KR20160077920A - Method for manufacturing shadow mask and method for manufacturing OLED device using the same - Google Patents

Method for manufacturing shadow mask and method for manufacturing OLED device using the same Download PDF

Info

Publication number
KR20160077920A
KR20160077920A KR1020140188430A KR20140188430A KR20160077920A KR 20160077920 A KR20160077920 A KR 20160077920A KR 1020140188430 A KR1020140188430 A KR 1020140188430A KR 20140188430 A KR20140188430 A KR 20140188430A KR 20160077920 A KR20160077920 A KR 20160077920A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
shadow mask
manufacturing
mask
pair
substrate
Prior art date
Application number
KR1020140188430A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101942826B1 (en
Inventor
이경희
정하용
이찬협
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020140188430A priority Critical patent/KR101942826B1/en
Publication of KR20160077920A publication Critical patent/KR20160077920A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101942826B1 publication Critical patent/KR101942826B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/12—Production of screen printing forms or similar printing forms, e.g. stencils
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

The present invention relates to a shadow mask manufacturing method and an OLED device manufacturing method using the same and, more specifically, to a shadow mask manufacturing method and an OLED device manufacturing method using the same which form a shadow mask to form an outer angle when a portion contacting a substrate is compared with a portion etched on a lower side, which is a reference, on an upper side of a mask sheet, and manufacture an OLED device by using the shadow mask, thereby preventing scratch phenomena of the substrate due to the shadow mask with respect to a portion where an organic material is deposited.

Description

새도우 마스크 제조 방법 및 이를 이용한 OLED 소자 제조 방법{Method for manufacturing shadow mask and method for manufacturing OLED device using the same} BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a shadow mask,

본 발명은 새도우 마스크 제조 방법 및 이를 이용한 OLED 소자 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 마스크 시트의 상측에서 기판과 접촉하는 부분이 하측에 식각된 부분을 기준으로 비교했을 때 외각에 형성되도록 새도우 마스크를 형성하고, 이러한 새도우 마스크를 이용하여 OLED 소자를 제조함으로써, 유기물이 증착되는 부분에 대한 새도우 마스크에 의한 기판의 긁힘 현상이 방지될 수 있는 새도우 마스크 제조 방법 및 이를 이용한 OLED 소자 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of manufacturing a shadow mask and a method of manufacturing an OLED device using the same. More particularly, the present invention relates to a method of manufacturing a shadow mask, A method of manufacturing a shadow mask and a method of manufacturing an OLED device using the shadow mask, in which a scratch phenomenon of a substrate due to a shadow mask on a portion where an organic material is deposited can be prevented by forming a mask and manufacturing an OLED device using the shadow mask will be.

OLED(Organic Light Emitting Diodes) 소자는 감성화면구현, 고속응답속도, 자체발광, 박형제작, 저전력, 넓은시야각 등의 특성을 지닐 뿐만 아니라 플렉시블(Flexible)한 기판을 사용할 수 있으므로 디스플레이 분야 및 조명 분야에서 크게 각광 받고 있다.OLED (Organic Light Emitting Diodes) devices have characteristics such as emissive screen realization, high response speed, self-luminescence, thin manufacturing, low power, wide viewing angle and can use flexible substrates. It is getting big attention.

OLED 소자는 유기물을 발광층으로 사용하며, 하부 전극과 상부 전극 사이에 여러 층의 유기물층을 성막하고, 하부 전극과 상부 전극 사이에 전압을 인가하면 전자와 정공이 음극과 양극으로부터 주입되어 유기물층에서 재결합하여 빛을 발생시키는 원리를 이용한다.In OLED devices, an organic material is used as a light emitting layer, and a plurality of organic layers are formed between the lower electrode and the upper electrode. When a voltage is applied between the lower electrode and the upper electrode, electrons and holes are injected from the cathode and the anode, It uses the principle of generating light.

OLED 소자의 제조를 위해 투명 절연성 기판 상에 유기물 다층막을 증착할 때, 상기 기판의 소자 형성 영역 상에만 유기물 다층막을 증착하고, 기판의 나머지 영역 상에 다층막을 증착하지 않도록 하기 위해, 새도우 마스크(Shadow mask)를 사용하는 것이 일반적이다.When depositing an organic multilayer film on a transparent insulating substrate for the production of an OLED device, in order to deposit an organic multilayer film only on an element formation region of the substrate and not to deposit a multilayer film on the remaining region of the substrate, a shadow mask mask) is generally used.

이러한 새도우 마스크는 OLED 소자의 품위와 전체 수율에 상당히 큰 영향을 미치므로 새도우 마스크의 중요성이 더욱 높아지고 있다. Since the shadow mask significantly affects the quality and overall yield of the OLED device, the importance of the shadow mask is further increased.

그러나, 최근 개발된 새도우 마스크를 이용하여 제작된 OLED 소자는 기판 상에 유기물을 증착시 새도우 마스크로 인해 기판의 긁힘 현상이 발생하는 문제점이 있다. 또한 이러한 긁힘과 같은 기판 손상에 의해 셀 수축에 의한 불량이 발생한다는 문제점도 발생하게 된다.
However, in the OLED device manufactured using the recently developed shadow mask, there is a problem that scratching of the substrate occurs due to the shadow mask when the organic material is deposited on the substrate. In addition, there arises a problem that defects are caused by cell shrinkage due to substrate damage such as scratches.

한국공개특허 제2006-0001472호Korean Patent Publication No. 2006-0001472

본 발명은 상술된 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 기판 상에 유기물을 증착시 새도우 마스크로 인한 기판의 긁힘 현상이 유기물이 증착되는 영역과 이격된 부분에 형성되어, 새도우 마스크에 의한 기판의 긁힘 현상이 방지될 수 있는 새도우 마스크 제조 방법 및 이를 이용한 OLED 소자 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived to solve the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for forming a shadow mask on a substrate, in which an organic material is deposited on a substrate, And to provide a method of manufacturing a shadow mask and a method of manufacturing an OLED device using the shadow mask.

