KR20160076608A - 가스 제거 장치에 의한 전지셀의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

전지셀의 제조 방법 중, 활성화 공정에서 발생한 셀 내부의 가스를 배출하기 위한 방법으로서, (a)전지셀의 외주면 실링부의 일측에 제 1 가스 포켓이 형성되어 있고, 대향측 실링부에 제 2 가스 포켓이 형성되어 있는 전지셀을 준비하는 과정; (b)충전과 방전을 수행하여 상기 전지셀을 활성화시키는 과정; (c)상기 제 1 가스 포켓에 전지케이스의 내부와 통하는 하나 이상의 제 1 관통구를 천공하고, 제 2 가스 포켓에 전지케이스의 내부와 통하는 하나 이상의 제 2 관통구를 천공하는 과정; (d)상기 제 1 관통구에 기체 주입구를 장착한 다음 기체를 주입하고, 상기 제 2 관통구에 기체 흡입구를 장착한 다음 전지셀 내의 기체를 흡입하는 과정; (e)상기 과정(d)에서 기체 흡입구를 통해 가스를 외부로 배출한 후 열융착에 의해 실링하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전지셀 제조방법을 제공한다.

Description

가스 제거 장치에 의한 전지셀의 제조방법 {Method for Manufacturing Battery Cell by Device for Eliminating Gas from Battery Cell}
본 발명은 가스 제거 장치에 의한 전지셀의 제조방법에 관한 것이다.
모바일 기기에 대한 기술 개발과 수요가 증가함에 따라 에너지원으로서의 전지의 수요가 급격히 증가하고 있고, 그에 따라 다양한 요구에 부응할 수 있는 전지에 대한 많은 연구가 행해지고 있다.
대표적으로 전지의 형상 면에서는 얇은 두께로 휴대폰 등과 같은 제품들에 적용될 수 있는 각형 이차전지와 파우치형 이차전지에 대한 수요가 높고, 재료 면에서는 높은 에너지 밀도, 방전 전압, 출력 안정성 등의 장점을 가진 리튬이온 전지, 리튬이온 폴리머 전지 등과 같은 리튬 이차전지에 대한 수요가 높다.
또한, 이차전지는 양극/분리막/음극 구조의 전극조립체가 어떠한 구조로 이루어져 있는지에 따라 분류되기도 하는 바, 대표적으로는, 긴 시트형의 양극들과 음극들을 분리막이 개재된 상태에서 권취한 구조의 젤리-롤(권취형) 전극조립체, 소정 크기의 단위로 절취한 다수의 양극과 음극들을 분리막을 개재한 상태로 순차적으로 적층한 스택형(적층형) 전극조립체, 소정 단위의 양극과 음극들을 분리막을 개재한 상태로 적층한 바이셀(Bi-cell) 또는 풀셀(Full cell)들을 권취한 구조의 스택-폴딩형 전극조립체 등을 들 수 있다.
최근에는, 스택형 또는 스택-폴딩형 전극조립체를 알루미늄 라미네이트 시트의 파우치형 전지케이스에 내장한 구조의 파우치형 전지가, 낮은 제조비, 작은 중량, 용이한 형태 변형 등을 이유로, 많은 관심을 모으고 있고 또한 그것의 사용량이 점차적으로 증가하고 있다.
이러한 파우치형 전지를 포함한 대부분의 이차전지들은 전지셀의 제조 과정에서 충방전에 의해 전지를 활성화시키는 과정을 거치는 바, 최종 전지셀의 제조를 위해서는 상기 활성화 과정에서 발생하는 가스를 제거하여야 하며, 이를 탈기(degas) 공정이라고 한다.
종래의 기술에서는 활성화 된 전지셀을 다이(die)에 고정하고, 상부에서 단순 가압하여 가스를 제거하고 있으나, 이 경우 전지셀 내부의 가스는 외부에서 압력을 받아 일정한 방향성 없이 사방으로 분산되게 된다. 그에 따라, 전지셀의 실링부 중 일측에 위치한 가스 포집용 잉여부로 모인 가스는 포집되어 제거되는 반면에, 다른 방향으로 분산되는 가스는 전지셀 내부에 잔존하게 된다.
