KR20160100234A - Coating film forming method, coating film forming apparatus and storage medium - Google Patents

Coating film forming method, coating film forming apparatus and storage medium Download PDF

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Abstract

When various parameters for adjusting a film thickness of a coating film are adjusted, a deviation of a parameter value for each adjusting work is limited, and each parameter value is set to a proper range. A coating film forming method according to the present invention comprises the following processes of: forming a coating film based on a recipe including a first parameter and a second parameter for adjusting a film thickness distribution, and acquiring a film thickness distribution of a first coating film; approximating the film thickness distribution of the first coating film to a linear function which represents a relation between a location of a substrate and a film thickness, and changing the first parameter based on a corresponding function; forming a coating film on the substrate based on the recipe changed by a first change process, and acquiring a film thickness distribution of a second coating film with respect to the corresponding substrate; and approximating the film thickness distribution of the second coating film to a quadratic function which represents a relation between a location of the substrate and a film thickness and is greater than the linear function, and changing the second parameter based on a corresponding function.

Description

도포막 형성 방법, 도포막 형성 장치 및 기억 매체 {COATING FILM FORMING METHOD, COATING FILM FORMING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a coating film forming method, a coating film forming apparatus,

본 발명은, 기판에 약액을 공급해서 도포막을 형성하는 도포막 형성 장치, 도포막 형성 방법 및 기억 매체에 관한 것이다. The present invention relates to a coating film forming apparatus, a coating film forming method, and a storage medium for forming a coating film by supplying a chemical solution to a substrate.

반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 기재함)에 레지스트 등의 각종 약액을 공급해서 도포막이 형성된다. 이 도포막의 형성을 행하는 도포막 형성 장치에 있어서는, 회전하는 웨이퍼의 중심부에 노즐로부터 약액을 토출하고, 원심력에 의해 당해 중심부로부터 주연부로 신전시키는, 소위 스핀 코팅에 의한 성막이 행해진다. In a photolithography process in a semiconductor device manufacturing process, a coating film is formed by supplying various chemical solutions such as a resist to a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer). In the coating film forming apparatus for forming the coating film, film formation is performed by so-called spin coating in which a chemical liquid is ejected from a nozzle to the center of a rotating wafer and is expanded from the central portion to the periphery by centrifugal force.

상기의 도포막 형성 장치에 있어서, 반도체 디바이스를 제조하기 위해 웨이퍼에 처리를 행하기 전에, 웨이퍼의 면 내 각 부에 있어서의 도포막의 막 두께가 목표값에 일치 내지는 대략 일치하도록, 작업원에 의해 각종 파라미터의 조정 작업이 행해진다. 이 조정 작업은, 파라미터 값을 변경해서 도포막을 형성할 때마다, 막 두께 측정기에 의해 도포막의 막 두께를 측정함으로써 행해진다. In the above-mentioned coating film forming apparatus, before the wafer is processed to produce a semiconductor device, the film thickness of the coated film in each of the in-plane portions of the wafer is adjusted by the operator Adjustment of various parameters is performed. This adjustment work is performed by measuring the film thickness of the coating film by a film thickness measuring instrument every time the coating film is formed by changing the parameter value.

그러나 발명의 실시 형태에서도 나타내는 바와 같이, 이 막 두께를 조정하기 위한 파라미터는, 예를 들어, 웨이퍼의 온도, 약액의 온도, 약액의 토출 시간, 약액 토출 시의 웨이퍼의 회전수 등, 다수 존재한다. 그로 인해 각 조정 작업에 의해 막 두께의 목표값이 동일해도, 조정된 파라미터의 각 값이 작업마다 다른 경우가 있다. 그리고, 실제로 반도체 디바이스를 양산하기 위해 도포막 형성 장치를 운용하는 데 있어서는, 파라미터 값에는 적정한 범위가 있고, 적정한 범위를 일탈한 값이 설정되면, 웨이퍼의 각 부에 있어서의 막 두께의 편차가 커지거나, 목표값으로부터의 어긋남이 커지게 될 우려가 있다. 작업원이 장치의 기술에 대해 숙지하고 있지 않으면, 그와 같이 적정한 범위로부터 벗어난 값의 파라미터가 설정되어 버릴 염려가 있어, 개선이 요구되고 있었다. 특허문헌 1에는, 상기의 조정 작업에 있어서 웨이퍼의 회전수를 자동으로 설정하는 기술에 대해 기재되어 있지만, 상기와 같이 파라미터는 다양하고, 앞에서 설명한 문제를 해결하기 위해서는 불충분하다.However, as shown in the embodiments of the present invention, there are many parameters for adjusting the film thickness, such as the temperature of the wafer, the temperature of the chemical liquid, the discharge time of the chemical liquid, and the number of rotations of the wafer at the time of discharging the chemical liquid . Therefore, even if the target value of the film thickness is the same by each adjustment operation, each value of the adjusted parameter may be different for each operation. Actually, in operating the coating film forming apparatus for mass production of a semiconductor device, there is an appropriate range of parameter values, and when a value deviating from an appropriate range is set, a variation in film thickness in each part of the wafer becomes large Or the deviation from the target value may increase. If the operator is not familiar with the technique of the apparatus, the parameter whose value deviates from the appropriate range may be set, and improvement has been demanded. Patent Document 1 describes a technique for automatically setting the number of rotations of the wafer in the above adjustment operation. However, as described above, the parameters are various and insufficient to solve the above-described problems.

일본 특허 공개 제2002-141273호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2002-141273

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 기판에 약액을 공급해서 도포막을 형성하는 도포막 형성 장치에 있어서, 도포막의 막 두께를 조정하기 위한 각종 파라미터를 조정하는 데 있어서, 조정 작업마다의 파라미터 값의 편차를 억제함과 함께 각 파라미터 값을 적정한 범위 내로 설정할 수 있는 기술을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide a coating film forming apparatus for forming a coating film by supplying a chemical solution to a substrate, And to set each parameter value within an appropriate range.

본 발명의 도포막 형성 방법은, 회전하는 기판의 중심부에 약액을 공급하고, 당해 약액을 원심력에 의해 상기 기판의 주연부로 확산해서 도포막을 형성하는 도포막 형성 방법에 있어서, A coating film forming method of the present invention is a coating film forming method for forming a coating film by supplying a chemical solution to a central portion of a rotating substrate and diffusing the chemical solution to a periphery of the substrate by centrifugal force,

상기 기판의 면 내에 있어서의 상기 도포막의 막 두께 분포를 조정하기 위한 제1 파라미터 및 제2 파라미터를 포함하는 레시피에 기초하여 상기 도포막을 형성하고, 기판의 면 내에 있어서의 제1 도포막의 막 두께 분포를 취득하는 공정과, Wherein the coating film is formed on the basis of a recipe including a first parameter and a second parameter for adjusting a film thickness distribution of the coating film in the surface of the substrate and the film thickness distribution of the first coating film in the surface of the substrate ; A step

계속해서, 상기 제1 도포막의 막 두께 분포를 상기 기판의 위치와 막 두께와의 관계를 나타내는 제1 차수의 함수에 근사시키고, 당해 제1 차수의 함수에 기초하여 상기 제1 파라미터를 변경하는 제1 변경 공정과, Subsequently, the film thickness distribution of the first coated film is approximated to a function of the first order indicating the relationship between the position of the substrate and the film thickness, and the first parameter is changed based on the function of the first order 1 change process,

계속해서, 상기 제1 변경 공정에 의해 변경한 레시피에 기초하여 기판에 도포막을 형성하고, 당해 기판에 있어서의 제2 도포막의 막 두께 분포를 취득하는 공정과, Subsequently, a step of forming a coating film on the substrate based on the recipe changed by the first changing step and obtaining a film thickness distribution of the second coating film in the substrate,

그 후, 상기 제2 도포막의 막 두께 분포를 상기 기판의 위치와 막 두께와의 관계를 나타냄과 함께 제1 차수보다도 큰 제2 차수의 함수에 근사시키고, 당해 제2 차수의 함수에 기초하여 상기 제2 파라미터를 변경하는 제2 변경 공정과, Then, the film thickness distribution of the second coating film is approximated to a function of the second order higher than the first order, and the relationship between the position of the substrate and the film thickness is determined, A second changing step of changing a second parameter,

그 후, 상기 제1 변경 공정 및 제2 변경 공정에 의해 변경한 레시피에 기초하여, 기판에 도포막을 형성하는 공정 Thereafter, on the basis of the recipe changed by the first changing step and the second changing step, a step of forming a coating film on the substrate

을 구비한 것을 특징으로 한다. And a control unit.

본 발명의 다른 도포막 형성 방법은, 회전하는 기판의 중심부에 약액을 공급하고, 당해 약액을 원심력에 의해 상기 기판의 주연부로 확산해서 도포막을 형성하는 도포막 형성 방법에 있어서, Another coating film forming method according to the present invention is a coating film forming method for forming a coating film by supplying a chemical solution to a central portion of a rotating substrate and diffusing the chemical solution to a periphery of the substrate by centrifugal force,

상기 기판의 면 내에 있어서의 상기 도포막의 막 두께 분포를 조정하기 위한 제1 파라미터 및 제2 파라미터를 포함하는 레시피에 기초하여 상기 도포막을 형성하고, 기판의 면 내에 있어서의 당해 도포막의 막 두께 분포를 취득하는 공정과, Wherein the coating film is formed on the basis of a recipe including a first parameter and a second parameter for adjusting a film thickness distribution of the coating film in the surface of the substrate and the film thickness distribution of the coating film in the surface of the substrate is A step of acquiring,

상기 도포막의 막 두께 분포를 상기 기판의 위치와 막 두께와의 관계를 나타내는 제1 차수의 함수에 근사시키고, 당해 제1 차수의 함수에 기초하여 상기 제1 파라미터를 변경하는 제1 변경 공정과, A first changing step of approximating a film thickness distribution of the coating film to a function of a first order indicating a relationship between a position of the substrate and a film thickness and changing the first parameter based on the function of the first order;

상기 도포막의 막 두께 분포를 상기 기판의 위치와 막 두께와의 관계를 나타냄과 함께 제1 차수보다도 큰 제2 차수의 함수에 근사시키고, 당해 제2 차수의 함수에 기초하여 상기 제2 파라미터를 변경하는 제2 변경 공정과, The film thickness distribution of the coating film is approximated to a function of a second order higher than the first order, and the second parameter is changed based on the function of the second order, And a second changing step of changing,

상기 제1 변경 공정 및 제2 변경 공정에 의해 변경한 레시피에 기초하여, 기판에 도포막을 형성하는 레시피 변경 후의 도포막 형성 공정 A coating film forming step after the recipe modification in which a coating film is formed on the substrate on the basis of the recipe changed by the first changing step and the second changing step

을 구비한 것을 특징으로 한다. And a control unit.

본 발명의 도포막 형성 장치는, 회전하는 기판의 중심부에 약액을 공급하고, 당해 약액을 원심력에 의해 상기 기판의 주연부로 확산해서 도포막을 형성하는 도포막 형성 장치에 있어서, A coating film forming apparatus of the present invention is a coating film forming apparatus for forming a coating film by supplying a chemical liquid to a central portion of a rotating substrate and diffusing the chemical liquid to a peripheral portion of the substrate by centrifugal force,

상기 기판을 적재하고, 회전 기구에 의해 회전하는 적재부와, A loading section for loading the substrate and rotating by a rotating mechanism,

상기 적재부에 적재된 기판에 약액을 공급하는 약액 공급부와, A chemical liquid supply unit for supplying a chemical liquid to the substrate stacked on the stacking unit,

상기 기판에 약액을 공급하기 전에 기판의 온도 혹은 약액의 온도 중 적어도 한쪽을 조정하는 온도 조정 기구와, A temperature adjusting mechanism for adjusting at least one of a temperature of the substrate and a temperature of the chemical liquid before supplying the chemical liquid to the substrate;

상기 기판의 면 내에 있어서의 도포막의 막 두께 분포를 검출하기 위한 막 두께 검출부와, A film thickness detecting section for detecting a film thickness distribution of the coating film in the surface of the substrate;

상기 기판의 면 내에 있어서의 상기 도포막의 막 두께 분포를 조정하기 위한 제1 파라미터 및 제2 파라미터를 포함하는 레시피를 기억하는 기억부와, A storage section for storing a recipe including a first parameter and a second parameter for adjusting a film thickness distribution of the coating film in a plane of the substrate;

상기 레시피에 기초하여 상기 도포막을 형성하고, 기판의 면 내에 있어서의 제1 도포막의 막 두께 분포를 취득하는 스텝과, 계속해서, 상기 제1 도포막의 막 두께 분포를 상기 기판의 위치와 막 두께와의 관계를 나타내는 제1 차수의 함수에 근사시키고, 당해 제1 차수의 함수에 기초하여 상기 제1 파라미터를 변경하는 제1 변경 스텝과, 계속해서, 상기 제1 변경 스텝에 의해 변경한 레시피에 기초하여 기판에 도포막을 형성하고, 당해 기판에 있어서의 제2 도포막의 막 두께 분포를 취득하는 스텝과, 그 후, 상기 제2 도포막의 막 두께 분포를 상기 기판의 위치와 막 두께와의 관계를 나타냄과 함께 제1 차수보다도 큰 제2 차수의 함수에 근사시키고, 당해 제2 차수의 함수에 기초하여 상기 제2 파라미터를 변경하는 제2 변경 스텝과, 그 후, 상기 제1 변경 스텝 및 제2 변경 스텝에 의해 변경한 레시피에 기초하여, 기판에 도포막을 형성하는 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부 A step of forming the coating film on the basis of the recipe and obtaining a film thickness distribution of the first coating film in the plane of the substrate; and subsequently, obtaining a film thickness distribution of the first coating film based on the position, To the first order number indicating the relationship between the first order number and the first order number, and changing the first parameter based on the function of the first order, and subsequently, based on the recipe changed by the first changing step Forming a coating film on a substrate to obtain a film thickness distribution of the second coating film on the substrate; and thereafter, measuring a film thickness distribution of the second coating film on the basis of the position of the substrate and the film thickness A second changing step of changing the second parameter based on a function of the second order to approximate a function of the second order larger than the first order, The controller outputting a control signal based on a recipe change by the second change step, so as to execute the step of forming a coating film on the substrate

를 구비한 것을 특징으로 한다. And a control unit.

본 발명의 다른 도포막 형성 장치는, 회전하는 기판의 중심부에 약액을 공급하고, 당해 약액을 원심력에 의해 상기 기판의 주연부로 확산해서 도포막을 형성하는 도포막 형성 장치에 있어서, Another coating film forming apparatus of the present invention is a coating film forming apparatus for forming a coating film by supplying a chemical solution to a central portion of a rotating substrate and diffusing the chemical solution to the periphery of the substrate by centrifugal force,

상기 기판을 적재하고, 회전 기구에 의해 회전하는 적재부와, A loading section for loading the substrate and rotating by a rotating mechanism,

상기 적재부에 적재된 기판에 약액을 공급하는 약액 공급부와, A chemical liquid supply unit for supplying a chemical liquid to the substrate stacked on the stacking unit,

상기 기판에 약액을 공급하기 전에 기판의 온도 혹은 약액의 온도 중 적어도 한쪽을 조정하는 온도 조정 기구와, A temperature adjusting mechanism for adjusting at least one of a temperature of the substrate and a temperature of the chemical liquid before supplying the chemical liquid to the substrate;

상기 기판의 면 내에 있어서의 도포막의 막 두께 분포를 검출하기 위한 막 두께 검출부와, A film thickness detecting section for detecting a film thickness distribution of the coating film in the surface of the substrate;

상기 기판의 면 내에 있어서의 상기 도포막의 막 두께 분포를 조정하기 위한 제1 파라미터 및 제2 파라미터를 포함하는 레시피를 기억하는 기억부와, A storage section for storing a recipe including a first parameter and a second parameter for adjusting a film thickness distribution of the coating film in a plane of the substrate;

상기 레시피에 기초하여 상기 도포막을 형성하고, 기판의 면 내에 있어서의 당해 도포막의 막 두께 분포를 취득하는 스텝과, 상기 도포막의 막 두께 분포를 상기 기판의 위치와 막 두께와의 관계를 나타내는 제1 차수의 함수에 근사시키고, 당해 제1 차수의 함수에 기초하여 상기 제1 파라미터를 변경하는 제1 변경 스텝과, 상기 도포막의 막 두께 분포를 상기 기판의 위치와 막 두께와의 관계를 나타냄과 함께 제1 차수보다도 큰 제2 차수의 함수에 근사시키고, 당해 제2 차수의 함수에 기초하여 상기 제2 파라미터를 변경하는 제2 변경 스텝과, 상기 제1 변경 스텝 및 제2 변경 스텝에 의해 변경한 레시피에 기초하여, 기판에 도포막을 형성하는 레시피 변경 후의 도포막 형성 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부 A step of forming the coating film on the basis of the recipe and obtaining a film thickness distribution of the coating film in the plane of the substrate; and a step of obtaining a film thickness distribution of the coating film by using a first A first changing step of approximating the first parameter to a function of order and changing the first parameter based on a function of the first order, and a second changing step of changing a film thickness distribution of the coating film to a relationship between a position of the substrate and a film thickness A second changing step of changing the second parameter based on a function of the second order and approximating a function of the second order higher than the first order; Based on the recipe, a control signal for outputting a control signal so as to execute a coating film forming step after the recipe for forming a coating film on the substrate

를 구비한 것을 특징으로 한다. And a control unit.

