KR20160006313A - 전기, 전자 부품의 비전도성 전자파 차폐재 조성물 제조방법 및 그 조성물 - Google Patents

전기, 전자 부품의 비전도성 전자파 차폐재 조성물 제조방법 및 그 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자파 차폐(Electro Magnetic Compatibility)재에 관한 것으로, 특히 IC 집적회로에서 발생하는 전자파로 인하여 타 IC 집적회로에 영향을 줌으로 인하여 발생하는 오동작을 감소시킴과 동시에 인접된 타 전기 전도성 부품과 부품 및 EMC 수지(Epoxy Mold Compound)의 전도성으로 인해 발생되는 쇼트현상 등으로 인한 손상을 방지하기 위하여 EMC 수지(Epoxy Mold Compound)의 비전도성과 더불어 전자파 차단을 동시에 달성할 수 있도록 한 전기, 전자 부품의 비전도성 전자파 차폐재 조성물제조방법 및 그 조성물에 관한 것으로서,
상기와 같은 본 발명의 구체적 해결적 수단은,
"CNT와 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron를 각각 분쇄하여 100nm~500nm의 초미립자로 분말화하는 단계,
상기 분말화된 CNT와 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 혼합하는 단계,
상기 분말화된 CNT와 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 혼합한 상태에서 액상의 실리콘으로 3 내지 5회 반복하여 혼합 코팅하는 코팅단계,
에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC)를 100nm~500nm의 초미립자로 분쇄 분말화하는 단계,
상기 액상의 실리콘으로 혼합 코팅된 혼합물을 상기 초미립자로 분말화한 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC)와 혼합하여 조성하는 것을 특징으로 하는 전기, 전자 부품의 비전도성 전자파 차폐재 조성물제조방법과,
분말화된 CNT와 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 액상의 실리콘으로 표면의 전기적 성질을 상쇄시키 위해 혼합 코팅한 혼합물과 분말화된 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC)을 혼합하여 조성된 것을 특징으로 하는 전기, 전자 부품의 비전도성 전자파 차폐재 조성물과,
분말화된 CNT와 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 액상의 실리콘으로 표면의 전기적 성질을 상쇄시키 위해 혼합 코팅한 혼합물 5~15%와 분말화된 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC) 85~95%을 혼합하여 조성된 것을 특징으로 하는 전기, 전자 부품의 비전도성 전자파 차폐재 조성물"을 그 구성적 특징으로 함으로서
본 발명에 따른 전기, 전자 제품의 비전도성 전자파 차폐재 조성물은 인접된 타부품과의 전도성으로 인해 발생되는 쇼트현상 등으로 인한 손상을 방지하기 위하여 비전도성과 더불어 전자파 차단을 동시에 달성할 수 있는 효과가 있다.

Description

전기, 전자 부품의 비전도성 전자파 차폐재 조성물 제조방법 및 그 조성물{Electrical and electronic parts of the non-conductive electromagnetic shielding material composition and the manufacturing method of the composition}
본 발명은 전자파 차폐(Electro Magnetic Compatibility)재에 관한 것으로, 특히 IC 집적회로에서 발생하는 전자파로 인하여 타 IC 집적회로에 영향을 줌으로 인하여 발생하는 오동작을 감소시킴과 동시에 인접된 타 전기 전도성 부품과 부품 및 EMC 수지(Epoxy Mold Compound)의 전도성으로 인해 발생되는 쇼트현상 등으로 인한 손상을 방지하기 위하여 EMC 수지(Epoxy Mold Compound)의 비전도성과 더불어 전자파 차단을 동시에 달성할 수 있도록 한 전기, 전자 부품의 비전도성 전자파 차폐재 조성물제조방법 및 그 조성물에 관한 것이다.
전자기파의 유해성은 정보통신 기술의 발달 및 전자, 통신기기의 대량 보급과 더불어 날로 심각해지고 있는 것은 주지의 사실이며, 불요 전자파 발생에 따른 전파통신장치와 기기 상호간의 오동작 등은 전자기기 자체의 안전과 사회 또는 인간의 안전에 심각한 위험을 초래하는 것으로 여겨지고 있다. 때문에 선진 각 국에서는 국제 규격인 국제전기기술협의회(IEC)의 국제무선장해특별위원회(CISPR) 및 전자기적합성의 규격에 따라 전자파 장해 및 내성을 규제하고 있다.
