KR101671692B1 - 무방향성 전기강판 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 의한 무방향성 전기강판은, 중량%로, Mn: 0.1% 내지 0.64%, P:0.1%이하(0%를 포함하지 않는다), 및 Al: 0.1% 내지 0.5%, Sn 및 Sb: 단독으로 첨가되거나 복합으로 첨가되며 첨가량 합은 0.02% 내지 0.2% 를 포함하고, 잔부는 Fe 및 기타 불순물을 포함하며, [Mn]≥[Al], 및 1.2≤([Mn]/[Al]+[P]+2*[Sn])≤2.5을 만족한다.
Description
무방향성 전기강판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
무방향성 전기강판은 전기기기의 에너지 효율을 결정하는데 중요한 역할을 하는데, 그 이유는 무방향성 전기강판이 모터, 발전기 등의 회전 기기와 소형 변압기 등의 정지기기에서 철심용 재료로 사용되어 전기적 에너지를 기계적 에너지로 바꾸어 주는 역할을 하기 때문이다.
전기강판의 자기적 특성으로는 철손과 자속밀도를 들 수 있는데, 철손은 에너지 손실이기 때문에 낮을수록 좋다. 한편 자화가 쉽게 되는 성질을 나타내는 자속밀도 특성이 높은 경우 더 적은 전류를 인가해도 동일한 자속밀도를 얻을 수 있기 때문에, 권선된 구리선에서 발생하는 열인 동손을 감소시킬 수 있어서 자속밀도 특성은 높을수록 좋다.
무방향성 전기강판의 자기적 성질 중, 철손을 개선하기 위해서는 전기저항 증가를 위해 비저항이 큰 합금 원소인 Si, Al, Mn등을 첨가하는 방법이 일반적으로 사용된다. 그러나 합금 원소를 첨가하게 되면 철손은 감소하지만 포화 자속밀도 감소로 인해 자속밀도의 감소 역시 피할 수 없게 된다.
더구나, 실리콘(Si)과 알루미늄(Al)의 첨가량이 많아지면 가공성이 저하되어 냉간압연이 곤란해져 생산성이 떨어지게 되고 경도도 증가하여 가공성도 떨어지게 된다.
이러한 집합조직의 개선을 위해서 효과적으로 사용되는 방법은 미량 합금 원소를 첨가하는 방법으로 알려져 있다. 이를 이용하여 유해한 집합 조직인 판면에 대해 수직방향으로 <111>축이 평행한 결정립의 분율을 감소시키거나 불순물의 양을 극저화시켜 청정강을 제조할 수 있다.
그러나, 이러한 기술들은 모두 제조원가의 상승을 야기하고 대량생산의 어려움이 따르기 때문에 제조원가는 크게 상승시키지 않으면서 자성 개선 효과가 탁월한 기술이 필요한 실정이다.
본 발명의 일 실시예는 무방향성 전기강판을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 실시예는 무방향성 전기강판의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 무방향성 전기강판은, 중량%로, Mn: 0.1% 내지 0.64%, P:0.1%이하(0%를 포함하지 않는다), 및 Al: 0.1% 내지 0.5%, Sn 및 Sb: 단독으로 첨가되거나 복합으로 첨가되며 첨가량 합은 0.02% 내지 0.2% 를 포함하고, 잔부는 Fe 및 기타 불순물을 포함하며, [Mn]≥[Al], 및 1.2≤([Mn]/[Al]+[P]+2*[Sn])≤2.5을 만족한다. 여기서, 상기[Al], [Mn], [P], [Sn]은 각각 Al, Mn, P, Sn의 첨가량(중량%)을 의미한다.
상기 전기강판은 (V{100}+V{110})/(V{111}+V{112})≥0.5 일 수 있다. 여기서, 상기 V{100}, V{110}, V{111} 및 V{112} 은 각각 {100}, {110}, {111}, {112} 조직의 부피 분율을 의미한다.
상기 무방향성 전기강판은, 중량%로, C: 0.005%이하(0%를 포함하지 않는다), Si: 1% 내지 4%, S:0.001% 내지 0.005%, N:0.005%이하(0%를 포함하지 않는다), 및, Ti: 0.005%이하(0%를 포함하지 않는다)를 더 포함할 수 있다.
