KR20160075263A - 무방향성 전기강판 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 구현례에 의한 무방향성 전기강판은, 중량%로, Si: 1% 내지 4%, Mn: 0.1% 내지 1.0%, P:0.1% 이하, Al: 0.1% 내지 0.5%, Sn 및 Sb: 단독 또는 복합 첨가되어 0.02% 내지 0.2%, 잔부는 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함한다. 또한, 상기 전기강판은 [Mn]≥[Al] 이고, [P]+[Sn]+[Sb]의 값이 0.05 내지 0.2 일 수 있다. 여기서, [Al], [Mn], [P], [Sn], [Sb]는 각각 Al, Mn, P, Sn, Sb의 첨가량(중량%)이다.
Description
무방향성 전기강판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
무방향성 전기강판은 전기기기의 에너지 효율을 결정하는데 중요한 역할을 하는데, 그 이유는 무방향성 전기강판이 모터, 발전기 등의 회전 기기와 소형 변압기 등의 정지기기에서 철심용 재료로 사용되어 전기적 에너지를 기계적 에너지로 바꾸어 주는 역할을 하기 때문이다.
전기강판의 자기적 특성으로는 철손과 자속밀도를 들 수 있는데, 철손은 에너지 손실이기 때문에 낮을수록 좋다. 한편 자화가 쉽게 되는 성질을 나타내는 자속밀도 특성이 높은 경우 더 적은 전류를 인가해도 동일한 자속밀도를 얻을 수 있기 때문에, 권선된 구리선에서 발생하는 열인 동손을 감소시킬 수 있어서 자속밀도 특성은 높을수록 좋다.
무방향성 전기강판의 자기적 성질 중, 철손을 개선하기 위해서는 전기저항 증가를 위해 비저항이 큰 합금 원소인 Si, Al, Mn등을 첨가하는 방법이 일반적으로 사용된다. 그러나 합금 원소를 첨가하게 되면 철손은 감소하지만 포화 자속밀도 감소로 인해 자속밀도의 감소 역시 피할 수 없게 된다.
따라서, 철손을 낮추면서 자속밀도를 높이기 위한 연구가 진행되고 있다.
본 발명의 일 실시예는 무방향성 전기강판을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 실시예는 무방향성 전기강판의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 구현례에 의한 무방향성 전기강판은, 중량%로, Si: 1% 내지 4%, Mn: 0.1% 내지 1.0%, P:0.1% 이하, Al: 0.1% 내지 0.5%, Sn 및 Sb: 단독 또는 복합 첨가되어 0.02% 내지 0.2%, 잔부는 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함한다. 또한, 상기 전기강판은 [Mn]≥[Al] 이고, [P]+[Sn]+[Sb]의 값이 0.05 내지 0.2 일 수 있다. 여기서, [Al], [Mn], [P], [Sn], [Sb]는 각각 Al, Mn, P, Sn, Sb의 첨가량(중량%)이다.
또한, 상기 전기강판은 하기 식을 만족할 수 있다.
B50 ≥ 0.81 * (2.18-0.0055X2-0.0285X) + 0.1*LogY ≥ 1.67
단, 여기서 B50은 5000A/m의 자기강을 부가하였을 때 유도되는 자속밀도의 크기(Tesla)이다.
여기서 X=[Si]+[Al]+0.3*[Mn] 이고, Y=(V{100}+V{110})/ V{111} 이다.
[Si], [Al], [Mn]은 각각 Si, Al, Mn의 첨가량(중량%)이다.
V{100}, V{110}, V{111}은 전기강판 표면에서의 집합조직 {100}, {110}, {111}의 분율이다.
또한, 상기 전기강판의 결정립 입경의 평균값은 50㎛ 내지 150㎛ 일 수 있다.
