KR20160118066A - Package of LED - Google Patents

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KR20160118066A
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최철
이규원
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a high output light emitting package. Specifically, provided is a ceramic substrate which forms a pad of which a thickness is 110 to 150 m to effectively radiate heat emitted from an LED when the pad is formed in an upper layer of a base substrate in a ceramic type LED package process, promotes an effect where a product process is not complicated by a package capable of mounting both a vertical LED and a horizontal LED, and applies a ceramic LED package application technology of 6 watt and higher to be proper for a high output lamp compared to an existing LED package.

Description

발광패키지{Package of LED}[0001] Package of LED [0002]

본 발명은 고출력 발광 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a high output light emitting package.

발광 다이오드(light emitting diode, LED)는 P-N 접합의 양단에 순방향의 전류를 인가하여 광을 방출하도록 하는 광전 변환 소자이다. 일반적으로, LED는 에피 웨이퍼 제조 공정, 칩 생산 공정, 패키징 공정 및 모듈 공정을 거쳐 모듈 형태의 상용 제품으로 출시된다. 최근에는 상기 LED가 조명 기구와 같이 고출력을 요구하는 장치에 적용되면서, LED의 연구가 광추출효율 등과 같이 LED의 효율을 증가시키는 분야에서 활발하게 진행되고 있다.A light emitting diode (LED) is a photoelectric conversion element that emits light by applying a forward current to both ends of a P-N junction. In general, LEDs are marketed as module-type commercial products through an epi wafer manufacturing process, a chip production process, a packaging process, and a module process. In recent years, the LED has been applied to a device requiring high output such as a lighting device, and the research of the LED is actively progressing in the field of increasing the efficiency of the LED, such as the light extraction efficiency.

종래의 LED 패키지의 제조공정은 LED 칩을 실장할 본딩영역을 기판 상에 구현하고, 상부에 기재층을 반복해서 적층하여 원하는 두께의 패키지를 구현하기 때문에, 수평형 LED 와 수직형 LED 등과 같이 전극구조의 배치에 따른 호환성이 확보되지 않으며, 제조공정이 복잡한 문제가 있다.In the manufacturing process of the conventional LED package, since the bonding region for mounting the LED chip is implemented on the substrate and the substrate layer is repeatedly laminated on the top to realize a package having a desired thickness, Compatibility with the arrangement of the structures is not ensured, and the manufacturing process is complicated.

본 발명은 상술한 과제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 특히 수직형 LED와 수평형 LED가 모두 실장 가능한 엘이디 패키지를 제공하며, 6와트(watt) 이상의 세라믹 엘이디 패키지 적용 기술로 인해 기존 엘이디 패키지에 대비하여 고출력 조명에 적합한 패키지 기판을 제공할 수 있도록 한다.The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide an LED package capable of mounting both a vertical type LED and a horizontal type LED, So that a package substrate suitable for high-power illumination can be provided.

상술한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명의 실시예에서는 베이스 기판;As means for solving the above-mentioned problems, in the embodiment of the present invention,

상기 베이스 기판 표면의 일부를 노출시키는 구조로 배치되는 솔더레지스트층; 상기 노출되는 베이스기판의 표면과 접촉하며, 상기 솔더레지스트층 높이 이상으로 구현되는 지지금속층; 상기 지지금속층의 일부와 접촉하여 상기 지지금속층 높이 이상으로 구현되는 절연댐; 상기 절연댐내에 수용되는 구조로 배치되는 발광소자; 및 상기 발광소자를 매립하여 상기 절연댐 내에 충진되는 형광층;을 포함하는 발광패키지를 제공할 수 있도록 한다.A solder resist layer arranged to expose a part of the surface of the base substrate; A support metal layer in contact with the exposed surface of the base substrate, the support metal layer being realized at a height equal to or higher than the height of the solder resist layer; An insulation dam in contact with a portion of the support metal layer and being implemented above the height of the support metal layer; A light emitting element arranged in a structure accommodated in the insulating dam; And a fluorescent layer filled in the insulating dam by embedding the light emitting element.

