KR20160025780A - Template Assembly and Wafer Grinding Apparatus Including the Same - Google Patents

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KR20160025780A KR1020140113074A KR20140113074A KR20160025780A KR 20160025780 A KR20160025780 A KR 20160025780A KR 1020140113074 A KR1020140113074 A KR 1020140113074A KR 20140113074 A KR20140113074 A KR 20140113074A KR 20160025780 A KR20160025780 A KR 20160025780A
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Abstract

An embodiment of the present invention relates to an apparatus for performing grinding a wafer, which includes: a template assembly for supporting the wafer; a rubber chuck which is attached to an upper plane of the template assembly and delivers a fixed pressure to the template assembly; and a grinding pad which performs grinding the wafer while contacting a front surface of the wafer. The template assembly comprises a back pad contacting a rear surface of the wafer, and a guide ring which is attached to an edge of the back pad to surround the wafer. An edge region of a lower plane of the back pad is processed to a fixed depth along a circumferential direction, and the guide ring can be bonded to the processed surface of the back pad. Therefore, by performing buffing of only the edge region of the lower plane of the back pad to which the guide ring is attached, the edge region of the lower plane of the back pad can maintain adhesive force with the guide ring as it is, and possibility for pollutants to remain on a center region of the back pad can be reduced remarkably.

Description

템플레이트 어셈블리 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마 장치{Template Assembly and Wafer Grinding Apparatus Including the Same}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a template assembly and a wafer polishing apparatus including the template assembly.

본 발명은 웨이퍼 연마 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 웨이퍼에 대해 연마 공정을 실시할시 웨이퍼를 파지하는 템플레이트 어셈블리의 가이드 링이 부착되는 영역만 버프 가공하여 웨이퍼 후면의 품질을 개선할 수 있는 웨이퍼 연마 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer polishing apparatus and, more particularly, to a wafer polishing apparatus that buffs only a region where a guide ring of a template assembly holding a wafer is held when performing a polishing process on the wafer, To a polishing apparatus.

일반적으로 반도체 소자 등의 전자부품을 생산하기 위해 사용되는 실리콘 웨이퍼(wafer)는 여러 단계의 과정을 거쳐 제조될 수 있다. Generally, silicon wafers used for producing electronic components such as semiconductor devices can be manufactured through various steps.

우선, 반응 챔버에서 도가니 내부에 폴리실리콘을 충진시키고, 상기 도가니를 회전시키면서 소정의 길이와 직경을 갖는 실리콘 단결정 잉곳을 성장시킨다. 이어서, 성장된 단결정 실리콘 잉곳(ingot)을 얇게 절단하는 슬라이싱 공정(slicing)을 거치게 되는데, 절단된 웨이퍼의 표면에는 요철이 생기므로 웨이퍼의 표면을 연마하는 평탄화 공정을 실시해야 한다. First, polysilicon is filled in a crucible in a reaction chamber, and a silicon single crystal ingot having a predetermined length and diameter is grown by rotating the crucible. Then, slicing is performed to thinly cut the grown single crystal silicon ingot. Since the surface of the cut wafer has irregularities, a planarization process for polishing the surface of the wafer must be performed.

도 1은 종래의 웨이퍼 연마 장치를 나타낸 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a conventional wafer polishing apparatus.

도 1을 참조하면, 종래의 웨이퍼 연마 장치는 연마 패드(17) 상에 템플레이트 어셈블리가(15)가 배치되고, 템플레이트 어셈블리(15)와 연마 패드(17) 사이에 웨이퍼가 구비되고, 상기 템플레이트 어셈블리(15)가 러버 척(11)에 부착된다. Referring to FIG. 1, a conventional wafer polishing apparatus is provided with a template assembly 15 on a polishing pad 17, a wafer between a template assembly 15 and a polishing pad 17, (15) is attached to the rubber chuck (11).

