KR20150142609A - 축합고리 유도체 및 이를 포함하는 유기 태양 전지 - Google Patents
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Abstract
본 명세서는 축합고리 유도체 및 이를 포함하는 유기 태양 전지에 관한 것이다.
Description
본 명세서는 2014년 6월 11일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2014-0070698 호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 축합고리 유도체 및 이를 포함하는 유기 태양 전지에 관한 것이다.
유기 태양전지는 광기전력효과(photovoltaic effect)를 응용함으로써 태양에너지를 직접 전기에너지로 변환할 수 있는 소자이다. 태양전지는 박막을 구성하는 물질에 따라 무기 태양전지와 유기 태양전지로 나뉠 수 있다. 전형적인 태양전지는 무기 반도체인 결정성 실리콘(Si)을 도핑(doping)하여 p-n 접합으로 만든 것이다. 빛을 흡수하여 생기는 전자와 정공은 p-n 접합점까지 확산되고 그 전계에 의하여 가속되어 전극으로 이동한다. 이 과정의 전력변환 효율은 외부 회로에 주어지는 전력과 태양전지에 들어간 태양전력의 비로 정의되며, 현재 표준화된 가상 태양 조사 조건으로 측정 시 24%정도까지 달성되었다. 그러나 종래 무기 태양전지는 이미 경제성과 재료상의 수급에서 한계를 보이고 있기 때문에, 가공이 쉬우며 저렴하고 다양한 기능성을 가지는 유기물 반도체 태양전지가 장기적인 대체 에너지원으로 각광받고 있다.
태양전지는 태양 에너지로부터 가능한 많은 전기 에너지를 출력할 수 있도록 효율을 높이는 것이 중요하다. 이러한 태양전지의 효율을 높이기 위해서는 반도체 내부에서 가능한 많은 엑시톤을 생성하는 것도 중요하지만 생성된 전하를 손실됨 없이 외부로 끌어내는 것 또한 중요하다. 전하가 손실되는 원인 중의 하나가 생성된 전자 및 정공이 재결합(recombination)에 의해 소멸하는 것이다. 생성된 전자나 정공이 손실되지 않고 전극에 전달되기 위한 방법으로 다양한 방법이 제시되고 있으나, 대부분 추가 공정이 요구되고 이에 따라 제조 비용이 상승할 수 있다.
본 명세서는 축합고리 유도체 및 이를 포함하는 유기 태양 전지를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 축합고리 유도체를 제공한다.
[화학식 1]
화학식 1에 있어서,
n1 및 n2는 각각 0 내지 3의 정수이고,
n1 및 n2가 각각 2 이상인 경우, 2 이상의 괄호 내의 구조는 서로 동일하거나 상이하며,
[Push]는 전자 주개로서 작용하는 구조이고,
X1 내지 X4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CRR', NR, O, SiRR', PR, S, GeRR', Se 또는 Te이며,
Y1 내지 Y4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CR", N, SiR", P 또는 GeR"이고,
R, R', R" 및 R1 내지 R8은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 하기 구조 중 어느 하나이고,
상기 구조에 있어서,
a는 1 내지 7의 정수이고,
b 및 c는 각각 1 내지 4의 정수이며,
a가 2 이상인 경우, 2 이상의 R15는 서로 동일하거나 상이하고,
b가 2 이상인 경우, 2 이상의 R16은 서로 동일하거나 상이하며,
c가 2 이상인 경우, 2 이상의 R17은 서로 동일하거나 상이하며,
R13 내지 R23은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
또한, 본 명세서는 1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되고, 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 전술한 축합고리 유도체를 포함하는 것인 유기 태양 전지를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 축합고리 유도체는 전자 주개 성질을 갖는 [Push]와 상대적으로 전자 받개 성질을 갖는 Ar1 및 Ar2를 도입하여, HOMO 준위 값을 낮출 수 있다. 이를 도입하는 경우에 높은 구동 전압을 기대할 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 흡수 스펙트럼에서 적색 편이(red shift)가 일어나, 낮은 LUMO 에너지 준위 값을 갖게 되고, 밴드갭이 감소하여 넓은 영역의 빛을 흡수할 수 있어, 소자의 효율이 긍정적인 영향을 줄 수 있다.
또한, [Push]와 X3를 포함하는 축합고리 및 X4를 포함하는 축합고리를 직접적으로 연결하여, 더욱 효과적인 전자 전달을 유도할 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 축합고리 유도체는 결정성이 우수하여, 필팩터(FF)의 상승을 기대할 수 있다.
따라서, 상기 축합고리 유도체는 유기 태양 전지의 유기물층 재료로 사용될 수 있으며, 이를 포함하는 유기 태양 전지는 개방 전압과 단락 전류의 상승 및/또는 효율 증가 등에서 우수한 특성을 나타낼 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 축합고리 유도체는 유기 태양 전지에서 단독 또는 다른 물질과 혼합하여 사용이 가능하고, 효율의 향상, 축합고리 유도체의 열적 안정성 등의 특성에 의한 소자의 수명 향상 등이 기대될 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 태양 전지를 나타낸 도이다.
도 2는 화합물 A-1의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 3은 화합물 A-1의 NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 4는 화합물 A-2의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 5는 화합물 A-2의 NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 6은 화합물 A-3의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 7은 화합물 A-3의 NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 8은 화학식 1-1-1의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 9는 화학식 1-1-1의 NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 10은 화학식 2의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 11은 화학식 2의 NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 12는 화학식 1-1-1과 화학식 2를 클로로벤젠 용액 내에서 UV스펙트럼을 비교한 도이다.
도 13은 화학식 1-1-1과 화학식 2를 필름상태에서 UV 스펙트럼을 비교한 도이다.
도 14는 화학식 1-1-1의 전기화학 측정 결과(cyclic voltametry)를 나타낸 도이다.
도 15는 화학식 2의 전기화학 측정 결과(cyclic voltametry)를 나타낸 도이다.
