KR20160037847A - Resin composition for display substrate, thin resin film for display substrate, and process for producing thin resin film for display substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플렉시블 디스플레이용 기판으로서 큐어 조건에 의존하지 않고, 충분한 투명성과 적절한 선 팽창 계수를 갖는 디스플레이 기판용 고내열성 수지 조성물을 제공한다. 본 발명은 식 (1-1) 및 (1-4) (식 중, Ar1 및 Ar2 는 각각 상이하며, 각각 독립적으로, 불소로 치환된 치환기를 갖는 방향족을 갖는 4 가의 기를 나타내고, Ar3 은 식 (4) (식 중, q 는 1 또는 2 를 나타내고, l 은 1 또는 2 를 나타낸다) 로 나타내는 2 가의 기를 나타내고, n1 및 n4 는 각 반복 단위의 수를 나타낸다) 로 나타내는 반복 단위를 함유하는 폴리아믹산 ; 및 유기 용매를 함유하는 디스플레이 기판용 수지 조성물에 의해서 상기 과제를 해결한다.

Figure pct00027
The present invention provides a highly heat resistant resin composition for a display substrate having a sufficient transparency and an appropriate linear expansion coefficient without depending on a curing condition as a substrate for a flexible display. The present invention relates to a compound represented by any one of formulas (1-1) and (1-4): wherein Ar 1 and Ar 2 are each different and independently represent a tetravalent group having an aromatic group having a substituent substituted with fluorine, Ar 3 Represents a divalent group represented by the formula (4) (wherein q represents 1 or 2 and 1 represents 1 or 2), and n 1 and n 4 represent the number of each repeating unit) ≪ / RTI > And a resin composition for a display substrate containing an organic solvent.
Figure pct00027

Description

디스플레이 기판용 수지 조성물, 디스플레이 기판용 수지 박막 및 디스플레이 기판용 수지 박막의 제조 방법 {RESIN COMPOSITION FOR DISPLAY SUBSTRATE, THIN RESIN FILM FOR DISPLAY SUBSTRATE, AND PROCESS FOR PRODUCING THIN RESIN FILM FOR DISPLAY SUBSTRATE}Technical Field The present invention relates to a resin thin film for a display substrate, a resin thin film for a display substrate, and a resin thin film for a display substrate. BACKGROUND ART [0002]

본 발명은 디스플레이 기판용 수지 조성물, 디스플레이 기판용 수지 박막 및 디스플레이 기판용 수지 박막의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition for a display substrate, a resin thin film for a display substrate, and a method for producing a resin thin film for a display substrate.

최근 액정이나 유기 EL, 전자 페이퍼 등의 디스플레이나, 태양 전지, 터치 패널 등의 일렉트로닉스의 급속한 진보에 수반하여, 디바이스의 박형화나 경량화, 나아가서는 플렉시블화가 요구되게 되었다. 이들 디바이스에는 유리 기판 상에 다양한 전자 소자, 예를 들어 박막 트랜지스터나 투명 전극 등이 형성되어 있는데, 이 유리 재료를 필름 재료로 바꿈으로써 패널 자체의 박형화나 경량화, 나아가서는 플렉시블화가 도모된다.In recent years, along with the rapid progress of displays such as liquid crystal, organic EL, and electronic paper, and electronics such as solar cells and touch panels, there has been a demand for thinning and lightening of devices and also in flexibility. In these devices, various electronic elements such as a thin film transistor and a transparent electrode are formed on a glass substrate. By changing the glass material into a film material, the panel itself can be made thinner, lighter, and more flexible.

그러나, 유리를 대체하게 될 필름 재료에는, 투명성에 더하여, 무기 재료로 이루어지는 미세한 전자 소자를 필름 상에 형성할 경우에는 고온 프로세스가 필요한 점에서 고도의 내열성을 가질 필요가 있는 점, 나아가서는, 무기 재료와 필름의 선 열팽창 계수의 차에 의해서, 전자 소자의 형성 후에 필름의 휨이나 전자 소자가 파괴되어 버릴 우려가 있는 점에서, 무기 재료와 동일한 정도의 낮은 선 열팽창성이 요구된다.However, in addition to transparency, a film material to be replaced with glass is required to have a high heat resistance in that a high-temperature process is required when a fine electronic device made of an inorganic material is formed on a film, Since the difference in coefficient of linear thermal expansion between the material and the film may lead to warpage of the film or destruction of the electronic element after formation of the electronic element, a low linear thermal expansion property as that of the inorganic material is required.

한편, 폴리이미드 수지는 내열성과 함께 높은 절연 성능을 갖는 점에서 FPC 등의 전자 부품 재료에 적용하는 것이 진행되어 왔다. 그 용도에 있어서는 실리콘이나 구리 등의 금속과 적층되는 경우가 많아, 폴리이미드 수지의 선 열팽창 계수를 실리콘이나 금속과 동등하게 작게 하는 시도가 종래부터 행해져 왔다.On the other hand, polyimide resins have been applied to electronic component materials such as FPCs because they have high heat resistance and high insulation performance. In these applications, metal, such as silicon or copper, is frequently laminated, and attempts have been made to reduce the linear thermal expansion coefficient of a polyimide resin to the same level as that of silicon or metal.

그러나, 이와 같은 전자 부품 재료용의 폴리이미드 수지는 고도의 내열성과 낮은 선 팽창성을 갖고 있지만, 일반적으로는 투명성이 낮고, 유리를 대체하게 될 광학 필름으로서 사용할 수 없었다. However, such a polyimide resin for electronic component materials has high heat resistance and low linear expansion, but generally has low transparency and can not be used as an optical film to replace glass.

그래서, 이 문제를 회피할 수 있는 폴리이미드 재료로서 몇 가지의 제안이 이루어져 있다. 특허문헌 1 은 지환식 구조 함유 테트라카르복실산 2 무수물과 각종 디아민에서 얻어지는 폴리이미드를 사용한 디스플레이 기판용 폴리이미드 필름을 개시하고 있다. 또, 특허문헌 2 는 시클로헥산 골격을 갖는 지환식 테트라카르복실산 2 무수물과 술폰기를 함유하는 방향족 디아민에서 얻어지는 폴리이미드를 사용한 디스플레이 기판용 폴리이미드 필름을 개시하고 있다.Therefore, several proposals have been made as polyimide materials capable of avoiding this problem. Patent Document 1 discloses a polyimide film for a display substrate using a tetracarboxylic acid dianhydride containing an alicyclic structure and a polyimide obtained from various diamines. Patent Document 2 discloses a polyimide film for a display substrate using an alicyclic tetracarboxylic acid dianhydride having a cyclohexane skeleton and a polyimide obtained from an aromatic diamine containing a sulfone group.

일본 공개특허공보 2008-231327호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-231327 일본 공표특허공보 2008-297360호Japanese Patent Publication No. 2008-297360

상기 서술한 바와 같이, 투명성 플렉시블 디스플레이 기판용 재료로서 내열성의 향상을 도모하는 재료가 제안되어 있기는 하지만, 특허문헌 1 에서 사용하는 테트라카르복실산 2 무수물은 방향족기도 함유하기 때문에, 방향족기를 포함하지 않고 지환식기만으로 이루어지는 테트라카르복실산 2 무수물과 비교하여, 폴리이미드 사슬의 분자 내 공액이나 전하 이동 상호 작용에 의해서 얻어진 필름의 투명성이 낮아진다는 문제가 있다. 또, 특허문헌 2 에서 사용하는 산 2 무수물은 시스 구조의 시클로헥산 골격이라는 특수한 구조를 갖기 때문에, 범용성이 부족하여 폴리이미드의 제조 비용이 비교적 고가로 되고, 나아가서는 얻어지는 제품이 고가로 되어 버린다는 문제가 있다.As described above, a material for improving heat resistance has been proposed as a material for a transparent flexible display substrate. However, since the tetracarboxylic acid dianhydride used in Patent Document 1 contains an aromatic group, it contains an aromatic group There is a problem that the transparency of the film obtained by intramolecular conjugation or charge transfer interaction of the polyimide chain is lowered as compared with the tetracarboxylic acid dianhydride consisting only of the alicyclic group. In addition, since the acid dianhydride used in Patent Document 2 has a special structure of cyclohexane skeleton of cis structure, the general versatility is insufficient, the production cost of polyimide becomes relatively high, and further, the obtained product becomes expensive there is a problem.

또, 지환식 테트라카르복실산 2 무수물은 원래 중합 반응성 면에서 충분한 막 인성을 나타낼 정도의 고분자량체가 얻어지지 않을 경우가 있다는 문제가 있다. 그 중에서도 테트라카르복실산 2 무수물 중에서 가장 널리 알려져 있다고 할 수 있는 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 2 무수물 (이하 CBDA 라고 칭한다) 은 디아민과의 비교적 높은 중합 반응성을 나타내기는 하지만, 그 입체 구조로부터 폴리이미드 전구체의 이미드화 반응이 일어나기 어려워, 이미드화 반응을 완결하기 위해서 보다 고온을 필요로 하며, 이것이 폴리이미드 필름의 착색 원인이 되어 디스플레이 기판용으로서 CBDA 의 사용은 유리하지 않은 점이 지적되고 있다 (특허문헌 1 및 특허문헌 2).Further, the alicyclic tetracarboxylic acid dianhydride has a problem that a high-molecular-weight substance sufficient to exhibit sufficient film toughness in terms of polymerization reactivity may not be obtained. Of these, 1,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic acid dianhydride (hereinafter referred to as CBDA), which is most widely known among tetracarboxylic dianhydrides, exhibits relatively high polymerization reactivity with diamines , Imidization reaction of the polyimide precursor from the steric structure is difficult to occur and higher temperature is required for completing the imidization reaction. This causes the coloring of the polyimide film and the use of CBDA for the display substrate is not advantageous (Patent Document 1 and Patent Document 2).

