KR20160079088A - Shielding structure for reaction chamber - Google Patents

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KR20160079088A
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shielding
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KR1020167014590A
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칭 서
유 루
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베이징 엔엠씨 씨오., 엘티디.
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Abstract

반응챔버에 사용되는 차폐구조가 제공된다. 상기 구조는 반응챔버 내에 설치되는 것으로, 차단부재와 차폐부재를 포함한다. 상기 차폐부재는 반응챔버 내벽을 둘러싸는 형태로 설치되고, 차폐부재 상에 축방향에 따라 상기 차폐부재를 관통하는 적어도 하나의 노치가 설치되며, 상기 노치가 위치하는 평면 상에서 상기 차단부재의 투영(projection)은 상기 노치를 덮으며, 상기 차단부재와 상기 차폐부재 사이에 무선주파수(RF) 에너지 전송 통로가 형성되도록 하기 위하여, 상기 차단부재의 내표면으로부터 상기 반응챔버의 중심부까지의 거리와 상기 차페부재의 내표면으로부터 상기 반응챔버의 중심부까지의 거리는 동일하지 않게 형성된다. 본 발명이 제공하는 차폐구조는 스퍼터 입자 및/또는 대전 이온이 반응챔버 내벽에 가하는 충격을 방지할 수 있으므로, 스퍼터 입자가 퇴적되면서 생기는 금속층에 의한 폐회로의 생성을 방지할 수 있고 또한 스퍼터 입자의 박리에 의한 입자 오염을 방지할 수 있다. 부가적으로, 본 발명이 제공하는 차폐구조는 가공 정도에 대한 요구도 낮출 수 있기 때문에 제조 및 설치 비용을 절감할 수 있다. A shielding structure for use in a reaction chamber is provided. The structure is provided in the reaction chamber, and includes a blocking member and a shielding member. Wherein the shielding member is provided so as to surround the inner wall of the reaction chamber, and on the shielding member, at least one notch penetrating the shielding member along the axial direction is provided, and on the plane where the notch is located, projection of the blocking member covers the notch and the distance from the inner surface of the blocking member to the center of the reaction chamber and the distance between the inner surface of the blocking member and the center of the reaction chamber, The distance from the inner surface of the member to the central portion of the reaction chamber is not uniform. The shielding structure provided by the present invention can prevent the impact of the sputter particles and / or the charged ions on the inner wall of the reaction chamber. Therefore, it is possible to prevent the generation of the closed circuit by the metal layer formed by accumulation of the sputter particles, Can be prevented. In addition, the shielding structure provided by the present invention can reduce manufacturing and installation costs because it can also reduce the need for machining accuracy.

Description

반응챔버에 사용되는 차폐구조{Shielding structure for reaction chamber}Shielding structure for reaction chamber < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 반도체 생산기술에 관한 것으로, 특히 반응챔버에 사용되는 차폐구조에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor production technology, and more particularly to a shielding structure used in a reaction chamber.

반도체 생산분야에서 PVD(Physical Vapor Deposition, 물리기상퇴적)를 사용하는 경우, 통상적으로 ICP(Inductively Coupled Plasma, 유도결합 플라즈마)법으로 반응챔버 내의 고밀도 플라즈마를 여기시키고, 또한 플라즈마로 하여금 스퍼터 소스에 충격을 가하여 스퍼터 소스가 분자, 원자 또는 이온 등의 스퍼터 입자를 스퍼터링하여 이들을 기판 상에 형성된 박막에 퇴적되도록 한다. 통상적으로, 대전 이온 또는 스퍼터 입자는 불규칙적으로 운동할 때에도 반응챔버의 내벽에 충격을 준다. 한편, 반응챔버 실외에 설치되어 무선주파수를 전송하는데 사용되는 방전코일과 반응챔버 실내의 플라즈마 간에는 용량 결합이 존재하는데, 이는 고 에너지 방전 이온을 더욱 끌어당기면서 반응챔버의 내벽에 충격을 가하기 때문에, 반응챔버의 사용수명을 단축시킨다. 한편, 대전 이온 또는 스퍼터 입자가 반응챔버의 내벽에 충격을 가할 시, 퇴적 또는 스퍼터를 발생시키게 되는데, 만약 반응챔버의 내벽에 폐쇄(closed) 금속층이 퇴적되면 무선주파수 에너지의 결합에 영향을 주게 된다. 그리고 반응챔버의 내벽에 부딪혀서 떨어진 입자들은 오염을 일으킬 수 있기 때문에, 수시로 세정을 해야 하는데, 이 또한 생산비용의 증가를 초래하게 된다. When PVD (Physical Vapor Deposition) is used in the semiconductor production field, a high density plasma in a reaction chamber is excited by an ICP (Inductively Coupled Plasma) method, and the plasma is further shocked to the sputter source So that the sputter source sputtered sputter particles such as molecules, atoms or ions to deposit them on the thin film formed on the substrate. Usually, the charged ions or the sputtered particles impact the inner wall of the reaction chamber even when they move irregularly. On the other hand, there is a capacitive coupling between the discharge coil installed in the outside of the reaction chamber and the plasma inside the reaction chamber, which is used for transferring the radio frequency, and it impacts the inner wall of the reaction chamber while attracting the high- Thereby shortening the service life of the reaction chamber. On the other hand, when a charged ion or a sputtered particle impacts the inner wall of the reaction chamber, deposition or sputtering occurs. If a closed metal layer is deposited on the inner wall of the reaction chamber, it affects the coupling of radio frequency energy . Since the particles striking against the inner wall of the reaction chamber may cause contamination, they must be cleaned from time to time, which also leads to an increase in the production cost.

상기 문제를 해결하기 위해, 통상적으로 반응챔버의 내벽 내에 하나의 차폐부재(shielding member)를 설치하는데, 상기 차폐부재는 대전 이온 또는 스퍼터 입자로 인한 반응챔버의 내벽이 받는 충격을 저하시키는데 사용됨으로써, 반응챔버 내벽에 생성되는 스퍼터를 저하시키고 또한 퇴적이 생성되는 것을 방지하게 되는데, 상기 차폐부재는 무선주파수 에너지의 전송에 영향을 주지 않는다. 도 1은 종래의 반응챔버 및 차폐부재에 대한 반응챔버의 축방향에 따른 단면도이고, 도 2는 종래의 반응챔버 및 차폐부재에 대한 반응챔버의 수직 축방향에 따른 단면도이다. 도 1 및 도 2에서 도시하는 바와 같이, 종래 기술에서 스퍼터 소스(3)의 하부에 설치된 반응챔버(1)의 외측에는 방전코일(4)이 설치되고, 반응챔버(1)의 내측에는 상기 반응챔버(1)의 내벽을 둘러싼 형태로 차폐부재(2)가 설치되며, 상기 차폐부재(2)는 원통 형상의 구조를 가지며 원주방향 상으로 폐쇄되지 않는다. 구체적으로, 차폐부재(2)의 벽면 상에는 차폐부재(2)의 축방향으로 상기 차폐부재(2)를 관통하는 톱니형 그루브(5)가 형성되고, 상기 톱니형 그루브란 상기 그루브의 차폐부재(2)와 수직되는 축방향의 평면 내의 투영이 'Ｚ'문자와 유사한 형태를 가지는 것으로, 즉, 상기 그루브의 투영 중의 반응챔버 내측을 향한 부분과 상기 그루브의 반응챔버 내측을 등진 부분이 돌출된 톱니모양과 유사하다는 것이다. 차폐부재(2)는 통상적으로 구리, 알루미늄 등과 같은 양호한 도체로 만들어지는 것으로, 대전 이온 또는 스퍼터 입자가 반응챔버(1)의 내벽에 충격을 가하는 것을 방지할 수 있다. In order to solve the above problem, a shielding member is usually installed in the inner wall of the reaction chamber, and the shielding member is used to lower the impact received by the inner wall of the reaction chamber due to the charged ions or the sputter particles, This reduces the sputtering on the inner wall of the reaction chamber and also prevents deposition from occurring, which does not affect the transmission of radio frequency energy. FIG. 1 is a cross-sectional view of a conventional reaction chamber and a shielding member along the axial direction of the reaction chamber, and FIG. 2 is a cross-sectional view of a conventional reaction chamber and a shielding member in a vertical axis direction of the reaction chamber. 1 and 2, in the prior art, a discharge coil 4 is provided outside the reaction chamber 1 provided below the sputter source 3, and the inside of the reaction chamber 1 is filled with the reaction The shielding member 2 is provided in the form of surrounding the inner wall of the chamber 1 and the shielding member 2 has a cylindrical structure and is not closed in the circumferential direction. More specifically, on the wall surface of the shielding member 2, a sawtooth groove 5 penetrating the shielding member 2 in the axial direction of the shielding member 2 is formed, and the sawtooth groove is a shielding member 2, that is, a projection of the grooves in the reaction chamber inside and a reaction chamber of the groove in which the projecting portions protrude It is similar to the shape. The shielding member 2 is usually made of a good conductor such as copper, aluminum or the like, so that the charged ions or the sputtered particles can be prevented from impacting the inner wall of the reaction chamber 1.