따라서, 전기전자 제품의 원활한 판매를 위해서는 각 국에서 규정하고 있는 전자기적합성(Electromagnetic Compatibility; EMC) 기준을 만족시켜야 하며, 이러한 장해현상의 차단을 위해서 주로 전자파 차폐재료가 사용되어 지고 있다.
전자파 차폐재는 실리콘 고무, 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 에폭시 수지 등의 고분자에 전기전도성이 우수한 금속분말, 또는 탄소섬유 등을 30 체적% 이상 분산시킴으로써 얻는 것이 일반적인 방법이다.
이때 금속분말로서 은분 또는 은을 코팅한 구리(Ag-coated Cu) 등이 가장 전기전도 특성이 우수한 것으로 알려져 있으며, 이러한 은분 등을 체적비 30% 정도의 함량으로 고분자에 분산시켰을 경우에는 0.01Ω-cm 이하의 체적저항을 얻을 수 있고 약 50dB 정도의 차폐효과를 나타낼 수 있다.
최근에 더욱 엄격해지고 있는 전자파 차폐 장해 규격을 만족하기 위해서는 더욱 낮은 체적저항과 높은 차폐효과가 요구되고 있으며, 이를 위해서 더욱 많은 은분 등의 금속분말을 고분자에 분산시켜야 한다.
그러나, 많은 금속분말 등을 고분자에 분산시켰을 경우, 전기전도도의 향상으로부터 전자파 차폐 효과를 높일 수는 있으나, 충격강도를 비롯한 기계적 물성의 저하를 초래하여 차폐재로서의 응용에 많은 제한이 따르게 되고, IC 집적회로에 있어서 내재된 Wire간의 Epoxy Mold Compound의 전도성으로 인해 발생되는 쇼트현상 등으로 인한 손상이라는 문제점을 갖고 있다.
한편, 전자파 차폐재로서 탄소나노튜브가 제안되었는데, 이이지마에 의해 탄소나노튜브가 최초로 발견된 후로[S. Iijima, Nature Vol. 354, P.56 (1991년)] 최근에는 그에 대한 많은 연구가 진행되고 있다.
탄소나노튜브는 기존의 재료에서는 찾아볼 수 없는 약 1.0∼1.8TPa의 높은 탄성률뿐만 아니라, 진공상태에서 2800℃의 온도에서도 견딜 수 있는 내열특성, 다이아몬드의 2배에 가까운 열전도도 및 구리와 비교하여 1000배 가량 높은 전류 이송 능력 등의 잠재적 물성으로 인하여 나노 스케일의 전기소자, 전자 소자, 나노센서, 광전자소자 및 고기능 복합재 등 모든 광학분야에서의 응용 가능성이 매우 높은 것으로 평가되고 있다.
이러한 탄소나노튜브를 사용할 경우 고분자 매트릭스의 종류에 따라 다소 차이는 있으나 체적비 0.04% 이상만을 분산시켜도 전도 네트워크가 형성되어 반도체에 가까운 낮은 체적 저항을 얻을 수 있다.
허나, IC Package 내부에 있어서 인접된 Wire간의 전도성으로 인해 발생되는 쇼트현상 등으로 인한 손상이라는 문제점은 해결되지 아니하고 단지 차폐효과를 향상시킬 따름인 것이다.