상기 전기강판은 철손(W15/50)이 3.0W/Kg 이하이고, 자속밀도(B50)가 1.69T 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 무방향성 전기강판의 제조방법은, 중량%로, Mn: 0.1% 내지 0.64%, P:0.1%이하(0%를 포함하지 않는다), 및 Al: 0.1% 내지 0.5% 포함하고, Sn 및 Sb: 단독으로 첨가되거나 복합으로 첨가되어 0.02% 내지 0.2% 포함하고, 잔부는 Fe 및 기타 불순물을 포함하는 슬라브를 제공하는 단계 상기 슬라브를 가열한 후 열간 압연하여 열연판을 제조하는 단계 상기 열연판을 열연판 소둔하여 열연 소둔판을 제조하는 단계 및 상기 열연 소둔판을 냉간 압연한 후 냉연판 소둔하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 열연판 소둔하는 단계는 승온 단계 및 균열 단계를 포함하고, 상기 승온 단계에서 승온속도는 10℃/초 이하일 수 있다.
상기 열연판 소둔하는 단계 중 균열 단계에서 균열 온도는 950℃내지 1150℃일 수 있다.
상기 슬라브는 [Mn]≥[Al], 및 1.2≤([Mn]/[Al]+[P]+2*[Sn])≤ 2.5을 만족하는 것일 수 있다. 여기서, 상기 [Al], [Mn], [P], [Sn]은 각각 Al, Mn, P, Sn의 첨가량(중량%)을 의미한다.
상기 슬라브는 중량%로, C: 0.005%이하(0%를 포함하지 않는다), Si: 1% 내지 4%, S:0.001% 내지 0.005%, N:0.005%이하(0%를 포함하지 않는다), 및, Ti: 0.005%이하(0%를 포함하지 않는다)를 더 포함하는 것일 수 있다.
상기 슬라브를 가열한 후 열간 압연하여 열연판을 제조하는 단계에서, 슬라브 가열 온도는 1200℃이하일 수 있다.
상기 냉연판 소둔 하는 단계에서 냉연판 소둔 온도는 900℃내지 1100℃일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면 철손이 낮고 자속밀도가 우수한 무방향성 전기강판을 제공할 수 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
따라서, 몇몇 실시예들에서, 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 다른 정의가 없다면 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다.
또한, 특별히 언급하지 않는 한 %는 중량%를 의미한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 무방향성 전기강판은, 중량%로, Mn: 0.1% 내지 0.64%, P:0.1%이하(0%를 포함하지 않는다), 및 Al: 0.1% 내지 0.5% 포함하고, Sn 및 Sb: 단독으로 첨가되거나 복합으로 첨가되어 0.02% 내지 0.2% 포함하고, 잔부는 Fe 및 기타 불순물을 포함한다.
또한, 상기 무방향성 전기강판은, 중량%로, C: 0.005%이하(0%를 포함하지 않는다), Si: 1% 내지 4%, S:0.001% 내지 0.005%, N:0.005%이하(0%를 포함하지 않는다), 및, Ti: 0.005%이하(0%를 포함하지 않는다)를 더 포함할 수 있다.
먼저 성분 한정의 이유에 대하여 설명한다.
Mn은 0.1 중량% 이상 첨가되어 비저항을 높여 철손을 낮추는 원소이면서 집합조직을 향상시킨다. 그러나 0.64 중량% 초과이면 자속밀도가 감소될 수 있다..
P는 비저항을 증가시켜 철손을 낮추고 결정립계에 편석하여 집합조직을 향상시키지만 0.1% 초과이면 결정립 성장을 억제하며 냉간압연성도 열위하게 할 수 있다.
Al은 0.1 중량% 이상 첨가되어 비저항을 증가시켜 철손을 감소시키고 자기 이방성을 감소시킨다. 0.5 중량% 초과이면 자속밀도가 감소할 수 있다.
Sn 및 Sb 는 단독으로 첨가되거나 복합으로 0.02% 이상 첨가되어 결정립계를 통한 질소의 확산을 억제하며 자성에 해로운 {111}, {112} 집합조직의 형성을 억제하고 자성에 유리한 {100} 및 {110} 집합조직을 증가시켜 자기적 특성을 향상시킬 수 있다. 그러나, 0.2% 초과이면 결정립 성장을 억제하여 자성을 떨어뜨리며 압연성을 열위시킬 수 있다.
C은 탄화물을 형성하여 자성을 열위시키며 최종제품에서 전기 제품으로 가공 후 사용 시 자기시효에 의하여 철손을 높일 수 있으므로 0.005%이하로 첨가될 수 있다.
