KR20160113303A - Treating module of an apparatus for horizontal wet-chemical treatment of large-scale substrates - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 특히 유리 기판인 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈에 관한 것으로서, 본 처리 모듈은, 하우징 커버를 갖는 하우징; 및 대형 기판의 수평 프로세싱을 위한 복수의 운송 요소들을 갖는 운송 디바이스를 포함하고, 상기 처리 모듈은, 상기 처리 모듈의 내부에 처리액을 축적하기 위하여, 상기 처리 모듈의 입구에서 상기 대형 기판의 운송 레벨 위에 배치된 적어도 제 1 액체 노즐과 적어도 가스 노즐, 및 상기 처리 모듈의 출구에서 상기 대형 기판의 운송 레벨 위에 배치된 적어도 다른 제 1 액체 노즐과 적어도 다른 가스 노즐을 더 포함하고, 각 가스 노즐은 개별 제 1 액체 노즐보다 더 외부에 배치되고, 상기 처리 모듈은 상기 대형 기판의 운송 레벨보다 아래에서 각 제 1 액체 노즐 아래에 배치된 적어도 액체 위어를 더 포함하고, 상기 처리 모듈은 상기 처리 모듈의 상기 운송 디바이스 및 액체 위어들을 조정하기 위한 적어도 조정 디바이스를 더 포함한다. 또한, 본 발명은 특히 그러한 처리 모듈을 포함하는 수평 장치에서 대형 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a processing module of a device for horizontal wet chemical processing of a large substrate, in particular a glass substrate, comprising: a housing having a housing cover; And a transport device having a plurality of transport elements for horizontal processing of a large substrate, wherein the processing module is configured to transport the processing substrate to a processing system, Further comprising at least a first liquid nozzle and at least a gas nozzle disposed thereon and at least another other liquid nozzle and at least another gas nozzle disposed above the transport level of the large substrate at the outlet of the processing module, Wherein the processing module further comprises at least a liquid weir disposed below each first liquid nozzle below the transport level of the large substrate, And at least an adjustment device for adjusting the transport device and the liquid weirs. The present invention also relates to a method of processing a large substrate, in particular in a horizontal apparatus comprising such a processing module.

Description

대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈{TREATING MODULE OF AN APPARATUS FOR HORIZONTAL WET-CHEMICAL TREATMENT OF LARGE-SCALE SUBSTRATES}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a processing module for horizontal wet chemical processing of a large-sized substrate,

본 발명은, 특히 유리 기판인 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈에 관한 것으로서, 본 처리 모듈은, 하우징 커버를 갖는 하우징; 및 대형 기판의 수평 프로세싱을 위한 복수의 운송 요소들을 갖는 운송 디바이스를 포함하고, 상기 처리 모듈은, 상기 처리 모듈의 내부에 처리액을 축적하기 위하여, 상기 처리 모듈의 입구에서 상기 대형 기판의 운송 레벨 위에 배치된 적어도 제 1 액체 노즐과 적어도 가스 노즐, 및 상기 처리 모듈의 출구에서 상기 대형 기판의 운송 레벨 위에 배치된 적어도 다른 제 1 액체 노즐과 적어도 다른 가스 노즐을 더 포함하고, 각 가스 노즐은 개별 제 1 액체 노즐보다 더 외부에 배치되고, 상기 처리 모듈은 상기 대형 기판의 운송 레벨보다 아래에서 각 제 1 액체 노즐 아래에 배치된 적어도 액체 위어 (liquid weir) 를 더 포함한다.The present invention relates to a processing module of a device for horizontal wet chemical processing of a large substrate, in particular a glass substrate, comprising: a housing having a housing cover; And a transport device having a plurality of transport elements for horizontal processing of a large substrate, wherein the processing module is configured to transport the processing substrate to a processing system, Further comprising at least a first liquid nozzle and at least a gas nozzle disposed thereon and at least another other liquid nozzle and at least another gas nozzle disposed above the transport level of the large substrate at the outlet of the processing module, The processing module further comprises at least a liquid weir disposed below each first liquid nozzle below the transport level of the large substrate.

또한, 본 발명은 본 발명의 그러한 처리 모듈을 포함하는, 복수의 모듈을 포함하는 수평 장치에서 대형 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.The invention also relates to a method of processing a large substrate in a horizontal apparatus comprising a plurality of modules, including such a processing module of the present invention.

일렉트로닉스 (electronics) 산업에서 기판의 수평 프로세싱을 위한 디바이스 및 장치는 수십 년 전부터 잘 알려져 있다. 본래, 비교적 두꺼운 인쇄 회로 기판은 상이한 프로세스 액체들로 처리하기 위해 그러한 수평 장치를 통해 운송되었다. 그러한 처리는 산업용 인쇄 회로 기판을 제조하기 위한 모든 필요한 프로세스 단계를 포함할 수 있다. 상기 필요한 프로세스 단계는 에칭, 헹굼, 구리 시드 층의 퇴적 (deposition) 등과 같은 다양한 전처리 단계; 후속하여, 무전해 또는 갈바닉 프로세스 단계에 의해 상기한 전처리된 기판의 표면에 금속, 보통 구리, 니켈 또는 주석을 퇴적시키는 적어도 하나의 메인 프로세스 단계; 그리고 마지막으로 헹굼, 건조 등과 같은 다양한 후처리 단계를 포함한다.Devices and devices for horizontal processing of substrates in the electronics industry have been known for decades. Originally, a relatively thick printed circuit board was transported through such a horizontal device for processing with different process liquids. Such processing may include all the necessary process steps for manufacturing an industrial printed circuit board. The necessary process steps include various pretreatment steps such as etching, rinsing, deposition of a copper seed layer, and the like; Subsequently, at least one main process step of depositing a metal, usually copper, nickel or tin, on the surface of the pretreated substrate described above by an electroless or galvanic process step; And finally various post-treatment steps such as rinsing, drying, and the like.

그렇지만, 일렉트로닉스 산업은 이제, 통상적인 인쇄 회로 기판보다 훨씬 더 클 뿐만 아니라 인쇄 회로 기판에 보통 사용되는 폴리머 재료 대신에 부서지기 쉬운 유리 재료로 종종 구성되는 대형 기판을 프로세싱하기에 적합한 디바이스 및 장치를 필요로 하고 있다. 대형 텔레비전의 생산 등과 같이 일렉트로닉스 산업에서 플랫 패널 디스플레이와 같은 대형 유리 기판을 운송하고 프로세싱하기에 적합한 장치를 필요로 하는 시장 동향이 존재한다.However, the electronics industry now requires devices and devices that are much larger than conventional printed circuit boards, as well as suitable for processing large substrates that are often composed of fragile glass materials instead of polymer materials commonly used in printed circuit boards . There is a market trend in the electronics industry that requires a device suitable for transporting and processing large glass substrates such as flat panel displays, such as in the production of large television sets.

이러한 대형 기판에 대한 새로운 도전은 또한 균일한 처리, 특히 불균일을 생성함이 없이 그러한 대형 기판의 표면에 균일한 금속 퇴적을 제공하고 보장하는 것이다.A new challenge for such large substrates is also to provide and ensure uniform metal deposition on the surface of such large substrates without creating uniform processing, particularly non-uniformity.

Tokyo Electron LTD 의 JP 2010 199150 A 는, 기판 운송 통로를 통해 운송되는 개별 기판을 처리하기 위해 기판 운송 통로, 제 1 처리액 공급 수단, 가스 공급 수단, 제 1 헹굼 수단 및 제 2 헹굼 수단을 포함하는 기판 프로세싱 장치를 개시하고 있다.JP 2010 199150 A of Tokyo Electron LTD includes a substrate transport passage, a first processing liquid supply means, a gas supply means, a first rinsing means and a second rinsing means for processing individual substrates transported through a substrate transport passage Substrate processing apparatus.

이러한 목적을 위해 인쇄 회로 기판 산업의 잘 알려진 장치를 간단히 사용하는 것은 불가능하다. 과거에 인쇄 회로 기판의 생산에 성공적으로 사용된 상기 수평 장치는 대형 기판, 특히 플랫 패널 디스플레이와 같은 유리 기판을 프로세싱하는 이러한 새로운 요구를 충족시킬 수 없다.For this purpose it is not possible to simply use well known devices of the printed circuit board industry. The above horizontal apparatus successfully used in the production of printed circuit boards in the past can not satisfy this new demand for processing large substrates, especially glass substrates such as flat panel displays.

