KR20160014845A - 나노입자를 포함하는 가스센서 및 이의 제조방법 - Google Patents

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KR20160014845A
KR20160014845A KR1020140096600A KR20140096600A KR20160014845A KR 20160014845 A KR20160014845 A KR 20160014845A KR 1020140096600 A KR1020140096600 A KR 1020140096600A KR 20140096600 A KR20140096600 A KR 20140096600A KR 20160014845 A KR20160014845 A KR 20160014845A
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Abstract

본 발명은 나노입자를 포함하는 가스센서 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 실리콘 산화막이 적층된 기판; 및 상기 실리콘 산화막 상부에 금속을 증착시켜 형성된 전극;을 포함하고, 상기 전극은 다수의 전극이 교대로 배열된 IDE(interdigitated electrode) 패턴 형태이며, 상기 전극 상부에는 MoS2 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자를 포함하는 가스센서 및 이황화 몰리브덴(MoS2) 분말을 극성 유기용매에 넣고 초음파를 조사하는 단계; 상기 초음파 조사된 용액을 원심분리한 후 세척하여 이황화 몰리브덴 나노입자가 분산된 용액을 얻는 단계; 및 상기 나노입자가 분산된 용액을 인터디지테이티드 전극(interdigitated electrode, IDE)에 적하하여 나노입자를 부착시키는 단계;를 포함하는 나노입자를 포함하는 가스센서의 제조방법에 관한 것이다.

Description

나노입자를 포함하는 가스센서 및 이의 제조방법{Gas sensor comprising nanoparticles and manufacturing method of the same}
본 발명은 나노입자(MoS2)를 포함하는 가스센서 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
생활환경에는 다양한 종류의 가스가 존재하고 있어 최근 일반가정, 업소, 공사장에서의 가스사고, 석유콤비나트, 탄광, 화학플랜트 등에서의 폭발사고 및 오염 공해 등이 잇따르고 있다. 인간의 감각기관으로는 위험 가스의 농도를 정량하거나 종류를 거의 판별할 수 없다. 이에 대응하기 위해 물질의 물리적, 화학적 성질을 이용한 가스센서가 개발되어 가스의 누설감지, 농도의 측정 기록, 경보 등에 사용되고 있다.
이러한 가스센서로 가장 많이 사용되는 물질은 SnO2이며, SnO2 반도체 가스 센서는 도시가스, 메탄가스, 프로판 가스, 알코올 등의 가연성 가스와 CO, H2 등의 환원성 가스의 검출에 사용되고 있다. SnO2는 산소원자가 일부 위치에서 존재하지 않아 외부로부터 열에너지가 가해지면 전자주게(donor)로 작용하는 산소 베이컨시(vacancy)의 전자가 전도대(conduction band)로 이동하여 캐리어(carrier)로 작용하는 n-타입 반도체의 특성을 나타낸다. 전자주게 레벨에서 전도대로 이동하는 캐리어의 갯수와 이동도를 변화시켜 전기전도도를 변화시키고 가스 흡착을 변화시키기 때문에 센서특성을 변화시키는 매우 민감한 요인으로 작용한다. 따라서, SnO2 입자 내에는 열어너지가 주어지면 자유로이 움직일 수 있는 전자가 많아지고, 여기에 산소기체가 흡착하면 이들 자유전자를 입자표면의 산소기체에 포획되면 SnO2 입계에 전위장벽이 형성되어 입자간의 전기전도도는 낮아진다. 환원성 기체 또는 가연성 기체는 산소기체와 만나 산화하기 때문에 이들 기체가 존재하게 되면 SnO2 표면에 흡착되어 있는 산소기체를 제거하게 되고 산소기체에 포획되었던 자유전자는 SnO2 입자내로 들어가게 되어 전위장벽은 낮아져 입자간의 전기전도도는 커지게 된다. 결국 산소기체의 흡착량과 탈착량은 센서의 감도를 좌우하게 된다.
그러나, 이러한 SnO2 기반 가스센서의 경우 질소산화물에 대한 반응성이 에탄올에 대한 반응성보다 크기 때문에 NOx가 많을 때에는 에탄올을 신뢰성 있게 감지할 수 없는 문제가 있다.
관련 선행문헌으로는 대한민국 공개특허공보 제10-0166706호(1999.05.01. 공고)에 개시되어 있는 SnO2 가스 센서의 제조방법이 있다.