Si는 1중량% 이상 첨가되어 와류손실을 낮춘다. 그러나 4 중량% 초과이면 자속밀도가 열위하게 되며 압연성이 저하될 수 있다.
S는 0.001 중량% 미만이면 집합 조직 형성에 불리하여 자성이 저하될 수 있고 0.005%초과인 경우는 미세한 황화물의 증가로 인해 자성이 열위해질 수 있다.
N은 질화물을 형성하여 결정립성장을 억제하는 등 자성에 해로운 원소이므로 0.005중량% 이하로 첨가될 수 있다.
Ti는 미세한 탄화물과 질화물을 형성하여 결정립성장을 억제하여 집합 조직도 열위하게 되어 자성이 나빠지게 되므로 0.005%이하로 첨가될 수 있다.
또한, [Mn]≥[Al] 및 1.2≤([Mn]/[Al]+[P]+2*[Sn])≤2.5을 만족할 수 있다. 여기서, 상기 [Al], [Mn], [P], [Sn]은 각각 Al, Mn, P, Sn의 첨가량(중량%)을 의미한다.
Mn과 Al은 철손을 낮추는 역할을 하지만 첨가량이 증가함에 따라 자속밀도가 감소한다. 그러나 Mn 은 Al에 비하여 자속밀도 열화의 정도가 적음을 발견하였다. 따라서 [Mn]<[Al] 일 경우 자속밀도를 열위시킬 수 있다.
또한, 상기 [Mn]/[Al]+[P]+2*[Sn] 의 값이 1.2 미만이면 자성이 열위될 수 있고 상기 [Mn]/[Al]+[P]+2*[Sn] 의 값이 2.5 초과이면 결정립 성장이 과도하게 억제되어 자성이 열위될 수 있다.
또한, 상기 무방향성 전기강판의 결정립의 입경은 50㎛ 내지 150㎛ 일 수 있다.
상기 전기강판은 (V{100}+V{110})/(V{111}+V{112})≥0.5 일 수 있다. 여기서, 상기 V{100}, V{110}, V{111} 및 V{112} 은 각각 {100}, {110}, {111}, {112} 조직의 부피 분율을 의미한다. (V{100}+V{110})/(V{111}+V{112})의 값이 0.5 미만이면 자성에 해로운 조직의 부피분율이 많아 전기강판의 특성이 열위된다.
상기 기재의 무방향성 전기강판을 제조하기 위한 공정에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 무방향성 전기강판의 제조방법은 먼저 중량%로, Mn: 0.1% 내지 0.64%, P:0.1%이하(0%를 포함하지 않는다), 및 Al: 0.1% 내지 0.5% 포함하고, Sn 및 Sb: 단독으로 첨가되거나 복합으로 첨가되어 0.02% 내지 0.2% 포함하고, 잔부는 Fe 및 기타 불순물을 포함하는 슬라브를 제공한다.
상기 슬라브는 중량%로, C: 0.005%이하(0%를 포함하지 않는다), Si: 1% 내지 4%, S:0.001% 내지 0.005%, N:0.005%이하(0%를 포함하지 않는다), 및, Ti: 0.005%이하(0%를 포함하지 않는다)를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 슬라브는 [Mn]≥[Al], 및 1.2≤([Mn]/[Al]+[P]+2*[Sn])≤ 2.5을 만족할 수 있다. 여기서, 상기 [Al], [Mn], [P], [Sn]은 각각 Al, Mn, P, Sn의 첨가량(중량%)을 의미한다.
슬라브에서 조성 한정의 이유는 무방향성 전기강판에서 한정의 이유와 같다.
상기 기재의 슬라브를 가열한다. 이때 가열온도는 1200℃이하일 수 있다. 1200℃초과인 경우 슬라브 내에 존재하는 AlN, MnS등의 석출물이 재고용된 후 열간압연시 미세 석출되어 결정립 성장을 억제하고 자성을 저하시킬 수 있다.
상기 가열이 완료된 슬라브는 열간 압연하여 열연판을 제조한다. 열간 압연시 마무리압연은 페라이트상에서 종료하는 것일 수 있다.
상기 열연판을 열연판 소둔을 하여 열연 소둔판을 제조한다.
상기 열연판 소둔하는 단계는 승온 단계 및 균열 단계를 포함하고, 상기 승온 단계에서 승온속도는 10℃/초 이하일 수 있다. 10℃/초 초과일 경우, 결정립 성장이 원활하지 않아 냉간압연 후 소둔 시 자성에 유리한 집합조직이 생성되기 어려울 수 있다.
