KR20160124362A - 거울형 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
제1 베이스 기판, 발광층, 거울층 및 제2 베이스 기판을 포함한다. 상기 발광층은 상기 제1 베이스 기판 상에 제공된다. 상기 거울층은 상기 발광층 상에 제공되고, 물체의 모양을 비춘다. 상기 제2 베이스 기판은 상기 거울층 상에 제공된다. 상기 발광층은 평면상에서 원 형상을 갖는 것일 수 있다.
Description
본 발명은 거울형 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 표시 품질이 향상된 거울형 표시 장치에 관한 것이다.
최근, 표시 패널의 기능과 거울의 기능을 조합하여 사용할 수 있는 거울형 표시 장치가 제안되고 있다. 상기 거울형 표시 장치는 상기 표시 패널이 영상을 표시할 때, 표시 패널로 기능할 수 있다. 상기 거울형 표시 장치는 상기 표시 패널이 영상을 표시하지 않을 때, 거울로 기능할 수 있다.
본 발명의 목적은 표시 품질이 향상된 거울형 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치는 제1 베이스 기판, 발광층 및 거울층을 포함한다. 상기 발광층은 상기 제1 베이스 기판 상에 제공된다. 상기 거울층은 상기 발광층 상에 제공되고, 물체의 모양을 비춘다. 상기 발광층은 평면상에서 원 형상을 갖는 것일 수 있다.
평면상에서, 상기 발광층과 상기 거울층 사이의 거리는 일정한 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치는 상기 제1 베이스 기판 상에 제공되는 화소 정의막을 더 포함할 수 있다. 상기 발광층은 상기 제1 베이스 기판 및 상기 화소 정의막 상에 제공된다. 상기 거울층은 상기 발광층의 일부와 중첩하는 것일 수 있다.
상기 거울층은 상기 화소 정의막과 중첩하는 중첩 거울층 및 상기 화소 정의막과 중첩하지 않는 비중첩 거울층을 포함하는 것일 수 있다.
상기 비중첩 거울층은 상기 발광층과 중첩하는 것일 수 있다.
평면상에서, 상기 비중첩 거울층은 고리 형상을 갖는 것일 수 있다.
상기 발광층은 상기 거울층과 중첩하는 중첩 발광층 및 상기 거울층과 중첩하지 않는 비중첩 발광층을 포함하는 것일 수 있다.
평면상에서, 상기 비중첩 발광층은 원 형상을 갖고, 상기 중첩 발광층은 고리 형상을 갖는 것일 수 있다.
평면상에서, 상기 중첩 발광층의 폭은 일정한 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치는 복수의 화소들을 더 포함할 수 있다. 상기 화소들 각각은 평면상에서, 원 형상을 갖는 화소 발광층을 포함하고, 상기 거울층은 상기 화소 발광층 상에 제공되는 화소 거울층을 포함하는 것일 수 있다.
상기 화소 발광층은 상기 화소 거울층과 중첩하는 중첩 화소 발광층 및 상기 화소 거울층과 중첩하지 않는 비중첩 화소 발광층을 포함하는 것일 수 있다.
평면상에서, 상기 비중첩 화소 발광층은 원 형상을 갖고, 상기 중첩 화소 발광층은 고리 형상을 갖는 것일 수 있다.
평면상에서, 상기 중첩 화소 발광층의 폭은 일정한 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치는 상기 영상을 표시하는 영상 영역 및 상기 물체의 모양을 비추는 거울 영역을 포함한다. 평면상에서, 상기 영상 영역은 원 형상을 갖는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 의하면, 표시 품질을 향상 시킬 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치가 영상 신호를 제공받아 영상을 표시하는 것을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치가 물체의 모양을 비추는 것을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나의 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나를 나타낸 평면도이다.
도 5는 도 4의 I-I'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 포함되는 화소 정의막, 발광층 및 거울층을 개략적으로 나타낸 분해 사시도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 포함되는 화소 정의막, 발광층 및 거울층을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나의 화소에 포함되는 화소 정의막, 발광층 및 거울층을 개략적으로 나타낸 분해 사시도이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나의 화소에 포함되는 화소 정의막, 발광층 및 거울층을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치가 물체의 모양을 비추는 것을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나의 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나를 나타낸 평면도이다.