도 16은 화학식 1-1-1과 화학식 2를 이용한 유기 태양 전지의 전압에 따른 전류 밀도를 나타낸 도이다.
도 17은 실험예 2와 비교예 2의 UV 스펙트럼의 경향을 분석한 도이다.
도 2는 화합물 A-1의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 3은 화합물 A-1의 NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 4는 화합물 A-2의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 5는 화합물 A-2의 NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 6은 화합물 A-3의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 7은 화합물 A-3의 NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 8은 화학식 1-1-1의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 9는 화학식 1-1-1의 NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 10은 화학식 2의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 11은 화학식 2의 NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 12는 화학식 1-1-1과 화학식 2를 클로로벤젠 용액 내에서 UV스펙트럼을 비교한 도이다.
도 13은 화학식 1-1-1과 화학식 2를 필름상태에서 UV 스펙트럼을 비교한 도이다.
도 14는 화학식 1-1-1의 전기화학 측정 결과(cyclic voltametry)를 나타낸 도이다.
도 15는 화학식 2의 전기화학 측정 결과(cyclic voltametry)를 나타낸 도이다.
도 16은 화학식 1-1-1과 화학식 2를 이용한 유기 태양 전지의 전압에 따른 전류 밀도를 나타낸 도이다.
도 17은 실험예 2와 비교예 2의 UV 스펙트럼의 경향을 분석한 도이다.
이하 본 명세서에 대하여 상세히 설명한다.
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 축합고리 유도체를 제공한다.
본 명세서에 있어서, 
는 다른 치환기에 연결되는 부위를 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 [Push] 축합고리 유도체 내에서 전자 주개로서 작용한다.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 [Push]의 HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위는 5.0 eV 내지 6.0 eV이다.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 [Push]의 밴드갭은 2 eV 내지 4.5 eV이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 축합고리 유도체 내에서 전자 받개로서 작용한다. 전자 받개로서의 Ar1 및 Ar2로 인하여, 축합고리 유도체의 밴드갭을 감소시킬 수 있으며, 축합고리 유도체의 말단에 다이폴(dipole)이 형성되므로 전자를 효율적으로 집중시킬 수 있다. 따라서, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 축합고리 유도체의 말단에 전자가 집중되므로, 소자의 유기물층에 도입하는 경우에 축합고리 유도체의 말단과 소자 내의 전자 받개 물질과의 접촉을 유발할 수 있으며, 전자 받개 물질로의 전자 전달이 용이한 효과가 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 축합고리 유도체는 상대적으로 [Push]는 상대적으로 전자 주개로서 작용하고, Ar1 및 Ar2는 전자 받개로서 작용한다. 이 경우에 LUMO (lowest unoccupied molecular orbital) 상태의 전자는 상대적으로 Ar1 및 Ar2에 집중(localization) 된다. 이로 인하여, [Push] 와 Ar1 또는 Ar2 사이에 분극이 존재한다.
본 명세서는 상기 [Push]와 Ar1 또는 Ar2 사이에 상대적으로 평면성이 우수하고, 공액 구조(conjugation)를 갖는 링커를 도입하여, 전자들이 축합고리 유도체 내에서 빠르게 Ar1 또는 Ar2 방향으로 이동시켜, 전자의 집중을 극대화시킬 수 있다. 이 경우, 형성된 엑시톤이 분자내에서 빠르게 이동할 수 있으며, 엑시톤의 분극을 극대화 할 수 있어, 낮은 밴드갭의 특성을 가질 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 축합고리 유도체는 [Push] 구조와 X3를 포함하는 고리 및 X4를 포함하는 고리가 직접 연결된다. 상기와 같이, [Push]구조와 X3을 포함하는 고리 또는 X4를 포함하는 고리가 직접 결합하는 경우는 [Push]구조와 X3를 포함하는 고리 또는 X4를 포함하는 고리 사이에 다른 스페이서나 링커를 포함하는 경우보다 적색 편이한 것을 관찰할 수 있다.
또한, [Push]구조와 X3를 포함하는 고리 또는 X4를 포함하는 고리 사이에 다른 스페이서나 링커를 포함하는 경우엔 낮은 용해도로 소자의 제조 면에서 비효율 적이다.
본 명세서에 있어서, 에너지 준위는 에너지의 크기를 의미하는 것이다. 따라서, 진공준위로부터 마이너스(-) 방향으로 에너지 준위가 표시되는 경우에도, 에너지 준위는 해당 에너지 값의 절대값을 의미하는 것으로 해석된다. 예컨대, HOMO 에너지 준위란 진공준위로부터 최고 점유 분자 오비탈(highest occupied molecular orbital)까지의 거리를 의미한다. 또한, LUMO 에너지 준위란 진공준위로부터 최저 비점유 분자 오비탈(lowest unoccupied molecular orbital)까지의 거리를 의미한다.
또한, 본 명세서에서 전자 주개로서 작용하는 상기 [Push] 구조의 경우에는 전기 화학 측정 결과(Cyclic voltammetry)에서 산화 (oxidation)를 갖는 구조를 의미할 수 있다. 본 명세서에서 전자 받개로서 작용하는 Ar1 및 Ar2는 전기 화학 측정 결과(Cyclic voltammetry)에서 환원(reduction)를 갖는 구조를 의미할 수 있다. 다만, 전자 받개 및 전자 주개로서 작용하는 구조는 산화 또는 환원 각각에 대해서만 관찰되는 것으로 한정하는 것은 아니다.
이 경우, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 축합고리 유도체를 포함하는 유기 태양 전지를 비롯한 소자 내에서 높은 전류 및 높은 효율을 기대할 수 있다.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 [Push]는 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 및 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 [Push]는 하기 구조 중 어느 하나이다.
상기 구조에 있어서,
d 및 d'는 각각 1 내지 3의 정수이고,
d가 2 이상인 경우, 2 이상의 R100은 서로 동일하거나 상이하며,
d'가 2 이상인 경우, 2 이상의 R101은 서로 동일하거나 상이하고,
X10 내지 X13은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CRaRb, NRa, O, SiRaRb, PRa, S, GeRaRb, Se 또는 Te이며,
Y10 및 Y11은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CRc, N, SiRc, P 또는 GeRc이고,
Ra, Rb, Rc 및 R100 내지 R103은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 [Push]는 
이다.