이와 같이 종래의 기술에서는 전지셀 내부의 가스가 충분히 제거되지 못하여 열융착에 의한 실링 과정에서 불량이 다수 발생하고, 잔여 가스에 의해 전극조립체에 충전이 불가한 부분이 발생하여 전지의 초기 용량이 저하되는 문제가 있다.
따라서, 이러한 문제점들을 근본적으로 해결할 수 있는 기술에 대한 필요성이 높은 실정이다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점과 과거로부터 요청되어온 기술적 과제를 해결하는 것을 목적으로 한다.
구체적으로, 본 발명의 목적은, 전지셀의 활성화 공정에서 발생한 가스를 포집한 가스 포켓에 기체 주입구 및 기체 흡입구를 장착하여 가스를 효과적으로 제거함으로써, 열융착에 의한 실링 과정에서 불량률을 감소시키고, 전지의 성능 저하를 방지할 수 있는 우수한 전지셀 제조방법을 제공하는 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전지셀 제조방법은,
전지셀의 제조 방법 중, 활성화 공정에서 발생한 셀 내부의 가스를 배출하기 위한 방법으로서,
(a)전지셀의 외주면 실링부의 일측에 제 1 가스 포켓이 형성되어 있고, 대향측 실링부에 제 2 가스 포켓이 형성되어 있는 전지셀을 준비하는 과정;
(b)충전과 방전을 수행하여 상기 전지셀을 활성화시키는 과정;
(c)상기 제 1 가스 포켓에 전지케이스의 내부와 통하는 하나 이상의 제 1 관통구를 천공하고, 제 2 가스 포켓에 전지케이스의 내부와 통하는 하나 이상의 제 2 관통구를 천공하는 과정;
(d)상기 제 1 관통구에 기체 주입구를 장착한 다음 기체를 주입하고, 상기 제 2 관통구에 기체 흡입구를 장착한 다음 전지셀 내의 기체를 흡입하는 과정; 및
(e)상기 과정(d)에서 기체 흡입구를 통해 가스를 외부로 배출한 후 열융착에 의해 실링하는 과정;
을 포함하고 있을 수 있다.
따라서, 본발명에 따른 전지셀 제조 방법은, 전지셀의 활성화 공정에서 발생한 가스를 포집한 가스 포켓에 기체 주입구 및 기체 흡입구를 장착하여, 전지셀 내의 가스를 효과적으로 제고할 수 있고, 그에 따라, 전지셀 제조 과정 중 열융착에 의한 실링 과정에서의 불량률을 감소 시킬 수 있다.
하나의 구체적인 예로서, 상기 과정(a)는,
(a1) 전지케이스의 일측에 제 1 잉여부와 대향측에 제 2 잉여부가 각각 형성된 전지케이스를 준비하고, 전지케이스의 수납부에 전극조립체를 장착하는 과정; 및
(a2) 상기 전지케이스의 외주면을 열융착시켜 제 1 잉여부 및 제 2 잉여부에 제 1 가스 포켓 및 제 2 가스 포켓을 형성하는 과정;
을 포함하고 있을 수 있다.
구체적으로, 상기 전지셀의 상부 실링부에는 전극단자들이 위치해 있을 수 있고, 상부 실링부에 인접한 양 측면 실링부들에 제 1 잉여부와 제 2 잉여부가 각각 위치해 있을 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 제1 전극단자 및 제 2 전극단자의 위치는 조정될 수 있는 바, 상기 전지셀의 상부 실링부에 제 1 전극단자가 위치해 있을 수 있고, 하부 실링부에 제 2 전극단자가 위치해 있을 수 있으며, 상기 상부 실링부에 인접한 양 측면 실링부들에 제 1 잉여부와 제 2 잉여부가 각각 위치해 있을 수 있다.
