JP2022068916A - Liquid crystal display element, liquid crystal display element manufacturing method, and radiation-sensitive resin composition - Google Patents

Liquid crystal display element, liquid crystal display element manufacturing method, and radiation-sensitive resin composition Download PDF

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Abstract

To provide an ADS mode liquid crystal display element that improves display reliability, while reducing light leakage on data wiring.SOLUTION: An ADS (Advanced-super dimension switch) mode liquid crystal display element has a liquid crystal 13 sandwiched between a first substrate 1 and a second substrate 2, in which these substrates are arranged facing each other. The first substrate 1 has a resin transparent structure 16 above data wiring 3, and the second substrate 2 has a color filter 11.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、液晶表示素子、液晶表示素子の製造方法および感放射線性樹脂組成物に関する。 The present invention relates to a liquid crystal display element, a method for manufacturing a liquid crystal display element, and a radiation-sensitive resin composition.

液晶ディスプレイ、特に大型テレビ向けの液晶表示パネルは、視野角、透過率、応答時間等が重要な性能指標である。これらの性能指標の値を良好にするための液晶表示モードとして、PSA(Polymer Sustained Alignment)モード、IPS(In Plane Switching)モード、FFS(Fringe Field Switching)モード、ADS(Advanced-super dimension switch)モード等の各種モードが開発されている。現在では、これらの液晶表示モード技術を使った大型テレビが量産されている。 For liquid crystal displays, especially liquid crystal display panels for large televisions, the viewing angle, transmittance, response time, etc. are important performance indicators. As liquid crystal display modes for improving the values of these performance indicators, PSA (Polymer Sustained Alignment) mode, IPS (In Plane Switching) mode, FFS (Fringe Field Switching) mode, ADS (Advanced-super dimension switch) mode Various modes such as are being developed. At present, large-sized TVs using these liquid crystal display mode technologies are mass-produced.

近年、これまでのハイビジョン(画素数1920×1080)から、より高精細の4K(画素数3840×2160)や8K(画素数7680×4320)が実現されつつある。しかしながら、4Kや8Kの液晶表示パネルでは、配線数やスイッチング素子の増加等に起因してパネル透過率が低下する傾向にある。パネル透過率が低下すると、バックライトの光利用効率が低下するため、消費電力の増大に繋がる。
IPSモード、FFSモード、ADSモード等の横電界駆動方式の液晶表示パネルは、広い視野角、速い応答速度および高いコントラスト比を有することから、近年特に注目されているモードである。
In recent years, higher-definition 4K (pixels 3840 x 2160) and 8K (pixels 7680 x 4320) are being realized from the conventional high-definition television (pixels 1920 x 1080). However, in a 4K or 8K liquid crystal display panel, the panel transmittance tends to decrease due to an increase in the number of wirings and switching elements. When the panel transmittance decreases, the light utilization efficiency of the backlight decreases, which leads to an increase in power consumption.
The liquid crystal display panel of the lateral electric field drive system such as the IPS mode, the FFS mode, and the ADS mode has a wide viewing angle, a fast response speed, and a high contrast ratio, and is therefore a mode that has attracted particular attention in recent years.

しかしながらADSモードの素子の構造上、データ配線の近傍ではデータ配線から電場が発生し、光漏れが生じることが知られており、この表示不良を防ぐためブラックマトリックス(BM)でその部分を覆うことがなされており、これが開口率低下の要因の一つとなっている。 However, due to the structure of the ADS mode element, it is known that an electric field is generated from the data wiring in the vicinity of the data wiring and light leakage occurs, and in order to prevent this display defect, the portion is covered with a black matrix (BM). This is one of the factors that reduce the aperture ratio.

一方、ADSモードにおいて、データ配線の直上にブラックポストスペーサー(BPS)を配設することによりデータ配線の近傍の光漏れを防ぐ技術が知られている(例えば、非特許文献1を参照)。 しかしながら、BPSを設置する必要があるため製造プロセスが煩雑となることや、BPS自体による表示信頼性の課題があった。 On the other hand, in the ADS mode, a technique is known in which a black post spacer (BPS) is arranged directly above the data wiring to prevent light leakage in the vicinity of the data wiring (see, for example, Non-Patent Document 1). However, since it is necessary to install the BPS, there are problems that the manufacturing process becomes complicated and the display reliability due to the BPS itself.

H.Wang,SID2019 DIGEST、711-712H. Wang, SID 2019 DIGEST, 711-712

ADSモードの液晶表示素子において、データ配線の近傍の光漏れを防ぎつつ、良好な表示信頼性を実現することが困難であった。また、製造プロセスの煩雑さを低減し、高スループットを実現する要請もさらに高まっている。 In the ADS mode liquid crystal display element, it has been difficult to realize good display reliability while preventing light leakage in the vicinity of the data wiring. In addition, there is an increasing demand for reducing the complexity of the manufacturing process and achieving high throughput.

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、データ配線の近傍の光漏れを低減しつつ、表示信頼性を改善したADSモードの液晶表示素子を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems. That is, an object of the present invention is to provide an ADS mode liquid crystal display element having improved display reliability while reducing light leakage in the vicinity of data wiring.

また、本発明の目的は、前記ADSモードの液晶表示素子の製造にあたり、データ配線直上が他所よりも膜厚が厚く、かつ一部のソース/ドレイン電極上に開口パターンを有する透明樹脂膜を形成する液晶表示素子の製造方法を提供することにある。 Further, an object of the present invention is to form a transparent resin film having a thicker film thickness directly above the data wiring and having an opening pattern on some source / drain electrodes in the manufacture of the ADS mode liquid crystal display element. It is an object of the present invention to provide the manufacturing method of the liquid crystal display element.

また、本発明の目的は、前記ADSモードの液晶表示素子の製造にあたり、データ配線の上方に樹脂透明構造物を形成するのに用いられる感放射線性樹脂組成物を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a radiation-sensitive resin composition used for forming a resin transparent structure above a data wiring in manufacturing the ADS mode liquid crystal display element.

本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。 Other objects and advantages of the present invention will become apparent from the description below.

本発明の第1の態様は、対向配置された第1の基板および第2の基板の間に液晶を挟持してなるADSモードの液晶表示素子であって、
前記第1の基板はデータ配線の上方に樹脂透明構造物を有し、
前記第2の基板はカラーフィルタを有することを特徴とするADSモードの液晶表示素子に関する。
A first aspect of the present invention is an ADS mode liquid crystal display element in which a liquid crystal display is sandwiched between a first substrate and a second substrate arranged to face each other.
The first substrate has a transparent resin structure above the data wiring.
The second substrate relates to an ADS mode liquid crystal display element characterized by having a color filter.

本発明の第2の態様は、
(1)前記第1の基板上に感放射線性樹脂組成物の塗膜を形成する塗膜形成工程、
(2)前記塗膜にハーフトーンマスクおよびグレートーンマスクから選ばれる少なくとも一方を用いて放射線を照射する露光工程、
(3)前記放射線が照射された塗膜を現像する現像工程、および
(4)前記現像された塗膜を加熱する加熱工程
を有し、前記第1の基板の上に、データ配線直上が他所よりも膜厚が厚く、かつ一部のソース/ドレイン電極上に開口パターンを有する透明樹脂膜を形成することを特徴とする前記ADSモードの液晶表示素子の製造方法に関する。
また、さらに、(5)前記加熱された塗膜を有する基板をドライエッチングおよびウェットエッチングから選ばれる少なくとも一方を用いてエッチングするエッチング工程
およびさらに(6)前記基板上のハーフトーンおよびグレートーンマスクから選ばれる少なくとも一方を用いて放射線を照射された箇所の膜について、ドライエッチングおよび塩基性薬剤処理から選ばれる少なくとも一方を用いて、当該箇所の膜を除去する工程、
を有することを特徴とする前記ADSモードの液晶表示素子の製造方法に関する。
The second aspect of the present invention is
(1) A coating film forming step of forming a coating film of a radiation-sensitive resin composition on the first substrate,
(2) An exposure step of irradiating the coating film with radiation using at least one selected from a halftone mask and a gray tone mask.
It has a developing step of (3) developing the coating film irradiated with the radiation, and (4) a heating step of heating the developed coating film, and the place directly above the data wiring is on the first substrate. The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display element in the ADS mode, which is thicker than the film and forms a transparent resin film having an opening pattern on some source / drain electrodes.
Further, from (5) an etching step of etching the substrate having the heated coating film using at least one selected from dry etching and wet etching, and further (6) a halftone and gray tone mask on the substrate. A step of removing a film at a site irradiated with at least one of the selected sites using at least one selected from dry etching and basic chemical treatment.
The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display element in the ADS mode, which comprises the above.

本発明の第3の態様は、対向配置された第1の基板および第2の基板の間に液晶を挟持してなるADSモードの液晶表示素子であって、
前記第1の基板はデータ配線の上方に樹脂透明構造物を有し、
前記第2の基板はカラーフィルタを有する液晶表示素子の前記樹脂透明構造物をハーフトーンマスクおよびグレートーンマスクから選ばれる少なくとも一方を用いた放射線の照射によって形成するのに用いられる感放射線性樹脂組成物であって、
[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体、および
[B]感放射線性化合物
を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物に関する。
A third aspect of the present invention is an ADS mode liquid crystal display element in which a liquid crystal display is sandwiched between a first substrate and a second substrate arranged to face each other.
The first substrate has a transparent resin structure above the data wiring.
The second substrate is a radiation-sensitive resin composition used for forming the resin transparent structure of a liquid crystal display element having a color filter by irradiation with radiation using at least one selected from a halftone mask and a gray tone mask. It ’s a thing,
[A] A polymer containing a structural unit having an acidic group or a protected acidic group, and [B] a radiation-sensitive resin composition comprising a radiation-sensitive compound.

本発明の第1の態様によれば、データ配線上の光漏れを低減しつつ、表示信頼性を改善したADSモードの液晶表示素子が提供される。 According to the first aspect of the present invention, there is provided an ADS mode liquid crystal display element having improved display reliability while reducing light leakage on data wiring.

本発明の第2の態様によれば、前記ADSモードの液晶表示素子の製造にあたり、データ配線直上が他所よりも膜厚が厚く、かつ一部のソース/ドレイン電極上に開口パターンを有する透明樹脂膜を形成できる液晶表示素子の製造方法が提供される。 According to the second aspect of the present invention, in manufacturing the liquid crystal display element in the ADS mode, a transparent resin having a thicker film thickness directly above the data wiring and having an opening pattern on some source / drain electrodes. A method for manufacturing a liquid crystal display element capable of forming a film is provided.

本発明の第3の態様によれば、前記ADSモードの液晶表示素子の製造にあたり、データ配線の上方に樹脂透明構造物を形成するのに用いられる感放射線性樹脂組成物を提供される。 According to the third aspect of the present invention, there is provided a radiation-sensitive resin composition used for forming a resin transparent structure above a data wiring in manufacturing the liquid crystal display element in the ADS mode.

一般的なADSモードの液晶表示素子の電極周辺を模式的に説明する断面図である。It is sectional drawing which schematically explains the periphery of the electrode of the liquid crystal display element of a general ADS mode. 従来のADS素子の構成を模式的に説明する断面図である。It is sectional drawing which schematically explains the structure of the conventional ADS element. 上記データ配線の直上にブラックポストスペーサーを配設したADS素子の構成を模式的に説明する断面図である。It is sectional drawing which schematically explains the structure of the ADS element which arranged the black post spacer just above the said data wiring. 本発明の第1実施形態の液晶表示素子の構成の一例を模式的に説明する断面図である。It is sectional drawing which schematically explains an example of the structure of the liquid crystal display element of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態の液晶表示素子の製造プロセスの一例を示す模式的な構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example of the manufacturing process of the liquid crystal display element of 2nd Embodiment of this invention.

以下、本発明の第1実施形態の液晶表示素子について、より詳しい構造の例を、適宜図面を用いながら説明する。その後、本発明の第2実施形態の液晶表示素子の製造方法およびそれに用いられる本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物について説明する。 Hereinafter, a more detailed example of the structure of the liquid crystal display element according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Then, a method for manufacturing the liquid crystal display element of the second embodiment of the present invention and the radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention used thereof will be described.

尚、本発明において、露光に際して照射される「放射線」には、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線および荷電粒子線等が含まれる。
実施形態1.
<液晶表示素子>
本発明の第1実施形態の液晶表示素子は、対向配置された第1の基板および第2の基板の間に液晶を挟持してなるADSモードの液晶表示素子であって、前記第1の基板はデータ配線の上方に樹脂透明構造物を有し、前記第2の基板はカラーフィルタを有する
ものである。
In the present invention, the "radiation" irradiated at the time of exposure includes visible light, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, charged particle beams and the like.
Embodiment 1.
<Liquid crystal display element>
The liquid crystal display element of the first embodiment of the present invention is an ADS mode liquid crystal display element in which a liquid crystal display is sandwiched between a first substrate and a second substrate arranged to face each other, and is the first substrate. Has a resin transparent structure above the data wiring, and the second substrate has a color filter.

図1は一般的なADSモードの液晶表示素子の電極周辺を模式的に説明する断面図である。第1の基板1において、ガラス基板7上に共通電極8を有し、共通電極の一部の上層にゲート電極5を配置する。本基板をゲート絶縁膜9で被覆した後に、TFTを形成し、さらにデータ配線3ならびにソース/ドレイン電極4を形成する。本基板をパッシベーション膜10で被覆した後、一部のソース/ドレイン電極直上のパッシベーション層を開口させ、画素電極6と電気的に接続している。 FIG. 1 is a cross-sectional view schematically illustrating the periphery of an electrode of a general ADS mode liquid crystal display element. In the first substrate 1, the common electrode 8 is provided on the glass substrate 7, and the gate electrode 5 is arranged on the upper layer of a part of the common electrode. After covering the present substrate with the gate insulating film 9, a TFT is formed, and further, a data wiring 3 and a source / drain electrode 4 are formed. After the substrate is covered with the passivation film 10, a passivation layer directly above a part of the source / drain electrodes is opened and electrically connected to the pixel electrode 6.

図2は従来のADS素子を、図3は上記データ配線の直上にブラックポストスペーサーを配設したADS素子の構成を模式的に説明する断面図である(ここで共通電極、画素電極、TFT、配向膜などは省略して記載している)。ADS素子を駆動させた場合、データ配線3から共通電極へと電場14が発生し、データ配線近傍の液晶13が駆動することにより、データ配線近傍に光漏れが生じる。この光漏れ不良を防ぐためにブラックマトリックス(BM)12でその部分を覆う。これが開口率低下の要因の1つとなっている。
これに対して、データ配線の直上にブラックポストスペーサー(BPS)15を配設することにより、データ配線近傍の光漏れを防ぐ技術が知られている。しかしながらBPSを設置する必要があるため製造プロセスが煩雑となることや、BPS自体による表示信頼性の課題があった。
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating the configuration of a conventional ADS element, and FIG. 3 is a cross-sectional view schematically illustrating the configuration of an ADS element in which a black post spacer is arranged directly above the data wiring (here, a common electrode, a pixel electrode, a TFT, Alignment film etc. are omitted). When the ADS element is driven, an electric field 14 is generated from the data wiring 3 to the common electrode, and the liquid crystal 13 in the vicinity of the data wiring is driven, so that light leakage occurs in the vicinity of the data wiring. In order to prevent this light leakage defect, the portion is covered with a black matrix (BM) 12. This is one of the factors that reduce the aperture ratio.
On the other hand, there is known a technique for preventing light leakage in the vicinity of the data wiring by disposing the black post spacer (BPS) 15 directly above the data wiring. However, since it is necessary to install the BPS, there are problems that the manufacturing process becomes complicated and the display reliability due to the BPS itself.

図4は本発明の第1実施形態の液晶表示素子の構成の一例を模式的に説明する断面図である。第1実施形態の構成においては、一般的なADS素子におけるデータ配線3の直上に樹脂透明構造物16を配設したものである。この樹脂透明構造物の幅としては、直下に配置されるデータ配線の幅よりも広いものが配置される。樹脂透明構造物の幅として好ましくは、データ配線の幅よりも3μm以上9μm以下の幅のものである。より好ましくは、5μm以上8μm以下の幅のものである。この樹脂透明構造物の高さとしては、第1の基板と第2の基板との間で挟持される液晶厚みに対して、1/4以上の高さが好ましい。より好ましくは1/3以上かつ3/4以下の高さの構造物である。
実施形態2.
<液晶表示素子の製造方法>
次に、本発明の第2実施形態の液晶表示素子の製造方法について説明する。
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically illustrating an example of the configuration of the liquid crystal display element according to the first embodiment of the present invention. In the configuration of the first embodiment, the resin transparent structure 16 is arranged directly above the data wiring 3 in a general ADS element. The width of this transparent resin structure is wider than the width of the data wiring arranged directly underneath. The width of the transparent resin structure is preferably 3 μm or more and 9 μm or less than the width of the data wiring. More preferably, it has a width of 5 μm or more and 8 μm or less. The height of the transparent resin structure is preferably 1/4 or more of the thickness of the liquid crystal display sandwiched between the first substrate and the second substrate. More preferably, it is a structure having a height of 1/3 or more and 3/4 or less.
Embodiment 2.
<Manufacturing method of liquid crystal display element>
Next, a method for manufacturing the liquid crystal display element according to the second embodiment of the present invention will be described.

本発明の第2実施形態の液晶表示素子の製造方法では、上述した本発明の第1実施形態の液晶表示素子を製造することができる。すなわち、本発明の第2実施形態の液晶表示素子の製造方法は、図4に示した、対向配置された第1の基板1および第2の基板2のうちの、第1の基板1のデータ配線3の直上に樹脂透明構造物16を有して、第1の基板1および第2の基板2の間に液晶を挟持してなる液晶表示素子の製造方法となる。 In the method for manufacturing a liquid crystal display element according to the second embodiment of the present invention, the liquid crystal display element according to the first embodiment of the present invention described above can be manufactured. That is, the method for manufacturing the liquid crystal display element according to the second embodiment of the present invention is the data of the first substrate 1 of the first substrate 1 and the second substrate 2 arranged to face each other shown in FIG. This is a method for manufacturing a liquid crystal display element having a resin transparent structure 16 directly above the wiring 3 and sandwiching a liquid crystal crystal between the first substrate 1 and the second substrate 2.

