KR101068111B1 - Photosensitive resin composition - Google Patents

Photosensitive resin composition Download PDF

Info

Publication number
KR101068111B1
KR101068111B1 KR1020050007725A KR20050007725A KR101068111B1 KR 101068111 B1 KR101068111 B1 KR 101068111B1 KR 1020050007725 A KR1020050007725 A KR 1020050007725A KR 20050007725 A KR20050007725 A KR 20050007725A KR 101068111 B1 KR101068111 B1 KR 101068111B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photosensitive resin
weight
resin composition
parts
methacrylate
Prior art date
Application number
KR1020050007725A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060087032A (en
Inventor
정의철
김병욱
김동민
윤혁민
여태훈
김동명
이호진
구기혁
윤주표
최상각
Original Assignee
주식회사 동진쎄미켐
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동진쎄미켐 filed Critical 주식회사 동진쎄미켐
Priority to KR1020050007725A priority Critical patent/KR101068111B1/en
Priority to TW095101865A priority patent/TWI413856B/en
Priority to JP2006010981A priority patent/JP4669789B2/en
Priority to SG200600383A priority patent/SG124382A1/en
Priority to CNA2006100022538A priority patent/CN1811596A/en
Publication of KR20060087032A publication Critical patent/KR20060087032A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101068111B1 publication Critical patent/KR101068111B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345Insulating layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)

Abstract

본 발명은 감광성 수지 조성물에 관한 것으로, 특히 a)ⅰ) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물, ⅱ) 에폭시기 함유 불포화 화합물, ⅲ) 올레핀계 불포화 화합물, 및 ⅳ) 실란계 단량체를 공중합시켜 얻어진 아크릴계 공중합체; b) 1,2-퀴논디아지드 화합물; 및 c) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, in particular a) i) unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic anhydride, or mixtures thereof, ii) epoxy group-containing unsaturated compounds, iii) olefinically unsaturated compounds, and iii) silane monomers. Acrylic copolymers obtained by copolymerization; b) 1,2-quinonediazide compounds; And c) relates to a photosensitive resin composition comprising a solvent.

본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 감도, 투과율, 절연성, 내화학성, 평탄성, 코팅성 등의 성능이 우수할 뿐만 아니라, 특히 무기질 재료와의 접착성이 현저히 향상되어 LCD 제조공정의 층간절연막을 형성하기에 적합하다.The photosensitive resin composition according to the present invention not only has excellent performance in sensitivity, transmittance, insulation, chemical resistance, flatness, coating property, etc., but also significantly improves adhesion to inorganic materials, thereby forming an interlayer insulating film in an LCD manufacturing process. Suitable for

감광성 수지, 실란계 단량체, 접착성, 층간절연막Photosensitive resin, silane monomer, adhesive, interlayer insulating film

Description

감광성 수지 조성물 {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}Photosensitive Resin Composition {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}

본 발명은 감광성 수지 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 감도, 투과율, 절연성, 내화학성, 평탄성, 코팅성 등의 성능이 우수할 뿐만 아니라, 특히 무기질 재료와의 접착성이 현저히 향상되어 LCD 제조공정의 층간절연막을 형성하기에 적합한 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, and more particularly, excellent performance in sensitivity, transmittance, insulation, chemical resistance, flatness, coating property, and the like, in particular, the adhesion to inorganic materials is significantly improved, and thus the LCD manufacturing process It relates to a photosensitive resin composition suitable for forming an interlayer insulating film.

TFT형 액정표시소자나 집적회로소자에는 층간에 배치되는 배선의 사이를 절연하기 위해서 층간절연막을 사용하고 있다.In the TFT type liquid crystal display device or integrated circuit device, an interlayer insulating film is used to insulate the wirings arranged between the layers.

이러한 층간절연막을 형성하기 위하여 패턴(pattern) 형성이 용이하며, 특히 상·하부의 글라스나 메탈막과 같은 무기질 재료와의 접착성이 우수한 감광성 재료가 사용되고 있다.In order to form such an interlayer insulating film, a pattern is easily formed, and in particular, a photosensitive material having excellent adhesion to inorganic materials such as upper and lower glass or metal films is used.

최근 액정 디스플레이(LCD) 제조공정에 적용되는 층간절연막은 기판과의 접착력 향상을 위해 HMDS 처리 등의 공정을 사용하거나 접착제 등을 첨가하여 사용하고 있다. 그러나, 상기와 같은 방법들은 LCD 제조공정시 상기와 같이 처리하는 단계가 요구되어 공정수가 많아지며, 접착력이 부족하여 현상공정 및 에칭공정시 안정성에 문제가 있었다. Recently, an interlayer insulating film applied to a liquid crystal display (LCD) manufacturing process is using a process such as HMDS treatment or an adhesive is added to improve adhesion to a substrate. However, the above methods require a step of treating as described above in the LCD manufacturing process, resulting in a large number of processes, and lack of adhesive force, thereby causing problems in stability during development and etching processes.                         

따라서 LCD 제조공정시 공정단계를 감소시킬 수 있고, 현상공정 및 에칭공정시 층간절연막용 패턴의 접착력을 향상시켜 안정성을 보장할 수 있는 방법에 대한 연구가 더욱 필요한 실정이다.Therefore, there is a need for further research on a method that can reduce the process steps in the LCD manufacturing process, and improve the adhesive strength of the interlayer insulating film pattern during the developing process and the etching process to ensure stability.

상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자, 본 발명은 감도, 투과율, 절연성, 내화학성, 평탄성, 코팅성 등의 성능이 우수할 뿐만 아니라, 특히 LCD 제조공정에서 공정단계를 감소시킬 수 있고, 현상공정 및 에칭공정시 층간절연막용 패턴의 접착력과 안정성을 현저히 향상시켜 막 두께가 두꺼운 LCD 제조공정의 층간절연막으로 사용하기 적합한 감광성 수지 조성물 및 상기 감광성 수지의 경화체를 포함하는 LCD 기판 및 상기 감광성 수지 조성물을 이용한 LCD 기판의 패턴형성방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the problems of the prior art as described above, the present invention is not only excellent in the performance of sensitivity, transmittance, insulation, chemical resistance, flatness, coating properties, etc., in particular can reduce the process step in the LCD manufacturing process, development LCD substrate and photosensitive resin composition comprising a photosensitive resin composition and a cured body of the photosensitive resin suitable for use as an interlayer insulating film in an LCD manufacturing process having a thick film thickness by significantly improving the adhesion and stability of the interlayer insulating film pattern during the process and etching process. An object of the present invention is to provide a pattern forming method of an LCD substrate.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 감광성 수지 조성물에 있어서,In order to achieve the above object, the present invention provides a photosensitive resin composition,

a)ⅰ) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물;a) i) unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic anhydride, or mixtures thereof;

ⅱ) 에폭시기 함유 불포화 화합물;  Ii) epoxy group-containing unsaturated compounds;

ⅲ) 올레핀계 불포화 화합물; 및  Iii) olefinically unsaturated compounds; And

ⅳ) 실란계 단량체  Iii) silane monomers

를 공중합시켜 얻어진 아크릴계 공중합체;  Acrylic copolymer obtained by copolymerizing;

b) 1,2-퀴논디아지드 화합물; 및b) 1,2-quinonediazide compounds; And

c) 용매 c) solvent                     

를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.It provides a photosensitive resin composition comprising a.

바람직하게 본 발명은Preferably the present invention

a)ⅰ) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물 5 내지 40 중량부;a) i) 5 to 40 parts by weight of unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic anhydride, or mixtures thereof;

ⅱ) 에폭시기 함유 불포화 화합물 10 내지 70 중량부;   Ii) 10 to 70 parts by weight of an epoxy group-containing unsaturated compound;

ⅲ) 올레핀계 불포화 화합물 10 내지 70 중량부; 및  V) 10 to 70 parts by weight of olefinically unsaturated compound; And

ⅳ) 실란계 단량체 3 내지 15 중량부  Iii) 3 to 15 parts by weight of silane monomers

를 공중합시켜 얻어진 아크릴계 공중합체 100 중량부;  100 parts by weight of an acrylic copolymer obtained by copolymerizing;

b) 1,2-퀴논디아지드 화합물 5 내지 100 중량부; 및b) 5 to 100 parts by weight of 1,2-quinonediazide compound; And

c) 용매를 감광성 수지 조성물 내의 고형분의 함량이 10 내지 50 중량%가 되도록 포함한다.c) The solvent is included so that the content of solids in the photosensitive resin composition is 10 to 50% by weight.

또한 본 발명은 상기 감광성 수지의 경화체를 포함하는 LCD를 제공한다.The present invention also provides an LCD comprising a cured product of the photosensitive resin.

또한 본 발명은 상기 감광성 수지 조성물을 이용한 LCD 기판의 패턴형성방법을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a pattern forming method of the LCD substrate using the photosensitive resin composition.