본 발명의 실시예에 따르면, 고출력 엘이디 패키지에 있어서, 수직형 LED와 수평형 LED가 모두 실장 가능한 엘이디 패키지를 제공하며, 6와트(watt) 이상의 세라믹 엘이디 패키지 적용 기술로 인해 기존 엘이디 패키지에 대비하여 고출력 조명에 적합한 세라믹 기판을 제공할 수 있는 효과를 지닌다. According to the embodiment of the present invention, in the high-power LED package, the LED package capable of mounting both the vertical type LED and the horizontal type LED is provided, and the application of the ceramic LED package more than 6 watt It is possible to provide a ceramic substrate suitable for high-power illumination.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 110㎛ ~ 150㎛의 두께로 형성된 패드를 형성하여 엘이디 칩으로부터 방출된 열을 효과적으로 방출될 수 있도록 하는 효과를 도모할 수 있다. In addition, according to the embodiment of the present invention, it is possible to form a pad having a thickness of 110 mu m to 150 mu m to effectively dissipate heat emitted from the LED chip.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광패키지의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 발광패키지의 제조공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광패키지의 구조를 도시한 것이다.
도 4는 도 3의 구조의 발광패키지의 제조공정도를 도시한 것이다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a light emitting package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view for explaining a manufacturing process of a light emitting package according to an embodiment of the present invention.
3 illustrates a structure of a light emitting package according to another embodiment of the present invention.
Fig. 4 shows a manufacturing process of the light emitting package having the structure of Fig.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성요소는 동일한 참조부여를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략하기로 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
Hereinafter, the configuration and operation according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following description with reference to the accompanying drawings, the same reference numerals denote the same elements regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광패키지의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 발광패키지의 제조공정을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a light emitting package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view for explaining a manufacturing process of a light emitting package according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 발광패키지는 베이스 기판;1 and 2, a light emitting package according to an embodiment of the present invention includes a base substrate;

상기 베이스 기판(310) 표면의 일부를 노출시키는 구조로 배치되는 솔더레지스트층(320), 상기 노출되는 베이스기판(310)의 표면과 접촉하며, 상기 솔더레지스트층(320) 높이 이상으로 구현되는 지지금속층(350), 상기 지지금속층(350)의 일부와 접촉하여 상기 지지금속층(350) 높이 이상으로 구현되는 지지부(380)와, 상기 지지부(380) 내에 수용되는 구조로 배치되는 발광소자(370) 및 상기 발광소자(370)를 매립하여 상기 지지부(380) 내측에 충진되는 형광층(390)을 포함하여 구성될 수 있다.A solder resist layer 320 arranged to expose a part of the surface of the base substrate 310 and a solder resist layer 320 which contacts the surface of the exposed base substrate 310 and is formed above the solder resist layer 320, A metal layer 350 and a support part 380 which is in contact with a part of the support metal layer 350 and is realized at a height of the support metal layer 350 or more and a light emitting device 370 arranged in a structure accommodated in the support part 380, And a fluorescent layer 390 filling the light emitting device 370 and filling the inside of the supporting part 380.

상기 베이스 기판(310)은 알루미늄 등과 같은 금속 재질일 수도 있고, 플라스틱 재질로서 상면에 동박이 피착된 것일 수도 있으나, 세라믹 재료로 사용되어 열전도가 높고 열팽창이 적은 효과를 도모할 수 있으며, 세라믹 재료에는 Al2O3, AlN, SiC, BN 중 선택되는 어느 하나의 재료를 포함하여 구성되는 시트 부재를 적용할 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 Al2O3로 구현되는 시트 부재를 적용하는 것을 예로 들어 설명하기로 한다.The base substrate 310 may be made of a metal such as aluminum or the like, or may be made of a plastic material having a copper foil on the top surface thereof. However, the base substrate 310 may be used as a ceramic material to achieve high thermal conductivity and low thermal expansion. A sheet member composed of any one material selected from Al 2 O 3 , AlN, SiC and BN can be applied. In the embodiment of the present invention, the application of a sheet member made of Al 2 O 3 will be described as an example.

