KR20160005883A - Light emitting device package - Google Patents

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KR20160005883A
KR20160005883A KR1020140084907A KR20140084907A KR20160005883A KR 20160005883 A KR20160005883 A KR 20160005883A KR 1020140084907 A KR1020140084907 A KR 1020140084907A KR 20140084907 A KR20140084907 A KR 20140084907A KR 20160005883 A KR20160005883 A KR 20160005883A
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Abstract

A light emitting device package according to an embodiment includes a light emitting device which includes a light emitting chip and a sub mount for mounting the light emitting chip, a lead frame for mounting the light emitting device, a reflector layer which is arranged on the lead frame and reflects light emitted from the light emitting device, and an insulating layer located between the lead frame and the reflector layer.

Description

발광 소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

실시 형태는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 고효율 및 친환경적인 광원으로서, 다양한 분야에서 각광을 받고 있다. 발광 다이오드(LED)는 예를 들어 디스플레이(표시 장치), 광 통신, 자동차 및 일반 조명에 이르기까지 여러 분야에서 사용되고 있다. 특히, 백색광을 구현하는 백색 발광 다이오드는 그 수요가 점점 증가하고 있다. BACKGROUND ART Light emitting diodes (LEDs) are highly efficient and environmentally friendly light sources, and are attracting attention in various fields. BACKGROUND OF THE INVENTION Light emitting diodes (LEDs) are used in many fields, for example, in displays (displays), optical communications, automotive and general lighting. In particular, white light emitting diodes (LEDs) that emit white light are in increasing demand.

일반적으로, 이와 같은 발광 소자는 개개의 소자가 제조된 후에 패키징되어 사용된다. 발광 소자 패키지는 방열체를 포함하는 수지부 바디에 발광칩이 실장된다. 발광칩은 와이어를 통하여 리드와 전기적으로 연결되고, 발광칩 상측에는 수지와 실리콘과 같은 봉지재가 채워지고, 그 상측에 렌즈가 구비된다. 이러한 구조의 발광 소자 패키지는 발광 소자 구동 시 발생하게 되는 열의 전달이 느려 방열 효과가 낮다. 따라서, 발광 소자의 광특성이 저하될 수 있으며, 수지부 바디 사이에 방열체를 삽입하는 패키지 공정은 빠른 공정 속도를 기대하기 어렵다.Generally, such a light emitting element is packaged and used after individual elements are manufactured. In the light emitting device package, the light emitting chip is mounted on the resin body including the heat discharging body. The light emitting chip is electrically connected to the lead through a wire, and an encapsulating material such as resin and silicon is filled on the upper side of the light emitting chip, and a lens is provided thereon. The light emitting device package having such a structure has a low heat radiation effect due to a slow transfer of heat generated when the light emitting device is driven. Therefore, the light characteristics of the light emitting device can be deteriorated, and it is difficult to expect a rapid process speed in the packaging process of inserting the heat sink between the resin part bodies.

방열체 없이 발광 소자를 리드 프레임에 실장하는 경우, 리드 프레임을 통해 열이 방출되기 때문에 방열성능이 낮아 고출력용 발광 소자에는 적용하기 어려운 문제가 있었다. 또한, 발광 소자용 리드 프레임에 사용되는 수지부는 장시간 광에 노출되면 변색되거나 변질되어 광특성을 저하시키는 문제가 있었다.When a light emitting device is mounted on a lead frame without a heat radiator, since heat is released through the lead frame, the heat dissipation performance is low and it is difficult to apply the device to a high output light emitting device. Further, the resin part used in the lead frame for a light-emitting element has a problem of being deteriorated or deteriorated by exposure to light for a long period of time to lower optical characteristics.

또한, 발광 소자로부터 방출된 빛이 수지부에 입사되면 반사율이 좋지 않기 때문에, 발광 소자 패키지의 반사율을 높이기 위하여 빛이 반사되는 영역의 수지부를 줄이는 것이 필요하였다.In addition, when light emitted from the light emitting device is incident on the resin portion, the reflectance is not good. Therefore, in order to increase the reflectance of the light emitting device package, it is necessary to reduce the resin portion in the region where the light is reflected.

실시 형태는 리드 프레임과 수지부 사이의 밀착성을 높일 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of enhancing the adhesion between the lead frame and the resin part.

실시 형태는 하부로부터 수분이나 이물질의 침투를 방지할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다Embodiments provide a light emitting device package capable of preventing moisture and foreign matter from penetrating from the bottom

실시 형태는 발광 소자의 실장시에 발생하는 이물질이 침투하는 것을 방지할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package capable of preventing foreign matter generated during mounting of the light emitting device from penetrating.

실시 형태는 리플렉터를 리드 프레임 상에 안정적으로 고정시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package capable of stably fixing a reflector on a lead frame.

실시 형태는 리플렉터 상에 렌즈 또는 플레이트를 선택적으로 장착할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package capable of selectively mounting a lens or a plate on a reflector.

실시 형태는 리드 프레임 원형과 안정적으로 결합되고, 분리가 용이한 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package that is stably coupled with a lead frame circular shape and is easy to separate.

실시 형태는 리드 프레임 원형과의 마찰력을 증대시켜 접착재 없이 안정적으로 결합되는 발광 소자 패키지를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package that increases frictional force with a lead frame circular shape and is stably coupled without an adhesive.

실시 형태는 발광 소자로부터 방출되는 빛의 반사 효율을 높일 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package capable of enhancing reflection efficiency of light emitted from a light emitting element.

실시 형태는 외부 기판에 실장한 후에 점검 및 수리가 용이한 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiments provide a light emitting device package that is easy to inspect and repair after being mounted on an external substrate.

실시 형태는 발광 소자의 방열 및 온도 측정이 가능한 보조 단자를 가진 발광 소자 패키지를 제공한다.An embodiment provides a light emitting device package having auxiliary terminals capable of measuring heat radiation and temperature of the light emitting device.

본 발명의 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는, 발광칩 및 상기 발광칩이 탑재되는 서브 마운트(sub mount)를 포함하는 발광 소자, 상기 발광 소자가 실장되는 리드 프레임(lead frame), 상기 리드 프레임 상에 배치되고, 상기 발광 소자로부터 방출된 빛을 반사하는 리플렉터(reflector)층, 및 상기 리드 프레임 및 상기 리플렉터층 사이에 위치하는 절연층을 포함한다. 이러한 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는, 발광 소자로부터 방출되는 빛의 반사 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.A light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes a light emitting element including a light emitting chip and a sub mount on which the light emitting chip is mounted, a lead frame on which the light emitting element is mounted, A reflector layer disposed on the reflector layer for reflecting the light emitted from the light emitting device, and an insulation layer disposed between the lead frame and the reflector layer. The light emitting device package according to this embodiment has an effect of increasing the reflection efficiency of light emitted from the light emitting element.

상기 리드 프레임 및 상기 리플렉터층의 외측을 둘러싸는 수지부를 더 포함하고, 상기 절연층은 상기 수지부와 일체로 형성될 수 있다.And a resin portion surrounding the lead frame and the reflector layer, wherein the insulating layer is integrally formed with the resin portion.

상기 리플렉터층은 금속으로 이루어질 수 있다.The reflector layer may be made of metal.

상기 금속은 순 알루미늄일 수 있다.The metal may be pure aluminum.

상기 리플렉터층은 금형에 의하여 제조될 수 있다.The reflector layer can be manufactured by a mold.

상기 절연층의 두께는 0.1~0.15 mm일 수 있다.The thickness of the insulating layer may be 0.1 to 0.15 mm.

상기 절연층은 검은색의 수지를 포함할 수 있다.The insulating layer may include a black resin.

상기 리드 프레임은, 상기 발광 소자가 실장되는 제1 프레임과 상기 제1 프레임의 양측에 형성되는 제2 프레임, 및 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이에 형성되는 개구부를 포함하고, 상기 수지부는, 상기 개구부에 삽입되는 수지 채움부를 포함할 수 있다.Wherein the lead frame includes a first frame on which the light emitting element is mounted, a second frame formed on both sides of the first frame, and an opening formed between the first frame and the second frame, May include a resin filling portion inserted into the opening.

상기 수지 채움부는, 상면의 폭이 하면의 폭보다 좁을 수 있다.The width of the upper surface of the resin filling portion may be narrower than the width of the lower surface.

상기 제1 프레임은 상기 제2 프레임을 향하여 오목진 오목부를 포함하고, 상기 제2 프레임은 상기 오목부에 대응되고 상기 제1 프레임을 향하여 볼록한 볼록부를 포함할 수 있다.The first frame may include a recessed concave portion toward the second frame, and the second frame may include a convex portion corresponding to the concave portion and convex toward the first frame.

상기 수지 채움부의 길이 방향의 양단부는 폭방향으로 연장되어 상기 제1 프레임의 일부를 매몰시킬 수 있다.Both end portions in the longitudinal direction of the resin filling portion may extend in the width direction to bury a part of the first frame.

상기 리드 프레임은, 상기 개구부의 형상이 단차를 갖도록 형성될 수 있다.The lead frame may be formed such that the shape of the opening has a step.

상기 수지 채움부의 상면의 폭은 0.3~0.5mm 일 수 있다.The width of the upper surface of the resin filled portion may be 0.3 to 0.5 mm.

상기 발광칩은 190~400 nm의 파장을 발광하는 발광칩일 수 있다.The light emitting chip may be a light emitting chip emitting a wavelength of 190 to 400 nm.

상기 발광칩은 250~280 nm의 파장을 발광하는 발광칩일 수 있다.The light emitting chip may be a light emitting chip that emits a wavelength of 250 to 280 nm.

상기 제2 프레임은 상기 발광 소자와 와이어를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.The second frame may be electrically connected to the light emitting element through a wire.

상기 수지부는, 검은색의 수지를 포함할 수 있다.The resin part may include a black resin.

상기 검은색의 수지는 방향족 나이론일 수 있다.The black resin may be an aromatic nylon.

