KR20160124392A - 스위칭 소자의 보호 방법 - Google Patents

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KR20160124392A
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서정광
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엘에스산전 주식회사
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Abstract

본 발명은 스위칭 소자의 보호 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 스위칭 소자 보호 방법은, 스위칭 소자의 게이트 단자에 직렬로 연결되는 게이트 저항 양단에서 제1 전압 값을 측정하는 단계, 상기 제1 전압 값을 이용하여 상기 게이트 단자 및 상기 스위칭 소자의 제2 단자 사이의 제2 전압 값을 결정하는 단계, 상기 제2 전압 값을 이용하여 상기 스위칭 소자의 내부 온도를 추정하는 단계 및 상기 제1 전압 값, 상기 제2 전압 값, 상기 내부 온도 중 적어도 하나를 이용하여 상기 스위칭 소자에 대한 보호 동작을 수행하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 션트 저항, NTC 서미스터, 바이메탈과 같은 추가적인 소자의 설치 없이도 스위칭 소자의 보호 동작을 수행할 수 있는 장점이 있다.

Description

스위칭 소자의 보호 방법{METHOD FOR PROTECTING SWITCHING ELEMENT}
본 발명은 스위칭 소자의 보호 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이상 전류나 고온으로 인해 발생하는 IGBT(Insulated Gate Bipolar mode Transistor)나 MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transister)과 같은 스위칭 소자의 고장을 방지하기 위한 보호 방법에 관한 것이다.
최근 전력용 반도체로서 다양한 스위칭 소자가 사용되고 있다. 스위칭 소자는 접점을 쓰지 않고 회로의 개폐 기능을 갖는 부품으로, 대표적인 스위칭 소자로는 IGBT나 MOSFET을 들 수 있다. 스위칭 소자는 각각 정격 전류와 정격 전압을 가지고 있다. 만약 정격 전류 및 정격 전압을 넘어서는 전류 또는 전압이 인가되면 스위칭 소자에 고장이 발생하고, 이에 따라 해당 스위칭 소자가 적용된 시스템에도 악영향을 미칠 수 있다.
종래 기술에 따르면, IGBT의 컬렉터(Collector)와 이미터(Emitter) 사이에 동작 전류(ICE)가 흐를 때, 컬렉터와 이미터 사이의 동작 전압(VCE(sat))은 동작 전류(ICE)에 비례한 값을 가진다. 따라서 종래에는 VCE(sat) 값을 모니터링함으로써 정격 전류 이상의 전류 인가에 대한 IGBT의 보호 동작을 수행한다.
또한 종래 기술에 따르면, MOSFET에 동작 전류가 흐를 때 MOSFET 양단에 일정한 저항 값(RDS(on))이 형성된다. 그러나 이 RDS(on) 값은 매우 작은 값으로, 전류의 변화에 따른 MOSFET 양단의 전압 값의 변화가 작아 해당 저항 값에 의해 측정되는 MOSFET 양단의 전압 값은 MOSFET의 보호 동작을 위한 모니터링 값으로는 적절하지 않다. 이에 따라 종래에는 MOSFET에 션트(shunt) 저항을 직렬로 연결하고 션트 저항 양단의 전압 값을 모니터링함으로써 정격 전류 이상의 전류 인가에 대한 MOSFET의 보호 동작을 수행한다.
이 밖에도 스위칭 소자의 회로 내부에 NTC 서미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor)나 바이메탈(Bi-metal)과 같은 별도의 소자를 구비하고, 이들 소자를 통해 스위칭 소자 내부의 온도를 측정함으로써 고온으로 인한 스위칭 소자의 고장을 방지하기도 한다.
그러나 이와 같은 종래의 스위칭 소자 보호 방법에 따르면 각각의 스위칭 소자마다 서로 다른 방식의 보호 회로를 구성해야 한다는 문제점이 있다. 또한 스위칭 소자의 보호를 위해 션트 저항, NTC 서미스터, 바이메탈과 같은 추가적인 소자를 설치해야 하므로 소자의 제조 비용이 상승하고 부피가 커지게 되는 문제점도 있다.