특히, 본 발명의 목적은 새도우 마스크 제조 방법 및 이를 이용한 OLED 소자 제조 방법 에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 마스크 시트의 상측에서 기판과 접촉하는 부분이 하측에 식각된 부분을 기준으로 비교했을 때 외각에 형성되도록 새도우 마스크를 형성하고, 이러한 새도우 마스크를 이용하여 OLED 소자를 제조함으로써, 유기물이 증착되는 부분에 대한 새도우 마스크에 의한 기판의 긁힘 현상이 방지될 수 있는 새도우 마스크 제조 방법 및 이를 이용한 OLED 소자 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다. More particularly, the present invention relates to a method of manufacturing a shadow mask and an OLED device manufacturing method using the shadow mask, and more particularly, A method of manufacturing a shadow mask in which a shadow mask is formed on a portion of a substrate on which an organic material is deposited by using the shadow mask, And to provide a manufacturing method thereof.

구체적으로 본 발명의 목적은, 마스크 시트의 상측 및 하측을 각각 식각하여, 제1 엣지면과 제2 엣지면을 포함하거나 또는 제1 디딤면과 제2 디딤면을 포함하는 새도우 마스크가 형성됨으로써 기판 상에 유기물을 증착시 새도우 마스크로 인한 기판의 긁힘 현상이 유기물이 증착되는 영역과 이격된 부분에 형성되어, 이로 인해 OLED 소자 불량률을 감소시키는 새도우 마스크 제조 방법 및 이를 이용한 OLED 소자 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
Specifically, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which a shadow mask having a first edge surface and a second edge surface or including a first tread surface and a second tread surface is formed by etching upper and lower sides of a mask sheet, There is provided a method of manufacturing a shadow mask and a method of manufacturing an OLED device using the same, wherein a scratching phenomenon of a substrate due to a shadow mask is formed in a region separated from an organic material deposition region when the organic material is deposited on the substrate .

본 발명은 (a) 마스크 시트의 상측 및 하측에 각각 포토레지스트 막이 형성되는 단계; (b) 상기 포토레지스트 막이 형성되지 않은 상기 마스크 시트의 상측 및 하측을 각각 식각하는 단계; (c) 식각된 마스크 시트의 상측부에 수지가 도포되고, 식각된 마스크 시트의 하측을 식각하는 단계; 및 (d) 새도우 마스크가 형성되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. (A) forming a photoresist film on upper and lower sides of a mask sheet, respectively; (b) etching upper and lower sides of the mask sheet on which the photoresist film is not formed; (c) etching the underside of the etched mask sheet to which the resin is applied to the upper side of the etched mask sheet; And (d) forming a shadow mask.

바람직하게는, 상기 (c) 단계는, (c1) 식각된 마스크 시트의 상측부에 수지가 도포되는 단계; (c2) 도포된 상기 수지가 건조되는 단계; 및 (c3) 식각된 마스크 시트의 하측을 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Advantageously, (c) comprises the steps of: (c1) applying resin to the upper side of the etched mask sheet; (c2) drying the applied resin; And (c3) etching the lower side of the etched mask sheet.

바람직하게는, 상기 (d) 단계는, (d1) 상기 수지가 제거되는 단계; 및 (d2) 상측 및 하측에 각각 포토레지스트 막이 제거되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Advantageously, the step (d) comprises the steps of: (d1) removing the resin; And (d2) removing the photoresist film on the upper and lower sides, respectively.

바람직하게는, 상기 새도우 마스크의 재질은 금속인 것을 특징으로 한다.Preferably, the material of the shadow mask is a metal.

바람직하게는, 상기 새도우 마스크는, 상기 새도우 마스크의 상단측에 위치하며, 기판과 접촉되는 경계에 존재하는 한쌍의 제1 엣지면; 상기 한쌍의 제1 엣지면으로부터 각각 내측 방향으로 연장 형성된 한쌍의 제2 엣지면;을 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the shadow mask includes: a pair of first edge surfaces which are located on an upper side of the shadow mask and exist at a boundary which is in contact with the substrate; And a pair of second edge faces each extending inward from the pair of first edge faces.

바람직하게는, 상기 새도우 마스크는, 제1 엣지면과 제2 엣지면 사이의 두께가 40㎛ 내지 60㎛ 인 것을 특징으로 한다.Preferably, the shadow mask has a thickness between 40 탆 and 60 탆 between the first edge surface and the second edge surface.

바람직하게는, 상기 새도우 마스크는, 한쌍의 제1 챌면, 한쌍의 제2 챌면, 한쌍의 제1 디딤면 및 한쌍의 제2 디딤면을 구비한 계단 구조인 것을 특징으로 한다.Preferably, the shadow mask is a stepped structure having a pair of first rachet, a pair of second rachet, a pair of first tread, and a pair of second tread.

바람직하게는, 상기 새도우 마스크는, 제1 디딤면과 제2 디딤면 사이의 두께가 40㎛ 내지 60㎛ 인 것을 특징으로 한다.Preferably, the shadow mask has a thickness between 40 탆 and 60 탆 between the first step face and the second step face.

바람직하게는, 새도우 마스크 제조 방법에 의해 제조된 새도우 마스크를 이용한 OLED 소자 제조 방법에 있어서 상기 새도우 마스크를 이용하여 기판 상에 유기물을 증착시 상기 새도우 마스크로 인한 기판의 긁힘 현상이 유기물이 증착되는 영역과 이격된 부분에 형성되는 것을 특징으로 한다.
Preferably, in the method of manufacturing an OLED device using the shadow mask manufactured by the shadow mask manufacturing method, when the organic material is deposited on the substrate by using the shadow mask, scratching of the substrate due to the shadow mask may cause the organic material to be deposited And is formed at a spaced-apart portion.