상기 솔더레지스트층(320)은 상기 베이스 기판(310)의 표면 상에 패터닝되는 구조로 적층되는 층으로, 일부 영역에서 상기 베이스 기판(310)의 표면이 노출되는 구조로 구현될 수 있다. 특히, 본 발명의 실시예에서는, 상기 솔더레지스트층(320)으로 PSR(Photo Solder Resist) 또는 백색 PSR(white Photo Solder Resist)을 이용할 수 있다. 또한, 이 경우 상기 PSR(Photo Solder Resist) 또는 백색 PSR(white Photo Solder Resist)층은, 이산화타이타늄(TiO2)의 성분을 포함한 감광성물질을 사용하여 베이스 기판의 표면 처리 및 전기적 특성 방해를 막고 동시에 반사율을 증가시키도록 한다. 나아가, 상기 감광성 물질에 포함되는 반사물질은 상술한 TiO2이외에도, CaCO3, BaSO4, Al2O3, Silicon, PS 중 선택되는 어느 하나의 물질을 이용할 수 있다. 상기 솔더레지스트층(320)은 베이스 기판(310)의 상면에 화이트 용액을 도포하여 건조하고, 배선이 형성된 마스크를 상기 포토 레지스트 용액이 도포된 면에 밀착시킨 다음 적절한 시간 동안 노광을 수행하고, 노광된 기판을 현상액에 담금으로서 포토 레지스트 용액에 의해 배선패턴이 형성되고, 불필요한 부분은 용해되어 베이스 기판(310)의 상면이 외부로 노출될 수 있도록 한다.The solder resist layer 320 may be formed as a layer to be patterned on the surface of the base substrate 310, and the surface of the base substrate 310 may be exposed in some areas. Particularly, in the embodiment of the present invention, PSR (Photo Solder Resist) or white PSR (white photo solder resist) can be used for the solder resist layer 320. In this case, the PSR (photo solder resist) or white PSR (white photo solder resist) layer is formed by using a photosensitive material containing a component of titanium dioxide (TiO 2 ) to prevent the surface treatment of the base substrate, Thereby increasing the reflectance. Further, the reflective material included in the photosensitive material may be any one selected from CaCO 3 , BaSO 4 , Al 2 O 3 , Silicon, and PS in addition to the above-described TiO 2 . The solder resist layer 320 is formed by applying a white solution to the upper surface of the base substrate 310, drying the mask, attaching a mask having a wiring on the surface to which the photoresist solution is applied, A wiring pattern is formed by immersing the substrate in a developing solution with a photoresist solution, and an unnecessary portion is dissolved so that the top surface of the base substrate 310 can be exposed to the outside.

상기 지지금속층(350)은 솔더레지스트층(320)의 상부에 형성되며 발광소자(370)가 손상되는 것을 방지하기 위하여 지지층의 역할을 하는 금속층으로 그 두께를 110㎛~150㎛까지 가능하게 하여 발광소자(370)로부터 방출된 열을 효과적으로 방출할 수 있는 패드를 형성할 수 있도록 한다. 즉, 본 발명의 실시예에 따른 지지금속층(350)의 구조는 칩실장패드 기능 및 지지층, 방열층의 기능을 복합적으로 구현할 수 있게 한다. 상기 지지금속층(350)은 후술하는 제조공정에서와 같이 Cu 도금방식을 이용하여 구현되는 금속층으로 형성될 수 있다.The support metal layer 350 is formed on the solder resist layer 320 to prevent damage to the light emitting device 370. The support metal layer 350 may be a metal layer serving as a support layer, Thereby forming a pad that can effectively dissipate the heat emitted from the device 370. That is, the structure of the supporting metal layer 350 according to the embodiment of the present invention can realize the functions of the chip mounting pad function, the supporting layer, and the heat radiating layer in a complex manner. The support metal layer 350 may be formed of a metal layer implemented using a Cu plating method as in a manufacturing process described later.

