KR20160102116A - Manufacturing method for liquid crystal display device, radiation-sensitive resin composition and liquid crystal display device - Google Patents

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츠요시 나카가와
요우스케 곤노
켄이치 하마다
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제이에스알 가부시끼가이샤
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Abstract

Provided are a manufacturing method for a liquid crystal display device having less unevenness in height of a spacer which has steps, a radiation-sensitive resin composition used thereto, and a liquid crystal display device. The liquid crystal display device (10) includes: a first substrate (2) and a second substrate (3) which are facing each other; a plurality of spacers (4) disposed on the second substrate (3); an insulation film (5) disposed on the first substrate (2); at least one spacer pedestal (6) disposed on the insulation film (5) at a part facing a front end of the spacer; and a liquid crystal interposed between the first substrate (2) and the second substrate (3). The insulation film (5) disposed on the first substrate (2) and the spacer pedestal (6) disposed on the insulation film (5) are collectively and integrally formed by using the radiation-sensitive resin composition, when forming the insulation film (5) through patterning such that the insulation film (5) has a contact hole (7) and a desired shape.

Description

액정 표시 소자의 제조 방법, 감방사선성 수지 조성물 및 액정 표시 소자{MANUFACTURING METHOD FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a liquid crystal display device, a method of manufacturing the same, a method of manufacturing the same, a method of manufacturing the liquid crystal display device,

본 발명은, 액정 표시 소자의 제조 방법, 감방사선성 수지 조성물 및 액정 표시 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a method for producing a liquid crystal display element, a radiation-sensitive resin composition and a liquid crystal display element.

액정 표시 소자는, 대향 배치된 한 쌍의 기판 간에 액정이 협지된 구조를 갖는다. 이들 기판에는 전극을 형성할 수 있고, 각 기판의 표면에는 액정의 배향을 제어하는 목적으로 배향막을 형성할 수 있다. 또한, 이들 한 쌍의 기판은, 예를 들면, 한 쌍의 편향판에 의해 협지된다. 그리고, 이 기판 간에 전계를 인가하면, 액정이 구동되어 배향 변화가 일어나, 빛을 부분적으로 투과하거나, 차폐하거나 하게 된다. 액정 표시 소자에서는, 이러한 특성을 이용하여 화상을 표시하고 있다. 이러한 액정 표시 소자에는, 종래의 CRT 방식의 표시 장치와 비교하여, 박형화나 경량화를 도모할 수 있다는 이점이 있다. The liquid crystal display element has a structure in which liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates arranged opposite to each other. An electrode can be formed on these substrates, and an alignment film can be formed on the surface of each substrate for the purpose of controlling the alignment of the liquid crystal. Further, these pair of substrates are held by, for example, a pair of deflection plates. Then, when an electric field is applied between the substrates, the liquid crystal is driven to change orientation, and light is partially transmitted or shielded. In a liquid crystal display element, an image is displayed using these characteristics. Such a liquid crystal display device is advantageous in that it can be made thinner and lighter in weight as compared with a conventional CRT-type display device.

액정 표시 소자에서는, 액정의 초기 배향 상태나 배향 변화 동작이 상이한 다양한 액정 모드가 알려져 있다. 예를 들면, TN(Twisted Nematic), STN(Super Twisted Nematic), IPS(In-Planes Switching), FFS(Fringe Field Switching), VA(Vertical Alig㎚ent) 및 OCB(Optically Compensated Birefringence) 등의 액정 모드가 있다. In a liquid crystal display device, various liquid crystal modes in which an initial alignment state of liquid crystal and an orientation change operation are different are known. For example, a liquid crystal mode such as TN (Twisted Nematic), STN (Super Twisted Nematic), IPS (In-Planes Switching), FFS (Fringe Field Switching), VA (Vertical Alignment) and OCB (Optically Compensated Birefringence) .

개발 당초의 액정 표시 소자는, 캐릭터 표시 등을 중심으로 하는 전자 계산기나 시계의 표시 소자로서 이용되었다. 그 후, 단순 매트릭스 방식의 개발에 의해, 도트 매트릭스 표시가 용이해짐으로써, 노트북 컴퓨터의 표시 소자 등으로 용도를 확대했다. 이어서, 화소마다 스위칭을 위한 박막 트랜지스터(TFT: Thin Film Transister)를 배치한 액티브 매트릭스의 개발에 의해, 콘트라스트비나 응답 성능이 우수한 양호한 화질을 실현할 수 있게 되었다. 또한, 액정 표시 소자는, 고정세화, 컬러화 및 시야각 확대 등의 과제도 극복하여, 데스크톱 컴퓨터의 모니터용 등에도 이용되게 되었다. 최근에는, 보다 넓은 시야각, 액정의 고속 응답화 및 표시 품위의 향상 등이 실현되어, 대형이며 박형인 텔레비전용 표시 소자나, 고밀도 표시가 필요시 되는 스마트폰 등의 휴대 전자 기기의 디스플레이로서 이용되기에 이르고 있다. The liquid crystal display element originally developed was used as a display element of an electronic calculator or a clock, centering on a character display. Thereafter, the development of the simple matrix method has facilitated dot matrix display, thereby expanding its use as a display element of a notebook computer or the like. Subsequently, by developing an active matrix in which a thin film transistor (TFT: Thin Film Transistor) for each pixel is arranged, it has become possible to realize a good image quality excellent in contrast ratio and response performance. Further, the liquid crystal display element overcomes the problems such as high definition, colorization, and wide viewing angle, and is also used for a monitor of a desktop computer. In recent years, a wider viewing angle, faster response of the liquid crystal, improvement of display quality, and the like have been realized and are used as display devices for portable electronic devices such as a large-sized thin display device for a television or a smartphone requiring high- Is coming.

이러한 액정 표시 소자는, 전술한 바와 같은 용도의 확대에 수반하여, 최근, 고화질화에 대한 요구가 더욱 더 높아지고 있다. 특히, 의료용 기기의 디스플레이나 액정 텔레비전에 있어서는, 흑색의 표시가 매우 중요시되고 있어, 휘도가 낮고, 표시 불균일이 없는, 균일한 흑색 표시가 가능한 액정 표시 소자가 강하게 요구되고 있다. In recent years, such a liquid crystal display device has been required to have a higher image quality in accordance with the expansion of applications as described above. Particularly, in a display of a medical instrument or a liquid crystal television, a black display is very important, and a liquid crystal display device which is capable of performing uniform black display with low luminance and display irregularity is strongly demanded.

액정 표시 소자는, 전술한 바와 같이, 대향 배치되는 한 쌍의 기판 간에 액정이 협지된 구조를 갖고 있고, 표시 영역이 다수의 화소에 의해 구성되어 있다. 그리고, 균일한 흑색 표시를 가능하게 하여 고품위의 화질을 실현하기 위해서는, 각각의 화소에 있어서의 액정의 두께(셀 갭)를 균일화하는 것이 중요해진다. As described above, the liquid crystal display element has a structure in which liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates arranged opposite to each other, and the display region is composed of a plurality of pixels. In order to achieve a uniform black display and realize a high quality image, it is important to uniformize the thickness (cell gap) of the liquid crystal in each pixel.

액정 표시 소자에 있어서, 기판 간의 액정의 두께를 균일화하는 방법으로서는, 예를 들면, 한 쌍의 기판의 사이에 구상(球狀)의 스페이서 부재인 비즈 스페이서를 분산시켜 배치하는 방법 및, 한 쌍의 기판 중 어느 한쪽의 기판의 위에 주상(柱狀)으로 돌설된 스페이서를 형성하는 방법 등이 알려져 있다. 특히, 균일한 흑색 표시를 가능하게 하여 고품위의 화질을 실현하는 액정 표시 소자에 있어서는, 주로 한 쌍의 기판 중 어느 한쪽에 주상의 스페이서를 형성하는 방법이 이용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1을 참조).As a method of making the thickness of the liquid crystal between the substrates uniform in the liquid crystal display element, there are, for example, a method of disposing a bead spacer as a spherical spacer member between a pair of substrates, And a method of forming a columnar protruding spacer on one of the substrates is known. Particularly, in a liquid crystal display element which realizes a high-quality picture quality by enabling uniform black display, a method of forming a columnar spacer on either one of a pair of substrates is used (for example, refer to Patent Document 1 ).

일본공개특허공보 2010-152188호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2010-152188

액정 표시 소자에 있어서는, 예를 들면, 그 대형화에 대응하기 위해, 액정 적하법을 이용한 제조 방법이 유효하다. 액정 적하법은, 준비된 한 쌍의 기판 중 한쪽의 기판 상에 액정을 적하한 후, 다른 한쪽의 기판과 접합하여, 액정을 한 쌍의 기판 간에 협지하여 배치할 수 있다. In a liquid crystal display device, for example, in order to cope with the increase in size, a manufacturing method using a liquid crystal dropping method is effective. In the liquid crystal dropping method, a liquid crystal is dropped onto one of a pair of substrates prepared and then bonded to the other substrate, so that the liquid crystal can be interposed between the pair of substrates.

그리고, 액정 표시 소자에 있어서는, 전술한 주상을 이루는 스페이서를 갖는 경우, 그 스페이서에 단차를 형성하는 구조가 알려져 있다. 즉, 기판 상에 형성되는 스페이서를, 예를 들면, 높이가 상이한 2종류의 스페이서로 구성함으로써, 스페이서에 단차를 형성할 수 있다. 스페이서에 단차를 형성하는 구조는, 특히, 전술한 액정 적하법에 유효해진다. In the case of a liquid crystal display element having a spacer constituting the above-described columnar phase, a structure for forming a step on the spacer is known. That is, by forming the spacer formed on the substrate with, for example, two kinds of spacers having different heights, it is possible to form a step on the spacer. The structure for forming the step on the spacer is particularly effective for the liquid dropping method described above.

액정 표시 소자의 제조에 있어서, 기판 상의 스페이서에 단차를 형성한 경우, 한 쌍의 기판끼리를 접합함으로써, 스페이서에는, 그 선단(先端)이, 대향하는 기판 표면에 접촉하지 않는 것이 포함되게 된다. 즉, 기판 상의 복수의 스페이서 중의 몇개는, 그 선단과 대향 기판 표면과의 사이에 극간이 형성되게 된다. 이러한 스페이서를 구비한 액정 표시 소자에서는, 제조시에 있어서 액정 적하법에 의한 기판 접합을 위한 위치 맞춤이 용이해져, 기판의 접합 공정의 마진을 확대할 수 있다. In the production of a liquid crystal display device, when a step is formed on a spacer on a substrate, a pair of substrates are bonded to each other so that the spacer does not contact the surface of the opposing substrate. That is, some of the plurality of spacers on the substrate have gaps formed between the tips thereof and the surface of the counter substrate. In a liquid crystal display device provided with such a spacer, it is easy to align the substrate by liquid crystal drop method during the manufacturing process, and the margin of the bonding process of the substrate can be widened.

그리고, 스페이서에 단차를 형성한 구조의 액정 표시 소자에서는, 통상의 사용시에 있어서, 스페이서 중, 보다 높게 형성된 스페이서가, 셀 갭의 균일성을 확보하도록 기능한다. 즉, 그 선단이, 대향하는 기판 표면에 접촉하도록 형성된 스페이서가, 셀 갭의 균일성을 향상시킨다. 한편으로, 액정 표시 소자에 외부로부터 압압 등의 압력이 가해진 바와 같은 경우, 스페이서 중, 보다 낮게 형성된 스페이서도 기판의 버팀목으로서 기능하게 된다. 즉, 대향하는 기판과의 사이에서, 그 선단이 극간을 형성하도록 형성된 스페이서도 기판의 버팀목으로서 작용하고, 셀 갭의 변동을 억제하여, 외부 압력 내성을 향상시킬 수 있다.In a liquid crystal display element having a structure in which a step is formed in a spacer, a spacer formed higher than the spacer in normal use functions to ensure uniformity of the cell gap. That is, the spacers whose tips are brought into contact with the surface of the opposing substrate improve the uniformity of cell gaps. On the other hand, when pressure such as pressure is externally applied to the liquid crystal display element, a spacer formed to be lower than the spacer also functions as a support for the substrate. That is, the spacer formed so as to form the gap between the opposed substrate and the opposed substrate also acts as the support of the substrate, and fluctuation of the cell gap can be suppressed and the external pressure resistance can be improved.

이러한 단차를 형성한 스페이서는, 감광성의 스페이서 형성용 부재를 이용한 패터닝에 의해 형성할 수 있다. 그 경우, 스페이서 형성용 부재를 노광할 때에, 패터닝을 위한 마스크의 일부에서 마스크 개구를 내리거나, 임의의 투과율의 차광막을 형성하는 등 하여, 높이가 상이한 복수종의 스페이서를 형성하는 것이 가능하다. The spacer having such a stepped portion can be formed by patterning using a photosensitive spacer forming member. In this case, it is possible to form a plurality of kinds of spacers having different heights by, for example, lowering the mask opening in a part of the mask for patterning or forming a light shielding film having an arbitrary transmittance when exposing the spacer forming member.

그러나, 전술한 바와 같은 방법으로 단차가 형성된 스페이서를 형성하고자 하는 경우, 특히, 그 높이가 보다 낮게 형성되는 복수의 스페이서에 있어서는, 그들을 균일한 높이로 형성하는 것이 어렵다. 그리고, 높이가 보다 낮게 형성되는 스페이서는, 기판 상에서의 높이에 불균일이 발생하기 쉬워, 액정 표시 소자의 제조에 있어서, 기판 접합시의 수율의 저하를 초래할 우려가 있었다. However, it is difficult to form the spacers formed with the steps in the above-described manner, particularly in the case of a plurality of spacers formed at a lower height, in a uniform height. Further, the spacers formed at lower heights tend to cause unevenness in the height on the substrate, which may cause a reduction in the yield at the time of substrate bonding in the production of liquid crystal display elements.

또한, 최근은, 액정 표시 소자에 있어서는, 전술한 바와 같이, 화소의 고정세화가 진행되고 있다. 그 때문에, 고정세한 패턴으로서 기판 상에 스페이서를 형성하고자 하는 경우, 단차가 형성된 스페이서에서는, 높이가 보다 낮게 형성되는 스페이서에 있어서 높이의 불균일이 커져 문제가 되고 있었다.Further, in recent years, as described above, in a liquid crystal display element, a pixel is becoming finer and more refined. Therefore, when a spacer is to be formed on a substrate as a pattern having a fixed size, a spacer having a stepped portion has a problem in that the height of the spacer having a smaller height is increased.

본 발명은, 이상과 같은 과제를 감안하여 이루어지는 것이다. 즉, 본 발명의 목적은, 스페이서의 높이 불균일이 적고, 또한 스페이서에 단차를 형성한 액정 표시 소자의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.The present invention has been made in view of the above problems. That is, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a liquid crystal display element in which uneven height of the spacer is small and a step is formed in the spacer.

또한, 본 발명의 목적은, 스페이서의 높이 불균일이 적고, 또한 스페이서에 단차를 형성한 액정 표시 소자의 제조에 이용되는 감방사선성 수지 조성물을 제공하는 것에 있다.It is also an object of the present invention to provide a radiation-sensitive resin composition for use in the production of a liquid crystal display element in which height unevenness of the spacer is small and a step is formed in the spacer.

또한, 본 발명의 목적은, 스페이서의 높이 불균일이 적고, 또한 스페이서에 단차를 형성한 액정 표시 소자를 제공하는 것에 있다.It is also an object of the present invention to provide a liquid crystal display element in which height unevenness of the spacer is small and a step is formed in the spacer.

본 발명의 다른 목적 및 이점은, 이하의 기재로부터 명백해질 것이다.Other objects and advantages of the present invention will become apparent from the following description.

본 발명의 제1 태양(態樣)은, 대향 배치된 제1 기판 및 제2 기판의 당해 제2 기판의 위에 복수의 스페이서를 갖고,According to a first aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising a first substrate and a second substrate arranged opposite to each other and having a plurality of spacers on the second substrate,

상기 제1 기판의 위에 절연막을 가짐과 함께, 당해 절연막 상의 상기 스페이서의 선단과 대향하는 부분의 적어도 1개에 스페이서 대좌를 갖고,A spacer having a spacer base on at least one portion of the insulating film on the insulating substrate opposite to the tip of the spacer,

상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 액정을 협지하여 이루어지는 액정 표시 소자의 제조 방법으로서,And a liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate, the method comprising:

(1) 상기 제1 기판 상에 감방사선성 수지 조성물의 도막을 형성하는 도막 형성 공정,(1) a coating film forming step of forming a coating film of the radiation-sensitive resin composition on the first substrate,

(2) 상기 도막에 하프 톤 마스크 및 그레이 톤 마스크로부터 선택되는 적어도 한쪽을 이용하여 방사선을 조사하는 노광 공정,(2) an exposure step of irradiating the coating film with radiation using at least one selected from a halftone mask and a gray-tone mask,

(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 현상 공정 및,(3) a developing step of developing the coating film irradiated with the radiation, and

(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 가열 공정을 갖고, 상기 제1 기판의 위에, 상기 스페이서 대좌를 갖는 절연막을 일괄하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조 방법에 관한 것이다. (4) A method for manufacturing a liquid crystal display element having a heating step of heating the developed coating film, wherein an insulating film having the spacer pedestal is collectively formed on the first substrate.

본 발명의 제1 태양에 있어서, 상기 (2) 노광 공정에서는, 상기 하프 톤 마스크 및 그레이 톤 마스크로부터 선택되는 적어도 한쪽을 이용하여 방사선을 조사하고, 상기 감방사선성 수지 조성물의 도막에, 당해 방사선의 조사량이 상이한 적어도 2개의 부분을 형성하고,In the first aspect of the present invention, in the step (2), the radiation is irradiated using at least one selected from the halftone mask and the gray-tone mask, and the radiation- At least two portions having different dose amounts are formed,

상기 (3) 현상 공정 및 상기 (4) 가열 공정에 의해, 상기 (2) 노광 공정의 2개의 부분 중 1개의 부분이 상기 절연막과 그 위에 배치된 상기 스페이서 대좌를 형성하고, 다른 1개의 부분이 상기 절연막을 형성하는 것이 바람직하다.(2) one of the two parts of the exposure step forms the insulating film and the spacer base disposed thereon by the developing step (3) and the heating step (4), and the other part It is preferable to form the insulating film.

본 발명의 제1 태양에 있어서, 상기 감방사선성 수지 조성물은,In the first aspect of the present invention, the radiation-

[A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체 및,[A] a polymer comprising a structural unit having a carboxyl group,

[B] 감방사선성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. [B] It is preferable to contain a radiation-sensitive compound.

본 발명의 제1 태양에 있어서, 상기 감방사선성 수지 조성물이 함유하는 [A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체는, 추가로 가교성기를 갖는 것이 바람직하다. In the first aspect of the present invention, it is preferable that the polymer containing a structural unit having a carboxyl group [A] contained in the radiation sensitive resin composition further has a crosslinkable group.

본 발명의 제1 태양에 있어서, 상기 감방사선성 수지 조성물이 함유하는 [A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체가 갖는 상기 가교성기는, 옥세타닐기, 옥시라닐기 및 (메타)아크릴로일기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.In the first aspect of the present invention, the cross-linking group of the polymer containing the structural unit having a carboxyl group [A] contained in the radiation sensitive resin composition is preferably an oxetanyl group, an oxiranyl group and a (meth) And at least one member selected from the group consisting of diarrhea.

본 발명의 제1 태양에 있어서, 상기 감방사선성 수지 조성물이 함유하는 상기 [A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체는, 추가로 하기식 (1)로 나타나는 구조 단위를 갖는 중합체인 것이 바람직하다:In the first aspect of the present invention, the polymer containing the structural unit having a carboxyl group as described above in the above-mentioned radiation-sensitive resin composition is preferably a polymer having a structural unit represented by the following formula (1) Do:

Figure pat00001
Figure pat00001

(식 (1) 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기이며, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 3∼12의 사이클로알킬기, 페닐기 및 탄소수 1∼6의 알콕시기 중 어느 것을 나타내고; (Wherein R 1 is a hydrogen atom or a methyl group; R 2 , R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms, An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms;

n은 1∼6의 정수를 나타냄).and n represents an integer of 1 to 6).

본 발명의 제1 태양에 있어서, [B] 감방사선성 화합물이, 산 발생제, 중합 개시제 또는 이들의 조합인 것이 바람직하다. In the first aspect of the present invention, it is preferable that the [B] radiation-sensitive compound is an acid generator, a polymerization initiator, or a combination thereof.

본 발명의 제2 태양은, 대향 배치된 제1 기판 및 제2 기판의 당해 제2 기판의 위에 복수의 스페이서를 갖고, 상기 제1 기판의 위에 절연막을 가짐과 함께, 당해 절연막 상의 상기 스페이서의 선단과 대향하는 부분의 적어도 1개에 스페이서 대좌를 갖고, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 액정을 협지하여 이루어지는 액정 표시 소자의 상기 절연막과 상기 스페이서 대좌를 하프 톤 마스크 및 그레이 톤 마스크로부터 선택되는 적어도 한쪽을 이용한 방사선의 조사에 의해 일괄하여 형성하는 데에 이용되는 감방사선성 수지 조성물로서,A second aspect of the present invention is a semiconductor device having a plurality of spacers on a first substrate and a second substrate disposed on an opposing substrate and having an insulating film on the first substrate, And the spacer base and the spacer base of the liquid crystal display element in which the liquid crystal is sandwiched between the first substrate and the second substrate from the halftone mask and the gray tone mask The radiation-sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the radiation-

[A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체 및,[A] a polymer comprising a structural unit having a carboxyl group,

[B] 감방사선성 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선성 수지 조성물에 관한 것이다. [B] a radiation-sensitive resin composition.

본 발명의 제2 태양에 있어서, [A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체가, 추가로 가교성기를 갖는 것이 바람직하다. In the second aspect of the present invention, it is preferable that the polymer comprising the structural unit having a carboxyl group [A] further has a crosslinkable group.

본 발명의 제2 태양에 있어서, [A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체가 갖는 상기 가교성기는, 옥세타닐기, 옥시라닐기 및 (메타)아크릴로일기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. In the second aspect of the present invention, the crosslinkable group possessed by the polymer comprising a structural unit having a carboxyl group [A] is at least one selected from the group consisting of oxetanyl group, oxiranyl group and (meth) acryloyl group It is desirable to be species.

본 발명의 제2 태양에 있어서, 상기 [A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체가, 추가로 하기식 (1)로 나타나는 구조 단위를 갖는 중합체인 것이 바람직하다:In the second aspect of the present invention, it is preferable that the polymer comprising the structural unit having [A] carboxyl group is further a polymer having a structural unit represented by the following formula (1)

Figure pat00002
Figure pat00002

(식 (1) 중, R1는 수소 원자 또는 메틸기이며, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 3∼12의 사이클로알킬기, 페닐기 및 탄소수 1∼6의 알콕시기 중 어느 것을 나타내고; (Wherein R 1 is a hydrogen atom or a methyl group; R 2 , R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms, An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms;

n은 1∼6의 정수를 나타냄).and n represents an integer of 1 to 6).

본 발명의 제3 태양은, 대향 배치된 제1 기판 및 제2 기판의 당해 제2 기판의 위에 복수의 스페이서를 갖고,A third aspect of the present invention is a liquid crystal display device having a plurality of spacers disposed on a first substrate and a second substrate facing each other,

상기 제1 기판의 위에 절연막을 가짐과 함께, 당해 절연막 상의 상기 스페이서의 선단과 대향하는 부분의 적어도 1개에 스페이서 대좌를 갖고,A spacer having a spacer base on at least one portion of the insulating film on the insulating substrate opposite to the tip of the spacer,

상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 액정을 협지하여 이루어지는 액정 표시 소자로서,And a liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate,

상기 제1 기판의 위의 절연막 및 당해 절연막의 위의 스페이서 대좌가, 하기 (1)∼(4)의 공정에 의해 일괄하여 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자에 관한 것이다.Wherein the insulating film on the first substrate and the spacer base on the insulating film are collectively formed by the following steps (1) to (4).