본 발명은 스위칭 소자의 종류와 무관하게 동일한 방식으로 보호 동작을 수행할 수 있는 스위칭 소자 보호 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 션트 저항, NTC 서미스터, 바이메탈과 같은 추가적인 소자의 설치 없이도 스위칭 소자의 보호 동작을 수행할 수 있는 스위칭 소자 보호 방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
또한 본 발명은 추가적인 소자의 설치로 인한 불필요한 전력 손실을 방지할 수 있는 스위칭 소자 보호 방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있고, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 이해될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 스위칭 소자 보호 방법은, 스위칭 소자의 게이트 단자에 직렬로 연결되는 게이트 저항 양단에서 제1 전압 값을 측정하는 단계, 상기 제1 전압 값을 이용하여 상기 게이트 단자 및 상기 스위칭 소자의 제2 단자 사이의 제2 전압 값을 결정하는 단계, 상기 제2 전압 값을 이용하여 상기 스위칭 소자의 내부 온도를 추정하는 단계 및 상기 제1 전압 값, 상기 제2 전압 값, 상기 내부 온도 중 적어도 하나를 이용하여 상기 스위칭 소자에 대한 보호 동작을 수행하는 단계를 포함한다.
전술한 바와 같은 본 발명에 의하면, 스위칭 소자의 종류와 무관하게 동일한 방식으로 보호 동작을 수행할 수 있는 장점이 있다.
또한 본 발명에 의하면, 션트 저항, NTC 서미스터, 바이메탈과 같은 추가적인 소자의 설치 없이도 스위칭 소자의 보호 동작을 수행할 수 있는 장점이 있다.
또한 본 발명에 의하면, 스위칭 소자의 보호 동작을 수행함에 있어서 추가적인 소자의 설치로 인한 불필요한 전력 손실을 방지할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 IGBT 소자의 보호 회로 및 보호 방법을 나타낸다.
도 2는 종래 기술에 따른 MOSFET 소자의 보호 회로 및 보호 방법을 나타낸다.
도 3 및 도 4는 종래 기술에 따른 스위칭 소자의 다른 보호 방법을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 스위칭 소자 보호 회로의 구성도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 스위칭 소자 보호 방법의 흐름도이다.
도 7은 정격 전류와 동일한 크기의 전류로 스위칭 소자를 턴 온 시킬 때 측정한 스위칭 소자의 제1 전압 값 및 턴 온 신호를 나타낸다.
도 8은 정격 전류의 두 배 크기의 전류로 스위칭 소자를 턴 온 시킬 때 측정한 스위칭 소자의 제1 전압 값 및 턴 온 신호를 나타낸다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에서 동작 전압 값(VCE)을 결정하기 위하여 사용되는 동작 전류 값(ICE), 동작 전압 값(VCE), 제2 전압 값(VGE) 간의 상관 관계를 나타내는 그래프이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에서 스위칭 소자의 내부 온도(TC)를 추정하기 위하여 사용되는 동작 전류 값(ICE), 동작 전압 값(VCE), 내부 온도(TC) 간의 상관 관계를 나타내는 그래프이다.
전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일 또는 유사한 구성요소를 가리키는 것으로 사용된다.
도 1은 종래 기술에 따른 IGBT 소자의 보호 회로 및 보호 방법을 나타낸다.
도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 IGBT 소자의 보호 회로(102)는 측정부(104) 및 제어부(106)를 포함한다. 측정부(104)는 IGBT 소자의 게이트(Gate)를 통해 게이트 전류가 인가되어 컬렉터(Collector)와 이미터(Emitter) 사이에 동작 전류(ICE)가 흐르게 되면, 컬렉터 단자에 연결된 다이오드(D1)를 통해 IGBT의 컬렉터와 이미터 사이의 동작 전압 값(VCE)을 측정한다.
제어부(106)는 측정부(104)에 의해 측정된 동작 전압 값(VCE)을 미리 설정된 기준 전압 값(VREF)과 비교하고, 동작 전압 값(VCE)이 기준 전압 값(VREF)보다 큰 경우 게이트로 인가되는 전류를 차단하여 IGBT의 작동을 중단시킨다.
