KR20160014815A - Organic light emitting decvice - Google Patents

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Abstract

An organic light emitting device according to an embodiment includes a substrate, a first insulating layer which is arranged on the substrate, an organic light emitting layer arranged on the first insulating layer, a second insulating layer arranged on the organic light emitting layer, a switching element which is arranged on one side of the second insulating layer and receives a data voltage, and a driving circuit including a driving element which supplies a driving signal according to a charge voltage charged by an on/off signal of the switching device. A source terminal of the driving element is arranged in a region which is closer to the switching element than a drain terminal of the driving element. In an embodiment, the quantity of induced charge generated by an electric field between the drain terminal of the driving element and a scan line can be reduced, by allowing the source terminal of the driving source to be closely arranged in a region adjacent to the scan line.

Description

유기전계 발광소자{ORGANIC LIGHT EMITTING DECVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED)

실시예는 유기전계 발광소자에 관한 것입니다.An embodiment relates to an organic electroluminescent device.

최근에는 정보 통신 발달과 함께 표시장치가 급격하게 발전해오고 있다. 유기전계 발광소자는 자발광 소자로써, 별도의 백라이트 유닛을 구비하지 않아도 되므로, 다른 표시장치에 비해 얇게 형성하며 낮은 소비전력을 가질 수 있다.In recent years, with the development of information communication, display devices have been rapidly developed. The organic electroluminescent device is a self-luminous device and does not need a separate backlight unit. Therefore, the organic electroluminescent device is thinner than other display devices and can have low power consumption.

유기전계 발광소자의 OLED 발광셀을 구동하는 방식으로는 단순 매트릭스형(Passive Matrix) 유기전계 발광소자(PMOLED)와 TFT를 이용한 액티브 매트릭스형(Active Matrix) 유기전계 발광소자(AMOLED)로 나눌 수 있다.A method of driving OLED light emitting cells of an organic electroluminescent device can be divided into a passive matrix organic electroluminescent device (PMOLED) and an active matrix organic electroluminescent device (AMOLED) using a TFT .

단순 매트릭스형 유기전계 발광소자(PMOLED)는 양극과 음극을 직교하도록 형성하고, 라인을 선택하여 구동하는데 비해, 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자(AMOLED)는 TFT와 캐패시터를 각 화소전극에 접속하여 캐패시터 용량에 의해 전압을 유지하는 구동방식이다.In the simple matrix type organic electroluminescent device (AMOLED), the anode and the cathode are formed to be orthogonal to each other and the line is selected and driven. In contrast, the active matrix type organic electroluminescent device (AMOLED) connects the TFT and the capacitor to each pixel electrode, And the voltage is maintained by the capacity.

종래 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자는 스캔라인에 인접하는 영역에 구동 소자의 드레인 단자가 인접하게 배치되기 때문에 스캔 라인과 구동 소자의 드레인 단자 사이에 강력한 전계(Electric-Field)가 발생되고, 이로 인해 플라스틱 기판 내에는 상당량의 유도 전하가 형성되어 OLED 구동 특성이 저하되는 문제점이 발생된다.In the conventional active matrix organic electroluminescent device, a strong electric field is generated between the scan line and the drain terminal of the driving device because the drain terminal of the driving device is disposed adjacent to the area adjacent to the scan line. A considerable amount of induced charge is formed in the plastic substrate, which causes a problem that OLED driving characteristics are deteriorated.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 실시예는 플라스틱 기판에 발생된 유도 전하에 의해 OLED 구동 특성이 저하되는 것을 방지하기 위한 유기전계 발광소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In order to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide an organic electroluminescent device for preventing OLED driving characteristics from being degraded by induced charges generated on a plastic substrate.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 기판과, 상기 기판 상에 배치된 제1 절연층과, 상기 제1 절연층 상에 배치된 유기 발광층과, 상기 유기 발광층 상에 배치된 제2 절연층과, 상기 제2 절연층 상의 일측에 배치되어 데이터 전압을 제공받는 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자의 온/오프 신호에 의해 충전된 충전 전압에 따라 구동 신호를 공급하는 구동 소자를 포함하는 구동회로;를 포함하고, 상기 구동소자의 소스 단자는 상기 구동소자의 드레인 단자 보다 스위칭 소자에 인접한 영역에 배치되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, an organic electroluminescent device according to an embodiment includes a substrate, a first insulating layer disposed on the substrate, an organic light emitting layer disposed on the first insulating layer, A switching element which is disposed on one side of the second insulating layer and receives a data voltage and a driving element which supplies a driving signal in accordance with a charging voltage charged by the on / off signal of the switching element; And a source terminal of the driving element is disposed in a region closer to the switching element than a drain terminal of the driving element.

