KR20150064545A - Organic light emitting diode display device and method for driving the same - Google Patents

Organic light emitting diode display device and method for driving the same Download PDF

Info

Publication number
KR20150064545A
KR20150064545A KR1020130149380A KR20130149380A KR20150064545A KR 20150064545 A KR20150064545 A KR 20150064545A KR 1020130149380 A KR1020130149380 A KR 1020130149380A KR 20130149380 A KR20130149380 A KR 20130149380A KR 20150064545 A KR20150064545 A KR 20150064545A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
node
voltage
light emitting
emitting diode
Prior art date
Application number
KR1020130149380A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
곽상현
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130149380A priority Critical patent/KR20150064545A/en
Publication of KR20150064545A publication Critical patent/KR20150064545A/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3258Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the voltage across the light-emitting element
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426Layout of electrodes and connections
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0876Supplementary capacities in pixels having special driving circuits and electrodes instead of being connected to common electrode or ground; Use of additional capacitively coupled compensation electrodes

Abstract

An organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention comprises: a first transistor applying data voltage of reference voltage to a source electrode and supplying the data voltage or the reference voltage to a first node depending on scan signals; a driving transistor connecting a gate electrode to the first node, the source electrode to a second node, and a drain electrode to a fourth node; a first capacitor connected between the first and second nodes and storing threshold voltage of the driving transistor; a second transistor supplying high conductive power voltage applied to a third node connected to the source electrode to the second node depending on light emitting control signals; and an organic light emitting diode connecting the anode to the fourth node and applying the high conductive power voltage or low conductive power voltage to the cathode.

Description

유기 발광 다이오드 표시장치 및 그 구동 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device,

본 발명은 표시장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 유기 발광 다이오드 표시장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device, and more particularly, to an organic light emitting diode display device and a driving method thereof.

정보화 사회가 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 증가하고 있으며, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 소비 전력 저감화 등의 특징을 지닌 여러 평판 표시 장치(Flat Panel Display Device), 예를 들어, 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel Device), 유기 발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display Device) 등이 연구되고 있다.As the information society has developed, the demand for the display field has increased in various forms. In response to this demand, various flat panel display devices having characteristics such as thinning, light weight, and power consumption reduction have been developed. For example, A liquid crystal display device, a plasma display panel device, and an organic light emitting diode display device have been studied.

특히, 최근에 연구가 활발히 진행되고 있는 유기 발광 다이오드 표시장치는 각 화소 마다 다양한 크기의 데이터 전압(Vdata)을 인가하여 상이한 계조를 표시함에 따라 영상을 표시할 수 있다.In particular, an organic light emitting diode display device, which has been actively studied in recent years, can display an image by displaying a different gray scale by applying a data voltage (Vdata) of various sizes to each pixel.

이를 위해, 각 화소는 전류 제어 소자인 유기 발광 다이오드 및 구동 트랜지스터 및 하나 이상의 커패시터 등을 포함하고 있다. 특히, 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류는 구동 트랜지스터에 의해 제어되며, 구동 트랜지스터의 문턱 전압 편차 및 각종 파라미터에 의해 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류량이 변화되고, 이에 따라 화면의 휘도 불균일이 초래되는 문제점이 있었다.To this end, each pixel includes an organic light emitting diode and a driving transistor, which are current control elements, and one or more capacitors. In particular, the current flowing through the organic light emitting diode is controlled by the driving transistor, the threshold voltage deviation of the driving transistor, and the amount of current flowing through the organic light emitting diode vary depending on various parameters, thereby causing uneven brightness of the screen.

그러나, 구동 트랜지스터의 문턱 전압 편차는 구동 트랜지스터의 제조 공정 변수에 따라 구동 트랜지스터의 특성이 변화게 되어 발생하며, 이러한 문제점을 해결하기 위하여 화소들 각각에 문턱 전압 편차를 보상하기 위해 복수의 트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 보상 회로를 통해 해결하는 것이 일반적이다.However, the threshold voltage deviation of the driving transistor occurs due to the characteristics of the driving transistor being changed according to manufacturing process parameters of the driving transistor. To solve this problem, a plurality of transistors and capacitors Lt; RTI ID = 0.0 > a < / RTI >

한편, 최근에는 소비자의 대면적 디스플레이에 대한 기대가 높아짐에 따라 대면적 유기 발광 다이오드 표시장치의 필요성이 대두되고 있다. 이를 위해, 보상 회로는 대면적을 위해 문턱 전압 편차를 보상하는 기능 이외에 트랜지스터, 커패시터 및 배선들의 개수를 줄이는 것이 필요하다.
On the other hand, as consumer expectations for large area displays increase, the need for large area organic light emitting diode display devices is increasing. To this end, the compensation circuitry needs to reduce the number of transistors, capacitors, and wires in addition to compensating for threshold voltage deviation for large areas.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 문턱 전압 편차 및 고전위 전원 전압 편차 보상이 가능하며, 대면적에 적합한 유기 발광 다이오드 표시장치 및 그 구동 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic light emitting diode display device and a method of driving the same that are capable of compensating for a threshold voltage deviation and a high potential power supply voltage deviation.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 소스 전극으로 데이터 전압 또는 기준 전압이 인가되며, 스캔 신호에 따라 상기 데이터 전압 또는 상기 기준 전압을 제1노드로 공급하는 제1트랜지스터; 게이트 전극이 상기 제1노드와 연결되며, 소스 전극이 제2노드와 연결되며, 드레인 전극이 제4노드와 연결되는 구동 트랜지스터; 상기 제1노드와 상기 제2노드 사이에 연결되며, 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 저장하는 제1커패시터; 소스 전극과 연결되는 제3노드로 인가되는 고전위 전원 전압을 발광 제어 신호에 따라 상기 제2노드로 공급하는 제2트랜지스터; 및 애노드 전극이 상기 제4노드와 연결되며, 캐소드 전극으로 상기 고전위 전원 전압 또는 저전위 전원 전압이 인가되는 유기 발광 다이오드를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display device including a source electrode to which a data voltage or a reference voltage is applied, and supplies the data voltage or the reference voltage to a first node according to a scan signal A first transistor; A driving transistor having a gate electrode connected to the first node, a source electrode connected to the second node, and a drain electrode connected to the fourth node; A first capacitor coupled between the first node and the second node, the first capacitor storing a threshold voltage of the driving transistor; A second transistor for supplying a high potential power supply voltage applied to a third node connected to the source electrode to the second node according to a light emission control signal; And an organic light emitting diode having an anode electrode connected to the fourth node and a high potential power supply voltage or a low potential power supply voltage applied to the cathode electrode.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 유기 발광 다이오드 표지장치 구동 방법은 제1 내지 제2 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 제1 및 제2 커패시터 및 유기 발광 다이오드를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시장치 구동 방법으로써, 제1노드를 통해 상기 제1트랜지스터의 드레인 전극, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 제1커패시터의 일단이 연결되며, 제2노드를 통해 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극, 상기 제2커패시터의 일단, 상기 제2트랜지스터의 드레인 전극 및 상기 제1커패시터의 타단이 연결되며, 제3노드를 통해 상기 제2트랜지스터의 소스 전극 및 상기 제2커패시터의 타단이 연결되며, 제4노드를 통해 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극이 연결되며, 상기 제1 및 제2 트랜지스터가 턴 온 되는 동안, 상기 제1트랜지스터의 소스 전극으로 기준 전압이 인가되며, 상기 제1노드의 전압을 상기 기준 전압으로 초기화 하는 단계; 상기 제1트랜지스터가 턴 온 되고, 상기 제2트랜지스터가 턴 오프 되는 동안, 상기 제1커패시터에 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 저장하는 단계; 상기 제1트랜지스터가 턴 온 되고, 상기 제2트랜지스터가 턴 오프 되는 동안, 상기 제1트랜지스터의 소스 전극으로 데이터 전압이 인가되며, 상기 제1노드로 상기 데이터 전압을 공급하는 단계; 및 상기 제1트랜지스터가 턴 오프 되고, 상기 제2트랜지스터가 턴 온 되는 동안, 상기 데이터 전압 및 상기 기준 전압에 따라 상기 유기 발광 다이오드가 발광하는 단계를 포함한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of driving an organic light emitting diode (OLED) display device, including a first transistor, a second transistor, a driving transistor, first and second capacitors, and an organic light emitting diode A source electrode of the driving transistor, a source electrode of the driving transistor, and a source electrode of the driving transistor are connected to each other through a first node, a drain electrode of the first transistor, a gate electrode of the driving transistor, A drain electrode of the second transistor and the other end of the first capacitor are connected to each other, a source electrode of the second transistor and the other end of the second capacitor are connected through a third node, The drain electrode of the driving transistor and the anode electrode of the organic light emitting diode are connected, and the first and second While the transistor is turned on, and further comprising: a reference voltage to the source electrode of the first transistor is, initializing the voltage of the first node with the reference voltage; Storing a threshold voltage of the driving transistor in the first capacitor while the first transistor is turned on and the second transistor is turned off; Supplying a data voltage to the source electrode of the first transistor while the first transistor is turned on and the second transistor is turned off and supplying the data voltage to the first node; And emitting the organic light emitting diode according to the data voltage and the reference voltage while the first transistor is turned off and the second transistor is turned on.