상기 리플렉터층의 상부에는 렌즈가 배치될 수 있는 렌즈 가이드부가 형성되고, 상기 제2 수지부의 상부에는 플레이트가 배치될 수 있는 플레이트 가이드부가 형성될 수 있다.A lens guide portion capable of disposing a lens may be formed on the reflector layer, and a plate guide portion capable of disposing the plate may be formed on the second resin portion.

실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는, 프레임과 수지부 사이의 접착면을 증가시켜 프레임과 수지부 사이의 밀착성을 높일 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment can increase the adhesion between the frame and the resin part, thereby increasing the adhesion between the frame and the resin part.

실시 형태는 프레임과 패키지 사이의 접착면을 증가시켜 하부로부터 수분이나 이물질의 침투를 방지할 수 있다Embodiments can increase the adhesion surface between the frame and the package and prevent moisture and foreign matter from penetrating from the bottom

실시 형태는 수지부가 리드 프레임의 일부를 매몰시켜 발광 소자의 실장시에 발생하는 이물질이 침투하는 것을 방지할 수 있다.The embodiment can prevent a resin part from being buried in a part of the lead frame to prevent foreign substances generated during mounting of the light emitting element from penetrating.

실시 형태는 리플렉터를 리드 프레임 상에 안정적으로 고정시킬 수 있다.The embodiment can stably fix the reflector on the lead frame.

실시 형태는 리플렉터 상에 렌즈 또는 플레이트를 선택적으로 장착할 수 있다.Embodiments can selectively mount a lens or plate on a reflector.

실시 형태는 리드 프레임 원형과 안정적으로 결합되고, 분리가 용이하다.The embodiment is stably coupled with the lead frame circular shape and is easy to separate.

실시 형태는 리드 프레임 원형과의 마찰력을 증대시켜 접착재 없이 안정적으로 결합된다.The embodiments increase the frictional force with the lead frame circular shape and are stably engaged without the adhesive.

실시 형태는 발광 소자로부터 방출되는 빛의 반사 효율을 높일 수 있다.The embodiment can increase the reflection efficiency of light emitted from the light emitting element.

실시 형태는 외부 기판에 실장한 후에 점검 및 수리가 용이하다.The embodiment is easy to inspect and repair after mounting on an external substrate.

실시 형태는 발광 소자의 방열 및 온도 측정이 가능한 보조 단자를 가진다.The embodiment has auxiliary terminals capable of measuring the heat radiation and the temperature of the light emitting element.

도 1은 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 사시도이다.
도 2는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 단면사시도이다.
도 3a은 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 3b는 도 3a의 부분 확대도이다.
도 4는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 평면도이다.
도 5는 리드 프레임의 사시도이다.
도 6은 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 저면 사시도이다.
도 7a 내지 도 7c는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지가 외부 기판에 결합된 상태를 나타내는 사시도이다.
도 8은 실시 형태에 따른 리드 프레임이 제거된 리드 프레임 원형의 사시도이다.
도 9는 리드 프레임 원형에 발광 소자가 실장되지 않은 발광 소자 패키지가 결합된 상태를 보여주는 사시도이다.
도 10는 양산이 가능한 발광 소자 패키지의 구조를 나타내는 사시도이다.
도 11a 내지 도 11f는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 제조 공정을 설며하는 도면이다.
도 12는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지가 리드 프레임 원형에 형성된 최종 형태를 나타내는 도면이다.
도 13a 및 도 13b는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지로부터 제거 핀이 제거하는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 14a 및 도 14b는 실시 형태에 따른 리플렉터층과 리드 프레임의 결합방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.
2 is a cross-sectional perspective view of a light emitting device package according to the embodiment.
3A is a cross-sectional view of a light emitting device package according to the embodiment.
FIG. 3B is a partial enlarged view of FIG. 3A.
4 is a plan view of a light emitting device package according to the embodiment.
5 is a perspective view of a lead frame.
6 is a bottom perspective view of a light emitting device package according to the embodiment.
7A to 7C are perspective views showing a state in which the light emitting device package according to the embodiment is coupled to an external substrate.
8 is a perspective view of a lead frame circular shape in which the lead frame according to the embodiment is removed.
9 is a perspective view showing a state in which a light emitting device package without a light emitting element is mounted on a lead frame circular shape.
10 is a perspective view showing a structure of a light emitting device package capable of mass production.
11A to 11F are diagrams illustrating a manufacturing process of the light emitting device package according to the embodiment.
12 is a diagram showing a final shape in which a light emitting device package according to the embodiment is formed in a lead frame circular shape.
13A and 13B are views for explaining removal of the removing pin from the light emitting device package according to the embodiment.
Figs. 14A and 14B are views for explaining a method of combining the reflector layer and the lead frame according to the embodiment. Fig.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

본 발명에 따른 실시 형태의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiments according to the present invention, in the case where an element is described as being formed "on or under" another element, the upper (upper) or lower (lower) (On or under) all include that the two elements are in direct contact with each other or that one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

먼저, 본 발명의 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지에 대하여 설명하도록 한다.First, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described.

도 1은 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 사시도이다. 도 2는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 단면사시도이다. 도 3a은 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이고, 도 3b는 도 3a의 부분 확대도이다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment. 2 is a cross-sectional perspective view of a light emitting device package according to the embodiment. FIG. 3A is a cross-sectional view of a light emitting device package according to the embodiment, and FIG. 3B is a partial enlarged view of FIG. 3A.

도 1 내지 도 3b를 참고하면, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는, 발광칩(110)과 발광칩(110)이 탑재되는 서브 마운트(sub mount, 120)를 포함하는 발광 소자(100)와, 발광 소자(100)가 실장되는 리드 프레임(lead frame, 200), 발광 소자(100)와 리드 프레임(200)을 전기적으로 연결하는 와이어(130), 발광 소자(100) 주위를 둘러싸고 발광 소자(100)로부터 방출된 빛을 반사하는 리플렉터(reflector)층 (140), 리드 프레임(200) 및 리플렉터층(140) 사이에 위치하는 절연층(323), 및 발광 소자 패키지(1)의 본체를 형성하는 수지부(300)를 포함할 수 있다.1 to 3B, a light emitting device package 1 according to an embodiment includes a light emitting device 100 including a light emitting chip 110 and a submount 120 on which the light emitting chip 110 is mounted A lead frame 200 on which the light emitting element 100 is mounted, a wire 130 electrically connecting the light emitting element 100 and the lead frame 200, a light emitting element 100 surrounding the light emitting element 100, A reflector layer 140 that reflects light emitted from the device 100, an insulating layer 323 that is positioned between the lead frame 200 and the reflector layer 140, (Not shown).

발광 소자(100)는 발광 다이오드(LED)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 발광 다이오드는 심자외선(Deep Ultra Violet, DUV)을 방출하는 DUV LED 일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 각각 발광하는 적색, 녹색, 청색 또는 백색 발광 다이오드일 수 있다. 발광 다이오드는 전기 에너지를 빛으로 변환시키는 고체 소자의 일종으로서, 일반적으로 2개의 상반된 도핑층 사이에 개재된 반도체 재료의 활성층을 포함한다. 2개의 도핑층 양단에 바이어스가 인가되면, 정공과 전자가 활성층으로 주입된 후 그 곳에서 재결합되어 빛이 발생되며, 활성층에서 발생된 빛은 모든 방향 또는 특정 방향으로 방출되어 노출 표면을 통해 발광 다이오드 밖으로 방출되게 된다.The light emitting device 100 may be a light emitting diode (LED), but is not limited thereto. The light emitting diode may be a DUV LED that emits deep ultraviolet (DUV) light, but is not limited thereto. The LED may be a red, green, blue, or white light emitting diode that emits red, green, Lt; / RTI > Light emitting diodes are a type of solid element that converts electrical energy into light and typically includes an active layer of semiconductor material interposed between two opposing doping layers. When a bias is applied to both ends of the two doped layers, holes and electrons are injected into the active layer and then recombined to generate light. Light emitted from the active layer is emitted in all directions or in a specific direction, And is discharged outside.

발광칩(110)은 플립칩(Flip Chip)일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 수직형(vertical) 칩이나, 수평형(lateral) 칩일 수 있다. 도면에서는 편의상 수평형 칩으로 설명한다. 발광칩(110)의 크기는 가로 600um, 세로 700um으로 형성될 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 발광칩(110)은 190~400 nm의 파장의 심자외선을 발광할 수 있다. 보다 구체적으로, 발광칩(110)은 250~280 nm의 파장의 심자외선을 발광할 수 있으며, 이 때, 발광칩(110)에서 방출되는 심자외선이 살균력이 가장 우수하다. 도 1에 도시되어 있지는 않지만, 발광칩(110)은 기판과, 기판 상에 배치되는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 배치된 발광 구조물을 포함할 수 있다. 발광칩(110)의 기판은 빛이 투과할 수 있는 광 투과 특성을 가질 수 있다. 기판은 사파이어(Al2O3), 스핀넬(MgAl2O4)과 같은 절연성 기판, SiC, Si, GaAs, GaN, InP, Ge 등의 반도체 기판들 중 적어도 어느 하나일 수 있다. The light emitting chip 110 may be a flip chip, but is not limited thereto, and may be a vertical chip or a lateral chip. In the drawings, a horizontal type chip is described for the sake of convenience. The size of the light emitting chip 110 may be 600 μm in width and 700 μm in length, but is not limited thereto. The light emitting chip 110 can emit ultraviolet light having a wavelength of 190 to 400 nm. More specifically, the light emitting chip 110 can emit deep ultraviolet rays having a wavelength of 250 to 280 nm. At this time, the ultraviolet light emitted from the light emitting chip 110 is most excellent in sterilizing power. Although not shown in FIG. 1, the light emitting chip 110 may include a substrate, and a light emitting structure in which a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer are sequentially disposed on the substrate. The substrate of the light emitting chip 110 may have a light transmission characteristic capable of transmitting light. The substrate may be at least one of an insulating substrate such as sapphire (Al2O3) and spinel (MgAl2O4), or a semiconductor substrate such as SiC, Si, GaAs, GaN, InP, or Ge.