또한, 상기 지지금속층(350)의 표면에는 반사물질층(360)이 형성되는 구조로 구현될 수 있으며, 이 경우 상기 반사물질층(360)은 Ni, Ag 또는 이 둘의 적층구조, 이 두 물질의 합금 성분을 포함한 도금을 증착하여 엘이디롤 통해 출사하는 빛을 반사시킬 수 있도록 한다. 나아가, 발광소자(350)와 지지금속층(350)의 와이어 본딩의 결합력을 증진할 수 있도록 한다.In this case, the reflective material layer 360 may be a stacked structure of Ni, Ag, or both of the two materials. Alternatively, the reflective material layer 360 may be formed on the surface of the supporting metal layer 350, So as to reflect the light emitted through the LED roll. Further, it is possible to improve the bonding force of the wire bonding between the light emitting device 350 and the supporting metal layer 350.

상기 발광소자(370)은 고체발광소자 일 수 있으며, 일예로, LED, OLED, LD(laser diode), Laser, VCSEL 중 선택되는 어느 하나의 광원을 적용할 수 있다. 본 발명에서는 상기 발광소자를 LED를 적용한 것을 적용하여 설명한다. 상기 발광소자로 적용되는 LED(370)는 반사층(360)의 상면에 위치하는 것으로 p형 및 n형 전극을 통하여 전압을 가하면 전자 및 정공이 활성층으로 흘러 들어가 전자-정공 재결합이 일어나면서 발광을 하게 되는 것으로 와이어(371)를 통해 전극(도시 생략)과 연결시킨다. The light emitting device 370 may be a solid light emitting device. For example, the light emitting device 370 may include any one of LED, OLED, laser diode, laser, and VCSEL. In the present invention, the light emitting device to which the LED is applied will be described. The LED 370 applied to the light emitting device is located on the upper surface of the reflective layer 360. When a voltage is applied through the p-type electrode and the n-type electrode, electrons and holes flow into the active layer to cause electron- And is connected to an electrode (not shown) via a wire 371.

상기 지지부(370)는 실장된 다수의 발광소자(370) 높이 이상으로 구현되는 댐구조물 형상으로, 상기 발광소자 주위를 포위하는 구조로 구현될 수 있으며, 내부에 수용공간이 구현된다. 상기 수용공간에는 상기 발광소자가 배치될 수 있도록 한다. 나아가, 상기 수용공간 내에는 상기 발광소자를 매립하는 구조로 충진되는 형광체(390)가 일정 두께로 형성될 수 있도록 한다. The supporting portion 370 may be a dam structure having a height equal to or greater than the height of the mounted light emitting devices 370, and may be configured to surround the light emitting device. And the light emitting element can be disposed in the accommodation space. In addition, the phosphor 390, which is filled with the structure for embedding the light emitting device, may be formed within the accommodation space with a predetermined thickness.

