KR20160025650A - Substrate precessing apparatus - Google Patents

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Abstract

Disclosed is a substrate processing apparatus. More specifically, the purpose of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of uniformly maintaining the overall temperature of a substrate by compensating the temperature of a portion to which a liquid chemical is supplied. The disclosed substrate processing apparatus comprises: a substrate supporting member supporting a substrate; a liquid chemical supplying member supplying the liquid chemical to the substrate; and a substrate heating member heating the substrate by altering a heating level depending on a position of the substrate, to which the liquid chemical supplied from the liquid chemical supplying member is supplied.

Description

기판 처리장치{SUBSTRATE PRECESSING APPARATUS}[0001] SUBSTRATE PRECESSING APPARATUS [0002]

본 발명은 기판 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 습식 매엽 공정에 있어서, 기판의 온도를 균일하게 유지할 수 있는 기판 처리장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of uniformly maintaining a temperature of a substrate in a wet sheet processing.

기판 처리장치는 공정에 따라 기판을 가열하는 방식이 달라진다. 건식 공정에는 적외선 램프를 이용한 직접 가열이나 열 손실을 방지하기 위한 밀폐식 구조 등을 적용하고 있으며, 습식 공정에는 두 종류 이상의 액체를 혼합하여 화학 반응열을 이용하거나, 액체를 직접 가열하여 공급하는 방식 등이 적용된다.The substrate processing apparatus is different in the method of heating the substrate according to the process. In the dry process, direct heating using an infrared lamp or an airtight structure to prevent heat loss is applied. In a wet process, two types or more of liquids are mixed to use a chemical reaction heat, or a method in which liquid is directly heated and supplied Is applied.

또한, 건식 공정 중 배치 공정의 경우 대류열과 복사열을 주로 이용하며, 매엽 공정에서는 복사열을 이용하여 열 에너지를 공급한다. 습식 공정 중 여러 장의 기판을 동시에 처리하는 배치 공정의 경우 액체를 직접 가열하여 공급하는 방식이 적용되고 있으며, 개별 기판을 처리하는 매엽 공정의 경우에는 화학 반응열을 이용한 방식이 주로 적용된다.Also, convection heat and radiant heat are mainly used in the batch process during the dry process, and radiant heat is used in the sheet laminating process. In the case of a batch process in which a plurality of substrates are simultaneously processed in a wet process, the liquid is directly heated and supplied. In the case of a single wafer process for processing individual substrates, a method using a chemical reaction heat is mainly applied.

일반적인 건식 매엽 공정은 적외선 램프를 이용하여 단시간 내에 많은 열 에너지를 공급하여 공정을 완료한다. 일반적으로 이러한 공정을 Rapid Thermal Process(RTP)라고 한다. RTP 공정의 경우, 기판을 균일한 열 에너지를 이용하여 가열하는 경우 기판의 중심부 온도가 주변부 온도보다 높은 경향을 보인다. In a typical dry sheetfed process, a large amount of heat energy is supplied in a short time using an infrared lamp to complete the process. This process is commonly referred to as Rapid Thermal Process (RTP). In the RTP process, when the substrate is heated using uniform heat energy, the center temperature of the substrate tends to be higher than the peripheral temperature.

반면, 습식 매엽 공정의 경우, 기판에 약액이 공급되므로 약액이 공급되는 영역의 온도가, 하강하여 기판의 온도가 위치에 따라 불균일해지는 문제점이 발생된다. On the other hand, in the case of the wet sheet-fed process, since the chemical liquid is supplied to the substrate, the temperature of the region where the chemical liquid is supplied is lowered, and the temperature of the substrate becomes uneven according to the position.

본 발명의 배경 기술은, 대한민국 공개특허공보 제2007-0094674호(2007.09.21 공개, 발명의 명칭: 매엽식 기판 처리장치)에 개시되어 있다.
BACKGROUND ART [0002] The background art of the present invention is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 2007-0094674 (published on Sep. 21, 2007, entitled "Single-wafer processing apparatus").

본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위해 안출된 것으로서, 약액이 공급되는 부위의 온도를 보상하여 기판의 온도를 전체적으로 균일하게 유지할 수 있는 기판 처리장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of uniformly maintaining a temperature of a substrate by compensating a temperature of a region where a chemical liquid is supplied.

본 발명에 따른 기판 처리장치는, 기판을 지지하는 기판지지부재; 상기 기판에 약액을 공급하는 약액공급부재; 및 상기 약액공급부재에서 공급된 약액이 상기 기판에 공급되는 위치에 따라 가열 정도를 달리하여 상기 기판을 가열하는 기판가열부재;를 포함하는 것을 특징으로 한다. A substrate processing apparatus according to the present invention includes: a substrate supporting member for supporting a substrate; A chemical liquid supply member for supplying a chemical liquid to the substrate; And a substrate heating member for heating the substrate with different degrees of heating depending on a position where the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply member is supplied to the substrate.