상기 템플레이트 어셈블리(15)는 상단부에 형성되는 원반형의 패드인 백 패드(13)와, 상기 백 패드 하단부의 가장자리에는 가이드 링(14)이 결합되어 있다. 상기 가이드 링(14)은 에폭시 글라스로 제조될 수 있고, 에폭시 글라스를 여러겹 적층하여 형성될 수 있으며, 상기 연마 패드에 의해 웨이퍼가 연마될 시 웨이퍼가 템플레이트 어셈블리에서 이탈되지 않도록 웨이퍼를 파지하는 역할을 한다.The template assembly 15 includes a back pad 13, which is a disc-shaped pad formed at an upper end portion, and a guide ring 14, which is coupled to an edge of the lower end portion of the back pad. The guide ring 14 may be made of epoxy glass, and may be formed by stacking multiple layers of epoxy glass. When the wafer is polished by the polishing pad, the guide ring 14 grasps the wafer so that the wafer is not separated from the template assembly .

에어 챔버 내로 전달된 압력은 백 패드(13)에 전달되어 상기 백 패드가 웨이퍼를 가압함으로써, 웨이퍼를 연마 패드(17)에 일정한 압력으로 접촉시킬 수 있다. The pressure transferred into the air chamber is transferred to the back pad 13 so that the back pad presses the wafer so that the wafer can be brought into contact with the polishing pad 17 at a constant pressure.

도 2는 종래의 웨이퍼 연마 장치에 포함되는 템플레이트 어셈블리를 나타낸 평면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 템플레이트 어셈블리는 원반형의 백 패드(13)의 가장자리를 따라 가이드 링(14)이 적층되며, 웨이퍼의 폴리싱 공정에서 웨이퍼가 연마 가공중인 가압 헤드에서 빠져나가지 않도록 지지하는 역할을 한다. 2 is a plan view showing a template assembly included in a conventional wafer polishing apparatus. 2, the template assembly has a guide ring 14 stacked along the edge of a disc-shaped back pad 13, and supports the wafer so that the wafer does not escape from the pressing head during the polishing process in the polishing process of the wafer .

도 3은 종래 템플레이트 어셈블리의 백 패드를 나타낸 단면도이다. 3 is a cross-sectional view of a back pad of a conventional template assembly.

도 3을 참조하면, 일반적으로 백 패드(13)는 폴리우레탄이 사용되며, 가이드 링이 부착되는 면(a)에 대해 버프 가공(buffing)을 실시함으로써 표면에 작은 구멍들이 노출되는 가공면(b)이 형성된다. 상기와 같은 가공면(b)에 의해 백 패드(13) 가장자리에 접착되는 가이드 링(14)이 웨이퍼의 연마 도중 탈착되지 않으며 웨이퍼에 일정한 압력이 전달될 수 있다. 그러나, 상기 백 패드(13) 중심부의 가공면에 분포하는 구멍들에는 이물질이 잔존하기 쉬우며, 이러한 이물질 또는 오염물이 웨이퍼의 하면에 접촉되어 2차 오염을 유발할 수 있다. 또한, 백 패드(13)에 대한 버프 가공을 실시할 시 추가적인 오염이 발생할 가능성이 있다. Referring to FIG. 3, generally, polyurethane is used as the back pad 13, and buffing is performed on the surface a to which the guide ring is attached, Is formed. The guide ring 14 adhered to the edge of the back pad 13 is not detached during the polishing of the wafer by the processing surface b as described above and a constant pressure can be transmitted to the wafer. However, foreign matter may easily remain in the holes distributed on the processed surface in the central portion of the back pad 13, and such foreign matter or contaminants may contact the lower surface of the wafer and cause secondary contamination. Further, there is a possibility that additional contamination may occur when buffing the back pad 13.