또한, 열연판 소둔하는 단계 중 균열 단계에서 균열 온도는 950℃내지 1150℃일 수 있다. 950℃미만이면 결정립 성장이 불충분하여 냉간압연 후 소둔 시 자성에 유리한 집합조직을 얻기가 어려울 수 있으며, 1150℃초과인 경우 결정립이 과도하게 성장하고 판 표면 결함이 과다해질 수 있다.
상기 열연 소둔판을 냉간 압연한다. 1회의 냉간 압연에 의하여 최종 두께까지 냉간 압연을 할 수 있으며, 1회 이상의 중간소둔을 포함하는 2회 이상의 냉간 압연에 의할 수도 있다.
냉간 압연이 완료된 냉연판은 냉연판 소둔을 실시한다.
냉연판을 소둔시 소둔 온도는 900 내지 1100℃일 수 있다. 900℃미만이면 결정립의 성장이 미흡하여 자성에 해로운 집합 조직인 {111} 조직이 증가하며, 1100℃초과인 경우 결정립이 과도하게 성장하여 자성에 나쁜 영향을 미칠 수 있다.
이하, 실시예를 통해 상세히 설명한다. 단 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[
실시예
1]
표 1과 같은 조성의 슬라브를 준비하였다(각 원소의 함량은 중량%이다). 상기 슬라브를 1160℃에서 가열하고, 2.5mm의 두께로 열간 압연하여 열연판을 제조하였다. 이후 열연강판은 8℃초의 승온속도로 상온에서 균열온도:1080℃까지 승온한 후 70초간 균열하였다. 이후 0.50mm 두께로 냉간 압연하고, 냉연판 소둔을 표2와 같은 조건에서 100초간 소둔하였다. 각각의 시편에 대하여EBSD, X-ray pole figure test를 통해 집합조직의 분율을 측정하였으며 결정립의 입경을(Grain size)을 intercept method를 사용하여 측정하였고 철손(W15/50)과 자속밀도(B50)를 측정하여 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
1) 철손(W15/500)은 50Hz주파수에서 1.5Tesla의 자속밀도가 유기되었을 때의 압연방향과 압연방향 수직방향의 평균 손실(W/kg)임.
2) 자속밀도(B50)은 5000A/m의 자기장을 부가하였을 때 유도되는 자속밀도의 크기(Tesla)임.
상기 표 2에 나타난 바와 같이, 본 발명의 [Mn], [Al], [P], [Sn] 및 상기 Al, Mn, P 및 Sn이 [Mn]≥[Al] 및 1.2≤([Mn]/[Al]+[P]+2*[Sn])≤2.5의 조성식(상기 [Al], [Mn], [P], [Sn]은 각각 Al, Mn, P, Sn의 첨가량(중량%))을 만족한 강종 A1, A2, A3, A6, A7, A8, A9는 집합조직 측정 결과, 냉연판 소둔(ACL) 후의 표면 집합조직에서 (V{100}+V{110})/(V{111}+V{112})≥0.5를 만족하고 결정립 입경도 50 내지 150㎛를 만족하여 그 결과 철손 W15/50과 자속밀도 B50이 우수하게 나타났다.
반면, A4는 Mn, Al, P, Sn이 각각 관리범위는 만족하였으나 상기 조성식 [Mn]≥[Al] 및 1.2≤([Mn]/[Al]+[P]+2*[Sn])≤2.5을 만족하지 못하였으며 그 결과, 집합조직 측정 결과 (V{100}+V{110})/(V{111}+V{112})≥0.5를 만족하지 못하여 철손과 자속밀도가 열위하게 나타났다.
A5는 Al이 관리범위는 만족하지 못하였고 또한 상기 조성식 1.2≤([Mn]/[Al]+[P]+2*[Sn])≤2.5을 만족하지 못하였으며 그 결과, 집합조직 측정 결과 (V{100}+V{110})/(V{111}+V{112})≥0.5를 만족하지 못하여 철손과 자속밀도가 열위하게 나타났다.
A10은 Mn, Al, P, Sn이 각각 관리범위는 만족하였고 상기 조성식 [Mn]≥[Al]도 만족하였으나 조성식 1.2≤([Mn]/[Al]+[P]+2*[Sn])≤2.5을 만족하지 못하였으며 그 결과, 집합조직 측정 결과 (V{100}+V{110})/(V{111}+V{112})≥0.5를 만족하지 못하여 철손과 자속밀도가 열위하게 나타났다.