상기 제 1 잉여부의 폭과 제 2 잉여부의 폭은 각각 독립적으로 상부 실링부의 폭에 대해 200% 내지 900%의 크기일 수 있으며, 상세하게는 300% 내지 500%일 수 있다. 다만, 상기 잉여부의 폭은 이러한 범위에 한정되는 것은 아니며, 전지셀 내의 가스 발생 정도 및 소망하는 정도의 밀봉력을 확보하기 위해 변경할 수 있다.
하나의 구체적인 예로서, 상기 과정(d)에서는, 상기 기체 주입구를 통해 기체를 주입하고, 주입을 중단한 다음 제 1 관통구를 포함한 제 1 가스 포켓의 미실링부 전체를 열융착에 의해 실링하는 과정을 먼저 수행할 수 있다.
이어서, 상기 제 1 가스 포켓의 미실링부를 실링한 후에, 상기 기체 흡입구를 통해 기체를 흡입하고, 기체 흡입을 중단한 다음 제 2 관통구를 포함한 제 2 가스 포켓의 미실링부 전체를 열융착에 의해 실링하는 과정을 수행할 수 있다.
또 하나의 구체적인 예로서, 상기 과정(d)에서는, 상기 기체 주입구를 통해 기체를 주입함과 동시에, 기체 흡입구를 통해 기체를 흡입하는 과정을 수행할 수 있다.
이어서, 상기 기체 주입구의 기체 주입을 중단한 다음 제 1 관통구를 포함한 제 1 가스 포켓의 미실링부 전체를 열융착에 의해 실링하는 과정을 먼저 수행할 수 있고, 상기 기체 흡입구의 기체 흡입을 중단한 다음 제 2 관통구를 포함한 제 2 가스 포켓의 미실링부 전체를 열융착에 의해 실링하는 과정을 진행할 수 있다.
상기 주입되는 기체는 불활성 가스 또는 수분이 제거된 건조 공기인 것일 수 있다. 다만, 전지셀의 내부 물질과 화학 반응 하지 않고, 수분이 함유되어 있지 않다면 본 발명에 사용되는 기체로서 제한되지 않는다.
한편, 상기 전지셀은 수지층과 금속층을 포함하는 라미네이트 시트의 전지케이스에 전극조립체 및 전해액이 내장되어 있는 것일 수 있다.
구체적으로, 상기 전지셀은 수지층과 금속층을 포함하는 라미네이트 시트의 케이스에 전극조립체와 전해액이 내장되어 있는 파우치형 전지셀일 수 있다
상기 라미네이트 시트는, 알루미늄 라미네이트 시트일 수 있고, 상세하게는 금속 차단층의 일면(외면)에 내구성이 우수한 수지 외곽층이 부가되어 있고, 타면(내면)에 열용융성의 수지 실란트층이 부가되어 있는 구조로 이루어질 수 있다.
상기 수지 외곽층은 외부 환경으로부터 우수한 내성을 가져야 하므로, 소정 이상의 인장강도와 내후성을 가지는 것이 필요하다. 그러한 측면에서 수지 외곽층의 고분자 수지로는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)와 연신 나일론 필름이 바람직하게 사용될 수 있다.
상기 금속 차단층은 가스, 습기 등 이물질의 유입 내지 누출을 방지하는 기능 이외에 전지케이스의 강도를 향상시키는 기능을 발휘할 수 있도록, 상세하게는 알루미늄이 사용될 수 있다.
상기 수지 실란트층의 고분자 수지로는 열융착성(열접착성)을 가지고, 전해액의 침입을 억제하기 위해 흡습성이 낮으며, 전해액에 의해 팽창하거나 침식되지 않는 폴리올레핀(polyolefin)계 수지가 바람직하게 사용될 수 있으며, 더욱 상세하게는 무연신 폴리프로필렌(CPP)이 사용될 수 있다.
