KR20160015509A - Organic light emitting display device - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an organic light emitting display device. In particular, the technical subject of the present invention is to provide the organic light emitting display device capable of preventing current passing through an organic light emitting diode from being changed by a change of a threshold voltage of a driving transistor and a characteristic change of the organic light emitting diode. For this, the organic light emitting display device according to the present invention comprises: the driving transistor which includes a panel with both the organic light emitting diode and pixels formed of a pixel driving unit driving the organic light emitting diode in every crossed area of data and gate lines, wherein the pixel driving unit is connected between a first voltage supply line and a second voltage supply line where the organic light emitting diode is connected; a first switching transistor to connect a first node connected to a first terminal of the driving transistor with the first voltage supply line in response to a first emission signal; a second switching transistor to connect a second node connected to a gate of the driving transistor with the data line in response to a first scan signal; a third switching transistor to connect a third node connected to a third terminal of the driving transistor with an initialization voltage supply line in response to a second scan signal; a storage capacitor connected between the second and third nodes; a driving capacitor connected between the driving transistor and the first voltage supply line; and a fourth switching transistor to connect the third node to the organic light emitting diode in response to a second emission signal.

Description

유기발광표시장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light-

본 발명은 유기발광표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display.

최근, 정보화 사회로 시대가 발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판표시장치(FPD : Flat Panel Display Device)의 중요성이 증대되고 있다. 평판표시장치에는, 액정표시장치(LCD : Liquid Crystal Display Device), 플라즈마 표시장치(PDP : Plasma Display Panel Device), 유기발광표시장치(OLED : Organic Light Emitting Display Device) 등이 있으며, 최근에는 전기영동표시장치(EPD : Electrophoretic Display Device)도 널리 이용되고 있다.Recently, with the development of the information society, the importance of flat panel display devices (FPDs) having excellent characteristics such as thinning, light weight, and low power consumption is increasing. Examples of the flat panel display include a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting display (OLED). Recently, Electrophoretic display devices (EPD) are also widely used.

이 중, 박막트랜지스터를 포함하는 액정표시장치 및 유기발광표시장치는 해상도, 컬러 표시, 화질 등에서 우수하여 텔레비전, 노트북, 테블릿 컴퓨터, 또는 데스크 탑 컴퓨터의 표시 장치로 널리 상용화되고 있다.Among them, liquid crystal display devices and organic light emitting display devices including thin film transistors are excellent in resolution, color display, image quality, and are widely commercialized as display devices for televisions, notebooks, tablet computers, or desktop computers.

특히, 유기발광표시장치(OLED)는 자발광 소자로서, 소비전력이 낮고, 고속의 응답속도, 높은 발광표율, 높은 휘도 및 광시야각을 가지고 있어, 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.Particularly, the organic light emitting diode (OLED) is a self-luminous element having low power consumption, high response speed, high luminous display rate, high luminance and wide viewing angle, and has been attracting attention as a next generation flat panel display.

유기발광표시장치를 구성하는 다수의 픽셀들 각각은, 애노드 및 캐소드 사이의 유기 발광층으로 구성된 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode : OLED)(이하, 간단히 'OLED'라 함), 및 OLED를 독립적으로 구동하는 픽셀 회로를 포함한다. Each of the plurality of pixels constituting the organic light emitting display includes an organic light emitting diode (OLED) (hereinafter simply referred to as 'OLED') composed of an organic light emitting layer between the anode and the cathode, And a pixel circuit for driving the pixel circuit.

픽셀 회로는 스위칭 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)(이하, 간단히 'TFT'라 함), 커패시터 및 구동 TFT를 포함한다. The pixel circuit includes a switching thin film transistor (hereinafter, simply referred to as a TFT), a capacitor, and a driving TFT.

스위칭 TFT는 스캔 펄스에 응답하여 데이터 전압을 커패시터에 충전한다. 구동 TFT는 커패시터에 충전된 데이터 전압에 따라 OLED로 공급되는 전류량을 제어하여 OLED의 발광량을 조절한다.The switching TFT charges the data voltage to the capacitor in response to the scan pulse. The driving TFT controls the amount of current supplied to the OLED according to the data voltage charged in the capacitor to control the amount of light emitted from the OLED.

그러나, 유기발광표시장치에서는, 공정 편차 등의 이유로 인해, 각 픽셀마다, 구동 TFT의 문턱 전압(Vth) 및 이동도(mobility)와 같은 특성 차이가 발생하며, 고전위 전압(ELVDD)의 전압 강하가 발생한다. 이에 따라, 각 픽셀마다, OLED를 구동하는 전류량이 달라짐으로써, 픽셀들 간에 휘도 편차가 발생된다. However, in the organic light emitting diode display, a characteristic difference such as a threshold voltage (Vth) and mobility of a driving TFT is generated for each pixel due to a process variation or the like, and a voltage drop of the high potential ELVDD Lt; / RTI > As a result, the amount of current that drives the OLED varies for each pixel, causing a luminance deviation between the pixels.

일반적으로, 유기발광표시장치의 초기 구동시 발생되는, 구동 TFT의 특성 차이는, 화면에 얼룩이나 무늬를 발생시킨다. Generally, the difference in characteristics of the driving TFT, which is generated at the time of initial driving of the organic light emitting display device, causes spots and patterns on the screen.

유기발광표시장치가 지속적으로 구동될 때, 구동 TFT의 열화로 인한 특성 차이는, 유기발광표시패널의 수명을 감소시키거나 잔상을 발생시킨다. 따라서, 유기발광표시장치가 지속적으로 구동되는 동안, 구동 TFT의 열화로 인한 특성 차이를 보상해 줄 수 있는 방법이 요구된다.When the organic light emitting display device is continuously driven, a characteristic difference due to the deterioration of the driving TFT reduces the lifetime of the organic light emitting display panel or causes a residual image. Therefore, there is a need for a method capable of compensating for the characteristic difference due to deterioration of the driving TFT while the organic light emitting display device is continuously driven.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 구동 트랜지스터의 문턱전압의 변화 및 유기발광다이오드의 특성 변화에 따라, 유기발광다이오드로 흐르는 전류가 변화되는 것을 방지할 수 있는, 유기발광표시장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic light emitting diode display capable of preventing a current flowing to an organic light emitting diode from being changed in accordance with a change in threshold voltage of a driving transistor and a characteristic change of the organic light emitting diode, And to provide a method of manufacturing the same.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기발광표시장치는, 데이터 라인들과 게이트 라인들의 교차영역마다, 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하는 픽셀 구동부로 구성되는 픽셀들이, 형성되어 있는 패널을 포함하며, 상기 픽셀 구동부는, 제1전압 공급라인과, 상기 유기발광다이오드가 연결되어 있는 제2전압 공급라인 사이에 연결된 구동 트랜지스터; 제1에미션신호에 응답하여, 상기 구동트랜지스터의 제1단자에 연결된 제1노드를 상기 제1전압 공급라인과 연결시키는 제1스위칭 트랜지스터; 제1스캔신호에 응답하여, 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속된 제2노드를 데이터 라인과 연결시키는 제2스위칭 트랜지스터; 제2스캔신호에 응답하여, 상기 구동 트랜지스터의 제3단자에 연결된 제3노드를 초기화 전압 공급라인과 연결시키는 제3스위칭 트랜지스터; 상기 제2노드와 상기 제3노드 사이에 접속된 스토리지 커패시터; 상기 구동 트랜지스터와 상기 제1전압 공급라인 사이에 접속된 구동 커패시터; 및 제2에미션신호에 응답하여, 상기 제3노드를 상기 유기발광다이오드와 연결시키는 제4스위칭 트랜지스터를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display comprising pixels each including an organic light emitting diode and a pixel driver for driving the organic light emitting diode for each intersection of data lines and gate lines Wherein the pixel driver comprises: a driving transistor connected between a first voltage supply line and a second voltage supply line to which the organic light emitting diode is connected; A first switching transistor, responsive to a first emission signal, for connecting a first node coupled to a first terminal of the driving transistor to the first voltage supply line; A second switching transistor, responsive to a first scan signal, for connecting a second node connected to a gate of the driving transistor to a data line; A third switching transistor responsive to a second scan signal for connecting a third node coupled to a third terminal of the driving transistor to an initialization voltage supply line; A storage capacitor connected between the second node and the third node; A driving capacitor connected between the driving transistor and the first voltage supply line; And a fourth switching transistor for connecting the third node to the organic light emitting diode in response to a second emission signal.

본 발명에 의하면, 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터의 문턱전압 및 유기발광다이오드의 특성이 변화되더라도, 픽셀들 간의 휘도 편차가 감소될 수 있으며, 이에 따라, 유기발광표시장치의 화질이 향상될 수 있다. According to the present invention, even if the threshold voltage of the driving transistor for driving the organic light emitting diode and the characteristics of the organic light emitting diode are changed, the luminance deviation between the pixels can be reduced, have.

도 1은 본 발명에 따른 유기발광표시장치의 일실시예 구성도.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 픽셀의 일실시예 구성도.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 게이트 신호들의 일실시예 파형도들.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 픽셀의 일실시예 구성도.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 초기화 기간(A) 동안의 상기 픽셀 구동부의 동작 방법을 설명하기 위한 예시도.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 샘플링 기간(B) 동안의 상기 픽셀 구동부의 동작 방법을 설명하기 위한 예시도.
도7은 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 프로그래밍 기간(C) 동안의 상기 픽셀 구동부의 동작 방법을 설명하기 위한 예시도.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 발광 기간(D) 동안의 상기 픽셀 구동부의 동작 방법을 설명하기 위한 예시도.
도 9는 본 발명의 제3실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 픽셀의 회로구성 및 게이트 신호들의 타이밍을 나타낸 예시도.
도 10은 본 발명에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 유기발광다이오드를 흐르는 전류의 양이 유기발광다이오드의 정전용량의 변화에 따라 변화되는 상태를 나타낸 일실시예 그래프.1 is a view illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device.
FIG. 3 is a waveform diagram of gate signals applied to an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG.
4 is a block diagram of a pixel applied to an organic light emitting display according to a second embodiment of the present invention.
5 is an exemplary diagram illustrating a method of operating the pixel driver during an initialization period A applied to the organic light emitting display according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is an exemplary diagram illustrating a method of operating the pixel driver during a sampling period B applied to an organic light emitting display according to a second embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 7 is an exemplary diagram illustrating a method of operating the pixel driver during a programming period C applied to an organic light emitting display according to a second embodiment of the present invention; FIG.
8 is an exemplary view for explaining a method of operating the pixel driver during a light emission period D applied to the organic light emitting display according to the second embodiment of the present invention.
9 is a diagram illustrating a circuit configuration of a pixel and timing of gate signals applied to an OLED display according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a graph illustrating a state in which the amount of current flowing through the organic light emitting diode applied to the organic light emitting display according to the present invention changes according to the change of the capacitance of the organic light emitting diode.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예가 상세히 설명된다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에서, 트랜지스터로는 박막트랜지스터(TFT)가 이용될 수 있으며, 상기 트랜지스터는 P 타입 또는 N 타입으로 구성될 수 있다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해, N타입으로 구성된 박막트랜지스터를 트랜지스터의 일예로 하여 본 발명이 설명된다. 따라서, 게이트 하이 전압은 트랜지스터를 턴온시키는 게이트 온 전압이고, 게이트 로우 전압(VGL)은 트랜지스터를 턴오프시키는 게이트 오프 전압이다. 또한, 펄스 형태의 신호를 설명함에 있어서, 게이트 하이 전압은 "하이신호"로 정의되며, 게이트 로우 전압은 "로우신호"로 정의된다.In the present invention, a thin film transistor (TFT) may be used as the transistor, and the transistor may be of P type or N type. Hereinafter, for convenience of explanation, the present invention will be described by taking an N-type thin film transistor as an example of a transistor. Thus, the gate high voltage is the gate-on voltage that turns on the transistor, and the gate-low voltage VGL is the gate-off voltage that turns off the transistor. Further, in describing a pulse-shaped signal, the gate high voltage is defined as a "high signal ", and the gate low voltage is defined as a" low signal ".