본 발명에서 상기 기판가열부재는, 상기 기판의 상측에 위치하는 램프장착부; 및 상기 램프장착부에 위치하고, 복수 개의 가열램프를 포함하며, 상기 기판에 약액이 분사되는 영역에 대응하는 영역의 단위면적당 출력을 조절하여 상기 기판을 가열하는 가열램프부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the substrate heating member may include: a lamp mounting portion located above the substrate; And a heating lamp unit located at the lamp mounting unit and including a plurality of heating lamps and heating the substrate by adjusting an output per unit area of a region corresponding to a region where the chemical liquid is injected to the substrate .

본 발명에서 상기 가열램프부는, 약액이 상기 기판에 공급되는 영역에 대응되는 영역을 가열하는 상기 가열램프의 출력을 조절하여, 상기 가열램프 위치별 출력을 조절하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the heating lamp unit adjusts the output of the heating lamp, which heats a region corresponding to a region where the chemical liquid is supplied to the substrate, and adjusts the output for each heating lamp position.

본 발명에서 상기 가열램프부는, 약액이 상기 기판에 공급되는 영역에 대응되는 영역을 가열하는 상기 가열램프의 단위면적당 개수를 조절하여, 상기 가열램프의 위치별 출력을 조절하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the heating lamp unit adjusts the number of the heating lamps per unit area, which heats a region corresponding to a region where the chemical liquid is supplied to the substrate, so that the output of each heating lamp is adjusted.

본 발명에서 기판 처리장치는, 상기 기판의 온도를 측정하는 온도측정부재; 및 In the present invention, the substrate processing apparatus may further include: a temperature measuring member for measuring a temperature of the substrate; And

상기 온도측정부재에서 측정한 상기 기판의 온도 분포에 따라 상기 가열램프의 출력을 조절하는 제어부재;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
And a control member for adjusting an output of the heating lamp according to a temperature distribution of the substrate measured by the temperature measuring member.

본 발명에 따른 기판 처리장치는, 약액이 공급되는 부위에 대응되는 위치의 가열램프부의 출력을 조절하여 온도를 보상함으로써, 기판의 온도를 균일하게 유지할 수 있는 효과가 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention has an effect that the temperature of the substrate can be maintained uniform by compensating the temperature by adjusting the output of the heating lamp unit at a position corresponding to the area where the chemical liquid is supplied.

또한 본 발명은, 온도측정부재 및 제어부재를 이용하여 가열램프부의 출력을 조절함으로써, 기판의 온도 불균일을 실시간으로 조정할 수 있다.
Further, according to the present invention, the temperature unevenness of the substrate can be adjusted in real time by adjusting the output of the heating lamp unit using the temperature measuring member and the control member.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치의 정면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 영역을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 출력을 달리하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 밀도를 달리하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 출력이 상이한 가열램프가 적용된 상태를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 영역을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 출력을 달리하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 밀도를 달리하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 출력이 상이한 가열램프가 적용된 상태를 나타내는 도면이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 영역을 나타내는 도면이다.
도 14는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 출력을 달리하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 15는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 밀도를 달리하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 16은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 출력이 상이한 가열램프가 적용된 상태를 나타내는 도면이다. 1 is a front view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a state in which chemical liquid is injected in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
3 is a view showing a region where chemical liquid is injected in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
4 is a view showing a state in which the output of the heating lamp is varied in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
5 is a view showing a state in which the density of the heating lamp is changed in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
6 is a view showing a state in which a heating lamp having different outputs is applied in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
7 is a view showing a state in which chemical liquid is injected in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
8 is a view showing a region where a chemical liquid is injected in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
9 is a view showing a state in which the output of the heating lamp is varied in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
10 is a view showing a state in which the density of the heating lamp is changed in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
11 is a view showing a state in which a heating lamp with different output is applied in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
12 is a view showing a state in which a chemical liquid is injected in the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.
13 is a view showing a region where chemical liquid is injected in the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.
14 is a view showing a state in which the output of the heating lamp is varied in the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.
15 is a view showing a state in which the density of the heating lamp is changed in the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.
16 is a view showing a state in which a heating lamp having a different output is applied in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 기판 처리장치의 일 실시예를 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다.Hereinafter, an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In this process, the thicknesses of the lines and the sizes of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation.

또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
In addition, the terms described below are defined in consideration of the functions of the present invention, which may vary depending on the intention or custom of the user, the operator. Therefore, definitions of these terms should be made based on the contents throughout this specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치의 정면도이다. 1 is a front view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치(1)는 기판지지부재(100), 약액공급부재(200) 및 기판가열부재(300)를 포함한다. Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a substrate supporting member 100, a chemical liquid supply member 200, and a substrate heating member 300.

