KR20160109532A - Battery protection circuit module and battery pack including the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a battery protection circuit module which is capable of efficiently preventing an overcurrent and overheating and being compactly implemented at low costs. The battery protection circuit module comprises: a first terminal and a second terminal, which are electrically connected to an electrode cell of a battery bare cell; a third terminal and a fourth terminal, which are electrically connected to a charger or an electronic device; a first protection circuit unit which includes at least one first transistor connected between at least one of the first terminal and the second terminal and at least one of the third terminal and the fourth terminal and a first protection integrated circuit element for controlling the at least one first transistor; and a second protection circuit unit which includes at least one second transistor connected between at least one of the first terminal and the second terminal and at least one of the third terminal and the fourth terminal and connected in series to the first transistor and a second protection integrated circuit element for controlling the second transistor.

Description

배터리 보호회로 모듈, 및 이를 포함하는 배터리 팩{Battery protection circuit module and battery pack including the same} A battery protection circuit module, and a battery pack including the battery protection circuit module.

본 발명은 전자장치용 배터리에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 배터리 셀을 보호하기 위한 배터리 보호회로 모듈과 이를 포함하는 배터리 팩에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a battery for an electronic device, and more particularly, to a battery protection circuit module for protecting a battery cell and a battery pack including the battery protection circuit module.

일반적으로 휴대폰, PDA 등의 전자장치 등에 배터리가 사용되고 있다. 리튬이온 배터리는 휴대단말기 등에 가장 널리 사용되는 배터리로 과충전, 과전류 시에 발열하고, 발열이 지속되어 온도가 상승하게 되면 성능열화는 물론 폭발의 위험성까지 갖는다. 따라서, 이러한 성능 열화를 방직하기 위해서 배터리의 동작을 차단하는 배터리 보호회로 장치를 배터리에 제공해야 할 필요성이 높아지고 있다. Generally, batteries are used in electronic devices such as mobile phones and PDAs. Lithium-ion batteries are the most widely used batteries in portable handsets, and they have overcharging and over-currents, and when the temperature rises due to the heat generation, the performance deteriorates as well as the risk of explosion. Therefore, there is a growing need to provide a battery protection circuit device that cuts off the operation of the battery in order to ward off this performance deterioration.

통상적으로, 과전류 및 과열을 차단하기 위하여 써미스터 소자, 예컨대 PTC(Positive Temperature Coefficient) 소자를 배터리 보호회로 장치에 부가적으로 사용하고 있다. 이러한 PTC 소자는, 예를 들어, 도전성 입자를 결정성 고분자에 분산시킴으로써 형성될 수 있다. 설정된 온도 이하에서 PTC 소자는 도전성의 연결부재 사이에서 전류가 흐르는 통로가 된다. 그러나 과전류 발생으로 인해 설정 온도 이상이 되면 결정성 고분자가 팽창되어 결정성 고분자에 분산되어 있는 상기 도전성 입자 사이의 연결이 분리되면서 저항이 급격하게 증가된다. 따라서 도전성의 연결부재 사이의 전류의 흐름이 차단되거나 전류의 흐름이 감소된다. 이와 같이 PTC 소자에 의해 전류의 흐름이 차단될 수 있으므로, PTC 소자는 배터리의 파열을 방지하는 안전장치의 역할을 수행한다. 그리고 다시 설정 온도 이하로 냉각되면 PTC 소자에서 결정성 고분자가 수축하여 도전성 입자 사이의 연결이 복원되므로 전류의 흐름이 원활하게 수행될 수 있다. 그러나 이러한 PTC 소자는 부품의 단가가 높아 전체 제조비용이 상승하고, 배터리의 크기를 크게 한다는 문제점을 가진다. Typically, a thermistor element, such as a PTC (Positive Temperature Coefficient) element, is additionally used in the battery protection circuit device to prevent overcurrent and overheating. Such a PTC device can be formed, for example, by dispersing conductive particles in a crystalline polymer. Below the set temperature, the PTC element becomes a passage through which the current flows between the conductive connecting members. However, when the temperature exceeds the set temperature due to the occurrence of the overcurrent, the crystalline polymer swells and the resistance between the conductive particles dispersed in the crystalline polymer is separated and the resistance is rapidly increased. Accordingly, the flow of the current between the conductive connecting members is blocked or the flow of the current is reduced. Since the flow of current can be cut off by the PTC element, the PTC element serves as a safety device for preventing the battery from being ruptured. When the temperature is lower than the set temperature again, the crystalline polymer is shrunk in the PTC device and the connection between the conductive particles is restored, so that the current can flow smoothly. However, such a PTC device has a problem that the manufacturing cost is increased and the size of the battery is increased because the unit price of the PTC device is high.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 과전류 및/또는 과열을 효과적으로 차단하면서 집적화 및 소형화에 유리한 배터리 보호회로 모듈 및 배터리 팩을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a battery protection circuit module and a battery pack which are advantageous in terms of integration and miniaturization while effectively preventing overcurrent and / or overheating. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.

본 발명의 일 관점에 의한 배터리 보호회로 모듈은 배터리 베어셀의 전극단자와 전기적으로 연결되는 제 1 단자 및 제 2 단자와, 충전기 또는 전자기기에 전기적으로 연결되는 제 3 단자 및 제 4 단자와, 상기 제 1 단자 또는 제 2 단자 중 적어도 하나와 상기 제 3 단자 및 제 4 단자 중 적어도 하나 사이에 접속되는 적어도 하나의 제 1 트랜지스터, 및 상기 적어도 하나의 제 1 트랜지스터를 제어하기 위한 제 1 프로텍션 집적회로 소자를 포함하는, 제 1 보호회로 유닛과, 상기 제 1 단자 또는 제 2 단자 중 적어도 하나와 상기 제 3 단자 및 제 4 단자 중 적어도 하나 사이에 접속되며 상기 적어도 하나의 제 1 트랜지스터와 직렬 연결되는 적어도 하나의 제 2 트랜지스터, 및 상기 제 2 트랜지스터를 제어하기 위한 제 2 프로텍션 집적회로 소자를 포함한다.A battery protection circuit module according to one aspect of the present invention includes a first terminal and a second terminal electrically connected to an electrode terminal of a battery bare cell, a third terminal and a fourth terminal electrically connected to the charger or the electronic device, At least one first transistor connected between at least one of the first terminal and the second terminal and at least one of the third terminal and the fourth terminal, and a first protection integrated circuit for controlling the at least one first transistor, And at least one of the first terminal and the second terminal and at least one of the third terminal and the fourth terminal and is connected in series with the at least one first transistor And a second protection integrated circuit device for controlling the second transistor.

상기 배터리 보호회로 모듈에 있어서, 상기 적어도 하나의 제 1 트랜지스터는 서로 직렬 연결된 제 1 전계효과 트랜지스터 및 제 2 전계효과 트랜지스터를 포함할 수 있다.In the battery protection circuit module, the at least one first transistor may include a first field effect transistor and a second field effect transistor connected in series with each other.

상기 배터리 보호회로 모듈에 있어서, 상기 제 1 보호회로 유닛은 제 1 프로텍션 집적회로 소자와 접속되는 적어도 하나의 제 1 수동소자를 더 포함할 수 있다.In the battery protection circuit module, the first protection circuit unit may further include at least one first passive element connected to the first protection integrated circuit element.

상기 배터리 보호회로 모듈에 있어서, 상기 적어도 하나의 제 2 트랜지스터는 서로 직렬 연결된 제 3 전계효과 트랜지스터 및 제 4 전계효과 트랜지스터를 포함할 수 있다.In the battery protection circuit module, the at least one second transistor may include a third field effect transistor and a fourth field effect transistor connected in series with each other.

상기 배터리 보호회로 모듈에 있어서, 상기 제 2 보호회로 유닛은 제 2 프로텍션 집적회로 소자와 접속되는 적어도 하나의 제 2 수동소자를 더 포함할 수 있다.In the battery protection circuit module, the second protection circuit unit may further include at least one second passive element connected to the second protection integrated circuit element.