서브 마운트(120)에는 발광칩(110)이 탑재된다. 서브 마운트(120)는 발광칩(110)에서 발생하는 열을 방출하여 하부의 리드 프레임(200)으로 전달한다. 또한, 발광 소자(100)와 리드 프레임(200)을 전기적으로 연결하는 와이어(130)의 일단은 서브 마운트(120)에 연결된다. 서브 마운트(120)는 열전도율이 높은 질화 알루미늄(AlN)이나 실리콘카바이드(SiC) 등으로 이루어질 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 발광칩(110)과 서브 마운트(120)는 솔더범퍼(solder bumper)에 의해 결합될 수 있다.The light emitting chip 110 is mounted on the sub mount 120. The submount 120 emits heat generated from the light emitting chip 110 and transmits the heat to the lower lead frame 200. One end of the wire 130 electrically connecting the light emitting device 100 and the lead frame 200 is connected to the submount 120. [ The submount 120 may be made of aluminum nitride (AlN) or silicon carbide (SiC) having a high thermal conductivity, but is not limited thereto. The light emitting chip 110 and the submount 120 may be coupled by a solder bumper.

도 2 내지 도 3b를 참고하면, 실시 형태에 따른 발광 소자(1)의 리플렉터층(140)은 발광 소자(100)로부터의 방출된 광을 반사한다. 리플렉터층(140)은 발광 소자(100)의 주위를 둘러싸고, 리드 프레임(200)의 상부에 배치된다. 리플렉터층(140)은 금속으로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)의 리플렉터층(140)은 순 알루미늄으로 이루어 질 수 있다. 따라서, 광의 반사율이 높고, 열확산성이 좋으며, 산소 및 황화수소 가스에 대한 내부식성을 가질 수 있다. 리플렉터층(140)은 내측이 오목한 원형으로 형성될 수 있으나, 리플렉터층(140)의 형상이 반드시 원형으로 한정되는 것은 아니다.2 to 3B, the reflector layer 140 of the light emitting element 1 according to the embodiment reflects the emitted light from the light emitting element 100. [ The reflector layer 140 surrounds the periphery of the light emitting element 100 and is disposed on the top of the lead frame 200. The reflector layer 140 may be made of metal. Specifically, the reflector layer 140 of the light emitting device package 1 according to the embodiment may be made of pure aluminum. Therefore, it has high reflectance of light, good thermal diffusivity, and can have corrosion resistance against oxygen and hydrogen sulfide gas. The reflector layer 140 may be formed in a circular shape having a concave inner side, but the shape of the reflector layer 140 is not necessarily limited to a circle.

리플렉터층(140)의 상부에는 광학 렌즈가 배치될 수 있는 렌즈 가이드부(150)가 형성될 수 있다. 또한, 리플렉터층의 상부에는 플레이트가 배치될 수 있는 플레이트 가이드부(160)가 형성될 수 있다. 렌즈 가이드부(150)는 리플렉터층의 상면과, 후술할 제2 수지부(320)의 일단에 의하여 형성된 벽부(321)에 의하여 형성될 수 있다. 또한, 플레이트 가이드부(160)도 제2 수지재(320)의 상면에 형성된 평면부와, 상측으로 돌출된 벽부의 일측면에 의하여 형성될 수 있다. 이에 대해서는 후술하도록 한다. 렌즈 또는 플레이트와 리플렉터층(140) 사이에는 밀봉 수지재가 충전될 수 있다. 밀봉 수지로는 실리콘 수지가 이용될 수 있다. 한편, 실시 형태에 따른 렌즈 또는 플레이트는 형광체를 함유하는 유리 렌즈 또는 유리 플레이트일 수 있다. 따라서, 렌즈 또는 플레이트 내에 형광체가 분산되거나 형광체를 포함하는 봉지재를 이용하지 않고 렌즈 또는 플레이트가 형광체를 함유하므로 광속유지율이 향상될 수 있다. 즉, 발광 소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.A lens guide unit 150, on which an optical lens can be disposed, may be formed on the reflector layer 140. Further, a plate guide portion 160 on which the plate can be disposed may be formed on the reflector layer. The lens guide portion 150 can be formed by the upper surface of the reflector layer and the wall portion 321 formed by one end of the second resin portion 320, which will be described later. The plate guide portion 160 may also be formed by a flat portion formed on the upper surface of the second resin material 320 and a side surface of the wall portion protruded upward. This will be described later. Between the lens or plate and the reflector layer 140, a sealing resin material may be filled. As the sealing resin, a silicone resin can be used. On the other hand, the lens or plate according to the embodiment may be a glass lens or a glass plate containing a phosphor. Therefore, the light flux retention ratio can be improved because the lens or the plate contains the fluorescent material without dispersing the fluorescent material in the lens or plate or using the encapsulant containing the fluorescent material. That is, the reliability of the light emitting device package can be improved.

리드 프레임(200)은 발광 소자(100)에 하부에 위치하고, 리드 프레임(200)에는 발광 소자(100)가 실장된다. 리드 프레임(200)은 발광 소자(100)가 직접 실장되는 제1 프레임(210)과, 발광 소자(100)와 와이어(130)를 통해 전기적으로 연결되는 제2 프레임(220)을 포함할 수 있다. 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220) 사이에는 후술할 수지부(300)의 제1 수지부(310)가 삽입되기 위한 개구부가 형성될 수 있다. 한편, 리드 프레임(200)은 구리(Cu)성분을 포함하는 구리 합금으로 이루어질 수 있다. 따라서, 서브 마운트(120)의 질화 알루미늄(AlN)보다 2~3배의 열전도율을 가질 수 있으며, 두께를 두껍게 하여, 방열체의 역할을 할 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 별도의 방열체가 필요없고 구리를 이용하므로 비용면에서 유리하다. The lead frame 200 is positioned below the light emitting device 100 and the light emitting device 100 is mounted on the lead frame 200. The lead frame 200 may include a first frame 210 on which the light emitting device 100 is directly mounted and a second frame 220 electrically connected to the light emitting device 100 through the wire 130 . An opening for inserting the first resin part 310 of the resin part 300 to be described later may be formed between the first frame 210 and the second frame 220. Meanwhile, the lead frame 200 may be made of a copper alloy containing a copper (Cu) component. Therefore, the thermal conductivity can be 2 to 3 times higher than that of aluminum nitride (AlN) of the submount 120, and the thickness can be increased to serve as a heat sink. Therefore, the light emitting device package 1 according to the embodiment does not require a separate heat radiator and uses copper, which is advantageous in terms of cost.

리드 프레임(200)의 두께를 두껍게 하면, 리드 프레임(200)이 대용량의 방열체의 역할을 할 수 있다. 리드 프레임(200)의 두께가 증가하면, 리드 프레임(200)의 비용은 증가할 수 있으나, 별도의 방열체를 추가하는 것보다 비용을 줄일 수 있다. 또한, 구리로 이루어진 리드 프레임(200)이 두꺼울수록 열확산이 좋고 열팽창의 영향을 적게 받는다. 리드 프레임(200)의 두께가 두꺼워지면, 수지부(300)와의 마찰력도 커지고, 하부로부터 발광 소자 패키지(1) 내부로 이물질이나 수분의 침투도 어려워진다. 또한, 두께가 두꺼워지면, 외부 응력에 대한 변형에 대한 저항성도 커진다.If the thickness of the lead frame 200 is increased, the lead frame 200 can serve as a large-capacity heat sink. If the thickness of the lead frame 200 is increased, the cost of the lead frame 200 can be increased, but the cost can be reduced more than adding a separate heat radiator. In addition, the thicker the lead frame 200 made of copper, the better the thermal diffusion and less affected by the thermal expansion. When the thickness of the lead frame 200 is increased, the frictional force with the resin part 300 also increases, and the penetration of foreign matter or moisture into the light emitting device package 1 from the lower part becomes difficult. Also, when the thickness is increased, the resistance to deformation against external stress is also increased.

구체적으로, 구리 성분의 리드 프레임(200)의 두께는 0.5 mm 내지 1.5 mm 일 수 있다. 리드 프레임(200)의 두께가 0.5 mm 보다 작으면 열확산 및 열방출 성능이 좋지 않으며, 1.5 mm보다 크면 열확산 및 열방출 성능의 증가에 비하여, 리드 프레임의 두께 증가에 따른 제조비용의 증가가 문제가 될 수 있다. 또한, 구리 성분의 리드 프레임(200)의 두께가 0.5 mm 보다 작으면, 외부 응력에 대한 발광 소자 패키지의 변형에 대한 저항성이 허용치보다 낮게 되며, 1.5 mm 보다 크면 제조비용의 증가가 문제가 될 수 있다.Specifically, the thickness of the lead frame 200 made of copper may be 0.5 mm to 1.5 mm. If the thickness of the lead frame 200 is less than 0.5 mm, the thermal diffusivity and heat dissipation performance is not good. If the thickness of the lead frame 200 is larger than 1.5 mm, the increase in the manufacturing cost due to the increase in the thickness of the lead frame . If the thickness of the lead frame 200 made of copper is less than 0.5 mm, the resistance to deformation of the light emitting device package against external stress is lower than the allowable value. If the thickness is larger than 1.5 mm, have.

정리하면, 구리성분의 리드 프레임(200)의 두께를 0.5 mm 보다 작게 하면, 열확산, 열방출, 변형에 대한 저항성, 수분 침투 방지의 성능 중 어느 하나가 허용치보다 낮게 되며, 두께가 두꺼워질수록 이러한 특성들은 개선이 된다. 그러나, 구리 성분의 리드 프레임(200)의 두께가 1.5 mm 이상이 되면, 발광 소자 패키지의 제조에 있어서, 전술한 특징들의 개선에 비하여 제조비용의 증가가 더 큰 문제가 될 수 있다.In summary, if the thickness of the lead frame 200 made of copper is made less than 0.5 mm, any one of thermal diffusivity, heat release, resistance to deformation, and moisture penetration performance becomes lower than the allowable value. The properties are improved. However, when the thickness of the lead frame 200 of copper is 1.5 mm or more, an increase in manufacturing cost may be a problem in manufacturing the light emitting device package as compared with the improvement of the above-described characteristics.