기판지지부재(100)는 기판(S)을 지지하며, 기판(S)을 회전시킨다. 본 실시예에서 기판지지부재(100)는 척테이블부(110), 회전축부(130) 및 구동부(150)를 포함한다. The substrate supporting member 100 supports the substrate S, and rotates the substrate S. In this embodiment, the substrate supporting member 100 includes a chuck table portion 110, a rotating shaft portion 130, and a driving portion 150.

척테이블부(110)는 기판(S)을 지지한다. 본 실시예에서 척테이블부(110)는 척테이블(111), 고정핀(113) 및 척핀(115)을 포함한다. The chuck table portion 110 supports the substrate S. In this embodiment, the chuck table portion 110 includes a chuck table 111, a fixing pin 113, and a chuck pin 115. [

척테이블(111)은 중심부가 회전축부(130)에 결합되어, 회전축부(130)와 함께 회전한다. 본 실시예에서 척테이블(111)은 판 형상이며, 상측에 고정핀(113) 및 척핀(115)이 위치한다. The center of the chuck table 111 is coupled to the rotary shaft part 130 and rotates together with the rotary shaft part 130. In this embodiment, the chuck table 111 is plate-shaped, and the fixing pin 113 and the chuck pin 115 are located on the upper side.

고정핀(113)은 하단부가 척테이블(111)에 볼팅 등의 방식으로 결합되고, 상단부에 기판(S)이 안착된다. The lower end of the fixing pin 113 is coupled to the chuck table 111 by bolting or the like, and the substrate S is seated on the upper end.

척핀(115)은 기판(S)의 둘레부를 지지하여 기판(S)의 이탈을 방지한다. 척핀(115)은 이동부(미도시) 등에 의하여 지지위치와 대기위치 사이를 이동한다. 여기서 지지위치는 척핀(115)이 기판(S)의 둘레부에 접촉되는 위치를 의미하고, 대기위치는 기판(S)을 안착 또는 탈거할 수 있도록 기판(S)의 둘레부에서 척핀(115)이 이격되는 위치를 의미한다. The chuck pin 115 supports the periphery of the substrate S to prevent the substrate S from escaping. The chuck pin 115 moves between a supporting position and a standby position by a moving part (not shown) or the like. Here, the support position means a position where the chuck pin 115 contacts the periphery of the substrate S, and the standby position is a position at which the chuck pin 115 protrudes from the periphery of the substrate S so that the substrate S can be seated or removed. Quot; refers to a position in which it is spaced apart.

회전축부(130)는 척테이블(111)의 회전중심에 연결되며 구동부(150)에 의하여 척테이블부(110)와 함께 회전된다. The rotary shaft portion 130 is connected to the rotation center of the chuck table 111 and rotated together with the chuck table portion 110 by the driving portion 150.

구동부(150)는 전기모터 등을 포함하여, 외부에서 인가되는 전기에너지를 회전에너지로 전환하고, 이를 이용하여 회전축부(130)를 회전시킨다. The driving unit 150 includes an electric motor and the like, converts electric energy applied from the outside into rotational energy, and rotates the rotating shaft unit 130 using the electric energy.

약액공급부재(200)는 기판(S)에 약액을 공급한다. 본 실시예에서 약액공급부재(200)는 약액저장부(210), 약액공급부(230) 및 약액안내부(250)를 포함한다. The chemical solution supply member 200 supplies the chemical solution to the substrate S. In this embodiment, the chemical solution supply member 200 includes a chemical solution storage unit 210, a chemical solution supply unit 230, and a chemical guide unit 250.

약액저장부(210)는 약액이 저장된다. 본 실시예에서 약액저장부(210)의 형상 및 재질 등은 약액의 종류 및 성분 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 약액저장부(210)는 약액의 종류에 따라 복수 개 구비되어 약액을 종류별로 저장할 수 있으며, 약액을 별도로 가열할 수 있는 가열수단을 구비한다. The chemical solution storage part 210 stores the chemical solution. In this embodiment, the shape, material, etc. of the chemical liquid storage part 210 may be changed depending on the type and the composition of the chemical liquid. In addition, a plurality of chemical solution storage units 210 may be provided according to the type of the chemical solution, and the chemical solution storage unit 210 may be provided with heating means capable of separately storing the chemical solution and heating the chemical solution separately.

