KR20160081392A - Light emitting diode - Google Patents

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KR20160081392A KR1020140195165A KR20140195165A KR20160081392A KR 20160081392 A KR20160081392 A KR 20160081392A KR 1020140195165 A KR1020140195165 A KR 1020140195165A KR 20140195165 A KR20140195165 A KR 20140195165A KR 20160081392 A KR20160081392 A KR 20160081392A
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Abstract

The present invention relates to a light emitting diode. The light emitting diode according to an embodiment of the present invention comprises: a light emitting structure which includes a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer positioned on the first conductive semiconductor layer, and an active layer interposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive layer; a first electrode pad which is positioned on the second conductive semiconductor layer to be opposed to the first conductive semiconductor layer; a second electrode pad which is electrically connected to the second conductive semiconductor layer; a second electrode extension unit which extends from the second electrode pad and is connected to the second conductive semiconductor layer; and a transparent electrode layer which is formed on the second conductive semiconductor layer, wherein a part of the second electrode extension unit is connected to the second conductive semiconductor layer through one or more holes formed by penetrating the transparent electrode layer. According to the present invention, the second electrode extension unit extending from the second electrode pad is provided with one or more holes to block electric current at the position where the holes are formed, it is possible to maximize the phenomenon that electric current is concentrated at the position where the hole is not formed, and it is possible to improve light efficiency of the light emitting diode.

Description

발광 다이오드{LIGHT EMITTING DIODE}[0001] LIGHT EMITTING DIODE [0002]

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전극패드를 갖는 발광 다이오드에 관한 것이다.
The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode having an electrode pad.

질화갈륨(GaN) 계열의 발광 다이오드가 개발된 이래, GaN 계열의 LED는 현재 천연색 LED 표시소자, LED 교통 신호기, 백색 LED 등 다양한 방면에 응용되어 사용되고 있다.BACKGROUND ART GaN-based LEDs have been used in various fields such as color LED display devices, LED traffic signals, and white LEDs since gallium nitride (GaN) -based light emitting diodes have been developed.

질화갈륨 계열의 발광 다이오드는 일반적으로 사파이어와 같은 기판 상에 에피층들을 성장시켜 형성되고, n형 반도체층, p형 반도체층 및 이들 사이에 개재된 활성층을 포함한다. 그리고 n형 반도체층상에 n-전극패드가 형성되고, p형 반도체층 상에 p-전극패드가 형성된다. 발광 다이오드는 전극패드들을 통해 외부 전원에 전기적으로 연결되어 구동된다. 이때, 전류는 p-전극패드에서 반도체층들을 거쳐 n-전극패드로 흐른다.The gallium nitride series light emitting diode is generally formed by growing epitaxial layers on a substrate such as sapphire, and includes an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and an active layer interposed therebetween. An n-electrode pad is formed on the n-type semiconductor layer, and a p-electrode pad is formed on the p-type semiconductor layer. The light emitting diode is electrically connected to the external power source through the electrode pads and driven. At this time, the current flows from the p-electrode pad to the n-electrode pad through the semiconductor layers.

일반적으로 p형 반도체층은 높은 비저항을 가지므로, p형 반도체층 내에서 전류가 고르게 분산되지 못하고, p-전극패드가 형성된 부분에 전류가 집중되며, 모서리를 통해 전류가 집중적으로 흐르는 문제점이 발생된다. 이러한 전류밀집(current crowing)은 발광영역의 감소로 이어지고, 결과적으로 발광효율을 저하시킨다. 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 p형 반도체층 상에 비저항이 낮은 투명전극층을 형성하여 전류분산을 도모하는 기술이 사용된다. p-전극패드에서 유입된 전류가 투명전극층에서 분산되어 p형 반도체층으로 유입되기 때문에 발광 다이오드의 발광영역을 넓힐 수 있다.In general, since the p-type semiconductor layer has a high resistivity, the current can not be uniformly dispersed in the p-type semiconductor layer, the current is concentrated in the portion where the p-electrode pad is formed, and current flows intensively through the edge do. This current crowding leads to reduction of the luminescent region, and consequently degrades the luminous efficiency. In order to solve the above problems, a technique of forming a transparent electrode layer having a low resistivity on the p-type semiconductor layer to achieve current dispersion is used. the current flowing from the p-electrode pad is dispersed in the transparent electrode layer and flows into the p-type semiconductor layer, so that the light emitting region of the light emitting diode can be widened.

