KR20160016103A

KR20160016103A - 광 반도체 조명장치

Info

Publication number: KR20160016103A
Application number: KR1020140099593A
Authority: KR
Inventors: 최재영; 김진종; 김정화
Original assignee: 주식회사 포스코엘이디
Priority date: 2014-08-04
Filing date: 2014-08-04
Publication date: 2016-02-15

Abstract

본 발명은 반도체 광소자가 상면에 어레이되며, 금속재의 베이스 플레이트를 포함하는 발광 모듈; 소켓 베이스가 구비되는 하단부와, 상기 발광 모듈이 배치되는 상단부를 포함하며, 상기 하단부로부터 상기 상단부를 향하여 직경이 커지고, 절연체로 이루어진 중공의 하우징; 상기 하우징에 내장되어 상기 발광 모듈의 하부측에 배치되는 중공인 비절연체의 히트싱크; 및 상기 하우징의 상단부에 결합되어 상기 베이스 플레이트와 상기 히트싱크를 외부로부터 감싸는 투명 또는 반투명의 합성수지로 이루어진 광학 커버;를 포함하고, 상기 히트싱크는 상기 하우징의 내면에 밀착되는 외면을 구비하며, 경량화를 도모하면서도 방열 효율을 높이고, 전기적 안정성 또한 도모할 수 있도록 하는 광 반도체 조명장치에 관한 것이다.

Description

광 반도체 조명장치{OPTICAL SEMICONDUCTOR ILLUMINATING APPARATUS}

본 발명은 광 반도체 조명장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 경량화를 도모하면서도 방열 효율을 높이고, 전기적 안정성 또한 도모할 수 있도록 하는 광 반도체 조명장치에 관한 것이다.

엘이디 또는 엘디 등과 같은 광 반도체는 백열등과 형광등에 비하여 전력 소모량이 적으면서도 사용 수명이 길며 내구성도 뛰어남은 물론 훨씬 높은 휘도로 인하여 최근 조명용으로 널리 각광받고 있는 부품 중의 하나이다.

전술한 광 반도체를 기반으로 하는 조명장치는 할로겐 램프 또는 백열등과 동일한 형상의 소켓 베이스에 히트 싱크 등이 구비된 하우징을 결합하고, 이러한 하우징에 광원으로서의 광 반도체를 어레이하고, 하우징에 광 반도체를 감싸는 광학 부재가 탑재된 벌브(bulb) 타입의 것도 출시되고 있다.

여기서, 광 반도체를 기반으로 하는 벌브 타입의 조명장치는 광원으로서 기능하는 광 반도체로부터의 발열 대책이 필요하므로, 통상 다수의 핀(fin)이 형성된 히트싱크를 다이캐스팅 등의 방법을 이용하여 제작하고 있다.

그러나, 이러한 통상의 히트싱크는 전술한 바와 같이 제작되므로, 자체 중량이 무겁고, 부품이 되는 히트싱크의 가격 또한 높은 문제가 있다.

또한, 다이캐스팅으로 제작된 히트싱크의 경우는 열전도율이 낮아서 무게 대비 방열 효율이 떨어지는 문제점도 있었다.

따라서, 경량화를 도모하면서도 방열 효율을 높이고, 전기적 안정성 또한 도모할 수 있도록 하는 장치의 개발이 절실한 것이다.

등록특허 제10-1025564호 공개특허 제10-2012-0020269호

본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 발명된 것으로, 경량화를 도모하면서도 방열 효율을 높이고, 전기적 안정성 또한 도모할 수 있도록 하는 광 반도체 조명장치를 제공하기 위한 것이다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 반도체 광소자가 상면에 어레이되며, 금속재의 베이스 플레이트를 포함하는 발광 모듈; 소켓 베이스가 구비되는 하단부와, 상기 발광 모듈이 배치되는 상단부를 포함하며, 상기 하단부로부터 상기 상단부를 향하여 직경이 커지고, 절연체로 이루어진 중공의 하우징; 상기 하우징에 내장되어 상기 발광 모듈의 하부측에 배치되는 중공인 비절연체의 히트싱크; 및 상기 하우징의 상단부에 결합되어 상기 베이스 플레이트와 상기 히트싱크를 외부로부터 감싸는 투명 또는 반투명의 합성수지로 이루어진 광학 커버;를 포함하며, 상기 히트싱크는 상기 하우징의 내면에 밀착되는 외면을 구비한다.

