KR20160124456A - Light Emitting Device - Google Patents

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KR20160124456A
KR20160124456A KR1020150055073A KR20150055073A KR20160124456A KR 20160124456 A KR20160124456 A KR 20160124456A KR 1020150055073 A KR1020150055073 A KR 1020150055073A KR 20150055073 A KR20150055073 A KR 20150055073A KR 20160124456 A KR20160124456 A KR 20160124456A
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Abstract

An embodiment of the present invention relates to a light emitting element, capable of preventing deformation by heat and obtaining an advantage in heat emission. The light emitting element comprises: a light emitting structure; first and second electrodes which are disposed under the light emitting structure, and are electrically insulated from each other; a first metal layer which is connected to the first electrode, and is disposed to cover lateral and lower portions of the light emitting structure; a first insulation layer which is disposed between the light emitting structure and the first metal layer; a second metal layer which is connected to the second electrode, is disposed on a lateral side of the first insulation layer and under the light emitting structure; a first support metal layer which is disposed under the first metal layer, and supports the light emitting structure; and a second support metal layer which is disposed under the second metal layer, and supports edges of the light emitting structure.

Description

발광소자{Light Emitting Device}[0001] Light Emitting Device [0002]

실시예는 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광소자의 제작 공정 과정 중에 열에 의한 발광소자의 변형을 방지할 수 있고, 열방출을 효과적으로 하여 신뢰성을 향상시킬 수 있는 발광소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device capable of preventing deformation of a light emitting device due to heat during a fabrication process of a light emitting device and improving heat efficiency.

일반적으로, 반도체 발광소자로는 LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)를 들 수 있는데, 이는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 자외선의 형태로 변환시켜 신호를 보내고 받는 데 사용되는 소자이다.In general, a semiconductor light emitting device includes a light emitting diode (LED), which is used to convert an electric signal into an infrared ray, a visible ray, or an ultraviolet ray using the characteristics of a compound semiconductor to transmit and receive a signal Device.

보통 LED의 사용 범위는 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 종류는 크게 IRED(Infrared Emitting Diode)와 VLED(Visible Light Emitting Diode)로 나뉘어 진다. 상기의 LED의 구조는 일반적으로 다음과 같다.Usually, the LED is used in household appliances, remote controls, display boards, displays, and automation equipment. The types of LEDs are classified into IRED (Infrared Emitting Diode) and VLED (Visible Light Emitting Diode). The structure of the above LED is generally as follows.

일반적으로 청색 LED는 사파이어 기판 상에 N형 GaN 층이 형성되고, 상기 N형 GaN 층 표면의 일측 상에 N-메탈이 있고, 상기 N-메탈이 형성된 영역 이외에 활성층이 형성되어 있다.In general, an N-type GaN layer is formed on a sapphire substrate, an N-metal is formed on one side of the surface of the N-type GaN layer, and an active layer is formed in addition to the N-metal formed region.

그리고, 상기 활성층 상에 P형 GaN 층이 형성되고, 상기 P형 GaN 층 상에 P-메탈이 형성되어 있다. 상기 활성층은 P-메탈을 통하여 전송되어 오는 정공과 N 메탈을 통하여 전송해오는 전자가 결합하여 광을 발생시키는 층이다.Then, a P-type GaN layer is formed on the active layer, and a P-metal is formed on the P-type GaN layer. The active layer is a layer that generates light by combining holes that are transmitted through P-metal and electrons that are transmitted through N-metal.

상기와 같은 LED는 출력되는 광의 세기에 따라, 가정용 가전 제품, 전광판 등에 사용되는데, 특히, LED는 정보 통신 기기의 소형화, 슬림(slim)화 추세에 있고, 주변 기기인 저항, 콘덴서, 노이즈 필터 등도 더욱 소형화되고 있다.Such LEDs are used in household electric appliances, electric signboards, and the like depending on the intensity of outputted light. Particularly, LEDs are in the trend of miniaturization and slimming of information communication devices, and peripheral devices such as resistors, capacitors, And is further downsized.

따라서, 두께는 얇고, 광효율이 높은 TFFC(Thin Film Flip Chip) 소자가 많이 이용되고 있는데, TFFC 소자는 제조 공정 중에 발광 구조물이 배치되는 기판을 발광 구조물에서 분리하고, 발광 구조물의 표면에 요철을 형성하여 광효율을 향상시킬 수 있다. 여기서, 발광 구조물로부터 기판을 분리한 후 발광 구조물을 지지해 주는 지지층이 발광 구조물의 하부에 배치된다.Therefore, a TFFC (Thin Film Flip Chip) device having a thin thickness and a high light efficiency is widely used. In a TFFC device, a substrate on which a light emitting structure is disposed is separated from the light emitting structure during the manufacturing process, So that the light efficiency can be improved. Here, after the substrate is separated from the light emitting structure, a supporting layer for supporting the light emitting structure is disposed under the light emitting structure.