상기 배터리 보호회로 모듈에 있어서, 상기 제 1 보호회로 유닛 및 상기 제 2 보호회로 유닛 둘 중 적어도 하나의 유닛은 피티씨 써미스터를 대체하도록 과전류 보호용으로 동작할 수 있다.In the battery protection circuit module, at least one of the first protection circuit unit and the second protection circuit unit may operate as an overcurrent protection to replace the Pittsy thermistor.

상기 배터리 보호회로 모듈에 있어서, 제 1 보호회로 유닛에서 상기 제 1 프로텍션 집적회로 소자는 상기 배터리 베어셀의 과충전 및/또는 과방전을 제어하도록 상기 적어도 하나의 제 1 트랜지스터를 제어하고, 상기 제 2 보호회로 유닛에서 상기 2 프로텍션 집적회로 소자는 상기 배터리 베어셀로 흐르는 과전류를 차단하도록 상기 적어도 하나의 제 2 트랜지스터를 제어할 수 있다.Wherein the first protection integrated circuit element in the first protection circuit unit controls the at least one first transistor to control overcharge and / or overdischarge of the battery bare cell, In the protection circuit unit, the two protection integrated circuit element may control the at least one second transistor to block an overcurrent flowing to the battery bare cell.

상기 배터리 보호회로 모듈에 있어서, 제 1 보호회로 유닛과 제 2 보호회로 유닛은 서로 동일한 배치의 소자들로 구성될 수 있다.In the battery protection circuit module, the first protection circuit unit and the second protection circuit unit may be composed of the same arrangement of elements.

본 발명의 다른 관점에 따른 배터리 팩은, 배터리 베어셀과, 상기 배터리 베어셀과 접속되는 배터리 보호회로 모듈을 포함한다. 상기 배터리 보호회로 모듈은, 상기 배터리 베어셀의 전극단자와 전기적으로 연결되는 제 1 단자 및 제 2 단자와, 충전기 또는 전자기기에 전기적으로 연결되는 제 3 단자 및 제 4 단자와, 상기 제 1 단자 또는 제 2 단자 중 적어도 하나와 상기 제 3 단자 및 제 4 단자 중 적어도 하나 사이에 접속되는 적어도 하나의 제 1 트랜지스터, 및 상기 적어도 하나의 제 1 트랜지스터를 제어하기 위한 제 1 프로텍션 집적회로 소자를 포함하는, 제 1 보호회로 유닛과, 상기 제 1 단자 또는 제 2 단자 중 적어도 하나와 상기 제 3 단자 및 제 4 단자 중 적어도 하나 사이에 접속되며 상기 적어도 하나의 제 1 트랜지스터와 직렬 연결되는 적어도 하나의 제 2 트랜지스터, 및 상기 제 2 트랜지스터를 제어하기 위한 제 2 프로텍션 집적회로 소자를 포함하는, 제 2 보호회로 유닛을 포함한다. A battery pack according to another aspect of the present invention includes a battery bare cell and a battery protection circuit module connected to the battery bare cell. The battery protection circuit module includes a first terminal and a second terminal electrically connected to the electrode terminal of the battery bare cell, a third terminal and a fourth terminal electrically connected to the charger or the electronic device, Or at least one of the second terminals and at least one of the third terminal and the fourth terminal, and a first protection integrated circuit element for controlling the at least one first transistor And at least one first protection circuit unit connected between at least one of the first terminal and the second terminal and at least one of the third terminal and the fourth terminal and connected in series with the at least one first transistor, And a second protection integrated circuit element for controlling the first transistor, the second transistor, and the second transistor. .

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 실시예들에 따르면, 과전류 및 과열을 효과적으로 방지할 수 있는 배터리 보호회로와 이를 저비용으로 컴팩트하게 구현할 수 있는 배터리 보호회로 패키지를 제공할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to the embodiments of the present invention described above, it is possible to provide a battery protection circuit that can effectively prevent overcurrent and overheating, and a battery protection circuit package that can be compactly implemented at a low cost. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리 보호회로 모듈을 보여주는 개략적인 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리 보호회로 모듈을 보여주는 개략적인 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리 팩을 보여주는 사시도이다.
1 is a schematic circuit diagram showing a battery protection circuit module according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic perspective view illustrating a battery protection circuit module according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view illustrating a battery pack according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified in various other forms, The present invention is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of explanation.

본 발명의 실시예들에서, 리드프레임은 금속 프레임에 리드 단자들이 패터닝 된 구성으로서, 절연코어 상에 금속 배선층이 형성된 인쇄회로기판과는 그 구조나 두께 등에서 구분될 수 있다.In the embodiments of the present invention, the lead frame may be divided into a structure in which the lead terminals are patterned on the metal frame, and a structure and thickness of the lead frame are different from those of the printed circuit board on which the metal wiring layer is formed.

본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 참조부호에 대하여, 배터리 보호회로의 관점에서는 회로의 개념으로 설명할 수 있으나, 배터리 보호회로 패키지의 관점에서는 소자나 회로부품의 개념으로 설명할 수 있다. In describing embodiments of the present invention, the same reference numerals can be used to describe the concept of a circuit from the viewpoint of a battery protection circuit, but the concept of a device or a circuit part can be described from the viewpoint of a battery protection circuit package.

본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서, 집적회로(IC, integrated circuit)는 특정의 복잡한 기능을 처리하기 위해 많은 소자를 하나의 칩 안에 집적화한 전자부품을 의미할 수 있다.In describing embodiments of the present invention, an integrated circuit (IC) may mean an electronic component in which many devices are integrated into one chip to process a specific complicated function.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리 보호회로 모듈을 보여주는 개략적인 회로도이다.1 is a schematic circuit diagram showing a battery protection circuit module according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 이 실시예에 따른 배터리 보호회로 모듈은 배터리 베어셀의 전극단자와 전기적으로 연결되는 제 1 단자(102)와 제 2 단자(104)와, 충전기 또는 전자기기에 전기적으로 연결되는 제 3 단자(106)와 제 4 단자(108)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 단자(102)는 배터리 팩 내부의 배터리 베어셀의 양극과 연결되는 내부 양극 단자(B+)이고, 제 2 단자(104)는 배터리 베어셀의 음극과 연결되는 내브 음극 단자(B-)이고, 제 3 단자(106)는 배터리 팩 외부의 충전기 또는 전자기기의 양극에 연결되는 외부 양극 단자(P+)이고, 제 4 단자(108)는 충전기 또는 전자기기의 음극에 연결되는 외부 음극 단자(P-)일 수 있다.Referring to FIG. 1, a battery protection circuit module according to this embodiment of the present invention includes a first terminal 102 and a second terminal 104 electrically connected to an electrode terminal of a battery bare cell, And may include a third terminal 106 and a fourth terminal 108 electrically connected to each other. For example, the first terminal 102 is an internal positive terminal B + connected to the positive terminal of the battery bare cell in the battery pack, and the second terminal 104 is connected to the negative terminal of the battery bare cell B-), the third terminal 106 is an external positive terminal (P +) connected to the charger of the battery pack or the positive electrode of the electronic device and the fourth terminal 108 is connected to the charger or the external May be a negative terminal (P-).

나아가, 도면에서 도시되지 않았으나, 본 발명의 일부 실시예에 따른 배터리 보호회로 모듈은 별도의 추가적인 외부 연결 단자를 더 포함할 수 있다.Further, although not shown in the drawings, the battery protection circuit module according to some embodiments of the present invention may further include a separate additional external connection terminal.

제 1 보호회로 유닛(110)은 제 1 단자(102) 또는 제 2 단자(104) 중 적어도 하나와 제 3 단자(106) 및 제 4 단자(108) 중 적어도 하나 사이에 접속되는 적어도 하나의 제 1 트랜지스터(112)와, 제 1 트랜지스터(112)를 제어하기 위한 제 1 프로텍션 집적회로 소자(118)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 트랜지스터(112)는 제 2 단자(104)와 제 4 단자(108) 사이에 접속되고, 제 1 프로텍션 집적회로 소자(118)는 이러한 제 1 트랜지스터(112)를 제어하도록 적어도 제 1 트랜지스터(112)의 게이트 단자에 전기적으로 연결될 수 있다.The first protection circuit unit 110 may include at least one of the first terminal 102 and the second terminal 104 connected between at least one of the first terminal 102 and the second terminal 104 and at least one of the third terminal 106 and the fourth terminal 108. [ 1 transistor 112 and a first protection integrated circuit device 118 for controlling the first transistor 112. [ For example, the first transistor 112 is connected between the second terminal 104 and the fourth terminal 108, and the first protection integrated circuit device 118 is at least And may be electrically connected to the gate terminal of the first transistor 112.