따라서, 종래 기술의 관점에서, 본 발명의 목적은 대형 기판, 특히 부서지기 쉬운 대형 유리 기판 (플랫 패널 디스플레이 등) 을 운송 및 프로세싱하기에 적합한 수평 장치의 처리 모듈을 제공하는 것이다.Therefore, in view of the prior art, it is an object of the present invention to provide a processing module of a horizontal apparatus suitable for transporting and processing a large substrate, especially a large glass substrate (such as a flat panel display) which is fragile.

또한, 본 발명의 목적은 불균일성을 생성함이 없이 균일한 표면 처리가 제공 및 보장될 수 있는, 대형 기판을 프로세싱하기 위한 수평 장치의 처리 모듈을 제공하는 것이다.It is also an object of the present invention to provide a processing module of a horizontal apparatus for processing large substrates, in which uniform surface treatment can be provided and ensured without producing non-uniformity.

이러한 목적들과 명시적으로 언급되지는 않았지만 도입부에서 논의된 내용으로부터 유도되거나 파악될 수 있는 추가 목적이 청구항 1 의 모든 특징을 갖는 처리 모듈에 의해 달성된다. 본 발명의 모듈 처리에 대한 적절한 수정은 종속 청구항 2 내지 11 에서 보호된다. 또한, 청구항 12 는 그러한 처리 모듈을 사용하는 대형 기판의 처리 방법을 포함하는 한편, 상기한 본 발명의 방법의 적절한 수정은 종속 청구항 13 및 14 에서 보호된다. 또한, 청구항 15 는 대형 유리 기판, 특히 플랫 패널 디스플레이에의 금속, 특히 구리 퇴적을 위한 그러한 처리 모듈의 용도를 포함한다.These objects and additional objects which are not explicitly mentioned but derive from or can be grasped from the contents of the introduction are achieved by a processing module having all the features of claim 1. Appropriate modifications to the module processing of the present invention are protected in dependent claims 2-11. In addition, claim 12 includes a method of processing a large substrate using such a processing module, while appropriate modifications of the method of the present invention described above are protected in dependent claims 13 and 14. In addition, claim 15 includes the use of such a processing module for depositing metal, especially copper, on a large glass substrate, particularly a flat panel display.

따라서, 본 발명은 특히 유리 기판인 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈로서, 하우징 커버를 갖는 하우징; 및 대형 기판의 수평 프로세싱을 위한 복수의 운송 요소들을 갖는 운송 디바이스를 포함하고, 상기 처리 모듈은, 상기 처리 모듈의 내부에 처리액을 축적하기 위하여, 상기 처리 모듈의 입구에서 상기 대형 기판의 운송 레벨 위에 배치된 적어도 제 1 액체 노즐과 적어도 가스 노즐, 및 상기 처리 모듈의 출구에서 상기 대형 기판의 운송 레벨 위에 배치된 적어도 다른 제 1 액체 노즐과 적어도 다른 가스 노즐을 더 포함하고, 각 가스 노즐은 개별 제 1 액체 노즐보다 더 외부에 배치되고, 상기 처리 모듈은 상기 대형 기판의 운송 레벨보다 아래에서 각 제 1 액체 노즐 아래에 배치된 적어도 액체 위어를 더 포함하고, 상기 처리 모듈은 상기 처리 모듈의 상기 운송 디바이스 및 액체 위어들을 조정하기 위한 적어도 조정 디바이스를 더 포함하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈을 제공한다.Accordingly, the present invention is a processing module of a device for horizontal wet chemical processing of a large substrate, in particular a glass substrate, comprising: a housing having a housing cover; And a transport device having a plurality of transport elements for horizontal processing of a large substrate, wherein the processing module is configured to transport the processing substrate to a processing system, Further comprising at least a first liquid nozzle and at least a gas nozzle disposed thereon and at least another other liquid nozzle and at least another gas nozzle disposed above the transport level of the large substrate at the outlet of the processing module, Wherein the processing module further comprises at least a liquid weir disposed below each first liquid nozzle below the transport level of the large substrate, Further comprising a transport device and at least an adjustment device for adjusting liquid weirs, Flat provides a processing module of an apparatus for the wet chemical treatment.

따라서, 대형 기판, 특히 부서지기 쉬운 유리 기판 (플랫 패널 디스플레이 등) 을 운송하고 프로세싱하기에 적합한, 수평 장치의 처리 모듈을 예견할 수 없는 방식으로 제공할 수 있다.Thus, a processing module of a horizontal device, suitable for transporting and processing large substrates, especially brittle glass substrates (such as flat panel displays), can be provided in an unpredictable manner.

더욱이, 본 발명의 처리 모듈에서의 조정 디바이스의 제공이, 상기 처리 모듈의 다른 필수 부품과 함께, 불균일성을 생성함이 없이 균일한 표면 처리가 제공되고 보장될 수 있는 것을 지원한다.Moreover, the provision of an adjustment device in the processing module of the present invention, together with other essential components of the processing module, supports that a uniform surface treatment can be provided and guaranteed without generating non-uniformity.

본 발명의 보다 완전한 이해를 위해, 첨부 도면과 함께 고려되는 본 발명의 상세한 설명을 참조한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS For a more complete understanding of the present invention, reference is now made to the detailed description of the invention taken in conjunction with the accompanying drawings.

도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 따른 처리 모듈의 개략 사시도를 나타낸다.
도 2 는 본 발명의 도 1 에 도시된 것과 동일한 실시형태에 따른 처리 모듈의 개략 사시도로서, 하우징 커버가 없는 상태를 나타낸다.
도 3a 는 본 발명의 도 1 에 도시된 것과 동일한 실시형태에 따른, 하우징 커버가 개방되어 있는 처리 모듈의 개략 측면도를 나타내고, 도 3b, 도 3c 및 도 3d 는 상기 처리 모듈의 상이한 특징부들의 단면도를 나타낸다.
도 4 는 본 발명의 도 1 에 도시된 것과 동일한 실시형태에 따른 처리 모듈의 하측의 개략 사시도를 나타낸다.1 shows a schematic perspective view of a processing module according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a schematic perspective view of a processing module according to the same embodiment as shown in Fig. 1 of the present invention, showing a state without a housing cover. Fig.
Figure 3a shows a schematic side view of a processing module in which a housing cover is open, according to the same embodiment as shown in Figure 1 of the present invention, Figures 3b, 3c and 3d show cross-sectional views of different features of the processing module .
Fig. 4 shows a schematic bottom perspective view of a processing module according to the same embodiment as shown in Fig. 1 of the present invention. Fig.

본원에 사용된 바와 같이, 본 발명에 따른 용어 "습식 화학" 처리는 기판에의 금속 퇴적을 달성하기 위한 전류를 이용하지 않는 무전해 처리를 나타낸다. 그러한 습식 화학 처리는, 프로세싱 중에 항상 기판의 상부 표면 위에 있는 처리액 레벨이 처리 모듈의 내부에 제공되는 처리액에 기판을 침지시킴으로써 또는 기판의 적어도 하나의 표면에 처리액을 분무함으로써 수행될 수 있다.As used herein, the term "wet chemical" treatment according to the present invention refers to an electroless process that does not utilize current to achieve metal deposition on a substrate. Such a wet chemical treatment may be performed by immersing the substrate in a treatment liquid, which is always provided on the inside of the treatment module, during processing, or by spraying the treatment liquid onto at least one surface of the substrate .

본원에 사용된 바와 같이, 용어 "금속" 은, 본 발명에 따른 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치에 적용되는 때에, 그러한 수평 퇴적법에 적합한 것으로 알려진 금속을 가리킨다. 그러한 금속은 금, 니켈, 주석 및 구리, 바람직하게는 구리를 포함한다.As used herein, the term "metal" refers to a metal known to be suitable for such horizontal deposition when applied to an apparatus for horizontal wet chemical processing of a substrate according to the present invention. Such metals include gold, nickel, tin and copper, preferably copper.