또 다른 실시상태에 있어서, 상기 [Push]는 
이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 축합고리 유도체는 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표시된다.
[화학식 1-1]
[화학식 1-2]
화학식 1-1 및 1-2에 있어서,
n1, n2, X1 내지 X4, Y1 내지 Y4, R1 내지 R8, Ar1 및 Ar2는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
X10 내지 X13은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CRaRb, NRa, O, SiRaRb, PRa, S, GeRaRb, Se 또는 Te이며,
Y10 및 Y11은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CRc, N, SiRc, P 또는 GeRc이고,
Ra, Rb, Rc 및 R100 내지 R103은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
상기 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 에스터기; 카보닐기; 카복실기; 히드록시기; 시클로알킬기; 실릴기; 아릴알케닐기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 붕소기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 아릴아민기; 헤테로고리기; 아릴아민기; 아릴기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 및 헤테로 고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
상기 치환기들은 추가의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아미드기는 아미드기의 질소가 수소, 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 1 또는 2 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있으며, 탄소수 1 내지 25의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 25의 알콕시기 등의 치환기가 치환되는 경우를 포함한다. 또한, 본 명세서 내에서의 아릴기는 방향족고리를 의미할 수 있다.
상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 24인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우, 
, 
, 
및 
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로 고리기는 탄소 원자 대신 1 이상의 이종 원소를 포함하는 구조로서, 예컨대, O, N, Se, Ge, Si 및 S 등을 포함하는 고리 구조로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로 고리기의 예로는 싸이오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조싸이오펜기, 디벤조싸이오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 헤테로 고리기는 단환 또는 다환일 수 있으며, 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다.
아릴 아민기의 구체적인 예로는 페닐아민, 나프틸아민, 비페닐아민, 안트라세닐아민, 3-메틸-페닐아민, 4-메틸-나프틸아민, 2-메틸-비페닐아민, 9-메틸-안트라세닐아민, 디페닐 아민기, 페닐 나프틸 아민기, 디톨릴 아민기, 페닐 톨릴 아민기, 카바졸 및 트리페닐 아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기 중의 헤테로 아릴기는 전술한 헤테로고리기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기, 아릴술폭시기 및 아랄킬아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 구체적으로 아릴옥시기로는 페녹시, p-토릴옥시, m-토릴옥시, 3,5-디메틸-페녹시, 2,4,6-트리메틸페녹시, p-tert-부틸페녹시, 3-비페닐옥시, 4-비페닐옥시, 1-나프틸옥시, 2-나프틸옥시, 4-메틸-1-나프틸옥시, 5-메틸-2-나프틸옥시, 1-안트릴옥시, 2-안트릴옥시, 9-안트릴옥시, 1-페난트릴옥시, 3-페난트릴옥시, 9-페난트릴옥시 등이 있고, 아릴티옥시기로는 페닐티옥시기, 2－메틸페닐티옥시기, 4－tert－부틸페닐티옥시기 등이 있으며, 아릴술폭시기로는 벤젠술폭시기, p－톨루엔술폭시기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 알킬티옥시기, 알킬술폭시기 중의 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 구체적으로 알킬티옥시기로는 메틸티옥시기, 에틸티옥시기, tert－부틸티옥시기, 헥실티옥시기, 옥틸티옥시기 등이 있고, 알킬술폭시기로는 메실, 에틸술폭시기, 프로필술폭시기, 부틸술폭시기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 내지 X4는 S이고,
Y1 내지 Y4는 N이며,
Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 
; 
; 또는 
이고,
R5 내지 R8은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기이며,
R13, R14, R22 및 R23은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이고,
[Push]는 S 원자를 1 이상 포함하는 헤테로고리기이며, 상기 헤테로고리기는 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R5 내지 R8은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R5 내지 R8 중 적어도 하나는 할로겐기; 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R5 내지 R8 중 적어도 하나는 할로겐기; 또는 탄소수 1 내지 30의 치환 또는 비치환된 알콕시기이다.
이 경우, 상기 축합고리 유도체 중 [Push] 구조와 X3를 포함하는 축합 또는 X4를 포함하는 축합 사이의 비결합 상호반응(non-bonding interaction)으로 인하여 평면성(planarity)가 향상되어 결정성이 우수하다. 이 경우, 전류의 특성의 향상을 기대할 수 있다.
또한, 상기 화합물 내에서 전자 주개로서 작용하는 [Push]의 구조와 전자 받개로서 작용하는 Ar1 및 Ar2 사이의 평면성의 향상으로 형성된 엑시톤(exciton)이 분자 내에서 안정적으로 빠르게 집중(localization)이 될 수 있다. 따라서, 엑시톤의 분극을 극대화 할 수 있으며, 낮은 밴드갭의 특성을 가질 수 있다.
따라서, 본 명세서의 일 실시상태에 따라, [Push]구조와 X3을 포함하는 고리 또는 X4를 포함하는 고리가 직접 결합하는 경우에는 소자의 효율 및 공정상에 유리하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R5는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R5 는 치환 또는 비치환된 알콕시기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R5 는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R5 는 치환 또는 비치환된 옥톡시기이다.
또 다른 실시상태에 있어서, R5는 옥톡시기이다.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 R6은 할로겐기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R6은 불소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R6은 치환 또는 비치환된 알콕시기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R6은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R6은 치환 또는 비치환된 옥톡시기이다.
또 다른 실시상태에 있어서, R6은 옥톡시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R7은 할로겐기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R7은 불소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R7은 치환 또는 비치환된 알콕시기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R7은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R7은 치환 또는 비치환된 옥톡시기이다.
또 다른 실시상태에 있어서, R7은 옥톡시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R8는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R8은 치환 또는 비치환된 알콕시기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R8은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R8은 치환 또는 비치환된 옥톡시기이다.