상기 지지부(380)는 실리콘으로 구성될 수 있으며, 상기 형광체는 경화성 수지 및 형광체를 함유하는 형광 수지 조성물로, 파장 변환 기능을 갖고 있고, 예컨대, 청색 광을 황색 광으로 변환할 수 있는 황색 형광체, 청색 광을 적색 광으로 변환할 수 있는 적색 형광체 등을 들 수 있다. 황색 형광체로서는, 예컨대, Y3Al5O12: Ce(YAG(이트륨 알루미늄 가넷) : Ce), Tb3Al3O12: Ce(TAG(테르븀 알루미늄 가넷) : Ce) 등의 가넷형 결정 구조를 갖는 가넷형 형광체, 예컨대, Ca-α-SiAlON 등의 산질화물 형광체 등을 들 수 있다. 적색 형광체로서는, 예컨대, CaAlSiN3:Eu2CaSiN2:Eu등의 질화물 형광체 등을 들 수 있다. The support part 380 may be made of silicon, and the phosphor is a fluorescent resin composition containing a curable resin and a phosphor. The support part 380 has a wavelength conversion function. For example, a yellow phosphor capable of converting blue light into yellow light, And a red phosphor capable of converting blue light into red light. Examples of the yellow phosphor include garnet-type crystal structures such as Y 3 Al 5 O 12 : Ce (YAG (yttrium aluminum garnet): Ce) and Tb 3 Al 3 O 12 : Ce (TAG (terbium aluminum garnet) And oxynitride phosphors such as Ca-alpha-SiAlON. Examples of the red phosphor include a nitride phosphor such as CaAlSiN 3 : Eu 2 CaSiN 2 : Eu.

도 1에 도시된 것과 같이, 상기 발광소자(370)는 상기 지지금속층(350) 상에 실장되는 구조로 배치되며, 이 경우 상기 발광소자(370)은 수직형 LED를 적용할 수 있다. 각각의 발광소자(370)은 이웃하는 지지금속층(350)과 Au 와이어(371)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.1, the light emitting device 370 is disposed on the support metal layer 350. In this case, the light emitting device 370 may be a vertical LED. Each of the light emitting devices 370 may be electrically connected to the neighboring support metal layer 350 through the Au wire 371.

도 2는 도 1의 발광패키지를 제조하는 공정을 도시한 것이다.Fig. 2 shows a process for manufacturing the light emitting package of Fig. 1. Fig.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 발광패키지는 우선 (a) 베이스 기판(310) 준비하고, (b) 상기 베이스 기판(310)의 상부에 도포되는 PSR(Photo Solder Resist)으로 인해 솔더레지스트층(320)이 형성한다.Referring to FIG. 2, a light emitting package according to an embodiment of the present invention includes (a) a base substrate 310 prepared, (b) a PSR (Photo Solder Resist) applied to an upper portion of the base substrate 310 A solder resist layer 320 is formed.

이후, (c) 상기 솔더레지스트층(320)의 상부에 마스크를 밀착시켜 노광 및 현상을 하여 패터닝 공정을 수행하고, (d) 현상이 완료된 솔더레지스트층(320)의 상부에 화학동(330)을 구현한다. 상기 화학동(330)은 도금을 위한 시드층으로 작용할 수 있다.Then, a patterning process is performed by exposing and developing the mask with the mask on top of the solder resist layer 320, and (d) chemical copper 330 is deposited on the solder resist layer 320, Lt; / RTI > The chemical copper 330 may act as a seed layer for plating.

이후, (e) 상기 화학동(330)이 형성된 구리층의 상부에 드라이필름레지스트(DFR)(340)을 110~150㎛ 두께로 도포하여 라미네이션을 하고, 이후 (f)드라이필름레지스트(340)가 채워지지 않은 부분에 전해 동도금을 통해 지지금속층(350)을 구현한다.A dry film resist (DFR) 340 is applied to the upper part of the copper layer on which the chemical copper layer 330 is formed to a thickness of 110-150 탆 and then laminated. (F) The supporting metal layer 350 is formed by electrolytic copper plating.

그리고 (g) 도포된 드라이필름레지스트(340)를 박리시켜 지지금속층(350)을 구현한다. 이후, (h) 드라이 필름레지스트(340)가 박리된 이후, 시드층에 해당하는 화학동을 플래시 에칭을 통해 제거하고, 이후, 지지금속층(350) 표면에 도금을 증착 혹은 도금을 통하여 반사물질층(360)을 형성한다.And (g) peeling off the applied dry film resist 340 to form the supporting metal layer 350. Thereafter, (h) the dry film resist 340 is peeled off, the chemical copper corresponding to the seed layer is removed by flash etching, and then the plating is deposited on the surface of the supporting metal layer 350, (360).

