KR20160098340A - 파라크실렌 플랜트에서의 열 회수의 증대 - Google Patents

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Abstract

파라크실렌 제조 플랜트에서 열 회수를 증대시키는 방법들 및 장치들은 고품질의 열을 회수하기 위하여 보조 응축기를 사용한다. 저분자량 가스들을 포함하는 공급물 스트림의 위치 아래로 상기 보조 응축기를 위치시킴으로써, 회수된 열은 이런 비응축성 가스들을 포함하고 있지 않다. 이런 가스들은 다른 적용들에서 응축된 증기를 사용할 때 바람직하지 않다.

Description

파라크실렌 플랜트에서의 열 회수의 증대{ENHANCED HEAT RECOVERY IN PARAXYLENE PLANT}
관련 출원에 대한 상호 참조
이 출원은 전체가 본 명세서에 참고로써 원용된 2013년 12월 17일자로 출원된 미국 가출원 번호 제 61/917,061 호의 우선권을 주장하고 있다.
이 개시는 파라크실렌의 제조 동안 열 회수를 증대시키는 방법들 (processes) 및 장치들에 관한 것이다. 이런 방법들 및 장치들은 응축 증기로부터 형성된 액체가 비응축성 저분자량 가스들을 갖지 않도록 하는 위치에 위치된 보조 (side) 응축기를 포함한다.
파라크실렌은 섬유들 및 고분자 수지들로서 유용한 폴리에스테르의 제조에 사용된다. 파라크실렌은 여러개의 공급 원료들로부터 제조될 수 있고, 오늘날 가장 눈에 띄는 것으로는 나프타 개질로부터 생성되는 개질물 (reformate) 이다. 파라크실렌을 제조하는데 사용된 2개의 1차 프로세스들은 결정화 또는 선택적 흡착을 사용한다.
양쪽 타입들의 파라크실렌 제조 플랜트들은 파라크실렌을 포함하는 유용한 생성물들로 타워 공급물(들)을 분리하기 위하여 증류 또는 분별 증류 타워(들)의 리보일러(들)에서 열을 사용한다. 타워로의 공급물(들)은 다수의 소스들에서 유출될 수 있고, 그리고 다양한 위치들에서 타워(들)로 유입된다. 분별 증류의 생성물은 파라크실렌을 회수하기 위하여 결정화 또는 선택적 흡착 섹션으로 보내지는 파라크실렌을 포함하는 크실렌 이성질체들을 주로 함유하는 스트림이다. 결정화는 이들 불순물들이 제조 장애들을 일으킬 수 있는 선택적 흡착 보다 분별 증류 생성물 스트림에서 불순물들에 훨씬 덜 민감하다. 결과적으로, 결정화에서 사용된 분별 증류는 단일 타워를 사용할 수 있고, 여기서 분별 증류 생성물 스트림은 측류 (side stream) 로서 제거될 수 있다.
양쪽 프로세스들에서, 분별 증류를 구동하는데 필요한 열은 일반적으로 가열식 히터로 또는 스트림에 의한 열 교환을 통하여 중 어느 하나로 리보일러에서 공급되고, 그리고, 일반적으로 공기 및/또는 냉각수 냉각을 통하여 타워의 탑정 생성물과 함께 응축기에서 제거된다. 분별 증류 타워가 주위 조건들에 근접하여 작동된다면, 탑정 응축기에서 제거된 열은 유용하기에는 온도 또는 열역학적 품질 (thermodynamic quality) 이 종종 너무 낮다. 양쪽 타입들의 파라크실렌 제조 방법들은 분별 증류 타워의 압력을 상승시켜 탑정 응축기에서 제거된 열의 온도 또는 열역학적 품질이 파라크실렌 제조 플랜트의 다른 부분들에서 보다 더 높고 유용하다. 하지만, 타워 압력의 상승은 분별 증류 장비의 비용을 증가시키고, 그리고 분리 효율을 떨어트린다. 따라서, 열의 온도 또는 열역학적 품질을 증가시키기 위하여 타워 압력을 증가시키지 않으면서 파라크실렌 제조에 사용된 분별 증류에서 열을 회수할 필요가 있다.