도 4는 종래 템플레이트 어셈블리의 백 패드에 버프 가공을 실시하지 않은 경우 문제점을 나타낸 단면도이다. 도 4를 참조하면, 백 패드(13) 외주부에는 가이드 링(14)이 핫 멜트 쉬트(hot melt sheet, 16)와 같은 접착물질로 접착되는데, 백 패드(13)가 가공되지 않은 상태에서는 접착효과가 떨어지고, 웨이퍼의 연마 가공 부하가 심한 영역에서 가이드 링(14)이 탈착하는 문제점이 발생하게 된다.4 is a cross-sectional view showing a problem in the case where the back pad of the conventional template assembly is not buffed. Referring to FIG. 4, a guide ring 14 is bonded to the outer periphery of the back pad 13 with an adhesive material such as a hot melt sheet 16. When the back pad 13 is not processed, And the guide ring 14 is detached from the area where the polishing load of the wafer is high.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 웨이퍼 연마 장치에 구비되는 템플레이트 어셈블리의 백 패드를 소정의 영역만 버프 가공(buffing)하여 웨이퍼의 후면 품질을 개선할 수 있는 템플레이트 어셈블리를 제공하는데 그 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a template assembly capable of improving the quality of a back surface of a wafer by buffing only a predetermined area of a back pad of a template assembly provided in a wafer polishing apparatus, .

본 발명의 실시예는 웨이퍼에 대한 연마를 수행하는 장치로서, 상기 웨이퍼를 지지하는 템플레이트 어셈블리; 상기 템플레이트 어셈블리 상면에 부착되면서 상기 템플레이트 어셈블리에 소정의 압력을 전달하는 러버 척; 및 상기 웨이퍼의 전면과 접촉되며 웨이퍼의 연마를 수행하는 연마 패드를 포함하고, 상기 템플레이트 어셈블리는, 상기 웨이퍼의 후면과 접촉하는 백 패드와, 상기 웨이퍼를 둘러싸도록 상기 백 패드의 가장자리에 부착되는 가이드 링으로 이루어지고, 상기 백 패드 하면의 가장자리 영역은 원주방향을 따라 소정의 깊이만큼 가공되며, 상기 가이드 링은 상기 백 패드의 가공된 면에 접착될 수 있다. An embodiment of the present invention is an apparatus for performing polishing on a wafer, comprising: a template assembly for supporting the wafer; A rubber chuck attached to an upper surface of the template assembly to transmit a predetermined pressure to the template assembly; And a polishing pad in contact with a front surface of the wafer and performing polishing of the wafer, wherein the template assembly includes: a back pad in contact with a rear surface of the wafer; a guide attached to an edge of the back pad to surround the wafer; And an edge region of the back pad lower surface is processed by a predetermined depth along the circumferential direction, and the guide ring can be adhered to the processed surface of the back pad.

본 발명의 실시예는 웨이퍼에 대한 폴리싱(polishing) 공정을 수행할 시 웨이퍼를 파지하는 템플레이트 어셈블리로서, 상기 웨이퍼의 후면과 접촉하는 백 패드; 및 상기 웨이퍼를 둘러싸도록 상기 백 패드의 가장자리에 부착되는 가이드 링을 포함하며, 상기 백 패드 하면의 가장자리 영역은 원주방향을 따라 소정의 깊이만큼 가공되며 상기 가이드 링은 상기 백 패드의 가공된 면에 접착될 수 있다.An embodiment of the present invention is a template assembly for holding a wafer when performing a polishing process for a wafer, the template assembly comprising: a back pad in contact with a rear surface of the wafer; And a guide ring attached to an edge of the back pad so as to surround the wafer, wherein an edge area of the back pad is processed by a predetermined depth along a circumferential direction, and the guide ring is formed on the processed surface of the back pad Can be adhered.

본 발명에 따른 웨이퍼 제조 장치에 구비되는 템플레이트 어셈블리는 가이드 링이 부착되는 백 패드의 가장자리 영역만 버프 가공됨으로써, 연마공정이 진행되는 동안 웨이퍼 후면의 LLS 품질을 개선할 수 있고, 금속 입자로 인한 오염을 방지할 수 있다. The template assembly of the wafer manufacturing apparatus according to the present invention buffs only the edge area of the back pad to which the guide ring is attached so that the LLS quality of the back surface of the wafer can be improved during the polishing process, Can be prevented.