여기서, 상기 히트싱크는 제1 두께를 가진 금속 박판으로 이루어지며, 상기 베이스 플레이트는 상기 제1 두께보다 두꺼운 제2 두께를 가진다.

이때, 상기 베이스 플레이트의 상면은 상기 하우징의 상단부 가장자리보다 낮거나 같은 위치에 배치된다.

그리고, 상기 광 반도체 조명장치는, 상기 하우징의 하단부 내측으로부터 돌출되어 상기 소켓 베이스와 전기적으로 연결되며, SMPS 또는 서지 보호 회로를 수용하는 보호 박스부를 더 포함한다.

그리고, 상기 광 반도체 조명장치는, 상기 하우징의 하단부 내측으로부터 돌출되어 상기 소켓 베이스와 전기적으로 연결되며, SMPS 또는 서지 보호 회로를 수용하는 보호 박스부와, 상기 보호 박스부에 구비되고, 상기 히트싱크의 하단부를 상기 하우징과 상기 보호 박스부 사이에 고정시키는 히트싱크 고정부를 더 포함한다.

그리고, 상기 보호 박스부는, 상기 하우징의 상측을 향하여 점차 좁아지게 형성된다.

그리고, 상기 히트싱크 고정부는, 상기 보호 박스부의 외면으로부터 상기 보호 박스부의 상하 방향을 따라 상기 하우징의 내면을 향하여 돌출된 복수의 고정 리브를 포함한다.

그리고, 상기 히트싱크 고정부는, 상기 보호 박스부의 외면으로부터 상기 보호 박스부의 상하 방향을 따라 상기 하우징의 내면을 향하여 돌출된 복수의 고정 리브를 포함하며, 상기 고정 리브로부터 상기 하우징의 내주면까지의 거리는 금속 박판으로 이루어진 상기 히트싱크의 제1 두께보다 작거나 같다.

그리고, 상기 베이스 플레이트의 가장자리 외주면은 상기 히트싱크 상단부의 내주면에 억지 끼움 결합된다.

그리고, 상기 광 반도체 조명장치는, 상기 베이스 플레이트에 배치되고, 복수의 상기 반도체 광소자들이 방사상으로 어레이되는 PCB와, 상기 PCB를 상기 베이스 플레이트에 고정시키는 복수의 고정구를 더 포함한다.

그리고, 상기 PCB에 노출된 상기 복수의 고정구의 헤드는 합성수지로 몰드 처리된다.

그리고, 상기 광 반도체 조명장치는, 복수의 상기 반도체 광소자들의 중심을 상호 연결하여 형성된 제1 가상원을 정의하며, 상기 복수의 고정구의 헤드들은 상기 제1 가상원의 외측에 배치된다.

그리고, 상기 광 반도체 조명장치는, 상기 복수의 고정구의 헤드 중심과 상기 PCB의 중심을 연결하여 형성된 가상선을 더 정의하며, 복수의 상기 반도체 광소자들 중 하나는 상기 가상선 상에 배치되고, 상기 가상선 상에 배치된 상기 반도체 광소자는 상기 제1 가상원의 내측에 배치된다.

그리고, 상기 광 반도체 조명장치는, 상기 복수의 고정구의 헤드 중심을 연결하여 형성된 제2 가상원과, 상기 가상선 상에 배치된 상기 반도체 광소자들의 중심을 연결하여 형성된 제3 가상원을 더 정의하며, 상기 제2 가상원의 직경은 상기 제1 가상원보다 크고, 상기 제3 가상원의 직경은 상기 제1 가상원보다 작다.

그리고, 상기 제1 가상원 상에 배치된 복수의 상기 반도체 광소자들 중 상기 가상선을 기준으로 하여 좌, 우 양측에 배치된 반도체 광소자로부터 상기 헤드의 중심까지의 거리는 동일하다.

또한, 상기 하우징은, 폴리부티렌테레프탈레이트(polybutyren-terephthalate: PBT)로 이루어진다.