제1 프레임(210)에는 발광 소자(100)가 직접 실장될 수 있다. 도면에는 도시되어 있지 않으나, 제1 프레임(210)의 상면에는 발광 소자(100)가 본딩될 수 있는 다이 본딩 플레이트가 형성될 수 있다. 발광 소자(100)는 다이 본딩 페이스트를 이용하여 제1 프레임(210) 상에 실장될 수 있다. 다이 본딩 페이스트는 내광성이 있는 에폭시 수지나 실리콘 수지를 포함할 수 있다. 제2 프레임(220)은 와이어(130)를 통해 발광 소자(100)와 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device 100 may be directly mounted on the first frame 210. Although not shown in the drawing, a die bonding plate on which the light emitting device 100 can be bonded may be formed on the upper surface of the first frame 210. The light emitting device 100 may be mounted on the first frame 210 using a die bonding paste. The die bonding paste may include a light-resistant epoxy resin or a silicone resin. The second frame 220 may be electrically connected to the light emitting device 100 through the wire 130.

실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)의 수지부(300)는 리드 프레임(200)의 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220)에 삽입되는 제1 수지부(310)와, 발광 소자(100)를 둘러싸고, 중앙부에 오목부를 갖는 제2 수지부(320)를 포함할 수 있다.The resin part 300 of the light emitting device package 1 according to the embodiment includes the first frame 210 of the lead frame 200 and the first resin part 310 inserted into the second frame 220, And a second resin part 320 surrounding the first resin part 100 and having a concave part at the center thereof.

제1 수지부(310)는 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220) 사이에 채워질 수 있다. 제2 수지부(320)는 리드 프레임(200)의 외측과, 리플렉터층(140)의 외측 및 상측 일부를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 제1 수지부(310) 및 제2 수지부(320)는 리드 프레임(200) 상에 열가소성 수지 또는 열경화성 수지를 사출 성형 또는 트랜스퍼 성형함으로써 형성될 수 있다. 제1 수지부(310) 및 제2 수지부(320)의 형상은, 금형의 설계에 의해 다양하게 형성될 수 있다. 이에 대해서는 뒤에서 자세히 설명하도록 한다.The first resin part 310 may be filled between the first frame 210 and the second frame 220. The second resin part 320 may be formed to surround the outer side of the lead frame 200 and the outer and upper portions of the reflector layer 140. The first resin part 310 and the second resin part 320 may be formed by injection molding or transfer molding a thermoplastic resin or a thermosetting resin on the lead frame 200. The shapes of the first resin part 310 and the second resin part 320 can be variously formed by the design of the mold. This will be explained in detail later.

제1 수지부(310) 및 제2 수지부(320)에 사용되는 열가소성 수지 또는 열경화성 수지는, 내후성이 강한 검은색의 수지가 이용될 수 있다. 예를 들면, 검은색의 방향족 나이론이 이용될 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 수지는 발광 소자(100)로부터 장시간 동안 열과 빛에 노출되므로, 변색이나 열화가 발생할 수 있다. 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 내후성이 좋은 검은 색의 수지를 이용하므로, 단파장 자외선의 열화를 방지할 수 있고, 발광 소자 패키지의 변색을 방지할 수 있다. 따라서, 발광 소자가 백색 발광 다이오드인 경우에는, 검은색의 수지를 이용할 필요가 없으며, 흰색의 수지를 이용할 수도 있다. 흰색의 수지는 검은색 수지보다 광투과율이 높으므로 광효율면에서 유리하다.As the thermoplastic resin or thermosetting resin used for the first resin part 310 and the second resin part 320, a black resin having high weather resistance can be used. For example, a black aromatic nylon may be used. However, the present invention is not limited thereto. The resin is exposed to heat and light for a long period of time from the light emitting element 100, so that discoloration or deterioration may occur. Since the light emitting device package 1 according to the embodiment uses a black resin having good weather resistance, deterioration of short-wavelength ultraviolet rays can be prevented and discoloration of the light emitting device package can be prevented. Therefore, when the light emitting element is a white light emitting diode, it is not necessary to use a black resin, and a white resin may be used. White resin is advantageous in light efficiency because it has higher light transmittance than black resin.

절연층(323)은 금속으로 형성되는 리플렉터층(140)과 구리 합금으로 이루어진 리드 프레임(200)사이에 위치하여 리플렉터층(140)과 리드 프레임(200)을 절연시킨다. 이 절연층(323)은 수지로 이루어질 수 있으며, 수지부(300)와 일체로 형성될 수 있다. 이 절연층(323)의 두께는 리플렉터층(140)과 리드 프레임(320)의 두께에 비하여 상대적으로 얇게 형성될 수 있다. 구체적으로, 절연층(323)의 두께는 0.1 내지 0.15 mm 일 수 있다. 절연층(323)의 두께가 0.1mm 보다 얇으면 리플렉터층(140)과 리드 프레임(320) 사이의 절연의 안정성이 낮아질 수 있으며, 두께가 0.15mm 보다 두꺼워지면 절연층(323)이 발광소자(100)의 빛에 의해 열화되거나 절연층(323)이 발광소자(100)의 빛을 간섭할 수 있다. 본 발명의 실시형태에 따른 절연층(323)의 두께가 충분히 얇기 때문에, 발광 소자(100)로부터 방출되는 빛이 절연층(323)에 의해 간섭받지 않고 직접 리플렉터층(140)의 반사면에 의해 반사될 수 있다. 따라서, 수지로 이루어진 절연층(323)은 열화가 적게 일어나며, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 발광 소자(100)로부터 발광된 빛의 반사효율이 높다.The insulating layer 323 is interposed between the reflector layer 140 formed of a metal and the lead frame 200 made of a copper alloy to insulate the reflector layer 140 from the lead frame 200. The insulating layer 323 may be made of resin or may be integrally formed with the resin part 300. The thickness of the insulating layer 323 may be relatively thinner than the thickness of the reflector layer 140 and the lead frame 320. Specifically, the thickness of the insulating layer 323 may be 0.1 to 0.15 mm. If the thickness of the insulating layer 323 is thinner than 0.1 mm, the stability of insulation between the reflector layer 140 and the lead frame 320 may be lowered. If the thickness of the insulating layer 323 is greater than 0.15 mm, 100 or the insulating layer 323 may interfere with the light of the light emitting element 100. [ The light emitted from the light emitting element 100 is directly reflected by the reflecting surface of the reflector layer 140 without being interfered by the insulating layer 323 because the thickness of the insulating layer 323 according to the embodiment of the present invention is sufficiently thin Can be reflected. Therefore, the insulating layer 323 made of resin has less deterioration, and the light emitting device package 1 according to the embodiment has a high reflection efficiency of light emitted from the light emitting device 100. [

도 1 내지 도 3b에 도시된 바와 같이, 제2 수지부(320)는 리플렉터층(140)의 일부가 끼워져 고정될 수 있는 홈부(320a)와 후술할 리드 프레임 원형(400)의 외곽 프레임(410)과 결합될 수 있는 오목부(320b)를 포함할 수 있다.1 to 3B, the second resin part 320 includes a groove part 320a to which a part of the reflector layer 140 can be fitted and fixed, and an outer frame 410 of a lead frame circular mold 400 to be described later (Not shown).

구체적으로, 제2 수지부(320)는 리드 프레임(200) 및 리플렉터층(140)의 외측에 수직으로 형성되는 벽부(321)를 포함할 수 있다. 벽부(321)로부터 발광 소자(100)를 향하여 수평으로 돌출되는 돌출부(322)가 형성될 수 있으며, 이 돌출부(322)는 리플렉터층(140)의 상면의 적어도 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 홈부(320a)는 제2 수지부(320)의 벽부(321), 돌출부(322) 및 리드 프레임(200)의 상면에 의해 둘러싸이도록 형성될 수 있다. 한편, 전술한 바와 같이, 리플렉터층(140)과 리드 프레임(200) 사이에는 절연층(323)이 삽입될 수 있다. 구체적으로 제2 수지부(320)와 일체로 형성되는 절연층(323)은 리플렉터층(140)의 하면과 리드 프레임(200)의 상면 사이에 배치될 수 있다.Specifically, the second resin part 320 may include a lead frame 200 and a wall part 321 vertically formed on the outside of the reflector layer 140. A protrusion 322 protruding horizontally from the wall portion 321 toward the light emitting device 100 may be formed and the protrusion 322 may be formed to cover at least a part of the upper surface of the reflector layer 140. The groove portion 320a may be formed to be surrounded by the wall portion 321 of the second resin portion 320, the protrusion portion 322, and the upper surface of the lead frame 200. [ On the other hand, as described above, the insulating layer 323 may be inserted between the reflector layer 140 and the lead frame 200. The insulating layer 323 integrally formed with the second resin part 320 may be disposed between the lower surface of the reflector layer 140 and the upper surface of the lead frame 200. [

리플렉터층(140)은 리드 프레임(200) 상부에 배치되는데, 종래에는 접착재를 이용하여 리드 프레임(200) 상부에 리플렉터층(140)을 접착시켰다. 접착재를 이용하면, 접착재 찌꺼기 등이 전극이나 와이어 등을 오염시킬 수 있다. 그러나, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 제2 수지부(320)에 홈부(320a)가 형성되고, 리플렉터층(140)의 일부, 예를 들면 최외곽부는 제2 수지부(320)의 홈부(320a)에 끼워져 고정된다. 따라서, 접착재없이 리플렉터층(140)가 리드 프레임(200)의 상부에 고정되므로 접착재의 사용으로 인한 오염을 방지하고, 비용을 절감할 수 있다.The reflector layer 140 is disposed on the top of the lead frame 200. In the related art, the reflector layer 140 is bonded to the top of the lead frame 200 using an adhesive. If an adhesive material is used, adhesive residues and the like can contaminate electrodes and wires. However, in the light emitting device package 1 according to the embodiment, a groove 320a is formed in the second resin part 320, and a part of the reflector layer 140, for example, the outermost part of the reflector layer 140, And is fixed to the groove portion 320a. Therefore, since the reflector layer 140 is fixed to the upper portion of the lead frame 200 without the adhesive material, the contamination due to the use of the adhesive can be prevented and the cost can be reduced.

또한, 리플렉터층(140)은 렌즈 가이드부(150)와 플레이트 가이드부(160)를 포함할 수 있다.The reflector layer 140 may include a lens guide portion 150 and a plate guide portion 160.