제 2 보호회로 유닛(120)은 제 1 단자(102) 또는 제 2 단자(104) 중 적어도 하나와 제 3 단자(106) 및 제 4 단자(108) 중 적어도 하나 사이에 접속되는 적어도 하나의 제 2 트랜지스터(122)와, 제 2 트랜지스터(122)를 제어하기 위한 제 2 프로텍션 집적회로 소자(128)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 트랜지스터(122)는 제 2 단자(104)와 제 4 단자(108) 사이에 접속되고, 제 2 프로텍션 집적회로 소자(128)는 이러한 제 2 트랜지스터(122)를 제어하도록 적어도 제 2 트랜지스터(122)의 게이트 단자에 전기적으로 연결될 수 있다. 나아가, 제 1 트랜지스터(112)와 제 2 트랜지스터(122)는 서로 직렬로 연결될 수 있다. The second protection circuit unit 120 includes at least one of the first terminal 102 and the second terminal 104 connected between at least one of the third terminal 106 and the fourth terminal 108, 2 transistor 122 and a second protection integrated circuit device 128 for controlling the second transistor 122. [ For example, the second transistor 122 is connected between the second terminal 104 and the fourth terminal 108, and the second protection integrated circuit device 128 is connected between the second terminal 104 and the fourth terminal 108, And may be electrically connected to the gate terminal of the second transistor 122. Furthermore, the first transistor 112 and the second transistor 122 may be connected in series with each other.

제 1 보호회로 유닛(110) 및/또는 제 2 보호회로 유닛(120)은 배터리의 과방전, 과충전 및/또는 과전류를 감지하여 배터리 베어셀의 충방전 또는 동작을 차단할 수 있다. 제 1 보호회로 유닛(110)과 제 2 보호회로 유닛(120)은 서로 보완적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 제 1 보호회로 유닛(110)과 제 2 보호회로 유닛(120)은 직렬로 구성되어 동일하게 배터리의 과방전, 과충전 및/또는 과전류를 감지하여 배터리 베어셀의 충방전 또는 동작을 차단하도록 동작할 수 있다. 이에 따라, 제 1 보호회로 유닛(110)과 제 2 보호회로 유닛(120) 중 어느 하나에 문제가 발생하더라도 다른 하나를 이용하여 이중으로 배터리를 보호할 수 있다.The first protection circuit unit 110 and / or the second protection circuit unit 120 may sense overdischarge, overcharge, and / or overcurrent of the battery to shut off the charge / discharge or operation of the battery bare cell. The first protection circuit unit 110 and the second protection circuit unit 120 may be used complementarily. For example, the first protection circuit unit 110 and the second protection circuit unit 120 are configured in series to sense over-discharge, overcharge, and / or over-current of the battery to charge / Lt; / RTI > Accordingly, even if a problem occurs in any one of the first protection circuit unit 110 and the second protection circuit unit 120, the battery can be doubly protected using the other one.

다른 예로, 제 1 보호회로 유닛(110)과 제 2 보호회로 유닛(120)은 서로 기능적으로 구분되어 사용될 수도 있다. 이 경우, 제 1 보호회로 유닛(110)과 제 2 보호회로 유닛(120) 중 적어도 하나의 유닛은 종래의 과전류 보호용 장치, 예컨대 피티씨(PTC) 써미스터를 대체하도록 동작할 수 있다. 예를 들어, 제 1 보호회로 유닛(110)과 제 2 보호회로 유닛(120) 중 하나는 배터리의 과방전과 과충전을 제어하고, 다른 하나는 과전류를 감지하도록 제어할 수 있다.As another example, the first protection circuit unit 110 and the second protection circuit unit 120 may be functionally separated from each other. In this case, at least one of the first protection circuit unit 110 and the second protection circuit unit 120 may be operated to replace a conventional overcurrent protection device, for example, a PTC thermistor. For example, one of the first protection circuit unit 110 and the second protection circuit unit 120 can control over discharge and overcharge of the battery and the other to sense over current.

구체적으로, 제 1 보호회로 유닛(110)에서 제 1 프로텍션 집적회로 소자(118)는 배터리 베어셀의 과충전 및/또는 과방전을 제어하도록 제 1 트랜지스터(112)를 제어하고, 제 2 보호회로 유닛(120)에서 제 2 프로텍션 집적회로 소자(128)는 배터리 베어셀로 흐르는 과전류를 차단하도록 제 2 트랜지스터(122)를 제어할 수 있다. 다른 예로, 제 2 보호회로 유닛(120)에서 제 2 프로텍션 집적회로 소자(128)는 배터리 베어셀의 과충전 및/또는 과방전을 제어하도록 제 2 트랜지스터(122)를 제어하고, 제 1 보호회로 유닛(110)에서 제 1 프로텍션 집적회로 소자(118)는 배터리 베어셀로 흐르는 과전류를 차단하도록 제 1 트랜지스터(112)를 제어할 수 있다.Specifically, in the first protection circuit unit 110, the first protection integrated circuit element 118 controls the first transistor 112 to control overcharge and / or overdischarge of the battery bare cell, The second protection integrated circuit device 128 may control the second transistor 122 to block an overcurrent flowing to the battery bare cell. As another example, in the second protection circuit unit 120, the second protection integrated circuit element 128 controls the second transistor 122 to control overcharge and / or overdischarge of the battery bare cell, The first protection integrated circuit device 118 may control the first transistor 112 to block the overcurrent flowing to the battery bare cell.

이하에서는 제 1 보호회로 유닛(110)의 구성 및 동작을 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of the first protection circuit unit 110 will be described in more detail.

제 1 트랜지스터(112)는 서로 직렬 연결된 제 1 전계효과 트랜지스터(114) 및 제 2 전계효과 트랜지스터(116)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 전계효과 트랜지스터(114)와 제 2 전계효과 트랜지스터(116)는 서로 동일한 타입, 예컨대 N타입 모스펫(NMOSFET)일 수 있고, 제 2 단자(104)와 제 4 단자(116) 사이의 노드(n5)에서 서로 드레인(drain)을 공유하도록 직렬 연결될 수 있다. 이에 따라, 제 1 전계효과 트랜지스터(114)와 제 2 전계효과 트랜지스터(116)의 드레인과 소스 사이에는 적어도 하나의 역방향의 다이오드가 구성되어, 제 2 단자(104)와 제 4 단자(116)의 전류 흐름을 제어할 수 있게 된다.The first transistor 112 may include a first field effect transistor 114 and a second field effect transistor 116 connected in series with each other. For example, the first field effect transistor 114 and the second field effect transistor 116 may be the same type, for example, an N type MOSFET (NMOSFET), and the second terminal 104 and the fourth terminal 116 may be of the same type, May be serially connected so as to share a drain with each other at a node n5 between them. Thereby, at least one reverse diode is formed between the drain and the source of the first field effect transistor 114 and the second field effect transistor 116, so that the second terminal 104 and the fourth terminal 116 The current flow can be controlled.

제 1 프로텍션 집적회로 소자(118)는 제 1 트랜지스터(112), 예컨대 제 1 전계효과 트랜지스터(114) 및 제 2 전계효과 트랜지스터(116)를 제어하는 제어로직을 내부에 포함할 수 있다. 예를 들어, 제어로직은 기준전압 설정부, 기준전압과 충방전 전압을 비교하기 위한 비교부, 과전류 검출부, 충방전 검출부를 포함할 수 있다. 충전 및 방전상태의 판단 기준은 유저가 요구하는 스펙(SPEC)으로 변경이 가능하며 그 정해진 기준에 따라 제 1 프로텍션 집적회로 소자(118)의 각 단자별 전압차를 인지하여 충ㆍ방전상태를 판정한다. 예를 들어, 제 1 프로텍션 집적회로 소자(118)는 제어로직을 출력하기 위해서, 기준단자(Vss), 전원단자(Vdd), 감지단자(V-), 방전차단신호출력단자(Dout) 및 충전차단신호출력단자(Cout)를 포함할 수 있다.The first protection integrated circuit device 118 may include control logic to control the first transistor 112, e.g., the first field effect transistor 114 and the second field effect transistor 116. For example, the control logic may include a reference voltage setting unit, a comparison unit for comparing the reference voltage with the charge / discharge voltage, an overcurrent detection unit, and a charge / discharge detection unit. The charging and discharging state determination criteria can be changed to the SPEC requested by the user. The voltage difference of each terminal of the first protection integrated circuit element 118 is recognized according to the predetermined standard to determine the charge / discharge state do. For example, the first protection integrated circuit device 118 includes a reference terminal Vss, a power supply terminal Vdd, a detection terminal V-, a discharge cutoff signal output terminal Dout, And a blocking signal output terminal (Cout).

