KR20160019466A - Resin composition for display substrates, resin thin film for display substrates, and method for producing resin thin film for display substrates - Google Patents

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Abstract

본 발명은 높은 내열성과, 적당한 선 팽창 계수 및 높은 인장 강도를 갖는 디스플레이 기판용 수지 박막을 형성할 수 있는 디스플레이 기판용 수지 조성물을 제공한다. 본 발명은 식 (1-1) 및 식 (1-2) [식 중, Ar1 은 식 (2) 의 기를 나타내고, Ar2 는 식 (3) 의 기를 나타내고, Ar3 은 식 (4) 의 기를 나타내며, 또한 n1, n2 는 각 반복 단위의 수를 나타내고, n1/n2 = 1.7 ∼ 8.2 의 조건을 만족한다] 로 나타내는 구조 단위를 적어도 50 몰% 함유하는 폴리아믹산으로서, 중량 평균 분자량이 5000 이상인 폴리아믹산을 함유하는 디스플레이 기판용 수지 조성물에 의해서 상기 과제를 해결한다.

Figure pct00008

Figure pct00009
The present invention provides a resin composition for a display substrate capable of forming a resin thin film for a display substrate having a high heat resistance, a suitable linear expansion coefficient and a high tensile strength. Of the present invention is the formula (1-1) and (1-2): wherein, Ar 1 represents a group of the formula (2), Ar 2 represents a group of formula (3), Ar 3 is the formula (4) And n 1 and n 2 each represent the number of each repeating unit, and satisfy the following condition: n 1 / n 2 = 1.7 to 8.2]. The polyamic acid contains at least 50 mol% The above problems are solved by a resin composition for a display substrate containing a polyamic acid having a molecular weight of 5,000 or more.
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Description

디스플레이 기판용 수지 조성물, 디스플레이 기판용 수지 박막 및 디스플레이 기판용 수지 박막의 제조 방법 {RESIN COMPOSITION FOR DISPLAY SUBSTRATES, RESIN THIN FILM FOR DISPLAY SUBSTRATES, AND METHOD FOR PRODUCING RESIN THIN FILM FOR DISPLAY SUBSTRATES}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a resin composition for a display substrate, a resin thin film for a display substrate, and a method for producing a resin thin film for a display substrate,

본 발명은 디스플레이 기판용 수지 조성물, 디스플레이 기판용 수지 박막 및 디스플레이 기판용 수지 박막의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition for a display substrate, a resin thin film for a display substrate, and a method for producing a resin thin film for a display substrate.

최근, 유기 일렉트로루미네선스 디스플레이나 액정 디스플레이 등의 표시 장치 분야에서는, 고정세화에 더하여 경량화, 플렉시블화 등에 대한 요구가 점점 높아지고 있다. 이와 같은 사정 하에서, 제조가 용이하고, 높은 내열성을 갖는 것이 알려진 폴리이미드 수지가 유리를 대체할 디스플레이용 기판 재료로서 주목받고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, in the field of display devices such as organic electroluminescence displays and liquid crystal displays, demands for lighter weight, more flexible, and the like have been increased in addition to high definition. Under such circumstances, a polyimide resin that is easy to manufacture and known to have high heat resistance has attracted attention as a substrate material for a display to replace glass.

그러나, 폴리이미드를 디스플레이 기판의 재료로서 사용하기에는, 유리의 선 팽창 계수 (약 3 ∼ 8 ppm/K 정도) 에 가까운 값이 필요해지지만, 대부분의 폴리이미드는 60 ∼ 80 ppm/K 정도의 선 팽창 계수를 갖기 때문에 디스플레이의 기판 재료에 적합하지 않다.However, in order to use polyimide as a material for a display substrate, a value close to that of glass is required to be close to that of glass (about 3 to 8 ppm / K), but most of the polyimide has a linear expansion of about 60 to 80 ppm / K And is not suitable for the substrate material of the display.

고정세 디스플레이에는 액티브 매트릭스 구동 패널이 사용되고 있고, 매트릭스상의 화소 전극에 추가하여, 박막 액티브 소자를 포함하는 액티브 매트릭스층을 형성할 때에는 300 ∼ 500 ℃ 정도의 고온 처리가 필요한 것에 더하여, 정확한 위치 맞춤도 필요해진다. 그러나, 폴리이미드는 선 팽창 계수의 특성 면에서 유리에 뒤지기 때문에, 고온 하에서 유리 기판보다 크게 수축되거나 또는 팽창되어 버리기 때문에, 폴리이미드를 기판 재료로서 사용했을 경우, 디스플레이의 제조 프로세스에서 높은 치수 안정성을 유지하기는 곤란해지는 경우가 많다An active matrix drive panel is used for the fixed three displays. In addition to the pixel electrodes on the matrix, when forming the active matrix layer including the thin film active elements, a high temperature treatment of about 300 to 500 DEG C is required, It becomes necessary. However, polyimide shrinks or expands more than the glass substrate at high temperature because it strikes glass in terms of the coefficient of linear expansion coefficient. Therefore, when polyimide is used as a substrate material, it has a high dimensional stability It is often difficult to maintain

그러므로, 폴리이미드의 내열성을 살리면서, 바람직한 선 팽창 계수 특성을 실현하기 위해서는 적절한 분자 설계가 필요해진다.Therefore, proper molecular design is required in order to realize the preferable coefficient of linear expansion while making good the heat resistance of the polyimide.

낮은 선 팽창성을 나타내는 폴리이미드로서 강직성이 높은 산 2 무수물과 디아민으로 이루어지는 폴리이미드가 제안되어 있지만, 폴리머의 유리 전이 온도 근방의 고온 영역 (300 ∼ 500 ℃) 에서 높은 선 팽창성이 되는 점이나, 폴리머 골격의 강직성이 지나치게 높을 경우, 필름의 강도나 유연성이 손상되는 등의 과제는 많고 (특허문헌 1, 비특허문헌 1), 고도한 요구를 충분히 만족하는 것은 여전히 알려져 있지 않다.Polyimide having a high linear rigidity and a diamine is proposed as a polyimide exhibiting low linear expansion property. However, it has a high linear expansion property in a high temperature region (300 to 500 占 폚) near the glass transition temperature of the polymer, When the rigidity of the skeleton is excessively high, there are many problems such that the strength and flexibility of the film are impaired (Patent Document 1, Non-Patent Document 1), and it is still unknown that the film satisfies the high requirements.

일본 공개특허공보 2010-202729호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2010-202729

Journal of Applied Polymer Science, Vol.62, 2303-2310 (1996)  Journal of Applied Polymer Science, Vol. 62, 2303-2310 (1996)

따라서, 유리를 대체할 디스플레이용 기판 재료가 될 수 있는, 높은 내열성과, 적당한 선 팽창 계수 및 높은 인장 강도를 갖는 폴리이미드계의 디스플레이 기판용 수지 박막을 제조하는 것이 여전히 요구되고 있다.Therefore, it is still desired to produce a polyimide-based resin thin film for a display substrate which has high heat resistance, suitable linear expansion coefficient and high tensile strength, which can be a substrate material for a display to replace glass.

본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 높은 내열성과, 적당한 선 팽창 계수 및 높은 인장 강도를 갖는 디스플레이 기판용 수지 박막을 형성할 수 있는 디스플레이 기판용 수지 조성물의 제공을 그 목적으로 한다.The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a resin composition for a display substrate capable of forming a resin thin film for a display substrate having a high heat resistance, an appropriate linear expansion coefficient and a high tensile strength.

상세하게는, 본 발명은 범용성이 있는 산 2 무수물과 디아민을 주성분으로 하고, 디스플레이의 제조 프로세스에 견딜 수 있는 내열성, 적당한 유연성 및 적당한 선 팽창 계수, 특히 400 ∼ 500 ℃ 부근에서의 적당한 선 팽창 계수를 갖는 수지 박막을 형성할 수 있는 디스플레이 기판용 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.More particularly, the present invention relates to a composition comprising a general dianhydride and a diamine as main components and having heat resistance capable of withstanding the manufacturing process of the display, a suitable flexibility and an appropriate linear expansion coefficient, particularly a linear coefficient of linear expansion Which is capable of forming a resin thin film having a low refractive index and a low refractive index.