아울러, 청구범위 및 상세한 설명에 기재된 '반도체 광소자'는 광 반도체를 포함하거나 이용하는 발광다이오드 칩 등과 같은 것을 의미한다.

이러한 '반도체 광소자'는 전술한 발광다이오드 칩을 포함한 다양한 종류의 광 반도체를 내부에 포함하는 패키지 레벨의 것을 포함한다고 할 수 있다.

상기와 같은 구성의 본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.

우선, 본 발명은 합성수지재인 중공의 하우징 내면에 외면이 밀착 고정되는 중공의 금속재인 히트싱크를 포함하는 구조로부터 전체적인 경량화를 구현하면서도 방열 효율을 극대화할 수 있다.

그리고, 본 발명은 금속재인 베이스 플레이트를 포함하는 발광 모듈과 히트싱크가 합성수지인 하우징과 광학 커버에 의하여 외부로 노출되지 않도록 하여, 서지 보호 및 내전압 방지가 가능하게 되므로, 전기적 안정성을 도모할 수 있게 된다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 반도체 조명장치의 전체적인 구성을 나타낸 단면 개념도
도 2는 도 1의 A 시점에서 바라본 평면 개념도
도 3은 도 1의 B-B'선 단면 개념도

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다.

그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예로 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이다.

본 명세서에서 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.

그리고 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 구성 요소, 잘 알려진 동작 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다.

또한, 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭하고, 본 명세서에서 사용된(언급된) 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.

본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함하며, '포함(또는, 구비)한다'로 언급된 구성 요소 및 동작은 하나 이상의 다른 구성요소 및 동작의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다.

또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.

이하, 첨부된 도면을 참고로 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 반도체 조명장치의 전체적인 구성을 나타낸 단면 개념도이며, 도 2는 도 1의 A 시점에서 바라본 평면 개념도이고, 도 3은 도 1의 B-B'선 단면 개념도이다.

본 발명은 도시된 바와 같이 발광 모듈(100)과 중공의 하우징(200)과 금속재의 히트싱크(300) 및 광학 커버(500)를 포함하는 구조임을 파악할 수 있다.

발광 모듈(100)은 반도체 광소자(101)가 상면에 어레이되며, 금속재의 베이스 플레이트(110)를 포함하는 것이다.

하우징(200)은 소켓 베이스(210)가 구비되는 하단부(201)와, 발광 모듈(100)이 배치되는 상단부(202)를 포함하며, 하단부(201)로부터 상단부(202)를 향하여 직경이 커지고, 합성수지로 이루어진 중공의 부재이다.

히트싱크(300)는 하우징(200)에 내장되어 발광 모듈(100)의 하부측에 배치되며, 하우징(200)의 내주면에 밀착되는 외주면을 구비하는 중공인 금속재의 부재이다.

여기서, 하우징(200)은 비절연체인 히트싱크(300)를 수용하고 발광 모듈(100)을 서지로부터 보호하기 위한 절연체의 역할을 수행하는 것이다.

광학 커버(500)는 하우징(200)의 상단부(202)에 결합되어 베이스 플레이트(110)와 히트싱크(300)를 외부로부터 감싸는 투명 또는 반투명의 합성수지로 이루어진 것이다.

따라서, 본 발명은 합성수지재인 중공의 하우징(200) 내면에 중공의 금속재인 히트싱크(300)의 외면이 밀착 고정되는 형태를 구비하였으므로, 구조적으로 조명장치 전체의 경량화를 구현하면서도 방열 효율을 극대화할 수 있다.

그리고, 본 발명은 금속재인 베이스 플레이트(110)를 포함하는 발광 모듈(100)과 히트싱크(300)가 합성수지인 하우징(200)과 광학 커버(500)에 의하여 외부로 노출되지 않도록 하므로, 서지 보호 및 내전압 방지가 가능하게 되어 전기적 안정성을 도모할 수 있게 된다.

본 발명은 상기와 같은 실시예의 적용이 가능하며, 다음과 같은 다양한 실시예의 적용 또한 가능함은 물론이다.

히트싱크(300)는 제1 두께(d1)를 가진 금속 박판으로 이루어지며, 베이스 플레이트(110)는 제1 두께(d1)보다 두꺼운 제2 두께(d2)를 가지는 것이 바람직하다.