도 5는 도 4의 I-I'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 포함되는 화소 정의막, 발광층 및 거울층을 개략적으로 나타낸 분해 사시도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 포함되는 화소 정의막, 발광층 및 거울층을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나의 화소에 포함되는 화소 정의막, 발광층 및 거울층을 개략적으로 나타낸 분해 사시도이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나의 화소에 포함되는 화소 정의막, 발광층 및 거울층을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치가 영상 신호를 제공받아 영상을 표시하는 것을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치가 물체의 모양을 비추는 것을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치(10)는 영상 표시부(100) 및 거울부(200)를 포함한다. 영상 표시부(100)는 영상 신호를 제공받아 영상을 표시한다. 거울부(200)는 영상 표시부(100) 상에 제공된다. 거울부(200)는 물체의 모양을 비춘다. 물체의 종류는 특별히 한정하지 않으며, 사용자(USER), 피사체 등을 포함할 수 있다.
거울형 표시 장치(10)는 전계를 인가받아 구동될 수 있다. 거울형 표시 장치(10)는 전계를 인가받아 영상을 표시할 수 있다. 이에 따라, 도 1a에 나타난 바와 같이, 사용자(USER)는 거울형 표시 장치(10)에 표시되는 영상을 인식할 수 있다.
거울형 표시 장치(10)는 거울의 기능을 수행할 수 있다. 예를 들어, 거울형 표시 장치(10)는 전계를 인가받지 않을 때, 거울의 기능을 수행할 수 있다. 도 1b에 나타난 바와 같이 사용자(USER)는 거울형 표시 장치(10)에 비춘 사용자(USER)의 형상을 시인할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치(10)는 영상 영역(IA) 및 거울 영역(MA)을 포함한다.
영상 영역(IA)은 영상 신호를 제공받아, 영상을 표시한다. 거울형 표시 장치(10)의 두께 방향(DR3)에서 보았을 때, 영상 영역(IA)은 대략적으로 원 형상을 갖는 것일 수 있다.
영상 영역(IA)은 복수의 화소 영역들(PA)에 포함될 수 있다. 화소 영역들(PA)은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 화소 영역들(PA)은 예를 들어, 게이트 라인들(도 3의 GL), 데이터 라인들(도 3의 DL) 및 구동 전압 라인들(도 3의 DVL)에 의해 정의될 수 있다. 화소 영역들(PA)은 복수의 화소들(도 3의 PX) 각각을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치(10)에서는 화소 영역들(PA)이 사각 형상을 갖는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 화소 영역들(PA)은 원 형상을 갖는 것일 수도 있다.
거울 영역(MA)은 거울의 기능을 수행한다. 거울형 표시 장치(10)의 두께 방향(DR3)에서 보았을 때, 거울 영역(MA)은 예를 들어, 영상 영역(IA)을 둘러싸는 것일 수 있다. 거울형 표시 장치(10)의 두께 방향(DR3)에서 보았을 때, 거울 영역(MA)은 복수의 원 형상이 생략된 사각 형상을 갖는 것일 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나의 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나를 나타낸 평면도이다.
도 5는 도 4의 I-I'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1a, 도 1b, 도 3 내지 도 5을 참조하면, 화소들(PX) 각각은 게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL) 및 구동 전압 라인들(DVL)으로 이루어진 배선부와 연결될 수 있다. 화소들(PX) 각각은 배선부에 연결된 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2), 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 연결된 유기 발광 소자(OEL) 및 커패시터(Cst)를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서는 하나의 화소가 하나의 게이트 라인, 하나의 데이터 라인 및 하나의 구동 전압 라인과 연결되는 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 복수 개의 화소들(PX)이 하나의 게이트 라인, 하나의 데이터 라인 및 하나의 구동 전압 라인과 연결될 수 있다. 또한, 하나의 화소는 적어도 하나의 게이트 라인, 적어도 하나의 게이트 라인 및 적어도 하나의 구동 전압 라인과 연결될 수도 있다.
또한 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치(10)에서는 화소들(PX)이 사각 형상을 갖는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 화소들(PX)은 원 형상을 갖는 것일 수도 있다.
게이트 라인들(GL)은 제1 방향(DR1)으로 연장된다. 데이터 라인들(DL)은 게이트 라인들(GL)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 연장된다. 구동 전압 라인들(DVL)은 데이터 라인들(DL)과 실질적으로 동일한 방향, 즉 제2 방향(DR2)으로 연장된다. 게이트 라인들(GL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 주사 신호를 전달하고, 데이터 라인들(DL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 데이터 신호를 전달하며, 구동 전압 라인들(DVL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 구동 전압을 제공한다.