第2の基板としては、ガラス基板上に公知の方法を用いて、ブラックマトリクス12とカラーフィルタ11が形成され、カラーフィルタ11を覆ってオーバーコート膜などが形成された対向基板を使用することができる。さらに、公知の方法にしたがい、第1基板および第2基板から選ばれる少なくとも1つの基板上に、柱状形状のスペーサーを形成することができる。 As the second substrate, a facing substrate in which a black matrix 12 and a color filter 11 are formed on a glass substrate and an overcoat film or the like is formed so as to cover the color filter 11 can be used. can. Further, according to a known method, a columnar spacer can be formed on at least one substrate selected from the first substrate and the second substrate.

本発明の第2実施形態の液晶表示素子の製造方法については、適宜図5を参照しながら、第1の基板上のデータ配線直上に樹脂透明構造物を形成する方法について、すなわち、データ配線直上に樹脂透明構造物を有するADSモードの液晶表示素子用の基板の製造方法について、詳しく説明する。
(樹脂透明構造物を有する基板の製造方法)
本発明の第2実施形態の液晶表示素子の製造方法に含まれる、樹脂透明構造物を形成する方法は、下記の工程[1]~工程[4]をこの順で含むことが好ましい。
Regarding the method of manufacturing the liquid crystal display element of the second embodiment of the present invention, the method of forming the resin transparent structure directly above the data wiring on the first substrate, that is, directly above the data wiring, with reference to FIG. 5 as appropriate. A method for manufacturing a substrate for an ADS mode liquid crystal display element having a transparent resin structure will be described in detail.
(Manufacturing method of a substrate having a transparent resin structure)
The method for forming a resin transparent structure included in the method for manufacturing a liquid crystal display element according to the second embodiment of the present invention preferably includes the following steps [1] to [4] in this order.

[1] 後述する本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物の塗膜を、以下に示す被塗布基板上に形成する塗膜形成工程(以下、「工程[1]」と言うことがある。)。ここで、前記被塗布基板は、ガラス基板等の絶縁基板7の上に、公知の方法を用いて、共通電極8、ゲート配線5、ゲート絶縁膜9、アクティブ素子であるTFT、データ配線3ならびにソース/ドレイン電極4、パッシベーション膜10を積層させたものである。 [1] The coating film forming step (hereinafter referred to as "step [1]") for forming the coating film of the radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention, which will be described later, on the substrate to be coated shown below. There is.). Here, the substrate to be coated is a common electrode 8, a gate wiring 5, a gate insulating film 9, an active element TFT, a data wiring 3, and a common electrode 8 on an insulating substrate 7 such as a glass substrate by a known method. The source / drain electrode 4 and the passivation film 10 are laminated.

[2] 工程[1]で形成された感放射線性樹脂組成物の塗膜にハーフトーンマスクおよびグレートーンマスクから選ばれる少なくとも一方を用いて放射線を照射する露光工程(以下、「工程[2]」と言うことがある。)。 [2] An exposure step of irradiating the coating film of the radiation-sensitive resin composition formed in the step [1] with radiation using at least one selected from a halftone mask and a gray tone mask (hereinafter, "step [2]]. ".).

[3] 工程[2]で放射線が照射された塗膜を現像する現像工程(以下、「工程[3]」と言うことがある。)。 [3] A developing step of developing a coating film irradiated with radiation in the step [2] (hereinafter, may be referred to as "step [3]").

[4] 工程[3]で現像された塗膜を加熱する加熱工程(以下、「工程[4]」と言うことがある。)。 [4] A heating step of heating the coating film developed in the step [3] (hereinafter, may be referred to as "step [4]").

工程[1]~工程[4]によれば、第1の基板上に、樹脂からなる所定形状のパターンの形成が可能となり、第1の基板上に所望とする組成の樹脂からなるデータ配線直上に他所よりも膜厚が厚く、同時に、少なくとも1つのソース/ドレイン電極上に開口パターンを有する、樹脂透明膜を一括して形成することができる。 According to the steps [1] to [4], a pattern having a predetermined shape made of resin can be formed on the first substrate, and directly above the data wiring made of resin having a desired composition on the first substrate. In addition, it is possible to collectively form a resin transparent film having a thicker film thickness than other places and at the same time having an opening pattern on at least one source / drain electrode.

以下、上述の工程[1]~工程[4]についてより詳細に説明する。 Hereinafter, the above-mentioned steps [1] to [4] will be described in more detail.

[工程[1]]
本工程では、後述する本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物の塗膜を第1の基板を製造するために用いる被塗布基板上に形成する。尚、使用する本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物については、この後に詳しく説明する。
[Step [1]]
In this step, the coating film of the radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention, which will be described later, is formed on the substrate to be coated used for producing the first substrate. The radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention to be used will be described in detail later.

この基板において、一方の面に本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物を塗布した後、減圧乾燥とプレベークを行って有機溶媒等の溶媒を蒸発させ、塗膜を形成する。 After applying the radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention to one surface of this substrate, it is dried under reduced pressure and prebaked to evaporate a solvent such as an organic solvent to form a coating film.

第1の基板の基材の材料としては、例えば、ソーダライムガラスおよび無アルカリガラス等のガラス基板、シリコン基板、あるいは、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、芳香族ポリアミド、ポリアミドイミドおよびポリイミド等の樹脂基板等が挙げられ、また、これらの基板には、所望により、シランカップリング剤等による薬品処理、プラズマ処理、イオンプレーティング、スパッタリング、気相反応法、真空蒸着等の前処理を施しておくこともできる。 Examples of the material of the base material of the first substrate include glass substrates such as soda lime glass and non-alkali glass, silicon substrates, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyether sulfone, polycarbonate, aromatic polyamide, and polyamideimide. And resin substrates such as polyimide, and if desired, these substrates are subject to chemical treatment with a silane coupling agent or the like, plasma treatment, ion plating, sputtering, gas phase reaction method, vacuum deposition, etc. It can also be processed.

感放射線性樹脂組成物の塗布方法としては、例えば、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法(スピンコート法またはスピンナ法と称されることもある。)、スリット塗布法(スリットダイ塗布法)、バー塗布法、インクジェット塗布法等の適宜の方法が採用できる。これらのうち、均一な厚みの膜を形成できる点から、スピンコート法またはスリット塗布法が好ましい。 Examples of the method for applying the radiation-sensitive resin composition include a spray method, a roll coating method, a rotary coating method (sometimes referred to as a spin coating method or a spinner method), and a slit coating method (slit die coating method). , A suitable method such as a bar coating method or an inkjet coating method can be adopted. Of these, the spin coating method or the slit coating method is preferable because a film having a uniform thickness can be formed.

上述の減圧乾燥の条件は、感放射線性樹脂組成物を構成する各成分の種類、配合割合等によって異なるが、5~200Paの減圧下で行うのが好ましく、乾燥時間は減圧装置によって異なるが、おおよそ30秒~3分程度とすることができる。
上述のプレベークの条件は、感放射線性樹脂組成物を構成する各成分の種類、配合割合等によって異なるが、70℃~120℃の温度で行うのが好ましく、時間は、ホットプレートやオーブン等の加熱装置によって異なるが、おおよそ1分間~10分間程度とすることができる。
The above-mentioned conditions for vacuum drying differ depending on the type, blending ratio, etc. of each component constituting the radiation-sensitive resin composition, but it is preferably performed under a reduced pressure of 5 to 200 Pa, and the drying time varies depending on the depressurizing device. It can be about 30 seconds to 3 minutes.
The above-mentioned prebaking conditions vary depending on the type of each component constituting the radiation-sensitive resin composition, the mixing ratio, etc., but are preferably performed at a temperature of 70 ° C to 120 ° C, and the time is set to a hot plate, an oven, or the like. It depends on the heating device, but it can be about 1 to 10 minutes.

[工程[2]]
次いで、本工程では、工程[1]で形成された第1の基板を製造するために用いる被塗布基板上の塗膜に対し、半透過膜からなるハーフトーンマスク、および、スリットによる半透過領域を含むグレートーンマスクよりなる群から選ばれる少なくとも一方を用いる。このようにすれば、膜厚が異なる部分を含む樹脂透明膜を好適に作成することが可能となり、厚膜パターンが配置され、開口パターンが形成された樹脂透明膜を好適に形成することができる。
[Step [2]]
Next, in this step, a halftone mask made of a semi-transmissive film and a semi-transmissive region by a slit are applied to the coating film on the substrate to be coated used for manufacturing the first substrate formed in the step [1]. Use at least one selected from the group consisting of gray tone masks comprising. By doing so, it becomes possible to suitably produce a resin transparent film containing portions having different film thicknesses, and it is possible to suitably form a resin transparent film in which a thick film pattern is arranged and an opening pattern is formed. ..

本工程で使用するハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクは、図5に示した、厚膜パターンと開口パターンとを備えた樹脂透明膜の形状に対応するマスクパターンを備えたものとなる。 The halftone mask or gray tone mask used in this step is provided with a mask pattern corresponding to the shape of the resin transparent film having the thick film pattern and the opening pattern shown in FIG.

そして、使用する感放射線性樹脂組成物がポジ型の感放射線性を有する場合、図5に示した、樹脂透明膜の厚膜パターンが形成された領域は、放射線の照射がなされない未露光領域となる。そして、第1の基板を製造するために用いる被塗布基板上に厚膜パターンと比較して、膜厚の薄い領域は、放射線の照射量が制御されたハーフ露光領域となる。また、樹脂透明膜の開口パターンの形成領域は、放射線の照射量を制御することなく放射線の照射が行われるフル露光領域となる。 When the radiation-sensitive resin composition to be used has a positive radiation-sensitive property, the region in which the thick film pattern of the resin transparent film shown in FIG. 5 is formed is an unexposed region that is not irradiated with radiation. It becomes. Then, as compared with the thick film pattern on the substrate to be coated used for manufacturing the first substrate, the region having a thin film thickness becomes a half-exposed region in which the irradiation amount of radiation is controlled. Further, the region where the opening pattern of the resin transparent film is formed is a full exposure region where radiation is irradiated without controlling the irradiation amount of radiation.

一方、使用する感放射線性樹脂組成物がネガ型の感放射線性を有する場合、図5に示した、樹脂透明膜の厚膜パターンが形成された領域は、放射線の照射量を制御することなく放射線の照射が行われるフル露光領域となる。そして、第1の基板を製造するために用いる被塗布基板上に厚膜パターンと比較して、膜厚の薄い領域は、放射線の照射量が制御されたハーフ露光領域となる。また、樹脂透明膜の開口パターンの形成領域は、放射線の照射がなされない未露光領域となる。 On the other hand, when the radiation-sensitive resin composition to be used has a negative radiation-sensitive property, the region where the thick film pattern of the resin transparent film shown in FIG. 5 is formed does not control the irradiation amount of radiation. It is a full exposure area where radiation is applied. Then, as compared with the thick film pattern on the substrate to be coated used for manufacturing the first substrate, the region having a thin film thickness becomes a half-exposed region in which the irradiation amount of radiation is controlled. Further, the region where the opening pattern of the resin transparent film is formed is an unexposed region that is not irradiated with radiation.

放射線の照射に使用される放射線としては、上述したように、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等を使用できる。これらの放射線の中でも、波長が190nm~450nmの範囲にある放射線が好ましく、特に313nmや365nmの紫外線を含む放射線が好ましい。 As the radiation used for irradiating the radiation, for example, visible light, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electron beams, X-rays and the like can be used as described above. Among these radiations, radiation having a wavelength in the range of 190 nm to 450 nm is preferable, and radiation containing ultraviolet rays having a wavelength of 313 nm or 365 nm is particularly preferable.

工程[2]における放射線の照射量は、放射線の波長365nmにおける強度を、照度計(OAI model356、OAI Optical Associates Inc.製)により測定した値として、上述のフル露光領域において、好ましくは100J/m~10000J/m、より好ましくは300J/m~4000J/mである。 The irradiation amount of the radiation in the step [2] is preferably 100 J / m in the above-mentioned full exposure region as a value obtained by measuring the intensity of the radiation at a wavelength of 365 nm with an illuminance meter (OAI model 356, manufactured by OAI Optical Associates Inc.). It is 2 to 10000 J / m 2 , more preferably 300 J / m 2 to 4000 J / m 2 .

そして、上述のハーフ露光領域では、これらフル露光領域での照射量と比べて、より制限された小さな値となる照射量が選択されて、放射線の照射が行われる。 Then, in the above-mentioned half-exposure region, an irradiation amount having a smaller value, which is more limited than the irradiation amount in these full-exposure regions, is selected and irradiation is performed.

[工程[3]]
次いで、本工程では、工程[2]で得られた放射線照射後の塗膜を現像することにより、不要な部分を除去して、硬化膜として、厚膜パターンと開口パターンとを備えた所定の樹脂透明膜のパターンを一括して形成する。使用する感放射線性樹脂組成物の塗膜がネガ型の場合は、放射線の非照射部分が不要部分となる。また、使用する感放射線性樹脂組成物の塗膜がポジ型の場合は、放射線の照射部分が不要部分となる。
[Step [3]]
Next, in this step, an unnecessary portion is removed by developing the coating film after irradiation obtained in step [2], and a predetermined cured film having a thick film pattern and an opening pattern is provided. The pattern of the resin transparent film is collectively formed. When the coating film of the radiation-sensitive resin composition to be used is a negative type, the non-irradiated portion of radiation becomes an unnecessary portion. Further, when the coating film of the radiation-sensitive resin composition to be used is a positive type, the radiation-irradiated portion becomes an unnecessary portion.

工程[3]の現像工程に使用される現像液としては、アルカリ(塩基性化合物)の水溶液からなるアルカリ現像液の使用が好ましい。アルカリの例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩等を挙げることができる。 As the developing solution used in the developing step of the step [3], it is preferable to use an alkaline developing solution composed of an aqueous solution of an alkali (basic compound). Examples of alkalis include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate and ammonia; and quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide. be able to.

また、このようなアルカリ現像液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ現像液におけるアルカリの濃度は、適当な現像性を得る観点から、好ましくは0.1質量%~5質量%とすることができる。現像方法としては、例えば、液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等の適宜の方法を利用することができる。現像時間は、感放射線性樹脂組成物の組成によって異なるが、好ましくは10秒間~180秒間程度である。このような現像処理に続いて、例えば、流水洗浄を30秒間~90秒間行った後、例えば、圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望の形状の樹脂透明膜のパターンを形成することができる。 Further, a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant can be added to such an alkaline developer in an appropriate amount before use. The concentration of alkali in the alkaline developer is preferably 0.1% by mass to 5% by mass from the viewpoint of obtaining appropriate developability. As a developing method, for example, an appropriate method such as a liquid filling method, a dipping method, a rocking dipping method, and a shower method can be used. The developing time varies depending on the composition of the radiation-sensitive resin composition, but is preferably about 10 seconds to 180 seconds. Following such a development process, for example, washing with running water for 30 to 90 seconds and then air-drying with compressed air or compressed nitrogen can form a pattern of a resin transparent film having a desired shape. can.

[工程[4]]
次いで、本工程では、工程[3]で得られた第1の基板上のパターン状の塗膜を、ホットプレートやオーブン等の適当な加熱装置により加熱して、硬化膜として、厚膜パターンと開口パターンとを備えた所定形状の樹脂透明膜を形成する。加熱温度としては、100℃~350℃が好ましい。150℃以上の加熱温度とすることで塗膜の十分な硬化が可能となる。また、350℃以下とすることで、第1の基板2が樹脂基板を用いて構成されていたとしても、その熱劣化を防止することができる。以上のような点から、加熱温度としては、150℃~300℃がより好ましい。硬化時間としては、例えば、ホットプレート上では5分間~30分間、オーブン中では20分間~120分間が好ましい。
[Step [4]]
Next, in this step, the patterned coating film on the first substrate obtained in step [3] is heated by an appropriate heating device such as a hot plate or an oven to obtain a thick film pattern as a cured film. A resin transparent film having a predetermined shape and having an opening pattern is formed. The heating temperature is preferably 100 ° C to 350 ° C. By setting the heating temperature to 150 ° C. or higher, the coating film can be sufficiently cured. Further, by setting the temperature to 350 ° C. or lower, even if the first substrate 2 is configured by using a resin substrate, its thermal deterioration can be prevented. From the above points, the heating temperature is more preferably 150 ° C to 300 ° C. The curing time is preferably, for example, 5 to 30 minutes on a hot plate and 20 to 120 minutes in an oven.

上記により、図51)に示す構造体を得ることができる。
本発明の第2実施形態の液晶表示素子の製造方法に含まれる、樹脂透明構造物を形成する方法は、上記の工程[1]~工程[4]に次いで、下記工程「5」、さらに必要に応じて工程「6」をこの順で行うことが好ましい。
From the above, the structure shown in FIG. 51) can be obtained.
The method for forming a resin transparent structure included in the method for manufacturing a liquid crystal display element according to the second embodiment of the present invention is required to follow the above steps [1] to [4], followed by the following step "5". It is preferable to perform the step "6" in this order according to the above.

以下、上述の工程[5]、工程[6]についてより詳細に説明する。
[工程[5]]
本工程では、工程[4]で得られた樹脂透明膜を有する基板をエッチングすることにより、パッシベーション層10のうち、樹脂透明膜の開口パターンに対応する領域を除去して、一部のソース/ドレイン電極を露出させる。
Hereinafter, the above-mentioned steps [5] and [6] will be described in more detail.
[Step [5]]
In this step, by etching the substrate having the resin transparent film obtained in the step [4], the region corresponding to the opening pattern of the resin transparent film is removed from the passivation layer 10, and a part of the source / Expose the drain electrode.

エッチング方法としては、ドライエッチングあるいはウェットエッチングを用いることができる。ドライエッチングで使用されるエッチングガスとしては、O、N、CF,NF、SFなどを挙げることができる。エッチングの方法としては、イオンエッチングやプラズマエッチングなどを用いることができる。 As the etching method, dry etching or wet etching can be used. Examples of the etching gas used in dry etching include O 2 , N 2 , CF 4 , NF 3 , and SF 6 . As the etching method, ion etching, plasma etching, or the like can be used.

ウェットエッチングで使用される薬剤としては、バッファードフッ酸であるフッ酸とフッ化アンモニウムの混合水溶液などを挙げることができる。 Examples of the chemical used in wet etching include a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid, which is buffered hydrofluoric acid, and ammonium fluoride.