본 발명의 실시예들에 따르면, 구동 트랜지스터의 동작 상태에 따른 문턱 전압의 편차 및 IR Drop에 의한 고전위 전원 전압의 편차를 보상함으로써, 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류를 일정하게 유지하여 화질 저하를 방지할 수 있는 효과가 있다.
According to the embodiments of the present invention, the deviation of the threshold voltage and the deviation of the high-potential power supply voltage due to the IR drop according to the operating state of the driving transistor are compensated to thereby maintain the current flowing through the organic light- There is an effect that can be done.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면;
도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 등가 회로를 개략적으로 보여주는 도면;
도 3은 도 2에 도시된 등가 회로에 공급되는 제어 신호들의 일 실시예에 따른 타이밍도;
도 4는 도 3에 도시된 타이밍도를 구체화한 도면;
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 구동 방법을 설명하기 위한 도면; 및
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 문턱 전압 편차 및 고전위 전원 전압 변화에 따른 전류의 변화를 설명하기 위한 실험데이터.
FIG. 1 is a schematic view illustrating a configuration of an organic light emitting diode display according to embodiments of the present invention; FIG.
FIG. 2 schematically shows an equivalent circuit of the subpixel shown in FIG. 1; FIG.
3 is a timing diagram according to one embodiment of the control signals supplied to the equivalent circuit shown in FIG. 2;
Figure 4 illustrates the timing diagram shown in Figure 3;
FIGS. 5A through 5E are views for explaining a method of driving an organic light emitting diode display according to embodiments of the present invention; FIGS. And
FIG. 6 and FIG. 7 are experimental data for explaining a threshold voltage deviation and a change in current according to a change in a high-potential power supply voltage of an organic light emitting diode display according to embodiments of the present invention.

이하, 첨부되는 도면들을 참고하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.FIG. 1 is a schematic view illustrating a configuration of an organic light emitting diode display according to embodiments of the present invention. Referring to FIG.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치(100)는 패널(110), 타이밍 제어부(120), 스캔 구동부(130) 및 데이터 구동부(140)를 포함한다.1, an organic light emitting diode display 100 according to embodiments of the present invention includes a panel 110, a timing controller 120, a scan driver 130, and a data driver 140 .

패널(110)은 매트릭스 형태로 배치된 서브 픽셀들(SP)을 포함한다. 패널에 포함된 서브 픽셀들(SP)은 스캔 구동부(130)로부터 다수의 스캔 라인들(SL1~SLm)을 통해 공급되는 스캔 신호와 데이터 구동부(140)로부터 다수의 데이터 라인들(DL1~DLn)을 통해 공급되는 데이터 신호에 의해 발광한다. 또한, 서브 픽셀들(SP)은 스캔 신호와 데이터 신호뿐만 아니라 스캔 구동부(130)로부터 다수의 발광 제어 라인(미도시)를 통해 공급되는 발광 제어 신호에 의해 발광이 제어될 수 있다.The panel 110 includes sub-pixels SP arranged in a matrix form. The subpixels SP included in the panel are supplied with a scan signal supplied from the scan driver 130 through the plurality of scan lines SL1 to SLm and a plurality of data lines DL1 to DLn from the data driver 140, And emits light according to a data signal supplied through the data lines. In addition, the subpixels SP can be controlled to emit light by not only a scan signal and a data signal but also a light emission control signal supplied from a scan driver 130 through a plurality of light emission control lines (not shown).

이를 위해, 하나의 서브 픽셀에는 유기 발광 다이오드와 이를 구동하기 위한 다수의 트랜지스터 및 커패시터가 형성되어 있다. 이러한 서브 픽셀(SP)의 세부 구성에 대해서는 도 2에서 자세히 살펴보기로 한다.To this end, an organic light emitting diode and a plurality of transistors and capacitors for driving the organic light emitting diode are formed in one subpixel. The detailed configuration of the sub-pixel SP will be described in detail with reference to FIG.

타이밍 제어부(120)는 외부로부터 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(DE), 클럭 신호(CLK), 영상 신호를 공급받는다. 또한, 타이밍 제어부(120)는 외부로부터 입력되는 영상 신호를 프레임 단위로 정렬하여 디지털 형태의 영상 데이터(R, G, B)를 생성한다.The timing control unit 120 receives a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, a data enable signal DE, a clock signal CLK, and a video signal from the outside. In addition, the timing controller 120 generates image data (R, G, B) in digital form by arranging image signals inputted from the outside in frame units.

예를 들어, 타이밍 제어부(120)는 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(DE), 클럭 신호(CLK) 등의 타이밍 신호를 이용하여 스캔 구동부(130) 및 데이터 구동부(140)의 동작 타이밍을 제어한다.For example, the timing controller 120 controls the scan driver 130 and the scan driver 130 using timing signals such as a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, a data enable signal DE, and a clock signal CLK. And controls the operation timing of the data driver 140.

이를 위해, 타이밍 제어부(120)는 스캔 구동부(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어 신호(GCS)와 데이터 구동부(140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어 신호(DCS)를 생성한다.To this end, the timing controller 120 generates a gate control signal GCS for controlling the operation timing of the scan driver 130 and a data control signal DCS for controlling the operation timing of the data driver 140.

스캔 구동부(130)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 게이트 제어 신호(GCS)에 따라 패널(100)에 포함된 서브 픽셀들(SP)에 포함된 트랜지스터들이 동작 가능하도록 스캔 신호(Scan)를 생성하고, 생성된 스캔 신호(Scan)를 스캔 라인들(SL)을 통해 패널(100)로 공급한다. 또한, 스캔 구동부(120)는 스캔 신호의 일종으로 발광 제어 신호(Em)를 생성하고, 생성된 발광 제어 신호(Em)를 발광 제어 라인들(미도시)을 통해 패널(100)로 공급한다. 이하에서는, 스캔 라인들 중 제n번째 스캔 라인을 통해 인가되는 스캔 신호를 Scan[n]으로 가정하기로 한다.The scan driver 130 generates a scan signal Scan so that the transistors included in the subpixels SP included in the panel 100 can operate according to the gate control signal GCS supplied from the timing controller 120 And supplies the generated scan signal Scan to the panel 100 through the scan lines SL. The scan driver 120 generates a light emission control signal Em as a kind of a scan signal and supplies the generated light emission control signal Em to the panel 100 through emission control lines (not shown). Hereinafter, a scan signal applied through the nth scan line among the scan lines is assumed as Scan [n].

데이터 구동부(140)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 디지털 형태의 영상 데이터(R, G, B) 및 데이터 제어 신호(DCS)를 이용하여 생성하고, 생성된 데이터 신호를 데이터 라인들(DL)을 통해 패널(110)로 공급한다.The data driver 140 generates data signals R, G and B and data control signals DCS supplied from the timing controller 120 and outputs the generated data signals to the data lines DL. To the panel (110).

이하에서는 서브 픽셀의 세부 구성에 대해서 도 1 및 도 2를 참조하여 자세히 살펴보기로 한다.Hereinafter, the detailed configuration of subpixels will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.

도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 등가 회로를 개략적으로 보여주는 도면이다.FIG. 2 is a schematic view showing an equivalent circuit of the sub-pixel shown in FIG.

도 2에 도시된 바와 같이, 각 서브 픽셀(SP)은 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)와 구동 트랜지스터(Tdr), 제1 및 제2 커패시터(C1, C2) 및 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.2, each sub-pixel SP includes first and second transistors T1 and T2, a driving transistor Tdr, first and second capacitors C1 and C2, and an organic light emitting diode OLED ).

제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2) 및 구동 트랜지스터(Tdr)는 도 2에 도시된 바와 같이 PMOS 타입의 트랜지스터가 적용되어 있으나, 다른 실시예로 NMOS 타입의 트랜지스터도 가능하며, 이 경우 PMOS 타입의 트랜지스터를 턴 온 시키는 전압은 NMOS 타입의 트랜지스터를 턴 온 시키는 전압과 반대 극성을 갖는다.The first and second transistors T1 and T2 and the driving transistor Tdr are PMOS type transistors as shown in FIG. 2. Alternatively, the NMOS transistors may be PMOS type transistors, The transistor for turning on the transistor has the opposite polarity to the voltage for turning on the transistor of the NMOS type.

먼저, 제1트랜지스터(T1)의 소스 전극으로 데이터 전압(Vdata) 또는 기준 전압(Ref)이 인가되고, 게이트 전극으로 스캔 신호(Scan[n])가 인가되며, 드레인 전극은 제1노드(N1)를 통해 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극과 연결된다. 여기서, 스캔 신호 “Scan[n]”은 복수의 스캔 라인들 중 제n번째 스캔 라인을 통해 인가되는 제n번째 스캔 신호라고 가정하기로 한다.A data voltage Vdata or a reference voltage Ref is applied to the source electrode of the first transistor T1 and a scan signal Scan [n] is applied to the gate electrode of the first transistor T1. The drain electrode is connected to the first node N1 To the gate electrode of the driving transistor Tdr. Here, it is assumed that the scan signal " Scan [n] " is the n-th scan signal applied through the n-th scan line of the plurality of scan lines.

