KR20160093175A - 표시장치 - Google Patents

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Abstract

발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 기판; 상기 비발광 영역에서 상기 기판 상에 배치되며, 상기 발광 영역을 정의하는 화소정의막; 상기 발광 영역에 배치된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 발광 영역에 배치된 제1 투과부 및 상기 발광 영역의 가장자리에 배치되며 상기 제1 투과부를 둘러싸는 제2 투과부를 포함하고, 상기 제2 투과부는 상기 제1 투과부보다 높은 광 투과율을 갖는 표시장치를 제공한다.

Description

표시장치 {DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광추출 효율 및 시야각 특성이 함께 개선된 표시장치에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치나 유기 발광 표시 장치 등의 평판 표시 장치는 복수 쌍의 전기장 생성 전극과 그 사이에 들어 있는 전기광학(electro-optical) 활성층을 포함한다. 액정 표시 장치는 전기 광학 활성층으로 액정층을 포함하고, 유기 발광 표시 장치는 전기 광학 활성층으로 유기 발광층을 포함한다.
일반적으로 유기 발광 표시 장치는 애노드와 캐소드에서 주입되는 정공과 전자가 발광부에서 재결합하여 발광하는 원리로 색상을 구현할 수 있는 것으로서, 애노드인 화소전극과 캐소드인 대향전극 사이에 발광층을 삽입한 적층형 구조이다.
한편, 최근에 유기 발광 표시 장치의 광추출 효율을 향상시키기 위해 각 화소를 공진 구조로 만드는 예가 많아지고 있다. 즉, 이 공진 구조는 애노드와 캐소드 중 화상이 구현되는 쪽은 반투과 전극으로, 반대쪽은 전반사 전극으로 구성하여 두 전극 사이를 빛이 왕복하면서 보강간섭이 일어나도록 하는 방식으로, 이에 따라 각 화소로부터 상당히 강화된 빛을 추출해낼 수 있게 된다.
그런데, 이와 같이 공진이 강하게 일어나는 구조를 적용하게 되면, 광추출 효율은 증가하는 대신에 빛의 직진성이 너무 강해져서 시야각 특성이 나빠지는 단점이 있다. 즉, 강한 공진이 일어나는 구조를 사용하면 시야각에 따라 색상 변화(color shift)가 심해지는 문제가 따른다.
따라서 보다 신뢰성 높은 제품을 구현하기 위해서 광추출 효율을 높이면서도 시야각 특성을 양호한 상태로 유지할 수 있게 해주는 구조가 요구되고 있다.
본 발명의 일 실시예는 서로 다른 광 투과율을 갖는 제1 투과부 및 제2 투과부를 구비하는 제2 전극을 포함하는 표시장치를 제안하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 기판; 상기 비발광 영역에서 상기 기판 상에 배치되며, 상기 발광 영역을 정의하는 화소정의막; 상기 발광 영역에 배치된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 발광 영역에 배치된 제1 투과부 및 상기 발광 영역의 가장자리에 배치되며 상기 제1 투과부를 둘러싸는 제2 투과부를 포함하고, 상기 제2 투과부는 상기 제1 투과부보다 높은 광 투과율을 갖는 표시장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 발광 영역에 대응하는 상기 제2 전극에서 상기 제1 투과부가 차지하는 면적의 비율은 60% 내지 90%일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 발광 영역에 대응하는 상기 제2 전극에서 상기 제2 투과부가 차지하는 면적의 비율은 10% 내지 40%일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 전극은 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 리튬알루미늄(LiAl), 알루미늄(Al), 은(Ag), 칼슘(Ca), 칼슘은(CaAg), 마그네슘은(MgAg) 및 알루미늄은(AlAg) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 투과부는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 리튬알루미늄(LiAl), 알루미늄(Al), 은(Ag), 칼슘(Ca), 칼슘은(CaAg), 마그네슘은(MgAg) 및 알루미늄은(AlAg) 중 적어도 하나의 산화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 투과부의 광 투과율은 상기 제1 투과부의 광 투과율의 1.1 내지 2 배일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 전극은 상기 제2 투과부를 둘러싸는 제3 투과부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제3 투과부는 상기 비발광 영역에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제3 투과부는 상기 제1 투과부와 동일한 광 투과율을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 기판; 상기 비발광 영역에서 상기 기판 상에 배치되며, 상기 발광 영역을 정의하는 화소정의막; 상기 발광 영역에 배치된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 제1 금속층 및 상기 제1 금속층 상에 배치된 제2 금속층을 포함하고, 상기 제2 금속층은 상기 발광 영역의 가장자리에서 개구부를 갖는 표시장치를 제공한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 발광 영역에 대응하는 상기 제2 전극에서 상기 제2 금속층이 차지하는 면적의 비율은 60% 내지 90%일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제2 전극은 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 리튬알루미늄(LiAl), 알루미늄(Al), 은(Ag), 칼슘(Ca), 칼슘은(CaAg), 마그네슘은(MgAg) 및 알루미늄은(AlAg) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 발광 영역의 가장자리에 대응하는 상기 제2 전극의 광 투과율은 상기 발광 영역의 중심에 대응하는 상기 제2 전극의 광 투과율의 1.1 내지 2 배일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층은 상기 비발광 영역에도 배치될 수 있다.