하지만, 투명전극층은 광을 흡수하기 때문에 그 두께가 제한되고, 그에 따라 전류분산에 한계가 있다. 특히, 약 1㎟ 이상의 대면적을 갖는 발광 다이오드는 고출력에 사용되는데, 이러한 대면적 발광 다이오드에서 투명전극층을 이용한 전류분산은 한계가 있다.However, since the transparent electrode layer absorbs light, its thickness is limited, and current dispersion is limited accordingly. Particularly, a light emitting diode having a large area of about 1 mm 2 or more is used for a high output. Current dispersion using a transparent electrode layer in such a large area light emitting diode is limited.

이렇게 다수의 연장부들을 사용함으로써, 발광 다이오드의 넓은 영역에 걸쳐 전류를 분산시킬 수 있지만, 전극패드들이 위치하는 부분에서 여전히 전류가 집중되는 전류밀집 현상이 나타나는 문제가 있다.
By using the plurality of extension portions, current can be dispersed over a wide area of the light emitting diode. However, there is a problem that a current crowding phenomenon occurs in which a current is still concentrated at a portion where the electrode pads are located.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 전극패드 근처에서 전류밀집 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a light emitting diode capable of preventing current densification from occurring near an electrode pad.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 발광구조체; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 투명전극층; 상기 투명전극층 상에 형성된 제2 전극패드; 상기 제2 전극패드에서 연장된 제2 전극연장부; 및 상기 투명전극층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 개재되는 전류차단층을 포함하고, 상기 투명전극층은 상기 전류차단층의 적어도 일부를 노출시키는 하나 이상의 홈이 형성되며, 상기 제2 전극연장부는 일부가 상기 투명전극층 상에 형성되고 나머지가 상기 홀을 통해 노출된 상기 전류차단층 상부에 형성될 수 있다.A light emitting diode according to an embodiment of the present invention includes a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer disposed on the first conductivity type semiconductor layer, A light emitting structure including an active layer interposed between the layers; A transparent electrode layer formed on the second conductive semiconductor layer; A second electrode pad formed on the transparent electrode layer; A second electrode extension extending from the second electrode pad; And a current blocking layer interposed between the transparent electrode layer and the second conductive type semiconductor layer, wherein the transparent electrode layer is formed with at least one groove exposing at least a part of the current blocking layer, A portion may be formed on the transparent electrode layer and the remainder may be formed on the current blocking layer exposed through the hole.

이때, 상기 하나 이상의 홀은 상기 전류차단층의 너비보다 작은 너비를 가질 수 있다.At this time, the at least one hole may have a width smaller than the width of the current blocking layer.

그리고 상기 제2 전극연장부가 상기 투명전극층과 절연되도록 상기 투명전극층 덮는 절연층을 더 포함할 수 있으며, 상기 제1 도전형 반도체층에 대향하여 상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하는 제1 전극패드; 및 상기 제1 전극패드에서 연장하여 상기 제1 도전형 반도체층에 접속된 제1 전극연장부를 더 포함할 수 있다. The first conductive semiconductor layer may further include an insulating layer covering the transparent electrode layer such that the second electrode extension portion is insulated from the transparent electrode layer. pad; And a first electrode extension portion extending from the first electrode pad and connected to the first conductivity type semiconductor layer.

여기서, 상기 발광구조체에는 상기 제2 도전형 반도체층 및 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층을 노출시키는 하나 이상의 홈부가 형성되고, 상기 하나 이상의 홈부는 상기 제1 전극연장부를 따라 배열되며, 상기 제1 전극연장부는 상기 홈부를 통해 상기 제1 도전형 반도체층에 접속할 수 있다. Here, the light emitting structure may include at least one groove portion penetrating the second conductivity type semiconductor layer and the active layer to expose the first conductivity type semiconductor layer, wherein the at least one groove portion is arranged along the first electrode extension portion, The first electrode extension may be connected to the first conductivity type semiconductor layer through the groove.

이때, 상기 제1 전극연장부와 제2 전극연장부는 서로 평행하게 배치되고, 상기 하나 이상의 홀은 상기 하나 이상의 홈부와 엇갈리게 배치될 수 있으며, 상기 하나 이상의 홀는 상기 홈부가 위치한 위치와 겹치지 않는 길이로 형성될 수 있다.The at least one hole may be disposed to be offset from the at least one groove, and the at least one hole may have a length that does not overlap the position where the groove is located .

