KR20160016136A - Surface treatment for quartz jigs for cvd, composition for surface treatment of quartz jigs and quartz jigs manufactured by the same - Google Patents
Surface treatment for quartz jigs for cvd, composition for surface treatment of quartz jigs and quartz jigs manufactured by the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160016136A KR20160016136A KR1020140099661A KR20140099661A KR20160016136A KR 20160016136 A KR20160016136 A KR 20160016136A KR 1020140099661 A KR1020140099661 A KR 1020140099661A KR 20140099661 A KR20140099661 A KR 20140099661A KR 20160016136 A KR20160016136 A KR 20160016136A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- quartz jig
- embossing
- cleaning
- quartz
- etching
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 161
- 239000010453 quartz Substances 0.000 title claims abstract description 156
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000004049 embossing Methods 0.000 claims abstract description 88
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 80
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 72
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 49
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 48
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 19
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 63
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 61
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 41
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 claims description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 22
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 22
- KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N azane;dihydrofluoride Chemical compound [NH4+].F.[F-] KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910017665 NH4HF2 Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 12
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4407—Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
Abstract
Description
본 발명은 화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법, 쿼츠 지그의 표면 처리용 조성물 및 그에 의해 제작된 쿼츠 지그에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 쿼츠 지그 표면의 최적 엠보싱 처리를 통해 장시간 사용에 따른 쿼츠지그 표면의 CVD 전구체에 의하여 성장된 박막의 박리 억제를 통해 파티클을 저감시키며, 비표면적 증가와 최적의 표면 조도에 의하여 박막 앵커(anchor) 기능을 부여할 수 있는 화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법, 쿼츠 지그의 표면 처리용 조성물 및 그에 의해 제작된 쿼츠 지그에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface treatment method of a quartz jig for chemical vapor deposition, a composition for surface treatment of a quartz jig, and a quartz jig made by the method. More particularly, Surface treatment of quartz jig with chemical vapor deposition capable of reducing particles by suppressing peeling of the film grown by the CVD precursor on the surface of the jig and increasing the specific surface area and giving an anchor function by the optimum surface roughness A composition for surface treatment of quartz jig, and a quartz jig made thereby.
석영(쿼츠)제품은 고순도(99.999%)와 화학적 안정성, 내산성, 내열성(연화점 온도 1683℃), 빛 투과성이 우수하며, 열팽창이 적으며, 전기절연성이 우수하여 반도체, 광통신, 전기, 전자 등의 산업 전반에 광범위하게 적용된다.Quartz products have high purity (99.999%), excellent chemical stability, acid resistance, heat resistance (softening point temperature 1683 ℃), light transparency, low thermal expansion and excellent electrical insulation. Widely applied across the industry.
예를 들어, 일반적으로 실리콘 웨이퍼의 처리공정에 있어서, 실리콘 웨이퍼는 화학기상증착(CVD), 에칭, 애싱(ashing) 등과 같은 공정으로 처리되며, 이러한 공정들에서는 웨이퍼를 지지하거나, 배치시키기 위하여 석영 제품이 사용된다.For example, in the processing of silicon wafers in general, silicon wafers are processed by processes such as chemical vapor deposition (CVD), etching, ashing, and the like, The product is used.
이 경우, 그러한 공정들에서는 1000℃ 이상의 고온이 가해지기 때문에, 상기 웨이퍼와 석영 유리 표면이 접하는 부분에는 석영 유리와 실리콘 웨이퍼 사이의 열 팽창계수의 차이로 인한 응력이 야기되며, 웨이퍼의 상기 접촉 부분에 접촉 마크(mark)를 만들 수 있다.In such a case, since a high temperature of 1000 ° C or more is applied in such processes, a stress caused by a difference in the coefficient of thermal expansion between the quartz glass and the silicon wafer occurs at the portion where the wafer and the quartz glass surface are in contact, It is possible to make a contact mark on the substrate.
더욱이, 실리콘 웨이퍼의 처리공정에서 생성되는 물질이 석영 유리 제품의 표면에 부착되어 얇은 막(film)을 형성하는 경우, 상기 유리 제품이 처리공정 후 냉각될 때, 상술한 바와 같은 얇은 막과 유리 사이의 열 팽창계수의 차이로 인하여 상기 유리 제품에 균열이나 부스러짐(breaking)이 발생할 수 있다.Moreover, when the material produced in the processing step of the silicon wafer adheres to the surface of the quartz glass product to form a thin film, when the glass product is cooled after the processing step, the thin film and the glass The glass product may be cracked or broken due to the difference in the coefficient of thermal expansion of the glass product.
또한, 상기 유리 제품이 상술한 바와 같이 냉각될 경우, 유리 표면상의 물질의 부착상태가 약하다면 상기 물질은 그 표면으로부터 떨어져 나갈 것이지만, 유리 표면의 거칠기(roughness)가 작다면 그 부착상태는 보다 강해지게 되어 상기 얇은 막은 실리콘 웨이퍼의 후속 처리공정까지 남아있게 되고, 유리 제품에 균열이나 부스러짐이 발생하지 않더라도 상기 막이 표면으로부터 떨어지기 전에 입자들을 생성시키게 된다.Further, when the glass product is cooled as described above, if the adhesion state of the substance on the glass surface is weak, the substance will fall off from the surface. However, if the roughness of the glass surface is small, So that the thin film remains until the next processing step of the silicon wafer and produces particles before the film falls off the surface, even if no cracks or warping occurs in the glass product.
따라서 접촉 마크의 발생을 피하고 웨이퍼 상에 접촉 영역을 감소시키기 위하여, 석영 제품의 표면을 거칠게 하고 평탄하지 않은 샌드 블라스트 처리면을 형성할 수 있도록 샌드 블라스트(sand blast) 처리가 석영 제품의 표면에 행해진다.A sandblast treatment is then applied to the surface of the quartz product so that the surface of the quartz product can be roughened and an uneven sandblasted surface can be formed in order to avoid the occurrence of contact marks and reduce the contact area on the wafer All.
또한, 샌드 블라스트 처리면을 형성하면, 상기 샌드 블라스트된 유리 표면상에서 실리콘 웨이퍼를 처리한 후의 냉각단계에서 발생되는 응력이 여러 방향으로 흩어지게 되어, 상기 유리 표면에 부착된 물질이 냉각 시에 상기 표면으로부터 떨어지는 것을 막을 수 있다.In addition, when the sandblasted surface is formed, the stress generated in the cooling step after the silicon wafer is treated on the sandblasted glass surface is scattered in various directions, so that the material adhering to the glass surface, Can be prevented from falling off.
그러나 샌드 블라스트로만 처리된 표면은, 도리어 샌드 블라스트 처리면이 웨이퍼와 접촉할 때 상기 웨이퍼로부터 실리카 입자들이 긁혀져 나가게 하거나, 그렇지 않으면 제품의 샌드 블라스트 처리면 내에 실리카 입자들을 붙잡아 둔 채, 유리 제품의 성형단계에서 샌드 블라스트 처리에 의하여 표면 영역 안에서 팽창되어, 웨이퍼 처리공정 동안 상기 표면으로부터 그 입자들을 떠오르게 하고 패턴이 형성된 웨이퍼 표면 위로 떨어지게 함으로써, 패턴 결함을 야기할 수 있다.However, the surface treated only with the sandblast may be such that the silica particles are scratched off from the wafer when the sandblasted surface is in contact with the wafer, or else the silica particles are trapped within the sandblasted surface of the product, It may expand in the surface region by sandblasting during the forming step to cause the particles to float from the surface and fall off the patterned wafer surface during the wafer processing process, resulting in pattern defects.
다시 말해서, 기존 샌드 블라스팅 공정을 통한 쿼츠의 표면 처리는 석영의 특성상 취성이 높아 샌드 블라스팅 처리시 발생된 응력으로 인하여 크랙이 발생할 수 있고, 표면에 스파크가 발생할 수 있으며, 미세 구간 및 형상이 복잡한 소재는 작업에 어려움이 따르는 문제점이 있다.In other words, the surface treatment of quartz through the existing sand blasting process is highly brittle due to the characteristic of quartz, so cracks may occur due to the stress generated in the sandblasting treatment, sparks may be generated on the surface, There is a problem that the operation is difficult.
특히, 화학기상증착에서 성장된 박막으로 인한 파티클의 저감을 도모하면서도 최적의 표면 조도를 갖도록 하는 연구가 필요한 실정이다.