제 1 프로텍션 집적회로 소자(118)는 적어도 하나의 수동소자를 개재하여 노드(n1, n3, n7)에 연결될 수 있다. 예컨대, 전원단자(vdd)는 저항(R11)을 개재하여 제 1 단자(102)와 제 2 단자(106) 사이의 노드(n1)에 접속되고, 기준단자(Vss)는 제 2 단자(104)와 제 4 단자(108) 사이의 노드(n3)에 접속될 수 있다. 노드(n1)와 노드(n3) 사이의 기준단자(Vss)와 전원단자(Vdd) 사이에는 두 노드(n1, n3) 사이의 단락을 방지하기 위해서 커패시터(C11)가 개재될 수 있다. 감지단자(V-)는 저항(R12)을 개재하여 노드(n7)에 접속될 수 있다.The first protection integrated circuit device 118 may be connected to the nodes n1, n3, n7 via at least one passive element. For example, the power supply terminal vdd is connected to the node n1 between the first terminal 102 and the second terminal 106 via the resistor R11, the reference terminal Vss is connected to the second terminal 104, And the node n3 between the fourth terminal 108 and the fourth terminal 108. [ A capacitor C11 may be interposed between the reference terminal Vss and the power supply terminal Vdd between the node n1 and the node n3 to prevent a short circuit between the two nodes n1 and n3. The sensing terminal V- can be connected to the node n7 via the resistor R12.

이러한 구성에 따르면, 제 1 프로텍션 집적회로 소자(118)는 기준단자(Vss)의 전압을 기준으로, 전원단자(Vdd)를 통해서 충전전압 또는 방전전압을 인가할 수 있고, 감지단자(V-)를 통해서 충방전 및 과전류 상태를 감지할 수 있다. According to this configuration, the first protection integrated circuit device 118 can apply the charging voltage or the discharging voltage through the power supply terminal Vdd based on the voltage of the reference terminal Vss, Charge / discharge and over-current state can be detected.

방전차단신호출력단자(Dout)는 배터리의 방전시 제 1 트랜지스터(112)의 온-오프(on-off)를 제어하기 위해서, 제 1 전계효과 트랜지스터(114)의 게이트에 접속될 수 있다. 충전차단신호출력단자(Cout)는 배터리의 충전시 제 1 트랜지스터(112)의 온-오프(on-off)를 제어하기 위해서, 제 2 전계효과 트랜지스터(116)의 게이트에 접속될 수 있다.The discharge cut-off signal output terminal Dout may be connected to the gate of the first field effect transistor 114 to control the on-off of the first transistor 112 during the discharge of the battery. The charge cutoff signal output terminal Cout may be connected to the gate of the second field effect transistor 116 to control the on-off of the first transistor 112 when the battery is charged.

배터리의 충전 시 충전전류는 제 3 단자(106)로부터 제 1 단자(102) 방향으로, 그리고 제 2 단자(104)로부터 제 4 단자(108) 방향으로 흐르게 된다. 배터리의 방전 시 방전전류는 제 1 단자(102)로부터 제 3 단자(106) 방향 그리고, 제 4 단자(108)로부터 제 2 단자(104) 방향으로 흐르게 된다.The charging current flows from the third terminal 106 to the first terminal 102 and from the second terminal 104 to the fourth terminal 108 when the battery is charged. The discharging current flows from the first terminal 102 to the third terminal 106 and from the fourth terminal 108 to the second terminal 104 when the battery is discharged.

제 1 프로텍션 집적회로 소자(118)는 배터리 방전 시에 과전류 또는 과방전 상태를 감지하면, 방전차단신호출력단자(Dout)를 통해 로우(LOW) 신호를 출력하여 제 1 전계효과 트랜지스터(114)를 오프 시키고, 배터리 충전 시에 과전류 또는 과충전 상태를 감지하면 충전차단신호출력단자(Cout)를 통해서 로우(LOW) 신호를 출력하여 제 2 전계효과 트랜지스터(116)를 오프 시키도록 동작할 수 있다. 이에 따라, 서로 직렬 연결된 제 1 전계효과 트랜지스터(114)와 제 2 전계효과 트랜지스터(116) 중 적어도 하나가 오프되게 됨에 따라서, 제 2 단자(104)에서 제 4 단자(108) 사이의 회로가 차단되어 배터리의 과충전, 과방전 및/또는 과전류가 차단될 수 있다.When the first protection integrated circuit device 118 senses an overcurrent or an overdischarge state during battery discharge, the first protection integrated circuit device 118 outputs a low signal through the discharge cutoff signal output terminal Dout to output the first field effect transistor 114 Off state or an overcharged state at the time of charging the battery, the second field effect transistor 116 may be operated to output a low signal through the charge cutoff signal output terminal Cout to turn off the second field effect transistor 116. Accordingly, as at least one of the first field effect transistor 114 and the second field effect transistor 116 connected in series is turned off, the circuit between the second terminal 104 and the fourth terminal 108 is cut off Overcharging, overdischarging and / or overcurrent of the battery may be interrupted.

저항(R11)과 커패시터(C11)는 제 1 프로텍션 집적회로 소자(118)의 공급전원의 변동을 안정시키는 역할을 한다. 저항(R11)의 저항값을 크게 하면 전압 검출 시 제 1 프로텍션 집적회로 소자(118) 내부에 침투되는 전류에 의해서 검출전압이 높아지기 때문에 저항(R11)의 저항값은 소정의 값, 예컨대 1KΩ 이하의 값으로 설정될 수 있다. 또한, 안정된 동작을 위해서 커패시터(C11)의 용량값은 적절하게 조절될 수 있고, 예컨대 0.01μF 이상의 적당한 값을 가질 수 있다.The resistor R11 and the capacitor C11 serve to stabilize the variation of the power supply of the first protection integrated circuit device 118. [ When the resistance value of the resistor R11 is increased, the detection voltage becomes higher due to the current penetrated into the first protection integrated circuit element 118 at the time of voltage detection. Therefore, the resistance value of the resistor R11 is set to a predetermined value, Lt; / RTI > Also, for stable operation, the capacitance value of the capacitor C11 may be appropriately adjusted, and may have an appropriate value of, for example, 0.01 mu F or more.

저항(R11), 저항(R12)은 제 1 프로텍션 집적회로 소자(118)의 절대 최대정격을 초과하는 고전압 충전기 또는 충전기가 거꾸로 연결되는 경우 전류 제한 저항이 된다. 저항(R11), 저항(R12)은 전원소비의 원인이 될 수 있으므로 통상적으로 저항(R11)에서의 저항값과 저항(R12)에서의 저항값의 합은 1KΩ 보다 크게 설정될 수 있다. 저항(R12)의 저항값이 너무 크다면 과충전 차단 후에 복귀가 일어나지 않을 수 있으므로, 저항(R12)의 저항값은 10KΩ 또는 그 이하의 값으로 설정될 수 있다.The resistor R11 and the resistor R12 become current limiting resistors when the high voltage charger or charger exceeding the absolute maximum rating of the first protection integrated circuit element 118 is connected upside down. Since the resistor R11 and the resistor R12 may cause power consumption, the sum of the resistance value in the resistor R11 and the resistance value in the resistor R12 may be set to be larger than 1 KΩ. If the resistance value of the resistor R12 is too large, the resistance value of the resistor R12 may be set to a value of 10K or less since the return may not occur after the overcharge cutoff.