본 발명은 웨이퍼에 대한 연마를 수행할 시에, 연마 부하량이 큰 영역에서도 템플레이트 어셈블리의 일부가 이탈되지 않아 웨이퍼의 연마를 안정적으로 실시할 수 있으며, 이로 인해 웨이퍼의 품질 및 생산성을 동시에 향상시킬 수 있다.The present invention can stably perform the polishing of the wafer since the part of the template assembly is not separated even in a region where the polishing load is large when the wafer is polished, thereby improving the quality and productivity of the wafer at the same time have.

도 1은 종래의 웨이퍼 연마 장치를 나타낸 단면도
도 2는 종래의 웨이퍼 연마 장치에 포함되는 템플레이트 어셈블리를 나타낸 평면도
도 3은 종래 템플레이트 어셈블리의 백 패드를 나타낸 단면도
도 4는 종래 템플레이트 어셈블리의 백 패드에 버프 가공을 실시하지 않은 경우 문제점을 나타낸 단면도
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치 중에서 템플레이트 어셈블리에 구비되는 백 패드를 나타낸 단면도
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치에 포함되는 템플레이트 어셈블리의 단면도
도 7은 도 6에서 A 영역과 B 영역의 경계를 나타낸 평면도와 단면도1 is a cross-sectional view showing a conventional wafer polishing apparatus
2 is a plan view showing a template assembly included in a conventional wafer polishing apparatus
3 is a cross-sectional view of a back pad of a conventional template assembly
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a problem when the back pad of the conventional template assembly is not buffed
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a back pad provided on a template assembly of a wafer polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view of a template assembly included in a wafer polishing apparatus according to an embodiment of the present invention
FIG. 7 is a plan view and a cross-sectional view showing the boundary between region A and region B in FIG.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명의 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위해 생략될 수 있다.The embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to these embodiments. In describing the present invention, a detailed description of well-known functions or constructions may be omitted for the sake of clarity of the present invention.

도 5는 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치 중에서 템플레이트 어셈블리에 구비되는 백 패드를 나타낸 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a back pad included in the template assembly of the wafer polishing apparatus according to the embodiment.

도 5를 참조하면, 실시예의 백 패드(21) 하면의 가장자리 부분(B)은 원주방향을 따라 소정의 깊이(h)와 소정의 폭을 갖도록 가공될 수 있다. 예를 들어, 유연성 재료로 만들어진 휠에 숫돌 입자가 포함된 버프를 고속으로 회전시켜 상기 백 패드의 일부를 버프 가공할 수 있다.Referring to FIG. 5, the edge portion B of the bottom surface of the back pad 21 may be processed to have a predetermined depth h and a predetermined width along the circumferential direction. For example, a part of the back pad can be buffed by rotating a buff containing abrasive grains on a wheel made of a flexible material at a high speed.

실시예에 사용되는 백 패드(21)는 폴리우레탄으로 이루어질 수 있으며, 상기와 같은 버프 가공이 이루어진 백 패드(21)의 가장자리 영역(B)은 내부의 구멍들이 노출되어 거칠한 표면을 가지게 된다. 백 패드(21)의 가장자리 영역(B)에는 가이드 링이 부착되기 위한 영역이며, 백 패드(21)의 내부 영역(A)은 웨이퍼의 후면이 접촉하는 영역이 된다. The back pad 21 used in the embodiment may be made of polyurethane, and the edge region B of the back pad 21 having the buffing process as described above is exposed to the inner holes to have a rough surface. The edge area B of the back pad 21 is an area for attaching a guide ring and the inner area A of the back pad 21 is a contact area of the back surface of the wafer.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치에 포함되는 템플레이트 어셈블리(Template Assembly)의 단면도이다. 6 is a sectional view of a template assembly included in a wafer polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 도 5에 개시된 백 패드(21) 하부의 가장자리 영역에는 원주 방향을 따라 링 형상으로 가이드 링(23)이 부착된다. 즉, 템플레이트 어셈블리는 백 패드(21)와 가이드 링(23)이 상하부에 결합된 형태로 구성될 수 있다. Referring to FIG. 6, a guide ring 23 is attached in a ring shape along the circumferential direction to the edge region of the lower portion of the back pad 21 shown in FIG. That is, the template assembly may be configured such that the back pad 21 and the guide ring 23 are coupled to the upper and lower portions.