도 1은 본 발명에 따른 유기발광표시장치의 일실시예 구성도이며, 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 픽셀의 일실시예 구성도이다. FIG. 1 is a configuration diagram of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a block diagram of a pixel applied to the organic light emitting display according to the first embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 유기발광표시장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 데이터 라인들(DL1 to DLd)과 게이트 라인들(GL1 to GLg)의 교차영역마다, 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하는 픽셀 구동부로 구성되는 픽셀(P)들이, 형성되어 있는 패널(100), 상기 게이트 라인들을 구동하는 게이트 드라이버(200), 상기 데이터 라인들을 구동하는 데이터 드라이버(3300) 및 외부로부터 입력된 입력 영상 데이터를 정렬하여 정렬된 영상 데이터(R,G,B)를 상기 데이터 드라이버(300)에 공급하고, 게이트 제어 신호(GCS)와 데이터 제어 신호(DCS)를 이용하여 상기 게이트 드라이버(200)와 상기 데이터 드라이버(300)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(200)를 포함한다. 1, the organic light emitting diode display according to the present invention includes an organic light emitting diode (OLED) and an organic light emitting diode (OLED) driven for each intersection of the data lines DL1 to DLd and the gate lines GL1 to GLg A gate driver 200 for driving the gate lines, a data driver 3300 for driving the data lines, and a data driver 3300 for driving the input lines, The data driver 300 supplies the image data R, G and B sorted by arranging the data to the gate driver 200 and the data driver 300 using the gate control signal GCS and the data control signal DCS. And a timing controller (200) for controlling the data driver (300).

첫째, 상기 패널(100)에는 복수의 게이트 라인들(GL1 to GLg)과 데이터 라인들(DL1 to DLd)이 교차하는 영역마다 픽셀(P)이 형성되어 있다. First, in the panel 100, a pixel P is formed in an area where a plurality of gate lines GL1 to GLg and data lines DL1 to DLd cross each other.

각 픽셀(P)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 유기발광다이오드(OLED) 및 상기 유기발광다이오드를 구동하는 픽셀 구동부(110)를 포함한다. 또한, 각 픽셀 구동부(110)는, 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 제1전압 공급라인(VL1), 제2전압 공급라인(VL2) 및 초기화 전압 공급라인(VL3)에 연결된다.Each pixel P includes an organic light emitting diode (OLED) and a pixel driver 110 for driving the organic light emitting diode, as shown in FIG. Each pixel driver 110 is connected to the gate line GL, the data line DL, the first voltage supply line VL1, the second voltage supply line VL2, and the initialization voltage supply line VL3 .

상기 픽셀 구동부(110)는, 제1전압 공급라인(VL1)과, 상기 유기발광다이오드가 연결되어 있는 제2전압 공급라인(VL2) 사이에 연결된 구동 트랜지스터(DR), 제1에미션신호(EM1)에 응답하여, 상기 구동트랜지스터(DR)의 제1단자에 연결된 제1노드(N1)를 상기 제1전압 공급라인(VL1)과 연결시키는 제1스위칭 트랜지스터(T1), 제1스캔신호(SCAN1)에 응답하여, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 게이트에 접속된 제2노드(N2)를 상기 데이터 라인(DL)과 연결시키는 제2스위칭 트랜지스터(T2), 제2스캔신호(SCAN2)에 응답하여, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 제3단자에 연결된 제3노드(N3)를 초기화 전압 공급라인(VL3)과 연결시키는 제3스위칭 트랜지스터(T3), 상기 제2노드(N2)와 상기 제3노드(N3) 사이에 접속된 스토리지 커패시터(Cst) 및 상기 구동 트랜지스터(DR)와 상기 제1전압 공급라인 사이에 접속된 구동 커패시터(Coled')를 포함한다. The pixel driver 110 includes a driving transistor DR connected between a first voltage supply line VL1 and a second voltage supply line VL2 to which the organic light emitting diode is connected, a first emission signal EM1 A first switching transistor T1 for connecting a first node N1 connected to the first terminal of the driving transistor DR to the first voltage supply line VL1 in response to the first scan signal SCAN1, A second switching transistor T2 for connecting a second node N2 connected to the gate of the driving transistor DR to the data line DL in response to the second scan signal SCAN2, A third switching transistor T3 for connecting a third node N3 connected to the third terminal of the driving transistor DR to the initialization voltage supply line VL3, a third switching transistor T3 for connecting the second node N2, A storage capacitor Cst connected between the driving transistor DR and the first voltage supply line N3, It inherited a drive capacitor (Coled ').

여기서, 상기 제1전압 공급라인(VL1)으로는 제1전압이 공급된다. 상기 구동 트랜지스터(DR)가 상기한 바와 같이 N타입인 경우, 상기 제1전압은 고전위 전압(ELVDD)이다. 또한, 상기 제2전압 공급라인(VL2)으로는 제2전압이 공급된다. 상기 구동 트랜지스터(DR)가 상기한 바와 같이 N타입인 경우, 상기 제2전압은 저전위 전압(VSS)이다. 상기 고전위 전압(ELVDD)은 상기 저전위 전압(VSS)보다 상대적으로 높은 전압을 갖는다. 상기 저전위 전압(VSS)은 접지 전압일 수 있다. 이하에서는, 설명의 편의상, 상기 제1전압이 고전위 전압(ELVDD)이고, 상기 제2전압이 저전위 전압(VSS)인 경우를 일예로 하여 본 발명이 설명된다. 상기 초기화 전압 공급라인(VL3)으로는 초기화 전압(Vini)이 공급된다. 상기 초기화 전압(Vinit)은 각 픽셀(P)의 구동 트랜지스터(DR)의 문턱 전압보다 낮은 전압을 갖는다.Here, a first voltage is supplied to the first voltage supply line VL1. When the driving transistor DR is of the N type as described above, the first voltage is the high potential voltage ELVDD. A second voltage is supplied to the second voltage supply line VL2. When the driving transistor DR is of the N type as described above, the second voltage is the low potential voltage VSS. The high-potential voltage ELVDD has a voltage relatively higher than the low-potential voltage VSS. The low-potential voltage VSS may be a ground voltage. Hereinafter, for convenience of description, the present invention will be described by way of example in which the first voltage is the high potential ELVDD and the second voltage is the low potential voltage VSS. An initialization voltage Vini is supplied to the initialization voltage supply line VL3. The initialization voltage Vinit has a voltage lower than the threshold voltage of the driving transistor DR of each pixel P. [

상기 픽셀 구동부(110)는, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 특성, 특히, 문턱전압의 변화 및 상기 제1전압(ELVDD)의 전압 강하를 보상하도록 구성됨으로써, 각 픽셀(P) 간의 휘도 편차를 줄일 수 있다. The pixel driver 110 is configured to compensate for the characteristics of the driving transistor DR, particularly, the change in the threshold voltage and the voltage drop in the first voltage ELVDD, thereby reducing the luminance deviation between the pixels P .

둘째, 상기 타이밍 컨트롤러(400)는, 미도시된 외부시스템으로부터 입력되는 타이밍 신호, 즉, 수직동기신호(Vsync), 수평동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(DE), 클럭(CLK) 등을 이용하여, 상기 게이트 드라이버(200)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GCS)와 상기 데이터 드라이버(300)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DCS)를 생성한다. 또한, 상기 타이밍 컨트롤러(200)는 상기 외부시스템으로부터 입력되는 입력 영상 데이터를 상기 패널(100)의 크기 및 해상도에 따라 정렬하여, 정렬된 영상 데이터(R,G,B)를 상기 데이터 드라이버(300)로 공급한다. The timing controller 400 receives a timing signal input from an external system (not shown), that is, a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, a data enable signal DE, a clock CLK A gate control signal GCS for controlling the operation timing of the gate driver 200 and a data control signal DCS for controlling the operation timing of the data driver 300 are generated. The timing controller 200 arranges the input image data inputted from the external system according to the size and the resolution of the panel 100 and outputs the sorted image data R, G and B to the data driver 300 ).

이를 위해, 상기 타이밍 컨트롤러(400)는, 상기 외부시스템으로부터 입력영상데이터 및 타이밍 신호들을 수신하기 위한 수신부, 각종 제어신호들을 생성하기 위한 제어신호 생성부, 상기 입력영상데이터를 재정렬하여, 재정렬된 영상데이터를 생성하기 위한 데이터 정렬부 및 상기 제어신호들과 상기 영상데이터를 상기 데이터 드라이버(300)와 상기 게이트 드라이버(200)로 출력하기 위한 출력부를 포함한다. To this end, the timing controller 400 includes a receiver for receiving input image data and timing signals from the external system, a control signal generator for generating various control signals, a rearrangement of the input image data, A data sorting unit for generating data and an output unit for outputting the control signals and the image data to the data driver 300 and the gate driver 200.

셋째, 상기 데이터 드라이버(300)는, 상기 타이밍 컨트롤러(400)로부터 전송되어온 디지털 영상데이터(R,G,B)를 아날로그 데이터 전압으로 변환하여, 상기 게이트 라인(GL)에 상기 게이트 온 전압이 공급되는 1수평기간마다 1수평라인분의 상기 데이터 전압(Vdata)을 상기 데이터 라인(DL)들에 공급한다. The data driver 300 converts the digital image data R, G, and B transmitted from the timing controller 400 into an analog data voltage and supplies the gate-on voltage to the gate line GL And supplies the data voltage (Vdata) for one horizontal line to the data lines DL for every one horizontal period.

상기 데이터 드라이버(300)는, 감마전압 발생부(도시하지 않음)로부터 공급되는 감마전압들을 이용하여, 상기 영상 데이터(R,G,B)를 상기 데이터 전압(Vdata)으로 변환시킨 후, 상기 데이터 전압(Vdata)을, 상기 데이터 라인(DL)으로 공급한다. 이를 위해, 상기 데이터 드라이버(300)는, 쉬프트 레지스터부, 래치부, 디지털 아날로그 변환부(DAC) 및 출력버퍼를 포함한다.The data driver 300 converts the image data R, G, and B into the data voltage Vdata using gamma voltages supplied from a gamma voltage generator (not shown) And supplies the voltage (Vdata) to the data line (DL). To this end, the data driver 300 includes a shift register unit, a latch unit, a digital-analog converter (DAC), and an output buffer.

상기 데이터 드라이버(300)는 이하에서 설명되는 프로그래밍 기간에만 상기 데이터 라인(DL)으로 상기 데이터 전압(Vdata)을 공급하고, 나머지 기간에는 기준 전압(Vref)을 다수의 데이터 라인(DL)에 공급한다.The data driver 300 supplies the data voltage Vdata to the data line DL only for a programming period to be described below and supplies the reference voltage Vref to a plurality of data lines DL for the remaining periods .

넷째, 상기 게이트 드라이버(200)는, 칩온필름(COF) 형태로 상기 패널(100)에 연결될 수 있으며, 상기 패널 상에 직접 장착되거나, 또는 상기 패널 상에 직접 형성될 수도 있다. Fourth, the gate driver 200 may be connected to the panel 100 in the form of a chip-on-film (COF), directly mounted on the panel, or directly on the panel.

상기 게이트 드라이버(200)는, 상기 타이밍 컨트롤러(400)로부터 입력되는 상기 게이트 제어신호에 응답하여, 상기 게이트 온 전압을 생성한 후, 상기 게이트 온 전압을 상기 게이트 라인들(GL1 to GLg)에 순차적으로 공급한다. 상기 게이트 온 전압이 입력되는 해당 수평라인의 각각의 픽셀에 형성되어 있는 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2)들이 턴온되어, 각 픽셀(P)로 영상이 출력될 수 있다. 상기 게이트 온 전압은, 이하에서, 제1스캔신호(SCAN1)라 한다.The gate driver 200 generates the gate-on voltage in response to the gate control signal input from the timing controller 400 and supplies the gate-on voltage to the gate lines GL1 to GLg sequentially . The second switching transistors T2 formed at the respective pixels of the corresponding horizontal line to which the gate-on voltage is input may be turned on to output an image to each pixel P. The gate-on voltage is hereinafter referred to as a first scan signal SCAN1.

상기 게이트 드라이버(200)는, 상기 타이밍 컨트롤러(400)로부터 입력되는 상기 게이트 제어신호에 응답하여, 제2스캔신호(SCAN2) 및 제1에미션신호(EM1)를 생성한다. The gate driver 200 generates a second scan signal SCAN2 and a first emission signal EM1 in response to the gate control signal input from the timing controller 400. [

즉, 상기 게이트 드라이버(200)는, 상기 타이밍 컨트롤러(200)로부터 전송되어온 상기 게이트 제어신호(GCS)에 따라, 다수의 게이트 신호를 공급한다. 상기 다수의 게이트 신호들은, 상기 제1스캔신호(SCAN1), 상기 제2스캔신호(SCAN2), 상기 제1에미션신호(EN1)를 포함한다. 상기 게이트 신호들은, 각 픽셀(P)에 공급된다.
That is, the gate driver 200 supplies a plurality of gate signals according to the gate control signal GCS transmitted from the timing controller 200. The plurality of gate signals include the first scan signal SCAN1, the second scan signal SCAN2, and the first emission signal EN1. The gate signals are supplied to each pixel (P).

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 게이트 신호들의 일실시예 파형도들이다. 이하, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 상기 픽셀 구동부 구성 및 동작방법이, 도 2 및 도 3을 참조하여 구체적으로 설명된다. FIG. 3 is a waveform diagram of gate signals applied to the OLED display according to the first embodiment of the present invention. Hereinafter, the configuration and operation method of the pixel driving unit applied to the OLED display according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3. FIG.