본 발명의 새도우 마스크 제조 방법에 따르면, 기판 상에 유기물을 증착시 새도우 마스크로 인한 기판의 긁힘 현상이 유기물이 증착되는 영역과 이격된 부분에 형성되어, 새도우 마스크에 의한 기판의 긁힘 현상이 방지됨으로써 OLED 소자 불량률을 감소시키는 효과가 발생한다.According to the shadow mask manufacturing method of the present invention, scratching of a substrate due to a shadow mask when depositing an organic material on a substrate is formed at a portion apart from a region where an organic material is deposited, thereby preventing scratching of the substrate by the shadow mask An effect of reducing the defective ratio of the OLED element occurs.

또한 본 발명의 새도우 마스크 제조 방법에 따르면, 새도우 마스크를 이용하여 기판 상에 결함 없이 간단하게 증착 패턴을 형성시킬 수 있으며, 공정이 보다 간단해짐으로써 생산성을 향상시키는 효과가 발생한다.
Further, according to the shadow mask manufacturing method of the present invention, the evaporation pattern can be easily formed without defects on the substrate by using the shadow mask, and the process is simplified, so that the productivity is improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2(a) 내지 도 2(e)는 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 단계에 따라 제조된 새도우 마스크의 일례를 도시한 도면이다.
도 3(a)는 종래기술에 따라 제조된 새도우 마스크가 기판에 접촉된 상태를 도시한 도면이고, 도 3(b)는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 새도우 마스크가 기판에 접촉된 상태를 도시한 도면이다. FIG. 1 is a view schematically showing a manufacturing step of a shadow mask according to an embodiment of the present invention.
2 (a) to 2 (e) are views showing an example of a shadow mask manufactured according to the shadow mask manufacturing step according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 (a) is a view showing a state where a shadow mask manufactured according to a conventional technique is in contact with a substrate, FIG. 3 (b) is a view showing a state where a shadow mask manufactured according to an embodiment of the present invention is in contact with a substrate Fig.

본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서, 반복되는 설명, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능, 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 본 발명의 실시형태는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다. 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
The present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, a repeated description, a known function that may obscure the gist of the present invention, and a detailed description of the configuration will be omitted. Embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and size of the elements in the drawings and the like can be exaggerated for clarity. Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 단계를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 2(a) 내지 도 2(e)는 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 단계에 따라 제조된 새도우 마스크의 일례를 도시한 도면이며, 도 3(a)는 종래기술에 따라 제조된 새도우 마스크가 기판에 접촉된 상태를 도시한 도면이며, 도 3(b)는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 새도우 마스크가 기판에 접촉된 상태를 도시한 도면이다.
FIG. 1 is a view schematically showing a manufacturing step of a shadow mask according to an embodiment of the present invention. FIGS. 2 (a) to 2 (e) are views showing a manufacturing process of a shadow mask according to an embodiment of the present invention FIG. 3 (a) is a view showing a state where a shadow mask manufactured according to a conventional technique is in contact with a substrate, and FIG. 3 (b) is a view showing an example of a shadow mask And the shadow mask thus manufactured is in contact with the substrate.

본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 방법은 (a) 마스크 시트의 상측 및 하측에 각각 포토레지스트 막이 형성되는 단계; (b) 상기 포토레지스트 막이 형성되지 않은 상기 마스크 시트의 상측 및 하측을 각각 식각하는 단계; (c) 식각된 마스크 시트의 상측부에 수지가 도포되고, 식각된 마스크 시트의 하측을 식각하는 단계; 및 (d) 새도우 마스크가 형성되는 단계;를 포함한다.
A method of manufacturing a shadow mask according to an embodiment of the present invention includes the steps of: (a) forming a photoresist film on upper and lower sides of a mask sheet, respectively; (b) etching upper and lower sides of the mask sheet on which the photoresist film is not formed; (c) etching the underside of the etched mask sheet to which the resin is applied to the upper side of the etched mask sheet; And (d) forming a shadow mask.

본 발명의 새도우 마스크 제조 방법에 따라 제조된 새도우 마스크 제조 방법을 각 단계별로 살펴보도록 한다.
The shadow mask manufacturing method according to the present invention will be described.

(a) 마스크 시트의 상측 및 하측에 각각 포토레지스트 막이 형성되는 단계
(a) forming a photoresist film on the upper and lower sides of the mask sheet, respectively

상기 (a) 단계는 후술되는 (b) 단계의 포토레지스트 막이 형성되지 않은 상기 마스크 시트의 상측 및 하측을 각각 식각하는 단계 전, 마스크 시트(10)의 상측 및 하측에 각각 포토레지스트 막(20)을 형성하는 단계이다. 이러한 (a) 단계를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.In the step (a), the photoresist film 20 is formed on the upper side and the lower side of the mask sheet 10 before etching the upper and lower sides of the mask sheet on which the photoresist film of step (b) . The step (a) will be described in detail as follows.

먼저, 마스크 시트(10)를 준비한다.First, the mask sheet 10 is prepared.

여기서, 마스크 시트(10)는 후술되는 새도우 마스크(100)가 제조되기 위한 원재료 역할을 수행한다.Here, the mask sheet 10 serves as a raw material for manufacturing the shadow mask 100 described later.

이때, 마스크 시트(10)의 형태는 특별히 한정하지 않으나, 마스크 시트(10)의 상측이 평탄한 형태인 것이 바람직하다.At this time, the shape of the mask sheet 10 is not particularly limited, but it is preferable that the upper side of the mask sheet 10 is flat.

이러한 이유는 마스크 시트(10)의 상측은 후술되는 기판(S)의 하측과 최대한 밀착이 되어야 하기 때문이다.This is because the upper side of the mask sheet 10 should be as close as possible to the lower side of the substrate S, which will be described later.

다음으로, 마스크 시트(10)의 상측 및 하측에 각각 포토레지스트 막(20)이 형성된다.Next, a photoresist film 20 is formed on the upper side and the lower side of the mask sheet 10, respectively.