예를 들어, 데이터 라인(DL)을 통해 데이터 전압(Vdata) 또는 기준 전압(Ref)이 제1트랜지스터(T1)의 소스 전극으로 인가되고, 제1트랜지스터(T1)는 스캔 라인(SL)을 통해 공급되는 스캔 신호(Scan[n])에 따라 동작이 제어될 수 있다. For example, the data voltage Vdata or the reference voltage Ref is applied to the source electrode of the first transistor T1 through the data line DL, and the first transistor T1 is connected to the scan line SL The operation can be controlled according to the supplied scan signal Scan [n].

따라서, 제1트랜지스터(T1)는 스캔 신호(Scan)에 따라 턴 온 되어, 매 프레임 마다 데이터 전압(Vdata) 또는 기준 전압(Ref)을 제1노드(N1)로 공급할 수 있다. 예를 들어, 기준 전압(Ref)은 일정 크기의 직류 전압이며, 데이터 전압(Vdata)은 1 수평 주기(1H)마다 서로 다른 연속된 전압일 수 있다. Accordingly, the first transistor Tl may be turned on according to the scan signal Scan, and may supply the data voltage Vdata or the reference voltage Ref to the first node N1 every frame. For example, the reference voltage Ref may be a direct-current voltage of a predetermined magnitude, and the data voltage Vdata may be a different continuous voltage per one horizontal period (1H).

한편, 제1노드(N1)로 기준 전압(Ref)이 인가되는 경우에는, 제1트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극과 연결되는 제1노드(N1) 전압을 기준 전압(Ref)으로 초기화 시키는 역할을 수행할 수 있다.Meanwhile, when the reference voltage Ref is applied to the first node N1, the first transistor T1 applies the first node N1 voltage, which is connected to the gate electrode of the driving transistor Tdr, to the reference voltage Ref ).

다음으로, 제2트랜지스터(T2)의 소스 전극과 연결되는 제3노드(N3)로 고전위 전원 전압(VDD)이 인가되고, 게이트 전극으로 발광 제어 신호(Em[n])가 인가되며, 드레인 전극은 제2노드(N2)를 통해 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극과 연결된다.Next, the high-level power supply voltage VDD is applied to the third node N3 connected to the source electrode of the second transistor T2, the emission control signal Em [n] is applied to the gate electrode, The electrode is connected to the source electrode of the driving transistor Tdr through the second node N2.

예를 들어, 제3노드(N3)로 고전위 전원 전압(VDD)이 인가되고, 발광 제어 라인을 통해 공급되는 발광 제어 신호(Em[n])에 따라 제2트랜지스터(T2)가 턴 온 되면 제3노드(N3)와 제2노드(N2)가 연결되어 제2노드(N2)로 고전위 전원 전압(VDD)이 인가될 수 있다. 따라서, 제2트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터의 소스 전극과 연결되는 제2노드(N2) 전압을 고전위 전원 전압(VDD)으로 초기화 시키는 역할을 수행할 수 있다.For example, when the high voltage source VDD is applied to the third node N3 and the second transistor T2 is turned on according to the emission control signal Em [n] supplied through the emission control line The third node N3 and the second node N2 may be connected to each other and the high potential power supply voltage VDD may be applied to the second node N2. Accordingly, the second transistor T2 may perform a function of initializing the second node N2 connected to the source electrode of the driving transistor to the high potential power supply voltage VDD.

다음으로, 제1커패시터(C1)는 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 연결된다.Next, the first capacitor C1 is connected between the first node N1 and the second node N2.

예를 들어, 제1커패시터(C1)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)을 센싱하는 역할을 수행하며, 구체적으로, 제1커패시터(C1)에는 구동 트랜지스터의 문턱 전압이 저장될 수 있다.For example, the first capacitor C1 serves to sense the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr. Specifically, the threshold voltage of the driving transistor may be stored in the first capacitor C1 .

다음으로, 제2커패시터(C2)는 고전위 전원 전압(VDD)가 인가되는 제3노드(N3)와 제2노드(N2) 사이에 연결된다.Next, the second capacitor C2 is connected between the third node N3 and the second node N2 to which the high-potential power supply voltage VDD is applied.

예를 들어, 발광 제어 신호(Em[n])에 의해 제2트랜지스터(T2)가 턴 오프 되어, 제3노드(N3)와 제2노드(N2)의 연결이 끊이지는 경우, 제2커패시터(C2)의 일단과 연결되는 제3노드(N3)로 계속해서 고전위 전원 전압(VDD)이 인가될 수 있다.For example, when the second transistor T2 is turned off by the emission control signal Em [n] and the third node N3 and the second node N2 are disconnected, the second capacitor C2 may be continuously applied to the third node N3 connected to one end thereof.

다음으로, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극은 제1노드(N1)와 연결되며, 소스 전극은 제2노드(N2)와 연결되고, 드레인 전극은 제4노드(N4)를 통해 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극과 연결된다.Next, the gate electrode of the driving transistor Tdr is connected to the first node N1, the source electrode thereof is connected to the second node N2, and the drain electrode is connected to the organic light emitting diode OLED ").

한편, 후술할 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류량은 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극과 게이트 전극 사이의 전압(Vsg)과 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)의 합(Vsg+Vth)에 의해 결정되며, 보상 회로에 의해 최종적으로 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Ref)에 의해 결정될 수 있다.On the other hand, the amount of current flowing through the organic light emitting diode OLED to be described later is the sum (Vsg + Vth) of the voltage Vsg between the source electrode and the gate electrode of the driving transistor Tdr and the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr, And can be finally determined by the compensation circuit by the data voltage Vdata and the reference voltage Ref.

따라서, 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류의 양은 데이터 전압(Vdata)의 크기에 비례하므로, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 각 서브 픽셀(SP)마다 다양한 크기의 데이터 전압(Vdata)을 인가하여 상이한 계조를 표시함에 따라 영상을 디스플레이 한다.Therefore, since the amount of current flowing in the organic light emitting diode OLED is proportional to the size of the data voltage Vdata, the organic light emitting diode display according to the embodiments of the present invention can display data voltages (Vdata) is applied to display an image by displaying different gradations.

다음으로, 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극은 제4노드(N4)와 연결되며, 캐소드 전극으로 저전위 전원 전압(VSS) 또는 고전위 전원 전압(VDD)이 인가된다.Next, the anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the fourth node N4, and a low potential power supply voltage VSS or a high potential power supply voltage VDD is applied to the cathode electrode.

이하에서는 도 3 및 도 5a 내지 도 5e를 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치에 포함된 각 서브 픽셀의 동작을 자세히 살펴보기로 한다.Hereinafter, the operation of each subpixel included in the organic light emitting diode display according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 3 and FIGS. 5A to 5E.

도 3은 도 2에 도시된 등가 회로에 공급되는 제어 신호들의 일 실시예에 따른 타이밍도이고, 도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 3 is a timing diagram according to one embodiment of the control signals supplied to the equivalent circuit shown in FIG. 2, and FIGS. 5A to 5E illustrate a method of driving the organic light emitting diode display according to embodiments of the present invention FIG.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치는 스캔(Scan) 기간과 발광(Emission) 기간으로 구분되어 동작하며, 스캔(Scan) 기간은 초기화(Initial) 기간(t1), 센싱(sensing) 기간(t2), 샘플링(Sampling) 기간(t3) 및 홀딩(Holding) 기간(t4)을 포함할 수 있다.3, the organic light emitting diode display according to embodiments of the present invention is divided into a scan period and an emission period. The scan period is an initial period (t1), a sensing period (t2), a sampling period (t3), and a holding period (t4).

한편, 이하에서는 도 5a 내지 도 5e에 도시된 바와 같이, 제3노드(N3)로 인가되는 고전위 전원 전압(VDD)은 고전위 전원 전압이 인가되는 배선 저항으로 인해 발생되는 IR Drop에 의해 각각의 기간 동안 고전위 전원 전압의 값이 변하게 되므로 각각의 기간 동안의 고전위 전원 전압(VDD1, VDD2, VDD3, VDD4, VDD5)은 각각 다른 값을 가지는 것으로 가정하기로 한다.5A to 5E, the high-potential power-supply voltage VDD applied to the third node N3 is divided by the IR drop generated due to the wiring resistance applied to the high-potential power-supply voltage It is assumed that the high-potential power supply voltages VDD1, VDD2, VDD3, VDD4, and VDD5 during the respective periods have different values.

먼저, 초기화 기간(t1) 동안에, 도 3에 도시된 바와 같이 로우 레벨의 스캔 신호(Scan[n]) 및 발광 제어 신호(Em[n])가 인가되며, 제1트랜지스터(T1)의 소스 전극으로 데이터 라인을 통해 기준 전압(Ref)이 인가되며, 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드 전극으로 저전위 전원 전압(VSS)이 인가된다.During the initialization period t1, a low level scan signal Scan [n] and a light emission control signal Em [n] are applied as shown in FIG. 3, The reference voltage Ref is applied through the data line and the low potential power supply voltage VSS is applied to the cathode electrode of the organic light emitting diode OLED.

