 패치의 활성화에 응답하여, 상기 전자 센서 패치가 상기 쉘프 모드에 있던 지속기간을 결정하는 단계; 및
    상기 전자 센서 패치가 상기 쉘프 모드에 있던 결정된 상기 지속기간의 표시를 송신하는 단계를 더 포함하는, 전자 센서 패치를 활성화하는 방법.
  8. 전자 센서 패치로서,
    배터리;
    커패시턴스 센서; 및
    상기 배터리 및 상기 커패시턴스 센서에 커플링된 프로세서를 포함하고,
    상기 프로세서는,
    상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 것;
    전자 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여 미리 결정된 시간 간격 동안 상기 프로세서를 저전력 모드로 배치하는 것; 및
    상기 전자 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하는 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치를 활성화하는 것
    을 포함하는 동작들을 수행하기 위한 프로세서 실행가능 명령들로 구성되는, 전자 센서 패치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 프로세서는, 상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 것이,
    상기 커패시턴스 센서의 커패시턴스를 측정하는 것;
    상기 커패시턴스 센서의 측정된 상기 커패시턴스를 임계와 비교하는 것; 및
    상기 커패시턴스 센서의 상기 측정된 커패시턴스가 상기 임계보다 큰 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하는 것
    을 포함하도록 동작들을 수행하기 위한 프로세서 실행가능 명령들로 구성되는, 전자 센서 패치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 프로세서는, 상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 것이,
    상기 미리 결정된 시간 간격의 만료 시 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서를 에너자이징하는 것;
    상기 커패시턴스 센서를 에너자이징하는 것;
    상기 커패시턴스 센서를 에너자이징하는 것에 기초하여, 상기 커패시턴스 센서의 커패시턴스를 측정하는 것;
    상기 커패시턴스 센서의 측정된 상기 커패시턴스를 임계와 비교하는 것; 및
    상기 커패시턴스 센서의 상기 측정된 커패시턴스가 상기 임계보다 큰 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하는 것
    을 포함하도록 동작들을 수행하기 위한 프로세서 실행가능 명령들로 구성되는, 전자 센서 패치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 프로세서는, 상기 커패시턴스 센서를 에너자이징하는 것이, 전압 소스로부터의 전압, 및 정전류 소스로부터의 정전류 중 하나를 상기 커패시턴스 센서에 인가하는 것을 포함하도록 프로세서 실행가능 명령들로 구성되는, 전자 센서 패치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 프로세서는, 상기 전자 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여 미리 결정된 시간 간격 동안 상기 전자 센서 패치의 프로세서를 저전력 모드로 파워 다운하는 것이,
    상기 전자 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여 타이머를 시작하는 것;
    상기 타이머를 모니터링하지만 프로세서 및 전자 센서 패치 컴포넌트들에 의한 전력 소비를 최소화하는 저전력 모드로 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서를 파워 다운하는 것;
    상기 타이머에 기초하여 상기 미리 결정된 시간 간격이 경과되었는지 여부를 결정하는 것; 및
    상기 타이머에 기초하여 상기 미리 결정된 시간 간격이 경과되지 않았다고 결정하는 것에 응답하여 상기 프로세서를 상기 저전력 모드에 그대로 두는 것
    을 포함하도록 프로세서 실행가능 명령들로 구성되고,
    상기 미리 결정된 시간 간격의 만료 시 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서를 에너자이징하는 것은, 상기 타이머에 기초하여 상기 미리 결정된 시간 간격이 경과되었다고 결정하는 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치의 프로세서를 에너자이징하는 것을 포함하는, 전자 센서 패치.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    배터리 전원으로의 접속에 응답하여 제조 모드를 실행하는 것으로서, 상기 제조 모드 중에, 상기 커패시턴스 센서는 활성화되지 않는, 상기 제조 모드를 실행하는 것;
    상기 배터리 전원으로의 접속 후의 시간이 제 1 시간 임계를 초과하는지 여부를 결정하는 것으로서, 상기 제 1 시간 임계는 상기 전자 센서 패치가 제조 및 테스팅 동안 핸들링될 수도 있는 시간의 양을 나타내는, 상기 제 1 시간 임계를 초과하는지 여부를 결정하는 것; 및
    상기 배터리 전원으로의 접속 후의 상기 시간이 제 1 시간 임계를 초과한다고 결정하는 것에 응답하여 상기 커패시턴스 센서가 상기 미리 결정된 시간 간격에 있는 쉘프 모드를 실행하는 것
    을 더 포함하는 동작들을 수행하기 위한 프로세서 실행가능 명령들로 구성되는, 전자 센서 패치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 프로세서서는,
    상기 전자 센서 패치의 활성화에 응답하여, 상기 전자 센서 패치가 상기 쉘프 모드에 있던 지속기간을 결정하는 것; 및
    상기 전자 센서 패치가 상기 쉘프 모드에 있던 결정된 상기 지속기간의 표시를 송신하는 것
    을 더 포함하는 동작들을 수행하기 위한 프로세서 실행가능 명령들로 구성되는, 전자 센서 패치.