본 발명의 기억 매체는, 회전하는 기판의 중심부에 약액을 공급하고, 당해 약액을 원심력에 의해 상기 기판의 주연부로 확산해서 도포막을 형성하는 도포막 형성 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 기억하는 기억 매체이며, A storage medium according to the present invention is a storage medium for storing a computer program for use in a coating film forming apparatus for forming a coating film by supplying a chemical liquid to a central portion of a rotating substrate and diffusing the chemical liquid into a periphery of the substrate by centrifugal force ,

상기 컴퓨터 프로그램은, 상기의 도포막 형성 방법을 실행하도록 스텝군이 짜여져 있는 것을 특징으로 한다.The computer program is characterized in that step groups are provided to execute the above-mentioned method for forming a coating film.

본 발명은, 측정된 기판의 막 두께 분포를 상기 기판의 위치와 막 두께와의 관계를 나타내는 제1 차수의 함수 및 제1 차수보다도 높은 제2 차수의 함수에 근사시키고, 제1 차수의 함수에 기초하여 상기 제1 파라미터를 변경하고, 제2 차수의 함수에 기초하여 상기 제2 파라미터를 변경한다. 이와 같이 파라미터의 변경을 행함으로써, 조정 작업 사이에서 설정되는 파라미터 값의 편차가 억제됨과 함께, 부적절한 값이 설정되는 것을 방지할 수 있다.The present invention is characterized in that a film thickness distribution of a measured substrate is approximated to a function of a first order indicating a relationship between a position of the substrate and a film thickness and a second order higher than a first order, And changes the second parameter based on a function of the second order. By changing the parameter in this way, the deviation of the parameter value set between the adjustment operations can be suppressed, and the improper value can be prevented from being set.

도 1은 본 발명에 관한 도포, 현상 장치의 개략적인 구성도이다.
도 2는 도포, 현상 장치를 구성하는 레지스트 도포 모듈의 개략적인 종단 측면도이다.
도 3은 도포, 현상 장치를 구성하는 막 두께 검출 모듈의 개략적인 종단 측면도이다.
도 4는 도포, 현상 장치를 구성하는 제어부의 개략적인 구성도이다.
도 5는 레지스트 도포 모듈에 의해 행해지는 처리를 나타내는 차트도이다.
도 6은 도포, 현상 장치에 의해 행해지는 레지스트막의 막 두께 조정용의 파라미터가 설정되는 수순을 나타내는 흐름도이다.
도 7은 웨이퍼의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포를 나타내는 그래프도이다.
도 8은 웨이퍼의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포를 나타내는 그래프도이다.
도 9는 웨이퍼의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포를 나타내는 그래프도이다.
도 10은 웨이퍼의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포를 나타내는 그래프도이다.
도 11은 웨이퍼의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포를 나타내는 그래프도이다.
도 12는 웨이퍼의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포를 나타내는 그래프도이다.
도 13은 웨이퍼의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포를 나타내는 그래프도이다.
도 14는 웨이퍼의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포를 나타내는 그래프도이다.
도 15는 웨이퍼의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포를 나타내는 그래프도이다.
도 16은 막 두께 분포를 근사한 함수로부터 얻어지는 그래프도이다.
도 17은 상기 도포, 현상 장치의 평면도이다.
도 18은 상기 도포, 현상 장치의 사시도이다.
도 19는 상기 도포, 현상 장치의 개략적인 종단 측면도이다.1 is a schematic configuration diagram of a coating and developing apparatus according to the present invention.
2 is a schematic longitudinal side view of a resist coating module constituting a coating and developing apparatus.
3 is a schematic longitudinal side view of the film thickness detecting module constituting the coating and developing apparatus.
4 is a schematic configuration diagram of a control unit constituting a coating and developing apparatus.
5 is a chart showing a process performed by the resist application module.
6 is a flowchart showing a procedure for setting a parameter for adjusting a film thickness of a resist film to be formed by a coating and developing apparatus.
7 is a graph showing the film thickness distribution of the resist film in the diameter of the wafer.
8 is a graph showing the film thickness distribution of the resist film in the diameter of the wafer.
9 is a graph showing the film thickness distribution of the resist film in the diameter of the wafer.
10 is a graph showing the film thickness distribution of the resist film in the diameter of the wafer.
11 is a graph showing the film thickness distribution of the resist film in the diameter of the wafer.
12 is a graph showing the film thickness distribution of the resist film in the diameter of the wafer.
13 is a graph showing the film thickness distribution of the resist film in the diameter of the wafer.
14 is a graph showing the film thickness distribution of the resist film in the diameter of the wafer.
15 is a graph showing the film thickness distribution of the resist film in the diameter of the wafer.
16 is a graph obtained from a function approximating the film thickness distribution.
17 is a plan view of the coating and developing apparatus.
18 is a perspective view of the coating and developing apparatus.
19 is a schematic longitudinal side view of the coating and developing apparatus.

(제1 실시 형태) (First Embodiment)

도 1은, 본 발명의 도포막 형성 장치를 구성하는 도포, 현상 장치(1)의 개략적인 구성을 도시하고 있다. 도포, 현상 장치(1)는, 예를 들어, 실온이 23℃로 조정된 클린룸 내에 배치되어 있다. 도면 중 C는 원형의 기판인 복수의 웨이퍼(W)를 저장하여 도포, 현상 장치(1)로 반송하는 캐리어이다. 도면 중 부호 11은 온도 조정 모듈이며, 온도 변경 가능한 스테이지를 구비하고, 당해 스테이지에 적재된 웨이퍼(W)의 온도는, 당해 스테이지의 온도에 일치하도록 조정된다. Fig. 1 shows a schematic configuration of a coating and developing apparatus 1 constituting a coating film forming apparatus of the present invention. The coating and developing apparatus 1 is disposed, for example, in a clean room whose room temperature is adjusted to 23 占 폚. In the figure, C is a carrier which stores a plurality of wafers W, which are circular substrates, and applies the coating to the developing apparatus 1. Reference numeral 11 in the drawing denotes a temperature adjusting module, which has a temperature-changeable stage, and the temperature of the wafer W loaded on the stage is adjusted to coincide with the temperature of the stage.

도면 중 부호 21은 레지스트 도포 모듈이며, 배경기술의 항목에서 설명한 스핀 코팅에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트를 도포해서 도포막인 레지스트막을 형성한다. 도면 중 부호 31은 막 두께 검출부를 구성하는 막 두께 검출 모듈이다. 도면 중 부호 12는 웨이퍼(W)의 반송 기구이며, 도 1 중의 화살표로 나타낸 바와 같이 캐리어(C)→온도 조정 모듈(11)→레지스트 도포 모듈(21)→막 두께 검출 모듈(31)→캐리어(C)의 순서대로 웨이퍼(W)를 반송한다. 온도 조정 모듈(11)에 의해 온도 조정된 상태에서, 웨이퍼(W)는 레지스트 도포 모듈(21)로 반송되어, 레지스트 도포 처리를 받는다. Reference numeral 21 in the drawing denotes a resist coating module. A resist film as a coating film is formed by applying a resist on the surface of the wafer W by spin coating described in the background section. In the figure, reference numeral 31 denotes a film thickness detecting module constituting a film thickness detecting portion. Reference numeral 12 in the drawing denotes a transport mechanism of the wafer W. As shown by an arrow in FIG. 1, the carrier C → the temperature adjusting module 11 → the resist coating module 21 → the film thickness detecting module 31 → the carrier (C). In a state in which the temperature is adjusted by the temperature adjusting module 11, the wafer W is transferred to the resist coating module 21 and subjected to resist coating processing.

도 2는 레지스트 도포 모듈(21)의 구성을 도시하고 있다. 도면 중 부호 22는 기판의 적재부를 이루는 스핀 척이며, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착해서 당해 웨이퍼(W)를 수평으로 보유 지지한다. 부호 23은 회전 기구이며, 스핀 척(22)에 보유 지지된 웨이퍼(W)를 연직축 주위로 회전시킨다. 부호 24, 25는 각각 레지스트 토출 노즐, 시너 토출 노즐이며, 이들 레지스트 토출 노즐(24), 시너 토출 노즐(25)은 유로를 통하여 당해 노즐(24, 25)에 레지스트, 시너를 각각 공급하는 레지스트 공급 기구(24A), 시너 공급 기구(25A)에 접속되어 있다. 2 shows the configuration of the resist coating module 21. As shown in Fig. In the figure, reference numeral 22 denotes a spin chuck constituting a loading portion of a substrate, which holds the wafer W horizontally by adsorbing the central portion of the back surface of the wafer W. Reference numeral 23 denotes a rotation mechanism which rotates the wafer W held by the spin chuck 22 around a vertical axis. Resist discharge nozzles 24 and thinner discharge nozzles 25 supply resist and thinner to the nozzles 24 and 25 through the flow paths, The mechanism 24A, and the thinner supply mechanism 25A.

레지스트 공급 기구(24A)는 약액 공급부를 구성한다. 도면 중 부호 26은 유로 온도 조정부이며, 레지스트 공급 기구(24A)와 레지스트 토출 노즐(24)을 접속하는 유로의 온도를 조정함으로써, 레지스트 토출 노즐(24)로부터 웨이퍼(W)에 토출되는 레지스트를 임의의 온도로 조정할 수 있다. The resist supply mechanism 24A constitutes a chemical liquid supply portion. Reference numeral 26 in the drawing denotes a flow path temperature regulating section which regulates the temperature of the flow path connecting the resist supply mechanism 24A and the resist discharge nozzle 24 so that the resist discharged from the resist discharge nozzle 24 onto the wafer W can be arbitrarily set Lt; / RTI >

도면 중 부호 27은 컵이며, 스핀 척(22)에 보유 지지된 웨이퍼(W)를 둘러싼다. 상기의 레지스트 토출 노즐(24) 및 시너 토출 노즐(25)은, 도시하지 않은 이동 기구에 의해 컵(27)의 외측과 컵(27) 내의 웨이퍼(W)의 중심부 상 사이에서 이동 가능하게 구성되어 있다. 도면 중 부호 28은 배기관이며, 컵(27) 내를 배기한다. 부호 29는 액체 배출관이며, 웨이퍼(W)로부터 컵(27) 내에 흘러넘친 액체를 제거한다. 도면 중 부호 20은 기류 형성 유닛이며, 컵(27)의 상방에 설치되고, 당해 컵(27)을 향하여 대기를 공급하고, 하강 기류를 형성한다. 기류 형성 유닛(20)은 컵(27)에 공급하는 대기의 온도를 변경하는 것이 가능하고, 이 온도 변경에 의해, 컵(27) 내에 있어서의 웨이퍼(W)의 주위 분위기의 온도를 임의의 온도로 조정할 수 있다. 따라서, 기류 형성 유닛(20)은 레지스트 도포 전의 웨이퍼(W)의 온도를 조정하고, 이 기류 형성 유닛(20), 온도 조정 모듈(11) 및 유로 온도 조정부(26)는 온도 조정 기구를 구성한다. Reference numeral 27 in the drawing denotes a cup, which surrounds the wafer W held by the spin chuck 22. The resist ejection nozzle 24 and the thinner ejection nozzle 25 are configured to be movable between the outside of the cup 27 and the center of the wafer W in the cup 27 by a moving mechanism have. Reference numeral 28 denotes an exhaust pipe, which evacuates the inside of the cup 27. Reference numeral 29 denotes a liquid discharge pipe, which removes the liquid spilled over from the wafer W into the cup 27. In the drawing, reference numeral 20 denotes an airflow forming unit, which is provided above the cup 27, and supplies air to the cup 27 to form a downward airflow. The airflow forming unit 20 can change the temperature of the ambient air supplied to the cup 27 and change the temperature of the ambient atmosphere of the wafer W in the cup 27 to any temperature . Therefore, the airflow forming unit 20 adjusts the temperature of the wafer W before application of the resist, and the airflow forming unit 20, the temperature adjusting module 11, and the flow path temperature adjusting unit 26 constitute a temperature adjusting mechanism .

레지스트 도포 모듈(21)에 있어서는, 배경기술의 항목에서 설명한 스핀 코팅에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 레지스트막이 형성된다. 또한, 시너 토출 노즐(25)로부터 웨이퍼(W)에 토출되는 시너도, 레지스트와 마찬가지로 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체에 도포된다. 시너는 레지스트보다도 먼저 웨이퍼(W)에 도포되고, 레지스트의 습윤성을 향상시키는 약액이다. In the resist coating module 21, a resist film is formed on the entire surface of the wafer W by spin coating described in the background section. The thinner discharged from the thinner discharge nozzle 25 onto the wafer W is also applied to the entire surface of the wafer W by spin coating as in the case of the resist. The thinner is a chemical solution which is applied to the wafer W before the resist and improves the wettability of the resist.

도 3은 막 두께 검출 모듈(31)의 구성을 도시하고 있다. 도면 중 부호 32는 하우징, 부호 33은 하우징(32) 내에 설치되는 웨이퍼(W)가 적재되는 스테이지이며, 부호 34는 구동 기구이다. 구동 기구(34)에 의해, 웨이퍼(W)는 회전 가능 또한 전후 방향, 좌우 방향으로 각각 수평으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 도면 중 부호 35는 광간섭식 막 두께 측정기이며, 스테이지(33) 상의 웨이퍼(W) 표면과 대향하도록 설치된 프로브(35a)와 광파이버(35b)와 분광기 및 컨트롤러를 포함하는 분광기 유닛(35c)을 구비하고 있고, 웨이퍼(W) 표면에 조사한 광의 반사광 스펙트럼을 취득하고, 당해 스펙트럼의 데이터를 막 두께 검출 데이터로서 후술하는 제어부(4)에 송신한다. 스테이지(33)의 이동에 의해, 웨이퍼(W)의 직경을 따른 영역에서의 다수의 개소의 막 두께 검출 데이터가 취득되고, 제어부(4)에 의해 막 두께 검출 데이터가 취득된 각 개소에 있어서의 레지스트막의 막 두께가 측정된다. 3 shows the configuration of the film thickness detection module 31. As shown in Fig. Reference numeral 32 denotes a housing, reference numeral 33 denotes a stage on which a wafer W placed in the housing 32 is mounted, and reference numeral 34 denotes a drive mechanism. By the drive mechanism 34, the wafer W is rotatable and horizontally movable in forward and backward directions and left and right directions, respectively. Reference numeral 35 in the drawings denotes an optical interferometric film thickness measuring device and includes a probe 35a provided so as to face the surface of the wafer W on the stage 33 and a spectroscope unit 35c including an optical fiber 35b and a spectroscope and a controller And acquires the reflected light spectrum of the irradiated light on the surface of the wafer W and transmits the data of the spectrum to the control section 4 to be described later as the film thickness detection data. By the movement of the stage 33, the film thickness detection data at a plurality of positions in the region along the diameter of the wafer W is acquired, and the film thickness detection data at each position where the film thickness detection data is acquired by the control section 4 The film thickness of the resist film is measured.

도포, 현상 장치(1)는, 상기의 레지스트막의 막 두께 측정 결과에 기초하여, 웨이퍼(W)의 각 부에 있어서의 레지스트막의 막 두께의 편차를 억제함과 함께, 각 부에 있어서의 막 두께의 평균값이 목표값에 일치 혹은 대략 일치하도록, 웨이퍼(W)의 면 내 각 부에 있어서의 레지스트막의 막 두께를 변경하는 파라미터로 이루어지는 레시피를 자동으로 조정할 수 있도록 구성되어 있다. 도포, 현상 장치(1)는, 이와 같은 레시피의 조정을 행할 수 있도록, 컴퓨터인 제어부(4)를 구비하고 있다. 도 4에는, 당해 제어부(4)의 구성을 도시하고 있다. 도면 중 부호 40은 버스이며, 버스(40)에는 각종 연산을 행하는 CPU(41)와, 프로그램(42)이 저장된 컴퓨터의 기억 매체인 프로그램 저장부(43)가 접속되어 있다. 또한, 이미 설명한 도포, 현상 장치(1)를 구성하는 각 모듈(11, 21, 31) 및 반송 기구(12)도 버스(40)에 접속되어 있다. The coating and developing apparatus 1 is capable of suppressing the deviation of the film thickness of the resist film in each part of the wafer W based on the result of measurement of the film thickness of the resist film, Is adjusted so that the recipe made up of the parameters for changing the film thickness of the resist film in the in-plane parts of the wafer W can be automatically adjusted so that the average value of the resist film coincides with or substantially coincides with the target value. The coating and developing apparatus 1 is provided with a control section 4 which is a computer so that the recipe can be adjusted. Fig. 4 shows the configuration of the control unit 4. Fig. In the figure, reference numeral 40 denotes a bus. The bus 40 is connected with a CPU 41 for performing various calculations and a program storage unit 43, which is a storage medium of a computer in which the program 42 is stored. The respective modules 11, 21, and 31 and the transport mechanism 12 constituting the coating and developing apparatus 1 described above are also connected to the bus 40.

