KR20160039192A - Electronic device manufacturing method - Google Patents

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KR20160039192A
KR20160039192A KR1020167002335A KR20167002335A KR20160039192A KR 20160039192 A KR20160039192 A KR 20160039192A KR 1020167002335 A KR1020167002335 A KR 1020167002335A KR 20167002335 A KR20167002335 A KR 20167002335A KR 20160039192 A KR20160039192 A KR 20160039192A
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resin layer
electronic device
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silicone resin
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준이치 가쿠타
겐이치 에바타
요시타카 마츠야마
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아사히 가라스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 지지 기재, 실리콘 수지층, 유리 기판, 전자 디바이스용 부재를 이 순서대로 갖는 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체로부터, 상기 실리콘 수지층과 상기 유리 기판의 계면을 박리면으로 하여 실리콘 수지층 딸린 지지 기재와 전자 디바이스를 분리하여 상기 전자 디바이스를 얻는 공정을 갖는 전자 디바이스의 제조 방법이며, 상기 실리콘 수지층과 상기 유리 기판의 박리 계면의 경계선인 박리선에, 용해도 파라미터가 10 초과인 유기 용매, 또는 상기 유기 용매와 물의 혼합 용액을 공급하여, 상기 실리콘 수지층 딸린 지지 기재와 상기 전자 디바이스의 분리를 행하는 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an electronic device having a silicon resin layer with a silicone resin layer and a silicone resin layer as an interfacial surface between the silicon resin layer and the glass substrate, A method for manufacturing an electronic device, comprising the steps of: separating a supporting substrate and an electronic device to obtain the electronic device, wherein an organic solvent having a solubility parameter of more than 10 is applied to a peeling line, which is a boundary line between the silicon resin layer and the glass substrate, Or a mixed solution of the organic solvent and water, thereby separating the electronic device from the supporting substrate with the silicon resin layer.

Figure P1020167002335
Figure P1020167002335

Description

전자 디바이스의 제조 방법 {ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD} [0001] ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD [0002]

본 발명은 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것이며, 특히 실리콘 수지층과 유리 기판의 사이의 박리선에 소정의 유기 용매를 공급하여 분리(박리)를 행하는 분리 공정을 갖는 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an electronic device, and more particularly, to a method of manufacturing an electronic device having a separating step of separating (separating) a predetermined organic solvent from a stripping line between a silicon resin layer and a glass substrate .

최근, 태양 전지(PV), 액정 패널(LCD), 유기 EL 패널(OLED) 등의 디바이스(전자 기기)의 박형화, 경량화가 진행되고 있고, 이들 디바이스에 사용하는 유리 기판의 박판화가 진행되고 있다. 박판화에 의해 유리 기판의 강도가 부족하게 되면, 디바이스의 제조 공정에 있어서 유리 기판의 핸들링성이 저하된다.2. Description of the Related Art In recent years, thinner and lighter devices (electronic devices) such as a solar cell (PV), a liquid crystal panel (LCD), and an organic EL panel (OLED) have been made thinner. If the strength of the glass substrate is insufficient due to the thinning, the handling property of the glass substrate in the manufacturing process of the device is deteriorated.

따라서, 종래부터, 최종 두께보다 두꺼운 유리 기판 상에 디바이스용 부재(예를 들어, 박막 트랜지스터)를 형성한 후, 유리 기판을 화학 에칭 처리에 의해 박판화하는 방법이 널리 채용되고 있다.Therefore, conventionally, a method of forming a device member (for example, a thin film transistor) on a glass substrate that is thicker than the final thickness and then thinning the glass substrate by chemical etching treatment is widely adopted.

그러나, 이 방법에서는, 예를 들어 1매의 유리 기판의 두께를 0.7mm 내지 0.2mm나 0.1mm로 박판화하는 경우, 원래의 유리 기판 재료의 대부분을 에칭액으로 깎아내게 되므로, 생산성이나 원재료의 사용 효율이라고 하는 관점에서는 바람직하지 않다. 또한, 상기 화학 에칭에 의한 유리 기판의 박판화 방법에 있어서는, 유리 기판 표면에 미세한 흠집이 존재하는 경우, 에칭 처리에 의해 흠집을 기점으로 하여 미세한 오목부(에치 피트)가 형성되어 광학적인 결함이 되는 경우가 있었다.However, in this method, for example, when the thickness of one glass substrate is reduced to 0.7 mm to 0.2 mm or 0.1 mm, most of the original glass substrate material is shaved by the etchant, so productivity and efficiency of use of raw materials It is not preferable from the viewpoint that it is. Further, in the method of thinning a glass substrate by the chemical etching, when fine scratches are present on the surface of the glass substrate, fine recesses (etch pits) are formed starting from the scratches by the etching treatment to become optical defects There was a case.

최근에는 상기 과제에 대응하기 위하여 박판 유리 기판과 보강판을 적층한 유리 적층체를 준비하고, 유리 적층체의 박판 유리 기판 상에 표시 장치 등의 전자 디바이스용 부재를 형성한 후, 박판 유리 기판으로부터 지지판을 분리하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 보강판은 지지판과, 상기 지지판 상에 고정된 실리콘 수지층을 가지며, 실리콘 수지층과 박판 유리 기판이 박리 가능하게 밀착된다. 유리 적층체의 실리콘 수지층과 박판 유리 기판의 계면이 박리되어 박판 유리 기판으로부터 분리된 보강판은, 새로운 박판 유리 기판과 적층되어 유리 적층체로서 재이용이 가능하다.Recently, a glass laminate in which a thin plate glass substrate and a reinforcing plate are laminated is prepared in order to cope with the above-mentioned problem, and a member for an electronic device such as a display device is formed on a thin plate glass substrate of the glass laminate. A method of separating the support plate has been proposed (see, for example, Patent Document 1). The reinforcing plate has a support plate and a silicone resin layer fixed on the support plate, and the silicon resin layer and the thin plate glass substrate are brought into close contact with each other in a peelable manner. The reinforcing plate separated from the thin plate glass substrate by peeling the interface between the silicon resin layer of the glass laminate and the thin plate glass substrate is laminated with a new thin plate glass substrate and can be reused as a glass laminate.

국제 공개 제2007/018028호International Publication No. 2007/018028

최근, 유리 적층체의 유리 기판 상에 형성되는 전자 디바이스용 부재의 고기능화나 복잡화에 수반하여, 전자 디바이스용 부재를 형성할 때의 온도가 더 고온이됨과 함께, 그 고온에 노출되는 시간도 장시간을 요하는 경우가 적지 않다.In recent years, along with the enhancement and complexity of the electronic device member formed on the glass substrate of the glass laminate, the temperature for forming the electronic device member becomes higher and the time for exposure to the high temperature is also long There are a few cases that need it.

특허문헌 1에 기재된 유리 적층체는 대기 중 300℃, 1시간의 처리로는 특별히 문제를 일으키지 않는다. 그러나, 본 발명자들의 검토에 따르면, 특허문헌 1을 참조하여 유리 적층체에 대하여 350℃, 1시간의 처리를 행한 경우, 유리 기판을 실리콘 수지층 표면으로부터 박리할 때, 유리 기판이 수지층 표면으로부터 박리되지 않고 그 일부가 파괴되거나, 수지층의 수지 일부가 유리 기판 상에 잔존하거나 하므로, 결과적으로 전자 디바이스용 부재를 형성한 후에 전자 디바이스의 분리가 잘 되지 않아 전자 디바이스의 생산성 저하를 초래하는 경우가 있었다.The glass laminate described in Patent Document 1 does not cause any problems particularly in the atmosphere at 300 ° C for 1 hour. However, according to the study by the present inventors, when the glass laminate is subjected to the treatment at 350 占 폚 for 1 hour with reference to Patent Document 1, when the glass substrate is peeled from the surface of the silicone resin layer, A part of the resin layer of the resin layer remains on the glass substrate without being peeled off or the result is that the electronic device is not easily separated after the formation of the electronic device member and the productivity of the electronic device is lowered .

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 고온 가열 처리 조건 후라도 실리콘 수지층과 유리 기판의 박리가 용이하게 진행되는 전자 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing an electronic device in which a silicon resin layer and a glass substrate are easily peeled off even after a high temperature heat treatment condition.

본 발명자는 종래 기술의 문제점에 대하여 검토를 행한 바, 실리콘 수지층과 유리 기판의 박리 계면의 경계선인 박리선에 소정의 성질의 유기 용매를 공급함으로써 박리가 용이하게 진행된다는 것을 알아내고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.The inventor of the present invention has studied the problems of the prior art and found that peeling easily proceeds by supplying an organic solvent having a predetermined property to a peeling line which is a boundary line between the silicon resin layer and the glass substrate. .

즉, 상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제1 형태는, 지지 기재, 실리콘 수지층, 유리 기판, 전자 디바이스용 부재를 이 순서대로 갖는 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체로부터, 상기 실리콘 수지층과 상기 유리 기판의 계면을 박리면으로 하여, 상기 지지 기재 및 상기 실리콘 수지층을 포함하는 실리콘 수지층 딸린 지지 기재와, 상기 유리 기판 및 상기 전자 디바이스용 부재를 포함하는 전자 디바이스를 분리하여 상기 전자 디바이스를 얻는 공정을 갖는 전자 디바이스의 제조 방법이며, 실리콘 수지층과 상기 유리 기판의 박리 계면의 경계선인 박리선에, 용해도 파라미터가 10 초과인 유기 용매, 또는 상기 유기 용매와 물의 혼합 용액을 공급하여, 상기 실리콘 수지층 딸린 지지 기재와 상기 전자 디바이스의 분리를 행하는 전자 디바이스의 제조 방법이다.That is, in order to achieve the above-described object, a first aspect of the present invention is a method for manufacturing an electronic device, comprising the steps of: forming a silicone resin layer, a glass substrate, Separating the electronic device including the glass substrate and the member for the electronic device from the supporting base material with the silicon resin layer including the supporting base material and the silicone resin layer as an interfacial surface of the glass substrate, Wherein an organic solvent having a solubility parameter of more than 10 or a mixed solution of the organic solvent and water is supplied to a peeling line which is a boundary line between a silicon resin layer and a peeling interface of the glass substrate, The production of an electronic device for separating the electronic device from the supporting substrate with the silicon resin layer It is the law.

제1 형태에 있어서, 유기 용매가 할로겐 원자를 가져도 되는 알코올계 용매 또는 비프로톤성 극성 용매를 포함하는 것이 바람직하다.In the first aspect, it is preferable that the organic solvent includes an alcohol-based solvent or an aprotic polar solvent in which the organic solvent may have a halogen atom.

제1 형태에 있어서, 유기 용매가 탄소수 1 내지 6의 알코올계 용매, 디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸술폭시드(DMSO), N-메틸피롤리돈(NMP), 술포란 및 아세토니트릴로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다.In the first aspect, the organic solvent is selected from the group consisting of an alcohol solvent having 1 to 6 carbon atoms, dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide (DMAc), dimethylsulfoxide (DMSO) NMP), sulfolane, and acetonitrile.

제1 형태에 있어서, 실리콘 수지층 중의 실리콘 수지가 오르가노알케닐폴리실록산과 오르가노히드로겐폴리실록산의 반응 경화물인 것이 바람직하다.In the first aspect, it is preferable that the silicone resin in the silicone resin layer is a reactive cured product of an organoalkenyl polysiloxane and an organohydrogenpolysiloxane.

또한, 상기 실리콘 수지는 부가 반응형 실리콘의 경화물이며, 상기 부가 반응형 실리콘은, 하기 (a) 및 (b)를 포함하는 경화성 실리콘 수지 조성물이고, 상기 실리콘 수지층은, 상기 경화성 실리콘 수지 조성물을 상기 지지 기재의 표면에서 경화시킴으로써 형성되는 것이 바람직하다: (a) 알케닐기를 1 분자당 적어도 2개 갖는 선상 오르가노폴리실록산, (b) 규소 원자에 결합한 수소 원자를 1 분자당 적어도 3개 갖는 선상 오르가노폴리실록산이며, 또한 규소 원자에 결합한 수소 원자 중 적어도 1개가 분자 말단의 규소 원자에 존재하는 선상 오르가노폴리실록산.Further, the silicone resin is a cured product of addition reaction type silicone, and the addition reaction type silicone is a curable silicone resin composition comprising the following (a) and (b), and the silicone resin layer is the curable silicone resin composition (A) a linear organopolysiloxane having at least two alkenyl groups per molecule, (b) a linear organopolysiloxane having at least three hydrogen atoms bonded to silicon atoms and having at least three hydrogen atoms bonded to silicon atoms, A linear organopolysiloxane which is a linear organopolysiloxane and in which at least one hydrogen atom bonded to a silicon atom is present at the silicon atom at the molecular end.

본 발명에 따르면, 고온 가열 처리 조건 후라도 실리콘 수지층과 유리 기판의 박리가 용이하게 진행되는 전자 디바이스의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide an electronic device manufacturing method in which peeling of a silicon resin layer and a glass substrate easily proceeds even after a high-temperature heat treatment condition.

도 1의 (A) 내지 (C)는 본 발명의 전자 디바이스의 제조 방법의 분리 공정의 수순을 순서대로 도시하는 모식적 단면도이다.
도 2의 (A) 및 (B)는 각각 도 1의 (B)의 상태의 사시 단면도 및 상면도이다.
도 3의 (A) 및 (B)는 전자 디바이스의 구성예를 도시하는 모식적 단면도이다.
도 4의 (A) 내지 (C)는 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체의 제조 방법의 각 공정의 수순을 순서대로 도시하는 모식적 단면도이다.
도 5는 박리 강도의 측정 장치의 개요도이다.
1 (A) to 1 (C) are schematic cross-sectional views sequentially showing the steps of a separation step of the method for manufacturing an electronic device of the present invention.
2 (A) and 2 (B) are a perspective sectional view and a top view, respectively, of the state of FIG. 1 (B).
3 (A) and 3 (B) are schematic cross-sectional views showing a configuration example of an electronic device.
4A to 4C are schematic cross-sectional views sequentially showing the procedure of each step of the method for manufacturing a laminated body for an electronic device.
5 is a schematic view of a peeling strength measuring apparatus.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시 형태에 제한되지 않으며, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 이하의 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications and substitutions may be made without departing from the scope of the present invention. .

본 발명의 전자 디바이스의 제조 방법의 특징점으로서는, 실리콘 수지층과 유리 기판의 박리 계면의 경계선인 박리선에, 소정의 용해도 파라미터(SP값)를 나타내는 유기 용매, 또는 상기 유기 용매와 물의 혼합 용액을 공급하고 있는 점을 들 수 있다. 상기 유기 용매 또는 혼합 용액을 공급함으로써, 실리콘 수지층의 유리 기판측의 표층에 유기 용매가 침입하여 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면 접착력을 저하시키기 때문에, 실리콘 수지층과 유리 기판의 박리가 보다 용이하게 진행된다고 추측된다.The method for producing an electronic device of the present invention is characterized in that an organic solvent exhibiting a predetermined solubility parameter (SP value) or a mixed solution of the organic solvent and water is applied to a peeling line, which is a boundary line between the silicon resin layer and the glass substrate, We can supply the point that we supply. By supplying the organic solvent or mixed solution, the organic solvent invades the surface layer of the glass substrate side of the silicon resin layer to lower the interfacial adhesion between the silicon resin layer and the glass substrate, so that the silicon resin layer and the glass substrate are more easily peeled off .

본 발명의 전자 디바이스의 제조 방법은, 지지 기재, 실리콘 수지층, 유리 기판 및 전자 디바이스용 부재를 이 순서대로 갖는 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체로부터, 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면을 박리면으로 하여, 지지 기재 및 실리콘 수지층을 포함하는 실리콘 수지층 딸린 지지 기재와, 유리 기판 및 전자 디바이스용 부재를 포함하는 전자 디바이스를 분리하여 전자 디바이스를 얻는 공정(분리 공정)을 적어도 갖는다.A method of manufacturing an electronic device of the present invention is a method of manufacturing an electronic device by removing the interface between a silicon resin layer and a glass substrate from a laminated body for an electronic device having a supporting substrate, a silicone resin layer, a glass substrate and a member for an electronic device in this order (Separation step) of obtaining an electronic device by separating an electronic device including a glass substrate and an electronic device member from a supporting base material with a silicon resin layer containing a supporting substrate and a silicone resin layer.

도 1의 (A) 내지 (C)는 본 발명의 전자 디바이스의 제조 방법의 분리 공정의 수순을 순서대로 도시하는 모식적 단면도이다. 이하에, 도 1의 (A) 내지 (C)를 참조하면서 분리 공정의 수순에 대하여 상세하게 설명한다.1 (A) to 1 (C) are schematic cross-sectional views sequentially showing the steps of a separation step of the method for manufacturing an electronic device of the present invention. Hereinafter, the procedure of the separation step will be described in detail with reference to Figs. 1 (A) to 1 (C).