Particularly, there is a need for research to make the surface roughness optimal while reducing the particles due to the thin film grown in chemical vapor deposition.
따라서, 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 본 발명의 발명자는 거듭한 연구와 실험 결과로, 쿼츠 지그의 표면에 최적의 엠보싱 형성을 도모함으로써 장시간 사용에 따른 쿼츠지그 표면의 CVD 전구체에 의해 성장된 박막의 박리 억제를 통해 파티클을 저감시키고, 비표면적 증가와 최적의 표면 조도에 의하여 박막 앵커(anchor) 기능을 부여할 수 있는 화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법, 쿼츠 지그의 표면 처리용 조성물 및 그에 의해 제작된 쿼츠 지그를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the problems of the prior art described above, and it is an object of the present invention to provide a quartz jig for a long period of time, A surface treatment method of a chemical vapor deposition quartz jig capable of reducing particles by suppressing peeling of a thin film grown by a CVD precursor of a CVD precursor, and capable of imparting a thin film anchor function by increasing a specific surface area and an optimal surface roughness, There is provided a composition for surface treatment of a quartz jig and a quartz jig produced thereby.
본 발명의 해결과제는 이상에서 언급한 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide an apparatus and method for controlling the same.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1 관점에 따르면, 화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면에 엠보싱을 형성하기 위해 처리하는 방법에 있어서, 마련된 쿼츠 지그에 대하여 샌드 블라스팅(sand blasting) 처리하는 샌드 블라스팅 단계; 상기 샌드 블라스팅 처리된 쿼츠 지그의 표면 활성화 및 유기물 제거를 위하여 쿼츠 표면을 전처리하는 표면 전처리 단계; 상기 전처리된 쿼츠 지그를 1차 세정하는 1차 세정 단계; 상기 1차 세정된 쿼츠 지그를 엠보싱 에칭용 조성물을 통해 엠보싱 에칭하는 엠보싱 에칭 단계; 상기 엠보싱 에칭된 쿼츠 지그를 2차 세정하는 2차 세정 단계; 상기 2차 세정된 쿼츠 지그의 표면에 대해 표면 조도를 조정하는 표면조도 조정 단계; 상기 표면조도 조정 단계 이후 표면을 세정하는 3차 세정 단계; 및 상기 3차 세정이 완료된 쿼츠 지그를 건조시키는 건조 단계;를 포함하거나, 마련된 쿼츠 지그를 세정하는 전처리 세정 단계; 상기 샌드 블라스팅 처리된 쿼츠 지그의 표면 활성화 및 유기물 제거를 위하여 표면을 전처리하는 표면 전처리 단계; 상기 전처리된 쿼츠 지그를 1차 세정하는 1차 세정 단계; 상기 1차 세정된 쿼츠 지그를 엠보싱 에칭용 조성물을 통해 엠보싱 에칭하는 엠보싱 에칭 단계; 상기 엠보싱 에칭된 쿼츠 지그를 2차 세정하는 2차 세정 단계; 상기 2차 세정된 쿼츠 지그의 표면에 대해 표면 조도를 조정하는 표면조도 조정 단계; 상기 표면조도 조정 단계 이후 표면을 세정하는 3차 세정 단계; 및 상기 3차 세정이 완료된 쿼츠 지그를 건조시키는 건조 단계;를 포함하거나 또는 마련된 쿼츠 지그에 대하여 샌드 블라스팅(sand blasting) 처리하는 샌드 블라스팅 단계; 상기 에칭 처리된 쿼츠 지그를 1차 세정하는 1차 세정 단계; 상기 1차 세정된 쿼츠 지그를 엠보싱 에칭용 조성물을 통해 엠보싱 에칭하는 엠보싱 에칭 단계; 상기 엠보싱 에칭된 쿼츠 지그를 2차 세정하는 2차 세정 단계; 상기 2차 세정된 쿼츠 지그의 표면에 대해 표면 조도를 조정하는 표면조도 조정 단계; 상기 표면조도 조정 단계 이후 표면을 세정하는 3차 세정 단계; 및 상기 3차 세정이 완료된 쿼츠 지그를 건조시키는 건조 단계;를 포함하는 화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법이 제공된다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of processing embossing on a surface of a chemical vapor deposition quartz jig, the method comprising: sandblasting a quartz jig with sandblasting; step; A surface pretreatment step of pretreating the quartz surface to activate the surface of the quartz jig subjected to the sandblasting and to remove organic matter; A first cleaning step of first cleaning the pretreated quartz jig; An embossing etching step of embossing the primary cleaned quartz jig through a composition for embossing etching; A second cleaning step of secondly cleaning the embossed etched quartz jig; A surface roughness adjusting step of adjusting the surface roughness of the surface of the quartz jig that has been secondarily cleaned; A third cleaning step of cleaning the surface after the surface roughness adjustment step; And a drying step of drying the quartz jig after completion of the third cleaning, or a pretreatment cleaning step of cleaning the quartz jig provided; A surface pretreatment step of pretreating the surface of the quartz jig subjected to the sandblasting treatment for surface activation and organic matter removal; A first cleaning step of first cleaning the pretreated quartz jig; An embossing etching step of embossing the primary cleaned quartz jig through a composition for embossing etching; A second cleaning step of secondly cleaning the embossed etched quartz jig; A surface roughness adjusting step of adjusting the surface roughness of the surface of the quartz jig that has been secondarily cleaned; A third cleaning step of cleaning the surface after the surface roughness adjustment step; And a drying step of drying the quartz jig having been subjected to the third cleaning; sandblasting the quartz jig with or without sandblasting; A first cleaning step of first cleaning the etched quartz jig; An embossing etching step of embossing the primary cleaned quartz jig through a composition for embossing etching; A second cleaning step of secondly cleaning the embossed etched quartz jig; A surface roughness adjusting step of adjusting the surface roughness of the surface of the quartz jig that has been secondarily cleaned; A third cleaning step of cleaning the surface after the surface roughness adjustment step; And a drying step of drying the quartz jig after completion of the tertiary cleaning. The present invention also provides a method for surface treatment of a chemical vapor deposition quartz jig.
본 발명의 제1 관점에 있어서, 상기 표면 전처리 단계는 HF(불산) 희석액이나 BOE(buffered oxide etchant) 희석액 또는 알콜 단독으로 전처리하는 것을 포함하고, 상기 표면 조도 조정 단계는 BOE(buffered oxide etchant) 희석액 또는 HF(불산)5% 희석액으로 표면을 처리하는 것 중 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하다.In the first aspect of the present invention, the surface pretreatment step includes pretreatment with an HF (fluoric acid) diluent or a BOE (buffered oxide etchant) diluent or alcohol alone, and the surface roughness adjustment step may include a buffered oxide etchant Or treating the surface with a 5% HF (hydrofluoric acid) diluent.
본 발명의 제1 관점에 있어서, 상기 표면 조도 조정 단계는 쿼츠 지그의 표면의 평균 조도(Ra)가 1.0~3um 범위를 갖도록 조정되도록 하는 것이 바람직하다.In the first aspect of the present invention, it is preferable that the surface roughness adjustment step is such that the average roughness Ra of the surface of the quartz jig is adjusted to have a range of 1.0 to 3 um.
본 발명의 제1 관점에 있어서, 상기 엠보싱 에칭 단계는 엠보싱 에칭용 조성물을 마련하고, 마련된 엠보싱 에칭용 조성물로 엠보싱 에칭 처리하는 것을 포함하며, 상기 엠보싱 에칭용 조성물은 불산(HF 50% solution), 탈이온수(18MΩ 이상), 산성불화암모늄(NH4HF2), 포름산(HCOOH)이 소정 비율 혼합되어 마련되는 것이 바람직하다.According to a first aspect of the present invention, the embossing etching step comprises preparing a composition for embossing etching and embossing etching treatment with the composition for embossing etching, wherein the composition for embossing etching is selected from the group consisting of HF 50% solution, It is preferable that deionized water (18M? Or more), acidic ammonium fluoride (NH4HF2), and formic acid (HCOOH) are mixed in a predetermined ratio.
본 발명의 제1 관점에 있어서, 상기 엠보싱 에칭용 조성물은 불산(HF 50% solution): 5~10%; 산성불화암모늄(NH4HF2): 20~40%; 및 포름산(HCOOH): 50~70%; 및 탈이온수(18MΩ 이상): 5~10%로 이루어지는 것이 바람직하다.In a first aspect of the present invention, the composition for embossing etching comprises 5 to 10% of hydrofluoric acid (HF 50% solution); Acid ammonium fluoride (NH4HF2): 20-40%; And formic acid (HCOOH): 50-70%; And deionized water (18 M? Or more): 5 to 10%.