커패시터(C11)는 배터리 보호회로 제품의 특성에 크게 영향을 끼치지는 않지만, 유저의 요청이나 안정성을 위해 추가되고 있다. 커패시터(C11)는 전압변동이나 외부 노이즈에 대한 내성을 향상시켜 시스템을 안정화시키는 효과를 위한 것이다.The capacitor C11 does not significantly affect the characteristics of the battery protection circuit product but is added for user's request or stability. The capacitor C11 is for stabilizing the system by improving resistance to voltage fluctuation and external noise.

선택적으로, 도면에 도시되지 않았으나, ESD(Electrostatic Discharge), 서지(surge) 보호를 위하여, 저항 및 배리스터가 서로 병렬 연결되는 구조가 부가될 수 있다. 배리스터 소자는 과전압 발생시 저항이 낮아지는 소자로, 과전압이 발생되는 경우 저항이 낮아져 과전압으로 인한 회로손상 등을 최소화할 수 있다. 전술한 제 1 보호회로 유닛(110)에서 수동소자의 수나 배치는 부가 기능에 따라서 적절하게 변형될 수 있다.Alternatively, although not shown in the drawing, a structure in which a resistor and a varistor are connected in parallel may be added for ESD (Electrostatic Discharge) and surge protection. The varistor device has a low resistance when overvoltage is generated. When the overvoltage is generated, the resistance is lowered to minimize circuit damage due to overvoltage. The number or arrangement of the passive elements in the first protection circuit unit 110 described above can be appropriately modified in accordance with the additional function.

이하에서는 제 2 보호회로 유닛(120)의 구성 및 동작을 보다 구체적으로 설명한다. 예를 들어, 제 1 보호회로 유닛(110)과 제 2 보호회로 유닛(120)은 동일 또는 유사한 회로배치의 소자들로 구성될 수 있고, 이 경우 중복되는 설명은 생략한다.Hereinafter, the configuration and operation of the second protection circuit unit 120 will be described in more detail. For example, the first protection circuit unit 110 and the second protection circuit unit 120 may be composed of elements having the same or similar circuit layout, and redundant description is omitted in this case.

제 2 트랜지스터(122)는 서로 직렬 연결된 제 3 전계효과 트랜지스터(124) 및 제 4 전계효과 트랜지스터(126)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 3 전계효과 트랜지스터(124)와 제 4 전계효과 트랜지스터(126)는 서로 동일한 타입, 예컨대 N타입 모스펫(NMOSFET)일 수 있고, 제 2 단자(104)와 제 4 단자(116) 사이의 노드(n6)에서 서로 드레인(drain)을 공유하도록 직렬 연결될 수 있다. 이에 따라, 제 3 전계효과 트랜지스터(124)와 제 4 전계효과 트랜지스터(126)의 드레인과 소스 사이에는 적어도 하나의 역방향의 다이오드가 구성되어, 제 2 단자(104)와 제 4 단자(116)의 전류 흐름을 제어할 수 있게 된다.The second transistor 122 may include a third field effect transistor 124 and a fourth field effect transistor 126 connected in series with each other. For example, the third field effect transistor 124 and the fourth field effect transistor 126 may be the same type, for example, an N type MOSFET (NMOSFET), and the second terminal 104 and the fourth terminal 116 may be of the same type, To share a drain with each other at a node n6 between them. Thereby, at least one reverse diode is formed between the drain and the source of the third field effect transistor 124 and the fourth field effect transistor 126, so that the second terminal 104 and the fourth terminal 116 The current flow can be controlled.

제 2 프로텍션 집적회로 소자(128)는 제 2 트랜지스터(122), 예컨대 제 3 전계효과 트랜지스터(124) 및 제 4 전계효과 트랜지스터(126)를 제어하는 제어로직을 내부에 포함할 수 있다. 예를 들어, 제어로직은 기준전압 설정부, 기준전압과 충방전 전압을 비교하기 위한 비교부, 과전류 검출부, 충방전 검출부를 포함할 수 있다.예를 들어, 제 2 프로텍션 집적회로 소자(128)는 제어로직을 출력하기 위해서, 기준단자(Vss), 전원단자(Vdd), 감지단자(V-), 방전차단신호출력단자(Dout) 및 충전차단신호출력단자(Cout)를 포함할 수 있다.The second protection integrated circuit device 128 may include control logic to control the second transistor 122, e.g., the third field effect transistor 124 and the fourth field effect transistor 126. For example, the control logic may include a reference voltage setting unit, a comparison unit for comparing the reference voltage with the charge / discharge voltage, an overcurrent detection unit, and a charge / discharge detection unit. For example, the second protection integrated circuit device 128, May include a reference terminal Vss, a power supply terminal Vdd, a sensing terminal V-, a discharge cutoff signal output terminal Dout, and a charge cutoff signal output terminal Cout in order to output control logic.

제 2 프로텍션 집적회로 소자(128)는 적어도 하나의 수동소자를 개재하여 노드(n2, n4, n8)에 연결될 수 있다. 예컨대, 전원단자(vdd)는 저항(R21)을 개재하여 제 1 단자(102)와 제 2 단자(106) 사이의 노드(n2)에 접속되고, 기준단자(Vss)는 제 2 단자(104)와 제 4 단자(108) 사이의 노드(n4)에 접속될 수 있다. 노드(n2)와 노드(n4) 사이의 기준단자(Vss)와 전원단자(Vdd) 사이에는 두 노드(n2, n4) 사이의 단락을 방지하기 위해서 커패시터(C21)가 개재될 수 있다. 감지단자(V-)는 저항(R22)을 개재하여 노드(n8)에 접속될 수 있다.The second protection integrated circuit device 128 may be connected to the nodes n2, n4 and n8 via at least one passive element. For example, the power supply terminal vdd is connected to the node n2 between the first terminal 102 and the second terminal 106 via the resistor R21, the reference terminal Vss is connected to the second terminal 104, And the node n4 between the fourth terminal 108 and the fourth terminal 108. [ A capacitor C21 may be interposed between the reference terminal Vss and the power supply terminal Vdd between the node n2 and the node n4 to prevent a short circuit between the two nodes n2 and n4. The sensing terminal V- can be connected to the node n8 via the resistor R22.

이러한 구성에 따르면, 제 2 프로텍션 집적회로 소자(128)는 기준단자(Vss)의 전압을 기준으로, 전원단자(Vdd)를 통해서 충전전압 또는 방전전압을 인가할 수 있고, 감지단자(V-)를 통해서 충방전 및 과전류 상태를 감지할 수 있다. 제 2 프로텍션 집적회로 소자(128)는 그 기능의 유사성으로 인해서 제 1 프로텍션 집적회로 소자(118)와 동일한 구조로 제조될 수 있으나, 서로 부가기능을 달리하는 경우 일부 차이가 나게 제조될 수도 있다.According to this configuration, the second protection integrated circuit device 128 can apply the charging voltage or the discharging voltage through the power supply terminal Vdd based on the voltage of the reference terminal Vss, Charge / discharge and over-current state can be detected. The second protection integrated circuit device 128 may be manufactured to have the same structure as the first protection integrated circuit device 118 due to the similarity of the functions thereof, but may be manufactured to have some differences when the additional protection functions are different from each other.

방전차단신호출력단자(Dout)는 배터리의 방전시 제 2 트랜지스터(122)의 온-오프(on-off)를 제어하기 위해서, 제 3 전계효과 트랜지스터(124)의 게이트에 접속될 수 있다. 충전차단신호출력단자(Cout)는 배터리의 충전시 제 2 트랜지스터(122)의 온-오프(on-off)를 제어하기 위해서, 제 4 전계효과 트랜지스터(126)의 게이트에 접속될 수 있다.The discharge cutoff signal output terminal Dout may be connected to the gate of the third field effect transistor 124 to control the on-off of the second transistor 122 at the time of discharging the battery. The charge cutoff signal output terminal Cout may be connected to the gate of the fourth field effect transistor 126 to control the on-off of the second transistor 122 upon charging of the battery.