한국공개특허 제10-2010-0046445호 한국공개특허 제10-2008-0107688호
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서,
본 발명에서는 전기,전자 부품 및 IC Package 내부에 있어서 인접된 타 부품 또는 회로의 전도성으로 인해 발생되는 쇼트현상 등으로 인한 손상을 방지하기 위하여 탄소나노튜브 소재의 계면(표면) 전도도를 상쇄시킴으로서 전자파 차단을 동시에 달성할 수 있도록 한 전기, 전자 부품의 비전도성 전자파 차폐재 조성물제조방법 및 그 조성물을 제공함에 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 구체적인 해결적 수단은,
"CNT와 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron를 각각 분쇄하여 100nm~500nm의 초미립자로 분말화하는 단계,
상기 분말화된 CNT와 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 혼합하는 단계,
상기 분말화된 CNT와 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 혼합한 상태에서 액상의 실리콘으로 3 내지 5회 반복하여 혼합 코팅하는 코팅단계,
에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC)를 100nm~500nm의 초미립자로 분쇄 분말화하는 단계,
상기 액상의 실리콘으로 혼합 코팅된 혼합물을 상기 초미립자로 분말화한 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC)와 혼합하여 조성하는 것을 특징으로 하는 전기, 전자 부품의 비전도성 전자파 차폐재 조성물제조방법과,
분말화된 CNT와 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 액상의 실리콘으로 표면의 전기적 성질을 상쇄시키 위해 혼합 코팅한 혼합물과 분말화된 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC)을 혼합하여 조성된 것을 특징으로 하는 전기, 전자 부품의 비전도성 전자파 차폐재 조성물과,
분말화된 CNT와 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 액상의 실리콘으로 표면의 전기적 성질을 상쇄시키 위해 혼합 코팅한 혼합물 5~15%와 분말화된 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC) 85~95%을 혼합하여 조성된 것을 특징으로 하는 전기, 전자 부품의 비전도성 전자파 차폐재 조성물"을 그 구성적 특징으로 함으로서 상기의 목적을 달성할 수 있다.
본 발명에 따른 전기, 전자 부품의 비전도성 전자파 차폐재 조성물제조방법 및 그 조성물은 전기, 전자 제품 및 IC Package 내부의 Wire 또는 회로가 전도성으로 인해 발생되는 쇼트현상 등으로 인한 손상을 방지하기 위하여 표면 전도성 상쇄와 더불어 전자파 차단을 동시에 달성할 수 있는 효과가 있다.
이상에서 본 발명을 특정의 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 수 있을 것이다.
이하, 본 발명인 전기, 전자 부품의 비전도성 전자파 차폐재 조성물제조방법 및 그 조성물의 구체적인 구성에 대하여 상세히 설명하고자 한다.
우선, 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC)의 성분에 대하여 간략하게 설명하면,
EMC는 에폭시 수지(epoxy resin) 및 몇종의 재료들이 혼합된 열경화성 수지 봉지재로써, 주로 외부의 열이나, 수분, 충격등으로부터 반도체 소자를 보호하는데 쓰여지고 있다.
상기 EMC를 이루는 구성성분으로는 표 1에 제시한 바와 같이 크게 9가지의 성분인 것으로 알려져 있다.
구성요소 재료 함량(wt%)
충진제 실리카 70 ~ 90
기본수지 에폭시 10 ~ 15
경화제 페놀수지 7 ~ 10
촉매 포스핀류, 아민류 0.5
커플링제 실란 0.5 ~ 1.0
이형제 왁스 0.5 ~ 1.0
착색제 카본 블랙 0.5
개질제 실리콘 수지 1.0 ~ 20
난연제 안티몬, 블롬화 에폭시 수지 2 ~ 4
따라서, 상기 EMC는 다음과 같은 공정 수순에 의해 제조된다.
먼저, EMC 처방에 준하여 각각의 원료를 계량하는 계량(weighing) 공정을 실시한 후, 처방에 준하여 계량된 원료를 믹싱 즉, 미세하게 혼합 및 분쇄한 후 균일하게 혼합된 분말상의 적용 원료를 용융 혼합하여 상기 용융혼합된 EMC를 상온 수준으로 급속히 냉각시키고, 냉각된 EMC를 조분쇄, 미분쇄를 통하여 10 ~ 200Mesh 수준의 미세 파우더(power)로 만든 후 동일한 물성을 가지도록 하기 위하여 EMC 파우더를 균일하게 혼합시킨 후 일정량씩 포장하여 4℃ 이하의 저온창고에서 보관하는 패킹(packing) 및 스토리지(storage) 공정을 통해 완료하는 것으로서,
우선, 본발명의 구성요소에 대하여 간략하게 설명하고자 한다.