따라서, 본 발명은 질소산화물이 다량으로 존재하는 환경에서도 에탄올에 대한 감지능이 저하되지 않고 에탄올을 신뢰성 있게 감지할 수 있는 나노입자를 포함하는 가스센서 및 이의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제(들)로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제(들)는 이하의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 이황화 몰리브덴(MoS2) 분말을 극성 유기용매에 넣고 초음파를 조사하는 단계;
상기 초음파 조사된 용액을 원심분리한 후 세척하여 이황화 몰리브덴 나노입자가 분산된 용액을 얻는 단계; 및
상기 나노입자가 분산된 용액을 인터디지테이티드 전극(interdigitated electrode, IDE)에 적하하여 나노입자를 부착시키는 단계;를 포함하는 나노입자를 포함하는 가스센서의 제조방법을 제공한다.
상기 극성 유기용매는 디메틸포름아미드(dimethylformamide), N-메틸피롤리돈 및 설폰으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종을 사용할 수 있다.
상기 이황화 몰리브덴은 극성 유기용매에 대해 0.1 ~ 20 mg/ml로 포함되는 것을 특징으로 한다.
상기 초음파 처리는 40 ~ 60 kHz의 주파수로 10 ~ 15시간 동안 수행되는 것을 특징으로 한다.
상기 인터디지테이티드 전극은 기판 위에 포토리소그래피로 IDE 패턴을 제조한 후 Pt를 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하고, 상기 기판은 유리, 실리콘 및 알루미나로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종을 사용할 수 있다.
상기 나노입자의 부착은 드롭 캐스팅법(drop-casting)을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 실리콘 산화막이 적층된 기판; 및
상기 실리콘 산화막 상부에 금속을 증착시켜 형성된 전극;을 포함하고,
상기 전극은 다수의 전극이 교대로 배열된 IDE(interdigitated electrode) 패턴 형태이며,
상기 전극 상부에는 MoS2 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자를 포함하는 가스센서를 제공한다.
상기 MoS2 나노입자의 크기는 80 ~ 120 ㎚인 것을 특징으로 하고, 상기 전극의 두께는 120 ~ 180 ㎚인 것을 특징으로 한다.
상기 가스센서는 환원성 기체를 감지하는 것을 특징으로 하고, 상기 환원성 기체는 에탄올인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 드롭-캐스팅 방법을 이용하여 전극 위에 MoS2 나노입자를 간단한 방법으로 형성시켜 산소 흡착도를 향상시킬 수 있으며, 산화성 가스인 에탄올에 대한 감도를 증가시킬 수 있어 다량의 NOx가 존재하는 환경에서도 에탄올을 신뢰성 있게 선택적으로 감지할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서의 제조방법을 나타낸 모식도이다.
도 3은 본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서의 모식도이다.
도 4는 본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서의 주사전자현미경(SEM) 사진이다.
도 5는 본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서의 원자힘현미경(AFM) 사진이다.
도 6은 본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서에서 MoS2 나노입자의 투과전자현미경(TEM) 사진이다.
도 7은 본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서에서 MoS2 나노입자의 광전자분광(XPS) 분석 결과이다.
도 8은 본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서에서 MoS2 나노입자의 라만스펙트럼 분석 결과이다.
도 9는 본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서에서 가스 종류에 따른 저항변화를 나타낸 그래프이다.
도 10은 본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서에서 가스 종류에 따른 감도를 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서에서 산소와 질소에 따른 저항변화를 나타낸 그래프이다.
도 12는 본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서에서 에탄올 양에 따른 저항변화를 나타낸 그래프이다.
도 13은 본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서에서 에탄올 양에 따른 감도를 나타낸 그래프이다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것을 달성하는 방법은 첨부된 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다.