이하 본 발명을 상세하게 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 a)ⅰ) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물, ⅱ) 에폭시기 함유 불포화 화합물 10 내지 70 중량부, ⅲ) 올레핀계 불포화 화합물 10 내지 70 중량부, 및 ⅳ) 실란계 단량체 3 내지 15 중량부를 공중합시켜 얻어진 아크릴계 공중합체, b) 1,2-퀴논디아지드 화합물, 및 c) 용매를 포함하는 것을 특징으로 한다. The photosensitive resin composition of the present invention comprises a) i) unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic anhydride, or mixtures thereof, ii) 10 to 70 parts by weight of an epoxy group-containing unsaturated compound, iii) 10 to 70 parts by weight of an olefinically unsaturated compound, and Vi) an acrylic copolymer obtained by copolymerizing 3 to 15 parts by weight of a silane monomer, b) a 1,2-quinonediazide compound, and c) a solvent.                     

본 발명에 사용되는 상기 a)의 아크릴계 공중합체는 현상할 때에 스컴(scum)이 발생하지 않는 소정의 패턴을 용이하게 형성할 수 있도록 하는 작용을 한다.The acrylic copolymer of a) used in the present invention functions to easily form a predetermined pattern that does not generate a scum when developing.

상기 a)의 아크릴계 공중합체는 ⅰ) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물, ⅱ) 에폭시기 함유 불포화 화합물, ⅲ) 올레핀계 불포화 화합물, 및 ⅳ) 실란계 단량체를 단량체로 하여 용매 및 중합개시제의 존재하에서 라디칼 반응으로 합성하여 얻을 수 있다.The acrylic copolymer of a) may be selected from the group consisting of i) unsaturated carboxylic acids, unsaturated carboxylic anhydrides, or mixtures thereof, ii) epoxy group-containing unsaturated compounds, iii) olefinically unsaturated compounds, and iii) silane monomers as solvents, It can be synthesized by radical reaction in the presence of a polymerization initiator.

본 발명에 사용되는 상기 a)ⅰ) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물 또는 이들의 혼합물은 아크릴산, 메타크릴산 등의 불포화 모노카르본 산; 말레인산, 푸마르산, 시트라콘산, 메타콘산, 이타콘산 등의 불포화 디카르본산; 또는 이들의 불포화 디카르본산의 무수물 등을 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있으며, 특히 아크릴산, 메타크릴산, 또는 무수말레인산을 사용하는 것이 공중합 반응성과 현상액인 알칼리 수용액에 대한 용해성에 있어 더욱 바람직하다.A) i) Unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic anhydride or mixtures thereof used in the present invention include unsaturated monocarboxylic acids such as acrylic acid and methacrylic acid; Unsaturated dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, metaconic acid and itaconic acid; Or anhydrides of these unsaturated dicarboxylic acids, or the like, may be used alone or in combination of two or more thereof. Particularly, acrylic acid, methacrylic acid, or maleic anhydride may be used in terms of copolymerization reactivity and solubility in aqueous alkali solution. Do.

상기 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물 또는 이들의 혼합물은 전체 총 단량체 100 중량부에 대하여 5 내지 40 중량부로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 10 내지 30 중량부로 포함되는 것이다. 그 함량이 5 중량부 미만일 경우에는 알칼리 수용액에 용해하기 어렵다는 문제점이 있으며, 40 중량부를 초과할 경우에는 알칼리 수용액에 대한 용해성이 지나치게 커지게 된다는 문제점이 있다.The unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic anhydride or a mixture thereof is preferably included in an amount of 5 to 40 parts by weight, more preferably 10 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total total monomers. If the content is less than 5 parts by weight, there is a problem that it is difficult to dissolve in the aqueous alkali solution, if it exceeds 40 parts by weight there is a problem that the solubility in the aqueous alkali solution is too large.

본 발명에 사용되는 상기 a)ⅱ)의 에폭시기 함유 불포화 화합물은 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-β-메틸글리시딜, 메타크릴산-β-메틸글리시딜, 아크릴산-β-에틸글리시딜, 메타크릴산-β-에틸글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, 또는 p-비닐벤질글리시딜에테르 등을 사용할 수 있으며, 상기 화합물을 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The epoxy group-containing unsaturated compound of a) ii) used in the present invention is glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl α-ethyl acrylate, glycidyl α-n-propyl acrylate, α-n- Butyl acrylate glycidyl, acrylic acid-beta -methyl glycidyl, methacrylic acid-beta -methyl glycidyl, acrylic acid-beta -ethyl glycidyl, methacrylic acid-beta -ethyl glycidyl, acrylic acid -3, 4-epoxybutyl, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl, acrylic acid-6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, α-ethylacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, o- Vinyl benzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether, and the like can be used, and the above compounds can be used alone or in combination of two or more thereof.

특히, 상기 에폭시기 함유 불포화 화합물은 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산-β-메틸글리시딜, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, 또는 p-비닐벤질글리시딜에테르를 사용하는 것이 공중합 반응성 및 얻어지는 패턴의 내열성을 향상시키는데 있어 더욱 바람직하다.In particular, the epoxy group-containing unsaturated compounds are methacrylic acid glycidyl, methacrylic acid-β-methylglycidyl, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl It is more preferable to use glycidyl ether or p-vinylbenzyl glycidyl ether in improving the copolymerization reactivity and the heat resistance of the obtained pattern.

상기 에폭시기 함유 불포화 화합물은 전체 총 단량체 100 중량부에 대하여 10 내지 70 중량부로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 20 내지 60 중량부로 포함되는 것이다. 그 함량이 10 중량부 미만일 경우에는 얻어지는 패턴의 내열성이 저하된다는 문제점이 있으며, 70 중량부를 초과할 경우에는 공중합체의 보존안정성이 저하된다는 문제점이 있다.The epoxy group-containing unsaturated compound is preferably included in 10 to 70 parts by weight, more preferably 20 to 60 parts by weight based on 100 parts by weight of the total total monomers. If the content is less than 10 parts by weight, there is a problem that the heat resistance of the resulting pattern is lowered, and if it exceeds 70 parts by weight, there is a problem that the storage stability of the copolymer is lowered.

본 발명에 사용되는 상기 a)ⅲ)의 올레핀계 불포화 화합물은 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-부틸 메타크릴레이트, sec-부틸 메타크릴레이트, tert-부틸 메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 이소프로필 아크릴레이트, 시클로헥실 메타크릴레이트, 2-메틸시클로 헥실메타크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐메타크릴레이트, 디시클로펜타닐 메타크릴레이트, 1-아다만틸 아크릴레이트, 1-아다만틸 메타크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸메타크릴레이트, 이소보로닐메타크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸아크릴레이트, 이소보로닐아크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 스티렌, α-메틸 스티렌, m-메틸 스티렌, p-메틸 스티렌, 비닐톨루엔, p-메톡시 스티렌, 1,3-부타디엔, 이소프렌, 또는 2,3-디메틸 1,3-부타디엔 등을 사용할 수 있으며, 상기 화합물을 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The olefinically unsaturated compounds of a) iii) used in the present invention are methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, tert-butyl methacrylate, methyl acrylate. , Isopropyl acrylate, cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, dicyclopentenyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl methacrylate, dicyclopentanyl methacrylate, 1 -Adamantyl acrylate, 1-adamantyl methacrylate, dicyclopentanyloxyethyl methacrylate, isoboroyl methacrylate, cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, dicyclopentanyloxy Ethyl acrylate, isoboroyl acrylate, phenyl methacrylate, phenyl acrylate, benzyl acrylate, 2-hydroxyethyl meth Acrylate, styrene, α-methyl styrene, m-methyl styrene, p-methyl styrene, vinyltoluene, p-methoxy styrene, 1,3-butadiene, isoprene, or 2,3-dimethyl 1,3-butadiene It can be used and the said compound can be used individually or in mixture of 2 or more types.

특히, 상기 올레핀계 불포화 화합물은 스티렌, 디시클로펜타닐메타크릴레이트, 또는 p-메톡시 스티렌을 사용하는 것이 공중합 반응성 및 현상액인 알칼리 수용액에 대한 용해성 측면에서 더욱 바람직하다.In particular, the olefinically unsaturated compound is more preferable in terms of solubility in aqueous alkali solution which is copolymerization reactivity and developer using styrene, dicyclopentanyl methacrylate, or p-methoxy styrene.

상기 올레핀계 불포화 화합물은 전체 총 단량체 100 중량부에 대하여 10 내지 70 중량부로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 20 내지 50 중량부로 포함되는 것이다. 그 함량이 10 중량부 미만일 경우에는 아크릴계 공중합체의 보존안정성이 저하된다는 문제점이 있으며, 70 중량부를 초과할 경우에는 아크릴계 공중합체가 현상액인 알칼리 수용액에 용해되기 어렵다는 문제점이 있다.The olefinically unsaturated compound is preferably included in 10 to 70 parts by weight, more preferably 20 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the total total monomers. If the content is less than 10 parts by weight, there is a problem that the storage stability of the acrylic copolymer is lowered. If the content exceeds 70 parts by weight, the acrylic copolymer is difficult to be dissolved in an aqueous alkali solution.