상기의 단계에 의해서 형성된 상측 및 하측의 포토레지스트 막(20)은 각각 마스크 시트(10)의 적어도 일부에 포토레지스트 막(20)이 형성되지 않는 개구부(30)가 존재하는 것이 바람직하다.The upper and lower photoresist films 20 formed by the above step preferably each have an opening 30 in which at least a part of the mask sheet 10 does not have the photoresist film 20 formed thereon.

이는 후술되는 공정으로 포토레지스트 막(20)이 형성되지 않은 마스크 시트(10)의 상측 및 하측을 각각 식각하기 위함으로 유의한다.Note that the upper and lower sides of the mask sheet 10 on which the photoresist film 20 is not formed are etched by the following processes.

또한, 마스크 시트(10)의 상측 및 하측에 존재하는 개구부(30)의 크기는 특별히 한정하지 않으나, 후술되는 새도우 마스크(100)의 형태에 따라 상측 및 하측의 개구부(30)의 크기는 조절이 가능함을 유의한다. The sizes of the openings 30 existing on the upper side and the lower side of the mask sheet 10 are not particularly limited but the size of the openings 30 on the upper and lower sides may be adjusted according to the shape of the shadow mask 100 Note that this is possible.

특히, 본 발명에서는 마스크 시트(10)의 하측에 위치하는 개구부가 상측에 위치하는 개구부보다 크게 형성되는 것이 보다 바람직하다. In particular, in the present invention, it is more preferable that the opening located below the mask sheet 10 is formed larger than the opening located above.

여기서, 마스크 시트(10)의 상측 및 하측에 각각 형성된 포토레지스트 막(20)의 두께는 한정하지 않으나, 두께가 얇으면, 후술되는 공정인 식각 공정(40)으로부터 마스크 시트(10)를 보호할 수 없으며, 두께가 두꺼우면, 후술되는 공정으로 포토레지스트 막(20)이 제거될 때 많은 시간이 소요되므로 유의한다.
The thickness of the photoresist film 20 formed on the upper and lower sides of the mask sheet 10 is not limited. However, if the thickness is thin, the mask sheet 10 is protected from the etching process 40, which will be described later If the thickness is too large, it takes a lot of time to remove the photoresist film 20 by a process described later.

(b) 상기 포토레지스트 막이 형성되지 않은 상기 마스크 시트의 상측 및 하측을 각각 식각하는 단계
(b) etching the upper and lower sides of the mask sheet on which the photoresist film is not formed,

상기 (b) 단계는 상기 (a) 단계에서 마스크 시트의 상측 및 하측에 각각 포토레지스트 막이 형성된 후, 상기 포토레지스트 막이 형성되지 않은 상기 마스크 시트의 상측 및 하측을 각각 식각하는 단계이다. 이러한 (b) 단계를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.In the step (b), the photoresist film is formed on the upper and lower sides of the mask sheet in the step (a), and then the upper and lower sides of the mask sheet on which the photoresist film is not formed are etched, respectively. The step (b) will be described in detail as follows.

먼저, 포토레지스트 막(20)이 형성되지 않은 마스크 시트(10)의 상측 및 하측(즉, 개구부(30))에 각각 식각 공정(40)이 진행된다.First, the etching process 40 is performed on the upper side and the lower side (i.e., the opening 30) of the mask sheet 10 on which the photoresist film 20 is not formed.

여기서, 포토레지스트 막(20)은 후술되는 새도우 마스크(100)의 형상을 제어하기 위한 것으로서, 식각 공정(40)으로부터 마스크 시트(10)의 적어도 일부를 보호하는 역할을 수행한다.Here, the photoresist film 20 serves to control the shape of the shadow mask 100, which will be described later, and protects at least a part of the mask sheet 10 from the etching process 40.

이때, 포토레지스트 막(20)이 형성되지 않은 마스크 시트(10)의 상측 및 하측에 각각 식각 공정(40)을 진행시 마스크 시트(10)가 완전히 제거되지 않도록 유의한다. Note that the mask sheet 10 is not completely removed when the etching process 40 is performed on the upper side and the lower side of the mask sheet 10 on which the photoresist film 20 is not formed.

또한, 포토레지스트 막(20)이 형성되지 않은 마스크 시트(10)의 상측 및 하측에 각각 식각 공정(40)을 진행시 식각량은 특별히 한정하지 않으나, 후술되는 새도우 마스크(100)의 형태에 따라 상측 및 하측의 식각량은 조절이 가능함을 유의한다. The etching amount is not particularly limited when the etching step 40 is performed on the upper side and the lower side of the mask sheet 10 on which the photoresist film 20 is not formed. However, depending on the shape of the shadow mask 100 Note that the upper and lower etching amounts can be adjusted.

특히, 본 발명에서는 마스크 시트(10)의 하측에 위치하는 개구부가 상측에 위치하는 개구부보다 크게 형성됨으로써 마스크 시트(10)의 하측부가 상측부보다 상대적으로 많이 식각되는 것이 바람직하다.
Particularly, in the present invention, it is preferable that the lower portion of the mask sheet 10 is etched relatively more than the upper portion thereof because the opening portion located below the mask sheet 10 is formed larger than the opening portion located on the upper side.

(c) 식각된 마스크 시트의 상측부에 수지가 도포되고, 식각된 마스크 시트의 하측을 식각하는 단계
(c) etching the lower side of the etched mask sheet, wherein the resin is applied to the upper side of the etched mask sheet,

본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 방법에 있어서 상기 (c) 단계는, (c1) 식각된 마스크 시트의 상측부에 수지가 도포되는 단계; (c2) 도포된 상기 수지가 건조되는 단계; (c3) 식각된 마스크 시트의 하측을 식각하는 단계;를 포함할 수 있다.
In the shadow mask manufacturing method according to an embodiment of the present invention, the step (c) includes the steps of: (c1) applying resin to the upper side of the etched mask sheet; (c2) drying the applied resin; (c3) etching the lower side of the etched mask sheet.