도 1은 종래의 발광소자를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional light emitting device.

도 1에 도시한 바와 같이, 종래의 발광소자는 제1 전극(11)과 제2 전극(12)을 포함하는 발광 구조물(10), 제1 전극(11) 및 제2 전극(12)과 각각 연결되는 제1 시드금속(seed metal)(21)과 제2 시드금속(seed metal)(22), 발광소자의 발광 구조물(10)을 지지해 주도록 제1 시드금속(21)과 제2 시드금속(22)의 하부에 각각 배치되는 제1 금속필러(metal pillar)(31)와 제2 금속필러(metal pillar)(32), 제1 시드금속(21)과 제2 시드금속(22) 및 제1 금속필러(31)와 제2 금속필러(32)의 둘레에 채워지는 절연체(40), 발광 구조물(10)의 일면에 배치되는 형광체(50)를 포함하여 이루어진다.1, a conventional light emitting device includes a light emitting structure 10 including a first electrode 11 and a second electrode 12, a first electrode 11 and a second electrode 12, The first seed metal 21 and the second seed metal 22 are formed to support the first seed metal 21 and the second seed metal 22 connected to each other and the light emitting structure 10 of the light emitting device, A first metal filler 31 and a second metal filler 32 disposed on the lower portion of the first seed metal layer 22 and the first seed metal 21 and the second seed metal 22, An insulator 40 filled around the first metal filler 31 and the second metal filler 32 and a phosphor 50 disposed on one surface of the light emitting structure 10.

그러나, 발광소자를 제조하는 공정에서 레이저 등으로 열을 가하는 공정에서 레진(resin) 등의 절연체가 배치되는 발광소자의 가장자리가 녹거나 변형되는 문제점이 있다. 그리고, 레진(resin) 등의 절연체는 열전도율이 낮아 발광소자에서 방출되는 열이 방열되지 못하여 발광소자의 성능이 저하되는 문제점이 있다.However, in the process of manufacturing the light emitting device, there is a problem that the edge of the light emitting device where the insulator such as resin is disposed melts or deforms in a process of applying heat with a laser or the like. Insulators such as resin have a low thermal conductivity, and heat emitted from the light emitting device is not dissipated, thereby deteriorating the performance of the light emitting device.

실시예는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 안출된 것으로, 열에 의한 발광소자의 변형을 방지하고, 열방출이 유리한 발광소자를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An embodiment of the present invention has been devised to solve the problems as described above, and it is an object of the present invention to provide a light emitting device which prevents deformation of a light emitting device due to heat and is advantageous in heat release.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 실시예는 발광 구조물; 상기 발광 구조물에 전기적으로 서로 이격되어 배치된 제1 및 제2 전극; 상기 제1 전극과 연결되며, 상기 발광 구조물의 측부와 하부를 감싸도록 배치된 제1 금속층; 상기 발광 구조물과 상기 제1 금속층 사이에 배치된 제1 절연층; 상기 제2 전극과 연결되며, 상기 제1 절연층의 측부와 상기 발광 구조물의 하부에 배치된 제2 금속층; 상기 제1 금속층의 하부에서 상기 발광 구조물을 지지하는 제1 지지 금속층; 및 상기 제2 금속층의 하부에 배치되어 상기 발광 구조물의 가장자리를 지지하는 제2 지지 금속층을 포함하는 발광소자를 제공한다.In order to achieve the above object, an embodiment provides a light emitting device comprising: a light emitting structure; First and second electrodes electrically spaced from each other in the light emitting structure; A first metal layer connected to the first electrode and disposed to surround a side and a bottom of the light emitting structure; A first insulating layer disposed between the light emitting structure and the first metal layer; A second metal layer connected to the second electrode and disposed on a side of the first insulating layer and a lower portion of the light emitting structure; A first supporting metal layer for supporting the light emitting structure at a lower portion of the first metal layer; And a second supporting metal layer disposed under the second metal layer and supporting an edge of the light emitting structure.

실시예에서, 상기 발광소자는 상기 제1 및 제2 금속층 사이에 배치된 제2 절연층; 및 상기 제1 및 제2 금속 지지층 사이에 배치된 제3 절연층을 더 포함할 수 있다.In an embodiment, the light emitting element includes a second insulating layer disposed between the first and second metal layers; And a third insulating layer disposed between the first and second metal supporting layers.

그리고, 상기 제2 지지 금속층의 단면적은 상기 제1 지지 금속층의 단면적보다 넓을 수 있다.The cross-sectional area of the second supporting metal layer may be larger than the cross-sectional area of the first supporting metal layer.