탄소나노튜브(carbon nanotube : CNT)는 탄소 원자가 만드는 원통형의 결정으로 직경 2~20㎚(1㎚는 1/1,000,000,000m), 길이는 수백∼수천㎚이다. 1985년에 Kroto와 Smalley가 탄소의 동소체인 풀러렌(탄소 원자 60개가 모인 것：C60)을 처음으로 발견한 이후, 일본전기회사(NEC) 기초연구소의 이지마 스미오 수석연구원이 1991년 탄소 60개를 포함하고 있는 최초의 풀러린(탄소로만 이루어진 분자)인 C60을 연구하는 과정에서 발견했다. 반도체·초전도 등 다양한 성질을 가지며 그 안에 다른 원소를 투입하면 전혀 다른 성질을 띠기 때문에 차세대 반도체 소재로 각광받고 있다. 탄소나노튜브에서 탄소원자 하나는 주위의 다른 탄소원자 3개와 sp2 결합을 하여 육각형 벌집무늬를 형성하며, 이 튜브의 직경이 대략 수 나노미터(nanometer, nm) 정도로 극히 작기 때문에 나노튜브라고 부르게 되었다. 이 탄소나노튜브는 전기 세기가 클수록 더 수축하는 성질을 가지고 있다.
다음, 그래핀(Graphene)은 흑연을 뜻하는 '그래파이트'(Graphite)와 화학에서 탄소 이중결합 형식을 띤 분자를 뜻하는 접미사인 'ene'을 결합해 만든 용어이다. 영국 맨체스터대학교의 안드레이 가임 교수와 연구원 콘스탄틴 노보셀로프 박사가 흑연에 스카치테이프를 떼었다 붙이는 방법으로 세계 최초로 그래핀을 분리해냈고, 흑연의 한 층을 떼어내면 탄소원자가 육각형으로 연속 결합된 구조가 나타난다. 탄소 원자가 구형으로 뭉치면 풀러린(Fullerene), 원기둥 모양으로 말리면 탄소나노튜브, 펼치면 그래핀이 된다. 그래핀을 이루는 탄소 원자 하나하나는 이웃한 탄소와 전자 한 쌍 반을 공유하여 결합한다. 한 쌍의 전자가 탄소와 탄소 사이를 견고하게 연결시켜 주는 동안 결합에 참여하지 않은 전자들이 그래핀 내에서 쉽게 움직일 수 있다. 이 때문에 그래핀은 실리콘에 비해 100배 이상 전자가 자유로이 이동할 수 있다. 벌집 모양 덕분에 충격에도 강하다. 그물을 구부리거나 당기면 모양은 변하지만 그물의 연결 상태는 변하지 않는 것과 마찬가지로 육각형 구조의 빈 공간이 완충 역할을 하기 때문이다. 강도는 강철보다 100배 강하고, 면적의 20%를 늘려도 끄떡없을 정도로 신축성이 좋다. 구부리거나 늘려도 전기 전도성이 사라지지 않는다. 열전도율도 금속인 구리의 10배가 넘고, 빛의 98%를 통과시킬 정도로 투명하다.
다음, SIC는 탄화규소로서 1891년 미국의 발명가 에드워드 G. 애치슨이 발견한 후 1929년 탄화붕소가 발견될 때까지 탄화규소는 알려져 있는 것들 중 가장 단단한 합성물질이었다. 인공 다이아몬드를 제조하려고 시도하던 중 그는 점토와 코크스의 혼합물을 철 용기에 넣고 탄소-아크 등으로 가열했는데, 탄소 전극에 붙어 있는 밝은 육방결정을 발견해 자신이 점토에서 탄소와 알루미나의 새로운 화합물을 합성했다고 생각했다. 용융 알루미나의 천연광물 형태를 커런덤이라고 했으므로, 그는 이 새 화합물을 카보런덤이라고 했다. 결정의 강도가 다이아몬드에 가깝다는 것을 발견한 후 그는 미국 특허를 신청했다. 그의 초기 생산품은 처음에 보석 연마용으로 제공되었고, 천연 다이아몬드 가루와 비슷한 값으로 팔렸다. 값싼 원료로부터 높은 수율로 얻을 수 있는 이 새로운 화합물은 곧 널리 사용되는 연마제로서 공업적으로 중요하게 되었다.
애치슨과 비슷한 시기에 프랑스의 앙리 무아상은 수정과 탄소 혼합물로 유사한 화합물을 만들었으나, 1903년의 발표에서 무아상은 발견의 공로를 애치슨에게 돌렸다. 약간의 천연 탄화규소는 미국 애리조나 주의 캐니언 다이아블로 운석에서 발견되었으며, 무아사나이트라는 광물 이름을 가지고 있다. 매우 단단하다는 것 외에 탄화규소 결정은 역학적으로 강하며, 열극(裂隙) 특성을 가지고 있어서 숫돌차, 연마용 종이, 직물 제품에 대단히 유용하다. 탄화규소는 내용해성·내용융성·내산화성 외에 열전도도가 크다. 이러한 성질로 인해 탄화규소는 고온 벽돌과 다른 내화성 물질 제조에 중요하다. 차가울 때는 좋은 전기절연체이지만 가열하면 전도도가 커지며, 2,000℃에서는 흑연과 같은 전도도를 갖게 되어 반도체로 분류되며 많은 용도에 쓰인다. 탄화규소는 순수한 규사와 코크스 형태의 탄소를 전기로 속에서 가열해 제조한다.
다음, 일산화규소인 SiO는 갈색, 흑색의 분말 또는 덩어리 형태로 존재한다. 녹는점은 1710°C, 끓는점은 1880°C이다.[1] 밀도는 2.13g/ml이다. 열과 전기에 대해서 우수한 절연체로 작용한다. 공기 중에 노출될 경우 표면이 산화되어 이산화 규소가 형성되므로 화학적으로 불활성 상태가 된다. 물과 반응하여 수소를 생성할 수 있지만, 표면이 이산화 규소로 덮이게 되어 반응이 곧 중지된다. 플루오르화 수소와 반응시키면 규소와 물, 그리고 규소의 비중이 높고 조성이 결정되지 않는 물질을 생성한다.
기타 성분인 SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron는 널리 알려진 요소로 구체적인 설명을 생략하고 이하, 본 발명에 대한 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
[분말화 단계]
우선, 본 단계는 탄소나노튜브(CNT)와 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron를 각각 분쇄하여 100nm~500nm의 초미립자로 분말화하는 단계를 말하는 것이다.
[혼합단계]
상기 분말화된 CNT와 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 혼합하는 단계로서 구체적으로는 100nm~500nm의 초미립자로 분말화된 CNT에 100nm~500nm의 초미립자로 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 혼합하는 단계를 말하는 것이다.
[코팅단계]
본 단계는 상기 분말화된 CNT와 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 혼합한 상태에서 액상의 실리콘을 혼합하되 상기 분말화된 CNT와 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 혼합한 물질이 상기 액상의 실리콘으로 코팅되도록 3 내지 5회 반복하여 혼합 코팅하는 것을 말하는 것이다.
이와 같이 코팅함으로서 도전체인 상기 분말화된 CNT와 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 혼합한 물질의 계면 즉, 표면을 비도전체인 실리콘으로 코팅하여 비전도성을 발휘하기 위한 것으로서 한번의 코팅으로 이루어지는 것이 아니므로 3 내지 5회 반복하여 혼합함으로서 표면 코팅이 가능한 것이다.
즉, 3회에서 5회 반복하여 상기 분말화된 CNT와 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 혼합한 물질의 계면(표면)전기적 성질을 상쇄시켜 계면의 전기 저항이 부도체인 1.0E14~15승의 혼합물이 되도록 하는 것이다.
[분말화 단계]
본 단계는 상기 진행되는 단계와 별도로 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC)를 100nm~500nm의 초미립자로 분쇄 분말화하는 단계를 말하는 것이다.
[혼합단계]
본 단계는 상기 액상의 실리콘으로 혼합 코팅된 혼합물을 상기 초미립자로 분말화한 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC)와 혼합하여 조성하는 최종단계이다.
상기와 같이 제조된 본 발명은 인접된 타부품과의 전도성으로 인해 발생되는 쇼트현상 등으로 인한 손상을 방지하기 위하여 비전도성과 더불어 전자파 차단을 동시에 달성할 수 있는 것이다.
이하, 또 다른 본 발명의 구성에 대하여 설명하고자 한다.
분말화된 CNT와 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 액상의 실리콘으로 표면의 전기적 성질을 상쇄시키 위해 혼합 코팅한 혼합물과 분말화된 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC)을 혼합하여 조성된 조성물이며, 바람직하게는, 분말화된 CNT와 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 액상의 실리콘으로 표면의 전기적 성질을 상쇄시키 위해 혼합 코팅한 혼합물 5~15%와 분말화된 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC) 85~95%을 혼합하여 조성된 것이다.
즉, 본 발명은 상기와 같은 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)를 성형한 후 CNT와 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 혼합한 혼합물을 상기 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC)의 초 미립자 분쇄의 공정을 반복(3회~5회)하며 도전체의 계면을 코팅하여 조성하는 것이며,
바람직하게는 상기와 같은 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)를 100nm~500nm 유지한 후 상기 CNT와 Graphene, NiO, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상의 혼합한 혼합물을 EMC원료와 동일한 100nm~500nm의 size로 초미립 분쇄하여 코팅의 과정을 3회에서 5회 반복하여 소재의 계면(표면)전기적 성질을 상쇄시켜 계면의 전기 저항이 부도체인 1.0E14~16승의 혼합물 5~15%와 상기 에폭시 몰딩 컴파운드 85~95%를 혼합하여 전기, 전자 제품의 비전도성 전자파 차폐재 조성물을 완성하는 것이다.
상기와 같이 구성된 본 발명은 인접된 타 부품과의 전도성으로 인해 발생되는 쇼트현상 등으로 인한 손상을 방지하기 위하여 계면 전도성을 상쇄 시킴과 더불어 전자파 차단을 동시에 달성할 수 있는 것이다.
전기적 쇼트는 계면 즉 두 물체의 접합부에서 전하의 이동이 이루어지며 발생 되기에 본 발명은 계면(표면)의 전하 흐름을 방지하기 위하여 미립자 코팅을 하여 계면(표면)의 전하를 제어하여 쇼트를 방지하고 EMI (Electo Magnetic Interference)의 전자기장은 계면이 아닌 코팅 내부의 전도성 소자인 CNT와 Graphene, NiO, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, Carbon Black, MoS2, Carbon fiber 하나 또는 하나 이상의 소재가 제어하며 그로 인하여 IC 및 전자기기의 유해파인 EMI를 원천적으로 제어 할 수 있는 것이다.
아래의 그림은 각 주파수 대역에서의 EMI 차폐 결과표 이다.
표 2
Figure pat00001
상기와 같이 구성된 본 발명은 인접된 타부품과의 전도성으로 인해 발생되는 쇼트현상 등으로 인한 손상을 방지하기 위하여 비전도성과 더불어 전자파 차단을 동시에 달성할 수 있는 것이다.

Claims (3)

  1. CNT와 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron를 각각 분쇄하여 100nm~500nm의 초미립자로 분말화하는 단계,
    상기 분말화된 CNT와 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 혼합하는 단계,
    상기 분말화된 CNT와 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 혼합한 상태에서 액상의 실리콘으로 3 내지 5회 반복하여 혼합 코팅하는 코팅단계,
    에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC)를 100nm~500nm의 초미립자로 분쇄 분말화하는 단계,
    상기 액상의 실리콘으로 혼합 코팅된 혼합물을 상기 초미립자로 분말화한 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC)와 혼합하여 조성하는 것을 특징으로 하는 전기, 전자 부품의 비전도성 전자파 차폐재 조성물제조방법.
  2. 분말화된 CNT와 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 액상의 실리콘으로 표면의 전기적 성질을 상쇄시키 위해 혼합 코팅한 혼합물과 분말화된 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC)을 혼합하여 조성된 것을 특징으로 하는 전기, 전자 부품의 비전도성 전자파 차폐재 조성물.
  3. 제 2 항에 있어서,
    분말화된 CNT와 분말화된 Graphene, SIC, SiO, SiO2, TiO2, Al2O3, 또는 불소수지Tefron중 어느 하나 이상을 액상의 실리콘으로 표면의 전기적 성질을 상쇄시키 위해 혼합 코팅한 혼합물 5~15%와 분말화된 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC) 85~95%을 혼합하여 조성된 것을 특징으로 하는 전기, 전자 부품의 비전도성 전자파 차폐재 조성물.








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