실제 응용에서는, 비록 차폐부재(2) 상에 설치된 닫히지 않은 톱니형 그루브(5)가 폐회로(closed loop)를 형성함으로 인해 무선주파수 에너지를 전송하는 문제점을 어느 정도 방지할 수는 있지만, 상기 차폐부재(2)의 구조는 여전히 불가피하게 이하 문제점을 갖고 있다. 첫 번째, 상기 구조의 차폐부재(2)는 가공함에 있어서 난이도가 높기 때문에, 생산 과정에서 상기 톱니형 그루브(5)의 정도(精度)를 보장하기 어려워서, 가공 정도 미비로 인한 차폐부재(2) 폐쇄 문제와 또한 비교적 큰 환류(環流)를 발생시키는 문제를 쉽게 야기시킬 수 있으므로, 무선주파수 에너지의 전송에 영향을 줄 수 있다. 두 번째, 종래의 차폐부재(2)의 톱니형 그루브(5)에는 스퍼터 입자가 쉽게 퇴적되는데 이는 톱니형 그루브(5)의 폐쇄를 야기시키고 나아가 폐회로를 생성하게 된다. In practical applications, although it is possible to some extent prevent the problem of transmitting radio frequency energy due to the formation of a closed loop of the unclosed serrated groove 5 provided on the shielding member 2, (2) still has the following problems inevitably. Firstly, since the shielding member 2 of the above structure has a high degree of difficulty in machining, it is difficult to ensure the accuracy (accuracy) of the sawtooth groove 5 in the production process, so that the shielding member 2, Closure problems and also problems that generate relatively large reflux (circulation) can easily be caused, which can affect the transmission of radio frequency energy. Secondly, in the serrated groove 5 of the conventional shielding member 2, the sputter particles are easily deposited, which causes the closure of the serrated groove 5 and furthermore the closure.

상기 내용을 감안하여, 본 발명은 반응챔버에 사용되는 차폐구조를 제공하여, 종래 기술에 존재하는 차폐구조의 톱니형 그루브에 스퍼터 입자가 쉽게 퇴적되어 톱니형 그루브가 폐쇄되는 문제를 해결하고자 한다. In view of the above, the present invention provides a shielding structure used in a reaction chamber to solve the problem that the sputter particles are easily deposited on the serrated grooves of the shielding structure existing in the prior art to close the serrated grooves.

상기 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 반응챔버에 사용되는 차폐구조를 제공한다. 상기 반응챔버에 사용되는 차폐구조는 상기 반응챔버 내에 설치되는 것으로, 차단부재와 차폐부재를 포함한다. 여기에서, 상기 차폐부재는 상기 반응챔버의 내벽을 둘러싸는 형태로 설치되고, 상기 차폐부재 상에는 축방향을 따라 상기 차폐부재를 관통하는 적어도 하나의 노치가 설치되며; 각각의 상기 노치에 대하여 하나의 상기 차단부재가 상기 노치에 대응되게 설치되며, 상기 노치가 위치하는 평면 내에서의 상기 차단부재의 투영은 상기 노치를 덮으며, 상기 차단부재와 상기 차폐부재 사이에 무선주파수 에너지 전송통로가 형성되도록 하기 위하여, 상기 차단부재의 내표면으로부터 상기 반응챔버의 중심부까지의 거리와 상기 차페부재의 내표면으로부터 상기 반응챔버의 중심부까지의 거리는 동일하지 않게 형성된다. In order to solve the above problems, the present invention provides a shielding structure used in a reaction chamber. The shielding structure used in the reaction chamber is installed in the reaction chamber, and includes a shielding member and a shielding member. Here, the shielding member is installed so as to surround the inner wall of the reaction chamber, and on the shielding member, at least one notch penetrating the shielding member along the axial direction is provided; Wherein one notch for each of said notches is provided corresponding to said notch, the projection of said blocking member in a plane in which said notch is located covers said notch, and between said blocking member and said shielding member The distance from the inner surface of the blocking member to the center of the reaction chamber and the distance from the inner surface of the cage member to the center of the reaction chamber are not equal to each other so that the radio frequency energy transmission path is formed.

여기에서, 상기 차폐부재는 상기 반응챔버의 내벽 상에 설치된다. Here, the shielding member is provided on the inner wall of the reaction chamber.

여기에서, 상기 차폐부재는 차폐층을 포함하고, 상기 차폐층은 상기 반응챔버의 내벽 상에 도포된 막층이다. Here, the shielding member includes a shielding layer, and the shielding layer is a film layer applied on the inner wall of the reaction chamber.

여기에서, 상기 차폐부재는 상기 반응챔버의 내벽의 내측에 설치된다. Here, the shielding member is provided inside the inner wall of the reaction chamber.

여기에서, 상기 차폐부재는 베이스 부재와 차폐층을 포함하고, 상기 차폐층은 상기 베이스 부재의 내표면에 도포된 막층이다. Here, the shielding member includes a base member and a shielding layer, and the shielding layer is a film layer applied to the inner surface of the base member.

여기에서, 상기 베이스 부재의 재료는 절연재료이다. Here, the material of the base member is an insulating material.

여기에서, 상기 차폐층의 두께는 0.5-2mm이다. Here, the thickness of the shielding layer is 0.5-2 mm.

여기에서, 상기 차단부재의 내표면으로부터 상기 반응챔버 중심부까지의 거리는 상기 차폐부재의 내표면으로부터 상기 반응챔버 중심부까지의 거리보다 작다. Here, the distance from the inner surface of the blocking member to the center of the reaction chamber is smaller than the distance from the inner surface of the shielding member to the center of the reaction chamber.

여기에서, 상기 차단부재의 내표면으로부터 상기 반응챔버 중심부까지의 거리는 상기 차폐부재의 내표면으로부터 상기 반응챔버 중심부까지의 거리보다 크다. Here, the distance from the inner surface of the blocking member to the center of the reaction chamber is larger than the distance from the inner surface of the shielding member to the center of the reaction chamber.

여기에서, 상기 노치의 수량은 복수 개이며, 바람직하게는, 복수 개의 상기 노치는 상기 반응챔버의 원주방향을 따라 균등하게 분포된다. Here, the number of the notches is plural, and preferably, the plural notches are evenly distributed along the circumferential direction of the reaction chamber.

여기에서, 상기 차폐부재의 내표면 및/또는 상기 차단부재의 내표면의 재질은 금속 양도체이다. Here, the material of the inner surface of the shielding member and / or the inner surface of the shielding member is a metal conductor.

여기에서, 상기 차폐부재 및/또는 상기 차단부재의 내표면에는 돌기 및/또는 홈이 형성된다. Here, protrusions and / or grooves are formed on the inner surface of the shielding member and / or the shielding member.

본 발명이 제공하는 차폐구조는 다음의 유익한 효과를 구비한다. The shielding structure provided by the present invention has the following advantageous effects.