또한, 상기 전기강판은, C: 0.005%이하, S:0.001~0.005%, N:0.005%이하, 및, Ti: 0.005%이하를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 전기강판은, Cu, Ni, Cr를 각각 0.05중량%이하 더 포함하고 Zr, Mo, V를 각각 0.01중량%이하로 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현례에 의한 무방향성 전기강판의 제조방법은, 슬라브를 가열한 후 열간 압연하여 열연판을 제조하는 단계 상기 열연판을 냉간 압연하여 냉연판을 제조하는 단계 및 상기 냉연판을 냉연판 소둔하는 단계를 포함하되, 상기 냉연판 소둔 단계는 승온 단계와 균열 단계를 포함하며, 상기 승온 단계에서 700℃ 에서 균열 온도까지의 승온시간(t1)과 상기 균열 단계에서 균열 시간(t2)의 비(t1/t2)의 값은 0.7 내지 1 일 수 있다.
상기 승온 단계에서 700℃ 에서 균열 온도까지의 승온시간(t1)과 상기 균열 단계에서 균열 시간(t2)의 합(t1+t2)은 2분 이하일 수 있다.
상기 균열 단계에서 균열 온도는 900℃ 내지 1100℃ 일 수 있다.
상기 슬라브는 중량%로, Si: 1% 내지 4%, Mn: 0.1% 내지 1.0%, P:0.1% 이하, Al: 0.1% 내지 0.5%, Sn 및 Sb: 단독 또는 복합 첨가되어 0.02% 내지 0.2%를 포함하고, 잔부는 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함하되, [Mn]≥[Al] 이고, [P]+[Sn]+[Sb]의 값이 0.05 내지 0.2 일 수 있다.
상기 슬라브는 C: 0.005%이하, S:0.001 내지 0.005%, N:0.005%이하, 및, Ti: 0.005%이하를 더 포함할 수 있다.
상기 슬라브를 가열하는 온도는 1200℃이하일 수 있다.
상기 열간 압연하는 단계 이후 열연판 소둔하는 단계를 더 포함하며, 상기 열연판 소둔 온도는 950℃ 내지 1150℃ 일 수 있다.
상기 슬라브는 Cu, Ni, Cr를 각각 0.05중량%이하 더 포함하고, Zr, Mo, V를 각각 0.01중량%이하로 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현례에 의하면 철손이 낮고 자속밀도가 우수한 무방향성 전기강판을 제공할 수 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
따라서, 몇몇 실시예들에서, 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 다른 정의가 없다면 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다.
또한, 본 발명에서 특별한 언급이 없는 한 %는 중량%를 의미한다.
본 발명의 일 구현례에 의한 무방향성 전기강판은, 전기강판의 전체 조성 100중량%를 기준으로, Si: 1% 내지 4%, Mn: 0.1% 내지 1.0%, P:0.1% 이하, Al: 0.1% 내지 0.5%를 포함하고, Sn 및 Sb는 각각 단독으로 첨가되거나 복합 첨가되어 0.02% 내지 0.2% 를 포함하며, 잔부는 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함한다. 또한, 상기 전기강판은 [Mn]≥[Al] 이고, [P]+[Sn]+[Sb]의 값이 0.05 내지 0.2 일 수 있다. 여기서, [Al], [Mn], [P], [Sn], [Sb]는 각각 Al, Mn, P, Sn, Sb의 첨가량(중량%)이다.
또한, 상기 전기강판은 하기 식을 만족할 수 있다.
B50 ≥ 0.81 * (2.18-0.0055X2-0.0285X) + 0.1*LogY ≥ 1.67
단, 여기서 B50은 5000A/m의 자기강을 부가하였을 때 유도되는 자속밀도의 크기(Tesla)이다.
여기서 X=[Si]+[Al]+0.3*[Mn] 이고, Y=(V{100}+V{110})/ V{111} 이다.
[Si], [Al], [Mn]은 각각 Si, Al, Mn의 첨가량(중량%)이다.
V{100}, V{110}, V{111}은 전기강판 표면에서의 집합조직 {100}, {110}, {111}의 분율이다.
또한, 상기 전기강판의 결정립 입경의 평균값은 50㎛ 내지 150㎛ 일 수 있다.
또한, 상기 전기강판은, C: 0.005%이하, S:0.001~0.005%, N:0.005%이하, 및, Ti: 0.005%이하를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 전기강판은, Cu, Ni, Cr를 각각 0.05중량%이하 더 포함하고 Zr, Mo, V를 각각 0.01중량%이하로 더 포함할 수 있다.
먼저 성분 한정의 이유에 대하여 설명한다.