이후, (i)상기 반사물질층(360)이 형성된 상기 지지금속층(350)의 상측에 식각공정에 의해서 형성된 칩배치홈의 바닥면에 페이스트를 매개로 엘이디와 같은 발광소자(370)를 정위치시키도록 실장한다.Thereafter, (i) a light emitting device 370 such as LED is placed on the bottom surface of the chip arrangement groove formed by the etching process on the support metal layer 350 on which the reflective material layer 360 is formed, .

(j) 상기 발광소자(370)에 와이어의 접속패드와 도전성 와이어(371)를 매개로 와이어본딩을 수행하고, 이후 (k) 다수의 발광소자(370)를 둘러싸도록 베이스 기판상에 설치하는 실리콘 댐 구조로 지지부(380)를 구현한 후, (l) 상기 지지부(380)의 내측 공간에 형광체(390)를 충전하여 패키지를 완성한다. 이 경우 상기 형광체(390)는 YAG와 같은 형광체에 실리콘을 혼합하여 몰딩하는 구조로 구현할 수도 있다.(j) a step of performing wire bonding with the light emitting element 370 through the connection pad of the wire and the conductive wire 371, and then (k) (1) The phosphor 390 is filled in the inner space of the support part 380 to complete the package. In this case, the phosphor 390 may be formed by mixing silicon with a phosphor such as YAG and molding the phosphor.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광패키지의 구조를 도시한 것이다.3 illustrates a structure of a light emitting package according to another embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 베이스 기판(310)과 상기 베이스기판(310)의 표면에 형성되는 솔더레지스트층(320), 및 지지금속층(360)은 상술한 도 1의 실시예와 재료나 구현구조가 동일하다. 다만, 발광소자(370)가 베이스 기판(310)의 표면에 실장되는 구조로 배치되는 점에서 차이가 나며, 이 경우 상기 발광소자(370)는 수평형 LED 칩을 적용할 수 있다. 또한, 상기 발광소자(370)의 경우, 상기 베이스기판의 노출면에 실장되며, 이웃하는 발광소자 또는 지지금속층과 와이어(371)를 통해 상호 전기적으로 연결되도록 구현될 수 있다.3, the base substrate 310, the solder resist layer 320 formed on the surface of the base substrate 310, and the supporting metal layer 360 may be formed of the same material and / same. However, there is a difference in that the light emitting device 370 is disposed on the surface of the base substrate 310. In this case, the light emitting device 370 may be a horizontal LED chip. In the case of the light emitting device 370, the light emitting device 370 may be mounted on the exposed surface of the base substrate and electrically connected to the neighboring light emitting device or the supporting metal layer through a wire 371.

도 4는 도 3의 구조의 발광패키지의 제조공정도를 도시한 것이다.Fig. 4 shows a manufacturing process of the light emitting package having the structure of Fig.

도 4를 참조하면, 우선 (a) 베이스기판(310)을 준비하고, (b~c) TiO2 성분을 포함하는 화이트 솔더레지스트층(320)을 적층한다. 이 경우 상기 솔더레지스트층(320)의 패터닝은 패턴구조로 인쇄를 하거나, 포토리스그라피공정으로 상술한 도 2의 공정과 같은 방식으로 패터닝할 수 있다.Referring to FIG. 4, (a) a base substrate 310 is prepared, and (b) a white solder resist layer 320 containing a TiO 2 component is laminated. In this case, the patterning of the solder resist layer 320 may be performed by printing with a pattern structure, or may be patterned by the photolithography process in the same manner as the process of FIG. 2 described above.

이후, (d) 와 같이 Cu 물질로 시드층으로 화학동(330)을 구현한다. 그리고 (e) 드라이필름레지스트(340)을 적층하고, 노광현상을 통해 패터닝을 수행한다.Thereafter, chemical copper 330 is implemented as a seed layer of Cu material as shown in (d). (E) a dry film resist 340 is laminated, and patterning is performed through exposure.