본 발명의 제1 관점에 있어서, 상기 엠보싱 에칭 단계는 엠보싱 에칭용 조성물을 마련하고, 마련된 엠보싱 에칭용 조성물로 엠보싱 에칭 처리하는 것을 포함하며, 상기 엠보싱 에칭용 조성물은 불산(HF 50% solution), 탈이온수(18MΩ 이상), 산성불화암모늄(NH4HF2), 포름산(HCOOH), 및 구연산(HO2CCH=CHCO2H)이 소정 비율 혼합되어 마련되는 것이 바람직하다.According to a first aspect of the present invention, the embossing etching step comprises preparing a composition for embossing etching and embossing etching treatment with the composition for embossing etching, wherein the composition for embossing etching is selected from the group consisting of HF 50% solution, It is preferable that deionized water (18 MΩ or more), acid ammonium fluoride (NH 4 HF 2), formic acid (HCOOH), and citric acid (HO 2 CCH = CHCO 2 H)
본 발명의 제1 관점에 있어서, 상기 엠보싱 에칭용 조성물은 불산(HF 50% solution): 5~10%; 산성불화암모늄(NH4HF2): 25~35%; 및 포름산(HCOOH): 40~60%; 및 탈이온수(18MΩ 이상): 5~15%; 구연산(HO2CCH=CHCO2H): 0.1 ~ 5%로 이루어지거나, 불산(HF 50% solution): 5~10%; 산성불화암모늄(NH4HF2): 25~35%; 및 포름산(HCOOH): 40~50%; 및 탈이온수(18MΩ 이상): 15~15%; 구연산(HO2CCH=CHCO2H): 0.1 ~ 5%로 이루어지는 것이 바람직하다.In a first aspect of the present invention, the composition for embossing etching comprises 5 to 10% of hydrofluoric acid (HF 50% solution); Acid ammonium fluoride (NH4HF2): 25-35%; And formic acid (HCOOH): 40-60%; And deionized water (18 MΩ or more): 5 to 15%; 0.1 to 5% of citric acid (HO2CCH = CHCO2H) or 5 to 10% of hydrofluoric acid (HF 50% solution); Acid ammonium fluoride (NH4HF2): 25-35%; And formic acid (HCOOH): 40-50%; And deionized water (18 MΩ or more): 15 to 15%; It is preferable that it is composed of citric acid (HO2CCH = CHCO2H): 0.1 to 5%.
본 발명의 제2 관점에 따르면, 쿼츠 지그의 표면을 엠보싱 에칭 처리하기 위한 조성물로서, 불산(HF 50% solution), 탈이온수(18MΩ 이상), 산성불화암모늄(NH4HF2), 포름산(HCOOH)을 포함하는 화학기상증착용 쿼츠 지그 표면의 엠보싱 에칭 처리용 조성물이 제공된다.According to a second aspect of the present invention, there is provided a composition for embossing etching a surface of a quartz jig, which comprises a hydrofluoric acid (HF 50% solution), deionized water (18MΩ or more), acid ammonium fluoride (NH4HF2), formic acid There is provided a composition for an embossing etching treatment of a surface of a quartz jig to which a chemical vapor deposition is applied.
본 발명의 제2 관점에 있어서, 상기 엠보싱 에칭 처리용 조성물은 불산(HF 50% solution): 5~10%; 산성불화암모늄(NH4HF2): 20~40%; 및 포름산(HCOOH): 50~70%; 및 탈이온수(18MΩ 이상): 5~10%로 이루어지는 것이 바람직하다.In a second aspect of the present invention, the composition for embossing etching treatment comprises 5 to 10% of a hydrofluoric acid (HF 50% solution); Acid ammonium fluoride (NH4HF2): 20-40%; And formic acid (HCOOH): 50-70%; And deionized water (18 M? Or more): 5 to 10%.
본 발명의 제2 관점에 있어서, 상기 엠보싱 에칭 처리용 조성물은 구연산(HO2CCH=CHCO2H)을 더 포함하는 것이 바람직하며, 상기 엠보싱 에칭 처리용 조성물은 불산(HF 50% solution): 5~10%; 산성불화암모늄(NH4HF2): 25~35%; 및 포름산(HCOOH): 40~60%; 및 탈이온수(18MΩ 이상): 5~15%; 구연산(HO2CCH=CHCO2H): 0.1 ~ 5%로 이루어지거나, 불산(HF 50% solution): 5~10%; 산성불화암모늄(NH4HF2): 25~35%; 및 포름산(HCOOH): 40~50%; 및 탈이온수(18MΩ 이상): 15~15%; 구연산(HO2CCH=CHCO2H): 0.1 ~ 5%로 이루어지는 것이 바람직하다.In the second aspect of the present invention, it is preferable that the composition for embossing etching treatment further comprises citric acid (HO2CCH = CHCO2H), and the composition for embossing etching treatment comprises 5 to 10% of hydrofluoric acid (HF 50% solution); Acid ammonium fluoride (NH4HF2): 25-35%; And formic acid (HCOOH): 40-60%; And deionized water (18 MΩ or more): 5 to 15%; 0.1 to 5% of citric acid (HO2CCH = CHCO2H) or 5 to 10% of hydrofluoric acid (HF 50% solution); Acid ammonium fluoride (NH4HF2): 25-35%; And formic acid (HCOOH): 40-50%; And deionized water (18 MΩ or more): 15 to 15%; It is preferable that it is composed of citric acid (HO2CCH = CHCO2H): 0.1 to 5%.
본 발명의 제3 관점에 따르면, 상기한 제1 관점에 따른 화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법에 의해 제조되는 화학기상증착용 쿼츠 지그를 제공한다.According to a third aspect of the present invention, there is provided a chemical vapor deposition quartz jig manufactured by the surface treatment method of a chemical vapor deposition-equipped quartz jig according to the first aspect.
본 발명에 따른 화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법, 쿼츠 지그의 표면 처리용 조성물 및 그에 의해 제작된 쿼츠 지그에 의하면, 쿼츠 지그의 표면에 균일하고 미세한 최적의 엠보싱을 형성할 수 있는 효과가 있다.The surface treatment method of the quartz jig for chemical vapor deposition according to the present invention, the composition for surface treatment of the quartz jig and the quartz jig made therefrom have the effect of forming a uniform and fine optimal embossing on the surface of the quartz jig have.
또한, 본 발명은 화학기상증착 공정에서 박막의 박리 억제를 통해 파티클을 저감시켜 패턴 결함으로 인한 불량을 방지하고, 비표면적 증가와 최적의 표면 조도에 의하여 박막 앵커(anchor) 기능을 부여할 수 효과가 있다.In addition, the present invention can reduce the particles by suppressing the separation of the thin film in the chemical vapor deposition process, thereby preventing defects due to pattern defects and providing a thin film anchor function by increasing the specific surface area and the optimal surface roughness .
본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해되어 질 수 있을 것이다.
The effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other solutions not mentioned may be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 CVD용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법에 대한 플로차트이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 CVD용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법에 대한 플로차트이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 CVD용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법에 대한 플로차트이다.
도 4는 본 발명에 따른 실시 예들과 비교예를 비교하기 위하여 쿼츠 지그의 표면 처리에 의해 형성된 엠보싱(요철)의 사이즈 예시를 설명하기 위한 예시도이다.
도 5는 본 발명에 따른 표면 처리 방법에 의해 처리된 쿼츠 지그 표면의 광학현미경사진으로서, 실시 예1의 표면 상태를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 표면 처리 방법에 의해 처리된 쿼츠 지그 표면의 광학현미경사진으로서, 실시 예2의 표면 상태를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 표면 처리 방법에 의해 처리된 쿼츠 지그 표면의 광학현미경사진으로서, 실시 예3의 표면 상태를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명에 따른 표면 처리 방법에 의해 처리된 쿼츠 지그 표면의 광학현미경사진으로서, 비교 예1의 표면 상태를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명에 따른 표면 처리 방법에 의해 처리된 쿼츠 지그 표면의 광학현미경사진으로서, 비교 예1의 표면 상태를 나타낸 도면이다.1 is a flow chart of a surface treatment method of a quartz jig for CVD according to a first embodiment of the present invention.
2 is a flowchart of a surface treatment method of a quartz jig for CVD according to a second embodiment of the present invention.