이에 따라, 도 5a에 도시된 바와 같이, 제1트랜지스터(T1)는 로우 레벨의 스캔 신호(Scan[n])에 의해 턴 온 되고, 제2트랜지스터(T2)는 로우 레벨의 발광 제어 신호(Em[n])에 의해 턴 온 된다. 5A, the first transistor T1 is turned on by the low level scan signal Scan [n] and the second transistor T2 is turned on by the low level emission control signal Em [n] [n]).

또한, 제1트랜지스터(T1)가 턴 온 되므로, 데이터 라인을 통해 제1트랜지스터(T1)의 소스 전극으로 인가되는 기준 전압(Ref)이 제1노드(N1)로 공급되며, 제1노드 전압은 기준 전압(Ref)으로 초기화 된다. 그리고, 제2트랜지스터(T2)가 턴 온 되므로, 제2트랜지스터(T2)의 소스 전극인 제3노드(N3)로 인가되는 고전위 전원 전압(VDD1)이 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극과 연결된 제2노드(N2)로 공급된다. 이에 따라, 제2노드(N2) 전압은 고전위 전원 전압(VDD1)으로 초기화 된다. In addition, since the first transistor T1 is turned on, the reference voltage Ref applied to the source electrode of the first transistor T1 through the data line is supplied to the first node N1, Is initialized to the reference voltage Ref. Since the second transistor T2 is turned on, the high-level power supply voltage VDD1 applied to the third node N3, which is the source electrode of the second transistor T2, is connected to the source electrode of the driving transistor Tdr And is supplied to the second node N2. Thus, the voltage of the second node N2 is initialized to the high potential supply voltage VDD1.

예를 들어, 초기화 기간(t1) 동안, 유기 발광 다이오드(OLED)에는 전류가 비록 흐르지만, 초기화 기간(t1)이 1 수평 기간(1H) 만큼의 매우 짧은 기간이기 때문에 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광하는 것은 시청자의 눈에는 인식되지 않는다. 단지, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극과 연결된 제1노드(N1) 전압이 기준 전압(Ref)으로 초기화 될 수 있다.For example, during the initialization period t1, although the current flows through the organic light emitting diode OLED, since the initialization period t1 is a very short period corresponding to one horizontal period (1H), the organic light emitting diode OLED The light emitted is not recognized by the viewer's eyes. However, the voltage at the first node N1 connected to the gate electrode of the driving transistor Tdr may be initialized to the reference voltage Ref.

결국, 초기화 기간(t1) 동안, 제1트랜지스터(T1)가 턴 온 됨으로 인해, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극과 연결된 제1노드(N1)의 전압은 일정한 직류 전압인 기준 전압(Ref)으로 초기화 된다. The voltage of the first node N1 connected to the gate electrode of the driving transistor Tdr becomes equal to the reference voltage Ref which is a constant DC voltage during the initialization period t1 because the first transistor T1 is turned on Is initialized.

다음으로, 센싱(Sensing) 기간(t2) 동안에, 도 3에 도시된 바와 같이 로우 레벨의 스캔 신호(Scan[n])와 하이 레벨의 발광 제어 신호(Em[n])가 인가되며, 제1트랜지스터(T1)의 소스 전극으로 데이터 라인을 통해 기준 전압(Ref)이 인가되며, 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드 전극으로 저전위 전원 전압(VSS)이 인가된다.Next, during a sensing period t2, a low level scan signal Scan [n] and a high level emission control signal Em [n] are applied as shown in FIG. 3, The reference voltage Ref is applied to the source electrode of the transistor T1 through the data line and the low potential power supply voltage VSS is applied to the cathode electrode of the organic light emitting diode OLED.

이에 따라, 도 5b에 도시된 바와 같이, 제1트랜지스터(T1)는 로우 레벨의 스캔 신호(Scan[n])에 의해 턴 온 되고, 제2트랜지스터(T2)는 하이 레벨의 발광 제어 신호(Em[n])에 의해 턴 오프 된다.5B, the first transistor T1 is turned on by the low level scan signal Scan [n], the second transistor T2 is turned on by the high level emission control signal Em [n]).

또한, 제1트랜지스터(T1)가 턴 온 상태를 유지함에 따라, 데이터 라인을 통해 제1트랜지스터(T1)의 소스 전극으로 인가되는 기준 전압(Ref)이 제1노드(N1)로 공급되며, 제1노드 전압은 기준 전압(Ref)을 유지한다. 그리고, 제2트랜지스터(T2)가 턴 오프 되므로, 제2노드(N2)와 제3노드(N3) 사이의 직접적인 연결은 끊어지지만, 고전위 전원 전압(VDD2)은 제2커패시터(C2)의 일단인 제3노드(N3)로 공급된다. As the first transistor T1 maintains the turn-on state, the reference voltage Ref applied to the source electrode of the first transistor T1 through the data line is supplied to the first node N1, One node voltage maintains the reference voltage (Ref). Since the second transistor T2 is turned off and the direct connection between the second node N2 and the third node N3 is cut off, the high-potential power supply voltage VDD2 is supplied to the first node To the third node N3.

예를 들어, 센싱 기간(t2) 동안. 제1노드 전압은 기준 전압(Ref)을 유지하지만, 제2트랜지스터(T2)가 턴 오프 됨에 따라, 제2노드(N2)와 제3노드(N3) 사이의 직접적인 연결이 끊어지면서, 초기화 기간(t1) 동안 제1 및 제2 커패시터(C1, C2)에 저장된 전하들이 방전(discharge)되면서, 제2노드(N2) 전압은 초기화 기간(t1) 동안 제2노드(N2) 전압인 고전위 전원 전압(VDD1)보다 작은 전압으로 점점 감소하게 된다.For example, during the sensing period t2. The first node voltage maintains the reference voltage Ref but the direct connection between the second node N2 and the third node N3 is cut off as the second transistor T2 is turned off, the voltages stored in the first and second capacitors C1 and C2 are discharged while the voltage of the second node N2 is higher than the voltage of the second node N2, (VDD1).

결국, 센싱 기간(t2) 동안, 제2노드(N2) 전압은 고전위 전원 전압(VDD1)보다 작은 전압으로 점점 감소하다가, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극과 연결된 제1노드(N1)의 전압인 기준 전압(Ref)보다 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)의 절대값(|Vth|) 만큼 큰 전압(Ref + |Vth|)까지 감소하게 된다. 따라서, 센싱 기간(t2)이 완료되는 시점에, 제1커패시터(C1)에는 구동 트랜지스터의 문턱 전압이 저장되게 된다. As a result, during the sensing period t2, the voltage of the second node N2 gradually decreases to a voltage lower than the high potential power supply voltage VDD1, and the voltage of the first node N1 connected to the gate electrode of the driving transistor Tdr To a voltage Ref + | Vth | which is larger than the absolute value | Vth | of the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr, which is the reference voltage Ref. Therefore, at the time when the sensing period t2 is completed, the threshold voltage of the driving transistor is stored in the first capacitor C1.

이는 구동 트랜지스터(Tdr)가 소스 팔로워 방식으로 연결되어 있기 때문에, 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극인 제2노드(N2) 전압이 감소하다가 구동 트랜지스터(Tdr)가 턴 오프 될 때까지의 전압인 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극 전압인 기준 전압(Ref)보다 구동 트랜지스터 문턱 전압(Vth)의 절대값(|Vth|) 만큼 큰 전압(Ref + |Vth|)까지 감소하기 때문이다. This is because the drive transistor Tdr is connected in the source follower manner and therefore the voltage at the second node N2 which is the source electrode of the drive transistor Tdr is reduced and the drive transistor Tdr is driven until the drive transistor Tdr is turned off (Ref + | Vth |) which is larger than the reference voltage Ref which is the gate electrode voltage of the transistor Tdr by the absolute value of the driving transistor threshold voltage Vth (| Vth |).

따라서, 센싱 기간(t2) 동안 제1커패시터(C1)는 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)을 센싱하는 역할을 수행한다.Therefore, during the sensing period t2, the first capacitor C1 functions to sense the threshold voltage Vth of the driving transistor.

다음으로, 샘플링(Sampling) 기간(t3) 동안에, 도 3에 도시된 바와 같이 로우 레벨의 스캔 신호(Scan[n])와 하이 레벨의 제1 및 제2 발광 제어 신호(Em[n], H[n])가 인가되며, 제1트랜지스터(T1)의 소스 전극으로 데이터 라인을 통해 데이터 전압(Vdata[n])이 인가되며, 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드 전극으로 고전위 전원 전압(VDD)이 인가된다.Next, during the sampling period t3, the scan signal Scan [n] of the low level and the first and second emission control signals Em [n], H the data voltage Vdata [n] is applied to the source electrode of the first transistor T1 through the data line and the high potential power supply voltage VDD [n] is applied to the cathode electrode of the organic light emitting diode OLED Is applied.