약액공급부(230)는 기판(S)의 상측에 위치하며, 약액을 기판(S)에 분사한다. 본 실시예에서 약액공급부(230)는 약액을 기판(S) 처리면으로 분사하는 노즐로 예시되며, 기판(S)의 크기, 약액의 종류 등에 따라 다양한 구성 및 형상의 노즐을 적용할 수 있다. The chemical solution supply unit 230 is located on the upper side of the substrate S and injects the chemical solution onto the substrate S. In this embodiment, the chemical solution supply unit 230 is exemplified by a nozzle for spraying the chemical solution onto the substrate S-treated surface, and nozzles having various configurations and shapes can be applied according to the size of the substrate S,

약액안내부(250)는 약액저장부(210)와 약액공급부(230)를 연결하여, 약액저장부(210)의 약액이 약액공급부(230)로 공급되도록 안내한다. 본 실시예에서 약액안내부(250)는 양단부가 각각 약액저장부(210)에 연결되는 약액안내관(251)과, 약액안내관(251)에 결합되어 약액안내관(251)을 흐르는 약액의 유량을 조절하는 밸브(253)를 포함한다. The chemical solution guide unit 250 connects the chemical solution storage unit 210 and the chemical solution supply unit 230 to guide the chemical solution in the chemical solution storage unit 210 to be supplied to the chemical solution supply unit 230. The liquid medicament guide portion 250 includes a liquid medicament guide tube 251 having both ends connected to the liquid medicament storing portion 210 and a liquid medicament guide tube 252 connected to the liquid medicament guide tube 251, And a valve 253 for regulating the flow rate.

기판가열부재(300)는 약액공급부(230)에서 분사된 약액이 기판(S)에 공급되는 위치에 따라 가열 정도를 달리하여 기판(S)을 가열한다. 즉, 기판가열부재(300)는 약액의 공급에 의하여 국소적으로 온도가 감소한 기판(S)을, 기판(S)의 위치에 따라 가열 정도를 달리하여 가열함으로써, 위치에 따른 온도를 균일하게 한다. 본 실시예에서 기판가열부재(300)는 램프장착부(310) 및 가열램프부(330)를 포함한다. The substrate heating member 300 heats the substrate S at different degrees of heating depending on the position where the chemical liquid injected from the chemical liquid supply unit 230 is supplied to the substrate S. [ That is, the substrate heating member 300 heats the substrate S whose temperature has been locally decreased by the supply of the chemical liquid by varying the degree of heating depending on the position of the substrate S, thereby making the temperature according to the position uniform . In this embodiment, the substrate heating member 300 includes a lamp mounting portion 310 and a heating lamp portion 330.

램프장착부(310)는 기판(S)의 상측에 위치하여 가열램프부(330)를 지지한다. 본 실시예에서 램프장착부(310)는 금속 재질을 포함하여 이루어지며, 판 형상으로 형성되어, 처리공정실(미도시) 등에 결합된다.The lamp mounting portion 310 is positioned above the substrate S to support the heating lamp portion 330. In this embodiment, the lamp mounting part 310 includes a metal material and is formed into a plate shape and is coupled to a processing chamber (not shown) or the like.

가열램프부(330)는 램프장착부(310)에 결합되며, 복수개의 가열램프(331)를 포함하여, 기판(S)에 약액이 분사되는 영역에 대응하는 영역의 단위면적당 출력을 조절하여 기판(S)을 가열한다. The heating lamp unit 330 is coupled to the lamp mounting unit 310 and includes a plurality of heating lamps 331 to adjust an output per unit area of a region corresponding to a region where the chemical solution is injected into the substrate S, S).

본 실시예에서 가열램프부(330)는 약액이 기판(S)에 공급되는 영역에 대응되는 영역, 즉 약액이 기판(S)에 분사될 때 닿는 부위에 대응되는, 구체적으로 닿는 부위의 연직선 상의 상측 또는 하측에 위치하는 가열램프(331)의 출력을 조절하여 단위면적당 출력을 조절한다. In the present embodiment, the heating lamp unit 330 is provided on a vertical line corresponding to a region corresponding to a region where the chemical liquid is supplied to the substrate S, that is, a region where the chemical liquid contacts the substrate S when the chemical liquid is injected onto the substrate S The output of the heating lamp 331 located on the upper side or the lower side is controlled to adjust the output per unit area.

약액이 공급되는 부분에 대응되는 위치의 가열램프부(330)의 출력을 조절하는 방식은 다양하게 구현될 수 있다. 예를 들어 복수 개의 가열램프(331) 중에서 일부 가열램프(331)의 출력을 조절하는 방식, 가열램프(331)의 단위면적당 개수를 조절하는 방식 또는 출력, 크기 등이 상이한 가열램프(331)를 적용하는 방식 등이 가능하다. A method of controlling the output of the heating lamp unit 330 at a position corresponding to a portion where the chemical solution is supplied may be variously implemented. For example, a method of controlling the output of some of the heating lamps 331 among the plurality of heating lamps 331, a method of controlling the number of the heating lamps 331 per unit area, or the heating lamps 331 having different output, And so on.