3 is a flowchart of a surface treatment method of a quartz jig for CVD according to a third embodiment of the present invention.
4 is an exemplary view for explaining an example of the size of embossing (concavo-convex) formed by the surface treatment of quartz jig to compare the embodiments and the comparative example according to the present invention.
Fig. 5 is an optical microscope photograph of the quartz jig surface treated by the surface treatment method according to the present invention, showing the surface state of Example 1. Fig.
Fig. 6 is an optical microscope photograph of the quartz jig surface treated by the surface treatment method according to the present invention, showing the surface state of Example 2. Fig.
7 is an optical microscope photograph of the quartz jig surface treated by the surface treatment method according to the present invention, showing the surface state of Example 3.
8 is an optical microscope photograph of the quartz jig surface treated by the surface treatment method according to the present invention, showing the surface state of Comparative Example 1. Fig.
9 is an optical microscope photograph of the quartz jig surface treated by the surface treatment method according to the present invention, showing the surface state of Comparative Example 1. Fig.
본 발명의 추가적인 목적들, 특징들 및 장점들은 다음의 상세한 설명 및 첨부도면으로부터 보다 명료하게 이해될 수 있다. Further objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description and the accompanying drawings.
본 발명의 상세한 설명에 앞서, 본 발명은 다양한 변경을 도모할 수 있고, 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는바, 아래에서 설명되고 도면에 도시된 예시들은 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Before describing the present invention in detail, it is to be understood that the present invention is capable of various modifications and various embodiments, and the examples described below and illustrated in the drawings are intended to limit the invention to specific embodiments It is to be understood that the invention includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도는 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, the terms "comprises" or "having" and the like refer to the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.
또한, 명세서에 기재된 "...부", "...유닛", "...모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미할 수 있다.Further, terms such as " part, "" unit," " module, "and the like described in the specification may mean a unit for processing at least one function or operation.
또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.In the following description of the present invention with reference to the accompanying drawings, the same components are denoted by the same reference numerals regardless of the reference numerals, and redundant explanations thereof will be omitted. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.
이하 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법, 쿼츠 지그의 표면 처리용 조성물 및 그에 의해 제작된 쿼츠 지그에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a surface treatment method of a quartz jig for chemical vapor deposition according to a preferred embodiment of the present invention, a composition for surface treatment of quartz jig, and a quartz jig manufactured thereby will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
먼저, 본 발명의 화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법에 대하여 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 CVD용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법에 대한 플로차트이다.First, the surface treatment method of the chemical vapor deposition quartz jig of the present invention will be described with reference to Fig. 1 is a flow chart of a surface treatment method of a quartz jig for CVD according to a first embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법은, 화학기상증착 공정에 사용되는 쿼츠 지그의 표면을 처리(즉, 엠보싱 처리)하는 방법에 있어서, 마련된 쿼츠 지그에 대하여 샌드 블라스팅(sand blasting) 처리하는 샌드 블라스팅 단계(S100); 상기 샌드 블라스팅 처리된 쿼츠 지그의 표면의 활성화 및 유기물 제거를 위한 전처리 단계(S200); 전처리된 쿼츠 지그를 1차 세정하는 1차 세정 단계(S300); 상기 1차 세정된 쿼츠 지그를 엠보싱 에칭용 조성물을 통해 엠보싱 에칭하는 엠보싱 에칭 단계(S400); 상기 엠보싱 에칭된 쿼츠 지그를 2차 세정하는 2차 세정 단계(S500); 상기 2차 세정된 쿼츠 지그의 표면에 대해 표면 조도를 조정하는 표면조도 조정 단계(S600); 상기 표면조도 조정 단계 이후 표면을 세정하는 3차 세정 단계(S700); 및 3차 세정이 완료된 쿼츠 지그를 건조시키는 건조 단계(S800)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the surface treatment method of a chemical vapor deposition-equipped quartz jig according to the first embodiment of the present invention is a method of treating (i.e., embossing) the surface of a quartz jig used in a chemical vapor deposition process A sandblasting step (S100) for sandblasting the prepared quartz jig; A pretreatment step (S200) for activating the surface of the quartz jig subjected to the sandblasting and removing organic matter; A first cleaning step (S300) of first cleaning the pretreated quartz jig; An embossing etching step (S400) for embossing etching the first cleaned quartz jig through a composition for embossing etching; A second cleaning step (S500) for secondarily cleaning the embossed etched quartz jig; A surface roughness adjusting step (S600) of adjusting the surface roughness of the surface of the quartz jig that has been secondarily cleaned; A third cleaning step (S700) of cleaning the surface after the surface roughness adjustment step; And a drying step (S800) for drying the quartz jig that has been subjected to the third cleaning.
샌드 블라스팅 단계(S100)는 화학기상증착 공정의 쿼츠 지그의 표면에 일반적으로 행해지는 샌드 블라스트 처리를 통해 얻어진 것과 같은 표면 처리 형태를 갖게 된다. 여기서, 샌드 블라스팅 단계(S100)는 샌드 블라스팅 대신에 화염 연마(fire polishing) 처리하는 것으로 대체될 수 있다.The sandblasting step (S100) has a surface treatment form such as that obtained through a sandblasting treatment generally performed on the surface of a quartz jig in a chemical vapor deposition process. Here, the sandblasting step S100 may be replaced with a fire polishing process instead of the sand blasting process.
전처리 단계(S200)는 샌드 블라스팅 처리된 쿼츠 지그의 표면을 활성화하고, 유기물을 제거하기 위한 것으로, 불산(HF) 희석액이나 BOE(buffered oxide etchant) 희석액 또는 에탄올이나 메탄올 이소프로필 알콜을 포함하는 알콜 단독으로 전처리하는 것을 포함한다The pretreatment step (S200) is a step of activating the surface of the quartz jig subjected to the sandblasting process and removing the organic matter. The pretreatment step (S200) may be performed by using a hydrofluoric acid (HF) diluent, a buffered oxide etchant (BOE) diluent, or an alcohol containing methanol or isopropyl alcohol Lt; RTI ID = 0.0 >
1차 세정 단계(S300), 2차 세정 단계(S500), 3차 세정 단계(S700)는 전 단계에서 표면 처리된 쿼츠 지그의 표면을 세정하기 위한 것으로, 탈이온수(순수)를 이용하여 세정할 수 있다.The first cleaning step S300, the second cleaning step S500, and the third cleaning step S700 are performed to clean the surface of the quartz jig surface-treated in the previous step, and to clean the surface of the quartz jig using deionized water .
엠보싱 에칭 단계(S400)는 엠보싱 에칭용 조성물을 마련하고, 마련된 엠보싱 에칭용 조성물로 엠보싱 에칭 처리하는 것을 포함한다.The embossing etching step S400 includes preparing a composition for embossing etching, and embossing the resulting composition for embossing etching.
엠보싱 형태의 조밀도 및 표면 조도 조절을 위해 1차 세정 단계(S300), 엠보싱 에칭 단계(S400), 2차 세정 단계(S500)를 수회 반복할 수 있다.The first cleaning step (S300), the embossing etching step (S400), and the second cleaning step (S500) may be repeated several times in order to adjust the density and surface roughness of the embossed pattern.
여기서, 엠보싱 에칭용 조성물은 불산(HF 50% solution), 탈이온수(18MΩ 이상), 산성불화암모늄(NH4HF2), 포름산(HCOOH) 및/또는 구연산(HO2CCH=CHCO2H)을 소정 비율 혼합하여 마련된다.Here, the composition for embossing etching is prepared by mixing a predetermined ratio of hydrofluoric acid (HF 50% solution), deionized water (18 MΩ or more), acidic ammonium fluoride (NH 4 HF 2), formic acid (HCOOH) and / or citric acid (HO 2 CCH═CHCO 2 H).
바람직하게 엠보싱 에칭용 조성물은 다음의 표 1과 같은 비율로 조성된다.Preferably, the composition for embossing etching is prepared in the ratio shown in Table 1 below.
(HF 50% solution)Foshan
(HF 50% solution)
(18MΩ 이상)Deionized water
(More than 18MΩ)
(HO2CCH=CHCO2H)Citric acid
(HO2CCH = CHCO2H)
여기서, 불산이 5% 미만인 경우에는 후속 공정인 표면 조도 조정 단계에서 표면 조도 조정 현상이 저감하는 문제가 있으며, 10% 초과인 경우에는 과조도 현상이 발생하게 된다. 또한, 산성불화암모늄이 20% 미만인 경우에는 미조정 영역이 발생하며, 40% 초과인 경우에는 산성불화암모늄이 발생하는 문제점이 있다.Here, when the amount of hydrofluoric acid is less than 5%, there is a problem that the surface roughness adjustment phenomenon is reduced in the subsequent step of adjusting the surface roughness. When the hydrofluoric acid is more than 10%, a hyperbolic phenomenon occurs. If the acid ammonium fluoride content is less than 20%, a non-regulated area is generated. If the acid fluoride ammonium content exceeds 40%, acid ammonium fluoride is generated.
