KR20160002470A - 양자 막대 표시장치 및 양자 막대의 제조방법 - Google Patents

양자 막대 표시장치 및 양자 막대의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 서로 마주하는 제 1 기판 및 제 2 기판과; 상기 제 1 기판에 형성되며 서로 교대로 배열되는 화소 전극 및 공통 전극과; 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 위치하며, 나노 크기를 갖는 반도체 물질로 형성된 코어(Core)와, 상기 코어를 감싸는 반도체 물질로 형성된 막대 형태의 쉘(Shell), 및 상기 쉘을 감싸는 유기 리간드(Ligand)를 포함하는 양자 막대를 포함하는 양자 막대층과; 상기 제 1 기판 하부에 위치하는 백라이트 유닛;을 포함하며, 상기 코어가 상기 쉘의 가운데에 위치하는 것을 특징으로 하는 양자 막대 표시장치 및 상기 양자 막대를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면 양자 막대 표시장치의 명암비를 향상시키고 구동 전압을 낮출 수 있다.

Description

양자 막대 표시장치 및 양자 막대의 제조방법{Quantum rod display device and Manufacturing of the Quantum rod}
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 낮은 구동 전압을 갖는 양자 막대 표시장치와 그 양자 막대를 제조하는 방법에 관한 것이다.
대량의 정보가 요구되는 정보화 시대에 도래함에 따라 영상표시장치인 디스플레이 분야가 급속도로 발전되면서 평판표시장치의 개발이 각광받고 있다.
이 같은 평판표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel: PDP), 전기발광표시장치(Electroluminescence Display: ELD), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diode: OLED) 등이 있으며, 점차 박형화, 경량화, 저소비전력화 등 소비자의 기대에 부응하는 성능을 보이며 빠르게 발전해가고 있다.
한편, 최근에는 양자 막대(quantum rod)를 표시장치에 이용하고자 하는 연구가 진행되고 있다.
양자 막대들은 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100∼1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생하며, 입자의 크기를 조절하면 원하는 파장의 가시광선 영역의 빛을 모두 낼 수 있다. 또한 양자 막대는 선편광을 내는 특성을 가지며 stark effect에 의해 외부 전기장이 인가되면 전자와 정공이 분리되어 발광을 조절할 수 있는 광학적 특성을 지니고 있다. 따라서, 이러한 특성을 이용하면 표시장치의 광효율을 향상시킬 수 있는 장점을 갖는다.
양자 막대를 표시장치에 이용하기 위해서는 양자 막대에 의한 발광이 조절되어야 한다. 전술한 바와 같이, 양자 막대에 외부 전기장이 인가되면 전자와 정공이 분리되어 발광이 멈추게 된다.
그런데, 종래의 양자 막대는 전기장 인가에 의한 발광 OFF 조절에 어려움이 있다. 기존 보고된 양자 막대는 쉘(Shell)의 형성 시 서로 다른 양쪽 성장 반응성에 의해 코어(Core)가 한쪽으로 치우친 양자 막대가 형성이 된다.
이렇게 형성된 양자 막대는 도 1과 같이 전압에 의해 유도된 쌍극자 모멘트로 인해 전극(153)에 수직으로 정렬이 되는데, 이때 코어(151)의 위치는 랜덤(Random)한 방향성을 갖는다.
도 2를 참고하면, 외부 전기장이 인가되어 한쪽 전극(153a)에는 전압이, 다른 한쪽 전극(153b)에는 +전압이 걸리면, 전자가 코어(151)로부터 +전압이 걸린 전극(153b)쪽의 쉘(152)로 이동하게 되면서 전자와 정공이 분리되어 발광이 멈추게 된다. 이때 왼쪽으로 배열된 코어(151a)를 포함한 양자 막대는 전자가 쉘(152a)로 완전히 분리될 수 있으므로 높은 명암비(Contrast Ratio)를 보일 수 있다. 그러나, 오른쪽으로 배열된 코어(151b)를 포함한 양자 막대는 전자가 쉘(152b)로 이동할 수 있는 공간이 부족하므로 낮은 명암비를 보이게 된다.즉, 이를 통해 전체적인 명암비가 낮아지며, 그에 따라 더 높은 구동 전압을 요구하게 된다.