이와 같은 종래의 IGBT 보호 동작은 IGBT의 동작 전류(ICE)가 동작 전압 값(VCE)과 비례하는 특성을 이용한 것이다. 즉, 동작 전압 값(VCE)이 기준 전압 값(VREF) 이상으로 커지는 것은 곧 IGBT에 기준 전류 값 이상의 동작 전류(ICE), 즉 과전류가 흐르는 것을 의미한다. 따라서 이와 같은 경우 IGBT의 작동을 중단시킴으로써 IGBT의 소손을 방지할 수 있다.
그러나 도 1과 같은 회로 구성 및 보호 방법은 이하에서 도 2를 통해 기술하는 MOSFET 소자의 보호 회로 구성 및 보호 방법과는 상이하며, MOSFET 소자에는 도 1과 같은 보호 방법을 적용할 수 없다는 문제가 있다.
도 2는 종래 기술에 따른 MOSFET 소자의 보호 회로 및 보호 방법을 나타낸다.
도 2를 참조하면, 종래 기술에 따른 MOSFET 소자의 보호 회로(202)는 측정부(204) 및 제어부(206)를 포함한다. MOSFET 소자의 경우, 게이트(Gate)를 통해 게이트 전류가 인가되어 소스(Source)와 드레인(Drain) 사이에 동작 전류(IDS)가 흐르게 되면 일정 크기의 저항(RDS)이 형성된다. 따라서 이 저항(RDS) 양단의 전압 값을 측정하여 도 1의 IGBT와 같은 방법으로 MOSFET 소자의 보호 동작을 수행할 수 있으나, 저항(RDS)의 크기가 매우 작아 저항(RDS)에 흐르는 전류 크기의 변화에 따른 전압 값의 변화가 매우 작다. 이에 따라 종래에는 도 2와 같이 MOSFET의 소스에 션트 저항(RS)을 직렬로 연결하고, 측정부(204)를 통해 션트 저항(RS) 양단의 전압 값(VS)을 측정한다.
제어부(206)는 측정부(204)에 의해 측정된 전압 값(VS)을 미리 설정된 기준 전압 값(VREF)과 비교하고, 전압 값(VS)이 기준 전압 값(VREF)보다 큰 경우 게이트로 인가되는 전류를 차단하여 MOSFET의 작동을 중단시킨다.
그러나 도 2와 같은 MOSFET의 보호 회로 구성 및 보호 방법에 따르면 MOSFET에 별도의 소자, 즉 션트 저항(RS)을 추가해야 하므로 제조 비용이 상승하고 소자의 부피가 커지는 문제가 있다. 또한 션트 저항(RS)을 통해 불필요한 전력이 손실된다는 문제점도 있다.
도 3 및 도 4는 종래 기술에 따른 스위칭 소자의 다른 보호 방법을 나타낸다.
스위칭 소자를 보호하기 위해 종래에는 도 3과 같이 다수의 스위칭 소자(MOSFET)가 설치된 스위칭 소자 모듈 내에 NTC-서미스터(302)와 같은 온도 측정 장치를 설치한다. 그리고 NTC-서미스터(302)에 의해 측정된 온도가 미리 설정된 기준 온도보다 큰 경우 스위칭 소자의 동작을 중단시킨다.
또한 종래 기술에 따르면, 도 4와 같이 스위칭 소자(402, 404)가 설치된 히트 싱크(406) 상에 바이메탈(408)을 설치할 수도 있다. 이와 같은 바이메탈(408)은 스위칭 소자(402, 404) 또는 히트 싱크(406)의 온도가 일정 온도를 넘어서게 되면 스위칭 소자(402, 404)로의 전력 공급을 차단함으로써 고온으로 인한 스위칭 소자(402, 404)의 소손을 방지한다.
그러나 도 3 및 도 4와 같은 종래의 스위칭 소자 보호 방법은 NTC-서미스터(302)나 바이메탈(408)과 같은 추가적인 소자의 설치를 요구하므로 제조 비용이 상승하고 소자의 부피가 증가하게 되는 단점이 있다.