  15. 전자 센서 패치로서,
    배터리;
    커패시턴스 센서;
    상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 수단;
    전자 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여 미리 결정된 시간 간격 동안 상기 전자 센서 패치를 저전력 모드로 배치하는 수단; 및
    상기 전자 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하는 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치를 활성화하는 수단을 포함하는, 전자 센서 패치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 수단은,
    상기 커패시턴스 센서의 커패시턴스를 측정하는 수단;
    상기 커패시턴스 센서의 측정된 상기 커패시턴스를 임계와 비교하는 수단; 및
    상기 커패시턴스 센서의 상기 측정된 커패시턴스가 상기 임계보다 큰 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하는 수단을 포함하는, 전자 센서 패치.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 수단은,
    상기 미리 결정된 시간 간격의 만료 시 상기 커패시턴스 센서를 에너자이징하는 수단;
    상기 커패시턴스 센서를 에너자이징하는 것에 기초하여, 상기 커패시턴스 센서의 커패시턴스를 측정하는 수단;
    상기 커패시턴스 센서의 측정된 상기 커패시턴스를 임계와 비교하는 수단; 및
    상기 커패시턴스 센서의 상기 측정된 커패시턴스가 상기 임계보다 큰 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하는 수단을 포함하는, 전자 센서 패치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 커패시턴스 센서를 에너자이징하는 수단은, 전압 소스로부터의 전압, 및 정전류 소스로부터의 정전류 중 하나를 상기 커패시턴스 센서에 인가하는 수단을 포함하는, 전자 센서 패치.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 전자 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여 미리 결정된 시간 간격 동안 상기 전자 센서 패치를 저전력 모드로 배치하는 수단은,
    상기 전자 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여 타이머를 시작하는 수단;
    상기 타이머를 모니터링하고 프로세서 및 전자 센서 패치 컴포넌트들에 의한 전력 소비를 감소시키는 저전력 모드로 상기 전자 센서 패치를 파워 다운하는 수단;
    상기 타이머에 기초하여 상기 미리 결정된 시간 간격이 경과되었는지 여부를 결정하는 수단; 및
    상기 타이머에 기초하여 상기 미리 결정된 시간 간격이 경과되지 않았다고 결정하는 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치를 상기 저전력 모드에 그대로 두는 수단을 포함하고,
    상기 미리 결정된 시간 간격의 만료 시 상기 커패시턴스 센서를 에너자이징하는 수단은, 상기 타이머에 기초하여 상기 미리 결정된 시간 간격이 경과되었다고 결정하는 것에 응답하여 상기 커패시턴스 센서를 에너자이징하는 수단을 포함하는, 전자 센서 패치.