우선, 지지 기재와, 지지 기재 상에 배치된 실리콘 수지층과, 실리콘 수지층 상에 배치된 유리 기판과, 유리 기판 상에 배치된 전자 디바이스용 부재를 포함하는 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체를 준비한다. 도 1의 (A)는 본 발명에 관한 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체의 일례의 모식적 단면도이다.First, a laminated body for an electronic device including a supporting substrate, a silicon resin layer disposed on the supporting substrate, a glass substrate disposed on the silicon resin layer, and an electronic device member disposed on the glass substrate is prepared do. 1 (A) is a schematic cross-sectional view of an example of a laminated body for an electronic device according to the present invention.

도 1의 (A)에 도시한 바와 같이, 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체(10)는 지지 기재(12), 실리콘 수지층(14), 유리 기판(16) 및 전자 디바이스용 부재(18)를 이 순서대로 갖는다. 또한, 실리콘 수지층(14)은, 그 한쪽 면이 지지 기판(12)의 층에 고정됨과 함께, 그 다른쪽 면이 유리 기판(16)의 제1 주면에 접하고, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면은 박리 가능하게 밀착되어 있는 것이 바람직하다.1 (A), the laminated body 10 with an electronic device member includes a supporting substrate 12, a silicon resin layer 14, a glass substrate 16, and an electronic device member 18 In this order. The silicon resin layer 14 has one side fixed to the layer of the supporting substrate 12 and the other side contacting the first main surface of the glass substrate 16 and the silicon resin layer 14 It is preferable that the interface of the glass substrate 16 is in close contact with the substrate.

지지 기재(12)의 층 및 실리콘 수지층(14)을 포함하는 2층 부분은, 액정 패널 등의 전자 디바이스용 부재를 제조하는 후술하는 부재 형성 공정에 있어서, 유리 기판(16)을 보강한다. 지지 기재(12)의 층 및 실리콘 수지층(14)을 포함하는 2층 부분은, 실리콘 수지층 딸린 지지 기재(20)라고도 한다.The two-layer portion including the layer of the supporting substrate 12 and the silicon resin layer 14 reinforces the glass substrate 16 in a member forming process to be described later for manufacturing a member for an electronic device such as a liquid crystal panel. The two-layer portion including the layer of the supporting substrate 12 and the silicone resin layer 14 is also referred to as the silicon resin layer-supported substrate 20.

또한, 유리 기판(16) 및 전자 디바이스용 부재(18)를 포함하는 2층 부분은, 전자 디바이스(22)라고도 한다.Further, the two-layer portion including the glass substrate 16 and the member 18 for an electronic device is also referred to as an electronic device 22.

또한, 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체를 구성하는 각 부재 및 그 제조 수순에 대해서는, 후단에서 정리하여 설명한다.The individual members constituting the laminated body for electronic devices and their manufacturing procedures will be collectively described later.

우선, 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면을 박리면으로 하여, 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체로부터 실리콘 수지층 딸린 지지 기재와 전자 디바이스를 분리하는 수순에 대하여 설명한다.First, a description will be given of a procedure for separating the electronic device from the supporting substrate with the silicon resin layer from the laminated body for electronic devices, with the interface between the silicon resin layer and the glass substrate being peeled off.

우선, 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체로부터 실리콘 수지층 딸린 지지 기재와 전자 디바이스를 분리할 때에는, 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면에 박리의 계기를 제공하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도 1의 (A) 중의 유리 기판(16)과 실리콘 수지층(14)의 계면에 예리한 칼날 형상의 것을 삽입하여 박리의 계기를 제공한다.First, when separating the electronic device from the supporting base material with the silicone resin layer from the laminated body for electronic devices, it is preferable to provide a peeling mechanism at the interface between the silicon resin layer and the glass substrate. For example, a sharp blade shape is inserted into the interface between the glass substrate 16 and the silicon resin layer 14 in FIG. 1A to provide a peeling mechanism.

이어서, 도 1의 (B)에 도시한 바와 같이, 실리콘 수지층 딸린 지지 기재(20)와 전자 디바이스(22)의 분리를 행한다. 그 때, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 박리 계면의 경계선인 박리선에 용해도 파라미터가 10 초과인 유기 용매, 또는 상기 유기 용매와 물의 혼합 용액(이들을 총칭하여 용액(24))을 공급한다.Subsequently, as shown in Fig. 1 (B), the electronic device 22 is separated from the silicon resin layer-supported substrate 20. At this time, an organic solvent having a solubility parameter of more than 10 or a mixed solution of the organic solvent and water (collectively referred to as the solution (24)) is applied to the peeling line, which is a boundary line between the silicon resin layer (14) and the glass substrate (16) .

도 2의 (A) 및 (B)는 도 1의 (B)의 상태의 사시 단면도 및 상면도를 도시하고, 박리선 X(박리 경계선)가 표시된다. 박리선 X는, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)이 박리되지 않은 부분과, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)이 박리된 부분의 경계를 나타내는 선이다. 도 2의 (A) 및 (B)에 도시한 바와 같이, 전자 디바이스(22)의 일단부측을 들어올리면서 박리하는 경우, 박리선 X는 전자 디바이스의 일단부측으로부터 타단부측(도 2의 (B)의 우측으로부터 좌측)으로 이동한다.2 (A) and 2 (B) are a perspective sectional view and a top view of the state of FIG. 1 (B), in which the peeling line X (peeling boundary line) is displayed. The peeling line X is a line indicating a boundary between a portion where the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 are not peeled off and a portion where the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 are peeled off. 2 (A) and 2 (B), when the one end side of the electronic device 22 is peeled while being lifted, the peeling line X extends from one end side of the electronic device to the other end side To the left side).

박리선에 공급되는 유기 용매로서는, 용해도 파라미터(SP값: cal/cm3)가 10 초과인 유기 용매가 사용된다. 그 중에서도 실리콘 수지층과 유리 기판의 박리가 보다 양호하게 진행되는 점에서, 유기 용매의 용해도 파라미터는 11 이상이 바람직하다. 상한은 특별히 제한되지 않지만, 습윤성의 점에서 통상 23 이하가 바람직하다.As the organic solvent to be supplied to the peeling line, an organic solvent having a solubility parameter (SP value: cal / cm 3 ) of more than 10 is used. Among them, the solubility parameter of the organic solvent is preferably 11 or more in that the delamination between the silicon resin layer and the glass substrate proceeds more satisfactorily. The upper limit is not particularly limited, but is usually preferably 23 or less from the viewpoint of wettability.

유기 용매는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.The organic solvent may be used alone or in combination of two or more.

또한, 용해도 파라미터(δ)란, 유기 용매에 1몰당의 증발열을 ΔH(cal/mol), 몰 체적을 V(cm3ㆍmol)라고 할 때, δ=(ΔH/V)1/2에 의해 정의되는 값이다.Further, the solubility parameter by (δ) is, when said ΔH of evaporation heat per one mole of the organic solvent (cal / mol), the molar volume V (cm 3 and mol), δ = (ΔH / V) 1/2 It is a defined value.

또한, 유기 용매의 후술하는 실리콘 수지층에 대한 접촉각은 특별히 제한되지 않지만, 실리콘 수지층과 유리 기판의 박리가 보다 양호하게 진행되는 점에서 90°이하인 것이 바람직하다.The contact angle of the organic solvent with respect to the silicone resin layer to be described later is not particularly limited, but it is preferably 90 DEG or less in that the delamination between the silicone resin layer and the glass substrate proceeds more satisfactorily.

또한, 접촉각의 측정 방법은, 교와 가이멘 가가꾸 가부시끼가이샤제의 PCA-1을 사용하여 액적의 적하량을 1㎕로 하고, 23℃에서 1 샘플면당 5점 적하하여, 적하 60초 후의 접촉각을 측정하였다. 5점의 접촉각 중 최댓값, 최솟값의 1점씩을 제외한 3점의 접촉각의 평균값을 접촉각으로서 구한다.The contact angle was measured by using PCA-1 manufactured by Kyowa Chemical Co., Ltd., dropping the amount of the droplet to 1 μl, and dropping 5 drops per sample surface at 23 ° C, The contact angle was measured. The average value of the contact angles of the three points excluding the maximum value and the minimum value of the minimum value among the five contact angles is obtained as the contact angle.

또한, 박리선에 공급되는 용액으로서, 용해도 파라미터가 10 초과인 유기 용매와 물의 혼합 용액도 들 수 있다. 유기 용매의 정의는 상술한 바와 같다.A mixed solution of an organic solvent and water having a solubility parameter of more than 10 may also be used as a solution to be supplied to the peeling line. The definition of the organic solvent is as described above.

혼합 용액 중에서의 유기 용매의 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 실리콘 수지층과 유리 기판의 박리가 보다 양호하게 진행되는 점에서, 혼합 용액 전량에 대하여 10질량% 이상이 바람직하고, 20질량% 이상이 보다 바람직하다. 상한은 특별히 제한되지 않는다.The content of the organic solvent in the mixed solution is not particularly limited, but is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more based on the total amount of the mixed solution from the viewpoint that the delamination between the silicon resin layer and the glass substrate proceeds more satisfactorily desirable. The upper limit is not particularly limited.

유기 용매의 적합 형태로서는 실리콘 수지층과 유리 기판의 박리가 보다 양호하게 진행되는 점에서, 상기 용해도 파라미터를 만족하는, 할로겐 원자를 가져도 되는 알코올계 용매 또는 비프로톤성 극성 용매를 들 수 있다.Examples of the suitable form of the organic solvent include an alcohol solvent or aprotic polar solvent which may have a halogen atom satisfying the above solubility parameter in that the release of the silicone resin layer and the glass substrate proceeds more satisfactorily.

알코올계 용매로서는 실리콘 수지층과 유리 기판의 박리가 보다 양호하게 진행되는 점에서, 탄소수 1 내지 6의 알코올계 용매를 바람직하게 들 수 있고, 탄소수 1 내지 3의 알코올계 용매가 보다 바람직하다. 구체적으로는 에탄올, 프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올 등을 들 수 있다. 또한, 알코올계 용매는 직쇄상, 분지쇄상, 환상의 어느 것이라도 된다.The alcohol-based solvent is preferably an alcohol-based solvent having 1 to 6 carbon atoms, and more preferably an alcohol-based solvent having 1 to 3 carbon atoms since the separation of the silicone resin layer and the glass substrate proceeds more satisfactorily. Specific examples include ethanol, propanol, butanol, pentanol, hexanol and the like. The alcoholic solvent may be any of linear, branched and cyclic.

또한, 알코올계 용매에는 할로겐 원자가 포함되어도 된다. 즉, 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 알코올계 용매라도 된다. 할로겐 원자로서는 불소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.The alcohol-based solvent may contain a halogen atom. That is, it may be an alcohol solvent in which a hydrogen atom is substituted with a halogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

비프로톤성 극성 용매로서는 디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸술폭시드(DMSO), N-메틸피롤리돈(NMP), 술포란 또는 아세토니트릴 등을 들 수 있다.Examples of the aprotic polar solvent include dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide (DMAc), dimethylsulfoxide (DMSO), N-methylpyrrolidone (NMP), sulfolane or acetonitrile have.

유기 용매 또는 혼합 용액의 공급 방법은 특별히 제한되지 않으며, 시린지 등을 사용하여 박리선에 직접 유기 용매 또는 혼합 용액을 공급하는 방법이나, 스프레이로 유기 용매 또는 혼합 용액을 박리선에 분사하는 방법 등을 들 수 있다.The method of supplying the organic solvent or the mixed solution is not particularly limited and a method of supplying the organic solvent or the mixed solution directly to the peeling line using a syringe or the like or a method of spraying the organic solvent or mixed solution onto the peeling line by spraying .

또한, 유기 용매 또는 혼합 용액을 일단 박리선에 공급하면, 실리콘 수지층과 유리 기판의 박리에 수반하여 박리선이 이동할 때, 유기 용매 또는 혼합 용액도 모관 현상에 의해 박리선을 따라 이동하기 때문에, 실리콘 수지층과 유리 기판의 박리가 계속해서 진행되기 쉽다. 또한, 한창 박리 중에 박리선에 연속하여 유기 용매 또는 혼합 용액을 공급해도 된다.When the organic solvent or mixed solution is once supplied to the peeling line, when the peeling line moves along with the peeling of the silicon resin layer and the glass substrate, the organic solvent or the mixed solution also moves along the peeling line by capillary action, The peeling of the silicon resin layer and the glass substrate tends to proceed continuously. In addition, the organic solvent or the mixed solution may be continuously supplied to the peeling line during peeling.

또한, 유기 용매 또는 혼합 용액의 공급량은 특별히 제한되지 않지만, 박리선을 덮을 정도의 양을 공급하면 된다.The amount of the organic solvent or mixed solution to be supplied is not particularly limited, but an amount sufficient to cover the peeling line may be supplied.

실리콘 수지층 딸린 지지 기재(20)와 전자 디바이스(22)의 분리를 행하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 공지된 방법을 사용할 수 있다.A method of separating the electronic device 22 from the silicon resin layer-supported substrate 20 is not particularly limited, and a known method can be used.

예를 들어, 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체(10)의 지지 기재(12)가 상측, 전자 디바이스용 부재(18)측이 하측이 되도록 정반 상에 설치하고, 전자 디바이스용 부재(18)측을 정반 상에 진공 흡착시키고, 이 상태에서 먼저 칼날을 실리콘 수지층(14)-유리 기판(16) 계면에 침입시킨다. 그리고, 그 후에 지지 기재(12)측을 복수의 진공 흡착 패드로 흡착하고, 칼날을 삽입한 개소 부근부터 순서대로 진공 흡착 패드를 상승시킨다.For example, the supporting substrate 12 of the laminated body 10 for electronic devices is provided on the base plate so that the upper side and the side of the electronic device member 18 become the lower side, and the side of the electronic device member 18 In this state, the blade is first penetrated into the interface between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16. Thereafter, the support substrate 12 side is adsorbed by a plurality of vacuum adsorption pads, and the vacuum adsorption pads are raised in order from the vicinity of the point where the blade is inserted.

상기 처리를 실시함으로써, 도 1의 (C)에 도시한 바와 같이, 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체(10)를 실리콘 수지층 딸린 지지 기재(20)와 전자 디바이스(22)로 분리할 수 있다.By performing the above process, the laminated body 10 with the electronic device member can be separated into the electronic device 22 and the supporting base material 20 with the silicone resin layer as shown in Fig. 1 (C).

또한, 실리콘 수지층 딸린 지지 기재(20)에는 새로운 유리 기판(16) 및 전자 디바이스용 부재(18)가 적층되어, 전자 디바이스용 부재를 갖는 유리 적층체(10)로서 재이용할 수 있다.The new glass substrate 16 and the electronic device member 18 are laminated on the supporting substrate 20 with the silicone resin layer and can be reused as the glass laminate 10 having the electronic device member.

또한, 상기 방법으로 제조된 전자 디바이스(22)(유리 기판(16) 및 전자 디바이스용 부재(18)를 포함하는 적층체)로서는, 유리 기판과 표시 장치용 부재를 갖는 표시 장치용 패널, 유리 기판과 태양 전지용 부재를 갖는 태양 전지, 유리 기판과 박막 2차 전지용 부재를 갖는 박막 2차 전지, 유리 기판과 전자 디바이스용 부재를 갖는 전자 부품 등으로서 사용할 수 있다. 표시 장치용 패널로서는 액정 패널, 유기 EL 패널, 플라즈마 디스플레이 패널, 필드 에미션 패널 등을 포함한다.The electronic device 22 (a laminate including the glass substrate 16 and the member 18 for an electronic device) manufactured by the above method may be a panel for a display device having a glass substrate and a display device member, A solar cell having a solar cell member, a thin film secondary cell having a glass substrate and a member for a thin film secondary battery, an electronic part having a glass substrate and a member for an electronic device, and the like. The display panel includes a liquid crystal panel, an organic EL panel, a plasma display panel, a field emission panel, and the like.

또한, 전자 디바이스의 보다 구체적인 예로서는, 후술하는 부재 형성 공정에서 설명하는 TFT-LCD의 제조를 행한 경우, 도 3의 (A)에 도시한 바와 같은 액정 패널을 얻을 수 있다. 도 3의 (A)에 도시하는 액정 패널(80)은 TFT 기판(82), CF 기판(84) 및 액정층(86) 등으로 구성된다. TFT 기판(82)은 유리 기판(16) 상에 TFT 소자(박막 트랜지스터)(83) 등을 패턴 형성하여 이루어진다. CF 기판(84)은 유리 기판(16) 상에 컬러 필터 소자(85)를 패턴 형성하여 이루어진다. TFT 기판(82) 및 CF 기판(84)도, 상기 전자 디바이스에 상당한다.As a more specific example of the electronic device, a liquid crystal panel as shown in Fig. 3 (A) can be obtained when the TFT-LCD described in the member forming step described later is manufactured. A liquid crystal panel 80 shown in Fig. 3A is composed of a TFT substrate 82, a CF substrate 84, a liquid crystal layer 86, and the like. The TFT substrate 82 is formed by patterning a TFT element (thin film transistor) 83 or the like on a glass substrate 16. The CF substrate 84 is formed by patterning a color filter element 85 on a glass substrate 16. The TFT substrate 82 and the CF substrate 84 also correspond to the above electronic device.