또한, 여기서 말하는 적당한 유연성이란 수지 박막이 자기 지지성이 있으며, 또한 90 도 혹은 그에 가까운 각도로 굽혀도 균열되지 않을 정도의 높은 유연성을 말한다.The suitable flexibility referred to herein means a degree of flexibility that the resin thin film has self-supporting property and is not cracked even when bent at an angle of 90 degrees or the like.

본 발명자는 이번에 예의 검토를 거듭한 결과, 예상 외로, 피로멜리트산 무수물 (PMDA) 과, p-페닐렌디아민 (pPDA) 과, 4,4˝-디아미노-p-터페닐 (TPDA) 로부터 유도되는, 특정 폴리아믹산을 함유하는 수지 조성물을 사용함으로써, 디스플레이 기판에 필요한 내열성, 적당한 유연성 및 적당한 선 팽창 계수를 갖는 수지 박막이 얻어지는 것을 알아냈다. 얻어진 수지 박막은 또, 높은 인장 강도를 갖는 것으로서, 이들 특성으로부터 유리를 대체할 특성을 구비한 우수한 디스플레이용 기판 재료가 될 수 있는 것임을 알았다. 본 발명은 이들 지견에 기초하는 것이다.The inventors of the present invention have conducted intensive studies, and as a result, unexpectedly, the inventors of the present invention have found that, unexpectedly, pyramidal acid anhydrides (PMDA), p-phenylenediamine (pPDA), and 4,4'-diamino- A resin thin film having required heat resistance, suitable flexibility and appropriate coefficient of linear expansion can be obtained by using a resin composition containing a specific polyamic acid. It was also found that the resulting resin thin film also had a high tensile strength and could be a substrate material for a display having excellent properties to replace glass from these characteristics. The present invention is based on these findings.

따라서 본 발명은 아래와 같은 발명에 관한 것이다.Therefore, the present invention relates to the following invention.

<1> 하기의 식 (1-1) 및 식 (1-2) 로 나타내는 구조 단위를 적어도 50 몰% 함유하는 폴리아믹산으로서, 중량 평균 분자량이 5000 이상인 폴리아믹산을 함유하는 디스플레이 기판용 수지 조성물.<1> A resin composition for a display substrate comprising a polyamic acid having a weight average molecular weight of 5000 or more as a polyamic acid containing at least 50 mol% of structural units represented by the following formulas (1-1) and (1-2).

[화학식 1] [Chemical Formula 1]

Figure pct00001
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[식 중,[Wherein,

Ar1 은 하기 식 (2) 의 2 가의 기를 나타내고,Ar 1 represents a divalent group represented by the following formula (2)

Ar2 는 하기 식 (3) 의 2 가의 기를 나타내고,Ar 2 represents a divalent group represented by the following formula (3)

Ar3 은 하기 식 (4) 의 4 가의 기를 나타내며, 또한Ar 3 represents a tetravalent group represented by the following formula (4), and

n1, n2 는 각 반복 단위의 수를 나타내고, n1/n2 = 1.7 ∼ 8.2 의 조건을 만족한다].n 1 and n 2 represent the number of each repeating unit and satisfy the condition of n 1 / n 2 = 1.7 to 8.2].

[화학식 2] (2)

Figure pct00002
Figure pct00002

<2> 상기 <1> 에 있어서, 식 (1-1) 및 식 (1-2) 에 있어서, n1 및 n2 가 n1/n2 = 1.5 ∼ 6.0 의 조건을 만족하는 것이 좋다.<2> In the above-mentioned <1>, it is preferable that n 1 and n 2 in the formula (1-1) and the formula (1-2) satisfy the condition of n 1 / n 2 = 1.5 to 6.0.

<3> 상기 <1> 또는 <2> 에 있어서, 상기 폴리아믹산이 식 (1-1) 및 식 (1-2) 로 나타나는 구조 단위를 적어도 80 몰% 함유하는 것이 좋다.<3> The polyamic acid according to any one of <1> and <2>, wherein the polyamic acid contains at least 80 mol% of structural units represented by formulas (1-1) and (1-2).

<4> 상기 <1> ∼ <3> 중 어느 하나에 있어서, 디스플레이 기판용 수지 조성물이 용제에 용해되어 이루어지는 것이 좋다.<4> It is preferable that any one of the above-mentioned <1> to <3>, wherein the resin composition for a display substrate is dissolved in a solvent.

<5> 상기 <1> ∼ <4> 중 어느 하나의 디스플레이 기판용 수지 조성물을 사용하여 제조되는 디스플레이 기판용 수지 박막.&Lt; 5 &gt; A resin thin film for a display substrate produced using the resin composition for a display substrate according to any one of &lt; 1 &gt; to &lt; 4.

<6> 상기 <5> 의 디스플레이 기판용 수지 박막을 구비하는 화상 표시 장치.&Lt; 6 &gt; An image display device comprising the resin thin film for a display substrate of the above-mentioned &lt; 5 &gt;.

<7> 상기 <1> ∼ <4> 중 어느 하나의 디스플레이 기판용 수지 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기판용 수지 박막의 제조 방법. 하나의 바람직한 양태에 있어서, 상기 디스플레이 기판용 수지 박막의 제조 방법은, 상기 디스플레이 기판용 수지 조성물을 기판에 도포하고, 가열하는 공정을 포함한다.&Lt; 7 &gt; A method for producing a resin thin film for a display substrate, wherein the resin composition for a display substrate according to any one of &lt; 1 &gt; In one preferred embodiment, the method for producing a resin thin film for a display substrate includes a step of applying the resin composition for a display substrate to a substrate and then heating.

<8> 상기 <5> 의 디스플레이 기판용 수지 박막을 사용하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치의 제조 방법.&Lt; 8 &gt; A method for manufacturing an image display apparatus, characterized by using the resin thin film for a display substrate according to &lt; 5 &gt;.

본 발명의 디스플레이 기판용 수지 조성물은, 범용성이 있는 산 2 무수물 및 범용성이 있는 디아민을 주성분으로 하여 제조할 수 있고, 이것을 사용함으로써, 웨트 프로세스에 의해서 높은 내열성, 적당한 유연성 및 적당한 선 팽창 계수, 특히 400 ∼ 500 ℃ 부근에 있어서의 적당한 선 팽창 계수를 갖는 수지 박막을 대면적으로 양호한 재현성으로 얻을 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The resin composition for a display substrate of the present invention can be produced using a general-purpose acid dianhydride and a general-purpose diamine as a main component, and by using such a resin composition, it is possible to provide a resin composition for a display substrate having a high heat resistance, a suitable flexibility and a suitable linear expansion coefficient A resin thin film having an appropriate coefficient of linear expansion in the vicinity of 400 to 500 DEG C can be obtained with good reproducibility over a large area.

그러므로, 본 발명의 디스플레이 기판용 수지 조성물을 사용함으로써, 디스플레이의 경량화나 컴팩트화뿐만 아니라, 원재료비의 저감이나 제조 효율의 향상에 의한 디스플레이의 저가격화 등도 도모할 수 있게 된다Therefore, by using the resin composition for a display substrate of the present invention, it is possible not only to make the display light-weight and compact, but also to reduce the raw material cost and the display cost by improving the manufacturing efficiency

이하, 본 발명에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

디스플레이 기판용 수지 조성물Resin composition for display substrate

본 발명의 디스플레이 기판용 수지 조성물은, 상기한 바와 같이, 식 (1-1) 및 식 (1-2) 로 나타내는 구조 단위를 적어도 50 몰% 함유하는 폴리아믹산으로서, 그 중량 평균 분자량이 5000 이상인 폴리아믹산을 함유하는 것이다.As described above, the resin composition for a display substrate of the present invention is a polyamic acid containing at least 50 mol% of structural units represented by the formulas (1-1) and (1-2) and having a weight average molecular weight of 5000 or more It contains polyamic acid.