上記により、図52)に示す構造体を得ることができる。
[工程[6]]
本工程では、工程[5]で得られた一部のソース/ドレイン電極が露出した基板に対して、
ハーフトーンおよびグレートーンマスクから選ばれる少なくとも一方を用いて放射線を照射された箇所の膜について、ドライエッチングおよび塩基性薬剤から選ばれる少なくとも一方を用いて、除去する工程である。
ドライエッチングで使用されるエッチングガスとしては、工程[5]と同様にO、N、CF,NF、SFなどを挙げることができる。樹脂透明膜を優先的に除去する目的から、本工程で用いられるエッチングガスとして、Oガス濃度が60%以上であることが好ましく、より好ましくはOガス濃度が80%以上である。
樹脂透明膜の所定箇所を塩基性薬剤を用いて除去する場合、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩、2-アミノエタノール等を挙げることができる。これら塩基性薬剤は水やN-メチルピロリドンなどの有機溶剤で任意の濃度に希釈されていても良い。
From the above, the structure shown in FIG. 52) can be obtained.
[Step [6]]
In this step, with respect to the substrate to which some source / drain electrodes obtained in step [5] are exposed.
This is a step of removing a film at a site irradiated with radiation using at least one selected from a halftone and a gray tone mask by using at least one selected from dry etching and a basic agent.
Examples of the etching gas used in dry etching include O 2 , N 2 , CF 4 , NF 3 , and SF 6 as in step [5]. For the purpose of preferentially removing the resin transparent film, the etching gas used in this step preferably has an O 2 gas concentration of 60% or more, and more preferably an O 2 gas concentration of 80% or more.
When removing a predetermined part of the resin transparent film with a basic chemical, an inorganic alkali such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia, etc .; tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium Examples thereof include quaternary ammonium salts such as hydroxide and 2-aminoethanol. These basic agents may be diluted to any concentration with an organic solvent such as water or N-methylpyrrolidone.

上記により、図53)に示す構造体を得ることができる。
(液晶表示素子の製造方法)
以上に従い、本発明の第2実施形態の液晶表示素子の製造方法では、データ配線上に透明樹脂構造物を有する第1の基板が準備され、液晶表示素子が製造される。
From the above, the structure shown in FIG. 53) can be obtained.
(Manufacturing method of liquid crystal display element)
According to the above, in the method for manufacturing a liquid crystal display element according to the second embodiment of the present invention, a first substrate having a transparent resin structure is prepared on the data wiring, and the liquid crystal display element is manufactured.

まず、上述の第1の基板および第2の基板それぞれの上に、液晶を配向するための配向膜を、公知の液晶配向剤を用いて公知の方法にしたがって形成する。 First, an alignment film for orienting a liquid crystal is formed on each of the above-mentioned first substrate and second substrate according to a known method using a known liquid crystal alignment agent.

次に、第1の基板および第2の基板のうちの一方の基板上の所定の場所に、例えば、紫外線硬化性のシール材を塗布し、公知の液晶滴下法にしたがって、さらに配向膜面上の所定の数箇所に液晶を滴下した後、液晶配向膜が対向するように他方の基板を貼り合わせる。そして、基板間の液晶を基板全面に押し広げ、次いで基板の全面に紫外光を照射してシール剤を硬化することにより、液晶表示パネルを製造する。 Next, for example, an ultraviolet curable sealing material is applied to a predetermined place on one of the first substrate and the second substrate, and further on the alignment film surface according to a known liquid crystal dropping method. After dropping the liquid crystal on several predetermined places, the other substrate is attached so that the liquid crystal alignment film faces each other. Then, the liquid crystal display panel is manufactured by spreading the liquid crystal between the substrates on the entire surface of the substrate and then irradiating the entire surface of the substrate with ultraviolet light to cure the sealant.

このようにして製造された液晶パネルに対し、さらに、用いた液晶が等方相をとる温度まで加熱した後、室温まで徐冷することにより、液晶充填時の流動配向を除去することが望ましい。 It is desirable that the liquid crystal panel manufactured in this manner is further heated to a temperature at which the liquid crystal used is isotropic, and then slowly cooled to room temperature to remove the flow orientation at the time of filling the liquid crystal.

以上より、配向膜を形成した第1の基板および第2の基板の間に、液晶が配置され挟持されて、液晶表示パネルが製造される。このとき、液晶表示パネルを製造する方法としては、よく知られた別の方法として、配向膜が対向するように間隙(セルギャップ)を介して第1の基板および第2の基板を対向配置し、基板同士の周辺部をシール剤を用いて貼り合わせ、基板表面およびシール剤により区画された空間内に液晶を注入充填した後、注入孔を封止する方法を用いることも可能である。 From the above, the liquid crystal display panel is manufactured by arranging and sandwiching the liquid crystal between the first substrate and the second substrate on which the alignment film is formed. At this time, as another well-known method for manufacturing a liquid crystal display panel, the first substrate and the second substrate are arranged facing each other through a gap (cell gap) so that the alignment films face each other. It is also possible to use a method in which the peripheral portions of the substrates are bonded to each other using a sealing agent, the liquid crystal is injected and filled in the surface of the substrate and the space partitioned by the sealing agent, and then the injection holes are sealed.

そして、得られた液晶パネルの外側表面に偏光板を貼り合わせることにより、本発明の第1実施形態の液晶表示素子を得ることができる。 Then, by adhering the polarizing plate to the outer surface of the obtained liquid crystal panel, the liquid crystal display element of the first embodiment of the present invention can be obtained.

本発明の第1実施形態の液晶表示素子は、駆動回路、制御回路34およびバックライト等を公知の方法によって設けることにより、本発明の第1実施形態の一例である液晶表示素子を構成することができる。 The liquid crystal display element of the first embodiment of the present invention constitutes the liquid crystal display element which is an example of the first embodiment of the present invention by providing a drive circuit, a control circuit 34, a backlight and the like by a known method. Can be done.

次に、本発明の第2実施形態の液晶表示素子の製造方法に好適に用いられ、本発明の第1実施形態の液晶表示素子の樹脂透明構造物を形成することができる、本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物について説明する。
実施形態3.
<感放射線性樹脂組成物>
本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物は、本発明の第1実施形態の液晶表示素子におけるデータ配線上方の樹脂透明構造物を形成するのに好適に用いることができる。本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物を用い、上述した本発明の第2実施形態の液晶表示素子の製造方法により、データ配線直上が他所よりも膜厚が厚く、かつ一部のソース/ドレイン電極上に開口パターンを有する透明樹脂膜を形成し、さらにエッチング工程などを経ることによりデータ配線上方に所望の樹脂透明構造物を形成することができる。
Next, the first aspect of the present invention, which is suitably used in the method for manufacturing a liquid crystal display element according to the second embodiment of the present invention, can form a resin transparent structure of the liquid crystal display element according to the first embodiment of the present invention. 3 The radiation-sensitive resin composition of the embodiment will be described.
Embodiment 3.
<Radiation-sensitive resin composition>
The radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention can be suitably used for forming a resin transparent structure above the data wiring in the liquid crystal display element of the first embodiment of the present invention. By using the radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention and using the method for manufacturing the liquid crystal display element of the second embodiment of the present invention described above, the film directly above the data wiring is thicker than other parts and is partially formed. A transparent resin film having an opening pattern can be formed on the source / drain electrodes of the above, and a desired resin transparent structure can be formed above the data wiring by further undergoing an etching step or the like.

このとき、本実施形態の感放射線性樹脂組成物は、ポジ型およびネガ型のいずれの感放射線性も選択して備えることが可能である。 At this time, the radiation-sensitive resin composition of the present embodiment can be optionally provided with either positive type or negative type radiation-sensitive resin composition.

本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物は、[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体、および、[B]感放射線性化合物を含有してなる。本実施形態の感放射線性樹脂組成物は感放射線性を有する。そして、本実施形態の感放射線性樹脂組成物は、[C]重合性不飽和化合物を含有することができる。また、本実施形態の感放射線性樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない限り、その他の任意成分を含有してもよい。 The radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention comprises [A] a polymer containing a structural unit having an acidic group or a protected acidic group, and [B] a radiation-sensitive compound. .. The radiation-sensitive resin composition of the present embodiment has radiation-sensitive properties. The radiation-sensitive resin composition of the present embodiment can contain the [C] polymerizable unsaturated compound. In addition, the radiation-sensitive resin composition of the present embodiment may contain other optional components as long as the effects of the present invention are not impaired.

以下、本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物に含有される各成分について説明する。 Hereinafter, each component contained in the radiation-sensitive resin composition according to the third embodiment of the present invention will be described.

([A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体)
本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物に含有される[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体(以下、単に[A]重合体ということがある。)は、
(A1)酸性基または保護された酸性基を有する構造単位(以下「構造単位(A1)」という。)、
(A2)架橋性基を有する構造単位(以下「構造単位(A2)」という。)を有する。
および
[A]重合体は、(A3)下記式(4-1)または下記式(4-2)で表される構造単位(以下「構造単位(A3)」という。)、
(A4)上記(A1)~(A3)以外の構造単位(以下「構造単位(A4)」という。)を有していてもよい。
([A] Polymer containing a structural unit having an acidic group or a protected acidic group)
A polymer containing a structural unit having an acidic group [A] or a protected acidic group contained in the radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention (hereinafter, may be simply referred to as [A] polymer. .)teeth,
(A1) A structural unit having an acidic group or a protected acidic group (hereinafter referred to as "structural unit (A1)"),
(A2) It has a structural unit having a crosslinkable group (hereinafter referred to as “structural unit (A2)”).
And [A] polymer is (A3) a structural unit represented by the following formula (4-1) or the following formula (4-2) (hereinafter referred to as “structural unit (A3)”).
(A4) It may have a structural unit (hereinafter referred to as "structural unit (A4)") other than the above (A1) to (A3).

Figure 2022068916000002
Figure 2022068916000002

(式(4-1)及び式(4-2)中、Rは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、シアノ基又はトリフルオロメチル基である。R及びRは、それぞれ独立して、2価の芳香環基又は鎖状炭化水素基である。Rは、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基である。R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数1~10のアルキル基、又はフェニル基である。)
上記式(4-1)及び式(4-2)において、R、Rの2価の芳香環基は、置換若しくは無置換のフェニレン基、又は置換若しくは無置換のナフタニレン基であることが好ましい。2価の鎖状炭化水素基は、炭素数1~6のアルカンジイル基であることが好ましく、炭素数1~4のアルカンジイル基であることがより好ましい。
(In the formula (4-1) and the formula (4-2), RA is a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group, a cyano group or a trifluoromethyl group. R 7 and R 8 are independent of each other. It is a divalent aromatic ring group or a chain hydrocarbon group. R 1 is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxy group, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. R 2 and R 3 are, respectively. Independently, it is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a phenyl group.)
In the above formulas (4-1) and (4-2), the divalent aromatic ring group of R7 and R8 may be a substituted or unsubstituted phenylene group or a substituted or unsubstituted naphthalenylene group. preferable. The divalent chain hydrocarbon group is preferably an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, and more preferably an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms.

耐熱性、耐薬品性及び硬度がより高い硬化膜を得ることができる点、並びにアルカリ現像液に対する露光部の溶解性を高くできる点で、R、Rは、上記の中でも2価の芳香環基であることが好ましく、置換又は無置換のフェニレン基であることが特に好ましい。 Among the above, R7 and R8 are divalent aromatics in that a cured film having higher heat resistance, chemical resistance and hardness can be obtained, and the solubility of the exposed portion in an alkaline developer can be increased. It is preferably a ring group, and particularly preferably a substituted or unsubstituted phenylene group.

上記式(4-1)で表される構造単位の具体例としては、下記式(4-1-1)及び式(4-1-2)のそれぞれで表される構造単位等が挙げられる。また、上記式(4-2)で表される構造単位の具体例としては、下記式(4-2-1)及び式(4-2-2)のそれぞれで表される構造単位等が挙げられる。 Specific examples of the structural unit represented by the above formula (4-1) include structural units represented by the following formulas (4-1-1) and (4-1-2). Specific examples of the structural unit represented by the above formula (4-2) include structural units represented by the following formulas (4-2-1) and (4-2-2). Be done.

Figure 2022068916000003
Figure 2022068916000003

(式(4-1-1)、式(4-1-2)、式(4-2-1)及び式(4-2-2)中、R11及びR12は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基であり、R13は、炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基又は水酸基である。n3は1~4の整数である。A及びAは、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、又は炭素数1~6のアルコキシ基である。n1は0~4の整数である。n2は0~6の整数である。ただし、n1が2以上の場合、複数のAは、互いに同一の基又は異なる基である。n2が2以上の場合、複数のAは、互いに同一の基又は異なる基である。Rは、上記式(4-1)及び式(4-2)と同義である。)
構造単位(A1)の酸性基または保護された酸性基としては、カルボキシル基、カルボキシル基のアセタールエステル構造、カルボキシル基のケタールエステル構造、フェノール性水酸基、マレイミドに由来する構造単位、リン酸基、スルホン酸基、を挙げることができる。
アセタール構造を有することとなる官能基としては、例えば、1-メトキシエトキシ基、1-エトキシエトキシ基、1-n-プロポキシエトキシ基、1-i-プロポキシエトキシ基、1-n-ブトキシエトキシ基、1-i-ブトキシエトキシ基、1-sec-ブトキシエトキシ基、1-t-ブトキシエトキシ基、1-シクロペンチルオキシエトキシ基、1-シクロヘキシルオキシエトキシ基、1-ノルボルニルオキシエトキシ基、1-ボルニルオキシエトキシ基、1-フェニルオキシエトキシ基、1-(1-ナフチルオキシ)エトキシ基、1-ベンジルオキシエトキシ基、1-フェネチルオキシエトキシ基、(シクロヘキシル)(メトキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(エトキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(n-プロポキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(i-プロポキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(シクロヘキシルオキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(フェノキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(ベンジルオキシ)メトキシ基、(フェニル)(メトキシ)メトキシ基、(フェニル)(エトキシ)メトキシ基、(フェニル)(n-プロポキシ)メトキシ基、(フェニル)(i-プロポキシ)メトキシ基、(フェニル)(シクロヘキシルオキシ)メトキシ基、(フェニル)(フェノキシ)メトキシ基、(フェニル)(ベンジルオキシ)メトキシ基、(ベンジル)(メトキシ)メトキシ基、(ベンジル)(エトキシ)メトキシ基、(ベンジル)(n-プロポキシ)メトキシ基、(ベンジル)(i-プロポキシ)メトキシ基、(ベンジル)(シクロヘキシルオキシ)メトキシ基、(ベンジル)(フェノキシ)メトキシ基、(ベンジル)(ベンジルオキシ)メトキシ基、2-テトラヒドロフラニルオキシ基、2-テトラヒドロピラニルオキシ基等を挙げることができる。
これらのうち、1-エトキシエトキシ基、1-シクロヘキシルオキシエトキシ基、2-テトラヒドロピラニルオキシ基、1-n-プロポキシエトキシ基、2-テトラヒドロピラニルオキシ基を好ましいものとして挙げることができる。
ケタール構造を有することとなる官能基としては、例えば、1-メチル-1-メトキシエトキシ基、1-メチル-1-エトキシエトキシ基、1-メチル-1-n-プロポキシエトキシ基、1-メチル-1-i-プロポキシエトキシ基、1-メチル-1-n-ブトキシエトキシ基、1-メチル-1-i-ブトキシエトキシ基、1-メチル-1-sec-ブトキシエトキシ基、1-メチル-1-t-ブトキシエトキシ基、1-メチル-1-シクロペンチルオキシエトキシ基、1-メチル-1-シクロヘキシルオキシエトキシ基、1-メチル-1-ノルボルニルオキシエトキシ基、1-メチル-1-ボルニルオキシエトキシ基、1-メチル-1-フェニルオキシエトキシ基、1-メチル-1-(1-ナフチルオキシ)エトキシ基、1-メチル-1-ベンジルオオキシエトキシ基、1-メチル-1-フェネチルオキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-メトキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-エトキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-n-プロポキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-i-プロポキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-シクロヘキシルオキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-フェノキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-ベンジルオキシエトキシ基、1-フェニル-1-メトキシエトキシ基、1-フェニル-1-エトキシエトキシ基、1-フェニル-1-n-プロポキシエトキシ基、1-フェニル-1-i-プロポキシエトキシ基、1-フェニル-1-シクロヘキシルオキシエトキシ基、1-フェニル-1-フェニルオキシエトキシ基、1-フェニル-1-ベンジルオキシエトキシ基、1-ベンジル-1-メトキシエトキシ基、1-ベンジル-1-エトキシエトキシ基、1-ベンジル-1-n-プロポキシエトキシ基、1-ベンジル-1-i-プロポキシエトキシ基、1-ベンジル-1-シクロヘキシルオキシエトキシ基、1-ベンジル-1-フェニルオキシエトキシ基、1-ベンジル-1-ベンジルオキシエトキシ基、2-(2-メチル-テトラヒドロフラニル)オキシ基、2-(2-メチル-テトラヒドロピラニル)オキシ基、1-メトキシ-シクロペンチルオキシ基、1-メトキシ-シクロヘキシルオキシ基等を挙げることができる。
これらのうち、1-メチル-1-メトキシエトキシ基、1-メチル-1-シクロヘキシルオキシエトキシ基を好ましいものとして挙げることができる。
(In Eqs. (4-1-1), Eqs. (4-1-2), Eqs. (4-2-1) and Eqs. (4-2-2), R 11 and R 12 are independent of each other. It is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R 13 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms or a hydroxyl group. N3 is an integer of 1 to 4 A 1 and A 2 is independently a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. N1 is an integer of 0 to 4; n2 is an integer of 0 to 4. It is an integer of 6. However, when n1 is 2 or more, the plurality of A1s are the same group or different groups from each other. When n2 is 2 or more, the plurality of A2s are the same group or different from each other. RA is synonymous with the above equations (4-1) and (4-2).)
The acidic group or protected acidic group of the structural unit (A1) includes a carboxyl group, an acetal ester structure of a carboxyl group, a ketal ester structure of a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, a structural unit derived from maleimide, a phosphoric acid group, and a sulfone. Acid groups can be mentioned.
Examples of the functional group having an acetal structure include 1-methoxyethoxy group, 1-ethoxyethoxy group, 1-n-propoxyethoxy group, 1-i-propoxyethoxy group, 1-n-butoxyethoxy group, and the like. 1-i-butoxyethoxy group, 1-sec-butoxyethoxy group, 1-t-butoxyethoxy group, 1-cyclopentyloxyethoxy group, 1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-norbornyloxyethoxy group, 1-bol Nyloxyethoxy group, 1-phenyloxyethoxy group, 1- (1-naphthyloxy) ethoxy group, 1-benzyloxyethoxy group, 1-phenethyloxyethoxy group, (cyclohexyl) (methoxy) methoxy group, (cyclohexyl) ( Ethoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (n-propoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (i-propoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (cyclohexyloxy) methoxy group, (cyclohexyl) (phenoxy) methoxy group, (cyclohexyl) ( Benzyloxy) methoxy group, (phenyl) (methoxy) methoxy group, (phenyl) (ethoxy) methoxy group, (phenyl) (n-propoxy) methoxy group, (phenyl) (i-propoxy) methoxy group, (phenyl) ( Cyclohexyloxy) methoxy group, (phenyl) (phenoxy) methoxy group, (phenyl) (benzyloxy) methoxy group, (benzyl) (methoxy) methoxy group, (benzyl) (ethoxy) methoxy group, (benzyl) (n-propoxy) ) Methoxy group, (benzyl) (i-propoxy) methoxy group, (benzyl) (cyclohexyloxy) methoxy group, (benzyl) (phenoxy) methoxy group, (benzyl) (benzyloxy) methoxy group, 2-tetrahydrofuranyloxy group , 2-Tetrahydropyranyloxy group and the like.
Among these, 1-ethoxyethoxy group, 1-cyclohexyloxyethoxy group, 2-tetrahydropyranyloxy group, 1-n-propoxyethoxy group and 2-tetrahydropyranyloxy group can be mentioned as preferable ones.
Examples of the functional group having a ketal structure include 1-methyl-1-methoxyethoxy group, 1-methyl-1-ethoxyethoxy group, 1-methyl-1-n-propoxyethoxy group and 1-methyl-. 1-i-propoxyethoxy group, 1-methyl-1-n-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-i-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-sec-butoxyethoxy group, 1-methyl-1- t-Butoxyethoxy group, 1-methyl-1-cyclopentyloxyethoxy group, 1-methyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-methyl-1-norbornyloxyethoxy group, 1-methyl-1-bornyloxy Ethoxy group, 1-methyl-1-phenyloxyethoxy group, 1-methyl-1- (1-naphthyloxy) ethoxy group, 1-methyl-1-benzylooxyethoxy group, 1-methyl-1-phenethyloxyethoxy Group, 1-cyclohexyl-1-methoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-ethoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-n-propoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-cyclohexyl- 1-Cyclohexyloxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-phenoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-benzyloxyethoxy group, 1-phenyl-1-methoxyethoxy group, 1-phenyl-1-ethoxyethoxy group, 1- Phenyl-1-n-propoxyethoxy group, 1-phenyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-phenyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-phenyl-1-phenyloxyethoxy group, 1-phenyl-1- Benzyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-methoxyethoxy group, 1-benzyl-1-ethoxyethoxy group, 1-benzyl-1-n-propoxyethoxy group, 1-benzyl-1-i-propoxyethoxy group, 1 -Benzyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-phenyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-benzyloxyethoxy group, 2- (2-methyl-tetrahydrofuranyl) oxy group, 2- (2- (2-) Methyl-tetrahydropyranyl) oxy group, 1-methoxy-cyclopentyloxy group, 1-methoxy-cyclohexyloxy group and the like can be mentioned.
Of these, 1-methyl-1-methoxyethoxy group and 1-methyl-1-cyclohexyloxyethoxy group can be mentioned as preferable ones.