본 발명에 따른 표시장치는 광추출 효율 및 시야각 특성을 모두 개선시킬 수 있으며, 따라서 이를 채용할 경우 보다 신뢰성 높은 제품을 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 A 부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 3 은 도 2의 A-A' 선에 따른 단면도이다.
도 4는 도 2의 유기발광소자를 설명하기 위한 개념 단면도이다.
도 5는 발광 영역과 비발광 영역에 각각 대응하는 제2 전극을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 6은 제2 전극을 마스크로 제조하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8은 도 7의 유기발광소자를 설명하기 위한 개념 단면도이다.
도 9a 내지 9c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한 기판이라 함은 제1 기판을 의미한다. 또한, 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한 발광층이라 함은 유기 발광층을 의미한다.
이하, 도 1 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 유기발광 표시장치 또는 액정표시장치일 수 있다. 이하에서는 표시장치는 유기발광 표시장치인 것을 전제로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 제1 기판(111), 제2 기판(201) 및 실링 부재(300)를 포함한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1기판(111)이 제2 기판(201)이 아닌 봉지 필름 등에 의해 봉지되는 것도 가능함은 물론이다.
제1 기판(111)은, 발광에 의해 표시가 이루어지는 표시 영역(DA)과, 이 표시 영역(DA)의 외곽에 위치한 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시 영역(DA)에 유기 발광 소자 및 이를 구동하기 위한 박막 트랜지스터 및 배선 등이 형성된다. 비표시 영역(NDA)은, 유기 발광 소자를 발광시키는 외부 신호를 제공 받아 이를 유기 발광 소자에 전달하는 복수의 패드 전극(미도시) 등이 형성된 패드 영역(PA)을 포함한다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 전면 발광형에 적용 가능하다. 이하에서 설명할 유기 발광 표시 장치(100)는 전면 발광형 임을 전제로 설명한다.
도 2는 도 1의 A 부분을 확대하여 도시한 평면도이다. 도 3 은 도 2의 A-A' 선에 따른 단면도이다.
도 2 및 도3을 참조하여, 본 실시예의 표시 영역(DA)을 설명하면 다음과 같다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 표시 영역(도 1의 참조부호 DA, 이하 동일)의 각 화소에 두 개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(10, 20)와 하나의 축전 소자(capacitor)(80)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있으나, 본 발명 및 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
따라서 유기 발광 표시 장치는 하나의 화소에 셋 이상의 트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되어 다양한 구조를 가질 수 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 표시 영역은 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는, 제1 기판(111), 제1 기판(111)에 정의된 복수의 화소 각각에 형성된, 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전소자(80), 그리고 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(70)를 포함한다. 그리고, 제1 기판(111)은, 일 방향을 따라 배치되는 게이트 라인(151)과, 이 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 더 포함한다.
여기서, 각 화소는 게이트 라인(151), 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 경계로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
유기 발광 소자(70)는, 제1 전극(710)과, 이 제1 전극(710) 상에 형성된 유기 발광층(720)과, 이 유기 발광층(720) 상에 형성된 제2 전극(730)을 포함한다. 여기서, 제1 전극(710)은 각 화소마다 하나 이상씩 형성되므로 제1 기판(111)은 서로 이격된 복수의 제1 전극들(710)을 가진다.
여기서 제1 전극(710)이 정공 주입 전극인 양극(애노드)이며, 제2 전극(730)이 전자 주입 전극인 음극(캐소드)이 된다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 따라 제1 전극(710)이 음극이 되고, 제2 전극(730)이 양극이 될 수도 있다. 또한, 제1 전극(710)은 화소 전극이고, 제2 전극(730)은 공통 전극이다.
유기 발광층(720)에 주입된 정공과 전자가 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
축전 소자(80)는 절연층(160)을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 유지전극(158, 178)을 포함한다. 여기서, 절연층(160)은 유전체가 된다. 축전 소자(80)에 축적된 전하와 한 쌍의 유지전극(158, 178) 사이의 전압에 의해 축전 용량이 결정된다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는, 스위칭 반도체층(131), 스위칭 게이트 전극(152), 스위칭 소스 전극(173), 및 스위칭 드레인 전극(174)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(20)는 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176), 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(152)은 게이트 라인(151)에 연결되고, 스위칭 소스 전극(173)은 데이터 라인(171)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(174)는 스위칭 소스 전극(173)으로부터 이격 배치되며 제1유지전극(158)과 연결된다.