본 발명의 실시예에서 제공하는 차단부재(blocking member)와 차폐부재(shielding member)를 포함하는 차폐구조는 반응챔버 내에 설치되는 것으로, 상기 차폐구조는 360도 범위내에서 반응챔버 내벽을 차폐할 수 있으므로, 스퍼터 입자 및/또는 대전 이온으로 인한 반응챔버 내벽이 받는 충격을 효과적으로 방지한다. 따라서, 반응챔버 내벽을 효과적으로 보호하고, 스퍼터 입자가 반응챔버 내벽 상에 퇴적되어 생성되는 금속층으로 인한 폐회로를 방지한다. 나아가, 차단부재와 차폐부재는 두 개의 상호 독립된 부재이므로, 종래기술에 존재하는 차폐부재의 톱니형 그루브에 스퍼터 입자가 쉽게 퇴적되는 것으로 인하여 나타나는 톱니형 그루브가 폐쇄되는 문제를 해결할 수 있을 뿐만 아니라, 가공 정도에 대한 요구사항도 낮출 수 있기 때문에 생산비용도 절감할 수 있다. 이 외, 종래 기술의 일체형 구조의 차폐구조가 열팽창으로 인해 나타나는 폐회로 또는 반응챔버 내벽이 훼손되는 문제점을 효과적으로 방지할 수 있다. The shielding structure including the blocking member and the shielding member provided in the embodiment of the present invention is installed in the reaction chamber so that the shielding structure can shield the inner wall of the reaction chamber within a range of 360 degrees. Therefore, the impact of the inner wall of the reaction chamber due to the sputter particles and / or the charged ions is effectively prevented. Therefore, the inner wall of the reaction chamber is effectively protected, and the sputter particles are deposited on the inner wall of the reaction chamber to prevent the closed circuit due to the metal layer being produced. Furthermore, since the shielding member and the shielding member are two mutually independent members, it is possible not only to solve the problem that the sawtooth groove, which is caused by the fact that the sputter particles are easily deposited on the serrated groove of the shielding member existing in the prior art, Production costs can also be reduced because the requirements for machining accuracy can be lowered. In addition, it is possible to effectively prevent the problem that the closed structure of the integral structure of the related art is damaged due to thermal expansion or the inner wall of the reaction chamber.

도면은 본 발명을 더 잘 이해할 수 있도록 제공하는 것으로, 명세서의 일부이며, 이하 구체적인 실시예들과 함께 본 발명을 설명하는데 사용되나, 단, 본 발명을 한정하지는 않는다.
도 1은 종래의 반응챔버 및 차폐부재에 대한 반응챔버의 축방향에 따른 단면도이다.
도 2는 종래의 반응챔버 및 차폐부재에 대한 반응챔버의 수직 축방향에 따른 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에서 제공하는 반응챔버에 이미 장착된 차폐구조에 대한 세로 방향에 따른 단면도이다.
도 4는 도 3에서 도시한 반응챔버에 이미 장착된 차폐구조에 대한 가로 방향에 따른 단면도이다.
도 5는 도 3의 차폐구조에 대한 부분 확대도이다.
도 6은 본 발명의 다른 일 실시예에서 제공하는 반응챔버에 이미 장착된 차폐구조에 대한 가로 방향에 따른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에서 제공하는 반응챔버에 이미 장착된 차폐구조에 대한 가로 방향에 따른 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 하나의 다른 일 실시예에서 제공하는 반응챔버에 이미 장착된 차폐구조에 대한 가로 방향에 따른 단면도이다. The drawings provide a better understanding of the present invention and are incorporated in and constitute a part of this specification, and are used to illustrate the present invention without, however, limiting the invention.
1 is a cross-sectional view along the axial direction of a reaction chamber for a conventional reaction chamber and a shield member.
2 is a cross-sectional view of a conventional reaction chamber and a shielding member in a vertical axis direction of a reaction chamber.
3 is a longitudinal sectional view of a shielding structure already mounted in a reaction chamber provided in an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of the shielding structure already mounted in the reaction chamber shown in Fig. 3, taken along the horizontal direction.
5 is a partially enlarged view of the shielding structure of Fig.
6 is a cross-sectional view of a shielding structure already mounted in a reaction chamber provided in another embodiment of the present invention, in a lateral direction.
7 is a cross-sectional view of a shield structure already mounted in a reaction chamber provided in another embodiment of the present invention, in a lateral direction.
8 is a cross-sectional view of a shielding structure already mounted in a reaction chamber provided in another embodiment of the present invention, in a lateral direction.

이하 도면을 결합하여, 본 발명에 따른 구체적인 실시예들에 대하여 상세히 설명하고자 한다. 여기에서 일컫는 구체적인 실시예들은 단지 본 발명에 대한 설명과 해석에만 사용될 뿐, 본 발명을 한정하지는 않는다. 또한 본 출원에서 소위 차단부재의 내표면이라고 하는 것은 반응챔버의 중심부를 향한 차단부재의 표면을 일컫는 것이고, 소위 차폐부재의 내표면이라고 하는 것은 반응챔버의 중심부를 향한 차폐부재의 표면을 일컫는 것이다. 본 출원에서, 소위 '내향(inwards)'이라고 하는 것은 반응챔버 중심부를 향한 방향을 일컫는 것이고, 소위 '외향(outwards)'이라고 하는 것은 반응챔버 중심부로부터 벗어나는 방향을 일컫는 것이다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. The specific embodiments referred to herein are for illustrative purposes only and are not intended to be limiting of the present invention. The inner surface of the so-called blocking member in the present application refers to the surface of the blocking member toward the center of the reaction chamber, and the inner surface of the so-called shielding member refers to the surface of the shielding member toward the center of the reaction chamber. In the present application, the so-called " inwards " refers to the direction toward the center of the reaction chamber, and the so-called " outwards " refers to the direction away from the reaction chamber center.

본 발명의 본질은 반응챔버에 사용되는 차폐구조를 제공하는 것이다. 상기 구조는 PVD 공정에서 사용할 수 있는 것으로, 스퍼터 소스가 스퍼터링한 스퍼터 입자 또는 대전 이온이 반응챔버의 내벽에 충격을 가하는 것을 방지할 수 있다. 구체적으로, 본 발명에서 제공하는 반응챔버에 사용되는 차폐구조는 상기 반응챔버 내에 설치되는 것으로, 차단부재와 차폐부재를 포함한다. 여기에서, 상기 차폐부재는 상기 반응챔버의 내벽을 둘러싸는 형태로 설치되며, 상기 차폐부재 상에는 적어도 하나의 축방향을 따라 상기 차폐부재를 관통하는 노치(notch)가 설치되며, 각각의 상기 노치는 상기 노치에 대향하도록 배치된 하나의 상기 차단부재와 함께 제공되며, 상기 노치가 위치한 평면 상에서의 상기 차단부재의 투영은 상기 노치를 덮는다. 또한, 상기 차단부재의 내표면으로부터 상기 반응챔버의 중심부까지의 거리와 상기 차폐부재의 내표면으로부터 상기 반응챔버의 중심부까지의 거리는 동일하지 않는 것으로, 상기 차단부재와 상기 차폐부재 사이에 무선주파수(RF) 에너지 전송 채널이 형성된다. The essence of the present invention is to provide a shielding structure for use in a reaction chamber. This structure can be used in the PVD process, and can prevent the sputter particles sputtered by the sputter source or the charged ions from impacting the inner wall of the reaction chamber. Specifically, the shielding structure used in the reaction chamber provided in the present invention is installed in the reaction chamber, and includes a shielding member and a shielding member. Here, the shielding member is provided so as to surround the inner wall of the reaction chamber, and a notch penetrating the shielding member along at least one axial direction is provided on the shielding member, and each of the notches Wherein the projection of the blocking member on a plane on which the notch is located covers the notch. The distance between the inner surface of the shielding member and the center of the reaction chamber and the distance from the inner surface of the shielding member to the center of the reaction chamber are not the same, RF) energy transmission channel is formed.

이하, 도면을 결합하여 본 발명의 실시예에서 제공하는 반응챔버에 사용되는 차폐구조를 상세히 설명하고자 한다. Hereinafter, the shielding structure used in the reaction chamber provided in the embodiment of the present invention will be described in detail by combining the drawings.

도 3은 본 발명의 일 실시예에서 제공하는 반응챔버에 이미 장착된 차폐구조에 대한 세로 방향에 따른 단면도이고, 도 4는 도 3에서 도시한 반응챔버에 이미 장착된 차폐구조에 대한 가로 방향에 따른 단면도이며, 도 5는 도 3의 차폐구조에 대한 부분 확대도이다. 도 3 내지 도 5를 함께 참조하여 보면, 본 실시예에서 제공하는 차단부재(20)와 차폐부재(30)를 포함하는 차폐구조는 반응챔버 내에 위치하는 것으로, 대전 이온 및/또는 스퍼터 소스(40)가 스퍼터링하는 스퍼터 이온이 반응챔버 내벽(10)에 충격을 가하는 것을 방지하는데 사용한다. FIG. 3 is a longitudinal sectional view of a shielding structure already provided in a reaction chamber provided in an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the shielding structure already mounted in the reaction chamber shown in FIG. Fig. 5 is a partially enlarged view of the shielding structure of Fig. 3; Fig. 3 to 5, the shielding structure including the shielding member 20 and the shielding member 30 provided in this embodiment is located in the reaction chamber, and the charged ion and / or the sputter source 40 Is used to prevent the sputter ions sputtered from impacting the reaction chamber inner wall 10.