우선 동일한 크기의 복수 개의 가열램프(331)가 균일하게 배열된 상태에서, 약액이 분사되는 부위에 대응되는 위치에 해당하는 가열램프(331)의 출력을 조절함으로써 약액이 공급되는 부위의 기판(S) 부위를 집중 가열하여 약액의 공급에 따른 기판(S)의 온도 불균일을 저감할 수 있다. A plurality of heating lamps 331 of the same size are arranged uniformly and the output of the heating lamp 331 corresponding to the position corresponding to the region where the chemical liquid is injected is controlled to form the substrate S ) Region can be concentratedly heated to reduce temperature unevenness of the substrate S due to the supply of the chemical liquid.

이러한, 가열램프(331)의 출력 조정은, 약액공급부(230)에서 약액이 분사되는 위치를 사전에 판단하고, 판단된 위치를 기초로 해당되는 위치를 가열하는 가열램프(331)의 출력을 조절하거나, 후술할 온도측정부재(400)에서 측정한 기판(S)의 실시간 온도를 바탕으로 제어부재(500)에서 일부 가열램프(331)의 출력을 조절하는 방식도 가능하다. The adjustment of the output of the heating lamp 331 is performed by previously determining the position where the chemical liquid is injected in the chemical liquid supply unit 230 and adjusting the output of the heating lamp 331 for heating the corresponding position based on the determined position Or a method of controlling the output of a part of the heating lamp 331 in the control member 500 based on the real time temperature of the substrate S measured by the temperature measuring member 400 to be described later.

이와 다르게, 복수 개의 가열램프(331)의 배열을 달리하여 기판(S)의 온도를 보상하는 것도 가능하다. 결국 가열램프(331)의 밀도, 즉 가열램프(331)의 배열을 조절하거나, 출력 또는 형상이 상이한 가열램프(331)를 배열하여 기판(S)의 온도를 보상할 수 있다. Alternatively, it is also possible to compensate the temperature of the substrate S by varying the arrangement of the plurality of heating lamps 331. As a result, the temperature of the substrate S can be compensated by adjusting the density of the heating lamps 331, that is, the arrangement of the heating lamps 331, or arranging the heating lamps 331 having different outputs or shapes.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 상태를 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 영역을 나타내는 도면이다. FIG. 2 is a view showing a state in which a chemical liquid is injected in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention, FIG. 3 is a drawing showing a region in which chemical liquid is injected in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention to be.

도 2 내지 도 3을 참조하면, 도 2에서와 같이 약액공급부(230a)에서 분사된 약액이 기판(S)의 영역 "A" 부위의 분사되는 경우에는, 영역 "A" 부위의 온도가 낮아지게 된다. 낮아지는 온도를 보상하거나, 낮아지는 것을 방지하여, 기판(S)의 온도를 보상하기 위해서는 "A" 영역 부위를 다른 부위에 비하여 더 강하게 가열할 필요가 있다. Referring to FIGS. 2 to 3, when the chemical liquid sprayed from the chemical liquid supply unit 230a is sprayed on the region "A" of the substrate S as shown in FIG. 2, the temperature of the region "A" do. In order to compensate for the lowering temperature or to prevent the temperature from being lowered and to compensate the temperature of the substrate S, it is necessary to heat the region "A" region more strongly than other regions.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 출력을 달리하는 상태를 나타내는 도면이고, 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 밀도를 달리하는 상태를 나타내는 도면이며, 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 출력이 상이한 가열램프가 적용된 상태를 나타내는 도면이다. FIG. 4 is a view showing a state in which the output of the heating lamp is varied in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a graph showing the density of the heating lamp in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention FIG. 6 is a view showing a state in which a heating lamp having a different output is applied in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 가열램프부(330)의 출력을 조절하는 방법이 예시된다. 복수 개의 가열램프(331)중 "A'" 영역에 해당하는 부위에 위치하는 가열램프(331a)에 인가되는 출력을 상승시키면, "A'"가 가열하는 "A" 영역에 전달되는 열전달량이 상승하고, 이에 따라 약액이 공급되는 "A" 영역의 온도가 상승하여 온도가 보상된다.(도 4 참조) Referring to Figs. 4 to 6, a method of adjusting the output of the heating lamp unit 330 is illustrated. When the output to the heating lamp 331a located at the portion corresponding to the region A "of the plurality of heating lamps 331 is raised, the amount of heat transferred to the region" A "where" A " , Whereby the temperature of the region "A " in which the chemical liquid is supplied is increased to compensate for the temperature (see FIG. 4).