분별 증류 타워(들)의 탑정 응축기 아래에 위치된 보조 응축기들은 보다 높은 온도에서 열을 제거할 수 있다. 파라크실렌 제조 플랜트들의 분별 증류 타워(들)로의 공급물은 저분자량 가스들을 종종 함유한다는 것을 아는 것이 중요하다. 보조 응축기들의 하나의 단점은 타워의 보조 응축기 생성물을 응축함으로써 제거된 열이 저분자량 가스들을 함유한다는 것이다. 보조 응축기들이 사용되면 이들 저분자량 가스들의 플래싱 (flashing) 과 관련된 문제점들이 존재한다.
따라서, 파라크실렌 제조 방법에서 저분자량 가스들이 없이 열을 효과적으로 회수하는 방법 및 장치가 필요하다.
일 양태에서, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 방법이 제공되고, 상기 방법은 분별 증류 타워로 적어도 제 1 공급물 스트림을 제공하는 단계; 상기 제 1 공급물 스트림을 탑정 증기 생성물, 탑정 액체 생성물, 탑저 생성물 및 크실렌들을 포함하는 사이드드로 (sidedraw) 생성물로 분리하기 위하여 상기 분별 증류 타워의 리보일러에 열을 공급하는 단계; 및 상기 제 1 공급물 스트림 아래에 위치된 보조 (side) 응축기에 의해서 열을 회수하는 단계를 포함한다.
다른 양태에서, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 방법이 제공되고, 상기 방법은 분별 증류 타워로 제 1 공급물 스트림 및 제 2 공급물 스트림을 제공하는 단계로서, 상기 제 1 공급물 스트림은 저온 분리기 입력부를 통하여 제공되고, 그리고 상기 제 2 공급물 스트림은 고온 분리기 입력부를 통하여 제공되는, 상기 제 1 공급물 스트림 및 상기 제 2 공급물 스트림을 제공하는 단계; 및 상기 제 1 공급물 스트림 및 상기 제 2 공급물 스트림을 탑정 증기 생성물, 탑정 액체 생성물, 탑저 생성물 및 사이드드로 생성물로 분리하기 위하여 상기 분별 증류 타워의 리보일러에 열을 공급하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 사이드드로 생성물을 파라크실렌 회수 섹션으로 공급하는 단계; 및 상기 제 2 공급물 스트림 아래로 1번 트레이와 10번 트레이 사이에 위치된 보조 응축기에 의해서 열을 회수하는 단계를 추가로 포함한다.
또 다른 양태에서, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 장치가 제공되고, 상기 장치는 분별 증류 타워로 제 1 공급물 스트림을 제공하는 저온 분리기 유닛; 상기 분별 증류 타워로 제 2 공급물 스트림을 제공하는 고온 분리기 유닛; 및 열을 회수하는 보조 응축기를 포함하고, 상기 분별 증류 타워는 상기 제 1 공급물 스트림 및 상기 제 2 공급물 스트림을 탑정 증기 생성물, 탑정 액체 생성물, 탑저 생성물 및 사이드드로 생성물로 분리하고; 상기 보조 응축기는 상기 제 2 공급물 스트림 아래에 위치된다.
도 1 은 보조 응축기를 포함하는 파라크실렌 제조 장치이다.
도 2 는 파라크실렌 제조 장치의 보조 응축기이다.
본 개시는 파라크실렌 제조 플랜트의 분별 증류 타워에서 리보일러와 탑정 응축기 사이의 위치에서 열을 회수하기 위하여 보조 응축기를 사용하는 방법들 및 장치들을 제공한다. 이것은 보다 높은 온도에서 열을 회수하도록 하고 석유화학 플랜트 또는 정제공장의 어딘가에 사용될 수 있는 보다 높은 품질의 열을 발생시킨다. 이것은 공기 및/또는 물에 대하여 이전에 받아 들여지지 않았던 낮은 품질의 열이 이제 다른 적용들에 유용하도록 보다 높은 품질로 회수되기 때문에 선행 기술에 비하여 현저한 에너지 효율의 이점들을 갖는다.