여기에서, 차폐부재(30)는 대략적인 원통 형상의 구조를 가지는 것으로, 반응챔버 내벽(10)을 둘러싸는 형태로 그 위에 설치된다. 반응챔버 내벽(10)에 폐회로가 형성됨으로 인해 방전 코일(50)이 발송하는 무선주파수 에너지를 반응챔버 내까지 전송되는 것에 대한 영향 및 폐회로가 형성되어 와류 발생으로 인해 방전 코일(50)의 자기장에 대한 영향을 방지하고 무선주파수 에너지에 대한 소모를 방지하기 위하여 차폐부재(30)를 다음과 같이 구성할 수 있다. 즉, 차폐부재 상에 적어도 하나의 그 축방향을 따라 상기 차폐부재(30)를 관통하는 노치를 설치한다. 다시 말해서, 차폐부재(30)는 원주방향으로 닫히지 않게 형성된다. Here, the shielding member 30 has an approximate cylindrical shape and is disposed on the reaction chamber inner wall 10 so as to surround it. The influence of the radio frequency energy radiated by the discharge coil 50 due to the formation of the closed circuit on the inner wall 10 of the reaction chamber 10 and the influence on the transfer to the inside of the reaction chamber, The shielding member 30 may be constructed as follows in order to prevent the influence on the radio frequency energy and to prevent the consumption of radio frequency energy. That is, a notch penetrating the shielding member 30 is provided on the shielding member along at least one axial direction thereof. In other words, the shielding member 30 is formed so as not to be closed in the circumferential direction.

차단부재(20)는 차폐부재(30)의 노치부에 설치되어, 상기 노치에 의해 공정 환경에 노출되는 반응챔버 내벽(10)을 차폐하는데 사용되는 것으로, 스퍼터 입자 또는 대전 이온이 노치부에서 반응챔버 내벽(10)에 충격을 가하는 것을 방지한다. The blocking member 20 is provided at a notch portion of the shielding member 30 and is used to shield the reaction chamber inner wall 10 exposed to the process environment by the notch. Thereby preventing the chamber inner wall 10 from being impacted.

구체적으로, 차단부재(20)는 상호 연결된 연결부(21)와 차단부(22)를 포함한다. 여기에서, 연결부(21)는 반응챔버의 반지름 방향으로 노치를 관통하고, 연결부(21)의 외단부는 반응챔버 내벽(10)에 고정되게 설치되며, 연결부(21)의 내단부는 차폐부재(30)의 내표면으로부터 돌출되게 형성된다. 즉, 연결부(21)의 내단부(inner end)로부터 반응챔버의 중심 축라인까지의 거리는 차폐부재(30)의 내표면으로부터 반응챔버의 중심 축라인까지의 거리보다 크다. 차단부(22)와 연결부(21)의 내단부는 서로 연결되게 형성되며, 연결부(21)의 내단부로부터 시계방향과 시계반대방향으로 양측으로 연장되게 형성되도록 하여, 대응되는 노치를 덮는다. 차단부재(20)의 반응챔버 바닥부와 평행되는 평면 내에서의 투영은 'T'형 구조를 가지고, 차단부(22)는 여기에서의 가로획 부분에 해당되며, 연결부(21)는 여기에서 세로획 부분에 해당된다고 이해할 수 있다. 차단부(22)는 연결부(21)의 내단부에 연결되게 설치되며, 연결부(21)의 내단부로부터 반응챔버의 중심 축라인까지의 거리가 차폐부재(30)의 내표면으로부터 반응챔버의 중심 축라인까지의 거리보다 크기 때문에, 차단부(22)와 차폐부재(30) 사이에는 간격이 생기면서 무선주파수 에너지를 전송하는 통로를 형성한다. 이로써, 반응챔버 내벽(10)에 폐회로가 형성되는 것으로 인해 무선주파수 에너지를 반응챔버 내까지 온전히 전송할 수 없는 문제를 방지할 수 있다. Specifically, the blocking member 20 includes a connecting portion 21 and a blocking portion 22 interconnected with each other. The connecting portion 21 penetrates the notch in the radial direction of the reaction chamber and the outer end of the connecting portion 21 is fixed to the reaction chamber inner wall 10. The inner end portion of the connecting portion 21 is connected to the shielding member 30 As shown in Fig. That is, the distance from the inner end of the connecting portion 21 to the center axis line of the reaction chamber is larger than the distance from the inner surface of the shielding member 30 to the center axis line of the reaction chamber. The blocking portions 22 and the inner end portions of the connection portions 21 are formed to be connected to each other and extend from both ends of the connection portion 21 clockwise and counterclockwise to cover the corresponding notches. The projection in the plane parallel to the bottom of the reaction chamber of the blocking member 20 has a "T" -shaped structure, the blocking portion 22 corresponds to the horizontal portion here, It can be understood that it corresponds to the part. The blocking portion 22 is provided to be connected to the inner end portion of the connection portion 21 and the distance from the inner end of the connection portion 21 to the central axis line of the reaction chamber extends from the inner surface of the shielding member 30 to the center Axis line, a gap is formed between the blocking portion 22 and the shielding member 30 to form a path for transmitting the radio frequency energy. As a result, the problem that the radio frequency energy can not be transmitted to the reaction chamber completely due to the formation of the closed circuit in the reaction chamber inner wall 10 can be prevented.

실제응용에서는, 나사 등 방식을 통해 차단부재(20)를 반응챔버 내벽(10) 상에 고정할 수 있다. 즉, 나사 등 방식을 통해 연결부(21)의 외단부(outer end)를 반응챔버 내벽(10) 상에 고정할 수 있다. 차단부(22)와 연결부(21) 사이를 연결함에 있어서는, 둘을 일체형 구조로 하는 방식을 사용할 수 있고, 또는 스크류 연결, 리벳 연결, 용접 등의 방식을 사용할 수도 있다. In practical applications, the blocking member 20 may be fixed on the reaction chamber inner wall 10 by a screw method or the like. That is, the outer end of the connecting portion 21 can be fixed on the reaction chamber inner wall 10 through a screw method or the like. When connecting between the blocking portion 22 and the connecting portion 21, a two-piece structure may be used, or a screw connection, a rivet connection, a welding, or the like may be used.