그러나 본 발명은 이하에 개시되는 실시예들에 의해 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
또한, 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기술 등이 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있다고 판단되는 경우 그에 관한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 이황화 몰리브덴(MoS2) 분말을 극성 유기용매에 넣고 초음파를 조사하는 단계;
상기 초음파 조사된 용액을 원심분리한 후 세척하여 이황화 몰리브덴 나노입자가 분산된 용액을 얻는 단계; 및
상기 나노입자가 분산된 용액을 인터디지테이티드 전극(interdigitated electrode, IDE)에 적하하여 나노입자를 부착시키는 단계;를 포함하는 나노입자를 포함하는 가스센서의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서의 제조방법은 드롭-캐스팅 방법을 이용하여 전극 위에 MoS2 나노입자를 간단한 방법으로 형성시켜 산소 흡착도를 향상시킬 수 있으며, 산화성 가스인 에탄올에 대한 감도를 증가시킬 수 있다. 또한, 종래 SnO2 기반 가스 센서에서는 다량의 NOx가 존재하는 환경에서 에탄올에 대한 감도가 낮았으나, 본 발명에 따른 가스센서는 MoS2 나노입자를 포함하여 환원성 가스인 에탄올에 대한 감도가 뛰어나 신뢰성 있게 에탄올만을 선택적으로 감지할 수 있고, 1ppm 단위까지 감지할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서의 제조방법을 나타낸 순서도이고, 도 2는 본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서의 제조방법을 나타낸 모식도이다. 이하, 도 1 및 도 2를 참고하여 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서의 제조방법은 이황화 몰리브덴 분말(MoS2)을 극성 유기용매에 넣고 초음파를 조사하는 단계(S10)를 포함한다.
이때, 상기 극성 유기용매는 디메틸포름아미드(dimethylformamide), N-메틸피롤리돈 및 설폰으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종을 사용할 수 있다.
상기 이황화 몰리브덴 분말은 극성 유기용매에 대해 0.1 ~ 20 mg/ml로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 이황화 몰리브덴이 0.1 mg/ml 미만으로 포함되는 경우에는 극성 유기용매 내에 소량의 이황화 몰리브덴이 포함되어 전극에 이황화 몰리브덴 나노입자가 부착되지 않는 문제가 있고, 20 mg/ml를 초과하는 경우에는 이황화 몰리브덴 나노입자의 밀도가 높아 가스센서의 감도가 저하되는 문제가 있다.
상기 초음파 조사는 40 ~ 60 kHz의 주파수로 10 ~ 15시간 동안 수행되는 것이 바람직하다. 상기 초음파 조사가 40 kHz의 주파수 이하에서 수행되는 경우에는 층상 구조의 이황화 몰리브덴이 박리되지 않아 나노 입자로 제조되지 않는 문제가 있고, 60 kHz 주파수를 초과하는 경우에는 이황화 몰리브덴 나노입자의 측면 크기(lateral size)가 너무 작아지는 문제가 있다. 또한, 상기 초음파 조사 시간의 한정이유는 전술한 한정이유와 동일한 이유에서 10 ~ 15시간 동안 수행되는 것이 바람직하다.
다음으로, 본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서의 제조방법은 상기 초음파 조사된 용액을 원심분리한 후 세척하여 이황화 몰리브덴 나노입자가 분산된 용액을 얻는 단계(S20)를 포함한다.
상기 초음파 조사된 용액을 3 ~ 5회 동안 원심분리하여 MoS2 나노입자를 얻고, 얻어진 나노입자를 증류수로 세척하여 균일한 크기의 나노입자가 분산된 용액을 제조할 수 있다. 이때, MoS2 나노입자의 크기는 80 ~ 120 nm이다.
본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서의 제조방법은 상기 나노입자가 분산된 용액을 인터디지테이티드 전극(interdigitated electrode, IDE)에 적하하여 나노입자를 부착시키는 단계(S30)를 포함한다.
상기 인터디지테이티드 전극은 기판 위에 포토리소그래피로 IDE 패턴을 제조한 후 Pt를 증착하여 형성될 수 있고, 상기 기판은 SiO2 또는 Al2O3를 사용할 수 있다.
상기 나노입자의 부착은 드롭 캐스팅법(drop-casting)을 이용하여 수행되며, 구체적으로 MoS2 나노입자가 분산된 용액을 전극에 적하하여 자연건조시켜 전극에 나노입자를 부착시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 실리콘 산화막이 적층된 기판; 및
상기 실리콘 산화막 상부에 금속을 증착시켜 형성된 전극;을 포함하고,
상기 전극은 다수의 전극이 교대로 배열된 IDE(interdigitated electrode) 패턴 형태이며,
상기 전극 상부에는 MoS2 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자를 포함하는 가스센서를 제공한다.