(1) 상기 제1 기판 상에 감방사선성 수지 조성물의 도막을 형성하는 도막 형성 공정(1) a coating film forming step of forming a coating film of the radiation-sensitive resin composition on the first substrate

(2) 상기 도막에 하프 톤 마스크 및 그레이 톤 마스크로부터 선택되는 적어도 한쪽을 이용하여 방사선을 조사하는 노광 공정(2) an exposure step of irradiating the coating film with radiation using at least one selected from a halftone mask and a gray-tone mask

(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 현상 공정(3) a developing step of developing the coating film irradiated with the radiation

(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 가열 공정(4) a heating step of heating the developed coating film

본 발명의 제3 태양에 있어서, 상기 감방사선성 수지 조성물은,In the third aspect of the present invention, the radiation-

[A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체 및,[A] a polymer comprising a structural unit having a carboxyl group,

[B] 감방사선성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.[B] It is preferable to contain a radiation-sensitive compound.

본 발명의 제1 태양에 의하면, 스페이서의 높이 불균일이 적고, 또한 스페이서에 단차를 형성한 액정 표시 소자의 제조 방법이 제공된다. According to the first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display element in which the height unevenness of the spacer is small and the step is formed in the spacer.

본 발명의 제2 태양에 의하면, 스페이서의 높이 불균일이 적고, 또한 스페이서에 단차를 형성한 액정 표시 소자의 제조에 이용되는 감방사선성 수지 조성물이 제공된다. According to the second aspect of the present invention, there is provided a radiation sensitive resin composition for use in the production of a liquid crystal display element in which height unevenness of spacers is small and a step is formed in spacers.

본 발명의 제3 태양에 의하면, 스페이서의 높이 불균일이 적고, 또한 스페이서에 단차를 형성한 액정 표시 소자가 제공된다.According to the third aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display element in which unevenness in height of the spacer is small and a step is formed in the spacer.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자의 구조를 개략적으로 설명하는 단면도이다.
도 2는 종래의 액정 표시 소자의 구조를 개략적으로 설명하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자의 구성의 일 예를 나타내는 개략적인 구성도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자의 화소의 회로 구성의 일 예를 설명하는 개략적인 회로도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태의 일 예인 액정 표시 소자의 화소부를 개략적으로 설명하는 평면도이다.
도 6은 도 5의 A-A'선을 따른 단면 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a liquid crystal display element according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically illustrating the structure of a conventional liquid crystal display element.
Fig. 3 is a schematic configuration diagram showing an example of the configuration of a liquid crystal display element according to the first embodiment of the present invention.
4 is a schematic circuit diagram illustrating an example of the circuit configuration of a pixel of a liquid crystal display element according to the first embodiment of the present invention.
5 is a plan view schematically illustrating a pixel portion of a liquid crystal display element which is one example of the first embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view schematically showing a cross-sectional structure taken along the line A-A 'in Fig.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Mode for carrying out the invention)

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자의 구조를 개략적으로 설명하는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically illustrating the structure of a liquid crystal display element according to a first embodiment of the present invention.

도 1에서는, 본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자(1)의 특징이 명확해지도록, 제1 기판(2), 제2 기판(3), 스페이서(4), 절연막(5) 및 스페이서 대좌(6)만이 나타나고, 다른 구성요소는 편의상 생략되어 있다. 또한, 절연막(5)에는, 그 위에 배치되는 전극 등(도시되지 않음)과 제2 기판(3) 상에 형성되는 전극 등(도시되지 않음)을 전기적으로 접속하기 위한 콘택트홀(7)도 나타나 있다.1, the first substrate 2, the second substrate 3, the spacers 4, the insulating film 5, and the spacers 5 are formed so as to make clear the characteristics of the liquid crystal display element 1 according to the first embodiment of the present invention. Only the pedestal 6 appears, and the other components are omitted for convenience. A contact hole 7 for electrically connecting electrodes (not shown) and the like (not shown) formed on the second substrate 3 is disposed on the insulating film 5 have.

도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자(1)는, 대향 배치된 제1 기판(2) 및 제2 기판(3) 중의, 제2 기판(3)의 제1 기판(2)측의 면에 복수의 스페이서(4)를 갖고, 제1 기판(2)의 제2 기판(3)측의 면에 절연막(5)을 갖는다. 또한, 액정 표시 소자(1)는, 절연막(5) 상의 스페이서(4)의 선단과 대향하는 부분의 적어도 1개에 스페이서 대좌(6)를 갖는다. 그리고, 액정 표시 소자(1)는, 제1 기판(2) 및 제2 기판(3)의 사이에, 도시되지 않는 액정이 협지되어 구성된다. 1, a liquid crystal display element 1 according to a first embodiment of the present invention includes a first substrate 2 and a second substrate 3 on the first substrate 2 and a second substrate 3, A plurality of spacers 4 are provided on the side of the substrate 2 and an insulating film 5 is provided on the side of the first substrate 2 on the side of the second substrate 3. The liquid crystal display element 1 also has a spacer pedestal 6 on at least one portion of the insulating film 5 that faces the tip of the spacer 4. The liquid crystal display element 1 is configured by sandwiching liquid crystals (not shown) between the first substrate 2 and the second substrate 3.

본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자(1)에 있어서, 제2 기판(3)의 절연막(5) 상의 스페이서 대좌(6)는, 그 하층을 이루는 절연막(5)의 일부로서, 콘택트홀(7)과 함께, 절연막(5)의 형성시에 절연막(5)과 일괄적으로 형성된 것이다. 즉, 액정 표시 소자(1)에 있어서, 절연막(5)과 그 위의 스페이서 대좌(6)는, 후술하는 본 발명의 제2 실시 형태의 액정 표시 소자의 제조 방법에 따라, 콘택트홀(7)을 갖고 소망하는 형상이 되도록 패터닝이 이루어져 절연막(5)을 형성할 때에, 일괄하여 형성된 일체의 것이다. In the liquid crystal display element 1 of the first embodiment of the present invention, the spacer pedestal 6 on the insulating film 5 of the second substrate 3 is a part of the insulating film 5 forming the lower layer, And the insulating film 5 when the insulating film 5 is formed. That is, in the liquid crystal display element 1, the insulating film 5 and the spacer pedestal 6 thereon are formed in the contact hole 7 in accordance with the manufacturing method of the liquid crystal display element of the second embodiment of the present invention, And patterning is performed so as to have a desired shape to form the insulating film 5.

본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자(1)에 있어서, 복수의 스페이서(4)는, 제2 기판(3) 상, 각각 동일한 균일한 높이를 갖도록 형성된다. 그리고, 스페이서(4) 중의 일부에 있어서, 그 선단이, 그것과 대향하도록 절연막(5)의 일부에 형성된 스페이서 대좌(6)와 맞닿는다. 한편, 스페이서(4) 중의 나머지의 것, 즉, 제1 기판(2) 상의 절연막(5)의 대향하는 부분에 스페이서 대좌(6)가 형성되어 있지 않은 스페이서(4)에서는, 절연막(5)의 대향하는 부분과의 사이에 극간이 형성되어 있다. In the liquid crystal display element 1 of the first embodiment of the present invention, the plurality of spacers 4 are formed to have the same uniform height on the second substrate 3, respectively. Then, in a part of the spacer 4, its tip is in contact with the spacer pedestal 6 formed on a part of the insulating film 5 so as to face the tip. On the other hand, in the spacer 4 in which the spacer pedestal 6 is not formed on the other part of the spacer 4, that is, the part of the first substrate 2 opposite to the insulating film 5, And a gap is formed between the opposed portion.

따라서, 본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자(1)에서는, 복수의 스페이서(4)가, 제2 기판(3) 상, 각각 동일한 높이를 갖도록 형성되는 한편, 스페이서(4)에 단차가 형성되어 있다. 이때, 액정 표시 소자(1)에서는, 복수의 스페이서(4)의 각각이 동일한 높이를 갖도록 형성되어 있기 때문에, 스페이서의 높이 불균일을 적게하는 것이 용이해진다. 즉, 본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자(1)는, 스페이서의 높이 불균일을 적게 하고, 또한 스페이서에 단차를 형성할 수 있다. Therefore, in the liquid crystal display element 1 of the first embodiment of the present invention, the plurality of spacers 4 are formed to have the same height on the second substrate 3, Respectively. At this time, in the liquid crystal display element 1, since each of the plurality of spacers 4 is formed to have the same height, it is easy to reduce the height unevenness of the spacers. That is, the liquid crystal display element 1 according to the first embodiment of the present invention can reduce the height unevenness of the spacer and can form a step on the spacer.

도 2는, 종래의 액정 표시 소자의 구조를 개략적으로 설명하는 단면도이다. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating the structure of a conventional liquid crystal display element.

도 2에서는, 본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자(1)와의 구조의 차이가 명확해지도록, 도 1과 동일하게, 종래의 액정 표시 소자(1001)의 제1 기판(1002), 제2 기판(1003), 주(主)스페이서(1004), 부(副)스페이서(1014) 및 절연막(1005)만이 나타나고, 다른 구성요소는 편의상 생략되어 있다. 또한, 절연막(1005)에는, 그 위에 배치되는 전극 등(도시되지 않음)과 제2 기판(1003) 상에 형성되는 전극 등(도시되지 않음)을 전기적으로 접속하기 위한 콘택트홀(1007)도 나타나 있다. 2, in order to clarify the difference in structure from the liquid crystal display element 1 of the first embodiment of the present invention, the first substrate 1002 of the conventional liquid crystal display element 1001, Only the substrate 1003, the main spacer 1004, the auxiliary spacer 1014 and the insulating film 1005 are shown, and other components are omitted for convenience. A contact hole 1007 for electrically connecting an electrode or the like (not shown) disposed on the insulating film 1005 and an electrode (not shown) formed on the second substrate 1003 is also formed in the insulating film 1005 have.

도 2에 나타내는 바와 같이, 종래의 액정 표시 소자(1001)는, 대향 배치된 제1 기판(1002) 및 제2 기판(1003) 중의, 제2 기판(1003)의 제1 기판(1002)측의 면에 주스페이서(1004) 및 부스페이서(1014)를 갖고, 제1 기판(1002)의 제2 기판(1003)측의 면에 절연막(1005)을 갖는다. 종래의 액정 표시 소자(1001)에 있어서, 주스페이서(1004)와 부스페이서(1014)는, 제2 기판(1003) 상에서 상이한 높이를 갖도록 형성되어 있다. 그리고, 액정 표시 소자(1001)는, 제1 기판(1002) 및 제2 기판(1003)의 사이에, 도시되지 않은 액정이 협지되어 구성된다. 2, the conventional liquid crystal display element 1001 is disposed on the first substrate 1002 side of the second substrate 1003 in the first substrate 1002 and the second substrate 1003 arranged to face each other, And has a main spacer 1004 and a sub spacer 1014 on its surface and an insulating film 1005 on the surface of the first substrate 1002 on the side of the second substrate 1003. In the conventional liquid crystal display element 1001, the main spacer 1004 and the sub-spacer 1014 are formed to have different heights on the second substrate 1003. The liquid crystal display element 1001 is formed by sandwiching liquid crystal (not shown) between the first substrate 1002 and the second substrate 1003.

종래의 액정 표시 소자(1001)의 주스페이서(1004)는, 제2 기판(1003) 상에서 부스페이서(1014)보다 높아지도록 형성되어 있다. 그리고, 주스페이서(1004)의 선단은, 그것과 대향하는 절연막(1005)의 일부와 맞닿는다. 한편, 액정 표시 소자(1001)의 부스페이서(1014)에서는, 주스페이서(1004)보다 낮은 높이를 갖도록 형성되어 있고, 절연막(1005)의 대향하는 부분과의 사이에 극간이 형성되어 있다. The main spacer 1004 of the conventional liquid crystal display element 1001 is formed on the second substrate 1003 so as to be higher than the sub-spacer 1014. The tip of the main spacer 1004 is in contact with a part of the insulating film 1005 opposite to the tip. On the other hand, the sub-spacer 1014 of the liquid crystal display element 1001 is formed to have a height lower than that of the main spacer 1004, and a gap is formed between the portion and the opposite portion of the insulating film 1005.

따라서, 종래의 액정 표시 소자(1001)에서는, 주스페이서(1004)와 부스페이서(1014)의 사이에 단차가 형성되어 있다. 그러나 한편으로, 부스페이서(1014)가, 주스페이서(1004)와 상이한 높이를 갖고, 보다 낮아지도록 형성되어 있기 때문에, 전술한 바와 같이, 그 높이에 불균일이 발생하기 쉽다. 그 결과, 액정 표시 소자(1001)에서는, 그 제조시에 있어서, 기판 접합 공정의 수율을 저하시킬 우려가 있었다. Therefore, in the conventional liquid crystal display element 1001, a step is formed between the main spacer 1004 and the sub-spacer 1014. However, on the other hand, since the auxiliary spacer 1014 has a height different from that of the main spacer 1004 and is formed to be lower, the height is likely to be uneven as described above. As a result, in the liquid crystal display element 1001, there is a fear that the yield of the substrate bonding step may be lowered during its production.

이에 대하여, 도 1에 나타낸 본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자(1)에서는, 전술한 바와 같이, 스페이서(4)의 높이 불균일을 적게 하고, 또한 스페이서(4)에 단차를 형성할 수 있다. 그 결과, 도 2의 종래의 액정 표시 소자(1001)와는 상이하고, 그 제조시에 있어서, 기판 접합 공정의 수율의 저하를 억제할 수 있다. On the other hand, in the liquid crystal display element 1 according to the first embodiment of the present invention shown in Fig. 1, as described above, the height variation of the spacer 4 can be reduced and the step difference can be formed in the spacer 4 have. As a result, it is different from the conventional liquid crystal display element 1001 of FIG. 2, and it is possible to suppress the lowering of the yield in the substrate bonding step in the production thereof.

이하, 본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자(1)에 대해서, 보다 상세한 구조의 예를, 적절한 도면을 이용하면서 설명한다. 그 후, 본 발명의 제2 실시 형태의 액정 표시 소자의 제조 방법 및 그에 이용되는 본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 대해서 설명한다. Hereinafter, an example of a more detailed structure of the liquid crystal display element 1 of the first embodiment of the present invention will be described using appropriate drawings. Next, the method of manufacturing the liquid crystal display element according to the second embodiment of the present invention and the radiation sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention used therefor will be described.

또한, 본 발명에 있어서, 노광에 있어서 조사되는 「방사선」에는, 가시광선, 자외선, 원자외선, X선 및 하전 입자선 등이 포함된다. In the present invention, "radiation" irradiated in exposure includes visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-ray and charged particle light.

실시 형태 1. Embodiment 1

<액정 표시 소자><Liquid crystal display element>

본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자는, 예를 들면, 패시브 매트릭스 방식의 액정 표시 소자나 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 소자로서 사용할 수 있다. 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 소자는, 휴대형 전자 기기용의 디스플레이(모니터), 퍼스널 컴퓨터용의 디스플레이, 인쇄나 디자인용의 디스플레이, 의료용 기기의 디스플레이, 액정 텔레비전 등에 이용되고 있다. The liquid crystal display element of the first embodiment of the present invention can be used, for example, as a passive matrix type liquid crystal display element or an active matrix type liquid crystal display element. The active matrix type liquid crystal display device is used for displays (monitors) for portable electronic devices, displays for personal computers, displays for printing or design, displays for medical devices, liquid crystal televisions, and the like.

도 3은, 본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자의 구성의 일 예를 나타내는 개략적인 구성도이다. 3 is a schematic configuration diagram showing an example of the configuration of a liquid crystal display element according to the first embodiment of the present invention.

도 4는, 본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자의 화소의 회로 구성의 일 예를 설명하는 개략적인 회로도이다. 4 is a schematic circuit diagram illustrating an example of the circuit configuration of a pixel of a liquid crystal display element according to the first embodiment of the present invention.

도 3에 나타낸, 액티브 매트릭스 방식인 액정 표시 소자(10)는, 전술한 도 1의 본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자(1)의 일 예가 된다. 액정 표시 소자(10)는, 예를 들면, 도 3에 나타내는 바와 같이, 화상을 표시하는 액정 표시 패널(31), 제1 구동 회로(32), 제2 구동 회로(33), 제어 회로(34) 및 백라이트(35)를 갖고 구성된다. The liquid crystal display element 10 shown in Fig. 3, which is an active matrix system, is an example of the liquid crystal display element 1 of the first embodiment of the present invention shown in Fig. 3, the liquid crystal display element 10 includes a liquid crystal display panel 31 for displaying an image, a first driving circuit 32, a second driving circuit 33, a control circuit 34 And a backlight 35 as shown in Fig.

액정 표시 패널(31)은, 복수개의 주사 신호선(36) 및 복수개의 영상 신호선(37)을 갖고, 영상 신호선(37)은 각각 제1 구동 회로(32)에 접속되어 있고, 주사 신호선(36)은 각각 제2 구동 회로(33)에 접속되어 있다. The liquid crystal display panel 31 has a plurality of scanning signal lines 36 and a plurality of video signal lines 37. The video signal lines 37 are respectively connected to the first driving circuit 32 and the scanning signal lines 36, Are connected to the second driving circuit 33, respectively.

또한, 도 3에서는, 제2 구동 회로(33)에 접속하는 5개의 주사 신호선(36)이 나타나 있지만, 이것은 복수개의 주사 신호선(36) 중의 일부를 개략적으로 나타내는 것이고, 실제의 액정 표시 패널(31)에는, 추가로 다수개의 주사 신호선(36)이 밀(密)히 배치되어 있다. 마찬가지로, 도 3에는, 제1 구동 회로(32)에 접속하는 8개의 영상 신호선(37)이 나타나 있지만, 이것은 복수개의 영상 신호선(37) 중의 일부를 개략적으로 나타내는 것이고, 실제의 액정 표시 패널(31)에는, 추가로 다수개의 영상 신호선(37)이 밀히 배치되어 있다. 3 shows five scanning signal lines 36 connected to the second driving circuit 33 and schematically shows a part of the plurality of scanning signal lines 36. The actual liquid crystal display panel 31 ), A plurality of scanning signal lines 36 are further tightly arranged. 3 shows eight video signal lines 37 connected to the first driving circuit 32. It schematically shows a part of the plurality of video signal lines 37. The liquid crystal display panel 31 ), A plurality of video signal lines 37 are additionally disposed.

또한, 액정 표시 패널(31)의 화상을 표시하는 표시 영역(38)은, 매트릭스 형상으로 배치된 다수의 화소의 집합으로서 구성되어 있다. 표시 영역(38)에 있어서 1개의 화소가 점유하는 영역은, 예를 들면, 인접하는 2개의 주사 신호선(36)과, 인접하는 2개의 영상 신호선(37)에 의해 둘러싸이는 영역에 상당한다. 이때, 1개의 화소의 회로 구성은, 예를 들면, 도 4에 나타내는 바와 같은 구성으로 되어 있고, 액티브 소자로서 기능하는 TFT(43), 화소 전극(42), 공통 전극(41) (대향 전극이라고 칭하는 경우도 있음) 및 액정(40)을 갖는다. 그리고, 액정 표시 패널(31)에는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 예를 들면, 복수의 화소의 공통 전극(41)을 공통화하는 공통화 배선(39)이 형성되어 있다. The display area 38 for displaying the image of the liquid crystal display panel 31 is formed as a set of a plurality of pixels arranged in a matrix. The area occupied by one pixel in the display area 38 corresponds to an area surrounded by two adjacent scanning signal lines 36 and two adjacent video signal lines 37, for example. 4, and includes a TFT 43, a pixel electrode 42, and a common electrode 41 (an opposing electrode (not shown), which functions as an active element And a liquid crystal 40, as shown in Fig. In the liquid crystal display panel 31, as shown in Fig. 4, for example, a common wiring 39 for commoning the common electrodes 41 of a plurality of pixels is formed.

액정 표시 패널(31)은, 도 1의 제1 기판(2)의 예인, TFT(43)이 형성된 TFT 기판(도 3 및 도 4 중에는 도시되지 않음)과, 도 1의 제2 기판(3)의 예인, TFT 기판과 대향 배치되는 대향 기판과, TFT 기판과 대향 기판의 사이에 배치되는 액정(40)을 갖는 구조로 되어 있다. 이때, TFT 기판과 대향 기판은, 표시 영역(38)의 외측에 형성된 환상의 시일재(도 3 및 도 4 중에는 도시되지 않음)로 접착되어 있고, 액정(40)은, TFT 기판, 대향 기판 및 시일재로 둘러싸인 공간에 밀봉되어 있다. 그리고, 액정 표시 소자(10)의 액정 표시 패널(31)은, TFT 기판, 액정(40) 및 대향 기판을 협지하여 대향 배치된 한 쌍의 편광판(도 3 및 도 4 중에는 도시되지 않음)을 갖는다. 또한, 액정 표시 소자(10)는, 관찰자측이 되는 전체면측과는 반대의 배면측에 배치되고, 배면측으로부터 액정 표시 패널(31)에 빛을 방사하는 백라이트(35)를 갖는다. The liquid crystal display panel 31 includes a TFT substrate (not shown in Figs. 3 and 4) on which the TFT 43 is formed, which is an example of the first substrate 2 in Fig. 1, An opposing substrate disposed opposite to the TFT substrate, and a liquid crystal 40 disposed between the TFT substrate and the opposing substrate. At this time, the TFT substrate and the counter substrate are adhered with an annular sealing material (not shown in Figs. 3 and 4) formed on the outside of the display region 38, and the liquid crystal 40 is adhered to the TFT substrate, And is sealed in a space surrounded by a sealing material. The liquid crystal display panel 31 of the liquid crystal display element 10 has a pair of polarizing plates (not shown in Figs. 3 and 4) arranged opposite to each other with the TFT substrate, the liquid crystal 40 and the counter substrate interposed therebetween . The liquid crystal display element 10 has a backlight 35 disposed on the back side opposite to the entire surface side serving as an observer side and emitting light to the liquid crystal display panel 31 from the back side.

또한, TFT 기판은, 유리 기판 등의 절연 기판의 위에 주사 신호선(36), 영상 신호선(37), 액티브 소자인 TFT(43) 및 화소 전극(42) 등이 형성된 기판이다. 또한, 액정 표시 소자(10)의 구동 방식이 IPS 모드나 FFS 모드 등의 횡전계 구동 방식인 경우, 액정 표시 패널(31)의 공통 전극(41) 및 공통화 배선(39)은 TFT 기판에 배치되어 있다. 또한, 액정 표시 소자(10)의 구동 방식이 VA 모드나 TN 모드 등의 종전계 구동 방식인 경우, 액정 표시 패널(31)의 공통 전극(41)은 대향 기판에 배치되어 있다. 종전계 구동 방식의 액정 표시 소자(1)의 경우, 액정 표시 패널(31)의 공통 전극(41)은, 통상, 모든 화소에서 공유되는 대면적의 1매의 전체 형상의 평판 전극이며, 공통화 배선(39)은 형성되어 있지 않다. The TFT substrate is a substrate on which a scanning signal line 36, a video signal line 37, a TFT 43 as an active element, and a pixel electrode 42 are formed on an insulating substrate such as a glass substrate. When the driving method of the liquid crystal display element 10 is the transverse electric field driving method such as the IPS mode or the FFS mode, the common electrode 41 and the common wiring 39 of the liquid crystal display panel 31 are arranged on the TFT substrate have. When the driving method of the liquid crystal display element 10 is the conventional system driving method such as the VA mode or the TN mode, the common electrode 41 of the liquid crystal display panel 31 is arranged on the counter substrate. In the case of the liquid crystal display element 1 of the previous system driving type, the common electrode 41 of the liquid crystal display panel 31 is a flat electrode of one large-area overall shape shared by all the pixels, (39) is not formed.

액정 표시 소자(10)에 있어서, 제1 구동 회로(32)는, 영상 신호선(37)을 개재하여 각각의 화소의 화소 전극(42)에 더하는 영상 신호(계조 전압이라고 하는 경우도 있음)를 생성하는 구동 회로이며, 일반적으로, 소스 드라이버, 데이터 드라이버 등으로 칭해지고 있는 구동 회로이다. 또한, 제2 구동 회로(33)는, 주사 신호선(36)에 더하는 주사 신호를 생성하는 구동 회로이며, 일반적으로, 게이트 드라이버, 주사 드라이버 등으로 칭해지고 있는 구동 회로이다. In the liquid crystal display element 10, the first driving circuit 32 generates a video signal (also referred to as a gray-scale voltage) added to the pixel electrode 42 of each pixel via the video signal line 37 And is generally referred to as a source driver, a data driver, or the like. The second driving circuit 33 is a driving circuit for generating a scanning signal in addition to the scanning signal line 36 and is generally a driving circuit called a gate driver, a scanning driver, or the like.