본 실시예에서, 반응챔버 내벽(10) 상에 하나의 차단부재(20)와 차폐부재(30)로 형성된 차폐구조를 설치하고, 그리고 상기 차폐구조가 반응챔버 내벽(10)의 내표면을 완전히 덮도록 설치함으로써, 반응챔버 내부와 반응챔버 내벽(10)의 내표면 사이에 직시(直視)경로(direct path)가 없도록 하여, 이로써, 스퍼터 입자 및/또는 대전 이온이 반응챔버 내벽(10)에 충격을 가하는 것을 방지한다. 동시에, 차단부재(20)와 차폐부재(30)를 이용하여 차단부재(20)와 차폐부재(30) 상에 스퍼터링된 스퍼터 입자를 흡착하여, 스퍼터 입자 및/또는 대전 이온의 충격에 의해 입자가 떨어지면서 생기는 오염을 방지할 수도 있다. 나아가, 본 실시예에서 제공하는 차폐구조는 차단부재(20)와 차폐부재(30)란 두 개의 독립된 부재를 포함하고, 차단부재(20)와 차폐부재(30) 사이에는 간격이 형성됨으로써, 스퍼터 입자가 차단부재(20)와 차폐부재(30) 상에 스퍼터링되어 금속층이 퇴적됨으로 인해 발생하는 폐회로를 효과적으로 방지할 수 있다. 따라서, 종래기술과 비교하여 보면, 본 실시예는 단독의 차단부재(20)를 설치하여 차폐부재(30)의 노치를 차단하였기 때문에, 공정 과정에서 스퍼터 입자가 차폐부재(30)의 노치부에 퇴적되어 폐회로를 형성하는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 종래 기술에 존재하는 차폐구조의 톱니형 그루브에 스퍼터 입자가 쉽게 퇴적됨으로 인해 톱니형 그루브가 폐쇄되는 문제점을 해결할 수 있다. 한편, 본 실시예에서 제공하는 차폐구조는 차단부재(20)와 차폐부재(30)란 두 개의 독립된 부재로 형성된 것으로, 종래기술과 같이 차폐부재가 반응챔버 내벽을 덮는 동시에 폐회로를 형성하지 않도록 차폐부재를 톱니형 그루브의 형태로 설치할 필요가 없다. 따라서, 종래기술에 비해, 본 실시예에서 제공하는 차폐구조는 가공 정확도에 대한 요구를 낮추게 되었으므로, 제조와 설치가 용이할 뿐만 아니라, 제조 및 설치 비용도 절감할 수 있다. In this embodiment, a shielding structure formed of a shielding member 20 and a shielding member 30 is provided on the inner wall 10 of the reaction chamber 10, and the shielding structure completely covers the inner surface of the reactionchamber inner wall 10 So that there is no direct path between the inside of the reaction chamber and the inner surface of the reaction chamber inner wall 10 so that the sputter particles and / It prevents shocks. At the same time, sputtered particles sputtered on the shielding member 20 and the shielding member 30 are adsorbed by using the shielding member 20 and the shielding member 30 so that the particles are scattered by the impact of the sputter particles and / It is also possible to prevent contamination caused by falling. Further, the shielding structure provided in this embodiment includes two independent members, that is, the shielding member 20 and the shielding member 30, and a gap is formed between the shielding member 20 and the shielding member 30, The particles can be effectively sputtered on the shielding member 20 and the shielding member 30 to effectively prevent the closed circuit caused by the deposition of the metal layer. Therefore, in comparison with the prior art, the present embodiment has a configuration in which the shielding member 20 is provided so as to block the notch of the shielding member 30, It is possible to prevent formation of a closed circuit by deposition. As a result, it is possible to solve the problem that the serrated grooves are closed due to the deposition of the sputter particles on the serrated grooves of the shielding structure existing in the prior art. The shielding structure provided in this embodiment is formed of two independent members, that is, the shielding member 20 and the shielding member 30, so that the shielding member covers the inner wall of the reaction chamber and does not form a closed circuit It is not necessary to provide the member in the form of a saw-tooth groove. Thus, compared to the prior art, the shielding structure provided in the present embodiment lowers the need for machining accuracy, so that it is easy to manufacture and install, and manufacturing and installation costs can be reduced.

바람직하게는, 차단부(22)가 차폐부재(30)의 노치부의 가장자리까지 연장되게 형성되게 함으로써, 차폐부재(30) 상의 노치를 덮어서, 반응챔버 내부와 반응챔버 내벽(10) 사이에 직시 경로(direct path)가 없도록 하여, 스퍼터 입자 및/또는 대전 이온이 노치부를 통해 반응챔버 내벽(10)에 충격을 가하는 것을 방지함으로써 반응챔버 내벽(10)의 사용 수명을 연장할 수 있다.    Preferably, the blocking portion 22 is formed to extend to the edge of the notch portion of the shielding member 30 so as to cover the notch on the shielding member 30 so that a direct path is formed between the inside of the reaction chamber and the reaction chamber inner wall 10. [ it is possible to prevent direct path of the reaction chamber inner wall 10, thereby preventing the sputter particles and / or charged ions from impacting the inner wall 10 of the reaction chamber through the notch portion, thereby extending the service life of the inner wall 10 of the reaction chamber.

본 실시예에서 차폐부재(30) 상의 노치의 수량은 4 개이고, 차단부재(20)의 수량도 4 개이며, 그 설치 위치와 노치는 일대일로 대응된다. 실제응용에서는 노치와 차단부재(20)의 수량은 실제 수요에 따라 기타의 다른 수량으로 설치할 수 있으며, 이때, 이 둘의 수량과 설치 위치를 일대일로 대응되게 설치하여야 하고, 각각의 노치부에는 모두 차단부재(20)가 설치되어 차단을 하는 동시에 각각의 노치부에는 모두 무선주파수 에너지 전송통로가 형성될 수 있도록 하여야 한다. In this embodiment, the number of notches on the shielding member 30 is four, the number of the blocking members 20 is four, and the mounting position and the notch are corresponded one to one. In actual applications, the quantity of the notches and the blocking member 20 can be set in other quantities according to the actual demand. In this case, the quantity and the installation position of the notches and the blocking members 20 should be set in a one-to- The blocking member 20 should be installed so as to block the radio frequency energy transmission path in each notch.

본 실시예에서 방전코일(50)이 전송하는 무선주파수 에너지가 반응챔버 내에 균일되게 전송되도록 하기 위하여, 차폐부재(30) 상의 4 개의 노치를 반응챔버 내벽(10)의 원주방향을 따라 균등하게 분포되도록 설치한다. 즉, 이 4 개의 노치의 차폐부재(30) 상에서의 정투영(orthogonal projection)은 십자로 대칭되게 분포된다. 이는 차폐부재(30) 상의 노치의 수량이 복수 개인 경우에 상기 노치들을 반응챔버 내벽(10)의 원주방향에 따라 균등하게 분포(예를 들어 도 4의 실시예)되도록 하는 것이 바람직한 것으로 이해할 수 있다. 즉, 차폐부재(30)의 반응챔버 바닥부의 평면과 평행되는 평면에서의 정투영은 중심이 대칭되는 도형이다. 이로써, 차단부재(20)와 차폐부재(30)에 의해 각각의 노치부에서 형성되는 무선주파수 전송통로 역시 반응챔버 내벽(10)의 원주방향을 따라 균등하게 분포되게 할 수 있음으로써, 방전코일(50)이 발송한 무선주파수 에너지가 반응챔버 내에 균등되게 전송할 수 있어, 나아가 여기되는 플라즈마 역시 비교적 균등되도록 할 수 있다.The four notches on the shielding member 30 are uniformly distributed along the circumferential direction of the reaction chamber inner wall 10 so that the radio frequency energy transmitted by the discharge coil 50 is uniformly transferred into the reaction chamber in this embodiment Respectively. That is, the orthogonal projections on the shielding members 30 of these four notches are distributed in a cross-symmetrical manner. It can be understood that it is desirable to make the notches uniformly distributed along the circumferential direction of the reaction chamber inner wall 10 (for example, the embodiment of Fig. 4) when there are a plurality of notches on the shielding member 30 . That is, the orthogonal projection in the plane parallel to the plane of the bottom of the reaction chamber of the shielding member 30 is a figure whose center is symmetrical. Thus, the radio frequency transmission paths formed at the respective notches by the shielding member 20 and the shielding member 30 can be evenly distributed along the circumferential direction of the reaction chamber inner wall 10, 50 can transmit the radio frequency energy uniformly in the reaction chamber, so that the excited plasma can be made evenly comparable.

나아가, 차단부재(20)의 내표면의 재질 및/또는 차폐부재(30)의 내표면의 재질은 금속 양도체일 수 있다. 구체적으로, 스퍼터 소스(40)와 동일한 금속을 사용하거나 또는 스퍼터 소스(40)와 속성이 비교적 근접한 금속 양도체를 사용하여 차단부재(20)와 차폐부재(30)를 만들 수 있다. 금속 양도체를 사용하여 제작한 차단부재(20)와 차폐부재(30)는 차단부재(20)와 차폐부재(30) 상에 스퍼터링 된 스퍼터 입자를 보다 용이하게 흡착할 수 있기 때문에, 스퍼터 입자가 박리됨으로 인해 발생하는 입자 오염을 효과적으로 방지할 수 있다. 동시에, 스퍼터 입자가 차단부재(20)와 차폐부재(30) 상에 퇴적되면서 형성되는 퇴적층 역시 PVD 공정과정에서 비교적 안정적이어서 재차 박리되는 것을 방지할 수 있다. 상기 내용은 단지 본 발명의 바람직한 실시예일 뿐, 본 발명의 차단부재(20) 및 차폐부재(30)에 대한 재질은 이에 한정되지는 않는다. Furthermore, the material of the inner surface of the shielding member 20 and / or the material of the inner surface of the shielding member 30 may be a metal conductor. Specifically, the shielding member 20 and the shielding member 30 can be made by using the same metal as the sputter source 40 or by using a metal conductor whose property is relatively close to that of the sputter source 40. [ The shielding member 20 and the shielding member 30 manufactured using the metal conductor can more easily adsorb the sputtered particles sputtered on the shielding member 20 and the shielding member 30, It is possible to effectively prevent the particle contamination that occurs due to the presence of the particles. At the same time, the deposited layer formed by depositing the sputter particles on the blocking member 20 and the shielding member 30 is also relatively stable in the PVD process and can be prevented from peeling off again. The above description is only a preferred embodiment of the present invention, but the material for the shielding member 20 and the shielding member 30 of the present invention is not limited thereto.