구동 박막 트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(70)의 유기 발광층(720)을 발광시키기 위한 구동 전원을 제1 전극(710)에 인가한다. 구동 게이트 전극(155)은 스위칭 드레인 전극(174)과 연결된 제1유지전극(158)에 연결된다. 구동 소스 전극(176) 및 제2유지전극(178)은 각각 공통 전원 라인(172)에 연결된다.
구동 드레인 전극(177)이 드레인 접촉구멍(contact hole)(181)을 통해 유기 발광 소자(70)의 제1 전극(710)에 연결된다.
이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동하여 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다.
공통 전원 라인(172)으로부터 구동 박막 트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스윙칭 박막 트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막 트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(70)로 흘러 유기 발광 소자(70)가 발광한다.
도 2와 함께 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시장치(100)의 구조를 더욱 설명한다.
도 3에 유기 발광 소자(70), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전 소자(80), 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)이 도시되어 있으므로, 이를 중심으로 설명한다. 스위칭 박막 트랜지스터(10)의 스위칭 반도체층(131), 스위칭 게이트 전극(152), 스위칭 소스 및 드레인 전극(173, 174)은 각기 구동 박막 트랜지스터(20)의 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 및 드레인 전극(176, 177)과 동일한 적층 구조를 가지므로 이에 대한 설명은 생략한다.
본 실시예에서 제1 기판(111)은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 제1 기판으로 이루어질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니므로, 제1 기판(111)이 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 제1 기판으로 형성될 수도 있다.
제1 기판(111) 위에 버퍼층(120)이 형성된다. 버퍼층(120)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 하는 것으로, 이 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 이루어질 수 있다. 일례로, 버퍼층(120)은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘옥사이드(SiO2), 실리콘옥시나이트라이드(SiOxNy)으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 그러나 이러한 버퍼층(120)이 반드시 필요한 것은 아니며, 제1 기판(111)의 종류 및 공정 조건 등을 고려하여 형성하지 않을 수도 있다.
버퍼층(120) 위에 구동 반도체층(132)이 형성된다. 구동 반도체층(132)은 다결정 실리콘, 비정질 실리콘 및 산화물 반도체로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나인 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 구동 반도체층(132)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(135)과, 채널 영역(135)의 양 옆으로 p+ 도핑되어 형성된 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)을 포함한다. 이 때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용된다. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라진다.
구동 반도체층(132) 위에 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥사이드 등으로 이루어진 게이트 절연막(140)이 형성된다. 게이트 절연막(140)은 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 질화 규소(SiNx), 및 산화 규소(SiO2)로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하여 형성된다. 일례로, 게이트 절연막(140)은 40nm의 두께를 갖는 질화 규소막과 80nm의 두께를 갖는 테트라에톡시실란막이 차례로 적층된 이중막으로 형성될 수 있다. 하지만, 본 발명의 실시예1에서, 게이트 절연막(140)이 전술한 구성에 한정되는 것은 아니다.
게이트 절연막(140) 위에 구동 게이트 전극(155), 게이트 라인(도 1의 참조부호 151), 제1 유지전극(158)이 형성된다. 이때, 구동 게이트 전극(155)은 구동 반도체층(132)의 적어도 일부, 구체적으로 채널 영역(135)과 중첩 형성된다. 구동 게이트 전극(155)은 구동 반도체층(132)을 형성하는 과정에서 구동 반도체층(132)의 소스 영역(136)과 드레인 영역(137)에 불순물을 도핑할 때 채널 영역(135)에 불순물이 도핑되는 것을 차단하는 역할을 한다.
게이트 전극(155)과 제1유지 전극(158)은 서로 동일한 층에 위치하며, 실질적으로 동일한 금속 물질로 형성된다. 이때, 금속 물질은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 및 텅스텐(W)로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함한다. 일례로, 게이트 전극(155) 및 제1유지전극(158)은 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴(Mo)을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(140) 상에 구동 게이트 전극(155)을 덮는 절연층(160)이 형성된다. 상기 절연층(160)은 층간 절연층일 수 있다. 절연층(160)은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥사이드 등으로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(140)과 절연층(160)은 구동 반도체층(132)의 소스 및 드레인 영역을 드러내는 접촉 구멍을 구비한다.
표시 영역(DA)에 절연층(160) 위에 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177), 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172), 제2 유지전극(178)이 형성된다. 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)은 접촉구멍을 통해 구동 반도체층(132)의 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 연결된다.