또한, 전자 디바이스의 다른 구체적인 예로서는, 도 3의 (B)에 도시하는 전자 페이퍼를 들 수 있다. 도 3의 (B) 중, 전자 페이퍼(90)는, 예를 들어 유리 기판(16), TFT층(92), 전기 공학 매체(예를 들어 마이크로 캡슐)를 포함하는 층(94), 투명 전극(96) 및 전방면판(98)으로 구성된다. TFT층(92), 전기 공학 매체의 층(94) 및 투명 전극(96) 등으로 전자 페이퍼 소자(91)가 구성된다. 전자 페이퍼 소자는 마이크로 캡슐형, 인플레인형, 트위스트 볼형, 입자 이동형, 전자 분류형, 중합체 네트워크형 중 어느 것이라도 된다.Another specific example of the electronic device is the electronic paper shown in Fig. 3 (B). 3B, the electronic paper 90 includes a layer 94 including, for example, a glass substrate 16, a TFT layer 92, an electrical engineering medium (for example, a microcapsule) (96) and a front face plate (98). The electronic paper element 91 is constituted by the TFT layer 92, the layer 94 of the electro-optic medium and the transparent electrode 96 and the like. The electronic paper element may be any of microcapsule type, infoline type, twist ball type, particle type, electron class type, and polymer network type.

이하, 상기에서 사용한 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체(10)의 각 구성(지지 기재(12), 실리콘 수지층(14), 유리 기판(16), 전자 디바이스용 부재(18))의 설명, 및 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체(10)의 제조 방법에 대하여 기재한다.A description of each configuration (supporting substrate 12, silicon resin layer 14, glass substrate 16, electronic device member 18) of the laminated body 10 with electronic devices for use in the above description, and A method of manufacturing the member-laminated body 10 for an electronic device will be described.

또한, 지지 기재(12)와 실리콘 수지층(14)의 계면은 박리 강도(x)를 가지며, 지지 기재(12)와 실리콘 수지층(14)의 계면에 박리 강도(x)를 초과하는 박리 방향의 응력이 가해지면, 지지 기재(12)와 실리콘 수지층(14)의 계면이 박리된다. 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면은 박리 강도(y)를 가지며, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면에 박리 강도(y)를 초과하는 박리 방향의 응력이 가해지면, 실리콘 수지(14)층과 유리 기판(16)의 계면이 박리된다.The interface between the supporting substrate 12 and the silicone resin layer 14 has a peeling strength x and is exerted on the interface between the supporting substrate 12 and the silicone resin layer 14 in the peeling direction The interface between the supporting substrate 12 and the silicone resin layer 14 is peeled off. The interface between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 has a peel strength y and a stress in the peeling direction exceeding the peel strength y is exerted on the interface between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 The interface between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 is peeled off.

전자 디바이스용 부재 딸린 적층체(10)에 있어서는, 통상, 상기 박리 강도(x)는 상기 박리 강도(y)보다 높은 것이 바람직하다. 상기 형태라면, 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체(10)에 지지 기재(12)와 유리 기판(16)을 박리하는 방향의 응력이 가해지면, 본 발명의 전자 디바이스용 부재를 갖는 유리 적층체(10)는, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면에서 박리되어, 전자 디바이스(22)와 실리콘 수지층 딸린 지지 기재(20)로 보다 용이하게 분리된다.In the laminated body 10 for an electronic device, generally, the peeling strength (x) is preferably higher than the peeling strength (y). When the stress in the direction in which the supporting substrate 12 and the glass substrate 16 are peeled off is applied to the laminated body 10 having the electronic device for the electronic device in the above-described manner, the glass laminate 10 Is peeled at the interface between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 and is more easily separated by the electronic device 22 and the supporting substrate 20 with the silicon resin layer.

박리 강도(x)는 박리 강도(y)와 비교하여 충분히 높은 것이 바람직하다. 박리 강도(x)를 높이는 것은, 지지 기재(12)에 대한 실리콘 수지층(14)의 부착력을 높이고, 또한 가열 처리 후에 있어서 유리 기판(16)에 대해서 보다도 상대적으로 높은 부착력을 유지할 수 있음을 의미한다.The peel strength (x) is preferably sufficiently high as compared with the peel strength (y). Raising the peel strength x means that the adhesion of the silicon resin layer 14 to the support substrate 12 can be increased and a relatively high adhesion force to the glass substrate 16 can be maintained after the heat treatment do.

지지 기재(12)에 대한 실리콘 수지층(14)의 부착력을 높이기 위해서는, 예를 들어 가교성 오르가노폴리실록산을 지지 기재(12) 상에서 가교 경화시켜 실리콘 수지층(14)을 형성하는 것이 바람직하다. 가교 경화시의 접착력으로, 지지 기재(12)에 대하여 높은 결합력으로 결합한 실리콘 수지층(14)을 형성할 수 있다.In order to increase the adhesion of the silicone resin layer 14 to the supporting substrate 12, it is preferable to form the silicone resin layer 14 by, for example, crosslinking and curing the crosslinkable organopolysiloxane on the supporting substrate 12. The silicone resin layer 14 bonded to the supporting substrate 12 with high bonding force can be formed by the adhesive force at the time of crosslinking curing.

한편, 가교 경화 후의 가교성 오르가노폴리실록산의 경화물의 유리 기판(16)에 대한 결합력은, 상기 가교 경화시에 발생하는 결합력보다 낮은 것이 통례이다. 따라서, 지지 기재(12) 상에서 가교성 오르가노폴리실록산을 가교 경화시켜 실리콘 수지층(14)을 형성하고, 그 후 실리콘 수지층(14)의 면에 유리 기판(16)을 적층하는 것이 바람직하다.On the other hand, it is usual that the bonding force of the cured product of the crosslinkable organopolysiloxane to the glass substrate 16 after the crosslinking curing is lower than the bonding force generated at the time of crosslinking curing. Therefore, it is preferable that the silicone resin layer 14 is formed by crosslinking and curing the crosslinkable organopolysiloxane on the supporting substrate 12, and then the glass substrate 16 is laminated on the surface of the silicone resin layer 14.

[지지 기재][Supporting substrate]

지지 기재(12)는, 유리 기판(16)을 지지하여 보강하고, 후술하는 부재 형성 공정(전자 디바이스용 부재를 제조하는 공정)에 있어서 전자 디바이스용 부재의 제조시에 유리 기판(16)의 변형, 흠집 발생, 파손 등을 방지한다.The support substrate 12 supports the glass substrate 16 and reinforces the glass substrate 16 so that the glass substrate 16 is deformed during the manufacturing process of the electronic device member in the member forming process , Scratches, breakage, and the like.

지지 기재(12)로서는, 예를 들어 유리판, 플라스틱판, SUS판 등의 금속판 등이 사용된다. 통상, 후술하는 부재 형성 공정이 열처리를 수반하기 때문에, 지지 기재(12)는 유리 기판(16)과의 선팽창 계수의 차가 작은 재료로 형성되는 것이 바람직하고, 유리 기판(16)과 동일 재료로 형성되는 것이 보다 바람직하고, 지지 기재(12)는 유리판인 것이 바람직하다. 특히, 지지 기재(12)는, 유리 기판(16)과 동일한 유리 재료를 포함하는 유리판인 것이 바람직하다.As the supporting substrate 12, for example, a metal plate such as a glass plate, a plastic plate, an SUS plate, or the like is used. The supporting substrate 12 is preferably formed of a material having a small difference in coefficient of linear expansion from the glass substrate 16 and is formed of the same material as that of the glass substrate 16 And the supporting substrate 12 is preferably a glass plate. In particular, the supporting substrate 12 is preferably a glass plate containing the same glass material as the glass substrate 16.

지지 기재(12)의 두께는, 유리 기판(16)보다 두꺼워도 되고, 얇아도 된다. 바람직하게는, 유리 기판(16)의 두께, 실리콘 수지층(14)의 두께에 기초하여 지지 기재(12)의 두께가 선택된다. 예를 들어, 현행의 부재 형성 공정이 두께 0.5mm의 기판을 처리하도록 설계된 것이며, 유리 기판(16)의 두께와 실리콘 수지층(14)의 두께의 합이 0.1mm인 경우, 지지 기재(12)의 두께를 0.4mm로 한다. 지지 기재(12)의 두께는, 통상의 경우, 0.2 내지 5.0mm인 것이 바람직하다.The thickness of the supporting substrate 12 may be thicker or thinner than that of the glass substrate 16. Preferably, the thickness of the supporting substrate 12 is selected based on the thickness of the glass substrate 16 and the thickness of the silicon resin layer 14. For example, if the current member forming process is designed to process a substrate with a thickness of 0.5 mm and the sum of the thickness of the glass substrate 16 and the thickness of the silicon resin layer 14 is 0.1 mm, Is set to 0.4 mm. The thickness of the supporting substrate 12 is preferably 0.2 to 5.0 mm in general.

지지 기재(12)가 유리판인 경우, 유리판의 두께는 취급하기 쉽고, 깨지기 어려운 등의 이유로부터 0.08mm 이상인 것이 바람직하다. 또한, 유리판의 두께는, 전자 디바이스용 부재 형성 후에 박리할 때, 깨지지 않고 적절하게 휘는 강성이 요망되는 이유로부터 1.0mm 이하인 것이 바람직하다.When the supporting substrate 12 is a glass plate, the thickness of the glass plate is preferably 0.08 mm or more for ease of handling and difficulty in breaking. The thickness of the glass plate is preferably not more than 1.0 mm from the reason that it is desired that the rigidity to bend properly without breaking after peeling off after formation of the electronic device member is desired.

지지 기재(12)와 유리 기판(16)의 25 내지 300℃에서의 평균 선팽창 계수의 차는, 바람직하게는 500×10-7/℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 300×10-7/℃ 이하이고, 더욱 바람직하게는 200×10-7/℃ 이하이다. 차가 지나치게 크면, 후술하는 부재 형성 공정에서의 가열 냉각시, 지지 기재(12)와 유리 기판(16)이 박리되거나 할 가능성이 있다. 지지 기재(12)의 재료가 유리 기판(16)의 재료와 동일한 경우, 이러한 문제가 발생하는 것을 억제할 수 있다.The difference in average coefficient of linear expansion between the support substrate 12 and the glass substrate 16 at 25 to 300 ° C is preferably 500 × 10 -7 / ° C or less, more preferably 300 × 10 -7 / ° C or less , More preferably 200 x 10 < -7 > / DEG C or less. If the car is excessively large, there is a possibility that the supporting substrate 12 and the glass substrate 16 are peeled off during the heating and cooling in the member forming process to be described later. When the material of the supporting substrate 12 is the same as the material of the glass substrate 16, occurrence of such a problem can be suppressed.

[실리콘 수지층][Silicone resin layer]

실리콘 수지층(14)은, 실리콘 수지층 딸린 지지 기재(20)와 전자 디바이스(22)를 분리하는 조작이 행해질 때까지 유리 기판(16)의 위치 어긋남을 방지함과 함께, 유리 기판(16) 등이 분리 조작에 의해 파손되는 것을 방지한다. 실리콘 수지층(14)의 유리 기판(16)과 접하는 표면(14a)은, 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 박리 가능하게 밀착된다. 실리콘 수지층(14)은 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 약한 결합력으로 결합되어 있으며, 그 계면의 박리 강도(y)는 실리콘 수지층(14)과 지지 기재(12) 사이의 계면의 박리 강도(x)보다 낮은 것이 바람직하다.The silicon resin layer 14 prevents the positional deviation of the glass substrate 16 until the operation of separating the electronic device 22 from the silicon substrate layer 20 and the electronic device 22 is performed, Etc. are prevented from being broken by the separating operation. The surface 14a of the silicon resin layer 14 which is in contact with the glass substrate 16 is brought into close contact with the first main surface 16a of the glass substrate 16 in a peelable manner. The peeling strength y of the interface between the silicon resin layer 14 and the supporting substrate 12 is set so that the peeling strength y of the interface between the silicon resin layer 14 and the supporting substrate 12 Is preferably lower than the peel strength (x) of the interface.

즉, 유리 기판(16)과 지지 기재(12)를 분리할 때에는, 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)과 실리콘 수지층(14)의 계면에서 박리되고, 지지 기재(12)와 실리콘 수지층(14)의 계면에서는 박리되기 어려운 것이 바람직하다. 이 적합 형태에 있어서는, 실리콘 수지층(14)은 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)과 밀착되지만, 유리 기판(16)을 용이하게 박리할 수 있는 표면 특성을 갖는다. 즉, 실리콘 수지층(14)은, 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 대하여 어느 정도의 결합력으로 결합하여 유리 기판(16)의 위치 어긋남 등을 방지하고 있음과 동시에, 유리 기판(16)을 박리할 때에는, 유리 기판(16)을 파괴하지 않고, 용이하게 박리할 수 있을 정도의 결합력으로 결합되어 있다. 이 실리콘 수지층(14) 표면이 용이하게 박리할 수 있는 성질을 박리성이라고 한다. 한편, 지지 기재(12)의 제1 주면과 실리콘 수지층(14)은 상대적으로 박리되기 어려운 결합력으로 결합되어 있다.That is, when separating the glass substrate 16 and the supporting substrate 12, the glass substrate 16 is peeled from the interface between the first main surface 16a of the glass substrate 16 and the silicone resin layer 14, It is preferable that it is difficult to peel off from the interface of the resin layer 14. In this embodiment, the silicone resin layer 14 is in close contact with the first main surface 16a of the glass substrate 16, but has a surface characteristic capable of easily peeling off the glass substrate 16. That is, the silicon resin layer 14 is bonded to the first main surface 16a of the glass substrate 16 with a certain degree of bonding force to prevent displacement of the glass substrate 16, 16 are peeled off, the glass substrate 16 is bonded to the glass substrate 16 with a bonding force so that the glass substrate 16 can be easily peeled without breaking. The property that the surface of the silicone resin layer 14 can easily be peeled off is referred to as peelability. On the other hand, the first main surface of the supporting substrate 12 and the silicone resin layer 14 are bonded with a bonding force that is relatively difficult to peel off.

또한, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면의 결합력은, 유리 기판(16)의 면(제2 주면(16b)) 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하기 전후에 변화해도 된다(즉, 박리 강도(x)나 박리 강도(y)가 변화해도 됨). 그러나, 전자 디바이스용 부재를 형성한 후라도 박리 강도(y)는 박리 강도(x)보다 낮은 것이 바람직하다.The bonding force between the interface of the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 may be changed before or after the formation of the electronic device member on the surface of the glass substrate 16 (the second main surface 16b) That is, the peel strength (x) or peel strength (y) may be changed). However, even after forming the member for electronic devices, the peel strength (y) is preferably lower than the peel strength (x).

실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 층은, 약한 접착력이나 반데발스 힘에 기인하는 결합력으로 결합되어 있는 것이 바람직하다. 실리콘 수지층(14)을 형성한 후 그 표면에 유리 기판(16)을 적층하는 경우, 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지가 접착력을 나타내지 않을 만큼 충분히 가교되어 있는 경우에는 반데발스 힘에 기인하는 결합력으로 결합되어 있다고 생각된다. 그러나, 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지는, 어느 정도의 약한 접착력을 갖는 경우가 적지 않다. 가령 접착성이 극히 낮은 경우라도, 전자 디바이스용 부재를 형성할 때에는 가열 조작 등에 의해 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지는 유리 기판(16) 표면에 접착되어, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 층과의 사이의 결합력은 상승한다고 생각된다.It is preferable that the layers of the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 are bonded to each other with a bonding force due to a weak adhesive force or a Bandaudz force. In the case where the glass substrate 16 is laminated on the surface of the silicon resin layer 14 after the silicon resin layer 14 is formed, if the silicone resin of the silicone resin layer 14 is sufficiently crosslinked so as not to exhibit the adhesive force, It is believed that they are bonded together. However, the silicone resin of the silicone resin layer 14 often has a weak adhesive strength to some extent. The silicon resin of the silicon resin layer 14 is adhered to the surface of the glass substrate 16 by the heating operation or the like so that the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 are adhered to each other, It is considered that the bonding force between the layer 16 and the layer is increased.