화소들(PX) 각각은 특정 컬러의 광, 예를 들어, 적색광, 녹색광, 청색광 중 하나를 출사할 수 있다. 컬러 광의 종류는 상기한 것에 한정된 것은 아니며, 예를 들어, 백색광, 시안광, 마젠타광, 옐로우광 등이 추가될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)는 유기 발광 소자(OEL)를 제어하기 위한 구동 박막 트랜지스터(TFT2)와, 구동 박막 트랜지스터(TFT2)를 스위칭 하는 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 화소들(PX) 각각이 두 개의 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)를 포함하는 것을 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니고, 화소들(PX) 각각이 하나의 박막 트랜지스터와 커패시터를 포함할 수도 있고, 화소들(PX) 각각이 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 커패시터를 구비할 수도 있다.
스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)는 제1 게이트 전극(GE1), 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1)을 포함한다. 제1 게이트 전극(GE1)은 게이트 라인들(GL)에 연결되며, 제1 소스 전극(SE1)은 데이터 라인들(DL)에 연결된다. 제1 드레인 전극(DE1)은 제5 콘택홀(CH5)에 의해 제1 공통 전극(CE1)과 연결된다. 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)는 게이트 라인들(GL)에 인가되는 주사 신호에 따라 데이터 라인들(DL)에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(TFT2)에 전달한다.
구동 박막 트랜지스터(TFT2)는 제2 게이트 전극(GE2), 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2)을 포함한다. 제2 게이트 전극(GE2)은 제1 공통 전극(CE1)에 연결된다. 제2 소스 전극(SE2)은 구동 전압 라인들(DVL)에 연결된다. 제2 드레인 전극(DE2)은 제3 콘택홀(CH3)에 의해 제1 전극(EL1)과 연결된다.
제1 전극(EL1)은 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 드레인 전극(DE2)과 연결된다. 제2 전극(EL2)에는 공통 전압이 인가되며, 발광층(EML)은 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 출력 신호에 따라 블루 광을 출사함으로써 영상을 표시한다. 제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2)에 대해서는 보다 구체적으로 후술한다.
커패시터(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 게이트 전극(GE2)과 제2 소스 전극(SE2) 사이에 연결되며, 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 게이트 전극(GE2)에 입력되는 데이터 신호를 충전하고 유지한다. 커패시터(Cst)는 제1 드레인 전극(DE1)과 제6 콘택홀(CH6)에 의해 연결되는 제1 공통 전극(CE1) 및 구동 전압 라인들(DVL)과 연결되는 제2 공통 전극(CE2)을 포함할 수 있다.
도 1a, 도 1b, 도 4 및 도 5을 참조하면, 앞서 언급한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치(10)는 영상 표시부(100) 및 거울부(200)를 포함한다. 영상 표시부(100)는 제1 베이스 기판(BS1), 제1 베이스 기판(BS1) 상에 제공되는 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2) 및 유기 발광 소자(OEL)를 포함한다.
제1 베이스 기판(BS1)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 유리, 플라스틱, 수정 등의 절연성 물질로 형성될 수 있다. 제1 베이스 기판(BS1)을 이루는 유기 고분자로는 PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), 폴리이미드(Polyimide), 폴리에테르술폰 등을 들 수 있다. 제1 베이스 기판(BS1)은 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성, 방수성 등을 고려하여 선택될 수 있다. 제1 베이스 기판(BS1)은 투명한 것일 수 있다. 제1 베이스 기판(BS1)은 플렉서블(flexible) 한 것일 수도 있고, 리지드(rigid)한 것일 수도 있다.
제1 베이스 기판(BS1) 상에는 기판 버퍼층(미도시)이 제공될 수 있다. 기판 버퍼층(미도시)은 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1) 및 구동 박막 트랜지스터(TFT2)에 불순물이 확산되는 것을 막는다. 기판 버퍼층(미도시)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등으로 형성될 수 있으며, 제1 베이스 기판(BS1)의 재료 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
제1 베이스 기판(BS1) 상에는 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)이 제공된다. 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)은 반도체 소재로 형성되며, 각각 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)와 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 활성층으로 동작한다. 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)은 각각 소스 영역(SA), 드레인 영역(DA) 및 소스 영역(SA)과 드레인 영역(DA) 사이에 제공된 채널 영역(CA)을 포함한다. 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)은 각각 무기 반도체 또는 유기 반도체로부터 선택되어 형성될 수 있다. 소스 영역(SA) 및 드레인 영역(DA)은 n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑될 수 있다.