구체적으로, 구동 소스 전극(176), 구동 드레인 전극(177) 및 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172)과 제2 유지전극(178)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금에 의하여 형성될 수 있으며, 상기 내화성 금속막과 저저항 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 상기 다중막 구조의 예로, 크롬 또는 몰리브덴(합금) 하부막과 알루미늄(합금) 상부막으로 된 이중막, 몰리브덴(합금) 하부막과 알루미늄(합금) 중간막과 몰리브덴(합금) 상부막으로 된 삼중막을 들 수 있다.
구동 소스 전극(176), 구동 드레인 전극(177) 및 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172), 제2 유지전극(178)은 상기 설명한 재료 이외에도 여러 가지 다양한 도전재료에 의하여 형성될 수 있다.
이에 의해, 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한 구동 박막 트랜지스터(20)가 형성된다. 그러나 구동 박막 트랜지스터(20)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않으며, 다양한 구조로 변형 가능하다.
절연층(160) 상에 구동 소스 전극(176), 구동 드레인 전극(177) 등을 덮는 보호막(180)이 형성된다. 보호막(180)은 폴리아크릴계, 폴리이미드계 등과 같은 유기물로 이루어질 수 있다. 보호막(180)은 평탄화막일 수 있다.
보호막(180)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolicresin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 으로 이루어진 그룹 중 선택된 적어도 하나로 만들어질 수 있다.
보호막(180)은 구동 드레인 전극(177)을 드러내는 드레인 접촉구멍(181)을 구비한다.
보호막(180) 위에 제1 전극(710)이 형성되고, 이 제1 전극(710)은 보호막(180)의 드레인 접촉구멍(181)을 통해 구동 드레인 전극(177)에 연결된다.
보호막(180)에 제1 전극(710)을 덮는 화소 정의막(190)이 형성된다. 이 화소 정의막(190)은 제1 전극(710)을 드러내는 개구부(199)를 구비한다.
즉, 제1 전극(710)은 화소 정의막(190)의 개구부(199)에 대응하도록 배치된다. 화소 정의막(190)은 폴리아크릴계(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지로 만들어질 수 있다.
또한, 화소정의막(190)은 감광성 유기재료 또는 감광성 고분자 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 화소정의막(190)은 폴리아크릴레이트(Polyacrylate), 폴리이미드(Polyimide), PSPI(Photo sensitive polymide), PA(Photo sensitive acryl), 감광 노볼락 레진(Photo sensitive Novolak resin) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
화소 정의막(190)의 개구부(199) 내에서 제1 전극(710) 위에 유기 발광층(720)이 형성되고, 화소 정의막(190) 및 유기 발광층(720) 상에 제2 전극(730)이 형성된다.
이와 같이, 제1 전극(710), 유기 발광층(720), 및 제2 전극(730)을 포함하는 유기 발광 소자(70)가 형성된다.
한편, 본 발명이 액정표시장치인 경우, 제1 전극(710)은 드레인 접촉구멍(181)을 통하여 구동 드레인 전극(177)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있으며, 구동 드레인 전극(177)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 제1 전극(710)은 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 제2 전극(common electrode)(도시하지 않음)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극 사이의 액정층(도시하지 않음)의 액정 분자의 방향을 결정한다. 제1 전극(710)과 제2 전극은 축전기[이하 "액정 축전기(liquid crystal capacitor)" 라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프(turn-off)된 후에도 인가된 전압을 유지한다.
제2 기판(201)은 유기발광소자(70)를 사이에 두고 제1 기판(111)와 합착 밀봉된다. 제2 기판(201)는 제1 기판(101) 상에 형성된 박막 트랜지스터(10, 20) 및 유기발광소자(70) 등을 외부로부터 밀봉되도록 커버하여 보호한다. 제2 기판(201)은 일반적으로 유리 또는 플라스틱 등을 소재로 만들어진 절연 기판이 사용될 수 있다. 화상이 제2 기판(201) 방향으로 구현되는 전면 발광인 경우에 제2 기판(201)은 광투과성 재료로 형성된다.
한편, 제1 기판(101)과 제2 기판(201) 사이에 충전재(600)가 배치된다. 충전재(600)는 유기 발광 표시 장치(100)의 외부로부터 가해질 수 있는 충격에 대하여 유기 발광 소자(70) 등의 내부 소자를 보호한다. 충전재(600)는 유기 발광 표시 장치(100)의 기구적인 신뢰성을 향상시킨다. 충전재(600)는 유기 실런트인 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 또는 무기 실런트인 실리콘 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 우레탄계 수지는, 예를 들어, 우레탄 아크릴레이트 등이 사용될 수 있다. 아크릴계 수지는, 예를 들어, 부틸아크릴레이트, 에틸헥실아크레이트 등이 사용될 수 있다.
도 3 내지 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자를 더욱 설명한다.