실시예는 스캔 라인에 인접하는 영역에 구동 소자의 소스 단자를 인접하게 배치시킴으로써, 스캔 라인과 구동 소자의 드레인 단자 사이의 전압차에 의한 전계에 의해 발생되는 유도 전하량이 감소되는 효과가 있다. The embodiment has an effect that the amount of induced charge generated by the electric field due to the voltage difference between the scan line and the drain terminal of the driving element is reduced by disposing the source terminal of the driving element adjacent to the area adjacent to the scan line.

또한, 실시예는 스캔 라인과 구동 소자 사이의 거리를 멀게 배치함으로써, 스위칭 소자와 구동 소자 사이에 발생되는 전계를 최소화할 수 있는 효과가 있다.In addition, the embodiment has the effect of minimizing the electric field generated between the switching element and the driving element by arranging the distance between the scanning line and the driving element to be far.

또한, 실시예는 금속 재질의 구동 회로를 액티브 층의 상부 전부를 덮도록 전계를 최소화시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the embodiment has an effect that the electric field can be minimized so as to cover the entire upper portion of the active layer with a drive circuit of a metal material.

또한, 실시예는 구동 소자에 인가되는 게이트 전압을 제어함으로써, 전계를 효과적으로 제어할 수 있는 효과가 있다.In addition, the embodiment has an effect of effectively controlling the electric field by controlling the gate voltage applied to the driving element.

도 1은 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 나타낸 도면이다.
도 2는 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 A-A 단면도이다.
도 3은 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 회로도이다.
도 4는 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 시간에 따른 누설 전류를 나타낸 그래프이다.1 is a view illustrating an organic electroluminescent device according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view of the organic electroluminescent device according to the embodiment.
3 is a circuit diagram of an organic electroluminescent device according to an embodiment.
FIG. 4 is a graph showing leakage currents of the organic electroluminescent device according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG.

이하, 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 나타낸 도면이고, 도 2는 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 A-A 단면도이고, 도 3은 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 회로도이고, 도 4는 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 시간에 따른 누설 전류를 나타낸 그래프이다.FIG. 3 is a circuit diagram of an organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view of the organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention. 1 is a graph illustrating leakage currents of an organic electroluminescent device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3을 참고하면, 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 기판(100)과, 상기 기판(100) 상에 배치된 제1 절연층(200)과, 상기 제1 절연층(200) 상에 배치된 액티브 층(300)과, 상기 액티브 층(300) 상에 배치된 제2 절연층(400)과, 상기 절연층(400) 상에 배치되어 구동 신호를 공급하는 구동회로(500)를 포함한다.1 to 3, an organic electroluminescent device according to an embodiment includes a substrate 100, a first insulating layer 200 disposed on the substrate 100, a first insulating layer 200, A second insulating layer 400 disposed on the active layer 300 and a driving circuit 500 disposed on the insulating layer 400 and supplying a driving signal, .

기판(100)은 플라스틱 재질로 형성될 수 있다. 기판(100)은 사각 플레이트 형상으로 형성될 수 있다. 기판(100)의 형상은 이에 한정되지 않는다. 기판(100)은 플라스틱 외에도 유리 재질로 형성될 수 있다.The substrate 100 may be formed of a plastic material. The substrate 100 may be formed in a square plate shape. The shape of the substrate 100 is not limited thereto. The substrate 100 may be formed of a glass material in addition to plastic.

제1 절연층(200)은 상기 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(200)은 기판(100)과 제1 절연층(200)의 상위층 사이를 절연시킨다. 제1 절연층(200)은 기판(100)의 상부 전면을 덮도록 배치될 수 있다.The first insulating layer 200 may be disposed on the substrate 100. The first insulating layer 200 insulates the substrate 100 from the upper layer of the first insulating layer 200. The first insulating layer 200 may be disposed to cover the upper surface of the substrate 100.