본원에 사용된 바와 같이, 용어 "대형 기판" 은, 본 발명에 따른 처리 모듈에 적용되는 때에, 플랫 패널 디스플레이의 생산에 요구되는 바와 같은 큰 치수, 바람직하게는 유리 기판의 경우 적어도 제너레이션 8 치수 (220 ㎝ × 250 ㎝) 의 기판을 가리킨다.As used herein, the term "large substrate" when applied to a processing module according to the present invention is intended to include a large dimension as required for the production of flat panel displays, preferably at least a generation 8 dimension 220 cm x 250 cm).

기판들은 처리 모듈의 제 1 액체 노즐들 사이의 영역에 의해 정의된 처리 영역을 통해 운송된다. 기판들은 운송 방향으로 수평 운송 평면을 따라 운송된다. 기판들은 처리 영역에 축적되어 있는 처리액을 통해 기판들이 운송되는 방식으로 운송된다.The substrates are transported through a processing area defined by the area between the first liquid nozzles of the processing module. The substrates are transported along the horizontal transport plane in the transport direction. The substrates are transported in such a manner that the substrates are transported through the processing liquid accumulated in the processing area.

처리 모듈의 입구와 출구에 있는 제 1 액체 노즐들에 의해 처리액의 유동이 발생되며, 처리 영역으로 향하는 방향으로 처리액의 유동을 배출한다.A flow of the process liquid is generated by the first liquid nozzles at the inlet and the outlet of the process module and discharges the flow of the process liquid in the direction toward the process area.

가스 노즐에 의해 가스의 유동이 발생된다. 가스 노즐은 간극 (gap) 에 의해 운송 방향을 따라 액체 노즐로부터 이격된다. 가스 노즐에 의해 배출되는 가스의 적어도 일부가 간극을 통해 벗어난다.A gas flow is generated by the gas nozzle. The gas nozzle is spaced from the liquid nozzle along the transport direction by a gap. At least a part of the gas discharged by the gas nozzle escapes through the gap.

제 1 액체 노즐들과 가스 노즐들의 조합은 기판으로부터 처리액을 제거하거나 다시 유지하도록 작동한다. 재료의 민감한 표면에 맞닿는 스퀴즈 롤러가 사용될 필요가 없다. 제 1 액체 노즐들에 의해 배출되는 처리액의 유동은 제 1 액체 노즐들과 운송 평면 사이의 클리어런스를 통한 처리액의 유출을 줄이도록 작동한다. 또한, 제 1 액체 노즐들에 의해 배출되는 처리액의 유동은 기판의 표면에서의 처리액의 교환을 향상시킨다.The combination of the first liquid nozzles and the gas nozzles operates to remove or maintain the process liquid from the substrate. There is no need to use a squeeze roller that abuts the sensitive surface of the material. The flow of the process liquid discharged by the first liquid nozzles operates to reduce the outflow of the process liquid through the clearance between the first liquid nozzles and the transport plane. Further, the flow of the process liquid discharged by the first liquid nozzles improves the exchange of the process liquid on the surface of the substrate.

가스 노즐과 개별 제 1 액체 노즐 사이의 간극은, 가스가 처리 영역 내로 진입함이 없이 벗어날 수 있게 하는 공간을 제공하면서, 기판으로부터 처리 영역 밖으로 처리액을 제거하기 위한 가스 유동을 허용한다.The gap between the gas nozzle and the individual first liquid nozzle allows gas flow to remove process liquid out of the process area from the substrate while providing space to allow gas to escape without entering the process area.

용어 처리액은 기판이 습식 화학 처리를 위해 그러한 처리 모듈에서 노출될 수 있는 임의의 프로세스 화학적 액체를 가리킨다.The term treatment liquid refers to any process chemical liquid through which the substrate may be exposed in such a processing module for wet chemical processing.

기판의 상부 표면은 민감한 표면일 수도 있다. 그러면, 기판의 상부 표면의 적어도 대부분은 기판이 처리 영역에 들어가거나 나올 때에 강성 요소와 접촉되지 않아야 한다.The upper surface of the substrate may be a sensitive surface. At least a majority of the upper surface of the substrate should then not be in contact with the rigid element when the substrate enters or leaves the processing region.

일 실시형태에서, 처리 모듈은 운송 디바이스의 각 운송 요소의 개별 외부 단부를 수용하기 위한 복수의 베어링들, 바람직하게는 볼베어링들을 포함하는 2 개의 베어링 리테이너 스트립들, 바람직하게는 볼베어링 스트립들을 더 포함한다.In one embodiment, the processing module further comprises two bearing retainer strips, preferably ball bearing strips, comprising a plurality of bearings, preferably ball bearings, for receiving the individual outer ends of each transport element of the transport device .

일 실시형태에서, 처리 모듈은 제 1 액체 노즐들 사이에서 대형 기판의 운송 레벨 위에 배치된 적어도 제 2 액체 노즐을 더 포함한다.In one embodiment, the processing module further comprises at least a second liquid nozzle disposed above the transport level of the large substrate between the first liquid nozzles.

본 발명의 처리 모듈에서의 그러한 대형 기판의 처리는 처리 모듈의 충분히 높은 처리액 레벨을 보장하기에 충분한 처리액을 제공하기 위해 그러한 부가적인 제 2 액체 노즐들을 필요로 할 수 있다. 대형 기판의 치수가 너무 커지면, 단지 처리 모듈의 입구 및 출구의 제 1 액체 노즐들이 기판의 운송 레벨 위에 처리액 레벨을 수립하기에 충분한 처리액을 더 제공할 수 없는 상황이 발생할 수 있다. 또한 처리된 기판의 상부 표면이 끊임없이 처리액 레벨보다 아래에 있는 것이 보장되어야 한다.The processing of such a large substrate in the processing module of the present invention may require such additional second liquid nozzles to provide sufficient processing liquid to ensure a sufficiently high processing liquid level of the processing module. If the dimensions of the large substrate are too large, there may be a situation where the first liquid nozzles at the inlet and outlet of the processing module can not provide more processing liquid sufficient to establish the processing liquid level above the transport level of the substrate. It should also be ensured that the top surface of the treated substrate is constantly below the process liquid level.

일 실시형태에서, 개별 제 1 액체 노즐의 아래에 운송 시스템의 2 개의 인접한 운송 요소들 사이에 액체 위어가 배치된다.In one embodiment, a liquid weir is disposed between two adjacent transport elements of the transport system below the respective first liquid nozzles.

그러한 액체 위어는 기판이 처리 모듈의 입구 및 출구를 통해 운송되도록 단지 규정된 간극이 유지되는 것을 보장한다. 동시에, 제 1 액체 노즐과 함께 처리 모듈 내부의 처리 영역으로부터 처리액 손실을 최소화한다.Such a liquid weir ensures that only the prescribed gap is maintained such that the substrate is transported through the inlet and outlet of the processing module. At the same time, the treatment liquid loss from the treatment area inside the treatment module with the first liquid nozzle is minimized.

일 실시형태에서, 처리 모듈은 대형 기판의 운송 레벨 아래에 배치된 가스 (바람직하게는, 압축 공기) 전달 요소를 포함하고, 상기 가스 전달 요소는 처리 모듈의 각 가스 노즐 아래에 배치된다.In one embodiment, the processing module includes a gas (preferably, compressed air) delivery element disposed below the transport level of the large substrate, wherein the gas delivery element is disposed below each gas nozzle of the processing module.

그러한 가스 전달 요소는 기판이 처리 모듈의 입구 및 출구를 통해 운송되도록 단지 규정된 간극이 유지되는 것을 보장한다. 동시에, 가스 노즐과 함께 처리 모듈 내부의 처리 영역으로부터 처리액 손실을 최소화한다.Such a gas delivery element ensures that only a defined gap is maintained such that the substrate is transported through the inlet and outlet of the processing module. At the same time, the treatment liquid loss from the treatment area inside the treatment module with the gas nozzle is minimized.

일 실시형태에서, 처리 모듈은 운송 디바이스의 운송 요소들의 개별 외부 단부를 수용하기 위한 복수의 베어링들, 바람직하게는 볼베어링들을 포함하는 적어도 제 2 베어링 리테이너 스트립, 바람직하게는 볼베어링 스트립을 더 포함하고, 상기 적어도 제 3 베어링 리테이너 스트립은 2 개의 베어링 리테이너 스트립들 사이에 평행하게 배치된다.In one embodiment, the processing module further comprises at least a second bearing retainer strip, preferably a ball bearing strip, comprising a plurality of bearings, preferably ball bearings, for receiving the individual outer ends of the transport elements of the transport device, The at least third bearing retainer strip is disposed in parallel between the two bearing retainer strips.