또 상기한 바와 같이, 식 (1-1) 및 식 (1-2) 에 있어서, Ar1 은 식 (2) 로 나타내는 2 가의 기를 나타내고, Ar2 는 식 (3) 으로 나타내는 2 가의 기를 나타내며, Ar3 은 식 (4) 로 나타내는 4 가의 기를 나타낸다.As described above, in the formulas (1-1) and (1-2), Ar 1 represents a divalent group represented by the formula (2), Ar 2 represents a divalent group represented by the formula (3) Ar 3 represents a tetravalent group represented by the formula (4).

식 (1-1) 및 식 (1-2) 에 있어서, n1, n2 는 각 반복 단위의 수를 나타내고, n1/n2 = 1.7 ∼ 8.2 의 조건을 만족한다. 여기서, 상기한 n1/n2 의 수치 범위의 하한치는 바람직하게는 2.1, 더욱 바람직하게는 3.2 이다. 한편, n1/n2 의 수치 범위의 상한치는 바람직하게는 7.5, 보다 바람직하게는 6.8, 보다 더 바람직하게는 6.0, 더욱 바람직하게는 5.1 이다.In the formulas (1-1) and (1-2), n 1 and n 2 represent the number of each repeating unit and satisfy the condition of n 1 / n 2 = 1.7 to 8.2. Here, the lower limit of the numerical range of n 1 / n 2 is preferably 2.1, more preferably 3.2. On the other hand, the upper limit of the numerical range of n 1 / n 2 is preferably 7.5, more preferably 6.8, even more preferably 6.0, still more preferably 5.1.

적당한 선 팽창 계수, 내열성, 유연성 (특히 인장 강도) 을 갖는 수지 박막을 양호한 재현성으로 얻는 것을 고려하면, n1/n2 는 2.1 ∼ 7.5 를 만족하는 것이 바람직하고, 2.1 ∼ 6.8 을 만족하는 것이 보다 바람직하며, 3.2 ∼ 6.0 을 만족하는 것이 보다 더 바람직하고, 3.2 ∼ 5.1 을 만족하는 것이 더욱 바람직하다.Considering that a resin thin film having an appropriate coefficient of linear expansion, heat resistance and flexibility (particularly tensile strength) is obtained with good reproducibility, n 1 / n 2 preferably satisfies 2.1 to 7.5, more preferably 2.1 to 6.8 More preferably from 3.2 to 6.0, and even more preferably from 3.2 to 5.1.

본 발명에서 사용하는 폴리아믹산은 식 (1-1) 및 식 (1-2) 로 나타내는 반복 단위를 적어도 50 몰%, 바람직하게는 적어도 60 몰%, 보다 바람직하게는 적어도 70 몰%, 보다 더 바람직하게는 적어도 80 몰%, 더욱 바람직하게는 적어도 90 몰% 함유한다. 이와 같은 양으로 폴리아믹산을 사용함으로써, 디스플레이 기판에 적합한 특성을 갖는 수지 박막을 양호한 재현성으로 얻을 수 있다.The polyamic acid to be used in the present invention contains at least 50 mol%, preferably at least 60 mol%, more preferably at least 70 mol%, and more preferably at least 50 mol% of repeating units represented by the formulas (1-1) Preferably at least 80 mol%, more preferably at least 90 mol%. By using polyamic acid in such an amount, a resin thin film having characteristics suitable for a display substrate can be obtained with good reproducibility.

본 발명의 특히 바람직한 양태에 의하면, 폴리아믹산은 식 (1-1) 및 식 (1-2) 로 나타내는 반복 단위만으로부터의 코폴리머, 즉 이들 반복 단위가 100 몰% 로 함유되는 폴리머이다.According to a particularly preferred embodiment of the present invention, the polyamic acid is a copolymer from only the repeating units represented by the formulas (1-1) and (1-2), that is, a polymer containing these repeating units in an amount of 100 mol%.

본 발명에서 사용하는 폴리아믹산의 중량 평균 분자량은 5000 이상일 필요가 있고, 바람직하게는 10,000 이상, 보다 바람직하게는 20,000 이상, 보다 더 바람직하게는 30,000 이상이다. 한편, 본 발명에서 사용하는 폴리아믹산의 중량 평균 분자량의 상한치는 통상적으로 2,000,000 이하이지만, 수지 조성물 (바니시) 의 점도가 과도하게 높아지는 것을 억제하는 것이나 유연성이 높은 수지 박막을 양호한 재현성으로 얻는 것 등을 고려하면, 바람직하게는 1,000,000 이하, 보다 바람직하게는 200,000 이하이다.The weight average molecular weight of the polyamic acid used in the present invention should be 5000 or more, preferably 10,000 or more, more preferably 20,000 or more, and even more preferably 30,000 or more. On the other hand, although the upper limit of the weight average molecular weight of the polyamic acid used in the present invention is usually 2,000,000 or less, it is preferable to suppress the excessively high viscosity of the resin composition (varnish), to obtain a resin thin film with high flexibility with good reproducibility Considering this, it is preferably 1,000,000 or less, and more preferably 200,000 or less.

본 발명에서 사용하는 폴리아믹산은 식 (1-1) 및 식 (1-2) 로 나타내는 구조 단위 이외에도 다른 구조 단위 (반복 단위) 를 함유해도 된다. 이와 같은 다른 구조 단위의 함유량은 50 몰% 미만일 필요가 있고, 40 몰% 미만인 것이 바람직하며, 30 몰% 미만인 것이 보다 바람직하고, 20 몰% 미만인 것이 보다 더 바람직하고, 10 몰% 미만인 것이 더욱 바람직하다.The polyamic acid used in the present invention may contain other structural units (repeating units) in addition to the structural units represented by formulas (1-1) and (1-2). The content of such another structural unit should be less than 50 mol%, preferably less than 40 mol%, more preferably less than 30 mol%, even more preferably less than 20 mol%, further preferably less than 10 mol% Do.

이와 같은 다른 구조 단위로는, o-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 2-메틸-1,4-페닐렌디아민, 5-메틸-1,3-페닐렌디아민, 4-메틸-1,3-페닐렌디아민, 2-(트리플루오로메틸)-1,4-페닐렌디아민, 2-(트리플루오로메틸)-1,3-페닐렌디아민 및 4-(트리플루오로메틸)-1,3-페닐렌디아민, 벤지딘, 2,2'-디메틸벤지딘, 3,3'-디메틸벤지딘, 2,3'-디메틸벤지딘, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 2,3'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 4,4'-디페닐에테르, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 5-아미노-2-(3-아미노페닐)-1H-벤조이미다졸, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌과 같은 디아민과, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 2 무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 4,4'-옥시디프탈산 무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 무수물과 같은 산 2 무수물로부터 유도되는 구조 등을 들 수 있다.Examples of such other structural units include o-phenylenediamine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 2-methyl-1,4-phenylenediamine, Phenylenediamine, 2- (trifluoromethyl) -1,4-phenylenediamine, 2- (trifluoromethyl) -1,3-phenylenediamine and 4- (tri Dimethylbenzidine, 2,3'-dimethylbenzidine, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -1,3-phenylenediamine, benzidine, 2,2'-dimethylbenzidine, ) Benzidine, 3,3'-bis (trifluoromethyl) benzidine, 2,3'-bis (trifluoromethyl) benzidine, 4,4'- Phenoxy) biphenyl, 4,4'-diaminobenzanilide, 5-amino-2- (3-aminophenyl) -1H-benzoimidazole and 9,9-bis Diamine, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic anhydride, 3, 3 ', 4,4'-benzophenone And structures derived from acid dianhydrides such as tetracarboxylic acid anhydrides.

본 발명에서 사용하는 폴리아믹산은 산 2 무수물로서의 피로멜리트산 무수물 (PMDA) (식 (5)) 과, 디아민으로서의, p-페닐렌디아민 (pPDA) (식 (6)) 및 4,4˝-디아미노-p-터페닐 (TPDA) (식 (7)) 을 반응시킴으로써 얻을 수 있다.The polyamic acid used in the present invention is a mixture of pyromellitic anhydride (PMDA) (formula (5)) as acid dianhydride and p-phenylenediamine (pPDA) (formula (6) Diamino-p-terphenyl (TPDA) (formula (7)).