  20. 제 15 항에 있어서,
    배터리 전원으로의 접속에 응답하여 제조 모드를 실행하는 수단으로서, 상기 제조 모드 중에, 상기 커패시턴스 센서는 활성화되지 않는, 상기 제조 모드를 실행하는 수단;
    상기 배터리 전원으로의 접속 후의 시간이 제 1 시간 임계를 초과하는지 여부를 결정하는 수단으로서, 상기 제 1 시간 임계는 상기 전자 센서 패치가 제조 및 테스팅 동안 핸들링될 수도 있는 시간의 양을 나타내는, 상기 제 1 시간 임계를 초과하는지 여부를 결정하는 수단; 및
    상기 배터리 전원으로의 접속 후의 상기 시간이 제 1 시간 임계를 초과한다고 결정하는 것에 응답하여, 상기 커패시턴스 센서가 상기 미리 결정된 시간 간격에 있는 쉘프 모드를 실행하는 수단을 더 포함하는, 전자 센서 패치.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 전자 센서 패치의 활성화에 응답하여, 상기 전자 센서 패치가 상기 쉘프 모드에 있던 지속기간을 결정하는 수단; 및
    상기 전자 센서 패치가 상기 쉘프 모드에 있던 결정된 상기 지속기간의 표시를 송신하는 수단을 더 포함하는, 전자 센서 패치.
  22. 프로세서 실행가능 명령들이 저장된 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체로서,
    저장된 상기 프로세서 실행가능 명령들은, 전자 센서 패치의 프로세서로 하여금,
    상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 것;
    전자 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여 미리 결정된 시간 간격 동안 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서를 저전력 모드로 파워 다운하는 것; 및
    상기 전자 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하는 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치를 활성화하는 것
    을 포함하는 동작들을 수행하게 하도록 구성되는, 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 저장된 프로세서 실행가능 명령들은, 상기 프로세서로 하여금, 상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 것이,
    상기 커패시턴스 센서의 커패시턴스를 측정하는 것;
    상기 커패시턴스 센서의 측정된 상기 커패시턴스를 임계와 비교하는 것; 및
    상기 커패시턴스 센서의 상기 측정된 커패시턴스가 상기 임계보다 큰 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하는 것
    을 포함하도록 동작들을 수행하게 하도록 구성되는, 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 저장된 프로세서 실행가능 명령들은, 상기 프로세서로 하여금, 상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 것이,
    상기 미리 결정된 시간 간격의 만료 시 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서를 에너자이징하는 것;
    상기 커패시턴스 센서를 에너자이징하는 것;
    상기 커패시턴스 센서를 에너자이징하는 것에 기초하여 상기 커패시턴스 센서의 커패시턴스를 측정하는 것;
    상기 커패시턴스 센서의 측정된 상기 커패시턴스를 임계와 비교하는 것; 및
    상기 커패시턴스 센서의 상기 측정된 커패시턴스가 상기 임계보다 큰 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접한다고 결정하는 것
    을 포함하도록 동작들을 수행하게 하도록 구성되는, 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 저장된 프로세서 실행가능 명령들은, 상기 프로세서로 하여금, 상기 커패시턴스 센서를 에너자이징하는 것이, 전압 소스로부터의 전압 및 정전류 소스로부터의 정전류 중 하나를 상기 커패시턴스 센서에 인가하는 것을 포함하도록 동작들을 수행하게 하도록 구성되는, 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체.
  26. 제 24 항에 있어서,
    상기 저장된 프로세서 실행가능 명령들은, 상기 프로세서로 하여금, 상기 전자 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여 미리 결정된 시간 간격 동안 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서를 저전력 모드로 파워 다운하는 것이,
    상기 전자 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여 타이머를 시작하는 것;
    상기 타이머를 모니터링하고 프로세서 및 전자 센서 패치 컴포넌트들에 의한 전력 소비를 감소시키는 저전력 모드로 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서를 파워 다운하는 것;
    상기 타이머에 기초하여 상기 미리 결정된 시간 간격이 경과되었는지 여부를 결정하는 것; 및
    상기 타이머에 기초하여 상기 미리 결정된 시간 간격이 경과되지 않았다고 결정하는 것에 응답하여 상기 프로세서를 상기 저전력 모드에 그대로 두는 것
    을 포함하도록 동작들을 수행하게 하도록 구성되고,
    상기 미리 결정된 시간 간격의 만료 시 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서를 에너자이징하는 것이, 상기 타이머에 기초하여 상기 미리 결정된 시간 간격이 경과되었다고 결정하는 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서를 에너자이징하는 것을 포함하는, 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체.