전술한 문제를 해결하기 위해서는, 양자 막대가 배열될 때 코어의 위치를 조절해야 하는데 이는 어려움이 있다. 따라서 높은 명암비를 보이며, 구동 전압을 낮출 수 있는 양자 막대의 개발이 요구된다.
따라서, 본 발명은 코어가 가운데에 위치하는 양자 막대를 사용함으로써 높은 명암비를 보이고 구동 전압을 낮출 수 있는 양자 막대 표시장치를 개발하고자 한다.
상기 과제의 해결을 위하여 본 발명은 서로 마주하는 제 1 기판 및 제 2 기판과; 상기 제 1 기판에 형성되며 서로 교대로 배열되는 화소 전극 및 공통 전극과; 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 위치하며, 나노 크기를 갖는 반도체 물질로 형성된 코어(Core)와, 상기 코어를 감싸는 반도체 물질로 형성된 막대 형태의 쉘(Shell), 및 상기 쉘을 감싸는 유기 리간드(Ligand)를 포함하는 양자막대를 포함하는 양자막대층과; 상기 제 1 기판 하부에 위치하는 백라이트 유닛;을 포함하며, 상기 코어가 상기 쉘의 가운데에 위치하는 것을 특징으로 하는 양자 막대 표시소자를 제공한다.
본 발명의 양자 막대 표시소자에 있어서, 상기 코어는 CdSe, CdTe, CdS, CdSeS, InP, InAs, InSb, ZnSe, ZnSeS, ZnTe, ZnSe(Mn), ZnSe(Cu), ZnS(Cu), ZnInS, ZnInSe, ZnInTe, CuInS, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, AlAs, AlP, 및 AlSb 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
본 발명의 양자 막대 표시소자에 있어서, 상기 쉘은 CdS, CdSeS, CdTe, ZnSe, ZnSeS, ZnS, ZnTe, ZnSe(Mn), ZnSe(Cu), ZnS(Cu), ZnInS, ZnInSe, ZnInTe, SiO, TiO, ZnO, 및 MgO 중 적어도 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
본 발명의 양자 막대 표시소자에 있어서, 상기 유기 리간드는 TOP(Trioctyl phosphine), TOPO(Trioctyl phosphine oxide), 올레인산(Oleic acid) 및 헥사데실 아민(Hexadecyl amine) 중 어느 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 양자 막대 표시소자에 있어서, 상기 쉘의 길이와 상기 코어의 직경의 비는 10 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양자 막대 표시소자에 있어서, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극은 제 1 방향을 따라 연장되고, 상기 퀀텀로드의 장축은 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 배열될 수 있으며, 상기 제 2 기판의 외측에 위치하며 상기 제 2 방향과 평행한 투과축을 갖는 편광판을 더 포함할 수 있다.
다른 관점에서, 본 발명은 나노 크기를 갖는 반도체 물질로 형성된 코어(Core) 씨드(Seed)를 형성하는 단계; 반도체 물질로 형성된 막대 형태의 쉘(Shell) 씨드(Seed)를 형성하는 단계; 상기 쉘 씨드를 쉘로 성장시키는 단계; 상기 쉘 씨드를 성장시키는 단계 중간에 상기 코어 씨드를 주입하는 단계; 및 상기 쉘을 원하는 장축 직경으로 성장시키는 단계를 포함하는 양자 막대의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 양자 막대 제조 방법에 있어서, 상기 코어 씨드를 주입하는 단계는 상기 쉘의 최종 장축 직경의 1/2 되는 시점인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양자 막대 제조 방법에 있어서, 상기 코어가 상기 쉘의 가운데에 위치하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양자 막대 제조 방법에 있어서, 상기 코어는 CdSe, CdTe, CdS, CdSeS, InP, InAs, InSb, ZnSe, ZnSeS, ZnTe, ZnSe(Mn), ZnSe(Cu), ZnS(Cu), ZnInS, ZnInSe, ZnInTe, CuInS, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, AlAs, AlP, 및 AlSb 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양자 막대 제조 방법에 있어서, 상기 코어는 CdSe, CdTe, CdS, CdSeS, InP, InAs, InSb, ZnSe, ZnSeS, ZnTe, ZnSe(Mn), ZnSe(Cu), ZnS(Cu), ZnInS, ZnInSe, ZnInTe, CuInS, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, AlAs, AlP, 및 AlSb 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양자 막대 제조 방법에 있어서, 상기 쉘의 길이와 상기 코어의 직경의 비는 10 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제조 방법을 통해 형성된 양자 막대는 코어가 쉘의 가운데에 위치하여 전극을 기준으로 코어의 방향성이 없도록 배열할 수 있다.