Si는 비저항을 증가시켜서 와류손실을 낮추는 성분이다. Si의 함량이 1% 미만이면 저철손 특성을 얻기 어렵고, 4% 초과시에는 냉간압연이 어려워 질 수 있으며, 자속밀도가 저하될 수 있다.
Mn은 비저항을 증가시켜 철손을 낮추면서 집합조직을 향상시킨다. 0.1% 미만이면 철손 특성이 열위해 질 수 있고, 1.0% 초과시 자속밀도가 감소될 수 있다.
P는 비저항을 증가시켜 철손을 낮추고 결정립계에 편석하여 집합조직을 향상시키지만 0.1% 초과인 경우 결정립 성장을 억제하며 냉간 압연성을 열위하게 할 수 있다.
Al은 비저항을 증가시켜 철손을 감소시키고 자기 이방성을 감소시켜 전기강판의 자성 편차를 감소시킨다. 0.1%미만이면 첨가의 효과가 나타나지 않으며. 0.5% 초과인 경우 자속밀도가 감소될 수 있다.
Sn 및 Sb는 결정립계 편석원소로써 결정립계를 통한 질소의 확산을 억제하며 자성에 유리한 {100} 및 {110} 집합조직을 증가시켜 자기적 특성을 향상시킨다. Sn 및 Sb는 단독으로 첨가되거나 복합적으로 첨가될 수 있으며 그 함량은 0.02% 내지 0.2% 일 수 있다. 0.02% 미만이면 첨가 효과가 나타나지 않을 수 있고, 0.2%초과인 경우 결정립 성장을 억제하여 자성을 떨어뜨리고 압연성을 열위시킬 수 있다.
C은 Ti등과 결합하여 탄화물을 형성하여 자성을 열위시키며 자기시효에 의하여 철손을 높일 수 있으므로 0.005%이하 첨가될 수 있다.
S는 자기적 특성에 유해한 MnS, CuS 및 (Cu,Mn)S 등의 황화물을 형성하는 원소이므로 가능한 한 낮게 첨가될 수 있으나 0.001%미만이면 오히려 집합조직 형성에 불리하여 자성이 저하될 수 있다. 또한, 되기 때문에 0.001%이상 함유토록 하며 또한 0.005% 초과인 경우 미세한 황화물의 증가로 인해 자성이 열위될 수 있다.
N은 0.005% 초과이면 Al, Ti 등과 결합하여 질화물을 형성하여 자성에 해로운 영향을 미칠 수 있다.
Ti는 0.005% 초과인 경우 탄화물과 질화물이 증가하여 자성에 해로운 영향을 미칠 수 있다.
또한, 제강공정 중 Cu, Ni, Cr, Zr, Mo, V 등의 원소가 혼입될 수 있으며, 자성에 유해한 영양을 미치는 것을 방지하기 위하여 Cu, Ni, Cr는 각각 0.05중량%이하일 수 있다. 또한, Zr, Mo, V를 각각 0.01중량%이하일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 구현례에에 의한 무방향성 전기강판에서 [Mn]≥[Al] 일 수 있다. Mn과 Al은 첨가량이 증가하면 철손을 감소시키는 효과과 있으나 자속밀도를 감소시키게 된다. Al은 Mn에 비하여 자속밀도를 더 크게 열위시키게 되므로 철손이 낮으면서 자속 밀도를 높이기 위하여 [Mn]≥[Al] 이 되도록 첨가할 수 있다. 여기서, [Al], [Mn] 은 각각 Al, Mn의 첨가량(중량%)이다
P, Sn 및 Sb는 입계 편석 원소로서 집합조직을 향상시켜 자성을 향상시키는 원소이기도 하지만 첨가량이 증가하면 결정립 성장을 억제시키게 되며 본 발명의 일 구현례에서는 P, Sn, Sb가 0.05≤[P]+[Sn]+[Sb]≤0.2인 경우 철손이 낮고 자속밀도가 매우 높게 나타남을 확인하였다. [P], [Sn], [Sb]는 각각 P, Sn, Sb의 첨가량(중량%)이다.
또한 본 발명의 일 구현례에 의한 무방향성 전기강판은 하기 식을 만족할 수 있다.