제 2 프로텍션 집적회로 소자(128)는 배터리 방전 시에 과전류 또는 과방전 상태를 감지하면, 방전차단신호출력단자(Dout)를 통해 로우(LOW) 신호를 출력하여 제 3 전계효과 트랜지스터(124)를 오프 시키고, 배터리 충전 시에 과전류 또는 과충전 상태를 감지하면 충전차단신호출력단자(Cout)를 통해서 로우(LOW) 신호를 출력하여 제 4 전계효과 트랜지스터(126)를 오프 시키도록 동작할 수 있다. 이에 따라, 서로 직렬 연결된 제 3 전계효과 트랜지스터(124)와 제 4 전계효과 트랜지스터(126) 중 적어도 하나가 오프되게 됨에 따라서, 제 2 단자(104)에서 제 4 단자(108) 사이의 회로가 차단되어 배터리의 과충전, 과방전 및/또는 과전류가 차단될 수 있다.The second protection integrated circuit device 128 outputs a low signal through the discharge cutoff signal output terminal Dout to generate the third field effect transistor 124 when the overcurrent or overdischarge state is detected during battery discharge. Off state or an overcharged state at the time of charging the battery, and outputs a low signal through the charge cut-off signal output terminal Cout to turn off the fourth field-effect transistor 126. Thus, as at least one of the third field effect transistor 124 and the fourth field effect transistor 126 connected in series is turned off, the circuit between the second terminal 104 and the fourth terminal 108 is cut off Overcharging, overdischarging and / or overcurrent of the battery may be interrupted.

저항(R21, R22)과 커패시터(C21)은 제 1 보호회로 유닛(110)의 저항(R11, R12)과 커패시터(C11)을 참조할 수 있고, 따라서 중복된 설명은 생략된다. 다만, 제 2 보호회로 유닛(120)에서 저항(R21, R22)과 커패시터(C21) 값은 제 1 보호회로 유닛(110)의 저항(R11, R12)과 커패시터(C11) 값과 같을 수도 있고, 미세 조정을 위해서 다를 수도 있다.The resistors R21 and R22 and the capacitor C21 can refer to the resistors R11 and R12 of the first protection circuit unit 110 and the capacitor C11 and therefore redundant description is omitted. The values of the resistors R21 and R22 and the capacitor C21 in the second protection circuit unit 120 may be equal to the values of the resistors R11 and R12 of the first protection circuit unit 110 and the value of the capacitor C11, It may be different for fine tuning.

선택적으로, 도면에 도시되지 않았으나, ESD(Electrostatic Discharge), 서지(surge) 보호를 위하여, 저항 및 배리스터가 서로 병렬 연결되는 구조가 부가될 수 있다. 전술한 제 2 보호회로 유닛(120)에서 수동소자의 수나 배치는 부가 기능에 따라서 적절하게 변형될 수 있다.Alternatively, although not shown in the drawing, a structure in which a resistor and a varistor are connected in parallel may be added for ESD (Electrostatic Discharge) and surge protection. The number or arrangement of the passive elements in the second protection circuit unit 120 described above can be appropriately modified in accordance with the additional function.

전술한 본 발명의 듀얼 보호회로 구성에 따르면, 배터리 베어셀을 제 1 및 제 2 보호회로 유닛(110, 120)의 이중 보호 구조를 이용하여 보호하게 됨에 따라서, 종래의 과전류 또는 과열 보호 장치, 예컨대 PTC 써미스터 또는 바이메탈 접합구조 등을 생략할 수 있어서, 그 전체 부피를 줄일 수 있다. 제 1 및 제 2 보호회로 유닛(110, 120)은 반도체칩으로 구현 가능하기 때문에 실리콘 공정 기술을 이용하면 마이크로 내지 나노 미터 단위로 미소하게 제작할 수 있기 때문이다. According to the dual protection circuit configuration of the present invention, since the battery bare cell is protected by using the double protection structure of the first and second protection circuit units 110 and 120, the conventional overcurrent or overheat protection device, The PTC thermistor or the bimetallic junction structure can be omitted, so that the total volume can be reduced. Since the first and second protection circuit units 110 and 120 can be realized as a semiconductor chip, it is possible to manufacture the protection circuit units in micro or nanometer units using a silicon process technology.

예를 들어, 제 1 프로텍션 집적회로 소자(118), 제 2 프로텍션 집적회로 소자, 제 1 내지 제 4 전계효과 트랜지스터(114, 116, 124, 126)를 모두 반도체칩으로 제조할 수 있을 뿐만 아니라 수동 소자들, 예컨대 저항들(R11, R12, R21, R22), 커패시터들(C11, C21)도 칩형태로 제조할 수 있다. 이러한 칩 구조는 표면실장기술을(surface mounting technology, SMT) 이용하여 용이하게 기판 상에 실장될 수 있다.For example, not only can the first protection integrated circuit device 118, the second protection integrated circuit device, and the first to fourth field effect transistors 114, 116, 124 and 126 be manufactured as semiconductor chips, Devices, such as resistors R11, R12, R21, R22, and capacitors C11, C21, may also be fabricated in chip form. Such a chip structure can be easily mounted on a substrate using surface mounting technology (SMT).

본 발명의 일부 실시예에서, 제 1 보호회로 유닛(110)과 제 2 보호회로 유닛(120)은 서로 거의 동일한 기능을 수행하면서 이중적으로 배터리 베어셀을 보호할 수 있다. 이 경우, 제 1 보호회로 유닛(110)과 제 2 보호회로 유닛(120)은 거의 동일한 회로소자와 회로배치를 가질 수 있다. In some embodiments of the present invention, the first protection circuit unit 110 and the second protection circuit unit 120 can protect the battery bare cell in a double manner while performing almost the same function as each other. In this case, the first protection circuit unit 110 and the second protection circuit unit 120 can have almost the same circuit elements and circuit arrangements.

본 발명의 다른 일부 실시예에서, 제 1 보호회로 유닛(110)과 제 2 보호회로 유닛(120)은 서로 동일 또는 유사한 기능을 수행하면서, 부가적으로 서로 다른 기능을 더 수행할 수도 있다. 이 경우, 제 1 보호회로 유닛(110)과 제 2 보호회로 유닛(120)은 대체로 유사한 회로소자와 회로배치를 갖되, 부가적인 차별점을 가질 수 있다.In some other embodiments of the present invention, the first protection circuit unit 110 and the second protection circuit unit 120 may perform additional or different functions while performing the same or similar functions with each other. In this case, the first protection circuit unit 110 and the second protection circuit unit 120 have substantially similar circuit elements and circuit arrangement, but may have additional distinction.

전술한 본 발명의 실시예들에서, 제 1 보호회로 유닛(110)과 제 2 보호회로 유닛(120)이 듀얼로 부가됨에 따라서, 종래 보다 NMOSFET의 수가 2배로 늘어 내부 저항이 증가할 수 있다. 이에 따라, 제 1 내지 제 4 전계효과 트랜지스터들(114, 116, 124, 126)은 종래보다 2 내지 3배 정도 크게 제조되어 종래 수준으로 내부 저항을 줄일 수도 있다. 다만, 이 경우에도 제 1 내지 제 4 전계효과 트랜지스터들(114, 116, 124, 126)의 크기 및 스펙은 동일할 수도 있고, 서로 다를 수도 있다.In the embodiments of the present invention described above, since the first protection circuit unit 110 and the second protection circuit unit 120 are dual-added, the number of NMOSFETs is doubled to increase the internal resistance. Accordingly, the first to fourth field-effect transistors 114, 116, 124, and 126 may be fabricated two to three times larger than conventional ones to reduce the internal resistance to a conventional level. In this case, however, the sizes and specifications of the first to fourth field effect transistors 114, 116, 124 and 126 may be the same or different from each other.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리 보호회로 모듈을 개략적으로 도시하는 사시도이다.2 is a perspective view schematically showing a battery protection circuit module according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 전술한 제 1 보호회로 유닛(110)과 제 2 보호회로 유닛(120)은 기판(50) 상에 실장될 수 있다. 예를 들어, 기판(50)은 인쇄회로기판 또는 리드프레임을 포함할 수 있다. 제 1 보호회로 유닛(110)과 제 2 보호회로 유닛(120)은 몰딩재(55)를 이용하여 하나의 패키지로 봉지될 수 있다.Referring to FIG. 2, the first protection circuit unit 110 and the second protection circuit unit 120 may be mounted on the substrate 50. For example, the substrate 50 may comprise a printed circuit board or a leadframe. The first protection circuit unit 110 and the second protection circuit unit 120 may be sealed in a single package using the molding material 55.