도 4는 도 2의 유기발광소자를 설명하기 위한 개념 단면도이다. 도 5는 발광 영역과 비발광 영역에 각각 대응하는 제2 전극을 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 6은 제2 전극을 마스크로 제조하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3 내지 5를 참조하면, 제1 기판(111)은 발광 영역(30) 및 비발광(40) 영역을 포함한다. 발광 영역(30)은 실제 빛이 방출되는 영역이고, 화소정의막(190)에 의하여 구분된 영역이다. 비발광 영역(40)은 빛이 방출되지 않고 화소정의막(190)이 배치된 영역이다. 즉, 화소정의막(190)은 비발광(40) 영역에 배치되고, 발광 영역(30)을 정의한다. 한편, 발광 영역(30)은 제1 영역(31) 및 제2 영역(32)을 포함한다. 제2 영역(32)은 제1 영역(31)을 둘러싸며 발광 영역(30)의 가장자리 영역이다.
유기 발광 소자(70)는 제1 전극(710), 유기발광층(720) 및 제2 전극(730)을 포함한다.
제1 전극(710)은 발광 영역(30)에 배치되고 반사형 도전성 물질로 형성된다. 반사형 물질로 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 금(Au)으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질이 사용될 수 있다.
예를 들면, 제1 전극(710)은 알루미늄(Al) 등을 포함하는 상기 그룹 중 하나 이상을 포함하는 단층 또는 복층의 광 반사성 도전 물질을 포함하는 제1 서브 전극(미도시) 및 제1 서브 전극(미도시) 상에 위치하여 인듐틴옥사이드(indium tin oxide, ITO) 등의 일함수가 높은 도전 물질을 포함하는 제2 서브 전극(미도시)을 포함할 수 있다.
유기 발광층(720)은 제1 전극(710) 상에 배치되고 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광층(720)은 주발광층(721), 정공 유기층(722) 및 전자 유기층(723)을 포함한다. 주발광층(721)은 제1 전극(710) 및 제2 전극(730) 각각으로부터 주입된 정공과 전자가 결합하는 층이다. 정공 유기층(722)은 하나 이상의 정공 주입층(hole injection layeer, HIL) 및 하나 이상의 정공 수송층(hole transpoting layer, HTL)을 포함한다. 전자 유기층(723)은 하나 이상의 전자 수송층(electron transporting layer, ETL) 및 하나 이상의 전자 주입층(electron injection layer, EIL)
이와 같이 유기 발광층(720)은 주발광층(721), 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함하는 다중막으로 형성될 수 있다. 일례로 정공 주입층이 양극인 제1 전극(710) 상에 배치되고, 그 위로 정공 수송층, 발광층(721), 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층된다.
본 실시예에서 유기 발광층(720)이 화소 정의막(190)의 개구부(199) 내에만 형성되었으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 발광층(720)중 적어도 하나 이상의 막이, 화소 정의막(190)의 개구부(199) 내에서 제1 전극(710) 위 뿐만 아니라 화소 정의막(190)과 제2 전극(730) 사이에도 배치될 수 있다. 좀더 구체적으로, 유기 발광층(720)의 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 등이 오픈 마스크(open)에 의해 개구부(199) 이외의 부분에도 형성되고, 유기 발광층(720)의 발광층이 미세 금속 마스크(fine metal mask, FMM)를 통해 각각의 개구부(199)마다 형성될 수 있다.
제2 전극(730)은 유기 발광층(720) 상에 배치되고 공진 구조를 형성할 수 있도록 반투과형 도전성 물질로 형성된다. 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 리튬알루미늄(LiAl), 알루미늄(Al), 은(Ag), 칼슘(Ca), 칼슘은(CaAg), 마그네슘은(MgAg) 및 알루미늄은(AlAg) 등 중 하나 이상을 포함하는 단층 또는 복층의 광 반투과성 도전 물질을 포함한다.
제2 전극(730)은 면형으로서 제1 기판(111) 전면 위에 통판 형태로 형성된다. 제2 전극(730)은 발광 영역(30)에 배치된 제1 투과부(731) 및 발광 영역(30)의 가장자리에 배치되며 제1 투과부(731)를 둘러싸는 제2 투과부(732)를 포함한다. 예를 들면, 제1 투과부(731)는 제1 영역(31)에 배치되고, 제2 투과부(732)는 제2 영역(32)에 배치된다.
제1 투과부(731) 및 제2 투과부(732)는 동일한 반투과형 도전성 물질로 형성되고, 제2 투과부(732)는 반투과형 도전성 물질의 산화물로 이루어진다. 예를 들면, 제1 투과부(731)가 마그네슘 및 은을 포함하는 복층으로 이루어질 경우, 제2 투과부(732)는 마그네슘의 산화물 및 은의 산화물을 포함하는 복층으로 이루어진다.