構造単位(A2)は、架橋性基を有する構造単位である。架橋性基としては、オキセタニル基、オキシニル基および(メタ)アクリロイル基よりなる群から選ばれる少なくとも1種を有することが好ましい。すなわち、構造単位(A2)は、オキセタニル基、オキシニル基および(メタ)アクリロイル基よりなる群から選ばれる少なくとも1種を有する構造単位である。 The structural unit (A2) is a structural unit having a crosslinkable group. As the crosslinkable group, it is preferable to have at least one selected from the group consisting of an oxetanyl group, an oxynyl group and a (meth) acryloyl group. That is, the structural unit (A2) is a structural unit having at least one selected from the group consisting of an oxetanyl group, an oxynyl group and a (meth) acryloyl group.

上記構造単位(A1)は、(a1)不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物、およびアセタールまたはケタール構造を有する(メタ)アクリル酸エステル化合物よりなる群から選択される少なくとも1種(以下、「化合物(a1)」という。)に由来する構造単位であることが好ましく;
上記構造単位(A2)は、(a2)オキシラニル基またはオキセタニル基を有する重合性不飽和化合物(以下、「化合物(a2)」という。)に由来する構造単位であることが好ましく;
上記構造単位(A3)は、上記式(4-1-1)及び式(4-1-2)のそれぞれで表される構造単位であることが好ましく;
上記構造単位(A4)は、(a4)上記(a1)~(a3)以外の重合性不飽和化合物(以下、「化合物(a4)」という。)に由来する構造単位であることが好ましい。
The structural unit (A1) is at least one selected from the group consisting of (a1) an unsaturated carboxylic acid, an unsaturated carboxylic acid anhydride, and a (meth) acrylic acid ester compound having an acetal or ketal structure (hereinafter referred to as “1”). It is preferably a structural unit derived from "compound (a1)");
The structural unit (A2) is preferably a structural unit derived from (a2) a polymerizable unsaturated compound having an oxylanyl group or an oxetanyl group (hereinafter, referred to as “compound (a2)”);
The structural unit (A3) is preferably a structural unit represented by each of the above formulas (4-1-1) and (4-1-2);
The structural unit (A4) is preferably a structural unit derived from (a4) a polymerizable unsaturated compound (hereinafter referred to as “compound (a4)”) other than the above (a1) to (a3).

上記化合物(a1)としては、例えば、モノカルボン酸、ジカルボン酸、ジカルボン酸の無水物等を挙げることができる。上記モノカルボン酸としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、2-アクリロイルオキシエチルコハク酸、2-メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2-アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、2-メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等を;
上記ジカルボン酸としては、例えば、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸等を;
上記ジカルボン酸の無水物としては、上記したジカルボン酸の無水物等を、それぞれ挙げることができる。
Examples of the compound (a1) include monocarboxylic acids, dicarboxylic acids, and anhydrides of dicarboxylic acids. Examples of the monocarboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, 2-acryloyloxyethyl succinic acid, 2-methacryloyloxyethyl succinic acid, 2-acryloyloxyethylhexahydrophthalic acid, and 2-methacryloyloxyethylhexa. Hydrophthalic acid etc .;
Examples of the dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, citraconic acid and the like;
Examples of the dicarboxylic acid anhydride include the above-mentioned dicarboxylic acid anhydride and the like.

これらのうち、共重合反応性、得られる共重合体の現像液に対する溶解性の点から、アクリル酸、メタクリル酸、2-アクリロイルオキシエチルコハク酸、2-メタクリロイルオキシエチルコハク酸または無水マレイン酸が好ましい。
アセタールまたはケタール構造を有する(メタ)アクリル酸エステル化合物としては、1-エトキシエチル(メタ)アクリレート、テトラヒドロ-2H―ピラン-2-イル(メタ)アクリレート、1-(シクロヘキシルオキシ)エチル(メタ)アクリレート、1-(2-メチルプロポキシ)エチル(メタ)アクリレート、1-(1,1-ジメチル-エトキシ)エチル(メタ)アクリレート、1-(シクロヘキシルオキシ)エチル(メタ)アクリレート等を挙げることができる。
これらのうち、アセタールまたはケタール構造を有する(メタ)アクリル酸エステル化合物が好ましく、とくに1-エトキシエチルメタクリレート、テトラヒドロ-2H―ピラン-2-イルメタクリレート、1-(シクロヘキシルオキシ)エチルメタクリレート、1-(2-メチルプロポキシ)エチルメタクリレート、1-(1,1-ジメチル-エトキシ)エチルメタクリレート、1-(シクロヘキシルオキシ)エチルメタクリレートが好ましい。
Of these, acrylic acid, methacrylic acid, 2-acryloyloxyethyl succinic acid, 2-methacryloyloxyethyl succinic acid or maleic anhydride are selected from the viewpoints of copolymerizability and solubility of the obtained copolymer in the developing solution. preferable.
Examples of the (meth) acrylic acid ester compound having an acetal or ketal structure include 1-ethoxyethyl (meth) acrylate, tetrahydro-2H-pyran-2-yl (meth) acrylate, and 1- (cyclohexyloxy) ethyl (meth) acrylate. , 1- (2-methylpropoxy) ethyl (meth) acrylate, 1- (1,1-dimethyl-ethoxy) ethyl (meth) acrylate, 1- (cyclohexyloxy) ethyl (meth) acrylate and the like can be mentioned.
Of these, (meth) acrylic acid ester compounds having an acetal or ketal structure are preferable, and 1-ethoxyethyl methacrylate, tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate, 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate, 1- ( 2-Methylpropoxy) ethyl methacrylate, 1- (1,1-dimethyl-ethoxy) ethyl methacrylate and 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate are preferred.

化合物(a1)は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。 Compound (a1) can be used alone or in admixture of two or more.

上記化合物(a2)は、オキシラニル基を有する重合性不飽和化合物およびオキセタニル基を有する重合性不飽和化合物よりなる群から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。 The compound (a2) is preferably at least one selected from the group consisting of a polymerizable unsaturated compound having an oxylanyl group and a polymerizable unsaturated compound having an oxetanyl group.

オキシラニル基を有する重合性不飽和化合物として、例えば、(メタ)アクリル酸オキシラニル(シクロ)アルキルエステル、α-アルキルアクリル酸オキシラニル(シクロ)アルキルエステル、重合性不飽和結合を有するグリシジルエーテル化合物等を;
オキセタニル基を有する重合性不飽和化合物として、例えば、オキセタニル基を有する(メタ)アクリル酸エステル等を、それぞれ挙げることができる。
Examples of the polymerizable unsaturated compound having an oxylanyl group include (meth) acrylic acid oxylanyl (cyclo) alkyl ester, α-alkylacrylic acid oxylanyl (cyclo) alkyl ester, and a glycidyl ether compound having a polymerizable unsaturated bond;
As the polymerizable unsaturated compound having an oxetanyl group, for example, a (meth) acrylic acid ester having an oxetanyl group and the like can be mentioned.

上記化合物(a2)について、それらの具体例としては、
(メタ)アクリル酸オキシラニル(シクロ)アルキルエステルとして、例えば、(メタ)アクリル酸グリシジル、(メタ)アクリル酸2-メチルグリシジル、4-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレートグリシジルエーテル、(メタ)アクリル酸3,4-エポキシブチル、(メタ)アクリル酸6,7-エポキシヘプチル、(メタ)アクリル酸3,4-エポキシシクロヘキシル、(メタ)アクリル酸3,4-エポキシシクロヘキシルメチル、3,4-エポキシトリシクロ[5.2.1.02.6]デシル(メタ)アクリレート、等を;
α-アルキルアクリル酸オキシラニル(シクロ)アルキルエステルとして、例えば、α-エチルアクリル酸グリシジル、α-n-プロピルアクリル酸グリシジル、α-n-ブチルアクリル酸グリシジル、α-エチルアクリル酸6,7-エポキシヘプチル、α-エチルアクリル酸3,4-エポキシシクロヘキシル等を;
重合性不飽和結合を有するグリシジルエーテル化合物として、例えば、o-ビニルベンジルグリシジルエーテル、m-ビニルベンジルグリシジルエーテル、p-ビニルベンジルグリシジルエーテル等を;
オキセタニル基を有する(メタ)アクリル酸エステルとして、例えば、3-((メタ)アクリロイルオキシメチル)オキセタン、3-((メタ)アクリロイルオキシメチル)-3-エチルオキセタン、3-((メタ)アクリロイルオキシメチル)-2-メチルオキセタン、3-((メタ)アクリロイルオキシエチル)-3-エチルオキセタン、2-エチル-3-((メタ)アクリロイルオキシエチル)オキセタン、3-メチル-3-(メタ)アクリロイルオキシメチルオキセタン、3-エチル-3-(メタ)アクリロイルオキシメチルオキセタン等を、それぞれ挙げることができる。
Specific examples of the above compound (a2) include
Examples of the (meth) acrylic acid oxylanyl (cyclo) alkyl ester include (meth) acrylic acid glycidyl, (meth) acrylic acid 2-methylglycidyl, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate glycidyl ether, and (meth) acrylic acid 3,. 4-Epoxybutyl, (meth) acrylic acid 6,7-epoxyheptyl, (meth) acrylic acid 3,4-epoxycyclohexyl, (meth) acrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl, 3,4-epoxytricyclo [ 5.2.1.02.6] Decyl (meth) acrylate, etc.;
Examples of the α-alkylacrylic acid oxylanyl (cyclo) alkyl ester include α-ethylacrylic acid glycidyl, α-n-propylacrylic acid glycidyl, α-n-butylacrylic acid glycidyl, and α-ethylacrylic acid 6,7-epoxy. Heptyl, α-ethylacrylic acid 3,4-epoxycyclohexyl, etc.;
Examples of the glycidyl ether compound having a polymerizable unsaturated bond include o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether and the like;
Examples of the (meth) acrylic acid ester having an oxetanyl group include 3-((meth) acryloyloxymethyl) oxetane, 3-((meth) acryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3-((meth) acryloyloxy). Methyl) -2-methyloxetane, 3-((meth) acryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 2-ethyl-3-((meth) acryloyloxyethyl) oxetane, 3-methyl-3- (meth) acryloyl Examples thereof include oxymethyloxetane and 3-ethyl-3- (meth) acryloyloxymethyloxetane.

これら具体例のうち、特に、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸2-メチルグリシジル、メタクリル酸3,4-エポキシシクロヘキシル、メタクリル酸3,4-エポキシシクロヘキシルメチル、3,4-エポキシトリシクロ[5.2.1.02.6]デシルメタアクリレート、3,4-エポキシトリシクロ[5.2.1.02.6]デシルアクリレート、3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン、3-メチル-3-メタクリロイルオキシメチルオキセタンまたは3-エチル-3-メタクリロイルオキシメチルオキセタンが、重合性の点から好ましい。 Among these specific examples, in particular, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3,4-epoxytricyclo [5.2. 1.02.6] decylmethacrylate, 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.02.6] decylacrylate, 3-methacryloyloxymethyl-3-ethyloxetane, 3-methyl-3-methacryloyloxy Methyloxetane or 3-ethyl-3-methacryloyloxymethyloxetane is preferred from the standpoint of polymerizable properties.

上述した化合物(a2)は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。 The above-mentioned compound (a2) can be used alone or in combination of two or more.

[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する構造単位は、重合体中のカルボキシル基にエポキシ基を有する(メタ)アクリル酸エステルを反応させて得られる。反応後の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する構造単位は、下記式(2)で表される構造単位であることが望ましい。 [A] The structural unit having a (meth) acryloyloxy group of a polymer containing a structural unit having an acidic group or a protected acidic group is a (meth) acrylic acid ester having an epoxy group in the carboxyl group in the polymer. Obtained by reacting. The structural unit having a (meth) acryloyloxy group after the reaction is preferably a structural unit represented by the following formula (2).

Figure 2022068916000004
Figure 2022068916000004

上記式(2)中、R10およびR11は、それぞれ独立して水素原子またはメチル基である。cは、1~6の整数である。R12は、下記式(2-1)または下記式(2-2)で表される2価の基である。 In the above formula (2), R10 and R11 are independently hydrogen atoms or methyl groups, respectively. c is an integer of 1 to 6. R12 is a divalent group represented by the following formula (2-1) or the following formula (2-2).

Figure 2022068916000005
Figure 2022068916000005

上記式(2-1)中、R13は、水素原子またはメチル基である。上記式(2-1)および上記式(2-2)中、*は、酸素原子と結合する部位を示す。 In the above formula (2-1), R13 is a hydrogen atom or a methyl group. In the above formula (2-1) and the above formula (2-2), * indicates a site that bonds with an oxygen atom.

上記式(2)で表される構造単位について、例えば、カルボキシル基を有する共重合体に、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸2-メチルグリシジル等の化合物を反応させた場合、式(2)中のR12は、式(2-1)となる。一方、カルボキシル基を有する共重合体に、メタクリル酸3,4-エポキシシクロヘキシルメチル等の化合物を反応させた場合、式(2)中のR12は、式(2-2)となる。 Regarding the structural unit represented by the above formula (2), for example, when a compound such as glycidyl methacrylate or 2-methylglycidyl methacrylate is reacted with a copolymer having a carboxyl group, R12 in the formula (2) Is equation (2-1). On the other hand, when a compound such as 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate is reacted with the copolymer having a carboxyl group, R12 in the formula (2) becomes the formula (2-2).

上述した重合体中のカルボキシル基とエポキシ基を有する(メタ)アクリル酸エステル等の不飽和化合物との反応においては、必要に応じて適当な触媒の存在下において、好ましくは重合禁止剤を含む重合体の溶液に、エポキシ基を有する不飽和化合物を投入し、加温下で所定時間攪拌する。上記触媒としては、例えば、テトラブチルアンモニウムブロミド等が挙げられる。上記重合禁止剤としては、例えば、p-メトキシフェノール等が挙げられる。反応温度は、70℃~100℃が好ましい。反応時間は、8時間~12時間が好ましい。
[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体における(A2)架橋性基を有する構造単位の含有量は、[A]重合体全成分のうちの10モル%~70モル%であることが好ましく、20モル%~50モル%であることがより好ましい。
In the above-mentioned reaction between a carboxyl group and an unsaturated compound such as an (meth) acrylic acid ester having an epoxy group in the polymer, a weight containing a polymerization inhibitor is preferable in the presence of an appropriate catalyst, if necessary. An unsaturated compound having an epoxy group is added to the combined solution, and the mixture is stirred under heating for a predetermined time. Examples of the catalyst include tetrabutylammonium bromide and the like. Examples of the polymerization inhibitor include p-methoxyphenol and the like. The reaction temperature is preferably 70 ° C to 100 ° C. The reaction time is preferably 8 to 12 hours.
[A] The content of the structural unit having a crosslinkable group in the polymer containing the structural unit having an acidic group or a protected acidic group is 10 mol% to 70 in the total components of the [A] polymer. It is preferably mol%, more preferably 20 mol% to 50 mol%.

(A2)架橋性基を有する構造単位の含有量が10モル%より少ない場合、本実施形態の感放射線性樹脂組成物の放射線への感度が低下する傾向にあり、得られる硬化膜の耐熱性も十分でない。また、70モル%より多く含有する場合では、現像時の現像不良の原因となり、現像残渣が発生しやすくなる。 (A2) When the content of the structural unit having a crosslinkable group is less than 10 mol%, the sensitivity of the radiation-sensitive resin composition of the present embodiment to radiation tends to decrease, and the heat resistance of the obtained cured film tends to decrease. Is not enough. Further, when the content is more than 70 mol%, it causes a development defect at the time of development, and a development residue is likely to be generated.

