KR20160067521A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 로딩하고 로딩된 상기 기판의 전면에 박막을 형성할 수 있는 기판 가공 장치와, 상기 기판 가공 장치와 연결되어 상기 기판의 변형치를 계측할 수 있는 기판 변형 계측 모듈과, 상기 기판 가공 장치와 연결되어 상기 기판의 후면을 가공할 수 있는 기판 후면 처리 모듈과, 상기 기판 후면 처리 모듈에 후면 처리 제어 신호를 인가하여 상기 기판의 후면 가공을 제어하고, 상기 기판 변형 계측 모듈로부터 측정된 상기 기판의 변형치에 대한 정보를 인가받아, 상기 기판의 변형치가 기준범위 이내에 들어오도록 하는 기판 후면 가공 정보를 획득하는 제어부를 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate processing device and substrate processing method}
본 발명은 기판 처리 기술에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 샘플링을 통해 기판 후면 처리 정보를 획득할 수 있게 하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 각종 기판은 다양한 공정을 통해서 그 전면에 복잡하고 다양한 형태의 적어도 하나 이상의 층이 적층될 수 있다. 이에 비하여 기판의 후면은 그렇지 않은 상태일 수 있다. 기존의 기판은 전면과 하면의 구조가 이처럼 상이하기 때문에 전면 및 하면에 작용하는 응력, 스트레스, 열팽창 등 각종 기계적, 물리적, 화학적, 열적 특성 등이 상이할 수 있다.
종래에는 이러한 기판의 전면과 하면 간의 특성 차이에 대한 고려가 없었기 때문에 공정이 진행될수록 기판이 위로 볼록하게 휘거나, 아래로 볼록하게 휘거나, 부분적으로 변형되는 등 기판의 각종 변형 현상이 발생되었다.
이러한 기판의 변형은 이에 대한 대책이 수립되지 않은 포토 장비 등 각종 반도체 공정 장비에 있어서 불량이 발생되는 주요 원인이 되는 치명적인 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 샘플링을 통해 양산용 기판 후면 처리 정보를 획득할 수 있고, 이를 이용하여 양산시 기판 후면에 기판의 변형을 고려한 패턴을 형성하거나 부분적으로 어닐링할 수 있게 하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 로딩하고 로딩된 상기 기판의 전면에 박막을 형성할 수 있는 기판 가공 장치와, 상기 기판 가공 장치와 연결되어 상기 기판의 변형치를 계측할 수 있는 기판 변형 계측 모듈과, 상기 기판 가공 장치와 연결되어 상기 기판의 후면을 가공할 수 있는 기판 후면 처리 모듈과, 상기 기판 후면 처리 모듈에 후면 처리 제어 신호를 인가하여 상기 기판의 후면 가공을 제어하고, 상기 기판 변형 계측 모듈로부터 측정된 상기 기판의 변형치에 대한 정보를 인가받아, 상기 기판의 변형치가 기준범위 이내에 들어오도록 하는 기판 후면 가공 정보를 획득하는 제어부를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제어부는, 상기 박막에 의해 가해지는 상기 기판의 변형량을 보상하도록 상기 기판 후면 처리 모듈에 제 1 후면 처리 제어 신호를 인가하고, 후면 가공된 상기 기판의 변형치를 인가받고, 상기 후면 가공 후의 상기 기판의 변형치가 기준범위 이내인지를 판단하여 기준범위를 벗어나면, 상기 후면 가공 후의 상기 기판의 변형치와 상기 기준범위와의 차이를 보상하도록 상기 후면 처리 모듈에 상기 기판의 후면을 가공하기 위한 제 2 후면 처리 제어 신호를 인가하는 단계를 반복하여, 기준범위 이내이면 상기 제 1 후면 처리 제어 신호 및 상기 제 2 후면 처리 제어 신호의 누적 정보로부터 상기 후면 가공 정보를 획득하는 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 기판 처리 장치는, 상기 제어부와 통신하고, 상기 박막에 의해 가해지는 상기 기판의 변형량에 대한 정보 및 상기 기판의 변형량에 따른 후면 제어 정보를 저장하고 있는 메모리부;를 포함할 수 있다. 상기 제어부는 상기 메모리부로부터 상기 박막에 의해 가해지는 상기 기판의 변형량에 대한 정보 및 상기 기판의 변형량에 따른 후면 제어 정보를 읽어서 상기 제 1 후면 처리 제어 신호를 생성할 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제어부는, 상기 박막 증착 전의 상기 기판의 변형량을 인가받고, 상기 제 1 후면 처리 제어 신호는 상기 박막 증착 전의 상기 기판의 변형량과 상기 박막에 의해 가해지는 상기 기판의 변형량을 함께 보상하도록 상기 기판 후면 처리 모듈에 인가될 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 기판 가공 장치는, 적어도 이에프이엠(EFEM: Equipment Front End Module), 로드락 모듈, 트랜스퍼 모듈, 공정 모듈 및 이들의 조합 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 기판 변형 계측 모듈은 이송 로봇이 