템플레이트 어셈블리(21)는 도시된 바와 같이 하면의 가장자리에 가이드 링(23)이 부착된 후에, 상면이 러버척(25)에 부착되고 가이드 링(23) 내부에 웨이퍼(w)가 인입된 채로 가이드 링(23)의 하면이 연마 패드와 접촉하게 된다. The template assembly 21 is attached to the rubber chuck 25 with the upper surface thereof being attached to the guide ring 23 and the wafer w is guided in the guide ring 23, The lower surface of the ring 23 comes into contact with the polishing pad.

우선, 백 패드(21)는 원반형의 기재로서 탄성이 있는 재질로 형성되며, 예를 들어 폴리우레탄과 같은 재질로 이루어질 수 있다. 상기 백 패드(21) 상부에 배치되는 러버척(25)으로 소정의 에어 공압이 전달되면, 백 패드(21)가 하방향으로 변형되어 웨이퍼와 일정 부분이 접촉하면서 웨이퍼에 일정한 압력을 가한다. 이에 웨이퍼와 연마 패드가 소정의 압력으로 접촉되고 연마 패드에 의해 웨이퍼가 연마될 수 있다. First, the back pad 21 is made of a material having elasticity as a disk-like base material, and may be made of a material such as polyurethane. When a predetermined air pneumatic pressure is transmitted to the rubber chuck 25 disposed on the back pad 21, the back pad 21 is deformed downward to apply a constant pressure to the wafer while contacting a certain portion of the wafer. The wafer and the polishing pad are brought into contact with each other at a predetermined pressure, and the wafer can be polished by the polishing pad.

도 3에서 살펴본 바와 같이, 웨이퍼와 접촉하는 백 패드(21) 하면에 대해 버프 가공(buffing)을 실시하면, 가공된 백 패드(21)의 하면은 수많은 구멍이 노출되는 다공성 표면이 형성된다. 상기와 같은 다공성 표면은 이물질이 잔존하기 쉬운 구조이므로, 본 발명에서는 상기 백 패드(21)의 가공 방식을 변경하여 웨이퍼(w)와 접촉하게 되는 백 패드(21) 면에 의해 웨이퍼가 오염되는 것을 방지할 수 있는 구조를 제안하는 것이다. As shown in FIG. 3, if the lower surface of the back pad 21 contacting the wafer is buffed, the lower surface of the processed back pad 21 is formed with a porous surface on which a large number of holes are exposed. Since the porous surface as described above has a structure in which foreign matter easily remains, in the present invention, the way of processing the back pad 21 is changed so that the wafer is contaminated by the back pad 21 surface brought into contact with the wafer w And to provide a structure capable of preventing the above problems.

백 패드(21) 하면의 가장자리에는, 웨이퍼 연마 가공을 실시할시 헤드에서 웨이퍼가 이탈하는 것을 방지하기 위해 가이드 링(23)이 접착된다. 상기 가이드 링(23)은 에폭시 글라스(epoxy glass)로 제조될 수 있으며, 에폭시 글라스가 소정의 두께를 가지도록 복수개가 적층되어 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 가이드 링(23)은 핫 멜트 쉬트(hot melt sheet)와 같은 접착 물질(22)을 매개로 하여 백 패드(21) 하면에 접착되어, 백 패드(21)와 연마 패드 사이에 인입되는 웨이퍼를 지지하도록 고정될 수 있다. A guide ring 23 is bonded to the edge of the lower surface of the back pad 21 in order to prevent the wafer from detaching from the head when polishing the wafer. The guide ring 23 may be made of epoxy glass, and a plurality of the epoxy glasses may be stacked to have a predetermined thickness. The guide ring 23 is adhered to the lower surface of the back pad 21 via an adhesive material 22 such as a hot melt sheet and is inserted between the back pad 21 and the polishing pad And can be fixed to support the wafer.