경우에 따라, 적층 전의 실리콘 수지층(14)의 표면이나 적층 전의 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 양자간의 결합력을 약화시키는 처리를 행하여 적층할 수도 있다. 적층하는 면에 비접착성 처리 등을 행하고, 그 후 적층함으로써 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 층의 계면의 결합력을 약화시켜 박리 강도(y)를 낮게 할 수 있다.It is also possible to laminate the surface of the silicon resin layer 14 before lamination or the first main surface 16a of the glass substrate 16 before lamination by performing treatment to weaken the bonding force therebetween. The peeling strength y can be lowered by weakening the bonding force between the interface of the silicon resin layer 14 and the layer of the glass substrate 16 by performing non-adhesive treatment or the like on the layer to be laminated and then laminating it.

또한, 실리콘 수지층(14)은, 접착력이나 점착력 등의 강한 결합력으로 지지 기재(12) 표면에 결합되어 있는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상술한 바와 같이, 가교성 오르가노폴리실록산을 지지 기재(12) 표면에서 가교 경화시킴으로써, 가교물인 실리콘 수지를 지지 기재(12) 표면에 접착하여 높은 결합력을 얻을 수 있다. 또한, 지지 기재(12) 표면과 실리콘 수지층(14)의 사이에 강한 결합력을 발생시키는 처리(예를 들어, 커플링제를 사용한 처리)를 실시하여 지지 기재(12) 표면과 실리콘 수지층(14)의 사이의 결합력을 높일 수 있다.It is preferable that the silicone resin layer 14 is bonded to the surface of the supporting substrate 12 with a strong bonding force such as an adhesive force or an adhesive force. For example, as described above, the crosslinkable organopolysiloxane is crosslinked and cured at the surface of the supporting substrate 12, whereby a high bonding force can be obtained by bonding the silicone resin, which is a crosslinked product, to the surface of the supporting substrate 12. The surface of the supporting substrate 12 and the surface of the silicon resin layer 14 (for example, the surface of the supporting substrate 12) are subjected to a treatment (for example, a treatment using a coupling agent) Can be increased.

실리콘 수지층(14)과 지지 기재(12)의 층이 높은 결합력으로 결합되어 있는 것은, 양자의 계면의 박리 강도(x)가 높다는 것을 의미한다.The reason why the layer of the silicone resin layer 14 and the layer of the supporting substrate 12 are bonded with a high bonding force means that the peeling strength x of the interface between them is high.

실리콘 수지층(14)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 2 내지 100㎛인 것이 바람직하고, 3 내지 50㎛인 것이 보다 바람직하고, 7 내지 20㎛인 것이 더욱 바람직하다. 실리콘 수지층(14)의 두께가 이러한 범위이면, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 사이에 기포나 이물질이 개재하는 경우가 있어도 유리 기판(16)의 왜곡 결함의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 실리콘 수지층(14)의 두께가 지나치게 두꺼우면, 형성하는 데 시간 및 재료를 요하기 때문에 경제적이지 않고, 내열성이 저하되는 경우가 있다. 또한, 실리콘 수지층(14)의 두께가 지나치게 얇으면, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 밀착성이 저하되는 경우가 있다.The thickness of the silicone resin layer 14 is not particularly limited, but is preferably 2 to 100 占 퐉, more preferably 3 to 50 占 퐉, and further preferably 7 to 20 占 퐉. If the thickness of the silicon resin layer 14 is within this range, it is possible to suppress the occurrence of distortion defects of the glass substrate 16 even when bubbles or foreign matter intervene between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 . If the thickness of the silicone resin layer 14 is too thick, it takes time and material to form it, which is not economical and the heat resistance may be lowered. If the thickness of the silicon resin layer 14 is too small, the adhesion between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 may be deteriorated.

또한, 실리콘 수지층(14)은 2층 이상을 포함해도 된다. 이 경우 「실리콘 수지층(14)의 두께」는 모든 층의 합계 두께를 의미하기로 한다.The silicone resin layer 14 may include two or more layers. In this case, " the thickness of the silicon resin layer 14 " means the total thickness of all the layers.

또한, 실리콘 수지층(14)이 2층 이상을 포함하는 경우에는, 각각의 층을 형성하는 수지가 상이한 가교 실리콘 수지를 포함하여도 된다.When the silicone resin layer 14 includes two or more layers, the resin forming each layer may also include a crosslinked silicone resin.

실리콘 수지층(14)에 포함되는 실리콘 수지는 가교성 오르가노폴리실록산의 가교물이며, 실리콘 수지는 3차원 그물눈 구조를 형성하고 있는 것이 바람직하다.The silicone resin contained in the silicone resin layer 14 is a crosslinked product of a crosslinkable organopolysiloxane, and the silicone resin preferably forms a three-dimensional mesh structure.

가교성 오르가노폴리실록산의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 소정의 가교 반응을 통하여 가교 경화하고, 실리콘 수지를 구성하는 가교물(경화물)이 되면 특별히 그 구조는 한정되지 않으며, 소정의 가교성을 가지면 된다. 가교의 형식은 특별히 제한되지 않으며, 가교성 오르가노폴리실록산 중에 포함되는 가교성기의 종류에 따라 적절히 공지된 형식을 채용할 수 있다. 예를 들어, 히드로실릴화 반응, 축합 반응, 또는 가열 처리, 고에너지선 처리 혹은 라디칼 중합 개시제에 의한 라디칼 반응 등을 들 수 있다.The kind of the crosslinkable organopolysiloxane is not particularly limited, and the structure is not particularly limited as long as it is crosslinked and cured through a predetermined crosslinking reaction to form a crosslinked product (cured product) constituting the silicone resin. If the crosslinked organopolysiloxane has a predetermined crosslinking property do. The type of crosslinking is not particularly limited, and a well-known type may be adopted depending on the type of crosslinkable group contained in the crosslinkable organopolysiloxane. For example, a hydrosilylation reaction, a condensation reaction or a heat treatment, a high energy ray treatment, or a radical reaction with a radical polymerization initiator can be given.

보다 구체적으로는, 가교성 오르가노폴리실록산이 알케닐기 또는 알키닐기 등의 라디칼 반응성기를 갖는 경우, 상기 라디칼 반응을 통한 라디칼 반응성기끼리의 반응에 의해 가교하여 경화물(가교 실리콘 수지)이 된다.More specifically, when the crosslinkable organopolysiloxane has a radical reactive group such as an alkenyl group or an alkynyl group, the crosslinked organopolysiloxane is crosslinked by a reaction between radical reactive groups through the radical reaction to form a cured product (crosslinked silicone resin).

또한, 가교성 오르가노폴리실록산이 실라놀기를 갖는 경우, 실라놀기끼리의 축합 반응에 의해 가교하여 경화물이 된다.Further, when the crosslinkable organopolysiloxane has a silanol group, the silanol groups are crosslinked by the condensation reaction to form a cured product.

또한, 가교성 오르가노폴리실록산이 규소 원자에 결합한 알케닐기(비닐기 등)를 갖는 오르가노폴리실록산(즉, 오르가노알케닐폴리실록산) 및 규소 원자에 결합한 수소 원자(히드로실릴기)를 갖는 오르가노폴리실록산(즉, 오르가노히드로겐폴리실록산)을 포함하는 경우, 히드로실릴화 촉매(예를 들어, 백금계 촉매)의 존재하에 히드로실릴화 반응에 의해 가교하여 경화물이 된다.The organopolysiloxane having a hydrogen atom (hydrosilyl group) bonded to a silicon atom and an organopolysiloxane having an alkenyl group (e.g., vinyl group) bonded to a silicon atom (i.e., an organoalkenyl polysiloxane) in which the crosslinkable organopolysiloxane is bonded to a silicon atom (I.e., organohydrogenpolysiloxane), it is crosslinked by a hydrosilylation reaction in the presence of a hydrosilylation catalyst (for example, a platinum-based catalyst) to form a cured product.

그 중에서도 실리콘 수지층(14)의 형성이 용이하고, 유리 기판의 박리성이 보다 우수한 점에서, 가교성 오르가노폴리실록산이 양쪽 말단 및/또는 측쇄에 알케닐기를 갖는 오르가노폴리실록산(이후, 적절히 오르가노폴리실록산 A라고도 칭함)과, 양쪽 말단 및/또는 측쇄에 히드로실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산(이후, 적절히 오르가노폴리실록산 B라고도 칭함)을 포함하는 형태가 바람직하다.Among them, an organopolysiloxane having an alkenyl group at both terminals and / or side chains of a crosslinkable organopolysiloxane (hereinafter referred to as " organopolysiloxane " Organopolysiloxane A ") and an organopolysiloxane having a hydrosilyl group at both ends and / or side chains (hereinafter referred to as organopolysiloxane B suitably).

또한, 알케닐기로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 비닐기(에테닐기), 알릴기(2-프로페닐기), 부테닐기, 펜테닐기, 헥시닐기 등을 들 수 있고, 그 중에서도 내열성이 우수한 점에서 비닐기가 바람직하다.Examples of the alkenyl group include, but are not limited to, a vinyl group (ethenyl group), an allyl group (2-propenyl group), a butenyl group, a pentenyl group and a hexynyl group. Among them, A vinyl group is preferable.

또한, 오르가노폴리실록산 A에 포함되는 알케닐기 이외의 기, 및 오르가노폴리실록산 B에 포함되는 히드로실릴기 이외의 기로서는 알킬기(특히, 탄소수 4 이하의 알킬기)를 들 수 있다.Examples of the group other than the alkenyl group contained in the organopolysiloxane A and the group other than the hydrosilyl group contained in the organopolysiloxane B include an alkyl group (particularly an alkyl group having 4 or less carbon atoms).

오르가노폴리실록산 A 중에서의 알케닐기의 위치는 특별히 제한되지 않지만, 오르가노폴리실록산 A가 직쇄상인 경우, 알케닐기는 하기에 나타내는 M 단위 및 D 단위 중 어느 하나에 존재해도 되고, M 단위와 D 단위의 양쪽에 존재해도 된다. 경화 속도의 점에서 적어도 M 단위에 존재하는 것이 바람직하고, 2개의 M 단위의 양쪽에 존재하는 것이 바람직하다.Although the position of the alkenyl group in the organopolysiloxane A is not particularly limited, when the organopolysiloxane A is linear, the alkenyl group may be present in any of the M units and D units shown below, and the M unit and the D unit Or the like. It is preferable that at least in the M unit in view of the curing rate, it is preferable that the two M units are present on both sides.

또한, M 단위 및 D 단위란, 오르가노폴리실록산의 기본 구성 단위의 예이며, M 단위란 유기기가 3개 결합한 1 관능성의 실록산 단위, D 단위란 유기기가 2개 결합한 2 관능성의 실록산 단위이다. 실록산 단위에 있어서, 실록산 결합은 2개의 규소 원자가 1개의 산소 원자를 통하여 결합한 결합임으로써, 실록산 결합에서의 규소 원자 1개당 산소 원자는 1/2개로 간주하여, 식 중 O1/2로 표현된다.The M unit and D unit are examples of basic constituent units of an organopolysiloxane, and the M unit is a monofunctional siloxane unit in which three organic groups are bonded, and a D unit is a bifunctional siloxane unit in which two organic groups are bonded. In the siloxane unit, the siloxane bond is a bond in which two silicon atoms are bonded through one oxygen atom, and the oxygen atom per one silicon atom in the siloxane bond is regarded as 1/2, and represented by O 1/2 in the formula .

Figure pct00001
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오르가노폴리실록산 A 중에서의 알케닐기의 수는 특별히 제한되지 않지만, 1 분자 중에 1 내지 3개가 바람직하고, 2개가 보다 바람직하다.The number of alkenyl groups in the organopolysiloxane A is not particularly limited, but is preferably 1 to 3, and more preferably 2 in one molecule.

오르가노폴리실록산 B 중에서의 히드로실릴기의 위치는 특별히 제한되지 않지만, 오르가노폴리실록산 A가 직쇄상인 경우, 히드로실릴기는 M 단위 및 D 단위 중 어느 하나에 존재해도 되고, M 단위와 D 단위의 양쪽에 존재해도 된다. 경화 속도의 점에서 적어도 D 단위에 존재하는 것이 바람직하다.Although the position of the hydrosilyl group in the organopolysiloxane B is not particularly limited, when the organopolysiloxane A is linear, the hydrosilyl group may be present in either the M unit or the D unit, or both the M unit and the D unit . It is preferable that the curing agent exists at least in the D unit in terms of the curing rate.

오르가노폴리실록산 B 중에서의 히드로실릴기의 수는 특별히 제한되지 않지만, 1 분자 중에 적어도 3개 갖는 것이 바람직하고, 3개가 보다 바람직하다.The number of hydrosilyl groups in the organopolysiloxane B is not particularly limited, but it is preferably at least 3 in one molecule, and more preferably 3.

오르가노폴리실록산 A와 오르가노폴리실록산 B의 혼합 비율은 특별히 제한되지 않지만, 오르가노폴리실록산 B 중의 규소 원자에 결합한 수소 원자와, 오르가노폴리실록산 A 중의 전체 알케닐기의 몰비(수소 원자/알케닐기)가 0.7 내지 1.05가 되도록 조정하는 것이 바람직하다. 그 중에서도 0.8 내지 1.0이 되도록 혼합 비율을 조정하는 것이 바람직하다.Although the mixing ratio of the organopolysiloxane A and the organopolysiloxane B is not particularly limited, the molar ratio (hydrogen atom / alkenyl group) of the hydrogen atoms bonded to the silicon atom in the organopolysiloxane B and the total alkenyl groups in the organopolysiloxane A is 0.7 To 1.05. Among them, it is preferable to adjust the mixing ratio to be 0.8 to 1.0.

히드로실릴화 촉매로서는 백금족 금속계 촉매를 사용하는 것이 바람직하다. 백금족 금속계 촉매로서는 백금계, 팔라듐계, 로듐계 등의 촉매를 들 수 있으며, 특히 백금계 촉매로서 사용하는 것이 경제성, 반응성의 점에서 바람직하다. 백금족 금속계 촉매로서는 공지된 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 백금 미분말, 백금흑, 염화제1백금산, 염화제2백금산 등의 염화백금산, 4염화백금, 염화백금산의 알코올 화합물, 알데히드 화합물, 혹은 백금의 올레핀 착체, 알케닐실록산 착체, 카르보닐 착체 등을 들 수 있다.As the hydrosilylation catalyst, it is preferable to use a platinum group metal catalyst. Examples of the platinum group metal catalyst include platinum, palladium, and rhodium catalysts. Particularly, it is preferable to use the catalyst as a platinum catalyst in terms of economy and reactivity. As the platinum group metal catalyst, those known can be used. Specific examples thereof include platinum compounds such as platinum powder, platinum black, chloroplatinic acid, chloroplatinic acid and the like, chloroplatinic acid, platinum tetrachloride, alcohol compounds of chloroplatinic acid, aldehyde compounds or platinum olefin complexes, alkenylsiloxane complexes, And the like.

히드로실릴화 촉매의 사용량으로서는, 오르가노폴리실록산 A와 오르가노폴리실록산 B의 합계 질량 100질량부에 대하여 0.1 내지 20질량부가 바람직하고, 1 내지 10질량부가 보다 바람직하다.The hydrosilylation catalyst is used in an amount of preferably from 0.1 to 20 parts by mass, more preferably from 1 to 10 parts by mass per 100 parts by mass of the total mass of the organopolysiloxane A and the organopolysiloxane B.

가교성 오르가노폴리실록산의 수 평균 분자량은 특별히 제한되지 않지만, 취급성이 우수함과 함께, 성막성도 우수하고, 고온 처리 조건하에서의 실리콘 수지의 분해가 보다 억제되는 점에서, GPC(겔 투과 크로마토그래피) 측정에 의한, 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 1,000 내지 5,000,000이 바람직하고, 2,000 내지 3,000,000이 보다 바람직하다.The number average molecular weight of the crosslinkable organopolysiloxane is not particularly limited, but it is excellent in handleability, has excellent film forming properties, and is more resistant to decomposition of the silicone resin under high temperature treatment conditions. Therefore, the gel permeation chromatography (GPC) , The weight average molecular weight in terms of polystyrene is preferably 1,000 to 5,000,000, more preferably 2,000 to 3,000,000.

가교성 오르가노폴리실록산의 점도는 10 내지 5000mPaㆍs가 바람직하고, 15 내지 3000mPaㆍs가 보다 바람직하다.The viscosity of the crosslinkable organopolysiloxane is preferably 10 to 5000 mPa · s, more preferably 15 to 3000 mPa · s.