  27. 제 22 항에 있어서,
    상기 저장된 프로세서 실행가능 명령들은, 상기 프로세서로 하여금,
    배터리 전원으로의 접속에 응답하여 제조 모드를 실행하는 것으로서, 상기 제조 모드 중에, 상기 커패시턴스 센서는 활성화되지 않는, 상기 제조 모드를 실행하는 것;
    상기 배터리 전원으로의 접속 후의 시간이 제 1 시간 임계를 초과하는지 여부를 결정하는 것으로서, 상기 제 1 시간 임계는 상기 전자 센서 패치가 제조 및 테스팅 동안 핸들링될 수도 있는 시간의 양을 나타내는, 상기 제 1 시간 임계를 초과하는지 여부를 결정하는 것; 및
    상기 배터리 전원으로의 접속 후의 상기 시간이 제 1 시간 임계를 초과한다고 결정하는 것에 응답하여 상기 커패시턴스 센서가 상기 미리 결정된 시간 간격에서 활성화되는 쉘프 모드를 실행하는 것
    을 더 포함하는 동작들을 수행하게 하도록 구성되는, 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 저장된 프로세서 실행가능 명령들은, 상기 프로세서로 하여금,
    상기 전자 센서 패치의 활성화에 응답하여, 상기 전자 센서 패치가 상기 쉘프 모드에 있던 지속기간을 결정하는 것; 및
    상기 전자 센서 패치가 상기 쉘프 모드에 있던 결정된 상기 지속기간의 표시를 송신하는 것
    을 더 포함하는 동작들을 수행하게 하도록 구성되는, 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체.
  29. 환자에게 적용되도록 구성된 전자 센서 패치를 비활성화하는 방법으로서,
    상기 전자 센서 패치의 활성화에 응답하여 활동 수명 타이머를 활성화하는 단계;
    상기 전자 센서 패치의 프로세서에 의해, 상기 활동 수명 타이머가 만료되었는지 여부를 결정하는 단계; 및
    상기 프로세서에 의해, 상기 활동 수명 타이머가 만료되었다고 결정하는 것에 응답하여, 상기 전자 센서 패치를 비활성화하는 단계를 포함하는, 전자 센서 패치를 비활성화하는 방법.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 단계; 및
    상기 전자 센서 패치가 상기 바디에 아주 근접한다고 결정하는 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치를 활성화하는 단계를 더 포함하는, 전자 센서 패치를 비활성화하는 방법.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 전자 센서 패치를 활성화하는 것에 응답하여 하나 이상의 온 바디 동작들을 수행하기 위해 온 바디 동작 모드를 실행하는 단계를 더 포함하는, 전자 센서 패치를 비활성화하는 방법.
  32. 제 30 항에 있어서,
    하나 이상의 온 바디 동작들은 센싱 동작; 및 통신 동작으로 이루어지는 그룹의 적어도 하나의 멤버를 포함하는, 전자 센서 패치를 비활성화하는 방법.
  33. 제 30 항에 있어서,
    상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여 미리 결정된 시간 간격 동안 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서를 저전력 모드로 파워 다운하는 단계를 더 포함하는, 전자 센서 패치를 비활성화하는 방법.
  34. 제 29 항에 있어서,
    상기 활동 수명 타이머가 만료되었다고 결정하는 것에 응답하여 비활성화 신호를 전송하는 단계를 더 포함하는, 전자 센서 패치를 비활성화하는 방법.
  35. 제 34 항에 있어서,
    상기 비활성화 신호는 전자 패치가 비활성화될 것을 표시하는, 전자 센서 패치를 비활성화하는 방법.
  36. 제 29 항에 있어서,
    상기 활동 수명 타이머가 만료되었다고 결정하는 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치를 비활성화하는 단계는, 상기 전자 센서 패치의 메모리에 저장된 데이터를 퍼지하는 단계를 포함하는, 전자 센서 패치를 비활성화하는 방법.
  37. 제 36 항에 있어서,
    상기 전자 센서 패치의 메모리에 저장된 데이터를 퍼지하는 단계는, 상기 메모리로의 전력을 접속해제하는 것; 및 상기 메모리에 저장된 데이터를 오버라이팅하는 것으로 이루어지는 그룹의 적어도 하나의 멤버를 포함하는, 전자 센서 패치를 비활성화하는 방법.