리플렉터층(140)의 상면에는, 벽부로부터 돌출된 돌출부에 의해 덮히지 않고 상부를 향해 개방된 부분이 있다. 이 개방된 부분과 돌출부의 끝단에 의하여 렌즈가 장착가능한 렌즈 가이드부(150)가 형성될 수 있다. 또한, 리플렉터층의 상부에는 벽부의 상면과 돌출부의 상면이 단차를 가지게 형성될 수 있으며, 이 단차에 의하여 플레이트가 장착될 수 있는 플레이트 가이드부(160)가 형성될 수 있다.On the upper surface of the reflector layer 140, there is a portion which is not covered by the protruding portion protruding from the wall portion but opened toward the upper portion. And the lens guide portion 150, to which the lens can be attached, can be formed by the open portion and the end of the protrusion. In addition, the upper surface of the wall portion and the upper surface of the protruding portion may be formed on the upper portion of the reflector layer, and the plate guide portion 160 on which the plate can be mounted may be formed by the step.

한편, 리플렉터층(140)의 고강도의 금속으로 이루어질 수 있다. 따라서, 변형이 어려우므로 리드 프레임(200) 상에 안정적으로 고정되면 정밀도가 높은 반사가 가능하다. 오목부(320b)에 대한 설명은 후술하도록 한다.On the other hand, the reflector layer 140 may be made of a high-strength metal. Therefore, when the lead frame 200 is stably fixed on the lead frame 200, it is difficult to deform the lead frame 200, so that highly accurate reflection is possible. The concave portion 320b will be described later.

도 4는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 평면도이고, 도 5는 리드 프레임의 사시도이다. FIG. 4 is a plan view of a light emitting device package according to the embodiment, and FIG. 5 is a perspective view of a lead frame.

도 1 내지 5를 참조하면, 리플렉터층(140)은 제1 프레임(210) 및 제2 프레임(220)에 상에 형성되고, 내측에 개구부(230)가 형성될 수 있다. 리플렉터층(140)의 개구부(230)에는 발광 소자(100)가 배치되고, 수지로 채워질 수 있다.1 to 5, the reflector layer 140 may be formed on the first frame 210 and the second frame 220, and an opening 230 may be formed on the inner side. The light emitting device 100 is disposed in the opening 230 of the reflector layer 140 and can be filled with resin.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220)의 일부는 굴곡이 형성되어 있다. 구체적으로, 제1 프레임(210)은, 제2 프레임(220)을 향하여 오목진 오목부(210a)를 가지고, 제2 프레임(220)는 제1 프레임(210)의 오목부(210a)에 대응되게 제1 프레임(210)을 향하여 볼록한 볼록부(220a)를 가질 수 있다. 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220)이 굴곡된 형상을 가지면, 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220) 사이에 배치되는 제1 수지부(310)와의 접촉면이 증가된다. 따라서, 리드 프레임(200)과 제1 수지부(310)의 접촉면이 증가하므로, 리드 프레임(200)과 수지부와의 밀착성이 증가하는 효과가 있다.4 and 5, a portion of the first frame 210 and the second frame 220 is curved. Specifically, the first frame 210 has a recessed concave portion 210a facing the second frame 220, and the second frame 220 corresponds to the concave portion 210a of the first frame 210 The convex portion 220a may have a convex portion 220a toward the first frame 210. [ When the first frame 210 and the second frame 220 have a curved shape, the contact surface between the first frame 210 and the first resin part 310 disposed between the second frame 220 is increased. Therefore, since the contact surface between the lead frame 200 and the first resin part 310 increases, the adhesion between the lead frame 200 and the resin part increases.

또한, 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 발광 소자 패키지(1)의 리드 프레임(200)은 두꺼운 구리 프레임이므로 형상의 자유도가 높다. 따라서, 리드 프레임(200)에 단차를 형성할 수 있으며, 개구부(230)도 단차를 갖게 된다. 따라서, 제1 수지부(310)는 제1 프레임(210) 및 제2 프레임(220) 사이의 개구부(230)의 형상에 따라 채워지므로, 제1 프레임(210) 및 제2 프레임(220)와 제1 수지부(310)와의 접촉면적이 증가한다. 따라서, 리드 프레임(200)과 제1 수지부(310)와의 밀착성을 증가시킬 수 있다. 또한, 리드 프레임(200)과 제1 수지부(310)가 단차를 가진 형태로 결합하므로, 리드 프레임(200)의 하부로부터 수분이나 이물질 등의 침투를 방지하는 성능이 증가한다. 2 to 5, since the lead frame 200 of the light emitting device package 1 is a thick copper frame, the degree of freedom of the shape is high. Therefore, a step can be formed in the lead frame 200, and the opening 230 also has a step. Accordingly, the first resin part 310 is filled according to the shape of the opening 230 between the first frame 210 and the second frame 220, so that the first frame 210 and the second frame 220 The contact area with the first resin part 310 increases. Therefore, the adhesion between the lead frame 200 and the first resin part 310 can be increased. In addition, since the lead frame 200 and the first resin part 310 are coupled in a stepped manner, the ability to prevent moisture, foreign matter, and the like from penetrating from the bottom of the lead frame 200 increases.

도 6은 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 저면 사시도이다.6 is a bottom perspective view of a light emitting device package according to the embodiment.

도 1 내지 도 6을 참고하면, 리드 프레임(200)의 제1 프레임(210) 및 제2 프레임(220) 사이에는 제1 수지부(310)가 배치된다. 제1 수지부(310)의 길이방향 양단부(310a)는 제1 프레임(210)을 향하여 폭방향으로 연장되게 형성되어, 제1 프레임(210)의 길이 방향 양단부의 일부가 제1 수지부(310)에 의해 매몰될 수 있다. 따라서, 제1 프레임(210)의 외부로 돌출된 단자와 제1 수지부(310) 사이의 틈이 제거되어, 제1 프레임(210)에 발광 소자(100)를 실장할 때 발생할 수 있는 이물질 등이 발광 소자 패키지(1) 내부로 침투하여 와이어 또는 전극 등을 오염시키는 것을 방지할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 6, the first resin part 310 is disposed between the first frame 210 and the second frame 220 of the lead frame 200. The longitudinal ends of the first resin part 310 extend in the width direction toward the first frame 210 so that a part of both ends of the longitudinal direction of the first frame 210 is connected to the first resin part 310 ). ≪ / RTI > Therefore, the gap between the terminal protruding out of the first frame 210 and the first resin part 310 is removed, so that the foreign matter, which may be generated when the light emitting device 100 is mounted on the first frame 210 It is possible to prevent the wire or the electrode from being contaminated by penetrating into the light emitting device package 1.

또한, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임(200)의 두께(h)를 두껍게 할 수 있기 때문에, 개구부(230) 및 개구부(230)에 삽입되는 제1 수지부(310)의 폭(W1)을 좁게 만들 수 있다. 구체적으로, 리드 프레임(200)의 두께(h)가 두껍기 때문에 리드 프레임(200)과 제1 수지부(310) 사이의 접촉면적이 충분하다. 따라서, 제1 수지부(310)의 상면(311)의 폭(W1)이 좁게 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1 수지부(310)의 상면(311)의 폭(W1)은 0.3~0.5mm일 수 있다. 제1 수지부(310)의 상면(311)의 폭이 0.3mm보다 작으면, 리드 프레임(200)과 제1 수지부(310) 사이의 밀착력이 충분하지 못하다. 또한, 제1 수지부(310)의 상면(311)의 폭이 0.5mm보다 크면 발광 소자(100)로부터 방출되는 빛이 반사되는 리드 프레임 상면이 좁아져 반사효율이 저하될 수 있다.Since the light emitting device package 1 according to the embodiment can increase the thickness h of the lead frame 200, it is possible to increase the thickness h of the first resin part 310 inserted into the opening part 230 and the opening part 230 The width W1 can be narrowed. Specifically, since the thickness h of the lead frame 200 is large, the contact area between the lead frame 200 and the first resin part 310 is sufficient. Therefore, the width W1 of the upper surface 311 of the first resin part 310 can be narrowed. Specifically, the width W1 of the upper surface 311 of the first resin part 310 may be 0.3 to 0.5 mm. If the width of the upper surface 311 of the first resin part 310 is smaller than 0.3 mm, the adhesion between the lead frame 200 and the first resin part 310 is insufficient. If the width of the upper surface 311 of the first resin part 310 is larger than 0.5 mm, the upper surface of the lead frame, in which light emitted from the light emitting device 100 is reflected, may be narrowed and the reflection efficiency may be reduced.

또한, 도 2 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 발광 소자 패키지(1)의 제1 수지부(310)는 저면(312)의 형상은 제1 수지부(310)의 상면의 형상과 다를 수 있다. 제1 수지부(310)의 저면(312)은 리드 프레임(200)과의 접촉면적을 증가시키도록 형성될 수 있다. 따라서, 제1 수지부(310)의 저면(312)의 폭은 상면의 폭보다 넓게 형성될 수 있으며, 복수의 굴곡부를 가질 수 있다. 구체적으로, 제1 수지부(310)의 저면(312)은 직선부와 굴곡부를 가질 수 있으며 직선부의 폭(W2)은 상면(311)의 폭(W1)보다 0.1mm 크게 형성될 수 있으며, 굴곡부 폭(W3)은 직선부 폭(W2)보다 0.1mm 더 크게 형성될 수 있다.2 to 6, the shape of the bottom surface 312 of the first resin part 310 of the light emitting device package 1 may be different from that of the top surface of the first resin part 310 . The bottom surface 312 of the first resin part 310 may be formed to increase the contact area with the lead frame 200. [ Therefore, the width of the bottom surface 312 of the first resin part 310 may be larger than the width of the upper surface, and may have a plurality of bent parts. Specifically, the bottom surface 312 of the first resin part 310 may have a straight portion and a bent portion. The width W2 of the straight portion may be formed to be 0.1 mm larger than the width W1 of the top surface 311, The width W3 may be formed to be larger than the straight portion width W2 by 0.1 mm.