설치된 상기 트랜스퍼 모듈의 일면에 설치되고, 상기 기판 후면 처리 모듈은 상기 트랜스퍼 모듈의 타면에 설치될 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 기판 변형 계측 모듈은 이송 로봇이 설치된 상기 이에프이엠의 일면에 설치되고, 상기 기판 후면 처리 모듈은 상기 이에프이엠의 타면에 설치될 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 기판 변형 계측 모듈은 이송 로봇이 설치된 상기 로드락 모듈의 일면에 설치되고, 상기 기판 후면 처리 모듈은 상기 로드락 모듈의 타면에 설치될 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 로드락 모듈은 상기 트랜스퍼 모듈의 기능을 겸하도록 이송 로봇이 설치되고, 상기 기판 변형 계측 모듈은 이송 로봇이 설치된 상기 이에프이엠의 일면에 설치되고, 상기 기판 후면 처리 모듈은 상기 이에프이엠의 타면에 설치될 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 로드락 모듈은 상기 트랜스퍼 모듈의 기능을 겸하도록 이송 로봇이 설치되고, 상기 기판 변형 계측 모듈은 이송 로봇이 설치된 상기 로드락 모듈의 일면에 설치되고, 상기 기판 후면 처리 모듈은 상기 로드락 모듈의 타면에 설치될 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 기판 후면 처리 모듈은, 기판 후면 처리 챔버; 상기 기판 후면 처리 챔버 내부에 설치되고, 상기 기판을 지지하는 기판 지지대; 및 XY 스테이지에 설치되어 상기 XY 스테이지에 의해 X축 방향 또는 Y축 방향으로 이송될 수 있고, 상기 기판 지지대에 거치된 상기 기판의 후면에 레이저 광을 조사할 수 있는 레이저 장치를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 레이저 장치는 상기 기판 후면 처리 챔버의 내부에 설치될 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 레이저 장치는, 상기 기판 후면 처리 챔버의 외부에 설치되고, 투명창을 통해서 상기 기판 후면 처리 챔버의 내부로 레이저 광을 조사할 수 있는 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 기판 후면 처리 모듈은, 상기 기판의 후면 중 적어도 일부분을 에칭하여 패턴을 형성하는 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 기판 후면 처리 모듈은, 상기 기판의 후면 중 적어도 일부분을 어닐링 처리하는 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 기판 변형 계측 모듈 및 상기 기판 후면 처리 모듈은 적어도 상기 이에프이엠(EFEM: Equipment Front End Module), 상기 로드락 모듈 및 상기 트랜스퍼 모듈 중 어느 하나의 내부에 설치될 수 있다.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 기판 처리 방법은, 기판의 전면에 박막을 증착하는 공정 단계와, 상기 박막에 의해 가해지는 상기 기판의 변형량을 보상하도록 상기 기판의 후면을 1차 가공하는 단계와, 1차 가공된 상기 기판의 변형치를 측정하는 단계와, 1차 가공된 상기 기판의 변형치가 기준범위 이내인지를 판단하고, 상기 기준범위를 벗어나면 상기 후면 가공 후의 상기 기판의 변형치와 상기 기준범위와의 차이를 보상하도록 상기 기판의 후면을 2차 가공하는 단계를 반복하여, 기준범위 이내이면 상기 기판의 1차 가공 및 2차 가공의 누적 정보로부터 후면 가공 정보를 획득하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 박막 증착 전에 상기 기판의 변형량을 측정하는 단계를 포함하고, 상기 1차 가공하는 단계는 상기 박막 증착 전의 상기 기판의 변형량과 상기 박막에 의해 가해지는 상기 기판의 변형량을 함께 보상하도록 수행될 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 기판의 후면을 1차 가공하는 단계 및 2차 가공하는 단계는, 상기 기판 후면 중 적어도 일부분을 에칭하여 패턴을 형성하는 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 기판의 후면을 1차 가공하는 단계 및 2차 가공하는 단계는, 상기 기판 후면 중 적어도 일부분을 어닐링 처리하는 것일 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 샘플링을 통해 획득된 양산용 기판 후면 처리 정보를 이용하여 양산시 기판 후면에 기판의 변형을 고려한 패턴을 형성하거나 부분적으로 어닐링할 수 있어서 후면 처리를 위한 추가 시간이나 추가 비용을 최소화하여 경제적인 장비 운용과, 제품의 생산 단가를 크게 절감할 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 여러 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 개념도이다.