  38. 제 29 항에 있어서,
    상기 활동 수명 타이머가 만료되었는지 여부를 결정하는 단계는, 상기 활동 수명 타이머의 값이, 제로; 활동 수명 시간 값과 동일; 및 상기 활동 수명 시간 값 미만 중 하나일 때, 상기 활동 수명 타이머가 만료되었다고 결정하는 단계를 포함하는, 전자 센서 패치를 비활성화하는 방법.
  39. 전자 센서 패치로서,
    배터리;
    활동 수명 타이머;
    커패시턴스 센서; 및
    상기 배터리, 상기 활동 수명 타이머, 및 상기 커패시턴스 센서에 커플링된 프로세서를 포함하고,
    상기 프로세서는,
    상기 전자 센서 패치의 활성화에 응답하여 상기 활동 수명 타이머를 활성화하는 것;
    상기 활동 수명 타이머가 만료되었는지 여부를 결정하는 것; 및
    상기 활동 수명 타이머가 만료되었다고 결정하는 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치를 비활성화하는 것
    을 포함하는 동작들을 수행하기 위한 프로세서 실행가능 명령들로 구성되는, 전자 센서 패치.
  40. 제 39 항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 상기 커패시턴스 센서를 사용하는 것; 및
    상기 전자 센서 패치가 상기 바디에 아주 근접한다고 결정하는 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치를 활성화하는 것
    을 더 포함하는 동작들을 수행하기 위한 프로세서 실행가능 명령들로 구성되는, 전자 센서 패치.
  41. 제 40 항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 전자 센서 패치를 활성화하는 것에 응답하여 하나 이상의 온 바디 동작들을 수행하기 위해 온 바디 동작 모드를 실행하는 것을 더 포함하는 동작들을 수행하기 위한 프로세서 실행가능 명령들로 구성되는, 전자 센서 패치.
  42. 제 40 항에 있어서,
    상기 프로세서에 커플링된 라디오 모듈; 및
    상기 프로세서에 커플링된 하나 이상의 센서들을 더 포함하고,
    상기 프로세서는, 하나 이상의 온 바디 동작들이 상기 하나 이상의 센서들을 사용한 센싱 동작; 및 상기 라디오 모듈을 사용한 통신 동작으로 이루어지는 그룹의 적어도 하나의 멤버를 포함하도록 동작들을 수행하기 위한 프로세서 실행가능 명령들로 구성되는, 전자 센서 패치.
  43. 제 40 항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여 미리 결정된 시간 간격 동안 상기 프로세서를 저전력 모드로 파워 다운하는 것을 더 포함하는 동작들을 수행하기 위한 프로세서 실행가능 명령들로 구성되는, 전자 센서 패치.
  44. 제 39 항에 있어서,
    상기 프로세서에 커플링된 라디오 모듈을 더 포함하고,
    상기 프로세서는, 상기 활동 수명 타이머가 만료되었다고 결정하는 것에 응답하여 상기 라디오 모듈을 사용하여 비활성화 신호를 전송하는 것을 더 포함하는 동작들을 수행하기 위한 프로세서 실행가능 명령들로 구성되는, 전자 센서 패치.
  45. 제 44 항에 있어서,
    상기 프로세서는, 전자 패치가 비활성화될 것을 상기 비활성화 신호가 표시하도록 동작들을 수행하기 위한 프로세서 실행가능 명령들로 구성되는, 전자 센서 패치.
  46. 제 39 항에 있어서,
    상기 프로세서에 커플링된 메모리를 더 포함하고,
    상기 프로세서는, 상기 활동 수명 타이머가 만료되었다고 결정하는 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치를 비활성화하는 것이, 상기 메모리에 저장된 데이터를 퍼지하는 것을 포함하도록 동작들을 수행하기 위한 프로세서 실행가능 명령들로 구성되는, 전자 센서 패치.