또한, 제어 회로(34)는, 제1 구동 회로(32)의 동작의 제어, 제2 구동 회로(33)의 동작의 제어 및 백라이트(35)의 휘도의 제어 등을 행하는 회로이며, 일반적으로, TFT 컨트롤러, 타이밍 컨트롤러 등으로 칭해지고 있는 제어 회로이다. The control circuit 34 is a circuit for controlling the operation of the first drive circuit 32, the operation of the second drive circuit 33, and the control of the brightness of the backlight 35, A TFT controller, a timing controller, and the like.

또한, 백라이트(35)는, 예를 들면, 냉음극 형광등 등의 형광등 또는 발광 다이오드(LED) 등의 광원이며, 백라이트(35)로부터 방사된 빛은, 도시되지 않은 반사판, 도광판, 광 확산판, 프리즘 시트 등에 의해 면상(面狀) 광선으로 변환되어 액정 표시 패널(31)에 조사된다. The backlight 35 is a light source such as a fluorescent lamp such as a cold cathode fluorescent lamp or a light emitting diode (LED), and the light emitted from the backlight 35 passes through a reflection plate, a light guide plate, Converted into a planar light beam by a prism sheet or the like, and irradiated to the liquid crystal display panel 31. [

이상의 구성을 갖는 본 발명의 제1 실시 형태의 일 예인 액정 표시 소자(10)는, TFT 기판과 대향 기판의 사이에 액정(40)이 협지됨과 함께, 주상 형상을 갖는 스페이서(도 3 및 도 4 중에는 도시되지 않음)를 형성하여 구성된다. 즉, 도 1의 액정 표시 소자(1)와 동일하게, 액정 표시 소자(10)에 있어서는, 액정(40)이 밀봉된 공간에, 각각의 화소에 있어서의 액정(40)의 두께(셀 갭이라고도 칭하는 경우가 있음)의 균일화하기 위한 스페이서가 복수 형성되어 있다. 액정 표시 소자(10)에 있어서는, 이 복수의 스페이서가, 대향 기판에 형성된다. 그리고, TFT 기판 상에서는, 그 절연막에 있어서, 스페이서의 선단과 대향하는 부분에, 스페이서 대좌(도 3 및 도 4 중에는 도시되지 않음)가 형성된다. In the liquid crystal display element 10 having the above-described configuration according to the first embodiment of the present invention, the liquid crystal 40 is sandwiched between the TFT substrate and the counter substrate, and a spacer having a columnar shape (Figs. 3 and 4 (Not shown in the drawings). 1, in the liquid crystal display element 10, the thickness of the liquid crystal 40 in each pixel (also referred to as a cell gap) in the sealed space of the liquid crystal 40 A plurality of spacers are provided for uniformizing the thickness of the spacer. In the liquid crystal display element 10, the plurality of spacers are formed on the counter substrate. On the TFT substrate, a spacer pedestal (not shown in Figs. 3 and 4) is formed in a portion of the insulating film opposite to the front end of the spacer.

이하, 본 발명의 제1 실시 형태의 일 예인 액정 표시 소자(10)의 구조, 특히, 스페이서와 스페이서 대좌가 형성된 액정 표시 패널(31)의 화소의 구조에 대해서, 보다 상세하게 설명한다. Hereinafter, the structure of the liquid crystal display element 10, which is an example of the first embodiment of the present invention, particularly, the structure of the pixel of the liquid crystal display panel 31 in which the spacer and the spacer base are formed will be described in more detail.

도 5는, 본 발명의 제1 실시 형태의 일 예인 액정 표시 소자의 화소부를 개략적으로 설명하는 평면도이다. 5 is a plan view schematically illustrating a pixel portion of a liquid crystal display element which is an example of the first embodiment of the present invention.

본 발명의 제1 실시 형태의 일 예인 액정 표시 소자(10)는, 횡전계 구동 방식인 FFS 모드의 액정 표시 소자이다. The liquid crystal display element 10 which is one example of the first embodiment of the present invention is a liquid crystal display element of the FFS mode which is a transversal electric field driving system.

도 5에 나타내는 바와 같이, 액정 표시 소자(10)에 있어서, 주사 신호선(36)과 영상 신호선(37)으로 둘러싸인 매트릭스 형상의 각 영역에 화소가 형성되어 있다. 각 화소에 있어서는, 하측에 평면 전체로 ITO(Indium Tin Oxide)에 의해 형성된 공통 전극(41)이 형성되고, 공통 전극(41)의 단부에는, 공통 전극(41)에 코먼 전위를 공급하기 위한 공통화 배선(39)이 오버랩하여 형성되어 있다. 공통 전극(41)의 위에 후술하는 절연성의 막을 사이에 끼우고 슬릿을 갖는 화소 전극(42)이 형성되어 있다. 화소 전극(42)에 영상 신호가 공급되면, 공통 전극(41)과의 사이에 슬릿을 개재하여 액정(40)(도 5에는 도시되지 않음)에 전기력선이 발생하고, 이에 따라 액정(40)의 액정 분자를 기판면과 평행한 평면 내에서 회전 동작 시켜, 도시되지 않은 백라이트로부터의 빛의 양을 제어함으로써 화상을 형성할 수 있다.Pixels are formed in the matrix-shaped regions surrounded by the scanning signal line 36 and the video signal line 37 in the liquid crystal display element 10 as shown in Fig. In each pixel, a common electrode 41 formed by ITO (Indium Tin Oxide) is formed on the lower side as a whole, and a common electrode 41 for supplying a common potential to the common electrode 41 is formed at the end of the common electrode 41. [ The wirings 39 overlap. On the common electrode 41, there is formed a pixel electrode 42 having a slit sandwiching an insulating film to be described later. When an image signal is supplied to the pixel electrode 42, electric lines of force are generated in the liquid crystal 40 (not shown in FIG. 5) via the slit with the common electrode 41, An image can be formed by rotating the liquid crystal molecules in a plane parallel to the substrate surface to control the amount of light from a backlight not shown.

도 5에 나타내는 바와 같이, 주사 신호선(36)의 위에는 TFT가 형성되어 있다. 즉, 주사 신호선(36)의 위에는, 게이트 절연막(도 5에는 도시되지 않음)을 사이에 끼우고 반도체층(104)이 형성되어 있다. 드레인 전극(105)은 영상 신호선(37)이 분기한 것이다. 드레인 전극(105)과 대향하여 소스 전극(106)이 형성되고, 소스 전극(106)은, 화소 영역에 연재되고, 콘택트홀(109)을 개재하여 화소 전극(42)과 전기적으로 접속하고 있다. As shown in FIG. 5, a TFT is formed on the scanning signal line 36. That is, on the scanning signal line 36, a semiconductor layer 104 is formed with a gate insulating film (not shown in FIG. 5) sandwiched therebetween. The drain electrode 105 is branched from the video signal line 37. A source electrode 106 is formed opposite to the drain electrode 105. The source electrode 106 extends in the pixel region and is electrically connected to the pixel electrode 42 via the contact hole 109. [

도 5에 나타내는 바와 같이, 주사 신호선(36)의 위에, 스페이서 대좌(114)가 형성되어 있다. 스페이서 대좌(114)는, TFT 기판(100) 상에서 주사 신호선(36)을 덮도록 형성된 패시베이션막(107)(도 5 중, 도시되지 않음)과 동일한 형성 재료를 이용하고, 일괄하여 일체적으로 형성된 것이다. 또한, 스페이서 대좌(114)의 위에는, 배향막(113)(도 5 중, 도시되지 않음)이 형성되어 있다. 스페이서 대좌(114)에 대응하는 부분에는, 대향 기판에 형성된 주상 형상의 스페이서(204)의 선단이 접촉되어 있다. As shown in Fig. 5, a spacer pedestal 114 is formed on the scanning signal line 36. As shown in Fig. The spacer pedestal 114 is formed by using the same forming material as that of the passivation film 107 (not shown in Fig. 5) formed to cover the scanning signal line 36 on the TFT substrate 100, will be. An alignment film 113 (not shown in FIG. 5) is formed on the spacer pedestal 114. At the portion corresponding to the spacer pedestal 114, the tip end of the columnar spacer 204 formed on the counter substrate is in contact.

도 6은, 도 5의 A-A'선을 따른 단면 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 6 is a cross-sectional view schematically showing a cross-sectional structure taken along the line A-A 'in Fig.

도 6에 나타내는 바와 같이, TFT 기판(100)의 외측에는 편광판(120)이 형성되고, 대향 기판(200)의 외측에는 편광판(220)이 형성되어 있다. TFT 기판(100)과 대향 기판(200)의 사이에 액정(40)이 협지되어 있다. 즉, 본 발명의 제1 실시 형태의 일 예인 액정 표시 소자(10)는, 액정(40)이, TFT 기판(100)과 대향 기판(200) 에 의해 협지되고, 또한, 그 외측으로부터 한 쌍의 편광판(120, 220)에 의해 협지된다. 6, a polarizing plate 120 is formed on the outer side of the TFT substrate 100 and a polarizing plate 220 is formed on the outer side of the opposing substrate 200. As shown in Fig. A liquid crystal 40 is sandwiched between the TFT substrate 100 and the counter substrate 200. That is, the liquid crystal display element 10, which is one example of the first embodiment of the present invention, is characterized in that the liquid crystal 40 is sandwiched between the TFT substrate 100 and the counter substrate 200, And are held by the polarizing plates 120 and 220.

도 6에 나타내는 바와 같이, TFT 기판(100)의 액정(40)측의 면 상에는, 투명 전극인 ITO에 의한 공통 전극(41)이 형성되어 있다. 공통 전극(41)의 단부에는 공통 전극(41)에 코먼 전위를 공급하기 위한 공통화 배선(39)이 오버랩되어 있다. 공통 전극(41)은, 주사 신호선(36)과 절연하여 형성되어 있다. As shown in Fig. 6, on the surface of the TFT substrate 100 on the liquid crystal 40 side, a common electrode 41 made of ITO, which is a transparent electrode, is formed. A common wiring 39 for supplying a common potential to the common electrode 41 is overlapped with the end of the common electrode 41. The common electrode 41 is formed by being insulated from the scanning signal line 36.

주사 신호선(36)은 2층 구조를 갖고, 하층은 공통 전극(41)과 동일한 ITO에 의한 도전층(361)으로 형성되고, 상층은, 공통화 배선(39)과 동일한 금속으로 이루어지는 금속막(362)에 의해 형성되어 있다. 주사 신호선(36)을 형성하는 금속막(362)은, 예를 들면, MoW 또는 Al 합금 등으로 형성할 수 있다. The lower layer of the scanning signal line 36 is formed of the same conductive layer 361 made of ITO as the common electrode 41 and the upper layer of the scanning signal line 36 is formed of a metal film 362 made of the same metal as the common wiring 39 As shown in Fig. The metal film 362 forming the scanning signal line 36 can be formed of, for example, MoW or an Al alloy.

액정 표시 소자(10)에 있어서는, 주사 신호선(36) 및 공통 전극(41)을 덮어 게이트 절연막(103)이 형성되고, 게이트 절연막(103)의 위에, 도 1의 절연막(5)의 일 예가 되는 패시베이션막(107)이 형성되어 있다. 패시베이션막(107)의 위에는, 투명 도전 재료인 ITO에 의해, 화소 전극(42)이 형성되어 있다. 한편, 주사 신호선(36) 상의 패시베이션막(107)의 일부의 위에는, 패시베이션막(107)과 일괄하여 형성된 스페이서 대좌(114)가 배치되어 있다. 패시베이션막(107)과 일괄하여 일체적으로 형성된 스페이서 대좌(114)는, 도 1의 절연막(5)의 스페이서 대좌(6)의 일 예가 된다. In the liquid crystal display element 10, a gate insulating film 103 is formed so as to cover the scanning signal line 36 and the common electrode 41, and the gate insulating film 103 is formed on the gate insulating film 103 as an example of the insulating film 5 of FIG. 1 A passivation film 107 is formed. On the passivation film 107, a pixel electrode 42 is formed by ITO which is a transparent conductive material. On the other hand, on the part of the passivation film 107 on the scanning signal line 36, a spacer pedestal 114 integrally formed with the passivation film 107 is disposed. The spacer pedestal 114 formed integrally with the passivation film 107 is an example of the spacer pedestal 6 of the insulating film 5 in Fig.

그리고, 액정 표시 소자(10)의 패시베이션막(107)은, 후술하는 본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된 절연성의 유기막이다. 그리고, 그 위에 일괄하여 일체적으로 형성된 스페이서 대좌(114)도, 본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된 절연성의 유기 부재가 된다. The passivation film 107 of the liquid crystal display element 10 is an insulating organic film formed by using the radiation sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention to be described later. The spacer pedestal 114 integrally formed thereon as a whole is also an insulating organic member formed using the radiation sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention.

액정 표시 소자(10)의 패시베이션막(107)에 형성된 스페이서 대좌(114)는, 정방형, 장방형, 원형, 장원형 및 타원형 등의 평면 형상을 가질 수 있지만, 각이 없는 원형이나 장원형이나 타원형의 평면 형상으로 하는 것이 바람직하다. 이때, 도 6에 나타내는 바와 같이, 스페이서 대좌(114)의 액정(40)측의 상단부는, 화소 전극(42)의 액정(40)측의 상단부보다도 높아지도록 형성되어 있다. The spacer pedestal 114 formed on the passivation film 107 of the liquid crystal display element 10 may have a planar shape such as a square shape, a rectangular shape, a circular shape, a long circular shape, and an elliptical shape, It is preferable to have a planar shape. 6, the upper end of the spacer pedestal 114 on the side of the liquid crystal 40 is formed to be higher than the upper end of the pixel electrode 42 on the liquid crystal 40 side.

또한, 도 6에 있어서는, 패시베이션막(107)과 그 위의 스페이서 대좌(114)가, 파선에 의해 구별되어 나타나 있지만, 도 6 중의 파선은, 스페이서 대좌(114)가 명확해지도록 형성된 편의적인 것이며, 스페이서 대좌(114)와 패시베이션막(107)은, 전술한 바와 같이, 동일한 재료를 이용하여, 일체적으로, 일괄하여 형성된 것이다. 6, the passivation film 107 and the spacer pedestal 114 on the passivation film 107 are distinguished from each other by a broken line. The broken line in FIG. 6 is a convenience formed so that the spacer pedestal 114 becomes clear , The spacer pedestal 114 and the passivation film 107 are integrally formed as one body by using the same material as described above.

액정 표시 소자(10)에 있어서, 배향막(113)은, 이러한 구조의 TFT 기판 상에, 배향막 형성용의 배향제를 도포하고, 그 도막을 경화시켜 배향 처리를 함으로써 형성된다. In the liquid crystal display element 10, the alignment film 113 is formed by applying an alignment agent for forming an alignment film on a TFT substrate having such a structure, curing the alignment film, and performing alignment treatment.

또한, 도 6에 나타내는 바와 같이, 대향 기판(200)에는 블랙 매트릭스(201)와 컬러 필터(202)가 형성되어 있다. 블랙 매트릭스(201)는 스페이서 대좌(114) 부분을 덮도록 배치되어 있다. 따라서, 이 부분에 있어서, 액정(40)의 배향 제어가 충분하지 않은 상태라도, 백라이트로부터의 빛이 투과하여, 표시의 품위를 저하시키는 일은 없다. 6, a black matrix 201 and a color filter 202 are formed on the counter substrate 200. In addition, The black matrix 201 is disposed so as to cover the spacer pedestal 114 portion. Therefore, even if the alignment control of the liquid crystal 40 is not sufficient in this portion, the light from the backlight is transmitted, and the quality of the display is not lowered.

도 6에 나타내는 바와 같이, 컬러 필터(202)를 덮어 오버코트막(203)이 형성되고, 오버코트막(203) 상에는, TFT 기판(100)측에 돌설(突設)하도록, 주상 형상의 스페이서(204)가 형성되어 있다. 스페이서(204)는, 도 1의 제2 기판(3) 상의 스페이서(4)의 일 예가 된다. 6, an overcoat film 203 is formed to cover the color filter 202, and columnar spacers 204 (not shown) are formed on the overcoat film 203 so as to protrude from the TFT substrate 100 side, Is formed. The spacer 204 is an example of the spacer 4 on the second substrate 3 in Fig.

스페이서(204)는, 예를 들면, 감방사선성의 수지 조성물을 이용하고, 포토리소그래피법을 이용한 패터닝에 의해, 대향 기판(200) 상에 형성할 수 있다. 스페이서(204)는, 예를 들면, TFT 기판(100)측의 선단이 평탄한 원뿔대 형상의 형상을 가질 수 있다. 또한, 스페이서(204)는, 패시베이션막(107)과 스페이서 대좌(114)를 형성하기 위한, 본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성하는 것도 가능하다. 즉, 스페이서(204)는, 패시베이션막(107)과 동일하게, 후술하는 본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성할 수 있다. The spacer 204 can be formed on the counter substrate 200 by, for example, using a radiation-sensitive resin composition and patterning using a photolithography method. The spacer 204 may have, for example, a truncated cone shape whose tip on the TFT substrate 100 side is flat. The spacer 204 can also be formed using the radiation sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention for forming the passivation film 107 and the spacer pedestal 114. That is, the spacer 204 can be formed by using the radiation sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention, which will be described later, in the same manner as the passivation film 107.

그리고, 도 6에 나타내는 바와 같이, 대향 기판(200) 상에 형성된 스페이서(204)는, 그 선단이, TFT 기판(100)에 배치된 스페이서 대좌(114)와 대향하도록 배치되어 있다. 6, the spacer 204 formed on the counter substrate 200 is arranged such that its tip is opposed to the spacer pedestal 114 disposed on the TFT substrate 100. As shown in Fig.

대향 기판(200)에서는, 오버코트막(203) 및 스페이서(204)를 덮어 TFT 기판과 동일하게 배향막(113)이 형성되어 있다. In the counter substrate 200, an alignment film 113 is formed so as to cover the overcoat film 203 and the spacers 204 and to form the same as the TFT substrate.

또한, 대향 기판(200)에 있어서, 배향막(113)을 형성하기 위한 배향제를 도포하면, 오버코트막(203)의 위는 소정의 막두께의 배향막(113)이 형성되지만, 돌설하는 주상 형상의 스페이서(204)의 선단에는 레벨링 효과에 의해 배향막(113)은 거의 형성되지 않는 경우가 있다. When an alignment agent for forming the alignment film 113 is applied on the counter substrate 200, the alignment film 113 having a predetermined thickness is formed on the overcoat film 203. However, The alignment film 113 may hardly be formed at the tip of the spacer 204 due to the leveling effect.

이상의 구조를 갖는 본 발명의 제1 실시 형태의 일 예인 액정 표시 소자(10)는, 액정(40)을 협지하는 대향 기판(200)의 위에 스페이서(204)를 형성함과 함께, 다른 한쪽의 TFT 기판(100)의 패시베이션막(107)의 위에 스페이서(204)를 받기 위한 스페이서 대좌(114)를 형성하여 구성된다. 따라서, 액정 표시 소자(10)는, 액정(40)의 두께를 균일하게 형성할 수 있다. The liquid crystal display element 10 having the above structure according to the first embodiment of the present invention has a structure in which the spacer 204 is formed on the counter substrate 200 holding the liquid crystal 40, And a spacer pedestal 114 for receiving the spacer 204 on the passivation film 107 of the substrate 100. Therefore, the liquid crystal display element 10 can uniformly form the thickness of the liquid crystal 40. [

그리고, 본 발명의 제1 실시 형태의 일 예인 액정 표시 소자(10)는, 도 6에 나타낸, 대향 기판(200)의 위에 스페이서(204)를 형성함과 함께 TFT 기판(100)의 패시베이션막(107)의 위에 스페이서(204)를 받기 위한 스페이서 대좌(114)를 형성하는 구조와 아울러, 도시되지 않은, 패시베이션막(107) 상의, 스페이서(204)의 선단이 대향하는 부분에 스페이서 대좌(114)를 형성하지 않는 구조도 포함할 수 있다. 즉, 예를 들면, 도 5 및 도 6의 TFT 기판(100) 상의 스페이서(204)가 형성된 위치와는 상이한 위치에, 동일한 높이를 갖는 다른 스페이서를 형성할 수 있다. 여기에서, 동일한 높이의 다른 스페이서를 형성하는 위치는, 예를 들면, 도 5의 주사 신호선(36)의 위의, 스페이서(204)가 형성된 위치와는 떨어진 상이한 위치로 할 수 있다. 그리고, 그 다른 스페이서의 선단이 대향하는 패시베이션막(107)의 부분에 있어서는, 스페이서 대좌를 형성하지 않는 구조로 할 수 있다. 그 경우, 그 다른 스페이서의 선단과, 그것에 대향하는 패시베이션막(107)의 부분과의 사이에는, 극간이 형성된다. The liquid crystal display element 10 as one example of the first embodiment of the present invention has a structure in which the spacer 204 is formed on the counter substrate 200 and the passivation film A spacer base 114 is formed on the passivation film 107 at a portion where the tip of the spacer 204 is opposed to the spacer base 114 to form a spacer base 114 for receiving the spacer 204, May also be formed. That is, for example, another spacer having the same height can be formed at a position different from the position where the spacer 204 is formed on the TFT substrate 100 of Figs. 5 and 6. Here, the positions at which the other spacers having the same height are formed may be different from the positions where the spacers 204 are formed, for example, above the scanning signal lines 36 in Fig. In the portion of the passivation film 107 opposed to the tip of the other spacer, a spacer pedestal is not formed. In this case, a gap is formed between the tip of the other spacer and the portion of the passivation film 107 opposed thereto.

이와 같이, 본 발명의 제1 실시 형태의 일 예인 액정 표시 소자(10)에 있어서는, TFT 기판(100) 상의 스페이서(204)를 받기 위한 스페이서 대좌(114)가 형성된 구조와, 스페이서 대좌(114)가 형성되지 않은 구조를 아울러 함유함으로써, 전술한 도 1의 액정 표시 소자(1)의 구조를 실현할 수 있다. 즉, 복수의 스페이서(204)가, TFT 기판(100) 상, 각각 동일한 높이를 갖도록 형성되는 한편, 스페이서(204)에 단차를 형성할 수 있다. 그리고, 본 발명의 제1 실시 형태의 일 예인 액정 표시 소자(10)는, 그 제조시에 있어서, 기판 접합 공정의 수율의 저하를 억제할 수 있다. As described above, in the liquid crystal display element 10 according to the first embodiment of the present invention, the spacer pedestal 114 for receiving the spacer 204 on the TFT substrate 100 is formed, It is possible to realize the structure of the liquid crystal display element 1 of Fig. 1 described above. That is, a plurality of spacers 204 may be formed on the TFT substrate 100 to have the same height, and a step may be formed on the spacer 204. The liquid crystal display element 10, which is an example of the first embodiment of the present invention, can suppress the lowering of the yield in the substrate joining step at the time of its production.

실시 형태 2. Embodiment 2 Fig.

<액정 표시 소자의 제조 방법><Manufacturing Method of Liquid Crystal Display Element>

다음으로, 본 발명의 제2 실시 형태의 액정 표시 소자의 제조 방법에 대해 설명한다. Next, a method of manufacturing the liquid crystal display element according to the second embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 제2 실시 형태의 액정 표시 소자의 제조 방법에서는, 전술한 본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자를 제조할 수 있다. 즉, 본 발명의 제2 실시 형태의 액정 표시 소자의 제조 방법은, 도 1에 나타낸, 대향 배치된 제1 기판(2) 및 제2 기판(3) 중의, 제2 기판(3)의 위에 복수의 스페이서(4)를 갖고, 제1 기판(2)의 위에 절연막(5)을 가짐과 함께, 절연막(5) 상의 스페이서(4)의 선단과 대향하는 부분의 적어도 1개에 스페이서 대좌(6)를 갖고, 제1 기판(2) 및 제2 기판(3)의 사이에 액정(도시되지 않음)을 협지하여 이루어지는 액정 표시 소자의 제조 방법이 된다. In the method for manufacturing a liquid crystal display element according to the second embodiment of the present invention, the above-described liquid crystal display element according to the first embodiment of the present invention can be manufactured. That is, the method for manufacturing a liquid crystal display element according to the second embodiment of the present invention is a method for manufacturing a liquid crystal display element in which a plurality (two or more) of the first substrate 2 and the second substrate 3, And the spacer base 5 is provided on at least one portion of the insulating film 5 opposite to the tip of the spacer 4 on the insulating substrate 5, And a liquid crystal (not shown) is sandwiched between the first substrate 2 and the second substrate 3 to form a liquid crystal display element.