또한, 상기 제1 전극연장부는 상기 발광 다이오드의 가장자리를 따라 형성될 수 있으며, 상기 투명전극층은 메탈산화물로 이루어질 수 있다.
The first electrode extension may be formed along the edge of the light emitting diode, and the transparent electrode layer may be formed of a metal oxide.

본 발명에 의하면, 제2 전극패드에서 연장된 제2 전극연장부에 하나 이상의 홀을 형성하여 홀이 형성된 위치에서 전류가 차단되도록 함으로써, 홀이 형성되지 않은 위치에 전류가 밀집되는 현상을 극대화할 수 있어 발광 다이오드의 광 효율을 향시킬 수 있는 효과가 있다.
According to the present invention, at least one hole is formed in the second electrode extending portion extending from the second electrode pad so that the current is blocked at the position where the hole is formed, thereby maximizing the current crowding at the position where the hole is not formed So that the light efficiency of the light emitting diode can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 절취선 I-I'을 따라 취해진 단면도이다.
도 3은 도 1의 절취선 II-II'를 따라 취해진 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 도시한 평면도이다.
도 5는 도 4의 절취선 III-III'를 따라 취해진 단면도이다.
도 6은 도 4의 절취선 IV-IV'를 따라 취해진 단면도이다.1 is a plan view showing a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along the percutaneous line I-I 'of Fig.
3 is a cross-sectional view taken along the perforated line II-II 'of Fig.
4 is a plan view showing a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view taken along the perforated line III-III 'of FIG.
6 is a cross-sectional view taken along the perforated line IV-IV 'of FIG.

본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명한다.Preferred embodiments of the present invention will be described more specifically with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 I-I'을 따라 절취한 단면도이며, 도 3은 도 1의 II-II'를 따라 절취한 단면도이다.FIG. 1 is a plan view showing a light emitting diode according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line II- Sectional view.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는 기판(121), 제1 도전형 반도체층(123), 활성층(125), 제2 도전형 반도체층(127), 전류차단층(129), 투명전극층(131), 절연층(133), 제1 전극패드(135), 제1 전극연장부(135a), 제2 전극패드(137) 및 제2 전극연장부(137a)를 포함한다.A light emitting diode according to an embodiment of the present invention includes a substrate 121, a first conductive semiconductor layer 123, an active layer 125, a second conductive semiconductor layer 127, a current blocking layer 129, A first electrode extension 135a, a second electrode pad 137, and a second electrode extension 137a. The first electrode extension 135, the insulating layer 133, the first electrode pad 135, the first electrode extension 135a,

기판(121)은 사파이어 기판일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 대체로 사각형 형상을 가지며, 서로 대향하는 가장자리들을 갖도록 형성된다. 또한, 기판(121)은 도시된 바와 같이, 패턴이 형성된 사파이어 기판(PSS)일 수 있다.The substrate 121 may be a sapphire substrate, but is not limited thereto. The substrate 121 may have a generally rectangular shape and may have edges facing each other. Also, the substrate 121 may be a sapphire substrate (PSS) having a pattern as shown in the figure.

제1 도전형 반도체층(123)은 기판(121) 상에 위치하고, 제1 도전형 반도체층(123) 상에 제2 도전형 반도체층(127)이 위치하며, 제1 도전형 반도체층(123)과 제2 도전형 반도체층(127) 사이에 활성층(125)이 개재된다. 제1 도전형 반도체층(123), 활성층(125) 및 제2 도전형 반도체층(127)은 (Al, In, Ga)N 등의 질화갈륨 계열의 화합물 반도체 물질로 형성될 수 있다. 그리고 활성층(125)은 요구되는 파장의 광, 일례로, 자외선이나 청색광을 방출하도록 조성 원소 및 조성비가 결정된다.The first conductive semiconductor layer 123 is located on the substrate 121. The second conductive semiconductor layer 127 is located on the first conductive semiconductor layer 123 and the first conductive semiconductor layer 123 And the second conductivity type semiconductor layer 127 are interposed. The first conductive semiconductor layer 123, the active layer 125 and the second conductive semiconductor layer 127 may be formed of a gallium nitride compound semiconductor material such as (Al, In, Ga) N or the like. The compositional element and the composition ratio are determined so that the active layer 125 emits light of a desired wavelength, for example, ultraviolet light or blue light.

