KR20160063235A - Euv 마스크용 펠리클 및 그 제조 - Google Patents

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Abstract

본 개시는 일부 실시예에 따른 방법을 제공한다. 웨이퍼는 후면으로부터 연마된다. 웨이퍼는 프레임 홀더에 의해 규정된 개구에 삽입된다. 프레임 홀더는 임시층을 통하여 캐리어에 부착된다. 웨이퍼의 전면은 임시층에 부착된다. 그 후에, 웨이퍼가 미리 정해진 두께에 도달할 때까지, 웨이퍼는 후면으로부터 에칭된다. 그 후에, 프레임 홀더 및 그 내부의 웨이퍼는 임시층 및 캐리어로부터 분리된다.

Description

EUV 마스크용 펠리클 및 그 제조{PELLICLE FOR EUV MASK AND FABRICATION THEREOF}
우선권 데이터
본 출원은 2014년 11월 26일자로 출원되고 명칭이 "EUV 마스크용 펠리클 및 그 제조"인 미국 가특허 출원 제62/084,729호에 대한 우선권을 주장하며, 그 개시는 그 전체가 참고로 본원에 통합된다.
본 발명은 EUV 마스크용 펠리클 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 집적 회로(IC) 산업은 기하급수적 성장을 경험하고 있다. IC 물질과 설계의 기술적 발전으로 각 세대가 이전 세대보다 더 작고 복잡한 회로를 갖는 여러 세대의 IC가 생산되어 왔다. IC의 발전 과정에서, 기능적 밀도(즉, 칩 면적 당 배선 소자의 수)는 전반적으로 증대된 반면, 지오메트리 크기[즉, 제조 공정을 이용하여 형성될 수 있는 최소 성분(또는 라인)]는 감소하였다. 이러한 축소 처리는 생산 효율을 증가시키고 관련 비용을 감소시키는 것에 의해 전반적으로 이익을 제공한다. 이러한 축소는 IC 처리 및 제조의 복잡성을 증가시키기도 했다. 이러한 발전이 실현되기 위해서는 IC 처리 및 제조에 있어 유사한 발전이 요구된다. 예를 들면, 높은 분해능의 리소그래피 공정을 수행할 필요가 커진다. 하나의 리소그래피 기술은 극자외선 리소그래피(EUVL)이다. 다른 기술은 X-선 리소그래피, 이온 빔 조사 리소그래피, 전자 빔 조사 리소그래피 및 다중 전자 빔 무-마스크 리소그래피를 포함한다.
EUVL은 약 1-100 nm의 파장을 갖는 극자외선(extreme ultraviolet: EUV) 영역의 광을 사용하는 스캐너를 채용한다. 일부 EUV 스캐너는 EUV 스캐너가 굴절보다는 반사 광학 기구, 즉 렌즈 대신 거울을 사용한다는 것을 제외하고, 일부의 광학 스캐너와 유사하게 4배 감소된 조사 인쇄를 제공한다. EUV 스캐너는 반사 마스크 상에 형성된 흡수층("EUV" 마스크 흡수체) 상에 원하는 패턴을 제공한다. 현재, 집적 회로를 제조하기 위한 EUVL에 바이너리 인텐시티 마스크(binary intensity mask: BIM)가 채용된다. EUVL은, EUV 영역, 즉 13.5 nm의 광을 채용하는 점을 제외하고, 웨이퍼를 인쇄하기 위해 마스크를 필요로 한다는 점에서, 광학 리소그래피와 유사하다. 13.5 nm 등의 파장에서, 모든 물질은 높은 흡수성을 가진다. 따라서, 굴절 광학 기구보다는 반사 광학 기구가 필요하다. EUV 마스크 블랭크로서 다층(ML) 구조체가 사용된다.
그러나, 통상의 EUV 마스크 및 그 제조 방법은 여전히 단점을 가질 수 있다. 예를 들면, EUV 마스크는 흡수체 층을 가진다. 통상의 EUV 마스크 흡수체 층은 큰 에어리얼 이미지 시프트(aerial image shifts)를 야기할 수 있는데, 이는 바람직하지 않다. 다른 예로서, EUV 마스크는 통상 펠리클(pellicle) 막을 필요로 하는데, 이는 EUV 마스크를 손상 및/또는 오염 입자로부터 보호하기 위한 보호 커버로서 기능한다. 그러나, 소정의 통상적인 제조 공정에 따른 펠리클 막의 제조는 펠리클 막을 비틀리게, 파열되게 또는 그렇지 않으면 손상되게 함으로써 펠리클 막을 사용할 수 없게 한다.
그러므로, EUV 리소그래피 시스템 및 공정은 전반적으로 그 의도된 목적에 적합하였지만, 모든 측면에서 완전히 만족스러운 것은 아니었다. 전술한 문제점을 다루기 위한 EUV 리소그래피 방법 시스템이 요망된다.
본 발명은 일부 실시예에 따른 포토리소그래피 마스크를 제공한다. 포토리소그래피 마스크는 저 열 팽창 물질(LTEM)을 포함하는 기판을 포함한다. 기판 위에는 반사성 구조체가 배치된다. 반사성 구조체 위에는 캡핑층이 배치된다. 캡핑층 위에는 흡수층이 배치된다. 흡수층은 약 0.95 내지 약 1.01의 범위의 굴절률과 약 0.03보다 큰 흡광 계수를 가지는 물질을 포함한다.
본 발명은 일부 실시예에 따른 포토리소그래피 시스템을 제공한다. 포토리소그래피 시스템은 극자외선(EUV) 방사광을 발생시키도록 구성된 방사원, EUV 마스크 및 일루미네이터를 포함한다. EUV 마스크는 약 0.95 내지 약 1.01의 범위의 굴절률과 약 0.03보다 큰 흡광 계수를 가지는 물질을 포함하는 흡수층을 포함한다. 일루미네이터는 하나 이상의 굴절 또는 반사 광학 기구 성분을 포함한다. 일루미네이터는 EUV 방사광을 EUV 마스크로 지향하도록 구성된다.
본 발명은 일부 실시예에 따라 포토리소그래피 마스크를 제조하는 방법을 제공한다. 저 열 팽창 물질(LTEM) 기판 위에 반사성 구조체가 형성된다. 반사성 구조체 위에 캡핑층이 형성된다. 캡핑층 위에 흡수층이 형성된다. 흡수층은 약 0.95 내지 약 1.01의 범위의 굴절률과 약 0.03보다 큰 흡광 계수를 가지는 물질을 포함한다.