백 패드(21)의 하면은 웨이퍼가 접촉하는 영역(A)과 가이드 링(B)이 부착되는 영역(B)으로 구분할 수 있다. 본 실시예에서는 웨이퍼가 접촉하는 영역(A)과 가이드 링(B)이 부착되는 영역(B)에 대해 선택적으로 버프 가공(buffing)을 실시하여, 웨이퍼의 후면 품질을 개선할 수 있다. The lower surface of the back pad 21 can be divided into a region A where the wafer contacts and a region B where the guide ring B is attached. The back surface quality of the wafer can be improved by selectively buffing the area A where the wafer contacts and the area B where the guide ring B is adhered in this embodiment.

백 패드(21)의 모든 면에 대해 버프 가공을 실시하면 웨이퍼의 후면 품질이 열위되고, 백 패드(21)의 모든 면에 대해 버프 가공을 실시하지 않으면 웨이퍼의 후면 품질은 개선되나, 백 패드(21)의 외주부에 접착되는 가이드 링(23)이 연마 부하가 큰 영역에서 탈착되는 문제가 발생하게 된다. If the buffing process is applied to all the surfaces of the back pad 21, the quality of the back surface of the wafer is degraded. If the buff pad 21 is not buffed on all the surfaces, the quality of the back surface of the wafer is improved. A problem arises that the guide ring 23 adhered to the outer circumferential portion of the outer ring 21 is detached in a region where the polishing load is large.

따라서, 본 실시예에서는 바람직하게 백 패드(21)의 하면에서 가이드 링(23)이 접착되는 영역(B)에만 버프 가공을 실시하여 B 영역에 해당되는 백 패드(21)에 다공성 표면을 형성한다. 상기 백 패드(21)의 가장자리 영역은 상기 가이드 링(23)의 폭에 대응되는 길이와, 소정의 두께를 가지도록 버프 가공될 수 있고, 따라서 상기 가이드 링(23)은 버프 가공된 면에접착될 수 있다. Therefore, in the present embodiment, preferably only the area B where the guide ring 23 is adhered is buffed on the lower surface of the back pad 21 to form a porous surface on the back pad 21 corresponding to the area B . The edge region of the back pad 21 can be buffed so as to have a length corresponding to the width of the guide ring 23 and a predetermined thickness so that the guide ring 23 is adhered to the buffed surface .

상기 백 패드(21)가 버프 가공되는 폭은 가공되는 웨이퍼의 직경에 따라 다양하게 적용될 수 있다. 그리고, 상기 백 패드(21)가 버프 가공되는 깊이(h)는 템플레이트 어셈블리의 직경에 따라 달라질 수 있으며, 상기 가이드 링(23) 사이에 웨이퍼가 인입될 수 있도록, 상기 가이드 링(23)이 부착된 후의 백 패드 하면과의 거리(t)가 웨이퍼의 두께보다 크도록 형성됨이 바람직하다. The width at which the back pad 21 is buffed can be variously applied depending on the diameter of the wafer to be processed. The depth h of the back pad 21 may vary depending on the diameter of the template assembly and the guide ring 23 may be attached to the guide ring 23 such that the wafer can be inserted between the guide rings 23. [ The distance t between the back pad pad and the back pad pad is greater than the thickness of the wafer.

도 7은 도 6에서 A 영역과 B 영역의 경계를 나타낸 평면도와 단면도이다. 도 7을 참조하면, 백 패드(21) 하면에 실시예와 같이 가이드 링(23)이 부착될 영역을 버프 가공한 모습을 보여주고 있다. FIG. 7 is a plan view and a cross-sectional view showing the boundary between region A and region B in FIG. Referring to FIG. 7, a region where the guide ring 23 is to be attached is buffed on the bottom surface of the back pad 21 as in the embodiment.