上記構造単位(A3)を構成する単量体の具体例としては、スチリルトリメトキシシラン、スチリルトリエトキシシラン、スチリルメチルジメトキシシラン、スチリルエチルジエトキシシラン、スチリルジメトキシヒドロキシシラン、スチリルジエトキシヒドロキシシラン、(メタ)アクリロキシフェニルトリメトキシシラン、(メタ)アクリロキシフェニルトリエトキシシラン、(メタ)アクリロキシフェニルメトキシジメトキシシラン、(メタ)アクリロキシフェニルエチルジエトキシシラン、トリメトキシ(4-ビニルナフチル)シラン、トリエトキシ(4-ビニルナフチル)シラン、メチルジメトキシ(4-ビニルナフチル)シラン、エチルジエトキシ(4-ビニルナフチル)シラン、(メタ)アクリロキシナフチルトリメトキシシラン、3-(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-(メタ)アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3-(メタ)アクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-(メタ)アクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、4-(メタ)アクリロキシブチルトリメトキシシラン等を挙げることができる。前記構造単位(A3)を構成する単量体は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。 Specific examples of the monomer constituting the structural unit (A3) include styryltrimethoxysilane, styryltriethoxysilane, styrylmethyldimethoxysilane, styrylethyldiethoxysilane, styryldimethoxyhydroxysilane, and styryldiethoxyhydroxysilane. (Meta) acryloxiphenyltrimethoxysilane, (meth) acryloxiphenyltriethoxysilane, (meth) acryloxiphenylmethoxydimethoxysilane, (meth) acryloxiphenylethyldiethoxysilane, trimethoxy (4-vinylnaphthyl) silane, Triethoxy (4-vinylnaphthyl) silane, methyldimethoxy (4-vinylnaphthyl) silane, ethyldiethoxy (4-vinylnaphthyl) silane, (meth) acryloxynaphthyltrimethoxysilane, 3- (meth) acryloxipropyltrimethoxy Silane, 3- (meth) acryloxypropyltriethoxysilane, 3- (meth) acryloxylpropylmethyldimethoxysilane, 3- (meth) acryloxylpropylmethyldiethoxysilane, 4- (meth) acryloxybutyltrimethoxysilane And so on. The monomer constituting the structural unit (A3) can be used alone or in combination of two or more.

上記化合物(a4)としては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、(メタ)アクリル酸アリールエステル、(メタ)アクリル酸アラルキルエステル、不飽和ジカルボン酸ジアルキルエステル、含酸素複素5員環または含酸素複素6員環を有する(メタ)アクリル酸エステル、ビニル芳香族化合物、共役ジエン化合物およびその他の重合性不飽和化合物を挙げることができる。これらの具体例としては、(メタ)アクリル酸アルキルエステルとして、例えば、アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸n-プロピル、(メタ)アクリル酸i-プロピル、(メタ)アクリル酸n-ブチル、(メタ)アクリル酸sec-ブチル、(メタ)アクリル酸t-ブチル等を;
(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステルとして、例えば、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸2-メチルシクロヘキシル、(メタ)アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イル、(メタ)アクリル酸2-(トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルオキシ)エチル、(メタ)アクリル酸イソボロニル等を;
(メタ)アクリル酸アリールエステルとして、例えば、アクリル酸フェニル等を;
(メタ)アクリル酸アラルキルエステルとして、例えば、(メタ)アクリル酸ベンジル等を;
不飽和ジカルボン酸ジアルキルエステルとして、例えば、マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル等を;
含酸素複素5員環または含酸素複素6員環を有する(メタ)アクリル酸エステルとして、例えば、(メタ)アクリル酸テトラヒドロフラン-2-イル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロピラン-2-イル、(メタ)アクリル酸2-メチルテトラヒドロピラン-2-イル等を;
ビニル芳香族化合物として、例えば、スチレン、α-メチルスチレン等を;
共役ジエン化合物として、例えば、1,3-ブタジエン、イソプレン等を;
その他の重合性不飽和化合物として、例えば、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド等を、それぞれ挙げることができる。
Examples of the compound (a4) include (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid cycloalkyl ester, (meth) acrylic acid aryl ester, (meth) acrylic acid aralkyl ester, and unsaturated dicarboxylic acid dialkyl ester. Examples thereof include (meth) acrylic acid esters having oxygen-containing complex 5-membered rings or oxygen-containing complex 6-membered rings, vinyl aromatic compounds, conjugated diene compounds and other polymerizable unsaturated compounds. Specific examples of these include, as (meth) acrylic acid alkyl esters, for example, methyl acrylate, n-propyl (meth) acrylic acid, i-propyl (meth) acrylic acid, n-butyl (meth) acrylic acid, (. Meta) sec-butyl acrylate, t-butyl (meth) acrylate, etc.;
Examples of the (meth) acrylic acid cycloalkyl ester include (meth) acrylic acid cyclohexyl, (meth) acrylic acid 2-methylcyclohexyl, and (meth) acrylic acid tricyclo [5.2.1.02,6] decane-8-. Il, 2- (tricyclo [5.2.1.02,6] decane-8-yloxy) ethyl (meth) acrylate, isoboronyl (meth) acrylate, etc.;
As the (meth) acrylic acid aryl ester, for example, acrylic acid phenyl or the like;
As the (meth) acrylic acid aralkyl ester, for example, benzyl (meth) acrylic acid or the like;
As unsaturated dicarboxylic acid dialkyl esters, for example, diethyl maleate, diethyl fumaric acid, etc.;
Examples of the (meth) acrylic acid ester having an oxygen-containing complex 5-membered ring or an oxygen-containing complex 6-membered ring include (meth) acrylate tetrahydropyran-2-yl, (meth) acrylate tetrahydropyran-2-yl, (meth). ) 2-Methyltetrahydropyran-2-yl acrylate, etc.;
As the vinyl aromatic compound, for example, styrene, α-methylstyrene and the like;
As the conjugated diene compound, for example, 1,3-butadiene, isoprene and the like;
Examples of other polymerizable unsaturated compounds include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, acrylonitrile, methacrylonitrile, acrylamide, and methacrylamide, respectively.

以上で挙げた化合物(a4)のうち、共重合反応性の点から、メタクリル酸n-ブチル、メタクリル酸2-メチルグリシジル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イル、スチレン、p-メトキシスチレン、メタクリル酸テトラヒドロフラン-2-イル、1,3-ブタジエン等が好ましい。 Among the compounds (a4) listed above, n-butyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, benzyl methacrylate, and tricyclo methacrylate [5.2.1.02,6] from the viewpoint of polymerization reactivity. Decane-8-yl, styrene, p-methoxystyrene, methacrylic acid tetrahydrofuran-2-yl, 1,3-butadiene and the like are preferable.

化合物(a4)は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。 Compound (a4) can be used alone or in admixture of two or more.

本実施形態における好ましい[A]カルボキシル基を有する構造単位を含む重合体は、上記のような化合物(a1)~(a4)を、それぞれ、以下の割合で含む重合性不飽和化合物の混合物を共重合することにより、合成することができる。 The polymer containing the preferred [A] carboxyl group-containing structural unit in the present embodiment is a mixture of polymerizable unsaturated compounds containing the above compounds (a1) to (a4) in the following proportions, respectively. It can be synthesized by polymerization.

化合物(a1):好ましくは0.1モル%~30モル%、より好ましくは1モル%~20モル%、さらに好ましくは5モル%~15モル%
化合物(a2):好ましくは1モル%~95モル%、より好ましくは10モル%~60モル%、さらに好ましくは20モル%~30モル%
化合物(a3):好ましくは50モル%以下、より好ましくは1モル%~40モル%、さらに好ましくは10モル%~30モル%
化合物(a4):好ましくは80モル%以下、より好ましくは1モル%~60モル%、さらに好ましくは25モル%~50モル%
の範囲で使用することが好ましい。
Compound (a1): preferably 0.1 mol% to 30 mol%, more preferably 1 mol% to 20 mol%, still more preferably 5 mol% to 15 mol%.
Compound (a2): preferably 1 mol% to 95 mol%, more preferably 10 mol% to 60 mol%, still more preferably 20 mol% to 30 mol%.
Compound (a3): preferably 50 mol% or less, more preferably 1 mol% to 40 mol%, still more preferably 10 mol% to 30 mol%.
Compound (a4): preferably 80 mol% or less, more preferably 1 mol% to 60 mol%, still more preferably 25 mol% to 50 mol%.
It is preferable to use in the range of.

本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物は、各化合物を上記の範囲で含有する重合性不飽和化合物の混合物を共重合して得られた[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体を含有することにより、良好な塗布性が損なわれることなく高い解像度が達成されるから、高精細なパターンであっても特性のバランスが高度に調整された硬化膜を与えることができることとなり、好ましい。 The radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention is obtained by copolymerizing a mixture of polymerizable unsaturated compounds containing each compound in the above range [A] acidic group or protected acidic. By containing a polymer containing a structural unit having a group, high resolution is achieved without impairing good coatability, so that even a high-definition pattern can be cured with a highly balanced characteristic. It is preferable because a film can be provided.

[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体につき、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によって測定したポリスチレン換算の重量平均分子量(以下、「Mw」という。)は、好ましくは2000~100000であり、より好ましくは5000~50000である。この範囲のMwを有する[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体を使用することにより、良好な塗布性が損なわれることなく高い解像度が達成されるから、高精細なパターンであっても特性のバランスが高度に調整された硬化膜を与えることができることとなる。 [A] For a polymer containing a structural unit having an acidic group or a protected acidic group, the polystyrene-equivalent weight average molecular weight (hereinafter referred to as "Mw") measured by gel permeation chromatography (GPC) is preferably used. It is 2000 to 100,000, more preferably 5000 to 50000. By using a polymer containing [A] an acidic group having a Mw in this range or a structural unit having a protected acidic group, high resolution is achieved without impairing good coatability, and thus high definition is achieved. It is possible to give a cured film in which the balance of characteristics is highly adjusted even if the pattern is different.

本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物における[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体は、上記のような重合性不飽和化合物の混合物を、好ましくは適当な溶媒中において、好ましくはラジカル重合開始剤の存在下で重合することにより製造することができる。 In the radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention, the polymer containing the structural unit having the [A] acidic group or the protected acidic group is preferably a mixture of the polymerizable unsaturated compound as described above. Can be produced by polymerizing in a suitable solvent, preferably in the presence of a radical polymerization initiator.

上記重合に用いられる溶媒としては、例えば、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸3-メトキシブチル、シクロヘキサノールアセテート、ベンジルアルコール、3-メトキシブタノール等を挙げることができる。これらの溶媒は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。 Examples of the solvent used for the above polymerization include diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and dipropylene glycol monomethyl. Examples thereof include ether acetate, 3-methoxybutyl acetate, cyclohexanol acetate, benzyl alcohol, 3-methoxybutanol and the like. These solvents can be used alone or in admixture of two or more.

上記ラジカル重合開始剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビス-(2,4-ジメチルバレロニトリル)、2,2’-アゾビス-(4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル)、4,4’-アゾビス(4―シアノバレリン酸)、ジメチル-2,2’-アゾビス(2-メチルプロピオネート)、2,2’-アゾビス(4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル)等のアゾ化合物を挙げることができる。これらのラジカル重合開始剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
<[B]感放射線性化合物>
[B]感放射線性化合物は、当該感放射線性組成物に感放射線特性を付与するものである。この[B]感放射線性化合物は、放射線の露光によって反応活性な活性種を生じる化合物である。ここで、放射線とは、少なくとも可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線(荷電粒子線)およびX線を含む。[B]感放射線性化合物としては、(B1)酸発生剤、(B2)重合開始剤またはこれらの組み合わせが好ましい。(B1)酸発生剤を使用する場合、他の添加成分によって、ポジ型、ネガ型の感放射線性組成物のいずれにもすることができる。キノンジアジド化合物を用いた場合、または放射線の照射によりpKaが4.0以下の酸を発生する化合物を用いた場合はポジ型の感放射線性組成物とすることができる。一方、(B2)重合開始剤を用いた場合は、ネガ型の感放射線性組成物とすることができる。
((B1)酸発生剤)
(B1)酸発生剤は、放射線の照射によって酸を発生する化合物である。本実施形態の感放射線性樹脂組成物は、(B1)酸発生剤を含むことで、例えば、アルカリ現像液に対するポジ型の感放射線特性を発揮できる。
The radical polymerization initiator is not particularly limited, and is, for example, 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis- (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2. '-Azobis- (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), 4,4'-azobis (4-cyanovaleric acid), dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate), 2, Examples thereof include azo compounds such as 2'-azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile). These radical polymerization initiators can be used alone or in admixture of two or more.
<[B] Radiation-sensitive compounds>
[B] The radiation-sensitive compound imparts radiation-sensitive properties to the radiation-sensitive composition. This [B] radiation-sensitive compound is a compound that produces a reactive active species upon exposure to radiation. Here, the radiation includes at least visible light, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electron beams (charged particle beams) and X-rays. [B] As the radiation-sensitive compound, (B1) an acid generator, (B2) a polymerization initiator, or a combination thereof is preferable. (B1) When an acid generator is used, it can be made into either a positive type or a negative type radiation-sensitive composition depending on other additive components. When a quinone diazide compound is used, or when a compound that generates an acid having a pKa of 4.0 or less by irradiation with radiation is used, a positive radiation-sensitive composition can be obtained. On the other hand, when the (B2) polymerization initiator is used, a negative type radiation-sensitive composition can be obtained.
((B1) Acid generator)
(B1) The acid generator is a compound that generates an acid by irradiation with radiation. By containing the (B1) acid generator, the radiation-sensitive resin composition of the present embodiment can exhibit positive radiation-sensitive characteristics with respect to, for example, an alkaline developer.

(B1)酸発生剤は、放射線の照射によって酸(例えば、カルボン酸、スルホン酸等)を発生させる化合物である限り、特に限定されない。(B1)酸発生剤としては、例えば、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物、キノンジアジド化合物、放射線の照射によりpKaが4.0以下の酸を発生する化合物等が挙げられる。これらのうち、キノンジアジド化合物、放射線の照射によりpKaが4.0以下の酸を発生する化合物が好ましい。
(キノンジアジド化合物)
キノンジアジド化合物は、放射線の照射によってカルボン酸を発生する。キノンジアジド化合物としては、例えば、フェノール性化合物またはアルコール性化合物(以下、「母核」ともいう。)と、1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物を用いることができる。
The (B1) acid generator is not particularly limited as long as it is a compound that generates an acid (for example, carboxylic acid, sulfonic acid, etc.) by irradiation with radiation. Examples of the acid generator (B1) include an oxime sulfonate compound, an onium salt, a sulfonimide compound, a halogen-containing compound, a diazomethane compound, a sulfone compound, a sulfonic acid ester compound, a carboxylic acid ester compound, a quinonediazide compound, and pKa by irradiation with radiation. Examples thereof include compounds that generate an acid having a value of 4.0 or less. Of these, quinonediazide compounds and compounds that generate an acid with a pKa of 4.0 or less upon irradiation with radiation are preferable.
(Kinone diazide compound)
The quinonediazide compound generates a carboxylic acid by irradiation with radiation. As the quinone diazide compound, for example, a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter, also referred to as “matrix”) and a 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide can be used.

母核としては、例えば、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、ペンタヒドロキシベンゾフェノン、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、(ポリヒドロキシフェニル)アルカン、その他の母核等が挙げられる。 Examples of the mother nucleus include trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, (polyhydroxyphenyl) alkane, and other mother nuclei.

トリヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6-トリヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。 Examples of the trihydroxybenzophenone include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone and the like.

テトラヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば、2,2’,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2’-テトラヒドロキシ-4’-メチルベンゾフェノン、2,3,4,4’-テトラヒドロキシ-3’-メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。 Examples of the tetrahydroxybenzophenone include 2,2', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2, Examples thereof include 3,4,2'-tetrahydroxy-4'-methylbenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxy-3'-methoxybenzophenone and the like.

ペンタヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば、2,3,4,2’,6’-ペンタヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。 Examples of the pentahydroxybenzophenone include 2,3,4,2', 6'-pentahydroxybenzophenone and the like.

ヘキサヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば、2,4,6,3’,4’,5’-ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、3,4,5,3’,4’,5’-ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。 Examples of the hexahydroxybenzophenone include 2,4,6,3', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,3', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone and the like.

(ポリヒドロキシフェニル)アルカンとしては、例えば、ビス(2,4-ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス(p-ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(p-ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,1-トリ(p-ヒドロキシフェニル)エタン、ビス(2,3,4-トリヒドロキシフェニル)メタン、2,2-ビス(2,3,4-トリヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,3-トリス(2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル)-3-フェニルプロパン、4,4’-[1-[4-[1-[4-ヒドロキシフェニル]-1-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール、ビス(2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル)-2-ヒドロキシフェニルメタン、3,3,3’,3’-テトラメチル-1,1’-スピロビインデン-5,6,7,5’,6’,7’-ヘキサノール、2,2,4-トリメチル-7,2’,4’-トリヒドロキシフラバン等が挙げられる。 Examples of the (polyhydroxyphenyl) alkane include bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, bis (p-hydroxyphenyl) methane, tris (p-hydroxyphenyl) methane, and 1,1,1-tri (p-). Hydroxyphenyl) ethane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl) -4-Hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4'-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol, bis (2,5-) Dimethyl-4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3', 3'-tetramethyl-1,1'-spirobiindene-5,6,7,5', 6', 7' -Hexanol, 2,2,4-trimethyl-7,2', 4'-trihydroxyflaban and the like can be mentioned.

その他の母核としては、例えば、2-メチル-2-(2,4-ジヒドロキシフェニル)-4-(4-ヒドロキシフェニル)-7-ヒドロキシクロマン、1-[1-{3-(1-[4-ヒドロキシフェニル]-1-メチルエチル)-4,6-ジヒドロキシフェニル}-1-メチルエチル]-3-〔1-{3-(1-[4-ヒドロキシフェニル]-1-メチルエチル)-4,6-ジヒドロキシフェニル}-1-メチルエチル〕ベンゼン、4,6-ビス{1-(4-ヒドロキシフェニル)-1-メチルエチル}-1,3-ジヒドロキシベンゼン等が挙げられる。 Other mother nuclei include, for example, 2-methyl-2- (2,4-dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl) -7-hydroxychroman, 1- [1- {3- (1- [ 4-Hydroxyphenyl] -1-methylethyl) -4,6-dihydroxyphenyl} -1-methylethyl] -3- [1- {3- (1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl)- 4,6-Dihydroxyphenyl} -1-methylethyl] benzene, 4,6-bis {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -1,3-dihydroxybenzene and the like can be mentioned.