제1 반도체층(SM1) 및 제2 반도체층(SM2) 상에는 게이트 절연층(GI)이 제공된다. 게이트 절연층(GI)은 제1 반도체층(SM1) 및 제2 반도체층(SM2)을 커버한다. 게이트 절연층(GI)은 유기 절연물 또는 무기 절연물로 이루어질 수 있다.
게이트 절연층(GI) 상에는 제1 게이트 전극(GE1)과 제2 게이트 전극(GE2)이 제공된다. 제1 게이트 전극(GE1)과 제2 게이트 전극(GE2)은 각각 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)의 채널 영역(CA)에 대응되는 영역을 커버하도록 형성된다.
제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2) 상에는 제1 절연층(IL1)이 제공된다. 제1 절연층(IL1)은 제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2)을 커버한다. 제1 절연층(IL1)은 유기 절연물 또는 무기 절연물로 이루어질 수 있다.
제1 절연층(IL1)의 상에는 제1 소스 전극(SE1)과 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2)과 제2 드레인 전극(DE2)이 제공된다. 제2 드레인 전극(DE2)은 게이트 절연층(GI) 및 제1 절연층(IL1)에 형성된 제1 콘택홀(CH1)에 의해 제2 반도체층(SM2)의 드레인 영역(DA)과 접촉하고, 제2 소스 전극(SE2)은 게이트 절연층(GI) 및 제1 절연층(IL1)에 형성된 제2 콘택홀(CH2)에 의해 제2 반도체층(SM2)의 소스 영역(SA)과 접촉한다. 제1 소스 전극(SE1)은 게이트 절연층(GI) 및 제1 절연층(IL1)에 형성된 제4 콘택홀(CH4)에 의해 제1 반도체층(SM1)의 소스 영역(미도시)과 접촉하고, 제1 드레인 전극(DE1)은 게이트 절연층(GI) 및 제1 절연층(IL1)에 형성된 제5 콘택홀(CH5)에 의해 제1 반도체층(SM1)의 드레인 영역(미도시)과 접촉한다.
제1 소스 전극(SE1)과 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2)과 제2 드레인 전극(DE2) 상에는 패시베이션층(PL)이 제공된다. 패시베이션층(PL)은 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1) 및 구동 박막 트랜지스터(TFT2)를 보호하는 보호막의 역할을 할 수도 있고, 그 상면을 평탄화시키는 평탄화막의 역할을 할 수도 있다.
패시베이션층(PL) 상에는 제1 전극(EL1)이 제공된다. 제1 전극(EL1)은 예를 들어 양극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 패시베이션층(PL)에 형성되는 제3 콘택홀(CH3)을 통해 구동 박막 트랜지스터(TR2)의 제2 드레인 전극(DE2)에 연결된다.
패시베이션층(PL) 상에는 화소들(PX) 각각에 대응하도록 발광층(EML)을 구획하는 화소 정의막(PDL)이 제공된다. 화소 정의막(PDL)은 제1 전극(EL1)의 상면을 노출하며, 제1 베이스 기판(BS1)으로부터 돌출된다. 화소 정의막(PDL)은 이에 한정하는 것은 아니나, 금속-불소 이온 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 LiF, BaF2, 및 CsF 중 어느 하나의 금속-불소 이온 화합물로 구성될 수 있다. 금속-불소 이온 화합물은 소정의 두께를 가질 경우, 절연 특성을 갖는다. 화소 정의막(PDL)의 두께는 예를 들어, 10 nm 내지 100 nm일 수 있다. 화소 정의막(PDL)에 대해서는 보다 구체적으로 후술하도록 한다.
화소 정의막(PDL)에 의해 둘러싸인 영역에는 유기 발광 소자(OEL)가 제공된다. 유기 발광 소자(OEL)는 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR) 및 제2 전극(EL2)을 포함한다.
제1 전극(EL1)은 도전성을 갖는다. 제1 전극(EL1)은 화소 전극 또는 양극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)이 투과형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 금속의 혼합물을 포함할 수 있다.
제1 전극(EL1) 상에는 유기층이 배치될 수 있다. 유기층은 발광층(EML)을 포함한다. 유기층은 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR)을 더 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 제공된다. 정공 수송 영역(HTR)은, 정공 주입층, 정공 수송층, 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층/정공 수송층, 정공 주입층/정공 수송층/버퍼층, 정공 주입층/버퍼층, 정공 수송층/버퍼층 또는 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층을 포함할 경우, 정공 수송 영역(HTR)은 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물; DNTPD (N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine), m-MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS((Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate)) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)이 정공 수송층을 포함할 경우, 정공 수송 영역(HTR)은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorine)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine), TAPC(4,4'-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)은 앞서 언급한 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 전하 생성 물질은 정공 수송 영역(HTR) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트(dopant)일 수 있다. p-도펀트는 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, p-도펀트의 비제한적인 예로는, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체, 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 제공된다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
발광층(EML)은 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있으며, 형광 물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다. 또한, 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다.