이때, 상기 MoS2 나노입자의 크기는 80 ~ 120 ㎚이고, 상기 전극의 두께는 120 ~ 180 ㎚이다.
본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서는 환원성 기체, 구체적으로 에탄올에 대한 감도가 매우 뛰어나 1 ppm까지 감지할 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서를 나타낸 모식도이다. 도 3에 나타난 바와 같이, 실리콘 산화막이 증착된 기판(100), 상기 실리콘 산화막 상부에 금속을 증착시켜 형성된 전극(300)을 포함하고, 상기 전극(300)은 다수의 전극이 교대로 배열된 IDE 패턴(200) 형태이며, 상기 전극(300)의 상부는 MoS2 나노입자(400)를 포함한다. 상기 IDE 패턴(200)은 기판(100) 위에 포토리소그래피로 형성되고, IDE 패턴에 Pt를 증착하여 Pt IDE인 전극(300)을 형성시킬 수 있다.
실시예: 나노입자를 포함하는 가스센서의 제조
MoS2 분말을 디메틸포름아미드 용매에 넣고 10시간 동안 초음파로 처리하였다. 초음파 처리된 용액을 5회 정도 원심분리를 반복한 후 증류수로 세척하여 균일한 크기의 나노입자가 분산된 용액을 제조하였다. 제조된 나노입자는 약 100 nm였다. SiO2 기판 위에 포토리소그래피로 IDE 패턴을 형성시킨 후 Pt를 증착하여 140 nm 두께의 Pt IDE를 형성시켰다. Pt IDE 위에 MoS2 나노입자가 분산된 용액을 드롭핑하여 자연건조시켜 가스센서를 제조하였다.
실험예 1: 나노입자를 포함하는 가스센서 분석
본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서의 표면, 가스센서에 포함된 MoS2 나노입자의 형상, 화학결합 상태 및 구조를 알아보기 위해 주사전자현미경(SEM), 원자힘 현미경(AFM), 투과전자현미경(TEM), 광전자분광(XPS) 및 라만스펙트럼으로 분석하고, 그 결과를 도 4, 도 5, 도 6, 도 7 및 도 8에 나타내었다.
도 4에 나타난 바와 같이, Pt 전극 위에 MoS2가 형성된 것을 알 수 있다.
또한, 도 5에 나타난 바와 같이, 100 nm 간격으로 MoS2가 형성된 것을 알 수 있고, MoS2의 두께는 10 ~ 15 nm인 것을 알 수 있다.
도 6은 나노입자를 포함하는 가스센서의 TEM 사진으로, TEM을 촬영한 결과 도 6의 (a)에 나타난 바와 같이 삼각형 형상의 MoS2 나노입자가 Pt IDE에 형성된 것을 알 수 있고, 도 6의 (b)와 같이 직사각형 형상의 MoS2 나노입자가 Pt IDE에 형성된 것을 알 수 있다.
도 7에 나타난 바와 같이, 나노입자를 포함하는 가스센서에 Mo와 S로 이루어진 물질이 존재함을 확인하였으므로, MoS2가 부착된 것을 알 수 있다.
또한, 도 8에 나타난 바와 같이, 약 380 cm-1과 약 410 cm-1에서 변화가 있는 것으로 보아 Mo와 S가 존재하고 있는 것을 알 수 있다.
실험예 2: 가스 종류에 따른 가스센서의 저항변화 및 감도 분석
본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서와 종래 SnO2 기반 가스센서의 가스 종류에 따른 저항변화와 감도를 분석하고, 그 결과를 도 9, 도 10 및 도 11에 나타내었다.
도 9에 나타난 바와 같이, 에탄올, 아세톤, 톨루엔, 벤젠, 아세트알데히드, 일산화탄소, 이산화탄소, 암모늄, 수소, 황화수소 및 질소 가스에 대해 가스센서의 저항이 변화된 것을 알 수 있고, 특히 에탄올에 대한 저항변화가 SnO2 기반 가스센서보다 큰 것을 알 수 있다.
또한, 도 10에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 나노입자를 포함하는 가스센서는 에탄올, 아세톤, 톨루엔, 벤젠, 아세트알데히드, 일산화탄소, 이산화탄소, 암모늄, 수소, 황화수소 및 질소 가스 중 에탄올에 대한 감도가 가장 높게 나타났으며, 다른 가스에 비해 4배 이상 감도가 좋은 것으로 나타났다. 그리고, SnO2 기반 가스센스와 비교하여도 에탄올에 대한 감도가 2배 이상 좋은 것으로 나타났다.