도 6은 도 1의 기판 처리 장치에 의해 후면이 처리된 기판의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치(100)를 나타내는 개념도이다.
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치(100)는, 기판 가공 장치(미도시)와, 기판 변형 계측 모듈(60) 및 기판 후면 처리 모듈(50)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 가공 장치는 기판을 로딩하고 로딩돈 기판의 전면에 박막을 형성하도록 제공되고, 기판 변형 계측 모듈(60)은 기판 가공 장치와 연결되어 기판의 변형치를 계측하도록 제공되고, 기판 후면 처리 모듈(50)은 기판 가공 장치와 연결되어 기판의 후면을 가공하도록 제공될 수 있다.
여기서, 상기 기판 가공 장치란, 적어도 이에프이엠(EFEM: Equipment Front End Module)(10), 로드락 모듈(20), 트랜스퍼 모듈(30), 공정 모듈(40) 및 이들의 조합 중 어느 하나를 포함하는 개념일 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 로드락 모듈(20)은, 기판이 적재된 카세트가 안착될 수 있고, 내부에 제 1 진공 환경을 조성할 수 있는 적어도 하나 이상의 진공 챔버 구조체 또는 장치나 장비의 일부분일 수 있다.
도시하지 않았지만, 이러한 상기 로드락 모듈(20)은 각종 게이트나 진공 펌프나 진공 라인이나 기판 안착 장치 등이 추가로 설치될 수 있다. 따라서, 상기 로드락 모듈(20)은 도면에 반드시 국한되지 않는다.
또한, 예컨데, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 트랜스퍼 모듈(30)은 상기 제 1 진공 환경과 동일하거나 상기 제 1 진공 환경 보다 진공도가 더 높은 제 2 진공 환경을 조성할 수 있고, 상기 로드락 모듈(20)로부터 상기 기판을를 인계받아서 적어도 하나 이상의 방향으로 상기 기판을 전달할 수 있는 챔버 구조체 또는 장치나 장비의 일부분일 수 있다. 여기서, 상기 공정 모듈(40)의 개수는 매우 다양한 개수로 설치될 수 있다.
이러한 상기 트랜스퍼 모듈(30)은 상기 로드락 모듈(20)에서 상기 기판을 전달받을 수 있는 매우 다양한 형태의 이송 로봇이 설치될 수 있고, 도시하지 않았지만, 이외에도 각종 게이트나 진공 펌프나 진공 라인 등이 추가로 설치될 수 있다. 따라서, 상기 트랜스퍼 모듈(30)은 도면에 반드시 국한되지 않는다.
또한, 예컨데, 상기 기판 변형 계측 모듈(60)은, 상기 트랜스퍼 모듈(30)로부터 상기 기판을 전달받아서 상기 기판의 변형을 계측할 수 있는 챔버 구조체 또는 장치나 장비의 일부분일 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 기판 변형 계측 모듈(60)은, 상기 트랜스퍼 모듈(30)과 연결되는 기판 변형 계측 챔버 및 상기 기판 변형 계측 챔버에 설치되고, 상기 기판의 변형을 계측하는 기판 변형 계측기를 포함할 수 있다.
나아가, 기판 처리 장치(100)는, 기판 가공 장치, 기판 변형 계측 모듈(60) 및/또는 기판 후면 처리 모듈(50)과 통신하여, 기판의 후면 가공에 사용될 기판 후면 가공 정보를 획득하는 제어부(미도시)를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제어부는, 기판 후면 처리 모듈(50)에 후면 처리 제어 신호를 인가하여 기판의 후면 가공을 제어하고, 기판 변형 계측 모듈(60)로부터 측정된 기판의 변형치에 대한 정보를 인가받아, 기판의 변형치가 기준범위 이내에 들어오도록 하는 기판 후면 가공 정보를 획득할 수 있다. 여기에서 기판의 변형치는 평평한 상태에서 벗어난 기판의 상태 정보로, 예컨대 휨(warpage) 정보를 포함할 수 있다. 또한, 기판의 변형치에 대한 기준범위는 이상적으로는 기판의 변형이 없는 평평한 상태를 의미할 수 있으나, 실질적으로는 후속 공정에서 용인되는 범위로 수행하고자 하는 공정 집적도뿐만 아니라, 공정 난이도, 공정 마진 등을 고려하여 설정될 수 있다.
예를 들어, 상기 제어부는 기판 상에 형성되는 박막에 의해 가해지는 기판의 변형량을 보상하도록 기판 후면 처리 모듈(50)에 제 1 후면 처리 제어 신호를 인가할 수 있다. 이어서, 제어부는 후면 가공된 기판의 변형치를 인가받고, 후면 가공 후의 기판의 변형치가 기준범위 이내인지를 판단하여 기준범위 이내이면, 위 제 1 후면 처리 제어 신호로부터 후면 가공 정보를 획득할 수 있다.