여기에서, 제1 기판으로서는, 예를 들면, 도 6 등을 이용하여 설명한 본 발명의 제1 실시 형태의 일 예인 액정 표시 소자(10)의 TFT 기판(100)을 이용할 수 있다. 즉, 유리 기판 등의 절연 기판의 위에, 공지의 방법을 이용하여, 주사 신호선(36), 영상 신호선(37), 액티브 소자인 TFT(43) 및 화소 전극(42) 등이 형성된 TFT 기판(100)을 사용할 수 있다. 따라서, 제1 기판은, 공지의 방법에 따라 준비할 수 있다. Here, as the first substrate, for example, the TFT substrate 100 of the liquid crystal display element 10, which is one example of the first embodiment of the present invention described with reference to Fig. 6 and the like, can be used. That is, a TFT substrate 100 (100) on which a scanning signal line 36, a video signal line 37, an active element TFT 43, and a pixel electrode 42 are formed is formed on an insulating substrate such as a glass substrate by a known method ) Can be used. Therefore, the first substrate can be prepared by a known method.

또한, 제2 기판으로서는, 예를 들면, 도 6 등을 이용하여 설명한 본 발명의 제1 실시 형태의 일 예인 액정 표시 소자(10)의 대향 기판(200)을 이용할 수 있다. 즉, 유리 기판 등의 절연 기판의 위에, 공지의 방법을 이용하여, 블랙 매트릭스(201)와 컬러 필터(202)가 형성되고, 컬러 필터(202)를 덮어 오버코트막(203)이 형성된 대향 기판(200)을 사용할 수 있다. 그리고, 대향 기판(200)의 오버코트막(203) 상에는, 공지의 방법에 따라, TFT 기판(100) 측에 돌설하도록, 주상 형상의 스페이서(204)를 형성할 수 있다. 따라서, 스페이서를 갖는 제2 기판은, 공지의 방법에 따라 준비할 수 있다. As the second substrate, for example, the counter substrate 200 of the liquid crystal display element 10, which is an example of the first embodiment of the present invention described with reference to Fig. 6, can be used. That is, a black matrix 201 and a color filter 202 are formed on an insulating substrate such as a glass substrate by using a known method, and the color filter 202 is covered with an overcoat film 203 200) can be used. On the overcoat film 203 of the counter substrate 200, a columnar spacer 204 may be formed so as to protrude toward the TFT substrate 100 by a known method. Therefore, the second substrate having the spacer can be prepared by a known method.

이상에서, 본 발명의 제2 실시 형태의 액정 표시 소자의 제조 방법에 대해서는, 적절히 도 1을 참조하면서, 제1 기판 상에 절연막 및 스페이서 대좌를 일괄하여 형성하는 방법에 대해서, 즉, 절연막 및 스페이서 대좌를 갖는 액정 표시 소자용의 기판의 제조 방법에 대해서, 상세하게 설명한다. As described above, the method of manufacturing the liquid crystal display element according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to Fig. 1 as to a method of collectively forming the insulating film and the spacer pedestal on the first substrate, that is, A method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display element having a pedestal will be described in detail.

(절연막 및 스페이서 대좌를 갖는 기판의 제조 방법)(Method of manufacturing a substrate having an insulating film and a spacer base)

본 발명의 제2 실시 형태의 액정 표시 소자의 제조 방법에 포함되는, 절연막 및 스페이서 대좌를 형성하는 방법은, 하기의 공정 [1]∼공정 [4]를 이 순서로 포함하는 것이 바람직하다. The method of forming the insulating film and the spacer pedestal included in the method for manufacturing a liquid crystal display element according to the second embodiment of the present invention preferably includes the following steps [1] to [4] in this order.

[1] 후술하는 본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물의 도막을, 제1 기판(2) 상에 형성하는 도막 형성 공정(이하, 「공정 [1]」이라고 하는 경우가 있음). 또한, 본 공정의 제1 기판(2)에는, 전술한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시 형태의 일 예인 액정 표시 소자(10)의 TFT 기판(100)을 이용할 수 있다. [1] A coating film forming step (hereinafter sometimes referred to as &quot; step [1] &quot;) for forming a coated film of the radiation sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention on the first substrate 2, . As described above, the TFT substrate 100 of the liquid crystal display element 10, which is an example of the first embodiment of the present invention, can be used for the first substrate 2 of the present step.

[2] 공정 [1]에서 형성된 감방사선성 수지 조성물의 도막에 하프 톤 마스크 및 그레이 톤 마스크로부터 선택되는 적어도 한쪽을 이용하여 방사선을 조사하는 노광 공정(이하, 「공정 [2]」라고 하는 경우가 있음). [2] An exposure step (hereinafter referred to as &quot; step [2] &quot;) for irradiating a coating film of the radiation sensitive resin composition formed in step [1] with radiation using at least one selected from a halftone mask and a gray- ).

[3] 공정 [2]에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 현상 공정(이하, 「공정 [3]」이라고 하는 경우가 있음). [3] A developing step (hereinafter sometimes referred to as "step [3]") for developing a coating film irradiated with radiation in step [2].

[4] 공정 [3]에서 현상된 도막을 가열하는 가열 공정(이하, 「공정 [4]」라고 하는 경우가 있음). [4] A heating step (hereinafter referred to as "step [4]") for heating the developed coating film in step [3].

공정 [1]∼공정 [4]에 의하면, 제1 기판(2) 상에, 수지로 이루어지는 소정 형상의 패턴의 형성이 가능해져, 제1 기판(2) 상에 소망으로 하는 조성의 수지로 이루어지는 절연막(5) 및 스페이서 대좌(6)를 형성할 수 있다. 즉, 도 1에 나타낸, 제1 기판(2) 상의 절연막(5) 및 스페이서 대좌(6)를, 일괄하여 일체로 형성할 수 있다. According to the steps [1] to [4], it is possible to form a pattern of a predetermined shape made of a resin on the first substrate 2 and to form a pattern of a desired composition on the first substrate 2 The insulating film 5 and the spacer pedestal 6 can be formed. That is, the insulating film 5 and the spacer pedestal 6 on the first substrate 2 shown in Fig. 1 can be collectively formed integrally.

이하, 전술의 공정 [1]∼공정 [4]에 대해서 보다 상세하게 설명한다. Hereinafter, the above-mentioned steps [1] to [4] will be described in more detail.

[공정 [1]][Process [1]]

본 공정에서는, 후술하는 본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물의 도막을 제1 기판(2) 상에 형성한다. 또한, 사용하는 본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 대해서는, 이후에 상세하게 설명한다. In this step, a coating film of the radiation-sensitive resin composition according to the third embodiment of the present invention to be described later is formed on the first substrate 2. The radiation sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention to be used will be described in detail later.

이 기판에 있어서, 한쪽의 면에 본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 프리베이킹을 행하여 유기용매 등의 용매를 증발시켜, 도막을 형성한다. In this substrate, the radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention is applied to one side of the substrate, followed by prebaking to evaporate a solvent such as an organic solvent to form a coating film.

제1 기판(2)의 재료로서는, 예를 들면, 소다 라임 유리 및 무알칼리 유리 등의 유리 기판, 실리콘 기판, 혹은, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 방향족 폴리아미드, 폴리아미드이미드 및 폴리이미드 등의 수지 기판 등을 들 수 있고, 또한, 이들 기판에는, 소망에 의해, 실란커플링제 등에 의한 약품 처리, 플라즈마 처리, 이온 플레이팅, 스퍼터링, 기상 반응법, 진공 증착 등의 전처리를 행해둘 수도 있다. 그리고, 제1 기판으로서, 전술한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시 형태의 일 예인 액정 표시 소자(10)의 TFT 기판(100)을 이용하는 경우, 그 TFT 기판(100)을 구성하는 기판에, 전술의 유리 기판, 실리콘 기판 및 수지 기판을 이용할 수 있다. As the material of the first substrate 2, for example, a glass substrate such as soda lime glass and non-alkali glass, a silicon substrate, or a substrate such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyether sulfone, polycarbonate, Amide, polyamideimide, and polyimide. In addition, these substrates may be subjected to a chemical treatment with a silane coupling agent or the like, a plasma treatment, an ion plating, a sputtering, a gas phase reaction method, a vacuum A pretreatment such as deposition may be performed. When the TFT substrate 100 of the liquid crystal display element 10, which is an example of the first embodiment of the present invention, is used as the first substrate, the substrate constituting the TFT substrate 100, Mentioned glass substrate, a silicon substrate and a resin substrate can be used.

감방사선성 수지 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들면, 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법(스핀 코팅법 또는 스피너법이라고 칭해지는 경우도 있음), 슬릿 도포법(슬릿 다이 도포법), 바 도포법, 잉크젯 도포법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 이들 중, 균일한 두께의 막을 형성할 수 있는 점에서, 스핀 코팅법 또는 슬릿 도포법이 바람직하다. Examples of the application method of the radiation sensitive resin composition include a spray method, a roll coating method, a rotary coating method (sometimes referred to as a spin coating method or a spinner method), a slit coating method (slit die coating method) A coating method, an ink-jet coating method, and the like can be employed. Of these, a spin coating method or a slit coating method is preferable in that a film having a uniform thickness can be formed.

전술의 프리베이킹의 조건은, 감방사선성 수지 조성물을 구성하는 각 성분의 종류, 배합 비율 등에 따라 상이하지만, 70℃∼120℃의 온도로 행하는 것이 바람직하고, 시간은, 핫 플레이트나 오븐 등의 가열 장치에 따라 상이하지만, 대체로 1분간∼10분간 정도로 할 수 있다. The above-described prebaking condition is preferably performed at a temperature of 70 to 120 캜, and it is preferable that the prebaking is performed at a temperature of, for example, a hot plate, an oven, or the like, depending on the kinds of components constituting the radiation sensitive resin composition, Depending on the heating apparatus, it can be generally from about 1 minute to about 10 minutes.

[공정 [2]][Process [2]]

이어서, 본 공정에서는, 공정 [1]에서 형성된 제1 기판(2) 상의 도막에 대하여, 반투과막으로 이루어지는 하프 톤 마스크 및, 슬릿에 의한 반투과 영역을 포함하는 그레이 톤 마스크로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 한쪽을 이용한다. 이와 같이 하면, 막두께가 상이한 부분을 포함하는 절연막을 적합하게 작성하는 것이 가능해져, 스페이서 대좌(6)가 배치되어 콘택트홀(7)이 형성된 절연막(5)을 적합하게 형성할 수 있다. Next, in this step, a halftone mask made of a semi-transparent film and a gray-tone mask including a semi-transparent area by a slit are selected from the group consisting of the coating film on the first substrate 2 formed in the step [1] At least one of them is used. This makes it possible to appropriately form an insulating film containing a portion having a different film thickness and appropriately form the insulating film 5 in which the spacer pedestal 6 is disposed and the contact hole 7 is formed.

본 공정에서 사용하는 하프 톤 마스크 또는 그레이 톤 마스크는, 도 1에 나타낸, 스페이서 대좌(6)와 콘택트홀(7)을 구비한 절연막(5)의 형상에 대응하는 마스크 패턴을 구비한 것이 된다. The halftone mask or gray-tone mask used in the present step is provided with a mask pattern corresponding to the shape of the insulating film 5 having the spacer pedestal 6 and the contact hole 7 shown in Fig.

그리고, 사용하는 감방사선성 수지 조성물이 포지티브형의 감방사선성을 갖는 경우, 도 1에 나타낸, 절연막(5) 상에 스페이서 대좌(6)가 형성된 영역은, 방사선의 조사가 이루어지지 않는 미노광 영역이 된다. 그리고, 제1 기판(2) 상에 절연막(5)만이 형성되고 스페이서 대좌(6)가 형성되어 있지 않은 영역은, 방사선의 조사량이 제어된 하프 노광 영역이 된다. 또한, 절연막(5)의 콘택트홀(7)의 형성 영역은, 방사선의 조사량을 제어하는 일 없이 방사선의 조사가 행해지는 풀 노광 영역이 된다. In the case where the radiation sensitive resin composition to be used has a positive radiation sensitive property, a region where the spacer pedestal 6 is formed on the insulating film 5 shown in Fig. 1, Area. A region where only the insulating film 5 is formed on the first substrate 2 and the spacer pedestal 6 is not formed becomes a half exposure region in which the dose of radiation is controlled. The region where the contact hole 7 of the insulating film 5 is formed becomes a full-exposure region in which radiation is irradiated without controlling the irradiation amount of the radiation.

한편, 사용하는 감방사선성 수지 조성물이 네거티브형의 감방사선성을 갖는 경우, 도 1에 나타낸, 절연막(5) 상에 스페이서 대좌(6)가 형성된 영역은, 방사선의 조사량을 제어하는 일 없이 방사선의 조사가 행해지는 풀 노광 영역이 된다. 그리고, 제1 기판(2) 상에 절연막(5)만이 형성되고 스페이서 대좌(6)가 형성되어 있지 않은 영역은, 방사선의 조사량이 제어된 하프 노광 영역이 된다. 또한, 절연막(5)의 콘택트홀(7)의 형성 영역은, 방사선의 조사가 이루어지지 않는 미노광 영역이 된다. On the other hand, in the case where the radiation sensitive resin composition to be used has a negative radiation sensitivity, the region where the spacer pedestal 6 is formed on the insulating film 5 shown in Fig. 1, Exposure area in which the irradiation of the light is performed. A region where only the insulating film 5 is formed on the first substrate 2 and the spacer pedestal 6 is not formed becomes a half exposure region in which the dose of radiation is controlled. In addition, the region where the contact hole 7 of the insulating film 5 is formed becomes an unexposed region in which radiation is not irradiated.

방사선의 조사에 사용되는 방사선으로서는, 전술한 바와 같이, 예를 들면, 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, X선 등을 사용할 수 있다. 이들 방사선 중에서도, 파장이 190㎚∼450㎚의 범위에 있는 방사선이 바람직하고, 특히 365㎚의 자외선을 포함하는 방사선이 바람직하다. As described above, visible rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electron rays, X rays, and the like can be used as the radiation to be used for irradiation of the radiation. Among these radiation, radiation having a wavelength in the range of 190 nm to 450 nm is preferable, and radiation containing ultraviolet rays of 365 nm in particular is preferable.

공정 [2]에 있어서의 방사선의 조사량은, 방사선의 파장 365㎚에 있어서의 강도를, 조도계(OAI model356, OAI Optical Associates Inc. 제조)에 의해 측정한 값으로서, 전술의 풀 노광 영역에 있어서, 바람직하게는 100J/㎡∼10000J/㎡, 보다 바람직하게는 500J/㎡∼6000J/㎡이다. The radiation dose in the process [2] is a value measured by an illuminometer (OAI model 356, manufactured by OAI Optical Associates Inc.) of the radiation at a wavelength of 365 nm, M 2 to 10000 J / m 2, and more preferably from 500 J / m 2 to 6000 J / m 2.

그리고, 전술의 하프 노광 영역에서는, 이들 풀 노광 영역에서의 조사량과 비교하여, 보다 제한된 작은 값이 되는 조사량이 선택되어, 방사선의 조사가 행해진다. In the above-described half-exposure area, a radiation amount that is a smaller value is selected as compared with the irradiation amount in these pool exposure areas, and irradiation with radiation is performed.

[공정 [3]][Process [3]]

이어서, 본 공정에서는, 공정 [2]에서 얻어진 방사선 조사 후의 도막을 현상함으로써, 불요한 부분을 제거하여, 경화막으로서, 스페이서 대좌(6)와 콘택트홀(7)을 구비한 소정의 절연막(5)의 패턴을 일괄하여 형성한다. 사용하는 감방사선성 수지 조성물의 도막이 네거티브형인 경우는, 방사선의 비조사 부분이 불필요한 부분이 된다. 또한, 사용하는 감방사선성 수지 조성물의 도막이 포지티브형의 경우는, 방사선의 조사 부분이 불필요한 부분이 된다. In this step, unnecessary portions are removed by developing the coating film after irradiation with radiation obtained in the step [2] to form a predetermined insulating film 5 having the spacer pedestal 6 and the contact hole 7 as a cured film ) Are collectively formed. When the coating film of the radiation sensitive resin composition to be used is of the negative type, the non-irradiated portion of the radiation becomes an unnecessary portion. When the coated film of the radiation sensitive resin composition to be used is of the positive type, the irradiated portion of the radiation becomes unnecessary.

공정 [3]의 현상 공정에 사용되는 현상액으로서는, 알칼리(염기성 화합물)의 수용액으로 이루어지는 알칼리 현상액의 사용이 바람직하다. 알칼리의 예로서는, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨, 암모니아 등의 무기 알칼리; As the developer used in the developing step of the process [3], it is preferable to use an alkali developing solution comprising an aqueous solution of an alkali (basic compound). Examples of the alkali include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate and ammonia;

테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드 등의 4급 암모늄염 등을 들 수 있다. Quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, and the like.

또한, 이러한 알칼리 현상액에는, 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기용매나 계면활성제를 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다. 알칼리 현상액에 있어서의 알칼리의 농도는, 적당한 현상성을 얻는 관점에서, 바람직하게는 0.1질량%∼5질량%로 할 수 있다. 현상 방법으로서는, 예를 들면, 퍼들법, 디핑법, 요동 침지법, 샤워법 등의 적절한 방법을 이용할 수 있다. 현상 시간은, 감방사선성 수지 조성물의 조성에 따라 상이하지만, 바람직하게는 10초간∼180초간 정도이다. 이러한 현상 처리에 이어, 예를 들면, 유수 세정을 30초간∼90초간 행한 후, 예를 들면, 압축 공기나 압축 질소로 풍건시킴으로써, 소망하는 형상의 절연막(5)의 패턴을 형성할 수 있다. Further, a water-soluble organic solvent such as methanol, ethanol and the like or a surfactant may be added to the alkali developing solution in an appropriate amount. The concentration of the alkali in the alkali developing solution may be preferably from 0.1% by mass to 5% by mass from the viewpoint of obtaining a suitable developing property. As the developing method, for example, suitable methods such as puddle method, dipping method, oscillating dipping method, and shower method can be used. The developing time varies depending on the composition of the radiation sensitive resin composition, but is preferably about 10 seconds to 180 seconds. Following this developing treatment, for example, the patterning of the insulating film 5 of a desired shape can be performed by conducting water-washing for 30 seconds to 90 seconds and then air-blowing with, for example, compressed air or compressed nitrogen.

[공정 [4]][Process [4]]

이어서, 본 공정에서는, 공정 [3]에서 얻어진 제1 기판(2) 상의 패턴 형상의 도막을, 핫 플레이트나 오븐 등의 적당한 가열 장치에 의해 가열하고, 경화막으로서, 스페이서 대좌(6)와 콘택트홀(7)을 구비한 소정 형상의 절연막(5)을 형성한다. 가열 온도로서는, 150℃∼350℃가 바람직하다. 150℃ 이상의 가열 온도로 함으로써 도막의 충분한 경화가 가능해진다. 또한, 350℃ 이하로 함으로써, 제1 기판(2)이 수지 기판을 이용하여 구성되어 있었다고 해도, 그의 열 열화를 방지할 수 있다. 이상과 같은 점에서, 가열 온도로서는, 150℃∼300℃가 보다 바람직하다. 경화 시간으로서는, 예를 들면, 핫 플레이트 상에서는 5분간∼30분간, 오븐 중에서는 30분간∼180분간이 바람직하다. Then, in this step, the pattern-like coating film on the first substrate 2 obtained in the step [3] is heated by a suitable heating device such as a hot plate or an oven, and the spacer base 6 and the contact An insulating film 5 having a predetermined shape having holes 7 is formed. The heating temperature is preferably 150 ° C to 350 ° C. By setting the heating temperature to 150 DEG C or higher, it is possible to sufficiently cure the coating film. Further, by setting the temperature at 350 占 폚 or less, it is possible to prevent the thermal deterioration of the first substrate 2 even if the first substrate 2 is formed using the resin substrate. In view of the above, the heating temperature is more preferably 150 ° C to 300 ° C. As the curing time, for example, it is preferably 5 minutes to 30 minutes on a hot plate, and 30 minutes to 180 minutes in an oven.

(액정 표시 소자의 제조 방법)(Manufacturing Method of Liquid Crystal Display Element)

이상에 따라, 본 발명의 제2 실시 형태의 액정 표시 소자의 제조 방법에서는, 복수의 스페이서(4)를 갖는 제2 기판(3)과, 스페이서 대좌(6) 및 콘택트홀(7)이 일괄하여 형성된 절연막(5)을 갖는 제1 기판(2)이 준비되어, 액정 표시 소자가 제조된다. As described above, in the method for manufacturing a liquid crystal display element according to the second embodiment of the present invention, the second substrate 3 having a plurality of spacers 4, the spacer base 6 and the contact holes 7 are collectively A first substrate 2 having an insulating film 5 formed thereon is prepared to produce a liquid crystal display element.

우선, 전술의 제1 기판(2) 및 제2 기판(3) 각각의 위에, 액정을 배향하기 위한 배향막(도 1 중, 도시되지 않음)을, 공지의 액정 배향제를 이용하여 공지의 방법에 따라 형성한다. First, an alignment film (not shown in Fig. 1) for aligning the liquid crystal is formed on each of the above-described first substrate 2 and the second substrate 3 by a known method using a known liquid crystal aligning agent .

다음으로, 제1 기판(2) 및 제2 기판(3) 중의 한쪽의 기판 상의 소정의 장소에, 예를 들면, 자외선 경화성의 시일재(도 1 중, 도시되지 않음)를 도포하고, 공지의 액정 적하법에 따라, 추가로 배향막면 상의 소정의 수 개소에 액정을 적하한 후, 액정 배향막이 대향하도록 다른 한쪽의 기판을 접합한다. 그리고, 기판 간의 액정을 기판 전체면으로 펴바르고, 이어서 기판의 전체면에 자외광을 조사하여 시일재를 경화함으로써, 액정 표시 패널을 제조한다. Next, an ultraviolet curable sealing material (not shown in Fig. 1) is applied to a predetermined place on one of the first substrate 2 and the second substrate 3, According to the liquid crystal dropping method, liquid crystal is further dropped onto a predetermined number of places on the alignment film surface, and then the other substrate is bonded so that the liquid crystal alignment film is opposed. Then, the liquid crystal between the substrates is spread over the entire surface of the substrate, and then the entire surface of the substrate is irradiated with ultraviolet light to cure the sealing material, thereby manufacturing a liquid crystal display panel.

이와 같이 하여 제조된 액정 패널에 대하여, 추가로, 이용한 액정이 등방상을 취하는 온도까지 가열한 후, 실온까지 서서히 냉각함으로써, 액정 충전시의 유동 배향을 제거하는 것이 바람직하다. In addition, it is preferable to heat the liquid crystal panel thus manufactured to a temperature at which the liquid crystal used has an isotropic phase, and then gradually cool to room temperature to remove the flow orientation at the time of filling the liquid crystal.

이상에서, 배향막을 형성한 제1 기판(2) 및 제2 기판(3)의 사이에, 액정이 배치되고 협지되어, 액정 표시 패널이 제조된다. 이때, 액정 표시 패널을 제조하는 방법으로서는, 잘 알려진 다른 방법으로서, 배향막이 대향하도록 간극(셀 갭)을 개재하여 제1 기판(2) 및 제2 기판(3)을 대향 배치하고, 기판끼리의 주변부를 시일재를 이용하여 접합하고, 기판 표면 및 시일재에 의해 구획된 공간 내에 액정을 주입 충전한 후, 주입공을 봉지하는 방법을 이용하는 것도 가능하다. In the above, the liquid crystal is arranged and sandwiched between the first substrate 2 and the second substrate 3 on which the alignment film is formed, and a liquid crystal display panel is manufactured. At this time, as a well-known method for manufacturing the liquid crystal display panel, the first substrate 2 and the second substrate 3 are disposed to face each other with a space (cell gap) interposed therebetween such that the alignment films face each other, It is also possible to use a method in which the peripheral portion is bonded by using a sealing material, the liquid crystal is injected and filled in the space partitioned by the surface of the substrate and the sealing member, and then the injection hole is sealed.