또한, 상기 제1 지지 금속층의 단면적에 대한 상기 제2 지지 금속층의 단면적의 비율은 4:1 내지 5:3일 수 있다.The ratio of the cross-sectional area of the second supporting metal layer to the cross-sectional area of the first supporting metal layer may be 4: 1 to 5: 3.

한편, 상기 제1 지지 금속층은 구리(Cu), 니켈(Nickel) 또는 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 제2 지지 금속층은 구리(Cu), 니켈(Nickel) 또는 금(Au) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first supporting metal layer may include at least one of copper (Cu), nickel (Ni), and gold (Au), and the second supporting metal layer may include at least one of Cu, And may include at least one.

그리고, 상기 제2 지지 금속층은 상기 제3 절연층을 에워싸는 저면 형상을 가질 수 있다.The second supporting metal layer may have a bottom surface shape surrounding the third insulating layer.

아울러, 상기 제3 절연층은 상기 제1 지지 금속층을 에워싸는 저면 형상을 가질 수 있다.In addition, the third insulating layer may have a bottom surface shape surrounding the first supporting metal layer.

또한, 상기 제2 금속층은 상기 발광 구조물의 측부에 배치되는 제1 세그먼트; 및 상기 제1 세그먼트와 상기 발광 구조물의 아래에 배치된 제2 세그먼트를 포함할 수 있다.Also, the second metal layer may include a first segment disposed on a side of the light emitting structure; And a second segment disposed below the first segment and the light emitting structure.

그리고, 상기 제1 세그먼트의 폭은 1 ㎛ 내지 50 ㎛일 수 있다.And, the width of the first segment may be 1 탆 to 50 탆.

아울러, 상기 제2 절연층과 제3 절연층의 폭은 20㎛ 내지 30㎛일 수 있다.In addition, the widths of the second insulating layer and the third insulating layer may be 20 탆 to 30 탆.

상술한 바와 같은 실시예에 의하면, 발광소자가 열에 의한 형태 변형을 방지하여 발광소자의 불량률을 낮추고, 생산성을 높일 수 있다.According to the embodiment as described above, it is possible to prevent the deformation of the light emitting element due to heat, thereby lowering the defect rate of the light emitting element and increasing the productivity.

또한, 열방출이 유리하여 발광소자의 수명과 성능을 향상시킬 수 있다.Further, the heat emission is advantageous, and the lifetime and performance of the light emitting device can be improved.

도 1은 종래의 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광소자의 저면도이다.
도 3은 도 2의 A-A' 단면도이다.
도 4a와 도 4b는 종래의 발광소자와 실시예에 따른 발광소자의 가장자리를 레이저로 잘라냈을 때의 단면을 나타내는 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional light emitting device.
2 is a bottom view of a light emitting device according to an embodiment.
3 is a sectional view taken along the line AA 'of FIG.
4A and 4B are cross-sectional views of a conventional light emitting device and a light emitting device according to an embodiment of the present invention, in which edges are cut out by a laser.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly) 접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of embodiments according to the present invention, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

도 2는 실시예에 따른 발광소자의 저면도이고, 도 3은 도 2의 A-A' 단면도이다.FIG. 2 is a bottom view of the light emitting device according to the embodiment, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line A-A 'of FIG.

도 2 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광소자는 발광 구조물(100), 제1 절연층(210), 제2 절연층(220), 제3 절연층(230), 제1 금속층(310), 제2 금속층(320), 제1 지지 금속층(410). 제2 지지 금속층(420)을 포함하여 이루어진다.2 to 3, the light emitting device according to the present embodiment includes a light emitting structure 100, a first insulating layer 210, a second insulating layer 220, a third insulating layer 230, (310), a second metal layer (320), and a first supporting metal layer (410). And a second supporting metal layer 420.

실시예에서, 투광성 기판(미도시)은 사파이어 기판 등이 사용될 수 있고, 투광성을 가지는 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함하는데 이에 대해 한정하지는 않는다.In the embodiment, a transparent substrate (not shown) may be a sapphire substrate or the like, and includes a light-transmitting conductive substrate or an insulating substrate, but the invention is not limited thereto.

또한, 투광성 기판(미도시)의 일면에는 복수의 반도체 화합물이 적층된 발광구조물(100)이 배치된다. 그리고, 발광구조물(100)은 투광성 기판(미도시)의 하부에 구비되는 제1 도전형 반도체층(100a), 제1 도전형 반도체층(100a)의 하부에 구비되는 활성층(100b), 활성층(100b)의 하부에 구비되는 제2 도전형 반도체층(100c)을 포함한다.A light emitting structure 100 in which a plurality of semiconductor compounds are stacked is disposed on one surface of a light transmitting substrate (not shown). The light emitting structure 100 includes a first conductive semiconductor layer 100a provided under the light transmitting substrate (not shown), an active layer 100b provided below the first conductive semiconductor layer 100a, And a second conductive semiconductor layer 100c provided under the first conductive semiconductor layer 100b.