또한, 가교성 오르가노폴리실록산의 구체적으로 시판되고 있는 상품명 또는 형식 번호로서는, 방향족기를 갖지 않는 가교성 오르가노폴리실록산으로서 KNS-320A, KS-847(모두 신에쯔 실리콘사제), TPR6700(모멘티브 퍼포먼스 머티리얼즈 재팬 고도 가이샤제), 비닐실리콘 「8500」(아라까와 가가꾸 고교사제)과 메틸히드로겐폴리실록산 「12031」(아라까와 가가꾸 고교사제)의 조합, 비닐실리콘 「11364」(아라까와 가가꾸 고교사제)와 메틸히드로겐폴리실록산 「12031」(아라까와 가가꾸 고교사제)의 조합, 비닐실리콘 「11365」(아라까와 가가꾸 고교사제)와 메틸히드로겐폴리실록산 「12031」(아라까와 가가꾸 고교사제)의 조합 등을 들 수 있다. 실리콘 수지로서는 부가 반응형 실리콘이 바람직하다. 이것은 경화 반응의 용이성, 실리콘 수지층을 형성하였을 때 박리성의 정도가 양호하고, 내열성도 높기 때문이다. 부가 반응형 실리콘은, 하기 선상 오르가노폴리실록산 (a)와 하기 선상 오르가노폴리실록산 (b)를 포함하는 경화성 실리콘 수지 조성물인 것이 바람직하다(선상 오르가노폴리실록산 (a): 알케닐기를 1 분자당 적어도 2개 갖는 선상 오르가노폴리실록산. 선상 오르가노폴리실록산 (b): 규소 원자에 결합한 수소 원자를 1 분자당 적어도 3개 갖는 선상 오르가노폴리실록산이며, 또한 규소 원자에 결합한 수소 원자 중 적어도 1개가 분자 말단의 규소 원자에 존재하는 선상 오르가노폴리실록산.).Examples of commercially available trade name or type number of the crosslinkable organopolysiloxane include KNS-320A, KS-847 (all manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.), TPR6700 (Momentive Performance Co., , A combination of vinyl silicone 8500 (manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.) and methylhydrogenpolysiloxane 12031 (manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.), vinyl silicone 11364 (manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.) 11365 " manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.) and methylhydrogenpolysiloxane " 12031 " (available from Arakawa Chemical Industries, Ltd.) Manufactured by Kao Chemical Industry Co., Ltd.). As the silicone resin, addition reaction type silicone is preferable. This is because the curing reaction is easy, the degree of peeling property when the silicone resin layer is formed is good, and the heat resistance is high. The addition reaction type silicone is preferably a curable silicone resin composition comprising the following linear organopolysiloxane (a) and the following linear organopolysiloxane (b) (linear organopolysiloxane (a): at least an alkenyl group (B): a linear organopolysiloxane having at least three hydrogen atoms bonded to silicon atoms per molecule, and at least one hydrogen atom bonded to silicon atoms is a linear organopolysiloxane having two terminal Linear organopolysiloxane present in silicon atoms.

실리콘 수지층(14)은, 이 경화성 실리콘 수지 조성물을 지지 기재(12)의 표면에서 경화시킴으로써 형성된 경화 실리콘 수지층인 것이 보다 바람직하다.The silicone resin layer 14 is more preferably a cured silicone resin layer formed by curing the curable silicone resin composition on the surface of the supporting substrate 12. [

[유리 기판][Glass Substrate]

유리 기판(16)은, 제1 주면(16a)이 실리콘 수지층(14)과 접하고, 실리콘 수지층(14)측과는 반대측의 제2 주면(16b)에 전자 디바이스용 부재가 설치된다.The glass substrate 16 is provided with the electronic device member on the second main surface 16b where the first main surface 16a contacts the silicon resin layer 14 and the opposite side from the side of the silicon resin layer 14. [

유리 기판(16)의 종류는 일반적인 것이어도 되며, 예를 들어 LCD, OLED와 같은 표시 장치용 유리 기판 등을 들 수 있다. 유리 기판(16)은 내약품성, 내투습성이 우수하고, 또한 열수축률이 낮다. 열수축률의 지표로서는 JIS R 3102(1995년 개정)에 규정되어 있는 선팽창 계수가 이용된다.The type of the glass substrate 16 may be a general one, and examples thereof include glass substrates for display devices such as LCDs and OLEDs. The glass substrate 16 is excellent in chemical resistance and moisture permeability, and has a low heat shrinkage rate. The coefficient of thermal expansion specified in JIS R 3102 (revised in 1995) is used as an index of the heat shrinkage ratio.

유리 기판(16)의 선팽창 계수가 크면, 후술하는 부재 형성 공정은 가열 처리를 수반하는 일이 많으므로, 여러가지 문제가 발생하기 쉽다. 예를 들어, 유리 기판(16) 상에 TFT를 형성하는 경우, 가열하에서 TFT가 형성된 유리 기판(16)을 냉각하면, 유리 기판(16)의 열수축에 의해 TFT의 위치 어긋남이 과대해질 우려가 있다.If the coefficient of linear expansion of the glass substrate 16 is large, the member forming process to be described later often involves heat treatment, and thus various problems are likely to occur. For example, in the case of forming a TFT on the glass substrate 16, if the glass substrate 16 on which the TFT is formed under heating is cooled, the positional shift of the TFT may be excessive due to the heat shrinkage of the glass substrate 16 .

유리 기판(16)은 유리 원료를 용융하고, 용융 유리를 판 형상으로 성형하여 얻어진다. 이러한 성형 방법은 일반적인 것이어도 되며, 예를 들어 플로트법, 퓨전법, 슬롯 다운 드로우법, 푸르콜(Fourcault)법, 라버법 등이 이용된다. 또한, 특히 두께가 얇은 유리 기판(16)은, 일단 판 형상으로 성형한 유리를 성형 가능 온도로 가열하고, 연신 등의 수단으로 잡아 늘여 얇게 하는 방법(리드로우법)으로 성형하여 얻어진다.The glass substrate 16 is obtained by melting a glass raw material and molding the molten glass into a plate shape. Such a molding method may be a general one. For example, a float method, a fusion method, a slot down draw method, a Fourcault method, a rubber method, or the like is used. In particular, the glass substrate 16 having a small thickness can be obtained by heating the glass molded into a plate shape at a moldable temperature and stretching it by means of drawing or the like (thinning method) (lead-through method).

유리 기판(16)의 유리 종류는 특별히 한정되지 않지만, 무알칼리 붕규산 유리, 붕규산 유리, 소다석회 유리, 고실리카 유리, 기타 산화규소를 주된 성분으로 하는 산화물계 유리가 바람직하다. 산화물계 유리로서는, 산화물 환산에 의한 산화규소의 함유량이 40 내지 90질량%인 유리가 바람직하다.The type of glass of the glass substrate 16 is not particularly limited, but is preferably an alkali-free borosilicate glass, borosilicate glass, soda lime glass, high silica glass, or other oxide glass containing silicon oxide as a main component. As the oxide-based glass, a glass having a silicon oxide content of 40 to 90 mass% in terms of an oxide is preferable.

유리 기판(16)의 유리로서는, 전자 디바이스용 부재의 종류나 그 제조 공정에 적합한 유리가 채용된다. 예를 들어, 액정 패널용 유리 기판은, 알칼리 금속 성분의 용출이 액정에 영향을 주기 쉬우므로, 알칼리 금속 성분을 실질적으로 포함하지 않는 유리(무알칼리 유리)를 포함한다(단, 통상 알칼리 토금속 성분은 포함됨). 이와 같이, 유리 기판(16)의 유리는, 적용되는 디바이스의 종류 및 그 제조 공정에 기초하여 적절히 선택된다.As the glass of the glass substrate 16, glass suitable for the kind of the electronic device member and the manufacturing process thereof is employed. For example, a glass substrate for a liquid crystal panel includes a glass (alkali-free glass) substantially free from an alkali metal component since the elution of the alkali metal component is likely to affect the liquid crystal (note that generally, Is included). As described above, the glass of the glass substrate 16 is appropriately selected based on the kind of the applied device and the manufacturing process thereof.

유리 기판(16)의 두께는, 유리 기판(16)의 박형화 및/또는 경량화의 관점에서 0.3mm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.15mm 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.10mm 이하이다. 0.3mm 이하인 경우, 유리 기판(16)에 양호한 가요성을 제공하는 것이 가능하다. 0.15mm 이하인 경우, 유리 기판(16)을 롤 형상으로 권취하는 것이 가능하다.The thickness of the glass substrate 16 is preferably 0.3 mm or less, more preferably 0.15 mm or less, and further preferably 0.10 mm or less from the viewpoints of reducing the thickness and / or weight of the glass substrate 16. [ If it is 0.3 mm or less, it is possible to provide the glass substrate 16 with good flexibility. When the thickness is 0.15 mm or less, the glass substrate 16 can be rolled up.

또한, 유리 기판(16)의 두께는, 유리 기판(16)의 제조가 용이하고, 유리 기판(16)의 취급이 용이하다는 등의 이유로부터 0.03mm 이상인 것이 바람직하다.The thickness of the glass substrate 16 is preferably 0.03 mm or more for easy production of the glass substrate 16 and easy handling of the glass substrate 16. [

또한, 유리 기판(16)은 2층 이상을 포함해도 되며, 이 경우, 각각의 층을 형성하는 재료는 동종 재료라도 되고, 이종 재료라도 된다. 또한, 이 경우, 「유리 기판(16)의 두께」는 모든 층의 합계 두께를 의미하기로 한다.Further, the glass substrate 16 may include two or more layers. In this case, the materials for forming the respective layers may be the same material or different materials. In this case, the "thickness of the glass substrate 16" means the total thickness of all the layers.

[전자 디바이스용 부재(기능성 소자)][Member for electronic device (functional element)]

전자 디바이스용 부재(18)는 유리 기판(16) 상에 형성되어 전자 디바이스의 적어도 일부를 구성하는 부재이다. 보다 구체적으로는, 전자 디바이스용 부재(18)로서는 표시 장치용 패널, 태양 전지, 박막 2차 전지, 또는 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼 등의 전자 부품 등에 사용되는 부재(예를 들어, 표시 장치용 부재, 태양 전지용 부재, 박막 2차 전지용 부재, 전자 부품용 회로)를 들 수 있다.The member 18 for the electronic device is a member formed on the glass substrate 16 and constituting at least a part of the electronic device. More specifically, the member 18 for an electronic device may be a member used for a display device panel, a solar cell, a thin-film secondary battery, or an electronic part such as a semiconductor wafer on which a circuit is formed on a surface (for example, Members for solar cells, members for thin film secondary batteries, circuits for electronic parts).

예를 들어, 태양 전지용 부재로서는, 실리콘형에서는 정극의 산화주석 등 투명 전극, p층/i층/n층으로 표시되는 실리콘층 및 부극의 금속 등을 들 수 있고, 그 밖에 화합물형, 색소 증감형, 양자 도트형 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.For example, as a member for a solar cell, a transparent electrode such as tin oxide of a positive electrode in a silicon type, a silicon layer and a negative electrode metal in a p layer / an i layer / an n layer, and the like, Various types of members corresponding to the type, the quantum dot type, and the like.

또한, 박막 2차 전지용 부재로서는, 리튬 이온형에서는 정극 및 부극의 금속 또는 금속 산화물 등의 투명 전극, 전해질층의 리튬 화합물, 집전층의 금속, 밀봉층으로서의 수지 등을 들 수 있고, 그 밖에 니켈 수소형, 중합체형, 세라믹스 전해질형 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.Examples of the member for a thin film secondary battery include a transparent electrode such as a metal or a metal oxide of a positive electrode and a negative electrode in a lithium ion type, a lithium compound in an electrolyte layer, a metal in a current collecting layer, a resin as a sealing layer, Various kinds of members corresponding to a small size, a polymer type, a ceramics electrolyte type, and the like.

또한, 전자 부품용 회로로서는, CCD나 CMOS에서는 도전부의 금속, 절연부의 산화규소나 질화규소 등을 들 수 있고, 그 밖에 압력 센서ㆍ가속도 센서 등 각종 센서나 리지드 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 리지드 플렉시블 프린트 기판 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.As a circuit for an electronic component, a metal of a conductive part, a silicon oxide of an insulating part and silicon nitride can be cited in a CCD or a CMOS, and various sensors such as a pressure sensor and an acceleration sensor, a rigid printed board, a flexible printed board, Various members corresponding to substrates and the like.

[전자 디바이스용 부재 딸린 적층체의 제조 방법][Manufacturing method of laminated body for electronic devices]

전자 디바이스용 부재 딸린 적층체(10)의 제조 방법은 특별히 제한되지 않지만, 박리 강도(x)가 박리 강도(y)보다 높은 적층체를 얻기 위하여, 지지 기재(12) 표면 상에서 소정의 가교성 오르가노폴리실록산을 가교 경화시켜 실리콘 수지층(14)을 형성하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 즉, 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 층을 지지 기재(12)의 표면에 형성하고, 지지 기재(12) 표면 상에서 가교성 오르가노폴리실록산을 가교시켜 실리콘 수지층(14)(가교 실리콘 수지)을 형성하고, 계속해서 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지면에 유리 기판(16)을 적층하고, 또한 유리 기판(16) 상에 전자 디바이스용 부재(18)를 형성하여 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체(10)를 제조하는 방법이다.The method of producing the laminated body 10 for electronic devices is not particularly limited. However, in order to obtain a laminate having a peel strength (x) higher than the peel strength (y), a predetermined cross- And a step of crosslinking and curing the organopolysiloxane to form the silicone resin layer 14. That is, a layer containing a crosslinkable organopolysiloxane is formed on the surface of the supporting substrate 12, and a crosslinkable organopolysiloxane is crosslinked on the surface of the supporting substrate 12 to form a silicone resin layer 14 (crosslinked silicone resin) A glass substrate 16 is laminated on the silicon resin surface of the silicon resin layer 14 and an electronic device member 18 is formed on the glass substrate 16 to form a laminate 10).

가교성 오르가노폴리실록산을 지지 기재(12) 표면에서 경화시키면, 경화 반응시의 지지 기재(12) 표면과의 상호 작용에 의해 접착하여, 실리콘 수지와 지지 기재(12) 표면과의 박리 강도는 높아진다고 생각된다. 따라서, 유리 기판(16)과 지지 기재(12)가 동일한 재질을 포함하는 것이라도 실리콘 수지층(14)과 양자간의 박리 강도에 차를 둘 수 있다.When the crosslinkable organopolysiloxane is cured on the surface of the support substrate 12, the adhesion is caused by the interaction with the surface of the support substrate 12 during the curing reaction to increase the peel strength between the silicone resin and the surface of the support substrate 12 I think. Therefore, even if the glass substrate 16 and the supporting substrate 12 include the same material, the peeling strength between the silicon resin layer 14 and the both can be made different.

이하, 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 층을 지지 기재(12)의 표면에 형성하고, 지지 기재(12) 표면 상에서 가교성 오르가노폴리실록산을 가교시켜 실리콘 수지층(14)을 형성하는 공정을 수지층 형성 공정, 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지면에 유리 기판(16)을 적층하는 공정을 적층 공정, 유리 기판(16) 상에 전자 디바이스용 부재(18)를 형성하는 공정을 부재 형성 공정이라고 하며, 각 공정의 수순에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a step of forming a layer containing a crosslinkable organopolysiloxane on the surface of the supporting substrate 12, and crosslinking the crosslinkable organopolysiloxane on the surface of the supporting substrate 12 to form the silicone resin layer 14 A layer forming step, a step of laminating the glass substrate 16 on the silicon resin surface of the silicon resin layer 14 as a lamination step, and a step of forming the electronic device member 18 on the glass substrate 16 as a member forming step And the procedure of each step will be described in detail.

(수지층 형성 공정)(Resin layer forming step)

수지층 형성 공정에서는, 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 층을 지지 기재(12)의 표면에 형성하고, 지지 기재(12) 표면 상에서 가교성 오르가노폴리실록산을 가교시켜 실리콘 수지층(14)을 형성한다.In the resin layer forming step, a layer containing a crosslinkable organopolysiloxane is formed on the surface of the supporting substrate 12, and a crosslinkable organopolysiloxane is crosslinked on the surface of the supporting substrate 12 to form a silicone resin layer 14 do.

지지 기재(12) 상에 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 층을 형성하기 위해서는, 가교성 오르가노폴리실록산을 용매에 용해시킨 코팅용 조성물을 사용하고, 이 조성물을 지지 기재(12) 상에 도포하여 용액의 층을 형성하고, 계속해서 용매를 제거하여 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 층으로 하는 것이 바람직하다. 조성물 중에서의 가교성 오르가노폴리실록산의 농도 조정 등에 의해, 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 층의 두께를 제어할 수 있다.In order to form a layer containing a crosslinkable organopolysiloxane on the supporting substrate 12, a coating composition in which a crosslinkable organopolysiloxane is dissolved in a solvent is used, and the composition is applied on the supporting substrate 12 It is preferable to form a layer of the solution and subsequently remove the solvent to obtain a layer containing the crosslinkable organopolysiloxane. The thickness of the layer containing the crosslinkable organopolysiloxane can be controlled by adjusting the concentration of the crosslinkable organopolysiloxane in the composition.