롤러 또는 휠 축과 같은 통상적으로 사용되는 운송 요소에 대해 대형 기판의 치수가 너무 크면, 그러한 부가적인 베어링 리테이너 스트립들이 필요하게 된다. 그러한 운송 요소는 그 제조 동안에 구조상 문제로 인해 야기되는 축선 방향의 요구되는 정확도가 부족하다. 롤러는 보통, 폴리머 재료로 제조된 외부 하우징에 기계적으로 주입된, 스틸 코어와 같은 금속 코어로 구성된다. 그렇지만, 그러한 주입 프로세스는 매우 높은 기계적 힘을 발생시키고, 이는 요구되는 정확도로 그러한 운송 요소가 축선방향 길이로 제조될 수 있는 기술적 한계로 이어진다. 따라서, 단일 운송 요소의 요구되는 축선방향 길이가 상기한 이유 때문에 이용가능하지 않다면, 적어도 2 개의 운송 요소들을 차례로 설치하는 것이 가능하다. 그러면, 이 두 운송 요소들 사이의 축선방향 교차점에서 하나의 부가적인 베이링 리테이너 스트립이 요구된다.If the dimensions of the large substrate are too large for commonly used transport elements such as rollers or wheel axles, such additional bearing retainer strips will be required. Such a transport element lacks the required accuracy in the axial direction caused by structural problems during its manufacture. The rollers are typically comprised of metal cores, such as steel cores, mechanically implanted into an outer housing made of a polymeric material. However, such injection processes generate very high mechanical forces, leading to technical limitations in that such transport elements can be manufactured with axial lengths to the required accuracy. Thus, if the required axial length of a single transport element is not available for the above reasons, it is possible to install at least two transport elements in turn. An additional baying retainer strip is then required at the axial intersection between the two transport elements.

일 실시형태에서, 조정 디바이스는 적어도 제 1 조정 요소 및 적어도 제 2 조정 요소를 포함하고, 제 1 조정 요소들은, 액체 위어들 및 베어링 리테이너 스트립들의 수평 정렬이 조정될 수 있도록 복수의 제 2 조정 요소들에 의해 개별 액체 위어들 또는 베어링 리테이너 스트립들에 연결된다.In one embodiment, the adjusting device includes at least a first adjusting element and at least a second adjusting element, wherein the first adjusting elements comprise a plurality of second adjusting elements such that the horizontal alignment of the liquid weirs and bearing retainer strips can be adjusted, To individual liquid weirs or bearing retainer strips.

이는 대형 기판의 그러한 프로세싱의 경우 매우 유리한데, 그 이유는 그러한 기판의 경우 충분한 정확도로 처리 모듈의 하측 부분에 운송 요소들 및 액체 위어들과 같은 모듈 요소들을 제조하는 것이 매우 종종 어렵기 때문이다. 부가적으로, 상기한 모듈 요소들을 적절하게 수평 정렬하기 위해, 항상 조정이 필요할 수 있다. 그러한 선택적 조정은 처리 모듈의 운송 영역에 수직한 베어링 리테이너 수트립들 및 액체 위어들의 선택적 수직 이동 (심지어 증가하는 정도로 위 또는 아래) 을 가능하게 하는 복수의 제 2 조정 요소들에 의해 제공된다.This is very advantageous for such processing of large substrates because it is very often difficult to manufacture modular elements such as transport elements and liquid weirs in the lower portion of the processing module with sufficient accuracy for such substrates. Additionally, in order to properly align the modular elements appropriately, adjustment may always be necessary. Such selective adjustment is provided by a plurality of second adjustment elements that enable selective vertical movement of the bearing retainer male trips and liquid weirs perpendicular to the transfer area of the processing module (even to an increasing degree above or below).

일 실시형태에서, 조정 디바이스는 처리액이 실질적으로 없는 별개의 영역에 처리 모듈의 하우징의 저부 아래에 배치된다.In one embodiment, the adjustment device is disposed below the bottom of the housing of the processing module in a separate area substantially free of process fluid.

이는 충분한 기계적 안정성을 제공하기 위해 어떤 종류의 조정 디바이스는 종종 금속으로 제조되어야 하기 때문에 유리하다. 조정 디바이스가 금속으로 제조되고 습식 화학적 구리 퇴적 등을 위한 처리액이 상기 조정 디바이스와 접촉할 수 있다면, 이 금속 부분의 표면에 구리가 의도하지 않게 도금될 것이다.This is advantageous because some kind of adjustment device is often made of metal in order to provide sufficient mechanical stability. If the conditioning device is made of metal and a treatment liquid for wet chemical copper deposition or the like can contact the conditioning device, copper will be unintentionally plated on the surface of the metal part.

일 실시형태에서, 제 1 조정 요소들은 처리 모듈을 위한 하부구조로서 함께 라켓을 형성하는 바들 또는 스트립들이고, 제 2 조정 요소들은 볼트들, 핀들 또는 나사들이고, 쌍방의 조정 요소들은 바람직하게는 금속으로 제조된다.In one embodiment, the first adjustment elements are bars or strips that together form a racket as a substructure for the processing module, the second adjustment elements are bolts, pins or screws, and both adjustment elements are preferably made of metal .

일 실시형태에서, 처리 모듈은 처리 모듈의 별개 처리액 순환 시스템의 일부인 적어도 처리액 출구 요소를 더 포함한다.In one embodiment, the processing module further includes at least a processing solution outlet element that is part of a separate processing fluid circulation system of the processing module.

일 실시형태에서, 하우징 커버는 중앙 영역 및 2 개의 측 영역들을 포함하고, 중앙 영역은 운송 영역에 대해 평행하게 정렬되고 적어도 가스 배출 개구를 포함하고, 쌍방의 측 영역들은 하우징 커버의 중앙 영역으로부터 하우징까지 일정하게 하향 연장된다.In one embodiment, the housing cover comprises a central region and two side regions, the central region being aligned parallel to the transport region and including at least a gas discharge opening, both side regions being separated from the central region of the housing cover, As shown in FIG.

이는 처리 모듈 내부의 기판의 처리를 위해 실온보다 높은 특정 온도가 설정되어 처리액의 성분들의 증발 프로세스로 이어지는 경우에 유리하다. 증발된 휘발성 성분들은 가스 배출 개구에 의해 처리 모듈로부터 배출될 수 있다. 부가적으로, 증발된 처리액 성분들로부터 형성되는 응축물이 자동으로 처리액에 역류하는 것을 측벽들의 배치가 지지한다.This is advantageous when a specific temperature higher than room temperature is set for the treatment of the substrate inside the treatment module leading to the evaporation process of the components of the treatment liquid. The vaporized volatile components can be discharged from the treatment module by the gas discharge opening. Additionally, the arrangement of the sidewalls supports that the condensate formed from the evaporated process liquid components automatically flows back to the process liquid.

더욱이, 이하의 방법 단계들을 특징으로 하는 복수의 모듈들을 포함하는 수평 장치에서 대형 기판을 처리하는 방법에 의해 본 발명의 목적이 또한 해결된다:Moreover, the object of the present invention is also solved by a method for processing a large substrate in a horizontal apparatus comprising a plurality of modules featuring the following method steps:

ⅰ) 적어도 전처리 모듈, 적어도 본 발명의 처리 모듈, 및 적어도 후처리 모듈을 포함하는 수평 장치를 제공하는 방법 단계,I) providing a horizontal device comprising at least a pre-treatment module, at least a treatment module of the invention, and at least a post-treatment module,

ⅱ) 조정 디바이스에 의해 본 발명의 처리 모듈의 운송 요소들 및 액체 위어들을 이들의 정밀한 수평 정렬을 보장하도록 조정하는 방법 단계, Ii) adjusting the transport elements and liquid weirs of the treatment module of the present invention to ensure their precise horizontal alignment by the adjustment device,

ⅲ) 대형 기판들, 바람직하게는 유리 기판들을 제공하는 방법 단계, Iii) method steps for providing large substrates, preferably glass substrates,

ⅳ) 전처리, 처리 및 후처리를 수행하기 위해 수평 장치의 모듈들을 통해 상기 대형 기판들을 운송하는 방법 단계.Iv) a method step of transporting said large substrates through modules of a horizontal apparatus to perform pre-processing, processing and post-processing.