액티브 층(300)은 제1 절연층(200) 상에 배치될 수 있다. 제2 절연층(400)은 액티브 층(300) 상에 배치될 수 있다. 제2 절연층(400)은 게이트 인슐레이터층(GI)일 수 있다. 제2 절연층(400)은 액티브 층(300)의 상부를 덮도록 배치될 수 있다.The active layer 300 may be disposed on the first insulating layer 200. The second insulating layer 400 may be disposed on the active layer 300. The second insulating layer 400 may be a gate insulator layer (GI). The second insulating layer 400 may be disposed to cover the upper portion of the active layer 300.

구동 회로(500)는 제2 절연층(400) 상에 배치될 수 있다. 구동 회로(500)는 스위칭 소자(510), 구동 소자(530) 및 스토리지 커패시터(520)를 포함할 수 있다. 스위칭 소자(510)와 구동 소자(530)는 N-타입 MOS-FET로 구현될 수 있다. 고전위 구동전압원(VDD)과 구동 소자(530)의 드레인 단자 사이에는 TFT(540)가 더 배치될 수 있다.The driving circuit 500 may be disposed on the second insulating layer 400. The driving circuit 500 may include a switching element 510, a driving element 530, and a storage capacitor 520. The switching element 510 and the driving element 530 may be implemented as N-type MOS-FETs. A TFT 540 may further be disposed between the high potential driving voltage source (V DD ) and the drain terminal of the driving device 530.

스위칭 소자(510)는 제2 절연층(400) 상의 일측에 배치될 수 있다. 스위칭 소자(510)는 N-타입 MOS-FET로 구현될 수 있다. 스위칭 소자(510)는 예컨대, -5V로 구동될 수 있다.The switching element 510 may be disposed on one side of the second insulating layer 400. The switching device 510 may be implemented as an N-type MOS-FET. The switching element 510 may be driven, for example, at -5V.

스위칭 소자(510)는 스캔 라인(미도시)으로부터의 스캔 펄스에 응답하여 턴-온됨으로써, 자신의 소스 단자와 드레인 단자 사이의 전류패스를 도통시킨다. 스위칭 소자(510)의 온타입기간 동안, 데이터 라인(미도시)으로부터의 데이터 전압(VData)은 스위칭 소자(510)의 소스 단자와 드레인 단자를 경유하여 구동 소자(530)의 게이트 단자와 스토리지 커패시터(520)에 인가된다.The switching element 510 is turned on in response to a scan pulse from a scan line (not shown), thereby conducting a current path between its source terminal and drain terminal. The data voltage V Data from the data line (not shown) is applied to the gate terminal of the driving element 530 via the source terminal and the drain terminal of the switching element 510, And is applied to the capacitor 520.

스토리지 커패시터(520)는 구동 소자(530)의 게이트 단자(G)와 저전위 구동전압원(Vss) 사이의 차전압을 저장하여 한 프레임기간 동안 일정하게 유지시키는 역할을 한다. 유기전계 발광소자는 저전위 구동전압원(Vss)와 구동 소자(530)의 소스 단자(S) 사이에 접속된다.The storage capacitor 520 stores the difference voltage between the gate terminal G of the driving element 530 and the low potential driving voltage source Vss and maintains the difference voltage for one frame period. The organic electroluminescent element is connected between the low potential driving voltage source (Vss) and the source terminal (S) of the driving element (530).

구동 소자(530)는 자신의 게이트 단자에 공급되는 게이트 전압(Vg) 즉, 상기 인가된 데이터 전압(VData)에 따라 유기전계 발광소자에 흐르는 전류를 제어하는 역할을 한다. The driving element 530 controls the current flowing through the OLED according to the gate voltage Vg supplied to the gate terminal of the driving element 530, that is, the applied data voltage V Data .

구동 소자(530)는 N-타입 MOS-FET로 구현될 수 있다. 구동 소자(530)는 게이트 단자(G), 소스 단자(S), 드레인 단자(D)를 포함할 수 있다.The driving element 530 may be implemented as an N-type MOS-FET. The driving element 530 may include a gate terminal G, a source terminal S, and a drain terminal D.