본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적은 플렉시블 디스플레이용 기판으로서 큐어 조건에 의존하지 않고, 충분한 투명성과 적절한 선 팽창 계수를 갖는, 고내열성의 디스플레이 기판용 수지 조성물을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a resin composition for a display substrate having high heat resistance, which has sufficient transparency and appropriate linear expansion coefficient without depending on a curing condition as a substrate for a flexible display.

본 발명자는 상기 과제를 달성하기 위해서 예의 검토한 결과, 이하의 발명을 알아냈다.Means for Solving the Problems The present inventors have intensively studied in order to achieve the above object, and as a result, have found the following inventions.

<1> 식 (1-1) 및 (1-4) (식 중, Ar1 및 Ar2 는 각각 상이하고, 각각 독립적으로, 불소로 치환된 치환기를 갖는 방향족을 갖는 4 가의 기를 나타내며, Ar3 은 식 (4) (식 중, q 는 1 또는 2 를 나타내고, l 은 1 또는 2 를 나타낸다) 로 나타내는 2 가의 기를 나타내고, n1 및 n4 는 각 반복 단위의 수를 나타내며, n1 과 n4 의 비인 n1 : n4 가 50 : 50 ∼ 99 : 1 이다) 로 나타내는 반복 단위를 함유하는 폴리아믹산 ; 및 유기 용매를 함유하는 디스플레이 기판용 수지 조성물.Wherein Ar 1 and Ar 2 are each independently a quadrivalent group having an aromatic group having a substituent substituted with fluorine and Ar 3 Represents a divalent group represented by the formula (4) (wherein q represents 1 or 2 and 1 represents 1 or 2), n 1 and n 4 represent the number of each repeating unit, and n 1 and n 4 , wherein n 1 : n 4 is 50:50 to 99: 1); And an organic solvent.

[화학식 1] [Chemical Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

<2> 상기 Ar1 을 하기 식 (2) (식 중, k 는 1 또는 2 를 나타내고, p 는 1 또는 2 를 나타낸다) 로 나타내고, 상기 Ar2 를 하기 식 (3) (식 중, X 는 탄소수 1 ∼ 3 의 플루오로알킬렌기를 나타낸다) 으로 나타내는 <1> 의 조성물.(2): wherein Ar 1 is represented by the following formula (2): wherein k represents 1 or 2, p represents 1 or 2, and Ar 2 is represented by the formula (3) A fluoroalkylene group having 1 to 3 carbon atoms.

[화학식 2] (2)

Figure pct00002
Figure pct00002

<3> 상기 Ar1 이 식 (2-1) 로 나타나는 <1> 또는 <2> 의 조성물.<3> The composition of <1> or <2>, wherein Ar 1 is represented by formula (2-1).

[화학식 3] (3)

Figure pct00003
Figure pct00003

<4> 상기 Ar2 가 식 (3-1) 로 나타나는 <1> ∼ <3> 중 어느 하나인 조성물.&Lt; 4 &gt; The composition according to any one of &lt; 1 &gt; to &lt; 3 &gt;, wherein Ar &lt; 2 &gt;

[화학식 4] [Chemical Formula 4]

Figure pct00004
Figure pct00004

<5> 상기 Ar3 이 식 (4-1) ∼ (4-6) 중 어느 하나로 나타나는 <1> ∼ <4> 중 어느 하나인 조성물.<5> The composition according to any one of <1> to <4>, wherein Ar 3 is any one of formulas (4-1) to (4-6).

[화학식 5] [Chemical Formula 5]

Figure pct00005
Figure pct00005

<6> 상기 폴리아믹산이 식 (1-2) 및 (1-5) (식 중, Ar1 및 Ar2 는 상기와 동일한 정의를 갖고, Ar4 는 식 (5) (식 중, r 은 1, 2 또는 3 을 나타낸다) 로 나타내는 2 가의 기를 나타내고, n2 및 n5 는 각 반복 단위의 수를 나타낸다) 로 나타내는 반복 단위를 추가로 함유하는 <1> ∼ <5> 중 어느 하나인 조성물.(6) The polyamic acid according to any one of (1) to (5), wherein Ar 1 and Ar 2 have the same definitions as above, and Ar 4 represents a group represented by formula (5) , 2 or 3), and n 2 and n 5 represent the number of each repeating unit. The composition according to any one of <1> to <5>, wherein the composition further contains a repeating unit represented by the following formula

[화학식 6] [Chemical Formula 6]

Figure pct00006
Figure pct00006

<7> 상기 유기 용매가 하기 식 (A) 또는 (B) (식 중, R1 및 R2 는 각각 독립적으로, 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, h 는 자연수를 나타낸다) 로 나타나는 용매인 <1> ∼ <6> 중 어느 하나인 조성물.The organic solvent may be a solvent represented by the following formula (A) or (B): wherein R 1 and R 2 each independently represent an alkyl group of 1 to 4 carbon atoms, and h represents a natural number &Lt; 1 &gt; to &lt; 6 &gt;.

[화학식 7] (7)

Figure pct00007
Figure pct00007

<8> <1> ∼ <7> 중 어느 하나의 디스플레이 기판용 수지 조성물을 사용하여 제조되는 디스플레이 기판용 수지 박막.&Lt; 8 &gt; A resin thin film for a display substrate produced by using the resin composition for a display substrate according to any one of &lt; 1 &gt; to &lt; 7 &gt;.

<9> <8> 의 디스플레이 기판용 수지 박막을 구비하는 화상 표시 장치.&Lt; 9 &gt; An image display device comprising a resin thin film for a display substrate of <8>.

<10> <1> ∼ <7> 중 어느 하나의 디스플레이 기판용 수지 조성물을 사용하는 디스플레이 기판용 수지 박막의 제조 방법.&Lt; 10 &gt; A method for producing a resin thin film for a display substrate using the resin composition for a display substrate according to any one of &lt; 1 &gt; to &lt; 7 &gt;.

<11> <8> 의 디스플레이 기판용 수지 박막을 사용하는 화상 표시 장치의 제조 방법.&Lt; 11 &gt; A method for manufacturing an image display apparatus using a resin thin film for a display substrate according to &lt; 8 &gt;.

본 발명에 의해서, 플렉시블 디스플레이용 기판으로서 큐어 조건에 의존하지 않고, 충분한 투명성과 적절한 선 팽창 계수를 갖는, 고내열성의 디스플레이 기판용 수지 조성물을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a resin composition for a display substrate having a high heat resistance, which has sufficient transparency and an appropriate coefficient of linear expansion without depending on a curing condition, as a substrate for a flexible display.

본 발명의 디스플레이 기판용 수지 조성물은 필름 제조의 큐어 조건에 영향 받지 않고, 플렉시블 디스플레이 기판으로서의 요구 성능, 즉, 충분한 내열성, 높은 투명성, 적당한 선 팽창 계수 및 적당한 유연성을 갖는 유용한 경화막을 형성할 수 있다. 따라서, 그 경화막은 플렉시블 디스플레이용 베이스 필름 등에 사용 할 수 있다.The resin composition for a display substrate of the present invention can form a useful cured film having required performance as a flexible display substrate, that is, sufficient heat resistance, high transparency, suitable linear expansion coefficient, and appropriate flexibility without being influenced by the curing condition of the film production . Therefore, the cured film can be used for a base film for a flexible display or the like.

이하, 본 발명에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명의 디스플레이 기판용 수지 조성물은, 식 (1-1) 및 (1-4) 로 나타내는 반복 단위를 함유하는 폴리아믹산 ; 및 유기 용매를 함유한다.The resin composition for a display substrate of the present invention is a polyamic acid containing repeating units represented by formulas (1-1) and (1-4); And an organic solvent.

식 중, Ar1 및 Ar2 는 각각 상이하고, 각각 독립적으로, 불소로 치환된 치환기를 갖는 방향족을 갖는 4 가의 기를 나타내고 ; In the formulas, Ar 1 and Ar 2 are each different and independently represent a tetravalent group having an aromatic group having a substituent substituted with fluorine;

Ar3 은 식 (4) (식 중, q 는 1 또는 2 를 나타내고, l 은 1 또는 2 를 나타낸다) 로 나타내는 2 가의 기를 나타내고 ; Ar 3 represents a divalent group represented by the formula (4) (wherein q represents 1 or 2 and 1 represents 1 or 2);

n1 및 n4 는 각 반복 단위의 수를 나타내고, n1 과 n4 의 비인 n1 : n4 가 50 : 50 ∼ 99 : 1, 바람직하게는 70 : 30 ∼ 95 : 5, 보다 바람직하게는 70 : 30 ∼ 90 : 10 을 만족한다.n 1 and n 4 is the number of the recurring units, n 1 and n 4 in the ratio n 1: n 4 is 50: 50 to 99: 1, preferably 70: 30 to 95: 5, and more preferably 70: 30 to 90: 10.