이에 따라, 도 5c에 도시된 바와 같이, 제1트랜지스터(T1)는 로우 레벨의 스캔 신호(Scan[n])에 의해 턴 온 되고, 제2트랜지스터(T2)는 하이 레벨의 발광 제어 신호(Em[n])에 의해 턴 오프 된다. 5C, the first transistor T1 is turned on by the low level scan signal Scan [n], and the second transistor T2 is turned on by the high level emission control signal Em [n] [n]).

또한, 제1트랜지스터(T1)가 턴 온 됨에 따라, 데이터 라인을 통해 제1트랜지스터(T1)의 소스 전극으로 인가되는 데이터 전압(Vdata[n])이 제1노드(N1)로 공급된다. 그리고, 제2트랜지스터(T2)가 턴 오프 상태를 유지하므로, 고전위 전원 전압(VDD3)은 제2커패시터(C2)의 일단인 제3노드(N3)로 계속해서 공급된다. 또한, 유기 발광 다이오드의 캐소드 전극으로 고전위 전원 전압(VDD)이 인가됨에 따라 유기 발광 다이오드(OLED)의 발광이 오프 된다.Also, as the first transistor T1 is turned on, the data voltage Vdata [n] applied to the source electrode of the first transistor T1 through the data line is supplied to the first node N1. Since the second transistor T2 maintains the turn-off state, the high-level power supply voltage VDD3 is continuously supplied to the third node N3, which is one end of the second capacitor C2. Also, as the high potential power supply voltage VDD is applied to the cathode electrode of the organic light emitting diode, the light emission of the organic light emitting diode OLED is turned off.

예를 들어, 센싱 기간(t2) 동안, 제1커패시터(C1)의 일단인 제1노드(N1)로 기준 전압(Ref)이 공급되다가, 샘플링 기간(t3) 동안, 제1노드(N1)로 데이터 전압(Vdata[n])이 공급됨에 따라, 제1커패시터(C1)의 타단인 제2노드(N2) 전압 또한 변하게 된다, 그러나, 제1커패시터(C1) 양단에 저장된 전압이 일정하게 유지되며, 제1 및 제2 커패시터가 직렬 연결되어 있기 때문에, 제1 및 제2 커패시터의 정전 용량(c1, c2) 비율에 의하여 제2노드(N2) 전압이 결정된다. For example, during the sensing period t2, the reference voltage Ref is supplied to the first node N1, which is one end of the first capacitor C1, and is supplied to the first node N1 during the sampling period t3. As the data voltage Vdata [n] is supplied, the voltage at the second node N2, which is the other end of the first capacitor C1, also changes. However, the voltage stored across the first capacitor Cl remains constant Since the first and second capacitors are connected in series, the voltage of the second node N2 is determined by the ratio of the capacitances c1 and c2 of the first and second capacitors.

구체적으로, 제2노드 전압은 센싱 기간(t2) 동안의 제2노드 전압(Ref + |Vth|)과 제1노드 전압 변화량(Vdata[n] - Ref)과 제1 및 제2 커패시터의 정전 용량(c1, c2) 비율(c1/(c1 + c2))에 의해 “Ref + |Vth| + {c1/(c1 + c2)}(Vdata[n] - Ref)”으로 나타낼 수 있다. Specifically, the second node voltage is a sum of the second node voltage Ref + | Vth | and the first node voltage change amount Vdata [n] - Ref during the sensing period t2 and the capacitance of the first and second capacitors (Ref + | Vth | c2) by the ratio (c1 / (c1 + c2) + {c1 / (c1 + c2)} (Vdata [n] - Ref)

따라서, 제1커패시터는(C1) 양단에는 “Vdata[n] - [Ref + |Vth| + {c1/(c1 + c2)}(Vdata[n] - Ref)]” 만큼의 전압(VC1)이 저장되게 된다. 다시 정리하면, 제1커패시터(C1) 양단에 저장되는 전압(VC1)은 “{c2/(c1 + c2)}(Vdata[n] - Ref) - |Vth|”가 된다.Therefore, the first capacitor is connected to both ends of the (C1) capacitor by a combination of "Vdata [n] - [Ref + | Vth | + {c1 / (c1 + c2)} (Vdata [n] - Ref)]. In other words, the voltage VC1 stored at both ends of the first capacitor C1 becomes {c2 / (c1 + c2)} (Vdata [n] - Ref) - | Vth |

이는, 제1커패시터 및 제2커패시터 정전 용량의 비율이 후술할 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류(Ioled)에 영향을 주기 때문에, 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류(Ioled)가 피크일 때 정전 용량 비율이 영향을 주지 않는 경우보다 더 큰 데이터 전압이 필요하므로, 데이터 전압에 따른 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류(Ioled)의 분해능을 향상시킬 수 있다.This is because when the current Ioled flowing through the organic light emitting diode OLED is a peak because the ratio of the capacitances of the first capacitor and the second capacitor affects the current Ioled flowing in the organic light emitting diode OLED to be described later A larger data voltage is required than in the case where the capacitance ratio is not influenced, so that the resolution of the current Ioled flowing in the organic light emitting diode according to the data voltage can be improved.

결국, 샘플링 기간(t3) 동안, 제1커패시터는 발광 기간(t5) 동안 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광 하는데 필요한 데이터 전압을 샘플링하는 역할을 수행한다.As a result, during the sampling period t3, the first capacitor serves to sample the data voltage required for the organic light emitting diode OLED to emit light during the light emission period t5.

다음으로, 홀딩(Holding) 기간(t4) 동안에, 도 3에 도시된 바와 같이 하이 레벨의 스캔 신호(Scan[n])가 인가되고, 하이 레벨에서 로우 레벨로 변하는 발광 제어 신호(Em[n])가 인가되며, 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드 전극으로 고전위 전원 전압(VDD)이 인가되며, 제1트랜지스터(T1)의 소스 전극으로 데이터 라인을 통해 제n번째 데이터 전압(Vdata[n]) 이후의 데이터 전압(Vdata[n+1], Vdata[n+2], …, Vdata[m]]) 및 기준 전압(Ref)이 연속하여 인가된다.During the holding period t4, the high level scan signal Scan [n] is applied and the emission control signal Em [n], which changes from high level to low level, The nth data voltage Vdata [n] is applied to the source electrode of the first transistor Tl through the data line, and the nth data voltage Vdata [n] is applied to the source electrode of the first transistor Tl through the data line. (Vdata [n + 1], Vdata [n + 2], ..., Vdata [m]) and the reference voltage Ref are successively applied.

이에 따라, 도 5d에 도시된 바와 같이, 제1트랜지스터(T1)는 하이 레벨의 스캔 신호(Scan[n])에 의해 턴 오프 되고, 제2트랜지스터(T2)는 하이 레벨에서 로우 레벨로 변하는 발광 제어 신호(Em[n])에 의해 턴 오프 상태에서 턴 온 상태로 변하게 된다.5D, the first transistor T1 is turned off by the high level scan signal Scan [n], and the second transistor T2 is turned off from the high level to the low level The control signal Em [n] changes from the turn-off state to the turn-on state.

한편, 제n번째 데이터 전압(Vdata[n]) 이후의 데이터 전압(Vdata[n+1], Vdata[n+2], …, Vdata[m]])은 발광 제어 신호(Em[n])가 하이 레벨에서 로우 레벨로 변하기 전까지 인가될 수 있다. The data voltages Vdata [n + 1], Vdata [n + 2], ..., Vdata [m] after the nth data voltage Vdata [n] May be applied until it changes from a high level to a low level.

이는 하이 레벨의 스캔 신호(Scan[n])가 턴 오프 된 상태에서 제2트랜지스터(T2)가 턴 온 되기 전 까지 샘플링 기간(t3) 동안 제1커패시터(C1)에 저장되어 있는 데이터 전압 정보가 일정하게 유지되어야 하기 때문이다. This is because the data voltage information stored in the first capacitor C1 during the sampling period t3 until the second transistor T2 is turned on while the high level scan signal Scan [n] is turned off It must be kept constant.

또한, 홀딩 기간(t3) 동안 유기 발광 다이오드의 캐소드 전극의 전압(Vc)이 고전위 전원 전압(VDD)을 유지함에 따라 유기 발광 다이오드(OLED)는 오프 상태를 유지할 수 있다.Also, the organic light emitting diode OLED can be maintained in the OFF state as the voltage Vc of the cathode electrode of the organic light emitting diode maintains the high potential power supply voltage VDD during the holding period t3.

따라서, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치에 포함된 유기 발광 다이오드는 매 프레임마다 각각의 스캔 라인의 샘플링이 완료된 후 발광을 시작하는 것이 아니라, 모든 스캔 라인들의 샘플링이 순차적으로 완료될 때까지 홀딩 기간을 유지하다가, 모든 스캔 라인들의 샘플링이 완료된 후 한번에 발광을 시작한다.Accordingly, the organic light emitting diode included in the organic light emitting diode display according to embodiments of the present invention does not start emitting light after sampling of each scan line is completed every frame, but sampling of all scan lines is sequentially completed The holding period is maintained until the sampling of all the scan lines is completed and then the light emission starts at once.