그리고, 얻어진 액정 표시 패널의 외측 표면에 편광판을 접합으로써, 본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자(1)를 얻을 수 있다. Then, the liquid crystal display element 1 of the first embodiment of the present invention can be obtained by bonding a polarizing plate to the outer surface of the obtained liquid crystal display panel.

본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자(1)는, 예를 들면, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제1 구동 회로(32), 제2 구동 회로(33), 제어 회로(34) 및 백라이트(35) 등을 공지의 방법에 따라 설치함으로써, 본 발명의 제1 실시 형태의 일 예인 액정 표시 소자(10)를 구성할 수 있다. 3, the liquid crystal display element 1 according to the first embodiment of the present invention includes a first driving circuit 32, a second driving circuit 33, a control circuit 34, The liquid crystal display element 10, which is an example of the first embodiment of the present invention, can be constituted.

다음으로, 본 발명의 제2 실시 형태의 액정 표시 소자의 제조 방법으로 적합하게 이용되고, 본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자(1) 및 그 일 예인 액정 표시 소자(10)의 절연막(5)(패시베이션막(107))을 형성할 수 있는, 본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 대해서 설명한다. Next, the liquid crystal display element 1 of the first embodiment of the present invention and the insulating film of the liquid crystal display element 10 (one example thereof), which is suitably used in the method of manufacturing the liquid crystal display element of the second embodiment of the present invention 5 (passivation film 107) of the radiation sensitive resin composition according to the third embodiment of the present invention.

실시 형태 3. Embodiment 3:

<감방사선성 수지 조성물><Radiation-Resistant Resin Composition>

본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, 본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자에 있어서의 절연막의 형성에 적합하게 이용할 수 있다. 본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 전술한 본 발명의 제2 실시 형태의 액정 표시 소자의 제조 방법에 있어서의, 절연막 및 스페이서 대좌를 갖는 기판의 제조 방법에 의해 형성된 절연막은, 소망으로 하는 부분에 스페이서 대좌를 일체적으로 형성하여 가질 수 있다. 즉, 본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 소정의 기판 상에 그 도막을 형성하고, 감방사선성을 이용한 패터닝을 행한 후, 경화막으로서, 그 기판 상에 수지로 이루어지는 절연막 및 스페이서 대좌를 일괄하여 일체적으로 형성할 수 있다. The radiation sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention can be suitably used for forming an insulating film in the liquid crystal display element of the first embodiment of the present invention. The radiation sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention is used to form the liquid crystal display element of the second embodiment of the present invention which is formed by the method of producing a substrate having an insulating film and a spacer base The insulating film may have a spacer base integrally formed at a desired portion. That is, the radiation-sensitive resin composition according to the third embodiment of the present invention is used to form a coating film on a predetermined substrate, and patterning is carried out using radiation-sensitive properties. Thereafter, as a cured film, The insulating film and the spacer base can be collectively formed integrally.

이때, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, 포지티브형 및 네거티브형의 어느 감방사선성도 선택하여 구비하는 것이 가능하다. At this time, the radiation sensitive resin composition of the present embodiment can be provided by selecting any one of the positive and negative radiation sensitive properties.

본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, [A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체 및, [B] 감방사선성 화합물을 함유하여 이루어지는다. 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은 감방사선성을 갖는다. 그리고, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, [C] 중합성 불포화 화합물을 함유할 수 있다. 또한, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한, 그 외의 임의 성분을 함유해도 좋다. The radiation sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention comprises a polymer comprising a structural unit having a carboxyl group [A] and a radiation sensitive compound [B]. The radiation sensitive resin composition of this embodiment has radiation sensitivity. The radiation sensitive resin composition of the present embodiment may contain a [C] polymerizable unsaturated compound. The radiation sensitive resin composition of the present embodiment may contain other optional components as long as the effect of the present invention is not impaired.

이하, 본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 함유되는 각 성분에 대해서 설명한다. Each component contained in the radiation sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention will be described below.

<[A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체>&Lt; Polymer comprising a structural unit having a carboxyl group [A]

본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 함유되는 [A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체(이하, 단순히 [A] 중합체라고 하는 경우가 있음)는,(A) a polymer containing a structural unit having a carboxyl group (hereinafter sometimes simply referred to as [A] polymer) contained in the radiation sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention,

(A1) 카복실기를 갖는 구조 단위 (이하 「구조 단위 (A1)」이라고 함),(A1) a structural unit having a carboxyl group (hereinafter referred to as &quot; structural unit (A1) &quot;),

(A2) 가교성기를 갖는 구조 단위 (이하 「구조 단위 (A2)」라고 함) 및(A2) a structural unit having a crosslinkable group (hereinafter referred to as &quot; structural unit (A2) &quot;) and

(A3) 하기식 (1)로 나타내는 구조 단위 (이하 「구조 단위 (A3)」이라고 함)를 갖는다. [A] 중합체는, (A4) 상기 (A1)∼(A3) 이외의 구조 단위 (이하 「구조 단위 (A4)」라고 함)를 갖고 있어도 좋다.(A3) a structural unit represented by the following formula (1) (hereinafter referred to as "structural unit (A3)"). The polymer [A] may have (A4) a structural unit other than the above-mentioned (A1) to (A3) (hereinafter referred to as "structural unit (A4)").

Figure pat00003
Figure pat00003

(식 (1) 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기이고, R2, R3 및 R4는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 3∼12의 사이클로알킬기, 탄소수 1∼6의 알콕시기 및 페닐기 중 어느 것을 나타내며, n은 1∼6의 정수를 나타낸다.)(1), R 1 is a hydrogen atom or a methyl group, R 2 , R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms, An alkoxy group of 1 to 6 carbon atoms and a phenyl group, and n represents an integer of 1 to 6).

상기식 (1)에 있어서의 R2의 탄소수 1∼6의 알킬기는, 직쇄상, 분기상 및 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, iso-프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다. 또한, 상기식 (1)에 있어서의 R2의 탄소수 3∼12의 사이클로알킬기로서는, 예를 들면, 사이클로헥실기 등을; The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 2 in the formula (1) may be any of linear, branched and cyclic. Specific examples thereof include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group and hexyl group. Examples of the cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms for R 2 in the formula (1) include a cyclohexyl group and the like;

탄소수 1∼6의 알콕시기로서는, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, sec-부톡시기, tert-부톡시기, 펜톡시기, 헥실옥시기 등을 들 수 있다. Examples of the alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms include methoxy, ethoxy, n-propoxy, iso-propoxy, n-butoxy, sec- And the period of time when the painting is finished.

상기식 (1)에 있어서의 R3의 탄소수 1∼6의 알킬기는, 직쇄상, 분기상 및 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, iso-프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다. 또한, 상기식 (1)에 있어서의 R3의 탄소수 3∼12의 사이클로알킬기로서는, 예를 들면, 사이클로헥실기 등을; The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 3 in the formula (1) may be any of linear, branched and cyclic. Specific examples thereof include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group and hexyl group. Examples of the cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms for R 3 in the formula (1) include a cyclohexyl group and the like;

탄소수 1∼6의 알콕시기로서는, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, sec-부톡시기, tert-부톡시기, 펜톡시기, 헥실옥시기 등을 들 수 있다. Examples of the alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms include methoxy, ethoxy, n-propoxy, iso-propoxy, n-butoxy, sec- And the period of time when the painting is finished.

상기식 (1)에 있어서의 R4의 탄소수 1∼6의 알킬기는, 직쇄상, 분기상 및 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, iso-프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다. 또한, 상기식 (1)에 있어서의 R4의 탄소수 3∼12의 사이클로알킬기로서는, 예를 들면, 사이클로헥실기 등을; The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by R &lt; 4 &gt; in the formula (1) may be any of linear, branched and cyclic. Specific examples thereof include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group and hexyl group. Examples of the cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms for R 4 in the formula (1) include a cyclohexyl group and the like;

탄소수 1∼6의 알콕시기로서는, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, sec-부톡시기, tert-부톡시기, 펜톡시기, 헥실옥시기 등을 들 수 있다. Examples of the alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms include methoxy, ethoxy, n-propoxy, iso-propoxy, n-butoxy, sec- And the period of time when the painting is finished.

상기식 (1)에 있어서의 n은, 2∼6의 정수인 것이 바람직하고, 특히 3 또는 4인 것이 바람직하다. In the above formula (1), n is preferably an integer of 2 to 6, more preferably 3 or 4.

구조 단위 (A2)는, 가교성기를 갖는 구조 단위이다. 가교성기로서는, 옥세타닐기, 옥시라닐기 및 (메타)아크릴로일기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 갖는 것이 바람직하다. 즉, 구조 단위 (A2)는, 옥세타닐기, 옥시라닐기 및 (메타)아크릴로일기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 갖는 구조 단위이다. The structural unit (A2) is a structural unit having a crosslinkable group. The crosslinkable group is preferably at least one selected from the group consisting of an oxetanyl group, an oxiranyl group and a (meth) acryloyl group. That is, the structural unit (A2) is a structural unit having at least one kind selected from the group consisting of an oxetanyl group, an oxiranyl group and a (meth) acryloyl group.

상기 구조 단위 (A1)는, (a1) 불포화 카본산 및 불포화 카본산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종(이하, 「화합물 (a1)」이라고 함)에 유래하는 구조 단위인 것이 바람직하고; The structural unit (A1) is preferably a structural unit derived from (a1) at least one member selected from the group consisting of an unsaturated carboxylic acid and an unsaturated carboxylic acid anhydride (hereinafter referred to as "compound (a1)");

상기 구조 단위 (A2)는, (a2) 옥시라닐기 또는 옥세타닐기를 갖는 중합성 불포화 화합물(이하, 「화합물 (a2)」라고 함)에 유래하는 구조 단위인 것이 바람직하고; The structural unit (A2) is preferably a structural unit derived from (a2) a polymerizable unsaturated compound having an oxiranyl group or oxetanyl group (hereinafter referred to as "compound (a2)");

상기 구조 단위 (A3)은, (a3) 하기식 (a3)으로 나타나는 화합물(이하, 「화합물 (a3)」이라고 함)에 유래하는 구조 단위인 것이 바람직하고; The structural unit (A3) is preferably a structural unit derived from (a3) a compound represented by the following formula (a3) (hereinafter referred to as "compound (a3)");

상기 구조 단위 (A4)는, (a4) 상기 (a1)∼(a3) 이외의 중합성 불포화 화합물(이하, 「화합물 (a4)」라고 함)에 유래하는 구조 단위인 것이 바람직하다.  The structural unit (A4) is preferably a structural unit derived from (a4) a polymerizable unsaturated compound other than the above (a1) to (a3) (hereinafter referred to as "compound (a4)").

Figure pat00004
Figure pat00004

(식 (a3) 중의 R, R, R, R 및 n은, 각각, 상기식 (1)에 있어서의 것과 동일한 의미이다).(Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and n in the formula (a3) have the same meanings as those in the formula (1)).

상기 화합물 (a1)로서는, 예를 들면, 모노카본산, 디카본산, 디카본산의 무수물 등을 들 수 있다. 상기 모노카본산으로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 2-아크릴로일옥시에틸숙신산, 2-메타크릴로일옥시에틸숙신산, 2-아크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산, 2-메타크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산 등을; Examples of the compound (a1) include a monocarboxylic acid, a dicarboxylic acid, and an anhydride of a dicarboxylic acid. Examples of the monocarbonic acid include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, 2-acryloyloxyethylsuccinic acid, 2-methacryloyloxyethylsuccinic acid, 2-acryloyloxyethylhexahydrophthalic acid, 2 - methacryloyloxyethylhexahydrophthalic acid and the like;

상기 디카본산으로서는, 예를 들면, 말레산, 푸마르산, 시트라콘산 등을;  Examples of the dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, citraconic acid and the like;

상기 디카본산의 무수물로서는, 상기한 디카본산의 무수물 등을, 각각 들 수 있다.  Examples of the anhydride of the dicarboxylic acid include an anhydride of the dicarboxylic acid and the like.

이들 중, 공중합 반응성, 얻어지는 공중합체의 현상액에 대한 용해성의 점에서, 아크릴산, 메타크릴산, 2-아크릴로일옥시에틸숙신산, 2-메타크릴로일옥시에틸숙신산 또는 무수 말레산이 바람직하다. Of these, acrylic acid, methacrylic acid, 2-acryloyloxyethylsuccinic acid, 2-methacryloyloxyethylsuccinic acid, or maleic anhydride are preferable from the viewpoint of copolymerization reactivity and solubility of the resulting copolymer in a developer.

그리고, 화합물 (a1)은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.  The compound (a1) may be used alone or in combination of two or more.

상기 화합물 (a2)는, 옥시라닐기를 갖는 중합성 불포화 화합물 및 옥세타닐기를 갖는 중합성 불포화 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. The compound (a2) is preferably at least one selected from the group consisting of a polymerizable unsaturated compound having an oxiranyl group and a polymerizable unsaturated compound having an oxetanyl group.

옥시라닐기를 갖는 중합성 불포화 화합물로서, 예를 들면, (메타)아크릴산 옥시라닐(사이클로)알킬에스테르, α-알킬아크릴산 옥시라닐(사이클로)알킬에스테르, 중합성 불포화 결합을 갖는 글리시딜에테르 화합물 등을; Examples of the polymerizable unsaturated compound having an oxiranyl group include oxirane (cyclo) alkyl (meth) acrylate, glycidyl ether compound having a polymerizable unsaturated bond of;

옥세타닐기를 갖는 중합성 불포화 화합물로서, 예를 들면, 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르 등을, 각각 들 수 있다. Examples of the polymerizable unsaturated compound having an oxetanyl group include (meta) acrylic acid esters having an oxetanyl group and the like.

상기 화합물 (a2)에 대해서, 그들의 구체예로서는,Specific examples of the compound (a2)

(메타)아크릴산 옥시라닐(사이클로)알킬에스테르로서, 예를 들면, (메타)아크릴산 글리시딜, (메타)아크릴산 2-메틸글리시딜, 4-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트글리시딜에테르, (메타)아크릴산 3,4-에폭시부틸, (메타)아크릴산 6,7-에폭시헵틸, (메타)아크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실, (메타)아크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실메틸, 3,4-에폭시트리사이클로[5.2.1.02,6]데실(메타)아크릴레이트, 등을; (Meth) acrylic acid oxiranyl (cyclo) alkyl esters include glycidyl (meth) acrylate, 2-methylglycidyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (Meth) acrylate, 3,4-epoxybutyl (meth) acrylate, 6,7-epoxyhexyl (meth) acrylate, 3,4-epoxycyclohexyl 4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decyl (meth) acrylate, and the like;

α-알킬아크릴산 옥시라닐(사이클로)알킬에스테르로서, 예를 들면, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실 등을; Examples of the α-alkyl acrylate oxiranyl (cyclo) alkyl esters include glycidyl α-ethyl acrylate, glycidyl α-n-propyl acrylate, glycidyl α-n-butyl acrylate, α- , 7-epoxyheptyl,? -Ethylacrylic acid 3,4-epoxycyclohexyl, and the like;

중합성 불포화 결합을 갖는 글리시딜에테르 화합물로서, 예를 들면, ο-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르 등을; As the glycidyl ether compound having a polymerizable unsaturated bond, for example,? -Vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether and the like;

옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르로서, 예를 들면, 3-((메타)아크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-((메타)아크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 3-((메타)아크릴로일옥시메틸)-2-메틸옥세탄, 3-((메타)아크릴로일옥시에틸)-3-에틸옥세탄, 2-에틸-3-((메타)아크릴로일옥시에틸)옥세탄, 3-메틸-3-(메타)아크릴로일옥시메틸옥세탄, 3-에틸-3-(메타)아크릴로일옥시메틸옥세탄 등을, 각각 들 수 있다. Examples of the (meth) acrylic acid ester having an oxetanyl group include 3 - ((meth) acryloyloxymethyl) oxetane, 3 - ((meth) acryloyloxymethyl) (Meth) acryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 3 - ((meth) acryloyloxyethyl) 3-methyl-3- (meth) acryloyloxymethyl oxetane, 3-ethyl-3- (meth) acryloyloxymethyl oxetane, and the like.

이들 구체예 중, 특히, 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산 2-메틸글리시딜, 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실, 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실메틸, 3,4-에폭시트리사이클로[5.2.1.02,6]데실메타크릴레이트, 3,4-에폭시트리사이클로[5.2.1.02,6]데실아크릴레이트, 3-메타크릴로일옥시메틸-3-에틸옥세탄, 3-메틸-3-메타크릴로일옥시메틸옥세탄 또는 3-에틸-3-메타크릴로일옥시메틸옥세탄이, 중합성의 점에서 바람직하다. Of these, in particular, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3,4 - epoxy tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decyl methacrylate, 3,4-epoxy tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decyl acrylate, 3-methacryloyloxymethyl- , 3-methyl-3-methacryloyloxymethyloxetane or 3-ethyl-3-methacryloyloxymethyloxetane are preferred from the viewpoint of polymerizability.

전술한 화합물 (a2)는, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. The above-mentioned compounds (a2) may be used alone or in combination of two or more.

[A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체의 (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 구조 단위는, 중합체 중의 카복실기에 에폭시기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르를 반응시켜 얻어진다. 반응 후의 (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 구조 단위는, 하기식 (2)로 나타나는 구조 단위인 것이 바람직하다.[A] The structural unit having a (meth) acryloyloxy group in the polymer containing a structural unit having a carboxyl group is obtained by reacting a (meth) acrylic acid ester having an epoxy group in a carboxyl group in the polymer. The structural unit having a (meth) acryloyloxy group after the reaction is preferably a structural unit represented by the following formula (2).

Figure pat00005
Figure pat00005

상기식 (2) 중, R10 및 R11은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이다. c는, 1∼6의 정수이다. R12는, 하기식 (2-1) 또는 하기식 (2-2)로 나타나는 2가의 기이다.In the formula (2), R 10 and R 11 are each independently a hydrogen atom or a methyl group. c is an integer of 1 to 6; R 12 is a divalent group represented by the following formula (2-1) or (2-2).

Figure pat00006
Figure pat00006

상기식 (2-1) 중, R13은, 수소 원자 또는 메틸기이다. 상기식 (2-1) 및 상기식 (2-2) 중, *는, 산소 원자와 결합하는 부위를 나타낸다. In the formula (2-1), R 13 is a hydrogen atom or a methyl group. In the formulas (2-1) and (2-2), * represents a bonding site with an oxygen atom.

상기식 (2)로 나타나는 구조 단위에 대해서, 예를 들면, 카복실기를 갖는 공중합체에, 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산 2-메틸글리시딜 등의 화합물을 반응시킨 경우, 식 (2) 중의 R12는, 식 (2-1)이 된다. 한편, 카복실기를 갖는 공중합체에, 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실메틸 등의 화합물을 반응시킨 경우, 식 (2) 중의 R12는, 식 (2-2)가 된다. For example, when a compound having a carboxyl group is reacted with a compound such as glycidyl methacrylate or 2-methylglycidyl methacrylate with respect to the structural unit represented by the formula (2) R 12 in) is the formula (2-1). On the other hand, when a compound having a carboxyl group is reacted with a compound such as 3,4-epoxycyclohexylmethacrylate, R 12 in the formula (2) becomes the formula (2-2).

전술한 중합체 중의 카복실기와 에폭시기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르 등의 불포화 화합물과의 반응에 있어서는, 필요에 따라서 적당한 촉매의 존재하에 있어서, 바람직하게는 중합 금지제를 포함하는 중합체의 용액에, 에폭시기를 갖는 불포화 화합물을 투입하고, 가온하에서 소정 시간 교반한다. 상기 촉매로서는, 예를 들면, 테트라부틸암모늄브로마이드 등을 들 수 있다. 상기 중합 금지제로서는, 예를 들면, p-메톡시페놀 등을 들 수 있다. 반응 온도는, 70℃∼100℃가 바람직하다. 반응 시간은, 8시간∼12시간이 바람직하다. In the above-mentioned reaction of the carboxyl group in the polymer with an unsaturated compound such as a (meth) acrylic acid ester having an epoxy group, an epoxy group is preferably added to a solution of a polymer containing a polymerization inhibitor, preferably in the presence of a suitable catalyst And the mixture is stirred for a predetermined time under heating. Examples of the catalyst include tetrabutylammonium bromide and the like. Examples of the polymerization inhibitor include p-methoxyphenol and the like. The reaction temperature is preferably 70 ° C to 100 ° C. The reaction time is preferably 8 hours to 12 hours.

[A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체에 있어서의 (A2) (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 구조 단위의 함유량은, [A] 중합체 전체 성분 중 10몰%∼70몰%인 것이 바람직하고, 20몰%∼50몰%인 것이 보다 바람직하다. The content of the structural unit having (A2) (meth) acryloyloxy group in the polymer containing the structural unit having a carboxyl group [A] is preferably 10 mol% to 70 mol% of the total components of the polymer [A] , And more preferably 20 mol% to 50 mol%.

(A2) (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 구조 단위의 함유량이 10몰%보다 적은 경우, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물의 방사선으로의 감도가 저하되는 경향이 있어, 얻어지는 경화막의 내열성도 충분하지 않다. 또한, 70몰%보다 많이 함유하는 경우에서는, 현상시의 현상 불량의 원인이 되어, 현상 잔사가 발생하기 쉬워진다. When the content of the structural unit having (A2) (meth) acryloyloxy group is less than 10 mol%, the sensitivity of the radiation sensitive resin composition of the present embodiment to radiation tends to be lowered, and the heat resistance Not full yet. In the case where it is contained in an amount of more than 70 mol%, development defects occur at the time of development, and development residue tends to occur.

상기 화합물 (a3)으로서는, 예를 들면, 3-(메타)아크릴로일옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-(메타)아크릴로일옥시프로필에틸디메톡시실란, 3-(메타)아크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 3-(메타)아크릴로일옥시프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다. Examples of the compound (a3) include 3- (meth) acryloyloxypropylmethyldimethoxysilane, 3- (meth) acryloyloxypropylethyldimethoxysilane, 3- (meth) acryloyloxy Propyltrimethoxysilane, 3- (meth) acryloyloxypropyltriethoxysilane, and the like.

전술의 화합물 (a3)은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. The aforementioned compound (a3) may be used singly or in combination of two or more.

상기 화합물 (a4)로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산 알킬에스테르, (메타)아크릴산 사이클로알킬에스테르, (메타)아크릴산 아릴에스테르, (메타)아크릴산 아르알킬에스테르, 불포화 디카본산 디알킬에스테르, 함(含)산소 복소 5원환 또는 함산소 복소 6원환을 갖는 (메타)아크릴산 에스테르, 비닐 방향족 화합물, 공액 디엔 화합물 및 그 외의 중합성 불포화 화합물을 들 수 있다. 이들의 구체예로서는, (메타)아크릴산 알킬에스테르로서, 예를 들면, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 n-프로필, (메타)아크릴산 i-프로필, (메타)아크릴산 n-부틸, (메타)아크릴산 sec-부틸, (메타)아크릴산 t-부틸 등을; Examples of the compound (a4) include (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid cycloalkyl ester, (meth) acrylic acid aryl ester, (meth) acrylic acid aralkyl ester, unsaturated dicarboxylic acid dialkyl ester (Meth) acrylic acid ester, a vinyl aromatic compound, a conjugated diene compound and other polymerizable unsaturated compounds each having an oxygen-containing 5-membered ring or an oxygen-containing 6-membered ring. Specific examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include methyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, i-propyl (meth) acrylate, n- Sec-butyl acrylate, t-butyl (meth) acrylate and the like;

(메타)아크릴산 사이클로알킬에스테르로서, 예를 들면, (메타)아크릴산 사이클로헥실, (메타)아크릴산 2-메틸사이클로헥실, (메타)아크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, (메타)아크릴산 2-(트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시)에틸, (메타)아크릴산 이소보로닐 등을; Examples of the (meth) acrylic acid cycloalkyl ester include (meth) acrylic acid cyclohexyl, (meth) acrylic acid 2-methylcyclohexyl, (meth) acrylic acid tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan- (Meth) acrylic acid 2- (tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yloxy) ethyl, isobornyl (meth) acrylate and the like;

(메타)아크릴산 아릴에스테르로서, 예를 들면, 아크릴산 페닐 등을; As the (meth) acrylic acid aryl ester, for example, phenyl acrylate and the like;

(메타)아크릴산 아르알킬에스테르로서, 예를 들면, (메타)아크릴산 벤질 등을; As the (meth) acrylic acid aralkyl ester, for example, benzyl (meth) acrylate and the like;

불포화 디카본산 디알킬에스텔로서, 예를 들면, 말레산 디에틸, 푸마르산 디에틸 등을; As the unsaturated dicarboxylic acid dialkyl ester, for example, diethyl maleate, diethyl fumarate and the like;

함산소 복소 5원환 또는 함산소 복소 6원환을 갖는 (메타)아크릴산 에스테르로서, 예를 들면, (메타)아크릴산 테트라하이드로푸란-2-일, (메타)아크릴산 테트라하이드로피란-2-일, (메타)아크릴산 2-메틸테트라하이드로피란-2-일 등을; (Meta) acrylic acid ester having (meth) acrylic acid tetrahydrofuran-2-yl, (meth) acrylate tetrahydropyran-2-yl, ) 2-methyltetrahydropyran-2-yl acrylate and the like;

비닐 방향족 화합물로서, 예를 들면, 스티렌, α-메틸스티렌 등을; As the vinyl aromatic compound, for example, styrene,? -Methylstyrene and the like;

공액 디엔 화합물로서, 예를 들면, 1,3-부타디엔, 이소프렌 등을; Examples of the conjugated diene compound include 1,3-butadiene, isoprene, and the like;

그 외의 중합성 불포화 화합물로서, 예를 들면, (메타)아크릴산 2-하이드록시에틸, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 아크릴아미드, 메타크릴아미드 등을, 각각 들 수 있다. Examples of other polymerizable unsaturated compounds include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, acrylonitrile, methacrylonitrile, acrylamide, methacrylamide and the like.