제1 도전형 반도체층(123)은 n형 질화물 반도체층일 수 있고, 제2 도전형 반도체층(127)은 p형 질화물 반도체층일 수 있으며, 그 반대일 수도 있다.The first conductive semiconductor layer 123 may be an n-type nitride semiconductor layer, the second conductive semiconductor layer 127 may be a p-type nitride semiconductor layer, or vice versa.

제1 도전형 반도체층(123) 및/또는 제2 도전형 반도체층(127)은, 도시한 바와 같이, 단일층으로 형성될 수 있으나, 다층 구조로 형성될 수도 있다. 또한, 활성층(125)은 단일 양자웰 또는 다중 양자웰 구조를 가질 수 있다. 또한, 기판(121)과 제1 도전형 반도체층(123) 사이에 GaN 또는 AlN와 같은 버퍼층(미도시)이 개재될 수 있다. 반도체층들은 MOCVD 또는 MBE 기술을 사용하여 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 123 and / or the second conductive semiconductor layer 127 may be formed as a single layer or may have a multi-layer structure as shown in the drawings. In addition, the active layer 125 may have a single quantum well structure or a multiple quantum well structure. A buffer layer (not shown) such as GaN or AlN may be interposed between the substrate 121 and the first conductivity type semiconductor layer 123. The semiconductor layers may be formed using MOCVD or MBE techniques.

발광구조체(130)는 제2 도전형 반도체층(127) 및 활성층(125)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(123)을 노출시키는 복수의 홈부(130a)들을 갖는다. 상기 복수의 홈부(130a)들은, 제1 전극 연장부들을 따라 선형으로 배열된다.The light emitting structure 130 has a plurality of trenches 130a through the second conductivity type semiconductor layer 127 and the active layer 125 to expose the first conductivity type semiconductor layer 123. The plurality of trenches 130a are linearly arranged along the first electrode extensions.

제2 도전형 반도체층(127) 상에 투명전극층(131)이 위치할 수 있다. 투명전극층(131)은, ITO와 같은 투명 산화물이나 ZnO, Al2O3 등의 메탈산화물로 형성될 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(127)에 오믹 컨택된다. 투명전극층(131)은 제2 도전형 반도체층(127)과 전기적으로 접촉되며, 발광 다이오드의 넓은 영역에 걸쳐 전류를 분산시키는 역할을 한다.The transparent electrode layer 131 may be positioned on the second conductivity type semiconductor layer 127. The transparent electrode layer 131 may be formed of a transparent oxide such as ITO or a metal oxide such as ZnO or Al 2 O 3 and is ohmically contacted with the second conductive type semiconductor layer 127. The transparent electrode layer 131 is in electrical contact with the second conductivity type semiconductor layer 127 and serves to disperse current over a wide area of the light emitting diode.

도 2에 도시된 바와 같이, 제2 전극연장부(137a)의 하부에 위치한 투명전극층(131)의 일부에 홀(h)을 형성할 수 있다. 그에 따라 홀(h)이 형성된 위치에서 제2 전극연장부(137a)와 투명전극층(131)은 전기적으로 절연된다. 그리고 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 전극패드(137)는 투명전극층(131) 상에 위치할 수 있으며, 제2 전극패드(137)로부터 제2 전극연장부(137a)가 연장할 수 있다. 제2 전극패드(137) 및 제2 전극연장부(137a)는 투명전극층(131)에 접속될 수 있다.As shown in FIG. 2, a hole h may be formed in a part of the transparent electrode layer 131 located under the second electrode extension 137a. The second electrode extension 137a and the transparent electrode layer 131 are electrically insulated from each other at the position where the hole h is formed. 3, the second electrode pad 137 may be positioned on the transparent electrode layer 131 and the second electrode extension 137a may extend from the second electrode pad 137 . The second electrode pad 137 and the second electrode extension 137a may be connected to the transparent electrode layer 131.

이때, 본 발명이 일 실시예에 따른 발광 다이오드는 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 전극패드(135)에서 두 개의 제1 전극연장부(135a)가 연장되고, 제2 전극패드(137)에서 세 개의 제2 전극연장부(137a)가 연장되어 형성된다.1, two first electrode extension parts 135a extend from a first electrode pad 135, and a second electrode pad 137 extends from the first electrode pad 135. In this case, Three second electrode extension parts 137a are formed.