즉, 베이스 플레이트(110)는 히트싱크(300)보다는 두껍게 제작함으로써 전열 면적을 증대시켜 방열 효율을 높일 수 있을 것이다.

여기서, 베이스 플레이트(110)의 상면은 하우징(200)의 상단부(202) 가장자리보다 낮거나 같은 위치에 배치되도록 하여, 광학 커버(500)와의 체결에 지장을 주지 않도록 하면서 금속재인 히트싱크(300)와 베이스 플레이트(110) 등의 부재가 외부로 노출되지 않게 하여 전술한 바와 같은 서지 보호 및 내전압을 방지하여 전기적 안정성을 도모할 수 있게 된다.

이때, 베이스 플레이트(110)의 가장자리 외주면은 히트싱크(300) 상단부(202)의 내주면에 억지 끼움 결합되는 것을 파악할 수 있다.

이것은, 하우징(200)의 전체적인 형상에 대응되게 밀착 고정되는 히트싱크(300)의 형상적인 특징에 기인하는 것이다.

여기서, 하우징(200)은, 내구성과 내열성 및 내화학성 등이 우수한 합성수지로 이루어지는 것이 바람직하며, 예를 들면 폴리부티렌테레프탈레이트(polybutyren-terephthalate: PBT) 등과 같은 소재를 사용할 수도 있다.

한편, 본 발명은 베이스 플레이트(110)에 배치되고, 복수의 반도체 광소자(101)들이 방사상으로 어레이되는 PCB(120)와, PCB(120)를 베이스 플레이트(110)에 고정시키는 볼트 등과 같은 복수의 고정구(130)를 더 포함하는 구조의 실시예를 적용할 수도 있다.

여기서, PCB(120)에 노출된 복수의 고정구(130)의 헤드(132)는 서지 보호와 내전압 사향을 만족시키기 위하여 합성수지로 몰드 처리되는 것이 바람직하다.

이때, 본 발명은 도 2와 같이 헤드(132)의 고정 배치 위치에 따라 반도체 광소자(101)들의 어레이에 약간의 변경을 가할 수도 있다.

우선, 본 발명은 제1, 2, 3 가상원(C1, C2, C3) 및 가상선(L)을 정의할 수 있다.

제1 가상원(C1)은 PCB(120)에 방사상으로 배치된 복수의 반도체 광소자(101)들의 중심을 상호 연결하여 형성된 것이다.

그리고, 제2 가상원(C2)은 PCB(120)에 노출된 복수의 고정구(130)의 헤드(132) 중심을 상호 연결하여 형성된 것이다.

그리고, 가상선(L)은 PCB(120)의 중심으로부터 헤드(132) 중심까지 연결하여 형성된 것이다.

따라서, 복수의 반도체 광소자(101)들 중 하나는 가상선(L) 상에 배치되고, 가상선(L) 상에 배치된 반도체 광소자(101)는 제1 가상원(C1)의 내측에 배치된다.

이러한 배치는 금속재인 고정구(130)의 헤드(132) 주변에서 서지 보호와 내전압 사양을 만족시키기 위한 것이라 할 수 있다.

이때, 앞서 정의된 제1, 2 가상원(C1, C2) 및 가상선(L)과 함께, 가상선(L) 상에 배치된 반도체 광소자(101)들의 중심을 연결하여 형성된 제3 가상원(C3)을 더 정의할 수 있다.

이러한 제2 가상원(C2)의 직경은 제1 가상원(C1)보다 크고, 제3 가상원(C3)의 직경은 제1 가상원(C1)보다 작은 것을 알 수 있다.

또한, 본 발명은 균일한 배광 분포를 얻을 수 있도록, 제1 가상원(C1) 상에 배치된 복수의 반도체 광소자(101)들 중 가상선(L)을 기준으로 하여 좌, 우 양측에 배치된 반도체 광소자(101)로부터 헤드(132)의 중심까지의 거리는 동일한 것이 바람직하다.