반면, 기준범위를 벗어나면, 후면 가공 후의 기판의 변형치와 기준범위와의 차이를 보상하도록 후면 처리 모듈에 기판의 후면을 가공하기 위한 제 2 후면 처리 제어 신호를 인가하는 단계를 1회 이상 반복할 수 있다. 매 반복 후 후면 가공 후의 기판의 변형치가 기준범위 이내인지를 판단하여 기준범위 이내이면 제 1 후면 처리 제어 신호 및 제 2 후면 처리 제어 신호의 누적 정보로부터 후면 가공 정보를 획득할 수 있다. 이러한 후면 가공 정보는 동일 또는 유사 박막 공정을 진행해야 하는 다른 기판들에 대한 후면 가공에 일괄적으로 적용될 수 있다.
한편, 기판 처리 장치는 상기 제어부와 통신하고, 상기 박막에 의해 가해지는 상기 기판의 변형량에 대한 정보 및/또는 상기 기판의 변형량에 따른 후면 제어 정보를 저장하고 있는 메모리부(미도시)를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제어부는 상기 메모리부로부터 상기 박막에 의해 가해지는 상기 기판의 변형량에 대한 정보 및/또는 상기 기판의 변형량에 따른 후면 제어 정보를 읽어서 제 1 후면 처리 제어 신호를 생성할 수 있다. 예컨대, 메모리부는 박막의 종류나 두께에 따라서 기판의 변형량에 대한 추정 정보를 가질 수 있고, 이러한 기판의 변형량에 따라서 제 1 후면 처리 제어 신호를 생성하기 위한 초기 후면 가공 정보를 저장할 수 있다. 이 실시예의 변형된 예에서, 박막에 의해 가해지는 기판의 변형량에 대한 정보 및 기판의 변형량에 따른 후면 제어 정보 중 어느 하나 또는 둘 다가 매번 사용자에 의해서 입력될 수도 있다.
다른 예로, 제어부는, 상기 박막 증착 전의 상기 기판의 변형량을 더 인가받을 수 있다. 이 경우, 제 1 후면 처리 제어 신호는 상기 박막 증착 전의 상기 기판의 변형량과 상기 박막에 의해 가해지는 상기 기판의 변형량을 함께 보상하도록 설정될 수 있다.
상기 기판 변형 계측기는, 기판의 변형이나, 응력이나 두께(기판의 두께나 박막의 두께 등) 등을 감지할 수 있는 카메라, 비젼 센서, 비접촉식 센서, 레벨 센서, 초음파 센서, 자기장 센서, 스트레인 게이지, 스트레스 게이지, 휨 게이지 등 매우 다양한 형태의 센서나 계측 장치 등이 적용될 수 있다.
상기 제어부는 각종 연산 장치나, 마이크로 프로세서나, 중앙 처리 장치나, 회로 기판이나, 제어 패널이나, 기억 장치나, 명령 입력 장치나, 프로그램이 저장된 저장 장치 등 각종 전자 부품이나 전기적인 신호의 형태로 적용될 수 있다. 예를 들어, 제어부에서 신호 처리는 해당 신호가 저장된 프로그램을 수행하는 형태로 진행될 수 있다.
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 기판 후면 처리 모듈(50)은, 상기 트랜스퍼 모듈(30)로부터 상기 기판을 전달받아서 상기 기판의 응력을 제어할 수 있도록 상기 기판의 후면을 처리하는 챔버 구조체 또는 장치나 장비의 일부분일 수 있다.
예를 들어, 기판 후면 처리 모듈(50)은 상기 기판의 후면 중 적어도 일부분을 에칭하여 패턴을 형성하는 것이거나 또는 상기 기판의 후면 중 적어도 일부분을 어닐링 처리하는 것일 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 기판 후면 처리 모듈(50)은, 상기 트랜스퍼 모듈(30)과 연결되는 기판 후면 처리 챔버와, 상기 기판 후면 처리 챔버 내부에 설치되고, 상기 기판을 지지하는 기판 지지대 및 XY 스테이지에 설치되어 상기 XY 스테이지에 의해 X축 방향 또는 Y축 방향으로 이송될 수 있고, 상기 기판 지지대에 거치된 상기 기판의 후면에 레이저 광을 조사할 수 있는 레이저 장치를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 레이저 장치는 상기 기판 후면 처리 챔버의 내부에 설치되거나, 상기 기판 후면 처리 챔버의 외부에 설치되고, 투명창을 통해서 상기 기판 후면 처리 챔버의 내부로 레이저 광을 조사할 수 있거나, 상기 기판의 후면 중 적어도 일부분을 에칭하여 패턴을 형성하거나, 상기 기판의 후면 중 적어도 일부분을 어닐링 처리할 수 있다.