본 발명은 일부 실시예에 따른 방법을 제공한다. 웨이퍼가 후면으로부터 연마된다. 웨이퍼는 프레임 홀더에 의해 규정된 개구 내로 삽입된다. 프레임 홀더는 임시 층을 통해 캐리어에 부착된다. 삽입은 웨이퍼의 전면이 임시 층에 부착되도록 수행된다. 웨이퍼는 웨이퍼가 미리 정해진 두께에 도달할 때까지 후면으로부터 에칭된다. 이후, 프레임 홀더와 그 내부의 웨이퍼는 임시 층과 캐리어로부터 분리된다.
본 발명은 일부 실시예에 따른 방법을 제공한다. 웨이퍼의 일부가 후면으로부터 연마된다. 이후, 웨이퍼의 해당 부분이 프레임 홀더에 의해 규정된 개구 내로 삽입된다. 프레임 홀더는 임시 접합층을 통해 캐리어에 부착된다. 임시 접합층에는 웨이퍼의 연마 부분의 전면이 접착된다. 이후, 웨이퍼의 연마 부분이 약 10 nm 내지 약 100 nm의 범위에 있는 미리 정해진 두께에 도달할 때까지 웨이퍼의 연마 부분이 후면으로부터 에칭된다. 이후, 웨이퍼의 연마 부분으로부터 임시 접합층을 분리하도록 가열 공정 또는 자외선 경화 공정이 수행됨으로써 웨이퍼의 분리된 부분을 갖는 펠리클을 형성한다.
본 발명은 일부 실시예에 따른 방법을 제공한다. 웨이퍼가 제공된다. 웨이퍼는 기판, 해당 기판 위에 배치된 절연층 및 해당 절연층 위에 배치된 에피-층을 포함한다. 웨이퍼는 복수의 피스로 다이싱 절단된다. 피스 중 적어도 하나는 극자외선(EUV) 리소그래피 마스크용 프레임 홀더에 의해 규정된 개구의 측방향 지오메트리에 매칭되는 측방향 지오메트리를 갖는다. 웨이퍼의 피스 중 적어도 하나가 후면으로부터 연마된다. 이후, 웨이퍼의 연마된 피스는 프레임 홀더에 의해 규정된 개구 내로 삽입된다. 프레임 홀더는 접착층을 통해 캐리어에 부착된다. 웨이퍼의 연마된 피스의 전면이 접착층에 부착된다. 이후, 웨이퍼의 연마된 피스가 미리 정해진 두께에 도달할 때까지 웨이퍼의 연마된 피스가 후면으로부터 에칭된다. 이후, 접착층으로부터 웨이퍼의 에칭된 피스를 분리하도록 가열 공정 또는 자외선 경화 공정이 수행된다. 웨이퍼의 에칭된 피스는 EUV 마스크용 펠리클 막으로서 기능한다.
본 발명의 여러 측면들은 첨부 도면을 함께 판독시 다음의 상세한 설명으로부터 가장 잘 이해될 것이다. 산업계에서의 표준 관행에 따라 다양한 특징부들은 비율대로 작도된 것은 아님을 밝힌다. 실제, 다양한 특징부의 치수는 논의의 명확성을 위해 임의로 증감될 수 있다.
도 1은 일부 실시예에 따라 구성된 리소그래피 시스템의 개략도이다.
도 2는 일부 실시예에 따라 구성된 EUV 마스크의 단면도이다.
도 3-4는 상이한 EUV 마스크에 대한 에어리얼 이미지 시프트를 나타낸 그래프이다.
도 5는 일부 실시예에 따른 EUV 마스크 제조 방법의 흐름도이다.
도 6은 일부 실시예에 따른 웨이퍼의 단순화된 상면도이다.
도 7-14는 일부 실시예에 따른 EUV 마스크 펠리클의 제조를 보여주는 다양한 소자의 단순화된 측단면도이다.
도 15는 일부 실시예에 따른 EUV 마스크 펠리클 형성 방법의 흐름도이다.
다음의 설명은 본 발명의 여러 가지 다른 특징부의 구현을 위한 다수의 상이한 실시예 또는 실례를 제공한다. 본 발명을 단순화하기 위해 구성 성분 및 배열의 특정 예들을 아래에 설명한다. 이들은 물론 단지 여러 가지 예일 뿐이고 한정하고자 의도된 것이 아니다. 예를 들면, 이어지는 설명에서 제2 특징부 상에 제1 특징부의 형성은 제1 및 제2 특징부가 직접 접촉되게 형성되는 실시예를 포함할 수 있고 제1 및 제2 특징부가 직접 접촉되지 않을 수 있게 추가의 특징부가 제1 및 제2 특징부 사이에 형성될 수 있는 실시예도 포함할 수 있다. 추가로, 본 발명은 여러 예에서 참조 번호 및/또는 문자를 반복할 수 있다. 이러한 반복은 단순 및 명료를 위한 것으로 그 자체가 논의되는 다양한 실시예 및/또는 구성 간의 관계를 지시하는 것은 아니다.
또한, "아래"(예, beneath, below, lower), "위"(예, above, upper) 등의 공간 관계 용어는 여기서 도면에 예시되는 바와 같이 다른 요소(들) 또는 특징부(들)에 대한 하나의 요소 또는 특징부의 관계를 기술하는 설명의 용이성을 위해 사용될 수 있다. 공간 관계 용어는 도면에 표현된 배향 외에도 사용 또는 동작 중의 소자의 상이한 배향을 포괄하도록 의도된 것이다. 장치는 달리 배향될 수 있으며(90도 회전 또는 다른 배향), 여기 사용되는 공간 관계 기술어도 그에 따라 유사하게 해석될 수 있다.
도 1은 일부 실시예에 따라 구성된 리소그래피 시스템(10)의 개략도이다. 리소그래피 시스템(10)은 개별 방사원과 노출 모드를 갖는 리소그래피 노출 공정을 수행하도록 작동 가능한 스캐너로도 총괄적으로 지칭될 수 있다. 본 실시예에서, 리소그래피 시스템(10)은 EUV 광에 의해 레지스트 층을 노출시키도록 설계된 극자외선(EUV) 리소그래피 시스템이다. 레지스트 층은 EUV 광에 민감한 물질이다. EUV 리소그래피 시스템(10)은 약 1 nm 내지 약 100 nm의 범위의 파장을 갖는 EUV 광과 같은 EUV 광을 발생시키기 위해 방사원(12)을 채용한다. 하나의 특정 예에서, 방사원(12)은 약 13.5 nm의 중심 파장을 갖는 EUV 광을 발생시킨다. 따라서, 방사원(12)은 EUV 방사원(12)으로도 지칭된다.