상기 픽셀 구동부(110)의 동작기간은, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 픽셀(P)에 공급되는 게이트 신호들(SCAN1, SCAN2, EM1)의 펄스 타이밍에 따라, 초기화 기간(A), 샘플링 기간(B), 프로그래밍 기간(C) 및 발광 기간(D)으로 구분된다.3, the operation period of the pixel driving unit 110 is controlled in accordance with pulse timings of the gate signals SCAN1, SCAN2, and EM1 supplied to the pixel P, (B), a programming period (C), and a light emission period (D).

상기 초기화 기간(A)에, 상기 제1스캔신호(SCAN1) 및 상기 제2스캔신호(SCAN2)들은 하이신호들이고, 상기 제1에미션신호(EM1)는 로우신호이다. In the initialization period A, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are high signals and the first emission signal EM1 is a low signal.

상기 샘플링 기간(B)에, 상기 제1스캔신호(SCAN1) 및 상기 제1에미션신호(EM1)들은 하이신호들이고, 상기 제2스캔신호(SCAN2)는 로우신호이다. In the sampling period B, the first scan signal SCAN1 and the first emission signal EM1 are high signals, and the second scan signal SCAN2 is a low signal.

상기 프로그래밍 기간(C)에, 상기 제1스캔신호(SCAN1)는 하이신호이고, 제2 스캔신호(SCAN2) 및 상기 제1에미션신호(EM1)들은 로우신호들이다. In the programming period C, the first scan signal SCAN1 is a high signal, the second scan signal SCAN2 and the first emission signal EM1 are low signals.

상기 발광 기간(D)에, 상기 제1에미션신호(EM1)는 하이신호이고, 상기 제1스캔신호(SCAN1) 및 상기 제2스캔신호(SCAN2)들은 로우신호들이다.In the light emission period D, the first emission signal EM1 is a high signal, and the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are low signals.

상기 데이터 드라이버(300)는, 상기 프로그래밍 기간(C)에, 데이터 전압(Vdata)을, 데이터 라인(DL)들에 공급하고, 나머지 기간에는 기준 전압(Vref)을 데이터 라인(DL)들에 공급한다.The data driver 300 supplies the data voltage Vdata to the data lines DL during the programming period C and supplies the reference voltage Vref to the data lines DL during the remaining periods. do.

상기 픽셀(P)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 유기발광다이오드(OLED) 및 4개의 트랜지스터들(DR, T1, T2, T3)과, 2개의 커패시터들(Cst, Coled1')을 구비하여, 상기 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 상기 픽셀 구동부(110)를 포함한다. The pixel P includes the organic light emitting diode OLED and four transistors DR, T1, T2 and T3 and two capacitors Cst and Coled1 'as shown in FIG. And the pixel driving unit 110 driving the organic light emitting diode OLED.

상기 구동 트랜지스터(DR)는 상기 유기발광다이오드(OLED)와 함께 상기 제1전압 공급라인(VL1)과 상기 제2전압 공급라인(VL2) 사이에 연결되어, 상기 발광 기간(D)에, 상기 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류의 양을 제어한다. The driving transistor DR is connected between the first voltage supply line VL1 and the second voltage supply line VL2 together with the organic light emitting diode OLED, And controls the amount of current flowing to the light emitting diode (OLED).

상기 제1스위칭 트랜지스터(T1)는, 상기 제1에미션신호(EM1)에 따라 턴온 또는 턴오프 되며, 턴온 시, 상기 고전위 전압(ELVDD)을 상기 구동 트랜지스터(DR)의 제1단자에 공급한다. 예를 들어, 상기 제1스위칭 트랜지스터(T1)는, 상기 샘플링 기간(B)과 상기 발광 기간(D)에 상기 제1전압 공급라인(VL1)으로부터 제공된 상기 고전위 전압(ELVDD)을 상기 구동 트랜지스터(DR)의 상기 제1단자에 공급한다. 상기 구동 트랜지스터(DR)가 N타입으로 구성된 경우, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 세 개의 단자들 중, 상기 제1전압 공급라인(VL1)과 연결되는 상기 제1단자는 드레인이고, 상기 제2전압 공급라인(VL2)과 연결되는 제3단자는 소스이며, 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2)와 연결되는 제2단자는 게이트이다. The first switching transistor T1 is turned on or off according to the first emission signal EM1 and supplies the high potential ELVDD to the first terminal of the driving transistor DR when the first switching transistor T1 is turned on do. For example, the first switching transistor Tl may supply the high potential voltage ELVDD supplied from the first voltage supply line VL1 to the driving transistor Tl during the sampling period B and the light emission period D, (DR) to the first terminal. When the driving transistor DR is of the N type, the first terminal connected to the first voltage supply line VL1 among the three terminals of the driving transistor DR is a drain, A third terminal connected to the supply line VL2 is a source, and a second terminal connected to the second switching transistor T2 is a gate.

상기 제2스위칭 트랜지스터(T2)는 상기 제1스캔 신호(SCAN1)에 따라 턴온 또는 턴오프 되며, 턴온 시, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 게이트에 접속된 제2노드(N2)를 상기 데이터 라인(DL)과 연결시킨다. 예를 들어, 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2)는 상기 초기화 기간(A)과, 상기 샘플링 기간(B)에, 상기 데이터 라인(DL)으로부터 제공된 상기 기준 전압(Vref)을, 상기 제2노드(N2)에 공급한다. 또한, 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2)는, 상기 프로그래밍 기간(C)에, 상기 데이터 라인(DL)으로부터 제공된 데이터 전압(Vdata)을 상기 제2노드(N2)에 공급한다.The second switching transistor T2 may be turned on or off according to the first scan signal SCAN1 to turn on the second node N2 connected to the gate of the driving transistor DR, DL). For example, the second switching transistor T2 may supply the reference voltage Vref provided from the data line DL to the second node (V) during the initialization period (A) and the sampling period (B) N2. The second switching transistor T2 supplies the data voltage Vdata provided from the data line DL to the second node N2 during the programming period C. [

상기 제3스위칭 트랜지스터(T3)는, 상기 제2스캔신호(SCAN2)에 따라 턴온 또는 턴오프 되며, 턴온 시, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 제3단자에 접속된 제3노드(N3)를 상기 초기화 전압 공급라인(VL3)과 연결시킨다. 예를 들어, 상기 제3스위칭 트랜지스터(T3)는, 상기 초기화 기간(A)에, 상기 초기화 전압(Vinit) 공급 라인으로부터 공급되는 상기 초기화 전압(Vinit)을, 상기 제3노드(N3)에 공급한다.The third switching transistor T3 may be turned on or off according to the second scan signal SCAN2 to turn on the third node N3 connected to the third terminal of the driving transistor DR, And the initialization voltage supply line VL3. For example, the third switching transistor T3 may supply the initialization voltage Vinit supplied from the initialization voltage (Vinit) supply line to the third node N3 in the initialization period (A) do.

상기 스토리지 커패시터(Cst)는, 상기 구동 제2노드(N2) 및 상기 제3노드(N3) 사이에 접속된다. 상기 스토리지 커패시터(Cst)는, 상기 샘플링 기간(B)에 상기 구동 트랜지스터(DR)의 문턱 전압(Vth)을 저장한다.The storage capacitor Cst is connected between the driving second node N2 and the third node N3. The storage capacitor Cst stores the threshold voltage Vth of the driving transistor DR during the sampling period B. [

상기 구동 커패시터(Coled')는, 상기 제1전압 공급라인(VL1)과 상기 제3노드(N3) 사이에 접속된다. 상기 구동 커패시터(Coled')는 상기 스토리지 커패시터(Cst)와 직렬로 연결되어, 상기 스토리지 커패시터(Cst)의 용량비를 상대적으로 줄이는 기능을 수행한다. 이에 따라, 상기 프로그래밍 기간(C)에, 상기 제2노드(N2)에 인가되는 데이터 전압(Vdata)에 의한, 상기 유기발광다이오드(OLED)의 휘도가 향상될 수 있다. 그러나, 상기 구동 커패시터(Coled')는, 상기 초기화 전압 공급라인(VL3)과 상기 제3노드(N3) 사이에 접속될 수도 있으며, 또한, 상기 제2전압 공급라인(VL2)과 상기 제3노드(N3) 사이에 접속될 수도 있다.
The driving capacitor Coled 'is connected between the first voltage supply line VL1 and the third node N3. The driving capacitor Coled 'is connected in series with the storage capacitor Cst to relatively reduce the capacitance ratio of the storage capacitor Cst. Accordingly, in the programming period C, the brightness of the organic light emitting diode OLED can be improved by the data voltage Vdata applied to the second node N2. However, the driving capacitor Coled 'may be connected between the initialization voltage supply line VL3 and the third node N3, and may be connected between the second voltage supply line VL2 and the third node N3, (N3).

이하에서는, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 적용되는 상기 픽셀 구동부(110)의 구동 방법이 설명된다. Hereinafter, a method of driving the pixel driver 110 applied to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG.

우선, 초기화 기간(A)에는, 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2) 및 상기 제3스위칭 트랜지스터(T3)들이 턴온된다. 이에 따라, 상기 기준 전압(Vref)이 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2)를 통해, 상기 제2노드(N2)에 공급되고, 상기 초기화 전압(Vinit)이 상기 제3노드(N3)에 공급되어, 상기 픽셀(P)이 초기화 된다.First, in the initializing period A, the second switching transistor T2 and the third switching transistor T3 are turned on. Accordingly, the reference voltage Vref is supplied to the second node N2 through the second switching transistor T2, the initialization voltage Vinit is supplied to the third node N3, The pixel P is initialized.

다음, 상기 샘플링 기간(B)에는, 상기 제1스위칭 트랜지스터(T1) 및 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2)들이 턴온된다. 이에 따라, 상기 제2노드(N2)에서는, 상기 기준 전압(Vref)이 유지된다. 이 경우, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 상기 제1단자인 드레인이, 상기 제1전압(ELVDD)으로 플로팅된다. 이에 따라, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 상기 제1단자로부터 상기 제3단자인 소스 방향으로 전류가 흐르다가, 상기 제3단자의 전압이 "Vref-Vth"이 되면 상기 구동 트랜지스터(DR)가 턴오프된다. 여기서, 상기 "Vth"는 상기 구동 트랜지스터(DR)의 문턱 전압을 의미한다.Next, in the sampling period (B), the first switching transistor (T1) and the second switching transistor (T2) are turned on. Accordingly, the reference voltage Vref is maintained at the second node N2. In this case, the drain which is the first terminal of the driving transistor DR is floated by the first voltage ELVDD. Accordingly, when a current flows from the first terminal of the driving transistor DR to the source of the third terminal, and the voltage of the third terminal becomes "Vref-Vth ", the driving transistor DR is turned Off. Here, "Vth" means a threshold voltage of the driving transistor DR.

다음, 상기 프로그래밍 기간(C)에는, 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2)가 턴온된다. 이에 따라, 데이터 전압(Vdata)이 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2)를 통해 상기 제2노드(N2)에 공급된다. 상기 제3노드(N3)에서는, 상기 스토리지 커패시터(Cst)와 상기 구동 커패시터(Coled')의 직렬 커패시턴스에 의한 전압 분배에 따른, 커플링 현상이 발상한다. 이에 따라, 상기 제3노드(N3)의 전압은, "Vref-Vth+C'(Vdata-Vref)"으로 변한다. 여기서, C'은 "Cstg/(Cstg+Coledg'+Coledg)"을 의미하고, Cstg는 상기 스토리지 커패시터(Cst)의 정정용량을 의미하고, Coledg'는 상기 구동 커패시터(Colde)의 정전용량을 의미하며, Coled는 상기 유기발광다이오드(OLED)의 커패시턴스(정전용량)을 의미한다. 상기 발명에는, 상기 스토리지 커패시터(Cst)에 직렬로 연결된 상기 구동 커패시터(Coled')가 구비됨으로써, 상기 스토래지 커패시터(Cst)의 용량비가 상대적으로 줄어들 수 있다. 이에 따라, 상기 프로그래밍 기간(C)에서, 상기 제2노드(N2)에 인가되는 데이터 전압(Vdata)에 의한, 상기 유기발광다이오드(OLED)의 휘도가 향상될 수 있다. Next, in the programming period (C), the second switching transistor T2 is turned on. Accordingly, the data voltage Vdata is supplied to the second node N2 through the second switching transistor T2. At the third node N3, a coupling phenomenon occurs due to the voltage division due to the series capacitance of the storage capacitor Cst and the driving capacitor Coled '. Accordingly, the voltage of the third node N3 changes to "Vref-Vth + C '(Vdata-Vref)". Here, C 'denotes Cstg / (Cstg + Coledg' + Coledg), Cstg denotes the corrected capacitance of the storage capacitor Cst, and Coledg 'denotes the capacitance of the driving capacitor Cold And Coled denotes a capacitance of the organic light emitting diode OLED. In the above invention, the capacitance of the storage capacitor Cst can be relatively reduced by providing the driving capacitor Coled 'connected in series with the storage capacitor Cst. Accordingly, in the programming period C, the brightness of the organic light emitting diode OLED can be improved by the data voltage Vdata applied to the second node N2.