호스트는 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(n-vinylcabazole)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene) 등을 사용될 수 있다.
발광층(EML)이 적색을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, PBD:Eu(DBM)3(Phen)(tris(dibenzoylmethanato)phenanthoroline europium) 또는 퍼릴렌(Perylene)을 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 적색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)과 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다.
발광층(EML)이 녹색을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 녹색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, Ir(ppy)3(fac-tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다.
발광층(EML)이 청색을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, 스피로-DPVBi(spiro-DPVBi), 스피로-6P(spiro-6P), DSB(distyryl-benzene), DSA(distyryl-arylene), PFO(Polyfluorene)계 고분자 및 PPV(poly(p-phenylene vinylene)계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 청색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다. 발광층(EML)에 대해서는 보다 구체적으로 후술하도록 한다.
전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 제공된다. 전자 수송 영역은, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역이 전자 수송층을 포함할 경우, 전자 수송 영역은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene) 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들어 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 전자 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역이 전자 주입층을 포함할 경우, 전자 수송 영역은 LiF, LiQ (Lithium quinolate), Li2O, BaO, NaCl, CsF, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또는 RbCl, RbI와 같은 할로겐화 금속 등이 사용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 주입층은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질이 될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다. 전자 주입층의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역은 앞서 언급한 바와 같이, 정공 저지층을 포함할 수 있다. 정공 저지층은 예를 들어, BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 제공된다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극 또는 음극일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다.
제2 전극(EL2)이 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, BaF, Ba, Ag 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다.
제2 전극(EL2)은 보조 전극을 포함할 수 있다. 보조 전극은 상기 물질이 발광층(EML)을 향하도록 증착하여 형성된 막, 및 상기 막 상에 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), Mo, Ti 등을 포함할 수 있다.
제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.
유기 발광 소자(OEL)가 전면 발광형일 경우, 제1 전극(EL1)은 반사형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극일 수 있다. 유기 발광 소자가 배면 발광형일 경우, 제1 전극(EL1)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 반사형 전극일 수 있다.
유기 발광 소자(OEL)에서, 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2)에 각각 전압이 인가됨에 따라 제1 전극(EL1)으로부터 주입된 정공(hole)은 정공 수송 영역(HTR)을 거쳐 발광층(EML)으로 이동되고, 제2 전극(EL2)으로부터 주입된 전자가 전자 수송 영역(ETR)을 거쳐 발광층(EML)으로 이동된다. 전자와 정공은 발광층(EML)에서 재결합하여 여기자(exciton)을 생성하며, 여기자가 여기 상태에서 바닥 상태로 떨어지면서 발광하게 된다.
도시하지는 않았으나, 제2 전극(EL2) 상에 유기 캡핑층이 제공될 수 있다. 유기 캡핑층은 발광층(EML)에서 방출된 광을 유기 캡핑층의 상면에서 발광층 방향(EML)으로 반사시킬 수 있다. 반사된 광은 유기층 내부에서 공진 효과에 의해 증폭되어, 거울형 표시 장치(10)의 광 효율을 증가시킬 수 있다. 유기 캡핑층은 전면 발광형 유기 발광 소자에서, 빛의 전반사를 통해 제2 전극(EL2)에서 빛이 손실되는 것을 방지할 수 있다.
제2 전극(EL2) 상에는 봉지층(SL)이 제공된다. 봉지층(SL)은 제2 전극(EL2)을 커버한다. 봉지층(SL)은 유기층 및 무기층 중 적어도 하나의 층을 포함할 수 있다. 봉지층(SL)은 유기 발광 소자(OEL)를 보호한다.
거울부(200)는 영상 표시부(100) 상에 제공된다. 거울부(200)는 거울층(MIL)을 포함한다. 거울부(200)는 제2 베이스 기판(BS2)을 더 포함할 수 있다.