또한, A111은 Mn, Al, Sn이 각각 관리범위는 만족하였으나 P가 관리범위를 만족하지 못하였으며 상기 조성식 1.2≤([Mn]/[Al]+[P]+2*[Sn])≤2.5을 만족하지 못하였고 그 결과, 집합조직 측정 결과 (V{100}+V{110})/(V{111}+V{112})≥0.5를 만족하지 못하여 철손과 자속밀도가 열위하게 나타났다.
[
실시예
2]
표 3과 같은 조성의 슬라브를 준비하였다(각 원소의 첨가량은 중량%이다). 상기 슬라브를 1150℃에서 가열하고 2.2mm의 두께로 열간압연한 후 권취하였다. 이후 열연판 소둔시 상온에서부터 균열온도까지 가열속도 및 균열온도를 표4와 같이 하여 70초간 소둔하였다. 이후 0.50mm 두께로 냉간 압연하고, 냉연판 소둔은 표 4 의 소둔온도에서 110초간 소둔하였다. 각각의 시편에 대하여EBSD, X-ray pole figure test를 통해 집합조직의 분율을 측정하였으며 결정립 입경(grain size)을 intercept method를 사용하여 측정하였고 철손(W15/50)과 자속밀도(B50)를 측정하여 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다.
1) 철손(W15/500)은 50Hz주파수에서 1.5Tesla의 자속밀도가 유기되었을 때의 압연방향과 압연방향 수직방향의 평균 손실(W/kg)임.
2) 자속밀도(B50)은 5000A/m의 자기장을 부가하였을 때 유도되는 자속밀도의 크기(Tesla)임.
상기 표 4에 나타난 바와 같이, 본 발명의 [Mn], [Al], [P], [Sn] 및 상기 Al, Mn, P 및 Sn이 [Mn]≥[Al] 및 1.2≤([Mn]/[Al]+[P]+2*[Sn])≤2.5의 조성식(상기 [Al], [Mn], [P], [Sn]은 각각 Al, Mn, P, Sn의 첨가량(중량%))을 만족하면서 열연판 소둔시 승온속도 10℃/초이하, 균열온도 950 내지 1150℃ 및 냉연판 소둔온도 900 내지 1100℃를 만족한 강종 B1, B2, B3, B7, B8, B9, B10은 집합조직 측정 결과, 냉연판 소둔(ACL) 후의 표면 집합조직에서 (V{100}+V{110})/(V{111}+V{112})≥0.5를 만족하고 결정립 입경도 50 내지 150㎛를 만족하여 그 결과 철손 W15/50과 자속밀도 B50이 우수하게 나타났다.
반면, B4는 성분 범위 및 상기 관계식을 만족하였으나 열연판 소둔시 승온속도가 10℃/초이하를 만족하지 못하였기 때문에 집합조직 측정 결과 (V{100}+V{110})/(V{111}+V{112})≥0.5를 만족하지 못하여 그 결과 철손과 자속밀도가 열위하게 나타났다.
B5는 성분 범위 및 상기 관계식을 만족하였으나 열연판 소둔시 균열온도가 950 내지 1150℃를 만족하지 못하였기 때문에 집합조직 측정 결과 (V{100}+V{110})/(V{111}+V{112})≥0.5를 만족하지 못하여 그 결과 철손과 자속밀도가 열위하게 나타났다.
한편, B6은 성분 범위 및 상기 관계식을 만족하였으나 냉간압연 후 냉연판 소둔 온도가 900 내지 1100℃를 만족하지 못하고 너무 높았기 때문에 집합조직 측정 결과 (V{100}+V{110})/(V{111}+V{112})≥0.5를 만족하지 못하였고 결정립의 입경이50 내지 150㎛를 만족하지 못하였기 때문에 그 결과 철손과 자속밀도가 열위하게 나타났다.
또한, B11은 성분 범위는 만족하였으나 1.2≤([Mn]/[Al]+[P]+2*[Sn])≤2.5의 조성식(상기 [Al], [Mn], [P], [Sn]은 각각 Al, Mn, P, Sn의 첨가량(중량%))의 관계식을 만족하지 못하였으며 열연판 소둔시 균열속도도 10℃/초이하를 만족하지 못하였기 때문에 집합조직 측정 결과 (V{100}+V{110})/(V{111}+V{112})≥0.5를 만족하지 못하여 그 결과 철손과 자속밀도가 열위하게 나타났다.