투명전극층(131)을 관통하는 홀(h)은 제2 전극연장부(137a)를 따라 일정 간격으로 이격된 상태로 형성된다. 그에 따라 홀(h)이 형성된 위치에서 제2 전극연장부(137a)와 투명전극층(131)이 전기적으로 연결되지 않아 해당 위치에서 전기적으로 흐름이 차단되며, 제2 전극연장부(137a)는 전류차단층(129) 상에 위치한다.The holes h passing through the transparent electrode layer 131 are spaced apart from each other along the second electrode extension part 137a. The second electrode extension 137a and the transparent electrode layer 131 are electrically disconnected from each other at the position where the hole h is formed so that the second electrode extension 137a is electrically disconnected from the current Is located on the blocking layer 129.

도 2에 도시된 바와 같이, 제1 전극패드(135)와 제1 전극연장부(135a)는 발광구조체(130)의 제2 도전형 반도체층(127) 상에 위치하고, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 전극패드(135)에서 제1 전극연장부(135a)가 연장한다. 그리고 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 전극패드(135)는 발광구조체(130)로부터 절연되며, 제1 전극연장부(135a)를 통해 제1 도전형 반도체층(123)에 전기적으로 접속한다. 제1 전극연장부(135a)는 복수의 홈부(130a)들을 통해 노출된 제1 도전형 반도체층(123)에 접속된다.2, the first electrode pad 135 and the first electrode extension 135a are located on the second conductivity type semiconductor layer 127 of the light emitting structure 130, Likewise, the first electrode extension 135a extends from the first electrode pad 135. 3, the first electrode pad 135 is isolated from the light emitting structure 130 and is electrically connected to the first conductive semiconductor layer 123 through the first electrode extension 135a . The first electrode extension 135a is connected to the first conductive semiconductor layer 123 exposed through the plurality of trenches 130a.

절연층(133)은 발광구조체(130) 상부에 위치하여, 발광구조체(130)와 투명전극층(131)을 덮도록 형성된다. 또한, 절연층(133)은 도 2에 도시된 바와 같이, 투명전극층(131)의 측벽을 덮어 제1 전극연장부(135a)를 투명전극층(131)과 절연시키고, 도 3에 도시된 바와 같이, 홈부(130a)의 측벽을 덮어 제2 전극연장부(137a)를 제2 도전형 반도체층(127)과 절연시킨다.The insulating layer 133 is formed on the light emitting structure 130 to cover the light emitting structure 130 and the transparent electrode layer 131. 2, the insulating layer 133 covers the sidewalls of the transparent electrode layer 131 to insulate the first electrode extension 135a from the transparent electrode layer 131, and as shown in FIG. 3, And the second electrode extension portion 137a is insulated from the second conductivity type semiconductor layer 127 by covering the side wall of the trench portion 130a.

전류차단층(129)은 투명전극층(131)과 제2 도전형 반도체층(127) 사이에 개재될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 전류차단층(129)은 제2 전극패드(137) 및 제2 전극연장부(137a) 아래에 제한적으로 위치하며, 투명전극층(131)이 전류차단층(129)을 덮으면서 제2 도전형 반도체층(127)에 접속한다. 또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 투명전극층(131)을 관통하는 홀(h)이 형성되면, 제2 전극연장부(137a)와 전류차단층(129)이 접속되고, 투명전극층(131)은 전류차단층(129)의 일부만을 덮으면서 제2 도전형 반도체층(127)에 접속될 수 있다.The current blocking layer 129 may be interposed between the transparent electrode layer 131 and the second conductivity type semiconductor layer 127. 3, the current blocking layer 129 is limited below the second electrode pad 137 and the second electrode extension 137a, and the transparent electrode layer 131 is located below the current blocking layer 129, And is connected to the second conductivity type semiconductor layer 127 while covering the second conductivity type semiconductor layer 127. [ 2, when the hole h penetrating the transparent electrode layer 131 is formed, the second electrode extension 137a and the current blocking layer 129 are connected to each other, and the transparent electrode layer 131, May be connected to the second conductivity type semiconductor layer 127 while covering only a part of the current blocking layer 129.