리소그래피 시스템(10)은 또한 일루미네이터(illuminator)(14)도 채용한다. 다양한 실시예에서, 일루미네이터(14)는 방사원(12)으로부터 마스크 스테이지(16)로, 구체적으로는 마스크 스테이지(16) 상에 고정된 마스크(18)로 광을 지향하기 위해 단일 렌즈 또는 다중 렌즈(존 플레이트)를 갖는 렌즈 시스템과 같은 다양한 굴절 광학 성분, 또는 대안적으로 단일 미러 또는 다중 미러를 갖는 미러 시스템과 같은 반사 광학 기구(EUV 리소그래피 시스템용)를 포함한다. 방사원(12)이 EUV 파장 범위 내의 광을 발생시키는 본 실시예의 경우, 일루미네이터(14)는 반사 광학 기구를 채용된다. 일부 실시예에서, 일루미네이터(14)는 쌍극(dipole) 조광 성분을 포함한다.
일부 실시예에서, 일루미네이터(14)는 마스크(18)에 적절한 조광을 제공하기 위해 미러를 구성하도록 작동 가능하다. 일례에서, 일루미네이터(14)의 미러들은 EUV 광을 상이한 조광 위치로 반사하도록 스위칭 가능하다. 일부 실시예에서, 일루미네이터(14) 직전의 스테이지는 일루미네이터(14)의 미러로 EUV 광을 상이한 조광 위치로 지향하도록 조절 가능한 다른 스위칭 가능한 미러를 추가로 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 일루미네이터(14)는 마스크(18)에 동축(on-axis) 조광(ONI)을 제공하도록 구성된다. 일례로, 부분적 코히런스(coherence)(σ)가 최대 0.3인 디스크 일루미네이터(14)가 채용된다. 일부 다른 실시예에서, 일루미네이터(14)는 마스크(18)에 편축(off-axis) 조광(OAI)을 제공하도록 구성된다. 일례로, 일루미네이터(14)는 쌍극 일루미네이터이다. 일부 실시예에서, 일루미네이터(14)는 최대 0.3의 부분적 코히런스(σ)를 갖는다.
리소그래피 시스템(10)은 마스크(18)를 고정하도록 구성된 마스크 스테이지(16)를 더 포함한다. 일부 실시예에서, 마스크 스테이지(16)는 마스크(18)를 고정시키는 정전 척(e-척)을 포함한다. 이것은 가스 분자들이 EUV 광을 흡수하고 EUV 리소그래피 패터닝을 위한 EUV 리소그래피 시스템이 EUV 강도 손실을 피하기 위해 진공 환경에 유지되기 때문이다. 본 발명에서, 마스크, 포토마스크 및 레티클의 용어들은 동일한 항목을 지칭하는데 호환적으로 사용된다.
본 실시예에서, 리소그래피 시스템(10)은 EUV 리소그래피 시스템이고, 마스크(18)는 반사 마스크이다. 일례의 구조의 마스크(18)가 예시를 위해 제공된다. 마스크(18)는 저 열팽창 물질(LTEM) 또는 용융 석영과 같은 적절한 물질을 갖는 기판을 포함한다. 다양한 예에서, LTEM은 TiO2 도핑된 SiO2 또는 저 열팽창성의 다른 적절한 물질을 포함한다.
마스크(18)는 기판 상에 퇴적된 반사성 다중층(ML)을 포함한다. ML은 몰리브덴-실리콘(Mo/Si) 필름 쌍(예, 각 필름 쌍 내에서 실리콘 층의 위 또는 아래의 몰리브덴 층)과 같은 복수의 필름 쌍을 포함한다. 대안적으로, ML은 몰리브덴-베릴륨(Mo/Be) 필름 쌍 또는 EUV 광을 크게 반사하도록 구성 가능한 다른 적절한 물질을 포함할 수 있다.
마스크(18)는 보호를 위해 ML 상에 배치된 루테늄(Ru)과 같은 캡핑층을 더 포함할 수 있다. 마스크(18)는 ML 위에 퇴적된 흡수층을 더 포함한다. 흡수층은 집적 회로(IC)의 층을 규정하도록 패턴화되며, 본 발명의 다양한 양태에 따라 하기에 더 상세히 설명된다. 대안적으로, ML 위에 다른 반사층이 퇴적 및 패턴화되어 집적 회로의 층을 형성함으로써 EUV 위상 변이(phase shift) 마스크를 규정할 수 있다.
리소그래피 시스템(10)은 리소그래피 시스템(10)의 기판 스테이지(28) 상에 고정되는 반도체 기판(26)에 마스크(18)의 패턴의 이미지를 형성하기 위한 투사 광학 기구 모듈 또는 투사 광학 기구 박스(POB)(20)를 더 포함한다. POB(20)는 (예컨대, UV 리소그래피 시스템용의) 굴절 광학 기구 또는 대안적으로 다양한 실시예의 (예, EUV 리소그래피 시스템용의) 반사 광학 기구를 포함한다. 마스크 상에 규정된 패턴의 이미지를 전달하는 광은 마스크(18)로부터 지향되어 POB(20)에 의해 수집된다. 일루미네이터(14)와 POB(20)는 집합적으로 리소그래피 시스템(10)의 광학 모듈로 지칭된다.
리소그래피 시스템(10)은 광이 투영 동공면(24) 상에 위상 분포를 갖도록 마스크(18)로부터 지향된 광의 광학 위상을 변조시키는 동공(pupil) 위상 변조기(22)를 더 포함한다. 광학 모듈 내에는 대상물(여기서는 마스크(18))의 푸리에 변환에 대응하는 필드 분포를 갖는 평면이 존재한다. 이 평면이 투영 동공면으로 지칭된다. 동공 위상 변조기(22)는 투영 동공면(24) 상의 광의 광학 위상을 변조시키는 메커니즘을 제공한다. 일부 실시예에서, 동공 위상 변조기(22)는 위상 변조를 위해 POB(20)의 반사 미러를 조정하는 메커니즘을 포함한다. 예를 들면, POB(20)의 미러들은 스위칭 가능하고 EUV 광을 반사시키도록 조절됨으로써 POB(20)를 통한 광의 위상을 변조할 수 있다.
일부 실시예에서, 동공 위상 변조기(22)는 투영 동공면 상에 배치된 동공 필터를 사용한다. 동공 필터는 마스크(18)로부터의 EUV 광 중 특정 공간 주파수 성분을 제거하도록 필터링을 행한다. 특히, 동공 필터는 POB(20)를 통해 지향된 광의 위상 분포를 조절하도록 작용하는 위상 동공 필터이다. 그러나, 위상 동공 필터를 사용하는 것은 일부 리소그래피 시스템(예, EUV 리소그래피 시스템)으로 제한되는데, 이는 모든 물질이 EUV 광을 흡수하기 때문이다.