상기 방법의 바람직한 실시형태에서, 본 발명의 처리 모듈에서 방법 단계 ⅳ) 중의 대형 기판들의 처리가 대형 기판들의 표면에 금속, 바람직하게는 구리를 퇴적시키기 위한 무전해 습식 화학 처리이다.In a preferred embodiment of the method, the processing of large substrates in process step iv) in the process module of the present invention is an electroless wet chemical process for depositing metal, preferably copper, on the surface of large substrates.

그러한 습식 화학 처리는 단지 제한된 두께의 구리 층들을 전달할 수 있는 공지의 스퍼터링 기술에 비해 유리한 것으로 밝혀졌다. 스퍼터링이 최종적으로 1 ㎛ 미만의 구리 층들을 형성하는 반면, 습식 화학 처리는 두꺼운 구리 층들이 스퍼터링되는 경우에 기판의 내부 응력에 의해 야기되는 공지의 굽힘 효과를 발생시킴이 없이 훨씬 더 두꺼운 가능한 구리 층들을 제공한다.Such wet chemical treatment has been found to be advantageous over known sputtering techniques which can only deliver copper layers of limited thickness. While sputtering ultimately forms copper layers of less than 1 [mu] m, the wet chemical treatment results in a much thicker possible copper layer without causing a known bending effect caused by the internal stress of the substrate when thick copper layers are sputtered Lt; / RTI >

이러한 본 발명의 방법의 추가 이점은 선택적 구리 층들을 생성하기 위해 다양한 추가 처리 단계들에 의해 후속하여 처리되어야 하는 기판의 전체 표면에 구리 층을 먼저 퇴적시킬 필요 없이 기판 표면에 선택적 구리 층들을 직접 형성할 가능성이다. 기판 자체의 재료에 따라 기판에 그러한 선택적 구리 층들을 퇴적시키기 위해, 선택적 팔라듐 층들의 퇴적이 필요할 수 있다. 대형 기판이 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판이라면, 상기 팔라듐 층들 위에 후속하는 구리 층들을 갖는 팔라듐 층들의 그러한 퇴적이 바람직하다.A further advantage of this inventive method is that it directly forms selective copper layers on the substrate surface without the need to first deposit the copper layer on the entire surface of the substrate that must subsequently be processed by various further processing steps to produce the selective copper layers It is possible to do. Deposition of selective palladium layers may be required to deposit such selective copper layers on the substrate depending on the material of the substrate itself. If the large substrate is a glass substrate for a flat panel display, such deposition of palladium layers with copper layers subsequent to the palladium layers is preferred.

상기 방법의 더 바람직한 실시형태에서, 무전해 습식 화학 처리는 대형 기판을 처리액에 침지함으로써 수행된다.In a more preferred embodiment of the method, the electroless wet chemical treatment is carried out by immersing the large substrate in the treatment liquid.

처리액에 기판을 침지하는 것은 분무 패턴을 생성함으로써 야기되는 불균일한 퇴적물을 생성하는 기판 표면에 처리액을 분무하는 공지 기술에 비해 균일한 금속 퇴적이라는 이점을 제공한다.Dipping the substrate in the treatment liquid provides the advantage of uniform metal deposition compared to the known technique of spraying the treatment liquid onto the surface of the substrate producing non-uniform deposits caused by generating a spray pattern.

본 발명의 그러한 처리 모듈이 대형 유리 기판, 특히 플랫 패널 디스플레이에의 금속, 특히 구리 퇴적을 위해 이용될 수 있다는 것이 부가적으로 발견되었다.It has been additionally discovered that such a processing module of the present invention can be used for depositing metals, especially copper, on large glass substrates, particularly flat panel displays.

따라서, 본 발명은 대형 기판, 특히 플랫 패널 디스플레이와 같은 부서지기 쉬운 대형 유리 기판을 운송하고 프로세싱하기에 적합한, 수평 장치용 처리 모듈을 제공하는 과제를 다룬다.Accordingly, the present invention addresses the task of providing a processing module for a horizontal device, suitable for transporting and processing large size substrates, especially large glass substrates that are fragile, such as flat panel displays.

이하의 비제한적인 예들은 본 발명의 일 실시형태를 보여주기 위해 그리고 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해 제공되며, 여기에 첨부된 청구항들에 의해 규정되는 본 발명의 범위를 제한하려는 것이 아니다.The following non-limiting examples are provided to illustrate one embodiment of the present invention and to facilitate the understanding of the present invention, and are not intended to limit the scope of the present invention, which is defined by the claims appended hereto.

이제 도면들을 참고하면, 도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 따른 처리 모듈 (1) 의 개략 사시도를 보여준다.Referring now to the drawings, FIG. 1 shows a schematic perspective view of a processing module 1 according to an embodiment of the invention.

상기 처리 모듈 (1) 은 하우징 커버 (4) 를 갖는 하우징 (2) 을 포함하고, 하우징 커버 (4) 는 중앙 영역 (3), 2 개의 측 영역들 (5), 및 2 개의 측 영역들 (5) 각각에 있는 2 개의 윈도우들 (6) 을 포함한다. 중앙 영역 (3) 은 여기서 운송 영역에 대해 평행하게 정렬되고 적어도 가스 배출 개구 (7) 를 포함한다. 쌍방의 측 영역들 (5) 은 하우징 커버 (4) 의 중앙 영역 (3) 으로부터 하우징 (2) 까지 일정하게 하향 연장된다.The processing module 1 comprises a housing 2 with a housing cover 4 and the housing cover 4 has a central region 3, two side regions 5 and two side regions 5). ≪ / RTI > The central region 3 is here aligned parallel to the transport region and comprises at least a gas discharge opening 7. The side regions 5 of both sides extend downwardly from the central region 3 of the housing cover 4 to the housing 2 constantly.

처리 모듈 (1) 은 대형 기판들의 수평 프로세싱을 위한 복수의 운송 요소들 (8) 을 갖는 운송 디바이스를 더 포함하고, 운송 요소들 (8) 은 롤러들 또는 휠 축 (wheel axis) 일 수 있다. 도시된 실시형태에서, 각 운송 요소 (8) 는 휠 축이다. 롤러들은 처리 모듈 (1) 의 처리 영역 내부에 이용가능한 체적이 더 적으므로 처리 화학제의 소비가 더 적기 때문에 유리할 수 있다. 기판들의 운송 방향이 도면에 개략적으로 도시되어 있다.The processing module 1 further comprises a transport device having a plurality of transport elements 8 for horizontal processing of large substrates and the transport elements 8 can be rollers or wheel axes. In the illustrated embodiment, each transport element 8 is a wheel axis. The rollers may be advantageous because they have less volume available inside the treatment area of the treatment module 1 and therefore less consumption of treatment chemicals. The transport direction of the substrates is schematically shown in the figure.

처리 모듈 (1) 은 운송 디바이스의 각 운송 요소 (8) 의 개별 외부 단부들을 수용하기 위한 복수의 볼베어링들을 포함하는 2 개의 볼베어링 스트립들 (9) 을 더 포함한다. 더욱이, 처리 모듈 (1) 은 운송 디바이스의 운송 요소들 (8) 의 개별 외부 단부들을 수용하기 위한 복수의 볼베어링들을 포함하는 제 3 볼베어링 스트립 (9) 을 포함하고, 적어도 상기 제 3 볼베어링 스트립 (9) 은 2 개의 볼베어링 스트립들 (9) 사이에 평행하게 배치된다.The processing module 1 further comprises two ball bearing strips 9 comprising a plurality of ball bearings for receiving the individual outer ends of each transport element 8 of the transport device. Moreover, the processing module 1 comprises a third ball bearing strip 9 comprising a plurality of ball bearings for receiving the individual outer ends of the transport elements 8 of the transport device, and at least the third ball bearing strip 9 Are arranged in parallel between the two ball bearing strips 9.