전류차단층(129)은 절연물질로 형성되어, 제2 전극연장부(137a)에서 제2 도전형 반도체층(127)으로 전류가 흐르는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라 제2 전극연장부(137a) 주위에서 전류가 집중되는 것을 완화하여 전류 분산 성능을 강화할 수 있다. 더욱이, 도 2에서와 같이, 홀(h)이 형성된 위치에서는 투명전극층(131)과 제2 전극연장부(137a)가 절연되기 때문에 홀(h)이 형성된 위치에서 전류 차단이 이루어진다. 그에 따라 도 1에 도시된 바와 같이, 홀(h)과 홀(h) 사이에 전류가 집중되는 현상이 발생할 수 있다. 즉, 홀(h)이 형성된 위치에서 전류가 차단됨에 따라 홀(h)이 형성되지 않은 위치에서 전류 밀도가 국부적으로 극대화되어 발광 다이오드의 광 효율이 향상될 수 있다.The current blocking layer 129 may be formed of an insulating material so as to prevent current from flowing from the second electrode extension 137a to the second conductivity type semiconductor layer 127. Accordingly, concentration of current in the vicinity of the second electrode extension 137a can be mitigated to enhance current dispersion performance. 2, since the transparent electrode layer 131 and the second electrode extension 137a are insulated from each other at the position where the hole h is formed, the current is cut at the position where the hole h is formed. As a result, as shown in FIG. 1, a current may concentrate between the hole h and the hole h. That is, as the current is blocked at the position where the hole h is formed, the current density is locally maximized at the position where the hole h is not formed, so that the light efficiency of the light emitting diode can be improved.

이때, 도 1에 도시된 바와 같이, 홀(h)은 제2 전극연장부(137a)에만 형성되고, 일정 간격 이격되어 형성된다. 홀(h)이 형성된 위치는 제1 전극연장부(135a)의 홈부(130a)가 형성된 위치와 엇갈리게 형성되는 것이 바람직한데, 제1 전극연장부(135a)에 홈부(130a)가 형성된 위치에서도 홀(h)이 형성된 위치와 마찬가지로 전류를 차단할 수 있기 때문에 홀(h)은 제1 전극연장부(135a)의 홈부(130a)가 형성된 위치와 나란하게 형성되지 않게 엇갈리게 위치하도록 한다. 그에 따라 제1 전극연장부(135a)의 홈부(130a)들 사이와 제2 전극연장부(137a)의 홀(h)들 사이에 전류 밀도가 국부적으로 극대화될 수 있다.At this time, as shown in FIG. 1, the holes h are formed only in the second electrode extension portion 137a and are spaced apart from each other by a predetermined distance. It is preferable that the position where the hole h is formed is formed to be offset from the position where the groove portion 130a of the first electrode extension portion 135a is formed. Even in a position where the groove portion 130a is formed in the first electrode extension portion 135a, the holes h are staggered so as not to be parallel to the positions where the groove portions 130a of the first electrode extension portions 135a are formed. The current density between the grooves 130a of the first electrode extension part 135a and the holes h of the second electrode extension part 137a can be locally maximized.

그리고 홀(h)의 길이(L)는 홀(h)들의 사이에서 전류밀집 현상이 극대화될 수 있도록 제1 전극연장부(135a)에 형성된 홈부(130a)의 위치와 겹치지 않도록 형성할 수 있으며, 홀(h)의 너비(W)는 제2 전극연장부(137a)의 너비보다 크게 형성하고, 전류차단부의 너비보다 작게 형성하여 투명전극층(131)이 전류차단부의 일부를 덮으면서 제2 전극연장부(137a)와 절연될 수 있도록 할 수 있다.The length L of the hole h may be formed so as not to overlap with the position of the groove 130a formed in the first electrode extension 135a so as to maximize the current crowding between the holes h, The width W of the hole h is formed to be larger than the width of the second electrode extension 137a and smaller than the width of the current blocking portion so that the transparent electrode layer 131 covers a part of the current blocking portion, So that it can be insulated from the portion 137a.

그리고 도 2에 도시된 바와 같이, 홀(h)의 깊이는 전류차단층(129)이 노출될 수 있도록 투명전극층(131)과 절연층(133)을 관통하여 형성된다. 즉, 홀(h)은 홈부(130a)와 달리 발광구조체(130)의 깊이까지 형성되지 않으며, 제1 전극연장부(135a)의 전류차단층(129)이 노출될 수 있을 정도의 깊이로 형성된다.2, the depth of the hole h is formed through the transparent electrode layer 131 and the insulating layer 133 so that the current blocking layer 129 may be exposed. That is, the hole h is not formed to a depth of the light emitting structure 130 unlike the groove 130a, and the hole h is formed to a depth such that the current blocking layer 129 of the first electrode extension part 135a can be exposed. do.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 도시한 평면도이고, 도 5는 도 4의 절취선 III-III'를 따라 취해진 단면도이며, 도 6은 도 4의 절취선 IV-IV'를 따라 취해진 단면도이다.FIG. 4 is a plan view of a light emitting diode according to another embodiment of the present invention, FIG. 5 is a sectional view taken along a perforated line III-III 'of FIG. 4, Sectional view.