마지막으로, 상기 발광 기간(D)에는, 상기 제1스위칭 트랜지스터(T1)가 턴온된다. 이에 따라, 상기 고전위 전압(ELVDD)이 상기 제1스위칭 트랜지스터(T1)를 통해 상기 구동 트랜지스터의 제1단자인 드레인에 인가되며, 상기 구동 트랜지스터(DR)는 상기 유기발광다이오드에 구동 전류(Ioled)를 공급한다. 이 경우, 상기 구동 트랜지스터(DR)로부터 상기 유기발광다이오드(OLED)로 공급되는 구동 전류(Ioled)를 산출하는 공식은 [수학식 1]과 같다.Lastly, in the light emission period (D), the first switching transistor (T1) is turned on. Accordingly, the high-potential voltage ELVDD is applied to the drain, which is the first terminal of the driving transistor, through the first switching transistor Tl, and the driving transistor DR applies the driving current Ioled ). In this case, a formula for calculating the driving current Ioled supplied from the driving transistor DR to the organic light emitting diode OLED is expressed by Equation (1).

Figure pat00001
Figure pat00001

여기서, k= μ X (W/L) X CGI이다. 또한, μ는 상기 구동 트랜지스터(DR)의 이동도를, CGI는 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 기생용량을, W는 상기 구동 트랜지스터(DR)의 채널폭을, L은 상기 구동 트랜지스터(DR)의 채널길이를, Vdata는 상기 구동 트랜지스터(DR)의 게이트로 공급되는 데이터 전압을, Vref는 상기 구동 트랜지스터(DR)의 게이트로 공급되는 상기 기준 전압을 의미한다. Where k = 占 X (W / L) XC GI . Also, μ is the mobility of the drive transistor (DR), C GI is the parasitic capacitance of the driving transistor (Tdr), W is the channel width of the driving transistor (DR), L is the drive transistor (DR) Vdata is the data voltage supplied to the gate of the driving transistor DR and Vref is the reference voltage supplied to the gate of the driving transistor DR.

상기 [수학식 1]에 의하면, 상기 유기발광다이오드로 흐르는 전류는, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 문턱 전압(Vth)과 상기 고전위 전압(ELVDD)의 영향을 받지 않는다. 따라서, 본 발명의 제1실시예에서는, 각 픽셀에 형성되어 있는 상기 구동 트랜지스터(DR)들 사이에서 특성 편차가 발생되거나, 상기 고전위 전압(ELVDD)의 전압 강하가 발생되더라도, 각 픽셀(P)들 간의 휘도 편차가 감소될 수 있다. 또한, 본 발명의 제1실시예에서는, 상기 발광 기간(D)의 시작 시점에서, 상기 제1에미션신호(EM1)가 로우신호로부터 하이신호로 변하는 상승 시간을 조절함으로써, 상기 구동 트랜지스터(DR)들의 이동도의 편차가 보상될 수도 있다.According to Equation (1), the current flowing to the organic light emitting diode is not affected by the threshold voltage Vth of the driving transistor DR and the high-potential voltage ELVDD. Therefore, in the first embodiment of the present invention, even if a characteristic deviation occurs between the driving transistors DR formed in each pixel or a voltage drop of the high potential voltage ELVDD occurs, each pixel P Can be reduced. In the first embodiment of the present invention, by adjusting the rise time at which the first emission signal EM1 changes from the low signal to the high signal at the start time of the light emission period D, May be compensated for.

상기한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예는, 상기 구동 트랜지스터들의 특성 편차를 보상하고, 상기 고전위 전압(ELVDD)의 전압 강하를 보상함으로써, 픽셀들 간의 휘도 편차를 줄여 화질을 향상시킬 수 있다.
As described above, the first embodiment of the present invention compensates for the characteristic deviation of the driving transistors and compensates the voltage drop of the high-potential voltage (ELVDD), thereby improving the image quality by reducing the luminance deviation between the pixels have.

도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 픽셀의 일실시예 구성도이다. 이하의 설명 중, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 내용과 동일하거나 또는 유사한 내용은 생략되거나 또는 간단히 설명된다. 4 is a block diagram of a pixel applied to an OLED display according to a second embodiment of the present invention. In the following description, the same or similar contents as those described with reference to Figs. 1 to 3 are omitted or briefly described.

본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광표시장치는, 도 1을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 패널(100), 게이트 드라이버(200), 상기 데이터 드라이버(3300) 및 상기 타이밍 컨트롤러(200)를 포함한다. 1, the panel 100, the gate driver 200, the data driver 3300, and the timing controller 200 are connected to the organic light emitting display according to the second embodiment of the present invention, .

각 픽셀(P)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 유기발광다이오드(OLED) 및 상기 유기발광다이오드를 구동하는 픽셀 구동부(110)를 포함한다. 또한, 각 픽셀 구동부(110)는, 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 제1전압 공급라인(VL1), 제2전압 공급라인(VL2) 및 초기화 전압 공급라인(VL3)에 연결된다.Each pixel P includes an organic light emitting diode (OLED) and a pixel driver 110 for driving the organic light emitting diode, as shown in FIG. Each pixel driver 110 is connected to the gate line GL, the data line DL, the first voltage supply line VL1, the second voltage supply line VL2, and the initialization voltage supply line VL3 .

상기 픽셀 구동부(110)는, 제1전압 공급라인(VL1)과, 상기 유기발광다이오드가 연결되어 있는 제2전압 공급라인(VL2) 사이에 연결된 구동 트랜지스터(DR), 제1에미션신호(EM1)에 응답하여, 상기 구동트랜지스터(DR)의 제1단자에 연결된 제1노드(N1)를 상기 제1전압 공급라인(VL1)과 연결시키는 제1스위칭 트랜지스터(T1), 제1스캔신호(SCAN1)에 응답하여, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 게이트에 접속된 제2노드(N2)를 상기 데이터 라인(DL)과 연결시키는 제2스위칭 트랜지스터(T2), 제2스캔신호(SCAN2)에 응답하여, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 제3단자에 연결된 제3노드(N3)를 초기화 전압 공급라인(VL3)과 연결시키는 제3스위칭 트랜지스터(T3), 상기 제2노드(N2)와 상기 제3노드(N3) 사이에 접속된 스토리지 커패시터(Cst), 상기 구동 트랜지스터(DR)와 상기 제1전압 공급라인 사이에 접속된 구동 커패시터(Coled') 및 제2에미션신호(EM2)에 응답하여, 상기 제3노드(N3)를 상기 유기발광다이오드(OLED)와 연결시키는 제4스위칭 트랜지스터(T4)를 포함한다. The pixel driver 110 includes a driving transistor DR connected between a first voltage supply line VL1 and a second voltage supply line VL2 to which the organic light emitting diode is connected, a first emission signal EM1 A first switching transistor T1 for connecting a first node N1 connected to the first terminal of the driving transistor DR to the first voltage supply line VL1 in response to the first scan signal SCAN1, A second switching transistor T2 for connecting a second node N2 connected to the gate of the driving transistor DR to the data line DL in response to the second scan signal SCAN2, A third switching transistor T3 for connecting a third node N3 connected to the third terminal of the driving transistor DR to the initialization voltage supply line VL3, a third switching transistor T3 for connecting the second node N2, A storage capacitor Cst connected between the driving transistor DR and the first voltage supply line, The response to the driving capacitors (Coled ') and the second emission signal (EM2), and a fourth switching transistor (T4) to connect with the third node to the (N3) the organic light emitting diode (OLED).

부연하여 설명하면, 본 발명의 제2실시예에 적용되는 상기 픽셀 구동부(110)와, 본 발명의 제1실시예에 적용되는 상기 픽셀 구동부(110)를 비교하면, 본 발명의 제2실시예에 적용되는 상기 픽셀 구동부(110)는 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)를 더 포함하고 있다. In more detail, the pixel driver 110 applied to the second embodiment of the present invention and the pixel driver 110 applied to the first embodiment of the present invention are compared with each other in the second embodiment of the present invention The pixel driving unit 110 further includes the fourth switching transistor T4.

이 경우, 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)를 제외한 나머지 구성요소들의 구성 및 기능은, 상기에서 설명된 내용과 동일하다. 즉, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명된, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 상기 픽셀 구동부(110)의 구성 및 동작방법은, 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 상기 픽셀 구동부(110)의 구성 및 동작방법에도 그대로 적용될 수 있다. In this case, the configuration and functions of the remaining components except for the fourth switching transistor T4 are the same as those described above. That is, the configuration and operation method of the pixel driver 110 applied to the OLED display according to the first embodiment of the present invention, which has been described with reference to FIGS. 2 and 3, The present invention can be applied to the configuration and operation method of the pixel driver 110 applied to the organic light emitting display according to the present invention.

따라서, 이하에서는, 본 발명의 제1실시예에 대한 설명에서 언급된 내용과 다른 내용들에 대해서만 상세히 설명된다. Therefore, only the contents described in the description of the first embodiment of the present invention will be described in detail below.

상기 픽셀 구동부(110)의 동작기간은, 상기 픽셀(P)에 공급되는 게이트 신호들(SCAN1, SCAN2, EM1, EM2)의 펄스 타이밍에 따라, 초기화 기간(A), 샘플링 기간(B), 프로그래밍 기간(C) 및 발광 기간(D)으로 구분된다.The operation period of the pixel driver 110 is controlled by the initialization period A, the sampling period B, the programming period B, and the programming period T according to the pulse timings of the gate signals SCAN1, SCAN2, EM1, and EM2 supplied to the pixels P. [ A period (C), and a light emission period (D).

상기 초기화 기간(A)에, 상기 제1스캔신호(SCAN1) 및 상기 제2스캔신호(SCAN2)들은 하이신호들이고, 상기 제1에미션신호(EM1)는 로우신호이며, 상기 제2에미션신호(EM2)는 하이신호이다.In the initialization period A, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are high signals, the first emission signal EM1 is a low signal, (EM2) is a high signal.

상기 샘플링 기간(B)에, 상기 제1스캔신호(SCAN1) 및 상기 제1에미션신호(EM1)들은 하이신호들이고, 상기 제2스캔신호(SCAN2) 및 상기 제2에미션신호(EM2)들은 로우신호이다. In the sampling period B, the first scan signal SCAN1 and the first emission signal EM1 are high signals and the second scan signal SCAN2 and the second emission signal EM2 are high signals. Lt; / RTI >

상기 프로그래밍 기간(C)에, 상기 제1스캔신호(SCAN1)는 하이신호이고, 제2 스캔신호(SCAN2) 및 상기 제1에미션신호(EM1)들은 로우신호들이며, 상기 제2에미션신호(EM2)는 로우신호이다. In the programming period C, the first scan signal SCAN1 is a high signal, the second scan signal SCAN2 and the first emission signal EM1 are low signals, and the second emission signal EM2) is a low signal.

상기 발광 기간(D)에, 상기 제1에미션신호(EM1)는 하이신호이고, 상기 제1스캔신호(SCAN1) 및 상기 제2스캔신호(SCAN2)들은 로우신호들이며, 상기 제2에미션신호(EM2)는 하이신호이다.In the light emission period D, the first emission signal EM1 is a high signal, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are low signals, (EM2) is a high signal.

상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)는, 상기 제2에미션신호(EM2)에 따라 턴온 또는 턴오프되며, 턴온 시, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 제3단자에 접속된 제3노드(N3)를 상기 유기발광다이오드(OLED)와 연결시킨다. 예를 들어, 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)는, 상기 초기화 기간(A) 및 상기 발광 기간(D)에 턴온되어, 상기 제3노드(N3)를 상기 유기발광다이오드(OLED)와 연결시키며, 상기 샘플링 기간(B) 및 상기 프로그래밍 기간(C)에 턴오프되어, 상기 제3노드(N3)를 상기 유기발광다이오드(OLED)와 차단시킨다.The fourth switching transistor T4 is turned on or off according to the second emission signal EM2 and is turned on when the third node N3 connected to the third terminal of the driving transistor DR is turned on And is connected to the organic light emitting diode (OLED). For example, the fourth switching transistor T4 is turned on during the initialization period A and the light emission period D to connect the third node N3 with the organic light emitting diode OLED, Is turned off during the sampling period (B) and the programming period (C), thereby blocking the third node (N3) from the organic light emitting diode (OLED).