또한, 도 11에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 가스센서는 산소에 대한 저항변화가 크게 나타나 산소흡착이 잘 되는 것을 알 수 있고, SnO2 기반 가스센서보다 산소흡착이 잘 이루어지는 것을 알 수 있다.
실험예 3: MoS2 나노입자를 포함하는 가스센서의 에탄올에 대한 저항변화 및 감도 분석
본 발명에 따른 MoS2 나노입자를 포함하는 가스센서의 에탄올에 대한 저항변화와 감도를 분석하고, 그 결과를 도 12 및 도 13에 나타내었다.
도 12에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 MoS2 나노입자를 포함하는 가스센서는 3 ppm의 에탄올을 검출하는 것을 알 수 있다.
또한, 도 13에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 MoS2 나노입자를 포함하는 가스센서는 1ppm의 에탄올도 검출할 수 있는 것을 알 수 있다.
100: 기판
200: IDE 패턴
300: 전극
400: MoS2 나노입자

Claims (12)

  1. 이황화 몰리브덴(MoS2) 분말을 극성 유기용매에 넣고 초음파를 조사하는 단계;
    상기 초음파 조사된 용액을 원심분리한 후 세척하여 이황화 몰리브덴 나노입자가 분산된 용액을 얻는 단계; 및
    상기 나노입자가 분산된 용액을 인터디지테이티드 전극(interdigitated electrode, IDE)에 적하하여 나노입자를 부착시키는 단계;를 포함하는 나노입자를 포함하는 가스센서의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 극성 유기용매는 디메틸포름아미드(dimethylformamide), N-메틸피롤리돈 및 설폰으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 나노입자를 포함하는 가스센서의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 이황화 몰리브덴 분말은 극성 유기용매에 대해 0.1 ~ 20 mg/ml로 포함되는 것을 특징으로 하는 나노입자를 포함하는 가스센서의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 초음파 처리는 40 ~ 60 kHz의 주파수로 10 ~ 15시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 나노입자를 포함하는 가스센서의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 인터디지테이티드 전극은 기판 위에 포토리소그래피로 IDE 패턴을 제조한 후 Pt를 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노입자를 포함하는 가스센서의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 SiO2 또는 Al2O3인 것을 특징으로 하는 나노입자를 포함하는 가스센서의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 나노입자의 부착은 드롭 캐스팅법(drop-castign)을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 나노입자를 포함하는 가스센서의 제조방법.
  8. 실리콘 산화막이 적층된 기판; 및
    상기 실리콘 산화막 상부에 금속을 증착시켜 형성된 전극;을 포함하고,
    상기 전극은 다수의 전극이 교대로 배열된 IDE(interdigitated electrode) 패턴 형태이며,
    상기 전극 상부에는 MoS2 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자를 포함하는 가스센서.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 MoS2 나노입자의 크기는 80 ~ 120 ㎚인 것을 특징으로 하는 나노입자를 포함하는 가스센서.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 전극의 두께는 120 ~ 180 ㎚인 것을 특징으로 하는 나노입자를 포함하는 가스센서.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 가스센서는 환원성 기체를 감지하는 것을 특징으로 하는 나노입자를 포함하는 가스센서.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 환원성 기체는 에탄올인 것을 특징으로 하는 나노입자를 포함하는 가스센서.
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KR1020140096600A KR20160014845A (ko) 2014-07-29 2014-07-29 나노입자를 포함하는 가스센서 및 이의 제조방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101722875B1 (ko) 2016-04-05 2017-04-03 숭실대학교산학협력단 MoS2/카본 나노복합체 제조방법
KR20180129206A (ko) * 2017-05-25 2018-12-05 가천대학교 산학협력단 빗살형 전극에 나노입자을 증착시켜 TNF-alpha 측정 감도를 높인 나노바이오센서

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KR101722875B1 (ko) 2016-04-05 2017-04-03 숭실대학교산학협력단 MoS2/카본 나노복합체 제조방법
KR20180129206A (ko) * 2017-05-25 2018-12-05 가천대학교 산학협력단 빗살형 전극에 나노입자을 증착시켜 TNF-alpha 측정 감도를 높인 나노바이오센서

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