나아가, 차폐부재(30)는 금속 양도체가 반응챔버 내벽(10) 상에 도포되어 형성되는 것일 수도 있다. 구체적으로, 침적(dipping), 스프레이 코팅 또는 스핀 코팅 등의 방식으로 도포할 수 있다. 예를 들어, 고온 스프레이 코팅 방법을 통해 금속 양도체를 반응챔버 내벽(10) 상에 도포하여 차폐부재(30)를 형성한다. 금속에 대한 스프레이 코팅방법은 종래기술이므로 이에 대한 설명을 생략한다. 금속 스프레이 코팅의 방법을 사용하면 비교적 간단하게 반응챔버 내벽(10) 상에 차폐부재(30)를 형성할 수 있으므로, 차폐부재(30)로 사용하기 위한 별도의 부재를 만들 필요가 없기 때문에, 차폐부재(30) 가공공정을 한층 더 간략화 할 수 있어 원가비용을 절감한다. 여기에서 설명해야 할 부분은, 실제 응용에서는 차폐부재(30)를 사전에 설치하지 않고, 우선 차단부재(20)를 설치한 다음 PVD 공정과정에서 스퍼터 입자의 반응챔버 내벽(10)의 내표면 상에서 퇴적된 금속층을 차폐부재(30)로 사용해도 가능하다. Further, the shielding member 30 may be formed by applying a metal conductor to the reaction chamber inner wall 10. Specifically, it can be applied by a method such as dipping, spray coating or spin coating. For example, a metallic conductor is applied onto the reaction chamber inner wall 10 through a hot spray coating method to form the shielding member 30. [ Since the spray coating method for metal is a conventional technique, a description thereof will be omitted. Since the method of metal spray coating can relatively easily form the shielding member 30 on the reaction chamber inner wall 10, it is not necessary to make a separate member for use in the shielding member 30, The manufacturing process of the member 30 can be further simplified, thereby reducing the cost cost. The shielding member 30 is not installed in advance in the practical application. First, the shielding member 20 is installed on the inner surface of the reaction chamber inner wall 10 of the sputter particles in the PVD process. It is also possible to use the deposited metal layer as the shielding member 30.

나아가, 도포방식을 사용하여 형성되는 차폐부재(30)의 두께는 0.5-2.0mm 사이일 수 있다. 구체적으로, 금속 스프레이 코팅방법을 제어 및 사용하여, 반응챔버 내벽(10)의 내표면 상에 두께가 0.5-2.0mm인 금속층을 도포하여 차폐부재(30)로 사용한다. 상기 방식을 사용하면, 차폐부재(30)의 구조를 보다 얇게 할 수 있으므로, PVD 공정과정에서의 차폐부재(30)의 열팽창량이 비교적 작게 되므로 열팽창으로 인하여 차폐부재(30)와 차단부재(20)가 반응챔버 내벽(10)의 내표면 상에서 폐회로를 형성하는 것을 방지할 수 있다. 동시에, 종래 기술과 비교하여 보면, 차폐부재(30)의 열팽창으로 인하여 반응챔버 내벽을 파손하는 것을 방지할 수 있다. Further, the thickness of the shielding member 30 formed using the coating method may be between 0.5 and 2.0 mm. Specifically, a metal layer having a thickness of 0.5 to 2.0 mm is applied on the inner surface of the inner wall 10 of the reaction chamber 10 by controlling and using a metal spray coating method to be used as the shielding member 30. Since the structure of the shielding member 30 can be made thinner by using the above method, the amount of thermal expansion of the shielding member 30 during the PVD process is relatively small, so that the shielding member 30 and the shielding member 20, Can be prevented from forming a closed circuit on the inner surface of the reaction chamber inner wall 10. At the same time, it is possible to prevent the inner wall of the reaction chamber from being damaged due to the thermal expansion of the shielding member 30 as compared with the prior art.

나아가, 차페부재(30)와 차단부재(20)의 내표면에는 돌기 및/또는 홈을 형성할 수 있다. 즉, 차폐부재(30)와 차단부재(20)의 내표면은 거친 것일 수 있다. 구체적으로, 금속 스프레이 코팅 방법을 통해 얻은 금속 도포층의 표면이 거칠기 때문에 반응챔버 내벽(10) 상에 금속을 스프레이 코팅하여 차폐부재(30)를 형성하여 차폐부재(30)의 표면을 거칠게 한다. 마찬가지로, 차단부재(20)의 표면에 금속 스프레이 코팅 방법을 사용하여 금속 도포층을 도포하여 차단부재(20)의 표면을 거칠게 할 수 있다. 차폐부재(30)와 차단부재(20)의 거친 표면은 차폐부재(30)와 차단부재(20) 상에 스퍼터링된 스퍼터 입자를 보다 효과적으로 흡착할 수 있기 때문에 스퍼터 입자의 박리로 인한 입자 오염을 방지할 수 있다. Further, protrusions and / or grooves can be formed on the inner surfaces of the coffer member 30 and the shielding member 20. That is, the inner surface of the shielding member 30 and the shielding member 20 may be rough. Specifically, since the surface of the metal coating layer obtained by the metal spray coating method is rough, the surface of the shielding member 30 is roughened by forming a shielding member 30 by spray coating a metal on the reaction chamber inner wall 10. Similarly, the surface of the shielding member 20 can be roughened by applying a metal coating layer to the surface of the shielding member 20 using a metal spray coating method. The rough surface of the shielding member 30 and the shielding member 20 can more effectively adsorb the sputtered particles sputtered on the shielding member 30 and the shielding member 20 and thus prevent particle contamination due to peeling of the sputtered particles can do.

도 6은 본 발명의 다른 일 실시예에서 제공하는 반응챔버에 이미 장착된 차폐구조에 대한 가로 방향에 따른 단면도이다. 본 실시예에서 제공하는 차폐구조와 도 3 내지 도 5에서 도시하는 실시예에서 제공하는 차폐구조는 유사한 것으로, 이 둘의 차이점은 차폐부재(30)가 반응챔버 내벽(10) 상에 설치되는 것이 아니라 반응챔버 내벽(10)의 내측에 설치되는 것이다. 즉, 반응챔버에는 반응챔버 내벽(10)과 일정 거리 이격되어 상기 반응챔버 내벽(10)을 둘러싸는 형태로 차폐부재(30)가 설치된다.6 is a cross-sectional view of a shielding structure already mounted in a reaction chamber provided in another embodiment of the present invention, in a lateral direction. The shielding structure provided in this embodiment is similar to the shielding structure provided in the embodiment shown in Figs. 3 to 5, the difference being that the shielding member 30 is provided on the reaction chamber inner wall 10 But is provided inside the reaction chamber inner wall 10. That is, in the reaction chamber, the shielding member 30 is installed in a manner to surround the inner wall 10 of the reaction chamber at a distance from the inner wall 10 of the reaction chamber.

본 실시예에서 차폐부재(30)는 더 이상은 도포 공정에서 형성된 막층이 아니라, 일정 두께를 갖는 반응챔버의 챔버에 독립되게 배치할 수 있는 하나의 슬리브(sleeve, liner tube)이다. 상기 차폐부재(30)의 가공재료, 그 위에 형성되는 노치 및 그와 대응되게 설치되는 차단부재(20)의 설치수량과 설치 위치는 전술한 도 3 내지 도 5에서 도시하는 실시예와 유사한 것으로, 여기에서 그 설명을 생략한다. 차단부재(20)에 대한 고정방식에 있어서, 전술한 실시예와 유사하게 반응챔버 내벽(10) 상에 고정할 수 있고, 차폐부재(30)의 외표면 상에 고정할 수도 있다. 이때, 이 둘을 고정 시 절연상태를 유지하여 폐회로를 구성하지 않도록 하기만 하면 된다. 예를 들어, 절연 연결부재를 사용하여 금속 나사 또는 리벳 등을 대체할 수 있다. In this embodiment, the shielding member 30 is not a film layer formed in the coating process any more, but is a sleeve (sleeve) that can be placed independently in a chamber of a reaction chamber having a certain thickness. The number and location of the work material of the shielding member 30, the notch formed thereon, and the corresponding blocking member 20 are similar to the embodiments shown in Figs. 3 to 5, The description thereof will be omitted here. It can be fixed on the reaction chamber inner wall 10 and fixed on the outer surface of the shielding member 30 similarly to the above embodiment in the fixing manner for the shielding member 20. [ At this time, when the two are fixed, it is only necessary to maintain the insulation state so as not to constitute a closed circuit. For example, insulating connecting members can be used to replace metal screws or rivets.