이 실시예의 변형된 예에서, 제 1 보호회로 유닛(110)과 제 2 보호회로 유닛(120)은 그 부피를 줄이기 위해서 각각 칩스케일 패키지(chip scale package, CSP) 형태로 기판(50) 상에 실장될 수도 있다. 이 경우, 제 1 보호회로 유닛(110)과 제 2 보호회로 유닛(120)는 각각 패키지화 되어 기판(50) 상에 실장될 수 있다.The first protection circuit unit 110 and the second protection circuit unit 120 are respectively formed on the substrate 50 in the form of a chip scale package (CSP) in order to reduce the volume thereof, And may be mounted. In this case, the first protection circuit unit 110 and the second protection circuit unit 120 may be packaged and mounted on the substrate 50, respectively.

이 실시예의 다른 변형된 예에서, 제 1 보호회로 유닛(110)에서 제 1 전계효과 트랜지스터(114), 제 2 전계효과 트랜지스터(116) 및 제 1 프로텍션 집적회로 소자(118)는 제 1 전계효과 트랜지스터(114)와 제 2 전계효과 트랜지스터(116) 상에 제 1 프로텍션 집적회로 소자(118)가 적층된 적층 패키지 구조나 또는 패키지-온-패키지(package on package, POP) 구조로 제조될 수 있다.In another variation of this embodiment, the first field effect transistor 114, the second field effect transistor 116 and the first protection integrated circuit element 118 in the first protection circuit unit 110 are connected to the first field effect transistor 114, Or a package on package (POP) structure in which a first protection integrated circuit element 118 is stacked on the transistor 114 and the second field effect transistor 116 .

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리 팩을 보여주는 개략적인 전개 사시도이다.3 is a schematic exploded perspective view showing a battery pack according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 배터리 캔(400) 내에 내장된 배터리 베어셀의 상부면과 상부케이스(500) 사이에 상술한 배터리 보호회로 모듈(300)이 삽입되어 배터리 팩(600)을 구성하게 된다. 상부케이스(500)는 플라스틱 및/또는 금속 재질로 외부연결단자들(P+, P-)이 노출될 수 있도록 대응되는 부분에 관통홀(550)이 형성되어 있다. Referring to FIG. 3, the battery protection circuit module 300 is inserted between the upper surface of the battery bare cell and the upper case 500, and the battery pack 600 is formed. The upper case 500 is formed with a through hole 550 in a portion corresponding to the external connection terminals P + and P- so that the external connection terminals P + and P- can be exposed by plastic and / or metal.

이러한 배터리 베어셀은 전극 조립체와 캡 조립체를 포함하여 구성된다. 전극 조립체는 양극 집전체에 양극 활물질을 도포해서 형성된 양극판, 음극 집전체에 음극 활물질을 도포해서 형성된 음극판 및 상기 양극판과 상기 음극판 사이에 개재되어 두 극판의 단락을 방지하고 리튬 이온의 이동을 가능하게 하는 세퍼레이터로 이루어질 수 있다. 전극 조립체에는 상기 양극판에 부착된 양극탭과 상기 음극판에 부착된 음극탭이 인출되어 있다. The battery bare cell includes an electrode assembly and a cap assembly. The electrode assembly includes a positive electrode plate formed by applying a positive electrode active material to a positive electrode collector, a negative electrode plate formed by applying a negative electrode active material to a negative electrode collector, and a negative electrode plate interposed between the positive electrode plate and the negative electrode plate, As shown in Fig. A positive electrode tab attached to the positive electrode plate and a negative electrode tab attached to the negative electrode plate are drawn out from the electrode assembly.

캡 조립체는 음극단자(410), 가스켓(420), 캡 플레이트(430) 등을 포함한다. 캡 플레이트(430)는 양극단자의 역할을 할 수 있다. 음극단자(410)는 음극셀 또는 전극셀로 명명될 수도 있다. 가스켓(420)은 음극단자(410)와 캡 플레이트(430)를 절연시키기 위하여 절연성 물질로 형성될 수 있다. 따라서, 배터리 베어셀의 전극단자는 음극단자(410)와 캡 플레이트(430)를 포함할 수 있다. The cap assembly includes an anode terminal 410, a gasket 420, a cap plate 430, and the like. The cap plate 430 may serve as a positive electrode terminal. The cathode terminal 410 may be referred to as a cathode cell or an electrode cell. The gasket 420 may be formed of an insulating material to insulate the cathode terminal 410 from the cap plate 430. Therefore, the electrode terminal of the battery bare cell may include the negative terminal 410 and the cap plate 430.

배터리 베어셀의 전극단자는 제 1 극성(예를 들어, 양극)의 플레이트(430)와 플레이트(430) 내의 중앙에 배치되는 제 2 극성(예를 들어, 음극)의 전극셀(410)을 포함하며, 제 1 내부연결단자용 리드(B+)는 제 1 극성(예를 들어, 양극)의 플레이트(430)와 접합하여 전기적으로 연결되고, 제 2 내부연결단자용 리드(B-)는 제 2 극성(예를 들어, 음극)의 전극셀(410)과 접합하여 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우, 리드프레임(50)의 길이는 제 1 극성(예를 들어, 양극)의 플레이트(430)의 일단에서 제 2 극성(예를 들어, 음극)의 전극셀(410)까지의 길이(L/2)에 해당할 수 있다. The electrode terminal of the battery bare cell includes a plate 430 of a first polarity (e.g., an anode) and an electrode cell 410 of a second polarity (e.g., cathode) disposed centrally within the plate 430 The first internal connection terminal lead B + is connected to the plate 430 of the first polarity (for example, an anode) to be electrically connected, and the second internal connection terminal lead B- is electrically connected to the second And can be electrically connected to the electrode cell 410 of the polarity (for example, the cathode). In this case, the length of the lead frame 50 is set such that the length L (L) from one end of the plate 430 of the first polarity (for example, an anode) to the electrode cell 410 of the second polarity / 2).

이 실시예에 따르면, 제 2 극성(예를 들어, 음극)의 전극셀(410)을 기준으로 상단 부분의 편측 영역만을 사용하여 배터리 보호회로 패키지모듈(300)을 장착하므로, 배터리의 소형화 또는 고용량화를 구현할 수 있다. 예를 들어, 전극셀(410)의 다른 편측 영역에 셀을 더 형성하여 배터리 용량을 늘이거나 또는 다른 추가 기능을 갖는 칩 등을 배치함으로써 이러한 배터리를 갖는 응용제품의 소형화에 기여할 수 있다.According to this embodiment, since the battery protection circuit package module 300 is mounted using only one side region of the upper portion with respect to the electrode cell 410 of the second polarity (for example, the cathode), the battery can be miniaturized or increased in capacity Can be implemented. For example, it is possible to contribute to miniaturization of an application product having such a battery by further forming a cell on the other side of the electrode cell 410 to increase the capacity of the battery or disposing a chip or the like having another additional function.

본 발명의 실시예들에 따른 배터리 보호회로 모듈 및 이를 구비하는 배터리 팩은 종래의 과전류 또는 과열 보호 장치, 예컨대 PTC 써미스터를 사용한 제품에 비해서 다음과 같은 유리한 효과를 가진다. The battery protection circuit module and the battery pack having the battery protection circuit module according to the embodiments of the present invention have the following advantages as compared with the conventional overcurrent or overheat protection device, for example, a product using the PTC thermistor.

첫째, 본 발명의 실시예들에서는 PTC 써미스터보다 상대적으로 부품 단가가 낮은 전자 부품을 사용하면서도 효과적으로 과전류를 차단할 수 있다. 일반적으로 PTC 써미스터의 단가가 높아 배터리 보호회로 장치의 생산단가를 상승시키는 주요한 원인이 되고 있다. 본 발명에 따르면 이러한 문제점을 효과적으로 극복할 수 있을 것으로 기대된다. First, in the embodiments of the present invention, it is possible to effectively prevent the overcurrent while using an electronic component having a relatively lower component price than the PTC thermistor. In general, the unit price of PTC thermistor is high, which is a major cause of increasing the production cost of the battery protection circuit device. According to the present invention, it is expected that this problem can be effectively overcome.