[화학식 3] (3)

Figure pct00003
Figure pct00003

상기 반응에 있어서, 피로멜리트산 무수물 (PMDA) 과, p-페닐렌디아민 (pPDA) 및 4,4˝-디아미노-p-터페닐 (TPDA) 로 이루어지는 디아민의 주입비 (몰비) 는, 원하는 폴리아믹산의 분자량이나 구조 단위의 비율 등을 감안하여 적절히 설정할 수 있지만, 아민 성분 1 에 대해서 통상적으로 산 무수물 성분인 PMDA 0.7 ∼ 1.3 정도로 할 수 있고, 바람직하게는 0.8 ∼ 1.2 정도이다.In the above reaction, the injection ratio (molar ratio) of pyromellitic anhydride (PMDA), diamine consisting of p-phenylenediamine (pPDA) and 4,4'-diamino-p- terphenyl (TPDA) But it is usually about 0.7 to 1.3, and preferably about 0.8 to 1.2, of PMDA which is an acid anhydride component with respect to the amine component 1.

한편, 디아민인 pPA 와 TPDA 의 주입비는 TPDA 의 물질량 (m2) 을 1 로 했을 경우, pPDA 의 물질량 (m1) 을 통상적으로 1.7 ∼ 8.2 정도로 할 수 있지만, 바람직하게는 2.1 ∼ 7.5, 보다 바람직하게는 2.1 ∼ 6.8, 보다 더 바람직하게는 3.2 ∼ 6.0, 더욱 바람직하게는 3.2 ∼ 5.1 이다. 즉, m1 과 m2 는 통상적으로 m1/m2 = 1.7 ∼ 8.2 이고, 바람직하게는 2.1 ∼ 7.5 이며, 보다 바람직하게는 2.1 ∼ 6.8 이고, 보다 더 바람직하게는 3.2 ∼ 6.0 이며, 더욱 바람직하게는 3.2 ∼ 5.1 이다.On the other hand, the injection ratio of the diamine and the pPA TPDA is the amount of substance of TPDA (m 2) (M &lt; 1 &gt;) of the pPDA, But it is preferably from 2.1 to 7.5, more preferably from 2.1 to 6.8, even more preferably from 3.2 to 6.0, still more preferably from 3.2 to 5.1. That is, m 1 and m 2 are usually in the range of m 1 / m 2 = 1.7 to 8.2, preferably 2.1 to 7.5, more preferably 2.1 to 6.8, still more preferably 3.2 to 6.0, It is 3.2 ~ 5.1.

상기 반응은 용매 중에서 행하는 것이 바람직하고, 용매를 사용할 경우, 그 종류는 반응에 악영향을 미치지 않는 것이면 각종 용제를 사용할 수 있다.The above reaction is preferably carried out in a solvent. When a solvent is used, various solvents may be used so far as they do not adversely affect the reaction.

구체예로는, m-크레졸, 2-피롤리돈, N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N-비닐-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-에톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-프로폭시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-이소프로폭시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-sec-부톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-tert-부톡시-N,N-디메틸프로필아미드, γ-부티로락톤 등의 프로톤성 용제 등을 들 수 있다. 이것들은 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Specific examples include m-cresol, 2-pyrrolidone, N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N- N-dimethylformamide, 3-methoxy-N, N-dimethylpropylamide, 3-ethoxy-N, Butoxy-N, N-dimethylpropylamide, 3-tert-butoxy-N, N-dimethylacetamide, , N-dimethylpropylamide, and? -Butyrolactone. These may be used alone or in combination of two or more.

반응 온도는 사용하는 용매의 융점부터 비점까지의 범위에서 적절히 설정하면 되고, 통상적으로 0 ∼ 100 ℃ 정도이지만, 얻어지는 폴리아믹산의 이미드화를 방지하여 폴리아믹산 단위의 고함유량을 유지하기 위해서는, 바람직하게는 0 ∼ 70 ℃ 정도이고, 보다 바람직하게는 0 ∼ 60 ℃ 정도이며, 보다 더 바람직하게는 0 ∼ 50 ℃ 정도이다.The reaction temperature may be appropriately set in the range from the melting point to the boiling point of the solvent to be used and is usually about 0 to 100 ° C. In order to prevent imidization of the resulting polyamic acid and maintain a high content of the polyamic acid unit, Is about 0 to 70 ° C, more preferably about 0 to 60 ° C, and even more preferably about 0 to 50 ° C.

반응 시간은 반응 온도나 원료 물질의 반응성에 의존하기 때문에 일률적으로 규정할 수 없지만, 통상적으로 1 ∼ 100 시간 정도이다.The reaction time depends on the reaction temperature and the reactivity of the raw material, and therefore can not be uniformly defined, but is usually about 1 to 100 hours.

이상에서 설명한 방법에 의해서 목적으로 하는 폴리아믹산을 함유하는 반응 용액을 얻을 수 있다.The reaction solution containing the target polyamic acid can be obtained by the above-described method.

본 발명에 있어서는 통상적으로 상기 반응 용액을 여과한 후, 그 여과액을 그대로, 또는 희석 혹은 농축하여 디스플레이 기판용 수지 조성물 (바니시) 로서 사용한다. 이와 같이 함으로써, 얻어지는 수지 박막의 내열성, 유연성 혹은 선 팽창 계수 특성의 악화 원인이 될 수 있는 불순물의 혼입을 저감할 수 있을 뿐만 아니라, 효율적으로 조성물을 얻을 수 있다.In the present invention, the reaction solution is usually filtered, and the filtrate is directly used, diluted or concentrated to be used as a resin composition (varnish) for a display substrate. By doing so, it is possible not only to reduce the incorporation of impurities which may cause deterioration of the heat resistance, flexibility or linear expansion coefficient characteristics of the resulting resin thin film, but also to obtain the composition efficiently.

희석이나 농축에 사용하는 용매는 특별히 한정되는 것이 아니고, 예를 들어, 상기 반응의 반응 용매의 구체예와 동일한 것을 들 수 있고, 이것들은 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The solvent used for the dilution or concentration is not particularly limited and, for example, the same solvents as the specific examples of the reaction solvent for the above reaction may be used, and these solvents may be used alone or in combination of two or more.

이 중에서도, 평탄성이 높은 수지 박막을 양호한 재현성으로 얻는 것을 고려하면, 사용하는 용제로는 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, N-에틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤이 바람직하다.Among them, in consideration of obtaining a resin thin film having high flatness with good reproducibility, it is preferable to use N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl- 3-dimethyl-2-imidazolidinone, N-ethyl-2-pyrrolidone and? -Butyrolactone are preferable.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 반응 용액을 통상적인 방법에 따라서 후처리하여 폴리아믹산을 단리한 후, 단리된 폴리아믹산을 용매에 용해 또는 분산시킴으로써 얻어지는 바니시를 디스플레이 기판용 수지 조성물로서 사용해도 된다. 이 경우, 평탄성이 높은 박막을 양호한 재현성으로 얻는 것을 고려하면, 폴리아믹산은 용매에 용해되어 있는 것이 바람직하다. 용해나 분산에 사용하는 용매는 특별히 한정되는 것이 아니고, 예를 들어, 상기 반응의 반응 용매의 구체예와 동일한 것을 들 수 있고, 이것들은 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.In the present invention, a varnish obtained by post-treating the reaction solution according to a conventional method to isolate the polyamic acid and dissolving or dispersing the isolated polyamic acid in a solvent may be used as the resin composition for a display substrate. In this case, it is preferable that the polyamic acid is dissolved in a solvent in consideration of obtaining a highly flat thin film with good reproducibility. The solvent used for dissolving or dispersing is not particularly limited and, for example, the same solvents as the specific examples of the reaction solvent for the above reaction may be used, and these solvents may be used alone or in combination of two or more.