그에 따라, 외부 전기장 인가 시 전자의 이동이 용이해져 낮은 전압에서도 발광 OFF가 가능해진다.
또한, 코어가 쉘의 가운데에 위치하면서 높은 명암비를 보일 수 있다.
이와 같은 양자 막대를 이용하는 양자 막대 표시장치는, 액정표시장치에서 요구되는 편광판과 컬러필터층을 생략할 수 있기 때문에, 표시장치의 두께 감소와 제조 원가 절감의 효과를 갖는다.
도 1은 종래의 양자 막대를 배열시키는 과정을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 A부분을 확대한 평면도이다.
도 3a는 종래의 양자 막대 제조방법을 나타낸 개략적인 도면이다.
도 3b는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 양자 막대 제조방법을 나타낸 개략적인 도면이다.
도 4a는 본 발명의 비교예 1에 따라 제조된 양자 막대의 TEM 이미지와 EDS(Energy Disperse X-ray Spectrometer) 스펙트럼이다.
도 4b는 본 발명의 비교예 2에 따라 제조된 양자 막대의 TEM 이미지와 EDS(Energy Disperse X-ray Spectrometer) 스펙트럼이다.
도 4c는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 양자 막대의 TEM 이미지와 EDS(Energy Disperse X-ray Spectrometer) 스펙트럼이다.
도 5은 본 발명의 코어 위치에 따른 양자 막대들의 구동 전압 대비 PL 세기를 보여주는 그래프이다.
도 6는 본 발명의 양자 막대 표시장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예에 대하여 상세하게 설명한다.
종래의 양자 막대 제조 방법을 도 3a와 함께 살펴보면, 먼저 코어(151) 씨드를 형성하여 원하는 파장대의 빛을 낼 수 있는 크기로 성장시키고, 상기 코어(151)에 쉘(152)이 형성될 수 있도록 쉘(152) 씨드를 첨가하여 성장시킨다. 이때 쉘(152)은 한쪽 방향으로만 성장하여 코어(151)가 한쪽으로 치우친 양자 막대가 형성되는 것이다.
반면, 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 양자 막대 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 3b에서 알 수 있듯이, 본 발명의 실시예에 따른 양자 막대는 종래와는 달리 먼저 코어(251) 씨드와 쉘(252b) 씨드를 각각 형성시키고, 쉘 씨드를 원하는 길이의 쉘(252a)로 성장시킨다. 초기 쉘(252a)의 길이가 원하는 최종 쉘(252b)의 길이의 1/2이 되면, 앞서 형성시킨 코어(251) 씨드를 첨가하여 초기 쉘(252a)과 코어(251)를 결합시키고 나머지 반응물을 주입하여 최종 쉘(252b)로 완전히 성장시킨다.
이렇게 성장한 양자 막대의 코어(251)는 양자 막대의 가운데에 위치하게 된다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 코어가 가운데에 위치한 양자 막대의 일 예로서 CdSe/CdS 양자 막대의 합성 방법을 설명하기로 한다.
- 제 1 합성 예
먼저 Cadmium Oxide 62 mg과 Octadecylphosphonic acid 280 mg, TriOctylPhosphine Oxide 3 g을 반응 플라스크에 넣고 150℃에서 1시간동안 진공에서 건조시킨다. 그 후 질소 가스 하에서 370℃로 교반하여 Cd 전구체(precursor)를 형성시킨다.
이때 또 다른 반응 플라스크에 Sulfur 23.5 mg과 1-Octadecene 0.3 mL를 혼합하여 300℃에서 10분 교반하여 S 전구체를 형성시킨 후 상온에 보관한다.