일반적으로 폴리프로필렌 등과 같은 폴리올레핀계 수지는 금속과의 접착력이 낮으므로, 상기 금속 차단층과의 접착력을 향상시키기 위한 방안으로서, 상세하게는 상기 금속층과 수지 실란트층 사이에 접착층을 추가로 포함하여 접착력 및 차단 특성을 향상시킬 수 있다. 상기 접착층의 소재로는, 예를 들어, 우레탄(urethane)계 물질, 아크릴(acryl)계 물질, 열가소성 일래스토머(elastomer)를 함유하는 조성물 등을 들 수 있지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 전지셀 제조방법은, 전지셀이 지면에 대해 평행하게 위치한 상태에서 공정을 수행할 수 있다. 반대로, 전지셀이 지면에 대해 수직으로 위치한 상태에서도 공정을 수행할 수 있으며, 소망하는 전지셀의 공정을 수행할 수 있다면 위치에 제약이 되지 않는다.
본 발명은 또한, 전지셀의 외주면 실링부의 일측에 제 1 가스 포켓이 형성되어 있고, 대향측 실링부에 제 2 가스 포켓이 형성되어 있는 전지셀의 활성화 공정에서 발생한 가스를 제거하는 장치로서,
활성화 과정을 거친 전지셀이 탑재되는 다이(die); 및
제 1 가스 포켓의 제 1 관통구에 장착되는 기체 주입구와 제 2 가스 포켓의 제 2 관통구에 장착되는 기체 흡입구;
를 포함하고 있는 가스 제거 장치를 제공한다.
구체적으로, 상기 다이는 상기 전지셀이 지면에 대해 수평 또는 수직으로 위치할 수 있도록 회전이 가능한 것일 수 있다.
또한, 상기 다이 및/또는 지그는 전지셀에 열을 가하는 히터를 내장하고 있는 것일 수 있다. 상기 히터는 전지셀의 온도를 30 내지 100℃로 가열 할 수 있고, 상세하게는 40 내지 80℃로 가열할 수 있다. 상기 전지셀의 온도가 30℃ 미만인 경우에는 가스에 전달되는 운동 에너지가 크지 않으므로 흡착되어있는 가스를 탈착 및 제거함에 있어 큰 효과를 기대하기 어려우며, 100℃를 초과하는 경우에는 전지셀 내의 전해액이 분해 되거나, 전지케이스의 변형을 초래 할 수 있어 바람직하지 않다.
본 발명은 또한 상기 제조방법으로 제조된 전지셀을 제공한다.
본 발명은 또한 상기 전지셀을 전원으로 포함하고 있는 디바이스를 제공한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 전지셀 제조방법은, 전지셀의 활성화 공정에서 발생한 가스를 포집한 가스 포켓에 기체 주입구 및 기체 흡입구를 장착하여 가스를 효과적으로 제거함으로써, 열융착에 의한 실링 과정에서 불량률을 감소시키고, 전지의 성능 저하를 방지할 수 있는 우수한 전지셀 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 전지셀 제조 방법에 따라 제조 중인 각 과정에서의 전지셀의 모식도들이다;
도 5은 도 4의 전지셀 및 가스 제거장치의 수직 단면도이다;
도 6은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 전지셀 제조 방법에 의해 제조된 전지셀의 모식도이다;
도 7은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 전지셀 제조 방법의 순서도이다;
도 8은 본 발명의 또 하나의 실시예에 따른 전지셀 제조 방법의 순서도이다;
도 9는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 가스 제거 장치 및 다이(die)의 모식도이다.
이하에서는, 본 발명의 실시예에 따른 도면을 참조하여 설명하지만, 이는 본 발명의 더욱 용이한 이해를 위한 것으로, 본 발명의 범주가 그것에 의해 한정되는 것은 아니다.
도 1 내지 도 4에는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 전지셀 제조방법에 따라 제조 중인 각 과정에서의 전지셀의 모식도들이 도시되어 있다.
이들 도면을 참조하면, 전지케이스(130)의 일측에 제 1 잉여부(110)와 대향측에 제 2 잉여부(111)가 각각 형성된 전지케이스(130)를 준비하여, 전극조립체(120)를 전지케이스(130)의 수납부(140)에 장착한 후 전지케이스(130)를 반으로 접는다.
이때, 제 1 잉여부의 폭(x)과 제 2 잉여부의 폭(y)은 각각 독립적으로 상부 실링부의 폭(z)에 대해 200% 내지 900%의 크기일 수 있으며, 상세하게는 200% 내지 500%인 것이 바람직하다.