상기 (c) 단계는 상기 (b) 단계에서 상기 포토레지스트 막이 형성되지 않은 상기 마스크 시트의 상측 및 하측을 각각 식각한 후, 식각된 마스크 시트의 상측부에만 수지가 도포되고, 식각된 마스크 시트의 하측을 식각하는 단계이다. 이러한 (c) 단계를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
In the step (c), the upper and lower sides of the mask sheet on which the photoresist film is not formed are respectively etched, the resin is applied only to the upper side of the etched mask sheet, And the lower side is etched. The step (c) will be described in detail as follows.

먼저, 식각된 마스크 시트(10)의 상측부에 수지(50)가 도포된다.First, resin 50 is applied to the upper side of the etched mask sheet 10.

여기서 수지(50)는 식각된 마스크 시트(10)의 상측부를 밀폐하는 역할을 수행한다.Here, the resin 50 serves to seal the upper portion of the etched mask sheet 10.

이때, 식각된 마스크 시트(10)의 상측부에 도포되는 수지(50)의 종류는 특별히 한정하지 않으나, 마스크 시트(10)와 반응을 일으키지 않으며, 후술되는 공정인 식각 공정(40)으로부터 수지(50)의 형상이 유지될 수 있는 물질을 사용하는 것이 바람직하다.The kind of the resin 50 to be applied to the upper side of the etched mask sheet 10 is not particularly limited but the resin 50 may be removed from the etch process 40 which will be described later without causing a reaction with the mask sheet 10 50 can be maintained.

다음으로, 마스크 시트(10)의 상측부에 도포된 수지(50)가 건조 공정(60)을 통해 건조된다.Next, the resin 50 applied to the upper side of the mask sheet 10 is dried through the drying step 60. Next,

마스크 시트(10)의 상측부에 도포된 수지(50)의 건조 온도 및 건조 시간은 특별히 한정하지 않으나, 수지(50)가 단단하게 굳어지는 것이 바람직하다.The drying temperature and the drying time of the resin 50 applied to the upper side of the mask sheet 10 are not particularly limited, but it is preferable that the resin 50 harden hard.

다음으로, 식각된 마스크 시트(10)의 하측을 식각한다.Next, the lower side of the etched mask sheet 10 is etched.

이때, 식각된 마스크 시트(10)의 하측을 식각시 마스크 시트(10)의 상측부에 도포된 수지(50)가 마스크 시트(10)의 하측 외부로 노출될 때까지 식각 공정(40)을 진행하는 것이 바람직하다. At this time, the etching process 40 is performed until the resin 50 coated on the upper side of the mask sheet 10 is exposed to the outside of the lower side of the mask sheet 10 when etching the lower side of the etched mask sheet 10 .

이러한 공정으로 인해, 마스크 시트(10)의 상측에서 기판과 접촉하는 부분은, 하측에 식각된 부분을 기준으로 비교했을 때, 외각에 형성되도록 새도우 마스크를 형성되게 된다.
Due to such a process, the shadow mask is formed such that the upper portion of the mask sheet 10, which is in contact with the substrate, is formed on the outer side when the lower portion is compared with the etched portion.

(d) 새도우 마스크가 형성되는 단계
(d) a step in which a shadow mask is formed

본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 방법에 있어서 상기 (d) 단계는, (d1) 상기 수지가 제거되는 단계; 및 (d2) 상측 및 하측에 각각 포토레지스트 막이 제거되는 단계;를 포함할 수 있다.
In the shadow mask manufacturing method according to an embodiment of the present invention, the step (d) includes the steps of: (d1) removing the resin; And (d2) removing the photoresist film on the upper and lower sides, respectively.

상기 (d) 단계는 상기 (c) 단계에서 식각된 마스크 시트의 상측부에 수지가 도포되고, 식각된 마스크 시트의 하측을 식각한 후, 새도우 마스크가 형성되는 단계이다. 이러한 (d) 단계를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
In the step (d), a resin is applied to an upper portion of the mask sheet etched in the step (c), a lower side of the etched mask sheet is etched, and then a shadow mask is formed. The step (d) will be described in detail as follows.

먼저, 식각된 마스크 시트(10)의 상측부에 도포된 수지(50)가 제거된다. First, the resin 50 applied to the upper side of the etched mask sheet 10 is removed.

여기서, 수지(50)를 제거하는 방법은 마스크 시트(10)의 형상이 유지되는 한 특별히 한정하지 않는다.Here, the method of removing the resin 50 is not particularly limited as long as the shape of the mask sheet 10 is maintained.

다음으로, 마스크 시트(10)의 상측 및 하측에 각각 형성된 포토레지스트 막(20)이 제거된다.Next, the photoresist film 20 formed on the upper and lower sides of the mask sheet 10 is removed.

이때, 포토레지스트 막(20)을 제거하는 방법은 마스크 시트(10)의 형상이 유지되는 한 특별히 한정하지 않는다.At this time, the method of removing the photoresist film 20 is not particularly limited as long as the shape of the mask sheet 10 is maintained.

다음으로, 새도우 마스크(100)가 형성 된다.Next, a shadow mask 100 is formed.

상기의 단계에 의해서 제조된 새도우 마스크(100)는 기판(S) 상에 유기물을 증착하여 증착 패턴을 형성하는 역할을 수행한다.The shadow mask 100 manufactured according to the above steps performs the role of depositing an organic material on the substrate S to form a deposition pattern.

여기서, 증착 패턴은 OLED 소자의 풀컬러(Full color)를 위해 기판(S) 상에 증착 패턴이 형성되어야 하며, 이때 증착 패턴을 형성시키기 위해 새도우 마스크(100)의 재질은 금속인 것이 바람직하다.Here, the deposition pattern should be formed on the substrate S for the full color of the OLED element. In order to form the deposition pattern, the material of the shadow mask 100 is preferably metal.

또한, 풀컬러를 구현하기 위해서 복수의 유기물 층 (보통, 적색(R;red), 녹색(G;green), 청색(B;blue)의 3가지 색)이 새도우 마스크(100)를 이용하여 OLED 소자의 소정 영역에 선택적으로 형성될 수 있다.
Further, in order to realize full color, a plurality of organic layers (usually three colors of red (R), green (G), and blue (B) And may be selectively formed in a predetermined region of the device.