"A'" 영역에서 발산되는 열량은 상술한 바와 같이 가열램프(331b)의 단위면적 당 개수를 증가시키거나(도 5 참조), 출력이 크거나, 형상이 상이한 가열램프(331c, 331d)를 적용하여 "A" 영역의 온도를 보상할 수 있다. As described above, the amount of heat radiated from the area "A '" increases the number of heating lamps 331b per unit area (see FIG. 5) or the heating lamps 331c and 331d To compensate for the temperature in the "A " region.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 상태를 나타내는 도면이고, 도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 영역을 나타내는 도면이다. FIG. 7 is a view showing a state in which a chemical liquid is injected in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention, FIG. 8 is a drawing showing a region in which chemical liquid is injected in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention to be.

도 7 내지 도 8을 참조하면, 막대형 약액공급부(230b)가 적용된 경우를 나타낸다. 도 7은 막대형 약액공급부(230b)가 기판(S)의 회전중심(C)에서 반경방향으로 연장 형성된 것을 나타내는데, 이러한 경우에 약액은 도 8에서와 같이 "B" 영역에 분사되며, "B" 영역의 온도가 하강할 수 있다. Referring to FIGS. 7 to 8, a case is shown in which the rod-shaped drug solution supply unit 230b is applied. 7 shows that the rod-like chemical liquid supply portion 230b extends radially from the rotation center C of the substrate S. In this case, the chemical liquid is injected into the area "B" "The temperature of the region can fall.

도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 출력을 달리하는 상태를 나타내는 도면이고, 도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 밀도를 달리하는 상태를 나타내는 도면이며, 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 출력이 상이한 가열램프가 적용된 상태를 나타내는 도면이다. FIG. 9 is a view showing a state in which the output of the heating lamp is varied in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a graph showing the density of the heating lamp in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention FIG. 11 is a view showing a state in which a heating lamp having a different output is applied in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. FIG.

도 9 내지 도 11을 참조하면, "B" 영역에 대응하는 가열램프(331)의 "B'" 영역의 출력을 조절하는 것을 나타낸다. 즉 제2 실시예에서 가열램프(331a)는 "B'" 영역의 출력을 상승시키기 위하여, "B'"영역에 해당하는 가열램프(331a)의 출력을 증대시키거나(도 9 참조), 해당 위치의 가열램프(331b)의 밀도를 늘리거나(도 10 참조), 해당 위치에 크기, 형상, 출력 등이 상이한 가열램프(331e)를 적용하여(도 11 참조) 기판(S)의 "B" 영역의 온도저하를 보상한다.  Referring to Figs. 9 to 11, it is shown that the output of the "B" region of the heating lamp 331 corresponding to the "B" That is, in the second embodiment, the heating lamp 331a increases the output of the heating lamp 331a corresponding to the area "B '" (see FIG. 9) The heating lamp 331e having a different size, shape, or output is applied to the position (see FIG. 11) or the "B" position of the substrate S Thereby compensating for the temperature drop of the region.

도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 상태를 나타내는 도면이고, 도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 영역을 나타내는 도면이다. FIG. 12 is a view showing a state in which a chemical liquid is injected in the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention, FIG. 13 is a drawing showing a region in which chemical liquid is injected in the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention to be.

도 12 및 도 13을 참조하면, 소정의 경로를 따라 이동하면서 약액을 분사하는 약액공급부(230c)를 나타낸다. 도 12는 이동형 약액공급부(230c)가 적용된 경우 기판(S)에 약액이 분사되는 영역인 "C"를 나타낸다. 12 and 13, there is shown a chemical solution supply unit 230c for spraying a chemical solution while moving along a predetermined path. 12 shows "C" where the chemical liquid is injected to the substrate S when the movable chemical liquid supply portion 230c is applied.

도 14는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 출력을 달리하는 상태를 나타내는 도면이고, 도 15는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 밀도를 달리하는 상태를 나타내는 도면이며, 도 16은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 출력이 상이한 가열램프가 적용된 상태를 나타내는 도면이다. FIG. 14 is a view showing a state in which the output of the heating lamp is varied in the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 15 is a graph showing the density of the heating lamp in the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention FIG. 16 is a view showing a state in which a heating lamp having a different output is applied in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. FIG.