본 실시예에서 제공하는 차폐구조는 전술한 실시예가 갖는 유익한 효과를 구비하는 동시에 다음의 장점을 더 구비한다. 첫 번째, 공정 수요에 따라 차폐부재를 임의로 설치할 수 있다; 두 번째, 서로 다른 스퍼터 타겟에 따라, 보다 적합한 재료로 제작된 차폐부재를 선택할 수 있다; 세 번째, 여기에서의 차폐부재는 내벽 상에 설치된 것이 아니기 때문에 설치하고 교체하는 것이 용이하다. The shielding structure provided in this embodiment has the advantageous effects of the above-described embodiment and further has the following advantages. First, the shielding member can be installed arbitrarily according to the process demand; Secondly, depending on the different sputter targets, a shielding member made of a more suitable material can be selected; Thirdly, since the shielding member here is not provided on the inner wall, it is easy to install and replace.

도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에서 제공하는 반응챔버에 이미 장착된 차폐구조에 대한 가로 방향에 따른 단면도이다. 본 실시예에서 제공하는 차폐구조는 도 6에서 도시하는 실시예에서의 차폐구조와 유사한 것으로, 이 둘의 차이점은 차단부재(20)가 차폐부재(30) 상의 노치의 외측에 설치되는 것이다. 즉, 차단부재(20)의 내표면으로부터 반응챔버의 중심 축라인까지의 거리를 차폐부재(30)의 내표면으로부터 반응챔버의 중심 축라인까지의 거리보다 크게 함으로써, 차단부재(20)가 차폐부재(30)의 외측에서 그 위에 형성된 노치를 덮도록 합니다. 7 is a cross-sectional view of a shield structure already mounted in a reaction chamber provided in another embodiment of the present invention, in a lateral direction. The shielding structure provided in the present embodiment is similar to the shielding structure in the embodiment shown in Fig. 6, the difference being that the shielding member 20 is installed outside the notch on the shielding member 30. Fig. That is, by making the distance from the inner surface of the shielding member 20 to the center axis line of the reaction chamber larger than the distance from the inner surface of the shielding member 30 to the center axis line of the reaction chamber, Cover the notch formed on the outside of the member (30).

도 6에서 도시하는 바와 유사하게, 본 실시예에서 제공하는 차폐구조 역시 마찬가지로 장착과 교체가 용이하고 서로 다른 공정과 스퍼터 타겟에 적용가능 하는 등의 장점을 구비한다. Similar to FIG. 6, the shielding structure provided in the present embodiment has the advantages of being easily mounted and replaced, and being applicable to different processes and sputter targets.

도 8은 본 발명의 또 하나의 다른 일 실시예에서 제공하는 반응챔버에 이미 장착된 차폐구조에 대한 가로 방향에 따른 단면도이다. 본 실시예에서 제공하는 차폐구조는 도 7에서 도시하는 실시예에서의 차폐구조와 유사한 것으로, 이 둘의 차이점은 차폐부재(30)는 베이즈 부재(32)와 베이스 부재(32) 내벽 상에 설치된 차폐층(31)을 포함하는 것이다. 여기에서 베이스 부재(32)는 세라믹 등의 비금속 재료를 사용하는 것이 바람직하고, 차폐층(31)의 재료 및 이와 베이스 부재(32) 사이의 설치방식은 전술한 도 3 내지 도 5에서 도시하는 실시예의 방식을 사용할 수 있다. 8 is a cross-sectional view of a shielding structure already mounted in a reaction chamber provided in another embodiment of the present invention, in a lateral direction. The shielding structure provided in this embodiment is similar to the shielding structure in the embodiment shown in Fig. 7 except that the shielding member 30 is provided on the inner wall of the base member 32 and the bays 32 And a shielding layer 31 installed therein. It is preferable that the base member 32 be made of a nonmetallic material such as ceramic and the material of the shielding layer 31 and the mounting method between the base member 32 and the base member 32 are the same as those A courtesy can be used.

도 7에서 도시하는 바와 유사하게, 본 실시예에서 제공하는 차폐구조 역시 마찬가지로 장착과 교체가 용이하고 서로 다른 공정과 스퍼터 타겟에 적용가능 하는 등의 장점을 구비한다. Similar to that shown in FIG. 7, the shielding structure provided in this embodiment has the advantages of being easy to mount and replace, and being applicable to different processes and sputter targets.

전술한 본 발명에서 제공하는 차폐구조에 대한 상기 설명으로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 각 실시예에서 제공하는 차단부재와 차폐부재를 포함하는 차폐구조는 반응챔버 내에 설치되는 것으로, 상기 차폐구조는 360도 범위내에서 반응챔버 내벽을 차폐할 수 있으므로, 스퍼터 입자 및/또는 대전 이온으로 인한 반응챔버 내벽이 받는 충격을 효과적으로 방지함으로써, 반응챔버 내벽을 효과적으로 보호하고, 스퍼터 입자가 반응챔버 내벽 상에 퇴적되어 생성되는 금속층으로 인한 폐회로 형성을 방지하고, 이와 동시에, 그 위에 스퍼터링된 스퍼터 입자를 흡착할 수 있으므로 스퍼터 입자가 박리되면서 초래하는 입자 오염을 방지한다. 나아가, 차단부재와 차폐부재는 두 개의 상호 독립된 부재이므로, 종래기술에 존재하는 차폐부재의 톱니형 그루브에 스퍼터 입자가 쉽게 퇴적되는 것으로 인하여 나타나는 톱니형 그루브가 폐쇄되는 문제를 해결할 수 있을 뿐만 아니라, 가공 정도에 대한 요구사항도 낮출 수 있기 때문에 생산비용도 절감할 수 있다. 이 외, 종래기술의 일체형 구조의 차폐구조가 열팽창으로 인해 나타나는 폐회로 또는 반응챔버 내벽이 훼손되는 문제점을 효과적으로 방지할 수 있다. As can be seen from the above description of the shielding structure provided by the present invention, the shielding structure including the shielding member and the shielding member provided in each embodiment of the present invention is installed in the reaction chamber, The inner walls of the reaction chamber can be effectively shielded by the sputter particles and / or charged ions, thereby effectively protecting the inner walls of the reaction chamber, and the sputter particles are deposited on the inner wall of the reaction chamber And at the same time, the sputtered sputter particles can be adsorbed thereon, thereby preventing particle contamination caused by peeling of the sputter particles. Furthermore, since the shielding member and the shielding member are two mutually independent members, it is possible not only to solve the problem that the sawtooth groove, which is caused by the fact that the sputter particles are easily deposited on the serrated groove of the shielding member existing in the prior art, Production costs can also be reduced because the requirements for machining accuracy can be lowered. In addition, it is possible to effectively prevent the problem that the closed structure of the integral structure of the related art is damaged due to thermal expansion or the inner wall of the reaction chamber.

한편, 반응챔버 내벽 상에 도포되는 차폐 막층을 차폐부재로 사용하거나 또는 베이스 부재 상에 도포되는 차폐 막층까지 포함하여 차폐부재로 사용하는 경우, 상기 막층의 두께가 종래 기술에서의 차폐부재보다 얇기 때문에 본 발명의 실시예에서 제공하는 차폐구조는 대전 이온 및/또는 스퍼터 입자가 가하는 끊임없는 충격으로 인해 온도 상승을 초래하는 경우, 그 열팽창 정도가 종래 기술에서의 차폐구조의 팽창 정도보다 훨씬 작기 때문에, 팽창으로 인한 폐회로현상이 쉽게 발생하지 않는다. On the other hand, when the shielding film layer applied on the inner wall of the reaction chamber is used as a shielding member or as a shielding member including a shielding film layer applied on the base member, the thickness of the film layer is thinner than the shielding member in the prior art Since the shielding structure provided in the embodiment of the present invention has a degree of thermal expansion much lower than the degree of expansion of the shielding structure in the prior art when the static ion and / or the sputtering particles cause a rise in temperature due to the continuous impact, Closed circuit phenomenon due to expansion does not easily occur.