이를 위해, 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)는, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 상기 제3단자와 연결되는 제1단자, 상기 유기발광다이오드(OLED)와 연결되는 제2단자 및 상기 제2에미션 신호(EM2)가 입력되는 제3단자를 포함한다. 이 경우, 상기 제3스위칭 트랜지스터(T3)는, 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)의 상기 제2단자와 상기 유기발광다이오드(OLED) 사이의 상기 제3노드(N3)에 연결되는 제1단자, 상기 초기화 전압 공급라인(VL3)과 연결되는 제2단자 및 상기 제2스캔신호(SCAN2)가 입력되는 제3단자를 포함한다.
The fourth switching transistor T4 may include a first terminal coupled to the third terminal of the driving transistor DR, a second terminal coupled to the organic light emitting diode OLED, And a third terminal to which the signal EM2 is inputted. In this case, the third switching transistor T3 may include a first terminal connected to the third node N3 between the second terminal of the fourth switching transistor T4 and the organic light emitting diode OLED, A second terminal connected to the initialization voltage supply line VL3, and a third terminal receiving the second scan signal SCAN2.

도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 초기화 기간(A) 동안의 상기 픽셀 구동부의 동작 방법을 설명하기 위한 예시도이고, 도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 샘플링 기간(B) 동안의 상기 픽셀 구동부의 동작 방법을 설명하기 위한 예시도이고, 도7은 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 프로그래밍 기간(C) 동안의 상기 픽셀 구동부의 동작 방법을 설명하기 위한 예시도이며, 도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 발광 기간(D) 동안의 상기 픽셀 구동부의 동작 방법을 설명하기 위한 예시도이다. 각 도면에서, (a)는 상기 픽셀 구동부의 회로 구성을 나타낸 예시도이며, (b)는 상기 픽셀 구동부로 공급되는 게이트 신호들의 타이밍도이다. 이하에서는, 도 5 내지 도 8을 참조하여, 본 발명의 제2실시예에 적용되는 상기 픽셀 구동부(110)의 구동 방법이 설명된다. 이 경우, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명된 상기 픽셀 구동부(110)의 구동 방법과 동일하거나 유사한 내용은 생략되거나 또는 간단히 설명된다. FIG. 5 is an exemplary view for explaining a method of operating the pixel driver during the initialization period A applied to the organic light emitting display according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a cross- FIG. 7 is a view illustrating an exemplary operation of the pixel driving unit during a sampling period B applied to the organic light emitting display according to the first embodiment of the present invention. 8 is a diagram illustrating an operation of the pixel driver during the light emission period D applied to the organic light emitting display according to the second embodiment of the present invention. Fig. 8 is an exemplary diagram for explaining an operation method; Fig. In each of the drawings, (a) is an exemplary view showing a circuit configuration of the pixel driver, and (b) is a timing diagram of gate signals supplied to the pixel driver. Hereinafter, a driving method of the pixel driver 110 applied to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 8. FIG. In this case, the same or similar contents to those of the driving method of the pixel driver 110 described with reference to Figs. 2 and 3 are omitted or briefly described.

본 발명의 제2실시예를 설명하기 전에, 본 발명의 제1실시예를 간단히 정리하면 다음과 같다. Before describing the second embodiment of the present invention, the first embodiment of the present invention will be briefly summarized as follows.

일반적인 유기발광표시장치의 각 픽셀에 형성되어 있는 유기발광다이오드(OLED)의 밝기는, 아래의 [수학식 2]와 같이, 유기발광다이오드에 흐르는 전류(Ioled)에 비례한다. 즉, 상기 유기발광다이오드를 흐르는 전류(Ioled)는 상기 유기발광다이오드를 제어하는 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스전압 간의 차전압(VGS) 및 구동 트랜지스터의 문턱전압(VTH)에 의존한다. The brightness of the organic light emitting diode OLED formed in each pixel of a general organic light emitting display device is proportional to the current Ioled flowing through the organic light emitting diode as shown in the following equation (2). That is, the current Ioled flowing through the organic light emitting diode depends on the difference voltage V GS between the gate voltage of the driving transistor controlling the organic light emitting diode and the source voltage and the threshold voltage V TH of the driving transistor.

Figure pat00002
Figure pat00002

[수학식 2]에서, k= μ X (W/L) X CGI이다. μ는 상기 구동 트랜지스터의 이동도를, CGI는 상기 구동 트랜지스터의 기생용량을, W는 상기 구동 트랜지스터의 채널폭을, L은 상기 구동 트랜지스터의 채널길이를, VGS는 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압의 차전압을, VTH는 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압을 나타낸다. 즉, 일반적인 유기발광표시장치에서, 유기발광다이오드를 흐르는 전류(Ioled)는 상기 문턱전압(Vth)에 영향을 받는다. In Equation (2), k = 占 X (W / L) XC GI . where W is the channel width of the driving transistor, L is the channel length of the driving transistor, V GS is the gate voltage of the driving transistor, V is the gate voltage of the driving transistor, μ is the mobility of the driving transistor, C GI is the parasitic capacitance of the driving transistor, And V TH represents a threshold voltage of the driving transistor Tdr. That is, in a general organic light emitting display, the current Ioled flowing through the organic light emitting diode is affected by the threshold voltage Vth.

그러나, 본 발명의 제1실시예에 의하면, [수학식 1]에 기재되어 있는 바와 같이, 상기 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 전류(Ioled)는, 데이터 전압(Vdata)과 상기 기준 전압(Vref)에 의해서만 산출된다. 따라서, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 문턱전압(VTH)의 특성이 변경되거나, 상기 고전위 전압(ELVDD)의 전압 강하가 발생하더라도, 상기 유기발광다이오드를 흐르는 전류는 상기 변화의 영향을 받지 않는다. However, according to the first embodiment of the present invention, the current Ioled flowing through the organic light emitting diode OLED is the sum of the data voltage Vdata and the reference voltage Vref ). Therefore, even if the characteristic of the threshold voltage V TH of the driving transistor DR is changed or the voltage drop of the high potential voltage ELVDD occurs, the current flowing through the organic light emitting diode is not affected by the change .

그러나, [수학식 1]에서, C’= Cstg/(Cstg+Coledg+Coledg’)이다. 여기서, Cstg는 상기 스토리지 커패시터(Cst)의 정전용량이고, Coledg'는 상기 구동 커패시터(Coled')의 정전용량이며, Coledg는 상기 유기발광다이오드(OLED)의 정전용량이다. However, in Equation (1), C '= Cstg / (Cstg + Coledg + Coledg'). Here, Cstg is the capacitance of the storage capacitor Cst, Coledg 'is the capacitance of the driving capacitor Coled, and Coledg is the capacitance of the organic light emitting diode OLED.

즉, 본 발명의 제1실시예에서, 상기 유기발광다이오드를 흐르는 전류(Ioled)는, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 문턱전압(Vth) 및 고전위 전압(ELVDD)의 전압 강하에 의해서는 양향을 받지 않지만, 상기 유기발광다이오드의 정전용량(Coledg)의 변화에는 영향을 받는다. That is, in the first embodiment of the present invention, the current Ioled flowing through the organic light emitting diode is varied depending on the threshold voltage Vth of the driving transistor DR and the voltage drop of the high-potential voltage ELVDD But is affected by the change in the capacitance (Coledg) of the organic light emitting diode.

부연하여 설명하면, 본 발명의 제1실시예는, 상기 유기발광다이오드의 정전용량(Coledg)를 이용함으로써, 유기발광다이오드의 발광 효율을 높일 수 있다. 그러나, 상기 프로그래밍 기간(C)에서, 상기 유기발광다이오드의 애노드와 연결되는, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 제3단자, 예를 들어, 소스(Source)는 플로팅 상태로 유지된다. 따라서, 온도 및 열화에 따라 상기 유기발광다이오드(OLED)의 특성이 변화되면, 상기 유기발광다이오드의 정전용량(Coledg)가 변화되며, 이에 따라, 상기 유기발광다이오드를 흐르는 전류(Ioled)의 양이 변경될 수 있다. In more detail, the first embodiment of the present invention can increase the luminous efficiency of the organic light emitting diode by using the capacitance (Coledg) of the organic light emitting diode. However, in the programming period C, a third terminal, e.g., a source, of the driving transistor DR, which is connected to the anode of the organic light emitting diode, is kept in a floating state. Accordingly, when the characteristics of the organic light emitting diode (OLED) are changed according to the temperature and the deterioration, the capacitance (Coledg) of the organic light emitting diode is changed, so that the amount of the current (Ioled) can be changed.

그러나, 본 발명의 제2실시예에 의하면, 상기 유기발광다이오드를 흐르는 전류(Ioled)는, 상기 유기발광다이오드의 정전용량(Coledg)의 변화에 영향을 받지 않는다. However, according to the second embodiment of the present invention, the current Ioled flowing through the organic light emitting diode is not affected by a change in the capacitance Coledg of the organic light emitting diode.

우선, 도 5를 참조하면, 상기 초기화 기간(A)에, 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2), 상기 제3스위칭 트랜지스터(T3) 및 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)들은 턴온된다. 이에 따라, 상기 기준 전압(Vref)이 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2)를 통해, 상기 제2노드(N2)에 공급되고, 상기 초기화 전압(Vinit)이 상기 제3노드(N3)에 공급되어, 상기 픽셀(P)이 초기화 된다. 이 경우, 상기 제1스위칭 트랜지스터(T1)는 턴오프된다.Referring to FIG. 5, in the initialization period A, the second switching transistor T2, the third switching transistor T3, and the fourth switching transistor T4 are turned on. Accordingly, the reference voltage Vref is supplied to the second node N2 through the second switching transistor T2, the initialization voltage Vinit is supplied to the third node N3, The pixel P is initialized. In this case, the first switching transistor Tl is turned off.

다음, 도 6을 참조하면, 상기 샘플링 기간(B)에, 상기 제1스위칭 트랜지스터(T1) 및 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2)들은 턴온되며, 상기 상기 제3스위칭 트랜지스터(T3) 및 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)들은 턴오프된다. 이에 따라, 상기 제2노드(N2)에서는, 상기 기준 전압(Vref)이 유지된다. 이 경우, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 상기 제1단자인 드레인이, 상기 제1전압(ELVDD)으로 플로팅된다. 이에 따라, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 상기 제1단자로부터 상기 제3단자인 소스 방향으로 전류가 흐르다가, 상기 제3단자의 전압이 "Vref-Vth"이 되면 상기 구동 트랜지스터(DR)가 턴오프된다. 여기서, 상기 "Vth"는 상기 구동 트랜지스터(DR)의 문턱 전압을 의미한다.6, in the sampling period B, the first switching transistor T1 and the second switching transistor T2 are turned on, and the third switching transistor T3 and the fourth switching transistor T3 are turned on. The switching transistors T4 are turned off. Accordingly, the reference voltage Vref is maintained at the second node N2. In this case, the drain which is the first terminal of the driving transistor DR is floated by the first voltage ELVDD. Accordingly, when a current flows from the first terminal of the driving transistor DR to the source of the third terminal, and the voltage of the third terminal becomes "Vref-Vth ", the driving transistor DR is turned Off. Here, "Vth" means a threshold voltage of the driving transistor DR.