이하, 상기 단계에 의해서 형성된 새도우 마스크(100)를 도 2(a) 내지 도 2(e)를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the shadow mask 100 formed by the above steps will be described with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (e).

본 발명의 일 실시예로, 도 2(a)를 참조하면, 새도우 마스크(100)는 새도우 마스크(100)의 상단측에 위치하며, 기판(S)과 접촉되는 경계에 존재하는 한쌍의 제1 엣지면(101)과 한쌍의 제1 엣지면(101)으로부터 각각 내측 방향으로 연장 형성된 한쌍의 제2 엣지면(102)을 포함할 수 있다.2 (a), the shadow mask 100 is positioned on the upper side of the shadow mask 100 and includes a pair of first (first) and second And may include a pair of second edge surfaces 102 extending inwardly from the edge surface 101 and the pair of first edge surfaces 101, respectively.

여기서, 새도우 마스크(100)는 제1 엣지면(101)과 제2 엣지면(102) 사이의 두께가 40㎛ 내지 60㎛ 인 것이 바람직하다.Here, the thickness of the shadow mask 100 between the first edge surface 101 and the second edge surface 102 is preferably 40 to 60 占 퐉.

또한 본 발명의 일 실시예로, 도 2(b) 내지 도 2(e)를 참조하면, 새도우 마스크(100)는 한쌍의 제1 챌면(103), 한쌍의 제2 챌면(105), 한쌍의 제1 디딤면(104) 및 한쌍의 제2 디딤면(106)을 구비한 계단 구조인 것이 바람직하다.  2 (b) to 2 (e), the shadow mask 100 includes a pair of first racetons 103, a pair of second rachettails 105, A stepped structure having a first standing surface 104 and a pair of second standing surfaces 106 is preferable.

이때, 도 2(b)를 참조하면, 새도우 마스크(100)는 한쌍의 제1 챌면(103), 한쌍의 제2 챌면(105), 한쌍의 제1 디딤면(104) 및 한쌍의 제2 디딤면(106)이 직선 형태일 수 있다.2 (b), the shadow mask 100 includes a pair of first racetons 103, a pair of second rachettails 105, a pair of first treads 104, and a pair of second treads The surface 106 may be straight.

또한, 도 2(c)를 참조하면, 한쌍의 제2 챌면(105), 한쌍의 제1 디딤면(104) 및 한쌍의 제2 디딤면(106)은 직선 형태이며, 한쌍의 제1 챌면(103)만 사선 형태일 수 있고, 도 2(d)를 참조하면, 한쌍의 제2 챌면(105) 및 한쌍의 제2 디딤면(106)은 직선 형태이며, 한쌍의 제1 챌면(103) 및 한쌍의 제1 디딤면(104)만 사선 형태일 수 있으며, 도 2(e)를 참조하면, 한쌍의 제1 챌면(103), 한쌍의 제1 디딤면(104) 및 한쌍의 제2 디딤면(106)은 직선 형태 이며, 한쌍의 제2 챌면(105)만 사선 형태일 수 있다.2 (c), the pair of second rachettes 105, the pair of first treads 104 and the pair of second treads 106 are linear, and a pair of first rachettes The pair of second rake faces 105 and the pair of second ridge faces 106 are in a straight line shape and the pair of first rake faces 103 and the pair of second rake faces 106 are in a straight line shape, Only a pair of first standing surfaces 104 may be oblique, and referring to FIG. 2 (e), a pair of first raised surfaces 103, a pair of first raised surfaces 104, The second rake face 106 may be a rectilinear shape, and only a pair of the second rake faces 105 may be an oblique shape.

여기서, 새도우 마스크(100)는 제1 디딤면(104)과 제2 디딤면(106) 사이의 두께가 40㎛ 내지 60㎛ 인것이 바람직하다. Here, the thickness of the shadow mask 100 between the first step surface 104 and the second step surface 106 is preferably 40 to 60 占 퐉.

즉, 제1 엣지면(101)과 제2 엣지면(102) 사이의 두께와 제1 디딤면(104)과 제2 디딤면(106) 사이의 두께가 40㎛ 내지 60㎛을 유지해야 하는데, 40㎛ 이하일 경우, 기판(S) 상에 유기물을 증착시 새도우 마스크(100)로 인한 기판(S)의 긁힘 현상이 발생할 가능성이 높아지며, 60㎛ 이상일 경우, 기판(S)과 새도우 마스크(100)의 사이로 유기물이 스며들어 증착 패턴이 번지는 새도잉(shadowing) 현상이 발생하게 되므로 유의한다.That is, the thickness between the first edge surface 101 and the second edge surface 102 and the thickness between the first dimpled surface 104 and the second dimpled surface 106 should be kept between 40 μm and 60 μm, It is more likely that scratching of the substrate S due to the shadow mask 100 occurs when the organic material is deposited on the substrate S. When the thickness of the substrate S is 60 μm or more, So that a shadowing phenomenon occurs in which a deposition pattern is formed.

도 2(a) 내지 도 2(e)에 도시되어 있는 새도우 마스크(100)의 형태 이외에 상기의 구성 및 역할을 수행하는 한 새도우 마스크(100)의 형태가 더 추가될 수 있음을 유의한다.
It should be noted that the shape of the shadow mask 100 may be further added as long as it performs the above-described configuration and role in addition to the shape of the shadow mask 100 shown in Figs. 2A to 2E.

도 3 (a)에 도시된 바와 같이 종래에는 기판(S) 상에 유기물을 증착시 새도우 마스크(100)로 인한 기판(S)의 긁힘 현상이 유기물이 증착된 부분에 형성되어, 유기물 층에 기판(S)의 긁힘 현상에 의해 셀(Cell)이 수축되어 불량률이 증가하게 되었다.3 (a), when an organic material is deposited on a substrate S, scratches of the substrate S due to the shadow mask 100 are formed in a portion where the organic material is deposited, The cell (Cell) shrinks due to the scratching phenomenon of the substrate (S), thereby increasing the defective rate.