그리고, 발광 구조물(100)이 배치된 후에는 투광성 기판은 발광 구조물(100)로부터 분리되고, 발광 구조물의 일면에 요철을 형성하여 광효율을 높일 수 있다.After the light emitting structure 100 is disposed, the light transmitting substrate is separated from the light emitting structure 100, and concave and convex are formed on one surface of the light emitting structure 100 to increase the light efficiency.

여기서, 제1 도전형 반도체층(100a)과 활성층(100b) 및 제2 도전형 반도체층(100c)을 포함하는 발광구조물(100)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting structure 100 including the first conductivity type semiconductor layer 100a, the active layer 100b and the second conductivity type semiconductor layer 100c may be formed using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) (CVD), a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), a molecular beam epitaxy (MBE), a hydride vapor phase epitaxy (HVPE) ), And the like, but the present invention is not limited thereto.

아울러, 제1 도전형 반도체층(100a)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 보다 상세히 설명하면, 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(100a)이 n형 반도체층인 경우, 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.In addition, the first conductivity type semiconductor layer 100a may be formed of a semiconductor compound. More specifically, the compound semiconductor may be implemented by a compound semiconductors such as Group 3-Group 5, Group 2-Group 6, and the like, and the first conductivity type dopant may be doped. When the first conductive type semiconductor layer 100a is an n-type semiconductor layer, the first conductive type dopant may include Si, Ge, Sn, Se, and Te as an n-type dopant, but is not limited thereto.

그리고, 제1 도전형 반도체층(100a)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(100a)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 100a is a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + . ≪ / RTI > The first conductive semiconductor layer 100a may be formed of one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP and InP.

한편, 활성층(100b)은 제1 도전형 반도체층(100a)을 통해서 주입되는 전자와 이후 형성되는 제2 도전형 반도체층(100c)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(100b)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다.In the active layer 100b, electrons injected through the first conductive type semiconductor layer 100a and holes injected through the second conductive type semiconductor layer 100c formed thereafter mutually meet with each other to form the active layer 100b, Which emits light having energy determined by the energy band of the light.

또한, 활성층(100b)은 이중 접합 구조(Double Hetero Junction Structure), 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 활성층(100b)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 100b may have a double heterojunction structure, a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. Or the like. For example, the active layer 100b may be formed by implanting trimethyl gallium gas (TMGa), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and trimethyl indium gas (TMIn) But is not limited thereto.

활성층(100b)의 우물층/장벽층은 예를 들어, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, InAlGaN/InAlGaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 여기서, 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.For example, the well layer / barrier layer of the active layer 100b may be formed of any one of InGaN / GaN, InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, InAlGaN / InAlGaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs, GaP But it is not limited thereto. Here, the well layer may be formed of a material having a band gap lower than the band gap of the barrier layer.

그리고, 활성층(100b)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전형 클래드층은 활성층(100b)의 장벽층이나 밴드갭보다 더 넓은 밴드갭을 가지는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다.A conductive clad layer (not shown) may be formed on and / or below the active layer 100b. The conductive cladding layer may be formed of a semiconductor having a band gap wider than the barrier layer or band gap of the active layer 100b. For example, the conductive clad layer may include GaN, AlGaN, InAlGaN, superlattice structure, or the like. Further, the conductive clad layer may be doped with n-type or p-type.

아울러, 제2 도전형 반도체층(100c)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 보다 상세히 설명하면, 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 그리고, 제2 도전형 반도체층(100c)이 p형 반도체층인 경우, 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.In addition, the second conductive semiconductor layer 100c may be formed of a semiconductor compound. More specifically, the semiconductor layer may be formed of a compound semiconductors such as Group 3-Group 5, Group 2-Group 6, and the like, and the second conductivity type dopant may be doped. For example, it may include a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? When the second conductivity type semiconductor layer 100c is a p-type semiconductor layer, the second conductivity type dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant.

한편, 발광소자(100)에 구비되는 제1 전극(110)은 제1 도전형 반도체층(100a)의 일부가 메사 식각되어 일부가 노출된 면에 배치되고, 제2 전극(120)은 제2 도전형 반도체층(100c)의 하단면 일측에 배치된다. 여기서, 도전성을 높이기 위해 제2 도전형 반도체층(100c)의 하단면과 제2 전극(120) 사이에는 ITO(Indium Tin Oxide)(130)가 더 포함될 수 있다.The first electrode 110 of the light emitting device 100 is formed on the exposed surface of a part of the first conductivity type semiconductor layer 100a by mesa etching and the second electrode 120 is disposed on the exposed surface of the second electrode 120. [ And is disposed on one side of the lower end surface of the conductive type semiconductor layer 100c. Here, ITO (Indium Tin Oxide) 130 may be further included between the lower surface of the second conductive type semiconductor layer 100c and the second electrode 120 to improve conductivity.