그러나, 상기 기판 후면 처리 모듈(50)은 상기 레이저 장치에 반드시 국한되지 않고 상기 기판의 후면을 처리할 수 있는 모든 장치, 즉 각종 조사 장치, 가열 장치, 냉각 장치, 열처리 장치, 시트 부착 장치, 도포 장치, 접착 장치, 식각 장치, 증착 장치 등의 장치들이 모두 적용될 수 있다.
또한, 상기 XY 스테이지 역시, 이외에도 각종 이송 장치나, 이송 로봇이나, 각종 레이저 광 각도 조정 장치나 광학 장치 등 상기 레이저 광(L)이 조사되는 위치를 이동시킬 수 있는 모든 형태의 장치들이 적용될 수 있다.
한편, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 공정 모듈(40)(Process Module)은 내부에 공정 환경을 조성할 수 있고, 상기 트랜스퍼 모듈(30)로부터 기판을 전달받아 적어도 하나 이상의 공정을 진행할 수 있는 장치일 수 있다.
예컨대, 상기 공정 모듈(40)은, 상기 제 1 진공 환경 또는 상기 제 2 진공 환경과 같거나 다른 증착 공정 등 각종 공정이 이루어질 수 있는 공정 환경을 조성할 수 있고, 상기 트랜스퍼 모듈(30)로부터 상기 기판을 전달받아 공정을 진행할 수 있는 적어도 하나의 챔버 구조체 또는 장치나 장비의 일부분일 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 공정 모듈(40)은, 상기 기판의 전면에 예를 들어서, 각종 증착층들을 형성할 수 있도록 증착 공정을 진행할 수 있는 증착 모듈일 수 있다. 그러나, 이러한 상기 공정 모듈(40)은 증착 모듈에 반드시 국한되지 않고, 상기 기판의 전면(Wa)에 각종 적층 구조물, 예컨데, 산화막, 절연막, 에피택시막, 다결정 실리콘막, 비정질 실리콘막, 금속막, 도체막, 화학 기상 증착막, 물리 기상 증착막, 스퍼터링 박막, 이온주입 박막, 도금막 등의 반도체 박막 공정을 수행하는 각종 공정 모듈들이 모두 적용될 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 1의 기판 처리 장치(100)의 상기 공정 모듈(40)들을 통해서 상기 기판의 전면(Wa)에 매우 복잡하고 다양한 박막이 형성될 수 있다.
따라서, 도 6의 점선으로 표시된 바와 같이, 예컨대, 이러한 박막들이 상기 기판의 전면에 열적 또는 물리적 또는 화학적 스트레스, 즉 응력으로 작용하여 위로 복록하게 변형, 예컨대 굽힘, 뒤틀림, 왜곡될 수 있다.
그러나, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치(100)를 이용하면 도 6의 상기 기판의 후면(Wb)에 점, 선, 면 등의 패턴(P)을 형성할 수 있고, 이러한 상기 패턴(P)의 각종 형태, 즉 패턴폭(PW), 패턴간 거리(PS), 패턴의 깊이(PD) 등을 조절하여 상기 기판의 전체적인 또는 부분적인 응력을 상쇄시켜서 상기 기판을 평탄화시킬 수 있고, 미세화된 후속 공정에서 공정의 정밀도를 크게 향상시킬 수 있으며, 기판 워피지(warpage)로 인한 불량율을 크게 낮출 수 있다.
따라서, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치(100)의 작동 과정을 예를 들어서 설명하면, 먼저, 상기 로드락 모듈(20)이 로딩된 상기 기판을 인계받아 제 1 진공 환경을 조성할 수 있다.
이어서, 상기 트랜스퍼 모듈(30)이 상기 로드락 모듈(20)로부터 기판을 인계받아서 제 2 진공 환경을 조성하고, 상기 기판 변형 계측 모듈(60)로 상기 기판을 이송할 수 있다.
선택적으로, 상기 기판 변형 계측 모듈(60)이 상기 트랜스퍼 모듈(30)로부터 상기 기판을 전달받아서 상기 기판의 변형을 계측할 수 있다.
이어서, 상기 트랜스퍼 모듈(30)이 상기 기판 변형 계측 모듈(60)로부터 기판을 인계받아서 공정 모듈(40)로 상기 기판을 이송할 수 있다.
이어서, 상기 기판은 상기 공정 모듈(40)에서 박막 증착 등 1회 또는 다수회의 반도체 박막 형성 공정이 진행될 수 있다.