본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드는 기판(221), 제1 도전형 반도체층(223), 활성층(225), 제2 도전형 반도체층(227), 전류차단층(229), 투명전극층(231), 제1 전극패드(235), 제2 전극패드(237), 제1 전극연장부(235a) 및 제2 전극연장부(235b)를 포함한다. 그리고 본 발명의 다른 실시예의 발광 다이오드를 설명하면서 일 실시예에서와 동일한 설명은 생략한다.A light emitting diode according to another embodiment of the present invention includes a substrate 221, a first conductive semiconductor layer 223, an active layer 225, a second conductive semiconductor layer 227, a current blocking layer 229, A first electrode pad 235, a second electrode pad 237, a first electrode extension 235a, and a second electrode extension 235b. And a light emitting diode of another embodiment of the present invention will be described, and the same description as in the embodiment will be omitted.

본 발명의 다른 실시예에서 발광 다이오드의 제1 및 제2 전극패드(135, 137)는 발광구조체(230)의 상부에 위치하고, 제1 전극패드(235)에서 제1 전극연장부(235a)가 발광 다이오드의 가장자리를 따라 연장되어 형성되고, 제2 전극패드(237)에서 제2 전극연장부(237a)가 제1 전극패드(235) 측으로 연장되어 형성된다. 이때, 제1 전극연장부(235a)와 제2 전극연장부(237a)는 서로 마주보도록 평행하게 연장될 수 있다. The first and second electrode pads 135 and 137 of the light emitting diode are located on the upper portion of the light emitting structure 230 and the first electrode extension portion 235a is located on the first electrode pad 235 And the second electrode extension 237a extends from the second electrode pad 237 toward the first electrode pad 235. The second electrode extension 237a is formed to extend along the edge of the light emitting diode. At this time, the first electrode extension part 235a and the second electrode extension part 237a may extend in parallel so as to face each other.

그리고 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 전극연장부(235a)에 제1 전극연장부(235a)가 제1 도전형 반도체와 직접 접촉할 수 있게 홈부(230a)가 형성되고, 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 전극연장부(237a)에 제1 전극연장부(235a)가 전류차단층(229)과 직접 접촉할 수 있도록 홀(h)이 형성된다. 6, a groove 230a is formed in the first electrode extension part 235a so that the first electrode extension part 235a can directly contact the first conductivity type semiconductor, and as shown in FIG. 5, A hole h is formed in the second electrode extension part 237a so that the first electrode extension part 235a can directly contact the current blocking layer 229. [

이때, 홈부(230a)와 홀(h)이 각각 형성되는 위치는 도 1에 도시된 바와 같이, 서로 엇갈리게 위치하도록 형성되며, 홀(h)의 길이는 홈부(230a)가 위치한 위치와 겹치지 않을 수 있는 길이로 형성된다.At this time, as shown in FIG. 1, the grooves 230a and the holes h are formed to be offset from each other, and the length of the holes h may not overlap with the position of the grooves 230a. .

본 발명의 다른 실시예에서 도 5 및 도 6에 절연층을 도시하지 않았지만, 본 발명의 일 실시예에서와 마찬가지로, 발광구조층 및 투명전극층(231)을 덮도록 형성될 수 있다. 특히, 도 5에서 투명전극층(231)이 관통하여 형성된 홀(h)에 제1 전극연장부(235a)가 형성될 때, 투명전극층(231)과 제1 전극연장부(235a)가 전기적으로 절연될 수 있도록 절연층이 투명전극층(231)을 덮을 수 있다.
In another embodiment of the present invention, the insulating layer is not shown in FIGS. 5 and 6, but may be formed to cover the light emitting structure layer and the transparent electrode layer 231, as in the embodiment of the present invention. 5, when the first electrode extension part 235a is formed in the hole h formed through the transparent electrode layer 231, the transparent electrode layer 231 and the first electrode extension part 235a are electrically insulated from each other An insulating layer may cover the transparent electrode layer 231. [

위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It should be understood that the scope of the present invention is to be understood as the scope of the following claims and their equivalents.