상기의 프로그램(42)은 프로그램 저장부(43)에 저장된 상태에서 제어부(4)에 인스톨되고, 도포, 현상 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 보내고, 그 동작을 제어할 수 있고, 후술하는 각 스텝을 실행시키도록 명령이 내장되어 있다. 프로그램 저장부는, 예를 들어, 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크) 및 메모리 카드 등에 의해 구성된다. The program 42 is installed in the control unit 4 in a state where it is stored in the program storage unit 43 and can send control signals to the respective units of the coating and developing apparatus 1 to control the operation thereof, Command is executed to execute each step to be executed. The program storage unit is constituted by, for example, a flexible disk, a compact disk, a hard disk, an MO (magneto-optical disk) and a memory card.

또한, 버스(40)에는 상기의 레시피를 저장하는 기억부인 메모리(44)가 접속되어 있다. 레시피를 구성하는 파라미터로서는, 레지스트 도포 모듈(21)에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전수의 추이와, 시너 및 레지스트가 웨이퍼(W)에 토출되는 타이밍과의 대응에 대해서 설정된 파라미터군이 있고, 이 파라미터군을 처리 데이터라고 기재한다. 이 처리 데이터에 기초하여, 레지스트 도포 모듈(21)에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전수, 레지스트 공급 기구(24A)로부터 레지스트 토출 노즐(24)에의 레지스트의 급단 및 시너 공급 기구(25A)로부터 시너 토출 노즐(25)에의 시너의 급단이 제어된다.The bus 40 is also connected with a memory 44, which is a storage unit for storing the above recipe. As the parameters constituting the recipe, there are a parameter group set for the correspondence between the change in the number of revolutions of the wafer W in the resist application module 21 and the timing at which the thinner and the resist are discharged onto the wafer W, This parameter group is referred to as process data. Based on this processing data, the number of rotations of the wafer W in the resist coating module 21, the supply of resist from the resist supply mechanism 24A to the resist discharge nozzle 24, The supply of the thinner to the discharge nozzle 25 is controlled.

상기의 처리 데이터 외에는, 레시피를 구성하는 파라미터로서, 온도 조정 모듈(11)의 스테이지의 설정 온도가 메모리(44)에 기억되어 있고, 이 설정 온도가 되도록 당해 스테이지의 온도가 조정된다. 또한, 레시피를 구성하는 파라미터로서, 레지스트 도포 모듈(21)에 있어서 웨이퍼(W)에 토출되는 레지스트의 온도, 레지스트 도포 모듈(21)의 컵(27) 내의 분위기의 온도 및 후술하는 웨이퍼(W)에 레지스트가 공급되는 시간 내에 웨이퍼(W)에 토출되는 레지스트의 공급량이 메모리(44)에 기억되어 있다. 이 파라미터에 기초하여, 유로 온도 조정부(26)에 의해 조정되는 레지스트의 온도, 기류 형성 유닛(20)으로부터 공급되는 대기의 온도, 레지스트 공급 기구(24A)로부터 웨이퍼(W)에 공급되는 레지스트의 공급량이 각각 제어된다.  Aside from the above-described process data, the set temperature of the stage of the temperature adjusting module 11 is stored in the memory 44 as a parameter constituting the recipe, and the temperature of the stage is adjusted so as to be the set temperature. The parameters of the recipe are the temperature of the resist to be discharged onto the wafer W in the resist coating module 21, the temperature of the atmosphere in the cup 27 of the resist coating module 21, The supply amount of the resist to be discharged onto the wafer W is stored in the memory 44 in a time period during which the resist is supplied. The temperature of the resist supplied from the airflow forming unit 20 and the supply amount of the resist supplied from the resist supply mechanism 24A to the wafer W based on the temperature of the resist adjusted by the flow path temperature adjusting unit 26, Respectively.

도 5 중의 상단은, 메모리(44)에 기억되는 상기의 처리 데이터에 기초하여 제어되는 웨이퍼(W)의 회전수의 추이를, 타이밍 차트로서 나타낸 것이다. 이 도 5를 참조하면서, 이 회전수의 추이와 레지스트 및 시너가 공급되는 타이밍에 대해 시계열로 설명한다. 웨이퍼(W)가 스핀 척(22)에 적재됨으로써, 레지스트 도포 처리가 개시된다. 그리고 시각 t1에서 예를 들어 회전이 정지된 상태의 웨이퍼(W)에 시너가 토출되고, 시각 t2에서 시너의 토출이 정지됨과 함께 웨이퍼(W)의 회전수가 0rpm으로부터 A1rpm으로 되도록 상승하고, 당해 A1rpm으로 유지된다. 계속해서, 시각 t3에서 레지스트가 웨이퍼(W)에 토출됨과 함께 회전수가 A2rpm으로 되도록 상승하고, 당해 A2rpm으로 유지된다. 그리고, 시각 t4에서 레지스트의 토출이 종료되고, 시각 t5에서 웨이퍼(W)의 회전수가 A3rpm으로 되도록 저하되고, 당해 A3rpm으로 유지된다. 그 후, 시각 t6에서 회전수가 A4rpm으로 되도록 상승하고, 당해 A4rpm으로 유지된 후, 시각 t7에서 저하되어 0rpm으로 되고, 레지스트 도포 처리가 종료된다. 회전수 A1 내지 A4의 크기의 관계에 대해서는, A2>A4>A1>A3>0rpm이다.5 shows the transition of the number of revolutions of the wafer W controlled based on the above-mentioned process data stored in the memory 44 as a timing chart. With reference to Fig. 5, a description will be given of the change in the number of revolutions and the timings at which the resist and thinner are supplied, in a time series. The wafer W is loaded on the spin chuck 22 to start the resist coating process. At time t1, for example, the thinner is discharged onto the wafer W in which the rotation is stopped. At time t2, the discharge of the thinner is stopped and the number of rotations of the wafer W rises from 0 rpm to A1 rpm, ≪ / RTI > Subsequently, at time t3, the resist is discharged onto the wafer W, and the rotation speed rises to A2 rpm, and is maintained at A2 rpm. At time t4, the discharge of the resist is terminated. At time t5, the number of rotations of the wafer W is reduced to A3 rpm and maintained at A3 rpm. Thereafter, at time t6, the number of revolutions rises so as to become A4 rpm. After being maintained at the A4 rpm, it is decreased to 0 rpm at time t7, and the resist coating process is terminated. The relationship of the magnitudes of the revolutions A1 to A4 is A2> A4> A1> A3> 0 rpm.

시각 t2 내지 시각 t3에서는, 시너가 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부로 신전되고, 잉여의 시너는 웨이퍼(W)로부터 원심 탈수된다. 시각 t3 내지 t4에서는, 레지스트가 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부로 신전된다. 시각 t5 내지 t6에서는, 웨이퍼(W)에 작용하는 원심력이 억제되어, 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부로 레지스트가 이동되고, 웨이퍼(W)의 직경 방향에 있어서의 막 두께 분포가 조정된다. 시각 t6 내지 t7에서는, 레지스트가 건조되어 레지스트막이 형성된다. At time t2 to time t3, the thinner is extended from the central portion of the wafer W to the peripheral portion, and the excess thinner is centrifugally dewatered from the wafer W. From time t3 to time t4, the resist is extended from the central portion of the wafer W to the peripheral portion. At time t5 to t6, the centrifugal force acting on the wafer W is suppressed, the resist is moved from the periphery to the center of the wafer W, and the film thickness distribution in the radial direction of the wafer W is adjusted. From time t6 to time t7, the resist is dried to form a resist film.

제어부(4)는, 상기의 처리 데이터를 구성하는 레지스트 토출 시의 웨이퍼(W)의 회전수 A2 및 레지스트 건조 시의 회전수 A4와, 온도 조정 모듈(11)의 스테이지의 설정 온도에 대해 메모리(44) 내의 데이터를 재기입하고, 자동으로 조정한다. 이 파라미터와 웨이퍼(W)의 막 두께와의 대응을 이하에 설명해 둔다. The control section 4 controls the rotation speed A2 of the wafer W and the rotation speed A4 at the time of resist drying at the time of discharging the resist constituting the above-mentioned process data and the set temperature of the stage of the temperature adjusting module 11, 44), and automatically adjusts the data. The correspondence between this parameter and the film thickness of the wafer W will be described below.

회전수 A2가 클수록 웨이퍼(W)에 작용하는 원심력이 크므로, 웨이퍼(W)에 토출된 레지스트 중 대부분이 웨이퍼(W)의 중심부로부터 웨이퍼(W)의 주연부로 이동함으로써, 웨이퍼(W)의 중심부에 대해 주연부의 막 두께가 커진다. 또한, 회전수 A4가 클수록, 웨이퍼(W)의 표면 기류의 유속이 커짐으로써, 레지스트에 포함되는 용제가 보다 많이 휘발하고, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 있어서, 레지스트막의 막 두께가 작아진다. Most of the resist discharged onto the wafer W moves from the central portion of the wafer W to the periphery of the wafer W because the centrifugal force acting on the wafer W is larger as the rotational speed A2 is larger, The film thickness of the periphery portion becomes larger with respect to the central portion. In addition, the larger the rotational speed A4, the larger the flow velocity of the surface air currents of the wafer W, the more the solvent contained in the resist is volatilized, and the film thickness of the resist film on the entire surface of the wafer W becomes smaller.

또한, 웨이퍼(W)에 토출된 레지스트는, 당해 웨이퍼(W) 상에서 웨이퍼(W)의 온도에 따른 속도로 건조하고, 유동성이 저하된다. 따라서, 온도 조정 모듈(11)에 의해 웨이퍼(W)의 온도를 조정함으로써, 웨이퍼(W)의 면 내에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포를 조정할 수 있다. 예를 들어 웨이퍼(W)의 온도가 비교적 높으면, 웨이퍼(W)의 중심부에 대해, 중심부와 주연부 사이의 영역의 막 두께가 커진다. 반대로 웨이퍼(W)의 온도가 비교적 낮으면, 웨이퍼(W)의 중심부에 대해, 중심부와 주연부 사이의 영역의 막 두께가 작아진다. Further, the resist discharged onto the wafer W is dried on the wafer W at a speed corresponding to the temperature of the wafer W, and the fluidity is lowered. Therefore, the film thickness distribution of the resist film in the surface of the wafer W can be adjusted by adjusting the temperature of the wafer W by the temperature adjusting module 11. [ For example, when the temperature of the wafer W is relatively high, the film thickness of the region between the central portion and the peripheral portion becomes larger with respect to the central portion of the wafer W. Conversely, if the temperature of the wafer W is relatively low, the film thickness of the region between the center portion and the peripheral portion becomes small with respect to the center portion of the wafer W.

계속해서, 도 6의 흐름도와 도 7 내지 도 14의 그래프를 참조하면서, 도포, 현상 장치(1)에 의해 행해지는 파라미터의 조정 동작에 대해서 설명한다. 도 7 내지 도 14의 그래프는, 웨이퍼(W)의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포를 나타내는 그래프이며, 그래프의 종축은 레지스트막의 막 두께(단위:㎚)를 나타내고 있다. 그래프의 횡축은 웨이퍼(W)의 직경에 있어서의 위치를 나타내고 있고, 보다 상세하게 설명하면 웨이퍼(W)의 중심을 0㎜로서, 당해 중심으로부터 이격된 거리(단위:㎜)를 나타내고 있다. 웨이퍼(W)의 중심으로부터 웨이퍼(W)의 일단부측으로 이격된 거리에 플러스의 부호, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 웨이퍼(W)의 타단부측으로 이격된 거리에 마이너스의 부호를 각각 부여하고 있다. 이 예에서는 레지스트막의 막 두께 목표값이 7180㎚로 설정되어 있다. 도 7의 플롯 P1군은, 이 목표값을 나타내고 있다. Next, with reference to the flowchart of Fig. 6 and the graphs of Fig. 7 to Fig. 14, the adjustment operation of parameters performed by the coating and developing apparatus 1 will be described. 7 to 14 are graphs showing the film thickness distribution of the resist film in the diameter of the wafer W, and the vertical axis of the graph indicates the film thickness (unit: nm) of the resist film. The horizontal axis of the graph represents the position in the diameter of the wafer W. More specifically, the center of the wafer W is 0 mm, and the distance (unit: mm) away from the center is shown. A plus sign is assigned to a distance from the center of the wafer W to the one end side of the wafer W and a negative sign is assigned to the distance from the center of the wafer W to the other end side of the wafer W . In this example, the film thickness target value of the resist film is set to 7180 nm. The plot P1 group in Fig. 7 represents this target value.

예를 들어 조정 동작의 개시 시점에서는, 메모리(44)에 기억되는 온도 조정 모듈(11)의 스테이지의 설정 온도, 레지스트 도포 모듈(21)에 있어서 웨이퍼(W)에 토출되는 레지스트의 온도 및 레지스트 도포 모듈(21)에 있어서의 컵(27) 내의 분위기의 온도는, 예를 들어, 클린룸의 실온과 동일한 23℃가 된다. 이후의 설명에서는, 조정 동작의 개시 시점에서 메모리(44)에 저장되어 있는 파라미터 값을, 초기값으로서 기재하는 경우가 있다. The set temperature of the stage of the temperature adjusting module 11 stored in the memory 44, the temperature of the resist discharged onto the wafer W in the resist coating module 21, The temperature of the atmosphere in the cup 27 in the module 21 becomes 23 deg. C, which is the same as the room temperature of the clean room, for example. In the following description, the parameter value stored in the memory 44 at the start time of the adjustment operation may be described as an initial value.

조정 동작이 개시되면, 캐리어(C)로부터 1매째의 웨이퍼(W)가 온도 조정 모듈(11)로 반송되고, 온도 조정된 후, 레지스트 도포 모듈(21)로 반송되어 레지스트 도포 처리가 행해진다. 도 5의 상단의 타이밍 차트에서 설명한 바와 같이 웨이퍼(W)의 회전수가 변화됨과 함께 시너 및 레지스트가 공급되고, 1매째의 웨이퍼(W)에 레지스트막이 형성된다. 그리고 나서, 당해 1매째의 웨이퍼(W)는 막 두께 검출 모듈(31)로 반송되어 막 두께가 측정되고, 당해 웨이퍼(W)의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포가 취득된다. 또한, 이 막 두께 분포에 있어서의 웨이퍼(W)의 중심의 막 두께와 막 두께의 목표값과의 차분이 취득된다(스텝 S1). 도 7에 플롯 P2로서, 이 스텝 S1에서 측정된 1매째의 웨이퍼(W)의 각 부의 막 두께를 나타내고 있다. When the adjustment operation is started, the first wafer W from the carrier C is conveyed to the temperature regulation module 11, adjusted in temperature, conveyed to the resist coating module 21, and subjected to resist coating processing. The rotation number of the wafer W is changed and the thinner and the resist are supplied and the resist film is formed on the first wafer W as described in the timing chart at the top of Fig. Then, the first wafer W is transferred to the film thickness detecting module 31 to measure the film thickness, and the film thickness distribution of the resist film at the diameter of the wafer W is acquired. The difference between the film thickness at the center of the wafer W in the film thickness distribution and the target value of the film thickness is acquired (step S1). Fig. 7 shows the film thickness of each part of the first wafer W measured in step S1 as the plot P2.

그리고 나서, 메모리(44)에 기억되는 처리 데이터의 웨이퍼(W)의 건조 시의 회전수 A4가, 초기값에 대해 예를 들어 200rpm 증가, 혹은 저감된다. 여기서는 200rpm 저감되는 것으로 한다. 이 회전수 A4의 보정 후, 캐리어(C)로부터 반출된 2매째의 웨이퍼(W)가 온도 조정 모듈(11), 레지스트 도포 모듈(21)의 순서로 반송되어, 레지스트막이 형성된다. 그리고 나서, 2매째의 웨이퍼(W)는 막 두께 검출 모듈(31)로 반송되고, 당해 웨이퍼(W)의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포가 취득된다(스텝 S2). 도 7 중의 플롯 P3은, 이 스텝 S2에서 측정된 2매째의 웨이퍼(W)의 각 부의 막 두께를 나타내고 있다. Then, the number of rotations A4 of the processed data stored in the memory 44 at the time of drying the wafer W is increased or decreased, for example, by 200 rpm relative to the initial value. Here, it is supposed to be reduced by 200 rpm. After correction of the number of revolutions A4, the second wafer W taken out of the carrier C is conveyed in the order of the temperature adjusting module 11 and the resist coating module 21 to form a resist film. Then, the second wafer W is transferred to the film thickness detecting module 31, and the film thickness distribution of the resist film in the diameter of the wafer W is obtained (step S2). Plot P3 in Fig. 7 shows the thickness of each part of the second wafer W measured in step S2.