B50 ≥ 0.81*(2.18-0.0055X2-0.0285X)+0.1*LogY≥1.67
단, 여기서 B50은 5000A/m의 자기장을 전기강판에 부가하였을 때 유도되는 자속밀도의 크기(Tesla)이다.
여기서 X=[Si]+[Al]+0.3*[Mn] 이고, Y=(V{100}+V{110})/ V{111} 이다. [Si], [Al], [Mn]은 각각 Si, Al, Mn의 첨가량(중량%)이다.
V{100}, V{110}, V{111}은 전기강판 표면에서의 집합조직 {100}, {110}, {111}의 분율이다.
이하 본 발명의 일 구현례에 의한 무방향성 전기강판의 제조방법에 대하여 설명한다.
먼저 슬라브의 전체 조성 100중량%를 기준으로, Si: 1% 내지 4%, Mn: 0.1% 내지 1.0%, P:0.1% 이하, Al: 0.1% 내지 0.5%를 포함하고, Sn 및 Sb는 각각 단독으로 첨가되거나 복합 첨가되어 0.02% 내지 0.2% 를 포함하며, 잔부는 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함하되, [Mn]≥[Al] 이고, [P]+[Sn]+[Sb]의 값이 0.05 내지 0.2 인 슬라브를 제공한다.
상기 슬라브는 C: 0.005%이하, S:0.001~0.005%, N:0.005%이하, 및, Ti: 0.005%이하를 더 포함할 수 있다.
또한 상기 슬라브는 Cu, Ni, Cr를 각각 0.05중량%이하 더 포함하고, Zr, Mo, V를 각각 0.01중량%이하로 더 포함할 수 있다.
상기 슬라브의 조성 한정의 이유는 무방향성 전기강판의 성분 한정의 이유와 같다.
상기 기재의 슬라브를 가열한 후 열간 압연하여 열연판을 제조한다. 슬라브의 가열온도는 1200℃이하일 수 있다. 1200℃초과인 경우 슬라브 내에 존재하는 AlN, MnS등의 석출물이 고용된 후 열간 압연시 석출되어 결정립 성장을 억제하고 자성을 저하시킬 수 있다.
열간압연은 강판이 페라이트상일 때 종료하며 판형상 교정을 위하여 최종 압하율은 20%이하일 수 있다.
제조된 열연판은 필요에 따라 열연판 소둔을 실시할 수 있다. 열연판 소둔을 실시하는 경우 소둔 온도는 950℃내지 1150℃ 수 있다. 950℃미만이면 결정립 성장이 불충분하여 냉간 압연 후 소둔 시 자성에 유리한 집합조직을 얻기 어려워지며, 1150℃초과시 결정립이 과도하게 성장하고 판의 표면 결함이 과다하여 질 수 있다.
이후 열연판을 냉간 압연하여 냉연판을 제조한다. 냉간 압연은 1회의 냉간 압연에 의하여 최종 두께의 냉연판을 제조하거나, 1회 이상의 중간 소둔을 포함하는 2회 이상의 냉간 압연을 실시하여 최종 두께의 냉연판을 제조할 수 있다.
제조된 냉연판은 냉연판 소둔을 실시한다.
본 발명의 일 구현례에 의한 무방향성 전기강판의 제조방법에서는 하기와 같은 냉연판 소둔 공정에 의하여 처철손 고자속 밀도의 무방향성 전기강판을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 구현례에 의한 무방향성 전기강판의 제조방법에서 냉연판 소둔은 승온 단계와 균열 단계를 포함한다.
상기 승온 단계에서 700℃부터 균열 온도까지의 승온시간(t1)과 상기 균열 단계에서 균열 시간(t2)의 비(t1/t2)는 0.7 내지 1일 수 있다. t1/t2 의 값이 0.7미만이면 자성에 불리한 집합조직의 분율이 증가하며, 1초과인 경우 균열 단계에서 결정립 성장이 원활하지 않을 수 있다.
또한, 상기 승온 단계에서 700℃ 에서 균열 온도까지의 승온시간(t1)과 상기 균열 단계에서 균열 시간(t2)의 합(t1+t2)은 2분 이하일 수 있다. 2분 초과인 경우 결정립이 조대해져 자성을 열위시킬 수 있다.