본 발명에 사용되는 상기 a)ⅳ)의 실란계 단량체는 비닐트리클로로실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시실란), 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 3-메타크릴록시에틸메틸디메톡시실란, 3-메타크릴록시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴록시에틸메틸디에톡시실란, 3-메타크릴록시프로필메틸디 에톡시실란, 3-메타크릴록시메틸트리메톡시실란, 3-메타크릴록시에틸트리메톡시실란, 3-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴록시부틸트리메톡시실란, 3-메타크릴록시에틸트리에톡시실란 또는 3-메타크릴록시프로필트리에톡시실란 등을 사용할 수 있다.The silane monomers of a) iii) used in the present invention include vinyltrichlorosilane, vinyltris (β-methoxyethoxysilane), vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 3-methacryloxyethylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxyethylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxy Methyltrimethoxysilane, 3-methacryloxyethyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxybutyltrimethoxysilane, 3-methacryloxyethyltriethoxysilane or 3-methacryloxypropyl triethoxysilane, etc. can be used.

상기 실란계 단량체는 전체 총 단량체 100 중량부에 대하여 3 내지 15 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 3 중량부 미만일 경우에는 기판과의 접착성향상에 영향이 없으며, 15 중량부를 초과할 경우에는 기판에 형성된 패턴의 내열성이 저하되는 문제점이 있다.The silane monomer is preferably included in 3 to 15 parts by weight based on 100 parts by weight of the total total monomers. If it is less than 3 parts by weight, there is no effect of improving adhesion to the substrate. If it exceeds 15 parts by weight, there is a problem that the heat resistance of the pattern formed on the substrate is lowered.

상기와 같은 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물; 에폭시기 함유 불포화 화합물; 올레핀계 불포화 화합물; 및 실란계 단량체의 단량체를 용액 중합하기 위해 사용되는 용매는 메탄올, 테트라히드록시퓨란, 톨루엔, 또는 다이옥산 등을 사용할 수 있다.Such unsaturated carboxylic acids, unsaturated carboxylic anhydrides, or mixtures thereof; Epoxy group-containing unsaturated compounds; Olefinically unsaturated compounds; And as a solvent used for solution polymerization of the monomer of a silane monomer, methanol, tetrahydroxyfuran, toluene, dioxane, etc. can be used.

상기와 같은 단량체를 용액 중합하기 위해 사용되는 중합개시제는 라디칼 중합개시제를 사용할 수 있으며, 구체적으로 2,2-아조비스이소부티로니트릴, 2,2-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2-아조비스(4-메톡시 2,4-디메틸발레로니트릴), 1,1-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴), 또는 디메틸 2,2'-아조비스이소부틸레이트 등을 사용할 수 있다. The polymerization initiator used for solution polymerization of such monomers may use a radical polymerization initiator, specifically 2,2-azobisisobutyronitrile, 2,2-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile ), 2,2-azobis (4-methoxy 2,4-dimethylvaleronitrile), 1,1-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile), or dimethyl 2,2'-azobisisobutyl Rate and the like can be used.

상기와 같은 단량체를 용매와 중합개시제 존재하에서 라디칼 반응시키고, 침전 및 여과, 진공건조 공정을 통하여 미반응 단량체를 제거하여 얻어진 상기 a)의 아크릴계 공중합체는 폴리스티렌 환산중량평균분자량(Mw)이 5,000 내지 30,000인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 5,000 내지 20,000인 것이다. 상기 폴리스티렌 환산중량평균분자량이 5,000 미만인 층간절연막의 경우 현상성, 잔막율 등이 저하되거나, 패턴 현상, 내열성 등이 뒤떨어진다는 문제점이 있으며, 30,000을 초과하는 층간절연막의 경우에는 감도가 저하되거나 패턴 현상이 뒤떨어진다는 문제점이 있다.The acrylic copolymer of a) obtained by radical reaction of the above monomers in the presence of a solvent and a polymerization initiator, and removal of unreacted monomers through precipitation, filtration and vacuum drying processes has a polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of 5,000 to 5,000. It is preferable that it is 30,000, More preferably, it is 5,000-20,000. In the case of the interlayer insulating film having a weight average molecular weight of less than 5,000, there is a problem in that developability, residual film ratio, or the like is inferior to pattern development, heat resistance, etc., and in the case of an interlayer insulating film exceeding 30,000, the sensitivity is decreased or a pattern There is a problem that the phenomenon is inferior.

본 발명에 사용되는 상기 b)의 1,2-퀴논디아지드 화합물은 감광성 화합물로 사용된다.The 1,2-quinonediazide compound of b) used in the present invention is used as a photosensitive compound.

상기 1,2-퀴논디아지드 화합물은 1,2-퀴논디아지드 4-술폰산 에스테르, 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르, 또는 1,2-퀴논디아지드 6-술폰산 에스테르 등을 사용할 수 있다.As the 1,2-quinonediazide compound, 1,2-quinonediazide 4-sulfonic acid ester, 1,2-quinonediazide 5-sulfonic acid ester, or 1,2-quinonediazide 6-sulfonic acid ester may be used. have.

상기와 같은 퀴논디아지드 화합물은 나프토퀴논디아지드 술폰산할로겐 화합물과 페놀 화합물을 약염기하에서 반응시켜 제조할 수 있다.The quinonediazide compound as described above may be prepared by reacting a naphthoquinonediazide sulfonic acid halogen compound and a phenol compound under a weak base.

상기 페놀 화합물로는 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 2,4,6-트리히드록시벤조페논, 2,2'-테트라히드록시벤조페논, 4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,3'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,2'-테트라 히드록시 4'-메틸벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시 3'-메톡시벤조페논, 2,3,4,2'-펜타히드록시벤조페논, 2,3,4,6'-펜타히드록시벤조페논, 2,4,6,3'-헥사히드록시벤조페논, 2,4,6,4'-헥사히드록시벤조페논, 2,4,6,5'-헥사히드록시벤조페논, 3,4,5,3'-헥사히드록시벤조페논, 3,4,5,4'-헥사히드록시벤조페논, 3,4,5,5'-헥사히드록시벤조페논, 비스(2,4-디히드록시페닐) 메탄, 비스(p-히드록시페닐) 메탄, 트리(p-히드록시페 닐) 메탄, 1,1,1-트리(p-히드록시페닐) 에탄, 비스(2,3,4-트리히드록시페닐) 메탄, 2,2-비스(2,3,4-트리히드록시페닐) 프로판, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸 4-히드록시페닐)-3-페닐프로판, 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 또는 비스(2,5-디메틸 4-히드록시페닐)-2-히드록시페닐메탄 등을 사용할 수 있으며, 상기 화합물을 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Examples of the phenolic compounds include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone, 2,2'-tetrahydroxybenzophenone, and 4,4'-tetrahydroxybenzophenone. , 2,3,4,3'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,2'-tetrahydroxy 4'-methylbenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxy 3'-methoxybenzophenone, 2,3,4,2'-pentahydroxybenzophenone, 2,3,4,6'-pentahydroxybenzophenone, 2,4,6,3'-hexahydroxybenzophenone, 2,4,6,4'-hexahydroxybenzophenone, 2,4,6,5'-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5 , 3'-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,4'-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,5'-hexahydroxybenzophenone, bis (2,4-dihydroxyphenyl ) Methane, bis (p-hydroxyphenyl) methane, tri (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane, bis (2,3,4-trihydrate Oxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 1,1,3-tris (2,5-di Methyl 4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol, or bis ( 2,5-dimethyl 4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane etc. can be used, The said compound can be used individually or in mixture of 2 or more types.

상기와 같은 페놀 화합물과 나프토퀴논디아지드 술폰산할로겐 화합물로 퀴논디아지드 화합물을 합성할 때 에스테르화도는 50 내지 85 %가 바람직하다. 상기 에스테르화도가 50 % 미만일 경우에는 잔막율이 나빠질 수 있으며, 85 %를 초과할 경우에는 보관안정성이 저하된다는 문제점이 있다.When the quinone diazide compound is synthesized with the phenol compound and the naphthoquinone diazide sulfonic acid halogen compound as described above, the esterification degree is preferably 50 to 85%. When the esterification degree is less than 50%, the residual film rate may be worse, and when the esterification degree is more than 85%, there is a problem that the storage stability is lowered.