1매째 및 2매째의 웨이퍼(W)의 막 두께 분포로부터, 예를 들어, 도 7의 그래프 중에 C1로 나타내는 웨이퍼(W) 표면 전체의 막 두께의 변화량이 취득된다. 이 변화량 C1과 회전수 A4의 보정량이 비례하는 것으로 하여, 회전수 A4의 보정량(단위:rpm)과 당해 웨이퍼(W)의 표면 전체의 막 두께의 변화량(단위:㎚)과의 대응 관계가 취득된다. 이 대응 관계, 회전수 A4의 초기값 및 스텝 S1에서 산출한 웨이퍼(W)의 중심의 막 두께와 막 두께의 목표값과의 차분으로부터, 웨이퍼(W)의 중심의 막 두께를 목표값으로 하는 회전수 A4가 산출되고, 메모리(44) 내의 회전수 A4가, 그와 같이 산출된 값으로 보정된다(스텝 S3). From the film thickness distribution of the first and second wafers W, for example, the amount of change in the film thickness of the entire surface of the wafer W indicated by C1 in the graph of Fig. 7 is obtained. (Unit: rpm) of the rotation number A4 and the amount of change (unit: nm) of the film thickness of the entire surface of the wafer W is calculated based on the correlation between the amount of change C1 and the number of rotations A4 do. The film thickness of the center of the wafer W is set as the target value from the difference between the initial value of the number of revolutions A4 and the target value of the film thickness and the film thickness of the center of the wafer W calculated in step S1 The number of revolutions A4 is calculated, and the number of revolutions A4 in the memory 44 is corrected to the value thus calculated (step S3).

계속해서, 캐리어(C)로부터 반출된 3매째의 웨이퍼(W)가, 온도 조정 모듈(11), 레지스트 도포 모듈(21)의 순서로 반송되고, 레지스트막이 형성된 후에 막 두께 검출 모듈(31)로 반송되어, 당해 웨이퍼(W)의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포가 취득된다. 도 8의 플롯 P4는, 이 3매째의 웨이퍼(W)의 각 부의 막 두께를 나타내고 있다. 이와 같이 막 두께 분포가 취득되면, 플롯 P4군이 2차 근사되고, 막 두께 및 웨이퍼(W)의 중심으로부터의 거리를 좌표계로 하는 2차 함수가 취득된다. 즉, 기판의 위치와 막 두께와의 대응을 나타내는 제1 차수의 함수가 취득된다. 도 9에서는, 이 2차 함수로부터 얻어지는 2차 곡선을 B1로서 나타내고 있고, 이 2차 곡선 B1에 있어서의 웨이퍼(W)의 중심과 웨이퍼(W)의 주연과의 막 두께의 차 C2가 취득된다(스텝 S4). Subsequently, the third wafer W carried from the carrier C is transported in the order of the temperature adjusting module 11 and the resist coating module 21, and after the resist film is formed, the film thickness detecting module 31 And the film thickness distribution of the resist film at the diameter of the wafer W is obtained. Plot P4 in Fig. 8 shows the film thicknesses of the respective portions of the third wafer W. When the film thickness distribution is obtained in this manner, the plot P4 group is secondarily approximated, and a quadratic function is obtained in which the film thickness and the distance from the center of the wafer W are set as a coordinate system. That is, a function of the first order indicating the correspondence between the position of the substrate and the film thickness is acquired. 9, a quadratic curve obtained from this quadratic function is denoted by B1, and a difference C2 between the center of the wafer W in the quadratic curve B1 and the peripheral edge of the wafer W is obtained (Step S4).

그리고 나서, 메모리(44)의 처리 데이터에 있어서의 웨이퍼(W)에 레지스트를 토출할 때의 회전수 A2가, 초기값에 대해 소정량 증가, 혹은 저감되도록 보정된다. 구체적으로 설명하면, 이 보정은 웨이퍼(W)의 각 부의 막 두께가 균일화되도록 행해진다. 즉, 2차 곡선 B1로 표시되는 막 두께 분포에 대해, 웨이퍼(W)의 중심부에 대해 주연부의 막 두께가 작은 경우, 회전수 A2는 초기값에 대해 소정량 증가되도록 보정되고, 웨이퍼(W)의 중심부에 대해 주연부의 막 두께가 큰 경우, 회전수 A2는 초기값에 대해 소정량 저감되도록 보정된다. 도 9에 도시하는 예에서는, 2차 곡선 B1로 나타나는 막 두께 분포에 대해, 웨이퍼(W)의 중심부에 대해 주연부의 막 두께가 작으므로, 회전수 A2는 초기값에 대해 소정량 증가되도록 보정된다. Then, the rotation speed A2 at the time of discharging the resist to the wafer W in the processing data of the memory 44 is corrected so as to be increased or decreased by a predetermined amount with respect to the initial value. More specifically, this correction is made so that the thicknesses of the respective portions of the wafer W are made uniform. That is, with respect to the film thickness distribution represented by the quadratic curve B1, when the film thickness of the peripheral edge portion is small relative to the central portion of the wafer W, the rotation number A2 is corrected so as to be increased by a predetermined amount with respect to the initial value, The rotational speed A2 is corrected so as to be reduced by a predetermined amount with respect to the initial value. In the example shown in Fig. 9, since the film thickness at the periphery of the wafer W is small relative to the film thickness distribution represented by the quadratic curve B1, the number of revolutions A2 is corrected so as to be increased by a predetermined amount with respect to the initial value .

회전수 A2의 보정 후, 캐리어(C)로부터 반출된 4매째의 웨이퍼(W)가, 온도 조정 모듈(11), 레지스트 도포 모듈(21)의 순서로 반송되고 레지스트막이 형성된 후에, 막 두께 검출 모듈(31)로 반송되어, 당해 웨이퍼(W)의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포가 취득된다. 이 4매째의 웨이퍼(W)의 막 두께 분포에 대해서도, 3매째의 웨이퍼(W)로부터 얻어진 막 두께 분포와 마찬가지로 2차 근사되어, 2차 함수가 취득된다. 그리고, 이 2차 함수로부터도, 도 9에서 설명한 웨이퍼(W)의 중심과 웨이퍼(W)의 주연과의 막 두께의 차 C2가 취득된다(스텝 S5).After the correction of the rotational speed A2, the fourth wafer W taken out from the carrier C is conveyed in the order of the temperature adjusting module 11 and the resist coating module 21, and after the resist film is formed, And the film thickness distribution of the resist film at the diameter of the wafer W is obtained. Similarly to the film thickness distribution obtained from the third wafer W, the film thickness distribution of the fourth wafer W is secondarily approximated to obtain a quadratic function. Also from this quadratic function, the difference C2 between the center of the wafer W and the periphery of the wafer W described in Fig. 9 is acquired (step S5).

계속해서, 3매째의 웨이퍼(W)로부터 얻어진 막 두께차 C2와 4매째의 웨이퍼(W)로부터 얻어진 막 두께차 C2와의 변위량이 산출된다. 이 C2의 변위량(단위:㎚)과, 회전수 A2의 보정량(단위 rpm)이 예를 들어 비례하는 것으로 하여, C2의 변위량과 회전수 A2의 보정량과의 대응 관계가 취득된다. 그리고, 이 대응 관계와, 3매째의 웨이퍼(W)의 막 두께차 C2와, 회전수 A2의 초기값으로부터, 막 두께차 C2가 0으로 되는 회전수 A2의 값이 산출되고, 메모리(44)에 기억되는 회전수 A2가, 이 산출된 값으로 보정된다(스텝 S6). 도 10의 직선 B2는, 이와 같이 제1 파라미터에 상당하는 회전수 A2가 보정됨으로써, 다음에 레지스트 도포 처리가 행해졌다고 했을 때에 얻어지는 이상의 막 두께 분포이다. Subsequently, the amount of displacement between the film thickness difference C2 obtained from the third wafer W and the film thickness difference C2 obtained from the fourth wafer W is calculated. The relationship between the amount of displacement of C2 (unit: nm) and the amount of correction (unit rpm) of the number of rotations A2 is, for example, proportional to the amount of displacement of C2 and the amount of correction of the number of rotations A2. The value of the rotation number A2 at which the film thickness difference C2 becomes 0 is calculated from this correspondence relationship and the film thickness difference C2 of the third wafer W and the initial value of the revolution number A2, Is corrected to the calculated value (step S6). The straight line B2 in Fig. 10 is an ideal film thickness distribution obtained when the number of revolutions A2 corresponding to the first parameter is corrected and the resist coating process is performed next.

캐리어(C)로부터 반출된 5매째의 웨이퍼(W)가, 온도 조정 모듈(11), 레지스트 도포 모듈(21)의 순서로 반송되어 레지스트막이 형성된 후, 막 두께 검출 모듈(31)로 반송되고, 당해 웨이퍼(W)의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포가 취득된다. 도 11은 이 막 두께 분포의 일례를 나타내고 있고, 플롯 P5에서 웨이퍼(W)의 각 부의 막 두께를 나타내고 있다. 이와 같이 막 두께 분포가 취득되면, 플롯 P5군이 4차 근사되어, 막 두께 및 웨이퍼(W)의 중심으로부터의 거리를 좌표계로 하는 4차 함수가 취득된다. 즉, 기판의 위치와 막 두께와의 대응을 나타내는 제2 차수의 함수가 취득된다. 도 12에서는, 이 4차 함수로부터 얻어지는 4차 곡선을 B3으로서 나타내고 있다. 이 4차 곡선 B3에 있어서, 예를 들어, 도면 중에 C3으로 나타내는, 웨이퍼(W)의 중심부와 주연부 사이의 영역에서의 정점의 막 두께와, 웨이퍼(W)의 중심부에 있어서의 정점의 막 두께와의 차분이 취득된다(스텝 S7). The fifth wafer W carried out from the carrier C is transported in the order of the temperature adjusting module 11 and the resist coating module 21 to form a resist film and then transported to the film thickness detecting module 31, The film thickness distribution of the resist film at the diameter of the wafer W is obtained. Fig. 11 shows an example of the film thickness distribution, and shows the film thickness of each part of the wafer W on the plot P5. When the film thickness distribution is obtained in this way, the fourth order approximation is performed on the plot P5 group, and a quadratic function is obtained in which the film thickness and the distance from the center of the wafer W are the coordinate system. That is, a function of the second order indicating the correspondence between the position of the substrate and the film thickness is obtained. In Fig. 12, a quadratic curve obtained from this quadratic function is shown as B3. In this quadratic curve B3, for example, the film thickness of the vertex in the region between the central portion and the peripheral portion of the wafer W and the film thickness of the vertex in the central portion of the wafer W (Step S7).

이 스텝 S7에서 취득되는 4차 곡선 B3의 개략적인 형태는, M형 또는 W형으로 된다. 상세하게 설명하면, M형인 경우는, 웨이퍼(W)의 중심부 및 주연부의 막 두께에 대해, 중심부와 주연부 사이의 영역(이하, 설명의 편의상, 중간부라고 기재함)의 막 두께가 크고, W형인 경우는, 웨이퍼(W)의 중심부 및 주연부의 막 두께에 대해 중간부의 막 두께가 작다. 이 4차 곡선으로 나타내는 막 두께 분포가 평탄화되도록, 메모리(44)에 기억되는 온도 조정 모듈(11)의 스테이지의 설정 온도가, 소정량 증가 또는 저감되도록 보정된다. 구체적으로는, 예를 들어, 4차 곡선의 개략적인 형태가 M형인 경우, 온도 조정 모듈(11)의 스테이지의 설정 온도가, 초기값인 23℃에 대해 소정량 저감되도록 보정되고, 4차 곡선의 개략적인 형태가 W형인 경우, 온도 조정 모듈(11)의 설정 온도가 초기값인 23℃에 대해 소정량 증가되도록 보정된다. 도 12에 나타내는 예에서는, 4차 곡선 B3의 개략적인 형태가 W형이므로, 스테이지의 설정 온도가 초기값에 대해 소정량 증가하도록 보정된다. The outline of the quadratic curve B3 obtained in this step S7 is of the M type or W type. Specifically, in the case of the M type, the film thickness of the region between the central portion and the peripheral portion (hereinafter referred to as the intermediate portion for convenience of explanation) is large with respect to the film thickness of the central portion and the peripheral portion of the wafer W, The film thickness of the intermediate portion is smaller than the film thickness of the central portion and the peripheral portion of the wafer W. The set temperature of the stage of the temperature adjustment module 11 stored in the memory 44 is corrected so as to be increased or decreased by a predetermined amount so that the film thickness distribution represented by the quadratic curve is flattened. Specifically, for example, when the schematic form of the quadratic curve is M type, the set temperature of the stage of the temperature adjustment module 11 is corrected so as to be reduced by a predetermined amount with respect to the initial value of 23 deg. C, The set temperature of the temperature adjustment module 11 is corrected so as to be increased by a predetermined amount with respect to the initial value of 23 deg. In the example shown in Fig. 12, since the schematic shape of the quadratic curve B3 is of the W type, the set temperature of the stage is corrected to increase by a predetermined amount with respect to the initial value.

스테이지의 설정 온도의 보정 후, 캐리어(C)로부터 반출된 6매째의 웨이퍼(W)가 온도 조정 모듈(11), 레지스트 도포 모듈(21)의 순서로 반송되고, 레지스트막이 형성된 후, 막 두께 검출 모듈(31)로 반송되어, 웨이퍼(W)의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포가 취득된다. 그리고, 이 6매째의 웨이퍼(W)로부터 취득된 막 두께 분포가, 5매째의 웨이퍼(W)로부터 취득된 막 두께 분포와 마찬가지로 4차 근사되어, 4차 함수가 취득된다. 그리고 나서, 이 6매째의 웨이퍼(W)로부터 취득된 4차 함수로부터 얻어지는 4차 곡선에 대해, 도 12에서 설명한, 웨이퍼(W)의 중심부와 주연부 사이의 영역에서의 정점의 막 두께와, 웨이퍼(W)의 중심부에 있어서의 정점의 막 두께와의 차분 C3이 취득된다(스텝 S8). After the set temperature of the stage is corrected, the sixth wafer W carried out from the carrier C is transported in the order of the temperature adjusting module 11 and the resist coating module 21. After the resist film is formed, Is transferred to the module 31, and the film thickness distribution of the resist film at the diameter of the wafer W is obtained. The film thickness distribution obtained from the sixth wafer W is quadratically approximated to the film thickness distribution obtained from the fifth wafer W to obtain a quadratic function. Then, the quadratic curve obtained from the quadratic function obtained from the sixth wafer W is subjected to a process of calculating the thickness of the apex in the region between the center and the periphery of the wafer W, (Step S8), which is the difference between the film thickness of the peak at the center of the wafer W and the film thickness of the peak at the center of the wafer W.

그 후, 5매째의 웨이퍼(W)로부터 얻어진 막 두께차 C3과, 6매째의 웨이퍼(W)로부터 얻어진 막 두께차 C3과의 변위량이 산출된다. 이 C3의 변위량(단위:㎚)과 온도 조정 모듈(11)에 있어서의 스테이지의 설정 온도의 보정량(단위:℃)이 예를 들어 비례하는 것으로 하여, C3의 변위량과 스테이지의 설정 온도의 보정량과의 대응 관계가 취득된다. 그리고, 이 대응 관계와, 5매째의 웨이퍼(W)의 막 두께차 C3과, 스테이지의 설정 온도의 초기값으로부터, 막 두께차 C3이 0으로 되는 스테이지의 설정 온도가 산출되고, 메모리(44)에 기억되는 스테이지의 설정 온도가, 이 산출된 설정 온도로 보정된다(스텝 S9). 도 13의 직선 B4는, 이와 같이 제2 파라미터에 상당하는 스테이지의 설정 온도가 보정됨으로써, 다음에 레지스트 도포 처리가 행해졌을 때에 얻어지는 이상의 막 두께 분포를 나타내고 있다. Thereafter, the amount of displacement between the film thickness difference C3 obtained from the fifth wafer W and the film thickness difference C3 obtained from the sixth wafer W is calculated. It is assumed that the amount of displacement (unit: nm) of C3 and the amount of correction (unit: 占 폚) of the set temperature of the stage in the temperature adjustment module 11 are, for example, proportional to the amount of displacement of C3 Is obtained. The set temperature of the stage in which the film thickness difference C3 becomes 0 is calculated from this correspondence relationship and the film thickness difference C3 of the fifth wafer W and the initial value of the set temperature of the stage, Is corrected to the calculated set temperature (step S9). The straight line B4 in Fig. 13 shows the above-mentioned film thickness distribution obtained when the set temperature of the stage corresponding to the second parameter is corrected, so that the resist coating process is performed next.

그리고 나서, 7매째의 웨이퍼(W)가 온도 조정 모듈(11), 레지스트 도포 모듈(21)의 순서로 반송되고, 레지스트막이 형성된 후에 막 두께 검출 모듈(31)로 반송되어, 웨이퍼(W)의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포가 취득된다. 도 14는, 이 막 두께 분포의 일례를 나타내고 있고, 웨이퍼(W)의 각 부의 막 두께를 플롯 P6으로서 나타내고 있다. 이 플롯 P6으로 표시되는 막 두께의 평균값이 산출되고, 당해 평균값과 막 두께의 목표값과의 차분이 산출된다. The seventh wafer W is then transferred in the order of the temperature adjusting module 11 and the resist coating module 21. After the resist film is formed and transferred to the film thickness detecting module 31, The film thickness distribution of the resist film in the diameter is obtained. Fig. 14 shows an example of the film thickness distribution, and the film thickness of each part of the wafer W is shown as a plot P6. The average value of the film thickness indicated by the plot P6 is calculated, and the difference between the average value and the target value of the film thickness is calculated.