버프 가공이 실시된 B 영역은 수많은 구멍을 갖는 표면이 형성되며, 이러한 표면 상에 접착 물질을 도포하면 상부에 적층되는 가이드 링은 연마 가공 부하가 큰 영역에서도 이탈되지 않고 웨이퍼를 지지할 수 있다. The area B where the buffing is performed forms a surface having numerous holes. When the adhesive material is applied on such a surface, the guide ring stacked on the upper part can support the wafer without detaching even in a region where the polishing load is large.

또한, 버프 가공이 실시되지 않은 A 영역은 상대적으로 평탄한 표면을 형성하고 있어, 오염 물질이 잔존할 가능성을 낮출 수 있다. In addition, the area A in which the buffing is not performed forms a relatively flat surface, thereby reducing the possibility that the contaminants remain.

즉, 본 발명에서 사용되는 백 패드는 버프 가공을 실시하기 전에는 평탄한 표면을 가지며, 버프 가공을 실시하면 다공성 표면이 노출되는 물질이 사용되는 것이 바람직하다. That is, it is preferable that the back pad used in the present invention has a flat surface before the buffing process, and a material that exposes the porous surface when the buffing process is performed.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 웨이퍼 제조 장치에 구비되는 템플레이트 어셈블리는 가이드 링이 부착되는 백 패드 하면의 가장자리 영역만 버프 가공됨으로써, 백 패드 하면의 가장자리 영역은 가이드 링과의 접착력을 그대로 유지하면서 웨이퍼와 접촉하는 백 패드의 중심 영역은 오염 물질이 잔존할 가능성을 현저히 낮출 수 있다. As described above, in the template assembly of the wafer manufacturing apparatus according to the present invention, only the edge areas of the back pad lower surface to which the guide rings are attached are buffed, so that the edge areas of the back pad lower surface, The central area of the back pad in contact with the back pad can significantly reduce the possibility of the contaminant remaining.

따라서, 연마공정이 진행되는 동안 백 패드의 하면과 접촉하게 되는 웨이퍼 후면의 LLS 품질을 개선할 수 있고, 금속 입자로 인한 오염을 방지할 수 있다. Therefore, it is possible to improve the LLS quality of the back surface of the wafer, which is brought into contact with the lower surface of the back pad during the polishing process, and to prevent contamination due to the metal particles.

또한, 본 발명은 웨이퍼에 대한 연마를 수행할 시에, 연마 부하량이 큰 영역에서도 템플레이트 어셈블리의 일부가 웨이퍼 연마 장치의 헤드 부분에서 이탈되지 않아 웨이퍼의 연마를 안정적으로 실시할 수 있으며, 이로 인해 웨이퍼의 품질 및 생산성을 동시에 향상시킬 수 있다.In addition, the present invention can stably perform the polishing of the wafer since a part of the template assembly is not detached from the head portion of the wafer polishing apparatus even in a region where the polishing load is large, when the wafer is polished, The quality and the productivity of the apparatus can be improved at the same time.

이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications other than those described above are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments of the present invention can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

13, 21: 백 패드
22: 접착 물질
14, 23: 가이드 링
15: 템플레이트 어셈블리
17: 연마패드
11, 25: 러버 척13, 21: back pad
22: Adhesive material
14, 23: Guide ring
15: Template assembly
17: Polishing pad
11, 25: rubber chuck

Claims (10)