또한, 포름산이 50% 미만인 경우에는 쿼츠 지그의 표면에 형성되는 엠보싱 형태(음각 형태)가 100um 이상으로 증가하는 문제점이 있고, 70% 초과인 경우에는 엠보싱 형태(음각 형태)가 10um 이하로 감소하는 문제가 있다. 여기에서, 쿼츠 지그의 표면에 형성되는 엠보싱 형태의 사이즈(입자형태 사이즈)는 화학기상증착 공정의 쿼츠 지그 이용분야에서 적합하게 이용될 수 있도록 10um ~ 100um이 바람직하며, 10~60um인 것이 더욱 바람직하다.When formic acid is less than 50%, there is a problem that the embossing form (engraved form) formed on the surface of the quartz jig is increased to more than 100 um. When the formic acid is more than 70%, the embossed form (engraved form) there is a problem. Here, the size (grain size size) of the embossed shape formed on the surface of the quartz jig is preferably 10 to 100 um, more preferably 10 to 60 um so as to be suitably used in the field of the quartz jig use in the chemical vapor deposition process Do.
이때, 엠보싱 에칭용 조성물을 마련함에 있어서 구연산은 쿼츠 지그의 표면에 형성되는 엠보싱 형태를 조밀화 및 균일화시키기 위하여 표 1에 나타낸 비율로 포함시킬 수 있다.At this time, in preparing the composition for embossing etching, citric acid may be included in the ratio shown in Table 1 in order to densify and homogenize the embossing form formed on the surface of the quartz jig.
이와 같이 마련된 엠보싱 에칭용 조성물을 통해 화학 에칭 방법(완전 침적 또는 완전 담금)을 통해 쿼츠 지그의 표면을 엠보싱 에칭 처리하게 된다(S400).The surface of the quartz jig is subjected to an embossing etching treatment through a chemical etching method (complete immersion or complete immersion) through the thus-prepared composition for embossing etching (S400).
다음으로, 엠보싱 에칭 처리한 후 2차 세정(S500)을 통해 세정하게 된다.Next, the substrate is subjected to an embossing etching treatment followed by a secondary cleaning (S500).
엠보싱 형태의 조밀도 및 표면 조도 조절을 위해 1차 세정 단계(S300), 엠보싱 에칭 단계(S400), 2차 세정 단계(S500)를 수회 반복할 수 있다.The first cleaning step (S300), the embossing etching step (S400), and the second cleaning step (S500) may be repeated several times in order to adjust the density and surface roughness of the embossed pattern.
계속해서, 쿼츠 지그의 표면에 대해 표면 조도를 조정하는 표면 조도 조정 단계(S600)는 상기한 표면 에칭 단계와 같이 쿼츠 지그의 표면이 소정 조도를 갖도록 하기 위한 것으로, BOE(buffered oxide etchant) 희석액 또는 HF5%(불산) 희석액으로 표면 조도를 조정하는 것 중 적어도 하나를 포함한다.Subsequently, the surface roughness adjusting step S600 for adjusting the surface roughness of the surface of the quartz jig is to make the surface of the quartz jig have a predetermined roughness like the above-mentioned surface etching step, and it is preferable to use a buffered oxide etchant (BOE) And adjusting the surface roughness with an HF 5% (hydrofluoric acid) diluent.
이러한 표면 조도 조정 단계(S600)를 거친 쿼츠 지그는 평균 조도(Ra)가 1.0 ~ 3um, 바람직하게는 1.5 ~ 2.5um 범위를 갖도록 조정되는 것이 바람직하다.It is preferable that the quartz jig having undergone the surface roughness adjusting step S600 is adjusted to have an average roughness Ra of 1.0 to 3 mu m, preferably 1.5 to 2.5 mu m.
표면 조도 조정 단계 이후 표면을 세정하는 3차 세정 단계(S700)는 또한 탈이온수(순수)를 이용하여 세정하게 된다.The third cleaning step (S700) for cleaning the surface after the surface roughness adjustment step is also performed using deionized water (pure water).
마지막으로, 3차 세정까지 완료된 쿼츠 지그를 건조시키는 건조 단계(S800)는 세정 후 잔여 수분을 제거하기 위한 것으로, 예를 들어 건조 공기 또는 오븐을 통해 건조하게 된다.Finally, the drying step (S800) for drying the quartz jig completed until the third cleaning is for removing residual water after cleaning, for example, drying air or oven.
이러한 공정에서 각 공정의 공정 시간은 표면 조도 조절을 적절히 고려하여 가변적으로 조정될 수 있고, 온도의 경우에는 상온 분위기(예를 들어, 15도~20도 사이)에서 진행되며, 공정 압력은 상압에서 이루어진다.In this process, the process time of each process can be variably adjusted taking into consideration the surface roughness control, and in the case of temperature, the process is carried out in a normal-temperature atmosphere (for example, between 15 degrees and 20 degrees) .
다음으로, 도 2는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 CVD용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법에 대한 플로차트로서, 앞서 설명한 제1 실시 예에 따른 CVD용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법에서 최초 단계인 샌드 블라스팅 단계(S100)를 실행하는 대신에, 전처리 세정을 실행 한 다음(S100A) 후속 공정은 제1 실시 예와 동일하게 이루어진다.Next, FIG. 2 is a flowchart of a surface treatment method of a quartz jig for CVD according to a second embodiment of the present invention. In the surface treatment method of the quartz jig for CVD according to the first embodiment described above, Instead of executing step S100, pre-process cleaning is performed (S100A), and the subsequent process is performed in the same manner as in the first embodiment.
또한, 도 3은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 CVD용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법에 대한 플로차트로서, 앞서 설명한 제1 실시 예에 따른 CVD용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법에서 전처리 단계(S200)를 생략하여 실행하는 것으로, 이후 후속 공정은 제1 실시 예와 동일하게 이루어진다.3 is a flowchart of a surface treatment method of a quartz jig for CVD according to a third embodiment of the present invention. In the surface treatment method of the quartz jig for CVD according to the first embodiment described above, a pre-treatment step (S200) And the subsequent steps are performed in the same manner as in the first embodiment.
본 발명의 발명자는 상기한 제2 및 제3 실시 예에 따른 표면 처리 방법을 실행하더라도 제1 실시 예와 동일한 또는 매우 유사한 결과를 도출하는 것임을 확인하였다.The inventor of the present invention has confirmed that even when the surface treatment method according to the second and third embodiments is carried out, the same or very similar results as those of the first embodiment are derived.
구체적으로, 본 발명의 발명자는 상기한 실시 예들에 대한 쿼츠 지그의 표면 처리 방법을 통해 실험을 진행하였다.Specifically, the inventor of the present invention conducted an experiment through the surface treatment method of quartz jig for the above-mentioned embodiments.
본 발명의 실시 예들과 비교되는 아래 비교 예들로서, 비교 예1은 단계 샌드 블라스팅, 1차 세정, 표면 에칭, 2차 세정, 그리고 건조 과정을 거친 예이고, 비교 예2는 사전 세정, 표면 에칭, 1차 세정 그리고 건조 과정을 거친 예이다.Comparative Example 1 is an example of a step sandblasting, a first cleaning, a surface etching, a second cleaning, and a drying process, and Comparative Example 2 is an example of pre-cleaning, surface etching, This is an example of first cleaning and drying.
아래의 표 2는 본 발명에 따른 쿼츠 지그의 표면 처리 방법을 통해 얻은 실시 예들과 비교예들의 표면 조도에 대한 결과에 대해 정리한 표이며, 표 3은 도 4에 나타낸 예시에서의 실시 예와 비교 예에 따른 형태를 정리한 표이다. 도 4는 본 발명에 따른 실시 예들과 비교예를 비교하기 위하여 쿼츠 지그의 표면 처리에 의해 형성된 엠보싱(요철)의 사이즈 예시를 설명하기 위한 예시도이다.Table 2 is a table summarizing the results of the surface roughness of the examples and comparative examples obtained by the surface treatment method of the quartz jig according to the present invention. Table 3 shows the results of comparison between the examples in the example shown in Fig. 4 This is a table summarizing the form according to the example. 4 is an exemplary view for explaining an example of the size of embossing (concavo-convex) formed by the surface treatment of quartz jig to compare the embodiments according to the present invention with the comparative example.