이상에서 예로 든 화합물 (a4) 중, 공중합 반응성의 점에서, 메타크릴산 n-부틸, 메타크릴산 벤질, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 스티렌, p-메톡시스티렌, 메타크릴산 테트라하이드로푸란-2-일, 1,3-부타디엔 등이 바람직하다. Among the compounds (a4) exemplified above, n-butyl methacrylate, benzyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate, styrene, p -Methoxystyrene, tetrahydrofuran-2-yl methacrylate, 1,3-butadiene and the like are preferable.

화합물 (a4)는, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. The compound (a4) may be used alone or in combination of two or more.

본 실시 형태에 있어서의 바람직한 [A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체는, 상기와 같은 화합물 (a1)∼(a4)를, 각각, 이하의 비율로 포함하는 중합성 불포화 화합물의 혼합물을 공중합함으로써, 합성할 수 있다. The polymer comprising a structural unit having a carboxyl group [A] in the present embodiment is obtained by copolymerizing a mixture of polymerizable unsaturated compounds containing the above-mentioned compounds (a1) to (a4) , Can be synthesized.

화합물 (a1): 바람직하게는 0.1몰%∼30몰%, 보다 바람직하게는 1몰%∼20몰%, 더욱 바람직하게는 5몰%∼15몰%The amount of the compound (a1) is preferably 0.1 mol% to 30 mol%, more preferably 1 mol% to 20 mol%, and still more preferably 5 mol% to 15 mol%

화합물 (a2): 바람직하게는 1몰%∼95몰%, 보다 바람직하게는 10몰%∼60몰%, 더욱 바람직하게는 20몰%∼30몰%The amount of the compound (a2): preferably 1 mol% to 95 mol%, more preferably 10 mol% to 60 mol%, still more preferably 20 mol% to 30 mol%

화합물 (a3): 바람직하게는 50몰% 이하, 보다 바람직하게는 1몰%∼40몰%, 더욱 바람직하게는 10몰%∼30몰%The amount of the compound (a3) is preferably 50 mol% or less, more preferably 1 mol% to 40 mol%, further preferably 10 mol% to 30 mol%

화합물 (a4): 바람직하게는 80몰% 이하, 보다 바람직하게는 1몰%∼60몰%, 더욱 바람직하게는 25몰%∼50몰%The amount of the compound (a4) is preferably 80 mol% or less, more preferably 1 mol% to 60 mol%, still more preferably 25 mol% to 50 mol%

의 범위에서 사용하는 것이 바람직하다. And the like.

본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, 각 화합물을 상기의 범위에서 함유하는 중합성 불포화 화합물의 혼합물을 공중합하여 얻어진 [A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체를 함유함으로써, 양호한 도포성이 손상되는 일 없이 높은 해상도가 달성되기 때문에, 고정세한 패턴이라도 특성의 균형이 고도로 조정된 경화막을 부여할 수 있게 되어, 바람직하다. The radiation sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention contains a polymer containing a structural unit having a carboxyl group [A] obtained by copolymerizing a mixture of polymerizable unsaturated compounds containing the respective compounds in the above ranges, A high resolution can be achieved without deteriorating the good coating property, so that it is possible to give a cured film having a highly balanced balance of characteristics even with a fine pattern, which is preferable.

[A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체에 대해, 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(이하, 「Mw」라고 함)은, 바람직하게는 2000∼100000이며, 보다 바람직하게는 5000∼50000이다. 이 범위의 Mw를 갖는 [A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체를 사용함으로써, 양호한 도포성이 손상되는 일 없이 높은 해상도가 달성되기 때문에, 고정세한 패턴이라도 특성의 균형이 고도로 조정된 경화막을 부여할 수 있게 된다. The weight average molecular weight (hereinafter referred to as &quot; Mw &quot;) of a polymer containing a structural unit having a carboxyl group in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC) is preferably 2000 to 100000 , And more preferably from 5000 to 50000. By using a polymer containing a structural unit having a carboxyl group [M] having a Mw within this range, a high resolution can be achieved without impairing the good coatability, A film can be given.

본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 [A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체는, 상기와 같은 중합성 불포화 화합물의 혼합물을, 바람직하게는 적당한 용매 중에 있어서, 바람직하게는 라디칼 중합 개시제의 존재하에서 중합함으로써 제조할 수 있다. The polymer containing a structural unit having a carboxyl group [A] in the radiation sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention can be obtained by polymerizing a mixture of the above polymerizable unsaturated compounds in an appropriate solvent, preferably Can be produced by polymerization in the presence of a radical polymerization initiator.

상기 중합에 이용되는 용매로서는, 예를 들면, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 아세트산 3-메톡시부틸, 사이클로헥산올아세테이트, 벤질알코올, 3-메톡시부탄올 등을 들 수 있다. 이들 용매는, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. Examples of the solvent used in the polymerization include diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobutyl Ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, 3-methoxybutyl acetate, cyclohexanolacetate, benzyl alcohol and 3-methoxybutanol. These solvents may be used alone or in admixture of two or more.

상기 라디칼 중합 개시제로서는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 예를 들면, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 4,4'-아조비스(4-시아노발레르산), 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트) 등의 아조 화합물을 들 수 있다. 이들 라디칼 중합 개시제는, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. Examples of the radical polymerization initiator include, but are not limited to, 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2 ' Azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), 4,4'-azobis (4-cyanovaleric acid), dimethyl-2,2'-azobis Nate), and the like. These radical polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.

<[B] 감방사선성 화합물><[B] Radiation-sensitive compounds>

[B] 감방사선성 화합물은, 당해 감방사선성 조성물에 감방사선 특성을 부여하는 것이다. 이 [B] 감방사선성 화합물은, 방사선의 노광에 의해 반응 활성인 활성종을 발생시키는 화합물이다. 여기에서, 방사선은, 적어도 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선(하전 입자선) 및 X선을 포함한다. [B] 감방사선성 화합물로서는, (B1) 산 발생제, (B2) 중합 개시제 또는 이들의 조합이 바람직하다. (B1) 산 발생제를 사용하는 경우, 다른 첨가 성분에 의해, 포지티브형, 네거티브형의 감방사선성 조성물의 어느 것으로도 할 수 있다. 퀴논디아지드 화합물을 이용한 경우는 포지티브형의 감방사선성 조성물로 할 수 있다. 한편, (B2) 중합 개시제를 이용한 경우는, 네거티브형의 감방사선성 조성물로 할 수 있다. [B] The radiation sensitive compound is to impart the radiation sensitive property to the radiation sensitive composition. The [B] sensitizing radiation compound is a compound which generates an active species which is reactive by exposure to radiation. Here, the radiation includes at least a visible ray, an ultraviolet ray, a far ultraviolet ray, an electron ray (charged particle ray) and an X ray. As the [B] sensitizing radiation compound, (B1) an acid generator, (B2) a polymerization initiator, or a combination thereof is preferable. When the acid generator (B1) is used, any of the positive and negative radiation sensitive compositions may be used with other additives. When a quinone diazide compound is used, a positive radiation-sensitive composition can be used. On the other hand, when the polymerization initiator (B2) is used, a negative radiation-sensitive composition can be used.

((B1) 산 발생제)((B1) acid generator)

(B1) 산 발생제는, 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물이다. 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, (B1) 산 발생제를 포함함으로써, 예를 들면, 알칼리 현상액에 대한 포지티브형의 감방사선 특성을 발휘할 수 있다. (B1) The acid generator is a compound which generates an acid upon irradiation with radiation. The radiation sensitive resin composition of the present embodiment can exhibit a positive radiation sensitive property with respect to, for example, an alkali developing solution by containing (B1) an acid generator.

(B1) 산 발생제는, 방사선의 조사에 의해 산(예를 들면, 카본산, 술폰산 등)을 발생시키는 화합물인 한, 특별히 한정되지 않는다. (B1) 산 발생제로서는, 예를 들면, 옥심술포네이트 화합물, 오늄염, 술폰이미드 화합물, 할로겐 함유 화합물, 디아조메탄 화합물, 술폰 화합물, 술폰산 에스테르 화합물, 카본산 에스테르 화합물, 퀴논디아지드 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중, 퀴논디아지드 화합물이 바람직하다. The acid generator (B1) is not particularly limited as long as it is a compound which generates an acid (for example, a carboxylic acid, a sulfonic acid, or the like) upon irradiation with radiation. Examples of the acid generator (B1) include oxime sulfonate compounds, onium salts, sulfonimide compounds, halogen-containing compounds, diazomethane compounds, sulfone compounds, sulfonic acid ester compounds, Compounds and the like. Of these, quinone diazide compounds are preferred.

(퀴논디아지드 화합물)(Quinone diazide compound)

퀴논디아지드 화합물은, 방사선의 조사에 의해 카본산을 발생한다. 퀴논디아지드 화합물로서는, 예를 들면, 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물(이하, 「모핵」이라고도 함)과, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드의 축합물을 이용할 수 있다. The quinone diazide compound generates carbonic acid by irradiation with radiation. As the quinone diazide compound, for example, a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter also referred to as &quot; mother nucleus &quot;) and 1,2-naphthoquinone diazidesulfonic acid halide can be used.

모핵으로서는, 예를 들면, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 펜타하이드록시벤조페논, 헥사하이드록시벤조페논, (폴리하이드록시페닐)알칸, 그 외의 모핵 등을 들 수 있다. Examples of the mother nucleus include trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, (polyhydroxyphenyl) alkane, and other parent nuclei.

트리하이드록시벤조페논으로서는, 예를 들면, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,4,6-트리하이드록시벤조페논 등을 들 수 있다. Examples of the trihydroxybenzophenone include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone, and the like.

테트라하이드록시벤조페논으로서는, 예를 들면, 2,2',4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,3'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,2'-테트라하이드록시-4'-메틸벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시-3'-메톡시벤조페논 등을 들 수 있다. Examples of the tetrahydroxybenzophenone include 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4' -Tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,2'-tetrahydroxy-4'-methylbenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxy-3'-methoxybenzophenone, .

펜타하이드록시벤조페논으로서는, 예를 들면, 2,3,4,2',6'-펜타하이드록시벤조페논 등을 들 수 있다. Examples of the pentahydroxybenzophenone include 2,3,4,2 ', 6'-pentahydroxybenzophenone and the like.

헥사하이드록시벤조페논으로서는, 예를 들면, 2,4,6,3',4',5'-헥사하이드록시벤조페논, 3,4,5,3',4',5'-헥사하이드록시벤조페논 등을 들 수 있다. Examples of the hexahydroxybenzophenone include 2,4,6,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,3 ', 4', 5'-hexahydroxy Benzophenone, and the like.

(폴리하이드록시페닐)알칸으로서는, 예를 들면, 비스(2,4-디하이드록시페닐)메탄, 비스(p-하이드록시페닐)메탄, 트리스(p-하이드록시페닐)메탄, 1,1,1-트리(p-하이드록시페닐)에탄, 비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)메탄, 2,2-비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)프로판, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸-4-하이드록시페닐)-3-페닐프로판, 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 비스(2,5-디메틸-4-하이드록시페닐)-2-하이드록시페닐메탄, 3,3,3',3'-테트라메틸-1,1'-스피로비인덴-5,6,7,5',6',7'-헥산올, 2,2,4-트리메틸-7,2',4'-트리하이드록시플라반 등을 들 수 있다. (P-hydroxyphenyl) methane, tris (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1, 2-dihydroxyphenyl) methane, Tri (p-hydroxyphenyl) ethane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4 '- [1- [4- [1- [4- hydroxyphenyl] ] Ethylidene] bisphenol, bis (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3 ' 5,6,7,5 ', 6', 7'-hexanol, 2,2,4-trimethyl-7,2 ', 4'-trihydroxyflavone and the like.

그 외의 모핵으로서는, 예를 들면, 2-메틸-2-(2,4-디하이드록시페닐)-4-(4-하이드록시페닐)-7-하이드록시크로만, 1-[1-{3-(1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸)-4,6-디하이드록시페닐}-1-메틸에틸]-3-[1-{3-(1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸)-4,6-디하이드록시페닐}-1-메틸에틸]벤젠, 4,6-비스{1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸}-1,3-디하이드록시벤젠 등을 들 수 있다. Examples of the other parent nuclei include 2-methyl-2- (2,4-dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl) -7- - (1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl) -4,6-dihydroxyphenyl} -1-methylethyl] -3- [1- {3- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -1, 4-dihydroxyphenyl} Dihydroxybenzene, and the like.

이들 모핵 중, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 1,1,1-트리(p-하이드록시페닐)에탄, 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀이 바람직하다. Among these nuclei, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane, 4,4 '- [1- [4- [1- [ 4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol is preferable.

1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드로서는, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 클로라이드가 바람직하다. 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 클로라이드로서는, 예를 들면, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 클로라이드, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드 등을 들 수 있다. 이들 중, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드가 바람직하다. As the 1,2-naphthoquinone diazidesulfonic acid halide, 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid chloride is preferable. Examples of the 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid chloride include 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid chloride and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride. have. Of these, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride is preferable.

퀴논디아지드 화합물의 합성은, 공지의 축합 반응에 의해 행할 수 있다. 이 축합 반응에서는, 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물 중의 OH기 수에 대하여, 바람직하게는 30몰% 이상 85몰% 이하, 즉, 30몰%∼85몰%에 상당하는 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드를 이용할 수 있다. The synthesis of the quinone diazide compound can be carried out by a known condensation reaction. In the condensation reaction, the amount of 1,2-naphthoquinonediamine corresponding to 30% by mole or more and 85% by mole or less, that is, from 30% by mole to 85% by mole, relative to the number of OH groups in the phenolic compound or the alcoholic compound Zidosulfonic acid halide can be used.

또한, 퀴논디아지드 화합물로서는, 앞에 예시한 모핵의 에스테르 결합을 아미드 결합으로 변경한 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 아미드류, 예를 들면, 2,3,4-트리아미노벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 아미드 등도 적합하게 사용된다. Examples of the quinone diazide compound include 1,2-naphthoquinone diazidesulfonic acid amides in which the ester bond of the mother nucleus is changed to an amide bond, for example, 2,3,4-triaminobenzophenone-1 , 2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid amide and the like are also suitably used.

이들 퀴논디아지드 화합물은, 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 이용할 수 있다. 또한, 퀴논디아지드 화합물은, 옥심술포네이트 화합물, 오늄염, 술폰이미드 화합물, 할로겐 함유 화합물, 디아조메탄 화합물, 술폰 화합물, 술폰산 에스테르 화합물, 카본산 에스테르 화합물 등과 함께 조합하여 이용할 수도 있다. These quinone diazide compounds may be used alone or in combination of two or more. The quinone diazide compound may be used in combination with an oxime sulfonate compound, an onium salt, a sulfonimide compound, a halogen-containing compound, a diazomethane compound, a sulfone compound, a sulfonic acid ester compound or a carbonic acid ester compound.

본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 (B1) 산 발생제의 함유량의 하한으로서는, [A] 중합체 100질량부에 대해서, 5질량부가 바람직하고, 10질량부가 보다 바람직하고, 20질량부가 더욱 바람직하다. 한편, 이 상한으로서는, 80질량부가 바람직하고, 60질량부가 보다 바람직하고, 40질량부가 더욱 바람직하다. (B1) 산 발생제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 현상액에 대한 방사선의 조사 부분과 미조사 부분의 용해도의 차를 크게 하여, 패터닝 성능을 향상시킬 수 있다. 또한, 절연막의 내용매성을 양호한 것으로 할 수도 있다. The lower limit of the content of the acid generator (B1) in the radiation-sensitive resin composition of the present embodiment is preferably 5 parts by mass, more preferably 10 parts by mass, and further preferably 20 parts by mass per 100 parts by mass of the polymer [A] More preferable. On the other hand, the upper limit is preferably 80 parts by mass, more preferably 60 parts by mass, further preferably 40 parts by mass. By setting the content of the acid generator (B1) within the above range, the difference in solubility between the irradiated portion of the developer and the unexposed portion of the developer can be increased, and the patterning performance can be improved. Further, the solvent resistance of the insulating film may be made good.

((B2) 중합 개시제)((B2) polymerization initiator)

(B2) 중합 개시제는, 방사선에 감응하여, 중합성을 구비한 화합물의 중합을 개시할 수 있는 활성종을 발생시키는 성분이다. 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, (B2) 중합 개시제를 포함함으로써, 예를 들면, 알칼리 현상액에 대한 네거티브형의 감방사선 특성을 발휘할 수 있다. (B2) 중합 개시제로서는, 광라디칼 중합 개시제를 들 수 있다. 이 광라디칼 중합 개시제로서는, 예를 들면, O-아실옥심 화합물, 아세토페논 화합물, 비이미다졸 화합물 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 이용할 수 있다. The polymerization initiator (B2) is a component that generates an active species capable of initiating polymerization of a polymerizable compound in response to radiation. The radiation sensitive resin composition of the present embodiment can exhibit, for example, a negative radiation sensitivity characteristic to an alkali developer by including the (B2) polymerization initiator. As the polymerization initiator (B2), a photo radical polymerization initiator may be mentioned. Examples of the photo radical polymerization initiator include O-acyloxime compounds, acetophenone compounds, and imidazole compounds. These compounds may be used alone or in combination of two or more.

(O-아실옥심 화합물)(O-acyloxime compound)

O-아실옥심 화합물로서는, 예를 들면, 1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 1,2-옥탄디온1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 1-[9-에틸-6-벤조일-9H-카르바졸-3-일]-옥탄-1-온옥심-O-아세테이트, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-에탄-1-온옥심-O-벤조에이트, 1-[9-n-부틸-6-(2-에틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-에탄-1-온옥심-O-벤조에이트, 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라하이드로푸라닐벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라하이드로피라닐벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-5-테트라하이드로푸라닐벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-{2-메틸-4-(2,2-디메틸-1,3-디옥소라닐)메톡시벤조일}-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 등을 들 수 있다. Examples of the O-acyloxime compound include 1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)] and 1,2-octanedione 1- [4- (phenylthio) -2- (9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O- acetyloxime), 1- [ Ethyl-6-benzoyl-9H-carbazol-3-yl] -octane-1-one oxime-O-acetate, 1- [ Benzoate, 1- [9-n-butyl-6- (2-ethylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -ethan- Benzoate, ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4- tetrahydrofuranylbenzoyl) -9H-carbazol- (9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydropyranylbenzoyl) -9H-carbazol- (9-ethyl-6- (2-methyl-5-tetrahydrofuranylbenzoyl) -9H-carbazol- 6- {2-methyl-4- (2,2-dimethyl-1,3-dioxoranyl) methoxybenzoyl} -9H- ] And the like -1- (O- acetyl oxime).

(아세토페논 화합물)(Acetophenone compound)

아세토페논 화합물로서는, 예를 들면, α-아미노케톤 화합물, α-하이드록시케톤 화합물 등을 들 수 있다. Examples of the acetophenone compound include an? -Amino ketone compound,? -Hydroxy ketone compound and the like.

(α-아미노케톤 화합물)(? -amino ketone compound)

α-아미노케톤 화합물로서는, 예를 들면 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온 등을 들 수 있다. Examples of the? -amino ketone compound include 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one, 2- 1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one and 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropane-1-one .

(α-하이드록시케톤 화합물)(? -hydroxy ketone compound)

α-하이드록시케톤 화합물로서는, 예를 들면, 1-페닐-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-i-프로필페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 4-(2-하이드록시에톡시)페닐-(2-하이드록시-2-프로필)케톤, 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤을 들 수 있다. Examples of the? -hydroxyketone compound include 1-phenyl-2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 1- (4-i-propylphenyl) -2- 1-one, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone.

(비이미다졸 화합물)(Nonimidazole compound)

비이미다졸 화합물로서는, 예를 들면, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸 등을 들 수 있다. Examples of the imidazole compound include 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'- Bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis (2,4,6-trichlorophenyl) 4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole and the like.

본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 (B2) 중합 개시제의 함유량으로서는, 예를 들면, [A] 중합체 100질량부에 대하여 1질량부 이상 40질량부 이하로 할 수 있다. (B2) 중합 개시제의 함유량을 이러한 범위로 함으로써, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, 저노광량이라도, 높은 내용매성, 경도 및 밀착성을 갖는 절연막을 형성할 수 있다. The content of the (B2) polymerization initiator in the radiation-sensitive resin composition of the present embodiment may be, for example, 1 part by mass or more and 40 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the [A] polymer. By setting the content of the (B2) polymerization initiator within this range, the radiation sensitive resin composition of the present embodiment can form an insulating film having high solvent resistance, hardness and adhesion even at a low exposure dose.

<[C] 중합성 불포화 화합물>&Lt; [C] Polymerizable unsaturated compound >

본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 [C] 중합성 불포화 화합물은, 전술한 [B] 감방사선성 화합물의 존재하에 있어서 방사선을 조사함으로써 중합하는 불포화 화합물이다. 이러한 [C] 중합성 불포화 화합물로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 단관능, 2관능 또는 3관능 이상의 (메타)아크릴산 에스테르가, 중합성이 양호하고, 또한 형성되는 절연막이나 스페이서 대좌의 강도가 향상되는 점에서 바람직하다. The [C] polymerizable unsaturated compound in the radiation sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention is an unsaturated compound polymerized by irradiation with radiation in the presence of the above-mentioned [B] radiation sensitive compound. The [C] polymerizable unsaturated compound is not particularly limited, and for example, a monofunctional, bifunctional or trifunctional (meth) acrylic acid ester is preferable because of its excellent polymerizability, The strength is improved.

상기 단관능 (메타)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들면, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르(메타)아크릴레이트, (2-(메타)아크릴로일옥시에틸)(2-하이드록시프로필)프탈레이트, ω-카복시폴리카프로락톤모노(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들의 시판품으로서는, 상품명으로, 예를 들면, 아로닉스(Aronix)(등록상표) M-101, 동(同)M-111, 동 M-114, 동 M-5300(이상, 토아고세(주) 제조); Examples of the monofunctional (meth) acrylate ester include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, diethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, (2- (meth) acryloyloxyethyl) 2-hydroxypropyl) phthalate, and? -Carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate. M-111, M-114, M-5300 (trade names, manufactured by TOAGOSEI CO., LTD.) Are used as commercial products of these products. For example, Aronix (registered trademark) Produce);

KAYARAD(등록상표) TC-110S, 동 TC-120S(이상, 닛폰카야쿠(주) 제조); KAYARAD (registered trademark) TC-110S, TC-120S (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.);

비스코트(Viscoat)158, 동 2311(이상, 오사카유기카가쿠코교(주) 제조) 등을 들 수 있다. Viscoat 158 and 2311 (manufactured by Osaka Organic Chemical Co., Ltd.), and the like.