これらの母核のうち、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、1,1,1-トリ(p-ヒドロキシフェニル)エタン、4,4’-[1-[4-[1-[4-ヒドロキシフェニル]-1-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノールが好ましい。 Of these mother nuclei, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane, 4,4'-[1- [4- [1- [ 4-Hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol is preferred.

1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとしては、1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドが好ましい。1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドとしては、例えば、1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸クロリド、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロリド等が挙げられる。これらのうち、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロリドが好ましい。 As the 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide, 1,2-naphthoquinone diazido sulfonic acid chloride is preferable. Examples of the 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid chloride include 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid chloride, 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride and the like. Of these, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride is preferable.

キノンジアジド化合物の合成は、公知の縮合反応により行うことができる。この縮合反応では、フェノール性化合物またはアルコール性化合物中のOH基数に対して、好ましくは30モル%以上85モル%以下、すなわち、30モル%~85モル%に相当する1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドを用いることができる。 The synthesis of the quinonediazide compound can be carried out by a known condensation reaction. In this condensation reaction, 1,2-naphthoquinonediazide sulfone corresponding to preferably 30 mol% or more and 85 mol% or less, that is, 30 mol% to 85 mol% with respect to the number of OH groups in the phenolic compound or the alcoholic compound. Acid halides can be used.

また、キノンジアジド化合物としては、先に例示した母核のエステル結合をアミド結合に変更した1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド類、例えば、2,3,4-トリアミノベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸アミド等も好適に使用される。 Further, as the quinone diazide compound, 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid amides in which the ester bond of the mother nucleus exemplified above is changed to an amide bond, for example, 2,3,4-triaminobenzophenone-1,2-naphtho A quinonediazide-4-sulfonic acid amide or the like is also preferably used.

これらのキノンジアジド化合物は、1種または2種以上を混合して用いることができる。また、キノンジアジド化合物は、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物等とともに組み合わせて用いることもできる。 These quinone diazide compounds can be used alone or in admixture of two or more. Further, the quinone diazide compound can also be used in combination with an oxime sulfonate compound, an onium salt, a sulfonimide compound, a halogen-containing compound, a diazomethane compound, a sulfone compound, a sulfonic acid ester compound, a carboxylic acid ester compound and the like.

本実施形態の感放射線性樹脂組成物におけるキノンジアジド化合物の含有量の下限としては、[A]重合体100質量部に対して、5質量部が好ましく、10質量部がより好ましく、20質量部がさらに好ましい。一方、この上限としては、80質量部が好ましく、60質量部がより好ましく、40質量部がさらに好ましい。キノンジアジド化合物の含有量を上記範囲とすることで、現像液に対する放射線の照射部分と未照射部分との溶解度の差を大きくして、パターニング性能を向上させることができる。また、硬化膜の耐溶媒性を良好なものとすることもできる。
(放射線の照射によりpKaが4.0以下の酸を発生する化合物)
放射線の照射によりpKaが4.0以下の酸を発生する化合物は、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等の放射線を照射することによりpKaが4.0以下の酸を発生することができる化合物である。放射線の照射により発生される酸のpKaの値は好ましくは、3.5以下であり、さらに好ましくは3.0以下である。このような化合物としては、例えばトリクロロメチル-s-トリアジン類、ジアリールヨードニウム塩類、トリアリールスルホニウム塩類、第四級アンモニウム塩類、スルホン酸エステル類等を挙げることができる。これらのうち、ジアリールヨードニウム塩類およびトリアリールスルホニウム塩類が好ましい。
これらの具体例としては、例えば、トリクロロメチル-s-トリアジン類として、2-(3-クロロフェニル)-ビス(4,6-トリクロロメチル)-s-トリアジン、2-(4-メトキシフェニル)-ビス(4,6-トリクロロメチル)-s-トリアジン、2-(4-メチルチオフェニル)-ビス(4,6-トリクロロメチル)-s-トリアジン、2-(4-メトキシ-β-スチリル)-ビス(4,6-トリクロロメチル)-s-トリアジン、2-ピペロニル-ビス(4,6-トリクロロメチル)-s-トリアジン、2-[2-(フラン-2-イル)エテニル]-ビス(4,6-トリクロロメチル)-s-トリアジン、2-[2-(5-メチルフラン-2-イル)エテニル]-ビス(4,6-トリクロロメチル)-s-トリアジン、2-[2-(4-ジエチルアミノ-2-メチルフェニル)エテニル]-ビス(4,6-トリクロロメチル)-s-トリアジンまたは2-(4-メトキシナフチル)-ビス(4,6-トリクロロメチル)-s-トリアジン等;
ジアリールヨードニウム塩類として、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、フェニル,4-(2’-ヒドロキシ-1’-テトラデカオキシ)フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、4-(2’-ヒドロキシ-1’-テトラデカオキシ)フェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモナート、フェニル,4-(2’-ヒドロキシ-1’-テトラデカオキシ)フェニルヨードニウム-p-トルエンスルホナート等;
トリアリールスルホニウム塩類として、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、4-フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナートまたは4-フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート等;
第四級アンモニウム塩類として、テトラメチルアンモニウムブチルトリス(2,6-ジフルオロフェニル)ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス(p-クロロフェニル)ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス(3-トリフルオロメチルフェニル)ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムブチルトリス(2,6-ジフルオロフェニル)ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス(p-クロロフェニル)ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス(3-トリフルオロメチルフェニル)ボレート等;
スルホン酸エステル類として、2,6-ジニトロベンジル-p-トルエンスルホン酸エステル、2,6-ジニトロベンジル-トリフルオロメタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシナフタルイミド-p-トルエンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシナフタルイミド-トリフルオロメタンスルホン酸エステルをそれぞれ挙げることができる。
本発明における放射線の照射によりpKaが4.0以下の酸を発生する化合物の使用量は、重合体(A)100重量部に対して、好ましくは1~40重量部であり、さらに好ましくは2~20重量部である。この量が1重量部未満の場合には、パターニングが困難となる場合があり、また、得られる硬化膜の耐熱性および耐溶剤性が不十分となる場合がある。一方この量が40重量部を超えると、パターニングが困難となる場合がある。
((B2)重合開始剤)
(B2)重合開始剤は、放射線に感応して、重合性を備えた化合物の重合を開始し得る活性種を生じる成分である。本実施形態の感放射線性樹脂組成物は、(B2)重合開始剤を含むことで、例えば、アルカリ現像液に対するネガ型の感放射線特性を発揮できる。(B2)重合開始剤としては、光ラジカル重合開始剤を挙げることができる。この光ラジカル重合開始剤としては、例えば、O-アシルオキシム化合物、アセトフェノン化合物、ビイミダゾール化合物等が挙げられる。これらの化合物は、1種または2種以上を混合して用いることができる。
(O-アシルオキシム化合物)
O-アシルオキシム化合物としては、例えば、1-〔4-(フェニルチオ)-2-(O-ベンゾイルオキシム)〕、1,2-オクタンジオン1-[4-(フェニルチオ)-2-(O-ベンゾイルオキシム)]、エタノン-1-〔9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル〕-1-(O-アセチルオキシム)、1-〔9-エチル-6-ベンゾイル-9.H.-カルバゾール-3-イル〕-オクタン-1-オンオキシム-O-アセテート、1-〔9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9.H.-カルバゾール-3-イル〕-エタン-1-オンオキシム-O-ベンゾエート、1-〔9-n-ブチル-6-(2-エチルベンゾイル)-9.H.-カルバゾール-3-イル〕-エタン-1-オンオキシム-O-ベンゾエート、エタノン-1-[9-エチル-6-(2-メチル-4-テトラヒドロフラニルベンゾイル)-9.H.-カルバゾール-3-イル]-1-(O-アセチルオキシム)、エタノン-1-〔9-エチル-6-(2-メチル-4-テトラヒドロピラニルベンゾイル)-9.H.-カルバゾール-3-イル〕-1-(O-アセチルオキシム)、エタノン-1-〔9-エチル-6-(2-メチル-5-テトラヒドロフラニルベンゾイル)-9.H.-カルバゾール-3-イル〕-1-(O-アセチルオキシム)、エタノン-1-〔9-エチル-6-{2-メチル-4-(2,2-ジメチル-1,3-ジオキソラニル)メトキシベンゾイル}-9.H.-カルバゾール-3-イル〕-1-(O-アセチルオキシム)等が挙げられる。
(アセトフェノン化合物)
アセトフェノン化合物としては、例えば、α-アミノケトン化合物、α-ヒドロキシケトン化合物等が挙げられる。
(α-アミノケトン化合物)
α-アミノケトン化合物としては、例えば2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルホリノフェニル)-ブタン-1-オン、2-ジメチルアミノ-2-(4-メチルベンジル)-1-(4-モルホリン-4-イル-フェニル)-ブタン-1-オン、2-メチル-1-(4-メチルチオフェニル)-2-モルホリノプロパン-1-オン等が挙げられる。
(α-ヒドロキシケトン化合物)
α-ヒドロキシケトン化合物としては、例えば、1-フェニル-2-ヒドロキシ-2-メチルプロパン-1-オン、1-(4-i-プロピルフェニル)-2-ヒドロキシ-2-メチルプロパン-1-オン、4-(2-ヒドロキシエトキシ)フェニル-(2-ヒドロキシ-2-プロピル)ケトン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンが挙げられる。
(ビイミダゾール化合物)
ビイミダゾール化合物としては、例えば、2,2’-ビス(2-クロロフェニル)-4,4’,5,5’-テトラフェニル-1,2’-ビイミダゾール、2,2’-ビス(2,4-ジクロロフェニル)-4,4’,5,5’-テトラフェニル-1,2’-ビイミダゾール、2,2’-ビス(2,4,6-トリクロロフェニル)-4,4’,5,5’-テトラフェニル-1,2’-ビイミダゾール等が挙げられる。
The lower limit of the content of the quinonediazide compound in the radiation-sensitive resin composition of the present embodiment is preferably 5 parts by mass, more preferably 10 parts by mass, and 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer [A]. More preferred. On the other hand, as the upper limit, 80 parts by mass is preferable, 60 parts by mass is more preferable, and 40 parts by mass is further preferable. By setting the content of the quinonediazide compound in the above range, the difference in solubility between the irradiated portion and the unirradiated portion of the developing solution can be increased, and the patterning performance can be improved. In addition, the solvent resistance of the cured film can be improved.
(A compound that generates an acid with a pKa of 4.0 or less when irradiated with radiation)
A compound that generates an acid with a pKa of 4.0 or less by irradiation with radiation may generate an acid with a pKa of 4.0 or less by irradiating with radiation such as ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, and charged particle beams. It is a compound that can be produced. The value of pKa of the acid generated by irradiation with radiation is preferably 3.5 or less, and more preferably 3.0 or less. Examples of such compounds include trichloromethyl-s-triazines, diaryliodonium salts, triarylsulfonium salts, quaternary ammonium salts, sulfonic acid esters and the like. Of these, diaryliodonium salts and triarylsulfonium salts are preferable.
Specific examples of these include 2- (3-chlorophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine and 2- (4-methoxyphenyl) -bis as trichloromethyl-s-triazines. (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methylthiophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxy-β-styryl) -bis ( 4,6-Trichloromethyl) -s-triazine, 2-piperonyl-bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (fran-2-yl) ethenyl] -bis (4,6) -Trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (5-methylfuran-2-yl) ethenyl] -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (4-diethylamino) -2-Methylphenyl) ethenyl] -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine or 2- (4-methoxynaphthyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine and the like;
Diaryliodonium salts include diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium trifluoroacetate, phenyl, 4- (2'-hydroxy-1). '-Tetradecaoxy) Phenyliodonium Trifluoromethanesulfonate, 4- (2'-Hydroxy-1'-Tetradecaoxy) Phenyliodonium Hexafluoroantimonate, Phenyl, 4- (2'-Hydroxy-1'-Tetradeca Oxy) Phenyliodonium-p-toluenesulfonate, etc .;
As triarylsulfonium salts, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluo Lomethan sulfonate or 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate, etc .;
As quaternary ammonium salts, tetramethylammonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, tetramethylammonium hexyltris (p-chlorophenyl) borate, tetramethylammonium hexyltris (3-trifluoromethylphenyl) borate, benzyl Dimethylphenylammonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, benzyldimethylphenylammonium hexyltris (p-chlorophenyl) borate, benzyldimethylphenylammonium hexyltris (3-trifluoromethylphenyl) borate, etc .;
Examples of sulfonic acid esters include 2,6-dinitrobenzyl-p-toluene sulfonic acid ester, 2,6-dinitrobenzyl-trifluoromethanesulfonic acid ester, N-hydroxynaphthalimide-p-toluene sulfonic acid ester, and N-hydroxyna. Phthalimide-trifluoromethanesulfonic acid esters can be mentioned respectively.
The amount of the compound that generates an acid having a pKa of 4.0 or less by irradiation with radiation in the present invention is preferably 1 to 40 parts by weight, more preferably 2 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymer (A). ~ 20 parts by weight. If this amount is less than 1 part by weight, patterning may be difficult, and the heat resistance and solvent resistance of the obtained cured film may be insufficient. On the other hand, if this amount exceeds 40 parts by weight, patterning may become difficult.
((B2) Polymerization Initiator)
(B2) The polymerization initiator is a component that produces an active species that can initiate the polymerization of a polymerizable compound in response to radiation. By containing (B2) a polymerization initiator, the radiation-sensitive resin composition of the present embodiment can exhibit, for example, negative radiation-sensitive characteristics with respect to an alkaline developer. (B2) Examples of the polymerization initiator include a photoradical polymerization initiator. Examples of the photoradical polymerization initiator include O-acyloxime compounds, acetophenone compounds, biimidazole compounds and the like. These compounds may be used alone or in admixture of two or more.
(O-acyloxime compound)
Examples of the O-acyloxime compound include 1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)] and 1,2-octanedione 1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyl). Oxime)], Etanone-1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazole-3-yl] -1- (O-acetyloxime), 1- [9-ethyl-6-benzoyl] -9. H. -Carbazole-3-yl] -octane-1-one oxime-O-acetate, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9. H. -Carbazole-3-yl] -ethane-1-one oxime-O-benzoate, 1- [9-n-butyl-6- (2-ethylbenzoyl) -9. H. -Carbazole-3-yl] -ethane-1-one oxime-O-benzoate, ethane-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydrofuranylbenzoyl) -9. H. -Carbazole-3-yl] -1- (O-acetyloxime), Etanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydropyranylbenzoyl) -9. H. -Carbazole-3-yl] -1- (O-acetyloxime), Etanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-5-tetrahydrofuranylbenzoyl) -9. H. -Carbazole-3-yl] -1- (O-acetyloxime), Etanone-1- [9-ethyl-6- {2-methyl-4- (2,2-dimethyl-1,3-dioxolanyl) methoxybenzoyl) } -9. H. -Carbazole-3-yl] -1- (O-acetyloxime) and the like can be mentioned.
(Acetophenone compound)
Examples of the acetophenone compound include α-aminoketone compounds and α-hydroxyketone compounds.
(Α-Aminoketone compound)
Examples of the α-aminoketone compound include 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butane-1-one and 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl) -1- (4). -Morpholine-4-yl-phenyl) -butane-1-one, 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropane-1-one and the like can be mentioned.
(Α-Hydroxyketone compound)
Examples of the α-hydroxyketone compound include 1-phenyl-2-hydroxy-2-methylpropane-1-one and 1- (4-i-propylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropane-1-one. , 4- (2-Hydroxyethoxy) phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone.
(Bimidazole compound)
Examples of the biimidazole compound include 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole and 2,2'-bis (2,). 4-Dichlorophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis (2,4,6-trichlorophenyl) -4,4', 5, Examples thereof include 5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole.

本実施形態の感放射線性樹脂組成物における(B2)重合開始剤の含有量としては、例えば、[A]重合体100質量部に対して1質量部以上40質量部以下とすることができる。(B2)重合開始剤の含有量をこのような範囲とすることで、本実施形態の感放射線性樹脂組成物は、低露光量であっても、高い耐溶媒性、硬度および密着性を有する硬化膜を形成することができる。 The content of the (B2) polymerization initiator in the radiation-sensitive resin composition of the present embodiment may be, for example, 1 part by mass or more and 40 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polymer [A]. (B2) By setting the content of the polymerization initiator in such a range, the radiation-sensitive resin composition of the present embodiment has high solvent resistance, hardness and adhesion even at a low exposure amount. A cured film can be formed.

[C]重合性不飽和化合物
本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物における[C]重合性不飽和化合物は、上述した[B]感放射線性化合物の存在下において放射線を照射することにより重合する不飽和化合物である。このような[C]重合性不飽和化合物としては、特に限定されるものではないが、例えば、単官能、2官能または3官能以上の(メタ)アクリル酸エステルが、重合性が良好であり、且つ形成される硬化膜の強度が向上する点から好ましい。
[C] Polymerizable unsaturated compound The [C] polymerizable unsaturated compound in the radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention is irradiated with radiation in the presence of the above-mentioned [B] radiation-sensitive compound. It is an unsaturated compound that polymerizes as a result. The [C] polymerizable unsaturated compound is not particularly limited, but for example, a monofunctional, bifunctional or trifunctional or higher (meth) acrylic acid ester has good polymerizable property. Moreover, it is preferable because the strength of the formed cured film is improved.

上記単官能(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、(2-(メタ)アクリロイルオキシエチル)(2-ヒドロキシプロピル)フタレート、ω―カルボキシポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート等を挙げることができる。これらの市販品としては、商品名で、例えば、アロニックス(登録商標)M-101、同M-111、同M-114、同M-5300(以上、東亞合成(株)製);KAYARAD(登録商標)TC-110S、同TC-120S(以上、日本化薬(株)製);ビスコート158、同2311(以上、大阪有機化学工業(株)製)等を挙げることができる。 Examples of the monofunctional (meth) acrylic acid ester include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, diethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, (2- (meth) acryloyloxyethyl) (2-hydroxypropyl) phthalate, and the like. Examples thereof include ω-carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate. These commercially available products include, for example, Aronix (registered trademark) M-101, M-111, M-114, M-5300 (all manufactured by Toagosei Co., Ltd.); KAYARAD (registered). Trademarks) TC-110S, TC-120S (above, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.); Viscort 158, 2311 (above, manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.) and the like.