다음, 도 7을 참조하면, 상기 프로그래밍 기간(C)에, 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2)는 턴온되고, 상기 제1스위칭 트랜지스터(T1), 상기 제3스위칭 트랜지스터(T3) 및 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)들은 턴오프된다. 이에 따라, 데이터 전압(Vdata)이 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2)를 통해 상기 제2노드(N2)에 공급된다. 상기 제3노드(N3)에서는, 상기 스토리지 커패시터(Cst)와 상기 구동 커패시터(Coled')의 직렬 커패시턴스에 의한 전압 분배에 따른, 커플링 현상이 발상한다. 이에 따라, 상기 제3노드(N3)의 전압은, "Vref-Vth+C'(Vdata-Vref)"으로 변한다. 여기서, C'은 "Cstg/(Cstg+Coledg')"을 의미하고, Cstg는 상기 스토리지 커패시터(Cst)의 정정용량을 의미하며, Coledg'는 상기 구동 커패시터(Colde)의 정전용량을 의미한다. 본 상기 발명에는, 상기 스토리지 커패시터(Cst)에 직렬로 연결된 상기 구동 커패시터(Coled')가 구비됨으로써, 상기 스토래지 커패시터(Cst)의 용량비가 상대적으로 줄어들 수 있다. 이에 따라, 상기 프로그래밍 기간(C)에서, 상기 제2노드(N2)에 인가되는 데이터 전압(Vdata)에 의한, 상기 유기발광다이오드(OLED)의 휘도가 향상될 수 있다. 또한, 본 발명의 제1실시예와 비교할 때, C'의 산출 공식에서, Coledg, 즉, 상기 유기발광다이오드의 정전용량이 생략되었음을 알 수 있다. 즉, 상기 프로그래밍 기간(C)에, 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)는 상기 제2에미션신호(EM2)에 의해 턴오프되며, 이에 따라, 상기 유기발광다이오드(OLED)의 특성이 상기 구동 트랜지스터(DR), 상기 스토리지 커패시터(Cst) 및 상기 구동 커패시터(Coled')에 영향을 미치지 않는다. 7, in the programming period C, the second switching transistor T2 is turned on and the first switching transistor T1, the third switching transistor T3, and the fourth switching transistor T3 are turned on. The transistors T4 are turned off. Accordingly, the data voltage Vdata is supplied to the second node N2 through the second switching transistor T2. At the third node N3, a coupling phenomenon occurs due to the voltage division due to the series capacitance of the storage capacitor Cst and the driving capacitor Coled '. Accordingly, the voltage of the third node N3 changes to "Vref-Vth + C '(Vdata-Vref)". Here, C 'means "Cstg / (Cstg + Coledg')", Cstg means the corrected capacitance of the storage capacitor Cst, and Coledg 'means the capacitance of the driving capacitor Colde. In the present invention, the capacitance of the storage capacitor Cst may be relatively reduced by providing the driving capacitor Coled 'connected in series with the storage capacitor Cst. Accordingly, in the programming period C, the brightness of the organic light emitting diode OLED can be improved by the data voltage Vdata applied to the second node N2. Further, in comparison with the first embodiment of the present invention, it can be seen that, in the calculation formula of C ', the capacitance of Coledg, that is, the capacitance of the organic light emitting diode is omitted. That is, in the programming period C, the fourth switching transistor T4 is turned off by the second emission signal EM2, so that the characteristic of the organic light emitting diode OLED is turned off, (DR), the storage capacitor (Cst), and the driving capacitor (Coled ').

상기한 바와 같이, 상기 프로그래밍 기간(C)에서, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 제2단자인 게이트에는 데이터 전압(Vdata)이 공급되며, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 제3단자인 소스에는 Vref-Vth+C'(Vdata-Vref)이 공급된다. 상기 식들을 [수학식 2]에 대입시키면, [수학식 3]이 산출된다. As described above, in the programming period C, the data voltage Vdata is supplied to the gate of the driving transistor DR, which is the second terminal of the driving transistor DR, and the source of Vref- Vth + C '(Vdata-Vref) is supplied. Substituting the above equations into Equation (2), Equation (3) is calculated.

Figure pat00003
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마지막으로, 도 8을 참조하면, 상기 발광 기간(D)에는, 상기 제1스위칭 트랜지스터(T1) 및 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)가 턴온되고, 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2) 및 상기 제3스위칭 트랜지스터(T3)가 턴오프된다. 8, in the light emission period D, the first switching transistor T1 and the fourth switching transistor T4 are turned on, and the second switching transistor T2 and the third switching transistor T4 are turned on. The switching transistor T3 is turned off.

이에 따라, 상기 고전위 전압(ELVDD)이 상기 제1스위칭 트랜지스터(T1)를 통해 상기 구동 트랜지스터(DR)의 제1단자인 드레인에 인가되며, 상기 구동 트랜지스터(DR)는 상기 유기발광다이오드에 구동 전류(Ioled)를 공급한다. 이 경우, 상기 구동 트랜지스터(DR)로부터 상기 유기발광다이오드(OLED)로 공급되는 구동 전류(Ioled)는 [수학식 3]의 최종식과 같다.Accordingly, the high-potential voltage ELVDD is applied to the drain, which is the first terminal of the driving transistor DR, through the first switching transistor T 1, and the driving transistor DR is driven to the organic light- And supplies the current Ioled. In this case, the driving current Ioled supplied from the driving transistor DR to the organic light emitting diode OLED is expressed by the final expression of Equation (3).

[수학식 3]의 최종식에서, C'는 상기한 바와 같이, "Cstg/(Cstg+Coledg')"을 의미한다. 즉, 본 발명의 제2실시예에 따르면, [수학식 3]에 기재되어 있는 바와 같이, 상기 발광 기간(D)에 상기 유기발광다이오드로 흐르는 전류(Ioled)는, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 문턱 전압(Vth)과 상기 고전위 전압(ELVDD)뿐만 아니라, 상기 유기발광다이오드의 정전용량(Coledg)에 영향을 받지 않는다. In the last expression of the formula (3), C 'means "Cstg / (Cstg + Coledg')" as described above. That is, according to the second embodiment of the present invention, the current Ioled flowing to the organic light emitting diode in the light emission period D is expressed by Equation (3) Is not affected by not only the threshold voltage (Vth) and the high potential voltage (ELVDD) but also the electrostatic capacitance (Coledg) of the organic light emitting diode.

따라서, 본 발명의 제2실시예에서는, 각 픽셀에 형성되어 있는 상기 구동 트랜지스터(DR)들 사이에서 특성 편차가 발생되거나, 상기 고전위 전압(ELVDD)의 전압 강하가 발생되거나, 상기 유기발광다이오드의 정전용량(Coledg)이 변경되더라도, 각 픽셀(P)들 간의 휘도 편차가 감소될 수 있다. Therefore, in the second embodiment of the present invention, a characteristic variation occurs between the driving transistors DR formed in each pixel, a voltage drop of the high potential voltage ELVDD occurs, The luminance deviation between each pixel P can be reduced even if the capacitance Cg of the pixel P is changed.

또한, 본 발명의 제2실시예에서는, 상기 발광 기간(D)의 시작 시점에서, 상기 제1에미션신호(EM1)가 로우신호로부터 하이신호로 변하는 상승 시간을 조절함으로써, 상기 구동 트랜지스터(DR)들의 이동도의 편차가 보상될 수도 있다.In the second embodiment of the present invention, by adjusting the rise time at which the first emission signal EM1 changes from the low signal to the high signal at the start time of the light emission period D, May be compensated for.

상기에서 설명된 내용을 간단히 정리하면 다음과 같다. The contents described above are briefly summarized as follows.

본 발명의 제2실시예에서, 상기 초기화 기간(A)에, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 데이터 라인으로부터 제공된 기준 전압(Vref)은 상기 제2노드(N2)에 공급되고, 상기 제3스위칭 트랜지스터(T3)는 상기 초기화 전압 공급라인(VL3)으로부터 제공된 초기화 전압(Vini)을 상기 제3노드(N3)에 공급한다. 상기 샘플링 기간(B)에, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 데이터 라인으로부터 제공된 기준 전압(Vref)은 상기 제2노드(N2)에 공급되고, 상기 제1전압 공급라인(VL1)으로부터 제공된 제1전압은 상기 구동 트랜지스터(DR)의 상기 제1단자에 공급되며, 상기 제3노드(N3)와 상기 유기발광다이오드(OLED)는 차단된다. 상기 프로그래밍 기간(C)에, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 데이터 라인으로부터 제공된 데이터 전압(Vdata)은 상기 제2노드(N2)에 공급되며, 상기 제3노드(N3)와 상기 유기발광다이오드(OLED)는 차단된다. 상기 발광 기간(D)에, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제1전압 공급라인(VL1)으로부터 제공된 상기 제1전압은 상기 구동 트랜지스터(DR)의 상기 제1단자에 공급되며, 상기 제3노드(N3)와 상기 유기발광다이오드(OLED)는 연결된다.
5, in the initialization period A, the reference voltage Vref provided from the data line is supplied to the second node N2, and the third node N2 is supplied to the third node N2, The switching transistor T3 supplies the initialization voltage Vini provided from the initialization voltage supply line VL3 to the third node N3. 6, the reference voltage Vref provided from the data line is supplied to the second node N2 in the sampling period B, and the reference voltage Vref supplied from the first voltage supply line VL1 is supplied to the second node N2. 1 voltage is supplied to the first terminal of the driving transistor DR, and the third node N3 and the organic light emitting diode OLED are cut off. 7, the data voltage Vdata provided from the data line is supplied to the second node N2 during the programming period C, and the data voltage Vdata supplied from the third node N3 and the organic light- (OLED) is cut off. 8, the first voltage supplied from the first voltage supply line VL1 is supplied to the first terminal of the driving transistor DR, and the third voltage supplied from the third voltage supply line VL1 is supplied to the second terminal of the driving transistor DR. The node N3 and the organic light emitting diode OLED are connected.

도 9는 본 발명의 제3실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 픽셀의 회로구성 및 게이트 신호들의 타이밍을 나타낸 예시도로서, (a)는 상기 픽셀의 회로 구성을 나타낸 예시도이며, (b)는 상기 픽셀들로 공급되는 게이트 신호들의 타이밍도이다. 이하의 설명 중, 본 발명의 제1실시예 및 제2실시예에서 설명된 내용과 동일하거나 또는 유사한 내용은 생략되거나 또는 간단히 설명된다. 9 is a diagram illustrating a circuit configuration of a pixel and timing of gate signals applied to an OLED display according to a third embodiment of the present invention, wherein (a) is an example of a circuit configuration of the pixel, and b) is a timing diagram of the gate signals supplied to the pixels. In the following description, the same or similar contents as those described in the first embodiment and the second embodiment of the present invention are omitted or briefly described.

본 발명의 제3실시예에 따른 유기발광표시장치는, 도 1을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 패널(100), 게이트 드라이버(200), 상기 데이터 드라이버(3300) 및 상기 타이밍 컨트롤러(200)를 포함한다. 1, the panel 100, the gate driver 200, the data driver 3300, and the timing controller 200 may be connected to the organic light emitting display according to the third embodiment of the present invention. .

각 픽셀(P)은, 도 9의 (a)에 도시된 바와 같이, 유기발광다이오드(OLED) 및 상기 유기발광다이오드를 구동하는 픽셀 구동부(110)를 포함한다. 또한, 각 픽셀 구동부(110)는, 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 제1전압 공급라인(VL1), 제2전압 공급라인(VL2) 및 초기화 전압 공급라인(VL3)에 연결된다.Each pixel P includes an organic light emitting diode (OLED) and a pixel driving unit 110 for driving the organic light emitting diode, as shown in FIG. 9A. Each pixel driver 110 is connected to the gate line GL, the data line DL, the first voltage supply line VL1, the second voltage supply line VL2, and the initialization voltage supply line VL3 .

상기 픽셀 구동부(110)는, 구동 트랜지스터(DR), 제1스위칭 트랜지스터(T1), 제2스위칭 트랜지스터(T2), 제3스위칭 트랜지스터(T3), 스토리지 커패시터(Cst), 구동 커패시터(Coled') 및 제4스위칭 트랜지스터(T4)를 포함한다. The pixel driver 110 includes a driving transistor DR, a first switching transistor T1, a second switching transistor T2, a third switching transistor T3, a storage capacitor Cst, a driving capacitor Coled ' And a fourth switching transistor T4.

본 발명의 제2실시예와 본 발명의 제3실시예를 비교하면, 본 발명의 제3실시예에 적용되는 상기 픽셀 구동부(110)에 적용되는 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)의 연결위치는, 본 발명의 제2실시예에 적용되는 상기 픽셀 구동부(110)에 적용되는 제4스위칭 트랜지스터(T4)의 연결위치와 다르다. 또한, 본 발명의 제2실시예에 적용되는 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)를 구동하는 상기 제2에미션신호(EM2)는, 상기 제1에미션신호(EM2)와 독립되어 있으나, 본 발명의 제3실시예에 적용되는 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)를 구동하는 제2에미션신호(EM2)는 상기 제1에미션신호(EM1)와 동일한 신호이다. A comparison between the second embodiment of the present invention and the third embodiment of the present invention shows that the connection position of the fourth switching transistor T4 applied to the pixel driving part 110 applied to the third embodiment of the present invention is And the connection position of the fourth switching transistor T4 applied to the pixel driver 110 applied to the second embodiment of the present invention. The second emission signal EM2 for driving the fourth switching transistor T4 applied to the second embodiment of the present invention is independent of the first emission signal EM2, The second emission signal EM2 for driving the fourth switching transistor T4 applied to the third embodiment is the same signal as the first emission signal EM1.

이 경우, 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)를 제외한 나머지 구성요소들의 구성 및 기능은, 제2실시예에서 설명된 내용과 동일하다. 즉, 도 4 내지 도 8을 참조하여 설명된, 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 상기 픽셀의 구성 및 동작방법은, 본 발명의 제3실시예에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 상기 픽셀의 구성 및 동작방법에도 그대로 적용될 수 있다. In this case, the configuration and functions of the remaining components except for the fourth switching transistor T4 are the same as those described in the second embodiment. That is, the configuration and operation method of the pixel applied to the OLED display according to the second embodiment of the present invention, which has been described with reference to FIGS. 4 to 8, The present invention can be applied to the configuration and operation method of the pixel applied to the apparatus.