또 다른 실시상태에 있어서, R8은 옥톡시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1은 S이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, X2는 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X3는 S이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 X4는 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n1은 2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n1은 1이다.
또 다른 실시상태에 있어서, n2는 2이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 n2는 1이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 수소이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R2는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Y1은 N이다.
본 명세서의 다른 실시상태에 있어서, Y2는 N이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, Y3는 N이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Y4는 N이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 은 
이다.
또 다른 실시상태에 있어서, Ar1은 
이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 Ar1은 
이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 
이다.
또 다른 실시상태에 있어서, Ar2는 
이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 Ar2는 
이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, [Push]는 S 원자를 1 이상 포함하는 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R100은 수소이다.
하나의 실시상태에 있어서, R101은 수소이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, R102는 수소이다.
다른 실시상태에 있어서, R103은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X10은 S이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, X11은 SiRaRb이다.
또 다른 실시상태에 있어서, X11은 S이다.
하나의 실시상태에 있어서, X12는 SiRaRb이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, X13은 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Y10은 CRc이다.
또 다른 실시상태에 있어서, 상기 Y11은 CRc이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra, Rb 및 Rc는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 Ra, Rb 및 Rc는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
하나의 실시상태에 있어서, Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
하나의 실시상태에 있어서, Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ra는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ra는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기이다.
하나의 실시상태에 있어서, Ra는 치환 또는 비치환된 옥틸기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, Ra는 옥틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Rb는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Rb는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기이다.
하나의 실시상태에 있어서, Rb는 치환 또는 비치환된 옥틸기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, Rb는 옥틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Rc는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Rc는 치환 또는 비치환된 S 원자를 포함하는 헤테로고리기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 Rc는 알킬기로 치환 또는 비치환된 S 원자를 포함하는 헤테로고리기이다.
또 다른 실시상태에 있어서, 상기 Rc는 알킬기로 치환된 싸이오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Rc는 2-에틸헥실기로 치환된 싸이오펜기이다.
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, R13, R14, R22 및 R23은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R13은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R14는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R14는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기이다.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 R14는 치환 또는 비치환된 옥틸기이다.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 R14는 치환 또는 비치환된 에틸기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R14는 에틸기이다.
다른 실시상태에 있어서, 상기 R14는 옥틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R22는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R22는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기이다.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 R22는 치환 또는 비치환된 옥틸기이다.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 R22는 치환 또는 비치환된 에틸기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R22는 에틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R23은 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R23은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기이다.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 R23은 치환 또는 비치환된 옥틸기이다.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 R23은 치환 또는 비치환된 에틸기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R23은 에틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 축합고리 유도체는 하기 화학식 1-1-1 내지 1-1-5 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 1-1-1]
[화학식 1-1-2]
[화학식 1-1-3]
[화학식 1-1-4]
[화학식 1-1-5]
상기 축합고리 유도체는 후술하는 제조예를 기초로 제조될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 축합고리 유도체는 n1의 괄호 안의 구조의 일 말단에 할로겐기 다른 말단에는 디옥솔란기를 도입한 화합물과 양 말단에 할로겐기가 도입된 X3을 포함하는 화합물을 결합시켜, 일 말단에는 할로겐기 다른 말단에는 알데하이드기가 도입된 구조를 제조한다. 같은 방법으로 n2의 괄호 안의 구조 및 X4을 포함하는 구조를 제조한다. 상기 제조된 두 화합물과 [Push]를 결합시켜, 각각의 말단에 알데하이드기가 도입된 화합물을 제조한다. 그 후, Ar1 및 Ar2를 도입하여 화학식 1-1-1 내지 1-1-5 중 어느 하나로 표시되는 축합고리 유도체뿐만 아니라, 화학식 1로 표시되는 축합고리 유도체를 제조할 수 있다.
본 명세서에 따른 축합고리 유도체는 다단계 화학반응으로 제조할 수 있다. 알킬화 반응, 그리냐르(Grignard) 반응, 스즈끼(Suzuki) 커플링 반응 및 스틸(Stille) 커플링 반응 등을 통하여 모노머들을 제조한 후, 스틸 커플링 반응 등의 탄소-탄소 커플링 반응을 통하여 최종 축합고리 유도체들을 제조할 수 있다. 도입하고자 하는 치환기가 보론산(boronic acid) 또는 보론산 에스터(boronic ester) 화합물인 경우에는 스즈키 커플링 반응을 통해 제조할 수 있고, 도입하고자 하는 치환기가 트리부틸틴(tributyltin) 또는 트리메틸틴(trimethyltin) 화합물인 경우에는 스틸 커플링 반응을 통해 제조할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비되고, 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 축합고리 유도체를 포함하는 것인 유기 태양 전지를 제공한다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 유기 태양 전지는 제1 전극, 광활성층 및 제2 전극을 포함한다. 상기 유기 태양 전지는 기판, 정공수송층 및/또는 전자수송층이 더 포함될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지가 외부 광원으로부터 광자를 받으면 전자 주개와 전자 받개 사이에서 전자와 정공이 발생한다. 발생된 정공은 전자 도너층을 통하여 양극으로 수송된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공 수송층, 정공 주입층 또는 정공 수송과 정공 주입을 동시에 하는 층을 포함하고, 상기 정공 수송층, 정공 주입층 또는 정공 수송과 정공 주입을 동시에 하는 층은 상기 축합고리 유도체를 포함한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자주입층, 전자 수송층 또는 전자 주입과 전자 수송을 동시에 하는 층을 포함하고, 상기 전자주입층, 전자 수송층 또는 전자 주입과 전자 수송을 동시에 하는 층은 상기 축합고리 유도체를 포함한다.
도 1 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 태양 전지를 나타낸 도이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지가 외부 광원으로부터 광자를 받으면 전자 주개와 전자 받개 사이에서 전자와 정공이 발생한다. 발생된 정공은 전자 도너층을 통하여 양극으로 수송된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 부가적인 유기물층을 더 포함할 수 있다. 상기 유기 태양 전지는 여러 기능을 동시에 갖는 유기물을 사용하여 유기물층의 수를 감소시킬 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드이다. 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 캐소드이고, 상기 제2 전극은 애노드이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 유기 태양 전지는 캐소드, 광활성층 및 애노드 순으로 배열될 수도 있고, 애노드, 광활성층 및 캐소드 순으로 배열될 수도 있으나, 이에 한정되지 않는다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 애노드, 정공수송층, 광활성층, 전자수송층 및 캐소드 순으로 배열될 수도 있고, 캐소드, 전자수송층, 광활성층, 정공수송층 및 애노드 순으로 배열될 수도 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 노멀(Normal)구조이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 인버티드(Inverted) 구조이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 탠덤 (tandem) 구조이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기태양 전지는 광활성층이 1층 또는 2층 이상일 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 버퍼층이 광활성층과 정공수송층 사이 또는 광활성층과 전자수송층 사이에 구비될 수 있다. 이때, 정공 주입층이 애노드와 정공수송층사이에 더 구비될 수 있다. 또한, 전자주입층이 캐소드와 전자수송층 사이에 더 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 광활성층은 전자 주개 및 받개로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상을 포함하고, 상기 전자 주개물질은 상기 축합고리 유도체를 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자 받개 물질은 플러렌, 플러렌 유도체, 바소쿠프로인, 반도체성 원소, 반도체성 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 구체적으로 플러렌(fullerene), 플러렌 유도체(PCBM((6,6)-phenyl-C61-butyric acid-methylester) 또는 PCBCR((6,6)-phenyl-C61-butyric acid-cholesteryl ester), 페릴렌(perylene) PBI(polybenzimidazole), 및 PTCBI(3,4,9,10-perylene-tetracarboxylic bis-benzimidazole)로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 화합물이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자 주개 및 전자 받개는 벌크 헤테로 정션(BHJ)을 구성한다.
벌크 헤테로 정션이란 광활성층에서 전자 주개 물질과 전자 받개 물질이 서로 섞여 있는 것을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 광활성층은 n 형 유기물층 및 p 형 유기물층을 포함하는 이층 박막(bilayer) 구조이며, 상기 p형 유기물층은 상기 축합고리 유도체를 포함한다.
본 명세서에서 상기 기판은 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리기판 또는 투명 플라스틱 기판이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 유기 태양 전지에 통상적으로 사용되는 기판이면 제한되지 않는다. 구체적으로 유리 또는 PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PP(polypropylene), PI(polyimide), TAC(triacetyl cellulose) 등이 있으나. 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 애노드 전극은 투명하고 전도성이 우수한 물질이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸싸이오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)싸이오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 애노드 전극의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 스퍼터링, E-빔, 열증착, 스핀코팅, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 닥터 블레이드 또는 그라비아 프린팅법을 사용하여 기판의 일면에 도포되거나 필름형태로 코팅됨으로써 형성될 수 있다.
상기 애노드 전극을 기판 상에 형성하는 경우, 이는 세정, 수분제거 및 친수성 개질 과정을 거칠 수 있다.
예컨대, 패터닝된 ITO 기판을 세정제, 아세톤, 이소프로필 알코올(IPA)로 순차적으로 세정한 다음, 수분 제거를 위해 가열판에서 100~150℃에서 1~30분간, 바람직하게는 120℃에서 10분간 건조하고, 기판이 완전히 세정되면 기판 표면을 친수성으로 개질한다.
상기와 같은 표면 개질을 통해 접합 표면 전위를 광활성층의 표면 전위에 적합한 수준으로 유지할 수 있다. 또한, 개질 시 애노드 전극 위에 고분자 박막의 형성이 용이해지고, 박막의 품질이 향상될 수도 있다.
애노드 전극의 위한 전 처리 기술로는 a) 평행 평판형 방전을 이용한 표면 산화법, b) 진공상태에서 UV 자외선을 이용하여 생성된 오존을 통해 표면을 산화하는 방법, 및 c) 플라즈마에 의해 생성된 산소 라디칼을 이용하여 산화하는 방법 등이 있다.
애노드 전극 또는 기판의 상태에 따라 상기 방법 중 한가지를 선택할 수 있다. 다만, 어느 방법을 이용하든지 공통적으로 애노드 전극 또는 기판 표면의 산소이탈을 방지하고 수분 및 유기물의 잔류를 최대한 억제하는 것이 바람직하다. 이 때, 전 처리의 실질적인 효과를 극대화할 수 있다.
구체적인 예로서, UV를 이용하여 생성된 오존을 통해 표면을 산화하는 방법을 사용할 수 있다. 이 때, 초음파 세정 후 패터닝된 ITO 기판을 가열판(hot plate)에서 베이킹(baking)하여 잘 건조시킨 다음, 챔버에 투입하고, UV 램프를 작용시켜 산소 가스가 UV 광과 반응하여 발생하는 오존에 의하여 패터닝된 ITO 기판을 세정할 수 있다.
그러나, 본 명세서에 있어서의 패터닝된 ITO 기판의 표면 개질 방법은 특별히 한정시킬 필요는 없으며, 기판을 산화시키는 방법이라면 어떠한 방법도 무방하다.
상기 캐소드 전극은 일함수가 작은 금속이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 구체적으로 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Fe, Al:Li, Al:BaF2, Al:BaF2:Ba와 같은 다층 구조의 물질이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 캐소드 전극은 5x10- 7torr 이하의 진공도를 보이는 열증착기 내부에서 증착되어 형성될 수 있으나, 이 방법에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공수송층 및/또는 전자수송층 물질은 광활성층에서 분리된 전자와 정공을 전극으로 효율적으로 전달시키는 역할을 담당하며, 물질을 특별히 제한하지는 않는다.
상기 정공수송층 물질은 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenediocythiophene) doped with poly(styrenesulfonic acid)), 몰리브데늄 산화물(MoOx); 바나듐 산화물(V2O5); 니켈 산화물(NiO); 및 텅스텐 산화물(WOx) 등이 될 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자수송층 물질은 전자추출금속 산화물(electron-extracting metal oxides)이 될 수 있으며, 구체적으로 8-히드록시퀴놀린의 금속착물; Alq3를 포함한 착물; Liq를 포함한 금속착물; LiF; Ca; 티타늄 산화물(TiOx); 아연 산화물(ZnO); 및 세슘 카보네이트(Cs2CO3) 등이 될 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
광활성층은 전자공여체 및/또는 전자수용체와 같은 광활성 물질을 유기용매에 용해시킨 후 용액을 스핀 코팅, 딥코팅, 스크린 프린팅, 스프레이 코팅, 닥터 블레이드, 브러쉬 페인팅 등의 방법으로 형성할 수 있으나, 이들 방법에만 한정되는 것은 아니다.
상기 축합고리 유도체의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기 태양 전지의 제조는 이하 제조예 및 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나, 하기 실시예는 본 명세서를 예시하기 위한 것이며, 본 명세서의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
실시예
1. 화학식 1-1-1의 제조
(1) 플라스크에 2-(5'-브로모-[2,2'-바이싸이오펜]-5일)-1,3-디옥솔란(2-(5'-bromo-[2,2'-bithiophen]-5-yl)-1,3-dioxolane) (3.04g, 9.6 mmol)을 120 mL 테트라하이드로퓨란(THF) 질소 하에서 녹인 후 -78 ℃로 온도를 낮추었다. 이 용액에 2.5 M n-부틸리튬(n-BuLi)을 (5mL, 12.5 mmol) 서서히 주입하고, 주입 후 0 ℃로 온도를 올린 후, 0 ℃에서 2시간 동안 교반하였다. 교반 후, 온도를 -78 ℃로 낮춘 뒤 트리메틸틴 클로라이드(trimethyltin chloride) (1M, 13 mmol)을 서서히 주입한 뒤, 상온으로 서서히 올려주었다. 반응물을 디클로로메탄(dichloromethane)으로 2번 추출(extraction)하고 용매를 제거한 뒤, CHCl3/MeOH 하에서 재결정하여 흰색의 화합물 A-1(3.844g, 수율=99.9%)을 얻었다.
도 2는 화합물 A-1의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 3은 화합물 A-1의 NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
(2) B-1의 화합물 (4,7-디브로모-5-플루오로벤조[c][1,2,5]티아디아졸; 4,7-dibromo-5-fluorobenzo[c][1,2,5]thiadiazole) (3.00 g, 9. 6 mmol), A-1의 화합물 (3.84 g, 9.58 mmol), Pd2(dba)3 (0.174 g, 0.19 mmol), 트리페닐포스핀(triphenylphosphine) (0.202 g, 0.77 mmol)을 100 mL의 톨루엔에 녹인 후 80 ℃에서 48시간 교반하였다. 반응 후, 상온으로 낮춘 뒤 2M 염산(HCl)를 넣고 1시간동안 교반하였다. 반응 후, 디클로로메탄(dichloromethane)으로 세척하고 용매를 감압 하에 제거 하였다. 얻어진 고체를 클로로포름(chloroform)을 이용하여 실리카 컬럼 정제를 하여 오렌지 색의 화합물 A-2 (1.67 g, 수율: 41 %)를 얻었다.
도 4는 화합물 A-2의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 5는 화합물 A-2의 NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
(3) B-2의 화합물 (0.858g, 0.8 mmol), A-2의 화합물 (0.850g, 2 mmol), Pd2(dba)3, 트리페닐포스핀(PPh3)을 톨루엔 37 mL와 디메틸포름아미드(DMF) 3Ml와 톨루엔에 넣고 녹인 후, 110 ℃에서 48시간 교반하였다. 반응 후, 상온으로 낮춘 뒤 디클로로메탄(dichloromethane)으로 세척하고 용매를 감압 하에 제거하였다. 얻어진 고체를 디클로로메탄(DCM)을 이용하여 실리카 컬럼 정제를 하여 보라색의 화합물 A-3(0.5g, 수율: 43%)을 얻었다.
도 6은 화합물 A-3의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 7은 화합물 A-3의 NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
(4) 클로로포름(CHCl3) 25 mL에 화합물 A-3 (0.359 g, 0.25 mmol)과 3-옥틸로다닌 (3-octylrhodanine) (1.166 g, 4.75 mmol)을 녹이고 상온에서 피페리딘 (piperidine) 세 방울을 넣어주고 24 시간 동안 환류하였다. 반응 후, 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 후, 황산마그네슘(MgSO4; Magnesium sulfate)로 잔여 물을 제거 후, 감압 하에 용매를 제거하였다. 잔류 생성물을 실리카 컬럼(silica column, eluent: CH2Cl2 to CHCl3)을 통해서 어두운 갈색의 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 클로로포름(CHCl3)과 헥산(Hexane)으로 두 세번 재결정을 통해 화학식 1-1-1의 화합물을 얻었다. (수율: 67%)
도 8은 화학식 1-1-1의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 9는 화학식 1-1-1의 NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
비교예
1. 화학식 2의 제조
15 mL 톨루엔에 B-2의 화합물 (0.8584 g, 0.8 mmol)과 [C]의 화합물 (0.963 g, 2.0 mmol)을 녹이고, Pd(PPh3)4 촉매 (0.0185 g, 0.016 mmol)을 넣고, 120 ℃에서 48시간 교반하였다. 반응 후, 반응 용액을 메탄올에 부어 침전한 후, 침전된 고체를 필터하였다. 필터된 고체를 메탄올로 씻어 주고, 실리카 컬럼(silica column, eluent: Hexane)을 통해서 보랏빛 갈색의 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 헥산과 에탄올로 재결정하여 최종 화합물을 얻었다. (수율: 35%)
도 10은 화학식 2의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 11은 화학식 2의 NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 12는 화학식 1-1-1과 화학식 2를 클로로벤젠 용액 내에서 UV스펙트럼을 비교한 도이다.
상기 도 12의 결과로 보아, 화학식 1-1-1의 화합물이 화학식 2의 화합물보다 낮은 밴드갭을 가지며, 흡광계수(extinction coefficient)값이 약 두배 이상 높은 것을 확인할 수 있다.
도 13은 화학식 1-1-1과 화학식 2를 필름상태에서 UV 스펙트럼을 비교한 도이다.
상기 도 13의 결과로 보아, 화학식 1-1-1의 화합물이 낮은 밴드갭을 갖는 것을 확인할 수 있다. 또한, 열처리를 하였을 때, 진동 피크(vibronic peak)가 증가하는 것을 보아, 화학식 1-1-1의 결정성이 높다는 것을 확인할 수 있다.
따라서, 상기의 결과로 화학식 1-1-1의 화합물을 포함하는 유기 태양 전지는 전류 특성의 향상을 기대할 수 있다.
도 14는 화학식 1-1-1의 전기화학 측정 결과(cyclic voltametry)를 나타낸 도이다.
도 15는 화학식 2의 전기화학 측정 결과(cyclic voltametry)를 나타낸 도이다.
화학식 1-1-1과 화학식 2의 물성을 비교하면 하기 표 1과 같다.
| λmax (nm) | λonset (nm) | λEc.band -gap (eV) | HOMO (eV) | |
| 화학식 1-1-1 | 665 | 740 | 1.51 | 5.48 |
| 화학식 2 | 610 | 685 | 1.35 | 5.35 |
상기 도 14 및 15를 통한 HOMO 에너지 준위의 비교를 통하여, 화학식 1-1-1의 화합물의 HOMO 에너지 준위가 높은 것을 확인할 수 있다. 상기와 같은 결과는 말단에 Ar1 및 Ar2의 전자 받개 성질의 구조가 도입됨으로써 유도되는 것이다.
상기의 결과로 화학식 1-1-1의 화합물을 포함하는 유기 태양 전지는 전압 특성의 향상을 기대할 수 있다.
실험예
1.
상기 실시예에서 제조한 축합고리 유도체 1과 PCBM을 1:2로 클로로벤젠(Chlorobenzene, CB)에 녹여 복합 용액(composit solution)을 제조하였다. 이때, 농도는 2.0 wt%로 조절하였으며, 유기 태양전지는 ITO/PEDOT:PSS/광활성층/Al의 구조로 하였다. ITO가 코팅된 유리 기판은 증류수, 아세톤, 2-프로판올을 이용하여 초음파 세척하고, ITO 표면을 10분 동안 오존 처리한 후 45 nm 두께로 PEDOT:PSS(baytrom P)를 스핀코팅하여 120 ℃에서 10분 동안 열처리하였다. 광활성층의 코팅을 위해서는 화합물-PCBM 복합용액을 0.45 μm PP 주사기 필터(syringe filter)로 여과한 다음 스핀코팅하여, 3x10-8 torr 진공 하에서 열 증발기(thermal evaporator)를 이용하여 200 nm 두께로 Al을 증착하여 유기 태양 전지를 제조하였다.
비교예
1.
상기 실험예 1에서 화학식 1-1-1 대신 화학식 2를 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 유기 태양 전지를 제조하였다.
상기 실험예에서 제조된 유기 태양 전지의 광전 변환 특성을 100 mW/cm2(AM 1.5) 조건에서 측정하고, 하기 표 2에 그 결과를 나타내었다.
| Voc (V) | Jsc (mA/cm2) | FF (%) | PCE (%) | |
| 실험예 1 | 0.91 | 11.48 | 0.45 | 4.7 |
| 비교예 1 | 0.82 | 6.56 | 0.41 | 2.2 |
표 2에서 Voc는 개방전압을, Jsc는 단락전류를, FF는 충전율(Fill factor)를, PCE는 에너지 변환 효율을 의미한다. 개방전압과 단락전류는 각각 전압-전류 밀도 곡선의 4사분면에서 X축과 Y축 절편이며, 이 두 값이 높을수록 태양전지의 효율은 바람직하게 높아진다. 또한 충전율(Fill factor)은 곡선 내부에 그릴 수 있는 직사각형의 넓이를 단락전류와 개방전압의 곱으로 나눈 값이다. 이 세 가지 값을 조사된 빛의 세기로 나누면 에너지 변환 효율을 구할 수 있으며, 높은 값일수록 바람직하다.
도 16은 화학식 1-1-1과 화학식 2를 이용한 유기 태양 전지의 전압에 따른 전류 밀도를 나타낸 도이다.
상기의 결과로 보아, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 축합고리 유도체를 포함하는 화합물은 높은 전압과 전류의 특성을 갖는 것을 확인할 수 있다. 이는 축합고리 유도체의 [Push]와 Ar1 및 Ar2의 구조적인 특성으로 인하여, 전자를 효율적으로 집중시켜 낮은 밴드갭과 높은 HOMO 에너지 준위를 갖기 때문으로 해석될 수 있다.
실험예
2 및
비교예
2.
상기 화학식 1-1-5의 화합물 및 하기 화학식 3의 화합물을 계산 화학 프로그램을 통하여 계산한 결과를 표 3에 나타내었다.
구체적으로 가우시안 09(Gaussian 09) 프로그램을 사용하여, TD-DFT 계산을 수행하였으며, B3PW91 functional과 6-31G* basis set을 사용하였다. 계산에 사용한 키워드(keyword)는 #p B3PW91/6-31G* 5d td(singlets,nstate=10)이었다.
[화학식 3]
| 화학식 | 밴드갭 (eV) | HOMO (eV) | LUMO (eV) | |
| 실험예 2 | 1-1-5 | 1.44 | 5.43 | 3.99 |
| 비교예 2 | 2 | 1.46 | 5.38 | 3.91 |
도 17은 실험예 2와 비교예 2의 UV 스펙트럼의 경향을 분석한 도이다.