제2 베이스 기판(BS2)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 유리, 플라스틱, 수정 등의 절연성 물질로 형성될 수 있다. 제2 베이스 기판(BS2)을 이루는 유기 고분자로는 PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), 폴리이미드(Polyimide), 폴리에테르술폰 등을 들 수 있다. 제2 베이스 기판(BS2)은 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성, 방수성 등을 고려하여 선택될 수 있다. 제2 베이스 기판(BS2)은 투명한 것일 수 있다. 제2 베이스 기판(BS2)은 플렉서블(flexible) 한 것일 수도 있고, 리지드(rigid)한 것일 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치(10)에서는 제2 베이스 기판(BS2)을 포함하는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 제2 베이스 기판(BS2)은 생략될 수도 있다.
거울층(MIL)은 발광층(EML) 상에 제공된다. 거울층(MIL)은 영상 표시부(100)에서 제공받은 광의 적어도 일부를 투과한다. 거울층(MIL)은 외부에서 제공받은 광의 적어도 일부를 반사한다. 거울층(MIL)은 복수의 홀들을 포함할 수 있다.
거울층(MIL)은 도시하지는 않았으나, 베이스층 및 베이스층 상에 제공되는 금속층을 포함할 수 있다. 베이스층은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), 폴리이미드(Polyimide), 폴리에테르술폰 등을 포함할 수 있다. 금속층은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 알루미늄, 구리, 은 및 금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 거울층(MIL)에 대해서는 보다 구체적으로 후술하도록 한다.
거울부(200)는 제2 절연층(IL2)을 더 포함할 수 있다. 제2 절연층(IL2)은 제2 베이스 기판(BS2) 및 거울층(MIL) 상에 제공될 수 있다. 제2 절연층(IL2)은 유기 절연물 또는 무기 절연물로 이루어질 수 있다. 제2 절연층(IL2)을 투명한 것일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에서는 거울부가 제2 절연층(IL2)을 포함하는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 제2 절연층(IL2)은 생략될 수 있다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 포함되는 화소 정의막, 발광층 및 거울층을 개략적으로 나타낸 분해 사시도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 포함되는 화소 정의막, 발광층 및 거울층을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 발광층(EML)은 평면상에서, 대략적으로, 원 형상을 갖는 것일 수 있다. 평면상이란, 예를 들어, 거울형 표시 장치(10)의 두께 방향(도 3의 DR3)에서 보았을 때를 의미하는 것일 수 있다. 발광층(EML)은 거울층(MIL)과 중첩하는 중첩 발광층(O_EML) 및 거울층(MIL)과 중첩하지 않는 비중첩 발광층(N_EML)을 포함하는 것일 수 있다.
평면상에서, 중첩 발광층(O_EML)은 대략적으로, 고리 형상을 갖는 것일 수 있다. 평면상에서, 중첩 발광층(O_EML)은 비중첩 발광층(N_EML)을 둘러싸는 것일 수 있다. 평면상에서, 중첩 발광층(O_EML)의 폭은 일정한 것일 수 있다.
평면상에서, 비중첩 발광층(N_EML)은 대략적으로, 원 형상을 갖는 것일 수 있다. 평면상에서, 비중첩 발광층(N_EML)의 폭은 일정한 것일 수 있다.
거울층(MIL)은 발광층(EML)의 일부와 중첩하는 것일 수 있다. 평면상에서, 발광층(EML)과 거울층(MIL) 사이의 거리는 일정한 것일 수 있다. 거울층(MIL)은 화소 정의막(PDL)과 중첩하는 중첩 거울층(O_MIL) 및 화소 정의막(PDL)과 중첩하지 않는 비중첩 거울층(N_MIL)을 포함할 수 있다.
중첩 거울층(O_MIL)은 발광층과 중첩하지 않는 것일 수 있다. 평면상에서, 중첩 거울층(O_MIL)은 복수의 원 형상이 생략된 사각 형상을 갖는 것일 수 있다. 평면상에서, 중첩 거울층(O_MIL)은 비중첩 거울층(N_MIL)을 둘러싸는 것일 수 있다.
비중첩 거울층(N_MIL)은 발광층(EML)과 중첩하는 것일 수 있다. 평면상에서, 비중첩 거울층(N_MIL)은 대략적으로, 고리 형상을 갖는 것일 수 있다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나의 화소에 포함되는 화소 정의막, 발광층 및 거울층을 개략적으로 나타낸 분해 사시도이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나의 화소에 포함되는 화소 정의막, 발광층 및 거울층을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 앞서 언급한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치(도 6a의 10)는 복수의 화소들(PX)을 더 포함할 수 있다. 발광층(도 6a의 EML)은 화소들(PX) 각각에 포함되는 화소 발광층(P_EML)을 포함한다. 거울층(도 6a의 MIL)은 화소들(PX) 각각에 포함되는 화소 거울층(P_MIL)을 포함한다. 화소 거울층(P_MIL)은 화소 발광층(P_EML) 상에 제공된다.