구동 소자(530)의 소스 단자(S)는 스위칭 소자(510)와 인접하게 배치될 수 있다. 구동 소자(530)의 소스 단자(S)는 구동 소자(530)의 드레인 단자(D) 보다 스위칭 소자(510)에 인접하게 배치될 수 있다. The source terminal S of the driving element 530 may be disposed adjacent to the switching element 510. [ The source terminal S of the driving element 530 may be disposed adjacent to the switching element 510 rather than the drain terminal D of the driving element 530. [

구동 소자(530)의 소스 단자(S)의 전압은 통상 4.4V이고, 구동 소자(530)의 드레인 단자(D)의 전압은 8V가 인가된다. 즉, 구동 소자(530)의 소스 단자(S)의 전압은 구동 소자(530)의 드레인 단자(D)의 전압보다 낮다.The voltage of the source terminal S of the driving element 530 is usually 4.4 V and the voltage of the drain terminal D of the driving element 530 is 8 V. [ That is, the voltage of the source terminal S of the driving element 530 is lower than the voltage of the drain terminal D of the driving element 530.

구동 소자(530)의 소스 단자(S)가 스위칭 소자(510)에 인접하게 배치될 경우, 스위칭 소자(510)와 구동 소자(530)의 소스 단자(S) 사이의 전압차는 스위칭 소자(510)와 구동 소자(530)의 드레인 단자(D) 사이의 전압차보다 작게 된다.The voltage difference between the switching element 510 and the source terminal S of the driving element 530 is smaller than the voltage difference between the switching element 510 and the source terminal S of the driving element 530. In the case where the source terminal S of the driving element 530 is disposed adjacent to the switching element 510, And the drain terminal (D) of the driving element (530).

따라서, 플라스틱 재질의 기판(100)에 축적되는 유도 전하의 전하량은 종래 스위칭 소자와 구동 소자의 드레인 단자가 인접하게 배치된 경우보다 현저하게 줄어들게 될 수 있다.Therefore, the charge amount of the induced charges accumulated in the substrate 100 made of a plastic material can be remarkably reduced compared with the case where the drain terminal of the conventional switching element and the driving element are disposed adjacent to each other.

구동 소자(530)의 소소 단자(S)와 스위칭 소자(510)의 거리(d1)는 구동 소자(530)의 드레인 단자(D)와 스위칭 소자(510) 사이의 거리보다 가깝게 배치될 수 있다.The distance d1 between the small terminal S of the driving element 530 and the switching element 510 may be arranged to be closer to the distance between the drain terminal D of the driving element 530 and the switching element 510. [

구동 소자(530)의 소스 단자(S)와 스위칭 소자(510) 사이의 거리(d1)는 8.5㎛ 이상일 수 있다. 종래에는 구동 소자의 드레인 단자가 스위칭 소자와 인접하게 배치되기 때문에 배치 구조상 구동 소자의 드레인 단자와 스위칭 소자 사이의 거리는 7㎛ 이상으로 배치하기 어려운 단점이 있었다.The distance d1 between the source terminal S of the driving element 530 and the switching element 510 may be 8.5 m or more. The distance between the drain terminal of the driving element and the switching element is 7 mu m or more in the arrangement structure because the drain terminal of the driving element is disposed adjacent to the switching element.

하지만, 실시예에서는 구동 소자(530)의 소스 단자(S)를 스위칭 소자(510)에 인접하게 배치함으로써, 구동 소자(530)의 소스 단자(S)와 스위칭 소자(510) 사이의 거리를 충분히 멀게 배치할 수 있다.However, in the embodiment, by disposing the source terminal S of the driving element 530 adjacent to the switching element 510, the distance between the source terminal S of the driving element 530 and the switching element 510 is sufficiently large It can be placed remotely.

구동 소자(530)의 소스 단자(S)와 스위칭 소자(510) 사이의 거리(d1)가 늘어나게 되면, 플라스틱 재질의 기판(100)에 형성되는 유도 전하의 수를 현저히 줄일 수 있는 효과가 있다.If the distance d1 between the source terminal S of the driving element 530 and the switching element 510 is increased, the number of induced charges formed on the plastic substrate 100 can be remarkably reduced.