표 3의 결과 및 도 17에서 알 수 있듯이, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 축합고리 유도체와 같이, [Push] 구조와 X3를 포함하는 고리 및 X4를 포함하는 고리가 직접 연결되는 경우, [Push] 구조와 X3를 포함하는 고리 및 X4를 포함하는 고리 사이에 스페이서나 링커를 포함하는 경우보다 적색 편이한 것을 확인할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 축합고리 유도체와 같이, 흡수 스펙트럼에서 적색편이 (red shift)가 일어는 경우, 장파장을 흡수할 수 있다. 또한, 분자 흡광 계수(Molar extinction coefficient)가 크고, 밴드갭이 줄어들어 많은 양의 빛을 흡수할 수 있어, 소자의 효율 증대에 긍정적인 영향을 줄 수 있다.
101: 기판
102: 제1 전극
103: 정공수송층
104: 광활성층
105: 제2 전극
102: 제1 전극
103: 정공수송층
104: 광활성층
105: 제2 전극
Claims (14)
- 하기 화학식 1로 표시되는 축합고리 유도체:
[화학식 1]
화학식 1에 있어서,
n1 및 n2는 각각 0 내지 3의 정수이고,
n1 및 n2가 각각 2 이상인 경우, 2 이상의 괄호 내의 구조는 서로 동일하거나 상이하며,
[Push]는 전자 주개로서 작용하는 구조이고,
X1 내지 X4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CRR', NR, O, SiRR', PR, S, GeRR', Se 또는 Te이며,
Y1 내지 Y4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CR", N, SiR", P 또는 GeR"이고,
R, R', R" 및 R1 내지 R8은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 하기 구조 중 어느 하나이고,
상기 구조에 있어서,
a는 1 내지 7의 정수이고,
b 및 c는 각각 1 내지 4의 정수이며,
a가 2 이상인 경우, 2 이상의 R15는 서로 동일하거나 상이하고,
b가 2 이상인 경우, 2 이상의 R16은 서로 동일하거나 상이하며,
c가 2 이상인 경우, 2 이상의 R17은 서로 동일하거나 상이하며,
R13 내지 R23은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다. - 청구항 1에 있어서,
[Push]의 HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위는 5.0 eV 내지 6.0 eV 인 것인 축합고리 유도체. - 청구항 1에 있어서,
[Push]는 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 및 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상을 포함하는 것인 축합고리 유도체. - 청구항 1에 있어서,
[Push]는 하기 구조 중 어느 하나인 것인 축합고리 유도체:
상기 구조에 있어서,
d 및 d'는 각각 1 내지 3의 정수이고,
d가 2 이상인 경우, 2 이상의 R100은 서로 동일하거나 상이하며,
d'가 2 이상인 경우, 2 이상의 R101은 서로 동일하거나 상이하고,
X10 내지 X13은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CRaRb, NRa, O, SiRaRb, PRa, S, GeRaRb, Se 또는 Te이며,
Y10 및 Y11은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CRc, N, SiRc, P 또는 GeRc이고,
Ra, Rb, Rc 및 R100 내지 R103은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다. - 청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 축합고리 유도체는 하기 화학식 1-1 또는 1-2로 표시되는 것인 축합고리 유도체:
[화학식 1-1]
[화학식 1-2]
화학식 1-1 및 1-2에 있어서,
n1, n2, X1 내지 X4, Y1 내지 Y4, R1 내지 R8, Ar1 및 Ar2는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
X10 내지 X13은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CRaRb, NRa, O, SiRaRb, PRa, S, GeRaRb, Se 또는 Te이며,
Y10 및 Y11은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CRc, N, SiRc, P 또는 GeRc이고,
Ra, Rb, Rc 및 R100 내지 R103은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다. - 청구항 1에 있어서,
R5 내지 R8은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기인 것인 축합고리 유도체. - 청구항 1에 있어서,
X1 내지 X4는 S이고,
Y1 내지 Y4는 N이며,
Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로;
; 또는
이고,
R5 내지 R8은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기이며,
R13, R14, R22 및 R23은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이고,
[Push]는 S 원자를 1 이상 포함하는 헤테로고리기이며, 상기 헤테로고리기는 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된다. - 청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 축합고리 유도체는 하기 화학식 1-1-1 내지 1-1-5 중 어느 하나로 표시되는 것인 축합고리 유도체.
[화학식 1-1-1]
[화학식 1-1-2]
[화학식 1-1-3]
[화학식 1-1-4]
.
[화학식 1-1-5]
.
- 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되고, 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1 내지 8 중 어느 하나의 항에 따른 축합고리 유도체를 포함하는 것인 유기 태양 전지.
- 청구항 9에 있어서,
상기 유기물층은 정공 수송층, 정공 주입층 또는 정공 수송과 정공 주입을 동시에 하는 층을 포함하고,
상기 정공 수송층, 정공 주입층 또는 정공 수송과 정공 주입을 동시에 하는 층은 상기 축합고리 유도체를 포함하는 유기 태양 전지. - 청구항 9에 있어서,
상기 유기물층은 전자주입층, 전자 수송층 또는 전자 주입과 전자 수송을 동시에 하는 층을 포함하고,
상기 전자주입층, 전자 수송층 또는 전자 주입과 전자 수송을 동시에 하는 층은 상기 축합고리 유도체를 포함하는 유기 태양 전지. - 청구항 9에 있어서,
상기 광활성층은 전자 주개 및 전자 받개로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상을 포함하고,
상기 전자 주개는 상기 축합고리 유도체를 포함하는 것인 유기 태양 전지. - 청구항 12에 있어서,
상기 전자 주개 및 전자 받개는 벌크 헤테로 정션(BHJ)을 구성하는 것인 유기 태양 전지. - 청구항 9에 있어서,
상기 광활성층은 n형 유기물층 및 p형 유기물층을 포함하는 이층 박막(bilayer)구조이며,
상기 p형 유기물층은 상기 축합고리 유도체를 포함하는 것인 유기 태양 전지.
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