둘째, PTC 써미스터는 배터리 보호회로 패키지의 외부에 배치되기 때문에 PTC 써미스터와 배터리 보호회로 패키지를 접합하는 공정이 추가적으로 필요하며, 접합 공정의 불량에 따른 구조체의 강도 저하가 수반될 수 있다. 즉, PTC 써미스터의 금속층과 배터리 보호회로 모듈의 리드를 레이저 용접이나 저항용접 등으로 접합하는 공정이 추가적으로 필요하며, 접합된 어셈블리의 구조적 강도는 상대적으로 취약할 수 있다.Second, since the PTC thermistor is disposed outside the battery protection circuit package, a process of bonding the PTC thermistor and the battery protection circuit package is additionally required, and the strength of the structure may be reduced due to the failure in the bonding process. That is, a process of joining the metal layer of the PTC thermistor and the lead of the battery protection circuit module by laser welding or resistance welding is additionally required, and the structural strength of the bonded assembly may be relatively weak.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

110, 120 : 배터리 보호회로 유닛
118, 128 : 프로텍션 집적회로 소자
114, 116, 124, 126 : 전계효과 트랜지스터
110, 120: Battery protection circuit unit
118, 128: Protection integrated circuit device
114, 116, 124, 126: field effect transistor

Claims (10)

배터리 베어셀의 전극단자와 전기적으로 연결되는 제 1 단자 및 제 2 단자;
충전기 또는 전자기기에 전기적으로 연결되는 제 3 단자 및 제 4 단자;
상기 제 1 단자 또는 제 2 단자 중 적어도 하나와 상기 제 3 단자 및 제 4 단자 중 적어도 하나 사이에 접속되는 적어도 하나의 제 1 트랜지스터, 및 상기 적어도 하나의 제 1 트랜지스터를 제어하기 위한 제 1 프로텍션 집적회로 소자를 포함하는, 제 1 보호회로 유닛; 및
상기 제 1 단자 또는 제 2 단자 중 적어도 하나와 상기 제 3 단자 및 제 4 단자 중 적어도 하나 사이에 접속되며 상기 적어도 하나의 제 1 트랜지스터와 직렬 연결되는 적어도 하나의 제 2 트랜지스터, 및 상기 제 2 트랜지스터를 제어하기 위한 제 2 프로텍션 집적회로 소자를 포함하는, 제 2 보호회로 유닛을 포함하는,
배터리 보호회로 모듈.
A first terminal and a second terminal electrically connected to an electrode terminal of the battery bare cell;
A third terminal and a fourth terminal electrically connected to the charger or the electronic device;
At least one first transistor connected between at least one of the first terminal and the second terminal and at least one of the third terminal and the fourth terminal, and a first protection integrated circuit for controlling the at least one first transistor, A first protection circuit unit including a circuit element; And
At least one second transistor connected between at least one of the first terminal and the second terminal and at least one of the third terminal and the fourth terminal and in series with the at least one first transistor, And a second protection integrated circuit element for controlling the second protection circuit element.
Battery protection circuit module.
제 1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 제 1 트랜지스터는 서로 직렬 연결된 제 1 전계효과 트랜지스터 및 제 2 전계효과 트랜지스터를 포함하는, 배터리 보호회로 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the at least one first transistor comprises a first field effect transistor and a second field effect transistor connected in series with each other.
제 2 항에 있어서,
상기 제 1 보호회로 유닛은 제 1 프로텍션 집적회로 소자와 접속되는 적어도 하나의 제 1 수동소자를 더 포함하는, 배터리 보호회로 모듈.
3. The method of claim 2,
Wherein the first protection circuit unit further comprises at least one first passive element connected to the first protection integrated circuit element.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 제 2 트랜지스터는 서로 직렬 연결된 제 3 전계효과 트랜지스터 및 제 4 전계효과 트랜지스터를 포함하는, 배터리 보호회로 모듈.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the at least one second transistor comprises a third field effect transistor and a fourth field effect transistor connected in series with each other.
제 4 항에 있어서,
상기 제 2 보호회로 유닛은 제 2 프로텍션 집적회로 소자와 접속되는 적어도 하나의 제 2 수동소자를 더 포함하는, 배터리 보호회로 모듈.
5. The method of claim 4,
Wherein the second protection circuit unit further comprises at least one second passive element connected to the second protection integrated circuit element.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 보호회로 유닛 및 상기 제 2 보호회로 유닛 둘 중 적어도 하나의 유닛은 피티씨 써미스터를 대체하도록 과전류 보호용으로 동작하는, 배터리 보호회로 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein at least one of the first protection circuit unit and the second protection circuit unit operates for overcurrent protection to replace the Pitti thermistor.
제 6 항에 있어서,
제 1 보호회로 유닛에서 상기 제 1 프로텍션 집적회로 소자는 상기 배터리 베어셀의 과충전 및/또는 과방전을 제어하도록 상기 적어도 하나의 제 1 트랜지스터를 제어하고,
상기 제 2 보호회로 유닛에서 상기 2 프로텍션 집적회로 소자는 상기 배터리 베어셀로 흐르는 과전류를 차단하도록 상기 적어도 하나의 제 2 트랜지스터를 제어하는, 배터리 보호회로 모듈.
The method according to claim 6,
Wherein the first protection integrated circuit element in the first protection circuit unit controls the at least one first transistor to control overcharge and / or overdischarge of the battery bare cell,
Wherein the two protection integrated circuit elements in the second protection circuit unit control the at least one second transistor to block an overcurrent flowing to the battery bare cell.
제 1 항에 있어서,
제 1 보호회로 유닛과 제 2 보호회로 유닛은 서로 동일한 배치의 소자들로 구성되는, 배터리 보호회로 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the first protection circuit unit and the second protection circuit unit are composed of the same arrangement of elements.
배터리 베어셀; 및
상기 배터리 베어셀과 접속되는 배터리 보호회로 모듈을 포함하고,
상기 배터리 보호회로 모듈은,
상기 배터리 베어셀의 전극단자와 전기적으로 연결되는 제 1 단자 및 제 2 단자;
충전기 또는 전자기기에 전기적으로 연결되는 제 3 단자 및 제 4 단자;
상기 제 1 단자 또는 제 2 단자 중 적어도 하나와 상기 제 3 단자 및 제 4 단자 중 적어도 하나 사이에 접속되는 적어도 하나의 제 1 트랜지스터, 및 상기 적어도 하나의 제 1 트랜지스터를 제어하기 위한 제 1 프로텍션 집적회로 소자를 포함하는, 제 1 보호회로 유닛; 및
상기 제 1 단자 또는 제 2 단자 중 적어도 하나와 상기 제 3 단자 및 제 4 단자 중 적어도 하나 사이에 접속되며 상기 적어도 하나의 제 1 트랜지스터와 직렬 연결되는 적어도 하나의 제 2 트랜지스터, 및 상기 제 2 트랜지스터를 제어하기 위한 제 2 프로텍션 집적회로 소자를 포함하는, 제 2 보호회로 유닛을 포함하는,
배터리팩.
Battery bare cell; And
And a battery protection circuit module connected to the battery bare cell,
The battery protection circuit module includes:
A first terminal and a second terminal electrically connected to the electrode terminal of the battery bare cell;
A third terminal and a fourth terminal electrically connected to the charger or the electronic device;
At least one first transistor connected between at least one of the first terminal and the second terminal and at least one of the third terminal and the fourth terminal, and a first protection integrated circuit for controlling the at least one first transistor, A first protection circuit unit including a circuit element; And
At least one second transistor connected between at least one of the first terminal and the second terminal and at least one of the third terminal and the fourth terminal and in series with the at least one first transistor, And a second protection integrated circuit element for controlling the second protection circuit element.
Battery pack.
제 9 항에 있어서,
상기 제 1 보호회로 유닛 및 상기 제 2 보호회로 유닛 둘 중 적어도 하나의 유닛은 피티씨 써미스터를 대체하도록 과전류 보호용으로 동작하는, 배터리팩.
10. The method of claim 9,
Wherein at least one of the first protection circuit unit and the second protection circuit unit operates for overcurrent protection to replace the Pitti thermistor.
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