따라서, 이하에서는, 본 발명의 제2실시예에 대한 설명에서 언급된 내용과 다른 내용들에 대해서만 상세히 설명된다. Therefore, only the contents described in the description of the second embodiment of the present invention will be described in detail below.

상기 픽셀 구동부(110)의 동작기간은, 상기 픽셀(P)에 공급되는 게이트 신호들(SCAN1, SCAN2, EM1)의 펄스 타이밍에 따라, 초기화 기간(A), 샘플링 기간(B), 프로그래밍 기간(C) 및 발광 기간(D)으로 구분된다.The operation period of the pixel driving unit 110 is controlled by the initialization period A, the sampling period B, and the programming period (A) in accordance with the pulse timing of the gate signals SCAN1, SCAN2, C) and a light emission period (D).

상기 초기화 기간(A)에, 상기 제1스캔신호(SCAN1) 및 상기 제2스캔신호(SCAN2)들은 하이신호들이며, 상기 제1에미션신호(EM1)는 로우신호이다.In the initialization period A, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are high signals and the first emission signal EM1 is a low signal.

상기 샘플링 기간(B)에, 상기 제1스캔신호(SCAN1) 및 상기 제1에미션신호(EM1)들은 하이신호들이며, 상기 제2스캔신호(SCAN2)는 로우신호이다. In the sampling period B, the first scan signal SCAN1 and the first emission signal EM1 are high signals, and the second scan signal SCAN2 is a low signal.

상기 프로그래밍 기간(C)에, 상기 제1스캔신호(SCAN1)는 하이신호이며, 제2 스캔신호(SCAN2) 및 상기 제1에미션신호(EM1)들은 로우신호들이다. In the programming period C, the first scan signal SCAN1 is a high signal, and the second scan signal SCAN2 and the first emission signal EM1 are low signals.

상기 발광 기간(D)에, 상기 제1에미션신호(EM1)는 하이신호이고, 상기 제1스캔신호(SCAN1) 및 상기 제2스캔신호(SCAN2)들은 로우신호들이다.In the light emission period D, the first emission signal EM1 is a high signal, and the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are low signals.

상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)는, 상기 제1에미션신호(EM1)에 따라 턴온 또는 턴오프 되며, 턴온 시, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 제3단자에 접속된 제3노드(N3)를 상기 유기발광다이오드(OLED)와 연결시킨다. 예를 들어, 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)는, 상기 샘플링 기간(B) 및 상기 발광 기간(D)에 턴온되어, 상기 제3노드(N3)를 상기 유기발광다이오드(OLED)와 연결시키며, 상기 초기화 기간(A) 및 상기 프로그래밍 기간(C)에 턴오프되어, 상기 제3노드(N3)를 상기 유기발광다이오드(OLED)와 차단시킨다.The fourth switching transistor T4 is turned on or off according to the first emission signal EM1 and is turned on when the third node N3 connected to the third terminal of the driving transistor DR is turned off And is connected to the organic light emitting diode (OLED). For example, the fourth switching transistor T4 is turned on during the sampling period B and the light emission period D to connect the third node N3 with the organic light emitting diode OLED, Is turned off during the initialization period (A) and the programming period (C), thereby blocking the third node (N3) from the organic light emitting diode (OLED).

이를 위해, 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)는, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 상기 제3단자와 연결되는 제1단자, 상기 유기발광다이오드와 연결되는 제2단자 및 상기 제2에미션 신호가 입력되는 제3단자를 포함한다. 이 경우, 상기 제3스위칭 트랜지스터(T3)는, 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)의 상기 제1단자와 상기 구동 트랜지스터의 상기 제3단자 사이의 상기 제3노드(N3)에 연결되는 제1단자, 상기 초기화 전압 공급라인(VL3)과 연결되는 제2단자 및 상기 제2스캔신호가 입력되는 제3단자를 포함한다. 상기한 바와 같이, 제3실시예에서는, 상기 제1스위칭 트랜지스터(T1)를 턴온 또는 턴오프시키는 상기 제1에미션신호(EM1)에 의해, 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)가 턴온 또는 턴오프된다. 즉, 상기 제4스위칭 트랜지스터를 구동하는 상기 제2에미션 신호는, 상기 제1스위칭 트랜지스터를 구동하는 상기 제1에미션 신호와 동일하다. The fourth switching transistor T4 may include a first terminal coupled to the third terminal of the driving transistor DR, a second terminal coupled to the organic light emitting diode, As shown in Fig. In this case, the third switching transistor T3 may include a first terminal connected to the third node N3 between the first terminal of the fourth switching transistor T4 and the third terminal of the driving transistor T4, A second terminal connected to the initialization voltage supply line VL3, and a third terminal receiving the second scan signal. As described above, in the third embodiment, by the first emission signal EM1 that turns on or off the first switching transistor T1, the fourth switching transistor T4 is turned on or off do. That is, the second emission signal for driving the fourth switching transistor is the same as the first emission signal for driving the first switching transistor.

이하에서는, 본 발명의 제3실시예에 적용되는 상기 픽셀 구동부(110)의 구동 방법이 설명된다. 이 경우, 본 발명의 제3실시예에서 설명된 상기 픽셀 구동부(110)의 구동 방법과 동일하거나 유사한 내용은 생략되거나 또는 간단히 설명된다. Hereinafter, a driving method of the pixel driver 110 applied to the third embodiment of the present invention will be described. In this case, the same or similar contents to those of the driving method of the pixel driving part 110 described in the third embodiment of the present invention are omitted or briefly described.

우선, 상기 초기화 기간(A)에, 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2) 및 상기 제3스위칭 트랜지스터(T3)들은 턴온된다. 이에 따라, 상기 기준 전압(Vref)이 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2)를 통해, 상기 제2노드(N2)에 공급되고, 상기 초기화 전압(Vinit)이 상기 제3노드(N3)에 공급되어, 상기 픽셀(P)이 초기화 된다. 이 경우, 상기 제1스위칭 트랜지스터(T1)는 로우신호인 상기 제1에미션신호(EM1)에 의해 턴오프된다. 또한, 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)의 게이트로도 로우신호인 상기 제1에미션신호(EM1)가 공급되기 때문에, 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)도 턴오프된다. 제2실시예에서는, 상기 초기화 기간(A)에 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)가 턴온되었으나, 제3실시예에서는, 상기 초기화 기간(A)에 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)가 턴오프된다. 부연하여 설명하면, 제2실시예에서는, 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)가 턴온됨으로써, 상기 제3노드(N3)로 상기 초기화 전압(Vini)이 공급되었으나, 제3실시예에서는, 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)가 턴오프됨으로써, 상기 제3노드(N3)에 상기 초기화 전압(Vini)이 공급될 수 있다. First, in the initialization period A, the second switching transistor T2 and the third switching transistor T3 are turned on. Accordingly, the reference voltage Vref is supplied to the second node N2 through the second switching transistor T2, the initialization voltage Vinit is supplied to the third node N3, The pixel P is initialized. In this case, the first switching transistor Tl is turned off by the first emission signal EM1 which is a low signal. Since the first emission signal EM1, which is also a low signal, is supplied to the gate of the fourth switching transistor T4, the fourth switching transistor T4 is also turned off. In the second embodiment, the fourth switching transistor T4 is turned on in the initialization period A, but in the initialization period A, the fourth switching transistor T4 is turned off . In other words, in the second embodiment, the initializing voltage Vini is supplied to the third node N3 by turning on the fourth switching transistor T4. However, in the third embodiment, The initializing voltage Vini may be supplied to the third node N3 by turning off the switching transistor T4.

다음, 상기 샘플링 기간(B)에, 상기 제1스위칭 트랜지스터(T1), 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2) 및 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)들은 턴온되며, 상기 상기 제3스위칭 트랜지스터(T3)는 턴오프된다. 이에 따라, 상기 제2노드(N2)에서는, 상기 기준 전압(Vref)이 유지된다. 이 경우, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 상기 제1단자인 드레인이, 상기 제1전압(ELVDD)으로 플로팅된다. 이에 따라, 상기 구동 트랜지스터(DR)의 상기 제1단자로부터 상기 제3단자인 소스 방향으로 전류가 흐르다가, 상기 제3단자의 전압이 "Vref-Vth"이 되면 상기 구동 트랜지스터(DR)가 턴오프된다. 여기서, 상기 "Vth"는 상기 구동 트랜지스터(DR)의 문턱 전압을 의미한다. 이 경우, 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)가 턴온되더라도, 상기 유기발광다이오드(OLED)를 턴온시킬 수 있는 전류 및 전압이 상기 유기발광다이오드(OLED)로 공급되지 않는다. 따라서, 제3실시예의 상기 샘플링 기간(B)에 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)가 턴온된 상태에서의 상기 픽셀 구동부(110)의 동작 방법은, 제2실시예의 상기 샘플링 기간(B)에 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)가 턴오프된 상태에서의 상기 픽셀 구동부(110)의 동작 방법과 동일하다. 부연하여 설명하면, 제3실시예에서, 상기 샘플링 기간(B)에 상기 제3노드와 상기 유기발광다이오드는 전기적으로 차단된다.Next, in the sampling period (B), the first switching transistor Tl, the second switching transistor T2 and the fourth switching transistor T4 are turned on, and the third switching transistor T3 is turned on Off. Accordingly, the reference voltage Vref is maintained at the second node N2. In this case, the drain which is the first terminal of the driving transistor DR is floated by the first voltage ELVDD. Accordingly, when a current flows from the first terminal of the driving transistor DR to the source of the third terminal, and the voltage of the third terminal becomes "Vref-Vth ", the driving transistor DR is turned Off. Here, "Vth" means a threshold voltage of the driving transistor DR. In this case, even if the fourth switching transistor T4 is turned on, a current and a voltage that can turn on the organic light emitting diode OLED are not supplied to the organic light emitting diode OLED. Therefore, the operation method of the pixel driver 110 in a state in which the fourth switching transistor T4 is turned on in the sampling period B of the third embodiment is the same as the method of operating the pixel driving unit 110 in the sampling period B of the second embodiment Is the same as the operation method of the pixel driver 110 in a state where the fourth switching transistor T4 is turned off. To be more specific, in the third embodiment, the third node and the organic light emitting diode are electrically disconnected in the sampling period (B).

다음, 상기 프로그래밍 기간(C)에, 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2)는 턴온되고, 상기 제1스위칭 트랜지스터(T1), 상기 제3스위칭 트랜지스터(T3) 및 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)들은 턴오프된다. Next, in the programming period C, the second switching transistor T2 is turned on, and the first switching transistor Tl, the third switching transistor T3, and the fourth switching transistor T4 turn on Off.

제3실시예의 상기 프로그래밍 기간(C)에서의 상기 픽셀 구동부(110)의 동작 방법은, 제2실시예의 상기 프로그래밍 기간(C)에서의 상기 픽셀 구동부(110)의 동작 방법과 동일하다. The operation method of the pixel driving part 110 in the programming period C of the third embodiment is the same as the operation method of the pixel driving part 110 in the programming period C of the second embodiment.

마지막으로, 상기 발광 기간(D)에는, 상기 제1스위칭 트랜지스터(T1) 및 상기 제4스위칭 트랜지스터(T4)가 턴온되고, 상기 제2스위칭 트랜지스터(T2) 및 상기 제3스위칭 트랜지스터(T3)가 턴오프된다. The first switching transistor Tl and the fourth switching transistor T4 are turned on and the second switching transistor T2 and the third switching transistor T3 are turned on in the light emission period D, Off.

제3실시예의 상기 발광 기간(D)에서의 상기 픽셀 구동부(110)의 동작 방법은, 제2실시예의 상기 발광 기간(D)에서의 상기 픽셀 구동부(110)의 동작 방법과 동일하다. The operation method of the pixel driver 110 in the light emission period D of the third embodiment is the same as the operation method of the pixel driver 110 in the light emission period D of the second embodiment.

이에 따라, 상기 고전위 전압(ELVDD)이 상기 제1스위칭 트랜지스터(T1)를 통해 상기 구동 트랜지스터(DR)의 제1단자인 드레인에 인가되며, 상기 구동 트랜지스터(DR)는 상기 유기발광다이오드에 구동 전류(Ioled)를 공급한다. 이 경우, 상기 구동 트랜지스터(DR)로부터 상기 유기발광다이오드(OLED)로 공급되는 구동 전류(Ioled)는 [수학식 3]의 최종식과 같다.Accordingly, the high-potential voltage ELVDD is applied to the drain, which is the first terminal of the driving transistor DR, through the first switching transistor T 1, and the driving transistor DR is driven to the organic light- And supplies the current Ioled. In this case, the driving current Ioled supplied from the driving transistor DR to the organic light emitting diode OLED is expressed by the final expression of Equation (3).