폴리아믹산의 바니시 총질량에 대한 농도는 제조될 박막의 두께나 바니시 점도 등을 감안하여 적절히 설정하는 것이기는 하지만, 통상적으로 0.5 ∼ 30 질량% 정도, 바람직하게는 5 ∼ 25 질량% 정도이다.The concentration of the polyamic acid with respect to the total weight of the varnish is appropriately set in consideration of the thickness of the thin film to be produced, the varnish viscosity, and the like, but is usually about 0.5 to 30 mass%, preferably about 5 to 25 mass%.

또, 바니시의 점도도 제조될 박막의 두께 등을 감안하여 적절히 설정하는 것이기는 하지만, 특히 5 ∼ 50 ㎛ 정도 두께의 수지 박막을 양호한 재현성으로 얻는 것을 목적으로 할 경우, 통상적으로 25 ℃ 에서 500 ∼ 50,000 m㎩·s 정도, 바람직하게는 1,000 ∼ 20,000 m㎩·s 정도이다.The viscosity of the varnish is suitably set in consideration of the thickness of the thin film to be produced. In particular, when it is intended to obtain a resin thin film having a thickness of about 5 to 50 mu m with good reproducibility, 50,000 mPa · s, preferably about 1,000 to 20,000 mPa · s.

여기서, 바니시의 점도는 시판되는 액체의 점도 측정용 점도계를 사용하고, 예를 들어, JIS K7117-2 에 기재된 순서를 참조하여 바니시 온도 25 ℃ 의 조건에서 측정할 수 있다. 바람직하게는 점도계로는 원추 평판형 (콘 플레이트형) 회전 점도계를 사용하고, 바람직하게는 동형의 점도계이고 표준 콘 로터로서 1°34‘×R24 를 사용하여 바니시 온도 25 ℃ 의 조건에서 측정할 수 있다. 이와 같은 회전 점도계로는, 예를 들어 토키 산업 주식회사 제조 TVE-25H 를 들 수 있다.Here, the viscosities of the varnishes can be measured under the conditions of a varnish temperature of 25 deg. C, for example, with reference to the procedure described in JIS K7117-2, using a commercially available viscometer for viscosity measurement of liquids. Preferably, a conical plate type (cone plate type) rotational viscometer is used as the viscometer, preferably a viscometer of the same type, and measurement is made under the condition of a varnish temperature of 25 DEG C using 1 DEG 34 'x R24 as a standard cone rotor have. As such a rotational viscometer, for example, TVE-25H manufactured by Toki Industry Co., Ltd. can be mentioned.

이상에서 설명한 본 발명의 디스플레이 기판용 수지 조성물을 기체에 도포하여 가열함으로써, 높은 내열성과, 적당한 유연성과, 적당한 선 팽창 계수를 갖는 폴리이미드로 이루어지는 수지 박막을 얻을 수 있다.By applying the resin composition for a display substrate of the present invention described above to a substrate and then heating it, a resin thin film made of polyimide having high heat resistance, suitable flexibility, and appropriate linear expansion coefficient can be obtained.

기체 (기재) 로는, 예를 들어 플라스틱 (폴리카보네이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리에스테르, 폴리올레핀, 에폭시, 멜라민, 트리아세틸셀룰로오스, ABS, AS, 노르보르넨계 수지 등), 금속 (실리콘 웨이퍼 등), 목재, 종이, 유리, 슬레이트 등을 들 수 있다.As the substrate (substrate), for example, a plastic (polycarbonate, polymethacrylate, polystyrene, polyester, polyolefin, epoxy, melamine, triacetylcellulose, ABS, AS, norbornene- ), Wood, paper, glass, slate, and the like.

도포하는 방법은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 캐스트 코트법, 스핀 코트법, 블레이드 코트법, 딥 코트법, 롤 코트법, 바 코트법, 다이 코트법, 잉크젯법, 인쇄법 (볼록판, 오목판, 평판, 스크린 인쇄 등) 등을 들 수 있다.The coating method is not particularly limited. For example, a coating method such as a cast coating method, a spin coating method, a blade coating method, a dip coating method, a roll coating method, a bar coating method, a die coating method, an ink jet method, , Flat panel, screen printing, etc.).

또 본 발명의 디스플레이 기판용 수지 조성물 중에 함유되는 폴리아믹산을 이미드화시키는 방법으로는, 기판 상에 도포된 수지 조성물을 그대로 가열하는 열이미드화, 및 수지 조성물 중에 촉매를 첨가하여 가열하는 촉매 이미드화를 들 수 있다.As a method of imidizing the polyamic acid contained in the resin composition for a display substrate of the present invention, it is also possible to heat-imidize the resin composition coated on the substrate as it is, And the like.

폴리아믹산의 촉매 이미드화는 본 발명의 수지 조성물 중에 촉매를 첨가하고, 교반함으로써 촉매 첨가 수지 조성물을 조정한 후, 기판에 도포, 가열함으로써 수지 박막이 얻어진다. 촉매의 양은 아미드 산기의 0.1 내지 30 몰배, 바람직하게는 1 내지 20 몰배이다. 또 촉매 첨가 수지 조성물 중에 탈수제로서 무수 아세트산 등을 첨가할 수도 있고, 그 양은 아미드 산기의 1 내지 50 몰배, 바람직하게는 3 내지 30 몰배이다.In the catalyst imidization of polyamic acid, a catalyst thin film is obtained by adding a catalyst to the resin composition of the present invention and stirring the mixture to adjust the catalyst-added resin composition, applying the composition to the substrate, and heating. The amount of the catalyst is 0.1 to 30 moles, preferably 1 to 20 moles, of the amide group. Acetic anhydride or the like may be added as a dehydrating agent to the catalyst-containing resin composition. The amount thereof is 1 to 50 molar equivalents, preferably 3 to 30 molar equivalents, of the amide acid group.

이미드화 촉매로는 3 급 아민을 사용하는 것이 바람직하다. 3 급 아민으로는 피리딘, 치환 피리딘류, 이미다졸, 치환 이미다졸류, 피콜린, 퀴놀린, 이소퀴놀린 등이 바람직하다.As the imidation catalyst, it is preferable to use a tertiary amine. As the tertiary amine, pyridine, substituted pyridines, imidazole, substituted imidazoles, picoline, quinoline, isoquinoline and the like are preferable.

열이미드화 및 촉매 이미드화시의 가열 온도는 450 ℃ 이하가 바람직하다. 450 ℃ 를 초과하면, 얻어지는 수지 박막이 취약해져 디스플레이 기판 용도에 적절한 수지 박막을 얻을 수 없는 경우가 있다.The heating temperature at the time of heat imidization and catalyst imidization is preferably 450 캜 or lower. If the temperature exceeds 450 ° C, the resin thin film to be obtained becomes fragile, and a resin thin film suitable for display substrate use may not be obtained.

또, 얻어지는 수지 박막의 내열성과 선 팽창 계수 특성을 고려하면, 도포된 수지 조성물을 50 ℃ ∼ 100 ℃ 에서 5 분간 ∼ 2 시간 가열한 후, 그대로 단계적으로 가열 온도를 상승시켜 최종적으로 375 ℃ 초과 ∼ 450 ℃ 에서 30 분 ∼ 4 시간 가열하는 것이 바람직하다.In consideration of heat resistance and linear expansion coefficient characteristics of the obtained resin thin film, the applied resin composition is heated at 50 to 100 DEG C for 5 minutes to 2 hours, and then is heated stepwise as it is, It is preferable to heat at 450 占 폚 for 30 minutes to 4 hours.

특히, 도포된 수지 조성물은 50 ℃ ∼ 100 ℃ 에서 5 분간 ∼ 2 시간 가열한 후, 100 ℃ 초과 ∼ 200 ℃ 에서 5 분간 ∼ 2 시간, 이어서, 200 ℃ 초과 ∼ 375 ℃ 에서 5 분간 ∼ 2 시간, 마지막으로 375 ℃ 초과 ∼ 450 ℃ 에서 30 분 ∼ 4 시간 가열하는 것이 바람직하다.Particularly, the applied resin composition is heated at 50 ° C to 100 ° C for 5 minutes to 2 hours, then heated at 100 ° C to 200 ° C for 5 minutes to 2 hours, then at 200 ° C to 375 ° C for 5 minutes to 2 hours, Finally, it is preferable to heat at 375 DEG C to 450 DEG C for 30 minutes to 4 hours.