웨이퍼에 대한 연마를 수행하는 장치로서,
상기 웨이퍼를 지지하는 템플레이트 어셈블리;
상기 템플레이트 어셈블리 상면에 부착되면서 상기 템플레이트 어셈블리에 소정의 압력을 전달하는 러버 척; 및
상기 웨이퍼의 전면과 접촉되며 웨이퍼의 연마를 수행하는 연마 패드를 포함하고,
상기 템플레이트 어셈블리는,
상기 웨이퍼의 후면과 접촉하는 백 패드와,
상기 웨이퍼를 둘러싸도록 상기 백 패드 하면의 가장자리에 부착되는 가이드 링으로 이루어지고,
상기 백 패드 하면의 가장자리 영역은 원주 방향을 따라 소정의 깊이만큼 가공되며, 상기 가이드 링은 상기 백 패드의 가공된 면에 접착되는 웨이퍼 연마 장치.CLAIMS 1. An apparatus for performing polishing on a wafer,
A template assembly for supporting the wafer;
A rubber chuck attached to an upper surface of the template assembly to transmit a predetermined pressure to the template assembly; And
And a polishing pad contacting the front surface of the wafer and performing polishing of the wafer,
Wherein the template assembly comprises:
A back pad contacting the back surface of the wafer,
And a guide ring attached to an edge of the bottom surface of the back pad so as to surround the wafer,
Wherein an edge area of the back pad lower surface is machined by a predetermined depth along the circumferential direction, and the guide ring is bonded to the processed surface of the back pad. 제 1항에 있어서,
상기 가이드 링은 핫 멜트 쉬트(hot melt sheet)를 매개로 상기 백 패드 상에 부착되는 웨이퍼 연마 장치. The method according to claim 1,
Wherein the guide ring is attached on the back pad via a hot melt sheet. 제 1항에 있어서,
에어 가압에 따른 상기 러버 척의 변형에 따라 상기 백 패드가 변형되어 상기 웨이퍼의 일부와 접촉하는 웨이퍼 연마 장치. The method according to claim 1,
Wherein the back pad is deformed to come into contact with a part of the wafer in accordance with the deformation of the rubber chuck in accordance with air pressurization. 제 1항에 있어서,
상기 백 패드는 탄성을 갖는 물질로 형성되는 웨이퍼 연마 장치. The method according to claim 1,
Wherein the back pad is formed of a material having elasticity. 제 1항에 있어서,
상기 백 패드는 평탄한 표면을 가지며, 버프 가공을 실시하면 다공성 표면이 노출되는 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 장치.The method according to claim 1,
Wherein the back pad has a flat surface and is made of a material that exposes a porous surface when subjected to a buffing process. 제 1항에 있어서,
가이드 링은 복수개의 에폭시 글래스가 적층되어 형성되는 웨이퍼 연마 장치.The method according to claim 1,
Wherein the guide ring is formed by stacking a plurality of epoxy glasses. 웨이퍼에 대한 폴리싱(polishing) 공정을 수행할 시 웨이퍼를 파지하는 장치로서,
상기 웨이퍼의 후면과 접촉하는 백 패드; 및
상기 웨이퍼를 둘러싸도록 상기 백 패드의 가장자리에 부착되는 가이드 링을 포함하며,
상기 백 패드의 가장자리 영역은 원주 방향을 따라 상기 가이드 링이 부착되는 영역만 소정의 깊이만큼 버프 가공되며, 상기 가이드 링은 버프 가공된 면에 단차지게 접착되는 템플레이트 어셈블리.1. An apparatus for holding a wafer when performing a polishing process on the wafer,
A back pad in contact with a back surface of the wafer; And
And a guide ring attached to an edge of the back pad to surround the wafer,
Wherein the edge region of the back pad is buffed only in a region to which the guide ring is attached along a circumferential direction by a predetermined depth, and the guide ring is stepped on the buffed surface. 제 7항에 있어서,
상기 백 패드는 평탄한 표면을 가지며, 버프 가공을 실시하면 다공성 표면이 노출되는 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 템플레이트 어셈블리.8. The method of claim 7,
Wherein the back pad has a flat surface and is made of a material that exposes a porous surface when subjected to a buffing process. 제 7항에 있어서,
가이드 링은 복수개의 에폭시 글래스가 적층되어 형성되는 템플레이트 어셈블리.8. The method of claim 7,
Wherein the guide ring is formed by stacking a plurality of epoxy glasses. 제 7항에 있어서,
상기 백 패드는 탄성을 갖는 물질로 형성되는 템플레이트 어셈블리.8. The method of claim 7,
Wherein the back pad is formed of a material having elasticity.
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