다시 말해, 모든 스캔 라인들을 스캔을 완료한 후 한꺼번에 발광을 시작하는 것으로 도 4를 참조하여 좀 더 자세히 살펴보기로 한다.In other words, a more detailed description will be given with reference to FIG. 4, in which all the scan lines are started to emit light at a time after completing the scan.

도 4는 도 3에 도시된 타이밍도를 구체화한 도면으로, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 스캔 라인들의 개수가 m개라고 가정하면, 제1번째, 제2번째, 제n번째 및 제m번째 스캔 라인 각각에는 스캔 신호로서 Scan[1], Scan[2], Scan[n] 및 Scan[m]이 인가되며, 모든 스캔 라인에는 제1번째 데이터 전압(Vdata[1])부터 제m번째 데이터 전압(Vdata[m])까지 인가되는 것을 알 수 있다.FIG. 4 illustrates the timing diagram of FIG. 3. Assuming that the number of scan lines of the organic light emitting diode display device according to the embodiments of the present invention is m, the first, second, Scan [1], Scan [2], Scan [n] and Scan [m] are applied as scan signals to the nth and mth scan lines, and the first data voltage Vdata [ ) To the m-th data voltage Vdata [m].

여기서, 데이터 전압들이 인가되는 스캔(Scan) 기간에는 각 스캔 라인 별로 초기화(Initial) 기간(t1), 센싱(Sensing) 기간(t2), 샘플링(Sampling) 기간(t3) 및 홀딩(Holding) 기간(t4)을 포함할 수 있다. Here, during a scan period in which data voltages are applied, an initial period t1, a sensing period t2, a sampling period t3, and a holding period t4).

따라서, 각 스캔 라인 별로 해당 데이터 전압의 샘플링이 완료될 때까지 모든 발광 제어 신호(Em)에 의해 각각의 서브 픽셀에 포함된 제2트랜지스터가 턴 오프 상태를 유지하고, 유기 발광 다이오드의 캐소드 전극 전압(Vc)을 고전위 전원 전압(VDD)을 유지함에 따라 홀딩 기간(t3) 동안 유기 발광 다이오드의 발광을 할 수 있다. Therefore, the second transistor included in each sub-pixel is maintained in a turned-off state by all the emission control signals Em until sampling of the corresponding data voltage is completed for each scan line, and the cathode voltage of the organic light emitting diode The organic light emitting diode can emit light during the holding period t3 as the voltage Vc is maintained at the high potential power supply voltage VDD.

이후, 모든 발광 제어 신호(Em[1]~Em[m])에 의해 각각의 서브 픽셀에 포함된 제2트랜지스터가 턴 온 된 상태에서 최종적으로 유기 발광 다이오드의 캐소드 전극 전압(Vc)이 저전위 전원 전압으로 바뀌면서 각각의 스캔 라인에 연결된 서브 픽셀의 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광을 동시에 시작하는 것이다.Thereafter, the second transistor included in each sub-pixel is turned on by all of the emission control signals Em [1] to Em [m], and finally the cathode electrode voltage Vc of the organic light emitting diode becomes low The organic light emitting diode (OLED) of the subpixel connected to each scan line starts light emission while changing to the power supply voltage.

다음으로, 발광(Emission) 기간(t5) 동안에, 도 3에 도시된 바와 같이 하이 레벨의 스캔 신호(Scan[n])와 로우 레벨의 발광 제어 신호(Em[n])가 인가되며, 제1트랜지스터(T1)의 소스 전극으로 데이터 라인을 통해 기준 전압(Ref)이 인가되며, 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드 전극으로 저전위 전원 전압(VSS)이 인가된다.During a light emission period t5, a high level scan signal Scan [n] and a low level emission control signal Em [n] are applied as shown in FIG. 3, The reference voltage Ref is applied to the source electrode of the transistor T1 through the data line and the low potential power supply voltage VSS is applied to the cathode electrode of the organic light emitting diode OLED.

이에 따라, 도 5e에 도시된 바와 같이, 제1트랜지스터(T1)는 하이 레벨의 스캔 신호(Scan[n])에 의해 턴 오프 되고, 제2트랜지스터(T2)는 로우 레벨의 발광 제어 신호(Em[n])에 의해 턴 온 되며, 제1트랜지스터(T1)의 소스 전극으로 데이터 라인을 통해 기준 전압(Ref)이 인가되지만, 제1트랜지스터는 하이 레벨의 스캔 신호에 의해 턴 오프 되므로 제1노드 전압에는 아무런 영향을 주지 않는다. 또한, 제2트랜지스터(T2)가 턴 온 되어 고전위 전원 전압(VDD5)은 제3노드(N3)로 직접 공급되고, 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드 전극으로 저전위 전원 전압(VSS)이 인가됨에 따라 유기 발광 다이오드(OLED)의 발광이 시작된다.5E, the first transistor T1 is turned off by the high level scan signal Scan [n], and the second transistor T2 is turned off by the low level emission control signal Em [n]) and the reference voltage Ref is applied to the source electrode of the first transistor T1 through the data line. However, since the first transistor is turned off by the scan signal of the high level, It has no effect on the voltage. The second transistor T2 is turned on so that the high potential power supply voltage VDD5 is directly supplied to the third node N3 and the low potential power supply voltage VSS is applied to the cathode electrode of the organic light emitting diode OLED The light emission of the organic light emitting diode OLED starts.

따라서, 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류(Ioled)는 구동 트랜지스터(Tdr)에 흐르는 전류에 의하여 결정될 수 있으며, 구동 트랜지스터의 흐르는 전류는 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극간의 전압(Vgs) 및 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)에 의해 결정되며, 아래의 수학식 1과 같이 정의될 수 있다. 한편, 샘플링 기간(t3) 동안 제1커패시터(C1)에 저장된 전압(VC1)에 의해, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극인 제1노드(N1) 전압은 “VDD5 + {c2/(c1 + c2)}(Vdata[n] - Ref) - |Vth|”가 될 수 있다.Therefore, the current Ioled flowing through the organic light emitting diode OLED can be determined by the current flowing in the driving transistor Tdr, and the current flowing through the driving transistor is the voltage Vgs between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor, Is determined by the threshold voltage (Vth) of the transistor, and can be defined by the following Equation (1). On the other hand, the voltage at the first node N1, which is the gate electrode of the driving transistor Tdr, becomes "VDD5 + {c2 / (c1 + c2 )} (Vdata [n] - Ref) - | Vth |.

Figure pat00001
Figure pat00001

여기서, “K”는 비례 상수로서 구동 트랜지스터(Tdr)의 구조와 물리적 특성에 의해 결정되는 값으로, 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도(mobility) 및 구동 트랜지스터(Tdr)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 ]비인 “W/L” 등에 의해서 결정될 수 있다. 또한, 유기 발광 다이오드 표시장치에 포함된 트랜지스터들이 PMOS 타입의 트랜지스터인 경우, 구동 트랜지스터의 문턱 전압은 음의 값을 가진다. 한편, 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)은 항상 일정한 값을 갖는 것이 아니라, 구동 트랜지스터(Tdr)의 동작 상태에 따라 편차가 발생할 수 있다.Here, " K " is a value determined by the structure and physical characteristics of the driving transistor Tdr as a proportional constant, and is a value obtained by dividing the mobility of the driving transistor Tdr and the channel width W of the driving transistor Tdr W / L " of the channel length L). In addition, when the transistors included in the organic light emitting diode display device are PMOS type transistors, the threshold voltage of the driving transistor has a negative value. On the other hand, the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr does not always have a constant value, but a deviation may occur depending on the operation state of the driving transistor Tdr.

다시 말해, 수학식 1을 살펴보면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치는 발광 기간(t4) 동안 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류(Ioled)가 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)의 영향을 받지 않으며, 단지 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Ref)의 차이에 의해 결정될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치는 고전위 전원 전압이 인가되는 배선 저항으로 인해 발생되는 IR Drop에 의한 고전위 전원 전압의 영향을 받지 않는다.In other words, according to Equation 1, the organic light emitting diode display according to the embodiments of the present invention is characterized in that the current Ioled flowing through the organic light emitting diode OLED during the light emission period t4 is equal to the threshold voltage (Vth), and can be determined only by the difference between the data voltage (Vdata) and the reference voltage (Ref). In addition, the organic light emitting diode display according to embodiments of the present invention is not affected by the high-potential power supply voltage due to the IR drop caused by the wiring resistance applied to the high-potential power supply voltage.

따라서, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 구동 트랜지스터의 동작 상태에 따른 문턱 전압의 편차 및 IR Drop에 의한 고전위 전원 전압의 편차를 보상함으로써, 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류를 일정하게 유지하여 화질 저하를 방지할 수 있다.Therefore, the organic light emitting diode display according to embodiments of the present invention compensates for the deviation of the threshold voltage and the deviation of the high-potential power supply voltage due to the IR drop according to the operation state of the driving transistor, So that deterioration in image quality can be prevented.