전술한 바와 같이, 리소그래피 시스템(10)은 패턴화될 반도체 기판과 같은 타겟(26)을 고정하기 위해 기판 스테이지(28)를 더 포함한다. 본 실시예에서, 반도체 기판은 실리콘 웨이퍼 또는 다른 종류의 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼이다. 타겟(26)은 본 실시예의 경우 EUV 광과 같은 방사 빔에 반응하는 레지스트 층으로 코팅된다. 전술한 것을 포함하는 다양한 성분들이 합체됨으로써 리소그래피 노출 공정을 수행하도록 작동 가능하다. 리소그래피 시스템(10)은 다른 모듈과 일체화된(또는 결합된) 다른 모듈을 더 포함할 수 있다.
마스크(18)와 그 제조 방법을 일부 실시예에 따라 추가로 설명한다. 일부 실시예에서, 마스크 제조 공정은 2개의 단계인 블랭크 마스크 제조 공정 및 마스크 패턴화 공정을 포함한다. 블랭크 마스크 제조 공정 중에는 적절한 기판 상에 적절한 층(예, 반사성 다중층)을 퇴적하는 것에 의해 블랭크 마스크가 형성된다. 블랭크 마스크는 이후 마스크 패턴화 공정 중에 패턴화되어 원하는 설계의 집적 회로(IC)의 층을 얻는다. 패턴화된 마스크는 이후 반도체 웨이퍼에 회로 패턴(예, IC의 층의 설계)을 전사하는데 사용된다. 패턴은 다양한 리소그래피 공정을 통해 다중의 웨이퍼에 겹겹이 전사될 수 있다. 완전한 IC를 구성하기 위해 마스크 세트가 사용된다.
마스크(18)는 다양한 실시예에서 바이너리 인텐시티 마스크(BIM)와 위상 편이 마스크(PSM)와 같은 적절한 구조체를 포함한다. 예시적인 BIM은 타겟으로 전사될 IC 패턴을 규정하도록 패턴화된 흡수 영역(불투명 영역으로도 지칭됨)과 반사 영역을 포함한다. 불투명 영역에는 흡수체가 존재하며 입사광은 흡수체에 의해 거의 완전히 흡수된다. 반사 영역에는 흡수체가 제거되고 입사광은 다중층(ML)에 의해 회절된다. PSM은 감쇄된 PSM(AttPSM) 또는 교류 PSM(AltPSM)일 수 있다. 예시적인 PSM은 IC 패턴에 따라 패턴화되는 제1 반사층(예, 반사성 ML)과 제2 반사층을 포함한다. 일부의 예에서, AttPSM은 통상 그 흡수체로부터 2-15%의 반사율을 가지는 반면, AltPSM은 통상 그 흡수체로부터 50%보다 큰 반사율을 가진다.
마스크(18)의 일례가 도 2에 예시된다. 마스크(18)는 EUV 마스크이고, LTEM으로 제조된 기판(30)을 포함한다. LTEM 물질은 TiO2 도핑된 SiO2 및/또는 당업계에 공지된 다른 저 열팽창 물질을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 정전 척 동작을 위해 LTEM 기판(30)의 후면 상에 하부로 도전층(32)이 추가로 배치된다. 일례에서, 도전층(32)은 질화 크롬(CrN)을 포함하지만 다른 조성물도 가능하다.
EUV 마스크(18)는 LTEM 기판(30) 위에 배치된 반사성 다중층(ML)(34)을 포함한다. ML(34)은 선택된 방사 타입/파장에 대해 높은 반사율을 제공하도록 선택될 수 있다. ML(34)은 Mo/Si 필름 쌍(예, 각각의 필름 쌍에서 실리콘 층 위 또는 아래의 몰리브덴 층)과 같은 복수의 필름 쌍을 포함한다. 대안적으로, ML(34)은 Mo/Be 필름 쌍 또는 EUV 파장에서 반사성이 높은 굴절률 차이를 갖는 임의의 물질을 포함할 수 있다. ML(34)의 각각의 층의 두께는 EUV 파장과 입사각에 의존한다. 특히, ML(34)의 두께(및 필름 쌍의 두께)는 각각의 계면에서 회절된 EUV 광의 최대 보강 간섭(constructive interference)과 ML(34)에 의한 EUV 광의 최소 흡수를 달성하도록 조정된다.
EUV 마스크(18)는 ML의 산화를 방지하기 위해 ML(34) 위에 배치된 캡핑층(36)을 더 포함한다. 일 실시예에서, 캡핑층(36)은 약 4 nm 내지 약 7 nm의 범위의 두께를 갖는 실리콘을 포함한다. EUV 마스크(18)는 이후 설명되는 바와 같이 흡수층의 패터닝 또는 보수 공정에서 에칭 정지층으로서 작용하는 버퍼층(38)을 캡핑층(36) 위에 추가로 배치할 수 있다. 버퍼층(38)은 그 상부에 배치된 흡수층과 다른 에칭 특성을 가진다. 버퍼층(38)은 다양한 예에서 루테늄(Ru), RuB, RuSi와 같은 Ru 화합물, 크롬(Cr), 크롬 산화물, 및 크롬 질화물을 포함한다.
EUV 마스크(18)는 버퍼층(38) 위에 형성된 흡수체 층(40)(흡수층으로도 지칭됨)을 더 포함한다. 일부 실시예에서, 흡수층(40)은 마스크로 지향되는 EUV 방사광을 흡수한다. 종래의 EUV 마스크에서, 흡수층은 통상 탄탈 붕소 질화물, 탄달 붕소 산화물 또는 크롬으로 형성된다. 그러나, 종래의 EUV 마스크에서 이들 물질의 사용은 여러 가지 문제점을 야기할 수 있다. 한 가지 문제점은 쌍극 조광 수단에서의 노출 중에 바람직하지 않은 에어리얼 이미지 시프트(aerial image shift)에 관한 것이다.
예를 들면, 이제 도 3을 참조하면, 도 3은 일례의 종래의 EUV 마스크에 대한 광도(light intensity) 대 공간 주파수(ν)의 도식(110-112)을 나타내는 그래프(100)가 예시된다. 종래의 EUV 마스크는 TaBo 및/또는 TaBN으로 제조된 흡수층을 가진다. 전술한 바와 같이, 일루미네이터(14)(도 1에 도시됨)는 쌍극 조광 광학 기구를 포함한다. TaBo 및/또는 TaBN과 같은 통상적인 물질이 흡수층의 구현에 사용되는 경우, 쌍극 조광 광학 기구는 110 도식(좌측)과 111 도식(우측)을 형성되게 한다. 이들 2개의 도식(110-111)의 평균이 112 도식(중간)이다. 도 3이 시각적으로 나타내는 바와 같이, 110 도식과 111 도식은 서로 상대적으로 편차가 크기 때문에 각각의 도식(110/111)은 평균 도식(112)과 상대적으로 편차가 크다. 이것은 예시된 종래의 EUV 마스크와 관련된 에어리얼 이미지 시프트가 상대적으로 크다는 것을 나타낸다. 노출 중의 이러한 에어리얼 이미지 시프트는 리소그래피 성능의 저하를 야기할 수 있으므로 바람직하지 않다.