도 14 내지 도 16을 참조하면, "C" 영역에 대응하는 가열램프(331)의 "C'" 영역의 출력을 조절하는 것을 나타낸다. 즉 제2 실시예에서 가열램프(331)는 "C'" 영역의 출력을 상승시키기 위하여, "C'"영역에 해당하는 가열램프(331a)의 출력을 증대시키거나(도 14 참조), 해당 위치의 가열램프(331b)의 밀도를 늘리거나(도 15 참조), 해당 위치에 크기, 형상, 출력 등이 상이한 가열램프(331f)를 적용하여(도 16 참조) 기판(S)의 "B" 영역의 온도저하를 보상한다. Referring to Figs. 14 to 16, it is shown that the output of the "C '" region of the heating lamp 331 corresponding to the "C" That is, in the second embodiment, the heating lamp 331 increases the output of the heating lamp 331a corresponding to the area C '' (see FIG. 14) (Refer to Fig. 15), the heating lamp 331f having a different size, shape, output or the like is applied to the position (refer to Fig. 16) Thereby compensating for the temperature drop of the region.

본 실시예에서 기판 처리장치(1)는 온도측정부재(400) 및 제어부재(500)를 더 포함한다. 온도측정부재(400)는 기판(S)의 온도를 측정하고, 측정된 온도값을 제어부재(500)에 전달한다. 본 실시예에서 온도측정부재(400)는 파이로미터로 예시되며, 척테이블부(110)에 장착되어 기판(S)의 온도를 측정하는 복수 개의 온도측정부(410)를 포함한다. In the present embodiment, the substrate processing apparatus 1 further includes a temperature measuring member 400 and a control member 500. The temperature measuring member 400 measures the temperature of the substrate S and transfers the measured temperature value to the control member 500. [ In this embodiment, the temperature measuring member 400 is exemplified as a pyrometer and includes a plurality of temperature measuring portions 410 mounted on the chuck table portion 110 to measure the temperature of the substrate S.

제어부재(500)는 온도측정부재(400)에서 측정한 기판(S)의 온도 분포에 따라 가열램프(331)의 출력을 조절한다. 본 실시예에서 제어부재(500)는 미리 지정하거나, 온도측정부재(400)에서 전달받은 기판(S)의 부위별 온도를 기초로, 가열램프(331)에 인가되는 전력을 조절하는 방식으로 가열램프(331)의 출력을 조절한다.
The control member 500 adjusts the output of the heating lamp 331 according to the temperature distribution of the substrate S measured by the temperature measuring member 400. In this embodiment, the control member 500 is heated or heated in such a manner that the power applied to the heating lamp 331 is adjusted based on the temperature of each part of the substrate S received from the temperature measuring member 400, And adjusts the output of the lamp 331.

이하, 상기와 같은 구조를 가지는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치(1)의 작동원리 및 효과를 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the operation principle and effects of the substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention will be described.

척핀(115)이 대기위치에 있는 상태에서 기판(S)을 기판지지부재(100)의 고정핀(113)의 상측에 안착한 후 척핀(115)을 지지위치로 이동시켜 기판(S)을 견고하게 지지한다. The substrate S is placed on the upper side of the fixing pin 113 of the substrate supporting member 100 with the chuck pin 115 at the standby position and then the chuck pin 115 is moved to the supporting position to firmly hold the substrate S .

기판(S)을 처리하는 소정의 과정 중에 약액의 공급이 필요한 경우, 밸브(253)를 구동하고, 약액안내관(251)을 통하여 약액을 약액공급부(230)로 공급한다. 약액공급부(230)에 공급된 약액은 약액공급부재(200)를 통하여 기판에 분사된다. The valve 253 is driven and the chemical liquid is supplied to the chemical liquid supply unit 230 through the chemical liquid guide pipe 251. In this case, The chemical liquid supplied to the chemical liquid supply unit 230 is injected onto the substrate through the chemical liquid supply member 200.

약액이 기판(S)에 공급되면, 약액이 기판(S)에 공급되는 영역의 온도가 다른 부위에 비하여 낮아질 수 있다. When the chemical liquid is supplied to the substrate S, the temperature of the region where the chemical liquid is supplied to the substrate S may be lower than the other portions.

약액공급부(230)를 통하여 분사되는 약액이 기판(S)에 공급되는 부위가 일정한 경우에는 해당 부위에 대응되는 위치의 가열램프(331)의 출력을 상승시켜 온도가 낮아진 것을 보상한다. When the portion of the chemical solution injected through the chemical solution supply unit 230 is constantly supplied to the substrate S, the output of the heating lamp 331 at the position corresponding to the site is raised to compensate for the lowered temperature.

약액이 공급된 부위의 온도를 보상하기 위하여 대응되는 위치의 가열램프(331)의 출력을 달리하는 내용은 상술한 바와 같다. The contents of the output of the heating lamp 331 at the corresponding position to compensate for the temperature of the region where the chemical solution is supplied are different as described above.