본 발명은 이와 같은 문제점들을 극복하기 위한 것으로, IGBT나 MOSFET 모두에 동일하게 적용이 가능하며 션트 저항, NTC-서미스터, 바이메탈과 같은 추가적인 소자의 설치 없이도 이상 전류나 고온으로 인한 스위칭 소자의 소손을 방지할 수 있는 스위칭 소자 보호 방법에 관한 것이다.
이하에서는 도 5 내지 도 10을 통해 본 발명의 일 실시예에 따른 스위칭 소자 보호 방법에 대해 구체적으로 설명한다. 참고로 도 5 내지 도 10의 실시예에서는 IGBT 소자의 보호 방법을 예로 들어 설명하나, 본 발명에 의한 스위칭 소자 보호 방법은 MOSFET 소자에도 동일하게 적용될 수 있다. 또한 이하에서 "게이트"는 IGBT 소자의 게이트 단자 또는 MOSFET 소자의 게이트 단자를 의미한다. 그리고 "제1 단자"는 IGBT 소자의 컬렉터 단자 또는 MOSFET 소자의 드레인 단자를 의미하고, "제2 단자"는 IGBT 소자의 이미터 단자 또는 MOSFET 소자의 소스 단자를 의미한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 스위칭 소자 보호 회로의 구성도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 스위칭 소자 보호 방법의 흐름도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 스위칭 소자 보호 회로(502)는 측정부(504) 및 제어부(506)를 포함한다. 도 6을 참조하면, 먼저 측정부(504)는 스위칭 소자의 게이트 단자에 직렬로 연결되는 게이트 저항(RG) 양단에서 제1 전압 값(VG)을 측정한다(602). 이 때 게이트 저항(RG) 양단에서 측정되는 제1 전압 값(VG)은 게이트 저항(RG)에 흐르는 게이트 전류 값(IG)에 비례하게 된다. 따라서 제1 전압 값(VG)의 변화를 측정함으로써 결과적으로 게이트 전류 값(IG)의 변화를 알 수 있다. 또한 본 발명의 일 실시예에서, 제어부(506)는 측정부(504)에 의해 측정되는 제1 전압 값(VG) 및 게이트 저항(RG)의 크기를 이용하여 게이트 전류 값(IG)을 계산할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 다음과 같은 원리에 의해, 단계(602)를 통해 측정된 제1 전압 값(VG) 및 제1 전압 값(VG)을 이용하여 계산되는 게이트 전류 값(IG)을 이용하여 스위칭 소자의 보호 동작을 수행할 수 있다.
도 7은 정격 전류와 동일한 크기의 전류로 스위칭 소자를 턴 온 시킬 때 측정한 스위칭 소자의 제1 전압 값 및 턴 온 신호를 나타내고, 도 8은 정격 전류의 두 배 크기의 전류로 스위칭 소자를 턴 온 시킬 때 측정한 스위칭 소자의 제1 전압 값 및 턴 온 신호를 나타낸다. 도 7 및 도 8의 그래프는 정격전압 1200V 및 정격전류 150A를 갖는 스위칭 소자의 게이트 단자에 150A의 게이트 전류를 인가했을 때(도 7) 및 300A의 게이트 전류를 인가했을 때(도 8), 게이트의 턴 온 신호의 파형(704, 804) 및 스위칭 소자의 게이트 단자와 제2 단자(이미터 또는 소스) 사이의 전압 파형(702, 802)의 변화를 각각 도시한다.
도 7 및 도 8을 통해 알 수 있듯이, 동일한 규격의 스위칭 소자의 게이트 단자에 두 배 크기의 게이트 전류를 인가하게 되면 게이트 단자와 제2 단자 사이의 전압 크기도 커지게 된다. 또한 게이트 전류의 크기가 커지게 됨에 따라서 스위칭 소자의 제1 단자(컬렉터 또는 드레인)로부터 제2 단자(이미터 또는 소스)로 흐르는 동작 전류(ICE 또는 IDS) 값도 커지게 된다. 결국 스위칭 소자의 게이트 저항을 통해 측정되는 제1 전압 값(VG) 또는 제1 전압 값(VG)을 이용하여 계산되는 게이트 전류 값(IG)을 모니터링하게 되면 이에 비례하는 스위칭 소자의 동작 전류(ICE 또는 IDS)에 대한 모니터링이 가능하다. 따라서 본 발명에서는 제1 전압 값(VG) 또는 게이트 전류 값(IG)이 일정 기준을 초과할 경우 과도한 전류가 제1 단자(컬렉터 또는 드레인)로부터 제2 단자(이미터 또는 소스)로 흐르는 것으로 간주하여 스위칭 소자의 동작을 차단시킨다.