Cd 전구체가 형성된 반응 플라스크에 S 전구체를 주입하여 적정 시간동안 교반 후 Toluene과 Methanol을 이용하여 3회 정제하면 원하는 크기의 CdS 씨드가 형성된다.
- 제 2 합성 예
Cadmium Oxide 62 mg과 Octadecylphosphonic acid 280 mg, TriOctylPhosphine Oxide 3 g을 반응 플라스크에 넣고 150℃에서 1시간동안 진공에서 건조시킨다. 그 후 질소 가스 하에서 350℃로 교반하여 Cd 전구체(precursor)를 형성시킨다.
이때 또 다른 반응 플라스크에 Selenium 58 mg과 Trioctylphosphine 2 ml를 혼합하여 120℃에서 10분 교반하여 Se 전구체를 형성시킨 후 상온에 보관한다.
Cd 전구체가 형성된 반응 플라스크에 Se 전구체를 주입하여 적정 시간동안 교반 후 Toluene과 Methanol을 이용하여 3회 정제하면 원하는 크기의 CdSe 씨드가 형성된다.
- 제 3 합성 예
Cadmium Oxide 90 mg과 Octadecylphosphonic acid 290 mg, Hexylphosphonic acid 80 mg을 반응 플라스크에 넣고 150℃에서 1시간동안 진공에서 건조시킨다. 질소 가스 하에서 350℃로 올린 후 Trioctylphosphine 1 ml와 제 1 합성 예에서 제조한 CdS 씨드 10 mg을 주입하고 20초동안 교반시킨다. 그 후 제 2 합성 예에서 제조한 CdSe 씨드 10 mg과 Trioctylphosphine 1.8 ml 및 Sulfur 120 mg을 주입하여 8분 동안 성장시킨 후 Toluene과 Methanol을 이용하여 3회 정제하면 코어가 가운데 위치하는 양자 막대를 얻는다.
상기 합성 예들을 통하여 본원 발명의 실시예에 따른 CdSe/CdS 양자 막대 및 비교예인 종래 합성 방법으로 만들어진 CdSe/CdS 양자 막대의 발광 파장을 비롯한 반측폭(FWHM), 발광 효율, OFF율을 측정하여 하기 표 1에 정리하였다.
Figure pat00001
상기 표 1을 참고하면, 본 발명의 실시예에 따른 CdSe/CdS 양자 막대의 OFF율이 비교예인 CdSe/CdS 양자 막대의 OFF율 보다 37%나 상승한 것을 확인할 수 있다. 게다가 98%로 거의 100%에 가까운 OFF율을 보인다. 즉, 동일 구동 전압 하에서 명암비가 훨씬 높다는 것을 알 수 있다.
도 4a 내지 도 4c는 각각 본 발명의 비교예 1, 비교예 2 및 실시예에 따른 CdSe/CdS 양자 막대의 TEM 이미지와 EDS(Energy Disperse X-ray Spectrometer) 스펙트럼이다. 여기서 비교예 1과 비교예 2는 본 발명의 합성 방법을 응용하여 제조된 CdSe/CdS 양자 막대이며, 비교예 1은 CdSe 코어의 위치를 전체 길이의 0.3 지점에 위치하도록 합성하였고, 비교예 2는 CdSe 코어의 위치를 전체 길이의 0.4 지점에 위치하도록 합성하였다.
EDS(Energy Disperse X-ray Spectrometer) 스펙트럼에서 확인할 수 있듯이, Se 피크가 각 코어의 위치에 해당하는 지점에서 발견됨을 볼 수 있다.
즉, 본 발명에서 제시하는 합성 방법을 통해 원하는 위치에 코어가 존재하는 양자 막대를 형성할 수 있다는 것이다.
도 5는 본 발명의 비교예 1, 비교예 2 및 실시예 따른 양자 막대들의 구동 전압 대비 PL(Photoluminescence) 세기를 보여주는 그래프이다.
50 V에서의 PL 세기를 보면, 비교예 1과 비교예 2에 비하여 실시예는 완전히 발광하지 않는 것을 확인할 수 있으며, 코어의 위치가 가운데에 가까울수록 더 낮은 전압에서 OFF가 잘 되는 것을 알 수 있다.
즉, 전압을 걸어 주었을 때 전자가 쉘로 용이하게 분리 될 수 있을수록 OFF가 잘 되는 것이다. 이는 전술한 바와 같이, 양자 막대를 배열하였을 때 코어의 위치가 랜덤하게 배열되기 때문이다. 특히 완전히 가운데에 코어가 위치하게 된 실시예의 경우, 50 V에서 발광이 완전히 사라졌으며 이는 동일 전압에서 비교예 1 및 2에 비해 명암비가 높음을 의미한다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 양자 막대 표시장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 양자 막대 표시장치(200)는 양자 막대 표시패널(240)과 상기 양자 막대 표시패널(240) 하부에 위치하며 빛을 공급하는 백라이트 유닛(260)을 포함한다.
상기 양자 막대 표시패널(240)은, 서로 마주하는 제 1 및 제 2 기판(210, 220)과, 상기 제 1 및 제 2 기판(210, 220) 사이에 위치하는 양자 막대층(230)을 포함한다.
도시하지 않았으나, 상기 제 1 기판(210)에는 상기 양자 막대층(230)을 구동시키기 위한 박막트랜지스터와 보호층, 화소 전극 및 공통 전극 등이 형성될 수 있다.
상기 화소 전극과 공통 전극은 동일 평면 상에 서로 이격되어 교대로 형성됨으로써, 전압이 인가되었을 때 상기 공통 전극과 상기 화소 전극 사이에는 상기 제 1 기판(210)에 실질적으로 평행한 전계가 형성된다.
상기 양자 막대층(230)은 상기 제 1 및 제 2 기판(210, 220) 사이에 위치하며, 전술한 바와 같이 코어가 전체 길이의 가운데에 위치한 양자 막대(250)를 포함한다. 상기 양자 막대(250)는 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 형성되는 전계를 따라 배열된다.
상기 제 2 기판(220)은 상기 양자 막대층(230)을 개재하여 상기 제 1 기판(210)과 합착되는데, 상기 제 2 기판(220)에는 컬러필터가 형성되지 않는다. 즉, 종래 액정표시장치는 컬러 영상 구현을 위해 컬러필터를 필요로 하였지만, 본 발명의 양자 막대 표시장치(200)에서는 빛을 흡수하여 특정 파장의 가시광선을 방출하기 때문에 컬러필터를 생략할 수 있다.
상기 백라이트 유닛(260)은 UV 광원(미도시)을 포함하며 광원의 위치에 따라 직하형 또는 에지형일 수 있다. 예를 들어, 상기 백라이트 유닛(260)은, UV 광원과, 상기 광원 일측에 위치하는 도광판과, 상기 도광판 하부에 위치하는 반사판과, 상기 도광판 상부에 위치하는 광학시트를 포함할 수 있다.
상기 양자 막대(250)는 UV를 흡수하여 특정 파장의 가시광선을 방출하기 때문에, 상기 백라이트 유닛(260)의 광원은 UV를 방출하여야 한다.
한편, 상기 제 2 기판(220) 외측에는 상기 양자 막대(250)의 장축 방향에 평행한 투과축을 갖는 편광판(270)이 부착되며, 상기 제 1 기판(210) 하부에는 편광판을 필요로 하지 않는다.
상기 양자 막대(250)는 장축 방향에 평행하게 선편광된 빛을 방출하기 때문에, 종래 액정표시장치에서 요구되는 하부 편광판을 생략할 수 있다.
또한, 양자 막대(250)가 편광된 빛을 방출하기 때문에 제 2 기판(220) 상부의 편광판(270) 역시 생략 가능하다. 그러나, 양자 막대(250)의 경우 주 편광 성분이 장축 방향이며 단축 방향으로 선 편광된 빛 역시 방출되기 때문에 제 2 기판(220) 상부의 편광판(270)을 부착하는 것이 표시 품질의 측면에서 유리하다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 양자 막대 표시장치(200)는, 종래 액정표시장치와 비교할 때, 컬러필터와 적어도 하나의 편광판 생략이 가능하기 때문에 제조 원가 및 장치 두께 측면에서 장점을 갖는다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
151, 251 : 코어 152, 252a, 252b : 쉘
153 : 전극 200 : 양자 막대 표시장치
210 : 제 1 기판 220 : 제 2 기판
230 : 양자 막대층 240 : 양자 막대 표시패널
250 : 양자 막대 260 : 백라이트 유닛
270 : 편광판

Claims (13)

  1. 서로 마주하는 제 1 기판 및 제 2 기판과;
    상기 제 1 기판에 형성되며 서로 교대로 배열되는 화소 전극 및 공통 전극과;
    상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 위치하며, 나노 크기를 갖는 반도체 물질로 형성된 코어(Core)와, 상기 코어를 감싸는 반도체 물질로 형성된 막대 형태의 쉘(Shell), 및 상기 쉘을 감싸는 유기 리간드(Ligand)를 포함하는 양자 막대를 포함하는 양자 막대층과;
    상기 제 1 기판 하부에 위치하는 백라이트 유닛;
    을 포함하며, 상기 코어가 상기 쉘의 가운데에 위치하는 것을 특징으로 하는 양자 막대 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 코어는 CdSe, CdTe, CdS, CdSeS, InP, InAs, InSb, ZnSe, ZnSeS, ZnTe, ZnSe(Mn), ZnSe(Cu), ZnS(Cu), ZnInS, ZnInSe, ZnInTe, CuInS, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, AlAs, AlP, 및 AlSb 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자 막대 표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 쉘은 CdS, CdSeS, CdTe, ZnSe, ZnSeS, ZnS, ZnTe, ZnSe(Mn), ZnSe(Cu), ZnS(Cu), ZnInS, ZnInSe, ZnInTe, SiO, TiO, ZnO, 및 MgO 중 적어도 어느 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자 막대 표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 리간드는 TOP(Trioctyl phosphine), TOPO(Trioctyl phosphine oxide), 올레인산(Oleic acid) 및 헥사데실 아민(Hexadecyl amine) 중 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자 막대 표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 쉘의 길이와 상기 코어의 직경의 비는 10 이상인 것을 특징으로 하는 양자 막대 표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소 전극과 상기 공통 전극은 제 1 방향을 따라 연장되고, 상기 양자 막대의 장축은 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 배열된 것을 특징으로 하는 양자 막대 표시장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 기판의 외측에 위치하며 상기 제 2 방향과 평행한 투과축을 갖는 편광판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자 막대 표시장치.
  8. 나노 크기를 갖는 반도체 물질로 형성된 코어(Core) 씨드(Seed)를 형성하는 단계;
    반도체 물질로 형성된 막대 형태의 쉘(Shell) 씨드(Seed)를 형성하는 단계;
    상기 쉘 씨드를 쉘로 성장시키는 단계;
    상기 쉘 씨드를 성장시키는 단계 중간에 상기 코어 씨드를 주입하는 단계; 및
    상기 쉘을 원하는 장축 직경으로 성장시키는 단계를 포함하는 양자 막대의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 코어 씨드를 주입하는 단계는 상기 쉘의 최종 장축 직경의 1/2 되는 시점인 것을 특징으로 하는 양자 막대의 제조 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 코어가 상기 쉘의 가운데에 위치하는 것을 특징으로 하는 양자 막대의 제조 방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 코어는 CdSe, CdTe, CdS, CdSeS, InP, InAs, InSb, ZnSe, ZnSeS, ZnTe, ZnSe(Mn), ZnSe(Cu), ZnS(Cu), ZnInS, ZnInSe, ZnInTe, CuInS, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, AlAs, AlP, 및 AlSb 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자 막대의 제조 방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 쉘은 CdS, CdSeS, CdTe, ZnSe, ZnSeS, ZnS, ZnTe, ZnSe(Mn), ZnSe(Cu), ZnS(Cu), ZnInS, ZnInSe, ZnInTe, SiO, TiO, ZnO, 및 MgO 중 적어도 어느 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자 막대의 제조 방법.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 쉘의 길이와 상기 코어의 직경의 비는 10 이상인 것을 특징으로 하는 양자 막대의 제조 방법.
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