도 1 은 열 회수가 증대된 파라크실렌의 제조 장치를 도시한다. 제 1 공급물 스트림 (101), 제 2 공급물 스트림 (102) 및 제 3 공급물 스트림 (103) 은 분별 증류 타워 (104) 에 제공될 수도 있다. 제 1 공급물 스트림 (101) 은 저온 분리기 유닛을 통하여 제공될 수도 있고, 그리고 제 2 공급물 스트림 (102) 은 고온 분리기 유닛을 통하여 제공될 수도 있다. 제 1 공급물 스트림 (101) 및 제 2 공급물 스트림 (102) 은 크실렌들, 저분자량 가스들 및 중질의 방향족 화합물들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제 1 공급물 스트림 (101) 및 제 2 공급물 스트림 (102) 은 약 80 내지 90% C8 방향족 화합물들, 약 5 내지 10% 벤젠 및 톨루엔, 및 약 5 내지 10% C9+ 방향족 화합물들, 예로 트리메틸벤젠 및 메틸에틸벤젠을 포함할 수 있다. 식별기호 "CX" 가 X개의 탄소 원자들을 포함하는 화합물을 지칭하는 것이고, "CX+" 가 X개 이상의 탄소 원자들을 포함하는 화합물을 지칭하는 것이고, 그리고 "CX-" 가 X개 이하의 탄소 원자들을 포함하는 화합물을 지칭하는 것임을 이 분야의 당업자는 인식할 것이다. 오르토크실렌 (oX), 메타크실렌 (mX) 및 파라크실렌 (pX) 과 같은 크실렌들의 3개의 이성질체들이 존재한다. C8 방향족 화합물들은 3개의 크실렌 이성질체들 및 에틸벤젠 (EB) 을 포함한다.
제 1 공급물 스트림 (101) 은 약 125 내지 175℃, 바람직하게는 약 150℃ 의 온도일 수도 있다. 제 2 공급물 스트림 (102) 은 175℃ 보다 큰, 바람직하게는 약 200℃ 보다 큰 온도일 수도 있다. 제 3 공급물 스트림 (103) 은 파라크실렌 제조 플랜트에 대한 공급물 스트림이다. 이 스트림은 여러개의 소스들, 통상적으로 나프타 개질기로부터의 중질의 개질물 및 알킬교환반응 유닛으로부터의 톨루엔 컬럼 탑저물들로 구성될 수 있다. 예를 들어, 2004년 Mc-Graw-Hill 에서 출간된 R.A.Meyers 의 "Handbook of Petroleum Refining Processes" 참조. 스트림 (103) 은 약 60% C8 방향족 화합물들 및 약 40% C9+ 방향족 화합물들을 포함할 수 있고, 그리고 약 200 내지 250℃, 바람직하게는 약 230℃ 의 온도일 수도 있다.
분별 증류 타워 (104) 는 복수의 트레이들, 탑정 응축기 (105), 리보일러 (106) 및 보조 응축기 (107) 를 포함할 수 있다. 분별 증류 타워 (104) 는 액체 사이드드로 생성물 (108), 증기 사이드드로 생성물 (109), 탑정 생성물 (110) 및 탑저 생성물 (111) 을 생성할 수 있다. 액체 사이드드로 생성물 (108) 및 증기 사이드드로 생성물 (109) 은 파라크실렌과 같은 크실렌들을 포함할 수 있다. 액체 사이드드로 생성물 (108) 및 증기 사이드드로 생성물 (109) 은 또한 소량의 톨루엔 및 C9 방향족 화합물들을 포함할 수 있다. 약간의 실시형태들에서, 액체 사이드드로 생성물 (108) 및 증기 사이드드로 생성물 (109) 은 약 90 내지 약 98% C8 방향족 화합물들 (혼합 크실렌들) 을 포함할 수 있다. 탑정 생성물 (110) 은 탑정 증기 생성물 (112) 및 탑정 액체 생성물 (113) 로 분리될 수도 있다. 탑정 증기 생성물 (112) 은 벤젠, 수소, 에탄 및 다른 경질의 탄화수소 가스들을 포함할 수 있다. 탑정 증기 생성물 (112) 은 연료로서 리보일러 (106) 에 제공될 수도 있다. 탑정 액체 생성물 (113) 은 벤젠, 톨루엔 및 C8 방향족 화합물들을 포함할 수 있다. 탑저 생성물 (111) 은 C9+ 방향족 화합물들과 같은 중질의 방향족 화합물들을 포함할 수 있다. 탑정 생성물 (110) 은 약 110 내지 150℃, 바람직하게는 약 130℃ 의 온도일 수도 있다. 탑저 생성물 (111) 은 약 210 내지 260℃, 바람직하게는 약 240℃ 의 온도일 수도 있다.