또한, 제1 전극(110)과 제2 전극(120)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The first electrode 110 and the second electrode 120 may include at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu) Layer structure or a multi-layer structure.

발광 구조물(100)에는 전기적으로 서로 이격된 제1 및 제2 전극(110, 120)이 배치될 수 있는데, 제1 금속층(310)은 제1 전극(110)과 연결되며, 발광 구조물(100)의 측부와 하부를 감싸도록 배치될 수 있다. 또한, 제1 절연층(210)이 발광 구조물(100)과 제1 금속층(310) 사이에 배치될 수 있는데, 제1 절연층(210)은 제1 및 제2 전극(110, 120)이 노출되도록 배치되고 발광 구조물의 외면을 따라 발광소자의 상면 가장자리에 연장되어 배치될 수 있다.The first and second electrodes 110 and 120 may be electrically separated from each other in the light emitting structure 100. The first metal layer 310 may be connected to the first electrode 110, As shown in FIG. The first insulating layer 210 may be disposed between the light emitting structure 100 and the first metal layer 310 such that the first and second electrodes 110 and 120 are exposed And extend along the outer surface of the light emitting structure to extend to the upper surface edge of the light emitting element.

아울러, 제2 금속층(320)은 제2 전극(120)과 연결되며, 제1 절연층(210)의 측부와 발광 구조물(100)의 하부에 배치될 수 있다.The second metal layer 320 is connected to the second electrode 120 and may be disposed on the side of the first insulating layer 210 and the lower portion of the light emitting structure 100.

그리고, 제1 및 제2 금속층(320) 사이에는 제2 절연층(220)이 더 배치되어 제1 및 제2 금속층(320) 간에 흐르는 전류를 차단할 수 있다.A second insulating layer 220 may be further disposed between the first and second metal layers 320 to block the current flowing between the first and second metal layers 320.

실시예에 따른 발광소자는 박막 플립칩(Thin Film Flip Chip : TFFC)으로 구비될 수 있는데, 박막 플립칩은 발광소자의 두께가 얇으면서 광효율을 높이기 위해 발광 구조물이 배치되는 기판을 제거하고 발광 구조물에 요철을 형성한 발광소자이다. 이러한 박막 플립칩은 기판이 없으므로 발광 구조물을 지지해 줄 수 있는 지지층이 필요하다.The light emitting device according to the embodiment may be provided as a thin film flip chip (TFFC). In order to increase the light efficiency with the thickness of the light emitting device being thin, the thin film flip chip may be manufactured by removing the substrate on which the light emitting structure is disposed, Emitting device. Since such a thin film flip chip does not have a substrate, a supporting layer capable of supporting the light emitting structure is required.

따라서, 제1 지지 금속층(410)이 제1 금속층(310)의 하부에 배치되어 발광 구조물(100)을 지지해 줄 수 있고, 제2 지지 금속층(420)이 제2 금속층(320)의 하부에 배치되어 발광 구조물(100)의 가장자리를 지지할 수 있다.The first supporting metal layer 410 may be disposed under the first metal layer 310 to support the light emitting structure 100 and the second supporting metal layer 420 may be disposed under the second metal layer 320 And can support the edge of the light emitting structure 100.

그리고, 제1 및 제2 금속 지지층(410, 420) 사이에 제3 절연층(230)을 더 포함할 수 있으며, 제3 절연층(230)은 제2 절연층(220)의 폭과 동일하게 제2 절연층(220) 하부에 배치될 수 있고, 제3 절연층(230)은 제1 지지 금속층(410)을 에워싸는 저면 형상을 가질 수 있다.The third insulating layer 230 may further include a third insulating layer 230 between the first and second metal supporting layers 410 and 420. The third insulating layer 230 may have a width equal to the width of the second insulating layer 220 And the third insulating layer 230 may have a bottom shape that surrounds the first supporting metal layer 410.

아울러, 제2 지지 금속층(420)은 제3 절연층(230)을 에워싸는 저면 형상을 가질 수 있다.In addition, the second supporting metal layer 420 may have a bottom surface shape surrounding the third insulating layer 230.

여기서, 제2 절연층(220)과 제3 절연층(230)의 폭(T2)은 20㎛ 내지 30㎛일 수 있는데, 제2 절연층(220)과 제3 절연층(230)의 폭(T2)이 20㎛보다 작으면 제1 및 제2 금속 지지층(410, 420) 사이가 너무 좁아져 제1 및 제2 금속 지지층 간에 통전될 수 있고, 30㎛보다 크면 발광소자로부터 발생하는 열의 열전도율이 저하될 수 있다.The width T 2 of the second insulating layer 220 and the third insulating layer 230 may be 20 μm to 30 μm and the width of the second insulating layer 220 and the third insulating layer 230 T2 is less than 20 占 퐉, the gap between the first and second metal supporting layers 410, 420 becomes too narrow to be energized between the first and second metal supporting layers. If it is larger than 30 占 퐉, the thermal conductivity of the heat generated from the light emitting element Can be degraded.