도 5는 본 발명에 따른 표면 처리 방법에 의해 처리된 쿼츠 지그 표면의 광학현미경사진으로서, 실시 예1의 표면 상태를 나타낸 도면이고, 도 6은 본 발명에 따른 표면 처리 방법에 의해 처리된 쿼츠 지그 표면의 광학현미경사진으로서, 실시 예2의 표면 상태를 나타낸 도면이며, 도 7은 본 발명에 따른 표면 처리 방법에 의해 처리된 쿼츠 지그 표면의 광학현미경사진으로서, 실시 예3의 표면 상태를 나타낸 도면이다. 도 8은 본 발명에 따른 표면 처리 방법에 의해 처리된 쿼츠 지그 표면의 광학현미경사진으로서, 비교 예1의 표면 상태를 나타낸 도면이고, 도 9는 본 발명에 따른 표면 처리 방법에 의해 처리된 쿼츠 지그 표면의 광학현미경사진으로서, 비교 예1의 표면 상태를 나타낸 도면이다.FIG. 5 is an optical microscope photograph of the quartz jig surface treated by the surface treatment method according to the present invention, showing the surface state of Example 1, and FIG. 6 is a graph showing the surface state of the quartz jig treated by the surface treatment method according to the present invention, FIG. 7 is an optical microscope photograph of the quartz jig surface treated by the surface treatment method according to the present invention, showing the surface state of Example 3 to be. FIG. 8 is an optical microscope photograph of the quartz jig surface treated by the surface treatment method according to the present invention, showing the surface state of Comparative Example 1, and FIG. 9 is a graph showing the surface state of the quartz jig treated by the surface treatment method according to the present invention, 1 is an optical microscope photograph showing the surface state of Comparative Example 1. Fig.
이와 같이 본 실험을 통해 본 발명에 따른 쿼츠 지그의 표면 처리 방법은, 비표면적이 50%이상 증가하는 것으로 나타났으며, 쿼츠 지그의 표면에 최적의 조도와 사이즈를 갖는 다수의 돌기(엠보싱 형태)가 형성된 것임을 확인하였다.As described above, the surface treatment method of the quartz jig according to the present invention has shown that the specific surface area is increased by 50% or more, and the surface of the quartz jig has a large number of protrusions (embossed shapes) .
상기한 바와 같은 본 발명에 따른 쿼츠 지그의 표면에 균일하고 미세한 최적의 엠보싱을 형성할 수 있는 이점이 있고, 또한 화학기상증착 공정에서 박막의 박리 억제를 통해 파티클을 저감시켜 패턴 결함으로 인한 불량을 방지하고, 비표면적 증가와 최적의 표면 조도에 의하여 박막 앵커(anchor) 기능을 부여할 수 이점이 있다.The present invention has the advantage that uniform and fine embossing can be formed on the surface of the quartz jig according to the present invention. In the chemical vapor deposition process, the particles are reduced by suppressing the peeling of the thin film, And an anchor function can be imparted by increasing the specific surface area and the optimum surface roughness.
본 명세서에서 설명되는 실시 예와 첨부된 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 예시적으로 설명하는 것에 불과하다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술적 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아님은 자명하다. 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형 예와 구체적인 실시 예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
The embodiments and the accompanying drawings described in the present specification are merely illustrative of some of the technical ideas included in the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed herein are for the purpose of describing rather than limiting the technical spirit of the present invention, and it is apparent that the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. It will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.
S100: 샌드 블라스팅 단계
S200: 표면 에칭 단계
S300, S500, S700: 세정 단계
S400: 엠보싱 에칭 단계
S600: 표면 조도 조정 단계
S800: 건조 단계S100: Step of sandblasting
S200: Surface etching step
S300, S500, S700: Cleaning step
S400: embossing etching step
S600: Surface roughness adjustment step
S800: drying step
Claims (16)
마련된 쿼츠 지그에 대하여 샌드 블라스팅(sand blasting) 처리하는 샌드 블라스팅 단계;
상기 샌드 블라스팅 처리된 쿼츠 지그의 표면 활성화 및 유기물 제거를 위하여 쿼츠 표면을 전처리하는 표면 전처리 단계;
상기 전처리된 쿼츠 지그를 1차 세정하는 1차 세정 단계;
상기 1차 세정된 쿼츠 지그를 엠보싱 에칭용 조성물을 통해 엠보싱 에칭하는 엠보싱 에칭 단계;
상기 엠보싱 에칭된 쿼츠 지그를 2차 세정하는 2차 세정 단계;
상기 2차 세정된 쿼츠 지그의 표면에 대해 표면 조도를 조정하는 표면조도 조정 단계;
상기 표면조도 조정 단계 이후 표면을 세정하는 3차 세정 단계; 및
상기 3차 세정이 완료된 쿼츠 지그를 건조시키는 건조 단계;
를 포함하는 화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법.
A method of treating a surface of a quartz jig for chemical vapor deposition to form an embossing,
A sandblasting step of subjecting the quartz jig to sandblasting;
A surface pretreatment step of pretreating the quartz surface to activate the surface of the quartz jig subjected to the sandblasting and to remove organic matter;
A first cleaning step of first cleaning the pretreated quartz jig;
An embossing etching step of embossing the primary cleaned quartz jig through a composition for embossing etching;
A second cleaning step of secondly cleaning the embossed etched quartz jig;
A surface roughness adjusting step of adjusting the surface roughness of the surface of the quartz jig that has been secondarily cleaned;
A third cleaning step of cleaning the surface after the surface roughness adjustment step; And
A drying step of drying the quartz jig after completion of the third cleaning;
Wherein the surface of the quartz jig is coated with a chemical vapor.
마련된 쿼츠 지그를 세정하는 전처리 세정 단계;
상기 샌드 블라스팅 처리된 쿼츠 지그의 표면 활성화 및 유기물 제거를 위한 전처리 단계;
상기 전처리된 쿼츠 지그를 1차 세정하는 1차 세정 단계;
상기 1차 세정된 쿼츠 지그를 엠보싱 에칭용 조성물을 통해 엠보싱 에칭하는 엠보싱 에칭 단계;
상기 엠보싱 에칭된 쿼츠 지그를 2차 세정하는 2차 세정 단계;
상기 2차 세정된 쿼츠 지그의 표면에 대해 표면 조도를 조정하는 표면조도 조정 단계;
상기 표면조도 조정 단계 이후 표면을 세정하는 3차 세정 단계; 및
상기 3차 세정이 완료된 쿼츠 지그를 건조시키는 건조 단계;를 포함하는
화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법.
A method of treating a surface of a quartz jig for chemical vapor deposition to form an embossing,
A pretreatment cleaning step of cleaning the prepared quartz jig;
A pretreatment step for activating the surface of the quartz jig subjected to the sandblasting treatment and for removing organic matter;
A first cleaning step of first cleaning the pretreated quartz jig;
An embossing etching step of embossing the primary cleaned quartz jig through a composition for embossing etching;
A second cleaning step of secondly cleaning the embossed etched quartz jig;
A surface roughness adjusting step of adjusting the surface roughness of the surface of the quartz jig that has been secondarily cleaned;
A third cleaning step of cleaning the surface after the surface roughness adjustment step; And
And a drying step of drying the quartz jig after completion of the third cleaning
Surface treatment of quartz jig with chemical vapor deposition.
마련된 쿼츠 지그에 대하여 샌드 블라스팅(sand blasting) 처리하는 샌드 블라스팅 단계;
상기 에칭 처리된 쿼츠 지그를 1차 세정하는 1차 세정 단계;
상기 1차 세정된 쿼츠 지그를 엠보싱 에칭용 조성물을 통해 엠보싱 에칭하는 엠보싱 에칭 단계;
상기 엠보싱 에칭된 쿼츠 지그를 2차 세정하는 2차 세정 단계;
상기 2차 세정된 쿼츠 지그의 표면에 대해 표면 조도를 조정하는 표면조도 조정 단계;
상기 표면조도 조정 단계 이후 표면을 세정하는 3차 세정 단계; 및
상기 3차 세정이 완료된 쿼츠 지그를 건조시키는 건조 단계;를 포함하는
화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법.