본 실시예에서 기판 처리장치(1)는, 약액이 공급되는 부위에 대응되는 위치의 가열램프(331)의 출력을 조절하여 온도를 보상함으로써, 기판(S)의 온도를 균일하게 유지할 수 있는 효과가 있다.In the present embodiment, the substrate processing apparatus 1 adjusts the output of the heating lamp 331 at a position corresponding to the region where the chemical liquid is supplied, thereby compensating for the temperature, thereby achieving an effect of uniformly maintaining the temperature of the substrate S .

또한 본 실시예에서 기판 처리장치(1)는 온도측정부재(400) 및 제어부재(500)를 이용하여 가열램프부(330)의 출력을 조절함으로써, 기판(S)의 온도 불균일을 실시간으로 조정할 수 있다.
In this embodiment, the substrate processing apparatus 1 adjusts the output of the heating lamp unit 330 using the temperature measuring member 400 and the control member 500, thereby adjusting the temperature unevenness of the substrate S in real time .

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. I will understand. Accordingly, the true scope of protection of the present invention should be defined by the following claims.

1: 기판 처리장치 100: 기판지지부재
110: 척테이블부 111: 척테이블
113: 고정핀 115: 척핀
130: 회전축부 150: 구동부
200: 약액공급부재 210: 약액저장부
230, 230a, 230b, 230c: 약액공급부 250: 약액안내부
251: 약액안내관 253: 밸브
300: 기판가열부재 310: 램프장착부
330, 330a, 330b, 330c, 330d, 330e, 330f: 가열램프부
331: 가열램프 400: 온도측정부재
410: 온도측정부 500: 제어부재
S: 기판1: substrate processing apparatus 100: substrate supporting member
110: chuck table part 111: chuck table
113: fixing pin 115:
130: rotating shaft part 150:
200: chemical liquid supply member 210: chemical liquid storage unit
230, 230a, 230b, 230c: chemical liquid supply unit 250: chemical liquid guide unit
251: chemical liquid guide tube 253: valve
300: substrate heating member 310: lamp mounting portion
330, 330a, 330b, 330c, 330d, 330e, and 330f:
331: Heating lamp 400: Temperature measuring member
410: temperature measuring unit 500: control member
S: substrate

Claims (5)

기판을 지지하는 기판지지부재;
상기 기판에 약액을 공급하는 약액공급부재; 및
상기 약액공급부재에서 공급된 약액이 상기 기판에 공급되는 위치에 따라 가열 정도를 달리하여 상기 기판을 가열하는 기판가열부재;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
A substrate support member for supporting the substrate;
A chemical liquid supply member for supplying a chemical liquid to the substrate; And
A substrate heating member for heating the substrate with different degrees of heating depending on a position at which the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply member is supplied to the substrate;
The substrate processing apparatus comprising:
제 1항에 있어서, 상기 기판가열부재는,
상기 기판의 일측에 위치하는 램프장착부; 및
상기 램프장착부에 위치하고, 복수 개의 가열램프를 포함하며, 상기 기판에 약액이 분사되는 영역에 대응하는 영역의 단위면적당 출력을 조절하여 상기 기판을 가열하는 가열램프부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
The substrate heating apparatus according to claim 1,
A lamp mounting portion located at one side of the substrate; And
A heating lamp unit located at the lamp mounting unit and including a plurality of heating lamps for heating the substrate by adjusting an output per unit area of a region corresponding to a region where the chemical solution is injected to the substrate;
The substrate processing apparatus comprising:
제 2항에 있어서, 상기 가열램프부는,
제어부재가 약액이 상기 기판에 공급되는 영역에 대응되는 영역을 가열하는 상기 가열램프의 출력을 조절하여, 상기 가열램프의 위치별 출력을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
The apparatus according to claim 2,
Wherein the control unit adjusts the output of the heating lamp to heat an area corresponding to a region where the chemical liquid is supplied to the substrate, thereby adjusting the output of each heating lamp.
제 2항에 있어서, 상기 가열램프부는,
제어부재가 약액이 상기 기판에 공급되는 영역에 대응되는 영역을 가열하는 상기 가열램프의 단위면적당 개수를 조절하여, 상기 가열램프의 위치별 출력을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
The apparatus according to claim 2,
Wherein the control unit adjusts the number of the heating lamps per unit area to heat the area corresponding to the area where the chemical liquid is supplied to the substrate, thereby adjusting the output of each heating lamp.
제 3항 또는 제 4항에 있어서,
상기 기판의 온도를 측정하는 온도측정부재;를 더 포함하고,
상기 제어부재가 상기 온도측정부재에서 측정한 상기 기판의 온도 분포에 따라 상기 가열램프의 출력을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치. The method according to claim 3 or 4,
And a temperature measuring member for measuring a temperature of the substrate,
Wherein the control member adjusts the output of the heating lamp according to a temperature distribution of the substrate measured by the temperature measuring member.
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