용매로서는, 작업 환경하에서 가교성 오르가노폴리실록산을 용이하게 용해할 수 있고, 또한 용이하게 휘발 제거시킬 수 있는 용매라면 특별히 한정되는 것이 아니다. 구체적으로는, 예를 들어 아세트산 부틸, 헵탄, 2-헵타논, 1-메톡시-2-프로판올아세테이트, 톨루엔, 크실렌, THF, 클로로포름 등을 예시할 수 있다.The solvent is not particularly limited as long as it is a solvent capable of easily dissolving the crosslinkable organopolysiloxane in a working environment and capable of easily removing volatilization. Specific examples thereof include butyl acetate, heptane, 2-heptanone, 1-methoxy-2-propanol acetate, toluene, xylene, THF, chloroform and the like.

지지 기재(12) 표면 상에 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 조성물을 도포하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 스프레이 코트법, 다이 코트법, 스핀 코트법, 딥 코트법, 롤 코트법, 바 코트법, 스크린 인쇄법, 그라비아 코트법 등을 들 수 있다.The method of applying the composition containing the crosslinkable organopolysiloxane on the surface of the support substrate 12 is not particularly limited and a known method can be used. Examples of the coating method include a spray coating method, a die coating method, a spin coating method, a dip coating method, a roll coating method, a bar coating method, a screen printing method and a gravure coating method.

그 후, 필요에 따라 용매를 제거하기 위한 건조 처리가 실시되어도 된다. 건조 처리의 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 감압 조건하에서 용매를 제거하는 방법이나, 가교성 오르가노폴리실록산의 경화가 진행되지 않는 온도에서 가열하는 방법 등을 들 수 있다.Thereafter, a drying treatment for removing the solvent may be carried out if necessary. The method of the drying treatment is not particularly limited, and examples thereof include a method of removing the solvent under a reduced pressure condition, a method of heating at a temperature at which the crosslinking organopolysiloxane is not cured, and the like.

계속해서, 지지 기재(12) 상의 가교성 오르가노폴리실록산을 가교시켜 실리콘 수지층(14)을 형성한다. 보다 구체적으로는, 도 4의 (A)에 도시한 바와 같이 상기 공정에서는 지지 기재(12)의 적어도 편면의 표면 상에 실리콘 수지층(14)이 형성된다.Subsequently, the crosslinkable organopolysiloxane on the supporting substrate 12 is crosslinked to form the silicone resin layer 14. [ More specifically, as shown in Fig. 4 (A), the silicon resin layer 14 is formed on the surface of at least one surface of the supporting substrate 12 in the above step.

경화(가교)의 방법은, 상술한 바와 같이 가교성 오르가노폴리실록산의 가교 형식에 따라 적절히 최적의 방법이 선택되며, 예를 들어 가열 처리나 노광 처리를 들 수 있다. 그 중에서도 가교성 오르가노폴리실록산이 히드로실릴화 반응, 축합 반응, 라디칼 반응에 의해 가교하는 경우, 유리 기판(16)에 대한 밀착성 및 내열 성이 우수한 실리콘 수지가 얻어지는 점에서, 열경화에 의해 실리콘 수지층(14)를 제조하는 것이 바람직하다.As for the method of curing (crosslinking), an optimum method is appropriately selected according to the crosslinking type of the crosslinkable organopolysiloxane as described above, and examples thereof include a heat treatment and an exposure treatment. In particular, when a crosslinkable organopolysiloxane is crosslinked by a hydrosilylation reaction, a condensation reaction or a radical reaction, a silicone resin having excellent adhesion to the glass substrate 16 and heat resistance can be obtained, It is desirable to produce the layer 14.

이하, 열경화의 형태에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the form of thermosetting will be described in detail.

가교성 오르가노폴리실록산을 열경화시키는 온도 조건은, 실리콘 수지층(14)의 내열성을 향상시켜 150 내지 300℃가 바람직하고, 180 내지 250℃가 보다 바람직하다. 또한, 가열 시간은 통상 10 내지 120분이 바람직하고, 30 내지 60분이 보다 바람직하다.The temperature condition for thermally curing the crosslinkable organopolysiloxane is preferably 150 to 300 占 폚, more preferably 180 to 250 占 폚 so as to improve the heat resistance of the silicone resin layer 14. [ The heating time is preferably 10 to 120 minutes, more preferably 30 to 60 minutes.

또한, 가교성 오르가노폴리실록산은 프리큐어(예비경화)를 행한 후, 후경화(본경화)를 행하여 경화시켜도 된다. 프리큐어를 행함으로써, 내열성이 보다 우수한 실리콘 수지층(14)을 얻을 수 있다. 프리큐어는 용매의 제거에 이어서 행하는 것이 바람직하며, 그 경우, 층으로부터 용매를 제거하여 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 층을 형성하는 공정과 프리큐어를 행하는 공정은 특별히 구별되지 않는다.Further, the crosslinkable organopolysiloxane may be cured by pre-curing (pre-curing) followed by post-curing (final curing). By performing pre-curing, a silicon resin layer 14 having better heat resistance can be obtained. The precure is preferably carried out subsequent to the removal of the solvent. In this case, the step of removing the solvent from the layer to form the layer containing the crosslinkable organopolysiloxane and the step of performing the pre-cure are not particularly distinguished.

또한, 실리콘 수지층(14)의 형성은, 상기 방법에 한정되는 것은 아니다.The formation of the silicone resin layer 14 is not limited to the above method.

예를 들어, 실리콘 수지 표면에 대한 밀착성이 유리 기판(16)보다 높은 재질의 지지 기재(12)를 사용하는 경우에는, 가교성 오르가노폴리실록산을 어떠한 박리성 표면 상에서 경화하여 실리콘 수지의 필름을 제조하고, 이 필름을 유리 기판(16)과 지지 기재(12)의 사이에 개재시켜 동시에 적층할 수 있다.For example, when the support base material 12 having a higher adhesion to the surface of the silicone resin than the glass substrate 16 is used, the crosslinkable organopolysiloxane is cured on any releasable surface to produce a film of silicone resin And the film can be laminated at the same time with the glass substrate 16 and the supporting substrate 12 interposed therebetween.

또한, 가교성 오르가노폴리실록산의 경화에 의한 접착성이 유리 기판(16)에 대하여 충분히 낮고, 또한 그 접착성이 지지 기재(12)에 대하여 충분히 높은 경우에는, 유리 기판(16)과 지지 기재(12)의 사이에서 가교성 오르가노폴리실록산을 경화시켜 실리콘 수지층(14)을 형성할 수 있다.When the adhesion of the crosslinkable organopolysiloxane by curing is sufficiently low with respect to the glass substrate 16 and the adhesiveness thereof is sufficiently high with respect to the supporting substrate 12, the glass substrate 16 and the supporting substrate 12, the silicone resin layer 14 can be formed by curing the crosslinkable organopolysiloxane.

또한, 지지 기재(12)가 유리 기판(16)과 동일한 유리 재료를 포함하는 경우라도, 지지 기재(12) 표면의 접착성을 높이는 처리를 실시하여 실리콘 수지층(14)에 대한 박리 강도를 높일 수도 있다. 예를 들어, 실란 커플링제와 같은 화학적으로 고정력을 향상시키는 화학적 방법(프라이머 처리)이나, 프레임(화염) 처리와 같이 표면 활성기를 증가시키는 물리적 방법, 샌드 블라스트 처리와 같이 표면의 조도를 증가시킴으로써 걸림을 증가시키는 기계적 처리 방법 등이 예시된다.Even in the case where the supporting substrate 12 includes the same glass material as the glass substrate 16, a treatment for increasing the adhesiveness of the surface of the supporting substrate 12 is performed to increase the peeling strength with respect to the silicon resin layer 14 It is possible. For example, chemical methods such as silane coupling agents, such as chemical methods (primer treatment) to increase the fixing force, physical methods to increase the surface activation period such as frame (flame) treatment, And a mechanical treatment method for increasing the amount of the water-soluble polymer.

(적층 공정)(Lamination step)

적층 공정은, 상기 수지층 형성 공정에서 얻어진 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지면 상에 유리 기판(16)을 적층하고, 지지 기재(12)의 층과 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 층을 이 순서대로 구비하는 유리 적층체를 얻는 공정이다. 보다 구체적으로는, 도 4의 (B)에 도시한 바와 같이, 실리콘 수지층(14)의 지지 기재(12)측과는 반대측의 표면(14a)과, 제1 주면(16a) 및 제2 주면(16b)을 갖는 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)을 적층면으로 하여 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)을 적층하여 유리 적층체(26)를 얻는다.In the laminating step, the glass substrate 16 is laminated on the silicone resin surface of the silicon resin layer 14 obtained in the resin layer forming step and the layer of the supporting substrate 12, the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 ) Layer in this order on the glass laminate. More specifically, as shown in Fig. 4 (B), the surface 14a of the silicon resin layer 14 opposite to the side of the support base material 12 and the surface 14a of the first main surface 16a and the second main surface 16a, The glass laminate 26 is obtained by laminating the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 with the first main surface 16a of the glass substrate 16 having the first main surface 16b as the lamination surface.

유리 기판(16)을 실리콘 수지층(14) 상에 적층하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 공지된 방법을 채용할 수 있다.A method of laminating the glass substrate 16 on the silicon resin layer 14 is not particularly limited, and a known method can be employed.

예를 들어, 상압 환경하에서 실리콘 수지층(14)의 표면 상에 유리 기판(16)을 겹치는 방법을 들 수 있다. 또한, 필요에 따라, 실리콘 수지층(14)의 표면 상에 유리 기판(16)을 겹친 후, 롤이나 프레스를 사용하여 실리콘 수지층(14)에 유리 기판(16)을 압착시켜도 된다. 롤 또는 프레스에 의한 압착에 의해, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 층과의 사이에 혼입되어 있는 기포가 비교적 용이하게 제거되므로 바람직하다.For example, a method of overlapping the glass substrate 16 on the surface of the silicon resin layer 14 under atmospheric pressure can be mentioned. If necessary, the glass substrate 16 may be pressed against the silicon resin layer 14 by using a roll or a press after the glass substrate 16 is superimposed on the surface of the silicon resin layer 14. The bubbles mixed in between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 are relatively easily removed by pressing by roll or press.

진공 라미네이트법이나 진공 프레스법에 의해 압착하면, 기포의 혼입 억제나 양호한 밀착의 확보가 행해지므로 보다 바람직하다. 진공하에서 압착함으로써, 미소한 기포가 잔존한 경우라도 가열에 의해 기포가 성장하는 일이 없어, 유리 기판(16)의 왜곡 결함으로 이어지기 어렵다고 하는 이점도 있다.The vacuum lamination method or the vacuum press method is more preferable because it suppresses mixing of bubbles and secures good adhesion. Even when minute bubbles remain, there is an advantage that bubbles do not grow due to heating, and it is difficult to lead to distortion defects of the glass substrate 16.

유리 기판(16)을 적층할 때에는, 실리콘 수지층(14)에 접촉하는 유리 기판(16)의 표면을 충분히 세정하여, 클린도가 높은 환경에서 적층하는 것이 바람직하다. 클린도가 높을수록 유리 기판(16)의 평탄성은 양호해지므로 바람직하다.When the glass substrate 16 is laminated, it is preferable that the surface of the glass substrate 16 which contacts the silicon resin layer 14 is sufficiently cleaned and laminated in an environment with high cleanliness. The higher the cleanliness, the better the flatness of the glass substrate 16 is.

또한, 유리 기판(16)을 적층한 후, 필요에 따라 프리어닐링 처리(가열 처리)를 행해도 된다. 상기 프리어닐링 처리를 행함으로써, 적층된 유리 기판(16)의 실리콘 수지층(14)에 대한 밀착성이 향상되어 적절한 박리 강도(y)로 할 수 있고, 후술하는 부재 형성 공정시에 전자 디바이스용 부재의 위치 어긋남 등이 발생하기 어려워져 전자 디바이스의 생산성이 향상된다.Further, after the glass substrate 16 is laminated, a pre-annealing treatment (heat treatment) may be performed if necessary. By performing the pre-annealing process, the adhesion of the laminated glass substrate 16 to the silicon resin layer 14 can be improved and the appropriate peel strength (y) can be obtained. In the member forming process described later, And the productivity of the electronic device is improved.

프리어닐링 처리의 조건은 사용되는 실리콘 수지층(14)의 종류에 따라 적절하게 최적의 조건이 선택되지만, 유리 기판(16)과 실리콘 수지층(14)의 사이의 박리 강도(y)를 보다 적절한 것으로 한다고 하는 점에서 300℃ 이상(바람직하게는 300 내지 400℃)에서 5분 이상(바람직하게는 5 내지 30분간) 가열 처리를 행하는 것이 바람직하다.The conditions of the pre-annealing process are appropriately selected in accordance with the type of the silicon resin layer 14 to be used, but it is preferable that the peel strength (y) between the glass substrate 16 and the silicon resin layer 14 is more appropriate It is preferable to carry out the heat treatment at 300 占 폚 or higher (preferably 300 to 400 占 폚) for 5 minutes or longer (preferably 5 to 30 minutes).

(부재 형성 공정)(Member forming process)

부재 형성 공정은, 상기 적층 공정에 있어서 얻어진 유리 적층체(26) 중의 유리 기판(16) 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하는 공정이다. 보다 구체적으로는, 도 4의 (C)에 도시한 바와 같이, 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)(노출 표면) 상에 전자 디바이스용 부재(18)를 형성하여 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체(10)를 얻는다.The member forming step is a step of forming an electronic device member on the glass substrate 16 in the glass laminate 26 obtained in the laminating step. More specifically, as shown in Fig. 4C, the electronic device member 18 is formed on the second main surface 16b (exposed surface) of the glass substrate 16, To obtain a laminate (10).

본 공정의 수순은 특별히 한정되지 않고, 전자 디바이스용 부재의 구성 부재의 종류에 따라 종래 공지된 방법으로 유리 적층체(26)의 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)의 표면 상에 전자 디바이스용 부재(18)를 형성한다.The procedure of the present step is not particularly limited and may be carried out by a conventionally known method in accordance with the type of the constituent member of the electronic device member, Thereby forming a member 18 for a device.

또한, 전자 디바이스용 부재(18)는 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)에 최종적으로 형성되는 부재의 전부(이하, 「전체 부재」라고 함)가 아니라, 전체 부재의 일부(이하, 「부분 부재」라고 함)라도 된다. 실리콘 수지층(14)으로부터 박리된 부분 부재를 갖는 유리 기판을, 그 후의 공정에서 전체 부재를 갖는 유리 기판(후술하는 전자 디바이스에 상당)으로 할 수도 있다.It should be noted that the electronic device member 18 is not a whole of a member finally formed on the second main surface 16b of the glass substrate 16 Quot; partial member "). A glass substrate having a partial member peeled off from the silicon resin layer 14 may be formed as a glass substrate (corresponding to an electronic device described later) having an entire member in a subsequent step.

또한, 실리콘 수지층(14)으로부터 박리된, 전체 부재를 갖는 유리 기판에는, 그 박리면(제1 주면(16a))에 다른 전자 디바이스용 부재가 형성되어도 된다. 또한, 전체 부재 딸린 적층체를 조립하고, 그 후 전체 부재 딸린 적층체로부터 지지 기재(12)를 박리하여 전자 디바이스를 제조할 수도 있다. 또한, 전체 부재 딸린 적층체를 2매 사용하여 조립하고, 그 후 전체 부재 딸린 적층체로부터 2매의 지지 기재(12)를 박리하여, 2매의 유리 기판을 갖는 부재 딸린 유리 기판을 제조할 수도 있다.Further, a glass substrate having an entire member, which is peeled off from the silicon resin layer 14, may be provided with another electronic device member on its peeling surface (first main surface 16a). Alternatively, the electronic device may be manufactured by assembling the laminated body having the entire members, and thereafter peeling the supporting substrate 12 from the laminated body with the entire members. Further, it is also possible to fabricate a glass substrate with two glass substrates by using two sheets of the entire member-laminated body to assemble them, then peeling the two supporting substrates 12 from the laminated body with the entire members have.