(f) 그리고 패터닝된 부분에 전해 동도금을 통해 시드층 표면 부분부터 지지금속층(350)을 구현한다. 이 경우 상기 드라이필름레지스트의 두께를 110㎛~150㎛ 두께로 하여 상기 지지금속층(350)의 두께를 이와 동일하게 구현할 수 있도록 한다.(f) and the supporting metal layer 350 is formed from the surface portion of the seed layer through electrolytic copper plating on the patterned portion. In this case, the thickness of the support metal layer 350 may be equalized by setting the thickness of the dry film resist to 110 to 150 μm.

(g) 이후, 드라이필름레지스트(340)를 제거하고, (h) 플레쉬 에칭을 통해 화학동(330)을 제거한다. 그리고 (i) 베이스기판의 노출 표면 부분에 발광소자를 직접 실장 배치한다. 이 경우 상기 발광소자(370)은 수평형 LED를 적용할 수 있다.(g), the dry film resist 340 is removed, and (h) the chemical copper 330 is removed through flash etching. (I) The light emitting device is directly mounted on the exposed surface portion of the base substrate. In this case, the light emitting device 370 may be a horizontal LED.

(j) 그리고 상호 이웃하는 상기 발광소자(370) 간 및 상기 지지금속층(360) 간에 와이어(371)로 본딩하여 전기적으로 연결한 후, (k) 외각부에 실리콘수지로 지지부(380)를 구현한 이후, (l) 상기 지지부(380)의 내측 공간에 형광체(390)를 충전하여 패키지를 완성한다. 이 경우 상기 형광체(390)는 YAG와 같은 형광체에 실리콘을 혼합하여 몰딩하는 구조로 구현할 수도 있다. 이 경우 상기 지지부(380)는 실장된 다수개의 발광소자(370)의 높이에 비해 높은 높이를 갖는 것으로서 내측에 형광체(390)를 일정 두께로 형성시킬 수 있도록 한다.(k) between the adjacent light emitting devices 370 and the supporting metal layer 360 and then electrically connecting the wires 371 to the supporting metal layer 360. (k) (1) The phosphor 390 is filled in the inner space of the support part 380 to complete the package. In this case, the phosphor 390 may be formed by mixing silicon with a phosphor such as YAG and molding the phosphor. In this case, the support portion 380 has a height higher than the height of the mounted plurality of light emitting devices 370, so that the phosphor 390 can be formed to a predetermined thickness on the inner side.

이상에서 상술한 본 발명의 실시예에 따른 발광패키지는, 고출력 엘이디 패키지에 있어서, 수직형 LED와 수평형 LED가 모두 실장 가능한 엘이디 패키지를 제공하며, 6와트(watt) 이상의 세라믹 엘이디 패키지 적용 기술로 인해 기존 엘이디 패키지에 대비하여 고출력 조명에 적합한 세라믹 기판을 제공할 수 있게 된다. 특히 기존의 기술로는 구현이 어려운 두께인 110㎛ ~ 150㎛의 두께로 형성된 패드를 형성하여 엘이디 칩으로부터 방출된 열을 효과적으로 방출될 수 있도록 하는 구조의 패키지를 구현할 수 있다.
The light emitting package according to the embodiment of the present invention described above provides an LED package capable of mounting both the vertical type LED and the horizontal type LED in the high output LED package and is applicable to a ceramic LED package application technology of 6 watts or more It is possible to provide a ceramic substrate suitable for high-power illumination in contrast to the conventional LED package. Particularly, it is possible to realize a package having a structure in which a pad formed with a thickness of 110 탆 to 150 탆, which is difficult to implement by conventional techniques, is formed so that heat emitted from the LED chip can be effectively discharged.