A method of treating a surface of a quartz jig for chemical vapor deposition to form an embossing,
A sandblasting step of subjecting the quartz jig to sandblasting;
A first cleaning step of first cleaning the etched quartz jig;
An embossing etching step of embossing the primary cleaned quartz jig through a composition for embossing etching;
A second cleaning step of secondly cleaning the embossed etched quartz jig;
A surface roughness adjusting step of adjusting the surface roughness of the surface of the quartz jig that has been secondarily cleaned;
A third cleaning step of cleaning the surface after the surface roughness adjustment step; And
And a drying step of drying the quartz jig after completion of the third cleaning
Surface treatment of quartz jig with chemical vapor deposition.
상기 표면 전처리 단계는 HF(불산) 희석액이나 BOE(buffered oxide etchant) 희석액 또는 알콜 단독으로 전처리하는 것을 포함하고,
상기 표면 조도 조정 단계는 BOE(buffered oxide etchant) 희석액 또는 HF(불산)5% 희석액으로 표면을 처리하는 것을 포함하는
화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법.
The method according to claim 1 or 2,
Wherein the surface pretreatment step comprises pretreating with an HF (fluoric acid) diluent or a BOE (buffered oxide etchant) diluent or an alcohol alone,
The step of adjusting the surface roughness may include treating the surface with a buffered oxide etchant (BOE) diluent or HF (hydrofluoric acid) 5% diluent
Surface treatment of quartz jig with chemical vapor deposition.
상기 표면 조도 조정 단계는 BOE(buffered oxide etchant) 희석액 또는 HF(불산)5% 희석액으로 표면을 처리하는 것을 포함하는
화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법.
The method of claim 3,
The step of adjusting the surface roughness may include treating the surface with a buffered oxide etchant (BOE) diluent or HF (hydrofluoric acid) 5% diluent
Surface treatment of quartz jig with chemical vapor deposition.
상기 표면 조도 조정 단계는 쿼츠 지그의 표면의 평균 조도(Ra)가 1.0~3um 범위를 갖도록 조정되도록 하는
화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The surface roughness adjusting step may be such that the average roughness Ra of the surface of the quartz jig is adjusted to have a range of 1.0 to 3 um
Surface treatment of quartz jig with chemical vapor deposition.
상기 엠보싱 에칭 단계는 엠보싱 에칭용 조성물을 마련하고, 마련된 엠보싱 에칭용 조성물로 엠보싱 에칭 처리하는 것을 포함하며,
상기 엠보싱 에칭용 조성물은 불산(HF 50% solution), 탈이온수(18MΩ 이상), 산성불화암모늄(NH4HF2), 포름산(HCOOH)이 소정 비율 혼합되어 마련되는
화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the embossing etching step comprises providing a composition for embossing etching, and embossing etching with the composition for embossing etching provided,
The composition for embossing etching may be prepared by mixing HF 50% solution, deionized water (18 MΩ or more), acidic ammonium fluoride (NH 4 HF 2), and formic acid (HCOOH)
Surface treatment of quartz jig with chemical vapor deposition.
상기 엠보싱 에칭용 조성물은
불산(HF 50% solution): 5~10%; 산성불화암모늄(NH4HF2): 20~40%; 및 포름산(HCOOH): 50~70%; 및 탈이온수(18MΩ 이상): 5~10%로 이루어지는
화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법.
The method of claim 7,
The above-mentioned composition for embossing etching
Hydrofluoric acid (HF 50% solution): 5 to 10%; Acid ammonium fluoride (NH4HF2): 20-40%; And formic acid (HCOOH): 50-70%; And deionized water (18 MΩ or more): 5 to 10%
Surface treatment of quartz jig with chemical vapor deposition.
상기 엠보싱 에칭 단계는 엠보싱 에칭용 조성물을 마련하고, 마련된 엠보싱 에칭용 조성물로 엠보싱 에칭 처리하는 것을 포함하며,
상기 엠보싱 에칭용 조성물은 불산(HF 50% solution), 탈이온수(18MΩ 이상), 산성불화암모늄(NH4HF2), 포름산(HCOOH), 및 구연산(HO2CCH=CHCO2H)이 소정 비율 혼합되어 마련되는
화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the embossing etching step comprises providing a composition for embossing etching, and embossing etching with the composition for embossing etching provided,
The composition for embossing etching may be prepared by mixing a predetermined ratio of a mixture of hydrofluoric acid (HF 50% solution), deionized water (18MΩ or more), acid ammonium fluoride (NH4HF2), formic acid (HCOOH), and citric acid (HO2CCH = CHCO2H)
Surface treatment of quartz jig with chemical vapor deposition.
상기 엠보싱 에칭용 조성물은
불산(HF 50% solution): 5~10%; 산성불화암모늄(NH4HF2): 25~35%; 및 포름산(HCOOH): 40~60%; 및 탈이온수(18MΩ 이상): 5~15%; 구연산(HO2CCH=CHCO2H): 0.1 ~ 5%로 이루어지거나, 불산(HF 50% solution): 5~10%; 산성불화암모늄(NH4HF2): 25~35%; 및 포름산(HCOOH): 40~50%; 및 탈이온수(18MΩ 이상): 15~15%; 구연산(HO2CCH=CHCO2H): 0.1 ~ 5%로 이루어지는
화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법.
The method of claim 9,
The above-mentioned composition for embossing etching
Hydrofluoric acid (HF 50% solution): 5 to 10%; Acid ammonium fluoride (NH4HF2): 25-35%; And formic acid (HCOOH): 40-60%; And deionized water (18 MΩ or more): 5 to 15%; 0.1 to 5% of citric acid (HO2CCH = CHCO2H) or 5 to 10% of hydrofluoric acid (HF 50% solution); Acid ammonium fluoride (NH4HF2): 25-35%; And formic acid (HCOOH): 40-50%; And deionized water (18 MΩ or more): 15 to 15%; Citric acid (HO2CCH = CHCO2H): 0.1 to 5%
Surface treatment of quartz jig with chemical vapor deposition.
상기 1차 세정 단계, 엠보싱 에칭 단계 및 2차 세정 단계를 복수회 반복하는 화학기상증착용 쿼츠 지그의 표면 처리 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the first cleaning step, the embossing etching step, and the second cleaning step are repeated a plurality of times.
불산(HF 50% solution), 탈이온수(18MΩ 이상), 산성불화암모늄(NH4HF2), 포름산(HCOOH)을 포함하는
화학기상증착용 쿼츠 지그 표면의 엠보싱 에칭 처리용 조성물.
A composition for embossing etch the surface of a quartz jig,
(HF 50% solution), deionized water (18MΩ or more), acid ammonium fluoride (NH4HF2), formic acid (HCOOH)
Compositions for embossing etching treatment of quartz jig surface with chemical vapor deposition.
상기 엠보싱 에칭 처리용 조성물은
불산(HF 50% solution): 5~10%; 산성불화암모늄(NH4HF2): 20~40%; 및 포름산(HCOOH): 50~70%; 및 탈이온수(18MΩ 이상): 5~10%로 이루어지는
화학기상증착용 쿼츠 지그 표면의 엠보싱 에칭 처리용 조성물.
The method of claim 12,
The composition for the embossing etching treatment
Hydrofluoric acid (HF 50% solution): 5 to 10%; Acid ammonium fluoride (NH4HF2): 20-40%; And formic acid (HCOOH): 50-70%; And deionized water (18 MΩ or more): 5 to 10%
Compositions for embossing etching treatment of quartz jig surface with chemical vapor deposition.
상기 엠보싱 에칭 처리용 조성물은 구연산(HO2CCH=CHCO2H)을 더 포함하는
화학기상증착용 쿼츠 지그 표면의 엠보싱 에칭 처리용 조성물.
The method of claim 12,
Wherein the composition for the embossing etch process further comprises citric acid (HO2CCH = CHCO2H)
Compositions for embossing etching treatment of quartz jig surface with chemical vapor deposition.
상기 엠보싱 에칭 처리용 조성물은
불산(HF 50% solution): 5~10%; 산성불화암모늄(NH4HF2): 25~35%; 및 포름산(HCOOH): 40~60%; 및 탈이온수(18MΩ 이상): 5~15%; 구연산(HO2CCH=CHCO2H): 0.1 ~ 5%로 이루어지거나, 불산(HF 50% solution): 5~10%; 산성불화암모늄(NH4HF2): 25~35%; 및 포름산(HCOOH): 40~50%; 및 탈이온수(18MΩ 이상): 15~15%; 구연산(HO2CCH=CHCO2H): 0.1 ~ 5%로 이루어지는
화학기상증착용 쿼츠 지그 표면의 엠보싱 에칭 처리용 조성물.