즉, 볼트 등과 같은 고정구(130)의 헤드(132) 주변에 내전압으로 인한 회로의 파손 등 제반 문제가 발생할 수 있으므로, 헤드(132)가 배치된 PCB(120) 상에서는 헤드(132)와 일정 거리를 이격시켜 도시된 바와 같이 반도체 광소자(101)들을 각각 배치하여 서지 보호 및 내전압으로부터 반도체 광소자(101)들을 포함한 부품의 보호를 할 수 있게 된다.

한편, 본 발명은 하우징(200)의 하단부(201) 내측으로부터 돌출되어 소켓 베이스(210)와 전기적으로 연결되며, SMPS 또는 서지 보호 회로(400)를 수용하는 보호 박스부(220)를 더 포함하는 구조의 실시예를 적용할 수도 있다.

또한, 보호 박스부(220)는, 히트싱크(300)의 하단부 가장자리가 원활하게 삽입되어 하우징(200)에 안착 고정될 수 있도록, 하우징(200)의 상측을 향하여 점차 좁아지게 형성되도록 하여 히트싱크(300) 하단부의 삽입을 안내할 수 있을 것이다.

그리고, 본 발명은 도 3과 같이 보호 박스부(220)에 구비되고, 히트싱크(300)의 하단부(201)를 하우징(200)과 보호 박스부(220) 사이에 고정시키는 히트싱크 고정부를 더 구비할 수도 있다.

즉, 히트싱크 고정부는 보호 박스부(220)의 외면으로부터 보호 박스부(220)의 상하 방향을 따라 하우징(200)의 내주면을 향하여 돌출된 복수의 고정 리브(222)를 포함하는 것을 알 수 있다.

고정 리브(222)로부터 하우징(200)의 내주면까지의 거리는, 히트싱크(300)가 억지끼움 방식으로 견고하게 고정될 수 있도록, 금속 박판으로 이루어진 히트싱크(300)의 제1 두께(d1, 이하 도 1 참조)보다 작거나 같은 것이 바람직하다.

이상과 같이 본 발명은 경량화를 도모하면서도 방열 효율을 높이고, 전기적 안정성 또한 도모할 수 있도록 하는 광 반도체 조명장치를 제공하는 것을 기본적인 기술적 사상으로 하고 있음을 알 수 있다.

그리고, 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서 당해 업계 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다른 많은 변형 및 응용 또한 가능함은 물론이다.

100...발광 모듈
101...반도체 광소자
110...베이스 플레이트
120...PCB
130...고정구
132...헤드
200...하우징
201...하단부
202...상단부
210...소켓 베이스
220...보호 박스부
222...고정 리브
300...히트싱크
400...SMPS 및 서지 보호 회로
500...광학 커버
C1...제1 가상원
C2...제2 가상원
C3...제3 가상원
d1...제1 두께
d2...제2 두께
L...가상선

Claims

반도체 광소자가 상면에 어레이되며, 금속재의 베이스 플레이트를 포함하는 발광 모듈;
소켓 베이스가 구비되는 하단부와, 상기 발광 모듈이 배치되는 상단부를 포함하며, 상기 하단부로부터 상기 상단부를 향하여 직경이 커지고, 절연체로 이루어진 중공의 하우징;
상기 하우징에 내장되어 상기 발광 모듈의 하부측에 배치되는 중공인 비절연체의 히트싱크; 및
상기 하우징의 상단부에 결합되어 상기 베이스 플레이트와 상기 히트싱크를 외부로부터 감싸는 투명 또는 반투명의 합성수지로 이루어진 광학 커버;를 포함하고,
상기 히트싱크는 상기 하우징의 내면에 밀착되는 외면을 구비하는 광 반도체 조명장치.
청구항 1에 있어서,
상기 히트싱크는 제1 두께를 가진 금속 박판으로 이루어지며, 상기 베이스 플레이트는 상기 제1 두께보다 두꺼운 제2 두께를 가지는 광 반도체 조명장치.
청구항 1에 있어서,
상기 베이스 플레이트의 상면은 상기 하우징의 상단부 가장자리보다 낮거나 같은 위치에 배치되는 광 반도체 조명장치.
청구항 1에 있어서,
상기 광 반도체 조명장치는,
상기 하우징의 하단부 내측으로부터 돌출되어 상기 소켓 베이스와 전기적으로 연결되며, SMPS 또는 서지 보호 회로를 수용하는 보호 박스부를 더 포함하는 광 반도체 조명장치.
청구항 1에 있어서,
상기 광 반도체 조명장치는,
상기 하우징의 하단부 내측으로부터 돌출되어 상기 소켓 베이스와 전기적으로 연결되며, SMPS 또는 서지 보호 회로를 수용하는 보호 박스부와,
상기 보호 박스부에 구비되고, 상기 히트싱크의 하단부를 상기 하우징과 상기 보호 박스부 사이에 고정시키는 히트싱크 고정부를 더 포함하는 광 반도체 조명장치.
청구항 4에 있어서,
상기 보호 박스부는,
상기 하우징의 상측을 향하여 점차 좁아지게 형성되는 광 반도체 조명장치.
청구항 5에 있어서,
상기 보호 박스부는,
상기 하우징의 상측을 향하여 점차 좁아지게 형성되는 광 반도체 조명장치.
청구항 5에 있어서,
상기 히트싱크 고정부는,
상기 보호 박스부의 외면으로부터 상기 보호 박스부의 상하 방향을 따라 상기 하우징의 내면을 향하여 돌출된 복수의 고정 리브를 포함하는 광 반도체 조명장치.
청구항 5에 있어서,
상기 히트싱크 고정부는,
상기 보호 박스부의 외면으로부터 상기 보호 박스부의 상하 방향을 따라 상기 하우징의 내면을 향하여 돌출된 복수의 고정 리브를 포함하며,
상기 고정 리브로부터 상기 하우징의 내주면까지의 거리는 금속 박판으로 이루어진 상기 히트싱크의 제1 두께보다 작거나 같은 광 반도체 조명장치.
청구항 1에 있어서,
상기 베이스 플레이트의 가장자리 외주면은 상기 히트싱크 상단부의 내주면에 억지 끼움 결합되는 광 반도체 조명장치.
청구항 1에 있어서,
상기 광 반도체 조명장치는,
상기 베이스 플레이트에 배치되고, 복수의 상기 반도체 광소자들이 방사상으로 어레이되는 PCB와,
상기 PCB를 상기 베이스 플레이트에 고정시키는 복수의 고정구를 더 포함하는 광 반도체 조명장치.
청구항 11에 있어서,
상기 PCB에 노출된 상기 복수의 고정구의 헤드는 합성수지로 몰드 처리되는 광 반도체 조명장치.
청구항 11에 있어서,
상기 광 반도체 조명장치는,
복수의 상기 반도체 광소자들의 중심을 상호 연결하여 형성된 제1 가상원을 정의하며,
상기 복수의 고정구의 헤드들은 상기 제1 가상원의 외측에 배치되는 광 반도체 조명장치.
청구항 13에 있어서,
상기 광 반도체 조명장치는,
상기 복수의 고정구의 헤드 중심과 상기 PCB의 중심을 연결하여 형성된 가상선을 더 정의하며,
복수의 상기 반도체 광소자들 중 하나는 상기 가상선 상에 배치되고, 상기 가상선 상에 배치된 상기 반도체 광소자는 상기 제1 가상원의 내측에 배치되는 광 반도체 조명장치.
청구항 14에 있어서,
상기 광 반도체 조명장치는,
상기 복수의 고정구의 헤드 중심을 연결하여 형성된 제2 가상원과,
상기 가상선 상에 배치된 상기 반도체 광소자들의 중심을 연결하여 형성된 제3 가상원을 더 정의하며,
상기 제2 가상원의 직경은 상기 제1 가상원보다 크고,
상기 제3 가상원의 직경은 상기 제1 가상원보다 작은 광 반도체 조명장치.
청구항 14에 있어서,
상기 제1 가상원 상에 배치된 복수의 상기 반도체 광소자들 중 상기 가상선을 기준으로 하여 좌, 우 양측에 배치된 반도체 광소자로부터 상기 헤드의 중심까지의 거리는 동일한 광 반도체 조명장치.
청구항 1에 있어서,
상기 하우징은,
폴리부티렌테레프탈레이트(polybutyren-terephthalate: PBT)로 이루어진 광 반도체 조명장치.