종래에는 제1 지지 금속층과 제2 지지 금속층이 제1 전극과 제2 전극 하부에 기둥 형태로 배치되고, 나머지 공간에는 레진(resin) 등과 같은 절연층이 배치되었는데, 이러한 구조는 레진(resin)의 경도가 낮고 열전도율이 낮아 발광소자를 제조하는 공정 중에 파손되기 쉽고 방열 기능이 떨어진다.Conventionally, a first supporting metal layer and a second supporting metal layer are arranged in a columnar shape at the first electrode and a lower portion of the second electrode, and an insulating layer such as resin is disposed in the remaining space. The hardness is low and the thermal conductivity is low, so that it tends to be broken during the process of manufacturing the light emitting device and the heat radiation function is poor.

따라서, 실시예에 따른 발광소자는 절연층의 단면적을 최소화하면서 열전도율이 높은 제1 지지 금속층(410)과 제2 지지 금속층(420)이 발광 구조물의 하부에 배치될 수 있다. 여기서, 제1 지지 금속층(410)은 구리(Cu), 니켈(Nickel) 또는 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하고, 제2 지지 금속층(420)은 구리(Cu), 니켈(Nickel) 또는 금(Au) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Accordingly, the first supporting metal layer 410 and the second supporting metal layer 420 having a high thermal conductivity can be disposed below the light emitting structure, while minimizing the cross-sectional area of the insulating layer. The first supporting metal layer 410 may include at least one of copper (Cu), nickel (Ni), and gold (Au). The second supporting metal layer 420 may include at least one of copper (Cu), nickel (Au).

한편, 제2 지지 금속층(420)의 단면적은 제1 지지 금속층(410)의 단면적보다 넓을 수 있다. 제1 지지 금속층(410)은 제1 전극과 연결된 제1 금속층의 하부에 배치되어 발광 구조물(100)의 중앙부를 지지해 주는 반면, 제2 지지 금속층(420)은 제2 전극과 연결된 제2 금속층의 하부에 배치되어 발광 구조물의 가장자리를 지지해 주기 위함이다.On the other hand, the cross-sectional area of the second supporting metal layer 420 may be wider than the cross-sectional area of the first supporting metal layer 410. The first supporting metal layer 410 is disposed under the first metal layer connected to the first electrode to support the center of the light emitting structure 100 while the second supporting metal layer 420 is connected to the second metal layer 420 connected to the second electrode. To support the edge of the light emitting structure.

그리고, 실시예에 따른 발광소자를 수평으로 잘랐을 때, 제1 지지 금속층(410)의 수평 단면적에 대한 제2 지지 금속층(420)의 수평 단면적의 비율은 발광 구조물의 지지력을 높이기 위해 4:1 내지 5:3일 수 있으나, 제1 지지 금속층(410)의 단면적에 대한 제2 지지 금속층(420)의 비율은 발광소자의 크기나 구조에 따라 달라질 수 있다.When the light emitting device according to the embodiment is cut horizontally, the ratio of the horizontal cross-sectional area of the second supporting metal layer 420 to the horizontal cross-sectional area of the first supporting metal layer 410 is preferably 4: 1 to 1: The ratio of the second supporting metal layer 420 to the sectional area of the first supporting metal layer 410 may vary depending on the size and structure of the light emitting device.

한편, 제2 금속층(320)은 발광 구조물(100)의 측부에 배치되는 제1 세그먼트(321)와, 제1 세그먼트(321)와 발광 구조물(100)의 아래에 배치된 제2 세그먼트(322)를 포함할 수 있다.The second metal layer 320 includes a first segment 321 disposed on the side of the light emitting structure 100 and a second segment 322 disposed below the first segment 321 and the light emitting structure 100. [ . ≪ / RTI >

발광소자를 제조하는 공정 중에 복수 개의 발광소자가 좌우로 배열되어 낱개의 발광소자로 자를 수 있는데, 이때 발광소자 간에는 자를 수 있는 소정의 간격이 필요하다. 따라서, 복수 개가 연결된 발광소자를 자를 때, 발광소자의 가장자리와 발광 구조물과 소정의 간격이 유지되어야 하므로 발광 구조물의 두께 방향과 수직한 방향으로 제2 금속층에 포함되는 제1 세그먼트(321)의 폭(T1)은 1 ㎛ 내지 50 ㎛일 수 있다.During the manufacturing process of the light emitting device, a plurality of light emitting devices may be arranged laterally and cut into individual light emitting devices. At this time, a predetermined gap is required between the light emitting devices. Accordingly, when a plurality of light emitting devices are connected to each other, a predetermined gap is maintained between the edge of the light emitting device and the light emitting structure. Therefore, the width of the first segment 321 included in the second metal layer in a direction perpendicular to the thickness direction of the light emitting structure (T1) may be between 1 [mu] m and 50 [mu] m.