[화학식 8] [Chemical Formula 8]

Figure pct00008
Figure pct00008

상기 식 (1-1) 의 Ar1 은 하기 식 (2) 로 나타내고, 식 (1-4) 의 Ar2 는 하기 식 (3) 으로 나타내는 것이 좋다.Ar 1 in the formula (1-1) is represented by the following formula (2) and Ar 2 in the formula (1-4) is represented by the following formula (3).

식 (2) 중, k 는 벤젠고리로 치환되는 트리플루오로메틸기의 수를 나타내고, 1 또는 2, 바람직하게는 1 이며, p 는 1 또는 2, 바람직하게는 2 인 것이 좋다.In the formula (2), k represents the number of trifluoromethyl groups substituted with a benzene ring and is 1 or 2, preferably 1, and p is 1 or 2, preferably 2.

식 (3) 중, X 는 탄소수 1 ∼ 3 의 플루오로알킬렌기를 나타낸다.In the formula (3), X represents a fluoroalkylene group having 1 to 3 carbon atoms.

[화학식 9] [Chemical Formula 9]

Figure pct00009
Figure pct00009

식 (2) 로 나타내는 기의 바람직한 예로서, 하기 식 (2-1) 로 나타내는 기를 들 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.A preferable example of the group represented by the formula (2) is a group represented by the following formula (2-1), but is not limited thereto.

[화학식 10] [Chemical formula 10]

Figure pct00010
Figure pct00010

식 (3) 의 X 로 나타내는 기의 예로서, 디플루오로메틸렌기 (-CF2-), 트리플루오로메틸플루오로메틸렌기 (-CF(CF3)-), 1,1,2,2-테트라플루오로에틸렌기 (-CF2CF2-), 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판-2,2-디일기 (-C(CF3)2-), 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로트리메틸렌기 (-CF2CF2CF2-) 등을 들 수 있지만, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판-2,2-디일기가 바람직하다.Examples of the group represented by X in the formula (3) include difluoromethylene group (-CF 2 -), trifluoromethylfluoromethylene group (-CF (CF 3 ) -), 1,1,2,2 (-CF 2 CF 2 -), 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane-2,2-diyl group (-C (CF 3 ) 2 -), , 1,2,2,3,3-hexafluorotrimethylene group (-CF 2 CF 2 CF 2 -), and the like, but 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane-2 , And 2-diyl group are preferable.

식 (3) 으로 나타내는 기의 바람직한 예로서, 식 (3-1) 로 나타내는 기를 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.A preferable example of the group represented by the formula (3) is a group represented by the formula (3-1), but is not limited thereto.

[화학식 11] (11)

Figure pct00011
Figure pct00011

상기 식 (4) 로 나타내는 Ar3 의 바람직한 예로서, 식 (4-1) ∼ (4-6) 으로 나타내는 기를 들 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 상기 식 (4) 로 나타내는 Ar3 은 (4-1), (4-2), (4-3) 또는 (4-5) 인 것이 바람직하고, 입수성의 관점에서 식 (4-1) 로 나타내는 기인 것이 보다 바람직하다.Preferable examples of Ar 3 represented by the formula (4) include groups represented by the formulas (4-1) to (4-6), but the present invention is not limited thereto. The Ar 3 represented by the formula (4) is preferably (4-1), (4-2), (4-3) or (4-5), and from the viewpoint of availability, Is more preferable.

[화학식 12] [Chemical Formula 12]

Figure pct00012
Figure pct00012

상기 서술한 폴리아믹산은 식 (1-2) 및 (1-5) 로 나타내는 반복 단위를 추가로 함유하는 것이 좋다.The above-mentioned polyamic acid preferably contains a repeating unit represented by formulas (1-2) and (1-5).

식 중, Ar1 및 Ar2 는 상기와 동일한 정의를 갖고,Wherein Ar 1 and Ar 2 have the same definitions as above,

Ar4 는 식 (5) (식 중, r 은 1, 2 또는 3 을 나타낸다) 로 나타내는 2 가의 기를 나타낸다.Ar 4 represents a divalent group represented by the formula (5) (wherein r represents 1, 2 or 3).

n2 및 n5 는 각 반복 단위의 수를 나타내고, n2 와 n5 의 비인 n2 : n5 가 바람직하게는 50 : 50 ∼ 99 : 1, 보다 바람직하게는 70 : 30 ∼ 95 : 5, 보다 더 바람직하게는 70 : 30 ∼ 90 : 10 을 만족하는 것이 좋다.n 2 and n 5 represent the number of each repeating unit, and n 2 : n 5, which is the ratio of n 2 and n 5 , is preferably 50:50 to 99: 1, more preferably 70:30 to 95: More preferably from 70:30 to 90:10.

상기 식 (1-1) 로 나타내는 반복 단위의 수 n1 과 상기 식 (1-4) 로 나타내는 반복 단위의 수 n4 의 합 (n1 + n4) 과, 하기 식 (1-2) 로 나타내는 반복 단위의 수 n2 의 비인 (n1 + n4) : n2 가 바람직하게는 50 : 50 ∼ 99 : 1, 보다 바람직하게는 70 : 30 ∼ 95 : 5, 보다 더 바람직하게는 75 : 25 ∼ 90 : 10 을 만족하는 것이 좋다.The sum (n 1 + n 4 ) of the number n 1 of repeating units represented by the formula (1-1) and the number n 4 of repeating units represented by the formula (1-4) (N 1 + n 4 ), which is the ratio of the number n 2 of repeating units represented by the following formula (1-2) : n 2 is preferably 50:50 to 99: 1, more preferably 70:30 to 95: 5, and even more preferably 75:25 to 90:10.

[화학식 13] [Chemical Formula 13]

Figure pct00013
Figure pct00013

상기 식 (5) 중, r 은 1, 2 또는 3, 바람직하게는 1 또는 2, 보다 바람직하게는 1 인 것이 좋다.In the formula (5), r is 1, 2 or 3, preferably 1 or 2, more preferably 1.

식 (5) 로 나타내는 기의 바람직한 예로서, 식 (5-1) ∼ (5-3) 으로 나타내는 기를 들 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.Preferable examples of the group represented by formula (5) include groups represented by formulas (5-1) to (5-3), but are not limited thereto.

[화학식 14] [Chemical Formula 14]

Figure pct00014
Figure pct00014

상기 서술한 폴리아믹산은 식 (1-3) 및 (1-6) 으로 나타내는 반복 단위를 추가로 함유하는 것이 좋다.It is preferable that the polyamic acid described above further contains a repeating unit represented by formulas (1-3) and (1-6).

식 중, Ar1 및 Ar2 는 상기와 동일한 정의를 갖고,Wherein Ar 1 and Ar 2 have the same definitions as above,

Ar5 는 식 (6) (식 중, Y 는 -O- 또는 -S-, 바람직하게는 -O- 인 것이 좋고, s 는 1 또는 2, 바람직하게는 2 인 것이 좋다) 으로 나타내는 2 가의 기를 나타낸다.Ar 5 represents a divalent group represented by the formula (6) (wherein Y is -O- or -S-, preferably -O-, and s is 1 or 2, preferably 2) .

n3 및 n6 은 각 반복 단위의 수를 나타내고, n3 과 n6 의 비인 n3 : n6 이 바람직하게는 50 : 50 ∼ 99 : 1, 보다 바람직하게는 70 : 30 ∼ 95 : 5, 보다 더 바람직하게는 70 : 30 ∼ 90 : 10 을 만족하는 것이 좋다.n 3 and n 6 represent the number of each repeating unit, and n 3 : n 6, which is the ratio of n 3 and n 6 , is preferably 50:50 to 99: 1, more preferably 70:30 to 95: More preferably from 70:30 to 90:10.

상기 식 (1-1) 로 나타내는 반복 단위의 수 n1 과 상기 식 (1-4) 로 나타내는 반복 단위의 수 n4 의 합 (n1 + n4) 과, 하기 식 (1-3) 으로 나타내는 반복 단위의 수 n3 의 비인 (n1 + n4) : n3 이 바람직하게는 60 : 40 ∼ 99 : 1, 보다 바람직하게는 70 : 30 ∼ 99 : 1, 보다 더 바람직하게는 80 : 20 ∼ 99 : 1 을 만족하는 것이 좋다.(N 1 + n 4 ) of the number n 1 of repeating units represented by the formula (1-1) and the number n 4 of repeating units represented by the formula (1-4) ratio representing the number of repeating units n 3 (n 1 + n 4 ): n 3 is preferably from 60: 40 to 99: 1, more preferably from 70:30 to 99: 1, still more preferably 80: 20 to 99: 1.

[화학식 15] [Chemical Formula 15]

Figure pct00015
Figure pct00015

상기 식 (6) 으로 나타내는 기의 바람직한 예로서, 식 (6-1) ∼ (6-5) 로 나타내는 기를 들 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.Preferable examples of the group represented by the formula (6) include groups represented by the formulas (6-1) to (6-5), but are not limited thereto.

[화학식 16] [Chemical Formula 16]

Figure pct00016
Figure pct00016

상기 식 (1-1) 및 (1-4) 로 나타내는 반복 단위를 함유하는 폴리아믹산은, 그 식 (1-1) 및 (1-4) 로 나타내는 반복 단위를 임의의 순서 (이들 각 단위 사이에 다른 구성 단위를 함유해도 된다) 로 결합하는 것이 좋다.The polyamic acid containing the repeating units represented by the above formulas (1-1) and (1-4) is obtained by repeating the repeating units represented by the formulas (1-1) and (1-4) May contain other constituent units).