上記2官能(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6-ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9-ノナンジオールジ(メタ)アクリレート等を挙げることができる。これらの市販品としては、商品名で、例えば、アロニックス(登録商標)M-210、同M-240、同M-6200(以上、東亞合成(株)製)、KAYARAD(登録商標)HDDA、同HX-220、同R-604(以上、日本化薬(株)製)、ビスコート260、同312、同335HP(以上、大阪有機化学工業(株)製)、ライトアクリレート1,9-NDA(共栄社化学(株)製)等を挙げることができる。 Examples of the bifunctional (meth) acrylic acid ester include ethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol diacrylate, and tetraethylene glycol di (meth). Examples thereof include acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, and 1,9-nonanediol di (meth) acrylate. These commercially available products include, for example, Aronix (registered trademark) M-210, M-240, M-6200 (all manufactured by Toagosei Co., Ltd.), KAYARAD (registered trademark) HDDA, and the same. HX-220, R-604 (above, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), Viscort 260, 312, 335HP (above, manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.), Light Acrylate 1,9-NDA (Kyoeisha) (Made by Chemical Co., Ltd.) and the like.

上記3官能以上の(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート;
ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレートとジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレートとの混合物;
エチレンオキサイド変性ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、トリ(2-(メタ)アクリロイルオキシエチル)フォスフェート、コハク酸変性ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、コハク酸変性ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、トリペンタエリスリトールヘプタ(メタ)アクリレート、トリペンタエリスリトールオクタ(メタ)アクリレート、イソシアヌル酸EO変性ジアクリレートとイソシアヌル酸EO変性トリアクリレートとの混合物;
直鎖アルキレン基および脂環式構造を有し且つ2個以上のイソシアネート基を有する化合物と、分子内に1個以上の水酸基を有し且つ3個、4個または5個の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物とを反応させて得られる多官能ウレタンアクリレート系化合物等を挙げることができる。
Examples of the trifunctional or higher (meth) acrylic acid ester include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, and dipentaerythritol penta (meth) acrylate. Dipentaerythritol hexa (meth) acrylate;
Mixture of dipentaerythritol penta (meth) acrylate and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate;
Ethylene oxide-modified dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, tri (2- (meth) acryloyloxyethyl) phosphate, succinic acid-modified pentaerythritol tri (meth) acrylate, succinic acid-modified dipentaerythritol penta (meth) acrylate, tri Pentaerythritol hepta (meth) acrylate, tripentaerythritol octa (meth) acrylate, a mixture of isocyanuric acid EO-modified diacrylate and isocyanuric acid EO-modified triacrylate;
A compound having a linear alkylene group and an alicyclic structure and having two or more isocyanate groups, and three, four or five (meth) acryloyloxy having one or more hydroxyl groups in the molecule. Examples thereof include a polyfunctional urethane acrylate compound obtained by reacting with a compound having a group.

上述した3官能以上の(メタ)アクリル酸エステルの市販品としては、商品名で、例えば、アロニックス(登録商標)M-309、同M-400、同M-405、同M-450、同M-7100、同M-8030、同M-8060、同TO-1450(以上、東亞合成(株)製)、KAYARAD(登録商標)TMPTA、同DPHA、同DPCA-20、同DPCA-30、同DPCA-60、同DPCA-120、同DPEA-12(以上、日本化薬(株)製)、ビスコート295、同300、同360、同GPT、同3PA、同400(以上、大阪有機化学工業(株)製)や、多官能ウレタンアクリレート系化合物を含有する市販品として、ニューフロンティア(登録商標)R-1150(第一工業製薬(株)製)、KAYARAD(登録商標)DPHA-40H(日本化薬(株)製)等を挙げることができる。 Commercially available products of the above-mentioned trifunctional or higher (meth) acrylic acid ester are trade names such as Aronix (registered trademark) M-309, M-400, M-405, M-450, and M. -7100, M-8030, M-8060, TO-1450 (all manufactured by Toa Synthetic Co., Ltd.), KAYARAD (registered trademark) TMPTA, DPHA, DPCA-20, DPCA-30, DPCA -60, DPCA-120, DPEA-12 (above, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), Viscort 295, 300, 360, GPT, 3PA, 400 (above, Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.) ), And as commercial products containing polyfunctional urethane acrylate compounds, New Frontier (registered trademark) R-1150 (manufactured by Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.), KAYARAD (registered trademark) DPHA-40H (Nippon Kayaku) (Made by Co., Ltd.) and the like.

これらのうち、特に、ω-カルボキシポリカプロラクトンモノアクリレート、1,9-ノナンジオールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート;
ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートとの混合物;
トリペンタエリスリトールヘプタ(メタ)アクリレートとトリペンタエリスリトールオクタ(メタ)アクリレートとの混合物;
エチレンオキサイド変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、多官能ウレタンアクリレート系化合物、コハク酸変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、コハク酸変性ジペンタエリスリトールペンタアクリレートを含有する市販品等が好ましい。
Of these, in particular, ω-carboxypolycaprolactone monoacrylate, 1,9-nonanediol dimethacrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate. ;
Mixture of dipentaerythritol pentaacrylate and dipentaerythritol hexaacrylate;
Mixture of tripentaerythritol hepta (meth) acrylate and tripentaerythritol octa (meth) acrylate;
Commercially available products containing ethylene oxide-modified dipentaerythritol hexaacrylate, polyfunctional urethane acrylate compounds, succinic acid-modified pentaerythritol triacrylate, and succinic acid-modified dipentaerythritol pentaacrylate are preferable.

上記のような[C]重合性不飽和化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。 The [C] polymerizable unsaturated compound as described above can be used alone or in combination of two or more.

本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物における[C]重合性不飽和化合物の使用割合は、[A]重合体100質量部に対して、好ましくは30質量部~250質量部であり、さらに好ましくは50質量部~200質量部である。[B]重合性不飽和単量体の使用割合を上記の範囲とすることにより、現像残差の問題を生じることなく、硬化膜を高い解像度で形成することができることができて好ましい。
(その他の任意成分)
本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物は、[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体および[B]感放射線性化合物に加え、または、[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体、[B]感放射線性化合物および[C]重合性不飽和化合物に加え、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、その他の任意成分を含有できる。ここで使用可能なその他の任意成分としては、例えば、[D]接着助剤、[E]界面活性剤、[F]重合禁止剤等を挙げることができる。その他の任意成分は、2種以上を混合して使用してもよい。以下、各任意成分について記載する。
The proportion of the [C] polymerizable unsaturated compound used in the radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention is preferably 30 parts by mass to 250 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the [A] polymer. Yes, more preferably 50 parts by mass to 200 parts by mass. [B] By setting the ratio of the polymerizable unsaturated monomer in the above range, it is possible to form a cured film with high resolution without causing a problem of development residue, which is preferable.
(Other optional ingredients)
The radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention is added to or [A] a polymer containing a structural unit having an acidic group or a protected acidic group and [B] a radiation-sensitive compound. ] In addition to polymers containing acidic groups or structural units having protected acidic groups, [B] radiosensitive compounds and [C] polymerizable unsaturated compounds, as required to the extent that the effects of the present invention are not impaired. And other optional ingredients can be contained. Examples of other optional components that can be used here include [D] an adhesive aid, [E] a surfactant, and [F] a polymerization inhibitor. Other optional components may be used as a mixture of two or more. Hereinafter, each optional component will be described.

[D]接着助剤
上記[D]接着助剤は、形成される硬化膜と基板との接着性をさらに向上するために使用することができる。このような[D]接着助剤としては、上記化合物(a3)と同じものを使用することができるほか、トリメトキシシリル安息香酸、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ-イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ-クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等を使用することができる。本実施形態の感放射線性樹脂組成物における[D]接着助剤の使用割合は、[A]重合体100質量部に対して、好ましくは20質量部以下であり、より好ましくは1質量部~10質量部である。[D]接着助剤の含有割合を上記の範囲とすることにより、形成される硬化膜と基板との密着性が効果的に改善される。
[D] Adhesive Aid The above [D] Adhesive Aid can be used to further improve the adhesiveness between the cured film to be formed and the substrate. As such [D] adhesion aid, the same as the above compound (a3) can be used, as well as trimethoxysilyl benzoic acid, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, and γ-isoxapropyltriethoxy. Silane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, γ-chloropropyltrialkoxysilane, γ-mercaptopropyltrialkoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl Trimethoxysilane or the like can be used. The proportion of the [D] adhesive aid used in the radiation-sensitive resin composition of the present embodiment is preferably 20 parts by mass or less, more preferably 1 part by mass or more, based on 100 parts by mass of the [A] polymer. It is 10 parts by mass. [D] By setting the content ratio of the adhesive aid in the above range, the adhesion between the formed cured film and the substrate is effectively improved.

[E]界面活性剤
上記[E]界面活性剤としては、例えば、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等を挙げることができる。本実施形態の感放射線性樹脂組成物における[E]界面活性剤の使用割合は、[A]重合体100質量部に対して、好ましくは1質量部以下であり、より好ましくは0.01質量部~0.6質量部である。
[E] Surfactant Examples of the above-mentioned [E] surfactant include a fluorine-based surfactant and a silicone-based surfactant. The ratio of the [E] surfactant used in the radiation-sensitive resin composition of the present embodiment is preferably 1 part by mass or less, more preferably 0.01 part by mass, with respect to 100 parts by mass of the [A] polymer. Parts to 0.6 parts by mass.

[F]重合禁止剤
上記[F]重合禁止剤は、露光若しくは加熱によって発生したラジカルを捕捉し、または酸化によって生成した過酸化物を分解することにより、[A]重合体の分子の開裂を抑制する成分である。本実施形態の感放射線性樹脂組成物が[F]重合禁止剤を含有することにより、形成される硬化膜中の重合体分子の解裂劣化が抑制されることから、得られる硬化膜において、例えば、耐光性等を向上させることができる。
[F] Polymerization inhibitor The above-mentioned [F] polymerization inhibitor cleaves the molecule of the [A] polymer by capturing radicals generated by exposure or heating, or by decomposing the peroxide generated by oxidation. It is a component that suppresses. Since the radiation-sensitive resin composition of the present embodiment contains the [F] polymerization inhibitor, the rupture deterioration of the polymer molecules in the formed cured film is suppressed, so that the cured film obtained can be obtained. For example, light resistance and the like can be improved.

このような[F]重合禁止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、アルキルホスファイト化合物、チオエーテル化合物等を挙げることができるが、これらのうちのヒンダードフェノール化合物を好ましく使用することができる。 Examples of such [F] polymerization inhibitor include hindered phenol compounds, hindered amine compounds, alkyl phosphite compounds, thioether compounds and the like, and among these, the hindered phenol compound is preferably used. Can be done.

上記ヒンダードフェノール化合物としては、例えば、ペンタエリスリトールテトラキス[3-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、チオジエチレンビス[3-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、オクタデシル-3-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート、トリス-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシベンジル)-イソシアヌレイト、1,3,5-トリメチル-2,4,6-トリス(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシベンジル)ベンゼン、N,N’-ヘキサン-1,6-ジイルビス[3-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオンアミド)]、3,3’,3’,5’,5’-ヘキサ-tert-ブチル-a,a’,a’-(メシチレン-2,4,6-トリイル)トリ-p-クレゾール、4,6-ビス(オクチルチオメチル)-o-クレゾール、4,6-ビス(ドデシルチオメチル)-o-クレゾール、エチレンビス(オキシエチレン)ビス[3-(5-tert-ブチル-4-ヒドロキシ-m-トリル)プロピオネート]、ヘキサメチレンビス[3-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,3,5-トリス[(4-tert-ブチル-3-ヒドロキシ-2,6-キシリル)メチル]-1,3,5-トリアジン-2,4,6(1H,3H,5H)-トリオン、2,6-ジ-tert-ブチル-4-[4,6-ビス(オクチルチオ)-1,3,5-トリアジン-2-イルアミン]フェノール等を挙げることができる。 Examples of the hindered phenol compound include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] and thiodiethylenebis [3- (3,5-di-tert-). Butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], octadecyl-3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, tris- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -Isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, N, N'-hexane-1,6-diylbis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenylpropionamide)], 3,3', 3', 5', 5'-hex-tert-butyl-a, a', a' -(Mesitylen-2,4,6-triyl) tri-p-cresol, 4,6-bis (octylthiomethyl) -o-cresol, 4,6-bis (dodecylthiomethyl) -o-cresol, ethylene bis (Oxyethylene) bis [3- (5-tert-butyl-4-hydroxy-m-tolyl) propionate], hexamethylene bis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] , 1,3,5-Tris [(4-tert-butyl-3-hydroxy-2,6-kisilyl) methyl] -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H)- Trion, 2,6-di-tert-butyl-4- [4,6-bis (octylthio) -1,3,5-triazine-2-ylamine] phenol and the like can be mentioned.

これらの市販品としては、例えば、アデカスタブ(登録商標)AO-20、同AO-30、同AO-40、同AO-50、同AO-60、同AO-70、同AO-80、同AO-330(以上、(株)ADEKA製)、sumilizer(登録商標)GM、同GS、同MDP-S、同BBM-S、同WX-R、同GA-80(以上、住友化学(株)製)、IRGANOX(登録商標)1010、同1035、同1076、同1098、同1135、同1330、同1726、同1425WL、同1520L、同245、同259、同3114、同565、IRGAMOD295(以上、BASF社製)、ヨシノックス(登録商標)BHT、同BB、同2246G、同425、同250、同930、同SS、同TT、同917、同314(以上、(株)エーピーアイコーポレーション製)等を挙げることができる。 Examples of these commercially available products include ADEKA STAB (registered trademark) AO-20, AO-30, AO-40, AO-50, AO-60, AO-70, AO-80, and AO. -330 (above, manufactured by ADEKA Corporation), sumilizer (registered trademark) GM, GS, MDP-S, BBM-S, WX-R, GA-80 (above, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) ), IRGANOX (registered trademark) 1010, 1035, 1076, 1098, 1135, 1330, 1726, 1425WL, 1520L, 245, 259, 3114, 565, IRGAMOD295 (above, BASF). , Yoshinox (registered trademark) BHT, BB, 2246G, 425, 250, 930, SS, TT, 917, 314 (all manufactured by AP Corporation), etc. Can be mentioned.

本実施形態における[F]重合禁止剤としては、上記のうちのペンタエリスリトールテトラキス[3-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]およびトリス-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシベンジル)-イソシアヌレイトよりなる群から選択される1種以上を使用することが好ましい。 Examples of the [F] polymerization inhibitor in the present embodiment include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] and tris- (3,5-di) among the above. It is preferable to use one or more selected from the group consisting of -tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate.

[F]重合禁止剤の含有割合は、[A]重合体100質量部に対して、10質量部以下とすることが好ましく、0.1質量部~5質量部とすることがより好ましい。この範囲の含有割合とすることにより、本発明の効果を阻害することなく、硬化膜の開裂劣化を効果的に抑制することができる。
(感放射線性樹脂組成物の調製)
次に、本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物の調製について説明する。
The content ratio of the [F] polymerization inhibitor is preferably 10 parts by mass or less, and more preferably 0.1 parts by mass to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer [A]. By setting the content ratio in this range, the cleavage deterioration of the cured film can be effectively suppressed without impairing the effect of the present invention.
(Preparation of radiation-sensitive resin composition)
Next, the preparation of the radiation-sensitive resin composition according to the third embodiment of the present invention will be described.

本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物は、[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体および[B]感放射線性化合物に加え、または、[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体、[B]感放射線性化合物および[C]重合性不飽和化合物に加え、必要に応じて、[E]界面活性剤等のその他の任意成分を混合して調製される。このとき、液状の感放射線性樹脂組成物を調製するため、有機溶剤を用いることができる。有機溶剤は、単独で、または、2種以上を混合して使用できる。 The radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention is added to or [A] a polymer containing a structural unit having an acidic group or a protected acidic group and [B] a radiation-sensitive compound. ] In addition to polymers containing acidic groups or structural units having protected acidic groups, [B] radiosensitive compounds and [C] polymerizable unsaturated compounds, and if necessary, [E] surfactants and the like. It is prepared by mixing any other components. At this time, an organic solvent can be used to prepare a liquid radiation-sensitive resin composition. The organic solvent can be used alone or in combination of two or more.

有機溶剤の機能としては、感放射線性樹脂組成物の粘度等を調節して、例えば、基板等への塗布性を向上させることのほか、操作性、成形性を向上させること等が挙げられる。有機溶剤等の含有によって実現される感放射線性樹脂組成物の粘度としては、例えば、0.1mPa・s~50000mPa・s(25℃)が好ましく、より好ましくは、0.5mPa・s~10000mPa・s(25℃)である。 Functions of the organic solvent include, for example, improving the applicability to a substrate and the like by adjusting the viscosity of the radiation-sensitive resin composition, and improving operability and moldability. The viscosity of the radiation-sensitive resin composition realized by the inclusion of an organic solvent or the like is preferably, for example, 0.1 mPa · s to 50,000 mPa · s (25 ° C.), and more preferably 0.5 mPa · s to 10,000 mPa ·. s (25 ° C.).

本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物に使用可能な有機溶剤としては、他の含有成分を溶解または分散させるとともに、他の含有成分と反応しないものを挙げることができる。 Examples of the organic solvent that can be used in the radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention include those that dissolve or disperse other contained components and do not react with other contained components.

例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール等のアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、γ-ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、メチル-3-メトキシプロピオネート等のエステル類;ポリオキシエチレンラウリルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル等のエーテル類;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等のアミド類等が挙げられる。 For example, alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, butanol, octanol; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone; ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate, γ-butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene. Esters such as glycol monoethyl ether acetate and methyl-3-methoxypropionate; ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, ethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol methyl ethyl ether; benzene, Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; amides such as dimethylformamide, dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone can be mentioned.

本発明の第3実施形態の感放射線性樹脂組成物において用いられる有機溶剤の含有量は、粘度等を考慮して適宜決めることができる。 The content of the organic solvent used in the radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention can be appropriately determined in consideration of viscosity and the like.

以下、実施例に基づき本発明の実施形態を詳述するが、この実施例によって本発明が限定的に解釈されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail based on examples, but the present invention is not limitedly interpreted by these examples.