도 4a와 도 4b는 종래의 발광소자와 실시예에 따른 발광소자의 가장자리를 레이저로 잘라냈을 때의 단면을 나타내는 도면이다.4A and 4B are cross-sectional views of a conventional light emitting device and a light emitting device according to an embodiment of the present invention, in which edges are cut out by a laser.

상술한 같이 제2 지지 금속층(420)이 발광 구조물의 가장자리를 지지해 주기 위해 제1 지지 금속층(410)과 제3 절연층(230)을 제외한 영역에 배치되는 구조는 발광소자를 제조하는 공정 중에 복수 개가 연결되어 있는 발광소자를 레이저 등을 이용하여 잘라낼 때 발광소자의 가장자리가 녹거나 발광소자의 형태가 변형되는 것을 방지해 줄 수 있다.As described above, the structure in which the second supporting metal layer 420 is disposed in a region except for the first supporting metal layer 410 and the third insulating layer 230 to support the edge of the light emitting structure, It is possible to prevent the edge of the light emitting element from melting or the shape of the light emitting element from being deformed when the light emitting element to which a plurality of light emitting elements are connected is cut using a laser or the like.

도 4a와 도 4b을 참조하면, 도 4a는 발광소자의 가장자리가 레진(resin) 등과 같은 절연체로 배치되어 화살표로 도시한 바와 같이 발광소자의 가장자리가 레이저의 열로 인해 녹아 형태가 변형된 것을 확인할 수 있고, 도 4b는 발광소자의 가장자리가 금속 지지층으로 배치되어 레이저로 발광소자를 잘라낸 이후에도 가장자리가 녹지 않고 형태가 유지된 것을 확인할 수 있다.4A and 4B, the edge of the light emitting device is disposed as an insulator such as a resin, and as shown by an arrow, the edge of the light emitting device is melted due to the heat of the laser, FIG. 4B shows that the edge of the light emitting device is disposed as a metal supporting layer, and even after the light emitting device is cut by the laser, the edges are not melted and the shape is maintained.

상술한 바와 같이, 실시예에 따른 발광소자는 열에 의한 형태 변형을 방지할 수 있어 발광소자의 불량률을 낮추고, 생산성을 높일 수 있다.As described above, the light emitting device according to the embodiment can prevent the deformation due to heat, thereby reducing the defective rate of the light emitting device and improving the productivity.

또한, 열방출이 유리하여 발광소자의 수명과 성능을 향상시킬 수 있다.Further, the heat emission is advantageous, and the lifetime and performance of the light emitting device can be improved.

상술한 발광소자는 하나 또는 복수 개가 하나의 발광소자 패키지 내에 배치될 수 있다.One or a plurality of the above-described light emitting elements may be disposed in one light emitting element package.

발광소자 패키지 내에 발광소자가 배치될 때, 발광소자의 제1 전극과 제2 전극은 각각 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 발광소자의 둘레에는 실리콘 등을 포함하는 몰딩부가 배치되어 발광소자를 보호할 수 있다.When the light emitting device is disposed in the light emitting device package, the first electrode and the second electrode of the light emitting device may be electrically connected to the first lead frame and the second lead frame, respectively. Further, a molding portion including silicon or the like may be disposed around the light emitting element to protect the light emitting element.

그리고, 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.A plurality of light emitting device packages may be arrayed on the substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, and the like may be disposed on the light path of the light emitting device package. The light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a backlight unit.

또한, 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 장치로 구현될 수 있다.Further, the display device, the indicating device, and the lighting device including the light emitting device package can be realized.

여기서, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 상에 배치되는 반사판과, 광을 방출하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.Here, the display device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module for emitting light, a light guide plate disposed in front of the reflector for guiding light emitted from the light emitting module forward, An image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel; and a color filter disposed in front of the display panel, . Here, the bottom cover, the reflection plate, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.

또한, 조명 장치는 기판과 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는, 램프, 헤드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다.The lighting device may include a light source module including a substrate and a light emitting device package, a heat sink for dissipating heat of the light source module, and a power supply unit for processing or converting an electric signal provided from the outside and providing the light source module . For example, the lighting device may include a lamp, a headlamp, or a streetlight.

헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광 소자 패키지들을 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.A head lamp includes a light emitting module including light emitting device packages disposed on a substrate, a reflector for reflecting light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, a lens for refracting light reflected by the reflector forward And a shade that reflects off or reflects a portion of the light reflected by the reflector and directed to the lens to provide the designer with a desired light distribution pattern.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100 : 발광 구조물 110 : 제1 전극
120 : 제2 전극 210 : 제1 절연층
220 : 제2 절연층 230 : 제3 절연층
310 : 제1 금속층 320 : 제2 금속층
321 : 제1 세그먼트 322 : 제2 세그먼트
410 : 제1 지지 금속층 420 : 제2 지지 금속층100: light emitting structure 110: first electrode
120: second electrode 210: first insulating layer
220: second insulation layer 230: third insulation layer
310: first metal layer 320: second metal layer
321: first segment 322: second segment
410: first supporting metal layer 420: second supporting metal layer

Claims (10)

발광 구조물;
상기 발광 구조물에 전기적으로 서로 이격되어 배치된 제1 및 제2 전극;
상기 제1 전극과 연결되며, 상기 발광 구조물의 측부와 하부를 감싸도록 배치된 제1 금속층;
상기 발광 구조물과 상기 제1 금속층 사이에 배치된 제1 절연층;
상기 제2 전극과 연결되며, 상기 제1 절연층의 측부와 상기 발광 구조물의 하부에 배치된 제2 금속층;
상기 제1 금속층의 하부에서 상기 발광 구조물을 지지하는 제1 지지 금속층; 및
상기 제2 금속층의 하부에 배치되어 상기 발광 구조물의 가장자리를 지지하는 제2 지지 금속층을 포함하는 발광소자.A light emitting structure;
First and second electrodes electrically spaced from each other in the light emitting structure;
A first metal layer connected to the first electrode and disposed to surround a side and a bottom of the light emitting structure;
A first insulating layer disposed between the light emitting structure and the first metal layer;
A second metal layer connected to the second electrode and disposed on a side of the first insulating layer and a lower portion of the light emitting structure;
A first supporting metal layer for supporting the light emitting structure at a lower portion of the first metal layer; And
And a second supporting metal layer disposed under the second metal layer and supporting an edge of the light emitting structure. 제1 항에 있어서, 상기 발광소자는 상기 제1 및 제2 금속층 사이에 배치된 제2 절연층; 및
상기 제1 및 제2 금속 지지층 사이에 배치된 제3 절연층을 더 포함하는 발광소자.The light emitting device of claim 1, wherein the light emitting device comprises: a second insulating layer disposed between the first and second metal layers; And
And a third insulating layer disposed between the first and second metal supporting layers. 제1 항에 있어서,
상기 제2 지지 금속층의 단면적은 상기 제1 지지 금속층의 단면적보다 넓은 발광소자.The method according to claim 1,
Sectional area of the second supporting metal layer is larger than that of the first supporting metal layer. 제1 항에 있어서,
상기 제1 지지 금속층의 단면적에 대한 상기 제2 지지 금속층의 단면적의 비율은 4:1 내지 5:3인 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the ratio of the cross-sectional area of the second supporting metal layer to the cross-sectional area of the first supporting metal layer is 4: 1 to 5: 3. 제1 항에 있어서,
상기 제1 지지 금속층은 구리(Cu), 니켈(Nickel) 또는 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 제2 지지 금속층은 구리(Cu), 니켈(Nickel) 또는 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the first supporting metal layer comprises at least one of copper (Cu), nickel (Ni), and gold (Au)
Wherein the second supporting metal layer comprises at least one of copper (Cu), nickel (Ni), and gold (Au). 제2 항에 있어서, 상기 제2 지지 금속층은 상기 제3 절연층을 에워싸는 저면 형상을 갖는 발광소자.The light emitting device according to claim 2, wherein the second supporting metal layer has a bottom surface shape surrounding the third insulating layer. 제2 항에 있어서, 상기 제3 절연층은 상기 제1 지지 금속층을 에워싸는 저면 형상을 갖는 발광소자.The light emitting device of claim 2, wherein the third insulating layer has a bottom surface shape surrounding the first supporting metal layer. 제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 금속층은
상기 발광 구조물의 측부에 배치되는 제1 세그먼트; 및
상기 제1 세그먼트와 상기 발광 구조물의 아래에 배치된 제2 세그먼트를 포함하는 발광소자.8. The semiconductor device according to any one of claims 1 to 7, wherein the second metal layer
A first segment disposed on a side of the light emitting structure; And
And a second segment disposed under the first segment and the light emitting structure. 제8 항에 있어서, 상기 제1 세그먼트의 폭은 1 ㎛ 내지 50 ㎛인 발광소자.The light emitting device according to claim 8, wherein the width of the first segment is 1 占 퐉 to 50 占 퐉. 제2 항에 있어서,
상기 제2 절연층과 제3 절연층의 폭은 20㎛ 내지 30㎛인 발광소자.3. The method of claim 2,
And the second insulating layer and the third insulating layer have a width of 20 mu m to 30 mu m.
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