다음으로 도 2와 같이, 전지케이스(130)의 수납부(140)에 전극조립체(120)를 장착한 상태에서 전지케이스(130)의 외주면 중 제 2 잉여부(111)를 제외한 나머지 부위들을 열융착시켜 제 1 잉여부(110)에 제 1 가스 포켓(112)을 형성한다.
이때, 전극단자들(121, 122)이 연결되어 있는 전극조립체(120)는 수납부(140)가 형성된 라미네이트 시트로 이루어진 전지케이스(130) 내에 장착되고, 전지케이스(130)의 4변중 상변에는 전극단자들(121, 122)이 돌출되어 있다.
또한, 3 개의 변에는 열압축에 의해 실링부(160)가 형성되며, 나머지 변인 제 2 잉여부(111)는 미실링의 상태로 남겨 이러한 제 2 잉여부(111)의 단부를 통해 전해액을 주입한 후, 도 3과 같이 제 2 잉여부의 끝단(150)을 열융착하여, 제 2 가스 포켓(113)을 형성하고, 충전과 방전을 수행하여 전지셀(100)을 활성화시킨다.
이때, 제 1 가스 포켓(112)의 체적과 제 2 가스 포켓(113)의 체적은 동일한 것일 수 있다.
도 5에는 도 4의 전지셀 및 가스 제거장치의 수직 단면도가 도시되어 있다.
도 5를 도 4와 함께 참조하면, 제 1 가스 포켓(112)에 전지케이스(130)의 내부와 통하는 하나 이상의 제 1 관통구(171)를 천공하고, 제 2 가스 포켓(113)에 전지케이스(130)의 내부와 통하는 하나 이상의 제 2 관통구(172)를 천공한다.
그 다음으로, 제 1 관통구(171)에 기체 주입구(181)를 장착하고, 제 2 관통구(172)에 기체 흡입구(182)를 장착한다.
도 6에는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 전지셀 제조 방법에 의해 제조된 전지셀의 모식도가 도시되어 있고, 도 7에는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 전지셀 제조 방법의 순서도가 도시되어 있다.
도 7을 도 4 내지 도 6과 함께 참조하면, 제 1 관통구(171)의 기체 주입구(181)를 통해 기체를 주입(191)하고, 주입을 중단(192)한 다음 제 1 관통구(171)를 포함한 제 1 가스 포켓(112)의 미실링부 전체를 열융착에 의해 실링하는 과정(193)을 먼저 수행하고, 제 2 관통구(172)의 기체 흡입구(182)를 통해 전지셀(100) 내의 주입부를 통해 주입된 기체와 전지셀의 충방전 과정에서 발생한 기체(200)를 흡입(194)한 후 기체 흡입(195)을 중단한 다음 제 2 관통구(172)를 포함한 제 2 가스 포켓(113)의 미실링부 전체를 열융착에 의해 실링하는 과정(196)을 수행한다.
마지막으로, 열융착에 의해 실링한 전극조립체 수납부(140)와 접한 부위들(114, 115)의 외측 부위를 절취하여 전지셀(100)을 완성한다.
이때 주입되는 가스(191)는 전지셀 내부 물질과 화학 반응이 없는 불활성 가스 또는 수분이 제거된 건조 공기이다.
이와 같은 제조 과정들은, 효율적인 공정을 수행하기 위해, 지면에 대해 수평 또는 수직으로 전지셀이 위치한 상태에서 수행될 수 있으며 소망하는 전지셀을 제조할 수 있다면 위치는 제약되지 않는다.
도 8에는 본 발명의 또 하나의 실시예에 따른 전지셀 제조 방법의 순서도가 도시되어 있다.