또, 상기 식 (1-2) 및 (1-5) 로 나타내는 반복 단위를 추가로 함유하는 폴리아믹산, 즉 상기 식 (1-1), (1-2), (1-4) 및 (1-5) 로 나타내는 반복 단위를 함유하는 폴리아믹산은, 그 식 (1-1), (1-2), (1-4) 및 (1-5) 로 나타내는 반복 단위를 임의의 순서 (이들 각 단위 사이에 다른 구성 단위를 함유해도 된다) 로 결합하는 것이 좋다.The polyamic acid further containing the repeating units represented by the above formulas (1-2) and (1-5), that is, the polyamic acid represented by the above formulas (1-1), (1-2), (1-4) (1), (1-2), (1-4) and (1-5) in a random order (these And other constituent units may be contained between the units).

또한, 상기 식 (1-3) 및 (1-6) 으로 나타내는 반복 단위를 추가로 함유하는 폴리아믹산, 즉 상기 식 (1-1) ∼ (1-6) 으로 나타내는 반복 단위를 함유하는 폴리아믹산은, 그 식 (1-1) ∼ (1-6) 으로 나타내는 반복 단위를 임의의 순서 (이들 각 단위 사이에 다른 구성 단위를 함유해도 된다) 로 결합하는 것이 좋다.The polyamic acid further containing the repeating units represented by the above formulas (1-3) and (1-6), that is, the polyamic acid containing the repeating units represented by the above formulas (1-1) to (1-6) The acid is preferably bound to the repeating units represented by the formulas (1-1) to (1-6) in an arbitrary order (which may contain another constituent unit between these units).

상기 식 (1-1) ∼ (1-6) 중의 각 반복 단위의 결합 「손」이, 괄호를 관통하지 않은 것은 상기 사항을 설명하기 위해서이다. 요컨데, 본 발명에서 사용하는 폴리아믹산은 상기 구조 단위를 갖고 이루어지는 공중합체로서, 그 공중합체는 블록 공중합체, 교호 공중합체, 랜덤 공중합체 등의 어느 것이어도 된다.The bond "hand" of each repeating unit in the formulas (1-1) to (1-6) does not penetrate the parentheses in order to explain the above. In short, the polyamic acid used in the present invention is a copolymer having the above structural unit, and the copolymer may be any of a block copolymer, an alternating copolymer, and a random copolymer.

본 발명에서 사용하는 폴리아믹산의 중량 평균 분자량은 5000 이상, 바람직하게는 10000 이상이다. 한편, 본 발명에서 사용하는 폴리아믹산의 중량 평균 분자량의 상한치는 통상적으로 200000 이하이지만, 수지 조성물 (바니시) 의 점도가 과도하게 높아지는 것을 억제하는 것이나 유연성이 높은 수지 박막을 양호한 재현성으로 얻는 것 등을 고려하면, 바람직하게는 150000 이하, 보다 바람직하게는 100000 이하인 것이 좋다.The weight average molecular weight of the polyamic acid used in the present invention is 5000 or more, preferably 10000 or more. On the other hand, although the upper limit of the weight average molecular weight of the polyamic acid used in the present invention is usually 200,000 or less, it is preferable to suppress the excessively high viscosity of the resin composition (varnish), to obtain a resin thin film with high flexibility with good reproducibility It is preferably not more than 150,000, more preferably not more than 100,000.

또한, 본 발명에 있어서의 중량 평균 분자량이란 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의한 폴리스티렌 환산 측정치이다.The weight average molecular weight in the present invention is measured by gel permeation chromatography (GPC) in terms of polystyrene.

본 발명에서 사용하는 폴리아믹산은 상기 식 (1-1) ∼ (1-6) 으로 나타내는 구조 단위 (반복 단위) 이외에도 다른 구조 단위 (반복 단위) 를 함유해도 되는데, 이와 같은 구조 단위의 함유량은 반복 단위 전체 중에서 40 몰% 미만, 바람직하게는 30 몰% 미만, 보다 바람직하게는 20 몰% 미만, 보다 더 바람직하게는 10 몰% 미만인 것이 좋다.The polyamic acid used in the present invention may contain other structural units (repeating units) in addition to the structural units (repeating units) represented by the above formulas (1-1) to (1-6) Is preferably less than 40 mol%, preferably less than 30 mol%, more preferably less than 20 mol%, still more preferably less than 10 mol% in the entire unit.

본 발명에서 사용하는 폴리아믹산은 식 (7) ∼ (8) 로 나타내는 산 2 무수물과, 식 (9) ∼ (11) 로 나타내는 디아민을, 이것들로부터 유도되는 구조를 고려한 후, 상기 서술한 n1 ∼ n6 의 비를 만족하는 몰비로 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 식 중, Ar1 ∼ Ar5 는 상기와 동일한 정의를 갖는다.Polyamic used in the present invention, the acid formula (7) to (8), an acid dianhydride and a diamine represented by the formula (9) to (11) represented by, after taking into account the structure derived from these, the above-mentioned n 1 ~ n can be obtained by reacting a molar ratio satisfying the ratio of 6. In the formulas, Ar 1 to Ar 5 have the same definitions as above.

[화학식 17] [Chemical Formula 17]

Figure pct00017
Figure pct00017

식 (7) ∼ (8) 로 나타내는 산 2 무수물 및 식 (9) ∼ (11) 로 나타내는 디아민은 시판품을 사용해도 되고, 공지된 방법에 의해서 합성한 것을 사용해도 된다.The acid dianhydrides represented by the formulas (7) to (8) and the diamines represented by the formulas (9) to (11) may be either commercially available products or synthesized by known methods.

상기 식 (7) 로 나타내는 산 2 무수물로서, N,N'-[2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐-4,4'-디일]비스(1,3-디옥소-1,3-디하이드로이소벤조푸란-5-카르보아미드) 등을 들 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.As the acid dianhydride represented by the above formula (7), N, N '- [2,2'-bis (trifluoromethyl) biphenyl-4,4'- , 3-dihydroisobenzofuran-5-carboamide), and the like, but the present invention is not limited thereto.

상기 식 (8) 로 나타내는 산 2 무수물로서, 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴) 디프탈산 무수물 등을 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.As the acid dianhydride represented by the above formula (8), 4,4 '- (hexafluoroisopropylidene) diphthalic anhydride and the like can be exemplified, but the present invention is not limited thereto.

상기 식 (9) 로 나타내는 디아민으로서, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 5-트리플루오로메틸벤젠-1,3-디아민, 5-트리플루오로메틸벤젠-1,2-디아민, 3,5-비스(트리플루오로메틸)벤젠-1,2-디아민 등을 들 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.As the diamine represented by the above formula (9), there can be mentioned 2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine, 3,3'-bis (trifluoromethyl) benzidine, 5- Diamine, 5-trifluoromethylbenzene-1,2-diamine, 3,5-bis (trifluoromethyl) benzene-1,2-diamine, and the like.

상기 식 (10) 으로 나타내는 디아민으로서, 1,4-벤젠디아민 (p-페닐렌디아민), 1,3-벤젠디아민 (m-페닐렌디아민), 1,2-벤젠디아민 (o-페닐렌디아민) 등을 들 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.Examples of the diamine represented by the above formula (10) include 1,4-benzenediamine (p-phenylenediamine), 1,3-benzenediamine (m-phenylenediamine), 1,2- ), But the present invention is not limited thereto.

상기 식 (11) 로 나타내는 디아민으로서, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3'-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠 등을 들 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.Examples of the diamine represented by the formula (11) include 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, (Aminophenoxy) benzene, 1,3'-bis (4-aminophenoxy) benzene and 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene.

상기 반응에 있어서, 식 (7) ∼ (8) 로 나타내는 산 2 무수물 및 식 (9) ∼ (11) 로 나타내는 디아민의 주입비 (몰비) 는 폴리아믹산의 분자량 등을 감안하여 적절히 설정한 것이기는 하지만, 아민 성분 1 에 대해서 통상적으로 산 무수물 성분 0.9 ∼ 1.1 정도로 할 수 있고, 바람직하게는 0.95 ∼ 1.02 정도이다.In the above reaction, the acid dianhydrides represented by the formulas (7) to (8) and the diamines represented by the formulas (9) to (11) (molar ratio) are suitably set in consideration of the molecular weight of the polyamic acid However, with respect to the amine component 1, the acid anhydride component can usually be set to about 0.9 to 1.1, and preferably about 0.95 to 1.02.

상기 반응은 용매 중에서 행하는 것이 바람직하고, 용매를 사용할 경우, 그 종류는 반응에 악영향을 미치지 않는 것이면 각종 용매를 사용할 수 있다.The above reaction is preferably carried out in a solvent. When a solvent is used, various solvents may be used as long as they do not adversely affect the reaction.