본 발명의 다양한 실시예에 따르면, EUV 마스크의 흡수층은 도 3과 관련하여 전술한 에어리얼 이미지 시프트의 문제점을 최소화하는 것을 돕는 물질을 갖도록 구성된다. 보다 구체적으로, 본 발명의 EUV 마스크의 흡수층 물질은 각각 특정 범위로 조정되는 굴절률과 흡광 계수를 가진다. 일부 실시예에서, 본 발명의 EUV 마스크의 흡수층 물질은 약 0.95 내지 약 1.01 범위의 굴절률과 약 0.03보다 큰 흡광 계수를 가진다. 일부의 추가적인 실시예에서, 흡수층의 물질의 굴절률은 0.975 내지 1의 범위에 있다. 다른 추가의 실시예에서, 흡수층의 물질의 굴절률은 0.985 내지 0.995의 범위에 있다. 일부 실시예에서, 흡수층의 물질의 흡광 계수는 0.4 내지 0.54의 범위에 있다. 일부 추가적인 실시예에서, 흡수층의 물질의 흡광 계수는 0.45 내지 0.5의 범위에 있다.
전술한 굴절률 및/또는 흡광 계수의 범위를 충족시키기 위해, 흡수층의 물질은 본 발명의 일부 실시예에 따라 라듐을 포함한다. 일부 다른 실시예에서, 흡수층의 물질은 다음의 물질: 액튬(actium), 라듐, 텔루륨, 아연, 구리 및 알루미늄; 중 하나 이상의 물질의 적절한 산화물 또는 질화물을 포함한다. 또 다른 실시예에서, 흡수층의 물질은 다음의 물질 즉, 액튬, 라듐, 텔레륨, 아연, 구리 및 알루미늄 중 하나 이상의 합금을 포함한다.
특정 구성의 물질(즉, 특정 범위의 굴절률 및 흡광 계수를 갖는 물질)을 갖는 흡수층은 노출 중 에어리얼 이미지 시프트를 크게 감소되게 한다. 이것은 본 발명에 따른 EUV 마스크의 예시적인 실시예에 대해 광도-공간 주파수(ν)의 도식(210-212)을 나타내는 그래프(200)를 예시한 도 4에서 시각적으로 보여진다. 다시 말해, 그래프(200)에 대응하는 EUV 마스크의 흡수층 물질은 특정 구성의 굴절률과 흡광 계수를 가진다. 예를 들면, EUV 마스크의 흡수층 물질은 0.975 내지 1의 범위의 굴절률과 0.4 내지 0.54의 범위의 흡광 계수를 가진다.
흡수층의 구현에 이러한 물질이 사용되는 경우, 쌍극 조광 광학 기구는 도 4에 예시된 210 도식(좌측)과 211 도식(우측)을 보인다. 이들 2개의 도식(210-211)의 평균이 212 도식(중간)이다. 도 4가 시각적으로 나타내는 바와 같이, 210 도식과 211 도식은 서로 상대적으로 편차가 작기 때문에 각각의 도식(210/211)은 평균 도식(212)과 상대적으로 편차가 작다. 이것은 본 발명의 EUV 마스크와 관련된 에어리얼 이미지 시프트가 상대적으로 작다는 것을 나타낸다. 작은 에어리얼 이미지 시프트는 리소그래피 성능의 향상을 야기할 수 있으므로 바람직하다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 마스크 제조 방법(300)을 나타낸 단순화된 흐름도이다. 일부 실시예에서, 리소그래피 마스크는 EUV 마스크이다. 방법(300)은 저 열 팽창 물질(LTEM) 기판 위에 반사성 구조체를 형성하는 단계(310)를 포함한다. 일부 실시예에서, LTEM 기판은 TiO2 도핑된 SiO2를 포함한다. 반사성 구조체는 예컨대 EUV 범위의 파장의 미리 정해진 방사파 파장에 대해 높은 반사율을 제공하도록 구성된다. 일부 실시예에서, 반사성 구조체는 복수의 Mo/Si 필름 쌍 또는 복수의 Mo/Be 필름 쌍을 포함한다.
방법(300)은 반사성 구조체 상에 캡핑층을 형성하는 단계(320)를 포함한다. 일부 실시예에서, 캡핑층은 실리콘을 포함한다.
방법(300)은 캡핑층 위에 흡수층을 형성하는 단계(330)를 포함한다. 흡수층은 약 0.95 내지 약 1.01의 범위의 굴절률과 0.03보다 큰 흡광 계수를 가지는 물질을 포함한다. 흡수층의 물질은 EUV 마스크의 에어리얼 이미지 시프트를 감소시키도록 특정하게 구성된다. 일부 실시예에서, 흡수층의 물질의 굴절률은 0.975 내지 1의 범위에 있다. 일부 추가적인 실시예에서, 흡수층의 물질의 굴절률은 0.985 내지 0.995의 범위에 있다. 일부 실시예에서, 흡수층의 물질의 흡광 계수는 0.4 내지 0.54의 범위에 있다. 일부 실시예에서, 흡수층의 물질은 라듐을 포함한다.
여기 예시된 단계(310-330) 이전, 도중 또는 이후에 추가의 단계들이 수행될 수 있음을 알 것이다. 예를 들면, 방법(300)은 캡핑층과 흡수층 사이에 버퍼층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 버퍼층과 흡수층은 다른 에칭 특성을 가진다. 단순성을 위해 추가의 단계들은 여기에 구체적으로 논의되지 않는다.
본 발명의 다른 양태는 EUV 마스크용 펠리클을 형성하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 펠리클은 EUV 마스크 상에 배치된 박막을 포함하고, EUV 마스크를 오염 입자 또는 마스크에 손상을 입힐 수 있는 다른 대상으로부터 보호한다. 리소그래피 공정 중에, EUV 마스크(및 그에 따른 펠리클)는 박막인 이유로 인해 펠리클을 파열 또는 파손시킬 수 있는 다양한 종류의 이동을 경험한다. 펠리클에 대한 손상을 방지하거나 최소화하기 위해, 소정의 EUV 마스크는 펠리클이 전체적인 구조적 강도를 증가시키도록 메쉬 구조체(예, 벌집형과 유사)에 의해 지지되도록 구현된다. 불행히도, 메쉬 구조체는 EUV 광을 차단하는데, 이는 패턴 불균일성의 문제를 야기한다.
본 발명의 여러 가지 양태에 따르면, 메쉬 구조체 대신에, 펠리클에 대한 손상을 방지 또는 최소화하기 위해 임시 접합층에 펠리클이 접합된다. 추가로, 펠리클은 도 6-15를 참조로 아래에 더 상세히 논의되는 바와 같이 펠리클에 대한 손상의 가능성을 더욱 낮추기 위해 보강된 강도의 물질로 구현된다.