도 8을 도 4 내지 도 6과 함께 참조하면, 제 1 관통구(171)의 기체 주입구(181)를 통해 기체를 주입(211)함과 동시에, 제 2 관통구(172)의 기체 흡입구(182)를 통해 전지셀(100) 내의 주입부(181)를 통해 주입된 기체와 전지셀의 충방전 과정에서 발생한 기체(200)를 흡입(211)하고, 기체 주입구(181)의 기체 주입을 중단(212)한 다음 제 1 관통구(171)를 포함한 제 1 가스 포켓(112)의 미실링부 전체를 열융착에 의해 실링하는 과정(213)을 먼저 수행하고, 상기 기체 흡입구(182)의 기체 흡입을 중단(214)한 다음 제 2 관통구(172)를 포함한 제 2 가스 포켓(113)의 미실링부 전체를 열융착에 의해 실링하는 과정(215)을 수행한다.
마지막으로, 열융착에 의해 실링한 전극조립체 수납부(140)와 접한 부위들(114, 115)의 외측 부위를 절취하여 전지셀(100)을 완성한다.
이때 주입되는 가스(191)는 전지셀 내부 물질과 화학 반응이 없는 불활성 가스 또는 수분이 제거된 건조 공기이다.
이와 같은 제조 과정들은, 효율적인 공정을 수행하기 위해, 지면에 대해 수평 또는 수직으로 전지셀이 위치한 상태에서 수행될 수 있으며 소망하는 전지셀을 제조할 수 있다면 위치는 제약되지 않는다.
도 9는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 가스 제거 장치 및 다이(die)의 모식도가 도시되어 있다.
도 9를 참조하면, 전지셀(310)의 외주면 실링부의 일측에 제 1 가스 포켓(321)이 형성되어 있고, 대향측 실링부에 제 2 가스 포켓(322)이 형성되어 있으며, 가스 제거 장치(400)는 활성화 과정을 거친 전지셀(310)이 탑재되는 다이(die)(330) 및 제 1 가스 포켓(321)의 제 1 관통구(341)에 장착되는 기체 주입구(351)와 제 2 가스 포켓(322)의 제 2 관통구(342)에 장착되는 기체 흡입구(352)를 포함하고 있다.
또한, 전지셀(310)이 탑재되어 있는 다이(330)는 전지셀(310)의 효율적인 공정을 수행하기 위해, 지면에 대해 수평 또는 수직으로 위치할 수 있도록 회전이 가능하도록 회전부(도시하지 않음)가 구비되어 있으며, 회전부(도시하지 않음)는 효율적인 공정을 수행할 수 있다면 위치에 제약되지 않는다.
더불어, 다이(330)는 전지셀(310)에 열을 가하는 히터(도시하지 않음)를 내장하고 있고, 히터(도시하지 않음)는 전지셀 내부의 기체를 가열하여 기체의 팽창으로 용이하게 배출될 수 있도록, 전지셀의 온도를 30 내지 100℃로 가열 할 수 있고, 상세하게는 40 내지 80℃로 가열할 수 있다.
본 발명이 속한 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 발명의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.

Claims (19)

  1. 전지셀의 제조 방법 중, 활성화 공정에서 발생한 셀 내부의 가스를 배출하기 위한 방법으로서,
    (a)전지셀의 외주면 실링부의 일측에 제 1 가스 포켓이 형성되어 있고, 대향측 실링부에 제 2 가스 포켓이 형성되어 있는 전지셀을 준비하는 과정;
    (b)충전과 방전을 수행하여 상기 전지셀을 활성화시키는 과정;
    (c)상기 제 1 가스 포켓에 전지케이스의 내부와 통하는 하나 이상의 제 1 관통구를 천공하고, 제 2 가스 포켓에 전지케이스의 내부와 통하는 하나 이상의 제 2 관통구를 천공하는 과정;
    (d)상기 제 1 관통구에 기체 주입구를 장착한 다음 기체를 주입하고, 상기 제 2 관통구에 기체 흡입구를 장착한 다음 전지셀 내의 기체를 흡입하는 과정; 및
    (e)상기 과정(d)에서 기체 흡입구를 통해 가스를 외부로 배출한 후 열융착에 의해 실링하는 과정;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 전지셀 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 과정(a)는,
    (a1) 전지케이스의 일측에 제 1 잉여부와 대향측에 제 2 잉여부가 각각 형성된 전지케이스를 준비하고, 전지케이스의 수납부에 전극조립체를 장착하는 과정; 및