그리고 나서, 스텝 S3에서 취득한 회전수 A4의 보정량과 당해 웨이퍼(W)의 표면 전체의 막 두께의 변화량과의 대응 관계에 기초하여, 막 두께의 평균값을 막 두께의 목표값에 일치시키는 회전수 A4의 보정량이 구해지고, 이 보정량에 기초하여 메모리(44)에 기억되는 회전수 A4가 보정되어, 파라미터의 조정 동작이 종료된다(스텝 S10). 이미 스텝 S3에서 회전수 A4가 보정되어 있으므로, 이 스텝 S10의 회전수 A4의 보정은 웨이퍼(W)의 각 부에 있어서의 막 두께를 미세 조정하기 위한 보정이다. Then, based on the correspondence between the amount of correction of the number of revolutions A4 acquired in step S3 and the amount of change in the film thickness of the entire surface of the wafer W, the number of revolutions A4 of matching the average value of the film thickness with the target value of the film thickness The number of rotations A4 stored in the memory 44 is corrected based on this correction amount, and the adjustment operation of the parameters is ended (step S10). Since the rotation number A4 has already been corrected in step S3, the correction of the rotation number A4 in this step S10 is a correction for finely adjusting the film thickness in each part of the wafer W.

이와 같은 파라미터의 조정 동작 종료 후, 반도체 디바이스를 제조하기 위한 도포, 현상 장치(1)의 운용이 개시된다. 이 운용 시에 있어서, 캐리어(C)로부터 반송된 웨이퍼(W)는, 온도 조정 모듈(11), 레지스트 도포 모듈(21)에 순서로 반송되어, 온도 조정된 후, 레지스트 도포 처리되어 레지스트막이 형성된다. 이 레지스트 도포 처리에 있어서는, 이미 설명한 스텝 S3, S6에서 회전수 A2 및 A4가 보정되어 있음으로써, 웨이퍼(W)의 회전수는, 도 5의 하단의 타이밍 차트로 나타내는 바와 같이 추이한다. 그리고, 상기의 일련의 스텝에 따라서 레시피를 구성하는 파라미터가 조정되어 있음으로써, 이 웨이퍼(W)에 형성되는 레지스트막에 대해서는, 웨이퍼(W)의 면 내 각 부에 있어서의 편차가 억제됨과 함께, 면 내 각 부의 막 두께의 평균값이 목표값에 일치 내지는 대략 일치한 것으로 된다. After completion of the adjustment operation of such parameters, application for manufacturing a semiconductor device and operation of the developing apparatus 1 are started. In this operation, the wafer W transferred from the carrier C is transferred to the temperature adjusting module 11 and the resist coating module 21 in order, and after the temperature is adjusted, the resist coating is performed to form a resist film do. In this resist coating process, since the ratios A2 and A4 are corrected in the steps S3 and S6 already described, the number of rotations of the wafer W changes as shown by the timing chart at the bottom of Fig. Since the parameters constituting the recipe are adjusted in accordance with the above-described series of steps, variations in the in-plane parts of the wafer W are suppressed with respect to the resist film formed on the wafer W , And the average value of the film thicknesses of the respective parts in the plane substantially coincides with or coincides with the target value.

이미 설명한 바와 같이 스텝 S4 내지 스텝 S6에 있어서는, 막 두께 분포를 2차 함수에 근사함으로써 웨이퍼(W)의 주연부의 막 두께와 중심부의 막 두께 사이의 차가 검출되고, 이 차를 억제하기 위해 레지스트 공급 시의 회전수 A2가 보정된다. 또한, 스텝 S7 내지 S9에서는, 막 두께 분포를 4차 함수에 근사함으로써, 2차 함수로 근사한 경우보다도, 당해 막 두께 분포가 보다 상세하게 파악됨으로써, 웨이퍼(W)의 주연부 및 중심부의 막 두께와 중간부와의 막 두께의 차가 검출되고, 이 차를 억제하기 위해 온도 조정 모듈(11)의 스테이지의 설정 온도[웨이퍼(W)의 온도]가 보정된다. 이들 스텝 S4 내지 S6 및 S7 내지 S9의 보정은, 막 두께의 평균값에 대한 막 두께의 최소값과의 차, 막 두께의 평균값에 대한 최대값과의 차를 각각 억제하는 것을 목적으로서 행해진다. As described above, in step S4 to step S6, a difference between the film thickness at the periphery of the wafer W and the film thickness at the center is detected by approximating the film thickness distribution to a quadratic function. In order to suppress this difference, The rotational speed A2 of the hour is corrected. In addition, in steps S7 to S9, the film thickness distribution is approximated to a quadratic function, so that the film thickness distribution can be grasped in more detail than in the case where it is approximated by a quadratic function, A difference in film thickness between the intermediate portion is detected, and the set temperature (temperature of the wafer W) of the stage of the temperature adjusting module 11 is corrected to suppress this difference. The correction of these steps S4 to S6 and S7 to S9 is performed for the purpose of suppressing the difference between the average value of the film thickness and the minimum value of the film thickness and the maximum value of the average value of the film thickness, respectively.

이상에서 설명한 바와 같이 도포, 현상 장치(1)에 의하면, 웨이퍼(W)의 막 두께 분포를 2차 근사해서 취득한 2차 함수에 기초하여, 웨이퍼(W)의 주연부의 막 두께와 중심부의 막 두께와의 차가 억제되도록, 레지스트가 공급될 때의 회전수 A2가 보정된다. 또한, 웨이퍼(W)의 막 두께 분포를 4차 근사해서 취득한 4차 함수에 기초하여, 웨이퍼(W)의 면 내에 있어서의 막 두께의 차가 억제되도록, 온도 조정 모듈(11)에 의한 웨이퍼(W)의 온도가 보정된다. 이와 같이 막 두께를 조정하기 위한 파라미터군 중, 각 함수에 대응하는 파라미터가 변경된다. 그로 인해, 조정 동작이 시행될 때마다 동일한 종류의 파라미터에 다른 값이 설정되는 것을 방지하고, 그에 의해 반도체 디바이스를 양산하기 위해 도포, 현상 장치(1)를 운용하는 데 있어서, 부적절한 파라미터 값이 설정되어 버리는 것을 방지할 수 있다. 또한, 조정하는 파라미터의 종류가 많아지는 것을 방지할 수 있음과 함께, 동종의 파라미터에 대해 변경하는 횟수가 많아지는 것을 방지할 수 있으므로, 파라미터의 조정에 필요로 하는 시간의 단축화를 도모할 수 있다. As described above, according to the coating and developing apparatus 1, on the basis of the quadratic function obtained by approximating the film thickness distribution of the wafer W to the second order, the film thickness of the periphery of the wafer W and the film thickness The rotation speed A2 when the resist is supplied is corrected. It is also possible to control the temperature of the wafer W by the temperature regulation module 11 so that the difference in film thickness within the surface of the wafer W can be suppressed based on the quadratic function obtained by approximating the film thickness distribution of the wafer W in the fourth- Is corrected. As described above, among the parameter groups for adjusting the film thickness, the parameters corresponding to the respective functions are changed. Thereby, it is possible to prevent a different value from being set for the same kind of parameter each time the adjustment operation is performed, and thereby, in the application of the developing apparatus 1 for mass production of the semiconductor device, Can be prevented. In addition, it is possible to prevent the number of types of parameters to be adjusted from being increased, and to prevent the number of times of changing from being increased for the same type of parameters, thereby shortening the time required for adjusting the parameters .

파라미터 값이 부적절하게 되는 것에 대해, 일례를 설명해 둔다. 반도체 디바이스를 양산하기 위해 도포, 현상 장치(1)를 운용할 때에는, 온도 조정 모듈(11)로부터 레지스트 도포 모듈(21)에 웨이퍼(W)의 반송에 필요로 하는 시간이, 예정되는 시간으로부터 어긋날 우려가 있다. 구체적인 예를 들면, 레지스트 도포 모듈(21)에 의해 웨이퍼(W)를 처리 중일 때에 반송 기구(12)가 온도 조정 모듈(11)에 의해 온도 조정된 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태로, 레지스트 도포 모듈(21)로부터 처리 완료된 웨이퍼(W)가 반출될 때까지 대기하는 것이 생각되고, 이 대기에 의해, 반송에 필요로 하는 시간에 어긋남이 발생한다. 그리고, 온도 조정 모듈(11)의 스테이지의 설정 온도, 즉 온도 조정 모듈(11)에 의해 온도 조정되는 웨이퍼(W)의 온도가, 클린룸의 실온으로부터 크게 이격되어 있을수록, 당해 실온의 영향을 받음으로써, 반송 시간의 어긋남에 대한 웨이퍼(W)의 온도 변화량이 커지므로, 결과적으로, 레지스트 도포 모듈(21)에 반입 시의 웨이퍼(W)의 온도가, 예정되는 온도로 크게 어긋나 버린다. 즉, 클린룸의 실온으로부터 크게 이격된 스테이지의 설정 온도는, 상기의 도포, 현상 장치(1)를 운용하는 데 있어서 부적절한 파라미터값이다. An example will be described for the parameter value becoming inadequate. The time required for transferring the wafer W from the temperature adjusting module 11 to the resist coating module 21 is shifted from the scheduled time when the coating and developing apparatus 1 is operated to mass- There is a concern. Specifically, for example, when the wafer W is being processed by the resist coating module 21, the transfer mechanism 12 holds the wafer W whose temperature has been adjusted by the temperature adjusting module 11, It may be considered to wait until the processed wafers W are taken out from the application module 21, and this waiting causes a deviation in the time required for carrying. As the set temperature of the stage of the temperature adjusting module 11, that is, the temperature of the wafer W whose temperature is adjusted by the temperature adjusting module 11 is largely deviated from the room temperature of the clean room, The temperature variation of the wafer W with respect to the deviation of the transfer time becomes large and consequently the temperature of the wafer W at the time of bringing into the resist coating module 21 deviates greatly to the predetermined temperature. That is, the set temperature of the stage largely deviated from the room temperature of the clean room is an inappropriate parameter value for operating the coating and developing apparatus 1 described above.

그러나 상기의 파라미터의 조정 작업에 있어서는, 회전수 A2를 보정해서 미리 웨이퍼(W)의 막 두께 분포를 조정한 후에, 온도 조정 모듈(11)의 스테이지의 설정 온도가 보정되어 있다. 이와 같은 순번대로 보정이 행해지고 있음으로써, 예를 들어, 회전수 A2보다도 먼저 스테이지의 설정 온도를 보정하고, 웨이퍼(W)의 각 부의 막 두께가 대략 균일해지도록 설정한 후, 회전수 A2를 보정하는 것에 비해, 스테이지의 설정 온도의 보정량을 작게 억제할 수 있다. 따라서, 스테이지의 설정 온도가, 부적절한 파라미터값이 되는 것을 방지할 수 있다. However, in the adjustment operation of the parameters described above, the set temperature of the stage of the temperature adjustment module 11 is corrected after the film thickness distribution of the wafer W is adjusted in advance by correcting the rotation number A2. For example, after the set temperature of the stage is corrected before the rotation number A2 and the film thickness of each part of the wafer W is set to be substantially uniform, the rotation number A2 is corrected The correction amount of the set temperature of the stage can be suppressed to be small. Therefore, it is possible to prevent the set temperature of the stage from becoming an inappropriate parameter value.

그런데, 도 5의 타이밍 차트로 나타내는 시각 t3 내지 시각 t4의 레지스트 토출 시간과, 이 시각 t3 내지 시각 t4에 있어서 웨이퍼(W)에 토출되는 레지스트의 공급량은, 레지스트 토출 시의 회전수 A2와 마찬가지로, 웨이퍼(W)에 있어서의 레지스트의 확대 상태를 조정하고, 웨이퍼(W)의 중심부와 주연부 사이에 있어서의 막 두께 분포를 조정할 수 있는 파라미터이다. 따라서, 상기의 스텝 S5 내지 S6에서는 회전수 A2 대신에, 이 레지스트의 토출 시간 또는 레지스트의 공급량을 보정하도록 해도 좋다. By the way, the resist discharge time from the time t3 to the time t4 shown in the timing chart of Fig. 5 and the supply amount of the resist to be discharged onto the wafer W at the time t3 to time t4 are, similarly to the rotation number A2 at the time of resist discharge, Is a parameter capable of adjusting the film thickness distribution between the central portion and the peripheral portion of the wafer W by adjusting the enlarged state of the resist on the wafer W. Therefore, in the above-described steps S5 to S6, the discharge time of the resist or the supply amount of the resist may be corrected instead of the revolution number A2.

또한, 웨이퍼(W)에 토출되는 레지스트의 온도 및 컵(27) 내의 분위기의 온도는, 온도 조정 모듈(11)의 스테이지의 설정 온도와 마찬가지로, 웨이퍼(W)에 토출된 레지스트의 건조 속도를 조정하고, 웨이퍼(W)의 중심부 및 주연부의 막 두께에 대해 중간부의 막 두께를 변이시킬 수 있는 파라미터이다. 따라서, 상기의 스텝 S8, S9에 있어서는, 온도 조정 모듈(11)의 스테이지의 설정 온도 대신에, 이 레지스트의 온도 또는 컵(27) 내의 분위기의 온도를 보정하도록 해도 좋다. The temperature of the resist which is discharged onto the wafer W and the temperature of the atmosphere in the cup 27 are adjusted by adjusting the drying speed of the resist discharged onto the wafer W in the same manner as the set temperature of the stage of the temperature adjusting module 11 And is a parameter capable of changing the film thickness of the intermediate portion with respect to the film thickness of the center portion and the peripheral portion of the wafer W. Therefore, in the above-described steps S8 and S9, the temperature of the resist or the temperature of the atmosphere in the cup 27 may be corrected instead of the set temperature of the stage of the temperature adjusting module 11. [

레지스트의 온도에 대해, 클린룸의 실온으로부터 크게 이격된 값이 설정된 경우, 당해 레지스트가 유로 온도 조정부(26)에서 온도 조정되고 나서 웨이퍼(W)에 공급될 때까지, 외란에 의해 그 온도가 변동되기 쉬워질 우려가 있다. 또한, 컵(27) 내의 분위기의 온도에 대해서도 클린룸의 실온으로부터 크게 이격된 값이 설정된 경우에는, 대기가 기류 형성 유닛(20)으로부터 공급된 후, 컵(27) 내에 공급될 때까지, 외란에 의해 그 온도가 변동되기 쉬워질 우려가 있다. 따라서, 온도 조정 모듈(11)의 스테이지의 설정 온도와 마찬가지로, 레지스트의 온도 및 컵(27) 내의 분위기의 온도에 대해서도, 클린룸의 실온으로부터 크게 이격된 값은, 부적절한 파라미터값이다. 그러나, 스텝 S8, S9에 있어서, 온도 조정 모듈(11)의 스테이지의 설정 온도 대신에, 레지스트의 온도 혹은 컵(27) 내의 분위기의 온도를 보정하는 경우도, 당해 레지스트의 온도 보정은 회전수 A2의 보정 후에 행해지므로, 그와 같은 부적절한 파라미터값으로서 설정되는 것을 방지할 수 있다. When the value of the resist is significantly different from the room temperature of the clean room, the temperature of the resist is fluctuated by the disturbance until the resist is supplied to the wafer W after the temperature is adjusted in the flow path temperature adjusting unit 26 There is a fear that it becomes easy. If the ambient temperature in the cup 27 is set to a value far away from the room temperature of the clean room, the air is supplied from the airflow forming unit 20 and then fed into the cup 27, There is a possibility that the temperature tends to fluctuate. Therefore, the temperature of the resist and the temperature of the atmosphere in the cup 27, as well as the set temperature of the stage of the temperature adjusting module 11, are values that are far away from the room temperature of the clean room, which is an inappropriate parameter value. However, in the case where the temperature of the resist or the temperature of the atmosphere in the cup 27 is corrected instead of the set temperature of the stage of the temperature adjusting module 11 in steps S8 and S9, It is possible to prevent such an improper parameter value from being set as such.

그런데, 상기의 스텝 S1 내지 S3에서 웨이퍼(W)의 전체의 막 두께의 변위량과 레지스트막의 건조 시의 회전수 A4의 보정량과의 대응 관계(이하, 막 두께-회전수 A4 대응 관계라고 기재함)를 취득하고 있지만, 실험을 행함으로써, 조정 동작을 행하기 전에 미리 이 막 두께-회전수 A4 대응 관계에 대해 취득해 두고, 당해 대응 관계를 제어부(4)의 메모리에 기억해 둔다. 그리고, 당해 메모리에 기억된 막 두께-회전수 A4 대응 관계에 기초하여, 회전수 A4의 보정을 행해도 좋다. 그렇게 함으로써, 상기의 조정 동작에 있어서, 일련의 웨이퍼(W)의 온도 조정, 웨이퍼(W)에의 레지스트 도포 처리 및 막 두께 측정을 행하는 횟수를 줄이고, 조정 동작에 필요로 하는 시간을 보다 단축할 수 있다. 또한, 스텝 S4 내지 S6에서 취득하고 있는 2차 곡선 상의 막 두께차 C2의 변위량과 회전수 A2의 보정량과의 대응 관계 및 스텝 S7 내지 S9에서 취득하고 있는 4차 곡선 상의 막 두께 C3의 변위량과 스테이지의 설정 온도의 보정량과의 대응 관계에 대해서도 미리 취득해서 메모리에 기억시켜 두고, 기억된 이들 대응 관계에 기초하여 보정이 행해지도록 해도 좋다. In the above-described steps S1 to S3, the corresponding relationship between the amount of displacement of the entire film thickness of the wafer W and the correction amount of the rotational speed A4 upon drying of the resist film (hereinafter referred to as film thickness-rotational speed A4 correspondence) The experiment is carried out to acquire the film thickness-revolution number A4 correspondence beforehand before performing the adjustment operation, and the corresponding relationship is stored in the memory of the control section 4. [ The rotation number A4 may be corrected based on the film thickness-rotation number A4 corresponding relationship stored in the memory. By doing so, it is possible to reduce the number of times of performing temperature adjustment of a series of wafers W, resist coating processing on the wafers W, and film thickness measurement in the above adjustment operation, have. The relationship between the amount of displacement of the film thickness difference C2 on the quadratic curve and the amount of correction of the revolution number A2 acquired in steps S4 to S6 and the amount of displacement of the film thickness C3 on the quadratic curve acquired in steps S7 to S9, And the correction amount of the set temperature of the set temperature may be acquired in advance and stored in the memory, and the correction may be performed based on the stored correspondence.