가열에 사용하는 기구는 예를 들어 핫 플레이트, 오븐 등을 들 수 있다. 가열 분위기는 공기 하여도 되고 불활성 가스 하여도 되며, 또, 상압 하여도 되고 감압 하여도 된다.Examples of the apparatus used for heating include a hot plate, an oven, and the like. The heating atmosphere may be air or inert gas, or may be normal pressure or reduced pressure.

수지 박막의 두께는 특히 플렉시블 디스플레이용의 기판으로서 사용할 경우, 통상적으로 1 ∼ 60 ㎛ 정도, 바람직하게는 5 ∼ 50 ㎛ 정도이고, 가열 전의 도막의 두께를 조정하여 원하는 두께의 수지 박막을 형성한다.The thickness of the resin thin film is typically about 1 to 60 mu m, preferably about 5 to 50 mu m when the substrate is used as a substrate for a flexible display, and a resin thin film having a desired thickness is formed by adjusting the thickness of the coating film before heating.

이상에서 설명한 수지 박막은 플렉시블 디스플레이 기판의 베이스 필름으로서 필요한 각 조건을 만족하는 점에서, 플렉시블 디스플레이 기판의 베이스 필름으로서 사용하는 데 최적이다.The resin thin film described above is optimum for use as a base film of a flexible display substrate in that it satisfies all the conditions required as a base film of a flexible display substrate.

실시예Example

이하, 실시예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

[1] 실시예에서 사용하는 약기호[1] A drug used in Examples

본 실시예에서 사용하는 약호는 아래와 같다.The abbreviations used in this embodiment are as follows.

<무수물><Anhydrous>

PMDA : 피로멜리트산 무수물PMDA: pyromellitic anhydride

<아민><Amine>

pPDA : p-페닐렌디아민 pPDA: p-phenylenediamine

TPDA : 4,4˝-디아미노-p-터페닐 TPDA: 4,4'-diamino-p-terphenyl

<용제><Solvent>

NMP : N-메틸-2-피롤리돈NMP: N-methyl-2-pyrrolidone

[2] 디스플레이 기판용 수지 조성물의 조정 (폴리아믹산의 합성) [2] Adjustment of resin composition for display substrate (synthesis of polyamic acid)

<실시예 1>&Lt; Example 1 &gt;

pPDA 0.825 g (0.00763 몰) 과 TPDA 0.271 g (0.00104 몰) 을 NMP 22.05 g 에 용해시키고, PMDA 1.854 g (0.00850 몰) 을 첨가한 후, 질소 분위기 하, 23 ℃ 에서 24 시간 반응시켰다.0.825 g (0.00763 mol) of pPDA and 0.271 g (0.00104 mol) of TPDA were dissolved in 22.05 g of NMP. Then, 1.854 g (0.00850 mol) of PMDA was added and the reaction was allowed to proceed at 23 占 폚 for 24 hours under a nitrogen atmosphere.

얻어진 폴리머의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 89,000, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 9.3 이었다. 이 용액을 디스플레이 기판용 수지 조성물로 하였다.The polymer obtained had a weight average molecular weight (Mw) of 89,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 9.3. This solution was used as a resin composition for a display substrate.

또한, 중량 분자량 (Mw) 및 분자량 분포의 측정은 니혼 분광 주식회사 제조 GPC 장치 (칼럼 : Shodex 제조 OHpak SB803-HQ 및 OHpak SB804-HQ ; 용리액 : 디메틸포름아미드/LiBr·H2O (29.6 mM)/H3PO4 (29.6 mM)/THF (0.1 wt%) ; 유량 : 1.0 ㎖/분 ; 칼럼 온도 : 40 ℃ ; Mw : 표준 폴리스티렌 환산치) 를 사용하여 행하였다 (이하의 실시예 및 비교예에 있어서 동일하다).The measurement of the weight molecular weight (Mw) and the molecular weight distribution was carried out by using a GPC apparatus (column: OHpak SB803-HQ and OHpak SB804-HQ; column: Shimadzu Corporation; eluent: dimethylformamide / LiBr.H 2 O (Mw: standard polystyrene conversion value) was used as a solvent (H 3 PO 4 (29.6 mM) / THF (0.1 wt%); flow rate: 1.0 ml / min; column temperature: 40 ° C .

또, 바니시 용액의 점도는 토키 산업 주식회사 제조 콘 플레이트형 회전 점도계 TVE-25H 를 사용하여 측정하였다 (바니시 온도 25 ℃).The viscosity of the varnish solution was measured using a cone plate type rotational viscometer TVE-25H manufactured by Toray Industries, Inc. (varnish temperature: 25 ° C).

<실시예 2>&Lt; Example 2 &gt;

pPDA 0.799 g (0.00739 몰) 과 TPDA 0.313 g (0.00120 몰) 을 NMP 22.05 g 에 용해시키고, PMDA 1.837 g (0.00842 몰) 을 첨가한 후, 질소 분위기 하, 23 ℃ 에서 24 시간 반응시켰다.0.799 g (0.00739 mol) of pPDA and 0.313 g (0.00120 mol) of TPDA were dissolved in 22.05 g of NMP, and 1.837 g (0.00842 mol) of PMDA was added, followed by reaction at 23 占 폚 for 24 hours under a nitrogen atmosphere.

얻어진 폴리머의 Mw 는 86,600, 분자량 분포는 9.4 였다. 이 용액을 디스플레이 기판용 수지 조성물로 하였다.The Mw of the obtained polymer was 86,600 and the molecular weight distribution was 9.4. This solution was used as a resin composition for a display substrate.

<실시예 3>&Lt; Example 3 &gt;

pPDA 0.724 g (0.00670 몰) 과 TPDA 0.436 g (0.00167 몰) 을 NMP 22.05 g 에 용해시키고, PMDA 1.790 g (0.00821 몰) 을 첨가한 후, 질소 분위기 하, 23 ℃ 에서 24 시간 반응시켰다.0.724 g (0.00670 mol) of pPDA and 0.436 g (0.00167 mol) of TPDA were dissolved in 22.05 g of NMP, and 1.790 g (0.00821 mol) of PMDA was added, followed by reaction at 23 占 폚 for 24 hours under a nitrogen atmosphere.

얻어진 폴리머의 Mw 는 82,600, 분자량 분포는 9.7 이었다. 이 용액을 디스플레이 기판용 수지 조성물로 하였다.The Mw of the obtained polymer was 82,600 and the molecular weight distribution was 9.7. This solution was used as a resin composition for a display substrate.

<실시예 4><Example 4>

pPDA 0.665 g (0.00615 몰) 과 TPDA 0.533 g (0.00205 몰) 을 NMP 22.05 g 에 용해시키고, PMDA 1.752 g (0.00803 몰) 을 첨가한 후, 질소 분위기 하, 23 ℃ 에서 24 시간 반응시켰다.0.665 g (0.00615 mol) of pPDA and 0.533 g (0.00205 mol) of TPDA were dissolved in 22.05 g of NMP, 1.752 g (0.00803 mol) of PMDA was added and the reaction was allowed to proceed at 23 占 폚 for 24 hours under a nitrogen atmosphere.

얻어진 폴리머의 Mw 는 93,300, 분자량 분포는 8.7 이었다. 이 용액을 디스플레이 기판용 수지 조성물로 하였다.The Mw of the obtained polymer was 93,300 and the molecular weight distribution was 8.7. This solution was used as a resin composition for a display substrate.