    (a2) 상기 전지케이스의 외주면을 열융착시켜 제 1 잉여부 및 제 2 잉여부에 제 1 가스 포켓 및 제 2 가스 포켓을 형성하는 과정;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 전지셀 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 전지셀의 상부 실링부에 전극단자들이 위치하고, 상기 상부 실링부에 인접한 양 측면 실링부들에 제 1 잉여부와 제 2 잉여부가 각각 위치하는 것을 특징으로 하는 전지셀 제조방법.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 전지셀의 상부 실링부에 제 1 전극단자가 위치하고, 하부 실링부에 제 2 전극단자가 위치하며, 상기 상부 실링부에 인접한 양 측면 실링부들에 제 1 잉여부와 제 2 잉여부가 각각 위치하는 것을 특징으로 하는 전지셀 제조방법.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 잉여부의 폭과 제 2 잉여부의 폭은 각각 독립적으로 상부 실링부의 폭에 대해 200% 내지 900%의 크기인 것을 특징으로 하는 전지셀 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 가스 포켓의 체적과 제 2 가스 포켓의 체적은 동일한 것을 특징으로 하는 전지셀 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 과정(d)에서, 상기 기체 주입구를 통해 기체를 주입하고, 주입을 중단한 다음 제 1 관통구를 포함한 제 1 가스 포켓의 미실링부 전체를 열융착에 의해 실링하는 과정을 먼저 수행하는 것을 특징으로 하는 전지셀 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 과정(d)에서, 상기 제 1 가스 포켓의 미실링부를 실링한 후에, 상기 기체 흡입구를 통해 기체를 흡입하고, 기체 흡입을 중단한 다음 제 2 관통구를 포함한 제 2 가스 포켓의 미실링부 전체를 열융착에 의해 실링하는 과정을 수행하는 것을 특징으로 하는 전지셀 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 과정(d)에서, 상기 기체 주입구를 통해 기체를 주입함과 동시에, 기체 흡입구를 통해 기체를 흡입하는 과정을 수행하는 것을 특징으로 하는 전지셀 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 과정(d)에서, 상기 기체 주입구의 기체 주입을 중단한 다음 제 1 관통구를 포함한 제 1 가스 포켓의 미실링부 전체를 열융착에 의해 실링하는 과정을 먼저 수행하고, 상기 기체 흡입구의 기체 흡입을 중단한 다음 제 2 관통구를 포함한 제 2 가스 포켓의 미실링부 전체를 열융착에 의해 실링하는 과정을 진행하는 특징으로 하는 전지셀 제조방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 주입되는 기체는 불활성 가스 또는 수분이 제거된 건조 공기인 것을 특징으로 하는 전지셀 제조방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 전지셀은 수지층과 금속층을 포함하는 라미네이트 시트의 전지케이스에 전극조립체 및 전해액이 내장되어 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 제조방법.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 전지셀이 지면에 대해 평행하게 위치한 상태에서 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 전지셀 제조방법.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 전지셀이 지면에 대해 수직으로 위치한 상태에서 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 전지셀 제조방법.
  15. 전지셀의 외주면 실링부의 일측에 제 1 가스 포켓이 형성되어 있고, 대향측 실링부에 제 2 가스 포켓이 형성되어 있는 전지셀의 활성화 공정에서 발생한 가스를 제거하는 장치로서,
    활성화 과정을 거친 전지셀이 탑재되는 다이(die); 및
    제 1 가스 포켓의 제 1 관통구에 장착되는 기체 주입구와 제 2 가스 포켓의 제 2 관통구에 장착되는 기체 흡입구;
    를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 가스 제거 장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 다이는 상기 전지셀이 지면에 대해 수평 또는 수직으로 위치할 수 있도록 회전이 가능한 것을 특징으로 하는 가스 제거 장치.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 다이 및/또는 지그는 전지셀에 열을 가하는 히터를 내장하고 있는 것을 특징으로 하는 가스 제거 장치.
  18. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 하나에 따른 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 전지셀.
  19. 제 18 항에 따른 전지셀을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 디바이스.
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