이제 도 6을 참조하면, 웨이퍼(400)의 단순화된 상면도가 제공된다. 일부 실시예에서, 웨이퍼(400)는 에피층-온-인슐레이터 웨이퍼인데, 이는 도 7을 참조로 아래에 더 상세히 설명된다. 웨이퍼(400)를 복수의 피스(piece)로 분리하기 위해 웨이퍼(400)에 대해 다이싱 또는 단편화(singulation)가 수행된다. 복수의 피스(400A) 중 적어도 하나는 해당 피스가 하나의 수평 또는 측방향(lateral direction)으로 측정된 치수(410)와 다른 수평 또는 측방향으로 측정된 치수(411)를 갖도록 다이싱 절단된다. 2개의 다른 수평/측방향 치수는 일부 실시예에서 서로 수직일 수 있다. 치수(410-411)는 도 9를 참조로 아래에 논의되는 바와 같이 펠리클을 위한 프레임 홀더의 개구의 수평 또는 측방향 치수와 매칭되도록 구성된다.
이제 도 7을 참조하면, 웨이퍼(400A)(이후 단순성을 위해 웨이퍼(400A)로 지칭됨)의 부분의 단순화된 단면도가 예시된다. 웨이퍼(400A)는 기판(420)을 포함한다. 기판(420)은 예컨대 실리콘인 반도체 물질을 포함한다. 다른 실시예에서, 기판(420)은 절연 물질 또는 도전 물질을 포함할 수 있다. 기판(420)은 초기 두께(425)를 갖는다. 일부 실시예에 있어서, 두께(425)는 약 725 ㎛ 내지 약 300 ㎛의 범위 내에 있다.
기판(420)은 후면(430)과 해당 후면(430)과 반대인 전면(431)을 포함한다. 기판(420)의 전면(431) 위에 전기적 절연층(440)이 배치된다. 일부 실시예에서, 전기적 절연층(440)은 예컨대 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등의 유전 물질을 포함한다. 전기적 절연층(440) 위에 층(450)이 배치된다. 다시 말해, 전기적 절연층(440)은 기판(420)과 상기 층(450) 사이에 배치된다. 상기 층(450)은 두께(455)를 가진다. 일부 실시예에서, 상기 두께(455)는 약 10 나노미터(nm) 내지 약 100 nm의 범위에 있다. 일부 실시예에서, 상기 층(450)은 실리콘 카바이드와 같은 에피택셜-성장 물질을 포함한다. 다른 실시예에서, 상기 층(450)은 단결정 실리콘(상이한 방향성을 갖는)을 포함한다. 일부 다른 실시예에서, 상기 층(450)은 그래핀을 포함한다. 이들 물질은 층(450)이 본 발명의 제조 흐름에 따라 EUV 마스크를 위한 펠리클이 될 것이므로 향상된 강도를 위해 선택된다. 상기 층(450)에 대한 다양한 후보 물질이 아래의 표 1에 열거된다.
Figure pat00001
이제 도 8을 참조하면, 웨이퍼(400A)의 후면(430)에 대해 연마 공정(470)이 수행된다. 연마 공정(470)은 일부 실시예에서 기판을 약 10 nm 내지 약 100 nm의 범위의 새로운 두께(460)로 감소시킨다.
이제 도 9를 참조하면, 캐리어(500), 임시 접합층(510) 및 프레임 홀더(530)에 대한 단순화된 단면도가 예시된다. 일부 실시예에서, 캐리어(500)는 세라믹 기판, 금속 기판, 벌크형 실리콘 기판 등과 같이 기계적 강도와 지지를 제공할 수 있는 캐리어를 포함한다. 임시 접합층(510)은 캐리어(500)에 부착되고, 프레임 홀더(530)는 임시 접합층(510)에 부착된다(또는 달리 말하면, 임시 접합층(510)을 통해 캐리어(500)에 부착된다). 임시 접합층(510)은 프레임 홀더(530)와 캐리어(500)와 같은 다른 층에 부착될 수 있게 하는 접착 특성을 가진다. 추가로, 임시 접합층(510)은 예컨대 가열 공정 또는 자외선 경화 공정과 같은 적절한 공정에 의해 처리시 발포 특성을 가진다.
예를 들면, 이제 도 10을 참조하면, 예시적인 맥락에 따라 임시 접합층(510)의 보다 상세한 단면도가 예시된다. 임시 접합층(510)은 일면이 베이스 층에 배치되고 타면이 층(X)에 접착된다. 임시 접합층(510)은 접착 물질(560)은 물론 발포 입자(550)(또는 처리시 발포 특성을 갖는 물질)를 포함한다. 접착 물질(560)(예, 아교형 물질)은 임시 접합층(510)을 층(X)에 부착 또는 접착되게 할 수 있다. 그러나, 임시 접합층(510)이 가열 공정 또는 UV 경화 공정과 같은 처리 공정으로 처리시, 발포 입자(550)는 크기 또는 부피가 팽창한다. 발포 입자의 팽창은 층(510)과 층(X) 간의 접촉 면적을 감소시킴으로써 층(X)의 층(510)에 대한 부착성 또는 접착성을 잃게 한다. 이 방식으로, 층(X)은 임시 접합층(510)으로부터 쉽게 분리될 수 있다. 도 13을 참조로 아래에 더 상세히 논의되는 바와 같이 임시 접합층(510)의 이러한 특성을 활용하여 본 발명의 제조 공정을 용이하게 수행한다.
다시 도 9를 참조하면, 프레임 홀더(530)는 개구(600)를 규정한다. 개구(600)는 웨이퍼(400A)(도 6 참조)의 수평/측방향 치수(410)와 매칭되는(즉, 동일한) 수평 또는 측방향 치수(610)를 가진다. 프레임 홀더(530)의 다른 측단면도(즉, 도 9에 도시된 것에 수직인 단면도)가 예시되었다면, 개구(600)는 웨이퍼(400A)의 수평/측방향 치수(411)와 매칭되는 수평/측방향 치수를 가지는 것으로 예시될 것이다. 다시 말해, 웨이퍼(400A)의 상면 지오메트리 또는 형태는 개구(600)의 치수에 매칭된다(예, 실질적으로 동일).
이제 도 11을 참조하면, 웨이퍼(400A)는 수직으로 넘겨진 후(즉, 반대로 뒤집혀서) 개구(600) 내로 삽입된다. 개구(600)는 해당 개구(600)와 웨이퍼(400A)가 상면도 상 실질적으로 동일한 지오메트리를 가지므로 웨이퍼(400A)를 수용한다. 일부 실시예에 따르면, 웨이퍼(400A)는 프레임 홀더(530)의 측벽과 웨이퍼(400A)의 엣지 사이에 어떤 공간도 무시될 수 있도록 개구(600) 내부에 꼭맞게 끼워진다.