처리 모듈 (1) 은 처리 모듈 (1) 내부에 처리액을 축적하기 위해 처리 모듈 (1) 의 입구와 출구에서 대형 기판의 운송 레벨 위에 배치된 제 1 액체 노즐 (11) 및 가스 노즐 (10) 을 더 포함하고, 각 가스 노즐 (10) 은 개별 제 1 액체 노즐 (11) 보다 더 외부에 배치된다. 더욱이, 처리 모듈 (1) 은 2 개의 제 1 액체 노즐들 (11) 사이에서 대형 기판의 운송 레벨 위에 배치된 2 개의 제 2 액체 노즐들 (12) 을 포함한다.The processing module 1 includes a first liquid nozzle 11 and a gas nozzle 10 disposed above the transport level of the large substrate at the inlet and the outlet of the processing module 1 for accumulating the processing liquid in the processing module 1, , And each gas nozzle (10) is disposed outside the individual first liquid nozzles (11). Furthermore, the processing module 1 comprises two second liquid nozzles 12 disposed above the transport level of the large substrate between the two first liquid nozzles 11. [

도 2 는 본 발명의 도 1 에 나타낸 것과 동일한 실시형태에 따른 처리 모듈 (1) 의 개략 사시도로서, 하우징 커버 (4) 가 없는 상태를 보여준다. 도 2 는 기판의 운송 레벨 위의 처리 모듈 (1) 특징들을 더 상세하게 보여주기 위한 것이다. 개별 처리 모듈 (1) 특징들은 그들의 대응 도면부호와 함께 도 1 에서 기재된 것과 동일하고, 불필요한 반복을 피하기 위해 다시 논의하지 않는다.Fig. 2 is a schematic perspective view of the processing module 1 according to the same embodiment as shown in Fig. 1 of the present invention, showing a state in which the housing cover 4 is not provided. Figure 2 shows the processing module 1 features above the transport level of the substrate in more detail. The individual processing module 1 features are identical to those described in FIG. 1 with their corresponding reference numerals, and are not discussed again to avoid unnecessary repetition.

도 3a 는 본 발명의 도 1 에 나타낸 것과 동일한 실시형태에 따른 처리 모듈 (1) 의 개략 측면도로서, 하우징 커버 (4) 가 개방된 상태를 보여준다.Fig. 3A is a schematic side view of the processing module 1 according to the same embodiment as shown in Fig. 1 of the present invention, showing the state in which the housing cover 4 is opened.

처리 모듈 (1) 의 이러한 대안적인 도시는 운송 방향으로 기판의 운송 레벨 위의 가스 노즐 (10), 제 1 액체 노즐 (11), 2 개의 제 2 액체 노즐들 (12), 제 1 액체 노즐 (11) 그리고 다시 가스 노즐 (10) 의 결과를 보여준다.This alternate illustration of the processing module 1 includes a gas nozzle 10 above the transport level of the substrate in the transport direction, a first liquid nozzle 11, two second liquid nozzles 12, a first liquid nozzle 11) and again the result of the gas nozzle (10).

더욱이, 처리 모듈 (1) 은 개별 제 1 액체 노즐들 (11) 아래의 운송 시스템의 2 개의 인접한 운송 요소들 (8) 사이에 배치된 2 개의 액체 위어들 (13) 을 포함한다.Furthermore, the treatment module 1 comprises two liquid weirs 13 disposed between two adjacent transport elements 8 of the transport system below individual first liquid nozzles 11. [

처리 모듈 (1) 은 대형 기판의 운송 레벨 아래에 배치된 가스 전달 요소 (22) 를 더 포함하고, 상기 가스 전달 요소는 처리 모듈 (1) 의 각 가스 노즐 (10) 아래에 배치된다.The processing module 1 further comprises a gas delivery element 22 disposed below the transport level of the large substrate and the gas delivery element is disposed below each gas nozzle 10 of the processing module 1. [

도 3b 는 가스 노즐 (10) 을 포함하는 처리 모듈 (1) 의 부위에서의 상세한 배치에 대한 확대도를 제공하기 위해 처리 모듈 (1) 의 이 부위의 단면도를 보여준다. 가스 노즐 (10) 바로 아래에 그리고 대형 기판의 운송 레벨 (17) 아래에 가스 전달 요소 (22) 가 제공된다. 상기 가스 전달 요소 (22) 는 2 개의 인접한 운송 요소들 (8) 사이에 배치된다. 가스 공급부 (14) 는 처리 모듈 (1) 의 입구와 출구에서 배출 가스 유동의 경로를 뚜렷하게 하기 위해 검정색으로 강조되어 있으며, 이는 처리 영역 내부에의 처리액의 축적을 지지하기 위해 처리 영역의 내부로 향하고 있다.Fig. 3b shows a cross-sectional view of this part of the processing module 1 to provide an enlarged view of the detailed arrangement at the site of the processing module 1, including the gas nozzle 10. Fig. A gas delivery element 22 is provided directly beneath the gas nozzle 10 and below the transport level 17 of the large substrate. The gas delivery element 22 is disposed between two adjacent transport elements 8. The gas supply part 14 is highlighted in black to clarify the path of the exhaust gas flow at the inlet and the outlet of the processing module 1 and is arranged inside the processing area to support the accumulation of the processing solution inside the processing area It is heading.

도 3c 는 제 1 액체 노즐 (11) 을 포함하는 처리 모듈 (1) 의 부위에서의 상세한 배치에 대한 확대도를 제공하기 위해 처리 모듈 (1) 의 이 부위의 단면도를 보여준다. 제 1 액체 노즐 (11) 바로 아래에 그리고 대형 기판의 운송 레벨 (17) 아래에 액체 위어 (13) 가 제공된다. 상기 액체 위어 (13) 는 2 개의 인접한 운송 요소들 (8) 사이에 배치된다. 제 1 액체 노즐 (11) 의 가스 공급부 (15) 는 처리 모듈 (1) 의 입구와 출구에서 배출 가스 유동의 경로를 뚜렷하게 하기 위해 검정색으로 강조되어 있으며, 이는 처리 영역 내부에의 처리액의 축적을 지지하기 위해 처리 영역의 내부로 향하고 있다.Fig. 3C shows a cross-sectional view of this part of the processing module 1 to provide an enlarged view of the detailed arrangement at the site of the processing module 1 including the first liquid nozzle 11. Fig. A liquid weir 13 is provided directly below the first liquid nozzle 11 and below the transport level 17 of the large substrate. The liquid weir (13) is disposed between two adjacent transport elements (8). The gas supply portion 15 of the first liquid nozzle 11 is highlighted in black to clarify the path of the exhaust gas flow at the inlet and the outlet of the processing module 1, And is directed into the interior of the processing region to support it.

도 3d 는 대형 기판의 운송 레벨 (17) 위에 제 2 액체 노즐 (12) 을 포함하는 처리 모듈 (1) 의 부위에서의 상세한 배치에 대한 확대도를 제공하기 위해 처리 모듈 (1) 의 이 부위의 단면도를 보여준다. 제 2 액체 노즐 (12) 의 가스 공급부 (16) 는 제 1 액체 노즐들 (11) 사이에서 처리 모듈 (1) 의 내부에 주입 액체 유동의 경로를 뚜렷하게 하기 위해 검정색으로 강조되어 있다. 대형 기판의 운송 레벨 (17) 위에 운송 방향에 대해 평행하게 주입된 상기 주입 액체 유동은 처리 모듈 (1) 의 내부에 충분한 처리액 레벨을 보장하는 것으로 생각된다.Figure 3d is a schematic view of a portion of the processing module 1 of this portion of the processing module 1 in order to provide an enlarged view of the detailed arrangement at the site of the processing module 1 including the second liquid nozzle 12 above the transport level 17 of the large- Show cross section. The gas supply portion 16 of the second liquid nozzle 12 is highlighted in black to clarify the path of the injection liquid flow inside the processing module 1 between the first liquid nozzles 11. [ It is believed that the injection liquid flow injected parallel to the transport direction on the transport level 17 of the large substrate ensures a sufficient process liquid level inside the processing module 1. [

도 4 는 본 발명의 도 1 에 도시된 것과 동일한 실시형태에 따른 처리 모듈 (1) 의 하측에 대한 개략 사시도를 보여준다. 특히, 처리 모듈 (1) 의 조정 디바이스의 세부가 이 도 4 에 의해 도시되고 명확하게 되는 것으로 생각된다.Fig. 4 shows a schematic perspective view of the underside of the processing module 1 according to the same embodiment as shown in Fig. 1 of the present invention. In particular, it is believed that the details of the adjustment device of the processing module 1 are shown and made clear by this Fig.