예를 들어, OLED를 제조하는 경우를 예로 들면, 유리 기판(16)의 실리콘 수지층(14)측과는 반대측의 표면 상(유리 기판(16)의 제2 주면(16b)에 해당)에 유기 EL 구조체를 형성하기 위하여 투명 전극을 형성하고, 또한 투명 전극을 형성한 면 상에 홀 주입층ㆍ홀 수송층ㆍ발광층ㆍ전자 수송층 등을 증착하고, 이면 전극을 형성하고, 밀봉판을 사용하여 밀봉하는 등의 각종 층 형성이나 처리가 행해진다. 이들 층 형성이나 처리로서, 구체적으로는 예를 들어 성막 처리, 증착 처리, 밀봉판의 접착 처리 등을 들 수 있다.For example, in the case of manufacturing an OLED, it is possible to form an OLED on the surface of the glass substrate 16 opposite to the side of the silicon resin layer 14 (corresponding to the second main surface 16b of the glass substrate 16) A hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and the like are deposited on the surface on which the transparent electrode is formed to form the EL structure and the back electrode is formed and sealed with a sealing plate And the like are formed and processed. Specific examples of such layer formation and treatment include film forming treatment, vapor deposition treatment, bonding treatment of a sealing plate, and the like.

또한, 예를 들어 TFT-LCD를 제조하는 경우에는, 유리 적층체(26)의 유리 기판(16)의 제2 주면(16b) 상에 레지스트액을 사용하여 CVD법 및 스퍼터링법 등 일반적인 성막법에 의해 형성되는 금속막 및 금속 산화막 등으로 패턴 형성하여 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하는 TFT 형성 공정과, 다른 유리 적층체(26)의 유리 기판(16)의 제2 주면(16b) 상에 레지스트액을 패턴 형성에 사용하여 컬러 필터(CF)를 형성하는 CF 형성 공정과, TFT 형성 공정에서 얻어진 TFT 딸린 적층체와 CF 형성 공정에서 얻어진 CF 딸린 적층체를 적층하는 접합 공정 등의 각종 공정을 갖는다.For example, in the case of manufacturing a TFT-LCD, a resist solution is used on a second main surface 16b of the glass substrate 16 of the glass laminate 26 to form a film by a general film formation method such as a CVD method and a sputtering method (TFT) on the second main surface 16b of the glass substrate 16 of the other glass laminate 26, and a step of forming a thin film transistor And a bonding step of laminating the CF deposited laminate obtained in the TFT deposited laminate and the CF forming step obtained in the TFT forming step, and the like.

TFT 형성 공정이나 CF 형성 공정에서는, 주지의 포토리소그래피 기술이나 에칭 기술 등을 이용하여 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)에 TFT나 CF를 형성한다. 이때, 패턴 형성용 코팅액으로서 레지스트액이 사용된다.In the TFT forming step and the CF forming step, a TFT or a CF is formed on the second main surface 16b of the glass substrate 16 by using a well-known photolithography technique or an etching technique. At this time, a resist solution is used as a coating liquid for pattern formation.

또한, TFT나 CF를 형성하기 전에, 필요에 따라 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)을 세정해도 된다. 세정 방법으로서는 주지된 건식 세정이나 습식 세정을 이용할 수 있다.Further, the second main surface 16b of the glass substrate 16 may be cleaned before forming the TFT or the CF, if necessary. As the cleaning method, well-known dry cleaning or wet cleaning can be used.

접합 공정에서는 TFT 딸린 적층체의 박막 트랜지스터 형성면과, CF 딸린 적층체의 컬러 필터 형성면을 대향시켜 밀봉제(예를 들어, 셀 형성용 자외선 경화형 밀봉제)를 사용하여 접합한다. 그 후, TFT 딸린 적층체와 CF 딸린 적층체로 형성된 셀 내에 액정재를 주입한다. 액정재를 주입하는 방법으로서는, 예를 들어 감압 주입법, 적하 주입법이 있다.In the bonding step, the thin film transistor formation surface of the TFT-laminated body and the color filter formation surface of the CF laminated body are bonded to each other using an encapsulant (for example, ultraviolet curable encapsulant for cell formation). Thereafter, the liquid crystal material is injected into the cell formed of the stacked body including the TFT and the CF laminated body. As a method of injecting the liquid crystal material, for example, there are a reduced pressure injection method and a dropping injection method.

<실시예><Examples>

이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 한정되는 것이 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples and the like, but the present invention is not limited to these examples.

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

세로 400mm, 가로 300mm, 두께 0.7mm, 선팽창 계수 38×10-7/℃의 지지 유리 기판(아사히 가라스 가부시끼가이샤제, AN100)을 순수 세정, UV 세정 등으로 세정화한 후, 지지 유리 기판 상에 무용제 부가 반응형 박리지용 실리콘(신에쯔 실리콘 가부시끼가이샤제 KNS-320A. 오르가노알케닐폴리실록산과 오르가노히드로겐폴리실록산의 혼합물) 100질량부와 백금계 촉매(신에쯔 실리콘 가부시끼가이샤제 CAT-PL-56) 2질량부의 혼합물을 스핀 코터로 도포 시공하고(도포 시공량 10g/m2), 180℃에서 30분간 대기 중에서 가열 경화하여 막 두께 16㎛의 실리콘 수지층을 얻었다.A support glass substrate (AN100, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) having a length of 400 mm, a width of 300 mm, a thickness of 0.7 mm and a coefficient of linear expansion of 38 × 10 -7 / ° C was cleaned by pure cleaning, UV cleaning, 100 parts by mass of a silicone for release-free addition type release material (KNS-320A, manufactured by Shinetsu Silicones Co., Ltd., mixture of organoalkenyl polysiloxane and organohydrogenpolysiloxane) and 100 parts by mass of a platinum- (Coating amount: 10 g / m 2 ), and the mixture was heated and cured at 180 캜 for 30 minutes in the air to obtain a silicone resin layer having a thickness of 16 탆.

세로 400mm, 가로 300mm, 두께 0.7mm, 선팽창 계수 38×10-7/℃의 박판 유리 기판(AN100)의 실리콘 수지층과 접촉시키는 측의 면을 순수 세정, UV 세정 등으로 청정화한 후, 지지 유리 기판의 실리콘 수지층 형성면과 박판 유리 기판을 실온하에 진공 프레스로 접합하여 실리콘 수지층을 갖는 유리 적층체 A를 얻었다.The side of the thin plate glass substrate (AN100) having a length of 400 mm, a width of 300 mm, a thickness of 0.7 mm and a coefficient of linear expansion of 38 x 10 &lt; -7 &gt; / [deg.] C in contact with the silicone resin layer was cleaned by pure cleaning, UV cleaning, The surface of the substrate on which the silicone resin layer was formed and the thin plate glass substrate were bonded to each other by a vacuum press under room temperature to obtain a glass laminate A having a silicone resin layer.

이어서, 유리 적층체 A를 대기하에 350℃에서 60분간 가열 처리를 행하였다.Subsequently, the glass laminate A was subjected to heat treatment at 350 占 폚 for 60 minutes under the atmosphere.

그리고, 유리 적층체 A의 4군데 중 1군데의 코너부에서의 박판 유리 기판과 실리콘 수지층의 계면에 두께 0.1mm의 스테인리스제 칼날을 삽입시켜 박리의 절결부를 형성하였다. 이어서, 박판 유리 기판과 지지 유리 기판의 각각의 박리면측이 아닌 면에 진공 흡착 패드를 흡착시키고, 실리콘 수지층과 박판 유리 기판의 박리 계면의 경계선인 박리선에 시린지를 사용하여 메탄올(용해도 파라미터: 14.5cal/cm3)을 공급하면서, 박판 유리 기판과 지지 유리 기판이 분리되는 방향으로 외력을 가한 바, 박판 유리 기판은 파손되지 않고 분리되었다.Then, a stainless steel blade having a thickness of 0.1 mm was inserted into the interface between the thin plate glass substrate and the silicone resin layer at the corner of one of the four places of the glass laminate A to form the notch portion of the peeling. Subsequently, the vacuum adsorption pad was adsorbed on the surface of each of the thin plate glass substrate and the supporting glass substrate other than the peeling surface side, and methanol (the solubility parameter of the thin film glass substrate was measured using a syringe as a boundary line between the silicon resin layer and the peeling interface of the thin plate glass substrate : 14.5 cal / cm &lt; 3 &gt;), an external force was applied in the direction in which the thin plate glass substrate and the supporting glass plate were separated, and the thin plate glass substrate was separated without breakage.

(박리 강도의 측정)(Measurement of peel strength)

일본 특허 제5200538호의 단락 0050에 기재된 지그를 사용하여 박리 시험을 행하였다. 사용한 지그를 도 5에 도시한다. 도 5 중, 유리 적층체 A는 지지 유리 기판(40), 실리콘 수지층(30), 박판 유리 기판(50)을 갖는다.A peel test was conducted using the jig described in paragraph 0050 of Japanese Patent No. 5200538. The used jig is shown in Fig. 5, the glass laminate A has a supporting glass substrate 40, a silicon resin layer 30, and a thin plate glass substrate 50. In Fig.

유리 적층체 A를 세로 50mm×가로 50mm의 크기로 절단하고, 유리 적층체 A의 양측의 유리(지지 유리 기판(40) 및 박판 유리 기판(50)) 표면에 세로 50mm×가로 50mm×두께 5mm의 폴리카르보네이트(60)를 에폭시 2액 유리용 접착제로 각각 접합하였다. 또한, 양쪽의 접합된 폴리카르보네이트(60)의 표면에 세로 50mm×가로 50mm×두께 5mm의 폴리카르보네이트(70)를 각각 더 수직으로 접합하였다. 폴리카르보네이트(70)가 접합된 장소는, 도 5와 같이 세로 방향은 폴리카르보네이트(60)의 가장 끝의 위치로, 가로 방향은 폴리카르보네이트(60)의 변과 평행한 위치로 하였다.The glass laminate A was cut to a size of 50 mm in length and 50 mm in width and was laminated on both surfaces of the glass laminate A (supporting glass substrate 40 and thin plate glass substrate 50) in a size of 50 mm in width x 50 mm in width x 5 mm in thickness And the polycarbonate (60) were bonded to each other with an epoxy two-liquid glass adhesive. Further, the polycarbonate (70) having a length of 50 mm, a width of 50 mm and a thickness of 5 mm was bonded vertically to the surface of both bonded polycarbonate (60). As shown in Fig. 5, the position where the polycarbonate 70 is bonded is the position at the end of the polycarbonate 60 in the longitudinal direction and the position at the position parallel to the side of the polycarbonate 60 Respectively.

폴리카르보네이트(60 및 70)를 접합한 유리 적층체 A를 지지 유리 기판이 하측이 되도록 설치하였다. 박판 유리 기판측에 부착된 폴리카르보네이트(70)를 지그로 고정하고, 지지 유리 기판측에 부착된 폴리카르보네이트(70)를 수직 하방으로 300mm/min의 속도로 분리한 바, 0.34kg/cm2가 가해졌을 때 지지 유리 기판이 떼어졌다.The glass laminate A having the polycarbonates 60 and 70 bonded thereto was provided so that the supporting glass substrate was positioned on the lower side. The polycarbonate 70 attached to the side of the thin plate glass substrate was jig fixed and the polycarbonate 70 attached to the side of the supporting glass substrate was separated vertically downward at a rate of 300 mm / / cm &lt; 2 &gt; was applied, the support glass substrate was peeled off.

<실시예 2>&Lt; Example 2 >

메탄올(용해도 파라미터: 14.5cal/cm3) 대신에 에탄올(용해도 파라미터: 12.7cal/cm3)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 수순에 따라 박판 유리 기판의 박리를 행한 바, 박판 유리 기판은 파손되지 않고 분리되었다. 또한, 박리 강도의 측정 결과를 표 1에 나타낸다.Methanol (solubility parameter: 14.5cal / cm 3) in place of ethanol (solubility parameter: 12.7cal / cm 3) except that, in Example 1, and the thin plate glass substrate was subjected to the peeling of the thin plate glass substrate according to a procedure similar to Were separated without breakage. Table 1 shows the measurement results of peel strength.

<실시예 3>&Lt; Example 3 >

메탄올(용해도 파라미터: 14.5cal/cm3) 대신에 에탄올(용해도 파라미터: 12.7cal/cm3)과 물의 혼합 용액(에탄올:물(질량비)=1:1)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 수순에 따라 박판 유리 기판의 박리를 행한 바, 박판 유리 기판은 파손되지 않고 분리되었다. 또한, 박리 강도의 측정 결과를 표 1에 나타낸다.Methanol: (: 12.7cal / cm 3 the solubility parameter) and water mixture (Ethanol: Water (mass ratio) = 1: 1), the same as in Example 1 except that there was used (solubility parameter 14.5cal / cm 3) in place of ethanol The thin plate glass substrate was peeled off, and the thin plate glass substrate was separated without breakage. Table 1 shows the measurement results of peel strength.

<실시예 4><Example 4>

메탄올(용해도 파라미터: 14.5cal/cm3) 대신에 에탄올 및 1-프로판올의 혼합 용액(함유량: 에탄올 90질량%, 1-프로판올 10질량%. 용해도 파라미터: 에탄올 12.7cal/cm3, 1-프로판올 12.0cal/cm3)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 수순에 따라 박판 유리 기판의 박리를 행한 바, 박판 유리 기판은 파손되지 않고 분리되었다. 또한, 박리 강도의 측정 결과를 표 1에 나타낸다.Methanol (solubility parameter: 14.5cal / cm 3) instead of ethanol and a mixture of 1-propanol for (content: 90% by weight ethanol, 10% by weight 1-propanol solubility parameter: ethanol 12.7cal / cm 3, 1-propanol 12.0 cal / cm &lt; 3 &gt;) was used instead of the glass substrate, the thin plate glass substrate was peeled according to the same procedure as in Example 1, and the thin plate glass substrate was separated without breakage. Table 1 shows the measurement results of peel strength.

<실시예 5>&Lt; Example 5 >

메탄올(용해도 파라미터: 14.5cal/cm3) 대신에 1-프로판올(용해도 파라미터: 12.0cal/cm3)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 수순에 따라 박판 유리 기판의 박리를 행한 바, 박판 유리 기판은 파손되지 않고 분리되었다. 또한, 박리 강도의 측정 결과를 표 1에 나타낸다.Methanol (solubility parameter: 14.5cal / cm 3) in place of 1-propanol was used a (solubility parameter 12.0cal / cm 3), Example 1, according to the procedures similar to those subjected to the peeling of the thin plate glass substrate, bar, thin plate The glass substrate was separated without breaking. Table 1 shows the measurement results of peel strength.

<실시예 6>&Lt; Example 6 >

메탄올(용해도 파라미터: 14.5cal/cm3) 대신에 이소프로판올(용해도 파라미터: 11.5cal/cm3)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 수순에 따라 박판 유리 기판의 박리를 행한 바, 박판 유리 기판은 파손되지 않고 분리되었다. 또한, 박리 강도의 측정 결과를 표 1에 나타낸다.Methanol: (: 11.5cal / cm 3 the solubility parameter), except that, in Example 1, and the thin plate glass substrate was subjected to the peeling of the thin plate glass substrate according to a procedure similar to (solubility parameter 14.5cal / cm 3) instead of isopropanol to Were separated without breakage. Table 1 shows the measurement results of peel strength.

<실시예 7>&Lt; Example 7 >

메탄올(용해도 파라미터: 14.5cal/cm3) 대신에 1-부탄올(용해도 파라미터: 11.4cal/cm3)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 수순에 따라 박판 유리 기판의 박리를 행한 바, 박판 유리 기판은 파손되지 않고 분리되었다. 또한, 박리 강도의 측정 결과를 표 1에 나타낸다.Methanol (solubility parameter: 14.5cal / cm 3) in place of 1-butanol was used a (solubility parameter 11.4cal / cm 3), Example 1, according to the procedures similar to those subjected to the peeling of the thin plate glass substrate, bar, thin plate The glass substrate was separated without breaking. Table 1 shows the measurement results of peel strength.

<실시예 8>&Lt; Example 8 >

메탄올(용해도 파라미터: 14.5cal/cm3) 대신에 1-헥산올(용해도 파라미터: 10.7cal/cm3)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 수순에 따라 박판 유리 기판의 박리를 행한 바, 박판 유리 기판은 파손되지 않고 분리되었다. 또한, 박리 강도의 측정 결과를 표 1에 나타낸다.Methanol (solubility parameter: 14.5cal / cm 3) in place of 1-hexanol: except that there was used (solubility parameter 10.7cal / cm 3), according to Example 1, a procedure similar to those carried out in the peeling of the thin plate glass substrate, The thin plate glass substrate was separated without breaking. Table 1 shows the measurement results of peel strength.

<실시예 9>&Lt; Example 9 >

메탄올(용해도 파라미터: 14.5cal/cm3) 대신에 디메틸술폭시드(용해도 파라미터: 12.0cal/cm3)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 수순에 따라 박판 유리 기판의 박리를 행한 바, 박판 유리 기판은 파손되지 않고 분리되었다. 또한, 박리 강도의 측정 결과를 표 1에 나타낸다.Methanol (solubility parameter: 14.5cal / cm 3), instead of dimethyl sulfoxide (solubility parameter: 12.0cal / cm 3) was used in the Example 1, and according to the procedures similar to those subjected to the peeling of the thin plate glass substrate, bar, thin plate The glass substrate was separated without breaking. Table 1 shows the measurement results of peel strength.