<실시예 5>&Lt; Example 5 &gt;

pPDA 0.608 g (0.00562 몰) 과 TPDA 0.627 g (0.00241 몰) 을 NMP 22.05 g 에 용해시키고, PMDA 1.716 g (0.00787 몰) 을 첨가한 후, 질소 분위기 하, 23 ℃ 에서 24 시간 반응시켰다.0.608 g (0.00562 mol) of pPDA and 0.627 g (0.00241 mol) of TPDA were dissolved in 22.05 g of NMP, 1.716 g (0.00787 mol) of PMDA was added, and the reaction was allowed to proceed at 23 占 폚 for 24 hours under a nitrogen atmosphere.

얻어진 폴리머의 Mw 는 85,700, 분자량 분포는 9.6 이었다. 이 용액을 디스플레이 기판용 수지 조성물로 하였다.The polymer obtained had Mw of 85,700 and a molecular weight distribution of 9.6. This solution was used as a resin composition for a display substrate.

<실시예 6>&Lt; Example 6 &gt;

pPDA 0.553 g (0.00511 몰) 과 TPDA 0.716 g (0.00275 몰) 을 NMP 22.05 g 에 용해시키고, PMDA 1.681 g (0.00771 몰) 을 첨가한 후, 질소 분위기 하, 23 ℃ 에서 24 시간 반응시켰다.0.553 g (0.00511 mol) of pPDA and 0.716 g (0.00275 mol) of TPDA were dissolved in 22.05 g of NMP. Then, 1.681 g (0.00771 mol) of PMDA was added and the reaction was allowed to proceed at 23 占 폚 for 24 hours under a nitrogen atmosphere.

얻어진 폴리머의 Mw 는 91,100, 분자량 분포는 9.5 였다. 이 용액을 디스플레이 기판용 수지 조성물로 하였다.The Mw of the obtained polymer was 91,100 and the molecular weight distribution was 9.5. This solution was used as a resin composition for a display substrate.

<비교예 1>&Lt; Comparative Example 1 &

pPDA 0.852 g (0.00788 몰) 과 TPDA 0.228 g (0.00088 몰) 을 NMP 22.05 g 에 용해시키고, PMDA 1.871 g (0.00858 몰) 을 첨가한 후, 질소 분위기 하, 23 ℃ 에서 24 시간 반응시켰다.0.852 g (0.00788 mol) of pPDA and 0.228 g (0.00088 mol) of TPDA were dissolved in 22.05 g of NMP. Then, 1.871 g (0.00858 mol) of PMDA was added and the reaction was allowed to proceed at 23 占 폚 for 24 hours under a nitrogen atmosphere.

얻어진 폴리머의 Mw 는 92,100, 분자량 분포는 9.7 이었다. 이 용액을 디스플레이 기판용 수지 조성물로 하였다.The obtained polymer had Mw of 92,100 and a molecular weight distribution of 9.7. This solution was used as a resin composition for a display substrate.

<비교예 2>&Lt; Comparative Example 2 &

pPDA 0.500 g (0.00462 몰) 과 TPDA 0.803 g (0.00308 몰) 을 NMP 22.05 g 에 용해시키고, PMDA 1.647 g (0.00755 몰) 을 첨가한 후, 질소 분위기 하, 23 ℃ 에서 24 시간 반응시켰다.0.500 g (0.00462 mol) of pPDA and 0.803 g (0.00308 mol) of TPDA were dissolved in 22.05 g of NMP, and 1.647 g (0.00755 mol) of PMDA was added, followed by reaction at 23 占 폚 for 24 hours under a nitrogen atmosphere.

얻어진 폴리머의 Mw 는 112,000, 분자량 분포는 9.1 이었다. 이 용액을 디스플레이 기판용 수지 조성물로 하였다.The polymer obtained had Mw of 112,000 and a molecular weight distribution of 9.1. This solution was used as a resin composition for a display substrate.

<비교예 3> (PMDA (98)//PDA (100)) &Lt; Comparative Example 3 &gt; (PMDA (98) // PDA (100)) [

pPDA 0.991 g (0.00916 몰) 을 NMP 22.05 g 에 용해시키고, PMDA 1.959 g (0.00898 몰) 을 첨가한 후, 질소 분위기 하, 23 ℃ 에서 24 시간 반응시켰다.0.999 g (0.00916 mol) of pPDA was dissolved in 22.05 g of NMP, 1.959 g (0.00898 mol) of PMDA was added, and the mixture was allowed to react at 23 deg. C for 24 hours under a nitrogen atmosphere.

얻어진 폴리머의 Mw 는 79,100, 분자량 분포는 9.9 였다. 이 용액을 디스플레이 기판용 수지 조성물로 하였다.The Mw of the obtained polymer was 79,100 and the molecular weight distribution was 9.9. This solution was used as a resin composition for a display substrate.

이상의 실시예 및 비교예의 각 디스플레이 기판용 수지 조성물의 조성비, 물성을 정리하면 하기의 표 1 과 같다.The composition ratios and physical properties of the resin composition for each display substrate in the above Examples and Comparative Examples are summarized in Table 1 below.

Figure pct00004
Figure pct00004

[3] 디스플레이 기판용 수지 박막의 제조 (폴리이미드 필름의 제조) [3] Production of resin thin film for display substrate (Production of polyimide film)

<수지 박막 1 (실시예)>&Lt; Resin thin film 1 (Example) &gt;

실시예 1 에서 얻어진 디스플레이 기판용 수지 조성물을 바니시로서 사용하고, 도포 후 300 ㎛ 의 닥터 블레이드를 사용하여 실리콘 웨이퍼 기판 상에 도포하고, 공기 하, 90 ℃ 에서, 20 분 동안 베이크한 후, 질소 분위기 하에서, 오븐 내에서 120 ℃, 30 분간, 계속해서 180 ℃, 20 분간, 계속해서 240 ℃, 20 분간, 계속해서 300 ℃, 20 분간, 계속해서 400 ℃, 20 분간, 계속해서 450 ℃, 60 분간, 베이크하여 수지 박막을 제조하였다.The resin composition for a display substrate obtained in Example 1 was used as a varnish, coated on a silicon wafer substrate using a doctor blade of 300 mu m after baking, baked at 90 DEG C for 20 minutes in air, At 180 ° C for 20 minutes, then at 240 ° C for 20 minutes, then at 300 ° C for 20 minutes, then at 400 ° C for 20 minutes, then at 450 ° C for 60 minutes , And baked to prepare a resin thin film.

<수지 박막 2 ∼ 6 (실시예) 및 수지 박막 C1 ∼ C3 (비교예)>&Lt; Resin Thin Films 2 to 6 (Examples) and Resin Thin Films C1 to C3 (Comparative Example) &gt;

실시예 1 에서 얻어진 디스플레이 기판용 수지 조성물 대신에, 각각 수지 박막 2 ∼ 6 (실시예) 및 비교예 1 ∼ 3 에서 얻어진 디스플레이 기판용 수지 조성물을 바니시로서 사용한 것 이외에는, 수지 박막 1 과 동일한 방법에 의해서 각 수지 박막을 제조하였다.Except that the resin composition for a display substrate obtained in each of the resin thin films 2 to 6 (Examples) and Comparative Examples 1 to 3 was used as a varnish in place of the resin composition for a display substrate obtained in Example 1, To prepare each resin thin film.

[4] 수지 박막의 평가[4] Evaluation of resin thin film

얻어진 수지 박막을 이하의 방법에 따라서 평가하였다. 또한, 박막은 각 평가 시험을 위해서 각각 제조하였다.The resulting resin thin film was evaluated according to the following method. Thin films were also prepared for each evaluation test.

<막두께의 측정>&Lt; Measurement of film thickness &

수지 박막의 막두께를 주식회사 미츠토요 제조 마이크로미터를 사용하여 측정하였다.The film thickness of the resin thin film was measured using a micrometer manufactured by Mitsutoyo Co., Ltd.