다시 도 5 및 도 6을 참조하면, 제어부(506)는 측정부(504)에 의해 측정된 제1 전압 값(VG)을 이용하여 게이트 단자 및 스위칭 소자의 제2 단자 사이의 제2 전압 값(VGE)을 결정한다(604). 예컨대 전술한 바와 같은 단계(602)를 통해 제어부(506)는 게이트 전류 값(IG), 제1 전압 값(VG), 게이트 저항(RG)의 크기를 획득할 수 있다. 또한 제어부(506)는 게이트 저항(RG)과 직렬로 연결되는, 게이트와 제2 단자(이미터) 사이의 저항(RGE)의 크기 또한 스위칭 소자의 스펙 등을 통해 획득할 수 있다. 따라서 제어부(506)는 게이트 전류 값(IG), 제1 전압 값(VG), 게이트 저항(RG)의 크기, 게이트와 이미터 사이의 저항(RGE)의 크기와 전압, 전류, 저항 간의 관계식(V=IR)을 이용하여 게이트와 제2 단자(이미터) 사이의 제2 전압 값(VGE)을 계산할 수 있다.
다음으로, 제어부(506)는 제2 전압 값(VGE)을 이용하여 스위칭 소자의 내부 온도를 추정한다(606). 본 발명의 일 실시예에서, 제어부(506)는 스위칭 소자의 제1 단자 및 제2 단자 사이의 동작 전류 값, 스위칭 소자의 제1 단자 및 제2 단자 사이의 동작 전압 값, 그리고 제2 전압 값 간의 상관 관계를 이용하여 스위칭 소자의 내부 온도를 결정할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에서 동작 전압 값(VCE)을 결정하기 위하여 사용되는 동작 전류 값(ICE), 동작 전압 값(VCE), 제2 전압 값(VGE) 간의 상관 관계를 나타내는 그래프이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에서 스위칭 소자의 내부 온도(TC)를 추정하기 위하여 사용되는 동작 전류 값(ICE), 동작 전압 값(VCE), 내부 온도(TC) 간의 상관 관계를 나타내는 그래프이다.
동작 전압 값(VCE)의 결정을 위해, 제어부(506)는 스위칭 소자의 제2 단자(예컨대, 이미터) 및 제1 단자(예컨대, 컬렉터) 사이에 흐르는 전류의 크기, 즉 동작 전류 값(ICE)을 측정한다. 제어부(506)는 앞서 계산된 제2 전압 값(VGE)과 측정된 동작 전류 값(ICE), 그리고 도 9에 도시된 바와 같은 동작 전류 값(ICE), 동작 전압 값(VCE), 제2 전압 값(VGE) 간의 상관 관계를 이용하여 스위칭 소자의 제2 단자(예컨대, 이미터) 및 제1 단자(예컨대, 컬렉터) 사이의 전압 크기, 즉 동작 전압 값(VCE)을 결정할 수 있다.
또한 제어부(506)는 이와 같이 결정된 동작 전압 값(VCE), 앞서 측정된 동작 전류 값(ICE), 그리고 도 10에 도시된 바와 같은 동작 전류 값(ICE), 동작 전압 값(VCE), 내부 온도(TC) 간의 상관 관계를 이용하여 스위칭 소자의 내부 온도(TC)를 결정할 수 있다.