상기 조정 디바이스는, 이 바람직한 실시형태에서, 서로 수직하게 연장되는, 2 개의 평행한 제 1 조정 요소들 (19) 및 3 개의 제 2 조정 요소들 (20) 을 포함한다. 제 1 조정 요소들 (19) 은 처리 모듈 (1) 을 위한 하부구조로서 라켓을 함께 형성하는 바아들이다. 제 2 조정 요소들 (20) 은 볼트들이다. 쌍방의 조정 요소들 (19, 20) 은 금속으로 제조된다.The adjustment device comprises two parallel first adjustment elements 19 and three second adjustment elements 20, which in this preferred embodiment extend perpendicularly to each other. The first adjustment elements 19 are barriers which together form a racquet as a substructure for the processing module 1. [ The second adjustment elements 20 are bolts. Both adjusting elements 19 and 20 are made of metal.

제 1 조정 요소들 (19) 은 상기 액체 위어들 (13) 및 볼베어링 스트립들 (9) 의 수평 정렬이 조정될 수 있도록 복수의 제 2 조정 요소들 (20) 에 의해 개별 액체 위어들 (13) 또는 볼베어링 스트립들 (9) 에 연결된다. 여기서, 조정 디바이스는 처리액이 실질적으로 없는 별개의 영역에 처리 모듈 (1) 의 하우징 (2) 의 저부 아래에 정렬된다.The first adjustment elements 19 are arranged in the form of individual liquid weirs 13 or by means of a plurality of second adjustment elements 20 so that the horizontal alignment of the liquid weirs 13 and the ball bearing strips 9 can be adjusted. And is connected to the ball bearing strips 9. Here, the adjusting device is aligned below the bottom of the housing 2 of the processing module 1 in a separate area substantially free of process liquid.

처리 모듈 (1) 은 처리 모듈 (1) 의 별개 처리액 순환 시스템 (도시 안 됨) 의 일부인 복수의 처리액 출구 요소들 (18) 를 더 포함한다. 처리 모듈 (1) 은 개별 가스 전달 요소들 (22) (도시 안 됨) 의 복수의 액체 공급부들 (21) 을 더 포함한다.The treatment module 1 further comprises a plurality of treatment liquid outlet elements 18 which are part of a separate treatment liquid circulation system (not shown) of the treatment module 1. The processing module 1 further comprises a plurality of liquid feeds 21 of individual gas delivery elements 22 (not shown).

여기에 기재된 실시형태는 단지 예시적인 것이며 본 기술분야의 통상의 기술자가 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 변형 및 수정을 가할 수 있다는 것을 이해할 것이다. 전술한 것을 포함하는 그러한 모든 변형 및 수정이 첨부된 청구항들에 의해 규정되는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 의도된다.It is to be understood that the embodiments described herein are merely illustrative and that various modifications and changes may be made by one of ordinary skill in the art without departing from the scope of the present invention. And all such modifications and variations, including the foregoing, are intended to be included within the scope of the present invention as defined by the appended claims.

1 처리 모듈
2 하우징
3 하우징 커버의 중앙 영역
4 하우징 커버
5 하우징 커버의 측 영역
6 하우징 커버의 윈도우
7 가스 배출 개구
8 운송 요소
9 베어링 리테이너 스트립
10 가스 노즐
11 제 1 액체 노즐
12 제 2 액체 노즐
13 액체 위어 (liquid weir)
14 가스 노즐의 가스 공급부
15 제 1 액체 노즐의 액체 공급부
16 제 2 액체 노즐의 액체 공급부
17 대형 기판의 운송 레벨
18 처리액 출구 요소
19 제 1 조정 요소
20 제 2 조정 요소
21 가스 전달 요소의 액체 공급부
22 가스 전달 요소1 processing module
2 housing
3 Central area of the housing cover
4 Housing cover
5 Side area of the housing cover
6 Window of housing cover
7 gas discharge opening
8 transport element
9 Bearing retainer strip
10 gas nozzle
11 first liquid nozzle
12 second liquid nozzle
13 Liquid weir
14 Gas supply part of gas nozzle
15 The liquid supply portion of the first liquid nozzle
16 Liquid supply portion of the second liquid nozzle
17 Transport Levels of Large Substrates
18 Process liquid outlet element
19 First adjustment factor
20 Second Adjustment Element
21 Liquid supply of gas delivery element
22 gas delivery element

Claims (15)