상기 실시예들은 단지 본 발명의 원리를 설명하기 위한 예시적인 실시예들로서, 본 발명은 이에 한정되지는 않는다. 해당분야 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 본 발명의 취지와 본질을 벗어나지 않는 선에서 여러 가지 변형과 개선을 할 수 있으며, 이런 변형 및 개선은 모두 본 발명의 보호범위로 간주한다.The above embodiments are merely exemplary embodiments for explaining the principles of the present invention, and the present invention is not limited thereto. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

1: 반응챔버 10: 반응챔버 내벽
2: 차폐부재 3, 40: 스퍼터 소스
4, 50: 방전코일 5: 톱니형 그루브
20: 차단부재 21: 연결부
22: 차단부 30: 차폐부재
31: 차폐층 32: 베이스 부재 1: reaction chamber 10: reaction chamber inner wall
2: shielding member 3, 40: sputter source
4, 50: discharge coil 5: serrated groove
20: blocking member 21:
22: shielding part 30: shielding member
31: shielding layer 32: base member

Claims (12)

반응챔버에 사용되는 차폐구조로서, 상기 차폐구조는 상기 반응챔버 내에 설치되는 것으로, 차단부재(blocking member)와 차폐부재(shielding member)를 포함하고,
상기 차폐부재는 상기 반응챔버의 내벽을 둘러싸는 형태로 설치되고, 상기 차폐부재에는 축방향을 따라 상기 차폐부재를 관통하는 적어도 하나의 노치가 설치되며; 각각의 상기 노치에 대하여 하나의 상기 차단부재가 상기 노치에 대응되게 설치되며, 상기 노치가 위치하는 평면 상에서 상기 차단부재의 투영(projection)은 상기 노치를 덮으며, 상기 차단부재와 상기 차폐부재 사이에 무선주파수(RF) 에너지 전송 통로가 형성되도록 하기 위하여, 상기 차단부재의 내표면으로부터 상기 반응챔버의 중심부까지의 거리와 상기 차페부재의 내표면으로부터 상기 반응챔버의 중심부까지의 거리는 동일하지 않은 것을 특징으로 하는 반응챔버에 사용되는 차폐구조. A shielding structure for use in a reaction chamber, the shielding structure being installed in the reaction chamber, the shielding structure including a blocking member and a shielding member,
Wherein the shielding member is provided so as to surround the inner wall of the reaction chamber, and the shielding member is provided with at least one notch penetrating the shielding member along the axial direction; Wherein a projection of the blocking member on a plane on which the notch is positioned covers the notch and a gap between the blocking member and the shielding member The distance from the inner surface of the blocking member to the center of the reaction chamber and the distance from the inner surface of the cage member to the center of the reaction chamber are not equal to each other so that a radio frequency Characterized in that the shielding structure is used in a reaction chamber. 청구항 1에 있어서,
상기 차폐부재는 상기 반응챔버의 내벽 상에 설치되는 것을 특징으로 하는 반응챔버에 사용되는 차폐구조. The method according to claim 1,
Wherein the shielding member is installed on the inner wall of the reaction chamber. 청구항 1에 있어서,
상기 차폐부재는 차폐층을 포함하고, 상기 차폐층은 상기 반응챔버의 내벽 상에 도포된 막층인 것을 특징으로 하는 반응챔버에 사용되는 차폐구조. The method according to claim 1,
Wherein the shielding member comprises a shielding layer, and the shielding layer is a film layer applied on the inner wall of the reaction chamber. 청구항 1에 있어서,
상기 차폐부재는 상기 반응챔버의 내벽의 내측에 설치되는 것을 특징으로 하는 반응챔버에 사용되는 차폐구조. The method according to claim 1,
Wherein the shielding member is installed inside the inner wall of the reaction chamber. 청구항 4에 있어서,
상기 차폐부재는 베이스 부재와 차폐층을 포함하고, 상기 차폐층은 상기 베이스 부재의 내표면에 도포된 막층인 것을 특징으로 하는 반응챔버에 사용되는 차폐구조. The method of claim 4,
Wherein the shielding member comprises a base member and a shielding layer, and the shielding layer is a film layer applied to the inner surface of the base member. 청구항 5에 있어서,
상기 베이스 부재는 절연재료인 것을 특징으로 하는 반응챔버에 사용되는 차폐구조. The method of claim 5,
Wherein the base member is an insulating material. 청구항 3, 5 및 6 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 차폐층의 두께는 0.5-2mm인 것을 특징으로 하는 반응챔버에 사용되는 차폐구조. The method according to any one of claims 3, 5 and 6,
Wherein the thickness of the shielding layer is 0.5-2 mm. 청구항 2 내지 7 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 차단부재의 내표면으로부터 상기 반응챔버 중심부까지의 거리는 상기 차폐부재의 내표면으로부터 상기 반응챔버 중심부까지의 거리보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 반응챔버에 사용되는 차폐구조. The method according to any one of claims 2 to 7,
Wherein the distance from the inner surface of the blocking member to the center of the reaction chamber is smaller than the distance from the inner surface of the shielding member to the center of the reaction chamber. 청구항 4 내지 7 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 차단부재의 내표면으로부터 상기 반응챔버 중심부까지의 거리는 상기 차폐부재의 내표면으로부터 상기 반응챔버 중심부까지의 거리보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 반응챔버에 사용되는 차폐구조. The method according to any one of claims 4 to 7,
Wherein the distance from the inner surface of the blocking member to the center of the reaction chamber is greater than the distance from the inner surface of the shielding member to the center of the reaction chamber. 청구항 1에 있어서,
상기 적어도 하나의 노치는 복수 개의 노치들을 포함하며, 상기 반응챔버의 원주방향을 따라 균등하게 분포되는 것을 특징으로 하는 반응챔버에 사용되는 차폐구조. The method according to claim 1,
Wherein the at least one notch comprises a plurality of notches and is evenly distributed along the circumferential direction of the reaction chamber. 청구항 1에 있어서,
상기 차폐부재의 내표면 및/또는 상기 차단부재의 내표면의 재질은 금속 양도체인 것을 특징으로 하는 반응챔버에 사용되는 차폐구조. The method according to claim 1,
Wherein the material of the inner surface of the shielding member and / or the inner surface of the shielding member is metal transfer. 청구항 1에 있어서,
상기 차폐부재 및/또는 상기 차단부재의 내표면에는 돌기 및/또는 홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 반응챔버에 사용되는 차폐구조.
The method according to claim 1,
Wherein a protrusion and / or a groove are formed on the inner surface of the shielding member and / or the shielding member.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108461372B (en) * 2017-02-21 2020-03-31 北京北方华创微电子装备有限公司 Dielectric window and plasma processing device
CN109801824B (en) * 2017-11-15 2022-07-22 北京北方华创微电子装备有限公司 Dielectric window assembly and reaction chamber

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5234529A (en) * 1991-10-10 1993-08-10 Johnson Wayne L Plasma generating apparatus employing capacitive shielding and process for using such apparatus
TW327236B (en) * 1996-03-12 1998-02-21 Varian Associates Inductively coupled plasma reactor with faraday-sputter shield
JPH1018043A (en) * 1996-07-03 1998-01-20 Applied Materials Inc Rf coil with slots for plasma vapor deposition system
WO2000003055A1 (en) * 1998-07-13 2000-01-20 Tokyo Electron Arizona, Inc. Shield for ionized physical vapor deposition apparatus
JP2000124137A (en) * 1998-10-13 2000-04-28 Hitachi Ltd Plasma processing apparatus
KR101179726B1 (en) * 2001-11-14 2012-09-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US6730174B2 (en) * 2002-03-06 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Unitary removable shield assembly
KR101001743B1 (en) * 2003-11-17 2010-12-15 삼성전자주식회사 Ionized physical vapor deposition apparatus using helical self-resonant coil
SG189129A1 (en) * 2010-09-27 2013-05-31 Beijing Nmc Co Ltd Plasma processing apparatus
CN102465260A (en) * 2010-11-17 2012-05-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 Chamber assembly and semiconductor processing equipment with application of same
CN102543636B (en) * 2010-12-27 2015-04-15 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 Faraday shield and plasma processing equipment
US20130098871A1 (en) * 2011-10-19 2013-04-25 Fei Company Internal Split Faraday Shield for an Inductively Coupled Plasma Source

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