이와 함께, 구동 소자(530)는 액티브 층(300)과 대응되는 모든 영역에 배치될 수 있다. 구동 소자(530)는 액티브 층(300)의 상부 전영역을 덮도록 배치될 수 있다.In addition, the driving element 530 may be disposed in all regions corresponding to the active layer 300. The driving element 530 may be disposed so as to cover the entire upper region of the active layer 300.

종래에는 액티브 층의 상부 일부에 오픈된 영역이 발생되어 전계(E-Field)에 의한 유도 전하가 기판(100)에 축적되기 쉬운 구조로 이루어져 있다. 실시예에서는 금속 재질의 구동 소자(530)를 액티브 층(400)의 상부를 모두 덮도록 형성함으로써, 유도 전하가 기판에 축적되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 구동 소자(530)는 액티브 층(400)이 형성되지 않은 영역까지 연장되도록 배치될 수 있다. Conventionally, an open region is formed in a part of the upper part of the active layer, and the induced charge due to an electric field (E-field) is easily accumulated in the substrate 100. In the embodiment, it is possible to effectively prevent the induced charges from accumulating on the substrate by forming the drive element 530 made of metal so as to cover the entire upper portion of the active layer 400. The driving element 530 may be arranged to extend to a region where the active layer 400 is not formed.

도 4에 도시된 바와 같이, 종래에는 스캔 라인에 드레인 단자가 입접하게 배치됨에 따라, 전계에 따른 전류가 플라스틱 재질의 기판에 의해 손실이 발생되었다. 특히, 전류는 시간이 지남에 따라 더욱 손실이 발생되었다.As shown in FIG. 4, a drain terminal is disposed adjacent to a scan line in the related art, so that a current corresponding to an electric field is generated by a substrate made of a plastic material. In particular, the current was further lost over time.

반면, 실시예와 같이, 스캔 라인에 소스 단자를 인접하게 배치하게 되면, 스캔 라인과 구동 소자 사이의 전계를 최소화시켜, 전류 손실이 발생되는 것을 개선할 수 있음을 알 수 있다. 전류는 시간에 따라 미세하게 손실되나, 실질적으로 구동에 영향을 미치지 않을 정도임을 알 수 있다.On the other hand, it can be seen that, as in the embodiment, if the source terminal is disposed adjacent to the scan line, the electric field between the scan line and the drive element is minimized, and the occurrence of the current loss can be improved. It can be seen that the current is finely lost with time, but is practically not affected by drive.

상기에서는 구동 소자의 소스 단자의 배치 구조 및 액티브층의 쉴드 구조에 의해 강전계를 최소화하였지만, 이에 한정되지 않고, 스캔 라인에서 공급되는 전압을 제어하여 강전계를 제어할 수 있다. 예컨대, ㅅ캔 라인에 공급되는 스캔 전압을 -5V 에서 0V로 전압을 제어할 수 있다. 이로부터 스위칭 소자에 공급되는 전압은 -5V 에서 0V일 수 있다. In the above, the strong electric field system is minimized by the arrangement structure of the source terminal of the driving element and the shield structure of the active layer. However, the present invention is not limited to this, and the strong electric field can be controlled by controlling the voltage supplied from the scan line. For example, the scan voltage supplied to the scan line can be controlled from -5V to 0V. From this, the voltage supplied to the switching element may be 0V at -5V.

도시되지는 않았으나, 구동 회로의 상부에는 제1 전극층(미도시), 정공 주입층(미도시) 및 정공 수송층(미도시), 유기 발광층(미도시), 전자 수송층(미도시) 및 전자 주입층(미도시), 제2 전극층(미도시)을 포함할 수 있다.(Not shown), a hole injection layer (not shown) and a hole transport layer (not shown), an organic emission layer (not shown), an electron transport layer (not shown), and an electron injection layer (Not shown), and a second electrode layer (not shown).