탑정 생성물 (110) 은 탑정 응축기 (105) 에서 응축되어 응축된 탑정 생성물 (114) 을 생성할 수도 있다. 응축된 탑정 생성물 (114) 은 증기-액체 분리기 (115) 로 제공되어 탑정 증기 생성물 (112) 및 탑정 액체 생성물 (113) 을 생성할 수도 있다. 탑정 응축기 (105) 는 약 35 Mmkcal/h 미만, 바람직하게는 20 Mmkcal/h 미만의 듀티 (duty) 를 가질 수 있다. 보조 응축기 (107) 는 증기 사이드드로 생성물 (109) 에서 열을 회수할 수 있다. 제 1 공급물 스트림 (101) 은 제 2 공급물 스트림 (102) 위에 위치될 수도 있고, 제 2 공급물 스트림은 제 3 공급물 스트림 (103) 위에 위치될 수도 있다. 보조 응축기 (107) 는 제 1 공급물 스트림 (101) 아래에 위치될 수도 있다. 예를 들면, 보조 응축기 (107) 는 제 2 공급물 스트림 (102) 과 제 3 공급물 스트림 (103) 사이에, 바람직하게는 제 2 공급물 스트림 (102) 아래의 1번 트레이와 10번 트레이 사이에, 더 바람직하게는 제 2 공급물 스트림 (102) 아래의 1번 트레이와 5번 트레이 사이에 위치될 수도 있다. 제 2 공급물 스트림 (102) 이 고온 분리기 유닛으로부터 유출될 때, 제 2 공급물 스트림은 비응축성 탄화수소들 (예를 들면, 수소, 에탄) 과 같은 특정 잔류량의 저분자량 가스들을 함유할 수 있다. 제 2 공급물 스트림 아래에 보조 응축기 (107) 를 위치시킴으로써, 이들 저분자량 가스들은 증기 사이드드로 생성물 (109) 에 존재하지 않을 것이다. 이것은 증기 생성물을 형성하지 않으면서 보조 응축기에서 열이 회수되도록 허용함으로써 고가의 압축 비용들 또는 비경제적인 환기 (wasteful venting) 를 회피한다.
보조 응축기 (107) 로 회수된 열 (116) 은 약 200℃ 미만의 온도일 수도 있다. 대안적인 실시형태들에서, 보조 응축기 (107) 로 회수된 열 (116) 은 약 190 내지 210℃ 의 온도일 수도 있다. 열 (116) 의 회수시, 보조 응축기 (107) 는 증기 사이드드로 생성물 (109) 을 응축하여 응축된 액체 사이드드로 생성물 (117) 을 형성하고, 상기 응축된 액체 사이드드로 생성물은 액체 사이드드로 생성물 (108) 과 결합되어 결합된 사이드드로 생성물 (118) 을 생성할 수도 있다. 열 (116) 은 파라크실렌 프로세스의 상류, 예를 들면, 방향족 화합물들 콤플렉스, 석유화학 설비 또는 석유 정제공장에서의 다른 위치들에 있는 임의의 프로세스에서 사용될 수도 있다. 예를 들면, 파라크실렌 제조 플랜트가 방향족 화합물들 콤플렉스에 위치되면, 열 (116) 은 개질물 스플리터 또는 톨루엔 컬럼으로 열을 공급하는데 적당할 수 있다. 예를 들어, 2004년 Mc-Graw-Hill 에서 출간된 R.A.Meyers 의 "Handbook of Petroleum Refining Processes" 참조. 대안으로, 열 (116) 은 스팀을 제조하는데 사용될 수 있다. 이 스팀은 난방을 위한 인근의 설비 또는 커뮤니티에 사용될 수 있다. 또한, 이 스팀은 팽창기를 구동하고 전력을 발생시키는데 사용될 수 있다. 결합된 사이드드로 생성물 (118) 은 파라크실렌을 회수하기 위하여 파라크실렌 회수 섹션으로 제공될 수도 있다. 파라크실렌 회수 섹션은 결정화 유닛을 포함할 수 있다.
도 2 는 본 개시의 보조 응축기를 예시한다. 분별 증류 컬럼 (201) 은 증기 사이드드로 스트림 (202) 을 보조 응축기 (203) 에 제공한다. 보조 응축기 (203) 는 제 1 응축된 사이드드로 스트림 (204) 및 유용한 열을 생성할 수 있다. 제 1 응축된 사이드드로 스트림 (204) 은 응축물 드럼 (205) 에 제공되어 응축된 사이드드로 스트림 (206) 을 생성할 수도 있다. 응축된 사이드드로 스트림 (206) 은 펌프 (207) 및 제 1 유동 제어 밸브 (208) 를 통하여 파라크실렌 회수 섹션으로 펌핑될 수도 있다.
다양한 응축기 시스템들이 분별 증류 컬럼 (201) 에서 압력을 제어하는데 사용될 수도 있다. 예들로는 만액식 (flooded) 응축기 시스템, 고온 증기 바이패스 시스템 및 냉각수 스로틀링 시스템이 포함된다. 예를 들어, 1997년 Mc-Graw-Hill 에서 출간된 Lieberman, N.P. 및 Lieberman, E.T 의 "A Working Guide to Process Equipment" 참조. 압력은 사이드드로 스트림 (202) 으로부터 포화된 증기에 노출된 보조 응축기 (203) 의 표면적에 좌우된다. 만액식 응축기 시스템에서, 응축물 드럼 (205) 은 완전 가동되고, 즉, 리플렉스 펌프 (207) 로부터의 유동은 제한되고, 따라서 보조 응축기 (203) 의 레벨을 증가시키고, 응축을 위해 이용가능한 열전달 표면적을 감소시키고, 그리고 분별 증류 컬럼 (201) 의 압력을 상승시킨다.
실시예들
파라크실렌 유닛의 Aspen Plus 컴퓨터 시뮬레이션들로부터의 시뮬레이션 결과들은 이하의 실시예 1 및 실시예 2 에 나타내어진다.
실시예 1: 증기 사이드드로 유량의 증가가 듀티들, 온도들 및 농도들에 미치는 영향
이 실시예는 증기 사이드드로 유량의 증가가 응축기 및 리보일러 듀티들, 응축 온도 및 액체 사이드드로에서의 톨루엔 농도에 미치는 효과를 나타낸다. 결과들은 이하의 표 1 에 나타내어진다. 기본 시뮬레이션에 대하여, 크실렌 회수 컬럼의 응축기 및 리보일러 듀티들은 각각 약 34.6 및 55.9 Mmkcal/hr 이다. 시뮬레이션 번호들 1, 2 및 3 은 사이드드로 응축기에 대하여 증가된 증기 유량들을 사용한다. 증기 유량이 증가하면서, 증기 사이드드로 응축기 듀티는 증가하고, 이는 유용한 작업을 제공한다. 또한, 컬럼 탑정 응축기 듀티는 감소하고 에너지가 절감된다. 증기 유량이 증가하면서, 컬럼 리보일러 듀티 및 톨루엔 농도는 단지 약간 증가한다. 증기는 톨루엔이 제거된 컬럼의 상부로 가지 않는다. 더 많은 열을 제거할 수 있는 방법에는 한계가 있다. 다량의 열이 컬럼으로부터 제거될 수 있고, 그리고 컬럼 리보일러 듀티 및 액체 사이드드로에서의 톨루엔 농도를 현저히 증가시키지 않으면서 유용한 일로 전환될 수 있다는 것에 놀라웠다.
Figure pct00001
실시예 2: 증기 사이드드로 제거 위치의 강하가 응축 온도, 리보일러 듀티 및 사이드드로 조성에 미치는 영향
이 실시예는 사이드드로의 위치가 증기 사이드드로 온도, 컬럼 리보일러 듀티 및 액체 사이드드로 조성에 미치는 효과를 나타낸다. 컬럼 스테이지들의 총수는 각각의 시뮬레이션에서 일정하게 유지된다. 결과들은 이하의 표 2 에 나타내어진다. 이들 결과들은 2개의 스테이지들 (공급물 스트림 (102) 은 컬럼에서 이들 스테이지들 아래로 유입됨) 에서 시작된다. 증기상의 저분자량 가스들의 농도가 단지 2개의 스테이지들 (공급물 스트림 (102) 은 컬럼에서 이들 스테이지들 아래로 유입됨) 에서 그렇게 낮은 것에 매우 놀라웠다. 사이드드로가 컬럼에서 훨씬 아래로 (즉, 고온 분리기로부터 유출되는 공급물 스트림 및 사이드드로 아래로 더 많은 스테이지들에서) 위치될 때, 온도는 증가하고 이는 가용 열의 품질을 향상시킨다. 하지만, 이것은 또한 컬럼에서 훨씬 아래로부터 증기를 제거하는 것이 컬럼의 바닥에서 분리를 실행하는데 더 적은 스테이지들을 제공하기 때문에 컬럼 리보일러 듀티를 증가시킨다. 스테이지들의 수를 증가시키고, 그리고 리보일러 듀티의 이런 증가를 제거하는 것이 가능할 수도 있지만, 스테이지들의 수가 증가함에 따라 자본 비용들도 증가한다. 증기상의 저분자량 가스들의 농도가 충분히 낮아지도록 하기 위하여 더욱 많은 스테이지들 (공급물 스트림 (102) 은 컬럼에서 이들 스테이지들 아래로 유입됨) 이 필요할 것이라고 예상되었기 때문에 리보일러 듀티에 대하여 매우 적은 증가로 사이드드로 증기를 제거하는 것이 가능할 것이라고는 예상되지 않았다.
이 실시예는 또한 증기가 컬럼에서 훨씬 아래로 제거됨에 따라 액체 사이드드로의 C9+ 물질의 양이 증가한다는 것을 나타낸다. 또, 이것은 증기를 컬럼에서 훨씬 아래로부터 제거하는 것이 컬럼의 바닥에서 분리를 실행하는데 더 적은 스테이지들을 제공하기 때문이다. 따라서, 더 많은 C9+ 가 탑정으로 운반된다. 이하의 C9+ 의 농도는 결정화에 기반을 둔 파라크실렌 프로세스에서 허용가능하다. 약 2.4 중량% 초과의 C9+ 의 농도들은 파라크실렌 플랜트의 자본 및 작동 비용을 현저히 증가시킬 것이다. 선택적 흡착에 기반을 둔 파라크실렌 프로세스들은 결정화 섹션에 대한 공급물에서의 C9+ 방향족 화합물들의 이들 레벨들을 용인할 수 없다는 것을 아는 것이 중요하다.