15. The method of claim 14,
The composition for the embossing etching treatment
Hydrofluoric acid (HF 50% solution): 5 to 10%; Acid ammonium fluoride (NH4HF2): 25-35%; And formic acid (HCOOH): 40-60%; And deionized water (18 MΩ or more): 5 to 15%; 0.1 to 5% of citric acid (HO2CCH = CHCO2H) or 5 to 10% of hydrofluoric acid (HF 50% solution); Acid ammonium fluoride (NH4HF2): 25-35%; And formic acid (HCOOH): 40-50%; And deionized water (18 MΩ or more): 15 to 15%; Citric acid (HO2CCH = CHCO2H): 0.1 to 5%
Compositions for embossing etching treatment of quartz jig surface with chemical vapor deposition.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140099661A KR101606793B1 (en) | 2014-08-04 | 2014-08-04 | Surface treatment for quartz jigs for cvd, composition for surface treatment of quartz jigs and quartz jigs manufactured by the same |
| TW104118820A TWI586621B (en) | 2014-08-04 | 2015-06-10 | Surface treatment for quartz jigs for cvd, composition for surface treatment of quartz jigs and quartz jigs manufactured by the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140099661A KR101606793B1 (en) | 2014-08-04 | 2014-08-04 | Surface treatment for quartz jigs for cvd, composition for surface treatment of quartz jigs and quartz jigs manufactured by the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160016136A true KR20160016136A (en) | 2016-02-15 |
| KR101606793B1 KR101606793B1 (en) | 2016-03-28 |
Family
ID=55356933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140099661A KR101606793B1 (en) | 2014-08-04 | 2014-08-04 | Surface treatment for quartz jigs for cvd, composition for surface treatment of quartz jigs and quartz jigs manufactured by the same |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101606793B1 (en) |
| TW (1) | TWI586621B (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190027636A (en) * | 2017-09-07 | 2019-03-15 | 주식회사 원익큐엔씨 | Quartz surface treatment method for quartz surface coating |
| CN113149450A (en) * | 2021-05-11 | 2021-07-23 | 沈阳偶得科技有限公司 | Method for manufacturing hill-shaped surface by quartz product in LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) process |
| CN113213736A (en) * | 2021-05-11 | 2021-08-06 | 沈阳偶得科技有限公司 | Processing method for prolonging service life of quartz product for LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) process |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102275790B1 (en) | 2019-11-15 | 2021-07-09 | 세메스 주식회사 | Quartz member surface treatment and quartz member |
| CN114102440A (en) * | 2020-08-28 | 2022-03-01 | 长鑫存储技术有限公司 | Surface treatment method for quartz member |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1070099A (en) * | 1996-08-27 | 1998-03-10 | Naoetsu Denshi Kogyo Kk | Method of cleaning sandblasted semiconductor wafer, and semiconductor wafer cleaned by the method |
| KR100473705B1 (en) | 1999-09-13 | 2005-03-10 | 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤 | Quartz glass article having sand blast-treated surface and method for cleaning the same |
| JP2007005656A (en) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Etchant composition for metal material and method of manufacturing semiconductor device using same |
| KR100787350B1 (en) | 2002-01-31 | 2007-12-18 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | Method of Producing Large-Sized Synthetic Quartz Glass Substrate |
| KR20080098772A (en) * | 2007-05-07 | 2008-11-12 | 조의수 | Cleaning and etching composition for silicon substrate of pdp, lcd and oled |
| KR101145470B1 (en) * | 2003-07-24 | 2012-05-15 | 퀀텀 글로벌 테크놀로지스, 엘엘씨 | Cleaning process and apparatus for silicate materials |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7250114B2 (en) * | 2003-05-30 | 2007-07-31 | Lam Research Corporation | Methods of finishing quartz glass surfaces and components made by the methods |
| CN103553350B (en) * | 2013-10-17 | 2016-06-15 | 航天科工惯性技术有限公司 | A kind of quartz material corrosive liquid and caustic solution |
-
2014
- 2014-08-04 KR KR1020140099661A patent/KR101606793B1/en active IP Right Grant
-
2015
- 2015-06-10 TW TW104118820A patent/TWI586621B/en active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1070099A (en) * | 1996-08-27 | 1998-03-10 | Naoetsu Denshi Kogyo Kk | Method of cleaning sandblasted semiconductor wafer, and semiconductor wafer cleaned by the method |
| KR100473705B1 (en) | 1999-09-13 | 2005-03-10 | 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤 | Quartz glass article having sand blast-treated surface and method for cleaning the same |
| KR100787350B1 (en) | 2002-01-31 | 2007-12-18 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | Method of Producing Large-Sized Synthetic Quartz Glass Substrate |
| KR101145470B1 (en) * | 2003-07-24 | 2012-05-15 | 퀀텀 글로벌 테크놀로지스, 엘엘씨 | Cleaning process and apparatus for silicate materials |
| JP2007005656A (en) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Etchant composition for metal material and method of manufacturing semiconductor device using same |
| KR20080098772A (en) * | 2007-05-07 | 2008-11-12 | 조의수 | Cleaning and etching composition for silicon substrate of pdp, lcd and oled |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190027636A (en) * | 2017-09-07 | 2019-03-15 | 주식회사 원익큐엔씨 | Quartz surface treatment method for quartz surface coating |
| CN113149450A (en) * | 2021-05-11 | 2021-07-23 | 沈阳偶得科技有限公司 | Method for manufacturing hill-shaped surface by quartz product in LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) process |
| CN113213736A (en) * | 2021-05-11 | 2021-08-06 | 沈阳偶得科技有限公司 | Processing method for prolonging service life of quartz product for LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201605755A (en) | 2016-02-16 |
| KR101606793B1 (en) | 2016-03-28 |
| TWI586621B (en) | 2017-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101606793B1 (en) | Surface treatment for quartz jigs for cvd, composition for surface treatment of quartz jigs and quartz jigs manufactured by the same | |
| EP1641719B1 (en) | Methods of finishing quartz glass surfaces and components made by the methods | |
| CN109841475B (en) | Pretreatment method and wafer treatment method | |
| JP4785834B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor coated substrate | |
| JP3613472B2 (en) | Plasma etching apparatus member and method of manufacturing the same | |
| KR102019817B1 (en) | Quarts surface treatment method | |
| KR101685553B1 (en) | Surface treatment method of quartz materials for semiconductor manufacturing apparatus, and quartz materials manufactured by the same | |
| KR101529571B1 (en) | Surface treatment for quartz materials, composition for surface treatment of quartz materials and quartz materials manufactured by the same | |
| KR101860829B1 (en) | Recycling method of quartz jig | |
| CN114262160B (en) | Anti-glare glass and preparation method thereof | |
| US20230326735A1 (en) | Method of preparing a silicon carbide wafer | |
| TWI577647B (en) | Surface treatment for quartz materials, composition for surface treatment of quartz materials and quartz materials manufactured by the same | |
| KR102275790B1 (en) | Quartz member surface treatment and quartz member | |
| KR102581501B1 (en) | Quartz glass surface treatment method and quartz glass prepared thereof | |
| KR20240050707A (en) | Quartz glass substrate with excellent uniformity of roughness and manufacturing method thereof | |
| CN219218125U (en) | Article coated with crack resistant fluorine annealed film | |
| CN113149450A (en) | Method for manufacturing hill-shaped surface by quartz product in LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) process | |
| CN111524785B (en) | Processing method of dry etching cavity | |
| CN113213736A (en) | Processing method for prolonging service life of quartz product for LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) process | |
| TWI586611B (en) | Surface treatment method of quartz materials for semiconductor manufacturing apparatus, composition for surface treatment of quartz materials for semiconductor manufacturing apparatus and quartz materials manufactured by the same | |
| JP4453944B2 (en) | Plasma resistant quartz glass jig | |
| KR100557944B1 (en) | Method for forming dielectric layer for metallic pattern in semiconductor device | |
| US20040023510A1 (en) | Method for producing a quartz glass tank for use in ultrasonic cleaning used for fabricating semiconductor and quartz glass tank obtainable from that method | |
| KR20210144303A (en) | Methods of forming seasoning thin film in apparatus for treating substrate | |
| CN105493232A (en) | Bonded wafer manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190304 Year of fee payment: 4 |