  47. 제 46 항에 있어서,
    상기 프로세서는, 상기 메모리에 저장된 데이터를 퍼지하는 것이, 상기 메모리로의 전력을 접속해제하는 것; 및 상기 메모리에 저장된 데이터를 오버라이팅하는 것으로 이루어지는 그룹의 적어도 하나의 멤버를 포함하도록 동작들을 수행하기 위한 프로세서 실행가능 명령들로 구성되는, 전자 센서 패치.
  48. 제 39 항에 있어서,
    상기 프로세서는, 상기 활동 수명 타이머가 만료되었는지 여부를 결정하는 것이, 상기 활동 수명 타이머의 값이, 제로; 활동 수명 시간 값과 동일; 및 상기 활동 수명 시간 값 미만 중 하나일 때, 상기 활동 수명 타이머가 만료되었다고 결정하는 것을 포함하도록 동작들을 수행하기 위한 프로세서 실행가능 명령들로 구성되는, 전자 센서 패치.
  49. 전자 센서 패치로서,
    배터리;
    활동 수명 타이머;
    커패시턴스 센서; 및
    상기 전자 센서 패치의 활성화에 응답하여 상기 활동 수명 타이머를 활성화하는 수단;
    상기 활동 수명 타이머가 만료되었는지 여부를 결정하는 수단; 및
    상기 활동 수명 타이머가 만료되었다고 결정하는 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치를 비활성화하는 수단을 포함하는, 전자 센서 패치.
  50. 제 49 항에 있어서,
    상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 상기 커패시턴스 센서를 사용하는 수단; 및
    상기 전자 센서 패치가 상기 바디에 아주 근접한다고 결정하는 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치를 활성화하는 수단을 더 포함하는, 전자 센서 패치.
  51. 제 50 항에 있어서,
    상기 전자 센서 패치의 활성화에 응답하여 하나 이상의 온 바디 동작들을 수행하기 위해 온 바디 동작 모드를 실행하는 수단을 더 포함하는, 전자 센서 패치.
  52. 제 50 항에 있어서,
    하나 이상의 온 바디 동작들을 실행하는 수단은, 센싱 동작을 실행하는 수단; 및 통신 동작을 실행하는 수단으로 이루어지는 그룹의 적어도 하나의 멤버를 포함하는, 전자 센서 패치.
  53. 제 50 항에 있어서,
    상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여 미리 결정된 시간 간격 동안 상기 전자 센서 패치를 저전력 모드로 파워 다운하는 수단을 더 포함하는, 전자 센서 패치.
  54. 제 49 항에 있어서,
    상기 활동 수명 타이머가 만료되었다고 결정하는 것에 응답하여 비활성화 신호를 전송하는 수단을 더 포함하는, 전자 센서 패치.
  55. 제 54 항에 있어서,
    상기 비활성화 신호는 전자 패치가 비활성화될 것을 표시하는, 전자 센서 패치.
  56. 제 49 항에 있어서,
    상기 활동 수명 타이머가 만료되었다는 결정에 응답하여 상기 전자 센서 패치를 비활성화하는 수단이, 상기 전자 센서 패치의 메모리에 저장된 데이터를 퍼지하는 수단을 포함하는, 전자 센서 패치.
  57. 제 56 항에 있어서,
    상기 전자 센서 패치의 메모리에 저장된 데이터를 퍼지하는 수단은, 상기 메모리로의 전력을 접속해제하는 수단; 및 상기 메모리에 저장된 데이터를 오버라이팅하는 수단으로 이루어지는 그룹의 적어도 하나의 멤버를 포함하는, 전자 센서 패치.
  58. 제 49 항에 있어서,
    상기 활동 수명 타이머가 만료되었는지 여부를 결정하는 수단은, 상기 활동 수명 타이머의 값이, 제로; 활동 수명 시간 값과 동일; 및 상기 활동 수명 시간 값 미만 중 하나일 때, 상기 활동 수명 타이머가 만료되었다고 결정하는 수단을 포함하는, 전자 센서 패치.