그러나, 도 3 (b)에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 새도우 마스크(100)는 새도우 마스크(100)를 이용하여 기판(S) 상에 유기물을 증착시 새도우 마스크(100)로 인한 기판(S)의 긁힘 현상이 유기물이 증착되는 영역과 이격된 부분에 형성되어, 새도우 마스크(100)에 의한 기판(S)의 긁힘 현상이 방지되고, 이 유기물 층을 이용하여 OLED 소자를 구동시 고휘도 및 장수명을 가지는 OLED 소자를 생산할 수 있게 된다.
3 (b), the shadow mask 100 manufactured in accordance with an embodiment of the present invention is formed by using the shadow mask 100 and the shadow mask 100 The scratching phenomenon of the substrate S due to the shadow mask 100 is formed at a portion apart from the region where the organic material is deposited so that scratching of the substrate S by the shadow mask 100 is prevented, It is possible to produce an OLED device having a high brightness and a long life.

이러한 구성으로 인해, 본 발명의 일 실시예에 따르면 마스크 시트(10)의 상측 및 하측에 각각 포토레지스트 막(20)이 형성되고, 포토레지스트 막(20)이 형성되지 않은 마스크 시트(10)의 상측 및 하측을 각각 식각한 후에, 식각된 마스크 시트(10)의 상측부에 수지(50)가 도포되고, 식각된 마스크 시트(10)의 하측을 식각하여, 새도우 마스크(100)가 형성됨으로써, 새도우 마스크(100)를 이용하여 기판(S) 상에 유기물을 증착시 새도우 마스크(100)로 인한 기판(S)의 긁힘 현상이 유기물이 증착되는 영역과 이격된 부분에 형성되고, 새도우 마스크(100)에 기판(S)의 긁힘 현상이 방지되어 OLED 소자 불량률을 감소시키는 효과가 발생한다.
According to this embodiment, the photoresist film 20 is formed on the upper side and the lower side of the mask sheet 10, and the mask sheet 10 on which the photoresist film 20 is not formed The resin 50 is applied to the upper side of the etched mask sheet 10 and the lower side of the etched mask sheet 10 is etched to form the shadow mask 100, A scratching phenomenon of the substrate S due to the shadow mask 100 when the organic material is deposited on the substrate S by using the shadow mask 100 is formed at a portion apart from the region where the organic material is deposited, The scratching phenomenon of the substrate S is prevented, and the defective ratio of the OLED element is reduced.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims It can be understood that

10 : 마스크 시트
20 : 포토레지스트 막
30 : 개구부
40 : 식각 공정
50 : 수지
60 : 건조 공정
100 : 새도우 마스크
101 : 제1 엣지면
102 : 제2 엣지면
103 : 제1 챌면
104 : 제1 디딤면
105 : 제2 챌면
106 : 제2 디딤면
10: Mask sheet
20: Photoresist film
30: opening
40: etching process
50: Resin
60: Drying process
100: Shadow mask
101: first edge face
102: second edge face
103:
104: first standing face
105:
106: 2nd step face

Claims (9)

(a) 마스크 시트의 상측 및 하측에 각각 포토레지스트 막이 형성되는 단계;
(b) 상기 포토레지스트 막이 형성되지 않은 상기 마스크 시트의 상측 및 하측을 각각 식각하는 단계;
(c) 식각된 마스크 시트의 상측부에 수지가 도포되고, 식각된 마스크 시트의 하측을 식각하는 단계; 및
(d) 새도우 마스크가 형성되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는,
새도우 마스크 제조 방법.
(a) forming a photoresist film on upper and lower sides of a mask sheet, respectively;
(b) etching upper and lower sides of the mask sheet on which the photoresist film is not formed;
(c) etching the underside of the etched mask sheet to which the resin is applied to the upper side of the etched mask sheet; And
(d) a shadow mask is formed.
A method of manufacturing a shadow mask.
제1항에 있어서,
상기 (c) 단계는,
(c1) 식각된 마스크 시트의 상측부에 수지가 도포되는 단계;
(c2) 도포된 상기 수지가 건조되는 단계; 및
(c3) 식각된 마스크 시트의 하측을 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는,
새도우 마스크 제조 방법.
The method according to claim 1,
The step (c)
(c1) applying resin to the upper side of the etched mask sheet;
(c2) drying the applied resin; And
(c3) etching the underside of the etched mask sheet. < RTI ID = 0.0 >
A method of manufacturing a shadow mask.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 (d) 단계는,
(d1) 상기 수지가 제거되는 단계; 및
(d2) 상측 및 하측에 각각 포토레지스트 막이 제거되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는,
새도우 마스크 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
The step (d)
(d1) removing the resin; And
(d2) removing the photoresist film on the upper side and the lower side, respectively,
A method of manufacturing a shadow mask.
제1항에 있어서,
상기 새도우 마스크의 재질은 금속인 것을 특징으로 하는,
새도우 마스크 제조 방법.
The method according to claim 1,
Characterized in that the material of the shadow mask is a metal.
A method of manufacturing a shadow mask.
제1항에 있어서,
상기 새도우 마스크는,
상기 새도우 마스크의 상단측에 위치하며, 기판과 접촉되는 경계에 존재하는 한쌍의 제1 엣지면;
상기 한쌍의 제1 엣지면으로부터 각각 내측 방향으로 연장 형성된 한쌍의 제2 엣지면;을 포함하는 것을 특징으로 하는,
새도우 마스크 제조 방법.
The method according to claim 1,
In the shadow mask,
A pair of first edge faces located on the upper side of the shadow mask and present at a boundary with the substrate;
And a pair of second edge faces extending inwardly from the pair of first edge faces, respectively,
A method of manufacturing a shadow mask.
제5항에 있어서,
상기 새도우 마스크는,
제1 엣지면과 제2 엣지면 사이의 두께가 40㎛ 내지 60㎛ 인 것을 특징으로 하는,
새도우 마스크 제조 방법.
6. The method of claim 5,
In the shadow mask,
And a thickness between the first edge surface and the second edge surface is 40 占 퐉 to 60 占 퐉.
A method of manufacturing a shadow mask.
제1항에 있어서,
상기 새도우 마스크는,
한쌍의 제1 챌면, 한쌍의 제2 챌면, 한쌍의 제1 디딤면 및 한쌍의 제2 디딤면을 구비한 계단 구조인 것을 특징으로 하는,
새도우 마스크 제조 방법.
The method according to claim 1,
In the shadow mask,
A pair of first rake faces, a pair of second rake faces, a pair of first step faces, and a pair of second step faces.
A method of manufacturing a shadow mask.
제7항에 있어서,
상기 새도우 마스크는,
제1 디딤면과 제2 디딤면 사이의 두께가 40㎛ 내지 60㎛ 인 것을 특징으로 하는,
새도우 마스크 제조 방법.
8. The method of claim 7,
In the shadow mask,
Characterized in that the thickness between the first and second support surfaces is 40 탆 to 60 탆.
A method of manufacturing a shadow mask.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 새도우 마스크 제조 방법에 의해 제조된 새도우 마스크를 이용한 OLED 소자 제조 방법에 있어서,
상기 새도우 마스크를 이용하여 기판 상에 유기물을 증착시 상기 새도우 마스크로 인한 기판의 긁힘 현상이 유기물이 증착되는 영역과 이격된 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는,
새도우 마스크를 이용한 OLED 소자 제조 방법.