도 6을 참조하면, 마스크(50)를 이용하여 제2 전극(730)의 제2 투과부(732)를 산화시킬 수 있다. 즉, 마스크(50)의 차광부(51)를 제1 투과부(731) 및 제3 투과부(733) 위에 배치하고, 마스크(50)의 투광부(52)를 제2 투과부(732) 위에 배치한다. 그리고, 산화 분위기의 챔버에서 산소(O2)를 투광부(52)에 주입한다. 산소에 노출된 제2 투과부(732)는 반투과형 도전성 물질의 산화물이 된다. 마스크(50)는 미세 금속 마스크일 수 있다.
제2 투과부(732)가 반투과형 도전성 물질의 산화물로 이루어짐에 따라 제1 투과부(731)보다 높은 광 투과율을 갖는다. 예를 들면, 제2 투과부(732)의 광 투과율은 제1 투과부(731)의 광 투과율의 1.1 내지 2배 이다. 따라서, 제1 투과부(731)의 광 투과율이 30% 일 경우, 제2 투과부(732)의 광 투과율은 50% 일 수 있다.
발광 영역(30)에 대응하는 제2 전극(730)에서 제1 투과부(731)가 차지하는 면적의 비율은 60% 내지 90%이다. 발광 영역(30)에 대응하는 제2 전극(730)에서 제2 투과부(732)가 차지하는 면적의 비율은 10% 내지 40%이다. 즉, 제1 영역(31)과 제2 영역(32)의 면적비율은 9:1 내지 6:4 이다.
한편, 제2 전극(730)은 제2 투과부(732)를 둘러싸는 제3 투과부(733)를 더 포함한다. 제3 투과부(733)는 비발광 영역(40)에 배치된다. 제3 투과부(733)는 제1 투과부(731)와 동일한 물질로 이루어지고 제1 투과부(731)와 동일한 광 투과율을 갖는다.
이와 같이 제2 전극(730)을 구성할 경우, 도 4에 도시된 바와 같이 유기발광층(720)에서 생성된 광이 제1 영역(31) 및 제2 영역(32)에서 서로 다른 메카니즘을 통해 외부로 출사된다.
즉, 제2 영역(32)과 중첩하는 제2 투과부(732)는 광 투과율이 높은 영역이므로 제2 투과부(732)를 통과하는 광(L2, 이하 제2 광)은 공진 효과가 감소되어 외부로 출사된다.
그러나, 제1 영역(31)과 중첩하는 제1 투과부(731)는 기존과 동일한 광 투과율을 가지므로 제1 투과부(731)를 통과하는 광(L1, 이하 제1 광)은 공진 효과에 의하여 광 세기가 강화된다. 즉, 제1 광(L1)은 제1 전극(710) 및 제1 투과부(731) 사이를 왕복하면서 미세 공진(micro cavity)을 일으키게 되고, 이 과정에서 제1 광(L1)이 보강간섭을 일으켜 제1 광(L1)의 세기가 강화된다. 물론, R,G,B 각 색상의 광마다 보강간섭이 잘 일어나는 두 전극(710, 730)간 간격 조건이 조금씩 다르므로, 보강간섭이 일어나는 조건에 맞게 두 전극(710, 730)간 간격을 맞춰야 한다. 즉, 보강간섭이 가능한 두 전극(710, 730)간 간격은 빛의 파장에 비례하므로, 이 간격을 각 색상에 맞게 적절히 설정하면 강화된 빛을 구현할 수 있게 된다. 그리고, 이렇게 미세 공진을 통해 강화된 제1 광(L1)이 제1 투과부(731)를 통해 외부로 출사된다.
결과적으로, 하나의 발광 영역(30)에서 공진 효과가 감소된 제2 광(L2)과 공진 효과에 의해 강화된 제1 광(L1)이 섞여 나오게 되며, 이렇게 되면 약공진 발광과 강공진 발광의 효과가 혼합되면서 광 추출 효율 향상 및 시야각 특성 개선의 효과를 모두 얻을 수 있게 된다.
즉, 제1 투과부(731)에서 출사되는 제1 광(L1)은 공진을 통해 강화되기 때문에 그 세기와 직진성이 증가하게 된다. 따라서 광추출 효율은 증가하는 대신에 직진성이 높아지므로 시야각이 화면의 정중앙에서 조금만 벗어나도 빛의 휘도나 색좌표가 크게 변하게 된다. 반대로, 제2 투과부(732)에서 출사되는 제2 광(L2)은 공진 효과가 약화되어 출사되므로 광 추출 효율 증가는 낮아진 반면 시야각 특성은 향상된다. 즉, 제2 전극(730)은 제2 투과부(732)를 구비함에 따라 시야각 특성이 나빠지지 않도록 보정해주는 효과를 얻을 수 있다.