121: 기판 123: 제1 도전형 반도체층
125: 활성층 127: 제2 도전형 반도체층
129: 전류차단층 130: 발광구조체
130a: 홈부 131: 투명전극층
133: 절연층 135: 제1 전극패드
135a: 제1 전극연장부 137: 제2 전극패드
137a: 제2 전극연장부 h: 홀121: substrate 123: first conductivity type semiconductor layer
125: active layer 127: second conductivity type semiconductor layer
129: current blocking layer 130: light emitting structure
130a: groove portion 131: transparent electrode layer
133: insulating layer 135: first electrode pad
135a: first electrode extension part 137: second electrode pad
137a: second electrode extension portion h: hole

Claims (9)

제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 발광구조체;
상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 투명전극층;
상기 투명전극층 상에 형성된 제2 전극패드;
상기 제2 전극패드에서 연장된 제2 전극연장부; 및
상기 투명전극층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 개재되는 전류차단층을 포함하고,
상기 투명전극층은 상기 전류차단층의 적어도 일부를 노출시키는 하나 이상의 홈이 형성되며,
상기 제2 전극연장부는 일부가 상기 투명전극층 상에 형성되고 나머지가 상기 홀을 통해 노출된 상기 전류차단층 상부에 형성된 발광 다이오드.A light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer disposed on the first conductivity type semiconductor layer, and an active layer interposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer;
A transparent electrode layer formed on the second conductive semiconductor layer;
A second electrode pad formed on the transparent electrode layer;
A second electrode extension extending from the second electrode pad; And
And a current blocking layer interposed between the transparent electrode layer and the second conductive type semiconductor layer,
Wherein the transparent electrode layer is formed with at least one groove exposing at least a part of the current blocking layer,
Wherein the second electrode extension part is formed on the transparent electrode layer and the remaining part of the second electrode extension part is exposed on the current blocking layer exposed through the hole. 청구항 1에 있어서,
상기 하나 이상의 홀은 상기 전류차단층의 너비보다 작은 너비를 갖는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
Wherein the at least one hole has a width smaller than a width of the current blocking layer. 청구항 1에 있어서,
상기 제2 전극연장부가 상기 투명전극층과 절연되도록 상기 투명전극층 덮는 절연층을 더 포함하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
And an insulating layer covering the transparent electrode layer such that the second electrode extension part is insulated from the transparent electrode layer. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층에 대향하여 상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하는 제1 전극패드; 및
상기 제1 전극패드에서 연장하여 상기 제1 도전형 반도체층에 접속된 제1 전극연장부를 더 포함하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
A first electrode pad positioned on the second conductivity type semiconductor layer opposite to the first conductivity type semiconductor layer; And
And a first electrode extension part extending from the first electrode pad and connected to the first conductivity type semiconductor layer. 청구항 4에 있어서,
상기 발광구조체에는 상기 제2 도전형 반도체층 및 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층을 노출시키는 하나 이상의 홈부가 형성되고,
상기 하나 이상의 홈부는 상기 제1 전극연장부를 따라 배열되며,
상기 제1 전극연장부는 상기 홈부를 통해 상기 제1 도전형 반도체층에 접속하는 발광 다이오드.The method of claim 4,
Wherein the light emitting structure has at least one groove portion penetrating the second conductivity type semiconductor layer and the active layer to expose the first conductivity type semiconductor layer,
Wherein the at least one groove is arranged along the first electrode extension,
And the first electrode extension part is connected to the first conductive type semiconductor layer through the groove part. 청구항 5에 있어서,
상기 제1 전극연장부와 제2 전극연장부는 서로 평행하게 배치되고,
상기 하나 이상의 홀은 상기 하나 이상의 홈부와 엇갈리게 배치된 발광 다이오드.The method of claim 5,
Wherein the first electrode extension part and the second electrode extension part are arranged in parallel to each other,
Wherein the at least one hole is staggered with the at least one groove. 청구항 6에 있어서,
상기 하나 이상의 홀은 상기 홈부가 위치한 위치와 겹치지 않는 길이로 형성된 발광 다이오드.The method of claim 6,
Wherein the at least one hole has a length that does not overlap with a position where the groove portion is located. 청구항 4에 있어서,
상기 제1 전극연장부는 상기 발광 다이오드의 가장자리를 따라 형성된 발광 다이오드.The method of claim 4,
Wherein the first electrode extension portion is formed along an edge of the light emitting diode. 청구항 1에 있어서,
상기 투명전극층은 메탈산화물로 이루어진 발광 다이오드.
The method according to claim 1,
Wherein the transparent electrode layer is made of a metal oxide.
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