따라서, 제2실시예에서와 마찬가지로, 본 발명의 제3실시예에서도, 각 픽셀에 형성되어 있는 상기 구동 트랜지스터(DR)들 사이에서 특성 편차가 발생되거나, 상기 고전위 전압(ELVDD)의 전압 강하가 발생되거나, 상기 유기발광다이오드의 정전용량(Coledg)이 변경되더라도, 각 픽셀(P)들 간의 휘도 편차가 감소될 수 있다. Therefore, as in the second embodiment, in the third embodiment of the present invention, a characteristic deviation occurs between the driving transistors DR formed in each pixel, or a voltage drop of the high-potential voltage ELVDD Or the capacitance (Coledg) of the organic light emitting diode is changed, the luminance deviation between the pixels P can be reduced.

상기에서 설명된 내용을 간단히 정리하면 다음과 같다. The contents described above are briefly summarized as follows.

본 발명의 제3실시예에서, 상기 초기화 기간(A)에, 상기 데이터 라인으로부터 제공된 기준 전압(Vref)은 상기 제2노드(N2)에 공급되고, 상기 제3스위칭 트랜지스터(T3)는 상기 초기화 전압 공급라인(VL3)으로부터 제공된 초기화 전압(Vini)을 상기 제3노드(N3)에 공급한다. 상기 샘플링 기간(B)에, 상기 데이터 라인으로부터 제공된 기준 전압(Vref)은 상기 제2노드(N2)에 공급되고, 상기 제1전압 공급라인(VL1)으로부터 제공된 제1전압은 상기 구동 트랜지스터(DR)의 상기 제1단자에 공급되며, 상기 제3노드(N3)와 상기 유기발광다이오드(OLED)는 실질적으로 차단된다. 상기 프로그래밍 기간(C)에, 상기 데이터 라인으로부터 제공된 데이터 전압(Vdata)은 상기 제2노드(N2)에 공급되며, 상기 제3노드(N3)와 상기 유기발광다이오드(OLED)는 차단된다. 상기 발광 기간(D)에, 상기 제1전압 공급라인(VL1)으로부터 제공된 상기 제1전압은 상기 구동 트랜지스터(DR)의 상기 제1단자에 공급되며, 상기 제3노드(N3)와 상기 유기발광다이오드(OLED)는 연결된다.
In the third embodiment of the present invention, the reference voltage Vref provided from the data line is supplied to the second node N2 in the initialization period A, and the third switching transistor T3 is supplied with the initialization voltage Vref, And supplies the initializing voltage Vini provided from the voltage supply line VL3 to the third node N3. In the sampling period B, a reference voltage Vref provided from the data line is supplied to the second node N2, and a first voltage supplied from the first voltage supply line VL1 is supplied to the driving transistor DR , And the third node N3 and the organic light emitting diode (OLED) are substantially cut off. In the programming period C, a data voltage Vdata provided from the data line is supplied to the second node N2, and the third node N3 and the organic light emitting diode OLED are cut off. In the light emission period D, the first voltage supplied from the first voltage supply line VL1 is supplied to the first terminal of the driving transistor DR, and the third node N3, The diode OLED is connected.

도 10은 본 발명에 따른 유기발광표시장치에 적용되는 유기발광다이오드를 흐르는 전류의 양이 유기발광다이오드의 정전용량의 변화에 따라 변화되는 상태를 나타낸 일실시예 그래프이다. 도 10에서 실선으로 표시된 그래프는 본 발명에서의 전류의 변화를 나타낸 것이며, 점선으로 표시된 그래프는 종래의 전류의 변화를 나타낸 것이다. 10 is a graph illustrating a state where the amount of current flowing through the organic light emitting diode applied to the organic light emitting diode display according to the present invention changes according to the change of the capacitance of the organic light emitting diode. The graph shown by the solid line in FIG. 10 shows the change of the current in the present invention, and the graph indicated by the dotted line shows the change of the conventional current.

본 발명에 의하면, 상기 유기발광다이오드(OLED)의 특성이 변화되어, 상기 유기발광다이오드(OLED)의 정전용량이 변화되더라도, 상기 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 전류의 양이, 종래와 비교할 때, 크게 변화되지 않음을 알 수 있다.According to the present invention, even when the characteristics of the organic light emitting diode (OLED) are changed and the capacitance of the organic light emitting diode (OLED) is changed, the amount of current flowing through the organic light emitting diode (OLED) , It can be seen that it is not significantly changed.

즉, 본 발명에 따르면, [수학식 3]에 기재되어 있는 바와 같이, 상기 발광 기간(D)에 상기 유기발광다이오드로 흐르는 전류(Ioled)는, 상기 유기발광다이오드의 정전용량(Coledg)에 영향을 받지 않는다. That is, according to the present invention, as described in Equation (3), the current Ioled flowing to the organic light emitting diode in the light emission period D is affected by the electrostatic capacitance Coledg of the organic light emitting diode .

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.　 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다. It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

100 : 패널 200 : 패널 구동부
300 : 데이터 드라이버 400 : 타이밍 컨트롤러100: Panel 200:
300: Data driver 400: Timing controller

Claims (9)

데이터 라인들과 게이트 라인들의 교차영역마다, 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하는 픽셀 구동부로 구성되는 픽셀들이, 형성되어 있는 패널을 포함하며,
상기 픽셀 구동부는,
제1전압 공급라인과, 상기 유기발광다이오드가 연결되어 있는 제2전압 공급라인 사이에 연결된 구동 트랜지스터;
제1에미션신호에 응답하여, 상기 구동트랜지스터의 제1단자에 연결된 제1노드를 상기 제1전압 공급라인과 연결시키는 제1스위칭 트랜지스터;
제1스캔신호에 응답하여, 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속된 제2노드를 데이터 라인과 연결시키는 제2스위칭 트랜지스터;
제2스캔신호에 응답하여, 상기 구동 트랜지스터의 제3단자에 연결된 제3노드를 초기화 전압 공급라인과 연결시키는 제3스위칭 트랜지스터;
상기 제2노드와 상기 제3노드 사이에 접속된 스토리지 커패시터;
상기 구동 트랜지스터와 상기 제1전압 공급라인 사이에 접속된 구동 커패시터; 및
제2에미션신호에 응답하여, 상기 제3노드를 상기 유기발광다이오드와 연결시키는 제4스위칭 트랜지스터를 포함하는 유기발광표시장치.And a pixel driving unit for driving the organic light emitting diode and the organic light emitting diode for each intersection of the data lines and the gate lines,
Wherein the pixel driver comprises:
A driving transistor connected between a first voltage supply line and a second voltage supply line to which the organic light emitting diode is connected;
A first switching transistor, responsive to a first emission signal, for connecting a first node coupled to a first terminal of the driving transistor to the first voltage supply line;
A second switching transistor, responsive to a first scan signal, for connecting a second node connected to a gate of the driving transistor to a data line;
A third switching transistor responsive to a second scan signal for connecting a third node coupled to a third terminal of the driving transistor to an initialization voltage supply line;
A storage capacitor connected between the second node and the third node;
A driving capacitor connected between the driving transistor and the first voltage supply line; And
And a fourth switching transistor for connecting the third node to the organic light emitting diode in response to a second emission signal. 제 1 항에 있어서,
초기화 기간에는, 상기 제2스위칭 트랜지스터 및 상기 제3스위칭 트랜지스터가 턴온되고, 상기 1스위칭 트랜지스터가 턴오프되며,
샘플링 기간에는, 상기 제1스위칭 트랜지스터 및 상기 제2스위칭 트랜지스터가 턴온되고, 상기 제3스위칭 트랜지스터가 턴오프되며,
프로그래밍 기간에는, 상기 제2스위칭 트랜지스터가 턴온되고, 상기 제1스위칭 트랜지스터, 상기 제3스위칭 트랜지스터 및 상기 제4스위칭 트랜지스터가 턴오프되며.
발광 기간에는, 상기 제1스위칭 트랜지스터 및 상기 제4스위칭 트랜지스터가 턴온되고, 상기 제2스위칭 트랜지스터 및 상기 제3스위칭 트랜지스터가 턴오프되는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치. The method according to claim 1,
In the initializing period, the second switching transistor and the third switching transistor are turned on, the one switching transistor is turned off,
In the sampling period, the first switching transistor and the second switching transistor are turned on, the third switching transistor is turned off,
During the programming period, the second switching transistor is turned on, and the first switching transistor, the third switching transistor, and the fourth switching transistor are turned off.
Wherein the first switching transistor and the fourth switching transistor are turned on and the second switching transistor and the third switching transistor are turned off during a light emission period. 제 2 항에 있어서,
상기 초기화 기간에, 상기 데이터 라인으로부터 제공된 기준 전압은 상기 제2노드에 공급되고, 상기 제3스위칭 트랜지스터는 상기 초기화 전압 공급라인으로부터 제공된 초기화 전압을 상기 제3노드에 공급하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.3. The method of claim 2,
Wherein the reference voltage supplied from the data line is supplied to the second node and the third switching transistor supplies the initialization voltage provided from the initialization voltage supply line to the third node in the initialization period. Display device. 제 2 항에 있어서,
상기 샘플링 기간에, 상기 데이터 라인으로부터 제공된 기준 전압은 상기 제2노드에 공급되고, 상기 제1전압 공급라인으로부터 제공된 제1전압은 상기 구동 트랜지스터의 상기 제1단자에 공급되며, 상기 제3노드와 상기 유기발광다이오드는 차단되는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.3. The method of claim 2,
The first voltage supplied from the first voltage supply line is supplied to the first terminal of the driving transistor, and the third node is supplied with the reference voltage supplied from the data line during the sampling period, Wherein the organic light emitting diode is cut off. 제 2 항에 있어서,
상기 프로그래밍 기간에, 상기 데이터 라인으로부터 제공된 데이터 전압은 상기 제2노드에 공급되며, 상기 제3노드와 상기 유기발광다이오드는 차단되는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.3. The method of claim 2,
Wherein the data voltage supplied from the data line is supplied to the second node during the programming period, and the third node and the organic light emitting diode are cut off. 제 2 항에 있어서,
상기 발광 기간에, 상기 제1전압 공급라인으로부터 제공된 상기 제1전압은 상기 구동 트랜지스터의 상기 제1단자에 공급되며, 상기 제3노드와 상기 유기발광다이오드는 연결되는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first voltage supplied from the first voltage supply line is supplied to the first terminal of the driving transistor and the third node is connected to the organic light emitting diode during the light emitting period. . 제 1 항에 있어서,
상기 제4스위칭 트랜지스터는, 상기 구동 트랜지스터의 상기 제3단자와 연결되는 제1단자, 상기 유기발광다이오드와 연결되는 제2단자 및 상기 제2에미션 신호가 입력되는 제3단자를 포함하며,
상기 제3스위칭 트랜지스터는, 상기 제4스위칭 트랜지스터의 상기 제2단자와 상기 유기발광다이오드 사이의 상기 제3노드에 연결되는 제1단자, 상기 초기화 전압 공급라인과 연결되는 제2단자 및 상기 제2스캔신호가 입력되는 제3단자를 포함하는 유기발광표시장치. The method according to claim 1,
The fourth switching transistor includes a first terminal connected to the third terminal of the driving transistor, a second terminal connected to the organic light emitting diode, and a third terminal receiving the second emission signal,
The third switching transistor has a first terminal connected to the third node between the second terminal of the fourth switching transistor and the organic light emitting diode, a second terminal connected to the initialization voltage supply line, And a third terminal to which a scan signal is input. 제 1 항에 있어서,
상기 제4스위칭 트랜지스터는, 상기 구동 트랜지스터의 상기 제3단자와 연결되는 제1단자, 상기 유기발광다이오드와 연결되는 제2단자 및 상기 제2에미션 신호가 입력되는 제3단자를 포함하며,
상기 제3스위칭 트랜지스터는, 상기 제4스위칭 트랜지스터의 상기 제1단자와 상기 구동 트랜지스터의 상기 제3단자 사이의 상기 제3노드에 연결되는 제1단자, 상기 초기화 전압 공급라인과 연결되는 제2단자 및 상기 제2스캔신호가 입력되는 제3단자를 포함하는 유기발광표시장치. The method according to claim 1,
The fourth switching transistor includes a first terminal connected to the third terminal of the driving transistor, a second terminal connected to the organic light emitting diode, and a third terminal receiving the second emission signal,
The third switching transistor has a first terminal connected to the third node between the first terminal of the fourth switching transistor and the third terminal of the driving transistor, a second terminal connected to the initialization voltage supply line, And a third terminal to which the second scan signal is input. 제 8 항에 있어서,
상기 제2에미션 신호는 상기 제1에미션 신호와 동일한 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치. 9. The method of claim 8,
Wherein the second emission signal is the same as the first emission signal.
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