선택적으로, 상기 트랜스퍼 모듈(30)이 상기 공정 모듈(40)로부터 기판을 인계받아서 상기 기판 변형 계측 모듈(60)로 상기 기판을 이송하고, 상기 기판 변형 계측 모듈(60)이 상기 트랜스퍼 모듈(30)로부터 상기 기판을 전달받아서 상기 기판의 변형을 측정할 수 있다. 다만, 박막에 따른 기판 변형량 정보가 미리 저장된 경우에는 이 계측 공정이 생략될 수 있다.
이어서, 상기 기판 후면 처리 모듈(50)이 상기 트랜스퍼 모듈(30)로부터 상기 기판을 전달받아서 적어도 상기 박막에 의해서 가해지는 기판의 변형량을 보상하도록 기판 후면 처리 명령 신호에 따라 상기 기판의 응력을 제어할 수 있도록 상기 기판을 후면 가공할 수 있다.
이어서, 이러한 측정 과정과 후면 가공 과정을 진공압 상태에서 반복하면서 기준 범위 이내에 들어오는 최적의 양산용 후면 처리 정보를 진공 상태에서도 자동으로 획득할 수 있다.
그러므로, 샘플링을 통해 획득된 양산용 기판 후면 처리 정보를 이용하여 양산시 기판 후면에 기판의 변형을 고려한 패턴을 형성하거나 부분적으로 어닐링할 수 있어서 후면 처리를 위한 추가 시간이나 추가 비용을 최소화하여 경제적인 장비 운용과, 제품의 생산 단가를 크게 절감할 수 있다.
여기서, 상기 기판 변형 계측 모듈(60)은 이송 로봇이 설치된 상기 트랜스퍼 모듈(30)의 일면에 설치되고, 상기 기판 후면 처리 모듈(50)은 상기 트랜스퍼 모듈(30)의 타면에 설치될 수 있다.
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 기판 처리 장치(200)의 기판 변형 계측 모듈(60)은 이송 로봇이 설치된 상기 이에프이엠(10)의 일면에 설치되고, 상기 기판 후면 처리 모듈(50)은 상기 이에프이엠(10)의 타면에 설치될 수 있다.
한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 기판 처리 장치(300)의 기판 변형 계측 모듈(60)은 이송 로봇이 설치된 상기 로드락 모듈(20)의 일면에 설치되고, 상기 기판 후면 처리 모듈(50)은 상기 로드락 모듈(20)의 타면에 설치될 수 있다.
한편, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 기판 처리 장치(400)의 로드락 모듈(20)은 상기 트랜스퍼 모듈(30)의 기능을 겸하도록 이송 로봇이 설치되고, 상기 기판 변형 계측 모듈(60)은 이송 로봇이 설치된 상기 이에프이엠(10)의 일면에 설치되고, 상기 기판 후면 처리 모듈(50)은 상기 이에프이엠(10)의 타면에 설치될 수 있다.
한편, 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 기판 처리 장치(500)의 로드락 모듈(20)은 상기 트랜스퍼 모듈(30)의 기능을 겸하도록 이송 로봇이 설치되고, 상기 기판 변형 계측 모듈(60)은 이송 로봇이 설치된 상기 로드락 모듈(20)의 일면에 설치되고, 상기 기판 후면 처리 모듈(50)은 상기 로드락 모듈(20)의 타면에 설치될 수 있다.
상술된 상기 이에프이엠(10)은 공정 전 또는 공정 후 기판이 대기할 수 있는 구조체 또는 장치나 장비의 일부분일 수 있다.
예컨대, 상기 이에프이엠(10)은 계측 전 샘플링된 기판을 적재할 수 있는 적어도 하나 이상의 카세트가 안착될 수 있고, 계측 후 후면 처리된 기판을 적재할 수 있는 적어도 하나 이상의 카세트가 안착될 수 있는 테이블 또는 스테이지일 수 있다.
이러한 상기 이에프이엠(10)은 상기 카세트에서 상기 기판을 이송시킬 수 있는 매우 다양한 형태의 이송 로봇이 설치될 수 있고, 도시하지 않았지만, 이외에도 각종 승하강 장치나, 엘리베이터나, XYZ 스테이지나, 푸셔 등 각종 기판 인출 장치 등이 추가로 설치될 수 있다. 따라서, 상기 이에프이엠(10)은 도면에 반드시 국한되지 않는다. 여기서, 각 실시예들에서 상술된 상기 로드락 모듈(20)과, 상기 트랜스퍼 모듈(30)과, 상기 기판 변형 계측 모듈(60) 및 상기 기판 후면 처리 모듈(50)은 도시된 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치(100)의 구성 요소들과 그 구성 및 역할이 부분적 또는 전체적으로 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.
도 7은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.