구체예로서, m-크레졸, 2-피롤리돈, N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N-비닐-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-에톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-프로폭시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-이소프로폭시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-sec-부톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-tert-부톡시-N,N-디메틸프로필아미드, γ-부티로락톤 등의 프로톤성 용제 등을 들 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 이것들은 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Specific examples include m-cresol, 2-pyrrolidone, N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N- Amide, N, N-dimethylformamide, 3-methoxy-N, N-dimethylpropylamide, 3-ethoxy- Butoxy-N, N-dimethylpropylamide, 3-tert-butoxy-N, N-dimethylacetamide, N-dimethylformamide, and? -Butyrolactone. However, the present invention is not limited thereto. These may be used alone or in combination of two or more.

반응 온도는 사용하는 용매의 융점부터 비점까지의 범위에서 적절히 설정하면 되고, 통상적으로 0 ∼ 100 ℃ 정도, 바람직하게는 0 ∼ 70 ℃ 정도, 보다 바람직하게는 0 ∼ 60 ℃ 정도, 보다 더 바람직하게는 0 ∼ 50 ℃ 정도인 것이 좋다.The reaction temperature may be appropriately set within a range from the melting point to the boiling point of the solvent to be used, and is usually about 0 to 100 ° C, preferably about 0 to 70 ° C, more preferably about 0 to 60 ° C, Is preferably about 0 to 50 ° C.

반응 시간은 반응 온도나 원료 물질의 반응성에 의존하기 때문에 일률적으로 규정할 수 없지만, 통상적으로 1 ∼ 100 시간 정도이다.The reaction time depends on the reaction temperature and the reactivity of the raw material, and therefore can not be uniformly defined, but is usually about 1 to 100 hours.

상기 방법에 의해서 목적으로 하는 폴리아믹산을 함유하는 반응 용액을 얻을 수 있다.By the above-mentioned method, a reaction solution containing the desired polyamic acid can be obtained.

본 발명에 있어서, 통상적으로 상기 반응 용액을 여과한 후, 그 여과액을 그대로, 또는 희석 혹은 농축하여 디스플레이 기판용 수지 조성물 (바니시) 로서 사용하는 것이 좋다. 이와 같이 함으로써, 얻어지는 수지 박막의 내열성, 유연성 혹은 선 팽창 계수 특성의 악화 원인이 될 수 있는 불순물의 혼입을 저감할 수 있을 뿐만 아니라 효율적으로 조성물을 얻을 수 있다.In the present invention, it is usually preferable to filter the reaction solution and then use the filtrate as it is or diluted or concentrated to be used as a resin composition (varnish) for a display substrate. By doing so, it is possible not only to reduce the incorporation of impurities which may cause deterioration of the heat resistance, flexibility or linear expansion coefficient characteristics of the resulting resin thin film, but also to obtain a composition efficiently.

본 발명의 디스플레이 기판용 수지 조성물은 유기 용매를 함유한다. 그 유기 용매는 특별히 한정되는 것이 아니고, 예를 들어 상기 반응의 반응 용매의 구체예와 동일한 것을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, N-에틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤 등을 들 수 있다. 또한, 유기 용매는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The resin composition for a display substrate of the present invention contains an organic solvent. The organic solvent is not particularly limited, and examples thereof include the same ones as specific examples of the reaction solvent for the above reaction. More specifically, there may be mentioned N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, Pyrrolidone,? -Butyrolactone, and the like. The organic solvent may be used singly or in combination of two or more kinds.

이 중에서도, 평탄성이 높은 수지 박막을 양호한 재현성으로 얻는 것을 고려하면, 하기 식 (A) 또는 (B) (식 중, R1 및 R2 는 각각 독립적으로, 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, h 는 자연수를 나타낸다) 로 나타내는 용매인 것이 좋다.Among them, in consideration of obtaining a resin thin film having high flatness with good reproducibility, it is preferable that R 1 and R 2 each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms , and h represents a natural number).

[화학식 18] [Chemical Formula 18]

Figure pct00018
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또, 본 발명에 있어서는, 상기 반응 용액을 통상적인 방법에 따라서 후처리하여 폴리아믹산을 단리한 후, 단리된 폴리아믹산을 용매에 용해 또는 분산시킴으로써 얻어지는 바니시를 디스플레이 기판용 수지 조성물로서 사용해도 된다. 이 경우, 평탄성이 높은 박막을 양호한 재현성으로 얻는 것을 고려하면, 폴리아믹산은 용매에 용해되어 있는 것이 바람직하다. 용해나 분산에 사용하는 용매는 특별히 한정되는 것이 아니고, 예를 들어, 상기 반응의 반응 용매의 구체예와 동일한 것을 들 수 있고, 이것들은 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.In the present invention, a varnish obtained by post-treating the reaction solution according to a conventional method to isolate the polyamic acid and dissolving or dispersing the isolated polyamic acid in a solvent may be used as the resin composition for a display substrate. In this case, it is preferable that the polyamic acid is dissolved in a solvent in consideration of obtaining a highly flat thin film with good reproducibility. The solvent used for dissolving or dispersing is not particularly limited and, for example, the same solvents as the specific examples of the reaction solvent for the above reaction may be used, and these solvents may be used alone or in combination of two or more.

폴리아믹산의 바니시 총질량에 대한 농도는 제조될 박막의 두께나 바니시 점도 등을 감안하여 적절히 설정하는 것이기는 하지만, 통상적으로 0.5 ∼ 30 질량% 정도, 바람직하게는 5 ∼ 25 질량% 정도이다.The concentration of the polyamic acid with respect to the total weight of the varnish is appropriately set in consideration of the thickness of the thin film to be produced, the varnish viscosity, and the like, but is usually about 0.5 to 30 mass%, preferably about 5 to 25 mass%.

또, 바니시의 점도도 제조될 박막의 두께 등을 감안하여 적절히 설정하는 것이기는 하지만, 특히 5 ∼ 50 ㎛ 정도의 두께의 수지 박막을 양호한 재현성으로 얻는 것을 목적으로 할 경우, 통상적으로 25 ℃ 에서 500 ∼ 50,000 m㎩·s 정도, 바람직하게는 1,000 ∼ 20,000 m㎩·s 정도이다.The viscosity of the varnish is suitably set in consideration of the thickness of the thin film to be produced. In particular, when it is intended to obtain a resin thin film having a thickness of about 5 to 50 탆 with good reproducibility, To about 50,000 mPa · s, and preferably about 1,000 to 20,000 mPa · s.

본 발명의 디스플레이 기판용 수지 조성물은 가교제 (이하, 가교성 화합물이라고도 한다.) 를 함유할 수도 있다. 가교제의 함유량은 통상적으로 폴리아믹산 100 질량부에 대해서 20 질량부 정도 이하이다.The resin composition for a display substrate of the present invention may contain a crosslinking agent (hereinafter also referred to as a crosslinking compound). The content of the crosslinking agent is usually about 20 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the polyamic acid.

이하에, 가교성 화합물의 구체예를 들지만, 이것에 한정되지 않는다.Specific examples of the crosslinkable compound are shown below, but the invention is not limited thereto.

에폭시기를 2 개 이상 함유하는 화합물로서, 에폴리드 GT-401, 에폴리드 GT-403, 에폴리드 GT-301, 에폴리드 GT-302, 셀록사이드 2021, 셀록사이드 3000 (이상, 다이셀 화학 공업 (주) 제조) 등의 시클로헥센 구조를 갖는 에폭시 화합물 ; 에피코트 1001, 에피코트 1002, 에피코트 1003, 에피코트 1004, 에피코트 1007, 에피코트 1009, 에피코트 1010, 에피코트 828 (이상, 재팬 에폭시 레진 (주) 제조) 등의 비스페놀 A 형 에폭시 화합물 ; 에피코트 807 (재팬 에폭시 레진 (주) 제조) 등의 비스페놀 F 형 에폭시 화합물 ; 에피코트 152, 에피코트 154 (이상, 재팬 에폭시 레진 (주) 제조), EPPN201, EPPN202 (이상, 닛폰 화약 (주) 제조) 등의 페놀노볼락형 에폭시 화합물 ; ECON-102, ECON-103S, ECON-104S, ECON-1020, ECON-1025, ECON-1027 (이상, 닛폰 화약 (주) 제조), 에피코트 180S75 (재팬 에폭시 레진 (주) 제조) 등의 크레졸노볼락형 에폭시 화합물 ; V8000-C7 (DIC (주) 제조) 등의 나프탈렌형 에폭시 화합물 ; 데나콜 EX-252 (나가세 켐텍스 (주) 제조), CY175, CY177, CY179, 아랄다이트 CY-182, 아랄다이트 CY-192, 아랄다이트 CY-184 (이상, BASF 사 제조), 에피크론 200, 에피크론 400 (이상, DIC (주) 제조), 에피코트 871, 에피코트 872 (이상, 재팬 에폭시 레진 (주) 제조), ED-5661, ED-5662 (이상, 세라니즈코팅 (주) 제조) 등의 지환식 에폭시 화합물 ; 데나콜 EX-611, 데나콜 EX-612, 데나콜 EX-614, 데나콜 EX-622, 데나콜 EX-411, 데나콜 EX-512, 데나콜 EX-522, 데나콜 EX-421, 데나콜 EX-313, 데나콜 EX-314, 데나콜 EX-312 (이상, 나가세 켐텍스 (주) 제조) 등의 지방족 폴리글리시딜에테르 화합물을 들 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.As a compound containing two or more epoxy groups, Epolide GT-401, Epolide GT-403, Epolide GT-301, Polyol GT-302, Cellokside 2021 and Celloxide 3000 An epoxy compound having a cyclohexene structure such as N-vinylpyrrolidone (manufactured by Kagaku Kogyo K.K.); Bisphenol A type epoxy compounds such as Epicoat 1001, Epicoat 1002, Epicoat 1003, Epicoat 1004, Epicoat 1007, Epicoat 1009, Epicoat 1010 and Epicoat 828 (manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.); Bisphenol F type epoxy compounds such as Epikote 807 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.); Phenolic novolak-type epoxy compounds such as Epikote 152, Epikote 154 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPPN201 and EPPN202 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.); Cresol novolak resin such as ECON-102, ECON-103S, ECON-104S, ECON-1020, ECON-1025 and ECON-1027 (manufactured by NIPPON KAYAKU CO., LTD.) And EPIKOTE 180S75 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., A volatile epoxy compound; Naphthalene type epoxy compounds such as V8000-C7 (manufactured by DIC Corporation); Araldite CY-192, Araldite CY-184 (manufactured by BASF Corporation), Epi Cole EX-252 (manufactured by Nagase ChemteX Corporation), CY175, CY177, CY179, Araldite CY- (Manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), ED-5661, ED-5662 (manufactured by DIC Corporation), Epikote 871, Epikote 872 )), And the like; Denacol EX-421, Denacol EX-421, Denacol EX-411, Denacol EX-512, Denacol EX-522, Denacol EX-421, Denacol EX- But are not limited to, aliphatic polyglycidyl ether compounds such as EX-313, Denacol EX-314, Denacol EX-312 (manufactured by Nagase ChemteX Corporation).