상기의 스텝 S1 내지 S3은, 회전수 A4를 보정하여, 이후의 스텝에서 웨이퍼(W)의 막 두께를 평균 막 두께에 정밀도 높게 맞춰 넣는 것 및 막 두께-회전수 A4 대응 관계를 취득하는 것을 목적으로서 행하는 것이다. 회전 수 A4의 보정은 스텝 S10에서도 행하기 때문에, 상기와 같이 막 두께-회전수 A4 대응 관계를 미리 취득하고 있는 경우, 스텝 S1에서, 취득된 웨이퍼(W)의 중심의 막 두께와 막 두께의 목표값과의 차분이 미리 설정한 허용 범위 내인지 여부를 제어부(4)가 판정하고, 이 판정 결과에 따라서, 회전수 A4의 보정을 행할지 여부가 결정되도록 해도 좋다. 구체적으로는 예를 들어, 허용 범위 외라고 판정된 경우에는, 상기 막 두께-회전수 A4 대응 관계에 따라서, 회전수 A4가 보정되고, 보정 후는 스텝 S4 이하의 스텝이 실시되고, 후속의 웨이퍼(W)에 형성된 레지스트막의 막 두께 분포가 2차 함수로 근사되도록 한다. 허용 범위 내라고 판정된 경우에는, 회전수 A4가 보정되지 않고, 스텝 S1에서 취득된 막 두께 분포가 2차 함수에 근사되고, 그 후 스텝 S5 이하의 스텝이 실시되도록 한다. The above steps S1 to S3 correct the rotation number A4 and adjust the film thickness of the wafer W to an average film thickness at a high precision in the subsequent steps and obtain the film thickness- . Since the correction of the number of rotations A4 is also performed in step S10, if the relationship between the film thickness and the number of revolutions A4 has been acquired in advance as described above, the relationship between the film thickness of the center of the obtained wafer W and the film thickness The control unit 4 may determine whether or not the difference between the target value and the target value is within a predetermined allowable range and determine whether to perform the correction of the number of rotations A4 on the basis of the determination result. Specifically, for example, when it is determined that the allowable range is outside the allowable range, the number of rotations A4 is corrected in accordance with the film thickness-rotation number A4 corresponding relationship, and steps after the step S4 are performed after the correction, The film thickness distribution of the resist film formed on the wafer W is approximated by a quadratic function. If it is determined that the allowable range is satisfied, the rotation number A4 is not corrected, the film thickness distribution obtained in step S1 is approximated to a quadratic function, and then the steps after step S5 are performed.

또한, 스텝 S1 내지 S3에서는 웨이퍼(W)의 중심을 기준 위치로서, 당해 기준 위치의 막 두께가 목표값이 되도록 회전수 A4를 보정하고 있지만, 중심 이외의 위치를 기준 위치로서 회전수 A4를 보정해도 좋다. 또한, 스텝 S1, S2로부터 얻어진 막 두께 분포에 대해서도 각각 2차 함수로 근사해서 2차 곡선을 구하고, 이 2차 곡선으로 나타내는 막 두께 분포에 기초하여, 상기 기준 위치의 막 두께와 막 두께의 목표값과의 차를 구하고, 그에 의해 회전수 A4의 보정량을 산출해도 좋다. In the steps S1 to S3, the rotation number A4 is corrected so that the center of the wafer W is the reference position and the film thickness of the reference position is the target value, but the rotation number A4 is corrected Maybe. The film thickness distribution obtained from the steps S1 and S2 is also approximated by a quadratic function to obtain a quadratic curve, and based on the film thickness distribution represented by the quadratic curve, the film thickness of the reference position and the film thickness And the correction amount of the revolution number A4 may be calculated by this.

그런데, 스텝 S4, S5에 있어서, 레지스트막의 막 두께 분포를 2차보다도 고차의 함수에 근사해도 좋다. 또한, 스텝 S7, S8에 있어서는, 레지스트막의 막 두께 분포를 4차보다도 고차의 함수에 근사해도 좋다. 단, 스텝 S7, S8에서는, 스텝 S4, S5보다도 상세한 막 두께 분포를 파악하기 위해, 스텝 S7, S8에서 근사한 함수의 차수>스텝 S4, S5에서 근사한 함수의 차수로 한다. 스핀 코팅에 의해 레지스트는 웨이퍼(W)의 둘레 방향으로 균일성 높게 확대되므로, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 일단부측에서 본 레지스트막의 막 두께 분포와, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 타단부측에서 본 레지스트막의 막 두께 분포와는 서로 대략 동등하다. 따라서, 웨이퍼(W)의 직경에 있어서의 막 두께 분포를 정밀도 높게 나타내기 위해, 근사한 함수의 차수는, 짝수의 차수로 하는 것이 바람직하다. In the steps S4 and S5, the film thickness distribution of the resist film may be approximated to a higher-order function than the secondary. In the steps S7 and S8, the film thickness distribution of the resist film may be approximated to a higher order function than the fourth order. However, in steps S7 and S8, in order to grasp the film thickness distribution more detailed than the steps S4 and S5, the degree of approximated function in steps S7 and S8> the order of approximated function in steps S4 and S5. The film thickness distribution of the resist film viewed from the one end side from the center of the wafer W and the film thickness distribution of the resist film seen from the other end side from the center of the wafer W And the film thickness distribution of the resist film are substantially equal to each other. Therefore, in order to highly accurately represent the film thickness distribution in the diameter of the wafer W, it is preferable that the order of the approximate function is an even number.

(제2 실시 형태) (Second Embodiment)

제2 실시 형태의 파라미터의 조정 동작에 대해, 제1 실시 형태의 조정 동작과의 차이점을 중심으로 설명한다. 우선, 제1 실시 형태의 스텝 S1과 마찬가지로, 1매째의 웨이퍼(W)가 온도 조정 모듈(11), 레지스트 도포 모듈(21), 막 두께 검출 모듈(31)에 순서로 반송되어, 웨이퍼(W)의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포가 취득된다(스텝 S11). 예를 들어, 도 15의 플롯 P2군으로 나타내는, 막 두께 분포가 얻어진 것으로 한다. The adjustment operation of the parameters of the second embodiment will be described mainly on the difference from the adjustment operation of the first embodiment. The first wafer W is first transferred to the temperature adjusting module 11, the resist coating module 21 and the film thickness detecting module 31 in the same manner as the step S1 of the first embodiment, Is obtained (step S11). For example, it is assumed that a film thickness distribution represented by the plot P2 group in Fig. 15 is obtained.

그리고 나서, 이 플롯 P2군이 2차 근사되어 2차 함수가 취득된다. 도 15 중 B5는, 이 2차 함수로부터 얻어지는 2차 곡선을 나타내고 있다. 또한 플롯 P2군이 4차 근사되어 4차 함수가 취득된다. 그리고, 이 4차 함수로부터 얻어지는 4차 곡선(도시는 생략하고 있음)으로 표시되는 막 두께 분포로부터 2차 곡선 B5로 표시되는 막 두께 분포를 차감한다. 보다 상세하게 설명하면, 횡축의 좌표가 서로 동일한 4차 곡선으로 나타내는 막 두께의 값과, 2차 곡선 B5로 표시되는 막 두께의 값과의 차분이 산출되고, 웨이퍼(W)의 직경에 있어서의, 이 차분의 분포가 취득된다. 도 16에 곡선 B6으로, 이 차분의 분포를 나타내고 있다. Then, this plot P2 group is quadratically approximated to obtain a quadratic function. B5 in Fig. 15 shows a quadratic curve obtained from this quadratic function. Also, the plot P2 group is quadratically approximated to obtain a quadratic function. Then, the film thickness distribution represented by the quadratic curve B5 is subtracted from the film thickness distribution represented by the quadratic curve (not shown) obtained from this quadratic function. More specifically, the difference between the value of the film thickness represented by the quadratic curve having the same coordinates as the abscissa and the value of the film thickness indicated by the quadratic curve B5 is calculated, and the difference , And the distribution of the difference is obtained. And a curve B6 in Fig. 16 shows the distribution of this difference.

계속해서, 2차 곡선 B5에 있어서의 정점의 막 두께[웨이퍼(W)의 중심의 막 두께]와 막 두께의 목표값과의 차 C4 및 2차 곡선 B5에 있어서의 웨이퍼(W)의 중심의 막 두께와 주연의 막 두께와의 차 C5가 취득된다. 또한 차분의 분포 곡선 B6에 대해, 웨이퍼(W)의 중심에 있어서의 정점의 막 두께차와 웨이퍼(W)의 중간부에 있어서의 정점의 막 두께차와의 차 C6이 취득된다(스텝 S12). Subsequently, the difference C4 between the film thickness of the vertex (the film thickness of the center of the wafer W) and the target value of the film thickness in the quadratic curve B5 and the center of the wafer W in the secondary curve B5 A difference C5 between the film thickness and the peripheral film thickness is obtained. A difference C6 between the difference in film thickness at the center of the wafer W and the difference in film thickness at the midpoint between the wafers W is acquired for the distribution curve B6 of the difference (step S12) .

그 후, 메모리(44)에 기억되는 회전수 A2, A4, 스테이지의 설정 온도에 대해, 각각 소정량 보정된다. 보정 후에 2매째의 웨이퍼(W)가, 스텝 S11과 마찬가지로 온도 조정 모듈(11), 레지스트 도포 모듈(21), 막 두께 검출 모듈(31)에 순서로 반송되어, 웨이퍼(W)의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포가 취득된다(스텝 S13). 이 2매째의 웨이퍼(W)의 막 두께 분포에 대해서도 스텝 S12와 마찬가지로 2차 함수 및 4차 함수로 근사되고, 2차 곡선 B5에 있어서의 웨이퍼(W)의 중심의 막 두께와 막 두께의 목표값과의 차 C4, 2차 곡선 B5에 있어서의 웨이퍼(W)의 중심의 막 두께와 주연의 막 두께와의 차 C5 및 차분의 분포 곡선 B6에 있어서의 정점간의 차 C6이 취득된다(스텝 S14). 그리고, C4, C5, C6에 대해, 각각 스텝 S12에서 얻어진 값과 스텝 S14에서 얻어진 값과의 차가 취득된다. Thereafter, the predetermined number of revolutions A2, A4, and the set temperature of the stage are stored in the memory 44, respectively. The second wafer W after the correction is transferred in order to the temperature adjustment module 11, the resist coating module 21 and the film thickness detection module 31 in the same manner as in step S11 so that the diameter of the wafer W Is obtained (step S13). The film thickness distribution of the second wafer W is also approximated by a quadratic function and a quadratic function in the same manner as in step S12, and the film thickness of the wafer W in the quadratic curve B5 A difference C5 between the center of the wafer W and the film thickness of the peripheral edge in the secondary curve B5 and a difference C6 between the vertices in the distribution curve B6 of the difference are obtained (step S14 ). Then, for C4, C5, and C6, the difference between the value obtained in step S12 and the value obtained in step S14 is obtained, respectively.

취득된 C4에 대한 차와 회전수 A4의 보정량이 비례 관계에 있는 것으로서, C4에 대한 차와 회전수 A4의 보정량과의 대응 관계가 취득된다. 이 대응 관계와 회전수 A4의 초기값과 스텝 S12에서 취득된 C4로부터, 당해 C4를 0으로 하는 회전수 A4가 산출되고, 메모리(44) 내의 A4가 이 산출값으로 보정된다. 또한, 취득된 C5에 대한 차와 회전수 A2의 보정량이 비례 관계에 있는 것으로서, C5에 대한 차와 회전수 A2의 보정량과의 대응 관계가 취득된다. 이 대응 관계와 회전수 A2의 초기값과 스텝 S12에서 취득된 C5로부터, 당해 C5를 0으로 하는 회전수 A2가 산출되고, 메모리(44) 내의 A2가 이 산출값으로 보정된다. 또한, 취득된 C6에 대한 차와 스테이지의 설정 온도의 보정량이 비례 관계에 있는 것으로서, C6에 대한 차와 스테이지의 설정 온도의 보정량과의 대응 관계가 취득된다. 이 대응 관계와 스테이지의 설정 온도의 초기값과 스텝 S12에서 취득된 C6으로부터, 당해 C6을 0으로 하는 스테이지의 설정 온도가 산출되고, 메모리(44) 내의 스테이지의 설정 온도가 이 산출값으로 보정된다(스텝 S15). The correspondence relationship between the difference between C4 and the correction amount of the revolution number A4 is obtained as the correction amount of the acquired C4 is proportional to the correction amount of the revolution number A4. From this correspondence relationship, the initial value of the number of revolutions A4, and C4 obtained in step S12, the number of revolutions A4 for which the number C4 is 0 is calculated, and A4 in the memory 44 is corrected to this calculated value. Also, the relationship between the difference between C5 and C5 is proportional to the correction amount of rotation number A2, and the correspondence between the difference between C5 and the correction amount of rotation number A2 is acquired. From this correspondence relationship, the initial value of the revolution number A2 and the C5 obtained in the step S12, the revolution number A2 for which C5 is 0 is calculated, and A2 in the memory 44 is corrected to this calculated value. It is also assumed that the difference between the obtained difference of C6 and the correction amount of the set temperature of the stage is proportional to each other, and the corresponding relationship between the difference between C6 and the set temperature of the stage is obtained. The set temperature of the stage in which the C6 is set to 0 is calculated from the correspondence relationship and the initial value of the set temperature of the stage and C6 obtained in step S12, and the set temperature of the stage in the memory 44 is corrected to this calculated value (Step S15).

계속해서 3매째의 웨이퍼(W)가 온도 조정 모듈(11), 레지스트 도포 모듈(21), 막 두께 검출 모듈(31)에 순서로 반송되어, 웨이퍼(W)의 직경에 있어서의 레지스트막의 막 두께 분포가 취득된다(스텝 S16). 그리고, 제1 실시 형태의 스텝 S10과 마찬가지로, 3매째의 웨이퍼(W)의 막 두께 분포로부터 막 두께의 평균값이 산출되고, 이 평균값과 막 두께의 목표값과의 차분이 산출된다. 이 차분과, 스텝 S15에서 취득된 C4에 대한 차와 회전수 A4의 보정량과의 대응 관계와, 메모리에 기억된 회전수 A4에 기초하여, 당해 차분을 0으로 하는 회전수 A4가 산출되고, 이 산출값에 메모리(44)에 기억되는 회전수 A4가 보정되어, 파라미터의 조정 동작이 종료된다(스텝 S17). The third wafer W is sequentially transferred to the temperature adjusting module 11, the resist coating module 21 and the film thickness detecting module 31 so that the film thickness of the resist film in the diameter of the wafer W Distribution is acquired (step S16). Then, as in step S10 of the first embodiment, the average value of the film thicknesses is calculated from the film thickness distribution of the third wafer W, and the difference between the average value and the target value of the film thickness is calculated. Based on this difference and the corresponding relationship between the difference in C4 and the correction amount of the revolution number A4 acquired in step S15 and the revolution number A4 stored in the memory, the revolution number A4 for which the difference is set to 0 is calculated The number of rotations A4 stored in the memory 44 is corrected for the calculated value, and the parameter adjustment operation is ended (step S17).

이 제2 실시 형태에 있어서는, 제1 실시 형태와 마찬가지의 효과를 갖는 것 외에, 웨이퍼(W)의 온도 조정, 레지스트 도포 처리 및 막 두께의 측정을 행하는 횟수를, 보다 적게 할 수 있어, 조정 동작에 필요로 하는 시간을 억제할 수 있는 이점이 있다. In the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment are obtained, the number of times of performing the temperature adjustment of the wafer W, the resist coating process, and the film thickness measurement can be further reduced, It is advantageous in that the time required for the operation can be suppressed.

또한, 제1 실시 형태에서 설명한 기술은, 제2 실시 형태에도 적용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 막 두께 분포를 4차 함수에 근사한 대신에, 보다 고차의 함수에 근사해도 좋다. 또한, 본 발명은 레지스트막을 형성하는 장치에 적용되는 것에 한정되지 않고, 예를 들어, 반사 방지막을 형성하는 장치나 폴리이미드 등의 절연막을 형성하는 장치에도 적용할 수 있다. The technique described in the first embodiment can also be applied to the second embodiment. Specifically, for example, instead of approximating the film thickness distribution to a quadratic function, it may be approximated to a higher order function. Further, the present invention is not limited to the application to the apparatus for forming a resist film, and it can be applied to, for example, an apparatus for forming an antireflection film or an apparatus for forming an insulating film such as polyimide.

도 17 내지 도 19에, 도포, 현상 장치(1)의 상세한 구성의 일례를 나타낸다. 도 17, 도 18, 도 19는 각각 당해 도포, 현상 장치(1)의 평면도, 사시도, 개략적인 종단 측면도이다. 이 도포, 현상 장치(1)는 캐리어 블록(D1)과, 처리 블록(D2)과, 인터페이스 블록(D3)을 직선 형상으로 접속해서 구성되어 있다. 인터페이스 블록(D3)에는 노광 장치(D4)가 접속되어 있다. 이후의 설명에서는 블록(D1 내지 D3)의 배열 방향을 전후 방향으로 한다. 캐리어 블록(D1)은 캐리어(C)를 도포, 현상 장치(1) 내에 대해 반입출하고, 캐리어(C)의 적재대(51)와, 개폐부(52)와, 개폐부(52)를 통하여 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 이동 탑재 기구(53)를 구비하고 있다. 17 to 19 show an example of the detailed configuration of the coating and developing apparatus 1. Figs. 17, 18, and 19 are respectively a plan view, a perspective view, and a schematic longitudinal side view of the coating apparatus, the developing apparatus 1, and the like. The coating and developing apparatus 1 is constituted by linearly connecting the carrier block D1, the processing block D2 and the interface block D3. An exposure device D4 is connected to the interface block D3. In the following description, the arrangement direction of the blocks D1 to D3 is the forward and backward direction. The carrier block D 1 applies the carrier C to the developing apparatus 1 and loads the carrier C into and out of the developing apparatus 1 and transfers the carrier C to the carrier C via the loading table 51, the opening / closing unit 52, C for transporting the wafer W. The wafer W is transferred to the wafer W.

처리 블록(D2)은 웨이퍼(W)에 액 처리를 행하는 제1 내지 제6 단위 블록(E1 내지 E6)이 아래로부터 순서대로 적층되어 구성되어 있다. 설명의 편의상 웨이퍼(W)에 하층측의 반사 방지막을 형성하는 처리를 「BCT」, 웨이퍼(W)에 레지스트막을 형성하는 처리를 「COT」, 노광 후의 웨이퍼(W)에 레지스트 패턴을 형성하기 위한 처리를 「DEV」로 각각 표현하는 경우가 있다. 이 예에서는, 도 18에 도시하는 바와 같이 아래로부터 BCT층, COT층, DEV층이 2층씩 쌓아 올려져 있다. 동일한 단위 블록에 있어서 서로 병행하여 웨이퍼(W)의 반송 및 처리가 행해진다. The processing block D2 includes first to sixth unit blocks E1 to E6 for performing a liquid process on the wafer W in order from the bottom. A process for forming a resist film on a wafer W is called " COT ", a process for forming a resist pattern on a wafer W after exposure, a process for forming an anti- And " DEV ", respectively. In this example, as shown in Fig. 18, the BCT layer, the COT layer, and the DEV layer are piled up from the bottom by two layers. The wafer W is transferred and processed in the same unit block in parallel with each other.

여기서는 단위 블록 중 대표해서 COT층(E3)을, 도 17을 참조하면서 설명한다. 캐리어 블록(D1)으로부터 인터페이스 블록(D3)을 향하는 반송 영역(54)의 좌우 일방측에는 선반 유닛(U)이 전후 방향으로 복수 배치되고, 타방측에는 각각 레지스트 도포 모듈(21), 보호막 형성 모듈(ITC)이 전후 방향으로 배열되어 설치되어 있다. 보호막 형성 모듈(ITC)은 레지스트막 상에 소정의 처리액을 공급하고, 당해 레지스트막을 보호하는 보호막을 형성한다. 선반 유닛(U)은 가열 모듈을 구비하고 있다. 상기 반송 영역(54)에는 웨이퍼(W)의 반송 기구인 반송 아암(F3)이 설치되어 있고, 이 반송 아암(F3)과 COT층(E4)에 설치되는 반송 아암(F4)이 각각 상기의 반송 기구(12)에 상당한다. Here, the COT layer (E3) will be described as a representative unit block with reference to Fig. A plurality of shelf units U are arranged in the front and rear direction on one side of the carrying area 54 from the carrier block D1 toward the interface block D3 and on the other side are provided a resist coating module 21, Are arranged in the front-rear direction. The protective film forming module (ITC) supplies a predetermined treatment liquid onto the resist film to form a protective film for protecting the resist film. The shelf unit U is provided with a heating module. A transfer arm F3 which is a transfer mechanism of the wafer W is provided in the transfer region 54. The transfer arm F4 provided on the transfer arm F3 and the COT layer E4 are respectively transferred And corresponds to the mechanism 12.

다른 단위 블록(E1, E2, E5 및 E6)은, 웨이퍼(W)에 공급하는 약액이 다른 것을 제외하고, 단위 블록(E3, E4)과 마찬가지로 구성된다. 단위 블록(E1, E2)은 레지스트 도포 모듈(21) 대신에 웨이퍼(W)에 반사 방지막 형성용의 약액을 공급하는 반사 방지막 형성 모듈을 구비하고, 단위 블록(E5, E6)은 웨이퍼(W)에 약액으로서 현상액을 공급하는 현상 모듈을 구비한다. 도 19에서는 각 단위 블록(E1 내지 E6)의 반송 아암은 F1 내지 F6으로서 나타내고 있다. The other unit blocks E1, E2, E5 and E6 are configured similarly to the unit blocks E3 and E4, except that the chemical liquid to be supplied to the wafer W is different. The unit blocks E1 and E2 are provided with an antireflection film forming module for supplying a chemical solution for forming an antireflection film to the wafer W instead of the resist coating module 21. The unit blocks E5 and E6 are provided on the wafer W, And a developing module for supplying a developer as a chemical solution. In Fig. 19, the carrying arms of the unit blocks E1 to E6 are denoted as F1 to F6.

처리 블록(D2)에 있어서의 캐리어 블록(D1)측에는, 각 단위 블록(E1 내지 E6)에 걸쳐서 상하에 신장하는 타워(T1)와, 타워(T1)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 전달 기구인 전달 아암(55)이 설치되어 있다. 타워(T1)는 서로 적층된 복수의 모듈에 의해 구성되어 있고, 전달 모듈(TRS)과, 상기의 온도 조정 모듈(11) 및 막 두께 검출 모듈(31)을 구비하고 있다. 단위 블록(E1 내지 E6)의 각 높이에 설치되는 전달 모듈(TRS) 및 온도 조정 모듈(11)은, 당해 단위 블록(E1 내지 E6)의 각 반송 아암(F1 내지 F6) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 이후, 단위 블록(E1, E2, E3, E4)의 각 높이에 설치되는 온도 조정 모듈(11)을, 각각 11A, 11B, 11C, 11D라고 기재한다. On the side of the carrier block D1 in the processing block D2 are disposed a tower T1 extending vertically across each unit block E1 to E6 and a tower T1 extending vertically A transfer arm 55 which is a vertically movable transfer mechanism is provided. The tower T1 is composed of a plurality of modules laminated to each other and includes a transfer module TRS and the temperature regulation module 11 and the film thickness detection module 31 described above. The transfer module TRS and the temperature adjustment module 11 provided at the respective heights of the unit blocks E1 to E6 are disposed in the vicinity of the wafer W between the transfer arms F1 to F6 of the unit blocks E1 to E6, . 11B, 11C, and 11D, the temperature adjustment module 11 provided at each height of the unit blocks E1, E2, E3, and E4 will be referred to as 11A, 11B, 11C, and 11D, respectively.

인터페이스 블록(D3)은, 단위 블록(E1 내지 E6)에 걸쳐서 상하에 신장하는 타워 T2, T3, T4를 구비하고 있고, 타워 T2와 타워 T3에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 전달 기구인 인터페이스 아암(56)과, 타워 T2와 타워 T4에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 전달 기구인 인터페이스 아암(57)과, 타워 T2와 노광 장치(D4) 사이에 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 인터페이스 아암(58)이 설치되어 있다. The interface block D3 has towers T2, T3 and T4 extending up and down over the unit blocks E1 to E6. The interface block D3 is movable up and down for transferring the wafers W to the towers T2 and T3 An interface arm 56 as a transfer mechanism and an interface arm 57 as an elevatable transfer mechanism for transferring the wafer W to the towers T2 and T4; And an interface arm 58 for transferring the wafer W are provided.

타워(T2)는 전달 모듈(TRS), 노광 처리 전의 복수매의 웨이퍼(W)를 저장하여 체류시키는 버퍼 모듈, 노광 처리 후의 복수매의 웨이퍼(W)를 저장하는 버퍼 모듈 및 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 온도 조정 모듈 등이 서로 적층되어 구성되어 있지만, 여기서는, 버퍼 모듈 및 온도 조정 모듈의 도시는 생략한다. 이 도포, 현상 장치(1)에 있어서는, 웨이퍼(W)가 적재되는 장소를 모듈이라고 기재한다. 또한, 타워(T3, T4)에도 각각 모듈이 설치되어 있지만, 여기서는 설명을 생략한다. The tower T2 includes a transfer module TRS, a buffer module for storing and holding a plurality of wafers W before exposure processing, a buffer module for storing a plurality of wafers W after exposure processing, And a temperature adjustment module for temperature adjustment are laminated to each other. Here, the illustration of the buffer module and the temperature adjustment module is omitted. In the coating and developing apparatus 1, a place where the wafer W is loaded is referred to as a module. Although the modules are also provided in the towers T3 and T4, the description thereof is omitted here.

이 도포, 현상 장치(1) 및 노광 장치(D4)로 이루어지는 시스템에 있어서, 상기의 파라미터 조정 후의 반도체 디바이스의 제조 시에서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해 설명한다. 웨이퍼(W)는 캐리어(C)로부터 이동 탑재 기구(53)에 의해, 처리 블록(D2)에 있어서의 타워(T1)의 전달 모듈(TRS0)로 반송된다. 이 전달 모듈(TRS0)로부터 웨이퍼(W)는 단위 블록(E1, E2)에 할당되어 반송된다. In the system comprising the coating device, the developing device 1 and the exposure device D4, the conveyance path of the wafer W at the time of manufacturing the semiconductor device after the parameter adjustment described above will be described. The wafer W is transferred from the carrier C to the transfer module TRS0 of the tower T1 in the processing block D2 by the moving mounting mechanism 53. [ The wafer W is transferred from the transfer module TRS0 to the unit blocks E1 and E2.

예를 들어 웨이퍼(W)를 단위 블록(E1)에 전달하는 경우에는, 타워(T1)의 온도 조정 모듈(11) 중, 단위 블록(E1)에 대응하는 온도 조정 모듈(11A)[반송 아암(F1)에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 가능한 전달 모듈]에 대해, 상기 TRS0으로부터 웨이퍼(W)가 전달된다. 또한 웨이퍼(W)를 단위 블록(E2)에 전달하는 경우에는, 타워(T1)의 전달 모듈(TRS) 중, 단위 블록(E2)에 대응하는 온도 조정 모듈(11B)에 대해, 상기 TRS0으로부터 웨이퍼(W)가 전달된다. 이들 웨이퍼(W)의 전달은, 전달 아암(55)에 의해 행해진다. 이와 같이 할당된 웨이퍼(W)는, 온도 조정 모듈[11A(11B)]→반사 방지막 형성 모듈→가열 모듈→타워(T1)의 전달 모듈[TRS1(TRS2)]의 순서로 반송되고, 계속해서 전달 아암(55)에 의해 단위 블록(E3)에 대응하는 온도 조정 모듈(11C)과, 단위 블록(E4)에 대응하는 온도 조정 모듈(11D)에 할당된다. For example, when the wafer W is transferred to the unit block E1, the temperature adjusting module 11A corresponding to the unit block E1 in the temperature adjustment module 11 of the tower T1 The wafer W is transferred from the TRS0 to the transfer module (transfer module capable of transferring the wafer W by the transfer device F1). When transferring the wafer W to the unit block E2, the temperature adjustment module 11B corresponding to the unit block E2 of the transfer module TRS of the tower T1 transfers the wafer W from the TRS0 to the wafer W (W) is transmitted. The transfer of these wafers W is carried out by the transfer arm 55. The wafers W thus assigned are conveyed in the order of the temperature regulation module 11A (11B), the antireflection film formation module, the heating module, and the transfer module TRS1 (TRS2) of the tower T1, The arm 55 is assigned to the temperature adjustment module 11C corresponding to the unit block E3 and the temperature adjustment module 11D corresponding to the unit block E4.

이와 같이 11C, 11D에 할당된 웨이퍼(W)는, 온도 조정 모듈[11C(11D)]→레지스트 도포 모듈(21)→가열 모듈→보호막 형성 모듈(ITC)→가열 모듈→타워(T2)의 전달 모듈(TRS)의 순서로 반송된다. 그리고 나서, 이 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(56, 58)에 의해, 타워(T3)를 통하여 노광 장치(D4)에 반입된다. 노광 후의 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(57)에 의해 타워(T2, T4) 사이를 반송하여, 단위 블록(E5, E6)에 대응하는 타워(T2)의 전달 모듈(TRS5, TRS6)에 각각 반송된다. 그리고 나서, 가열 모듈→현상 모듈→가열 모듈→타워(T1)의 전달 모듈(TRS)로 반송된 후, 이동 탑재 기구(53)를 통하여 캐리어(C)로 되돌려진다. The wafers W allocated to 11C and 11D are transferred from the temperature adjusting module 11C (11D) to the resist coating module 21, the heating module, the protective film forming module (ITC), the heating module, and the tower T2 Module TRS in this order. The wafer W is then carried into the exposure apparatus D4 by the interface arms 56 and 58 through the tower T3. The wafer W after the exposure is transferred between the towers T2 and T4 by the interface arm 57 and transported to the transfer modules TRS5 and TRS6 of the tower T2 corresponding to the unit blocks E5 and E6 do. Then, the heat is transferred from the heating module to the developing module, from the heating module to the transfer module TRS of the tower T1, and then returned to the carrier C via the mobile loading mechanism 53.

상기의 스텝에서 설명한 파라미터의 조정 동작 시에는, 웨이퍼(W)는 캐리어(C)로부터 이동 탑재 기구(53)에 의해, 타워(T1)의 전달 모듈(TRS0)로 반송되고, 전달 아암(55)에 의해, 온도 조정 모듈[11C(11D)]→레지스트 도포 모듈(21)→타워(T1)의 전달 모듈[TRS3(TRS4)]→막 두께 검출 모듈(31)의 순서로 반송되고, 이동 탑재 기구(53)를 통하여 캐리어(C)로 되돌려진다.The wafer W is transferred from the carrier C to the transfer module TRS0 of the tower T1 by the moving mounting mechanism 53, In the order of the temperature adjusting module 11C (11D), the resist coating module 21, the transfer module TRS3 (TRS4) of the tower T1, and the film thickness detecting module 31, And returned to the carrier C via the carrier 53.