[合成例1]
<[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体([A]重合体)の合成(1)>
冷却管および撹拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル4質量部およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート190質量部を仕込み、引き続きメタクリル酸55質量部、メタクリル酸ベンジル45質量部、並びに分子量調節剤としてのα-メチルスチレンダイマー2質量部を仕込み、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を80℃に上昇し、この温度を4時間保持した後、100℃に上昇させ、この温度を1時間保持して重合することにより共重合体を含有する溶液を得た。次いで、この共重合体を含む溶液に、テトラブチルアンモニウムブロミド1.1質量部、重合禁止剤としての4-メトキシフェノール0.05質量部を加え、空気雰囲気下90℃で30分間攪拌後、メタクリル酸グリシジル74質量部を入れて90℃のまま10時間反応させることにより、重合体(A-1)を得た(固形分濃度=35.0%)。重合体(A-1)の重量平均分子量Mwは、9000であった。
[Synthesis Example 1]
<Synthesis of a polymer ([A] polymer) containing a structural unit having an acidic group or a protected acidic group (1)>
A flask equipped with a cooling tube and a stirrer was charged with 4 parts by mass of 2,2'-azobisisobutyronitrile and 190 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate, followed by 55 parts by mass of methacrylic acid and 45 parts by mass of benzyl methacrylate. , And 2 parts by mass of α-methylstyrene dimer as a molecular weight regulator, and while gently stirring, raise the temperature of the solution to 80 ° C., hold this temperature for 4 hours, and then raise it to 100 ° C. A solution containing a copolymer was obtained by polymerizing at a temperature maintained for 1 hour. Next, 1.1 parts by mass of tetrabutylammonium bromide and 0.05 parts by mass of 4-methoxyphenol as a polymerization inhibitor were added to the solution containing this copolymer, and the mixture was stirred at 90 ° C. for 30 minutes under an air atmosphere and then methacrylic acid. A polymer (A-1) was obtained by adding 74 parts by mass of glycidyl acid acid and reacting at 90 ° C. for 10 hours (solid content concentration = 35.0%). The weight average molecular weight Mw of the polymer (A-1) was 9000.

[合成例2]
<[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体([A]重合体)の合成(2)>
冷却管および攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル5質量部および酢酸3-メトキシブチル250質量部を仕込み、さらにメタクリル酸18質量部、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02.6]デカン-8-イル25質量部、スチレン5部、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン20質量部およびメタクリル酸グリシジル32質量部を仕込んで窒素置換した後、緩やかに撹拌しつつ、溶液の温度を80℃に上昇した。この温度を5時間保持して重合することにより重合体(A-2)を28.8質量%含有する溶液を得た。この重合体(A-2)のMwは、12000であった。
[Synthesis Example 2]
<Synthesis of a polymer ([A] polymer) containing a structural unit having an acidic group or a protected acidic group (2)>
A flask equipped with a cooling tube and a stirrer was charged with 5 parts by mass of 2,2'-azobisisobutyronitrile and 250 parts by mass of 3-methoxybutyl acetate, and further charged with 18 parts by mass of methacrylic acid and tricyclomethacrylate [5.2]. 1.02.6] 25 parts by mass of decane-8-yl, 5 parts by mass of styrene, 20 parts by mass of 3-acryloxypropyltrimethoxysilane and 32 parts by mass of glycidyl methacrylate were charged and replaced with nitrogen, and then gently stirred. At the same time, the temperature of the solution was raised to 80 ° C. By maintaining this temperature for 5 hours and polymerizing, a solution containing 28.8% by mass of the polymer (A-2) was obtained. The Mw of this polymer (A-2) was 12000.

[合成例3]
<[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体([A]重合体)の合成(3)>
冷却管、攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス(2,4-ジメチルバレロニトリル)7重量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200重量部を仕込んだ。引き続き1-(シクロヘキシルオキシ)エチルメタクリレート40重量部、スチレン5重量部、メタクリル酸グリシジル45重量部、2-ヒドロキシエチルメタクリレート10重量部およびα-メチルスチレンダイマー3重量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体(A-3)を含む重合体溶液を得た。共重合体(A-3)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は11,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、31.6重量%であった。
[Synthesis Example 3]
<Synthesis of a polymer ([A] polymer) containing a structural unit having an acidic group or a protected acidic group (3)>
A flask equipped with a cooling tube and a stirrer was charged with 7 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by weight of diethylene glycol ethylmethyl ether. Subsequently, 40 parts by weight of 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate, 5 parts by weight of styrene, 45 parts by weight of glycidyl methacrylate, 10 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate and 3 parts by weight of α-methylstyrene dimer were charged and replaced with nitrogen, and then slowly. Started stirring. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the copolymer (A-3). The polystyrene-equivalent weight average molecular weight (Mw) of the copolymer (A-3) was 11,000. The solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.6% by weight.

[実施例1]
<ネガ型感放射線性樹脂組成物の調製>
[A]重合体として上記合成例1で得られた重合体(A-1)を含有する溶液を固形分換算で100質量部、[B]感放射線性化合物としての重合開始剤として下記の(B-1)10質量部、[C]重合性不飽和化合物として下記の(C-1)100質量部、を混合し、固形分濃度が30質量%となるように溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えた後、孔径0.5μmのミリポアフィルタでろ過することにより、実施例1の感放射線性樹脂組成物を調製した。
[Example 1]
<Preparation of Negative Radiation Sensitive Resin Composition>
[A] The solution containing the polymer (A-1) obtained in Synthesis Example 1 as a polymer is 100 parts by mass in terms of solid content, and [B] the following (B) as a polymerization initiator as a radiation-sensitive compound. B-1) 10 parts by mass and [C] 100 parts by mass of the following (C-1) as a polymerizable unsaturated compound are mixed, and propylene glycol monomethyl ether acetate is used as a solvent so that the solid content concentration becomes 30% by mass. Was added, and the mixture was filtered through a millipore filter having a pore size of 0.5 μm to prepare a radiation-sensitive resin composition of Example 1.

[実施例2]
<ポジ型感放射線性樹脂組成物の調製>
[A]重合体として上記合成例2で得られた重合体(A-2)を含有する溶液を固形分換算で100質量部、[B]感放射線性化合物としてのキノンジアジド化合物として下記の(B-2)30質量部を混合し、固形分濃度が30質量%となるように溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えた後、孔径0.5μmのミリポアフィルタでろ過することにより、実施例2の感放射線性樹脂組成物を調製した。
[Example 2]
<Preparation of positive radiation-sensitive resin composition>
[A] A solution containing the polymer (A-2) obtained in Synthesis Example 2 as a polymer is 100 parts by mass in terms of solid content, and [B] a quinonediazide compound as a radiation-sensitive compound is described below (B). -2) 30 parts by mass are mixed, propylene glycol monomethyl ether acetate is added as a solvent so that the solid content concentration becomes 30% by mass, and then the mixture is filtered through a millipore filter having a pore size of 0.5 μm. A radiation-sensitive resin composition was prepared.

[実施例3]
<ポジ型感放射線性樹脂組成物の調製>
上記合成例3で合成した(A)成分として重合体(A-3)を含有する溶液を、共重合体(A-3)100重量部(固形分)に相当する量、および(B)成分として4,7― ジ― n― ブトキシ― 1― ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート(B-3)5重量部を、固形分濃度が30重量%となるようにジエチレングリコールメチルエチルエーテルに溶解させた後、孔径0.5μmのミリポアフィルタでろ過することにより、実施例3の感放射線性樹脂組成物を調製した。
[Example 3]
<Preparation of positive radiation-sensitive resin composition>
A solution containing the polymer (A-3) as the component (A) synthesized in Synthesis Example 3 in an amount corresponding to 100 parts by weight (solid content) of the copolymer (A-3) and the component (B). As a result, 5 parts by weight of 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate (B-3) was dissolved in diethylene glycol methyl ethyl ether so that the solid content concentration was 30% by weight. Then, the radiation-sensitive resin composition of Example 3 was prepared by filtering with a millipore filter having a pore size of 0.5 μm.

実施例1~3で用いた各成分の詳細を以下に示す。 Details of each component used in Examples 1 to 3 are shown below.

[B]感放射線性化合物
B-1:1,2-オクタンジオン-1-[4-(フェニルチオ)-2-(O-ベンゾイルオキシム)](イルガキュア(登録商標)OXE01、BASF社製)
B-2:4,4’-〔1-〔4-〔1-〔4-ヒドロキシフェニル〕-1-メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノール(1.0モル)と1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロリド(2.0モル)との縮合物
[C]重合性不飽和化合物
C-1:ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートとの混合物(KAYARAD(登録商標) DPHA、日本化薬(株)製)
[実施例4]
実施例1で調整した感放射線性組成物を用いて前記被塗布基板上にその感放射線性樹脂組成物の塗膜を形成した後、ハーフトーンマスクを用いてその塗膜に放射線を照射した。次いで、放射線が照射された塗膜を現像し、現像後の塗膜を加熱し、CF4ガスを含むガスを用いてドライエッチングし、さらにO2ガスを含むガスでエッチングすることによって、所定の領域に、樹脂透明構造物および貫通するコンタクトホールが形成された膜を形成することができた。
これは、図53)に相当する構造体とすることができる。
[B] Radiation-sensitive compound B-1: 1,2-octanedione-1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)] (Irgacure (registered trademark) OXE01, manufactured by BASF)
B-2: 4,4'-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (1.0 mol) and 1,2-naphthoquinonediazide-5 -Condensate with sulfonic acid chloride (2.0 mol) [C] Polymerizable unsaturated compound C-1: Mixture of dipentaerythritol pentaacrylate and dipentaerythritol hexaacrylate (KAYARAD® DPHA, Japan) Made by Yaku Co., Ltd.)
[Example 4]
After forming a coating film of the radiation-sensitive resin composition on the substrate to be coated using the radiation-sensitive composition prepared in Example 1, the coating film was irradiated with radiation using a halftone mask. Next, the coating film irradiated with radiation is developed, the developed coating film is heated, dry etching is performed with a gas containing CF4 gas, and further etching is performed with a gas containing O2 gas to obtain a predetermined region. , A film in which a transparent resin structure and a penetrating contact hole were formed could be formed.
This can be a structure corresponding to FIG. 53).

[実施例5,6]
実施例2,3で調整した感放射線性組成物を用いて、実施例4と同様な工程を行うことにより、所定の領域に、樹脂透明構造物および貫通するコンタクトホールが形成された膜を形成することができた。
これらは、図53)に相当する構造体とすることができる。
[Examples 5 and 6]
By performing the same steps as in Example 4 using the radiation-sensitive composition prepared in Examples 2 and 3, a film in which a resin transparent structure and a penetrating contact hole are formed is formed in a predetermined region. We were able to.
These can be structures corresponding to FIG. 53).

本実施例の組成物用いて所定のプロセスを経ることにより、データ配線の上方に樹脂透明構造物を有するADSモードの液晶表示素子に好適な構造体を形成することができ、これを用いてデータ配線の上方に樹脂透明構造物を有するADSモードの液晶表示素子を得ることができる。 By going through a predetermined process using the composition of this example, a structure suitable for an ADS mode liquid crystal display element having a resin transparent structure above the data wiring can be formed, and data can be formed using this structure. It is possible to obtain an ADS mode liquid crystal display element having a resin transparent structure above the wiring.

1:第1の基板、2:第2の基板、3:データ配線、4:ソース/ドレイン電極、5:ゲート電極、6:画素電極、7:ガラス基板、8:共有電極、9:ゲート絶縁膜、10、パッシベーション膜、11:カラーフィルタ、12:ブラックマトリックス、13:液晶、14:発生した電場のイメージ、15:ブラックポストスペーサー、16:樹脂透明構造物
1: 1st substrate 2: 2nd substrate 3: Data wiring 4: Source / drain electrode 5: Gate electrode, 6: Pixel electrode, 7: Glass substrate, 8: Shared electrode, 9: Gate insulation Film 10, Passion film, 11: Color filter, 12: Black matrix, 13: Liquid crystal display, 14: Image of generated electric field, 15: Black post spacer, 16: Resin transparent structure

Claims (11)

対向配置された第1の基板および第2の基板の間に液晶を挟持してなるADS(Advanced-super dimension switch)モードの液晶表示素子であって、
前記第1の基板はデータ配線の上方に樹脂透明構造物を有し、
前記第2の基板はカラーフィルタを有することを特徴とするADSモードの液晶表示素子。
A liquid crystal display element in ADS (Advanced-superdimination switch) mode in which a liquid crystal display is sandwiched between a first substrate and a second substrate arranged to face each other.
The first substrate has a transparent resin structure above the data wiring.
The second substrate is an ADS mode liquid crystal display element having a color filter.
(1)前記第1の基板上に感放射線性樹脂組成物の塗膜を形成する塗膜形成工程、
(2)前記塗膜にハーフトーンマスクおよびグレートーンマスクから選ばれる少なくとも一方を用いて放射線を照射する露光工程、
(3)前記放射線が照射された塗膜を現像する現像工程、および
(4)前記現像された塗膜を加熱する加熱工程
を有し、前記第1の基板の上に、データ配線直上が他所よりも膜厚が厚く、かつ一部のソース/ドレイン電極上に開口パターンを有する透明樹脂膜を形成することを特徴とする請求項1に記載のADSモードの液晶表示素子の製造方法。
(1) A coating film forming step of forming a coating film of a radiation-sensitive resin composition on the first substrate,
(2) An exposure step of irradiating the coating film with radiation using at least one selected from a halftone mask and a gray tone mask.
It has a developing step of (3) developing the coating film irradiated with the radiation, and (4) a heating step of heating the developed coating film, and is placed on the first substrate and directly above the data wiring. The method for manufacturing an ADS mode liquid crystal display element according to claim 1, wherein a transparent resin film having a thicker film thickness and having an opening pattern on a part of the source / drain electrodes is formed.
さらに、(5)前記加熱された塗膜を有する基板をドライエッチングおよびウェットエッチングから選ばれる少なくとも一方を用いてエッチングするエッチング工程、を有することを特徴とする請求項2に記載のADSモードの液晶表示素子の製造方法。 The liquid crystal display in the ADS mode according to claim 2, further comprising (5) an etching step of etching the substrate having the heated coating film using at least one selected from dry etching and wet etching. Manufacturing method of display element. さらに、(6)前記基板上のハーフトーンおよびグレートーンマスクから選ばれる少なくとも一方を用いて放射線を照射された箇所の膜について、ドライエッチングおよび塩基性薬剤処理から選ばれる少なくとも一方を用いて、当該箇所の膜を除去する工程、
を有することを特徴とする請求項3に記載のADSモードの液晶表示素子の製造方法。
Further, (6) the film at the site irradiated with at least one selected from the halftone and gray tone masks on the substrate is subjected to the said using at least one selected from dry etching and basic chemical treatment. The process of removing the film at the site,
3. The method for manufacturing a liquid crystal display element in the ADS mode according to claim 3.
前記(2)露光工程では、前記ハーフトーンマスクおよびグレートーンマスクから選ばれる少なくとも一方を用いて放射線を照射し、前記感放射線性樹脂組成物の塗膜に、該放射線の照射量が異なる少なくとも2つの部分を設け、
前記(3)現像工程および前記(4)加熱工程によって、前記(2)露光工程の少なくとも2つの部分のうちの1つの部分がデータ配線直上に他所よりも膜厚が厚い樹脂構造物を形成し、同時に少なくとも2つの部分のうちの、別のもう1つの部分が一部のソース/ドレイン電極上に開口パターンを形成することを特徴とする請求項2~4のいずれか1項に記載のADSモードの液晶表示素子の製造方法。
In the (2) exposure step, radiation is irradiated using at least one selected from the halftone mask and the gray tone mask, and the coating film of the radiation-sensitive resin composition is irradiated with at least two different amounts of the radiation. With two parts,
By the (3) developing step and the (4) heating step, one part of at least two parts of the (2) exposure step forms a resin structure having a thickness thicker than the other parts directly above the data wiring. The ADS according to any one of claims 2 to 4, wherein another portion of at least two portions simultaneously forms an opening pattern on some source / drain electrodes. A method for manufacturing a mode liquid crystal display element.
前記感放射線性樹脂組成物は、
[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体、および
[B]感放射線性化合物
を含有することを特徴とする請求項2~5のいずれか1項に記載のADSモードの液晶表示素子の製造方法。
The radiation-sensitive resin composition is
[A] The ADS according to any one of claims 2 to 5, which contains a polymer containing a structural unit having an acidic group or a protected acidic group, and [B] a radiation-sensitive compound. A method for manufacturing a mode liquid crystal display element.
[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体が、さらに架橋性基を有することを特徴とする請求項6に記載のADSモードの液晶表示素子の製造方法。 [A] The method for producing an ADS mode liquid crystal display element according to claim 6, wherein the polymer containing a structural unit having an acidic group or a protected acidic group further has a crosslinkable group. [B]感放射線性化合物が、酸発生剤、重合開始剤またはこれらの組み合わせであることを特徴とする請求項6または7に記載のADSモードの液晶表示素子の製造方法。 [B] The method for manufacturing an ADS mode liquid crystal display element according to claim 6 or 7, wherein the radiation-sensitive compound is an acid generator, a polymerization initiator, or a combination thereof. 対向配置された第1の基板および第2の基板の間に液晶を挟持してなるADSモードの液晶表示素子であって、
前記第1の基板はデータ配線の上方に樹脂透明構造物を有し、
前記第2の基板はカラーフィルタを有する液晶表示素子の前記樹脂透明構造物をハーフトーンマスクおよびグレートーンマスクから選ばれる少なくとも一方を用いた放射線の照射によって形成するのに用いられる感放射線性樹脂組成物であって、
[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体、および
[B]感放射線性化合物
を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
An ADS mode liquid crystal display element in which a liquid crystal display is sandwiched between a first substrate and a second substrate arranged to face each other.
The first substrate has a transparent resin structure above the data wiring.
The second substrate is a radiation-sensitive resin composition used for forming the resin transparent structure of a liquid crystal display element having a color filter by irradiation with radiation using at least one selected from a halftone mask and a gray tone mask. It ’s a thing,
[A] A radiation-sensitive resin composition comprising a polymer containing a structural unit having an acidic group or a protected acidic group, and [B] a radiation-sensitive compound.
[A]酸性基または保護された酸性基を有する構造単位を含む重合体が、さらに架橋性基を有することを特徴とする請求項9に記載の感放射線性樹脂組成物。 [A] The radiation-sensitive resin composition according to claim 9, wherein the polymer containing a structural unit having an acidic group or a protected acidic group further has a crosslinkable group. [B]感放射線性化合物が、酸発生剤、重合開始剤またはこれらの組み合わせであることを特徴とする請求項9または10に記載の感放射線性樹脂組成物。
[B] The radiation-sensitive resin composition according to claim 9 or 10, wherein the radiation-sensitive compound is an acid generator, a polymerization initiator, or a combination thereof.
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