전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 전술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.In the foregoing detailed description of the present invention, specific examples have been described. However, various modifications are possible within the scope of the present invention. The technical spirit of the present invention should not be limited to the above-described embodiments of the present invention, but should be determined by the claims and equivalents thereof.

310 : 베이스 기판 320 : 솔더레지스트층
330 : 화학동 340 : 드라이 필름 레지스트
350 : 지지금속층 360 : 반사물질층
370 : 발광소자 380 : 지지부
390 : 형광체310: base substrate 320: solder resist layer
330: chemical copper 340: dry film resist
350: Support metal layer 360: Reflective layer
370: light emitting element 380:
390: Phosphor

Claims (9)

베이스 기판;
상기 베이스 기판 표면의 일부를 노출시키는 구조로 배치되는 솔더레지스트층;
상기 노출되는 베이스기판의 표면과 접촉하며, 상기 솔더레지스트층 높이 이상으로 구현되는 지지금속층;
상기 지지금속층의 일부와 접촉하여 상기 지지금속층 높이 이상으로 구현되는 지지부;
상기 지지부 내측에 수용되는 구조로 배치되는 발광소자; 및
상기 발광소자를 매립하여 상기 절연댐 내에 충진되는 형광층;
을 포함하는 발광패키지.
A base substrate;
A solder resist layer arranged to expose a part of the surface of the base substrate;
A support metal layer in contact with the exposed surface of the base substrate, the support metal layer being realized at a height equal to or higher than the height of the solder resist layer;
A support which is in contact with a part of the support metal layer and is realized at a height equal to or higher than the height of the support metal layer;
A light emitting element arranged in a structure accommodated inside the support portion; And
A fluorescent layer filled in the insulating dam by embedding the light emitting element;
≪ / RTI >
청구항 1에 있어서,
상기 베이스기판은 세라믹재질의 기판인 발광패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the base substrate is a ceramic substrate.
청구항 2에 있어서,
상기 베이스기판은,
Al2O3, AlN, SiC, BN, Al5O12, SiO2 중 선택되는 어느 하나를 포함하는 발광패키지.
The method of claim 2,
The base substrate includes:
Al 2 O 3 , AlN, SiC, BN, Al 5 O 12 , and SiO 2 .
청구항 2에 있어서,
상기 솔더레지스트층은,
감광성 물질에 반사물질을 더 포함하는 발광패키지.
The method of claim 2,
The solder-
A light emitting package further comprising a reflective material in the photosensitive material.
청구항 4에 있어서,
상기 반사물질은,
TiO2, CaCO3, BaSO4, Al2O3, Silicon, PS 중 선택되는 어느 하나를 포함하는 발광패키지.
The method of claim 4,
The reflective material may be,
TiO 2 , CaCO 3 , BaSO 4 , Al 2 O 3 , Silicon, and PS.
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지금속층의 표면에 반사물질층을 더 포함하는 발광패키지.
The method according to any one of claims 1 to 5,
And a reflective material layer on the surface of the supporting metal layer.
청구항 6에 있어서,
상기 발광소자는,
상기 지지금속층 상에 실장되며, 이웃하는 지지금속층에 전기적으로 연결되는 수직형 발광다이오드(LED)인 발광패키지.
The method of claim 6,
The light-
And a vertical light emitting diode (LED) mounted on the supporting metal layer and electrically connected to a neighboring supporting metal layer.
청구항 6에 있어서,
상기 발광소자는,
상기 베이스기판의 노출면에 실장되며, 이웃하는 발광소자 또는 지지금속층과 전기적으로 연결되는 수평형 발광다이오드(LED)인 발광패키지.
The method of claim 6,
The light-
And a horizontal light emitting diode (LED) mounted on an exposed surface of the base substrate and electrically connected to a neighboring light emitting device or a supporting metal layer.
청구항 6에 있어서,
상기 지지금속층은,
110um~150um의 높이로 구현되는 발광패키지.The method of claim 6,
The support metal layer
A light emitting package implemented at a height of 110um to 150um.
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