상기 1,2-퀴논디아지드 화합물은 a)의 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 5 내지 100 중량부로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 10 내지 50 중량부로 포함되는 것이다. 그 함량이 5 중량부 미만일 경우에는 노광부와 비노광부의 용해도 차가 작아져 패턴 형성이 어려우며, 100 중량부를 초과할 경우에는 단시간 동안 빛을 조사할 때 미반응 1,2-퀴논디아지드 화합물이 다량 잔존하여 현상액인 알칼리 수용액에 대한 용해도가 지나치게 낮아져 현상이 어렵다는 문제점이 있다.The 1,2-quinonediazide compound is preferably included in an amount of 5 to 100 parts by weight, and more preferably 10 to 50 parts by weight, based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer of a). If the content is less than 5 parts by weight, the difference in solubility between the exposed and non-exposed parts becomes small, and if it exceeds 100 parts by weight, a large amount of unreacted 1,2-quinonediazide compound is produced when irradiated with light for a short time. There is a problem that the development is difficult because the solubility in the alkali aqueous solution remaining as a developer is too low.

본 발명에 사용되는 상기 c)의 용매는 층간절연막의 평탄성과 코팅얼룩을 발생하지 않게 하여 균일한 패턴 프로파일(pattern profile)을 형성하게 한다.The solvent of c) used in the present invention does not generate flatness and coating stain of the interlayer insulating film, thereby forming a uniform pattern profile.

상기 용매는 벤질 알코올, 헥실 알코올, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸 에테르, 디프로필렌글리콜메틸에틸에티르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 프로필에테르, 프로필렌글리콜 부틸에테르, 프로필렌글리켈 메틸에틸아세테이트, 프로필렌글리콜 에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 메틸에틸프로피오네이트, 프로필렌글리콜 에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜 프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜 부틸에테르프로피오네이트, 톨루엔, 크실렌, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 4-히드록시 4-메틸 2-펜타논, 초산메틸, 초산에틸, 초산프로필, 추산부틸, 2-히드록시 프로피온산에틸, 2-히드록시 메틸프로피온산메틸, 2-히드록시 2-메틸 프로피온산에틸, 히드록시 초산메틸, 히드록시 초산에틸, 히드록시 초산부틸, 유산메틸, 유산에틸, 유산프로필, 유산부틸, 3-히드록시 프로피온산메틸, 3-히드록시 프로피온산에틸, 3-히드록시 프로피온산 프로필, 3-히드록시 프로피온산 부틸, 2-히드록시 3-메틸부탄산메틸, 메톡시초산메틸, 메톡시초산에틸, 메톡시 초산프로필, 메톡시 초산부틸, 에톡시 초산메틸, 에톡시초산에틸, 에톡시초산프로필, 에톡시초산부틸, 프로폭시초산메틸, 프로폭시초산에틸, 프로폭시초산프로필, 프로폭시초산부틸, 부톡시초산메틸, 부톡시초산에틸, 부톡시초산프로필, 부톡시초신부틸, 2-메톡시프로피온산메틸, 2-메톡시프로피온산에틸, 2-메톡시프로피온산프로필, 2-메톡시프로피온산부틸, 2-에톡시프 로피온산메틸, 2-에톡시프로피온산에틸, 2-에톡시프로피온산프로필, 2-에톡시프로피온산부틸, 2-부톡시프로피온산메틸, 2-부톡시프로피온산에틸, 2-부톡시프로피온산프로필, 2-부톡시프로피온산부틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 2-메톡시플피온산에틸, 3-메톡시프로피온산프로필, 3-메톡시프로피온산부틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산프로필, 3-에톡시프로피온산부틸, 3-프로폭시프로피온산메틸, 3-프로폭시프로피온산에틸, 3-프로폭시프로피온산프로필, 3-프로폭시프로피온산부틸, 3-부톡시프로피온산메틸, 3-부톡시프로피온산에틸, 3-부톡시프로피온산프로필, 3-부톡시프로피온산부틸 등의 에테르류 등을 사용할 수 있으며, 이들을 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The solvent is benzyl alcohol, hexyl alcohol, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol methyl ethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, Ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol methyl ethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, Propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol propyl ether, propylene glycol butyl ether, propylene glycol methyl ethyl acetate, propylene glycol ethyl ether acetate, propylene glycol propyl ether acetate, propylene glycol butyl ether acetate, propylene Recall methyl ethyl propionate, propylene glycol ethyl ether propionate, propylene glycol propyl ether propionate, propylene glycol butyl ether propionate, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy 4-methyl 2-pentanone, methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, 2-hydroxyethyl propionate, methyl 2-hydroxy methylpropionate, ethyl 2-hydroxy 2-methyl ethyl propionate, methyl hydroxy acetate, hydroxy acetic acid Ethyl, hydroxybutyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, 3-hydroxy methyl propionate, 3-hydroxy ethyl propionate, 3-hydroxy propionic acid propyl, 3-hydroxy butyl propionate, 2-hydroxy Methyl oxy 3-methylbutyrate, methyl methoxy acetate, methoxy ethyl acetate, methoxy propyl acetate, methoxy butyl acetate, ethoxy methyl acetate, ethoxy acetate, ethoxy Propyl acetate, butyl ethoxy acetate, methyl propoxy acetate, ethyl propoxy acetate, propyl propoxy acetate, butyl propoxy acetate, methyl butoxy acetate, ethyl butoxy acetate, butyl butoxy acetate, butyl butoxy acetate, 2 Methyl methoxy propionate, ethyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, propyl 2-ethoxypropionate, Butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, ethyl 2-butoxypropionate, propyl 2-butoxypropionate, butyl 2-butoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate , 3-methoxy propyl propionate, 3-methoxy butyl propionate, 3-ethoxy propionate, 3-ethoxy propionate, 3-ethoxy propyl propionate, 3-ethoxy propionate, 3-propoxy propionate, 3-propoxypropy Ethers such as ethyl acid, 3-propoxypropionate, 3-propoxypropionate, methyl 3-butoxypropionate, ethyl 3-butoxypropionate, propyl 3-butoxypropionate and butyl 3-butoxypropionate It can be used and these can be used individually or in mixture of 2 or more types.

상기 용매는 전체 감광성 수지 조성물의 고형분 함량이 10 내지 50 중량%가 되도록 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 15 내지 40 중량%가 되도록 포함시키는 것이다. 상기 전체 조성물의 고형분 함량이 10 중량% 미만일 경우에는 코팅두께가 얇게 되고, 코팅평판성이 저하된다는 문제점이 있으며, 50 중량%를 초과할 경우에는 코팅두께가 두꺼워지고, 코팅시 코팅장비에 무리를 줄 수 있다는 문제점이 있다.The solvent is preferably included so that the solid content of the entire photosensitive resin composition is 10 to 50% by weight, more preferably 15 to 40% by weight. If the solid content of the total composition is less than 10% by weight, there is a problem in that the coating thickness is thin, and coating flatness is lowered. When the content of the solid composition exceeds 50% by weight, the coating thickness becomes thick, and the coating equipment is hard to coat. There is a problem that can give.

상기와 같은 성분으로 이루어지는 본 발명의 감광성 수지 조성물은 필요에 따라 d) 에폭시수지, e) 접착제, f) 아크릴 화합물, 또는 g) 계면활성제를 추가로 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition of this invention which consists of the above components can further contain d) epoxy resin, e) adhesive agent, f) acrylic compound, or g) surfactant as needed.

상기 d)의 에폭시 수지는 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 패턴의 내열성, 감도 등을 향상시키는 작용을 한다. The epoxy resin of said d) functions to improve heat resistance, sensitivity, etc. of the pattern obtained from the photosensitive resin composition.                     

상기 에폭시 수지는 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 환상지방족 에폭시 수지, 글리시딜 에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜 아민형 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 또는 a)의 아크릴계 공중합체와는 다른 글리시딜 메타아크리레이트를 (공)중합한 수지 등을 사용할 수 있으며, 특히 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 또는 글리시딜 에스테르형 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.The epoxy resin is bisphenol A epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, cresol novolac epoxy resin, cycloaliphatic epoxy resin, glycidyl ester epoxy resin, glycidyl amine epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, Or a resin obtained by co-polymerizing glycidyl methacrylate different from the acrylic copolymer of a), and in particular, a bisphenol A type epoxy resin, a cresol novolac type epoxy resin, or a glycidyl ester type. Preference is given to using epoxy resins.

상기 에폭시 수지는 상기 a)의 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 30 중량부로 포함되는 것이 바람하며, 그 함량이 상기 범위를 벗어나는 경우에는 아크릴계 공중합체에 대한 상용성이 떨어져 충분한 도포성능을 얻을 수 없다는 문제점이 있다.The epoxy resin is preferably contained in an amount of 0.1 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer of a). If the content is outside the above range, compatibility with the acrylic copolymer may be insufficient to obtain sufficient coating performance. There is a problem that can not be.