Figure pct00002

Claims (20)

  1. 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 방법으로서, 상기 방법은
    C8 방향족 화합물들을 포함하는 제 1 공급물 스트림을 분별 증류 타워로 제공하는 단계;
    상기 제 1 공급물 스트림을 탑정 증기 생성물, 탑정 액체 생성물, 탑저 생성물 및 크실렌들을 포함하는 사이드드로 (sidedraw) 생성물로 분리하기 위하여 상기 분별 증류 타워의 리보일러로 열을 공급하는 단계; 및
    상기 제 1 공급물 스트림 아래에 위치된 보조 (side) 응축기에 의해서 열을 회수하는 단계를 포함하는, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    제 2 공급물 스트림 및 제 3 공급물 스트림을 상기 분별 증류 타워로 제공하는 단계를 추가로 포함하는, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 보조 응축기는 상기 2 공급물 스트림과 상기 제 3 공급물 스트림 사이에 위치되는, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 방법.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 보조 응축기는 상기 제 2 공급물 스트림 아래로 1번 트레이와 10번 트레이 사이에 위치되는, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보조 응축기에 의해서 회수된 열은 200℃ 미만의 온도인, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보조 응축기에 의해서 회수된 열은 약 190 내지 210℃ 의 온도인, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 사이드드로 생성물은 약 90 내지 약 98% C8 방향족 화합물들을 포함하는, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    파라크실렌 회수 섹션으로 상기 사이드드로 생성물을 공급하는 단계를 추가로 포함하는, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 파라크실렌 회수 섹션은 결정화 유닛을 포함하는, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 방법.
  10. 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 방법으로서, 상기 방법은
    분별 증류 타워로 제 1 공급물 스트림 및 제 2 공급물 스트림을 제공하는 단계로서, 상기 제 1 공급물 스트림은 저온 분리기 입력부를 통하여 제공되고, 그리고 상기 제 2 공급물 스트림은 고온 분리기 입력부를 통하여 제공되는, 상기 제 1 공급물 스트림 및 상기 제 2 공급물 스트림을 제공하는 단계;
    상기 제 1 공급물 스트림 및 상기 제 2 공급물 스트림을 탑정 증기 생성물, 탑정 액체 생성물, 탑저 생성물 및 사이드드로 생성물로 분리하기 위하여 상기 분별 증류 타워의 리보일러로 열을 공급하는 단계;
    파라크실렌 회수 섹션으로 상기 사이드드로 생성물을 공급하는 단계; 및
    상기 제 2 공급물 스트림 아래로 1번 트레이와 10번 트레이 사이에 위치된 보조 응축기에 의해서 열을 회수하는 단계를 포함하는, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 방법.
  11. 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 장치로서, 상기 장치는
    분별 증류 타워로 제 1 공급물 스트림을 제공하는 저온 분리기 유닛;
    상기 분별 증류 타워로 제 2 공급물 스트림을 제공하는 고온 분리기 유닛으로서, 상기 분별 증류 타워는 상기 제 1 공급물 스트림 및 상기 제 2 공급물 스트림을 탑정 증기 생성물, 탑정 액체 생성물, 탑저 생성물 및 사이드드로 생성물로 분리하는, 상기 고온 분리기 유닛; 및
    열을 회수하는 보조 응축기로서, 상기 보조 응축기는 상기 제 2 공급물 스트림 아래에 위치되는, 상기 보조 응축기를 포함하는, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    탑정 응축기 및 리보일러를 추가로 포함하는, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 탑정 응축기는 약 20 Mmkcal/h 미만의 듀티 (duty) 를 갖는, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 장치.
  14. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보조 응축기는 상기 제 2 공급물 스트림 아래로 1번 트레이와 10번 트레이 사이에 위치되는, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 장치.
  15. 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 공급물 스트림 및 상기 제 2 공급물 스트림은 크실렌들, 저분자량 가스들 및 중질의 방향족 화합물들을 포함하는, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 장치.
  16. 제 11 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탑정 증기 생성물은 저분자량 가스들을 포함하는, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 장치.
  17. 제 11 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탑저 생성물은 중질의 방향족 화합물들을 포함하는, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 장치.
  18. 제 11 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 사이드드로 생성물은 크실렌들을 포함하는, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 장치.
  19. 제 11 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    파라크실렌 회수 섹션을 추가로 포함하는, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 파라크실렌 회수 섹션은 결정화 유닛을 포함하는, 파라크실렌 제조 플랜트에서 열을 회수하는 장치.
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