하기에서, 도 7 내지 도 9c를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명한다. 설명의 간략화를 위해 본 발명의 일 실시예에서 설명한 구성과 동일한 구성의 설명은 생략한다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 8은 도 7의 유기발광소자를 설명하기 위한 개념 단면도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2 전극(730)은 제1 금속층(734) 및 제2 금속층(735)을 포함한다. 제2 금속층(735)은 발광 영역(30)의 가장자리에서 개구부를 갖는다. 즉, 제2 금속층(735)은 제2 영역(32)에서 개구부를 갖는다. 발광 영역(30)에 대응하는 제2 전극(730)에서 제2 금속층(735)이 차지하는 면적의 비율은 60% 내지 90%이다.
제2 전극(730)은 제1 영역(31)에서 제1 금속층(734) 및 제2 금속층(735)의 복층으로 이루어지고, 제2 영역에서(32)에서 제1 금속층(734)의 단층으로 이루어진다. 따라서, 발광 영역(30)의 가장자리에 대응하는 제2 전극(730)의 광 투과율은 발광 영역(30)의 중심에 대응하는 제2 전극(730)의 광 투과율의 1.1 배 내지 2배이다. 즉, 제2 영역(32)과 중첩하는 제2 전극(730)의 광 투과율은 제1 영역(31)과 중첩하는 제2 전극(730)의 광 투과율의 1.1 배 내지 2배가 된다.
이와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2 전극(730)은 본 발명의 일 실시예와 달리 제2 전극(730)의 두께에 차이를 둠으로써 제2 영역(32)과 중첩하는 부분에서 광 투과율을 높인다.
한편, 제1 금속층(734) 및 제2 금속층(735)은 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 리튬알루미늄(LiAl), 알루미늄(Al), 은(Ag), 칼슘(Ca), 칼슘은(CaAg), 마그네슘은(MgAg) 및 알루미늄은(AlAg) 중 적어도 하나를 포함한다.
한편, 제1 금속층(734) 및 제2 금속층(735)은 비발광 영역(40)에도 배치된다.
도 9a 내지 9c를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2 전극의 제조방법을 설명한다. 설명의 편의를 위해서 제1 금속층은 마그네슘으로 이루어지고 제2 금속층은 은(Ag)으로 이루어지는 구조를 일 예로 설명한다.
도 9a 내지 9c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 9a 를 참조하면, 제1 기판(111)의 하부에 증착원(90)을 배치하고, 증착원(90)을 가열하여 증착원(90) 내의 마그네슘(Mg)을 화소정의막(199) 및 발광층(720)으로 방사시켜 제1 금속층(734)을 형성한다.
도 9 b를 참조하면, 증착용 마스크(400)의 차단부(410)는 제2 영역(32)과 대응하도록 배치하고, 증착용 마스크(400)의 슬릿(420)은 제1 영역(31) 및 비발광 영역(40)에 대응하도록 배치하고, 증착원(90)을 가열하여 증착원(90) 내의 은(Ag)을 제1 영역(31) 및 비발광 영역(40)으로 방사시켜 제2 금속층(735)을 형성한다.
이와 같이 제조할 경우, 도 9c에 도시된 바와 같이, 제1 금속층(734) 및 제2 금속층(735)이 형성되고, 제2 전극(730)은 제2 영역(32)과 중첩하는 부분에서 광투과율이 다른 부분보다 높아진다.
이상에서 설명된 표시장치의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명의 보호범위는 본 발명 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등예를 포함할 수 있다.