상기 2관능 (메타)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들의 시판품으로서는, 상품명으로, 예를 들면, 아로닉스(등록상표) M-210, 동 M-240, 동 M-6200(이상, 토아고세(주) 제조), KAYARAD(등록상표) HDDA, 동 HX-220, 동 R-604(이상, 닛폰카야쿠(주) 제조), 비스코트 260, 동 312, 동 335HP(이상, 오사카유기카가쿠코교(주) 제조), 라이트아크릴레이트1,9-NDA(쿄에이샤카가쿠(주) 제조) 등을 들 수 있다. Examples of the bifunctional (meth) acrylic esters include ethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, and 1,9-nonanediol di (meth) acrylate. As commercial products thereof, for example, ARONIX (registered trademark) M-210, M-240, M-6200 (manufactured by Toagosei Co., Ltd.), KAYARAD (registered trademark) HDDA, HX-220, R-604 (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), Viscot 260, Copper 312 and Copper 335HP (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.) NDA (manufactured by Kyoeisha Kagaku Co., Ltd.) and the like.

상기 3관능 이상의 (메타)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트; Examples of the trifunctional or more (meth) acrylic acid esters include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (Meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate;

디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트와 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트의 혼합물; A mixture of dipentaerythritol penta (meth) acrylate and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate;

에틸렌옥사이드 변성 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 트리(2-(메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 숙신산 변성 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 숙신산 변성 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨헵타(메타)아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨옥타(메타)아크릴레이트, 이소시아누르산 EO 변성 디아크릴레이트와 이소시아누르산 EO 변성 트리아크릴레이트의 혼합물; (Meth) acrylate, succinic acid-modified pentaerythritol tri (meth) acrylate, succinic acid-modified dipentaerythritol penta (metha) acrylate, ) Acrylate, tripentaerythritol hepta (meth) acrylate, tripentaerythritol octa (meth) acrylate, a mixture of isocyanuric acid EO-modified diacrylate and isocyanuric acid EO-modified triacrylate;

직쇄 알킬렌기 및 지환식 구조를 갖고 또한 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 화합물과, 분자 내에 1개 이상의 수산기를 갖고 또한 3개, 4개 또는 5개의 (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 다관능 우레탄아크릴레이트계 화합물 등을 들 수 있다. A compound having two or more isocyanate groups and having a linear alkylene group and an alicyclic structure and a compound having at least one hydroxyl group in the molecule and having three, four or five (meth) acryloyloxy groups Polyfunctional urethane acrylate compounds and the like.

전술한 3관능 이상의 (메타)아크릴산 에스테르의 시판품으로서는, 상품명으로, 예를 들면, 아로닉스(등록상표) M-309, 동 M-400, 동 M-405, 동 M-450, 동 M-7100, 동 M-8030, 동 M-8060, 동 TO-1450(이상, 토아고세(주) 제조), KAYARAD(등록상표) TMPTA, 동 DPHA, 동 DPCA-20, 동 DPCA-30, 동 DPCA-60, 동 DPCA-120, 동 DPEA-12(이상, 닛폰카야쿠(주) 제조), 비스코트 295, 동 300, 동 360, 동 GPT, 동 3PA, 동 400(이상, 오사카유기카가쿠코교(주) 제조)이나, 다관능 우레탄아크릴레이트계 화합물을 함유하는 시판품으로서, 뉴 프런티어(New Frontier)(등록상표) R-1150(다이이치코교세이야쿠(주) 제조), KAYARAD(등록상표) DPHA-40H(닛폰카야쿠(주) 제조) 등을 들 수 있다. Examples of commercial products of the above-mentioned three or more functional (meth) acrylic acid esters include ARONIX (registered trademark) M-309, M-400, M-405, M- KAYARAD (registered trademark) TMPTA, copper DPHA, copper DPCA-20, copper DPCA-30, copper DPCA-60 (manufactured by Toagosei Co., Ltd.) , DPCA-120, DPEA-12 (manufactured by NIPPON KAYAKU CO., LTD.), Viscot 295, 300, Dong 360, Copper GPT, Copper 3PA, Copper 400 New Frontier TM R-1150 (manufactured by Daiichi Kyoei Co., Ltd.), KAYARAD (registered trademark) DPHA-1150 (trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) or a polyfunctional urethane acrylate- 40H (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.).

이들 중, 특히, ω-카복시폴리카프로락톤모노아크릴레이트, 1,9-노난디올디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트; Of these, particularly preferred are ω-carboxypolycaprolactone monoacrylate, 1,9-nonanediol dimethacrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol Dipentaerythritol hexaacrylate;

디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트와 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트의 혼합물; A mixture of dipentaerythritol pentaacrylate and dipentaerythritol hexaacrylate;

트리펜타에리트리톨헵타(메타)아크릴레이트와 트리펜타에리트리톨옥타(메타)아크릴레이트의 혼합물; A mixture of tripentaerythritol hepta (meth) acrylate and tripentaerythritol octa (meth) acrylate;

에틸렌옥사이드 변성 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 다관능 우레탄아크릴레이트계 화합물, 숙신산 변성 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 숙신산 변성 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트를 함유하는 시판품 등이 바람직하다. A commercially available product containing ethylene oxide-modified dipentaerythritol hexaacrylate, polyfunctional urethane acrylate-based compound, succinic acid-modified pentaerythritol triacrylate, and succinic acid-modified dipentaerythritol pentaacrylate is preferable.

상기와 같은 [C] 중합성 불포화 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. The above-mentioned [C] polymerizable unsaturated compounds may be used singly or in combination of two or more kinds.

본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 [C] 중합성 불포화 화합물의 사용 비율은, [A] 중합체 100질량부에 대하여, 바람직하게는 30질량부∼250질량부며, 더욱 바람직하게는 50질량부∼200질량부이다. [C] 중합성 불포화 화합물의 사용 비율을 상기의 범위로 함으로써, 현상 잔사의 문제를 발생시키는 일 없이, 경화막을 높은 해상도로 형성할 수 있는 것이 가능하여 바람직하다. The proportion of the [C] polymerizable unsaturated compound in the radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention is preferably 30 parts by mass to 250 parts by mass relative to 100 parts by mass of the polymer [A] And preferably 50 parts by mass to 200 parts by mass. By setting the ratio of the [C] polymerizable unsaturated compound within the above range, it is possible to form a cured film with a high resolution without causing a problem of development residue, which is preferable.

(그 외의 임의 성분)(Other arbitrary components)

본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, [A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체 및 [B] 감방사선성 화합물에 더하여, 또는, [A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체, [B] 감방사선성 화합물 및 [C] 중합성 불포화 화합물에 더하여, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 필요에 따라서, 그 외의 임의 성분을 함유할 수 있다. 여기에서 사용 가능한 그 외의 임의 성분으로서는, 예를 들면, [D] 접착조제, [E] 계면활성제, [F] 중합 금지제 등을 들 수 있다. 그 외의 임의 성분은, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. 이하, 각 임의 성분에 대해서 기재한다. The radiation sensitive resin composition according to the third embodiment of the present invention contains a structural unit having a carboxyl group in addition to or in addition to the polymer comprising a structural unit having a carboxyl group and the [B] radiation-sensitive compound , The polymer [B], the radiation-sensitive compound [C] and the polymerizable unsaturated compound [C] may contain other arbitrary components as necessary insofar as the effect of the present invention is not impaired. Examples of other optional components that can be used herein include [D] an adhesion aid, [E] a surfactant, and [F] a polymerization inhibitor. The other arbitrary components may be used by mixing two or more kinds. Each optional component will be described below.

[D] 접착조제[D] Adhesive preparation

상기 [D] 접착조제는, 형성되는 경화막과 기판의 접착성을 더욱 향상하기 위해 사용할 수 있다. 이러한 [D] 접착조제로서는, 상기 화합물 (a3)과 동일한 것을 사용할 수 있는 것 외에, 트리메톡시실릴벤조산, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 사용할 수 있다. 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 [D] 접착조제의 사용 비율은, [A] 중합체 100질량부에 대하여, 바람직하게는 20질량부 이하이며, 보다 바람직하게는 1질량부∼10질량부이다. [D] 접착조제의 함유 비율을 상기의 범위로 함으로써, 형성되는 경화막과 기판의 밀착성이 효과적으로 개선된다. The [D] adhesion aid can be used to further improve adhesion between the cured film to be formed and the substrate. As such a [D] adhesion aid, there can be used the same compounds as the above-mentioned compound (a3), but also trimethoxysilylbenzoic acid, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane,? -Isocyanatepropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? -Chloropropyltrialkoxysilane,? -Mercaptopropyltrialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl Trimethoxysilane and the like can be used. The proportion of the [D] adhesion aid used in the radiation sensitive resin composition of the present embodiment is preferably 20 parts by mass or less, more preferably 1 part by mass to 10 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the polymer [A] Mass part. [D] When the content ratio of the adhesive aid is within the above range, adhesion between the formed cured film and the substrate is effectively improved.

[E] 계면활성제[E] Surfactant

상기 [E] 계면활성제로서는, 예를 들면, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등을 들 수 있다. 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 [E] 계면활성제의 사용 비율은, [A] 중합체 100질량부에 대하여, 바람직하게는 1질량부 이하이며, 보다 바람직하게는 0.01질량부∼0.6질량부이다. Examples of the [E] surfactant include a fluorine-based surfactant and a silicone-based surfactant. The proportion of the [E] surfactant in the radiation-sensitive resin composition of the present embodiment is preferably 1 part by mass or less, more preferably 0.01 part by mass to 0.6 part by mass, per 100 parts by mass of the polymer [A] Mass part.

[F] 중합 금지제[F] polymerization inhibitor

상기 [F] 중합 금지제는, 노광 또는 가열에 의해 발생한 라디칼을 포착하고, 또는 산화에 의해 생성한 과산화물을 분해함으로써, [A] 중합체의 분자의 개열(開裂)을 억제하는 성분이다. 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물이 [F] 중합 금지제를 함유함으로써, 형성되는 경화막 중의 중합체 분자의 해열 열화가 억제되는 점에서, 얻어지는 경화막에 있어서, 예를 들면, 내광성 등을 향상시킬 수 있다. The [F] polymerization inhibitor is a component that inhibits cleavage of molecules of the polymer [A] by capturing radicals generated by exposure or heating, or decomposing peroxides produced by oxidation. Since the radiation-sensitive resin composition of the present embodiment contains the [F] polymerization inhibitor, the deterioration in the deterioration of the polymer molecules in the cured film to be formed is suppressed. In the resulting cured film, for example, .

이러한 [F] 중합 금지제로서는, 예를 들면, 힌더드페놀 화합물, 힌더드아민 화합물, 알킬포스파이트 화합물, 티오에테르 화합물 등을 들 수 있지만, 이들 중의 힌더드페놀 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. Examples of such a [F] polymerization inhibitor include a hindered phenol compound, a hindered amine compound, an alkyl phosphite compound, and a thioether compound. Of these, hindered phenol compounds may be preferably used.

상기 힌더드페놀 화합물로서는, 예를 들면, 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], 티오디에틸렌비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], 옥타데실-3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트, 트리스(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시벤질)-이소시아누레이트, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시벤질)벤젠, N,N'-헥산-1,6-디일비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐프로피온아미드)], 3,3',3',5',5'-헥사-tert-부틸-a,a',a'-(메시틸렌-2,4,6-트리일)트리-p-크레졸, 4,6-비스(옥틸티오메틸)-ο-크레졸, 4,6-비스(도데실티오메틸)-ο-크레졸, 에틸렌비스(옥시에틸렌)비스[3-(5-tert-부틸-4-하이드록시-m-톨릴)프로피오네이트], 헥사메틸렌비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], 1,3,5-트리스[(4-tert-부틸-3-하이드록시-2,6-자일릴)메틸]-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 2,6-디-tert-부틸-4-(4,6-비스(옥틸티오)-1,3,5-트리아진-2-일아민)페놀 등을 들 수 있다. Examples of the hindered phenol compound include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], thiodiethylene bis [3- Di (tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], octadecyl-3- Tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5- Benzyl) benzene, N, N'-hexane-1,6-diylbis [3- (3,5-di-tert- butyl-4-hydroxyphenylpropionamide)], 3,3 ' A ', a' - (mesitylene-2,4,6-triyl) tri-p-cresol, 4,6-bis (octylthiomethyl) -o -Cresol, 4,6-bis (dodecylthiomethyl) -o-cresol, ethylene bis (oxyethylene) bis [3- (5-tert- Hexamethylene bis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,3 , 5-tris [(4-tert-butyl-3-hydroxy-2,6-xylyl) methyl] -1,3,5-triazine- (2,6-di-tert-butyl-4- (4,6-bis (octylthio) -1,3,5-triazin-2-ylamine) phenol.

이들의 시판품으로서는, 예를 들면, 아데카스타브(ADKSTAB)(등록상표) AO-20, 동 AO-30, 동 AO-40, 동 AO-50, 동 AO-60, 동 AO-70, 동 AO-80, 동 AO-330(이상, (주) ADEKA 제조), sumilizer(등록상표) GM, 동 GS, 동 MDP-S, 동 BBM-S, 동 WX-R, 동 GA-80(이상, 스미토모카가쿠(주) 제조), IRGANOX(등록상표) 1010, 동 1035, 동 1076, 동 1098, 동 1135, 동 1330, 동 1726, 동 1425WL, 동 1520L, 동 245, 동 259, 동 3114, 동 565, IRGAMOD295(이상, BASF사 제조), 요시녹스(YOSHINOX)(등록상표) BHT, 동 BB, 동 2246G, 동 425, 동 250, 동 930, 동 SS, 동 TT, 동 917, 동 314(이상, (주) 에이피아이코포레이션 제조) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products thereof include ADKSTAB (registered trademark) AO-20, AO-30, AO-40, AO-50, AO-60, AO- Sumitomo (registered trademark) GM, copper GS, copper MDP-S, copper BBM-S, copper WX-R, copper GA-80 (manufactured by ADEKA) IRGANOX (registered trademark) 1010, 1035, 1076, 1098, 1135, 1330, 1726, 1425WL, 1520L, 245, 259, 3114, 565 , IRGAMOD295 (manufactured by BASF), YOSHINOX (registered trademark) BHT, copper BB, copper 2246G, copper 425, copper 250, copper 930, copper SS, copper TT, copper 917, (Manufactured by API Corporation).

본 실시 형태에 있어서의 [F] 중합 금지제로서는, 상기 중 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트] 및 트리스-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시벤질)-이소시아누레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다. As the [F] polymerization inhibitor in the present embodiment, the above-mentioned middle pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] and tris- (3 , 5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate is preferably used.

[F] 중합 금지제의 함유 비율은, [A] 중합체 100질량부에 대하여, 10질량부 이하로 하는 것이 바람직하고, 0.1질량부∼5질량부로 하는 것이 보다 바람직하다. 이 범위의 함유 비율로 함으로써, 본 발명의 효과를 저해하는 일 없이, 경화막의 개열 열화를 효과적으로 억제할 수 있다. [F] The content of the polymerization inhibitor is preferably 10 parts by mass or less, more preferably 0.1 parts by mass to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the polymer [A]. By setting the content in this range, it is possible to effectively suppress the deterioration in cleanness of the cured film without impairing the effects of the present invention.

(감방사선성 수지 조성물의 조제)(Preparation of radiation-sensitive resin composition)

다음으로, 본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물의 조제에 대해서 설명한다. Next, the preparation of the radiation sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물은, [A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체 및 [B] 감방사선성 화합물에 더하여, 또는, [A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체, [B] 감방사선성 화합물 및 [C] 중합성 불포화 화합물에 더하여, 필요에 따라서, [E] 계면활성제 등의 그 외의 임의 성분을 혼합하여 조제된다. 이때, 액상의 감방사선성 수지 조성물을 조제하기 위해, 유기용제를 이용할 수 있다. 유기용제는, 단독으로, 또는, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. The radiation sensitive resin composition according to the third embodiment of the present invention contains a structural unit having a carboxyl group in addition to or in addition to the polymer comprising a structural unit having a carboxyl group and the [B] radiation-sensitive compound , [E] a surfactant, and the like, in addition to the [B] radiation-sensitive compound and the [C] polymerizable unsaturated compound. At this time, an organic solvent may be used for preparing the liquid radiation-sensitive resin composition. The organic solvent may be used alone or in combination of two or more.

유기용제의 기능으로서는, 감방사선성 수지 조성물의 점도 등을 조절하여, 예를 들면, 기판 등으로의 도포성을 향상시키는 것 외, 조작성, 성형성을 향상시키는 것 등을 들 수 있다. 유기용제 등의 함유에 의해 실현되는 감방사선성 수지 조성물의 점도로서는, 예를 들면, 0.1mPa·s∼50000mPa·s(25℃)가 바람직하고, 보다 바람직하게는, 0.5mPa·s∼10000mPa·s(25℃)이다. Examples of the function of the organic solvent include adjusting the viscosity and the like of the radiation-sensitive resin composition to improve the applicability to a substrate or the like, as well as improving operability and moldability. The viscosity of the radiation-sensitive resin composition realized by incorporating an organic solvent or the like is preferably 0.1 mPa · s to 50000 mPa · s (25 ° C.), more preferably 0.5 mPa · s to 10000 mPa · s s (25 캜).

본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 사용 가능한 유기용제로서는, 다른 함유 성분을 용해 또는 분산시킴과 함께, 다른 함유 성분과 반응하지 않는 것을 들 수 있다. Examples of the organic solvent usable in the radiation sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention include those which dissolve or disperse other contained components and do not react with other contained components.

예를 들면, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올, 옥탄올 등의 알코올류; For example, alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, butanol, and octanol;

아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 사이클로헥산올 등의 케톤류; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and cyclohexanol;

아세트산에틸, 아세트산 부틸, 락트산 에틸, γ-부티로락톤, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 메틸-3-메톡시프로피오네이트 등의 에스테르류; Esters such as ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate,? -Butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate and methyl-3-methoxypropionate;

폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르 등의 에테르류; Ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, ethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol methyl ethyl ether;

벤젠, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류; Aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene;

디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류 등을 들 수 있다. And amides such as dimethylformamide, dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone.

본 발명의 제3 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 있어서 이용되는 유기용제의 함유량은, 점도 등을 고려하여 적절히 결정할 수 있다. The content of the organic solvent used in the radiation sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention can be appropriately determined in consideration of the viscosity and the like.

[실시예][Example]

이하, 실시예에 기초하여 본 발명의 실시 형태를 상술하지만, 이 실시예에 의해 본 발명이 한정적으로 해석되는 것은 아니다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail on the basis of examples, but the present invention is not limited to these examples.

[합성예 1][Synthesis Example 1]

<[A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체([A] 중합체)의 합성 (1)><Synthesis (A) of a polymer containing a structural unit having a carboxyl group ([A] polymer)

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 4질량부 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 190질량부를 넣고, 계속해서 메타크릴산 55질량부, 메타크릴산 벤질 45질량부, 그리고 분자량 조절제로서의 α-메틸스티렌다이머 2질량부를 넣고, 온화하게 교반하면서, 용액의 온도를 80℃로 상승하고, 이 온도를 4시간 보존유지한 후, 100℃로 상승시켜, 이 온도를 1시간 보존유지하여 중합함으로써 공중합체를 함유하는 용액을 얻었다. 이어서, 이 공중합체를 포함하는 용액에, 테트라부틸암모늄브로마이드 1.1질량부, 중합 금지제로서의 4-메톡시페놀 0.05질량부를 더하여, 공기 분위기하 90℃로 30분간 교반 후, 메타크릴산 글리시딜 74질량부를 넣고 90℃인 채로 10시간 반응시킴으로써, 중합체 (A-1)을 얻었다(고형분 농도=35.0질량%). 중합체 (A-1)의 중량 평균 분자량 Mw는, 9000이었다. A cooling tube, and a stirrer, 4 parts by mass of 2,2'-azobisisobutyronitrile and 190 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate were added, and then 55 parts by mass of methacrylic acid, benzyl methacrylate 45 And 2 parts by mass of? -Methylstyrene dimer as a molecular weight modifier were added and the temperature of the solution was raised to 80 占 폚 while being gently stirred. The temperature of the solution was maintained for 4 hours and then raised to 100 占 폚, Was kept for 1 hour and polymerized to obtain a solution containing the copolymer. Subsequently, 1.1 parts by mass of tetrabutylammonium bromide and 0.05 part by mass of 4-methoxyphenol as a polymerization inhibitor were added to the solution containing the copolymer, and the mixture was stirred at 90 DEG C for 30 minutes in an air atmosphere. Then, glycidyl methacrylate (Solid content concentration = 35.0% by mass) was obtained by adding 74 parts by mass of the polymer (A-1) and reacting at 90 캜 for 10 hours. The polymer (A-1) had a weight average molecular weight Mw of 9000.

[합성예 2][Synthesis Example 2]

<[A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체([A] 중합체)의 합성 (2)><Synthesis (A) of a polymer containing a structural unit having a carboxyl group ([A] polymer)

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 5질량부 및 아세트산 3-메톡시부틸 250질량부를 넣고, 추가로 메타크릴산 18질량부, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일 25질량부, 스티렌 5부, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란 20질량부 및 메타크릴산 글리시딜 32질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반하면서, 용액의 온도를 80℃로 상승했다. 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합함으로써 중합체 (A-2)를 28.8질량% 함유하는 용액을 얻었다. 이 중합체 (A-2)의 Mw는, 12000이었다. A cooling tube, and a stirrer, 5 parts by mass of 2,2'-azobisisobutyronitrile and 250 parts by mass of 3-methoxybutyl acetate were added, and further, 18 parts by mass of methacrylic acid, [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl, 5 parts of styrene, 20 parts of 3-acryloxypropyltrimethoxysilane and 32 parts of glycidyl methacrylate were charged and replaced with nitrogen, , The temperature of the solution was raised to 80 캜. This temperature was maintained for 5 hours and polymerized to obtain a solution containing 28.8% by mass of the polymer (A-2). The Mw of this polymer (A-2) was 12,000.

[실시예 1][Example 1]

<네거티브형 감방사선성 수지 조성물의 조제><Preparation of positive-tone radiation-sensitive resin composition>

[A] 중합체로서 상기 합성예 1에서 얻어진 중합체 (A-1)을 함유하는 용액을 고형분 환산으로 100질량부, [B] 감방사선성 화합물로서의 중합 개시제로서 하기의 (B-1) 10질량부, [C] 중합성 불포화 화합물로서 하기의 (C-1) 100질량부를 혼합하고, 고형분 농도가 30질량%가 되도록 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 더한 후, 공경(孔徑) 0.5㎛의 밀리포어 필터로 여과함으로써, 실시예 1의 감방사선성 수지 조성물을 조제했다. 100 parts by mass of the polymer [A] containing the polymer (A-1) obtained in Synthesis Example 1 in terms of solid content as the polymer, 10 parts by mass of the following (B-1) as the polymerization initiator as the radiation- , 100 parts by mass of the following (C-1) as the [C] polymerizable unsaturated compound were mixed and propylene glycol monomethyl ether acetate was added as a solvent so that the solid concentration became 30 mass% Followed by filtration with a forer filter to prepare the radiation-sensitive resin composition of Example 1.

[실시예 2][Example 2]

<포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 조제>&Lt; Preparation of positive-tone radiation-sensitive resin composition >

[A] 중합체로서 상기 합성예 2에서 얻어진 중합체 (A-2)를 함유하는 용액을 고형분 환산으로 100질량부, [B] 감방사선성 화합물로서의 퀴논디아지드 화합물로서 하기의 (B-2) 30질량부를 혼합하고, 고형분 농도가 30질량%가 되도록 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 더한 후, 공경 0.5㎛의 밀리포어 필터로 여과함으로써, 실시예 2의 감방사선성 수지 조성물을 조제했다. 100 parts by mass of the solution containing the polymer (A-2) obtained in Synthesis Example 2 as the polymer [A] in an amount of 100 parts by mass in terms of solid content, [B] And the resultant was added with propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent so as to have a solid content concentration of 30 mass% and filtered through a Millipore filter having a pore size of 0.5 탆 to prepare a radiation-sensitive resin composition of Example 2.

실시예 1 및 실시예 2에서 이용한 각 성분의 상세를 이하에 나타낸다. Details of each component used in Example 1 and Example 2 are shown below.