또한, 상기 균열 단계에서 균열 온도는 900℃ 내지 1100℃ 일 수 있다. 900℃미만이면 결정립 성장이 미흡하여 자성에 해로운 집합 조직이 증가될 수 있고, 1100℃초과면 결정립이 과도하게 성장하여 자성에 나쁜 영향을 미칠 수 있다.
이하, 실시예를 통해 상세히 설명한다. 단 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[
실시예
1]
진공 용해를 통하여 하기 표 1과 같이 조성되는 슬라브를 제조하였다 (각 원소의 첨가량은 중량%이다).
상기 슬라브를 1180℃에서 가열한 후 2.6mm의 두께로 열간 압연하여 열연판을 제조하였다. 이후 1070℃에서 열연판 소둔하고 산세한 다음 0.50mm 두께로 냉간 압연하였다. 냉연판 소둔은 균열온도:1060℃에서 110초간 실시하였다. 각각의 시편에 대하여EBSD, X-ray pole figure test를 통해 집합조직의 분율을 측정하였으며 결정립의 입경(Grain size)을 intercept method를 사용하여 측정하였고 철손(W15/50)과 자속밀도(B50)를 측정하여 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
1) X=[Si]+[Al]+0.3*[Mn], Y=(V{100}+V{110})/ V{111}
([Si], [Al], [Mn]은 각각 Si, Al, Mn의 첨가량(중량%), V{100}, V{110}, V{111}은 냉연판 소둔 후 표면에서의 집합조직 {100}, {110}, {111}의 분율)
2) 철손(W15/500)은 50Hz주파수에서 1.5Tesla의 자속밀도가 유기되었을 때의 압연방향과 압연방향 수직방향의 평균 손실(W/kg)임.
3) 자속밀도(B50)은 5000A/m의 자기장을 부가하였을 때 유도되는 자속밀도의 크기(Tesla)임.
상기 표 2에 나타난 바와 같이, 본 발명에 포함되는 무방향성 전기강판은 철손 특성 및 자속 밀도가 우수하였음을 알 수 있다.
[
실시예
2]
진공 용해를 통하여 하기 표 3과 같이 조성되는 슬라브를 제조하였다(각 원소의 첨가량은 중량%이다).
상기 슬라브를 1160℃에서 가열한 후 2.5mm의 두께로 열간 압연하여 열연판을 제조하였다. 이후 1020℃에서 열연판 소둔하고 산세한 다음 0.50mm 두께로 냉간 압연하였다. 냉연판 소둔시 균열온도는 표 4 와 같이 하였다.
또한, 700℃ 에서 균열 온도까지의 승온시간(t1)과 상기 균열 단계에서 균열 시간(t2)의 합(t1+t2)은 2분 이하로 실시하되, 700℃ 에서 균열 온도까지의 승온시간(t1)과 상기 균열 단계에서 균열 시간(t2)의 비(t1/t2)를 바꾸면서 냉연판 소둔을 하였다. 각각의 시편에 대하여EBSD, X-ray pole figure test를 통해 집합조직의 분율을 측정하였으며 결정립의 입경(grain size)을 intercept method를 사용하여 측정하였고 철손(W15/50)과 자속밀도(B50)를 측정하여 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다.
1) X=[Si]+[Al]+0.3*[Mn], Y=(V{100}+V{110})/V{111}
([Si], [Al], [Mn]은 각각 Si, Al, Mn의 첨가량(중량%), V{100}, V{110}, V{111}은 냉연판 소둔 후 표면에서의 집합조직 {100}, {110}, {111}의 부피분율을의미한다.)
2) 철손(W15/500)은 50Hz주파수에서 1.5Tesla의 자속밀도가 유기되었을 때의 압연방향과 압연방향 수직방향의 평균 손실(W/kg)임.
3) 자속밀도(B50)은 5000A/m의 자기장을 부가하였을 때 유도되는 자속밀도의 크기(Tesla)임.