도 7a 내지 도 7c는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지가 외부 기판 상에 결합된 상태를 나타내는 사시도이다.7A to 7C are perspective views illustrating a state in which the light emitting device package according to the embodiment is coupled to an external substrate.

도 6 내지 도 7c에 도시된 바와 같이, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)의 리드 프레임(200)은 수지부(300)의 저면에 형성되는 메인 단자와 수지부(300)의 길이방향 측면에 형성되는 보조 단자를 포함할 수 있다. 구체적으로, 리드 프레임(200)의 제1 프레임(210)은 수지부(300)의 저면에 형성되는 제1 메인 단자(210b) 및 수지부(300)의 측면에 형성되는 제1 보조 단자(210c)를 포함할 수 있다. 또한, 리드 프레임(200)의 제2 프레임(220)은 저면에 형성되는 제2 메인 단자(220b) 및 측면에 형성되는 제2 보조 단자(220c)를 포함할 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 외부 기판(500)과의 접속을 위한 메인 단자(210b, 220b)와 보조 단자(210c, 220c)를 가지므로, 보조 단자(210c, 220c)를 이용하여 발광 소자 패키지(1)의 검사 또는 수리 등에 이용할 수 있다. 또한, 제1 보조 단자(210c)를 이용하여 발광 소자(100)에서 발생되는 열을 방열시킬 수 있으며, 보조 단자(210c)를 이용하여 발광 소자 패키지(1)의 온도를 측정할 수 있다.6 to 7C, the lead frame 200 of the light emitting device package 1 according to the embodiment has a main terminal formed on the bottom surface of the resin part 300, As shown in FIG. The first frame 210 of the lead frame 200 includes a first main terminal 210b formed on the bottom of the resin part 300 and a first auxiliary terminal 210c formed on the side of the resin part 300. [ ). The second frame 220 of the lead frame 200 may include a second main terminal 220b formed on the bottom surface and a second auxiliary terminal 220c formed on the side surface. Therefore, since the light emitting device package 1 according to the embodiment has the main terminals 210b and 220b and the auxiliary terminals 210c and 220c for connection to the external substrate 500, the auxiliary terminals 210c and 220c It can be used for inspection or repair of the light emitting device package 1 or the like. The first auxiliary terminal 210c may be used to dissipate heat generated in the light emitting device 100 and the temperature of the light emitting device package 1 may be measured using the auxiliary terminal 210c.

도 7a 내지 도 7c에는 발광 소자 패키지(1)의 리드 프레임(200)의 보조 단자(210c, 220c)는 를 이용한 구체적인 실시 형태가 도시되어 있다. 7A to 7C show a specific embodiment in which the auxiliary terminals 210c and 220c of the lead frame 200 of the light emitting device package 1 are used.

도 1 내지 도 7a에 도시된 바와 같이, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 외부 기판(500)에 실장될 수 있다. 발광 소자 패키지(1)의 발광 소자(100)는 와이어에 의하여 제2 프레임(220)과 연결되고, 제2 프레임(220)의 제2 메인 단자(220b)는 외부 기판(500)의 전원 전극(510, 520)에 연결될 수 있다. 이때, 제2 메인 단자(220b)중 어느 하나가 전원 전극(510)과의 연결에 문제가 발생하는 경우에 제2 보조 단자(220c)를 이용하여 보조 전원 전극(530)에 연결할 수 있다. 따라서, 발광 소자 패키지(1)와 외부 기판(500)사이의 전기적 연결에 문제가 발생한 경우에 발광 소자 패키지(1)를 외부 기판(500)으로부터 제거하거나 외부 기판(500)을 추가 가공할 필요없이 제2 보조 단자(220c)를 이용하여 점검 및 수리를 할 수 있다. 1 to 7A, the light emitting device package 1 according to the embodiment may be mounted on the external substrate 500. [ The light emitting device 100 of the light emitting device package 1 is connected to the second frame 220 by wires and the second main terminal 220b of the second frame 220 is connected to the power supply electrode of the external substrate 500 510 and 520, respectively. At this time, when any one of the second main terminals 220b has a problem in connection with the power supply electrode 510, the second auxiliary terminal 220c may be used to connect to the auxiliary power supply electrode 530. [ Accordingly, when there is a problem in electrical connection between the light emitting device package 1 and the external substrate 500, the light emitting device package 1 is removed from the external substrate 500 or the external substrate 500 is not required to be further processed The second auxiliary terminal 220c can be used for inspection and repair.

또한, 도 1 내지 도 7c에 도시된 바와 같이, 발광 소자(100)로부터 발생된 열은 제1 프레임(210)에 전달되고, 보조 단자(210c, 220c)는 발광 소자 패키지(1)의 양측면에 노출되게 형성된다. 따라서, 제1 보조 단자(210c)는 발광 소자로부터 발생된 열을 방출하는 방열체의 역할을 할 수 있다. 또한, 제1 보조 단자(210c)는 발광 소자(100)의 온도를 측정할 수 있는 TC(Thermal Calculator)으로 기능할 수도 있다. 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 발광 소자(1)와 리드 프레임(200)이 직접 접촉하고 있기 때문에, 정확한 온도를 측정할 수 있다.1 to 7C, the heat generated from the light emitting device 100 is transmitted to the first frame 210, and the auxiliary terminals 210c and 220c are disposed on both sides of the light emitting device package 1 And is formed to be exposed. Accordingly, the first auxiliary terminal 210c can serve as a heat radiator that emits heat generated from the light emitting device. Also, the first auxiliary terminal 210c may function as a TC (Thermal Calculator) capable of measuring the temperature of the light emitting device 100. Since the light emitting device 1 and the lead frame 200 are in direct contact with each other in the light emitting device package 1 according to the embodiment, the accurate temperature can be measured.

도 8은 실시 형태에 따른 리드 프레임이 제거된 리드 프레임 원형의 사시도이다. 8 is a perspective view of a lead frame circular shape in which the lead frame according to the embodiment is removed.

도 5 내지 도 8을 참조하면, 리드 프레임 원형(400)은 제1 프레임(210), 제2 프레임(220)을 포함하고, 외곽 프레임(410)를 포함할 수 있다. 제1 프레임(210), 제2 프레임(220) 및 외곽 프레임(410) 사이에는 각각 개구부(230)가 형성될 수 있고, 각각의 개구부(230)에는 수지가 채워질 수 있다.5 through 8, the lead frame prototype 400 includes a first frame 210, a second frame 220, and an outer frame 410. An opening 230 may be formed between the first frame 210, the second frame 220 and the outer frame 410, and each opening 230 may be filled with resin.

도 1 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 수지부(320)의 외측의 상부에는 오목부(320b)가 형성될 수 있다. 리드 프레임 원형(400)은 외곽 프레임(410)에 오목부(320b)에 대응되게 형성된 볼록부(410a)를 포함할 수 있다. 따라서, 발광 소자 패키지(1)가 리드 프레임 원형(400)에 결합되어 있을 때, 볼록부(410a)는 오목부(320b)에 끼워지고, 오목부(320b)의 상부의 걸림턱에 걸림된다. 따라서, 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임 원형(400)으로부터 아래쪽으로는 움직임 구속된다. 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임 원형(400)의 윗쪽으로만 분리가 가능하다. 따라서, 발과 소자 패키지(1) 보관 및 운반이 용이하다. As shown in FIGS. 1 to 8, a concave portion 320b may be formed on an upper portion of the second resin portion 320. The lead frame circle 400 may include a convex portion 410a formed in the outer frame 410 to correspond to the concave portion 320b. Therefore, when the light emitting device package 1 is coupled to the lead frame circular mold 400, the convex portion 410a is fitted in the concave portion 320b and caught in the engagement protrusion on the upper portion of the concave portion 320b. Accordingly, the light emitting device package 1 is motion-constrained downward from the lead frame circular shape 400. [ The light emitting device package 1 can be separated only from the upper side of the lead frame circular shape 400. Therefore, it is easy to store and transport the foot and element package 1.

또한, 리드 프레임 원형(400)은 두껍기 때문에 발광 소자 패키지(1) 외측의 제2 수지부(320)와의 마찰력이 크다. 따라서, 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임 원형(400)과 접착재를 사용하지 않고 고정될 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 접착재를 사용하지 않고 리드 프레임 원형(400)에 고정되므로, 이물질이 발생되지 않는다.In addition, since the lead frame prototype 400 is thick, the frictional force with the second resin part 320 outside the light emitting device package 1 is large. Therefore, the light emitting device package 1 can be fixed without using the lead frame prototype 400 and the adhesive. Therefore, the light emitting device package 1 according to the embodiment is fixed to the lead frame prototype 400 without using an adhesive, so that foreign matter is not generated.

도 9는 리드 프레임 원형에 발광 소자가 실장되지 않은 발광 소자 패키지가 결합된 상태를 보여주는 사시도이다.9 is a perspective view showing a state in which a light emitting device package without a light emitting element is mounted on a lead frame circular shape.

도 1 및 도 9를 참조하면, 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임 원형(400)의 리드 프레임(200) 상에 배치된다. 수지가 리드 프레임(200) 상에 몰딩되어 수지부(300)가 형성되면, 리드 프레임(200)상에 발광 소자(1)를 실장한다.Referring to FIGS. 1 and 9, a light emitting device package 1 is disposed on a lead frame 200 of a lead frame circle 400. When the resin is molded on the lead frame 200 and the resin part 300 is formed, the light emitting element 1 is mounted on the lead frame 200.

이 때, 리드 프레임 원형(400)은 두 개의 발광 소자 패키지(1)가 장착되도록 2개의 리드 프레임(200)를 포함할 수 있다.At this time, the lead frame prototype 400 may include two lead frames 200 so that two light emitting device packages 1 are mounted.

도 10은 양산이 가능한 발광 소자 패키지의 구조를 나타내는 사시도이다.10 is a perspective view showing a structure of a light emitting device package capable of mass production.

도 10을 참조하면, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 2열로 연장되는 형태로 금형에 의하여 양산될 수 있다. 따라서, 발광 소자 소자 패키지(1)를 금형을 통해 양산가능하므로, 비용을 절감시킬 수 있다.Referring to FIG. 10, the light emitting device package 1 according to the embodiment can be mass-produced by a mold in two rows. Therefore, since the light emitting element device package 1 can be mass-produced through a mold, the cost can be reduced.

본 발명의 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는 발광칩이 가시광선을 방출하는 LED인 경우에는, 본 발명의 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는, 실내외의 각종 액정표시장치, 전광판, 가로등, 등의 조명 장치에 이용될 수 있다. 한편, 발광 소자 패키지의 발광칩이 심자외선을 방출하는 DUV LED인 경우에는, 본 발명의 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는 살균이나 정화를 위한 가습기나 정수기에 이용될 수 있다.In the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, when the light emitting chip is an LED that emits visible light, the light emitting device package according to the embodiment of the present invention can be applied to various types of liquid crystal display devices such as indoor and outdoor liquid crystal display devices, Device. ≪ / RTI > Meanwhile, when the light emitting chip of the light emitting device package is a DUV LED emitting deep ultraviolet rays, the light emitting device package according to the embodiment of the present invention can be used for a humidifier or a purifier for sterilization or purification.

이하에서는, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)의 제조 공정에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, a manufacturing process of the light emitting device package 1 according to the embodiment will be described.

도 11a 내지 도 11f는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 제조 공정을 설명하는 도면이다.11A to 11F are views for explaining a manufacturing process of the light emitting device package according to the embodiment.

발광 소자 패키지(1)는 금형에 의하여 제조될 수 있으며, 발광 소자 패키지(1)의 상하가 뒤집혀 제조되므로, 제조 공정에 대한 설명에 있어서는 상하를 바꾸어 설명하도록 한다.Since the light emitting device package 1 can be manufactured by a mold and the upper and lower parts of the light emitting device package 1 are manufactured by reversing the upper and lower sides of the light emitting device package 1,

먼저, 도 11a에 도시된 바와 같이, 하부 금형(510)에 리플렉터층(140)이 결합된다. 다음으로, 도 11b에 도시된 바와 같이, 리플렉터층(140)이 결합된 하부 금형(510)에 리드 프레임(200)이 결합된다. 다음으로, 도 11c에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(200) 상에 상부 금형(520)이 결합된다. 이 때, 리드 프레임(200)의 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220) 사이의 개구부(230)에는 수지 주입부(521)가 대응되도록 결합된다. 그 다음으로, 수지 주입부(521)를 통해 수지를 주입한다. 주입된 수지에 의하여 제1 수지부(310)와 제2 수지부(320)가 형성된다. 다음으로, 상부 금형(520)을 리드 프레임(200)으로부터 제거한다. 마지막으로, 하부 금형(510)으로부터 리드 프레임(200), 리플렉터층(140), 제1 수지부(310) 및 제2 수지부(320)를 제거하면 발광 소자 패키지(1)가 형성된다. 이렇게 형성된 발광 소자 패키지(1)는 도 8에 도시되어 있다.First, as shown in FIG. 11A, the reflector layer 140 is coupled to the lower mold 510. Next, as shown in FIG. 11B, the lead frame 200 is coupled to the lower mold 510 to which the reflector layer 140 is coupled. Next, as shown in Fig. 11C, the upper mold 520 is coupled onto the lead frame 200. Fig. At this time, the resin injection portion 521 is associated with the opening 230 between the first frame 210 and the second frame 220 of the lead frame 200 to correspond to each other. Next, the resin is injected through the resin injecting section 521. The first resin part 310 and the second resin part 320 are formed by the injected resin. Next, the upper mold 520 is removed from the lead frame 200. Finally, the light emitting device package 1 is formed by removing the lead frame 200, the reflector layer 140, the first resin part 310, and the second resin part 320 from the lower mold 510. The light emitting device package 1 thus formed is shown in Fig.

도 11a 내지 도 11c를 참조하면, 리플렉터층(140)은 리드 프레임(200) 상에 배치되고, 발광 소자가 배치될 수 있도록 중앙부에 중공(中空)부를 가진다. 리드 프레임(200)의 상측으로 수직하게 형성되는 베이스부(141), 및 경사진 반사면을 가지고 베이스부(141) 상에 위치하는 경사부(142)를 포함한다. 이때, 리플렉터층(140)은 금형에 의하여 형성되므로, 금속재질일 수 있고, 베이스부(141)와 경사부(142)는 일체로 형성될 수 있다.Referring to Figs. 11A to 11C, the reflector layer 140 is disposed on the lead frame 200, and has a hollow portion at the center so that the light emitting element can be disposed. A base portion 141 formed vertically to the upper side of the lead frame 200 and an inclined portion 142 disposed on the base portion 141 with an inclined reflecting surface. Since the reflector layer 140 is formed by a metal mold, the reflector layer 140 may be made of a metal, and the base portion 141 and the inclined portion 142 may be integrally formed.

이러한 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는, 리플렉터층(140)이 금형에 의하여 일체로 형성되므로 리플렉터층(140)은 전체적으로 균일하게 형성되어 반사의 정밀도가 높아지는 효과가 있다. 또한, 종래에는 리플렉터층(140)의 제작의 편의를 위하여 리드(lead)를 사용하는 경우가 있었는데, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)의 리플렉터층(140)은 리드를 사용하지 않기 때문에, 외부로부터 수지부(300)를 통하여 이물질 등이 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 리플렉터층(140)은 발광 소자로부터 방출된 빛을 반사하기 위하여 경사진 반사면을 갖는 경사부(142)를 포함하는데, 발광 소자 패키지(1)의 금형 공정시에 경사부(142)는 일측으로 기울어 질 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 경사부(142)의 아래에 일체로 형성되는 베이스부(141)를 포함하여 리플렉터층(140)이 기울어지는 것을 방지할 수 있다. 리플렉터층(140)과 리드 프레임(200) 상이에는 최소 0.1mm 이격되어 제조될 수 있으며, 이격된 공간 사이에는 절연층(323)이 형성될 수 있다.In the light emitting device package 1 according to this embodiment, since the reflector layer 140 is integrally formed by a metal mold, the reflector layer 140 is uniformly formed as a whole, thereby enhancing the precision of reflection. In the related art, a lead is used for the convenience of manufacturing the reflector layer 140. Since the reflector layer 140 of the light emitting device package 1 according to the embodiment does not use leads, It is possible to prevent foreign matter or the like from penetrating into the inside through the resin part 300 from the outside. In addition, the reflector layer 140 includes an inclined portion 142 having an inclined reflecting surface for reflecting light emitted from the light emitting element. In the mold process of the light emitting device package 1, the inclined portion 142 It can be tilted to one side. Therefore, the light emitting device package 1 according to the embodiment includes the base portion 141 integrally formed under the inclined portion 142 to prevent the reflector layer 140 from tilting. The reflector layer 140 and the lead frame 200 may be spaced apart from each other by at least 0.1 mm. An insulating layer 323 may be formed between the spaced apart spaces.

도 12는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지가 리드 프레임 원형에 형성된 최종 형태를 나타내는 도면이다.12 is a diagram showing a final shape in which a light emitting device package according to the embodiment is formed in a lead frame circular shape.

실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 도 8에 도시된 리드 프레임(200)과 리드 프레임 원형(400) 사이의 제2 (430)을 제거한 것이다. 따라서, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임 원형(400)에 걸림되어 결합되어 있으므로, 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임 원형(400)으로부터 용이하게 제거될 수 있다.The light emitting device package 1 according to the embodiment is obtained by removing the second 430 between the lead frame 200 shown in FIG. 8 and the lead frame prototype 400. Therefore, since the light emitting device package 1 according to the embodiment is engaged with the lead frame circular mold 400, the light emitting device package 1 can be easily removed from the lead frame circular mold 400.

이처럼, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)의 리플렉터층(140)은 리드 프레임(200) 상에 도금이나 박판 금속을 성형한 리플렉터층보다 정확도가 높다. 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)의 리플렉터층(140)은 금형에 의해 형성되므로, 금속으로 형성될 수 있으며, 절단되지 않고 일체로 형성될 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)의 리플렉터층(140)의 경사면을 가공할 수 있어서, 반사율을 보다 높일 수 있다. 종래에는 수지층 등에 도금이나 얇은 금속 박판을 이용하여 리플렉터층을 형성하였기 때문에, 빛의 반사가 고르지 못하였으나, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 금속 리플렉터층(140)이 금형에 의하여 일체로 형성되고 금속으로 형성되므로, 반사의 정밀도가 높다. 또한, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(10)의 리플렉터층(140)은 금형에 의하여 형성되므로 리드를 이용하지 않고 제조될 수 있다. 따라서, 리플렉터층(140)이 제2 수지부(320)에 의하여 완전히 둘러싸이기 때문에 외부로부터의 이물질 등의 침투가 발생하지 않는 효과가 있다.As described above, the reflector layer 140 of the light emitting device package 1 according to the embodiment is higher in accuracy than the reflector layer formed by plating or thin metal plate on the lead frame 200. Since the reflector layer 140 of the light emitting device package 1 according to the embodiment is formed by a metal mold, the reflector layer 140 may be formed of metal and may be integrally formed without being cut. Therefore, the inclined surface of the reflector layer 140 of the light emitting device package 1 according to the embodiment can be processed, and the reflectance can be further increased. In the conventional light emitting device package 1 according to the embodiment, since the reflector layer is formed by plating or using a thin metal plate in the resin layer or the like, light reflection is uneven. However, in the light emitting device package 1 according to the embodiment, So that the precision of reflection is high. In addition, since the reflector layer 140 of the light emitting device package 10 according to the embodiment is formed by a metal mold, the reflector layer 140 can be manufactured without using a lead. Therefore, since the reflector layer 140 is completely surrounded by the second resin part 320, the penetration of foreign matter or the like from outside does not occur.

도 13a 및 도 13b는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지로부터 제거 핀이 제거하는 것을 설명하기 위한 도면이다.13A and 13B are views for explaining removal of the removing pin from the light emitting device package according to the embodiment.