1 : 도포, 현상 장치
11 : 온도 조정 모듈
21 : 레지스트 도포 모듈
22 : 스핀 척
24A : 레지스트 공급 기구
31 : 막 두께 검출 모듈
4 : 제어부
42 : 프로그램
43 : 프로그램 저장부
44 : 메모리 1: Coating and developing device
11: Temperature adjustment module
21: Resist application module
22: Spin chuck
24A: resist supply mechanism
31: Film Thickness Detection Module
4:
42: Program
43: Program storage unit
44: Memory

Claims (12)

회전하는 기판의 중심부에 약액을 공급하고, 당해 약액을 원심력에 의해 상기 기판의 주연부로 확산해서 도포막을 형성하는 도포막 형성 방법에 있어서,
상기 기판의 면 내에 있어서의 상기 도포막의 막 두께 분포를 조정하기 위한 제1 파라미터 및 제2 파라미터를 포함하는 레시피에 기초하여 상기 도포막을 형성하고, 기판의 면 내에 있어서의 제1 도포막의 막 두께 분포를 취득하는 공정과,
계속해서, 상기 제1 도포막의 막 두께 분포를 상기 기판의 위치와 막 두께와의 관계를 나타내는 제1 차수의 함수에 근사시키고, 당해 제1 차수의 함수에 기초하여 상기 제1 파라미터를 변경하는 제1 변경 공정과,
계속해서, 상기 제1 변경 공정에 의해 변경한 레시피에 기초하여 기판에 도포막을 형성하고, 당해 기판에 있어서의 제2 도포막의 막 두께 분포를 취득하는 공정과,
그 후, 상기 제2 도포막의 막 두께 분포를 상기 기판의 위치와 막 두께와의 관계를 나타냄과 함께 제1 차수보다도 큰 제2 차수의 함수에 근사시키고, 당해 제2 차수의 함수에 기초하여 상기 제2 파라미터를 변경하는 제2 변경 공정과,
그 후, 상기 제1 변경 공정 및 제2 변경 공정에 의해 변경한 레시피에 기초하여, 기판에 도포막을 형성하는 공정
을 구비한 것을 특징으로 하는, 도포막 형성 방법. A coating film forming method for forming a coating film by supplying a chemical solution to a central portion of a rotating substrate and diffusing the chemical solution to a periphery of the substrate by a centrifugal force,
Wherein the coating film is formed on the basis of a recipe including a first parameter and a second parameter for adjusting a film thickness distribution of the coating film in the surface of the substrate and the film thickness distribution of the first coating film in the surface of the substrate ; A step
Subsequently, the film thickness distribution of the first coated film is approximated to a function of the first order indicating the relationship between the position of the substrate and the film thickness, and the first parameter is changed based on the function of the first order 1 change process,
Subsequently, a step of forming a coating film on the substrate based on the recipe changed by the first changing step and obtaining a film thickness distribution of the second coating film in the substrate,
Then, the film thickness distribution of the second coating film is approximated to a function of the second order higher than the first order, and the relationship between the position of the substrate and the film thickness is determined, A second changing step of changing a second parameter,
Thereafter, on the basis of the recipe changed by the first changing step and the second changing step, a step of forming a coating film on the substrate
And forming a coating film on the substrate. 제1항에 있어서,
상기 레시피는 기판의 면 내 전체에서 막 두께를 변이시키기 위한 제3 파라미터를 포함하고,
상기 제1 도포막의 막 두께 분포를 취득하는 공정을 행하기 전에, 상기 레시피에 기초하여 상기 기판에 상기 도포막을 형성하고, 당해 기판의 기준 위치에 있어서의 상기 도포막의 막 두께를 취득하는 공정과,
취득된 기준 위치의 막 두께와, 기준의 막 두께와의 차에 기초하여, 상기 제3 파라미터를 변경하는 공정을 포함하고,
상기 제1 도포막의 막 두께 분포를 취득하는 공정에 있어서는, 상기 제3 파라미터가 변경된 레시피에 기초하여 도포막이 형성되는 것을 특징으로 하는, 도포막 형성 방법. The method according to claim 1,
Wherein the recipe comprises a third parameter for varying the film thickness in the entire plane within the substrate,
A step of forming the coating film on the substrate based on the recipe and acquiring a film thickness of the coating film at a reference position of the substrate before performing the step of obtaining the film thickness distribution of the first coating film;
And changing the third parameter based on a difference between the film thickness of the acquired reference position and the reference film thickness,
Wherein in the step of acquiring the film thickness distribution of the first coating film, a coating film is formed based on the recipe in which the third parameter is changed. 회전하는 기판의 중심부에 약액을 공급하고, 당해 약액을 원심력에 의해 상기 기판의 주연부로 확산해서 도포막을 형성하는 도포막 형성 방법에 있어서,
상기 기판의 면 내에 있어서의 상기 도포막의 막 두께 분포를 조정하기 위한 제1 파라미터 및 제2 파라미터를 포함하는 레시피에 기초하여 상기 도포막을 형성하고, 기판의 면 내에 있어서의 당해 도포막의 막 두께 분포를 취득하는 공정과,
상기 도포막의 막 두께 분포를 상기 기판의 위치와 막 두께와의 관계를 나타내는 제1 차수의 함수에 근사시키고, 당해 제1 차수의 함수에 기초하여 상기 제1 파라미터를 변경하는 제1 변경 공정과,
상기 도포막의 막 두께 분포를 상기 기판의 위치와 막 두께와의 관계를 나타냄과 함께 제1 차수보다도 큰 제2 차수의 함수에 근사시키고, 당해 제2 차수의 함수에 기초하여 상기 제2 파라미터를 변경하는 제2 변경 공정과,
상기 제1 변경 공정 및 제2 변경 공정에 의해 변경한 레시피에 기초하여, 기판에 도포막을 형성하는 레시피 변경 후의 도포막 형성 공정
을 구비한 것을 특징으로 하는, 도포막 형성 방법. A coating film forming method for forming a coating film by supplying a chemical solution to a central portion of a rotating substrate and diffusing the chemical solution to a periphery of the substrate by a centrifugal force,
Wherein the coating film is formed on the basis of a recipe including a first parameter and a second parameter for adjusting a film thickness distribution of the coating film in the surface of the substrate and the film thickness distribution of the coating film in the surface of the substrate is A step of acquiring,
A first changing step of approximating a film thickness distribution of the coating film to a function of a first order indicating a relationship between a position of the substrate and a film thickness and changing the first parameter based on the function of the first order;
The film thickness distribution of the coating film is approximated to a function of a second order higher than the first order, and the second parameter is changed based on the function of the second order, A second changing step of changing,
A coating film forming step after the recipe modification in which a coating film is formed on the substrate on the basis of the recipe changed by the first changing step and the second changing step
And forming a coating film on the substrate. 제3항에 있어서,
상기 레시피는 기판의 면 내 전체에서 막 두께를 변이시키기 위한 제3 파라미터를 포함하고,
상기 막 두께 분포에 있어서의 기판의 기준 위치의 상기 도포막의 막 두께와, 기준의 막 두께와의 차에 기초하여, 상기 제3 파라미터를 변경하는 제3 변경 공정을 포함하고,
상기 레시피 변경 후의 도포막 형성 공정은, 상기 제1 변경 공정, 제2 변경 공정 및 제3 변경 공정에 의해 변경한 레시피에 기초하여 행해지는 것을 특징으로 하는, 도포막 형성 방법. The method of claim 3,
Wherein the recipe comprises a third parameter for varying the film thickness in the entire plane within the substrate,
And a third changing step of changing the third parameter based on a difference between a film thickness of the coating film at a reference position of the substrate in the film thickness distribution and a reference film thickness,
Wherein the coating film forming step after the recipe modification is carried out on the basis of the recipe modified by the first changing step, the second changing step and the third changing step. 제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 제2 변경 공정에 있어서, 상기 제2 파라미터는 제1 차수의 함수와 제2 차수의 함수에 기초하여 변경되는 것을 특징으로 하는, 도포막 형성 방법. The method according to claim 3 or 4,
Wherein in the second changing step, the second parameter is changed based on a function of the first order and a function of the second order. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 파라미터는, 기판의 온도 또는 약액의 온도를 조정하기 위한 온도 조정용의 파라미터이며,
상기 제1 파라미터는 상기 온도 조정용의 파라미터와는 다른 파라미터인 것을 특징으로 하는, 도포막 형성 방법. 5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The second parameter is a temperature adjustment parameter for adjusting the temperature of the substrate or the temperature of the chemical liquid,
Wherein the first parameter is a parameter different from the parameter for temperature adjustment. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 변경 공정은, 상기 제1 파라미터를 각각 제1 값, 제2 값으로 하여 형성되는 각 도포막의 막 두께 분포로부터 각각 얻어지는 제1 차수의 함수에 기초하여, 당해 제1 파라미터를 변경하는 공정을 포함하고,
상기 제2 변경 공정은, 상기 제2 파라미터를 각각 제3 값, 제4 값으로 하여 형성되는 각 도포막의 막 두께 분포로부터 각각 얻어지는 제2 차수의 함수에 기초하여, 당해 제2 파라미터를 변경하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 도포막 형성 방법. 5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the first changing step is a step of changing the first parameter based on a function of a first order obtained from a film thickness distribution of each coating film formed by using the first parameter as a first value and the second value as a second value, / RTI >
Wherein the second changing step is a step of changing the second parameter based on a function of a second order obtained from a film thickness distribution of each coating film formed by using the second parameter as a third value and a fourth value respectively Wherein the coating film forming step comprises the steps of: 회전하는 기판의 중심부에 약액을 공급하고, 당해 약액을 원심력에 의해 상기 기판의 주연부로 확산해서 도포막을 형성하는 도포막 형성 장치에 있어서,
상기 기판을 적재하고, 회전 기구에 의해 회전하는 적재부와,
상기 적재부에 적재된 기판에 약액을 공급하는 약액 공급부와,
상기 기판에 약액을 공급하기 전에 기판의 온도 혹은 약액의 온도 중 적어도 한쪽을 조정하는 온도 조정 기구와,
상기 기판의 면 내에 있어서의 도포막의 막 두께 분포를 검출하기 위한 막 두께 검출부와,
상기 기판의 면 내에 있어서의 상기 도포막의 막 두께 분포를 조정하기 위한 제1 파라미터 및 제2 파라미터를 포함하는 레시피를 기억하는 기억부와,
상기 레시피에 기초하여 상기 도포막을 형성하고, 기판의 면 내에 있어서의 제1 도포막의 막 두께 분포를 취득하는 스텝과, 계속해서, 상기 제1 도포막의 막 두께 분포를 상기 기판의 위치와 막 두께와의 관계를 나타내는 제1 차수의 함수에 근사시키고, 당해 제1 차수의 함수에 기초하여 상기 제1 파라미터를 변경하는 제1 변경 스텝과, 계속해서, 상기 제1 변경 스텝에 의해 변경한 레시피에 기초하여 기판에 도포막을 형성하고, 당해 기판에 있어서의 제2 도포막의 막 두께 분포를 취득하는 스텝과, 그 후, 상기 제2 도포막의 막 두께 분포를 상기 기판의 위치와 막 두께와의 관계를 나타냄과 함께 제1 차수보다도 큰 제2 차수의 함수에 근사시키고, 당해 제2 차수의 함수에 기초하여 상기 제2 파라미터를 변경하는 제2 변경 스텝과, 그 후, 상기 제1 변경 스텝 및 제2 변경 스텝에 의해 변경한 레시피에 기초하여, 기판에 도포막을 형성하는 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부
를 구비한 것을 특징으로 하는, 도포막 형성 장치. A coating film forming apparatus for forming a coating film by supplying a chemical solution to a central portion of a rotating substrate and diffusing the chemical solution to a periphery of the substrate by a centrifugal force,
A loading section for loading the substrate and rotating by a rotating mechanism,
A chemical liquid supply unit for supplying a chemical liquid to the substrate stacked on the stacking unit,
A temperature adjusting mechanism for adjusting at least one of a temperature of the substrate and a temperature of the chemical liquid before supplying the chemical liquid to the substrate;
A film thickness detecting section for detecting a film thickness distribution of the coating film in the surface of the substrate;
A storage section for storing a recipe including a first parameter and a second parameter for adjusting a film thickness distribution of the coating film in a plane of the substrate;
A step of forming the coating film on the basis of the recipe and obtaining a film thickness distribution of the first coating film in the plane of the substrate; and subsequently, obtaining a film thickness distribution of the first coating film based on the position, To the first order number indicating the relationship between the first order number and the first order number, and changing the first parameter based on the function of the first order, and subsequently, based on the recipe changed by the first changing step Forming a coating film on a substrate to obtain a film thickness distribution of the second coating film on the substrate; and thereafter, measuring a film thickness distribution of the second coating film on the basis of the position of the substrate and the film thickness A second changing step of changing the second parameter based on a function of the second order to approximate a function of the second order larger than the first order, The controller outputting a control signal based on a recipe change by the second change step, so as to execute the step of forming a coating film on the substrate
Wherein the coating film forming apparatus further comprises: 제8항에 있어서,
상기 레시피는 기판의 면 내 전체에서 막 두께를 변이시키기 위한 제3 파라미터를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 제1 도포막의 막 두께 분포를 취득하는 스텝을 행하기 전에, 상기 레시피에 기초하여 상기 기판에 상기 도포막을 형성하고, 당해 기판의 기준 위치에 있어서의 상기 도포막의 막 두께를 취득하는 스텝과, 취득된 기준 위치의 막 두께와, 기준의 막 두께와의 차에 기초하여, 상기 제3 파라미터를 변경하는 스텝을 실행하고,
상기 제1 도포막의 막 두께 분포를 취득하는 스텝에 있어서는, 상기 제3 파라미터가 변경된 레시피에 기초하여 도포막이 형성되도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는, 도포막 형성 장치. 9. The method of claim 8,
Wherein the recipe comprises a third parameter for varying the film thickness in the entire plane within the substrate,
Wherein the control unit forms the coating film on the substrate based on the recipe before performing the step of acquiring the film thickness distribution of the first coating film and acquires the film thickness of the coating film at the reference position of the substrate And a step of changing the third parameter based on a difference between the obtained film thickness of the reference position and the reference film thickness,
Wherein the step of obtaining the film thickness distribution of the first coating film outputs a control signal such that a coating film is formed based on the recipe in which the third parameter is changed. 회전하는 기판의 중심부에 약액을 공급하고, 당해 약액을 원심력에 의해 상기 기판의 주연부로 확산해서 도포막을 형성하는 도포막 형성 장치에 있어서,
상기 기판을 적재하고, 회전 기구에 의해 회전하는 적재부와,
상기 적재부에 적재된 기판에 약액을 공급하는 약액 공급부와,
상기 기판에 약액을 공급하기 전에 기판의 온도 혹은 약액의 온도 중 적어도 한쪽을 조정하는 온도 조정 기구와,
상기 기판의 면 내에 있어서의 도포막의 막 두께 분포를 검출하기 위한 막 두께 검출부와,
상기 기판의 면 내에 있어서의 상기 도포막의 막 두께 분포를 조정하기 위한 제1 파라미터 및 제2 파라미터를 포함하는 레시피를 기억하는 기억부와,
상기 레시피에 기초하여 상기 도포막을 형성하고, 기판의 면 내에 있어서의 당해 도포막의 막 두께 분포를 취득하는 스텝과, 상기 도포막의 막 두께 분포를 상기 기판의 위치와 막 두께와의 관계를 나타내는 제1 차수의 함수에 근사시키고, 당해 제1 차수의 함수에 기초하여 상기 제1 파라미터를 변경하는 제1 변경 스텝과, 상기 도포막의 막 두께 분포를 상기 기판의 위치와 막 두께와의 관계를 나타냄과 함께 제1 차수보다도 큰 제2 차수의 함수에 근사시키고, 당해 제2 차수의 함수에 기초하여 상기 제2 파라미터를 변경하는 제2 변경 스텝과, 상기 제1 변경 스텝 및 제2 변경 스텝에 의해 변경한 레시피에 기초하여, 기판에 도포막을 형성하는 레시피 변경 후의 도포막 형성 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부
를 구비한 것을 특징으로 하는, 도포막 형성 장치. A coating film forming apparatus for forming a coating film by supplying a chemical solution to a central portion of a rotating substrate and diffusing the chemical solution to a periphery of the substrate by a centrifugal force,
A loading section for loading the substrate and rotating by a rotating mechanism,
A chemical liquid supply unit for supplying a chemical liquid to the substrate stacked on the stacking unit,
A temperature adjusting mechanism for adjusting at least one of a temperature of the substrate and a temperature of the chemical liquid before supplying the chemical liquid to the substrate;
A film thickness detecting section for detecting a film thickness distribution of the coating film in the surface of the substrate;
A storage section for storing a recipe including a first parameter and a second parameter for adjusting a film thickness distribution of the coating film in a plane of the substrate;
A step of forming the coating film on the basis of the recipe and obtaining a film thickness distribution of the coating film in the plane of the substrate; and a step of obtaining a film thickness distribution of the coating film by using a first A first changing step of approximating the first parameter to a function of order and changing the first parameter based on a function of the first order, and a second changing step of changing a film thickness distribution of the coating film to a relationship between a position of the substrate and a film thickness A second changing step of changing the second parameter based on a function of the second order and approximating a function of the second order higher than the first order; Based on the recipe, a control signal for outputting a control signal so as to execute a coating film forming step after the recipe for forming a coating film on the substrate
Wherein the coating film forming apparatus further comprises: 제10항에 있어서,
상기 레시피는 기판의 면 내 전체에서 막 두께를 변이시키기 위한 제3 파라미터를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 막 두께 분포에 대해서 기판의 기준 위치에 있어서의 상기 도포막의 막 두께와, 기준의 막 두께와의 차에 기초하여, 상기 제3 파라미터를 변경하는 제3 변경 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하고,
상기 레시피 변경 후의 도포막 형성 스텝은, 상기 제1 변경 스텝, 제2 변경 스텝 및 제3 변경 스텝에 의해 변경한 레시피에 기초하여 행해지는 것을 특징으로 하는, 도포막 형성 장치. 11. The method of claim 10,
Wherein the recipe comprises a third parameter for varying the film thickness in the entire plane within the substrate,
The control unit controls the third changing step to change the third parameter based on a difference between the film thickness of the coating film at the reference position of the substrate and the reference film thickness with respect to the film thickness distribution Signal,
Wherein the coating film forming step after the recipe modification is carried out based on the recipe changed by the first changing step, the second changing step and the third changing step. 회전하는 기판의 중심부에 약액을 공급하고, 당해 약액을 원심력에 의해 상기 기판의 주연부로 확산해서 도포막을 형성하는 도포막 형성 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 기억하는 기억 매체이며,
상기 컴퓨터 프로그램은, 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 도포막 형성 방법을 실행하도록 스텝군이 짜여져 있는 것을 특징으로 하는, 기억 매체.
A computer program for use in a coating film forming apparatus for use in a coating film forming apparatus for supplying a chemical liquid to a central portion of a rotating substrate and diffusing the chemical liquid into a periphery of the substrate by centrifugal force to form a coating film,
The computer program according to any one of claims 1 to 4, characterized in that step groups are provided to execute the method for forming a coating film.
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