또한 상기 e)의 접착제는 기판과의 접착성을 향상시키는 작용을 하며, 카르복실기, 메타크릴기, 이소시아네이트기, 또는 에폭시기 등과 같은 반응성 치환기를 갖는 실란 커플링제 등을 사용할 수 있다. 구체적으로 γ-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, 또는 β-(3,4-에폭시 시클로 헥실)에틸트리메톡시실란 등을 사용할 수 있다.In addition, the adhesive of e) serves to improve adhesion to the substrate, and a silane coupling agent having a reactive substituent such as a carboxyl group, methacryl group, isocyanate group, or epoxy group may be used. Specifically, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatepropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, or β- (3 , 4-epoxy cyclohexyl) ethyltrimethoxysilane and the like can be used.

상기 접착제는 a)의 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 20 중량부로 포함되는 것이 바람직하다.The adhesive is preferably included in an amount of 0.1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer of a).

또한 상기 f)의 아크릴 화합물은 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 패턴의 투과율, 내열성, 감도 등을 향상시키는 작용을 한다. Furthermore, the said ac compound of f) functions to improve the transmittance | permeability, heat resistance, a sensitivity, etc. of the pattern obtained from the photosensitive resin composition.                     

바람직하기로는 상기 아크릴 화합물이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 것이 좋다.Preferably, the acrylic compound is a compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112005005073712-pat00001
Figure 112005005073712-pat00001

상기 화학식 1의 식에서,In the formula of Formula 1,

R은 수소원자, 탄소수 1∼5의 알킬기, 탄소수 1∼5의 알콕시기, 또는 탄소수 1∼5의 알카노일기이고,R is a hydrogen atom, an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group of 1 to 5 carbon atoms, or an alkanoyl group of 1 to 5 carbon atoms,

1 < a < 6이고, a + b = 6이다.1 <a <6 and a + b = 6.

상기 아크릴 화합물은 상기 a)의 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 25 중량부로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 15 중량부로 포함되는 것이다. 그 함량이 상기 범위내일 경우에는 패턴의 투과율, 내열성, 감도 등의 향상에 있어 더욱 좋다.The acrylic compound is preferably included in 0.1 to 25 parts by weight, more preferably 0.1 to 15 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the acrylic copolymer of a). When the content is in the above range, it is better in improving the transmittance, heat resistance, sensitivity, and the like of the pattern.

또한 상기 g)의 계면활성제는 감광성 조성물의 도포성이나 현상성을 향상시키는 작용을 한다.In addition, the surfactant of g) serves to improve the coatability and developability of the photosensitive composition.

상기 계면활성제는 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, F171, F172, F173(상품명: 대일본잉크사), FC430, FC431(상품명: 수미또모트리엠사), 또는 KP341(상품명: 신월화학공업사) 등을 사용할 수 있다. The surfactant may be polyoxyethylene octylphenyl ether, polyoxyethylene nonylphenyl ether, F171, F172, F173 (trade name: Japan Nippon Ink Company), FC430, FC431 (trade name: Sumitomo Triem, Inc.), or KP341 (trade name: Shinwol) Chemical industry) and the like.

상기 계면활성제는 상기 a)의 아크릴계 중합체 100 중량부에 대하여 0.0001 내지 2 중량부로 포함되는 것이 바람직하며, 그 함량이 상기 범위내일 경우에는 감광성 조성물의 도포성이나 현상성 향상에 있어 더욱 좋다.The surfactant is preferably included in an amount of 0.0001 to 2 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic polymer of a). If the content is in the above range, the surfactant is more preferable in coating properties and developability of the photosensitive composition.

상기와 같은 성분으로 이루어지는 본 발명의 감광성 수지 조성물의 고형분 농도는 10 내지 50 중량%인 것이 바람직하며, 상기 범위의 고형분을 가지는 조성물은 0.1∼0.2 ㎛의 밀리포아필터 등으로 여과한 뒤 사용하는 것이 좋다.It is preferable that the solid content concentration of the photosensitive resin composition of this invention which consists of the above components is 10 to 50 weight%, and the composition which has a solid content of the said range is used after filtering with a 0.1-0.2 micrometer millipore filter etc. good.

또한 본 발명은 상기 감광성 수지의 경화체를 포함하는 LCD 기판 및 상기 감광성 수지 조성물을 이용한 LCD 기판의 패턴형성방법을 제공한다.The present invention also provides an LCD substrate comprising a cured product of the photosensitive resin and a pattern forming method of the LCD substrate using the photosensitive resin composition.

본 발명의 LCD 기판의 패턴형성방법은 감광성 수지 조성물을 유기절연막으로 형성하여 LCD 기판의 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 상기 감광성 수지 조성물을 사용하는 것을 특징으로 한다.The pattern formation method of the LCD substrate of this invention uses the said photosensitive resin composition in the method of forming the pattern of an LCD substrate by forming the photosensitive resin composition into an organic insulating film.

구체적으로 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 LCD 기판의 패턴을 형성하는 방법은 다음과 같다.Specifically, the method of forming the pattern of the LCD substrate using the photosensitive resin composition is as follows.

먼저 본 발명의 감광성 수지 조성물을 스프레이법, 롤코터법, 회전도포법 등으로 기판표면에 도포하고, 프리베이크에 의해 용매를 제거하여 도포막을 형성한다. 이때, 상기 프리베이크는 70∼110 ℃의 온도에서 1∼15 분간 실시하는 것이 바람직하다.First, the photosensitive resin composition of this invention is apply | coated to the surface of a board | substrate by the spray method, the roll coater method, the rotary coating method, etc., A solvent is removed by prebaking, and a coating film is formed. At this time, it is preferable to perform the said prebaking for 1 to 15 minutes at the temperature of 70-110 degreeC.

그 다음, 미리 준비된 패턴에 따라 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, 엑스선 등을 상기 형성된 도포막에 조사하고, 현상액으로 현상하여 불필요한 부분을 제거함으로써 소정의 패턴을 형성한다. Then, a predetermined pattern is formed by irradiating visible light, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electron beams, X-rays, and the like on the formed coating film according to a previously prepared pattern, and developing with a developer to remove unnecessary portions.

상기 현상액은 알칼리 수용액을 사용하는 것이 좋으며, 구체적으로 수산화나 트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨 등의 무기 알칼리류; 에틸아민, n-프로필아민 등의 1급 아민류; 디에틸아민, n-프로필아민 등의 2급 아민류; 트리메틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에틸아민, 트리에틸아민 등의 3급 아민류; 디메틸에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 알콜아민류; 또는 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드 등의 4급 암모늄염의 수용액 등을 사용할 수 있다. 이때, 상기 현상액은 알칼리성 화합물을 0.1∼10 중량%의 농도로 용해시켜 사용되며, 메탄올, 에탄올 등과 같은 수용성 유기용매 및 계면활성제를 적정량 첨가할 수도 있다.The developer is preferably an aqueous alkali solution, specifically, inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide and sodium carbonate; Primary amines such as ethylamine and n-propylamine; Secondary amines such as diethylamine and n-propylamine; Tertiary amines such as trimethylamine, methyldiethylamine, dimethylethylamine and triethylamine; Alcohol amines such as dimethylethanolamine, methyl diethanolamine and triethanolamine; Or an aqueous solution of a quaternary ammonium salt such as tetramethylammonium hydroxide or tetraethylammonium hydroxide can be used. In this case, the developer is used by dissolving the alkaline compound at a concentration of 0.1 to 10% by weight, and may be added an appropriate amount of a water-soluble organic solvent and a surfactant such as methanol, ethanol and the like.

또한, 상기와 같은 현상액으로 현상한 후 초순수로 30∼90 초간 세정하여 불필요한 부분을 제거하고 건조하여 패턴을 형성하고, 상기 형성된 패턴에 자외선 등의 빛을 조사한 후, 패턴을 오븐 등의 가열장치에 의해 150∼250 ℃의 온도에서 30∼90 분간 가열처리하여 최종 패턴을 얻을 수 있다.In addition, after developing with the developer as described above, it is washed with ultrapure water for 30 to 90 seconds to remove unnecessary parts and dried to form a pattern. After irradiating the formed pattern with light such as ultraviolet rays, the pattern is applied to a heating apparatus such as an oven. By heating at a temperature of 150 to 250 ° C. for 30 to 90 minutes to obtain a final pattern.

본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 감도, 투과율, 절연성, 내화학성, 평탄성, 코팅성 등의 성능이 우수할 뿐만 아니라, 특히 LCD 제조공정에서 공정단계를 감소시킬 수 있고, 현상공정 및 에칭공정시 층간절연막용 패턴의 접착력과 안정성을 현저히 향상시켜 막 두께가 두꺼운 LCD 제조공정의 층간절연막으로 사용하기 적합하다. 또한 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용한 본 발명의 LCD 기판의 패턴형성방법은 포토공정 후 LCD 제조공정에 적용되는 층간절연막의 우수한 패턴을 형성할 수 있다는 장점이 있다.The photosensitive resin composition according to the present invention not only has excellent performance in sensitivity, transmittance, insulation, chemical resistance, flatness, coating property, etc., but also can reduce process steps in the LCD manufacturing process, and interlayer during development process and etching process. Significantly improve the adhesion and stability of the insulating film pattern is suitable for use as an interlayer insulating film of the LCD manufacturing process with a thick film thickness. In addition, the pattern formation method of the LCD substrate of the present invention using the photosensitive resin composition of the present invention has the advantage that it can form an excellent pattern of the interlayer insulating film applied to the LCD manufacturing process after the photo process.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실 시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred examples are provided to help understanding of the present invention, but the following examples are merely to illustrate the present invention, and the scope of the present invention is not limited to the following examples.