<실시예 10>&Lt; Example 10 >

메탄올(용해도 파라미터: 14.5cal/cm3) 대신에 디메틸포름아미드(용해도 파라미터: 12.1cal/cm3)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 수순에 따라 박판 유리 기판의 박리를 행한 바, 박판 유리 기판은 파손되지 않고 분리되었다. 또한, 박리 강도의 측정 결과를 표 1에 나타낸다.Methanol (solubility parameter: 14.5cal / cm 3) instead of dimethylformamide (solubility parameter: 12.1cal / cm 3) was used in the Example 1, and according to the procedures similar to those subjected to the peeling of the thin plate glass substrate, bar, thin plate The glass substrate was separated without breaking. Table 1 shows the measurement results of peel strength.

<실시예 11>&Lt; Example 11 >

메탄올(용해도 파라미터: 14.5cal/cm3) 대신에 N-메틸피롤리돈(용해도 파라미터: 11.3cal/cm3)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 수순에 따라 박판 유리 기판의 박리를 행한 바, 박판 유리 기판은 파손되지 않고 분리되었다. 또한, 박리 강도의 측정 결과를 표 1에 나타낸다.Methanol (solubility parameter: 14.5cal / cm 3) in place of N- methylpyrrolidone: except that there was used (solubility parameter 11.3cal / cm 3), Example 1, according to the procedures similar to those subjected to the peeling of the thin plate glass substrate The bar and the thin plate glass substrate were separated without breaking. Table 1 shows the measurement results of peel strength.

<비교예 1>&Lt; Comparative Example 1 &

메탄올(용해도 파라미터: 14.5cal/cm3)의 공급을 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 수순에 따라 박판 유리 기판의 박리를 행한 바, 박판 유리 기판은 박리되기 어렵고, 박판 유리 기판의 파손이 보였다. 또한, 박리 강도의 결과를 표 1에 나타낸다.When the thin plate glass substrate was peeled off in accordance with the same procedure as in Example 1 except that the supply of methanol (solubility parameter: 14.5 cal / cm 3 ) was not performed, the thin plate glass substrate was hardly peeled off and the breakage of the thin plate glass substrate . The results of the peel strength are shown in Table 1.

<비교예 2>&Lt; Comparative Example 2 &

메탄올(용해도 파라미터: 14.5cal/cm3) 대신에 헵탄(용해도 파라미터: 7.4cal/cm3)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 수순에 따라 박판 유리 기판의 박리를 행한 바, 박판 유리 기판은 박리되기 어렵고, 박판 유리 기판의 파손이 보였다. 또한, 박리 강도의 결과를 표 1에 나타낸다.Methanol (solubility parameter: 14.5cal / cm 3) in place of heptane (solubility parameter: 7.4cal / cm 3) except that, in Example 1, and the thin plate glass substrate was subjected to the peeling of the thin plate glass substrate according to a procedure similar to Was not easily peeled off, and the thin plate glass substrate was damaged. The results of the peel strength are shown in Table 1.

표 1 중, 「유리 박리」란은, 박판 유리의 박리가 문제없이 진행된 경우를 「○」, 박판 유리의 파손이나 박리가 진행되기 어려웠던 경우를 「×」로 하였다.In Table 1, &quot; glass peeling &quot; refers to the case where the peeling of the thin plate glass proceeded without problems and the case where the breakage or peeling of the thin plate glass was difficult to progress.

또한, 표 1 중, 실시예 3의 「SP값」란은 에탄올의 SP값을, 실시예 4의 「SP값」란은 에탄올과 1-프로판올의 SP값을 각각 나타낸다.In Table 1, the "SP value" in the example 3 indicates the SP value of ethanol, and the "SP value" in the example 4 indicates the SP value of ethanol and 1-propanol, respectively.

Figure pct00002
Figure pct00002

표 1에 나타낸 바와 같이, 소정의 SP값을 나타내는 유기 용매, 또는 상기 유기 용매와 물의 혼합 용액을 사용한 경우에는, 박리 강도가 저하되어, 박리시에 박판 유리 기판의 파손이 보이지 않았다.As shown in Table 1, when an organic solvent exhibiting a predetermined SP value or a mixed solution of the organic solvent and water was used, the peel strength was lowered and no breakage of the thin plate glass substrate was observed at the time of peeling.

한편, 상기 유기 용매 또는 혼합 용액을 사용하지 않은 비교예 1 및 SP값이 소정의 범위 외인 유기 용매를 사용한 비교예 2에서는, 박리 강도가 커서, 박리시에 박판 유리 기판의 파손이 보였다.On the other hand, in Comparative Example 1 in which the organic solvent or mixed solution was not used and Comparative Example 2 in which the organic solvent having an SP value outside the predetermined range was used, the peel strength was large and breakage of the thin plate glass substrate was observed upon peeling.

<실시예 12>&Lt; Example 12 >

본 실시예에서는 실시예 1에서 얻은 유리 적층체 A를 사용하여 OLED를 제조하였다.In the present embodiment, an OLED was manufactured using the glass laminate A obtained in Example 1.

보다 구체적으로는, 유리 적층체 A의 박판 유리 기판에 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 게이트 전극을 형성하였다. 이어서, 플라즈마 CVD법에 의해 게이트 전극을 설치한 박리성 유리 기판의 제2 주면측에, 질화실리콘, 진성 아몰퍼스 실리콘, n형 아몰퍼스 실리콘의 순서대로 더 성막하고, 계속해서 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 게이트 절연막, 반도체 소자부 및 소스/드레인 전극을 형성하였다. 이어서, 플라즈마 CVD법에 의해 박리성 유리 기판의 제2 주면측에 질화실리콘을 더 성막하여 패시베이션층을 형성한 후, 스퍼터링법에 의해 산화인듐 주석을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 화소 전극을 형성하였다.More specifically, molybdenum was deposited on the thin plate glass substrate of the glass laminate A by the sputtering method, and the gate electrode was formed by etching using the photolithography method. Subsequently, a film is further formed on the second main surface side of the releasable glass substrate provided with the gate electrode by the plasma CVD method in the order of silicon nitride, intrinsic amorphous silicon, and n-type amorphous silicon. Subsequently, molybdenum is deposited by sputtering And a gate insulating film, a semiconductor element portion, and a source / drain electrode were formed by etching using a photolithography method. Subsequently, a silicon nitride film is further formed on the second main surface side of the releasable glass substrate by the plasma CVD method to form a passivation layer. Then, indium tin oxide is formed by the sputtering method, and by the etching using the photolithography method, Electrodes were formed.

계속해서, 얻어진 적층체의 박판 유리 기판측 표면 상에, 증착법에 의해 정공 주입층으로서 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민, 정공 수송층으로서 비스[(N-나프틸)-N-페닐]벤지딘, 발광층으로서 8-퀴놀리놀알루미늄 착체(Alq3)에 2,6-비스[4-[N-(4-메톡시페닐)-N-페닐]아미노스티릴]나프탈렌-1,5-디카르보니트릴(BSN-BCN)을 40체적% 혼합한 것, 전자 수송층으로서 Alq3을 이 순서대로 더 성막하였다. 이어서, 얻어진 적층체의 박판 유리 기판측 표면 상에 스퍼터링법에 의해 알루미늄을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 대향 전극을 형성하였다. 이어서, 대향 전극을 형성한 면 위에, 자외선 경화형 접착층을 개재하여 또 다른 1매의 유리 기판을 접합하여 밀봉하였다. 상기 수순에 의해 얻어진, 박판 유리 기판 상에 유기 EL 구조체를 갖는 유리 적층체 A2는, 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체에 해당한다.Subsequently, 4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine was used as a hole injecting layer, and bis [(N- (4-methoxyphenyl) -N-phenyl] benzosteine as a light emitting layer was added to an 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ) ] Naphthalene-1,5-dicarbonitrile (BSN-BCN) in an amount of 40% by volume, and Alq 3 as an electron transporting layer were further deposited in this order on the surface of the laminate, Aluminum was formed by the method described above and an opposite electrode was formed by etching using a photolithography method. Next, another glass substrate was bonded to the surface on which the counter electrode was formed, via an ultraviolet curable adhesive layer, and sealed . On the thin plate glass substrate obtained by the above procedure, an organic EL structure Glass laminate having the A2, which corresponds to the layered product over a member for an electronic device.

또한, 상기 제조 프로세스에 있어서, 가열 처리로서는 350℃에서 1시간의 처리가 가장 고온에서의 처리였다.In the above manufacturing process, the heat treatment at 350 占 폚 for 1 hour was the treatment at the highest temperature.

유리 적층체 A1 대신에 상기 유리 적층체 A2를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 수순에 따라 실리콘 수지층과 박판 유리 기판의 박리를 행한 바, 실시예 1과 동일 정도의 박리 강도로 양자의 박리가 진행되어, 박판 유리 기판 및 전자 디바이스용 부재를 포함하는 전자 디바이스를 얻을 수 있었다.The silicone resin layer and the thin plate glass substrate were peeled off in the same procedure as in Example 1 except that the above-mentioned glass laminate A2 was used in place of the glass laminate A1. As a result, The peeling progressed, and an electronic device including a thin plate glass substrate and a member for an electronic device could be obtained.

또한, 상기 실시예 1의 수순 대신에 실시예 2 내지 11의 각각의 수순을 실시한 경우에도, 각각 실시예 2 내지 11과 동일 정도의 박리 강도로 실리콘 수지층과 박판 유리 기판의 박리를 행할 수 있어, 박판 유리 기판 및 전자 디바이스용 부재를 포함하는 전자 디바이스를 얻을 수 있었다.Further, even when the respective procedures of Examples 2 to 11 were carried out in place of the procedure of Example 1, the silicon resin layer and the thin plate glass substrate can be peeled off with the same peeling strength as in Examples 2 to 11 , A thin plate glass substrate, and a member for an electronic device.

한편, 상기 실시예 1의 수순 대신에 비교예 1 내지 2의 각각의 수순을 실시한 경우, 실리콘 수지층과 박판 유리 기판의 박리시에 박판 유리 기판의 파손이 발생하여, 원하는 전자 디바이스를 얻을 수 없었다.On the other hand, when each of the procedures of Comparative Examples 1 and 2 was carried out in place of the procedure of Example 1, breakage of the thin plate glass substrate occurred at the time of peeling the silicon resin layer from the thin plate glass substrate, .

본 발명을 상세하게, 또한 특정한 실시 형태를 참조하여 설명하였지만, 본 발명의 범위와 정신을 일탈하지 않고, 여러가지 수정이나 변경을 가할 수 있다는 것은 당업자에게 있어서 명확하다.While the invention has been described in detail and with reference to specific embodiments thereof, it is evident to those skilled in the art that various modifications and variations can be made without departing from the scope and spirit of the invention.

본 출원은 2013년 7월 31일에 출원된 일본 특허 출원 제2013-159724호에 기초하는 것이며, 그 내용은 여기에 참조로서 도입된다.The present application is based on Japanese Patent Application No. 2013-159724 filed on July 31, 2013, the contents of which are incorporated herein by reference.

10: 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체
12: 지지 기재
14, 30: 실리콘 수지층
14a: 실리콘 수지층의 제1 주면
16: 유리 기판
16a: 유리 기판의 제1 주면
16b: 유리 기판의 제2 주면
18: 전자 디바이스용 부재
20: 실리콘 수지층 딸린 지지 기재
22: 전자 디바이스
24: 용액
26: 유리 적층체
40: 지지 유리 기판
50: 박판 유리 기판
60, 70: 폴리카르보네이트
80: 액정 패널
82: TFT 기판
83: TFT 소자
84: CF 기판
85: 컬러 필터 소자
90: 전자 페이퍼
91: 전자 페이퍼 소자
92: TFT층
94: 전기 공학 매체의 층
96: 투명 전극
10: Memberless laminate for electronic device
12: support substrate
14, 30: Silicone resin layer
14a: a first main surface of the silicone resin layer
16: glass substrate
16a: a first main surface of the glass substrate
16b: a second main surface of the glass substrate
18: Member for electronic device
20: Silicone resin layer-supported substrate
22: electronic device
24: solution
26: Glass laminate
40: support glass substrate
50: thin plate glass substrate
60, 70: Polycarbonate
80: liquid crystal panel
82: TFT substrate
83: TFT element
84: CF substrate
85: Color filter element
90: electronic paper
91: Electronic paper device
92: TFT layer
94: layer of electrical engineering media
96: Transparent electrode

Claims (5)

지지 기재, 실리콘 수지층, 유리 기판 및 전자 디바이스용 부재를 이 순서대로 갖는 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체로부터, 상기 실리콘 수지층과 상기 유리 기판의 계면을 박리면으로 하여, 상기 지지 기재 및 상기 실리콘 수지층을 포함하는 실리콘 수지층 딸린 지지 기재와, 상기 유리 기판 및 상기 전자 디바이스용 부재를 포함하는 전자 디바이스를 분리하여, 상기 전자 디바이스를 얻는 공정을 갖는 전자 디바이스의 제조 방법이며,
상기 실리콘 수지층과 상기 유리 기판의 박리 계면의 경계선인 박리선에, 용해도 파라미터가 10 초과인 유기 용매, 또는 상기 유기 용매와 물의 혼합 용액을 공급하여, 상기 실리콘 수지층 딸린 지지 기재와 상기 전자 디바이스의 분리를 행하는, 전자 디바이스의 제조 방법.
Wherein the interface between the silicon resin layer and the glass substrate is peeled off from the laminated body for the electronic device having the support substrate, the silicon resin layer, the glass substrate, and the electronic device member in this order, A method of manufacturing an electronic device having a step of obtaining an electronic device by separating an electronic device including the glass substrate and the electronic device member from a supporting substrate having a silicon resin layer including a resin layer,
An organic solvent having a solubility parameter of more than 10 or a mixed solution of the organic solvent and water is supplied to a peeling line which is a boundary line between the silicon resin layer and the peeling interface of the glass substrate, Is carried out.
제1항에 있어서, 상기 유기 용매가, 할로겐 원자를 가져도 되는 알코올계 용매, 또는 비프로톤성 극성 용매를 포함하는, 전자 디바이스의 제조 방법.The method of manufacturing an electronic device according to claim 1, wherein the organic solvent comprises an alcohol-based solvent capable of having a halogen atom, or an aprotic polar solvent. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유기 용매가, 탄소수 1 내지 6의 알코올계 용매, 디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸술폭시드(DMSO), N-메틸피롤리돈(NMP), 술포란 및 아세토니트릴로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 전자 디바이스의 제조 방법.The method of claim 1 or 2, wherein the organic solvent is selected from the group consisting of an alcohol solvent having 1 to 6 carbon atoms, dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide (DMAc), dimethylsulfoxide (DMSO) -Methylpyrrolidone (NMP), sulfolane, and acetonitrile. &Lt; / RTI &gt; 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘 수지층 중의 실리콘 수지가, 오르가노알케닐폴리실록산과 오르가노히드로겐폴리실록산의 반응 경화물인, 전자 디바이스의 제조 방법.The method of manufacturing an electronic device according to any one of claims 1 to 3, wherein the silicone resin in the silicone resin layer is a reactive cured product of an organoalkenyl polysiloxane and an organohydrogenpolysiloxane. 제4항에 있어서, 상기 실리콘 수지는 부가 반응형 실리콘의 경화물이며,
상기 부가 반응형 실리콘은, 하기 (a) 및 (b)를 포함하는 경화성 실리콘 수지 조성물이고,
상기 실리콘 수지층은, 상기 경화성 실리콘 수지 조성물을 상기 지지 기재의 표면에서 경화시킴으로써 형성되는, 전자 디바이스의 제조 방법.
(a) 알케닐기를 1 분자당 적어도 2개 갖는 선상 오르가노폴리실록산,
(b) 규소 원자에 결합한 수소 원자를 1 분자당 적어도 3개 갖는 선상 오르가노폴리실록산이며, 또한 규소 원자에 결합한 수소 원자 중 적어도 1개가 분자 말단의 규소 원자에 존재하는 선상 오르가노폴리실록산.



5. The method according to claim 4, wherein the silicone resin is a cured product of addition reaction-
Wherein the addition reaction type silicone is a curable silicone resin composition comprising (a) and (b)
Wherein the silicon resin layer is formed by curing the curable silicone resin composition on the surface of the supporting substrate.
(a) a linear organopolysiloxane having at least two alkenyl groups per molecule,
(b) a linear organopolysiloxane having at least three hydrogen atoms bonded to silicon atoms per molecule, wherein at least one hydrogen atom bonded to the silicon atom is present at the silicon atom of the molecular end.



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