  59. 프로세서 실행가능 명령들이 저장된 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체로서,
    저장된 상기 프로세서 실행가능 명령들은, 전자 센서 패치의 프로세서로 하여금,
    상기 전자 센서 패치의 활성화에 응답하여 활동 수명 타이머를 활성화하는 것;
    상기 활동 수명 타이머가 만료되었는지 여부를 결정하는 것; 및
    상기 활동 수명 타이머가 만료되었다고 결정하는 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치를 비활성화하는 것
    을 포함하는 동작들을 수행하게 하도록 구성되는, 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체.
  60. 제 59 항에 있어서,
    상기 저장된 프로세서 실행가능 명령들은, 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서로 하여금,
    상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하는지 여부를 결정하기 위해 커패시턴스 센서를 사용하는 것; 및
    상기 전자 센서 패치가 상기 바디에 아주 근접한다고 결정하는 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치를 활성화하는 것
    을 더 포함하는 동작들을 수행하게 하도록 구성되는, 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체.
  61. 제 60 항에 있어서,
    상기 저장된 프로세서 실행가능 명령들은, 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서로 하여금,
    상기 전자 센서 패치를 활성화하는 것에 응답하여 하나 이상의 온 바디 동작들을 수행하기 위해 온 바디 동작 모드를 실행하는 것
    을 더 포함하는 동작들을 수행하게 하도록 구성되는, 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체.
  62. 제 61 항에 있어서,
    상기 저장된 프로세서 실행가능 명령들은, 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서로 하여금,
    상기 하나 이상의 온 바디 동작들이 하나 이상의 센싱 동작들; 및 통신 동작으로 이루어지는 그룹의 적어도 하나의 멤버를 포함하도록 동작들을 수행하게 하도록 구성되는, 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체.
  63. 제 60 항에 있어서,
    상기 저장된 프로세서 실행가능 명령들은, 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서로 하여금,
    상기 전자 센서 패치가 바디에 아주 근접하지 않는다고 결정하는 것에 응답하여 미리 결정된 시간 간격 동안 상기 프로세서를 저전력 모드로 파워 다운하는 것을 더 포함하는 동작들을 수행하게 하도록 구성되는, 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체.
  64. 제 59 항에 있어서,
    상기 저장된 프로세서 실행가능 명령들은, 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서로 하여금,
    상기 활동 수명 타이머가 만료되었다고 결정하는 것에 응답하여 비활성화 신호를 전송하는 것을 더 포함하는 동작들을 수행하게 하도록 구성되는, 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체.
  65. 제 64 항에 있어서,
    상기 저장된 프로세서 실행가능 명령들은, 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서로 하여금, 상기 비활성화 신호를 전송하는 것이 전자 패치가 비활성화될 것을 표시하도록 동작들을 수행하게 하도록 구성되는, 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체.
  66. 제 59 항에 있어서,
    상기 저장된 프로세서 실행가능 명령들은, 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서로 하여금,
    상기 활동 수명 타이머가 만료되었다고 결정하는 것에 응답하여 상기 전자 센서 패치를 비활성화하는 것이, 상기 전자 센서 패치의 메모리에 저장된 데이터를 퍼지하는 것을 포함하도록 동작들을 수행하게 하도록 구성되는, 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체.
  67. 제 66 항에 있어서,
    상기 저장된 프로세서 실행가능 명령들은, 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서로 하여금,
    상기 전자 센서 패치의 메모리에 저장된 데이터를 퍼지하는 것이, 상기 메모리로의 전력을 접속해제하는 것; 및 상기 메모리에 저장된 데이터를 오버라이팅하는 것으로 이루어지는 그룹의 적어도 하나의 멤버를 포함하도록 동작들을 수행하게 하도록 구성되는, 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체.
  68. 제 59 항에 있어서,
    상기 저장된 프로세서 실행가능 명령들은, 상기 전자 센서 패치의 상기 프로세서로 하여금,
    상기 활동 수명 타이머가 만료되었는지 여부를 결정하는 것이, 상기 활동 수명 타이머의 값이, 제로; 활동 수명 시간 값과 동일; 및 상기 활동 수명 시간 값 미만 중 하나일 때, 상기 활동 수명 타이머가 만료되었다고 결정하는 것을 포함하도록 동작들을 수행하게 하도록 구성되는, 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체.
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