9. A method of manufacturing an OLED device using a shadow mask manufactured by the shadow mask manufacturing method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein when the organic material is deposited on the substrate using the shadow mask, scratching of the substrate due to the shadow mask is formed at a portion apart from a region where the organic material is deposited.
A method of manufacturing an OLED device using a shadow mask.

KR1020140188430A 2014-12-24 2014-12-24 Method for manufacturing shadow mask and method for manufacturing OLED device using the same KR101942826B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140188430A KR101942826B1 (en) 2014-12-24 2014-12-24 Method for manufacturing shadow mask and method for manufacturing OLED device using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140188430A KR101942826B1 (en) 2014-12-24 2014-12-24 Method for manufacturing shadow mask and method for manufacturing OLED device using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160077920A true KR20160077920A (en) 2016-07-04
KR101942826B1 KR101942826B1 (en) 2019-01-28

Family

ID=56501308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140188430A KR101942826B1 (en) 2014-12-24 2014-12-24 Method for manufacturing shadow mask and method for manufacturing OLED device using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101942826B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101984112B1 (en) * 2019-03-18 2019-05-31 (주)세우인코퍼레이션 manufacturing methods of Gap Mask with two-step etching system
CN111057997A (en) * 2018-10-17 2020-04-24 皮姆思株式会社 Open mask sheet for thin film process and method for producing the same
KR20210066180A (en) * 2019-11-28 2021-06-07 주식회사 오럼머티리얼 Producing method of mask and mask and mask integrated frame including the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060001472A (en) 2004-06-30 2006-01-06 주식회사 멤스웨어 Shadow mask and the method of its fabrication for oled

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060001472A (en) 2004-06-30 2006-01-06 주식회사 멤스웨어 Shadow mask and the method of its fabrication for oled

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111057997A (en) * 2018-10-17 2020-04-24 皮姆思株式会社 Open mask sheet for thin film process and method for producing the same
CN111057997B (en) * 2018-10-17 2021-03-19 皮姆思株式会社 Open mask sheet for thin film process and method for producing the same
KR101984112B1 (en) * 2019-03-18 2019-05-31 (주)세우인코퍼레이션 manufacturing methods of Gap Mask with two-step etching system
KR20210066180A (en) * 2019-11-28 2021-06-07 주식회사 오럼머티리얼 Producing method of mask and mask and mask integrated frame including the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR101942826B1 (en) 2019-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102067376B1 (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
US10930886B2 (en) Method for manufacturing OLED display screen and OLED display screen
KR102603867B1 (en) Organic light-emitting apparatus and the method for manufacturing of the organic light-emitting display apparatus
US20190096970A1 (en) Pixel defining layer, display substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus
US9722005B2 (en) Light-emitting device, array substrate, display device and manufacturing method of light-emitting device
KR101322310B1 (en) Organic light emitting display device and and method for fabricating the same
WO2016101576A1 (en) Array substrate and manufacturing method therefor, and display device
JP2019536245A (en) Organic semiconductor device packaging method
KR102629936B1 (en) Organic light-emitting apparatus and the method for manufacturing of the organic light-emitting display apparatus
KR102590890B1 (en) Metal substrate, metal mask for deposition, and oled pannel using the same
US10192933B2 (en) Organic light emitting device and method for manufacturing the same
US10522779B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
JP2012238580A (en) Method for manufacturing organic el display device
WO2021012312A1 (en) Oled display panel
KR102278608B1 (en) Organic light-emitting apparatus and the method for manufacturing of the organic light-emitting display apparatus
US11227904B2 (en) Method for manufacturing light-emitting layer, electroluminescent device and display device
WO2020199008A1 (en) Light-emitting substrate and method for manufacturing same, and electronic device
KR101942826B1 (en) Method for manufacturing shadow mask and method for manufacturing OLED device using the same
US20200058716A1 (en) Array substrate having pixel defining layer with recess
CN106206426B (en) Array substrate and its manufacturing method, display device
WO2022017029A1 (en) Organic light-emitting display panel and manufacturing method therefor, and display device
KR20090111530A (en) Method for manufacturing thin film pattern and optical device using the same
WO2020233596A1 (en) Organic electroluminescent device, method for manufacture thereof, and display apparatus
WO2018149023A1 (en) Light-emitting device and display apparatus
US20180331311A1 (en) Organic optoelectronic device and method for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant