KR20160013015A - Sensor substrate - Google Patents
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Abstract
센서 기판은, 베이스 절연층과, 집적 회로에 전기적으로 접속되기 위한 도체 패턴을 갖는 배선 회로 기판을 구비한다. 베이스 절연층은, 배선 형성 영역과 단자 형성 영역을 갖는다. 도체 패턴은, 배선 형성 영역에 있어서 베이스 절연층의 두께 방향 일방측에 형성되어, 제 1 방향으로 연장되는 제 1 배선과, 배선 형성 영역에 있어서 베이스 절연층의 두께 방향 타방측에 형성되어, 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되고, 두께 방향으로 투영시켰을 때에 제 1 배선과 교차하는 제 2 배선과, 단자 형성 영역에 형성되어, 제 1 배선, 및 단자 형성 영역에 탑재되는 집적 회로에 전기적으로 접속되는 제 1 단자와, 단자 형성 영역에 형성되어, 제 2 배선 및 집적 회로에 전기적으로 접속되는 제 2 단자를 구비한다.The sensor substrate includes a base insulating layer and a wiring circuit substrate having a conductor pattern to be electrically connected to the integrated circuit. The base insulating layer has a wiring formation region and a terminal formation region. The conductor pattern is formed on one side of the base insulating layer in the thickness direction of the base insulating layer in the wiring formation region and is formed on the other side in the thickness direction of the base insulating layer in the wiring formation region, A second wiring extending in a second direction intersecting with the first direction and intersecting with the first wiring when projected in the thickness direction, and a second wiring formed in the terminal formation region, the first wiring, and the integrated circuit mounted on the terminal formation region And a second terminal formed in the terminal formation region and electrically connected to the second wiring and the integrated circuit.
Description
본 발명은, 센서 기판, 상세하게는, 위치 검출 장치 등에 사용하는 센서 기판에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
펜형의 위치 지시기를 위치 검출 평면 상에서 이동시켜 위치를 검출하는, 좌표 입력 장치 등의 위치 검출 장치는, 휴대형 단말 (태블릿형 PC, 스마트폰), 디지타이저 등의 컴퓨터의 입력 장치로서 보급되어 있다. 이 위치 검출 장치는, 위치 검출 평면판과, 그 아래에 배치되어, 루프 코일이 기판의 표면에 형성된 센서 기판 (센스부) 을 구비하고 있다. 그리고, 위치 지시기와 루프 코일에 의해 발생하는 전자 유도를 이용함으로써, 위치 지시기의 위치를 검출한다 (예를 들어, 하기 특허문헌 1 참조).A position detecting device such as a coordinate input device that detects a position by moving a pen-type position indicator on a position detection plane is spread as a computer input device such as a portable terminal (tablet PC, smart phone) or a digitizer. The position detecting device includes a position detecting flat plate, and a sensor substrate (sense portion) disposed below the position detecting flat plate and having a loop coil formed on a surface of the substrate. Then, the position of the position indicator is detected by using the electromagnetic induction generated by the position indicator and the loop coil (see, for example, Patent Document 1).
하기 특허문헌 1 에서는, 복수의 루프 코일 배선의 단자를 기판의 일부분에 집약시킨 단자부가 형성되어 있고, 그리고 컨트롤 회선 기판 및 플랫 케이블이 절곡된 상태에서, 그 단자부에 접속되어 있는 좌표 입력 장치가 제안되어 있다.In the following
하기 특허문헌 1 에 기재된 좌표 입력 장치에서는, 컨트롤 회선 기판과 루프 코일 배선의 단자부의 접속을 용이하게 하고, 소형화가 도모되어 있다.In the coordinate input device described in
그런데, 위치 검출 장치에는, 박형화를 도모하고자 하는 요구가 있고, 최근, 특히 그 요구가 강하게 요구되고 있다.[0004] However, there is a demand for a position detection device to be thin, and in recent years, there is a strong demand particularly for the position detection device.
그러나, 상기 특허문헌 1 의 좌표 입력 장치에서는, 컨트롤 회선 기판 및 플랫 케이블이, 센스부의 이면에 되접어 꺾여 장착되어 있다. 특히, 컨트롤 회선 기판에서는, 리지드 기판에 집적 회로가 탑재되어 있다. 그 때문에, 되접어 꺾은 부분의 두께가 증가하고 있다는 문제가 발생하고 있다.However, in the coordinate input device of
한편, 상기 특허문헌 1 의 좌표 입력 장치에서는, 플랫 케이블 및 컨트롤 회선 기판을 되접어 꺾지 않고, 센스부의 단부에 장착하는 것도 가능하다.On the other hand, in the coordinate input device of
그러나, 그 경우에서는, 플랫 케이블 및 컨트롤 회선 기판이, 센스부의 단부로부터 크게 돌출되기 때문에, 소형화를 도모할 수 없다는 문제가 생긴다.However, in this case, since the flat cable and the control circuit board project significantly from the end of the sense unit, there arises a problem that miniaturization can not be achieved.
본 발명의 목적은, 박형화 및 소형화를 도모할 수 있는 센서 기판을 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is to provide a sensor substrate which can be thinned and miniaturized.
본 발명의 센서 기판은, 베이스 절연층, 및 집적 회로에 전기적으로 접속되기 위한 도체 패턴을 갖는 배선 회로 기판을 구비하고, 상기 베이스 절연층은, 배선 형성 영역과 단자 형성 영역을 가지고, 도체 패턴은, 상기 배선 형성 영역에 있어서 상기 베이스 절연층의 두께 방향 일방측에 형성되어, 제 1 방향으로 연장되는 제 1 배선과, 상기 배선 형성 영역에 있어서 상기 베이스 절연층의 두께 방향 타방측에 형성되어, 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되고, 상기 두께 방향으로 투영시켰을 때에 상기 제 1 배선과 교차하는 제 2 배선과, 상기 단자 형성 영역에 형성되어, 상기 제 1 배선, 및 상기 단자 형성 영역에 탑재되는 상기 집적 회로에 전기적으로 접속되는 제 1 단자와, 상기 단자 형성 영역에 형성되어, 상기 제 2 배선 및 상기 집적 회로에 전기적으로 접속되는 제 2 단자를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.The sensor substrate of the present invention includes a wiring circuit substrate having a base insulating layer and a conductor pattern to be electrically connected to the integrated circuit, wherein the base insulating layer has a wiring formation region and a terminal formation region, A first wiring formed on one side in the thickness direction of the base insulating layer in the wiring formation region and extending in a first direction and a second wiring formed on the other side in the thickness direction of the base insulation layer in the wiring formation region, A second wiring extending in a second direction intersecting with the first direction and intersecting with the first wiring when projected in the thickness direction; and a second wiring formed in the terminal formation region, A first terminal electrically connected to the integrated circuit mounted in the region, and a second terminal formed in the terminal formation region, And it characterized by a second terminal to be electrically connected.
이 센서 기판에서는, 제 1 배선 및 단자 형성 영역에 접속되는 집적 회로에 전기적으로 접속되는 제 1 단자, 그리고 제 2 배선 및 집적 회로에 전기적으로 접속되는 제 2 단자가 베이스 절연층의 단자 형성 영역에 형성되어 있다. 그 때문에, 플랫 케이블 및 집적 회로를 형성하기 위한 리지드 기판이 불필요해져, 소형화를 도모할 수 있다. 또, 플랫 케이블이나 집적 회로를 센서 기판의 두께 방향 일방측에 되접어 꺾을 필요가 없기 때문에, 박막화를 도모할 수 있다.In this sensor substrate, a first terminal electrically connected to the first wiring and the integrated circuit connected to the terminal formation region, and a second terminal electrically connected to the second wiring and the integrated circuit are formed in the terminal formation region of the base insulation layer Respectively. Therefore, the rigid substrate for forming the flat cable and the integrated circuit becomes unnecessary, and miniaturization can be achieved. In addition, since it is not necessary to fold the flat cable or the integrated circuit back to one side in the thickness direction of the sensor substrate, the thin film can be achieved.
또, 본 발명의 센서 기판에서는, 상기 배선 회로 기판은, 상기 베이스 절연층의 두께 방향 일방측에 배치되는 자성층을 추가로 구비하는 것이 바람직하다.In the sensor substrate of the present invention, it is preferable that the wiring circuit substrate further includes a magnetic layer disposed on one side in the thickness direction of the base insulating layer.
이 센서 기판에서는, 자성층에 의해, 배선 회로 기판의 제 1 배선 및 제 2 배선에 발생하는 자속을 자성층 내에 수렴하여, 제 1 배선 및 제 2 배선에 의한 센싱을 효율적으로 실시할 수 있다.In this sensor substrate, the magnetic layer can converge the magnetic fluxes generated in the first wiring and the second wiring of the wiring circuit substrate into the magnetic layer, and the sensing by the first wiring and the second wiring can be performed efficiently.
또, 본 발명의 센서 기판에서는, 상기 배선 회로 기판은, 상기 자성층의 두께 방향 일방측에 배치되는 금속층을 추가로 구비하는 것이 바람직하다.In the sensor substrate of the present invention, it is preferable that the wiring circuit substrate further includes a metal layer disposed on one side in the thickness direction of the magnetic layer.
이 센서 기판에서는, 금속층에 의해, 자성층으로부터 미소하게 누출되어 버린 자속을 소실시킬 수 있고, 위치 검출의 장치를 높일 수 있다.In this sensor substrate, the metal layer can eliminate the magnetic flux leaking from the magnetic layer to a small extent, and the position detecting device can be enhanced.
또, 본 발명의 센서 기판에서는, 상기 배선 회로 기판은, 상기 베이스 절연층과 상기 자성층 사이에 배치되는 절연층을 추가로 구비하는 것이 바람직하다.In the sensor substrate of the present invention, it is preferable that the wiring circuit substrate further includes an insulating layer disposed between the base insulating layer and the magnetic layer.
이 센서 기판에서는, 센서 기판의 두께의 증대를 억제하면서, 자성층을 개재하여 발생하는 제 1 배선의 단락을 방지할 수 있다.In this sensor substrate, it is possible to prevent a short-circuit of the first wiring caused by the magnetic layer while suppressing an increase in the thickness of the sensor substrate.
본 발명의 센서 기판에서는, 박막화 및 소형화가 도모되어 있다.In the sensor substrate of the present invention, thinning and miniaturization are promoted.
도 1 은, 본 발명의 센서 기판의 일 실시형태를 나타내는 개략 평면도를 나타낸다.
도 2 는, 도 1 에 나타내는 센서 기판의 A-A 선을 따른 단면도를 나타낸다.
도 3A 는, 도 1 에 나타내는 센서 기판의 제조 공정의 A-A 선을 따른 일부 단면도로서, 베이스 수지 기판을 준비하는 공정, 도 3B 는, 도 1 에 나타내는 센서 기판의 제조 공정의 A-A 선을 따른 일부 단면도로서, 도 3A 에 계속해서, 베이스 수지 기판의 하면에 도체 패턴을 형성하는 공정, 도 3C 는, 도 1 에 나타내는 센서 기판의 제조 공정의 A-A 선을 따른 일부 단면도로서, 도 3B 에 계속해서, 베이스 수지 기판에 스루홀을 형성하는 공정, 도 3D 는, 도 1 에 나타내는 센서 기판의 제조 공정의 A-A 선을 따른 일부 단면도로서, 도 3C 에 계속해서, 베이스 수지 기판의 상면에 도체 패턴을 형성하는 공정, 도 3E 는, 도 1 에 나타내는 센서 기판의 제조 공정의 A-A 선을 따른 일부 단면도로서, 도 3D 에 계속해서, 베이스 수지 기판의 상면에 접착제층을 형성하는 공정, 도 3F 는, 도 1 에 나타내는 센서 기판의 제조 공정의 A-A 선을 따른 일부 단면도로서, 도 3E 에 계속해서, 접착제층의 상면에 커버층을 적층하는 공정을 나타낸다.
도 4G 는, 도 1 에 나타내는 센서 기판의 제조 공정의 A-A 선을 따른 일부 단면도로서, 도 3F 에 계속해서, 베이스 수지 기판의 하면에 제 2 절연층을 형성하는 공정, 도 4H 는, 도 1 에 나타내는 센서 기판의 제조 공정의 A-A 선을 따른 일부 단면도로서, 도 4G 에 계속해서, 제 2 절연층의 하면에 자성층을 적층하는 공정, 도 4I 는, 도 1 에 나타내는 센서 기판의 제조 공정의 A-A 선을 따른 일부 단면도로서, 도 4H 에 계속해서, 자성층의 하면에 금속층을 적층하는 공정, 도 4J 는, 도 1 에 나타내는 센서 기판의 제조 공정의 A-A 선을 따른 일부 단면도로서, 도 4I 에 계속해서, 집적 회로를 탑재하는 공정을 나타낸다.
도 5 는, 본 발명의 센서 기판의 그 밖의 실시형태 (단자 형성 영역이 평면에서 볼 때 대략 L 자 형상) 를 나타낸다.1 is a schematic plan view showing an embodiment of a sensor substrate of the present invention.
2 is a cross-sectional view of the sensor substrate along the line AA shown in Fig.
Fig. 3A is a partial cross-sectional view along the line AA in the manufacturing process of the sensor substrate shown in Fig. 1, which shows a step of preparing a base resin substrate, Fig. 3B is a partial cross-sectional view along the line AA in the process of manufacturing the sensor substrate shown in Fig. 3A is a partial cross-sectional view taken along the line AA in the process of manufacturing the sensor substrate shown in FIG. 1, and FIG. 3C is a cross- FIG. 3D is a partial cross-sectional view along the line AA in the manufacturing process of the sensor substrate shown in FIG. 1, and FIG. 3D shows a step of forming a conductor pattern on the upper surface of the base resin substrate Fig. 3E is a partial cross-sectional view along the line AA in the manufacturing process of the sensor substrate shown in Fig. 1. Fig. 3F is a step of forming an adhesive layer on the upper surface of the base resin substrate, And FIG. 3E shows a step of laminating the cover layer on the upper surface of the adhesive layer.
FIG. 4G is a partial cross-sectional view along the line AA in the manufacturing process of the sensor substrate shown in FIG. 1, and FIG. 4H is a step of forming a second insulating layer on the lower surface of the base resin substrate, FIG. 4I is a view showing a step of stacking a magnetic layer on the lower surface of the second insulating layer, and FIG. 4I is a view showing a step of stacking the magnetic layers on the AA line FIG. 4J is a partial cross-sectional view along the line AA in the manufacturing process of the sensor substrate shown in FIG. 1, and FIG. 4C is a cross- Fig. 3 shows a process for mounting an integrated circuit. Fig.
Fig. 5 shows another embodiment of the sensor substrate of the present invention (the terminal formation region is substantially L-shaped in plan view).
도 1 에 있어서, 지면 상측을 「전측」 (제 1 방향 일방측) 으로 하고, 지면 하측을 「후측」 (제 1 방향 타방측) 으로 하고, 지면 좌측을 「좌측」 (제 2 방향 일방측) 으로 하고, 지면 우측을 「우측」 (제 2 방향 타방측) 으로 하고, 종이 두께 방향 안측을 「하측」 (제 3 방향 일방측 또는 후술하는 베이스 수지 기판 (4) 의 두께 방향 일방측) 으로 하고, 종이 두께 방향 앞측을 「상측」 (제 3 방향 타방측 또는 후술하는 베이스 수지 기판 (4) 의 두께 방향 타방측) 으로 하며, 구체적으로는, 도 1 에 기재된 방향 화살표에 준거한다. 도 1 이외의 도면에 대해서도, 도 1 의 방향을 기준으로 한다. 또한, 도 1 에 있어서, 도체 패턴 (5) 의 배치를 명확하게 하기 위해, 커버층 (6) 및 접착제층 (25) 을 생략하고 있다.1 (the first side in the first direction), the lower side in the figure is the "rear side" (the other side in the first direction), the left side in the drawing is the "left side" (The one side in the third direction or one side in the thickness direction of the
도 1 에 있어서, 이 센서 기판 (1) 은, 배선 회로 기판 (2) 과 집적 회로 (3) 를 구비하고 있다.1, this
배선 회로 기판 (2) 은, 도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 베이스 절연층으로서의 베이스 수지 기판 (4) 과, 베이스 수지 기판 (4) 에 접촉하여 형성되는 도체 패턴 (5) 과, 베이스 수지 기판 (4) 의 상측에 형성되는, 도체 패턴 (5) 을 피복하도록 배치되는 커버층 (6) 과, 베이스 수지 기판 (4) 의 하측에 형성되는, 도체 패턴 (5) 을 피복하도록 배치되는 자성층 (7) 과, 자성층 (7) 의 하측에 배치되는 금속층 (8) 을 구비하고 있다.1 and 2, the
베이스 수지 기판 (4) 은, 평면에서 볼 때, 센서 기판 (1) 의 외형을 이루고, 대략 사각형상으로 형성되고, 그 전단부의 좌우 방향 중앙부가 볼록 형상으로 돌출되도록 형성되어 있다.The
베이스 수지 기판 (4) 은, 예를 들어, 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리카보네이트 필름 등의 수지 필름으로 형성되어 있다.The
베이스 수지 기판 (4) 은, 배선 형성 영역 (9) 과 단자 형성 영역 (10) 을 갖는다.The
배선 형성 영역 (9) 은, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 평면에서 볼 때 대략 사각형상으로 구획되어 있다.As shown in Fig. 1, the
배선 형성 영역 (9) 의 전후 방향 길이 및 좌우 방향 길이는, 센서 기판 (1) 의 목적, 용도 등에 따라 적절히 결정된다.The length in the front-rear direction and the length in the left-right direction of the
배선 형성 영역 (9) 에는, 제 1 루프 코일용 도통부 (28) 에 대응하는 제 1 루프 코일용 스루홀 (27) (도 2 참조), 및 제 2 루프 코일용 도통부에 대응하는 제 2 루프 코일용 스루홀 (도시 생략) 이, 베이스 수지 기판 (4) 의 두께 방향을 관통하도록 형성되어 있다.2) corresponding to the first loop
단자 형성 영역 (10) 은, 베이스 수지 기판 (4) 에 있어서, 배선 형성 영역 (9) 의 전단부에 구획되고, 좌우 방향으로 연장되는 평면에서 볼 때 대략 사각형상으로 형성되어 있다. 즉, 단자 형성 영역 (10) 은, 평면에서 볼 때, 베이스 수지 기판 (4) 의 전단부의 좌우 방향 중앙부로부터 돌출되어 있는 볼록부에 상당한다.The
단자 형성 영역 (10) 은, 배선 형성 영역 (9) 과 연속하도록 형성되어 있다. 그리고, 단자 형성 영역 (10) 은, 베이스 수지 기판 (4) 의 두께 방향으로 투영시켰을 때에, 배선 형성 영역 (9) 과 중복되지 않게 형성되어 있다. 또, 단자 형성 영역 (10) 은, 배선 형성 영역 (9) 과 동일 평면 상에 있다. 보다 구체적으로는, 좌우 방향으로 투영시켰을 때에, 단자 형성 영역 (10) 과 배선 형성 영역 (9) 은, 직선상으로 형성되어 있고, 즉, 베이스 수지 기판 (4) 은, 배선 형성 영역 (9) 과 단자 형성 영역 (10) 의 경계 부분에서 절곡되지 않도록 형성되어 있다.The
단자 형성 영역 (10) 에는, 제 1 도통부 (17) 에 대응하는 제 1 단자용 스루홀 (19) (도 2 참조), 및 제 2 도통부 (22) 에 대응하는 제 2 단자용 스루홀 (24) (도 2 참조) 이, 베이스 수지 기판 (4) 의 두께 방향을 관통하도록 형성되어 있다.The
단자 형성 영역 (10) 의 좌우 방향 길이 및 전후 방향 길이의 각각은, 배선 형성 영역 (9) 의 좌우 방향 길이 및 전후 방향 길이의 각각보다 짧아지도록 형성되어 있다. 구체적으로는, 단자 형성 영역 (10) 의 전후 방향 길이 및 좌우 방향 길이는, 탑재하는 집적 회로 (3) 의 종류, 크기 등에 따라 적절히 결정되는데, 예를 들어, 배선 형성 영역 (9) 의 전후 방향 길이 및 좌우 방향 길이를 100 % 로 했을 때에, 5 % 이상, 바람직하게는 10 % 이상이며, 또 예를 들어 50 % 이하, 바람직하게는 30 % 이하이다.The length in the left-right direction and the length in the forward-rearward direction of the
베이스 수지 기판 (4) 의 두께는, 예를 들어 6 ㎛ 이상, 바람직하게는 12 ㎛ 이상이며, 또 예를 들어 50 ㎛ 이하, 바람직하게는 35 ㎛ 이하이다.The thickness of the
도체 패턴 (5) 은, 복수 (4 개) 의 제 1 방향 (전후 방향) 으로 연장되는 제 1 루프 코일 (11) 과, 복수 쌍 (4 쌍) 의 제 1 단자 (12) 와, 복수 (3 개) 의 제 2 방향 (좌우 방향) 으로 연장되는 제 2 루프 코일 (13) 과, 복수 쌍 (3 쌍) 의 제 2 단자 (14) 를 구비하고 있다.The
복수의 제 1 루프 코일 (11) 은, 배선 형성 영역 (9) 의 중앙부에 있어서, 좌우 방향으로 서로 간격을 두고 배치되어 있다.The plurality of first loop coils 11 are arranged at a central portion of the
복수의 제 1 루프 코일 (11) 의 각각은, 전후 방향으로 연장되고, 좌우 방향으로 서로 간격을 두고 배치되는, 제 1 배선으로서의 1 쌍의 제 1 장 (長) 배선 (15) 과, 1 쌍의 제 1 장배선 (15) 의 전후 방향 양 단부를 접속하는, 1 쌍의 제 1 단 (短) 배선 (16) 을 일체적으로 구비하고 있다.Each of the plurality of first loop coils 11 includes a pair of first
제 1 장배선 (15) 은, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 배선 형성 영역 (9) 에 있어서, 베이스 수지 기판 (4) 의 두께 방향 일방측의 표면 (하면) 에 직접 형성되어 있다.The
제 1 단배선 (16) 은, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 좌우 방향으로 연장되어, 서로 간격을 두고 배치되고, 그 길이 (좌우 방향 길이) 가 제 1 장배선 (15) 의 길이 (전후 방향 길이) 보다 짧아지도록 형성되어 있다. 제 1 단배선 (16) 은, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 배선 형성 영역 (9) 에 있어서 베이스 수지 기판 (4) 의 두께 방향 타방측의 표면 (상면) 에 직접 형성되어 있다. 그리고, 전측의 제 1 단배선 (16) 은, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 1 쌍의 제 1 루프 코일용 도통부 (28) 를 개재하여, 1 쌍의 제 1 장배선 (15) 의 전단부에 접속되고, 후측의 제 1 단배선 (16) 은, 1 쌍의 제 1 루프 코일용 도통부 (28) 를 개재하여, 1 쌍의 제 1 장배선 (15) 의 후단부에 접속되어 있다.As shown in Fig. 1, the first-
복수 쌍의 제 1 단자 (12) 의 각각이, 복수의 제 1 루프 코일 (11) 의 각각에 대응하도록 단자 형성 영역 (10) 에 형성되어 있다. 제 1 단자 (12) 는, 단자 형성 영역 (10) 에 있어서, 집적 회로 (3) 와 두께 방향으로 중복되도록 형성되어 있다. 즉, 1 쌍의 제 1 단자 (12) 는, 단자 형성 영역 (10) 에 있어서, 전후 방향으로 서로 간격을 두고 대향 배치되어 있고, 복수 쌍의 제 1 단자 (12) 는, 단자 형성 영역 (10) 에 있어서, 좌우 방향으로 서로 간격을 두고 병렬 배치되어 있다.Each of the plurality of pairs of
도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 복수의 제 1 단자 (12) 의 각각은, 베이스 수지 기판 (4) 의 상면에, 평면에서 볼 때 대략 사각형상으로 형성되어 있다. 제 1 단자 (12) 는, 제 1 도통부 (17) 및 제 1 접속 배선 (18) (도 1 에 있어서 도시 생략) 을 통하여, 제 1 루프 코일 (11) 과 전기적으로 접속되어 있다.As shown in Figs. 1 and 2, each of the plurality of
제 1 도통부 (17) 는, 제 1 단자용 스루홀 (19) 에 충전되도록 형성되어 있다. 이로써, 제 1 도통부 (17) 는, 제 1 단자 (12) 와 제 1 접속 배선 (18) 을 도통시키고 있다.The first
제 1 접속 배선 (18) 은, 배선 형성 영역 (9) 및 단자 형성 영역 (10) 에 걸쳐, 베이스 수지 기판 (4) 의 하면에 직접 형성되어 있다. 제 1 접속 배선 (18) 의 일단 (후단) 은, 제 1 루프 코일 (11) 에 전기적으로 접속되고, 타단 (전단) 은, 제 1 도통부 (17) 를 개재하여 1 쌍의 제 1 단자 (12) 에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 도 1 에 있어서, 제 1 접속 배선 (18) 을 생략하고 있는데, 공지된 패턴에 의해, 제 1 루프 코일 (11) 과 제 1 단자 (12) 를 전기적으로 접속할 수 있다.The
복수의 제 2 루프 코일 (13) 은, 배선 형성 영역 (9) 의 중앙부에 있어서, 전후 방향으로 서로 간격을 두고 배치되어 있다.The plurality of second loop coils 13 are arranged at a distance from each other in the front-rear direction at the central portion of the
복수의 제 2 루프 코일 (13) 의 각각은, 좌우 방향으로 연장되어, 전후 방향으로 서로 간격을 두고 배치되는, 제 2 배선으로서의 1 쌍의 제 2 장배선 (20) 과, 1 쌍의 제 2 장배선 (20) 의 좌우 방향 양 단부를 접속하는, 1 쌍의 제 2 단배선 (21) 을 일체적으로 구비하고 있다.Each of the plurality of second loop coils 13 includes a pair of second
제 2 장배선 (20) 은, 배선 형성 영역 (9) 에 있어서, 베이스 수지 기판 (4) 의 상면에 직접 형성되어 있다.The
제 2 장배선 (20) 은, 베이스 수지 기판 (4) 의 두께 방향으로 투영시켰을 때에, 제 1 장배선 (15) 과 교차한다. 상세하게는, 복수의 제 2 장배선 (20) 의 모두는, 베이스 수지 기판 (4) 의 두께 방향으로 투영시켰을 때에, 복수의 제 1 장배선 (15) 의 모두와 교차하고 있다. 제 1 장배선 (15) 과 제 2 장배선 (20) 이 이루는 각도는, 예를 들어 45 ∼ 135 도이고, 바람직하게는 75 ∼ 105 도이며, 보다 바람직하게는 직각이다.The
제 2 단배선 (21) 은, 전후 방향으로 연장되어, 서로 간격을 두고 배치되고, 그 길이 (전후 방향 길이) 가 제 2 장배선 (20) 의 길이 (좌우 방향 길이) 보다 짧아지도록 형성되고, 배선 형성 영역 (9) 에 있어서 베이스 수지 기판 (4) 의 하면에 직접 형성되어 있다. 그리고, 좌측의 제 2 단배선 (21) 은, 1 쌍의 제 2 루프 코일용 도통부 (도시 생략) 를 개재하여, 1 쌍의 제 2 장배선 (20) 의 좌단부에 접속되고, 우측의 제 2 단배선 (21) 은, 1 쌍의 제 2 루프 코일용 도통부를 개재하여, 1 쌍의 제 2 장배선 (20) 의 우단부에 접속되어 있다.The second end wirings 21 are formed so as to extend in the front and rear direction and to be spaced apart from each other and to have a length (longitudinal length) shorter than the length (lateral length) of the
복수 쌍의 제 2 단자 (14) 의 각각이, 복수의 제 2 루프 코일 (13) 의 각각에 대응하도록 단자 형성 영역 (10) 에 형성되어 있다. 제 2 단자 (14) 는, 단자 형성 영역 (10) 에 있어서, 집적 회로 (3) 와 두께 방향으로 중복되도록 형성되어 있다. 즉, 1 쌍의 제 2 단자 (14) 는, 단자 형성 영역 (10) 에 있어서, 좌우 방향으로 서로 간격을 두고 대향 배치되어 있고, 복수 쌍의 제 2 단자 (14) 는, 단자 형성 영역 (10) 에 있어서, 전후 방향으로 서로 간격을 두고 병렬 배치되어 있다.Each of the plurality of pairs of
도 2 에 나타내는 바와 같이, 복수의 제 2 단자 (14) 의 각각은, 베이스 수지 기판 (4) 의 상면에, 평면에서 볼 때 대략 사각형상으로 형성되어 있다. 제 2 단자 (14) 는, 제 2 도통부 (22) 및 제 2 접속 배선 (23) (도 1 에 있어서 도시 생략) 을 통하여, 제 2 루프 코일 (13) 과 전기적으로 접속되어 있다.As shown in Fig. 2, each of the plurality of
제 2 도통부 (22) 는, 제 2 단자용 스루홀 (24) 에 충전되도록 형성되어 있다. 이로써, 제 2 도통부 (22) 는, 제 2 단자 (14) 와 제 2 접속 배선 (23) 을 도통시키고 있다.The
제 2 접속 배선 (23) 은, 배선 형성 영역 (9) 및 단자 형성 영역 (10) 에 걸쳐, 베이스 수지 기판 (4) 의 하면에 직접 형성되어 있다. 제 2 접속 배선 (23) 의 일단 (후단) 은, 제 2 루프 코일 (13) 에 전기적으로 접속되고, 타단 (전단) 은, 제 2 도통부 (22) 를 개재하여 1 쌍의 제 2 단자 (14) 에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 도 1 에 있어서, 제 2 접속 배선 (23) 을 생략하고 있는데, 공지된 패턴에 의해, 제 2 루프 코일 (13) 과 제 2 단자 (14) 를 전기적으로 접속할 수 있다.The
도체 패턴 (5) 의 각 부재는, 동일한 도체 재료로 형성된다. 구체적으로는, 제 1 루프 코일 (11), 제 1 단자 (12), 제 1 도통부 (17), 제 1 접속 배선 (18), 제 1 루프 코일용 도통부 (28), 제 2 루프 코일 (13), 제 2 단자 (14), 제 2 도통부 (22), 제 2 접속 배선 (23) 및 제 2 루프 코일용 도통부는, 동일한 도체 재료로 형성되어 있다. 도체 재료로는, 예를 들어, 구리, 니켈, 금, 땜납, 또는 이들의 합금 등을 들 수 있다.Each member of the
제 1 루프 코일 (11) 및 제 2 루프 코일 (13) 의 두께는, 예를 들어 6 ㎛ 이상, 바람직하게는 9 ㎛ 이상이며, 또 예를 들어 50 ㎛ 이하, 바람직하게는 35 ㎛ 이하이다. 또, 제 1 루프 코일 (11) 의 1 쌍의 제 1 장배선 (15) 의 간격 및 제 2 루프 코일 (13) 의 1 쌍의 제 2 장배선 (20) 의 간격은, 예를 들어 50 ㎛ 이상, 바람직하게는 80 ㎛ 이상이며, 예를 들어 3 ㎜ 이하, 바람직하게는 2 ㎜ 이하이다. 제 1 루프 코일 (11) 및 제 2 루프 코일 (13) 의 배선의 폭은, 예를 들어 6 ㎛ 이상, 바람직하게는 9 ㎛ 이상이며, 또 예를 들어 100 ㎛ 이하, 바람직하게는 75 ㎛ 이하이다.The thickness of the
제 1 단자 (12) 및 제 2 단자 (14) 의 폭은, 예를 들어 0.25 ㎜ 이상, 바람직하게는 0.5 ㎜ 이상이며, 또 예를 들어 3.0 ㎜ 이하, 바람직하게는 2.0 ㎜ 이하이다. 제 1 단자 (12) 및 제 2 단자 (14) 의 두께는, 예를 들어 0.25 ㎛ 이상, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이상이며, 또 예를 들어 3.0 ㎛ 이하, 바람직하게는 2.0 ㎛ 이하이다.The widths of the
커버층 (6) 은, 공지된 접착제로 이루어지는 접착제층 (25) 을 개재하여, 배선 형성 영역 (9) 에 있어서의 베이스 수지 기판 (4) 의 상면을 피복하도록 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 커버층 (6) 은, 제 2 루프 코일 (13) 의 제 2 장배선 (20) 의 상면, 전면 및 후면, 제 1 루프 코일의 제 1 단배선 (16) 의 상면, 전면 및 후면, 그리고 베이스 수지 기판 (4) 의 상면을 피복한다. 커버층 (6) 은, 베이스 수지 기판 (4) 의 두께 방향으로 투영시켰을 때에, 배선 형성 영역 (9) 과 중복되도록 적층되어 있다.The
커버층 (6) 은, 베이스 수지 기판 (4) 과 동일한 수지 필름으로 형성되어 있다. 커버층 (6) 의 두께는, 예를 들어 6 ㎛ 이상, 바람직하게는 9 ㎛ 이상이며, 또 예를 들어 25 ㎛ 이하, 바람직하게는 20 ㎛ 이하이다.The
접착제층 (25) 의 두께, 구체적으로는, 베이스 수지 기판 (4) 의 상면으로부터 커버층 (6) 의 하면까지의 거리 (접착제층 (25) 의 최대 두께) 는, 예를 들어 20 ㎛ 이상, 바람직하게는 35 ㎛ 이상이며, 또 예를 들어 70 ㎛ 이하, 바람직하게는 50 ㎛ 이하이다.The thickness of the
자성층 (7) 은, 베이스 수지 기판 (4) 에 대해 집적 회로 (3) 의 두께 방향 일방측 (하측) 에 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 자성층 (7) 은, 제 2 절연층 (26) 을 개재하여, 배선 형성 영역 (9) 및 단자 형성 영역 (10) 의 전체 영역에 있어서, 베이스 수지 기판 (4) 의 하면을 피복하도록 형성되어 있다. 즉, 제 1 루프 코일 (11) 의 제 1 장배선 (15) 의 하면, 좌면 및 우면, 제 2 루프 코일의 제 2 단배선 (21) 의 하면, 좌면 및 우면, 제 1 접속 배선 (18), 제 2 접속 배선 (23), 그리고 베이스 수지 기판 (4) 의 하면을 피복한다. 자성층 (7) 은, 베이스 수지 기판 (4) 의 두께 방향으로 투영시켰을 때에, 배선 형성 영역 (9) 및 단자 형성 영역 (10) 과 중복되도록 형성되어 있다. 바꾸어 말하면, 자성층 (7) 은, 평면에서 볼 때, 베이스 수지 기판 (4) 과 동일 형상이 되도록 형성되어 있다.The
자성층 (7) 은, 자성체 입자 및 수지 성분을 함유하는 자성 조성물로 형성되어 있다.The
자성체 입자를 형성하는 자성체로는, 예를 들어, 강자성체, 반자성체 등을 들 수 있고, 바람직하게는 강자성체를 들 수 있다.Examples of the magnetic material for forming the magnetic material particles include a ferromagnetic material, a semi-magnetic material and the like, preferably a ferromagnetic material.
강자성체는, 자장에 의해 그 방향으로 강하게 자화되고, 자장을 제거해도 잔류 자화를 남기는 자성체이며, 그러한 강자성체로서, 예를 들어, 연자성체, 경자성체를 들 수 있다. 바람직하게는 연자성체를 들 수 있다.The ferromagnetic substance is a magnetic substance which is strongly magnetized in the direction by the magnetic field and remains in the residual magnetization even when the magnetic field is removed. Examples of such a ferromagnetic substance include a soft magnetic substance and a hard magnetic substance. A soft magnetic material is preferably used.
연자성체로는, 예를 들어, 자성 스테인리스 (Fe-Cr-Al-Si 합금), 센더스트 (Fe-Si-Al 합금), 파머로이 (Fe-Ni 합금), 규소구리 (Fe-Cu-Si 합금), Fe-Si 합금, Fe-Si-B(-Cu-Nb) 합금, Fe-Si-Cr-Ni 합금, Fe-Si-Cr 합금, Fe-Si-Al-Ni-Cr 합금, 페라이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 자기 특성 면에서, 바람직하게는 센더스트 (Fe-Si-Al 합금) 를 들 수 있다.Examples of the soft magnetic material include magnetic stainless steel (Fe-Cr-Al-Si alloy), Sendust (Fe-Si-Al alloy), Parmeroy (Fe-Ni alloy) Fe-Si-Cr alloy, Fe-Si-Cr alloy, Fe-Si-Al-Ni-Cr alloy, Fe-Si alloy . Of these, in terms of magnetic properties, a sensor (Fe-Si-Al alloy) is preferably used.
자성체 입자의 형상으로는, 예를 들어, 편평상 (판상) 을 들 수 있다.The shape of the magnetic body particles may be, for example, a flat shape (plate shape).
수지 성분으로는, 예를 들어, 폴리올레핀 (예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체 등), 아크릴 수지, 폴리아세트산비닐, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 폴리아미드 (나일론 (등록 상표)), 폴리카보네이트, 폴리아세탈, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌술파이드, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리에테르에테르케톤, 폴리알릴술폰, 열가소성 폴리이미드, 열가소성 우레탄 수지, 폴리아미노비스말레이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 비스말레이미드트리아진 수지, 폴리메틸펜텐, 불화 수지, 액정 폴리머, 올레핀-비닐알코올 공중합체, 아이오노머, 폴리아릴레이트, 아크릴로니트릴-에틸렌-스티렌 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체, 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체 등의 열가소성 수지를 들 수 있다. 또, 수지로서, 예를 들어, 에폭시 수지, 열경화성 폴리이미드, 페놀 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스테르수지, 디알릴프탈레이트 수지, 실리콘 수지, 열경화성 우레탄 수지 등을 들 수 있다.Examples of the resin component include polyolefin (e.g., polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer and the like), acrylic resin, polyvinyl acetate, ethylene-vinyl acetate copolymer, polyvinyl chloride, polystyrene, Polyether sulfone, polyether ether ketone, polyaryl sulfone, polyether sulfone, polyether sulfone, polyether sulfone, polyether sulfone, polyether sulfone, polyether sulfone, polyether sulfone, polyether sulfone, Polyimide, thermoplastic urethane resin, polyamino bismaleimide, polyamideimide, polyetherimide, bismaleimide triazine resin, polymethylpentene, fluorinated resin, liquid crystal polymer, olefin-vinyl alcohol copolymer, ionomer, Acrylonitrile-ethylene-styrene copolymer, acrylonitrile-butadiene-styrene And thermoplastic resins such as acrylonitrile-styrene copolymer. Examples of the resin include an epoxy resin, a thermosetting polyimide, a phenol resin, a urea resin, a melamine resin, an unsaturated polyester resin, a diallyl phthalate resin, a silicone resin, and a thermosetting urethane resin.
바람직하게는 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 페놀 수지로 이루어지는 열경화성 수지 성분을 들 수 있다.And a thermosetting resin component composed of an acrylic resin, an epoxy resin and a phenol resin is preferable.
또, 자성 조성물은, 필요에 따라, 열경화 촉매, 무기 첨가제, 가교제 등의 첨가제를 함유할 수도 있다.In addition, the magnetic composition may contain additives such as a heat curing catalyst, an inorganic additive, and a cross-linking agent, if necessary.
자성층 (7) 은, 자성 조성물을 용매에 용해 또는 분산시킨 자성 조성물 용액을 기재에 도포하고, 건조 (필요에 따라 가열) 시킴으로써 얻어진다. 그리고, 자성층 (7) 은, 제 2 절연층 (26) 을 개재하여, 베이스 수지 기판 (4) 의 하면에 첩착된다.The
자성층 (7) 의 두께로는, 예를 들어 5 ㎛ 이상, 바람직하게는 50 ㎛ 이상이며, 또 예를 들어 500 ㎛ 이하, 바람직하게는 250 ㎛ 이하이다.The thickness of the
제 2 절연층 (26) 은, 평면에서 볼 때, 베이스 수지 기판 (4) 과 동일 형상이 되도록 형성되어 있다.The second insulating
제 2 절연층은, 절연성, 및 베이스 수지 기판 (4) 과 자성층 (7) 을 접착시키는 접착성을 구비하는 층으로 형성되어 있다.The second insulating layer is formed of a layer having insulating properties and adhesiveness for bonding the
제 2 절연층 (26) 의 재료로는, 수지 성분을 함유하고, 자성체 입자를 함유하지 않는 조성물을 들 수 있다. 수지 성분으로는, 자성층 (7) 에서 예시한 수지 성분을 들 수 있고, 바람직하게는 열경화성 수지 성분, 보다 구체적으로는, 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 페놀 수지로 이루어지는 열경화성 수지 성분을 들 수 있다.As the material of the second insulating
제 2 절연층 (26) 의 두께, 구체적으로는, 베이스 수지 기판 (4) 의 하면으로부터 자성층 (7) 의 상면까지의 거리 (제 2 절연층의 최대 두께) 는, 예를 들어 7 ㎛ 이상, 바람직하게는 11 ㎛ 이상이며, 또 예를 들어 55 ㎛ 이하, 바람직하게는 40 ㎛ 이하이다.The thickness of the second insulating
금속층 (8) 은, 자성층 (7) 의 두께 방향 일방측 (하측) 에 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 금속층 (8) 은, 배선 형성 영역 (9) 및 단자 형성 영역 (10) 의 전체 영역에 있어서, 자성층 (7) 의 하면을 피복하도록 형성되어 있다. 금속층 (8) 은, 자성층 (7) 의 하면 전체면에 형성되어 있다. 금속층 (8) 은, 두께 방향으로 투영시켰을 때에, 베이스 수지 기판 (4) 의 배선 형성 영역 (9) 및 단자 형성 영역 (10) 과 중복되도록 형성되어 있다. 바꾸어 말하면, 금속층 (8) 은, 평면에서 볼 때, 베이스 수지 기판 (4) 과 동일 형상이 되도록 형성되어 있다.The
금속층 (8) 은, 예를 들어, 스테인리스, 42 얼로이, 알루미늄, 구리-베릴륨, 인청 구리 등의 금속 재료로 형성되어 있다. 금속층 (8) 의 두께는, 예를 들어 10 ㎛ 이상, 바람직하게는 30 ㎛ 이상이며, 또 예를 들어 100 ㎛ 이하, 바람직하게는 50 ㎛ 이하이다.The
집적 회로 (3) 는, 제 1 루프 코일 (11) 및 제 2 루프 코일 (13) 에 대해 급전 및 신호 송출을 실시하고, 제 1 루프 코일 (11) 및 제 2 루프 코일 (13) 로부터의 신호를 처리하는 제어 회로이다. 집적 회로 (3) 는, 평면에서 볼 때 대략 사각형상으로 형성되고, 도시되지 않은 단자, 반도체층, 및 가요성의 절연층을 구비하고 있다. 한편, 집적 회로 (3) 는, 유리 에폭시 등의 재료로 형성되는 강성의 리지드 기판을 구비하고 있지 않다.The
집적 회로 (3) 는, 단자 형성 영역 (10) 에 탑재되어 있다. 보다 구체적으로는, 집적 회로 (3) 는, 집적 회로 (3) 의 하면에 형성되는 단자 (집적 회로 단자, 도시 생략) 와, 제 1 단자 (12) 및 제 2 단자 (14) 의 상면이 접촉하도록 단자 형성 영역 (10) 에 배치되어 있다. 집적 회로 (3) 의 전후 방향 길이 및 좌우 방향 길이의 각각은, 단자 형성 영역 (10) 의 전후 방향 길이 및 좌우 방향 길이의 각각보다 짧아지도록 구성되어 있고, 집적 회로 (3) 는, 단자 형성 영역 (10) 의 전후 방향의 거의 중앙 및 좌우 방향의 거의 중앙에 배치되어 있다.The
다음으로, 센서 기판 (1) 의 제조 방법에 대해 도 3A ∼ 도 3F 및 도 4G ∼ 도 4J 를 참조하여 설명한다.Next, a manufacturing method of the
먼저, 이 방법에서는, 도 3A 에 나타내는 바와 같이, 베이스 수지 기판 (4) 을 준비한다. 베이스 수지 기판 (4) 은, 배선 형성 영역 (9) 및 단자 형성 영역 (10) 이 획정 (畵定) 되도록 외형 가공되어 있다.First, in this method, as shown in Fig. 3A, a
이어서, 도 3B 에 나타내는 바와 같이, 베이스 수지 기판 (4) 의 하면에 도체 패턴 (5) 중 하면측의 패턴 (하면측 도체 패턴) 을 형성한다. 보다 구체적으로는, 베이스 수지 기판 (4) 의 하면에 제 1 장배선 (15), 제 2 단배선 (21), 제 1 접속 배선 (18) 및 제 2 접속 배선 (23) 을 형성한다.Subsequently, as shown in Fig. 3B, a lower side pattern (lower side conductor pattern) of the
도체 패턴 (5) 은, 예를 들어, 애디티브법, 서브트랙티브법 등의 공지된 패터닝법, 바람직하게는 애디티브법에 의해, 상기의 도체 패턴을 상기한 패턴으로서 형성한다.The
애디티브법에서는, 먼저, 베이스 수지 기판 (4) 의 하면에 도체 박막 (종막 (種膜)) 을 형성한다. 도체 박막은, 스퍼터링, 바람직하게는 크롬 스퍼터링 및 구리 스퍼터링에 의해, 크롬 박막과 구리 박막을 순차 적층한다.In the additive method, first, a conductor thin film (seed film) is formed on the lower surface of the
이어서, 이 도체 박막의 하면에, 하면측 도체 패턴의 패턴과 역패턴으로 도금 레지스트를 형성한 후, 도금 레지스트로부터 노출되는 도체 박막의 하면에, 전해 도금에 의해, 하면측 도체 패턴을 형성한다. 그 후, 도금 레지스트 및 그 도금 레지스트가 적층되어 있던 부분의 도체 박막을 제거한다.Subsequently, a plating resist is formed on the lower surface of the conductor thin film in a pattern reverse to the pattern of the lower side conductor pattern, and then a lower side conductor pattern is formed on the lower surface of the conductor thin film exposed from the plating resist by electrolytic plating. Thereafter, the plating resist film and the conductor thin film in the portion where the plating resist is laminated are removed.
이어서, 도 3C 에 나타내는 바와 같이, 베이스 수지 기판 (4) 에 스루홀을 형성한다. 즉, 베이스 수지 기판 (4) 에, 제 1 단자용 스루홀 (19) 과, 제 2 단자용 스루홀 (24) 과, 제 1 루프 코일용 스루홀 (27) 과, 제 2 루프 코일용 스루홀 (도시 생략) 을 형성한다.Then, as shown in Fig. 3C, a through hole is formed in the
스루홀의 형성은, 예를 들어, 에칭에 의해 실시할 수 있다. 에칭으로는, 에칭액, 레이저 등의 공지된 에칭 방법을 들 수 있다.The formation of the through hole can be carried out, for example, by etching. The etching may be a known etching method such as an etching solution or a laser.
이어서, 도 3D 에 나타내는 바와 같이, 스루홀에 도통부를 충전시킴과 함께, 베이스 수지 기판 (4) 의 상면에 도체 패턴 (5) 중 상면측의 도체 패턴 (상면측 도체 패턴) 을 형성한다. 보다 구체적으로는, 제 1 단자용 스루홀 (19), 제 2 단자용 스루홀 (24), 제 1 루프 코일용 스루홀 (27) 및 제 2 루프 코일용 스루홀의 각각에 도통부 (제 1 도통부 (17), 제 2 도통부 (22), 제 1 루프 코일용 도통부 (28) 및 제 2 루프 코일용 도통부 (도시 생략)) 의 각각을 충전시킴과 함께, 베이스 수지 기판 (4) 의 상면에 제 1 단배선 (16), 제 2 장배선 (20), 제 1 단자 (12) 및 제 2 단자 (14) 를 형성한다.Next, as shown in Fig. 3D, a conductor portion (upper surface side conductor pattern) on the upper surface side of the
도통부의 충전 및 상면측 도체 패턴의 형성은, 도 3B 에 있어서의 패턴의 형성과 동일한 방법으로 실시한다.The filling of the conduction portion and the formation of the upper surface side conductor pattern are carried out in the same manner as the formation of the pattern in Fig. 3B.
이어서, 도 3E 에 나타내는 바와 같이, 배선 형성 영역 (9) 에 있어서의 베이스 수지 기판 (4) 의 상면에 접착제층 (25) 을 형성한다. 보다 구체적으로는, 제 1 단배선 (16) 및 제 2 장배선 (20) 을 피복하도록 접착제층 (25) 을 형성한다.3E, an
접착제층 (25) 은, 예를 들어, 공지된 접착제를, 베이스 수지 기판 (4) 의 상면에, 예를 들어, 롤 코트법, 그라비아 코트법, 스핀 코트법, 바 코트법 등 공지된 도포 방법에 의해 균일하게 도포함으로써 형성된다.The
이어서, 도 3F 에 나타내는 바와 같이, 접착제층 (25) 의 상면에 커버층 (6) 을 배치한다. 보다 구체적으로는, 접착제층 (25) 의 상면 및 측면을 피복하도록 커버층 (6) 을 직접 적층한다.Subsequently, as shown in FIG. 3F, the
이어서, 도 4G 에 나타내는 바와 같이, 배선 형성 영역 (9) 및 단자 형성 영역 (10) 에 있어서의 베이스 수지 기판 (4) 의 하면에 제 2 절연층 (26) 을 형성한다. 보다 구체적으로는, 베이스 수지 기판 (4) 하면의 제 1 장배선 (15), 제 2 단배선 (21) (도 1 참조), 제 1 접속 배선 (18) 및 제 2 접속 배선 (23) 을 피복하도록 제 2 절연층 (26) 을 형성한다.4G, the second insulating
제 2 절연층 (26) 은, 상기 수지 성분을 함유하는 조성물을 용매에 용해 또는 분산시킨 조성물 용액을 조제하고, 그 조성물 용액을 베이스 수지 기판 (4) 의 하면에, 예를 들어, 롤 코트법, 그라비아 코트법, 스핀 코트법, 바 코트법 등 공지된 도포 방법에 의해 균일하게 도포 및 건조시킴으로써, 제 2 절연층 (26) 을 형성한다. 또한, 수지 성분이 열경화성 수지 성분인 경우는, 반경화 (B 스테이지) 상태의 제 2 절연층 (26) 이 형성된다.The second insulating
이어서, 도 4H 에 나타내는 바와 같이, 제 2 절연층 (26) 의 하면에 자성층 (7) 을 배치한다. 보다 구체적으로는, 제 2 절연층 (26) 의 하면 전체면을 피복하도록 자성층 (7) 을 직접 적층한다.Then, as shown in Fig. 4H, the
또한, 제 2 절연층 (26) 의 수지 성분이 열경화성 수지 성분인 경우는, 자성층 (7) 이 적층된 반경화 상태의 제 2 절연층 (26) 을 가열함으로써, 경화 (C 스테이지) 상태의 제 2 절연층 (26) 을 형성하고, 자성층 (7) 을 베이스 수지 기판 (4) 의 하측에 확실하게 고정시킨다.In the case where the resin component of the second insulating
또, 자성층 (7) 의 수지 성분이 열경화성 수지 성분인 경우는, 경화 상태인 자성층 (7) 을 제 2 절연층 (26) 에 적층시켜도 되고, 반경화 상태인 자성층 (7) 을 제 2 절연층 (26) 에 적층시켜도 된다. 반경화 상태의 자성층 (7) 을 제 2 절연층 (26) 에 적층시키는 경우에는, 적층 후에, 예를 들어, 반경화 상태의 자성층 (7) 을 반경화 상태의 제 2 절연층 (26) 과 함께 가열하고, 자성층 (7) 및 제 2 절연층 (26) 을 경화 상태로 한다.When the resin component of the
이어서, 도 4I 에 나타내는 바와 같이, 자성층 (7) 의 하면에 금속층 (8) 을 배치한다. 보다 구체적으로는, 자성층 (7) 의 하면 전체면을 피복하도록 금속층 (8) 을 직접 적층한다.Then, as shown in Fig. 4I, the
이로써, 집적 회로 (3) 이 탑재되기 전의 센서 기판 (1) 을 얻는다.Thereby, the
그 후, 도 4J 에 나타내는 바와 같이, 집적 회로 (3) 를 단자 형성 영역 (10) 에 탑재한다. 보다 구체적으로는, 집적 회로 (3) 의 단자 (도시 생략) 를 제 1 단자 (12) 및 제 2 단자 (14) 에 접촉시키고, 고정시킨다. 이로써, 집적 회로 (3) 가 제 1 단자 (12) 및 제 2 단자 (14) 와 전기적으로 접속된다.After that, as shown in Fig. 4J, the
이 센서 기판 (1) 은, 예를 들어, 위치 검출 장치용의 센서 기판으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 위치 검출 장치의 용도로는, 예를 들어, 스마트폰, 태블릿형 PC 등의 휴대형 단말, 예를 들어, 디지타이저 등을 들 수 있다.The
그리고, 이 센서 기판 (1) 에서는, 베이스 수지 기판 (4), 및 집적 회로 (3) 에 전기적으로 접속되기 위한 도체 패턴 (5) 을 갖는 배선 회로 기판 (2) 을 구비하고 있고, 베이스 수지 기판 (4) 이 배선 형성 영역 (9) 과 단자 형성 영역 (10) 을 가지고 있다. 또, 도체 패턴 (5) 은, 배선 형성 영역 (9) 에 있어서 베이스 수지 기판 (4) 의 하면에 형성되어, 전후 방향으로 연장되는 제 1 장배선 (15) 과, 배선 형성 영역 (9) 에 있어서 베이스 수지 기판 (4) 의 상면에 형성되어, 좌우 방향으로 연장되고, 두께 방향으로 투영시켰을 때에 제 1 장배선 (15) 과 교차하는 제 2 장배선 (20) 을 구비하고 있다. 또, 단자 형성 영역 (10) 에 형성되어, 제 1 장배선 (15) 및 집적 회로 (3) 에 전기적으로 접속되는 제 1 단자 (12) 와, 단자 형성 영역 (10) 에 형성되어, 제 2 장배선 (20) 및 집적 회로 (3) 에 전기적으로 접속되는 제 2 단자 (14) 를 구비하고 있다.The
이 센서 기판 (1) 에서는, 제 1 장배선 (15) 및 제 2 장배선 (20) 이 배선 형성 영역 (9) 에 형성되어, 제 1 장배선 (15) 및 집적 회로 (3) 에 전기적으로 접속되는 제 1 단자 (12), 그리고 제 2 장배선 (20) 및 집적 회로 (3) 에 전기적으로 접속되는 제 2 단자 (14) 가, 베이스 수지 기판 (4) 의 단자 형성 영역 (10) 에 형성되어 있다. 그 때문에, 플랫 케이블 및 집적 회로 (3) 를 형성하기 위한 리지드 기판이 불필요해져, 소형화를 도모할 수 있다. 특히, 배선 형성 영역 (9) 의 주위에 있는 단자 형성 영역 (10) 을 소형화할 수 있다. 그 때문에, 개구부와 개구부를 형성하는 프레임을 구비하는 위치 검출 장치용 케이싱에, 배선 형성 영역 (9) 이 개구부로부터 노출시켜 단자 형성 영역 (10) 이 프레임에 피복되도록 센서 기판 (1) 을 수용할 때에, 프레임의 면적을 작게 할 수 있고, 프레임의 폭을 좁게 할 수 있다.In this
또, 배선 회로 기판 (2) 에 집적 회로 (3) 를 탑재할 때에, 플랫 케이블 및 리지드 기판 등의 접속 부재를 필요로 하지 않는다. 또한, 단자 형성 영역 (10) 을 센서 기판 (1) 의 하면에 되접어 꺾을 필요가 없는, 즉, 단자 형성 영역 (10) 을, 배선 형성 영역 (9) 과 두께 방향으로 중복되도록 센서 기판 (1) 을 작게 접을 필요가 없다. 따라서, 센서 기판 (1) 의 박막화, 나아가서는, 센서 기판 (1) 을 구비하는 위치 검출 장치의 박막화를 도모할 수 있다.Further, when mounting the
또, 이 센서 기판 (1) 에서는, 배선 회로 기판 (2) 은, 베이스 수지 기판 (4) 의 하면에 배치되는 자성층 (7) 을 추가로 구비하고 있다.In the
그 때문에, 이 센서 기판에서는, 자성층 (7) 에 의해, 배선 회로 기판 (2) 의 제 1 장배선 (15) 및 제 2 장배선 (20) 에 발생하는 자속을 자성층 (7) 내부에 수렴하고, 제 1 장배선 (15) 및 제 2 장배선 (20) 에 의한 센싱을 효율적으로 실시할 수 있다.Therefore, in the sensor substrate, the
또, 이 센서 기판 (1) 에서는, 배선 회로 기판 (2) 은, 자성층 (7) 의 하면에 배치되는 금속층 (8) 을 추가로 구비하고 있다.In the
그 때문에, 이 센서 기판 (1) 에서는, 금속층 (8) 에 의해, 자성층 (7) 으로부터 미소하게 누출되어 버린 자속을 소실시킬 수 있어, 위치 검출의 장치를 높일 수 있다.Therefore, in the
또, 이 센서 기판 (1) 에서는, 배선 회로 기판 (2) 은, 베이스 수지 기판 (4) 과 자성층 (7) 사이에 배치되는 제 2 절연층 (26) 을 추가로 구비한다.In the
자성층 (7) 을 베이스 수지 기판 (4) 및 제 1 장배선 (15) 의 하면에 확실하게 고정시키는 관점에서, 접착제층을, 베이스 수지 기판 (4) 과 자성층 (7) 사이에 배치하는 형태가 생각된다. 이 형태에서는, 자성층 (7) 을 베이스 수지 기판 (4) 및 제 1 장배선 (15) 의 하면에 직접 배치하는 것에 의한 제 1 장배선 (15) 의 단락이 발생할 우려가 있다. 또, 이 단락을 개선하기 위해, 커버층 및 그 양면에 부착되는 접착제층으로 이루어지는 접착 커버층을, 베이스 수지 기판 (4) 과 자성층 (7) 사이에 배치하는 형태가 생각된다. 이 형태에서는, 2 층의 접착제층을 필요로 하고, 센서 기판 (1) 의 두께가 증대된다. 이에 대해, 베이스 수지 기판 (4) 과 자성층 (7) 사이에 배치되는 제 2 절연층 (26) 을 추가로 구비하는 실시형태에 의하면, 제 2 절연층 (26) 이, 베이스 수지 기판 (4) 및 자성층 (7) 에 직접 접촉하고, 그것들을 고정시키고 있다. 그 때문에, 제 1 장배선 (15) 의 단락을 방지하면서, 2 층의 접착제층을 필요로 하지 않고, 부재의 두께를 얇게 할 수 있다. 그 결과, 센서 기판 (1) 의 두께의 증대를 억제할 수 있다.The embodiment in which the adhesive layer is disposed between the
또, 도 2 의 실시형태에서는, 단자 형성 영역 (10) 은, 평면에서 볼 때 대략 사각형상으로 형성되고, 배선 형성 영역 (9) 의 전단부의 좌우 방향 중앙부에 배치되어 있지만, 예를 들어, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 평면에서 볼 때 대략 L 자 형상으로 형성하고, 배선 형성 영역 (9) 의 전단부 및 좌단부에 배치할 수도 있다.In the embodiment of Fig. 2, the
도 5 의 실시형태에서는, 배선 형성 영역 (9) 및 단자 형성 영역 (10) 으로 이루어지는 베이스 수지 기판 (4) 은, 평면에서 볼 때, 볼록부를 갖지 않는 대략 사각형상으로 형성되어 있다. 또, 집적 회로 (3) 는, 평면에서 볼 때, 대략 L 자 형상으로 형성되어 있다. 제 1 단자 (12) 는, 두께 방향으로 투영시켰을 때에 집적 회로 (3) 의 우측의 후단부와 중복되도록 단자 형성 영역 (10) 에 있어서의 베이스 수지 기판 (4) 의 상면에 형성되어 있고, 제 2 단자 (14) 는, 두께 방향으로 투영시켰을 때에 집적 회로 (3) 의 하측의 우단부와 중복되도록 단자 형성 영역 (10) 에 있어서의 베이스 수지 기판 (4) 의 상면에 형성되어 있다.In the embodiment of Fig. 5, the
바람직하게는 도 1 의 실시형태와 같이, 단자 형성 영역 (10) 은, 평면에서 볼 때 대략 사각형상으로 형성되고, 배선 형성 영역 (9) 의 전단부의 좌우 방향 중앙부에 배치한다. 이 때문에, 센서 기판을 수용하는 케이싱의 프레임을 보다 한층 소형화할 수 있다.Preferably, as in the embodiment of Fig. 1, the
또, 도 2 의 실시형태에서는, 베이스 수지 기판 (4) 의 하면에 금속층 (8) 이 배치되어 있는데, 예를 들어, 도시되지 않지만, 베이스 수지 기판 (4) 의 하면에 금속층 (8) 을 배치하지 않고, 자성층 (7) 을 노출시킬 수 있다.2, the
또, 도 1 및 2 의 실시형태에서는, 커버층 (6) 이 상면으로부터 노출되어 있는데, 예를 들어, 도시되지 않지만, 커버층 (6) 의 상면에 화상 표시 장치를 배치할 수도 있다.1 and 2, the
또한, 상기 발명은, 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 불과하며, 한정적으로 해석해서는 안된다. 당해 기술 분야의 당업자에 의해 분명한 본 발명의 변형예는, 이후에 기재하는 특허 청구의 범위에 포함되는 것이다.The above-mentioned invention is provided as an exemplary embodiment of the present invention, but this is merely an example, and should not be construed as limiting. Modifications of the invention that are apparent to those skilled in the art are intended to be within the scope of the following claims.
산업상 이용가능성Industrial availability
본 발명의 센서 기판은, 각종 공업 제품에 적용할 수 있고, 구체적으로는, 위치 검출 장치용의 센서 기판에 바람직하게 사용할 수 있다. 위치 검출 장치로는, 예를 들어, 스마트폰, 태블릿형 PC 등의 휴대형 단말, 예를 들어, 디지타이저 등을 들 수 있다.The sensor substrate of the present invention can be applied to various industrial products, and specifically, it can be preferably used for a sensor substrate for a position detecting device. Examples of the position detecting device include a portable terminal such as a smart phone or a tablet PC, for example, a digitizer.
1 : 센서 기판
2 : 배선 회로 기판
3 : 집적 회로
4 : 베이스 수지 기판
5 : 도체 패턴
7 : 자성층
8 : 금속층
9 : 배선 형성 영역
10 : 단자 형성 영역
12 : 제 1 단자
14 : 제 2 단자
15 : 제 1 장배선
20 : 제 2 장배선1: Sensor substrate
2: Wiring circuit board
3: Integrated circuit
4: base resin substrate
5: Conductor pattern
7:
8: metal layer
9: wiring formation area
10: Terminal forming area
12: First terminal
14: second terminal
15:
20:
Claims (4)
상기 베이스 절연층은, 배선 형성 영역과 단자 형성 영역을 가지고,
도체 패턴은,
상기 배선 형성 영역에 있어서 상기 베이스 절연층의 두께 방향 일방측에 형성되어, 제 1 방향으로 연장되는 제 1 배선과,
상기 배선 형성 영역에 있어서 상기 베이스 절연층의 두께 방향 타방측에 형성되어, 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되고, 상기 두께 방향으로 투영시켰을 때에 상기 제 1 배선과 교차하는 제 2 배선과,
상기 단자 형성 영역에 형성되어, 상기 제 1 배선, 및 상기 단자 형성 영역에 탑재되는 상기 집적 회로에 전기적으로 접속되는 제 1 단자와,
상기 단자 형성 영역에 형성되어, 상기 제 2 배선 및 상기 집적 회로에 전기적으로 접속되는 제 2 단자를 구비하는 것을 특징으로 하는, 센서 기판.A base insulating layer, and a wiring circuit substrate having a conductor pattern to be electrically connected to the integrated circuit,
Wherein the base insulating layer has a wiring formation region and a terminal formation region,
In the conductor pattern,
A first wiring formed on one side in a thickness direction of the base insulating layer in the wiring formation region and extending in a first direction,
A second wiring formed on the other side in the thickness direction of the base insulating layer in the wiring formation region and extending in a second direction intersecting with the first direction and intersecting with the first wiring when projected in the thickness direction; and,
A first terminal formed in the terminal formation region and electrically connected to the first wiring and the integrated circuit mounted on the terminal formation region,
And a second terminal formed in the terminal formation region and electrically connected to the second wiring and the integrated circuit.
상기 배선 회로 기판은, 상기 베이스 절연층의 두께 방향 일방측에 배치되는 자성층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는, 센서 기판.The method according to claim 1,
Wherein the wiring circuit substrate further comprises a magnetic layer disposed on one side in the thickness direction of the base insulating layer.
상기 배선 회로 기판은, 상기 자성층의 두께 방향 일방측에 배치되는 금속층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는, 센서 기판.3. The method of claim 2,
Wherein the wiring circuit substrate further comprises a metal layer disposed on one side in the thickness direction of the magnetic layer.
상기 배선 회로 기판은, 상기 베이스 절연층과 상기 자성층 사이에 배치되는 절연층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는, 센서 기판.The method of claim 3,
Wherein the wiring circuit substrate further comprises an insulating layer disposed between the base insulating layer and the magnetic layer.
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