[B] 감방사선성 화합물[B] Radiation-sensitive compound

B-1: 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)](이르가큐어(Irgacure)(등록상표) OXE01, BASF사 제조)B-1: 1,2-octanedione-1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)] (Irgacure (registered trademark) OXE01,

B-2: 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀(1.0몰)과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드(2.0몰)의 축합물B-2: Synthesis of 4,4 '- [1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1- methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (1.0 mol) and 1,2-naphthoquinonediamine 5-sulfonic acid chloride (2.0 mol)

[C] 중합성 불포화 화합물[C] Polymerizable unsaturated compound

C-1: 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트와 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트의 혼합물(KAYARAD(등록상표) DPHA, 닛폰카야쿠(주) 제조)C-1: A mixture of dipentaerythritol pentaacrylate and dipentaerythritol hexaacrylate (KAYARAD (registered trademark) DPHA, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)

[실시예 3][Example 3]

<액정 표시 소자의 제조와 평가>&Lt; Production and Evaluation of Liquid Crystal Display Device >

본 실시예의 액정 표시 소자는, 액티브 매트릭스 방식의 FFS 모드 액정 표시 소자이다. 본 실시예의 액정 표시 소자는, 도 3∼도 6을 이용하여 설명한 본 발명의 제1 실시 형태의 일 예인 액정 표시 소자(10)와 동일한 구조를 갖는다. The liquid crystal display element of this embodiment is an active matrix type FFS mode liquid crystal display element. The liquid crystal display element of this embodiment has the same structure as the liquid crystal display element 10 which is one example of the first embodiment of the present invention described with reference to Figs.

본 실시예의 액정 표시 소자는, TFT 및 절연막이 형성된 TFT 기판을 제조하고, 컬러 필터 및 스페이서가 형성된 대향 기판을 제조하고, 그 후, 액정 적하법에 따라 기판 간에 액정을 협지하여 봉지를 행함으로써 제조했다. The liquid crystal display element of this embodiment is manufactured by manufacturing a TFT substrate on which a TFT and an insulating film are formed, preparing an opposing substrate on which a color filter and a spacer are formed, and then sealing the liquid crystal between the substrates according to a liquid drop- did.

우선, 공지의 방법 및 특허문헌 1에 기재된 방법에 따라 TFT 기판을 제조했다. 즉, 두께 0.7㎜의 유리 기판 상에, ITO에 의한 공통 전극, 공통 전극에 오버랩되는 크롬(Cr)에 의한 공통화 배선 및 주사 신호선을 순차 형성하고, 이어서, 주사 신호선 및 공통 전극을 덮는 질화 실리콘으로 이루어지는 게이트 절연막을 형성한 후, 주사 신호선 상에 TFT를 형성했다. First, a TFT substrate was manufactured according to a known method and a method described in Patent Document 1. [ That is, a common electrode made of ITO, a chromium (Cr) common wiring and a scanning signal line are formed in sequence on a glass substrate having a thickness of 0.7 mm, and then a silicon nitride film covering the scanning signal line and the common electrode After forming the gate insulating film, a TFT was formed on the scanning signal line.

다음으로, 실시예 1에서 조정한 감방사선성 조성물을 이용하여 TFT 기판 상에 그 감방사선성 수지 조성물의 도막을 형성한 후, 하프 톤 마스크를 이용하여 그 도막에 방사선을 조사했다. 이어서, 방사선이 조사된 도막을 현상하고, 현상 후의 도막을 가열하여, 소정의 영역에, 스페이서 대좌 및 관통하는 콘택트홀이 형성된 패시베이션막을 형성했다. 그 후, 패시베이션막의 위에 ITO로 이루어지는 공통 전극을 형성했다. Next, a coating film of the radiation-sensitive resin composition was formed on the TFT substrate using the radiation sensitive composition prepared in Example 1, and then the coating film was irradiated with radiation using a halftone mask. Subsequently, the coated film irradiated with the radiation was developed, and the coated film after the development was heated to form a passivation film having a spacer base and a contact hole passing therethrough in a predetermined region. Thereafter, a common electrode made of ITO was formed on the passivation film.

다음으로, 광배향성기를 갖는 감방사선성 중합체를 포함하는 배향제로서, 국제 공개공보 (WO)2009/025386호 팸플릿의 실시예 6에 기재된 액정 배향제 A-1을 스피너에 의해 TFT 기판 상에 도포했다. 이어서, 80℃의 핫 플레이트에서 1분간 프리베이킹을 행한 후, 내부를 질소 치환한 오븐 중, 180℃로 1시간 가열하여 막두께 80㎚의 배향제의 도막을 형성했다. 이어서, 이 도막 표면에, Hg-Xe 램프 및 글랜 테일러 프리즘을 이용하여 313㎚의 휘선을 포함하는 편광 자외선 200J/㎡를, 기판 표면에 수직인 방향에 대하여 40°기운 방향에서 조사하여, 광배향막을 갖는 TFT 기판을 제조했다. Next, a liquid crystal aligning agent A-1 described in Example 6 of the International Publication WO / 2009/25386 pamphlet was coated on a TFT substrate by a spinner as an aligning agent containing a radiation sensitive polymer having a photo aligning group did. Subsequently, the substrate was prebaked on a hot plate at 80 DEG C for 1 minute, and then heated at 180 DEG C for 1 hour in an oven where the inside was replaced with nitrogen to form a coating film of an alignment agent with a thickness of 80 nm. Subsequently, polarizing ultraviolet rays 200 J / m &lt; 2 &gt; containing a bright line of 313 nm were irradiated onto the surface of the coating film in a direction of 40 DEG with respect to the direction perpendicular to the substrate surface using an Hg-Xe lamp and a Gantay prism, Was fabricated.

다음으로, 공지의 방법 및 특허문헌 1에 따라 대향 기판을 제조했다. 대향 기판에는, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스를 덮는 오버코트막 위에 스페이서가 형성되어 있고, 그 스페이서는, 테이퍼 형상을 갖고, 높이는, 약 4.2㎛이었다. 또한, 대향 기판의 배향막은, 전술의 TFT 기판과 동일한 방법으로 형성했다. Next, a counter substrate was manufactured according to a known method and Patent Document 1. On the opposed substrate, a spacer was formed on the overcoat film covering the color filter and the black matrix. The spacer had a tapered shape and had a height of about 4.2 mu m. The alignment film of the counter substrate was formed in the same manner as the TFT substrate described above.

다음으로, 제조된 TFT 기판과 대향 기판을 접합하여 액정을 봉입했다. 즉, 대향 기판의 표시 영역의 외주부에 환상의 시일재를 도포하고, 시일재로 둘러싸인 영역에 액정을 적하한 후, TFT 기판과의 접합을 행했다. 액정은, 유전 이방성 Δε이 정이며, 굴절률 이방성 Δn이 0.075의 네마틱 액정 조성물을 이용했다. 액정의 두께(셀 갭)는 스페이서의 높이와 거의 동일한 4.2㎛이었다. Next, the manufactured TFT substrate and the counter substrate were bonded to each other to seal the liquid crystal. That is, an annular sealing material was applied to the outer peripheral portion of the display region of the counter substrate, and liquid crystal was dropped to the region surrounded by the sealing material, and then the liquid crystal was bonded to the TFT substrate. The liquid crystal was a nematic liquid crystal composition having a dielectric anisotropy DELTA epsilon and a refractive index anisotropy DELTA n of 0.075. The thickness (cell gap) of the liquid crystal was 4.2 mu m which is almost the same as the height of the spacer.

다음으로, 한 쌍의 편광판을 이용하여 접합했다. 그리고, 제1 구동 회로, 제2 구동 회로, 제어 회로, 백라이트 등을 접속하여 모듈화하여, 액정 표시 소자를 제조했다. Next, bonding was performed using a pair of polarizing plates. Then, a first driving circuit, a second driving circuit, a control circuit, a backlight and the like were connected and modulated to manufacture a liquid crystal display element.

다음으로, 제조된 액정 표시 소자를 이용하여, 점등 시험을 실시했다. 그 결과, 제조된 액정 표시 소자는, 휘도가 낮고 표시 불균일이 없는 균일한 흑색 표시가 가능하다는 것을 알 수 있었다. 또한, 제조된 액정 표시 소자를 이용하여, 그 표시 영역에 대하여 일시적으로 외부로부터 압압을 가하여, 발생하는 표시의 흐트러짐의 상황을 육안으로 관찰했다. 그 결과, 압압 인가의 직후는, 액정 배향의 흐트러짐에 의한 표시의 흐트러짐이 발생하기는 하지만, 그 정도는 경미하다는 것을 알 수 있었다. 또한, 외부로부터의 압압 인가를 정지하면, 신속하게 표시의 흐트러짐은 해소되어, 압압 인가 전의 원래의 표시 상태로 복귀하는 것을 알 수 있었다. Next, a lighting test was conducted using the liquid crystal display device manufactured. As a result, it was found that the manufactured liquid crystal display device is capable of uniform black display with low brightness and no display unevenness. Further, by using the manufactured liquid crystal display element, the display area was temporarily subjected to external pressure, and the state of disturbance of the display was visually observed. As a result, it was found that although the disturbance of the display due to the disturbance of the liquid crystal alignment occurred immediately after the application of the pressure, the degree was slight. Further, when the application of the external pressure is stopped, the disturbance of the display is quickly resolved, and the display returns to the original display state before the application of the pressing force.

다음으로, 실시예 2에서 조정한 감방사선성 조성물을 이용하여, 전술의 실시예 1에서 조정한 감방사선성 조성물을 이용한 경우와 동일하게, 액정 표시 소자를 제조하여, 그 점등 시험을 행했다. 그 결과, 실시예 2에서 조정한 감방사선성 조성물을 이용하여 제조된 액정 표시 소자는, 전술의 실시예 1에서 조정한 감방사선성 조성물을 이용했을 경우와 동일하게, 휘도가 낮고 표시 불균일이 없는 균일한 흑색 표시가 가능하다는 것을 알 수 있었다. 또한, 그 액정 표시 소자를 이용하고, 표시 영역에 대하여 일시적으로 외부로부터 압압을 더하여, 발생하는 표시의 흐트러짐의 상황을 육안으로 관찰했다. 그 결과, 전술의 실시예 1에서 조정한 감방사선성 조성물을 이용한 경우와 동일하게, 압압 인가의 직후는, 액정 배향의 흐트러짐에 의한 표시의 흐트러짐이 발생하기는 하지만, 그 정도는 경미하다는 것을 알 수 있었다. 또한, 외부로부터의 압압 인가를 정지하면, 신속하게 표시의 흐트러짐은 해소되어, 압압 인가 전의 원래의 표시 상태로 복귀하는 것을 알 수 있었다. Next, using the radiation sensitive composition prepared in Example 2, a liquid crystal display device was produced in the same manner as in the case of using the radiation sensitive composition prepared in Example 1 described above, and the lighting test was conducted. As a result, as in the case of using the radiation sensitive composition prepared in the above-mentioned Example 1, the liquid crystal display device manufactured using the radiation sensitive composition prepared in Example 2 had a low luminance and no display unevenness It was found that uniform black display was possible. Further, the liquid crystal display element was used to temporarily apply external pressure to the display area, and the state of disturbance of the display was visually observed. As a result, as in the case of using the radiation sensitive composition prepared in the above-mentioned Example 1, display irregularity due to disturbance of the liquid crystal alignment occurred immediately after the application of pressure, but it was found to be slight I could. Further, when the application of the external pressure is stopped, the disturbance of the display is quickly resolved, and the display returns to the original display state before the application of the pressing force.

본 발명의 액정 표시 소자는, 균일하게 제어된 액정의 두께에 기초한 우수한 화질을 구비한 액정 표시 소자이다. 따라서, 본 발명의 액정 표시 소자는, 우수한 화질에서의 표시가 강하게 요구되는 스마트폰 등의 휴대 전자 기기의 디스플레이나 대형 액정 TV로서 적합하게 이용할 수 있다.The liquid crystal display element of the present invention is a liquid crystal display element having an excellent image quality based on the thickness of a liquid crystal that is uniformly controlled. Therefore, the liquid crystal display element of the present invention can be suitably used as a display of a portable electronic device such as a smart phone or a large-sized liquid crystal TV which is strongly required to display in an excellent image quality.

1, 10, 1001 : 액정 표시 소자
2, 1002 : 제 1 기판
3, 1003 : 제 2 기판
4, 204 : 스페이서
5, 1005 : 절연막
6, 114 : 스페이서 대좌
7, 1007 : 콘택트홀
32 : 제1 구동 회로
33 : 제2 구동 회로
34 : 제어 회로
35 : 백라이트
36 : 주사 신호선
37 : 영상 신호선
38 : 표시 영역
39 : 공통화 배선
40 : 액정
41 : 공통 전극
42 : 화소 전극
43 : TFT
100 TFT 기판
103 : 게이트 절연막
104 : 반도체층
105 : 드레인 전극
106 : 소스 전극
107 : 패시베이션막
109 : 콘택트홀
113 : 배향막
120, 220 : 편광판
200 : 대향 기판
201 : 블랙 매트릭스
202 : 컬러 필터
203 : 오버코트막
361 : 도전층
362 : 금속막
1004 : 주스페이서
1014 : 부스페이서
1, 10, 1001: liquid crystal display element
2, 1002: a first substrate
3, 1003: second substrate
4, 204: Spacer
5, 1005: insulating film
6, 114: spacer base
7, 1007: contact hole
32: first driving circuit
33: second driving circuit
34: Control circuit
35: backlight
36: scanning signal line
37: Video signal line
38: Display area
39:
40: liquid crystal
41: common electrode
42:
43: TFT
100 TFT substrate
103: Gate insulating film
104: semiconductor layer
105: drain electrode
106: source electrode
107: Passivation film
109: Contact hole
113: alignment film
120, 220: polarizer
200: opposing substrate
201: Black Matrix
202: Color filter
203: overcoat film
361: conductive layer
362: metal film
1004: Main spacer
1014: sub spacer

Claims (14)

대향 배치된 제1 기판 및 제2 기판의 당해 제2 기판의 위에 복수의 스페이서를 갖고,
상기 제1 기판의 위에 절연막을 가짐과 함께, 당해 절연막 상의 상기 스페이서의 선단(先端)과 대향하는 부분의 적어도 1개에 스페이서 대좌를 갖고,
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 액정을 협지하여 이루어지는 액정 표시 소자의 제조 방법으로서,
(1) 상기 제1 기판 상에 감방사선성 수지 조성물의 도막을 형성하는 도막 형성 공정,
(2) 상기 도막에 하프 톤 마스크 및 그레이 톤 마스크로부터 선택되는 적어도 한쪽을 이용하여 방사선을 조사하는 노광 공정,
(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 현상 공정, 및
(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 가열 공정
을 갖고, 상기 제1 기판의 위에, 상기 스페이서 대좌를 갖는 절연막을 일괄하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조 방법.
And a plurality of spacers disposed on the second substrate of the first substrate and the second substrate arranged to face each other,
A spacer having a spacer base on at least one of a portion of the first substrate facing the tip of the spacer on the insulating film,
And a liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate, the method comprising:
(1) a coating film forming step of forming a coating film of the radiation-sensitive resin composition on the first substrate,
(2) an exposure step of irradiating the coating film with radiation using at least one selected from a halftone mask and a gray-tone mask,
(3) a developing step of developing the coating film irradiated with the radiation, and
(4) a heating step of heating the developed coating film
And the insulating film having the spacer pedestal is collectively formed on the first substrate.
제1항에 있어서,
상기 (2) 노광 공정에서는, 상기 하프 톤 마스크 및 그레이 톤 마스크로부터 선택되는 적어도 한쪽을 이용하여 방사선을 조사하고, 상기 감방사선성 수지 조성물의 도막에, 당해 방사선의 조사량이 상이한 적어도 2개의 부분을 형성하고,
상기 (3) 현상 공정 및 상기 (4) 가열 공정에 의해, 상기 (2) 노광 공정의 2개의 부분 중 1개의 부분이 상기 절연막과 그 위에 배치된 상기 스페이서 대좌를 형성하고, 다른 1개의 부분이 상기 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조 방법.
The method according to claim 1,
In the exposure step (2), at least one selected from the halftone mask and the gray-tone mask is used to irradiate the coating, and the coating film of the radiation-sensitive resin composition is coated with at least two portions different in irradiation dose of the radiation Forming,
(2) one of the two parts of the exposure step forms the insulating film and the spacer base disposed thereon by the developing step (3) and the heating step (4), and the other part And forming the insulating film.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 감방사선성 수지 조성물은,
[A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체 및,
[B] 감방사선성 화합물
을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
The radiation-sensitive resin composition may contain,
[A] a polymer comprising a structural unit having a carboxyl group,
[B] Radiation-sensitive compound
Wherein the liquid crystal display element is a liquid crystal display element.
제3항에 있어서,
[A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체가, 추가로 가교성기를 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조 방법.
The method of claim 3,
[A] A process for producing a liquid crystal display element, wherein the polymer comprising a structural unit having a carboxyl group further has a crosslinkable group.
제4항에 있어서
상기 가교성기가, 옥세타닐기, 옥시라닐기 및 (메타)아크릴로일기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조 방법.
The method of claim 4, wherein
Wherein the crosslinkable group is at least one selected from the group consisting of an oxetanyl group, an oxiranyl group and a (meth) acryloyl group.
제3항에 있어서,
상기 [A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체가, 추가로 하기식 (1)로 나타나는 구조 단위를 갖는 중합체인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조 방법:
Figure pat00007

(식 (1) 중, R1는 수소 원자 또는 메틸기이며, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 3∼12의 사이클로알킬기, 페닐기 및 탄소수 1∼6의 알콕시기 중 어느 것을 나타내고;
n은 1∼6의 정수를 나타냄).
The method of claim 3,
A process for producing a liquid crystal display element, wherein the polymer comprising the structural unit having a carboxyl group [A] is a polymer having a structural unit represented by the following formula (1)
Figure pat00007

(Wherein R 1 is a hydrogen atom or a methyl group; R 2 , R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms, An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms;
and n represents an integer of 1 to 6).
대향 배치된 제1 기판 및 제2 기판의 당해 제2 기판의 위에 복수의 스페이서를 갖고, 상기 제1 기판의 위에 절연막을 가짐과 함께, 당해 절연막 상의 상기 스페이서의 선단과 대향하는 부분의 적어도 1개에 스페이서 대좌를 갖고, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 액정을 협지하여 이루어지는 액정 표시 소자의 상기 절연막과 상기 스페이서 대좌를 하프 톤 마스크 및 그레이 톤 마스크로부터 선택되는 적어도 한쪽을 이용한 방사선의 조사에 의해 일괄하여 형성하는 데에 이용되는 감방사선성 수지 조성물로서,
[A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체 및,
[B] 감방사선성 화합물
을 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선성 수지 조성물.
And a plurality of spacers disposed on the second substrate of the first substrate and the second substrate facing each other and having an insulating film on the first substrate and at least one portion of the portion of the insulating film facing the tip of the spacer on the insulating film And a liquid crystal display element in which a liquid crystal is sandwiched between the first substrate and the second substrate and which has a spacer base and the spacer base are arranged in parallel to each other by using at least one selected from a halftone mask and a gray- As the radiation sensitive resin composition used for collective formation by irradiation,
[A] a polymer comprising a structural unit having a carboxyl group,
[B] Radiation-sensitive compound
Wherein the radiation-sensitive resin composition is a thermosetting resin composition.
제7항에 있어서,
[A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체가, 추가로 가교성기를 갖는 것을 특징으로 하는 감방사선성 수지 조성물.
8. The method of claim 7,
[A] The radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [4], wherein the polymer comprising a structural unit having a carboxyl group further has a crosslinkable group.
제8항에 있어서,
상기 가교성기가, 옥세타닐기, 옥시라닐기 및 (메타)아크릴로일기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 감방사선성 수지 조성물.
9. The method of claim 8,
Wherein the crosslinkable group is at least one member selected from the group consisting of an oxetanyl group, an oxiranyl group and a (meth) acryloyl group.
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
[A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체가, 추가로 하기식 (1)로 나타나는 구조 단위를 갖는 중합체인 것을 특징으로 하는 감방사선성 수지 조성물:
Figure pat00008

(식 (1) 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기이며, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 3∼12의 사이클로알킬기, 페닐기 및 탄소수 1∼6의 알콕시기 중 어느 것을 나타내고;
n은 1∼6의 정수를 나타냄).
10. The method according to any one of claims 7 to 9,
The radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [5], wherein the polymer comprising a structural unit having a carboxyl group [A] is a polymer having a structural unit represented by the following formula
Figure pat00008

(Wherein R 1 is a hydrogen atom or a methyl group; R 2 , R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms, An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms;
and n represents an integer of 1 to 6).
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
[B] 감방사선성 화합물이, 산 발생제, 중합 개시제 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 감방사선성 수지 조성물.
10. The method according to any one of claims 7 to 9,
[B] The radiation-sensitive resin composition according to any one of the above items, wherein the radiation-sensitive compound is an acid generator, a polymerization initiator, or a combination thereof.
대향 배치된 제1 기판 및 제2 기판의 당해 제2 기판의 위에 복수의 스페이서를 갖고,
상기 제1 기판의 위에 절연막을 가짐과 함께, 당해 절연막 상의 상기 스페이서의 선단과 대향하는 부분의 적어도 1개에 스페이서 대좌를 갖고,
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 액정을 협지하여 이루어지는 액정 표시 소자로서,
상기 제1 기판의 위의 절연막 및 당해 절연막의 위의 스페이서 대좌가, 하기 (1)∼(4)의 공정에 의해 일괄하여 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자:
(1) 상기 제1 기판 상에 감방사선성 수지 조성물의 도막을 형성하는 도막 형성 공정,
(2) 상기 도막에 하프 톤 마스크 및 그레이 톤 마스크로부터 선택되는 적어도 한쪽을 이용하여 방사선을 조사하는 노광 공정,
(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 현상 공정,
(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 가열 공정.
And a plurality of spacers disposed on the second substrate of the first substrate and the second substrate arranged to face each other,
A spacer having a spacer base on at least one portion of the insulating film on the insulating substrate opposite to the tip of the spacer,
And a liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate,
Wherein the insulating film on the first substrate and the spacer base on the insulating film are collectively formed by the following steps (1) to (4):
(1) a coating film forming step of forming a coating film of the radiation-sensitive resin composition on the first substrate,
(2) an exposure step of irradiating the coating film with radiation using at least one selected from a halftone mask and a gray-tone mask,
(3) a developing step of developing the coating film irradiated with the radiation,
(4) A heating process for heating the developed coating film.
제12항에 있어서,
상기 감방사선성 수지 조성물은,
[A] 카복실기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체 및,
[B] 감방사선성 화합물
을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
13. The method of claim 12,
The radiation-sensitive resin composition may contain,
[A] a polymer comprising a structural unit having a carboxyl group,
[B] Radiation-sensitive compound
Wherein the liquid crystal display element is a liquid crystal display element.
대향 배치된 제1 기판 및 제2 기판의 당해 제2 기판의 위에 복수의 스페이서를 갖고, 상기 제1 기판의 위에 절연막을 가짐과 함께, 당해 절연막 상의 상기 스페이서의 선단과 대향하는 부분의 적어도 1개에 스페이서 대좌를 갖고, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 액정을 협지하여 이루어지는 액정 표시 소자. And a plurality of spacers disposed on the second substrate of the first substrate and the second substrate facing each other and having an insulating film on the first substrate and at least one portion of the portion of the insulating film facing the tip of the spacer on the insulating film And a liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010152188A (en) 2008-12-26 2010-07-08 Hitachi Displays Ltd Liquid crystal display

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101068111B1 (en) * 2005-01-27 2011-09-27 주식회사 동진쎄미켐 Photosensitive resin composition
JP2007334003A (en) * 2006-06-15 2007-12-27 Nec Lcd Technologies Ltd Liquid crystal display and method for manufacturing the same
JP2008170589A (en) * 2007-01-10 2008-07-24 Seiko Epson Corp Liquid crystal device, manufacturing method of liquid crystal device and electronic device
JP5333734B2 (en) * 2008-02-28 2013-11-06 Jsr株式会社 Radiation sensitive resin composition and spacer for liquid crystal display element
JP6048670B2 (en) * 2013-03-27 2016-12-21 Jsr株式会社 Radiation sensitive resin composition

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010152188A (en) 2008-12-26 2010-07-08 Hitachi Displays Ltd Liquid crystal display

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