[실시예][Example]

실시예 1Example 1

(아크릴계 공중합체 제조)(Acrylic copolymer production)

냉각관과 교반기를 구비한 플라스크에 테트라히드록시퓨란 500 중량부, 메타크릴산 25 중량부, 글리시딜 메타크릴레이트 30 중량부, 스티렌 20 중량부, 이소보닐 아크릴레이트 20 중량부, 비닐트리메톡시실란 5 중량부, 및 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 1 중량부를 넣고, 질소치환한 후 완만히 교반하였다. 상기 반응 용액을 55 ℃까지 승온시켜 24 시간 동안 이 온도를 유지하면서 아크릴계 공중합체를 포함하는 중합체 용액을 제조하였으며, 중합체의 중량평균분자량은 10,000이었다. 이때, 중량평균분자량은 GPC를 사용하여 측정한 폴리스티렌 환산평균분자량이다.500 parts by weight of tetrahydroxyfuran, 25 parts by weight of methacrylic acid, 30 parts by weight of glycidyl methacrylate, 20 parts by weight of styrene, 20 parts by weight of isobornyl acrylate, and vinyltrime in a flask equipped with a cooling tube and a stirrer. 5 parts by weight of oxysilane and 1 part by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added, and nitrogen-substituted and stirred gently. The reaction solution was heated up to 55 ° C to maintain a temperature for 24 hours to prepare a polymer solution containing an acrylic copolymer, the weight average molecular weight of the polymer was 10,000. At this time, the weight average molecular weight is the polystyrene reduced average molecular weight measured using GPC.

(1,2-퀴논디아지드 화합물 제조)(1,2-quinonediazide compound preparation)

4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2 몰을 축합반응시켜 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.1 mole of 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid [ Chloride] condensation reaction of 2 moles to give 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol 1,2-naphthoquinonediazide -5-sulfonic acid ester was prepared.

(감광성 수지 조성물 제조)(Photosensitive resin composition production)

상기 제조한 아크릴계 공중합체 100 중량부와 상기 제조한 4,4'-[1-[4-[1- [4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르 30 중량부를 혼합하였다. 상기 혼합물의 고형분 함량이 30 중량%가 되도록 벤질 알코올로 용해시킨 후, 0.2 ㎛의 밀리포아필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.100 parts by weight of the prepared acrylic copolymer and 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol 1,2- 30 parts by weight of naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester was mixed. After dissolving with benzyl alcohol so that the solid content of the mixture was 30% by weight, it was filtered through a 0.2 μm millipore filter to prepare a photosensitive resin composition.

실시예 2Example 2

상기 실시예 1에서 아크릴계 공중합체 제조시 비닐트리메톡시실란을 10 중량부로 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 10 parts by weight of vinyltrimethoxysilane was used to prepare the acrylic copolymer in Example 1.

실시예 3Example 3

상기 실시예 1에서 아크릴계 공중합체 제조시 비닐트리메톡시실란 5 중량부를 대신하여 3-메타크릴록시프로필트리메톡시실란을 3 중량부로 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.In the same manner as in Example 1 except that 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane was used in 3 parts by weight instead of 5 parts by weight of vinyltrimethoxysilane when preparing the acrylic copolymer. A resin composition was prepared.

실시예 4Example 4

상기 실시예 1에서 아크릴계 공중합체 제조시 비닐트리메톡시실란 5 중량부를 대신하여 3-메타크릴록시프로필트리메톡시실란을 6 중량부로 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.The photosensitive composition was carried out in the same manner as in Example 1, except that 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane was used in place of 5 parts by weight of vinyltrimethoxysilane in Example 1 to prepare an acrylic copolymer. A resin composition was prepared.

실시예 5Example 5

상기 실시예 1에서 아크릴계 공중합체 제조시 비닐트리메톡시실란 5 중량부 를 대신하여 3-메타크릴록시프로필트리메톡시실란을 10 중량부로 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.In the same manner as in Example 1, except that 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane was used in place of 5 parts by weight of vinyltrimethoxysilane in the preparation of the acrylic copolymer in 10 parts by weight. The photosensitive resin composition was prepared.

비교예 1Comparative Example 1

상기 실시예 1에서 아크릴 공중합체 제조시 비닐트리메톡시실란을 포함시키지 않고 아크릴 공중합체를 제조한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the acrylic copolymer was prepared without including vinyltrimethoxysilane when preparing the acrylic copolymer in Example 1.

상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1에서 제조된 감광성 수지 조성물을 이용하여 하기와 같은 방법으로 물성을 평가한 후, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.After evaluating the physical properties by the following method using the photosensitive resin composition prepared in Examples 1 to 5 and Comparative Example 1, the results are shown in Table 1 below.

ㄱ) 코팅 RPM - 글래스(glass) 기판 상에 스핀코터를 사용하여 상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1에서 제조한 감광성 수지 조성물을 도포한 뒤, 90 ℃로 2 분간 핫 플레이트상에서 프리베이크하여 두께가 3.0 ㎛인 막을 형성하였다.A) Coating RPM-After applying the photosensitive resin composition prepared in Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 using a spin coater on a glass substrate, and prebaked on a hot plate for 2 minutes at 90 ℃ thickness Formed a film having a thickness of 3.0 mu m.

ㄴ) 평탄도 - 상기 ㄱ)에서 형성한 막에 소정 패턴 마스크(pattern mask)를 사용하여 365 ㎚에서의 강도가 15 ㎽/㎠인 자외선을 15 초간 조사하였다. 이후, 테트라메틸 암모늄히드록시드 2.38 중량%의 수용액으로 23 ℃에서 70 초간 현상한 후, 초순수로 1 분간 세정하였다. B) Flatness-The film formed in the above a) was irradiated with ultraviolet rays having an intensity of 15 mA / cm 2 for 15 seconds using a pattern mask. Thereafter, the solution was developed at 23 ° C. for 70 seconds in an aqueous solution of 2.38 wt% tetramethyl ammonium hydroxide, and then washed with ultrapure water for 1 minute.

그 다음, 상기에서 현상된 패턴에 365 ㎚에서의 강도가 15 ㎽/㎠인 자외선을 34 초간 조사하고, Convection 오븐속에서 220 ℃에서 60 분간 가열하여 경화시켜 패턴 막을 얻었다.Subsequently, the developed pattern was irradiated with ultraviolet rays having an intensity of 15 mA / cm 2 at 365 nm for 34 seconds, and heated and cured at 220 ° C. for 60 minutes in a convection oven to obtain a pattern film.

ㄷ) 해상도 - 상기 ㄴ)의 감도 측정시 형성된 패턴 막의 최소 크기로 측정하 였다.C) resolution—measured by the minimum size of the pattern film formed during the sensitivity measurement of b).

ㄹ) 내열성 - 상기 ㄴ)의 감도 측정시 형성된 패턴 막의 상,하 및 좌,우의 폭을 측정하였다. 이때, 각의 변화율이 오븐 가열전 기준, 0∼20 %인 경우를 ○, 20∼40 %인 경우를 △, 40 %를 넘는 경우를×로 표시하였다.D) heat resistance-the widths of the upper, lower, left and right sides of the pattern film formed when the sensitivity of the b) was measured. At this time, the case where the change rate of each angle was 0 to 20% based on the oven heating and (circle) and the case where 20 to 40% exceeded (triangle | delta) and 40% was represented by x.

ㅁ) 투명성 - 투명성의 평가 분광광도계를 이용하여 패턴 막의 400 ㎚의 투과율을 측정하였다.)) Transparency—evaluation of transparency The transmittance of 400 nm of the patterned film was measured using a spectrophotometer.

ㅂ) 접착성 - 상기 ㄴ)의 감도 측정시 형성된 패턴 막에 수동식 로울러의 압착장치를 이용하여 동일한 속도로 1 회 왕복시킨 후, 기판의 전체 면적을 100 등분했을 때 peel off되는 면적을 측정하여 백분율로 표시하였다.Iii) Adhesiveness-After reciprocating once at the same speed using the manual roller compaction apparatus on the pattern film formed in the sensitivity measurement of b), measure the area peeled off when the total area of the substrate is divided into 100 equal parts. Marked as.