도 11에 도시된 바와 같이, 개구(600) 내로의 삽입 후에 기판(420)은 노출면(개구(600)에 의해 노출됨)이 되는 반면, 층(450)은 임시 접합층(510)과 직접 접촉 상태가 된다. 임시 접합층(510)은 전술한 바와 같이 접착 특성을 가지므로, 층(450)은 그에 따라 임시 접합층(510)에 부착 또는 접착된다. 임시 접합층(510)[및 그에 따른 캐리어(500)]에 대한 상기 층(450)(및 그에 따른 웨이퍼(400A)의 이러한 접착은 층(450)에 대한 손상을 방지 또는 최소화하는 것을 보조한다. 보다 상세하게, 챔버 배기 또는 수동 취급과 같은 다양한 공정은 층(450)의 이동(예, 수직 이동)을 포함할 수 있다. 이러한 이동은 특히 층(450)이 얇기 때문에(예, 10 내지 100 nm) 층의 파열, 박리, 스크래치, 또는 파손을 야기할 수 있다. 여기서, 층(450)은 임시 접합층(510)을 통해 캐리어(500)에 부착되어 있으므로, 층(450)의 이동은 캐리어(500)에 구속되어 있어서, 층(450)은 해당 층(450)의 이동을 포함하는 공정 중에 파열, 박리, 또는 파손의 가능성이 적다. 추가로, 특정 물질 조성(예, 실리콘 카바이드)에 따른 층(450)의 증강된 강도도 층(450)에 대한 손상의 가능성을 줄여준다.
이제 도 12를 참조하면, 기판(420)과 전기적 절연층(440)의 에칭 제거를 위해 하나 이상의 에칭 공정(630)이 수행된다. 층(450)은 에칭 공정(630)의 말기에 개구(600)에 여전히 남아 있다. 제조의 이러한 스테이지에서, 웨이퍼(400A)는 약 10 내지 100 nm의 두께로 감소되는데, 이 두께는 층(450)의 두께이다. 일부 실시예에서, 층(450)이 처음에 너무 두껍게 형성되는 경우, 층(450)은 추가로 에칭되어 그 두께를 더 줄일 수 있다.
이제 도 13을 참조하면, 임시 접합층(510)으로부터 프레임 홀더(530)와 층(450)을 분리하기 위해 가열 또는 자외선(UV) 경화 공정(650)이 수행된다. 전술한 바와 같이, 열 또는 UV 조사가 적용되는 상태에서 임시 접합층(510) 내의 발포 물질은 팽창하게 되고 이에 따라 임시 접합층(510)은 프레임 홀더(530)와 층(450)에 대한 접착성을 잃게 된다. 이 방식으로, 임시 접합층(510)과 캐리어(500)는 프레임 홀더(530)와 그 내부에 배치된 층(450)으로부터 분리된다.
이제 도 14를 참조하면, 프레임 홀더(530)와 그 내부의 층(450)은 집합적으로 수직으로 넘겨져서(즉, 뒤집어져서) EUV 마스크(670) 상에 배치 또는 위치된다. 일부 실시예에서, EUV 마스크(670)는 통상적인 EUV 마스크이다. 다른 실시예에서, EUV 마스크(670)는 특정 구성의 흡수층을 갖는 전술한 EUV 마스크(18)이다. 제조의 이 스테이지에서, 층(450)은 EUV 마스크(670)를 위한 펠리클 막으로서 기능한다. 다시 말해, 층(450)은 오염 입자 또는 EUV 마스크를 잠재적으로 손상시키거나 그렇지 않으면 EUV 리소그래피를 방해할 수 있는 다른 대상물로부터 EUV 마스크(670)를 보호한다.
도 15는 EUV 마스크용 펠리클의 제조를 위한 단순화된 방법(700)을 나타낸 흐름도이다. 방법(700)은 웨이퍼를 제공하는 단계(710)를 포함한다. 웨이퍼는 기판, 해당 기판 위에 배치된 절연층 및 해당 절연층 위에 배치된 에피-층을 포함한다. 일부 실시예에서, 에피-층은 실리콘 카바이드를 포함한다. 다른 실시예에서, 에피-층은 그래핀 또는 단결정 실리콘을 포함할 수 있다.
방법(700)은 웨이퍼를 복수의 피스로 다이싱 절단하는 단계(720)를 포함한다. 피스 중 적어도 하나는 극자외선(EUV) 리소그래피 마스크용 프레임 홀더에 의해 규정된 개구의 측방향 지오메트리에 매칭되는 측방향 지오메트리를 가진다.
방법(700)은 웨이퍼의 피스 중 적어도 하나를 후면으로부터 연마하는 단계(730)를 포함한다.
방법(700)은 프레임 홀더에 의해 규정된 개구 내로 웨이퍼의 연마된 피스를 삽입하는 단계(740)를 포함한다. 프레임 홀더는 접착층을 통해 캐리어에 부착된다. 삽입은 웨이퍼의 연마된 피스의 전면이 접착층에 부착되도록 행해진다. 접착층은 열 또는 자외선 방사 처리시 팽창되는 발포 입자를 포함하고 있어서 접합층은 웨이퍼의 에칭된 피스와의 접착성을 잃게 된다.
방법(700)은 웨이퍼의 피스가 미리 정해진 두께에 도달할 때까지 웨이퍼의 연마된 피스를 후면으로부터 에칭하는 단계(750)를 포함한다.
방법(700)은 접착층으로부터 웨이퍼의 에칭된 피스를 분리하기 위해 가열 공정 또는 자외선 경화 공정을 수행하는 단계(760)를 포함한다. 웨이퍼의 에칭된 피스는 EUV 마스크용 펠리클 막으로서 기능한다.
일부 실시예에서, 기판과 절연층에 대해 연마(730 단계)와 에칭(750 단계)이 행해질 수 있다.
도 15의 단계(710-760) 이전, 도중 또는 이후에 추가의 제조 공정들이 수행될 수 있음을 알 것이다. 예를 들면, 방법(700)은 EUV 마스크 상에 펠리클 막을 배치하는 추가의 단계를 포함할 수 있다. 단순성의 이유로 다른 제조 공정들은 여기에 상세하게 논의되지 않는다.
전술한 논의를 기초로, 본 발명은 EUV 리소그래피에 여러 가지 장점을 제공한다. 그러나, 모든 장점이 필수적으로 여기에 논의되지는 않으며 다른 실시예들은 상이한 장점들을 제공할 수 있고 모든 실시예에 대해 특정 장점이 요구되는 것은 아님을 알 것이다.