아미노기의 수소 원자가 메틸올기, 알콕시메틸기 또는 그 양방에서 치환된 기를 갖는, 멜라민 유도체, 벤조구아나민 유도체 또는 글리콜우릴로서 트리아진 고리 1 개당 메톡시메틸기가 평균 3.7 개 치환되어 있는 MX-750, 트리아진 고리 1 개당 메톡시메틸기가 평균 5.8 개 치환되어 있는 MW-30 (이상, (주) 산와 케미컬 제조) ; 사이멜 300, 사이멜 301, 사이멜 303, 사이멜 350, 사이멜 370, 사이멜 771, 사이멜 325, 사이멜 327, 사이멜 703, 사이멜 712 등의 메톡시메틸화 멜라민 ; 사이멜 235, 사이멜 236, 사이멜 238, 사이멜 212, 사이멜 253, 사이멜 254 등의 메톡시메틸화 부톡시메틸화 멜라민 ; 사이멜 506, 사이멜 508 등의 부톡시메틸화 멜라민 ; 사이멜 1141 과 같은 카르복실기 함유 메톡시메틸화 이소부톡시메틸화 멜라민 ; 사이멜 1123 과 같은 메톡시메틸화 에톡시메틸화 벤조구아나민 ; 사이멜 1123-10 과 같은 메톡시메틸화 부톡시메틸화 벤조구아나민 ; 사이멜 1128 와 같은 부톡시메틸화 벤조구아나민 ; 사이멜 1125-80 과 같은 카르복실기 함유 메톡시메틸화 에톡시메틸화 벤조구아나민 ; 사이멜 1170 과 같은 부톡시메틸화 글리콜우릴 ; 사이멜 1172 와 같은 메틸올화 글리콜우릴 (이상, 미츠이 사이아나미드 (주) 제조) 등을 들 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.A melamine derivative, a benzoguanamine derivative or a glycoluril having a hydrogen atom of an amino group having a methylol group, an alkoxymethyl group or both of them, MX-750 in which an average of 3.7 methoxymethyl groups per one triazine ring is substituted, triazine MW-30 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.) in which an average of 5.8 substituents of methoxymethyl groups per ring was substituted; Methoxymethylated melamines such as Cymel 300, Cymel 301, Cymel 303, Cymel 350, Cymel 370, Cymel 771, Cymel 325, Cymel 327, Cymel 703, Cymel 712; Methoxymethylated butoxymethylated melamines such as Cymel 235, Cymel 236, Cymel 238, Cymel 212, Cymel 253, Cymel 254, and the like; Butoxymethylated melamines such as Cymel 506 and Cymel 508; Methoxymethylated isobutoxymethylated melamine containing carboxyl groups such as Cymel 1141; Methoxymethylated ethoxymethylated benzoguanamine, such as Cymel 1123; Methoxymethylated butoxymethylated benzoguanamine, such as Cymel 1123-10; Butoxymethylated benzoguanamine, such as Cymel 1128; Carboxyl-containing methoxymethylated ethoxymethylated benzoguanamine, such as Cymel 1125-80; Butoxymethylated glycoluril such as Cymel 1170; And methylol glycoluril such as Cymel 1172 (manufactured by Mitsui Cyanamid Co., Ltd.), but the present invention is not limited thereto.

상기 서술한 본 발명의 디스플레이 기판용 수지 조성물을 기체에 도포하여 가열함으로써, 높은 내열성과, 적당한 유연성과, 적당한 선 팽창 계수를 갖는 폴리이미드로 이루어지는 수지 박막을 얻을 수 있다.By applying the above-described resin composition for a display substrate of the present invention to a base body and then heating it, a resin thin film made of polyimide having high heat resistance, suitable flexibility, and appropriate linear expansion coefficient can be obtained.

기체 (기재) 로서, 예를 들어 플라스틱 (폴리카보네이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리에스테르, 폴리올레핀, 에폭시, 멜라민, 트리아세틸셀룰로오스, ABS, AS, 노르보르넨계 수지 등), 금속, 목재, 종이, 유리, 슬레이트 등을 들 수 있지만, 얻어지는 수지 박막이 양호한 박리성을 나타내는 점에서 유리 기체가 최적이다.As the substrate (substrate), for example, plastic (polycarbonate, polymethacrylate, polystyrene, polyester, polyolefin, epoxy, melamine, triacetylcellulose, ABS, AS, norbornene resin, etc.) , Glass, slate, and the like, but a glass gas is optimal in that the resulting resin thin film shows good releasability.

도포하는 방법은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 캐스트 코트법, 스핀 코트법, 블레이드 코트법, 딥 코트법, 롤 코트법, 바 코트법, 다이 코트법, 잉크젯법, 인쇄법 (볼록판, 오목판, 평판, 스크린 인쇄 등) 등을 들 수 있다.The coating method is not particularly limited. For example, a method such as cast coating, spin coating, blade coating, dip coating, roll coating, bar coating, die coating, Concave plate, flat plate, screen printing, etc.).

가열 온도는 얻어지는 수지 박막의 강도 및/또는 인성 등의 관점에서 450 ℃ 이하인 것이 바람직하다.The heating temperature is preferably 450 占 폚 or lower from the viewpoints of the strength and / or toughness of the resulting resin thin film.

또, 얻어지는 수지 박막의 내열성과 선 팽창 계수 특성을 고려하면, 도포된 수지 조성물을 50 ℃ ∼ 100 ℃ 에서 5 분간 ∼ 2 시간 가열한 후, 그대로 단계적으로 가열 온도를 상승시켜 최종적으로 375 ℃ 초과 ∼ 450 ℃ 에서 30 분 ∼ 4 시간 가열하는 것이 바람직하다.In consideration of heat resistance and linear expansion coefficient characteristics of the obtained resin thin film, the applied resin composition is heated at 50 to 100 DEG C for 5 minutes to 2 hours, and then is heated stepwise as it is, It is preferable to heat at 450 占 폚 for 30 minutes to 4 hours.

특히, 도포한 수지 조성물은 50 ℃ ∼ 100 ℃ 에서 5 분간 ∼ 2 시간 가열한 후, 100 ℃ 초과 ∼ 200 ℃ 에서 5 분간 ∼ 2 시간, 이어서, 200 ℃ 초과 ∼ 375 ℃ 에서 5 분간 ∼ 2 시간, 마지막으로 375 ℃ 초과 ∼ 450 ℃ 에서 30 분 ∼ 4 시간 가열하는 것이 바람직하다.Particularly, the coated resin composition is heated at 50 ° C to 100 ° C for 5 minutes to 2 hours, then heated at 100 ° C to 200 ° C for 5 minutes to 2 hours, then at 200 ° C to 375 ° C for 5 minutes to 2 hours, Finally, it is preferable to heat at 375 DEG C to 450 DEG C for 30 minutes to 4 hours.

가열에 사용하는 기구는 예를 들어 핫 플레이트, 오븐 등을 들 수 있다. 가열 분위기는 공기 하여도 되고 불활성 가스 하여도 되며, 또, 상압 하여도 되고 감압 하여도 된다.Examples of the apparatus used for heating include a hot plate, an oven, and the like. The heating atmosphere may be air or inert gas, or may be normal pressure or reduced pressure.

수지 박막의 두께는 특히 플렉시블 디스플레이용의 기판으로서 사용할 경우, 통상적으로 1 ∼ 60 ㎛ 정도, 바람직하게는 5 ∼ 50 ㎛ 정도이고, 가열 전의 도막 두께를 조정하여 원하는 두께의 수지 박막을 형성한다.The thickness of the resin thin film is usually about 1 to 60 mu m, preferably about 5 to 50 mu m when the substrate is used as a substrate for a flexible display, and a resin thin film having a desired thickness is formed by adjusting the thickness of the coating film before heating.