B12도 B11과 마찬가지로 성분 범위는 만족하였으나 상기 Al, Mn, P 및 Sn이 [Mn]≥[Al] 및 1.2≤([Mn]/[Al]+[P]+2*[Sn])≤2.5의 조성식(상기[Al], [Mn], [P], [Sn]은 각각 Al, Mn, P, Sn의 첨가량(중량%))을 만족하지 못하였으며 열연판 소둔시 균열온도도 950 내지 1150℃를 만족하지 못하였기 때문에 집합조직 측정 결과 (V{100}+V{110})/(V{111}+V{112})≥0.5를 만족하지 못하여 그 결과 철손과 자속밀도가 열위하게 나타났다.
이상 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변경된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
Claims (10)
- 중량%로, Mn: 0.1% 내지 0.64%, P:0.1%이하(0%를 포함하지 않는다), Al: 0.1% 내지 0.5%, C: 0.005%이하(0%를 포함하지 않는다), Si: 1% 내지 4%, S:0.001% 내지 0.005%, N:0.005%이하(0%를 포함하지 않는다), 및, Ti: 0.005%이하(0%를 포함하지 않는다)를 포함하고, Sn 및 Sb: 단독으로 첨가되거나 복합으로 첨가되며 첨가량 합은 0.02% 내지 0.2% 를 포함하고, 잔부는 Fe 및 기타 불순물을 포함하며,
[Mn]≥[Al], 및 1.2≤([Mn]/[Al]+[P]+2*[Sn])≤2.5을 만족하고,
(V{100}+V{110})/(V{111}+V{112})≥0.5 인 무방향성 전기강판.
(여기서, 상기 [Al], [Mn], [P], [Sn]은 각각 Al, Mn, P, Sn의 첨가량(중량%)을 의미한다)
(여기서, 상기 V{100}, V{110}, V{111} 및 V{112} 은 각각 {100}, {110}, {111}, {112} 조직의 부피 분율을 의미한다)
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 전기강판은 철손(W15/50)이 3.0W/Kg 이하이고, 자속밀도(B50)가 1.69T 이상인 무방향성 전기강판.
- 중량%로, Mn: 0.1% 내지 0.64%, P:0.1%이하(0%를 포함하지 않는다), Al: 0.1% 내지 0.5%, C: 0.005%이하(0%를 포함하지 않는다), Si: 1% 내지 4%, S:0.001% 내지 0.005%, N:0.005%이하(0%를 포함하지 않는다), 및, Ti: 0.005%이하(0%를 포함하지 않는다)를 포함하고, Sn 및 Sb: 단독으로 첨가되거나 복합으로 첨가되어 0.02% 내지 0.2% 포함하고, 잔부는 Fe 및 기타 불순물을 포함하고, [Mn]≥[Al], 및 1.2≤([Mn]/[Al]+[P]+2*[Sn])≤2.5을 만족하는 슬라브를 제공하는 단계
상기 슬라브를 가열한 후 열간 압연하여 열연판을 제조하는 단계
상기 열연판을 열연판 소둔하여 열연 소둔판을 제조하는 단계 및
상기 열연 소둔판을 냉간 압연한 후 냉연판 소둔하는 단계를 포함하되,
상기 열연판 소둔하는 단계는 승온 단계 및 균열 단계를 포함하고,
상기 승온 단계에서 승온속도는 10℃/초 이하이고,
제조된 무방향성 전기강판은 (V{100}+V{110})/(V{111}+V{112})≥0.5 인 무방향성 전기강판의 제조방법.
(여기서, 상기 [Al], [Mn], [P], [Sn]은 각각 Al, Mn, P, Sn의 첨가량(중량%)을 의미한다)
(여기서, 상기 V{100}, V{110}, V{111} 및 V{112} 은 각각 {100}, {110}, {111}, {112} 조직의 부피 분율을 의미한다)
- 제 5 항에 있어서,
상기 열연판 소둔하는 단계 중 균열 단계에서 균열 온도는 950℃내지 1150℃인 무방향성 전기강판의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 제 6 항에 있어서,
상기 슬라브를 가열한 후 열간 압연하여 열연판을 제조하는 단계에서,
슬라브 가열 온도는 1200℃이하인 무방향성 전기강판의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,
상기 냉연판 소둔 하는 단계에서 냉연판 소둔 온도는 900℃내지 1100℃인 무방향성 전기강판의 제조방법.
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