구분division 코팅 RPMCoating RPM 감도 (mJ/㎠)Sensitivity (mJ / ㎠) 해상도 (㎛)Resolution (μm) 내열성Heat resistance 투명성Transparency 접착성 (%)Adhesiveness (%) 실시예 1Example 1 10901090 54.654.6 33 9090 35.0535.05 실시예 2Example 2 10501050 51.251.2 33 9292 31.7131.71 실시예 3Example 3 10501050 54.554.5 33 9090 36.0636.06 실시예 4Example 4 10901090 54.854.8 33 9090 28.8828.88 실시예 5Example 5 10201020 50.150.1 33 9191 22.7522.75 비교예 1Comparative Example 1 10301030 58.158.1 33 8888 85.1385.13

상기 표 1을 통하여, 본 발명에 따라 실시예 1 내지 5에서 제조한 감광성 수지 조성물은 감도, 해상도, 내열성, 투명성, 및 접착성이 모두 우수하였으며, 기판의 대형화에 따른 LCD 공정의 층간절연막에 적용가능함을 알 수 있었다. 이에 반해, 비교예 1의 경우 감도가 58.1 mJ/㎠로 낮고, 접착성이 불량하여 층간절연막에 적용하기에는 어려움이 있다. Through Table 1, the photosensitive resin composition prepared in Examples 1 to 5 according to the present invention was excellent in sensitivity, resolution, heat resistance, transparency, and adhesion, and applied to the interlayer insulating film of the LCD process according to the enlargement of the substrate. It was possible to find out. On the contrary, in the case of Comparative Example 1, the sensitivity was low as 58.1 mJ / cm 2, and the adhesion was poor, which makes it difficult to apply to the interlayer insulating film.

본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 감도, 투과율, 절연성, 내화학성, 평탄성, 코팅성 등의 성능이 우수할 뿐만 아니라, 특히 LCD 제조공정에서 공정단계를 감소시킬 수 있고, 현상공정 및 에칭공정시 층간절연막용 패턴의 접착력과 안정성을 현저히 향상시켜 막 두께가 두꺼운 LCD 제조공정의 층간절연막으로 사용하기 적합하다. 또한 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용한 본 발명의 LCD 기판의 패턴형성방법은 포토공정 후 LCD 제조공정에 적용되는 층간절연막의 우수한 패턴을 형성할 수 있다는 효과가 있다. The photosensitive resin composition according to the present invention not only has excellent performance in sensitivity, transmittance, insulation, chemical resistance, flatness, coating property, etc., but also can reduce process steps in the LCD manufacturing process, and interlayer during development process and etching process. Significantly improve the adhesion and stability of the insulating film pattern is suitable for use as an interlayer insulating film of the LCD manufacturing process with a thick film thickness. In addition, the pattern formation method of the LCD substrate of the present invention using the photosensitive resin composition of the present invention has the effect that it can form an excellent pattern of the interlayer insulating film applied to the LCD manufacturing process after the photo process.

Claims (12)

감광성 수지 조성물에 있어서,In the photosensitive resin composition, a)ⅰ) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물;a) i) unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic anhydride, or mixtures thereof; ⅱ) 에폭시기 함유 불포화 화합물;  Ii) epoxy group-containing unsaturated compounds; ⅲ) 올레핀계 불포화 화합물; 및  Iii) olefinically unsaturated compounds; And ⅳ) 실란계 단량체  Iii) silane monomers 를 공중합시켜 얻어진 아크릴계 공중합체;  Acrylic copolymer obtained by copolymerizing; b) 1,2-퀴논디아지드 화합물; 및b) 1,2-quinonediazide compounds; And c) 용매c) solvent 를 포함하는 감광성 수지 조성물.Photosensitive resin composition comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, a)ⅰ) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물 5 내지 40 중량부;a) i) 5 to 40 parts by weight of unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic anhydride, or mixtures thereof; ⅱ) 에폭시기 함유 불포화 화합물 10 내지 70 중량부;   Ii) 10 to 70 parts by weight of an epoxy group-containing unsaturated compound; ⅲ) 올레핀계 불포화 화합물 10 내지 70 중량부; 및  V) 10 to 70 parts by weight of olefinically unsaturated compound; And ⅳ) 실란계 단량체 3 내지 15 중량부  Iii) 3 to 15 parts by weight of silane monomers 를 공중합시켜 얻어진 아크릴계 공중합체 100 중량부;  100 parts by weight of an acrylic copolymer obtained by copolymerizing; b) 1,2-퀴논디아지드 화합물 5 내지 100 중량부; 및b) 5 to 100 parts by weight of 1,2-quinonediazide compound; And c) 용매를 감광성 수지 조성물 내의 고형분의 함량이 10 내지 50 중량%가 되도록 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.c) The photosensitive resin composition containing a solvent so that content of solid content in the photosensitive resin composition may be 10-50 weight%. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 a)ⅰ) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물이 아크릴산, 메타크릴산, 말레인산, 푸마르산, 시트라콘산, 메타콘산, 이타콘산, 및 이들의 불포화 디카르본산의 무수물로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.A) i) unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic anhydride, or mixtures thereof, consisting of anhydrides of acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, metaconic acid, itaconic acid, and unsaturated dicarboxylic acids thereof The photosensitive resin composition, characterized in that at least one selected from the group. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 a)ⅱ)의 에폭시기 함유 불포화 화합물이 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-β-메틸글리시딜, 메타크릴산-β-메틸글리시딜, 아크릴산-β-에틸글리시딜, 메타크릴산-β-에틸글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, 및 p-비닐벤질글리시딜에테르로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.The epoxy group-containing unsaturated compounds of a) ii) are glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, α-ethyl acrylate glycidyl, α-n-propyl acrylate glycidyl, α-n-butyl acrylate glycidyl , Acrylic acid β-methylglycidyl, methacrylic acid β-methylglycidyl, acrylic acid β-ethylglycidyl, methacrylic acid β-ethylglycidyl, acrylic acid-3,4-epoxybutyl, Methacrylic acid-3,4-epoxybutyl, acrylic acid-6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, α-ethylacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, o-vinylbenzyl glycidyl At least one selected from the group consisting of ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, and p-vinyl benzyl glycidyl ether, characterized in that the photosensitive resin composition. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 a)ⅲ)의 올레핀계 불포화 화합물이 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-부틸 메타크릴레이트, sec-부틸 메타크릴레이트, tert-부틸 메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 이소프로필 아크릴레이트, 시클로헥실 메타크릴레이트, 2-메틸시클로 헥실메타크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐메타크릴레이트, 디시클로펜타닐메타크릴레이트, 1-아다만틸 아크릴레이트, 1-아다만틸 메타크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸메타크릴레이트, 이소보로닐메타크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸아크릴레이트, 이소보로닐아크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 스티렌, α-메틸 스티렌, m-메틸 스티렌, p-메틸 스티렌, 비닐톨루엔, p-메톡시 스티렌, 1,3-부타디엔, 이소프렌, 및 2,3-디메틸 1,3-부타디엔으로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.The olefinically unsaturated compound of a) iii) is methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, tert-butyl methacrylate, methyl acrylate, isopropyl acrylate , Cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, dicyclopentenyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl methacrylate, dicyclopentanyl methacrylate, 1-adamantyl acrylic Rate, 1-adamantyl methacrylate, dicyclopentanyloxyethyl methacrylate, isoboroyl methacrylate, cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, dicyclopentanyloxyethyl acrylate, iso Boronyl acrylate, phenyl methacrylate, phenyl acrylate, benzyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, styrene, at least one member from the group consisting of α-methyl styrene, m-methyl styrene, p-methyl styrene, vinyltoluene, p-methoxy styrene, 1,3-butadiene, isoprene, and 2,3-dimethyl 1,3-butadiene The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 a)ⅳ)의 실란계 단량체가 비닐트리클로로실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시실란), 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 3-메타크릴록시에틸메틸디메톡시실란, 3-메타크릴록시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴록시에틸메틸디에톡시실란, 3-메타크릴록시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴록시메틸트리메톡시실란, 3-메타크릴록시에틸트리메톡시실란, 3-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴록시부틸트리메톡시실란, 3-메타크릴록시에틸트리 에톡시실란 및 3-메타크릴록시프로필트리에톡시실란로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.The silane monomers of a) iii) include vinyltrichlorosilane, vinyltris (β-methoxyethoxysilane), vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, and 3-methacryloxy Ethylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxyethylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxymethyltrimethoxysilane, 3-methacryloxyethyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxybutyltrimethoxysilane, 3-methacryloxyethyltriethoxysilane and 3-methacryloxypropyl At least 1 type is selected from the group which consists of triethoxysilane, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 a)의 아크릴계 공중합체는 폴리스티렌 환산중량평균분자량(Mw)이 5,000 내지 30,000인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.The acrylic copolymer of a) has a polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of 5,000 to 30,000, the photosensitive resin composition. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 b)의 1,2-퀴논디아지드 화합물이 1,2-퀴논디아지드 4-술폰산 에스테르, 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르, 및 1,2-퀴논디아지드 6-술폰산 에스테르로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.The 1,2-quinonediazide compound of b) is used as 1,2-quinonediazide 4-sulfonic acid ester, 1,2-quinonediazide 5-sulfonic acid ester, and 1,2-quinonediazide 6-sulfonic acid ester 1 or more types are chosen from the group which consists of a photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 감광성 수지 조성물이 d) 에폭시수지 0.1 내지 30 중량부, e) 접착제 0.1 내지 20 중량부, f) 아크릴 화합물 0.1 내지 25 중량부, 및 g) 계면활성제 0.0001 내지 2 중량부로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 첨가제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition is one or more from the group consisting of d) 0.1 to 30 parts by weight of epoxy resin, e) 0.1 to 20 parts by weight of adhesive, f) 0.1 to 25 parts by weight of acrylic compound, and g) 0.0001 to 2 parts by weight of surfactant. The photosensitive resin composition, characterized in that it further comprises an additive selected. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 용매가 벤질 알코올, 헥실 알코올, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에틸에티르, 및 디프로필렌글리콜디에틸에테르로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.The solvent is benzyl alcohol, hexyl alcohol, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol methyl ethyl ether, and dipropylene glycol diethyl ether 1 or more types are selected from the group which consists of a photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 감광성 수지의 경화체를 포함하는 LCD 기판.An LCD substrate comprising the cured product of the photosensitive resin of any one of claims 1 to 10. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 감광성 수지를 이용한 LCD 기판의 패턴형성방법.The pattern formation method of the LCD substrate using the photosensitive resin of any one of Claims 1-10.
KR1020050007725A 2005-01-27 2005-01-27 Photosensitive resin composition KR101068111B1 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050007725A KR101068111B1 (en) 2005-01-27 2005-01-27 Photosensitive resin composition
TW095101865A TWI413856B (en) 2005-01-27 2006-01-18 Photosensitive resin composition
JP2006010981A JP4669789B2 (en) 2005-01-27 2006-01-19 Photosensitive resin composition, LCD substrate and pattern forming method thereof
SG200600383A SG124382A1 (en) 2005-01-27 2006-01-19 Photosensitive resin composition
CNA2006100022538A CN1811596A (en) 2005-01-27 2006-01-27 Light-sensitive resin composite