다시 도 6을 참조하면, 제어부(506)는 단계 602, 604, 606을 통해 각각 결정된 제1 전압 값, 제2 전압 값, 내부 온도 중 적어도 하나를 이용하여 스위칭 소자에 대한 보호 동작을 수행한다(608). 본 발명의 일 실시예에서, 제어부(506)는 제1 전압 값(VG)이 미리 설정된 제1 기준 전압 값보다 크면 스위칭 소자의 작동을 중단시킬 수 있다. 또한 본 발명의 일 실시예에서, 제어부(506)는 제2 전압 값(VGE)이 미리 설정된 제2 기준 전압 값보다 크면 스위칭 소자의 작동을 중단시킬 수 있다. 이 때 제1 기준 전압 값 및 제2 기준 전압 값은 스위칭 소자의 스펙에 따라서 설정될 수도 있고, 사용자에 의해 임의로 설정될 수도 있다.
또한 본 발명의 일 실시예에서, 제어부(506)는 추정된 내부 온도(TC)가 미리 설정된 기준 온도보다 크면 스위칭 소자의 작동을 중단시킬 수 있다. 또한 도 6에는 도시되지 않았으나 제어부(506)는 제1 전압 값(VG)을 이용하여 계산된 게이트 전류 값(IG)이 미리 설정된 기준 전류 값보다 크면 스위칭 소자의 작동을 중단시킬 수도 있다.
지금까지 설명한 본 발명의 스위칭 소자 보호 방법은 스위칭 소자의 종류(예컨대, IGBT 또는 MOSFET)에 관계없이 적용될 수 있다는 장점이 있다. 또한 본 발명에 따르면 종래 기술과 같이 스위칭 소자의 보호를 위한 별도의 소자를 추가할 필요가 없으며, 이와 같은 별도의 소자를 추가함으로써 발생하는 전력 손실 또한 줄일 수 있다.
전술한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다.

Claims (6)

  1. 스위칭 소자의 게이트 단자에 직렬로 연결되는 게이트 저항 양단에서 제1 전압 값을 측정하는 단계;
    상기 제1 전압 값을 이용하여 상기 게이트 단자 및 상기 스위칭 소자의 제2 단자 사이의 제2 전압 값을 결정하는 단계;
    상기 제2 전압 값을 이용하여 상기 스위칭 소자의 내부 온도를 추정하는 단계; 및
    상기 제1 전압 값, 상기 제2 전압 값, 상기 내부 온도 중 적어도 하나를 이용하여 상기 스위칭 소자에 대한 보호 동작을 수행하는 단계를 포함하는
    스위칭 소자 보호 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭 소자에 대한 보호 동작을 수행하는 단계는
    상기 제1 전압 값이 미리 설정된 제1 기준 전압 값보다 크면 상기 스위칭 소자의 작동을 중단시키는 단계를 포함하는
    스위칭 소자 보호 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭 소자에 대한 보호 동작을 수행하는 단계는
    상기 제1 전압 값을 이용하여 상기 게이트 저항에 흐르는 게이트 전류 값을 계산하는 단계; 및
    상기 게이트 전류 값이 미리 설정된 기준 전류 값보다 크면 상기 스위칭 소자의 작동을 중단시키는 단계를 포함하는
    스위칭 소자 보호 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭 소자에 대한 보호 동작을 수행하는 단계는
    상기 제2 전압 값이 미리 설정된 제2 기준 전압 값보다 크면 상기 스위칭 소자의 작동을 중단시키는 단계를 포함하는
    스위칭 소자 보호 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭 소자의 내부 온도를 추정하는 단계는
    상기 스위칭 소자의 제1 단자 및 제2 단자 사이의 동작 전류 값, 상기 스위칭 소자의 제1 단자 및 제2 단자 사이의 동작 전압 값, 상기 제2 전압 값 간의 상관 관계를 이용하여 상기 스위칭 소자의 내부 온도를 결정하는 단계를 포함하는
    스위칭 소자 보호 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭 소자에 대한 보호 동작을 수행하는 단계는
    상기 내부 온도가 미리 설정된 기준 온도보다 크면 상기 스위칭 소자의 작동을 중단시키는 단계를 포함하는
    스위칭 소자 보호 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20190040425A (ko) * 2017-10-10 2019-04-18 엘지전자 주식회사 전력 모듈 패키지

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