특히 유리 기판인 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1) 로서,
하우징 커버 (4) 를 갖는 하우징 (2); 및
대형 기판의 수평 프로세싱을 위한 복수의 운송 요소들 (8) 을 갖는 운송 디바이스
를 포함하고,
상기 처리 모듈 (1) 은, 상기 처리 모듈 (1) 의 내부에 처리액을 축적하기 위하여, 상기 처리 모듈 (1) 의 입구에서 상기 대형 기판의 운송 레벨 (17) 위에 배치된 적어도 제 1 액체 노즐 (11) 과 적어도 가스 노즐 (10), 및 상기 처리 모듈 (1) 의 출구에서 상기 대형 기판의 운송 레벨 (17) 위에 배치된 적어도 다른 제 1 액체 노즐 (11) 과 적어도 다른 가스 노즐 (10) 을 더 포함하고,
각 가스 노즐 (10) 은 개별 제 1 액체 노즐 (11) 보다 더 외부에 배치되고,
상기 처리 모듈 (1) 은 상기 대형 기판의 운송 레벨 (17) 보다 아래에서 각 제 1 액체 노즐 (11) 아래에 배치된 적어도 액체 위어 (liquid weir; 13) 를 더 포함하고,
상기 처리 모듈 (1) 은 상기 처리 모듈 (1) 의 상기 운송 디바이스 및 액체 위어들 (13) 을 조정하기 위한 적어도 조정 디바이스를 더 포함하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).As a processing module (1) for an apparatus for horizontal wet chemical processing of a large substrate, in particular a glass substrate,
A housing (2) having a housing cover (4); And
A transport device (1) having a plurality of transport elements (8) for horizontal processing of a large substrate
Lt; / RTI >
The process module 1 comprises at least a first liquid nozzle 1 disposed above the transport level 17 of the large substrate at the entrance of the processing module 1 for accumulating process liquid inside the process module 1, At least another gas nozzle (10) and at least another first liquid nozzle (11) disposed above the transport level (17) of the large substrate at the outlet of the processing module (1) Further comprising:
Each of the gas nozzles 10 is disposed outside the respective first liquid nozzles 11,
The processing module 1 further comprises at least a liquid weir 13 disposed below each first liquid nozzle 11 below the transport level 17 of the large substrate,
Wherein the processing module (1) further comprises at least an adjustment device for adjusting the transport device and the liquid weirs (13) of the processing module (1) One). 제 1 항에 있어서,
상기 처리 모듈 (1) 은 상기 운송 디바이스의 각 운송 요소 (8) 의 개별 외부 단부들을 수용하기 위한 복수의 베어링들, 바람직하게는 볼베어링들을 포함하는 2 개의 베어링 리테이너 스트립들 (9), 바람직하게는 볼베어링 스트립들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).The method according to claim 1,
The processing module 1 comprises two bearing retainer strips 9, preferably comprising a plurality of bearings, preferably ball bearings, for receiving the individual outer ends of each transport element 8 of the transport device, (1) of a device for horizontal wet chemical processing of a large substrate, characterized in that it further comprises ball bearing strips. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 처리 모듈 (1) 은 제 1 액체 노즐들 (11) 사이에서 상기 대형 기판의 운송 레벨 (17) 위에 배치된 적어도 제 2 액체 노즐 (12) 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).3. The method according to claim 1 or 2,
Characterized in that the processing module (1) further comprises at least a second liquid nozzle (12) disposed above the transport level (17) of the large substrate between the first liquid nozzles (11) Process module (1) for an apparatus for wet chemical processing. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액체 위어 (13) 는 개별 제 1 액체 노즐 (11) 아래의 운송 시스템의 2 개의 인접한 운송 요소들 (8) 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Characterized in that the liquid weir (13) is arranged between two adjacent transport elements (8) of the transport system below the individual first liquid nozzles (11), the treatment of the apparatus for horizontal wet chemical treatment of large substrates Module (1). 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 모듈 (1) 은 상기 대형 기판의 운송 레벨 (17) 아래에 배치된 가스 전달 요소 (22), 바람직하게는 압축 공기 전달 요소 (22) 를 포함하고, 상기 가스 전달 요소 (22) 는 상기 처리 모듈의 각 가스 노즐 (10) 아래에 배치되는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The processing module 1 comprises a gas delivery element 22, preferably a compressed air delivery element 22, disposed below the transport level 17 of the large substrate, (1) of a device for horizontal wet chemical processing of a large substrate, characterized in that it is arranged below each gas nozzle (10) of the processing module. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 모듈 (1) 은 상기 운송 디바이스의 운송 요소들 (8) 의 개별 외부 단부들을 수용하기 위한 복수의 베어링들, 바람직하게는 볼베어링들을 포함하는 제 3 베어링 리테이너 스트립 (9), 바람직하게는 볼베어링 스트립을 더 포함하고, 적어도 상기 제 3 베어링 리테이너 스트립 (9) 은 2 개의 베어링 리테이너 스트립들 (9) 사이에 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The processing module 1 comprises a third bearing retainer strip 9 comprising a plurality of bearings, preferably ball bearings, for receiving the individual outer ends of the transport elements 8 of the transport device, preferably a ball bearing Characterized in that the third bearing retainer strip (9) further comprises a strip, and at least the third bearing retainer strip (9) is arranged in parallel between the two bearing retainer strips (9) (One). 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 조정 디바이스는 적어도 제 1 조정 요소 (19) 및 적어도 제 2 조정 요소 (20) 를 포함하고, 제 1 조정 요소들 (19) 은 액체 위어들 (13) 및 베어링 리테이너 스트립들 (9) 의 수평 정렬이 조정될 수 있도록 복수의 제 2 조정 요소들 (20) 에 의해 개별 액체 위어들 (13) 또는 베어링 리테이너 스트립들 (9) 에 연결되는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The adjustment device comprises at least a first adjustment element 19 and at least a second adjustment element 20 and the first adjustment elements 19 are arranged on the horizontal sides of the liquid weirs 13 and bearing retainer strips 9, Is connected to individual liquid weirs (13) or bearing retainer strips (9) by a plurality of second adjustment elements (20) so that the alignment can be adjusted. (1). 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 조정 디바이스는 처리액이 실질적으로 없는 별개의 영역에서 상기 처리 모듈 (1) 의 상기 하우징 (2) 의 저부 아래에 배치되는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Characterized in that the adjusting device is arranged below the bottom of the housing (2) of the processing module (1) in a separate area substantially free of process liquid. (One). 제 7 항에 있어서,
상기 제 1 조정 요소들 (19) 은 상기 처리 모듈을 위한 하부구조로서 라켓을 함께 형성하는 바아들 또는 스트립들이고, 상기 제 2 조정 요소들 (20) 은 볼트들, 핀들 또는 나사들이고, 쌍방의 조정 요소들 (19, 20) 은 바람직하게는 금속으로 제조되는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).8. The method of claim 7,
The first adjustment elements 19 are bars or strips that together form a racket as an undercarriage for the processing module, the second adjustment elements 20 are bolts, pins or screws, Characterized in that the elements (19, 20) are preferably made of metal. The processing module (1) of the apparatus for horizontal wet chemical processing of large substrates. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 모듈 (1) 은 상기 처리 모듈 (1) 의 별개 처리액 순환 시스템의 일부인 적어도 처리액 출구 요소 (18) 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Characterized in that the processing module (1) further comprises at least a process liquid outlet element (18) which is part of a separate process liquid circulation system of the processing module (1) Module (1). 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하우징 커버 (4) 는 중앙 영역 (3) 및 2 개의 측 영역들 (5) 을 포함하고,
상기 중앙 영역 (3) 은 운송 영역에 대해 평행하게 정렬되고 적어도 가스 배출 개구 (7) 를 포함하고,
쌍방의 측 영역들 (5) 은 상기 하우징 커버 (4) 의 상기 중앙 영역 (3) 으로부터 상기 하우징 (2) 까지 일정하게 하향 연장되는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).11. The method according to any one of claims 1 to 10,
The housing cover (4) comprises a central region (3) and two side regions (5)
Said central region (3) being arranged parallel to the transport region and comprising at least a gas discharge opening (7)
Characterized in that both side regions (5) extend downwardly from the central region (3) of the housing cover (4) to the housing (2) Processing module (1). 복수의 모듈들을 포함하는 수평 장치에서 대형 기판을 처리하기 위한 방법으로서, 이하의 방법 단계들:
ⅰ) 적어도 전처리 모듈, 적어도 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 처리 모듈, 및 적어도 후처리 모듈을 포함하는 수평 장치를 제공하는 방법 단계,
ⅱ) 조정 디바이스에 의해 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 각 처리 모듈 (1) 의 운송 요소들 (8) 및 액체 위어들 (13) 을 이들의 정밀한 수평 정렬을 보장하도록 조정하는 방법 단계,
ⅲ) 대형 기판, 바람직하게는 유리 기판을 제공하는 방법 단계, 및
ⅳ) 전처리, 처리 및 후처리를 수행하기 위해 상기 수평 장치의 모듈들을 통해 상기 대형 기판을 운송하는 방법 단계
를 포함하는, 복수의 모듈들을 포함하는 수평 장치에서 대형 기판을 처리하는 방법.A method for processing a large substrate in a horizontal apparatus comprising a plurality of modules, the method comprising the following steps:
I) at least a pre-treatment module, a method of providing a horizontal device comprising at least a processing module according to any one of claims 1 to 11 and at least a post-processing module,
Ii) adjusting the transport elements (8) and liquid weirs (13) of each processing module (1) according to any one of claims 1 to 11 to ensure their precise horizontal alignment Method steps,
Iii) a method step of providing a large substrate, preferably a glass substrate, and
Iv) a method of transporting the large substrate through modules of the horizontal device to perform pre-processing, processing and post-processing
Wherein the plurality of modules comprises a plurality of modules. 제 12 항에 있어서,
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 처리 모듈 (1) 에서 방법 단계 ⅳ) 동안의 상기 대형 기판의 처리는 상기 대형 기판의 표면에 금속, 바람직하게는 구리를 퇴적시키기 위한 무전해 습식 화학 처리인 것을 특징으로 하는, 복수의 모듈들을 포함하는 수평 장치에서 대형 기판을 처리하는 방법.13. The method of claim 12,
Process according to any one of the preceding claims, characterized in that the processing of the large substrate during the process step iv) in the process module (1) is carried out by electroless wetting for depositing metal, preferably copper, ≪ / RTI > wherein the substrate is a chemical process. 제 13 항에 있어서,
상기 무전해 습식 화학 처리는 상기 대형 기판을 상기 처리액에 침지함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는, 복수의 모듈들을 포함하는 수평 장치에서 대형 기판을 처리하는 방법.14. The method of claim 13,
Wherein the electroless wet chemical process is performed by immersing the large substrate in the process liquid. ≪ Desc / Clms Page number 20 > 대형 유리 기판, 특히 플랫 패널 디스플레이에의 금속, 특히 구리 퇴적을 위한 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 처리 모듈의 용도.Use of a processing module according to any one of claims 1 to 11 for depositing metal, especially copper, on a large glass substrate, in particular a flat panel display.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6762184B2 (en) * 2016-09-26 2020-09-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Recovery pipe cleaning method and substrate processing equipment
JP6700605B2 (en) * 2016-11-16 2020-05-27 日本電気硝子株式会社 Glass substrate manufacturing method

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000062951A (en) * 1998-08-19 2000-02-29 Daiichi Shisetsu Kogyo Kk Conveying apparatus
JP2004073743A (en) * 2002-08-22 2004-03-11 Shinko Seisakusho Co Ltd Pachinko ball lifting device
JP2011154380A (en) * 2003-03-20 2011-08-11 Toshiba Mobile Display Co Ltd Method of forming display device
JP2010103383A (en) * 2008-10-27 2010-05-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus
WO2010087435A1 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 シャープ株式会社 Substrate processing apparatus
JP4812847B2 (en) * 2009-02-23 2011-11-09 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI564988B (en) * 2011-06-03 2017-01-01 Ｔｅｌ Ｎｅｘｘ公司 Parallel and single substrate processing system
DE102011109568A1 (en) * 2011-08-05 2013-02-07 Rena Gmbh Exhaust air system and method
JP6180419B2 (en) * 2011-10-05 2017-08-16 アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Electroless copper plating solution without formaldehyde

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