평면상에서, 화소 발광층(P_EML)은 대략적으로, 원 형상을 갖는 것일 수 있다. 화소 발광층(P_EML)은 화소 거울층(P_MIL)과 중첩하는 중첩 화소 발광층(OP_EML) 및 화소 거울층(P_MIL)과 중첩하지 않는 비중첩 화소 발광층(NP_EML)을 포함하는 것일 수 있다.
평면상에서, 중첩 화소 발광층(OP_EML)은 대략적으로, 고리 형상을 갖는 것일 수 있다. 평면상에서, 중첩 화소 발광층(OP_EML)은 비중첩 화소 발광층(NP_EML)을 둘러싸는 것일 수 있다. 평면상에서, 중첩 화소 발광층(OP_EML)의 폭은 일정한 것일 수 있다.
평면상에서, 비중첩 화소 발광층(NP_EML)은 대략적으로, 원 형상을 갖는 것일 수 있다. 평면상에서, 비중첩 화소 발광층(NP_EML)의 폭은 일정한 것일 수 있다.
화소 거울층(P_MIL)은 화소 발광층(P_EML)의 일부와 중첩하는 것일 수 있다. 평면상에서, 화소 발광층(P_EML)과 화소 거울층(P_MIL) 사이의 거리(d1)는 일정한 것일 수 있다. 화소 거울층(P_MIL)은 화소 정의막(PDL)과 중첩하는 중첩 화소 거울층(OP_MIL) 및 화소 정의막(PDL)과 중첩하지 않는 비중첩 화소 거울층(NP_MIL)을 포함할 수 있다.
중첩 화소 거울층(OP_MIL)은 화소 발광층(P_EML)과 중첩하지 않는 것일 수 있다. 평면상에서, 중첩 화소 거울층(OP_MIL)은 원 형상이 생략된 사각 형상을 갖는 것일 수 있다. 평면상에서, 중첩 화소 거울층(OP_MIL)은 비중첩 화소 거울층(NP_MIL)을 둘러싸는 것일 수 있다.
비중첩 화소 거울층(NP_MIL)은 화소 발광층(P_EML)과 중첩하는 것일 수 있다. 평면상에서, 비중첩 화소 거울층(NP_MIL)은 대략적으로, 고리 형상을 갖는 것일 수 있다.
종래의 거울형 표시 장치는 일반적으로, 액정 표시 패널(liquid crystal display panel), 플라즈마 표시 패널(plasma display panel), 전기영동 표시 패널(electrophoretic display panel), MEMS 표시 패널(microelectromechanical system display panel) 및 일렉트로웨팅 표시 패널(electrowetting display panel) 등과 같은 수광형 표시 패널을 포함하는 영상 표시부를 포함하여, 슬림한 거울형 표시 장치, 플렉서블한 거울형 표시 장치를 구현하기 어려웠다.
다만, 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치는 자발광형인 유기 발광 소자를 포함하는 영상 표시부를 포함하여, 슬림한 거울형 표시 장치, 플렉서블한 거울형 표시 장치를 구현할 수 있다.