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050007725A KR101068111B1 (en) 2005-01-27 2005-01-27 Photosensitive resin composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060087032A KR20060087032A (en) 2006-08-02
KR101068111B1 true KR101068111B1 (en) 2011-09-27

Family

ID=36844585

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050007725A KR101068111B1 (en) 2005-01-27 2005-01-27 Photosensitive resin composition

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP4669789B2 (en)
KR (1) KR101068111B1 (en)
CN (1) CN1811596A (en)
SG (1) SG124382A1 (en)
TW (1) TWI413856B (en)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7799509B2 (en) * 2005-06-04 2010-09-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive resin composition, method of manufacturing a thin-film transistor substrate, and method of manufacturing a common electrode substrate using the same
KR101506535B1 (en) * 2007-02-28 2015-03-27 제이엔씨 주식회사 Positive photosensitive resin composition
KR100911889B1 (en) 2007-07-16 2009-08-11 한국전기연구원 Photosensitive resin composition with organic~inorganic hybrid and liquid display devices using
JP5187492B2 (en) * 2007-11-22 2013-04-24 Jsr株式会社 Curable resin composition, protective film and method for forming protective film
JP5108480B2 (en) * 2007-11-28 2012-12-26 東京応化工業株式会社 Photosensitive resin composition for interlayer insulation film
JP5176768B2 (en) * 2008-08-06 2013-04-03 Jsr株式会社 Positive photosensitive insulating resin composition
JP5451048B2 (en) * 2008-12-05 2014-03-26 株式会社ダイセル Copolymer and photosensitive resin composition
JP5411589B2 (en) * 2009-06-11 2014-02-12 株式会社ダイセル Copolymer, resin composition containing the copolymer, and cured product thereof
JP5441542B2 (en) * 2009-07-22 2014-03-12 富士フイルム株式会社 Positive photosensitive resin composition, cured film, interlayer insulating film, organic EL display device, and liquid crystal display device
TW201310166A (en) * 2011-08-31 2013-03-01 Everlight Chem Ind Corp Resin and composition thereof for manufacture insulator layer and over coat
KR101344873B1 (en) * 2011-10-17 2013-12-30 이근수 Copolymer compositions, heat-resistant resin obtained therefrom and manufacturing method thereof
JP5935297B2 (en) * 2011-11-09 2016-06-15 Jnc株式会社 Positive photosensitive composition
JP2013160825A (en) * 2012-02-02 2013-08-19 Sumitomo Chemical Co Ltd Photosensitive resin composition
JP6458236B2 (en) * 2014-09-26 2019-01-30 ナトコ株式会社 Alkali-soluble resin, photosensitive resin composition and use thereof
JP6536067B2 (en) * 2015-02-19 2019-07-03 Jsr株式会社 METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
JP7063049B2 (en) 2018-03-28 2022-05-09 Jsr株式会社 Radiation-sensitive compositions and their uses

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08320567A (en) * 1995-05-25 1996-12-03 Toyo Ink Mfg Co Ltd Photo soldering resist composition
KR20030016505A (en) * 2001-08-20 2003-03-03 주식회사 동진쎄미켐 Photosensitive resin composition
JP2003195499A (en) 2001-12-25 2003-07-09 Tamura Kaken Co Ltd Photosensitive resin composition and printed wiring board
KR20030060435A (en) * 2002-01-09 2003-07-16 삼성전자주식회사 Photoresist Composition And Method of Manufacturing Pattern Using The Same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55159441A (en) * 1979-05-31 1980-12-11 Toray Ind Inc Lithographic plate material not requiring wetting water
JPH01126643A (en) * 1987-11-12 1989-05-18 Nippon Zeon Co Ltd Pattern forming material
JP3562599B2 (en) * 1995-08-18 2004-09-08 大日本インキ化学工業株式会社 Photoresist composition
JP3965868B2 (en) * 2000-06-12 2007-08-29 Jsr株式会社 Interlayer insulation film and microlens
JP2002116536A (en) * 2000-10-06 2002-04-19 Jsr Corp Radiation sensitive resin composition, its cured body and element
JP4815663B2 (en) * 2000-10-17 2011-11-16 旭硝子株式会社 Curable composition
KR100809544B1 (en) * 2001-10-24 2008-03-04 주식회사 동진쎄미켐 Photosensitive resin composition comprising quinonediazide sulfate ester compound
JP2003167350A (en) * 2001-12-04 2003-06-13 Toyobo Co Ltd Photoresist composition and method for curing the same
SG135954A1 (en) * 2003-04-07 2007-10-29 Toray Industries Positive-type photosensitive resin composition
JP4483371B2 (en) * 2003-04-07 2010-06-16 東レ株式会社 Photosensitive resin composition

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08320567A (en) * 1995-05-25 1996-12-03 Toyo Ink Mfg Co Ltd Photo soldering resist composition
KR20030016505A (en) * 2001-08-20 2003-03-03 주식회사 동진쎄미켐 Photosensitive resin composition
JP2003195499A (en) 2001-12-25 2003-07-09 Tamura Kaken Co Ltd Photosensitive resin composition and printed wiring board
KR20030060435A (en) * 2002-01-09 2003-07-16 삼성전자주식회사 Photoresist Composition And Method of Manufacturing Pattern Using The Same

Also Published As

Publication number Publication date
TWI413856B (en) 2013-11-01
JP4669789B2 (en) 2011-04-13
SG124382A1 (en) 2006-08-30
CN1811596A (en) 2006-08-02
TW200632548A (en) 2006-09-16
JP2006209112A (en) 2006-08-10
KR20060087032A (en) 2006-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101068111B1 (en) Photosensitive resin composition
KR101280478B1 (en) Photosensitive resin composition
TWI403836B (en) Photosensitive resin composition
KR100809544B1 (en) Photosensitive resin composition comprising quinonediazide sulfate ester compound
KR100784672B1 (en) Photosensitive resin composition
KR101206780B1 (en) Photosensitive resin composition
KR101221468B1 (en) Photosensitive resin composition
KR20070103109A (en) Photosensitive resin composition
KR101388519B1 (en) Method Of Fabricating Thin Film Transistor Substrate And Photosensitive Resin Composition Used To The Same
KR101342521B1 (en) Photosensitive resin composition
KR100922844B1 (en) Photosensitive resin composition for dielectrics
KR20090111517A (en) Photosensitive resin composition which is capable of being cured at a low temperature
KR101057130B1 (en) Photosensitive resin composition
KR100737723B1 (en) Photosensitive resin composition
KR100922843B1 (en) Photosensitive resin composition for dielectrics
KR101373541B1 (en) Photosensitive resin composition
KR101030310B1 (en) Photosensitive resin composition
KR20030026666A (en) Photosensitive resin composition
KR20030008706A (en) Photosensitive resin composition

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140605

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150604

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160620

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170619

Year of fee payment: 7