제1 전극층은 구동 소자(530)와 접촉될 수 있다. 제1 전극층은 구동 소자(530)와의 접속 구조에 따라 반사막을 갖는 애노드 전극, 또는 캐소드 전극일 수 있다. 제1 전극층은 ITO, IZO 등의 산화물을 포함하는 투명 도전체로 형성될 수 있으며, 불투명 금속 재질을 가지는 반사막 상에서 화소 단위로 패터닝될 수 있다. 제1 전극층은 구동 소자(530)를 경유하여 공급되는 정공을 정공 주입층 및 정공 수송층을 경유하여 유기 발광층에 인가한다.The first electrode layer may be in contact with the driving element 530. The first electrode layer may be an anode electrode having a reflective film or a cathode electrode according to a connection structure with the driving device 530. The first electrode layer may be formed of a transparent conductor including an oxide such as ITO, IZO, or the like, and may be patterned pixel by pixel on a reflective film having an opaque metal material. The first electrode layer applies the holes supplied via the driving device 530 to the organic light emitting layer via the hole injection layer and the hole transport layer.

제2 전극층은 제1 전극층이 애노드 전극일 경우, 캐소드 전극일 수 있다. 제2 전극층으로는 금속 재질의 단층 구조로 형성될 수 있다. 이와 달리, 제2 전극층은 유전층들 사이에 협지된 제1 및 제2 층의 금속층을 가지는 다층 구조로 형성될 수 있다.
The second electrode layer may be a cathode electrode when the first electrode layer is an anode electrode. The second electrode layer may be formed of a single layer structure of a metal material. Alternatively, the second electrode layer may be formed in a multi-layer structure having metal layers of first and second layers sandwiched between the dielectric layers.

상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 실시예의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 실시예는 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the following claims. It will be possible.

100: 기판 200: 제1 절연층
300: 액티브 층 400: 제2 절연층
500: 구동 회로 510: 스위칭 소자
520: 스토리지 커패시터 530: 구동 소자
VDD: 고전위 구동전압원 Vss: 저전위 구동전압원100: substrate 200: first insulating layer
300: active layer 400: second insulating layer
500: drive circuit 510: switching element
520: storage capacitor 530: driving element
VDD: high potential driving voltage source Vss: low potential driving voltage source

Claims (8)

기판;
상기 기판 상에 배치된 제1 절연층;
상기 제1 절연층 상에 배치된 액티브 층;
상기 액티브 층 상에 배치된 제2 절연층;
상기 제2 절연층 상의 일측에 배치되어 데이터 전압을 제공받는 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자의 온/오프 신호에 의해 충전된 충전 전압에 따라 구동 신호를 공급하는 구동 소자를 포함하는 구동회로;를 포함하고,
상기 구동소자의 소스 단자는 상기 구동소자의 드레인 단자 보다 스위칭 소자에 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.Board;
A first insulating layer disposed on the substrate;
An active layer disposed on the first insulating layer;
A second insulating layer disposed on the active layer;
And a driving circuit including a switching element disposed on one side of the second insulating layer to receive a data voltage and a driving element supplying a driving signal according to a charged voltage charged by the on / off signal of the switching element and,
Wherein the source terminal of the driving element is disposed adjacent to the switching element than the drain terminal of the driving element. 제 1 항에 있어서,
상기 구동소자의 소스단자와 스위칭 소자 사이의 거리는 구동소자의 드레인 단자와 스위칭 소자 사이의 거리보다 가까운 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the distance between the source terminal of the driving element and the switching element is closer to the distance between the drain terminal of the driving element and the switching element. 제 2 항에 있어서,
상기 구동소자의 소스단자와 스위칭 소자 사이의 거리는 8.5㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.3. The method of claim 2,
Wherein the distance between the source terminal of the driving element and the switching element is 8.5 占 퐉 or more. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구동소자의 소스단자와 스위칭 소자 사이의 전압차는 구동소자의 드레인 단자와 스위칭 소자 사이의 전압차 보다 작은 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the voltage difference between the source terminal of the driving element and the switching element is smaller than the voltage difference between the drain terminal of the driving element and the switching element. 제 4 항에 있어서,
상기 소스 단자의 소스 전압은 드레인 단자의 드레인 전압 보다 낮은 전압을 가지는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.5. The method of claim 4,
Wherein a source voltage of the source terminal has a voltage lower than a drain voltage of the drain terminal. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구동소자는 상기 액티브 층에 대응되도록 배치되어 액티브 층의 전면을 덮는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the driving element is disposed to correspond to the active layer and covers the entire surface of the active layer. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 스위칭 소자에 인가되는 전압은 -5V 에서 0V 인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
And the voltage applied to the switching element is 0V at -5V. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판은 플라스틱 재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the substrate comprises a plastic material.
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