상기 서술한 수지 박막은, 플렉시블 디스플레이 기판의 베이스 필름으로서 필요한 각 조건을 만족하는 점에서, 플렉시블 디스플레이 기판의 베이스 필름으로서 사용하는 데 최적이다.The above-described resin thin film is optimum for use as a base film of a flexible display substrate in that it meets all the necessary conditions as a base film of a flexible display substrate.

실시예Example

이하, 실시예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

[1] 실시예에서 사용하는 약기호[1] A drug used in Examples

<무수물><Anhydrous>

CF3-BP-TMA : N,N'-[2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐-4,4'-디일]비스(1,3-디옥소-1,3-디하이드로이소벤조푸란-5-카르보아미드).N, N '- [2,2'-bis (trifluoromethyl) biphenyl-4,4'-diyl] bis (1,3-dioxo-1,3-dihydroiso Benzofuran-5-carboamide).

6FDA : 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴) 디프탈산 무수물 (AZ 일렉트로닉 마테리얼 (주) 제조).6FDA: 4,4 '- (hexafluoroisopropylidene) diphthalic anhydride (AZ Electronic Material Co.).

CBDA : 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 2 무수물 (토쿄 화성 공업 (주) 제조).CBDA: 1,2,3,4-Cyclobutane tetracarboxylic acid dianhydride (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.).

<아민><Amine>

PDA : p-페닐렌디아민 (토쿄 화성 공업 (주) 제조).PDA: p-phenylenediamine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.).

TFMB : 2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐-4,4'-디아민 (토쿄 화성 공업 (주) 제조).TFMB: 2,2'-bis (trifluoromethyl) biphenyl-4,4'-diamine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.).

BAPB : 비스(4-아미노페녹시)비페닐 (토쿄 화성 공업 (주) 제조).BAPB: bis (4-aminophenoxy) biphenyl (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.).

BAPPS : 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)술폰 (토쿄 화성 공업 (주) 제조).BAPPS: bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) sulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.).

BAPS : 비스(3-아미노페닐)술폰 (토쿄 화성 공업 (주) 제조).BAPS: bis (3-aminophenyl) sulfone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.).

<용제><Solvent>

NMP : N-메틸-2-피롤리돈.NMP: N-methyl-2-pyrrolidone.

IPMA : 3-메톡시-N,N-디메틸프로판아미드 (이데미츠 흥산 (주) 제조).IPMA: 3-methoxy-N, N-dimethylpropanamide (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.).

[2] 수지 조성물의 조제 (폴리아믹산의 합성) [2] Preparation of resin composition (Synthesis of polyamic acid)

실시예 1Example 1

TFMB 17.8 g (0.056 몰), BAPB 0.4 g (0.0012 몰), PDA 2.5 g (0.023 몰) 을 IPMA 430 g 에 용해시키고, 6FDA 6.3 g (0.014 몰) 과 CF3-BP-TMA 42.8 g (0.064 몰) 을 첨가한 후, 질소 분위기 하, 23 ℃ 에서 24 시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw 는 40,700, 분자량 분포는 2.1 이었다. 얻어진 반응 용액을, 그대로 실시예 1 의 디스플레이 기판용 수지 조성물로 하였다.(0.014 mole) of TFMB, 0.4 g (0.0012 mole) of BAPB and 2.5 g (0.023 mole) of PDA were dissolved in 430 g of IPMA, and 6.3 g (0.014 mole) of 6FDA and 42.8 g (0.064 mole) of CF3- And the mixture was allowed to react at 23 deg. C for 24 hours under a nitrogen atmosphere. The Mw of the obtained polymer was 40,700 and the molecular weight distribution was 2.1. The reaction solution thus obtained was used as it is as the resin composition for a display substrate of Example 1.

또한, 폴리머의 중량 평균 분자량 (이하, Mw 로 약기한다.) 과 분자량 분포는, 토소 (주) 제조 GPC 장치 (Shodex 칼럼 SB803HQ 및 SB804HQ) 를 사용하고, 용출 용매로서 디메틸포름아미드를 유량 0.9 ㎖/분, 칼럼 온도 40 ℃ 의 조건에서 측정하였다. 또한, Mw 는 폴리스티렌 환산치로 하였다 (이하, 동일).The weight average molecular weight (hereinafter abbreviated as Mw) of the polymer and the molecular weight distribution were measured using a GPC apparatus (Shodex column SB803HQ and SB804HQ) manufactured by Tosoh Corporation and dimethylformamide as a dissolution solvent at a flow rate of 0.9 ml / Min, and a column temperature of 40 캜. Mw was a polystyrene-reduced value (hereinafter the same).

실시예 2Example 2

실시예 1 에 있어서의 IPMA 를 NMP 로 대신한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방법에 의해서, Mw 는 38,700, 분자량 분포는 2.1 인 폴리머를 함유하는 반응 용액을 얻었다. 얻어진 반응 용액을, 그대로 실시예 2 의 디스플레이 기판용 수지 조성물로 하였다.A reaction solution containing a polymer having Mw of 38,700 and a molecular weight distribution of 2.1 was obtained in the same manner as in Example 1 except that IPMA in Example 1 was replaced with NMP. The reaction solution thus obtained was used as it is for the display substrate of the second embodiment.

<비교예 1>&Lt; Comparative Example 1 &

BAPPS 28.1 g (0.063 몰) 을 NMP 160 g 에 용해시키고, CBDA 12.5 g (0.063 몰) 을 첨가한 후, 질소 분위기 하, 23 ℃ 에서 24 시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw 는 19,800, 분자량 분포는 2.1 이었다. 얻어진 반응 용액을, 그대로 비교예 1 의 수지 조성물로 하였다.28.1 g (0.063 mol) of BAPPS was dissolved in 160 g of NMP, 12.5 g (0.063 mol) of CBDA was added, and the reaction was allowed to proceed at 23 deg. C for 24 hours under a nitrogen atmosphere. The polymer obtained had Mw of 19,800 and a molecular weight distribution of 2.1. The obtained reaction solution was used as it was as the resin composition of Comparative Example 1. [

<비교예 2>&Lt; Comparative Example 2 &

BAPS 39.1 g (0.16 몰) 을 NMP 500 g 에 용해시키고, CBDA 30.95 g (0.16 몰) 을 첨가한 후, 질소 분위기 하, 23 ℃ 에서 24 시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw 는 13,600, 분자량 분포는 3.1 이었다. 얻어진 반응 용액을, 그대로 비교예 2 의 수지 조성물로 하였다.39.1 g (0.16 mol) of BAPS were dissolved in 500 g of NMP, and 30.95 g (0.16 mol) of CBDA was added thereto, followed by reaction at 23 deg. C for 24 hours under a nitrogen atmosphere. The polymer obtained had Mw of 13,600 and a molecular weight distribution of 3.1. The obtained reaction solution was used as the resin composition of Comparative Example 2 as is.

<비교예 3>&Lt; Comparative Example 3 &

TFMB 38.2 g (0.12 몰), PDA 3.2 g (0.029 몰) 을 NMP 430 g 에 용해시키고, CBDA 28.6 g (0.15 몰) 을 첨가한 후, 질소 분위기 하, 23 ℃ 에서 24 시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw 는 30,600, 분자량 분포는 2.1 이었다. 얻어진 반응 용액을, 그대로 비교예 3 의 수지 조성물로 하였다.38.2 g (0.12 mol) of TFMB and 3.2 g (0.029 mol) of PDA were dissolved in 430 g of NMP, 28.6 g (0.15 mol) of CBDA was added and the reaction was allowed to proceed at 23 占 폚 for 24 hours under a nitrogen atmosphere. The polymer obtained had Mw of 30,600 and a molecular weight distribution of 2.1. The obtained reaction solution was used as the resin composition of Comparative Example 3 as is.

<실시예 3 ∼ 4 및 비교예 4 ∼ 6>&Lt; Examples 3 to 4 and Comparative Examples 4 to 6 &gt;

[3] 수지 박막의 제조 (폴리이미드 필름의 제조) [3] Production of resin thin film (Production of polyimide film)

실시예 1 ∼ 2 및 비교예 1 ∼ 3 의 수지 조성물을, 각각 바 코터로 유리 기판 상에 도포하고, 감압 하 110 ℃ 에서 10 분, 230 ℃ 에서 30 분, 300 ℃ 에서 30 분, 350 ℃ 에서 120 분 동안 순차 가열하여 수지 박막 (각각, 실시예 3 ∼ 4, 비교예 4 ∼ 6 의 수지 박막) 을 얻었다.Each of the resin compositions of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 was coated on a glass substrate with a bar coater and heated at 110 DEG C for 10 minutes, 230 DEG C for 30 minutes, 300 DEG C for 30 minutes, and 350 DEG C And successively heated for 120 minutes to obtain resin thin films (resin thin films of Examples 3 to 4 and Comparative Examples 4 to 6, respectively).

[4] 수지 박막의 평가[4] Evaluation of resin thin film

얻어진 수지 박막을 이하의 방법으로 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 또한, 박막은 각 평가를 위해서 각각 제조하였다. 막두께는 유연성 평가에 사용한 수지 박막의 값을 나타냈다.The resulting resin thin film was evaluated by the following method. The results are shown in Table 1. Thin films were also prepared for each evaluation. The film thickness showed the value of the resin thin film used for the flexibility evaluation.