도 13a 및 도 13b에 도시된 바와 같이, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는 하부 금형(610)으로부터 리플렉터층(140)을 제거하기 위한 제거핀(600)이 발광 소자 패키지의 내부(A)가 아니라 외부에 형성될 수 있다. 제거핀(600)이 성형한 본체, 즉 발광 소자 패키지(1)의 외부에 위치하면 프레임이 휘어져 변형이 발생하기 때문에, 제거핀(600)은 성형한 본체의 내부(A)에 위치하는 것이 일반적이고, 이러한 제거핀(600)은 본체로부터 분리될 때, 제거 자국이 남게 되는 문제가 있다. 그러나, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임(200)이 충분히 두껍기 때문에 제거핀(600)이 발광 소자 패키지(1)의 외측에 형성되더라도 제거핀(600)이 분리될 때의 응력에 대하여 견딜 수 있다. 따라서, 제거핀(600)이 발광 소자 패키지(1)의 외측에 형성되므로, 발광 소자가 실장되거나 와이어에 의하여 연결되는 내부(A)에 제거핀(600)의 제거 자국이 남지 않는 효과가 있다.13A and 13B, in the light emitting device package according to the embodiment, the removal pin 600 for removing the reflector layer 140 from the lower mold 610 is not the inside A of the light emitting device package Can be formed on the outside. Since the frame is bent and deformed when the removal pin 600 is positioned outside the molded body, that is, the light emitting device package 1, the removal pin 600 is located in the interior A of the molded body There is a problem that when the removing pin 600 is separated from the main body, the removing mark remains. However, since the lead frame 200 is sufficiently thick, the light emitting device package 1 according to the embodiment has a problem that even when the removing pin 600 is formed on the outside of the light emitting device package 1, . Therefore, since the removal pin 600 is formed on the outside of the light emitting device package 1, there is an effect that the removal mark of the removal pin 600 is not left on the inside A where the light emitting device is mounted or connected by the wire.

도 14a 및 도 14b는 실시 형태에 따른 리플렉터층과 리드 프레임의 결합방법을 설명하기 위한 도면이다.Figs. 14A and 14B are views for explaining a method of combining the reflector layer and the lead frame according to the embodiment. Fig.

도 11a 내지 도 11f, 도 14a 및 도 14b에 도시된 바와 같이, 전술한 발광 소자 패키지(1)의 제조 공정에 있어서, 리플렉터층(140)상에 접착시트(700)가 배치될 수 있다. 이 접착시트(700)는 리플렉터층(140)과 리드 프레임(200)의 제2 프레임(220) 사이를 접착시킬 수 있다. 이 접착시트(700)를 이용하면 절연층(323)이 배치되는 리플렉터층(140)과 리드 프레임(200) 사이의 공간이 더욱 얇게 형성될 수 있는 효과가 있다. The adhesive sheet 700 may be disposed on the reflector layer 140 in the manufacturing process of the above-described light emitting device package 1, as shown in Figs. 11A to 11F, 14A and 14B. This adhesive sheet 700 can adhere between the reflector layer 140 and the second frame 220 of the lead frame 200. When the adhesive sheet 700 is used, the space between the reflector layer 140 on which the insulating layer 323 is disposed and the lead frame 200 can be formed thinner.

이상에서 실시 형태를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 형태의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 형태에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various variations and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

1: 발광 소자 패키지
100: 발광 소자
110: 발광칩
120: 서브 마운트
130: 와이어
140: 리플렉터
150: 렌즈 가이드부
160: 플레이트 가이드부
200: 리드 프레임
210: 제1 프레임
210a: 오목부
210b: 제1 메인 단자
210c: 제1 보조 단자
220: 제2 프레임
220a: 볼록부
220b: 제2 메인 단자
220c: 제2 보조 단자
230: 개구부
300: 수지부
310: 제1 수지부
310a: 양단부
320: 제2 수지부
320a: 홈부
320b: 오목부
321: 벽부
322: 돌출부
323: 절연층
400: 리드 프레임 원형
410: 외곽 프레임
410a: 볼록부
500: 외부 기판1: Light emitting device package
100: Light emitting element
110: Light emitting chip
120: Submount
130: wire
140: Reflector
150: Lens guide part
160: plate guide portion
200: Lead frame
210: first frame
210a:
210b: first main terminal
210c: first auxiliary terminal
220: second frame
220a:
220b: second main terminal
220c: second auxiliary terminal
230: opening
300:
310: first resin part
310a:
320: second resin part
320a:
320b:
321: wall portion
322:
323: Insulating layer
400: Lead frame round
410: outer frame
410a:
500: external substrate

Claims (19)

발광칩 및 상기 발광칩이 탑재되는 서브 마운트(sub mount)를 포함하는 발광 소자;
상기 발광 소자가 실장되는 리드 프레임(lead frame);
상기 리드 프레임 상에 배치되고, 상기 발광 소자로부터 방출된 빛을 반사하는 리플렉터(reflector)층; 및
상기 리드 프레임 및 상기 리플렉터층 사이에 위치하는 절연층
을 포함하는, 발광 소자 패키지.A light emitting element including a light emitting chip and a sub mount on which the light emitting chip is mounted;
A lead frame on which the light emitting device is mounted;
A reflector layer disposed on the lead frame, the reflector layer reflecting light emitted from the light emitting element; And
An insulating layer disposed between the lead frame and the reflector layer,
Emitting device package. 제1항에 있어서,
상기 리드 프레임 및 상기 리플렉터층의 외측을 둘러싸는 수지부를 더 포함하고,
상기 절연층은 상기 수지부와 일체로 형성되는,
발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Further comprising a resin portion surrounding an outer side of the lead frame and the reflector layer,
Wherein the insulating layer is integrally formed with the resin portion,
A light emitting device package. 제1항에 있어서,
상기 리플렉터층은 금속으로 이루어지는,
발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the reflector layer comprises a metal,
A light emitting device package. 제3항에 있어서,
상기 금속은 순 알루미늄인,
발광 소자 패키지.The method of claim 3,
Wherein the metal is pure aluminum,
A light emitting device package. 제3항에 있어서,
상기 리플렉터층은 금형에 의하여 제조되는,
발광 소자 패키지.The method of claim 3,
The reflector layer is made of a metal,
A light emitting device package. 제1항에 있어서,
상기 절연층의 두께는 0.1~0.15 mm인,
발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the insulating layer is 0.1 to 0.15 mm,
A light emitting device package. 제1항에 있어서,
상기 절연층은 검은색의 수지를 포함하는, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the insulating layer comprises a black resin. 제1항에 있어서,
상기 리드 프레임은,
상기 발광 소자가 실장되는 제1 프레임과 상기 제1 프레임의 양측에 배치되는 제2 프레임, 및 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이에 형성되는 개구부를 포함하고,
상기 수지부는, 상기 개구부에 삽입되는 수지 채움부를 포함하는,
발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
The lead frame includes:
A first frame on which the light emitting element is mounted, a second frame disposed on both sides of the first frame, and an opening formed between the first frame and the second frame,
Wherein the resin portion includes a resin filling portion inserted into the opening portion,
A light emitting device package. 제8항에 있어서,
상기 수지 채움부는,
상면의 폭이 하면의 폭보다 좁은,
발광 소자 패키지.9. The method of claim 8,
The resin-
The width of the upper surface is narrower than the width of the lower surface,
A light emitting device package. 제8항에 있어서,
상기 제1 프레임은 상기 제2 프레임을 향하여 오목진 오목부를 포함하고, 상기 제2 프레임은 상기 오목부에 대응되고 상기 제1 프레임을 향하여 볼록한 볼록부를 포함하는,
발광 소자 패키지.9. The method of claim 8,
Wherein the first frame includes concave recesses toward the second frame and the second frame includes convex portions corresponding to the concave portions and convex toward the first frame.
A light emitting device package. 제8항에 있어서,
상기 수지 채움부의 길이 방향의 양단부는 폭방향으로 연장되어 상기 제1 프레임의 일부를 매몰시키는,
발광 소자 패키지.9. The method of claim 8,
Both end portions in the longitudinal direction of the resin filling portion extend in the width direction to burrow a part of the first frame,
A light emitting device package. 제8항에 있어서,
상기 리드 프레임은,
상기 개구부의 형상이 단차를 갖도록 형성되는,
발광 소자 패키지.9. The method of claim 8,
The lead frame includes:
Wherein the shape of the opening is formed to have a step,
A light emitting device package. 제8항에 있어서,
상기 수지 채움부의 상면의 폭은 0.3~0.5mm인,
발광 소자 패키지.9. The method of claim 8,
Wherein a width of the upper surface of the resin filled portion is 0.3 to 0.5 mm,
A light emitting device package. 제8에 있어서,
상기 발광칩은 190~400 nm의 파장을 발광하는 발광칩인,
발광 소자 패키지.In the eighth aspect,
Wherein the light emitting chip is a light emitting chip that emits a wavelength of 190 to 400 nm,
A light emitting device package. 제14항에 있어서,
상기 발광칩은 250~280 nm의 파장을 발광하는 발광칩인,
발광 소자 패키지.15. The method of claim 14,
Wherein the light emitting chip is a light emitting chip emitting light having a wavelength of 250 to 280 nm,
A light emitting device package. 제8에 있어서,
상기 제2 프레임은 상기 발광 소자와 와이어를 통해 전기적으로 연결되는,
발광 소자 패키지.In the eighth aspect,
Wherein the second frame is electrically connected to the light emitting element through a wire,
A light emitting device package. 제2항에 있어서,
상기 수지부는,
검은색의 수지를 포함하는,
발광 소자 패키지.3. The method of claim 2,
The resin part
Containing black resin,
A light emitting device package. 제17항에 있어서,
상기 검은색의 수지는 방향족 나이론인,
발광 소자 패키지.18. The method of claim 17,
Wherein the black resin is an aromatic nylon,
A light emitting device package. 제1항에 있어서,
상기 리플렉터층의 상부에는 렌즈가 배치될 수 있는 렌즈 가이드부가 형성되고,
상기 제2 수지부의 상부에는 플레이트가 배치될 수 있는 플레이트 가이드부가 형성되는,
발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
A lens guide portion capable of disposing a lens is formed on the reflector layer,
And a plate guide portion capable of disposing a plate is formed on an upper portion of the second resin portion,
A light emitting device package.
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