또한, 종래의 거울형 표시 장치는 일반적으로, 평면상에서 사각 형상을 갖는 발광층을 포함하여, 모든 방향에 대하여, 일정한 시야각을 갖기 어려웠다. 다만, 본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치는 평면상에서 원 형상을 갖는 발광층을 포함하여, 모든 방향에 대하여 일정한 시야각을 갖는다. 이를 통해, 화잘의 균일성을 향상시킬 수 있고, 이에 따라, 거울형 표시 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 거울형 표시 장치의 거울층은 평면상에서 보았을 때, 화소 정의막과 중첩하지 않고, 발광층과 중첩하는 비중첩 거울층을 포함한다. 이에 따라, 공정상 미스 얼라인이 발생하더라도, 거울층과 중첩하지 않는 화소 정의막이 발생하지 않아, 평면상에서 보았을 때, 거울형 표시 장치의 전 영역이 영상 영역 또는 거울 영역으로 구분될 수 있다. 이에 따라, 발광 영역 또는 거울 영역이 아닌 암부가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 거울형 표시 장치
100: 영상 표시부
200: 거울부 BS1: 제1 베이스 기판
BS2: 제2 베이스 기판 EML: 발광층
PDL: 화소 정의막 MIL: 거울층
200: 거울부 BS1: 제1 베이스 기판
BS2: 제2 베이스 기판 EML: 발광층
PDL: 화소 정의막 MIL: 거울층
Claims (20)
- 제1 베이스 기판;
상기 제1 베이스 기판 상에 제공되는 발광층; 및
상기 발광층 상에 제공되고, 물체의 모양을 비추는 거울층;을 포함하고,
상기 발광층은
평면상에서 원 형상을 갖는 것인 거울형 표시 장치. - 제1항에 있어서,
평면상에서,
상기 발광층과 상기 거울층 사이의 거리는 일정한 것인 거울형 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 베이스 기판 상에 제공되는 화소 정의막을 더 포함하고,
상기 발광층은
상기 제1 베이스 기판 및 상기 화소 정의막 상에 제공되고,
상기 거울층은
상기 발광층의 일부와 중첩하는 것인 거울형 표시 장치. - 제3항에 있어서,
상기 거울층은
상기 화소 정의막과 중첩하는 중첩 거울층; 및
상기 화소 정의막과 중첩하지 않는 비중첩 거울층;을 포함하는 것인 거울형 표시 장치. - 제4항에 있어서,
상기 비중첩 거울층은
상기 발광층과 중첩하는 것인 거울형 표시 장치. - 제4항에 있어서,
평면상에서,
상기 비중첩 거울층은
고리 형상을 갖는 것인 거울형 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 발광층은
상기 거울층과 중첩하는 중첩 발광층; 및
상기 거울층과 중첩하지 않는 비중첩 발광층;을 포함하는 것인 거울형 표시 장치. - 제7항에 있어서,
평면상에서,
상기 비중첩 발광층은
원 형상을 갖고,
상기 중첩 발광층은
고리 형상을 갖는 것인 거울형 표시 장치. - 제7항에 있어서,
평면상에서,
상기 중첩 발광층의 폭은
일정한 것인 거울형 표시 장치. - 제1항에 있어서,
복수의 화소들을 더 포함하고,
상기 화소들 각각은
원 형상을 갖는 화소 발광층을 포함하고,
상기 거울층은
상기 화소 발광층 상에 제공되는 화소 거울층을 포함하는 것인 거울형 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 화소 발광층은
상기 화소 거울층과 중첩하는 중첩 화소 발광층; 및
상기 화소 거울층과 중첩하지 않는 비중첩 화소 발광층;을 포함하는 것인 거울형 표시 장치. - 제11항에 있어서,
평면상에서,
상기 비중첩 화소 발광층은
원 형상을 갖고,
상기 중첩 화소 발광층은
고리 형상을 갖는 것인 거울형 표시 장치. - 제12항에 있어서,
평면상에서,
상기 중첩 화소 발광층의 폭은
일정한 것인 거울형 표시 장치. - 영상 신호를 제공받아 영상을 표시하는 영상 표시부; 및
상기 영상 표시부 상에 제공되고, 물체의 모양을 비추는 거울부;를 포함하고,
상기 영상 표시부는
평면상에서, 원 형상을 갖는 발광층을 포함하는 것인 거울형 표시 장치. - 제14항에 있어서,
상기 거울부는
상기 영상 표시부로부터 제공받은 제1 광의 적어도 일부를 외부로 투과하고,
외부에서 제공받은 제2 광의 적어도 일부를 반사시키는 것인 거울형 표시 장치. - 제14항에 있어서,
상기 거울부는
물체의 모양을 비추는 거울층을 포함하고,
평면상에서,
상기 발광층과 상기 거울층 사이의 거리는 일정한 것인 거울형 표시 장치. - 제15항에 있어서,
상기 발광층은
상기 거울층과 중첩하는 중첩 발광층; 및
상기 거울층과 중첩하지 않는 비중첩 발광층;을 포함하는 것인 거울형 표시 장치. - 제17항에 있어서,
평면상에서,
상기 비중첩 발광층은
원 형상을 갖고,
상기 중첩 발광층은
고리 형상을 갖는 것인 거울형 표시 장치. - 제17항에 있어서,
평면상에서
상기 중첩 발광층의 폭은
일정한 것인 거울형 표시 장치. - 제14항에 있어서,
상기 영상을 표시하는 영상 영역; 및
상기 물체의 모양을 비추는 거울 영역;을 포함하고,
평면상에서,
상기 영상 영역은 원 형상을 갖는 것인 거울형 표시 장치.
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