장점 중 하나는 EUV 마스크의 흡수층이 노출 중 에어리얼 이미지 시프트를 최소화하도록 특정 구성된 물질 조성을 가지는 것이다. 결국, EUV 리소그래피 성능이 향상된다. 다른 장점은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 필리클 막이 그 물질 조성(예, 실리콘 카바이드)에 기인하여 향상된 강도를 가지는 것인데, 이는 배기 및 취급 공정과 같은 다양한 공정 중에 손상의 가능성을 감소시킨다. 또 다른 장점은 펠리클 막을 고정시키는 임시 접합층의 사용에 따라 펠리클 막의 어떤 박리 또는 파손의 가능성도 더욱 낮아진다는 것이다. 임시 접합층은 가열 또는 UV 경화와 같은 처리 공정을 통해 쉽게 제거되기도 한다. 여기 논의된 공정들은 그 수행이 간단하고 용이하며, 기존의 공정 흐름과 호환 가능하다.
이상의 설명은 당업자가 본 발명의 여러 측면들을 잘 이해할 수 있도록 여러 실시예의 특징부들의 개요를 설명한 것이다. 당업자들은 자신들이 여기 도입된 실시예와 동일한 목적을 수행하거나 및/또는 동일한 장점을 달성하기 위해 다른 공정 또는 구조를 설계 또는 변형하기 위한 기초로서 본 발명을 용이하게 이용할 수 있음을 알아야 한다. 또한, 당업자들은 등가의 구성이 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않으며 그리고 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않고 다양한 변화, 대체 및 변경을 이룰 수 있음을 알아야 한다.

Claims (10)

  1. 방법에 있어서,
    후면으로부터 웨이퍼를 연마하는 단계와,
    상기 웨이퍼를 프레임 홀더에 의해 규정된 개구에 삽입하는 단계로서, 상기 프레임 홀더는 임시층(temporary layer)을 통하여 캐리어에 부착되며, 상기 삽입은 상기 웨이퍼의 전면(front side)이 상기 임시층에 부착되도록 수행되는 것인 상기 삽입하는 단계와,
    그 후에, 상기 웨이퍼가 미리 정해진 두께에 도달할 때까지 상기 웨이퍼를 상기 후면으로부터 에칭하는 단계와,
    그 후에, 상기 임시층 및 상기 캐리어로부터 상기 프레임 홀더 및 그 내부의 웨이퍼를 분리하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 프레임 홀더 내의 상기 웨이퍼는, 상기 임시층 및 상기 캐리어로부터 분리된 이후에, 극자외선(extreme ultraviolet; EUV) 리소그래피 공정을 위한 펠리클(pellicle)로서 기능하며, 상기 펠리클은 EUV 마스크 위에 배치되도록 구성되는 것인 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼의 전면은, 접착을 통하여 상기 임시층에 부착되며, 상기 임시층은, 가열 또는 자외선 방사의 적용 하에서 확장되는 발포(foaming) 물질을 포함하는 것인 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼의 연마 이전에,
    웨이퍼를 제공하는 단계와,
    상기 웨이퍼를 복수의 피스들로 다이싱하는 단계를 더 포함하며,
    상기 웨이퍼의 하나의 피스는, 상기 연마하는 단계, 상기 삽입하는 단계, 상기 에칭하는 단계, 및 상기 분리하는 단계가 수행되는 웨이퍼인 것인 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼는, 기판, 상기 기판 위에 배치된 절연층, 및 상기 절연층 위에 배치된 물질층을 포함하며,
    상기 연마하는 단계 및 상기 에칭하는 단계는, 상기 기판 및 상기 절연층에 대해 수행되는 것인 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 미리 정해진 두께는 10 나노미터 내지 100 나노미터의 범위 내에 있는 것인 방법.
  7. 방법에 있어서,
    웨이퍼의 일부를 후면으로부터 연마하는 단계와,
    그 후에, 상기 웨이퍼의 일부를 프레임 홀더에 의해 규정된 개구에 삽입하는 단계로서, 상기 프레임 홀더는 임시 접합층을 통하여 캐리어에 부착되며, 상기 웨이퍼의 일부의 전면은 상기 임시 접합층에 접합되는 것인, 상기 삽입하는 단계와,
    그 후에, 상기 웨이퍼의 일부가 10 나노미터 내지 100 나노미터의 범위 내에 있는 미리 정해진 두께에 도달할 때까지 상기 웨이퍼의 일부를 상기 후면으로부터 에칭하는 단계와,
    그 후에, 상기 웨이퍼의 일부로부터 상기 임시 접합층을 접합 해제하기 위하여 가열 공정 또는 자외선 경화 공정을 수행하여, 상기 웨이퍼의 접합 해제된 부분을 가진 페리클을 형성하는 단계를 포함하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 극자외선(EUV) 리소그래피 마스크 위에 상기 펠리클을 배치하는 단계를 더 포함하는 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 웨이퍼의 일부를 연마하기 이전에,
    웨이퍼를 제공하는 단계와,
    상기 웨이퍼를 복수의 부분들로 단편화(singulating)하는 단계와,
    상기 연마를 위해 사용될 상기 웨이퍼의 일부를 선택하는 단계를 더 포함하는 방법,
  10. 방법에 있어서,
    웨이퍼를 제공하는 단계로서, 상기 웨이퍼는, 기판, 상기 기판 위에 배치된 절연층, 및 상기 절연층 위에 배치된 에피-층(epi-layer)을 포함하는 것인, 상기 웨이퍼를 제공하는 단계와,
    상기 웨이퍼를 복수의 피스들로 다이싱하는 단계로서, 상기 피스들 중 적어도 하나는, 극자외선(EUV) 리소그래피 마스크를 위한 프레임 홀더에 의해 규정된 개구의 측방향 지오메트리와 매칭되는 측방향 지오메트리를 가지는 것인, 상기 다이싱하는 단계와,
    상기 웨이퍼의 피스들 중 적어도 하나를 후면으로부터 연마하는 단계와,
    그 후에, 상기 프레임 홀더에 의해 규정된 상기 개구에 그 연마된 웨이퍼의 피스를 삽입하는 단계로서, 상기 프레임 홀더는 접착층을 통하여 캐리어에 부착되며, 상기 삽입은, 상기 연마된 웨이퍼의 피스의 전면이 상기 접착층에 부착되도록 수행되는 것인, 상기 삽입하는 단계와,
    그 후에, 상기 웨이퍼의 피스가 미리 정해진 두께에 도달할 때까지 상기 연마된 웨이퍼의 피스를 상기 후면으로부터 에칭하는 단계와,
    그 후에, 그 에칭된 웨이퍼의 피스를 상기 접착층으로부터 분리하기 위하여 가열 공정 또는 자외선 경화 공정을 수행하는 단계를 포함하며,
    상기 에칭된 웨이퍼의 피스는 상기 EUV 마스크에 대한 펠리클 막으로서 기능하는 것인 방법.
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