도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 방법은, 기판의 전면에 박막을 증착하는 공정 단계(S22)와, 기판의 후면 가공을 위한 후면 가공 정보 추출 단계(S24)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 후면 가공 정보 추출 단계(S24)는 박막에 의해 가해지는 기판의 변형량을 보상하도록 기판의 후면을 1차 가공하는 기판 후면 가공 단계(S24-1)와, 1차 가공된 기판의 변형치를 측정하는 후면 가공 후 측정 단계(S24-2)와 후면 가공 정보 획득 단계(S24-3)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 후면 가공 정보 획득 단계(S24-3)는 1차 가공된 기판의 변형치가 기준범위 이내인지를 판단하고, 기준범위 이내이면 기판의 1차 가공 정보로부터 후면 가공 정보를 바로 획득할 수 있다. 반면, 1차 가공된 기판의 변형치가 기준범위를 벗어나면 후면 가공 후의 기판의 변형치와 기준범위와의 차이를 보상하도록 기판의 후면을 2차 가공하는 단계를 반복하여, 기준범위 이내이면 기판의 1차 가공 및 2차 가공의 누적 정보로부터 후면 가공 정보를 획득할 수 있다.
한편, 기판 처리 방법은, 박막 증착 전에 기판의 변형량을 측정하는 단계(S21)를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 기판의 후면을 1차 가공하는 기판 후면 가공 단계(S24-1)는 박막 증착 전의 기판의 변형량과 박막에 의해 가해지는 기판의 변형량을 함께 보상하도록 수행될 수 있다.
전술한 실시예들에서, 기판의 후면을 1차 가공하는 단계 및 2차 가공하는 단계는, 기판 후면 중 적어도 일부분을 에칭하여 패턴을 형성하거나 및/또는 기 기판 후면 중 적어도 일부분을 어닐링 처리하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 이에프이엠
20: 로드락 모듈
30: 트랜스퍼 모듈
50: 기판 후면 처리 모듈
60: 기판 변형 계측 모듈
100, 200, 300, 400, 500: 기판 처리 장치

Claims (20)

  1. 기판을 로딩하고 로딩된 상기 기판의 전면에 박막을 형성할 수 있는 기판 가공 장치;
    상기 기판 가공 장치와 연결되어 상기 기판의 변형치를 계측할 수 있는 기판 변형 계측 모듈;
    상기 기판 가공 장치와 연결되어 상기 기판의 후면을 가공할 수 있는 기판 후면 처리 모듈; 및
    상기 기판 후면 처리 모듈에 후면 처리 제어 신호를 인가하여 상기 기판의 후면 가공을 제어하고, 상기 기판 변형 계측 모듈로부터 측정된 상기 기판의 변형치에 대한 정보를 인가받아, 상기 기판의 변형치가 기준범위 이내에 들어오도록 하는 기판 후면 가공 정보를 획득하는 제어부를
    포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 박막에 의해 가해지는 상기 기판의 변형량을 보상하도록 상기 기판 후면 처리 모듈에 제 1 후면 처리 제어 신호를 인가하고,
    후면 가공된 상기 기판의 변형치를 인가받고, 상기 후면 가공 후의 상기 기판의 변형치가 기준범위 이내인지를 판단하여 기준범위를 벗어나면, 상기 후면 가공 후의 상기 기판의 변형치와 상기 기준범위와의 차이를 보상하도록 상기 후면 처리 모듈에 상기 기판의 후면을 가공하기 위한 제 2 후면 처리 제어 신호를 인가하는 단계를 반복하여, 기준범위 이내이면 상기 제 1 후면 처리 제어 신호 및 상기 제 2 후면 처리 제어 신호의 누적 정보로부터 상기 후면 가공 정보를 획득하는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어부와 통신하고, 상기 박막에 의해 가해지는 상기 기판의 변형량에 대한 정보 및 상기 기판의 변형량에 따른 후면 제어 정보를 저장하고 있는 메모리부;를 포함하고,
    상기 제어부는 상기 메모리부로부터 상기 박막에 의해 가해지는 상기 기판의 변형량에 대한 정보 및 상기 기판의 변형량에 따른 후면 제어 정보를 읽어서 상기 제 1 후면 처리 제어 신호를 생성하는, 기판 처리 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 박막 증착 전의 상기 기판의 변형량을 인가받고,
    상기 제 1 후면 처리 제어 신호는 상기 박막 증착 전의 상기 기판의 변형량과 상기 박막에 의해 가해지는 상기 기판의 변형량을 함께 보상하도록 상기 기판 후면 처리 모듈에 인가되는, 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 가공 장치는, 적어도 이에프이엠(EFEM: Equipment Front End Module), 로드락 모듈, 트랜스퍼 모듈, 공정 모듈 및 이들의 조합 중 어느 하나를 포함하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판 변형 계측 모듈은 이송 로봇이 설치된 상기 트랜스퍼 모듈의 일면에 설치되고,
    상기 기판 후면 처리 모듈은 상기 트랜스퍼 모듈의 타면에 설치되는, 기판 처리 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판 변형 계측 모듈은 이송 로봇이 설치된 상기 이에프이엠의 일면에 설치되고,
    상기 기판 후면 처리 모듈은 상기 이에프이엠의 타면에 설치되는, 기판 처리 장치.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판 변형 계측 모듈은 이송 로봇이 설치된 상기 로드락 모듈의 일면에 설치되고,
    상기 기판 후면 처리 모듈은 상기 로드락 모듈의 타면에 설치되는, 기판 처리 장치.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 로드락 모듈은 상기 트랜스퍼 모듈의 기능을 겸하도록 이송 로봇이 설치되고,
    상기 기판 변형 계측 모듈은 이송 로봇이 설치된 상기 이에프이엠의 일면에 설치되고,
    상기 기판 후면 처리 모듈은 상기 이에프이엠의 타면에 설치되는, 기판 처리 장치.
  10. 제 5 항에 있어서,
    상기 로드락 모듈은 상기 트랜스퍼 모듈의 기능을 겸하도록 이송 로봇이 설치되고,
    상기 기판 변형 계측 모듈은 이송 로봇이 설치된 상기 로드락 모듈의 일면에 설치되고,
    상기 기판 후면 처리 모듈은 상기 로드락 모듈의 타면에 설치되는, 기판 처리 장치.
  11. 제 6 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 후면 처리 모듈은,
    기판 후면 처리 챔버;
    상기 기판 후면 처리 챔버 내부에 설치되고, 상기 기판을 지지하는 기판 지지대; 및
    XY 스테이지에 설치되어 상기 XY 스테이지에 의해 X축 방향 또는 Y축 방향으로 이송될 수 있고, 상기 기판 지지대에 거치된 상기 기판의 후면에 레이저 광을 조사할 수 있는 레이저 장치;
    를 포함하는, 기판 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 레이저 장치는 상기 기판 후면 처리 챔버의 내부에 설치되는, 기판 처리 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 레이저 장치는,
    상기 기판 후면 처리 챔버의 외부에 설치되고, 투명창을 통해서 상기 기판 후면 처리 챔버의 내부로 레이저 광을 조사할 수 있는 것인, 기판 처리 장치.
  14. 제 6 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 후면 처리 모듈은 상기 기판의 후면 중 적어도 일부분을 에칭하여 패턴을 형성하는 것인, 기판 처리 장치.
  15. 제 6 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 후면 처리 모듈은 상기 기판의 후면 중 적어도 일부분을 어닐링 처리하는 것인, 기판 처리 장치.
  16. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판 변형 계측 모듈 및 상기 기판 후면 처리 모듈은 적어도 상기 이에프이엠(EFEM: Equipment Front End Module), 상기 로드락 모듈 및 상기 트랜스퍼 모듈 중 어느 하나의 내부에 설치되는, 기판 처리 장치.
  17. 기판의 전면에 박막을 증착하는 공정 단계;
    상기 박막에 의해 가해지는 상기 기판의 변형량을 보상하도록 상기 기판의 후면을 1차 가공하는 단계;
    1차 가공된 상기 기판의 변형치를 측정하는 단계;
    1차 가공된 상기 기판의 변형치가 기준범위 이내인지를 판단하고, 상기 기준범위를 벗어나면 상기 후면 가공 후의 상기 기판의 변형치와 상기 기준범위와의 차이를 보상하도록 상기 기판의 후면을 2차 가공하는 단계를 반복하여, 기준범위 이내이면 상기 기판의 1차 가공 및 2차 가공의 누적 정보로부터 후면 가공 정보를 획득하는,
    기판 처리 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 박막 증착 전에 상기 기판의 변형량을 측정하는 단계를 포함하고,
    상기 1차 가공하는 단계는 상기 박막 증착 전의 상기 기판의 변형량과 상기 박막에 의해 가해지는 상기 기판의 변형량을 함께 보상하도록 수행되는, 기판 처리 방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 기판의 후면을 1차 가공하는 단계 및 2차 가공하는 단계는, 상기 기판 후면 중 적어도 일부분을 에칭하여 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 기판의 후면을 1차 가공하는 단계 및 2차 가공하는 단계는, 상기 기판 후면 중 적어도 일부분을 어닐링 처리하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2001274048A (ja) * 2000-03-24 2001-10-05 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法及び加工装置
JP2005026404A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および製造装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06302550A (ja) * 1993-04-13 1994-10-28 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JP2001274048A (ja) * 2000-03-24 2001-10-05 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法及び加工装置
JP2005026404A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および製造装置

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