또한, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 보상 회로를 구성하는 트랜지스터 및 커패시터의 개수가 적으므로, 대면적에 적합할 수 있다.Further, the organic light emitting diode display device according to the embodiments of the present invention can be adapted to a large area because the number of transistors and capacitors constituting the compensation circuit is small.

한편, 앞에서 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류(Ioled)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth) 및 고전위 전원 전압(VDD에 영향을 받지 않는 것으로 설명하였으나, 도 6 및 도 7을 참조하여 이에 대해 살펴보기로 한다.The current Ioled flowing through the organic light emitting diode OLED has been described above as being not affected by the threshold voltage Vth and the high potential supply voltage VDD of the driving transistor Tdr, Let's take a look at this.

도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 문턱 전압 편차 및 고전위 전원 전압 변화에 따른 전류의 변화를 설명하기 위한 실험데이터이다.FIGS. 6 and 7 are experimental data for explaining a threshold voltage deviation and a change in current according to a change in a high-potential power supply voltage of an organic light emitting diode display device according to embodiments of the present invention.

먼저, 도 6에 도시된 실험데이터는 고전위 전원 전압(VDD)은 12V, 하이 레벨의 스캔 신호 및 발광 제어 신호는 12V, 로우 레벨의 스캔 신호 및 발광 제어 신호는 -5V, 기준 전압(Ref)은 8V를 기준으로 데이터 전압 및 구동 트랜지스터의 문턱 전압 편차에 따른 실험데이터이다.6, the high-level power supply voltage VDD is 12V, the high-level scan signal and the emission control signal are 12V, the low level scan signal and the emission control signal are -5V, the reference voltage Ref, Is experimental data based on the data voltage and the threshold voltage deviation of the driving transistor based on 8V.

도 6에 도시된 바와 같이, 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류(Ioled)의 크기는 데이터 전압(Vdata)의 변화에 따라 변하지만, 동일한 데이터 전압(Vdata)에서는 -0.5V ~ 0.5V 사이의 문턱 전압(Vth)의 편차(dVth)에 따라 크게 변하지 않는 것을 알 수 있다.6, the magnitude of the current Ioled flowing through the organic light emitting diode OLED varies according to the change of the data voltage Vdata, but it is within the range of -0.5V to 0.5V for the same data voltage Vdata Is not greatly changed according to the deviation (dVth) of the threshold voltage (Vth).

또한, 도 7에 도시된 실험데이터는 하이 레벨의 스캔 신호 및 발광 제어 신호는 12V, 로우 레벨의 스캔 신호 및 발광 제어 신호는 -5V, 기준 전압(Ref)은 8V, 데이터 전압은 0V, c1/c2는 2를 기준으로 고전위 전원 전압(VDD) 변화에 따른 실험데이터이다.7, the high level scan signal and the emission control signal are 12V, the low level scan signal and the emission control signal are -5V, the reference voltage Ref is 8V, the data voltage is 0V, the c1 / c2 is experimental data according to the change of the high potential power supply voltage (VDD) with reference to 2.

도 7에 도시된 바와 같이, 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류(Ioled)의 크기는 11V ~ 13V 사이의 고전위 전원 전압(VDD)의 변화에 따라 크게 변하지 않는 것을 알 수 있다.As shown in FIG. 7, it can be seen that the magnitude of the current Ioled flowing through the organic light emitting diode (OLED) does not largely change with the change of the high-potential power supply voltage VDD between 11V and 13V.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

T1, T2 : 제1 및 제2 트랜지스터 C1, C2 : 제1 및 제2 커패시터
Tdr : 구동 트랜지스터 OLED : 유기 발광 다이오드
VDD : 고전위 전원 전압 VSS : 저전위 전원 전압
Ref : 기준 전압
T1, T2: first and second transistors C1, C2: first and second capacitors C1,
Tdr: driving transistor OLED: organic light emitting diode
VDD: High-potential power supply voltage VSS: Low-potential power supply voltage
Ref: Reference voltage

Claims (14)

소스 전극으로 데이터 전압 또는 기준 전압이 인가되며, 스캔 신호에 따라 상기 데이터 전압 또는 상기 기준 전압을 제1노드로 공급하는 제1트랜지스터;
게이트 전극이 상기 제1노드와 연결되며, 소스 전극이 제2노드와 연결되며, 드레인 전극이 제4노드와 연결되는 구동 트랜지스터;
상기 제1노드와 상기 제2노드 사이에 연결되며, 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 저장하는 제1커패시터;
소스 전극과 연결되는 제3노드로 인가되는 고전위 전원 전압을 발광 제어 신호에 따라 상기 제2노드로 공급하는 제2트랜지스터; 및
애노드 전극이 상기 제4노드와 연결되며, 캐소드 전극으로 상기 고전위 전원 전압 또는 저전위 전원 전압이 인가되는 유기 발광 다이오드를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시장치.
A first transistor to which a data voltage or a reference voltage is applied to a source electrode and supplies the data voltage or the reference voltage to a first node according to a scan signal;
A driving transistor having a gate electrode connected to the first node, a source electrode connected to the second node, and a drain electrode connected to the fourth node;
A first capacitor coupled between the first node and the second node, the first capacitor storing a threshold voltage of the driving transistor;
A second transistor for supplying a high potential power supply voltage applied to a third node connected to the source electrode to the second node according to a light emission control signal; And
And an organic light emitting diode having an anode electrode connected to the fourth node and a high potential power supply voltage or a low potential power supply voltage applied to the cathode electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 제1트랜지스터는 스캔 라인을 통해 인가되는 상기 스캔 신호에 의해 턴 온 되고,
상기 제2트랜지스터는 발광 제어 라인을 통해 인가되는 상기 발광 제어 신호에 의해 턴 온 되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
The first transistor is turned on by the scan signal applied through the scan line,
And the second transistor is turned on by the emission control signal applied through the emission control line.
제 1 항에 있어서,
상기 제2노드와 상기 제3노드 사이에 연결되는 제2커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
And a second capacitor connected between the second node and the third node.
제 1 항에 있어서,
상기 제1트랜지스터의 소스 전극으로 상기 기준 전압이 인가되고, 상기 유기 발광 다이오드의 캐소드 전극으로 상기 저전위 전원 전압이 인가되며, 상기 제1 및 제2 트랜지스터가 턴 온 되면,
상기 제1노드로 상기 기준 전압이 공급되고, 상기 제2노드로 상기 고전위 전원 전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
When the reference voltage is applied to the source electrode of the first transistor, the low potential power supply voltage is applied to the cathode electrode of the organic light emitting diode, and when the first and second transistors are turned on,
Wherein the reference voltage is supplied to the first node and the high potential power supply voltage is supplied to the second node.
제 1 항에 있어서,
상기 제1트랜지스터의 소스 전극으로 상기 기준 전압이 인가되고, 상기 유기 발광 다이오드의 캐소드 전극으로 상기 저전위 전원 전압이 인가되며, 상기 제1트랜지스터가 턴 온 되고, 상기 제2트랜지스터가 턴 오프 되면,
상기 제1노드로 상기 기준 전압이 공급되고, 상기 제2노드 전압은 상기 고전위 전원 전압보다 작은 전압으로 감소하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
The reference voltage is applied to the source electrode of the first transistor, the low potential power supply voltage is applied to the cathode electrode of the organic light emitting diode, the first transistor is turned on, and the second transistor is turned off,
Wherein the reference voltage is supplied to the first node, and the second node voltage is reduced to a voltage smaller than the high potential power supply voltage.
제 5 항에 있어서,
상기 제2노드 전압은 상기 기준 전압과 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압 절대값의 합까지 감소하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the second node voltage is reduced to a sum of the reference voltage and an absolute value of a threshold voltage of the driving transistor.
제 1 항에 있어서,
상기 제1트랜지스터의 소스 전극으로 상기 데이터 전압이 인가되고, 상기 유기 발광 다이오드의 캐소드 전극으로 상기 고전위 전원 전압이 인가되며, 상기 제1트랜지스터가 턴 온 되고, 상기 제2트랜지스터가 턴 오프 되면,
상기 제1노드로 상기 데이터 전압이 공급되며, 상기 유기 발광 다이오드의 발광이 오프 되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
The data voltage is applied to the source electrode of the first transistor, the high potential power supply voltage is applied to the cathode electrode of the organic light emitting diode, and when the first transistor is turned on and the second transistor is turned off,
Wherein the data voltage is supplied to the first node, and light emission of the organic light emitting diode is turned off.
제 1 항에 있어서,
상기 제1트랜지스터의 소스 전극으로 상기 기준 전압이 인가되고, 상기 유기 발광 다이오드의 캐소드 전극으로 상기 저전위 전원 전압이 인가되며, 상기 제1트랜지스터가 턴 오프 되고, 상기 제2트랜지스터가 턴 온 되면,
상기 데이터 전압 및 상기 기준 전압에 따라 상기 유기 발광 다이오드가 발광하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
The reference voltage is applied to the source electrode of the first transistor, the low potential power supply voltage is applied to the cathode electrode of the organic light emitting diode, the first transistor is turned off, and when the second transistor is turned on,
Wherein the organic light emitting diode emits light according to the data voltage and the reference voltage.
제1 내지 제2 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 제1 및 제2 커패시터 및 유기 발광 다이오드를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시장치 구동 방법에 있어서,
제1노드를 통해 상기 제1트랜지스터의 드레인 전극, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 제1커패시터의 일단이 연결되며, 제2노드를 통해 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극, 상기 제2커패시터의 일단, 상기 제2트랜지스터의 드레인 전극 및 상기 제1커패시터의 타단이 연결되며, 제3노드를 통해 상기 제2트랜지스터의 소스 전극 및 상기 제2커패시터의 타단이 연결되며, 제4노드를 통해 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극이 연결되며,
상기 제1 및 제2 트랜지스터가 턴 온 되는 동안, 상기 제1트랜지스터의 소스 전극으로 기준 전압이 인가되며, 상기 제1노드의 전압을 상기 기준 전압으로 초기화 하는 단계;
상기 제1트랜지스터가 턴 온 되고, 상기 제2트랜지스터가 턴 오프 되는 동안, 상기 제1커패시터에 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 저장하는 단계;
상기 제1트랜지스터가 턴 온 되고, 상기 제2트랜지스터가 턴 오프 되는 동안, 상기 제1트랜지스터의 소스 전극으로 데이터 전압이 인가되며, 상기 제1노드로 상기 데이터 전압을 공급하는 단계; 및
상기 제1트랜지스터가 턴 오프 되고, 상기 제2트랜지스터가 턴 온 되는 동안, 상기 데이터 전압 및 상기 기준 전압에 따라 상기 유기 발광 다이오드가 발광하는 단계를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시장치 구동 방법.
A method of driving an organic light emitting diode display device including first to second transistors, a driving transistor, first and second capacitors, and an organic light emitting diode,
A drain electrode of the first transistor, a gate electrode of the driving transistor, and one end of the first capacitor are connected through a first node, and a source electrode of the driving transistor, one end of the second capacitor, The source electrode of the second transistor and the other end of the second capacitor are connected through a third node, the drain electrode of the second transistor and the other end of the first capacitor are connected to each other, Electrode and an anode electrode of the organic light emitting diode are connected,
Initializing a voltage of the first node to the reference voltage while a reference voltage is applied to a source electrode of the first transistor while the first and second transistors are turned on;
Storing a threshold voltage of the driving transistor in the first capacitor while the first transistor is turned on and the second transistor is turned off;
Supplying a data voltage to the source electrode of the first transistor while the first transistor is turned on and the second transistor is turned off and supplying the data voltage to the first node; And
Wherein the organic light emitting diode emits light according to the data voltage and the reference voltage while the first transistor is turned off and the second transistor is turned on.
제 9 항에 있어서,
상기 제3노드로 고전위 전원 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치 구동 방법.
10. The method of claim 9,
And a high-potential power supply voltage is applied to the third node.
제 10 항에 있어서,
상기 초기화 하는 단계는,
상기 제2노드 전압을 상기 고전위 전원 전압으로 초기화 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치 구동 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the initializing comprises:
And initializing the second node voltage to the high potential power supply voltage.
제 10 항에 있어서,
상기 문턱 전압을 저장하는 단계는,
상기 제1트랜지스터가 상기 제1노드로 상기 기준 전압을 공급하고, 상기 제2노드 전압이 상기 고전위 전원 전압보다 작은 전압으로 감소하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치 구동 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the step of storing the threshold voltage comprises:
Wherein the first transistor supplies the reference voltage to the first node and the second node voltage decreases to a voltage less than the high potential power supply voltage.
제 9 항에 있어서,
상기 데이터 전압을 공급하는 단계는,
상기 유기 발광 다이오드의 캐소드 전극으로 고전위 전원 전압을 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치 구동 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the step of supplying the data voltage comprises:
And supplying a high potential power supply voltage to the cathode electrode of the organic light emitting diode.
제 9 항에 있어서,
상기 제1트랜지스터는 스캔 라인을 통해 인가되는 스캔 신호에 의해 턴 온 되고,
상기 제2트랜지스터는 발광 제어 라인을 통해 인가되는 발광 제어 신호에 의해 턴 온 되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치 구동 방법.
10. The method of claim 9,
The first transistor is turned on by a scan signal applied through a scan line,
And the second transistor is turned on by a light emission control signal applied through a light emission control line.
KR1020130149380A 2013-12-03 2013-12-03 Organic light emitting diode display device and method for driving the same KR20150064545A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130149380A KR20150064545A (en) 2013-12-03 2013-12-03 Organic light emitting diode display device and method for driving the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130149380A KR20150064545A (en) 2013-12-03 2013-12-03 Organic light emitting diode display device and method for driving the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150064545A true KR20150064545A (en) 2015-06-11