100: 유기 발광 표시 장치
10 : 스위칭 박막 트랜지스터
20:구동 박막 트랜지스터
30:발광 영역 31:제1 영역
32:제2 영역 40:비발광 영역
50:마스크 51:차광부
52:투광부 60:산소
70: 유기발광소자 80:축전소자
90:증착원
111:제1 기판 120:버퍼층
131:스위칭 반도체층 132:구동반도체층
135:채널영역 136:소스영역
137:드레인영역 140:게이트절연막
151:게이트 라인 152: 스위칭 게이트전극
155:구동 게이트전극 158:제1유지전극
160:절연층 171:데이터 라인
172:공통 전원 라인 173:스위칭 소스전극
174:스위칭 드레인전극 176:구동 소스전극
177:구동 드레인전극 178:제2유지전극
180:평탄화막 181:드레인 접촉구멍
190:화소정의막 199:개구부
201: 제2 기판 300: 실링재
400:증착용 마스크 410:차단부
420:슬릿 500: 박막 봉지층
510: 무기막 520: 유기막
600: 충전재 700: 캐핑층
710:제1 전극 720:유기발광층
730:제2 전극 731:제1 투과부
732:제2 투과부 733:제3 투과부
734:제1 금속층 735:제2 금속층

Claims (14)

  1. 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 기판;
    상기 비발광 영역에서 상기 기판 상에 배치되며, 상기 발광 영역을 정의하는 화소정의막;
    상기 발광 영역에 배치된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치된 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고,
    상기 제2 전극은 상기 발광 영역에 배치된 제1 투과부 및 상기 발광 영역의 가장자리에 배치되며 상기 제1 투과부를 둘러싸는 제2 투과부를 포함하고,
    상기 제2 투과부는 상기 제1 투과부보다 높은 광 투과율을 갖는 표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 발광 영역에 대응하는 상기 제2 전극에서 상기 제1 투과부가 차지하는 면적의 비율은 60% 내지 90%인 표시장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 발광 영역에 대응하는 상기 제2 전극에서 상기 제2 투과부가 차지하는 면적의 비율은 10% 내지 40%인 표시장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 전극은 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 리튬알루미늄(LiAl), 알루미늄(Al), 은(Ag), 칼슘(Ca), 칼슘은(CaAg), 마그네슘은(MgAg) 및 알루미늄은(AlAg) 중 적어도 하나를 포함하는 표시장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제2 투과부는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 리튬알루미늄(LiAl), 알루미늄(Al), 은(Ag), 칼슘(Ca), 칼슘은(CaAg), 마그네슘은(MgAg) 및 알루미늄은(AlAg) 중 적어도 하나의 산화물을 포함하는 표시장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 투과부의 광 투과율은 상기 제1 투과부의 광 투과율의 1.1 내지 2 배인 표시장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 제2 투과부를 둘러싸는 제3 투과부를 더 포함하는 표시장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제3 투과부는 상기 비발광 영역에 배치된 표시장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제3 투과부는 상기 제1 투과부와 동일한 광 투과율을 갖는 표시장치.
  10. 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 기판;
    상기 비발광 영역에서 상기 기판 상에 배치되며, 상기 발광 영역을 정의하는 화소정의막;
    상기 발광 영역에 배치된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치된 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고,
    상기 제2 전극은 제1 금속층 및 상기 제1 금속층 상에 배치된 제2 금속층을 포함하고,
    상기 제2 금속층은 상기 발광 영역의 가장자리에서 개구부를 갖는 표시장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 발광 영역에 대응하는 상기 제2 전극에서 상기 제2 금속층이 차지하는 면적의 비율은 60% 내지 90%인 표시장치.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 전극은 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 리튬알루미늄(LiAl), 알루미늄(Al), 은(Ag), 칼슘(Ca), 칼슘은(CaAg), 마그네슘은(MgAg) 및 알루미늄은(AlAg) 중 적어도 하나를 포함하는 표시장치.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 발광 영역의 가장자리에 대응하는 상기 제2 전극의 광 투과율은 상기 발광 영역의 중심에 대응하는 상기 제2 전극의 광 투과율의 1.1 내지 2 배인 표시장치.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층은 상기 비발광 영역에도 배치된 표시장치.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111370444B (zh) * 2018-12-25 2022-08-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及oled显示装置
CN109962096B (zh) * 2019-04-15 2021-02-23 京东方科技集团股份有限公司 显示背板及其制作方法、显示装置
CN110867527B (zh) * 2019-11-27 2022-08-26 昆山国显光电有限公司 透光显示面板、显示面板、显示装置以及制作方法
CN112310325B (zh) * 2020-10-30 2022-08-23 合肥维信诺科技有限公司 透光显示模组、显示面板及透光显示模组的制备方法
KR20220062919A (ko) * 2020-11-09 2022-05-17 엘지디스플레이 주식회사 발광표시패널 및 이를 이용한 발광표시장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070085471A1 (en) * 2005-10-18 2007-04-19 Eastman Kodak Company OLED device having improved power distribution
US20110163339A1 (en) * 2009-12-01 2011-07-07 Sony Corporation Light-emitting element and method for production thereof
US20110272675A1 (en) * 2010-05-04 2011-11-10 Jin-Koo Chung Organic light emitting display device
US20130161656A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 Jun-Ho Choi Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101108170B1 (ko) 2010-03-15 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR101971102B1 (ko) 2011-04-20 2019-04-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 장치
KR101932564B1 (ko) 2011-11-29 2018-12-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102050480B1 (ko) 2013-01-02 2019-12-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102337889B1 (ko) * 2015-02-16 2021-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070085471A1 (en) * 2005-10-18 2007-04-19 Eastman Kodak Company OLED device having improved power distribution
US20110163339A1 (en) * 2009-12-01 2011-07-07 Sony Corporation Light-emitting element and method for production thereof
US20110272675A1 (en) * 2010-05-04 2011-11-10 Jin-Koo Chung Organic light emitting display device
US20130161656A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 Jun-Ho Choi Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
KR20130073721A (ko) * 2011-12-23 2013-07-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법

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