<내열성 평가>&Lt; Evaluation of heat resistance &

수지 피막의 내열성 평가를 위해서, 수지 박막의 1 % 질량 감소 온도 (Td 1 % (℃)) 와 5 % 질량 감소 온도 (Td 5 % (℃)) 를 측정하였다. 측정은 브루커·에이엑스에스 주식회사 제조 TG/DTA2000SA 를 사용하여 행하였다 (승온율 : 매분 10 ℃ 로 50 ℃ 부터 800 ℃ 까지).For evaluating the heat resistance of the resin film, the 1% mass reduction temperature (Td 1% (° C)) and the 5% mass reduction temperature (Td 5% (° C)) of the resin thin film were measured. The measurement was carried out using TG / DTA2000SA manufactured by Bruker A.X. (temperature rise rate: from 50 ° C to 800 ° C at 10 ° C per minute).

<선 팽창 계수의 측정>&Lt; Measurement of linear expansion coefficient &

수지 박막의 선 팽창 계수의 측정은 주식회사 시마즈 제작소 제조 TMA-60 (승온율 : 매분 5 ℃ 로 50 ℃ 부터 560 ℃ 까지) 을 사용하여 측정하였다 (시험편 : 폭 4 ㎜, 길이 12 ㎜, 하중 : 3.0 g). 또한, 선 팽창 계수는 100 ℃ ∼ 400 ℃ 와 400 ℃ ∼ 500 ℃ 의 각 온도 영역에서의 평균치를 나타내었다.The linear expansion coefficient of the resin thin film was measured using TMA-60 manufactured by Shimadzu Corporation (temperature increase rate: 5 ° C / min to 50 ° C to 560 ° C) (specimen: width 4 mm, length 12 mm, load: 3.0 g). The coefficient of linear expansion was an average value in the temperature range of 100 ° C to 400 ° C and 400 ° C to 500 ° C.

<인장 시험><Tensile test>

수지 박막의 인장 강도를 측정하였다. 측정은 주식회사 시마즈 제작소 제조 AUTOGRAPH/AGS-X 를 사용하여, 실온 하 (25 ± 2 ℃) 에서 인장 시험을 행하였다 (시험편 사이즈 : 50 ㎜ × 10 ㎜ × 0.013 - 0.016 ㎜, 척 간격 : 20 ㎜, 인장 속도 : 5 ㎜/분). 또한, 결과에 있어서의 각 값은 측정 4 회의 평균치를 나타내었다.The tensile strength of the resin thin film was measured. The tensile test was performed at room temperature (25 ± 2 ° C) using AUTOGRAPH / AGS-X manufactured by Shimadzu Corporation (specimen size: 50 mm x 10 mm x 0.013 - 0.016 mm, chuck distance: Tensile speed: 5 mm / min). In addition, each value in the result shows an average value of four measurements.

결과는 표 2 에 나타낸 대로였다.The results were as shown in Table 2.

Figure pct00005
Figure pct00005

Claims (8)

하기의 식 (1-1) 및 식 (1-2) 로 나타내는 구조 단위를 적어도 50 몰% 함유하는 폴리아믹산으로서, 중량 평균 분자량이 5000 이상인 폴리아믹산을 함유하는 디스플레이 기판용 수지 조성물.
[화학식 1]
Figure pct00006

[식 중,
Ar1 은 하기 식 (2) 의 2 가의 기를 나타내고,
Ar2 는 하기 식 (3) 의 2 가의 기를 나타내고,
Ar3 은 하기 식 (4) 의 4 가의 기를 나타내며, 또한
n1, n2 는 각 반복 단위의 수를 나타내고, n1/n2 = 1.7 ∼ 8.2 의 조건을 만족한다].
[화학식 2]
Figure pct00007
A polyamic acid comprising at least 50 mol% of structural units represented by the following formulas (1-1) and (1-2), and a polyamic acid having a weight average molecular weight of 5000 or more.
[Chemical Formula 1]
Figure pct00006

[Wherein,
Ar 1 represents a divalent group represented by the following formula (2)
Ar 2 represents a divalent group represented by the following formula (3)
Ar 3 represents a tetravalent group represented by the following formula (4), and
n 1 and n 2 represent the number of each repeating unit and satisfy the condition of n 1 / n 2 = 1.7 to 8.2].
(2)
Figure pct00007
제 1 항에 있어서,
상기 식 (1-1) 및 식 (1-2) 에 있어서, n1 및 n2 가 n1/n2 = 1.5 ∼ 6.0 의 조건을 만족하는 디스플레이 기판용 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein n 1 and n 2 in the above formulas (1-1) and (1-2) satisfy the condition of n 1 / n 2 = 1.5 to 6.0.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 폴리아믹산이 식 (1-1) 및 식 (1-2) 로 나타나는 구조 단위를 적어도 80 몰% 함유하는 디스플레이 기판용 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the polyamic acid contains at least 80 mol% of structural units represented by the formulas (1-1) and (1-2).
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
용제에 용해되어 이루어지는 디스플레이 기판용 수지 조성물.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the resin composition is dissolved in a solvent.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 디스플레이 기판용 수지 조성물을 사용하여 제조되는 디스플레이 기판용 수지 박막.A resin thin film for a display substrate produced by using the resin composition for a display substrate according to any one of claims 1 to 4. 제 5 항에 기재된 디스플레이 기판용 수지 박막을 구비하는 화상 표시 장치.An image display apparatus comprising the resin thin film for a display substrate according to claim 5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 디스플레이 기판용 수지 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기판용 수지 박막의 제조 방법.A method for producing a resin thin film for a display substrate, which comprises using the resin composition for a display substrate according to any one of claims 1 to 4. 제 5 항에 기재된 디스플레이 기판용 수지 박막을 사용하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치의 제조 방법.A manufacturing method of an image display apparatus characterized by using the resin thin film for a display substrate according to claim 5.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6733142B2 (en) * 2015-09-18 2020-07-29 日産化学株式会社 Resin composition for thin film formation
KR102581615B1 (en) * 2015-09-18 2023-09-22 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 Polybenzoxazole and its uses
CN108948354A (en) * 2017-05-26 2018-12-07 昆山国显光电有限公司 Modified polyimide resin and preparation method thereof and application
WO2023100951A1 (en) * 2021-11-30 2023-06-08 Ube株式会社 Polyimide film, high-frequency circuit substate, and flexible electronic device substrate

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01214840A (en) * 1988-02-24 1989-08-29 Hitachi Ltd Formation of polyimide pattern
US5310863A (en) * 1993-01-08 1994-05-10 International Business Machines Corporation Polyimide materials with improved physico-chemical properties
JPH08217877A (en) * 1995-02-17 1996-08-27 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Polyimide resin and polyimide film
JP2002287121A (en) * 2001-03-26 2002-10-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd Substrate for reflective liquid crystal display
JP2010202729A (en) 2009-03-02 2010-09-16 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd Polyimide precursor resin composition for flexible device substrates and method for producing flexible device using the same, and flexible device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006267823A (en) * 2005-03-25 2006-10-05 Chisso Corp Liquid crystal alignment agent for vertical alignment liquid crystal display element and vertical alignment liquid crystal display element
JP2007046045A (en) * 2005-07-13 2007-02-22 Teijin Ltd Polyimide film base material
CN104114606A (en) * 2012-03-05 2014-10-22 日产化学工业株式会社 Polyamic acid and polyimide
WO2015152121A1 (en) * 2014-03-31 2015-10-08 日産化学工業株式会社 Composition for forming release layer
JP6508574B2 (en) * 2014-03-31 2019-05-08 日産化学株式会社 Release layer forming composition

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01214840A (en) * 1988-02-24 1989-08-29 Hitachi Ltd Formation of polyimide pattern
US5310863A (en) * 1993-01-08 1994-05-10 International Business Machines Corporation Polyimide materials with improved physico-chemical properties
JPH08217877A (en) * 1995-02-17 1996-08-27 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Polyimide resin and polyimide film
JP2002287121A (en) * 2001-03-26 2002-10-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd Substrate for reflective liquid crystal display
JP2010202729A (en) 2009-03-02 2010-09-16 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd Polyimide precursor resin composition for flexible device substrates and method for producing flexible device using the same, and flexible device

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Journal of Applied Polymer Science, Vol.62, 2303-2310 (1996)

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Publication number Publication date
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