상기 표 4에 나타난 바와 같이, 본 발명에 포함되는 무방향성 전기강판은 철손 특성 및 자속 밀도가 우수하였음을 알 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변경된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
Claims (13)
- 전기강판의 전체 조성 100중량%를 기준으로, Si: 1% 내지 4%, Mn: 0.1% 내지 1.0%, P:0.1% 이하, 및, Al: 0.1% 내지 0.5%를 포함하고, Sn 및 Sb는 각각 단독으로 첨가되거나 복합 첨가되어 0.02% 내지 0.2% 를 포함하며, 잔부는 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함하되,
[Mn]≥[Al] 이고,
[P]+[Sn]+[Sb]의 값이 0.05 내지 0.2 인 무방향성 전기강판.
(여기서, [Al], [Mn], [P], [Sn], [Sb]는 각각 Al, Mn, P, Sn, Sb의 첨가량(중량%)이다)
- 제 1 항에 있어서,
상기 전기강판의 결정립 입경의 평균값은 50㎛ 내지 150㎛인 무방향성 전기강판.
- 제 2 항에 있어서,
상기 전기강판은, 중량%로, C: 0.005%이하, S:0.001% 내지 0.005%, N:0.005%이하, 및, Ti: 0.005%이하를 더 포함하는 무방향성 전기강판.
- 제 3 항에 있어서,
상기 전기강판은, Cu, Ni, 및, Cr를 각각 0.05중량%이하 더 포함하고
Zr, Mo, V를 각각 0.01중량%이하로 더 포함하는 무방향성 전기강판.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전기강판은, 하기 식을 만족하는 무방향성 전기강판.
B50 ≥ 0.81*(2.18-0.0055X2-0.0285X)+0.1*LogY≥1.67
(단, 여기서 B50은 5000A/m의 자기장을 부가하였을 때 유도되는 자속밀도의 크기(Tesla)이다.
여기서 X=[Si]+[Al]+0.3*[Mn] 이고, Y=(V{100}+V{110})/ V{111} 이다.
[Si], [Al], [Mn]은 각각 Si, Al, Mn의 첨가량(중량%)이다.
V{100}, V{110}, V{111}은 전기강판 표면에서의 집합조직 {100}, {110}, {111}의 분율이다.)
- 슬라브를 가열한 후 열간 압연하여 열연판을 제조하는 단계
상기 열연판을 냉간 압연하여 냉연판을 제조하는 단계 및
상기 냉연판을 냉연판 소둔하는 단계를 포함하되,
상기 냉연판 소둔 단계는 승온 단계와 균열 단계를 포함하며,
상기 승온 단계에서 700℃ 에서 균열 온도까지의 승온시간(t1)과 상기 균열 단계에서 균열 시간(t2)의 비(t1/t2)의 값은 0.7 내지 1 인 무방향성 전기강판의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,
상기 승온 단계에서 700℃ 에서 균열 온도까지의 승온시간(t1)과 상기 균열 단계에서 균열 시간(t2)의 합(t1+t2)은 2분 이하인 무방향성 전기강판의 제조방법.
- 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 균열 단계에서 균열 온도는 900℃ 내지 1100℃ 인 무방향성 전기강판의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,
상기 슬라브는 슬라브 전체 조성 100중량%를 기준으로, Si: 1% 내지 4%, Mn: 0.1% 내지 1.0%, P:0.1% 이하, 및, Al: 0.1% 내지 0.5%를 포함하고, Sn 및 Sb는 각각 단독으로 첨가되거나 복합 첨가되어 0.02% 내지 0.2% 를 포함하며, 잔부는 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함하되, [Mn]≥[Al] 이고, [P]+[Sn]+[Sb]의 값이 0.05 내지 0.2 인 무방향성 전기강판의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,
상기 슬라브는 중량%로, C: 0.005%이하, S:0.001 내지 0.005%, N:0.005%이하, 및, Ti: 0.005%이하를 더 포함하는 무방향성 전기강판의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,
상기 슬라브를 가열하는 온도는 1200℃이하인 무방향성 전기강판의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서,
상기 열간 압연하는 단계 이후 열연판 소둔하는 단계를 더 포함하며,
상기 열연판 소둔 온도는 950℃ 내지 1150℃ 인 무방향성 전기강판의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,
상기 슬라브는 Cu, Ni, 및, Cr를 각각 0.05중량%이하 더 포함하고, Zr, Mo, V를 각각 0.01중량%이하로 더 포함하는 무방향성 전기강판의 제조방법.
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