<막두께의 측정>&Lt; Measurement of film thickness &

수지 박막의 막두께를 (주) ULVAC 제조 접촉식 막두께 측정기 (Dektak 3ST) 를 사용하여 측정하였다.The film thickness of the resin thin film was measured using a contact type film thickness measuring instrument (Dektak 3ST) manufactured by ULVAC Co., Ltd.

<유연성 평가><Flexibility evaluation>

유리 기판으로부터 박리된 수지 박막의 유연성을 평가하였다. 유연성의 평가는 박리된 수지 박막을 손으로 굽히거나 잡아 당기거나 했을 때의 박막의 파괴 용이성 (크랙, 균열, 파괴 등) 을 육안으로 확인함으로써 행하고, 손으로 90 도로 굽히거나 잡아 당겨도 파괴되지 않은 경우를 양호, 그 이외의 경우를 불량으로 하였다.The flexibility of the resin thin film peeled off from the glass substrate was evaluated. The evaluation of the flexibility is carried out by visually checking the ease of breaking (cracking, cracking, fracture, etc.) of the thin film when the peeled resin thin film is bent or pulled by hand, and when it is bent or pulled by hand, And the other cases were determined as defective.

또한, 수지 박막은 수지 박막이 형성된 유리 기판을 70 ℃ 의 순수 중에 가만히 정지시킴으로써 박리하였다.Further, the resin thin film was peeled off by stopping the glass substrate on which the resin thin film was formed, in pure water at 70 캜.

<내열성 평가>&Lt; Evaluation of heat resistance &

수지 박막의 5 % 질량 감소 온도 (Td5 % (℃)) 를 측정하였다. 측정은 브루커·에이엑스에스 (주) 제조 TG/DTA2000SA 를 사용하여 행하였다 (승온율 : 매분 5 ℃ 로 50 ℃ 에서 500 ℃ 까지).The 5% mass reduction temperature (Td5% (占 폚)) of the resin thin film was measured. The measurement was carried out using TG / DTA2000SA manufactured by Bruker AX Co., Ltd. (temperature rise rate: from 50 占 폚 to 500 占 폚 at 5 占 폚 per minute).

<투과율의 측정><Measurement of transmittance>

수지 박막의 투과율을 측정하였다. 측정은 (주) 시마즈 제작소 제조 자기 분광 광도계 (UV-3100PC) 를 사용하여 행하였다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다. 또한, 450 ㎚ 에서의 투과율에 대해서 기재한다.The transmittance of the resin thin film was measured. The measurement was carried out using a magnetic spectrophotometer (UV-3100PC) manufactured by Shimadzu Corporation. The obtained results are shown in Table 1. The transmittance at 450 nm is also described.

<선 팽창 계수의 측정>&Lt; Measurement of linear expansion coefficient &

수지 박막으로부터 단책상 (短冊狀) 의 소편 (20 ㎜ × 5 ㎜) 을 잘라내고, 그 선 팽창 계수를 측정하였다. 측정에는 브루커·에이엑스에스 (주) 제조 열기계 분석 장치 (TMA-4000SA) 를 사용하여 행하였다 (승온율 : 매분 5 ℃ 로 50 ℃ 에서 300 ℃ 까지).A piece of short strip (20 mm x 5 mm) was cut out from the resin thin film and the linear expansion coefficient thereof was measured. The measurement was carried out using a thermomechanical analyzer (TMA-4000SA) manufactured by Bruker AX Co., Ltd. (temperature rise rate: from 50 占 폚 to 300 占 폚 at 5 占 폚 per minute).

또한, 측정 전에, 각 박막을 미리 한 번 가열하였다 (승온율 : 매분 5 ℃ 로 50 ℃ 에서 400 ℃ 까지).Before measurement, each thin film was heated once beforehand (temperature rising rate: from 50 占 폚 to 400 占 폚 at 5 占 폚 per minute).

Figure pct00019
Figure pct00019

표 1 에 나타내는 바와 같이, 실시예 3 및 실시예 4 의 수지 박막은, 비교예 4 ∼ 6 의 수지 박막과 비교하여 적당한 유연성과 높은 내열성뿐만 아니라, 우수한 투명성과 적당한 선 팽창 계수를 갖고 있다.As shown in Table 1, the resin thin films of Examples 3 and 4 have not only appropriate flexibility and high heat resistance but also excellent transparency and moderate linear expansion coefficient as compared with the resin thin films of Comparative Examples 4 to 6.

이상으로부터, 본 발명의 수지 조성물은 디스플레이의 기판 용도에 필요한 각 특성을 갖는 수지 박막 (폴리이미드 박막) 을 제조하는 데 적합한 것을 알 수 있다.From the above, it can be seen that the resin composition of the present invention is suitable for producing a resin thin film (polyimide thin film) having various properties necessary for the substrate use of the display.

Claims (11)

식 (1-1) 및 (1-4) (식 중, Ar1 및 Ar2 는 각각 상이하고, 각각 독립적으로, 불소로 치환된 치환기를 갖는 방향족을 갖는 4 가의 기를 나타내며, Ar3 은 식 (4) (식 중, q 는 1 또는 2 를 나타내고, l 은 1 또는 2 를 나타낸다) 로 나타내는 2 가의 기를 나타내고, n1 및 n4 는 각 반복 단위의 수를 나타내며, n1 과 n4 의 비인 n1 : n4 가 50 : 50 ∼ 99 : 1 이다) 로 나타내는 반복 단위를 함유하는 폴리아믹산 ; 및 유기 용매를 함유하는 디스플레이 기판용 수지 조성물.
[화학식 1]
Figure pct00020
Wherein Ar 1 and Ar 2 are each different and independently represent a tetravalent group having an aromatic group having a substituent substituted with fluorine and Ar 3 is a group represented by the formula (1-1) and (1-4) 4) (wherein q represents 1 or 2 and 1 represents 1 or 2), n 1 and n 4 represent the number of each repeating unit, and the ratio of n 1 to n 4 n 1 : n 4 is 50:50 to 99: 1); And an organic solvent.
[Chemical Formula 1]
Figure pct00020
제 1 항에 있어서,
상기 Ar1 이 하기 식 (2) (식 중, k 는 1 또는 2 를 나타내고, p 는 1 또는 2 를 나타낸다) 로 나타나고, 상기 Ar2 가 하기 식 (3) (식 중, X 는 탄소수 1 ∼ 3 의 플루오로알킬렌기를 나타낸다) 으로 나타나는 조성물.
[화학식 2]
Figure pct00021
The method according to claim 1,
Wherein Ar 1 is represented by the following formula (2): wherein k is 1 or 2 and p is 1 or 2, and Ar 2 is represented by the following formula (3) 3 &lt; / RTI &gt; fluoroalkylene group).
(2)
Figure pct00021
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 Ar1 이 식 (2-1) 로 나타나는 조성물.
[화학식 3]
Figure pct00022
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein Ar &lt; 1 &gt; is represented by formula (2-1).
(3)
Figure pct00022
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 Ar2 가 식 (3-1) 로 나타나는 조성물.
[화학식 4]
Figure pct00023
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein Ar &lt; 2 &gt; is represented by formula (3-1).
[Chemical Formula 4]
Figure pct00023
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 Ar3 이 식 (4-1) ∼ (4-6) 중 어느 하나로 나타나는 조성물.
[화학식 5]
Figure pct00024
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein Ar 3 is represented by any one of formulas (4-1) to (4-6).
[Chemical Formula 5]
Figure pct00024
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리아믹산이 식 (1-2) 및 (1-5) (식 중, Ar1 및 Ar2 는 상기와 동일한 정의를 갖고, Ar4 는 식 (5) (식 중, r 은 1, 2 또는 3 을 나타낸다) 로 나타내는 2 가의 기를 나타내고, n2 및 n5 는 각 반복 단위의 수를 나타낸다) 로 나타내는 반복 단위를 추가로 함유하는 조성물.
[화학식 6]
Figure pct00025
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein Ar 1 and Ar 2 have the same definitions as above and Ar 4 is a group represented by the formula (5): wherein r is 1, 2 or 3; 3, and n 2 and n 5 represent the number of each repeating unit).
[Chemical Formula 6]
Figure pct00025
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유기 용매가 하기 식 (A) 또는 (B) (식 중, R1 및 R2 는 각각 독립적으로, 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, h 는 자연수를 나타낸다) 로 나타나는 용매인 조성물.
[화학식 7]
Figure pct00026
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the organic solvent is a solvent represented by the following formula (A) or (B): wherein R 1 and R 2 each independently represent an alkyl group of 1 to 4 carbon atoms, and h represents a natural number.
(7)
Figure pct00026
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 디스플레이 기판용 수지 조성물을 사용하여 제조되는 디스플레이 기판용 수지 박막.A resin thin film for a display substrate produced using the resin composition for a display substrate according to any one of claims 1 to 7. 제 8 항에 기재된 디스플레이 기판용 수지 박막을 구비하는 화상 표시 장치.An image display apparatus comprising the resin thin film for a display substrate according to claim 8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 디스플레이 기판용 수지 조성물을 사용하는 디스플레이 기판용 수지 박막의 제조 방법.A method for producing a resin thin film for a display substrate using the resin composition for a display substrate according to any one of claims 1 to 7. 제 8 항에 기재된 디스플레이 기판용 수지 박막을 사용하는 화상 표시 장치의 제조 방법.A manufacturing method of an image display apparatus using the resin thin film for a display substrate according to claim 8.
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