Family

ID=53503085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130149380A KR20150064545A (en) 2013-12-03 2013-12-03 Organic light emitting diode display device and method for driving the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20150064545A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107680530A (en) * 2017-09-28 2018-02-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Pixel compensation circuit, scan drive circuit and display panel
CN109313876A (en) * 2018-08-16 2019-02-05 京东方科技集团股份有限公司 Using the method for feedback compensation driving pixel circuit, drives the circuit of luminescent device and show equipment
CN109584787A (en) * 2019-01-21 2019-04-05 惠科股份有限公司 A kind of driving circuit of display panel, driving method and display device
CN109767731A (en) * 2017-11-02 2019-05-17 中华映管股份有限公司 Pixel circuit
EP3591415A1 (en) * 2018-07-03 2020-01-08 Facebook Technologies, LLC Testing of micro light emitting diodes (leds) using probe pads
US10580352B2 (en) 2018-07-03 2020-03-03 Facebook Technologies, Llc Testing of micro light emitting diodes (LEDs) using probe pads
CN114078444A (en) * 2020-08-20 2022-02-22 乐金显示有限公司 Pixel circuit and display device using the same

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107680530A (en) * 2017-09-28 2018-02-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Pixel compensation circuit, scan drive circuit and display panel
WO2019061765A1 (en) * 2017-09-28 2019-04-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Pixel compensation circuit, scan drive circuit and display panel
US10650755B2 (en) 2017-09-28 2020-05-12 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Pixel compensation circuit, scan driving circuit and display panel
CN109767731A (en) * 2017-11-02 2019-05-17 中华映管股份有限公司 Pixel circuit
EP3591415A1 (en) * 2018-07-03 2020-01-08 Facebook Technologies, LLC Testing of micro light emitting diodes (leds) using probe pads
US10580352B2 (en) 2018-07-03 2020-03-03 Facebook Technologies, Llc Testing of micro light emitting diodes (LEDs) using probe pads
CN109313876A (en) * 2018-08-16 2019-02-05 京东方科技集团股份有限公司 Using the method for feedback compensation driving pixel circuit, drives the circuit of luminescent device and show equipment
CN109313876B (en) * 2018-08-16 2021-10-26 京东方科技集团股份有限公司 Method of driving pixel circuit using feedback compensation, circuit for driving light emitting device, and display apparatus
CN109584787A (en) * 2019-01-21 2019-04-05 惠科股份有限公司 A kind of driving circuit of display panel, driving method and display device
CN114078444A (en) * 2020-08-20 2022-02-22 乐金显示有限公司 Pixel circuit and display device using the same
CN114078444B (en) * 2020-08-20 2024-02-13 乐金显示有限公司 Pixel circuit and display device using the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101411621B1 (en) Organic light emitting diode display device and method for driving the same
KR101486538B1 (en) Organic light emitting diode display device and method for driving the same
US10957249B2 (en) Light emitting display device having normal and standby modes and driving method thereof
KR102006702B1 (en) Organic light emitting diode display device and method for driving the same
KR101341797B1 (en) Organic light emitting diode display device and method for driving the same
KR102187835B1 (en) Organic light emitting diode display device and method for driving the same
KR101360768B1 (en) Organic light emitting diode display device and method for driving the same
EP2736036A2 (en) Organic light emitting diode display device and method of driving the same
KR101178911B1 (en) Pixel and Organic Light Emitting Display Device
KR101360767B1 (en) Organic light emitting diode display device and method for driving the same
JP6082784B2 (en) Driving method of organic light emitting diode display device
KR20150064544A (en) Organic light emitting diode display device and method for driving the same
KR20140062545A (en) Pixel, display device comprising the same and driving method thereof
KR20150064545A (en) Organic light emitting diode display device and method for driving the same
KR20240014573A (en) Light emitting display device
US20100128014A1 (en) Pixel and organic light emitting display device using the same
KR101699045B1 (en) Organic Light Emitting Display and Driving Method Thereof
KR102023438B1 (en) Organic light emitting diode display device and method for driving the same
KR20160015509A (en) Organic light emitting display device
KR20190081004A (en) Organic Light Emitting Display Device and Driving Method Thereof

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid