KR20150142222A - Conductive structure body and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 출원은 전도성 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present application relates to a conductive structure and a method of manufacturing the same.
일반적으로, 터치 스크린 패널은 신호의 검출 방식에 따라 다음과 같이 분류할 수 있다. 즉, 직류 전압을 인가한 상태에서 압력에 의해 눌려진 위치를 전류 또는 전압 값의 변화를 통해 감지하는 저항막 방식(resistive type)과, 교류 전압을 인가한 상태에서 캐패시턴스 커플링(capacitance coupling)을 이용하는 정전 용량 방식(capacitive type)과, 자계를 인가한 상태에서 선택된 위치를 전압의 변화로서 감지하는 전자 유도 방식(electromagnetic type) 등이 있다.Generally, the touch screen panel can be classified as follows according to the signal detection method. That is, a resistive type in which a position depressed by a pressure in a state where a direct current voltage is applied is sensed through a change in a current or a voltage value, and a resistive type in which a capacitance coupling is used in a state in which an alternating voltage is applied There is a capacitive type and an electromagnetic type in which a selected position is sensed as a change in voltage while a magnetic field is applied.
최근 대면적의 터치 스크린 패널에 대한 필요가 증가함에 따라 전극의 저항을 줄이면서도 시인성이 우수한 대형 터치 스크린 패널을 구현할 수 있는 기술 개발이 필요하였다.Recently, as the need for a large area touch screen panel has increased, it has been necessary to develop a technology capable of realizing a large touch screen panel having excellent visibility while reducing electrode resistance.
당 기술분야에서는, 상기 다양한 방식의 터치 스크린 패널의 성능 향상을 위한 기술 개발이 요구되고 있다.There is a need in the art to develop a technique for improving the performance of the various types of touch screen panels.
본 출원의 일 실시상태는,In one embodiment of the present application,
기재 상에 니켈계 합금을 포함하는 제1층을 형성하는 단계,Forming a first layer comprising a nickel-based alloy on a substrate,
상기 제1층 상에 금속층을 형성하는 단계, 및Forming a metal layer on the first layer, and
상기 제1층 및 금속층을 병렬식 레이저 패터닝 공정을 수행하여 제1층 패턴 및 금속층 패턴을 형성하는 단계Forming a first layer pattern and a metal layer pattern by performing a parallel laser patterning process of the first layer and the metal layer
를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.The present invention also provides a method of manufacturing a conductive structure.
또한, 본 출원의 다른 실시상태는, 상기 전도성 구조체의 제조방법에 의하여 제조되는 전도성 구조체를 제공한다.Further, another embodiment of the present application provides a conductive structure produced by the method for manufacturing the conductive structure.
또한, 본 출원의 다른 실시상태는, 상기 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널을 제공한다.Still another embodiment of the present application provides a touch screen panel comprising the conductive structure.
본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는, 금속층, 제1층 등의 패터닝 공정시 병렬식 레이저 패터닝 공정을 이용함으로써, 마스크, 레이저 파워, 다양한 파장에 대한 기재의 투과, 흡수 조건 조절 등을 통해, 종래의 직렬식 레이저 패터닝 공정에 비해 복잡한 구조를 단순하고, 빠르게 패터닝할 수 있으며, 단층 또는 다층의 금속 및 투명 소자를 패턴할 수 있는 특징이 있다.The conductive structure according to one embodiment of the present application can be formed by using a parallel laser patterning process in a patterning process of a metal layer, a first layer, or the like, by using a mask, laser power, transmission of a substrate to various wavelengths, , The complex structure can be simplified and patterned more quickly than the conventional in-line laser patterning process, and single or multi-layer metal and transparent elements can be patterned.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는, 금속층, 제1층 등의 패터닝 공정시 병렬식 레이저 패터닝 공정을 이용함으로써, 각각의 패턴의 양호한 엣지 거칠기(edge roughness)를 구현할 수 있고, 제조공정 시간을 절감할 수 있는 특징이 있다.In addition, the conductive structure according to one embodiment of the present application can realize good edge roughness of each pattern by using a parallel laser patterning process in the patterning process of the metal layer, the first layer, And there is a characteristic that the processing time can be saved.
또한, 본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체를 이용하여, 내구성이 향상된 얇은 베젤(narrow bezel)을 도입할 수 있고, 이를 포함하는 터치 스크린 패널을 개발할 수 있다.Further, by using the conductive structure according to one embodiment of the present invention, a narrow bezel having improved durability can be introduced, and a touch screen panel including the narrow bezel can be developed.
도 1 및 도 2는 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 적층 구조를 개략적으로 나타낸 도이다.
도 3은 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 4는 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 투과도를 개략적으로 나타낸 도이다.
도 5 내지 도 12는 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 패턴 형태를 개략적으로 나타낸 도이다.
<도면의 주요 부호의 설명>
100: 기재
200: 금속층
220: 제2층
300: 제1층1 and 2 are schematic views showing a laminated structure of a conductive structure according to an embodiment of the present application.
3 schematically shows a method of manufacturing a conductive structure according to an embodiment of the present application.
4 is a diagram schematically illustrating the transmittance of a conductive structure according to one embodiment of the present application.
FIGS. 5 to 12 schematically show pattern shapes of a conductive structure according to one embodiment of the present application. FIG.
DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS
100: substrate
200: metal layer
220: Second layer
300: 1st layer
이하 본 출원을 보다 상세히 설명한다.The present application will be described in more detail below.
본 명세서에서, 디스플레이 장치란 TV나 컴퓨터용 모니터 등을 통틀어 일컫는 말로서, 화상을 형성하는 디스플레이 소자 및 디스플레이 소자를 지지하는 케이스를 포함한다.In this specification, the term " display device " refers to a television, a computer monitor, or the like, and includes a display element for forming an image and a case for supporting the display element.
상기 디스플레이 소자로는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD), 전기영동 디스플레이 (Electrophoretic display) 및 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT), OLED 디스플레이 등을 예로 들 수 있다. 디스플레이 소자에는 화상 구현을 위한 RGB 화소 패턴 및 추가적인 광학 필터가 구비되어 있을 수 있다.Examples of the display device include a plasma display panel (PDP), a liquid crystal display (LCD), an electrophoretic display, a cathode ray tube (CRT), and an OLED display . The display element may be provided with an RGB pixel pattern for image implementation and an additional optical filter.
한편, 디스플레이 장치와 관련하여, 스마트 폰 및 태블릿 PC, IPTV 등의 보급이 가속화됨에 따라 키보드나 리모컨 등 별도의 입력 장치 없이 사람의 손이 직접 입력 장치가 되는 터치 기능에 대한 필요성이 점점 커지고 있다. 또한, 특정 포인트 인식뿐만 아니라 필기가 가능한 다중 인식(multi-touch) 기능도 요구되고 있다.Meanwhile, as the spread of smart phones, tablet PCs, IPTVs, and the like is accelerated in connection with display devices, there is a growing need for a touch function in which a human hand becomes a direct input device without a separate input device such as a keyboard or a remote control. In addition, there is a demand for a multi-touch function capable of not only a specific point recognition but also writing.
현재, 상용화된 대부분의 터치 스크린 패널(TSP, touch screen panel)은 투명 전도성 ITO 박막을 기반으로 하고 있으나, 대면적 터치 스크린 패널 적용시 ITO 투명 전극 자체의 비교적 높은 면저항(최저 150 Ω/□, Nitto denko 社 ELECRYSTA 제품)으로 인한 RC 지연 때문에 터치 인식 속도가 느려지게 되고, 이를 극복하기 위한 추가적인 보상 칩(chip)을 도입해야 하는 등의 문제점이 있다.Most commercial touch screen panels (TSPs) are based on transparent conductive ITO thin films, but when applied to a large area touch screen panel, the relatively high sheet resistance of the ITO transparent electrode itself (at least 150 Ω / □, Nitto the speed of the touch recognition is slowed due to the RC delay caused by the ELECRYSTA manufactured by Denko Co., Ltd., and an additional compensation chip is required to overcome this problem.
본 발명자들은 상기 투명 ITO 박막을 금속 미세 패턴으로 대체하기 위한 기술을 연구하였다. 이에, 본 발명자들은, 터치 스크린 패널의 전극 용도로서, 높은 전기전도도를 가지는 금속 박막을 이용하는 경우에는, 특정 모양의 미세 전극 패턴을 구현하고자 할 때, 높은 반사도로 인하여 시인성 측면에 있어서 패턴이 사람의 눈에 잘 인지되는 문제점과 함께 외부 광에 대하여 높은 반사도 및 헤이즈(Haze) 값 등으로 인하여 눈부심 등이 일어날 수 있다는 것을 밝혀내었다. 또한, 제조공정시 고가의 타겟(target) 값이 들거나, 공정이 복잡한 경우가 많을 수 있음을 밝혀내었다.The present inventors have studied a technique for replacing the transparent ITO thin film with a metal fine pattern. The present inventors have found that when a metal thin film having a high electrical conductivity is used as an electrode of a touch screen panel and a microelectrode pattern of a specific shape is to be realized, It has been found out that there is a problem that it is perceived by the eyes and that glare may occur due to high reflectance and haze value against external light. In addition, it has been found out that there are many cases where an expensive target value is involved in the manufacturing process or that the process is complicated in many cases.
또한, 금속 미세선을 투명 전극으로 사용하는 경우, 가장 문제가 될 수 있는 점은 반사 색상이라 할 수 있다. 금속 특유의 광택으로 인하여, 외부 광원에 의한 반짝임 등과 같은 시인성 문제가 발생할 수 있으므로, 금속 표면에 반사율을 낮출 수 있는 추가의 층을 형성하여야 한다.In addition, when a metal fine line is used as a transparent electrode, the most problematic point is the reflection color. Because of the inherent luster of the metal, visibility problems such as sparkling due to external light sources can occur, so that additional layers can be formed on the metal surface to reduce reflectivity.
또한, 현재 터치 스크린 패널을 제조하는 데에 있어서 ITO 투명전극이 주로 사용되고 있다. 통상적으로, 터치 스크린 패널의 화면부의 경우에는 ITO 투명전극이 사용되며, 배선부의 경우에는 상대적으로 저항이 작은 Ag, Cu 등의 금속이 사용되고 있는데, 최근 내로우 베젤(narrow bezel)에 대한 요구가 커지면서 ITO 상 금속 증착필름에 대한 요구가 증대되고 있다.In addition, ITO transparent electrodes are mainly used in manufacturing touch screen panels. Typically, an ITO transparent electrode is used for a screen portion of a touch screen panel, and a metal such as Ag or Cu having a relatively small resistance is used for a wiring portion. Recently, a demand for a narrow bezel There is an increasing demand for ITO metal deposited films.
종래에는 상기 ITO 상 금속 증착필름의 패턴화를 위해서, 포토리소그래피 공정, 습식 에칭(wet etching) 공정 등을 이용하였다. 그러나, 이러한 습식 에칭공정은 내식성을 향상시키기 위하여 첨가된 금속(Ni, Cr, Mo 등)에 의해 패턴 구현이 어려울 뿐만 아니라, 패턴이 구현될지라도 상부 및 하부의 물질 간의 에칭속도가 차이가 크기 때문에 좋은 엣지 거칠기(edge roughness)를 얻기가 어렵다.Conventionally, a photolithography process, a wet etching process, or the like has been used for patterning the ITO metal deposited film. However, in the wet etching process, it is difficult to realize the pattern by the added metal (Ni, Cr, Mo, etc.) in order to improve the corrosion resistance, and even if the pattern is implemented, It is difficult to obtain good edge roughness.
이에, 본 출원에서는 양호한 엣지 거칠기를 구현할 수 있고, 상대적으로 공정이 단순하고 생산속도를 증가시킬 수 있는 전도성 구조체의 제조방법 및 이로부터 제조된 전도성 구조체를 제공하고자 한다.Thus, the present application aims to provide a method of manufacturing a conductive structure capable of realizing good edge roughness, relatively simple process, and increased production speed, and a conductive structure manufactured therefrom.
본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 제조방법은, 기재 상에 니켈계 합금을 포함하는 제1층을 형성하는 단계, 상기 제1층 상에 금속층을 형성하는 단계, 및 상기 제1층 및 금속층을 병렬식 레이저 패터닝 공정을 수행하여 제1층 패턴 및 금속층 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a conductive structure according to an embodiment of the present application includes the steps of forming a first layer including a nickel-based alloy on a substrate, forming a metal layer on the first layer, And a metal layer is subjected to a parallel laser patterning process to form a first layer pattern and a metal layer pattern.
또한, 본 출원에 있어서, 상기 제1층을 형성하는 단계 이전에, 상기 기재상에 투명 전도성층을 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.Further, in the present application, it may further include forming a transparent conductive layer on the substrate before the step of forming the first layer.
또한, 본 출원에 있어서, 상기 금속층을 형성하는 단계 이후에, 상기 금속층 상에 니켈계 합금을 포함하는 제2층을 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.Further, in the present application, after the step of forming the metal layer, a step of forming a second layer containing a nickel-based alloy on the metal layer may be further included.
즉, 상기 병렬식 레이저 패터닝 공정에 의하여, 제1층 패턴 및 금속층 패턴 뿐만 아니라, 투명 전도성층 패턴 및 제2층 패턴 또한 형성할 수 있다.That is, not only the first layer pattern and the metal layer pattern but also the transparent conductive layer pattern and the second layer pattern can be formed by the parallel laser patterning process.
본 출원에 있어서, 상기 병렬식 레이저 패터닝 공정은, 화학반응성의 영향이 없을 수 있고, 조건 조절에 따라 양호한 엣지 거칠기를 구현할 수 있으며, 종래의 습식 에칭공정과 비교하여 상대적으로 공정이 단순하고, 제조공정 속도를 증가시킬 수 있는 특징이 있다.In the present application, the parallel laser patterning process can have no influence on chemical reactivity, can realize good edge roughness according to the condition adjustment, and is relatively simple in process compared with the conventional wet etching process, There is a feature that can increase the process speed.
현재, 레이저를 이용한 패터닝 공정은 대부분 직렬식을 사용하고 있다. 그러나, 이러한 직렬식 레이저 패터닝 공정은 병렬식 레이저 패터닝 공정에 비해 시간이 오래 걸릴 수 있고, 기판, 금속층 등에 악영향을 미칠 수 있어 바람직하지 않다.At present, most of the patterning processes using lasers are in series. However, such a series type laser patterning process may take a longer time than the parallel laser patterning process, and may adversely affect the substrate, the metal layer, and the like, which is not preferable.
본 출원에서는, 상기 투명 전도성층 패턴, 금속층 패턴, 제1층 패턴, 제2층 패턴의 형성시 병렬식 레이저 패터닝 공정을 이용함으로써, 종래의 직렬식 레이저 패터닝 공정에 비하여 복잡한 구조를 단순하고 빠르게 패터닝할 수 있으며, 단층 또는 다층의 금속, 투명 소자를 패터닝할 수 있는 특징이 있다.In the present application, by using a parallel laser patterning process in forming the transparent conductive layer pattern, the metal layer pattern, the first layer pattern, and the second layer pattern, a complex structure can be simply and rapidly patterned And a single layer or multilayer metal or transparent element can be patterned.
상기 병렬식 레이저 패터닝 공정은, 상기 제1층이 형성된 기재의 면의 반대면 상에 펄스 레이저 빔을 조사하는 공정으로 수행될 수 있다. 상기 레이저 빔을 조사하는 공정은 당 기술분야에 알려진 방법을 이용할 수 있고, 보다 구체적인 공정 조건은 후술하는 실시예에 기재하였다.The parallel laser patterning process may be performed by irradiating a pulsed laser beam on the opposite surface of the substrate on which the first layer is formed. The process of irradiating the laser beam can use a method known in the art, and more specific process conditions are described in the following embodiments.
본 출원에 있어서, 상기 투명 전도성층은 인듐 산화물, 아연 산화물, 인듐주석산화물, 인듐아연산화물 및 투명 전도성 고분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.In the present application, the transparent conductive layer may include at least one selected from the group consisting of indium oxide, zinc oxide, indium tin oxide, indium zinc oxide, and transparent conductive polymer, but is not limited thereto.
상기 투명 전도성층의 두께는 투명 전도성층용 재료에 따라 15 ~ 20nm일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The thickness of the transparent conductive layer may be 15 to 20 nm according to the material for the transparent conductive layer, but is not limited thereto.
상기 투명 전도성층은 전술한 투명 전도성층용 재료를 이용하여 기재 상에 증착 공정 또는 인쇄 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 기재는 특별히 한정되지 않으며, 당 기술분야에 알려진 재료를 이용할 수 있다. 예컨대, 유리, 플라스틱 기재, 플라스틱 필름 등을 이용할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The transparent conductive layer may be formed using a deposition process or a printing process on a substrate using the above-described material for a transparent conductive layer. The substrate is not particularly limited, and materials known in the art can be used. For example, glass, a plastic substrate, a plastic film, and the like can be used, but the present invention is not limited thereto.
본 출원에 있어서, 상기 금속층은 당 기술분야에 알려진 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 습식 코팅, 증발, 전해 도금, 무전해 도금 등의 방법에 의하여 형성할 수 있다.In the present application, the metal layer can be formed using a method known in the art. For example, evaporation, sputtering, wet coating, evaporation, electrolytic plating, electroless plating, or the like.
상기 금속층은 구리, 알루미늄, 은, 네오디윰, 몰리브덴, 니켈, 크롬, 티타늄, 팔라듐 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 특히, 상기 금속층은 구리 또는 은을 포함할 수 있고, 이들의 산화물, 이들의 질화물 등을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The metal layer may include at least one selected from the group consisting of copper, aluminum, silver, neodymium, molybdenum, nickel, chromium, titanium, palladium and alloys thereof. In particular, the metal layer may include copper or silver, oxides thereof, nitrides thereof, and the like, but is not limited thereto.
또한, 상기 금속층을 인쇄방법에 의하여 형성할 수도 있다. 상기 금속층을 인쇄방법에 의하여 형성하는 경우, 금속을 포함하는 잉크 또는 페이스트를 이용할 수 있으며, 상기 페이스트는 금속 이외에, 바인더 수지, 용매, 글래스 프릿 등을 더 포함할 수도 있다.Further, the metal layer may be formed by a printing method. When the metal layer is formed by a printing method, an ink or a paste containing a metal may be used. In addition to the metal, the paste may further include a binder resin, a solvent, a glass frit, and the like.
상기 금속층의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 0.01 ~ 30㎛인 것이 금속층의 전도도 및 패턴 형성 공정의 경제성 측면에서 보다 우수한 효과를 나타낼 수 있다.Although the thickness of the metal layer is not particularly limited, it is preferable that the metal layer has a thickness of 0.01 to 30 占 퐉 in terms of the conductivity of the metal layer and the economical efficiency of the pattern forming process.
상기 니켈계 합금을 포함하는 제1층 또는 제2층은 당 기술분야에 알려진 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 습식 코팅, 증발, 전해 도금, 무전해 도금 등의 방법에 의하여 형성할 수 있다.The first or second layer comprising the nickel-based alloy may be formed using methods known in the art. For example, evaporation, sputtering, wet coating, evaporation, electrolytic plating, electroless plating, or the like.
상기 니켈계 합금은 니켈과 Fe, Co, Ti, V, Al, Au, Cu, Ag, Ni, Mo 및 Cr으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 합금일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 특히, 상기 니켈계 합금은 Ni-Mo, Ni-Cr, Ni-Cr-Mo, Ni-Fe-Cr 또는 Ni-Cr-Si 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The nickel-based alloy may be an alloy including at least one element selected from the group consisting of nickel, Fe, Co, Ti, V, Al, Au, Cu, Ag, Ni, Mo and Cr. no. In particular, the nickel-based alloy may be Ni-Mo, Ni-Cr, Ni-Cr-Mo, Ni-Fe-Cr or Ni-Cr-Si.
상기 니켈계 합금이 Ni-Mo인 경우에는, 상기 Mo의 함량은 Ni-Mo 총중량을 기준으로 10 ~ 40 중량% 이고, Ni의 함량은 잔량의 범위일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 니켈계 합금이 Ni-Cr인 경우에는, 상기 Cr의 함량은 Ni-Cr 총중량을 기준으로 10 ~ 40 중량% 이고, Ni의 함량은 잔량의 범위일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 니켈계 합금이 Ni-Cr-Mo인 경우에는, Ni-Cr-Mo 총중량을 기준으로 상기 Cr 및 Mo의 함량은 각각 독립적으로 5 ~ 30 중량% 이고, Ni의 함량은 잔량의 범위일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 니켈계 합금이 Ni-Fe-Cr인 경우에는, Ni-Fe-Cr 총중량을 기준으로 상기 Fe의 함량은 20 ~ 40 중량%이고, 상기 Cr의 함량은 10 ~ 30 중량% 일 수 있으며, Ni의 함량은 잔량의 범위일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 니켈계 합금이 Ni-Cr-Si인 경우에는, Ni-Cr-Si 총중량을 기준으로 Cr의 함량은 10 ~ 30 중량% 이고, Si의 함량은 1 ~ 10 중량% 일 수 있으며, Ni의 함량은 잔량의 범위일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.When the nickel-based alloy is Ni-Mo, the content of Mo is 10 to 40% by weight based on the total weight of Ni-Mo, and the content of Ni may be in the range of the remaining amount, but is not limited thereto. When the nickel-based alloy is Ni-Cr, the content of Cr is 10 to 40% by weight based on the total weight of Ni-Cr, and the content of Ni may be in the range of the remaining amount, but is not limited thereto. When the nickel-based alloy is Ni-Cr-Mo, the contents of Cr and Mo are each independently 5 to 30% by weight based on the total weight of Ni-Cr-Mo, and the content of Ni is in the range of the remaining amount But is not limited thereto. When the nickel-based alloy is Ni-Fe-Cr, the content of Fe may be 20 to 40 wt% based on the total weight of Ni-Fe-Cr, and the content of Cr may be 10 to 30 wt% , The content of Ni may be in the range of the remaining amount, but is not limited thereto. When the nickel-based alloy is Ni-Cr-Si, the content of Cr may be 10 to 30% by weight, the content of Si may be 1 to 10% by weight based on the total weight of Ni-Cr-Si, May be in the range of the remaining amount, but is not limited thereto.
또한, 상기 니켈계 합금을 포함하는 제1층 또는 제2층은 인쇄방법에 의하여 형성할 수도 있다. 상기 니켈계 합금을 포함하는 제1층 또는 제2층을 인쇄방법에 의하여 형성하는 경우, 니켈계 합금을 포함하는 잉크 또는 페이스트를 이용할 수 있으며, 상기 페이스트는 니켈계 합금 이외에, 바인더 수지, 용매, 글래스 프릿 등을 더 포함할 수도 있다.The first layer or the second layer containing the nickel-based alloy may be formed by a printing method. In the case where the first layer or the second layer containing the nickel-based alloy is formed by a printing method, an ink or paste containing a nickel-based alloy may be used. In addition to the nickel-based alloy, the paste may contain a binder resin, Glass frit, and the like.
상기 니켈계 합금을 포함하는 제1층 또는 제2층의 두께는 10 ~ 100nm일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The thickness of the first layer or the second layer including the nickel-based alloy may be 10 to 100 nm, but is not limited thereto.
상기 제1층 및 제2층은 서로 동일한 물질을 포함할 수도 있고, 서로 상이한 물질을 포함할 수도 있다.The first layer and the second layer may include the same material or may include materials that are different from each other.
본 출원에 있어서, 상기 투명 전도성층, 금속층, 제1층 및 제2층을 각각 독립적으로 병렬식 레이저 패터닝 공정을 수행하여, 투명 전도성층 패턴, 금속층 패턴 및 제1층 패턴을 형성할 수 있다. 즉, 상기 투명 전도성층, 금속층, 제1층 및 제2층을 동시에 병렬식 레이저 패터닝 공정을 수행하여 투명 전도성층 패턴, 금속층 패턴 및 제1층 패턴을 형성할 수도 있고, 상기 투명 전도성층, 금속층, 및 제1층을 각각 개별적으로 병렬식 레이저 패터닝 공정을 수행하여 투명 전도성층 패턴, 금속층 패턴, 제1층 패턴 및 제2층 패턴을 형성할 수도 있다.In this application, the transparent conductive layer pattern, the metal layer pattern, and the first layer pattern can be formed by independently performing the laser patterning process in parallel on the transparent conductive layer, the metal layer, the first layer and the second layer. That is, the transparent conductive layer pattern, the metal layer pattern, and the first layer pattern may be formed by simultaneously performing the laser patterning process on the transparent conductive layer, the metal layer, the first layer, and the second layer, , And the first layer may be individually subjected to a parallel laser patterning process to form a transparent conductive layer pattern, a metal layer pattern, a first layer pattern, and a second layer pattern.
상기 금속층 패턴의 선폭은 0 초과 50㎛ 이하일 수 있고, 0 초과 30㎛ 이하일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 제1층 패턴 또는 제2층 패턴은 상기 금속층 패턴과 동일한 형상의 패턴을 가질 수 있다. 다만, 상기 제1층 패턴 또는 제2층 패턴의 규모가 상기 금속층 패턴과 완전히 동일할 필요는 없으며, 상기 제1층 패턴 또는 제2층 패턴의 선폭이 상기 금속층 패턴의 선폭에 비하여 좁거나 넓은 경우도 본 출원의 범위에 포함된다. 구체적으로, 상기 제1층 패턴 또는 제2층 패턴의 선폭은 상기 금속층 패턴의 선폭의 80 ~ 120%일 수 있다. 또는, 구체적으로, 상기 제1층 패턴 또는 제2층 패턴이 구비된 면적은 상기 금속층 패턴이 구비된 면적의 80 ~ 120% 일 수 있다. 더욱 더 구체적으로, 상기 제1층 패턴 또는 제2층 패턴의 형태는 금속층 패턴의 선폭과 동일하거나 큰 선폭을 갖는 패턴 형태인 것이 바람직하다.The line width of the metal layer pattern may be more than 0 but 50 탆 or less, more than 0 and 30 탆 or less, but is not limited thereto. The first layer pattern or the second layer pattern may have the same pattern as the metal layer pattern. However, it is not necessary that the scale of the first layer pattern or the second layer pattern is completely equal to the metal layer pattern, and when the line width of the first layer pattern or the second layer pattern is narrower or wider than the line width of the metal layer pattern Are also included in the scope of the present application. Specifically, the line width of the first layer pattern or the second layer pattern may be 80 to 120% of the line width of the metal layer pattern. Alternatively, the area of the first layer pattern or the second layer pattern may be 80 to 120% of the area of the metal layer pattern. More specifically, the shape of the first layer pattern or the second layer pattern is preferably a pattern shape having a line width equal to or larger than the line width of the metal layer pattern.
또한, 본 출원의 다른 실시상태는, 상기 전도성 구조체의 제조방법에 의하여 제조되는 전도성 구조체를 제공한다.Further, another embodiment of the present application provides a conductive structure produced by the method for manufacturing the conductive structure.
본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 예를 하기 도 1 및 도 2에 예시하였다. 도 1 및 도 2는 투명 전도성층, 금속층 및 제1층의 적층 순서를 예시하기 위한 것이며, 상기 투명 전도성층, 금속층 및 제1층은 실제로 터치 스크린 패널 등의 미세 투명 전극 용도로 적용시 전면층이 아니라 패턴 형태일 수 있다.Examples of the conductive structure according to one embodiment of the present application are illustrated in Figs. 1 and 2. Fig. FIGS. 1 and 2 are for illustrating the stacking sequence of the transparent conductive layer, the metal layer and the first layer, and the transparent conductive layer, the metal layer, and the first layer are actually used for a transparent electrode such as a touch screen panel, But may be in the form of a pattern.
도 1에 따르면, 기재(100) 상에 제1층(300)이 배치되고, 상기 금속층(200)이 상기 제1층(300) 위에 배치된 경우를 예시한 것이다.Referring to FIG. 1, a
도 2에 따르면, 기재(100) 상에 제1층(300)이 배치되고, 상기 금속층(200)이 상기 제1층(300) 위에 배치되며, 상기 금속층(200) 상에 상기 제2층(220)이 배치된 경우를 예시한 것이다.2, a
본 출원에 있어서, 상기 니켈계 합금을 포함하는 제1층 또는 제2층은 산화방지층, 부식방지층 등의 역할을 수행할 수 있다.In the present application, the first layer or the second layer including the nickel-based alloy may serve as an oxidation preventing layer, a corrosion preventing layer, or the like.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 전도성 구조체는 면저항이 1 Ω/□ 이상 300 Ω/□ 이하일 수 있고, 구체적으로 1 Ω/□ 이상 100 Ω/□ 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 1 Ω/□ 이상 50 Ω/□ 이하일 수 있고, 더욱 더 구체적으로 1 Ω/□ 이상 20 Ω/□ 이하일 수 있다.In one embodiment of the present application, the conductive structure may have a sheet resistance of 1 Ω / □ or more and 300 Ω / □ or less, specifically 1 Ω / □ or more and 100 Ω / □ or less, more specifically 1 Ω / □ Or more and 50 Ω / □ or less, and more specifically, 1 Ω / □ or more and 20 Ω / □ or less.
상기 전도성 구조체의 면저항이 1 Ω/□ 이상 300 Ω/□ 이하이면 종래의 ITO 투명 전극을 대체할 수 있는 효과가 있다. 상기 전도성 구조체의 면저항이 1 Ω/□ 이상 100 Ω/□ 이하인 경우, 또는 1 Ω/□ 이상 50 Ω/□ 이하인 경우, 특히 1 Ω/□ 이상 20 Ω/□ 이하인 경우에는 종래 ITO 투명 전극 사용시보다 면저항이 상당히 낮기 때문에 신호 인가시 RC 지연이 짧아져 터치 인식 속도를 현저하게 개선할 수 있으며, 이를 바탕으로 10인치 이상 대면적 터치 스크린 적용이 용이하다는 장점이 있다.If the sheet resistance of the conductive structure is 1 Ω / □ or more and 300 Ω / □ or less, it is possible to replace the conventional ITO transparent electrode. In the case where the sheet resistance of the conductive structure is 1 Ω / □ or more and 100 Ω / □ or less, or 1 Ω / □ or more and 50 Ω / □ or less, especially 1 Ω / □ or more and 20 Ω / □ or less, Since the surface resistance is considerably low, the RC delay is shortened when the signal is applied, and the speed of the recognition of the touch can be remarkably improved. Thus, it is easy to apply the large-sized touch screen of 10 inches or more.
본 출원의 하나의 실시상태는 상기 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널을 제공한다. 예컨대, 정전용량식 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 본 출원의 하나의 실시상태에 다른 전도성 구조체는 터치 감응식 전극 기판으로 사용될 수 있다. 특히, 상기 전도성 구조체는 터치 스크린 패널에 있어서, 베젤 전극 등과 같은 배선부에 적용되는 것이 보다 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.One embodiment of the present application provides a touch screen panel comprising the conductive structure. For example, in a capacitive touch screen panel, another conductive structure in one embodiment of the present application can be used as a touch sensitive electrode substrate. In particular, the conductive structure is more preferably applied to a wiring portion such as a bezel electrode in a touch screen panel, but the present invention is not limited thereto.
본 출원의 하나의 실시상태에 따른 터치 스크린 패널은 전술한 전도성 구조체 이외에 추가의 구조체를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 2개의 구조체가 서로 같은 방향으로 배치될 수도 있으며, 2개의 구조체가 서로 반대 방향으로 배치될 수도 있다. 2개 이상의 구조체가 포함되는 경우 이들 사이에는 절연층이 구비될 수 있다. 이 때 절연층은 점착층의 기능이 추가로 부여될 수도 있다.The touch screen panel according to one embodiment of the present application may further include an additional structure in addition to the above-described conductive structure. In this case, the two structures may be arranged in the same direction, or the two structures may be arranged in directions opposite to each other. When two or more structures are included, an insulating layer may be provided therebetween. At this time, the insulating layer may be further given the function of the adhesive layer.
본 출원의 하나의 실시상태에 따른 터치 스크린 패널은 하부 기재; 상부 기재; 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면 및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면 중 어느 한 면 또는 양면에 구비된 전극층을 포함할 수 있다. 상기 전극층은 각각 X축 위치 검출 및 Y축 위치 검출 기능을 할 수 있다.A touch screen panel according to one embodiment of the present application includes a lower substrate; An upper substrate; And an electrode layer provided on at least one side of a surface of the lower substrate contacting the upper substrate and a surface of the upper substrate contacting the lower substrate. The electrode layers can perform X-axis position detection and Y-axis position detection functions, respectively.
이 때, 상기 하부 기재 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층; 및 상기 상부 기재 및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층 중 하나 또는 두 개 모두가 전술한 본 출원의 하나의 실시상태에 따른 전도성 구조체일 수 있다.An electrode layer provided on a surface of the lower substrate and an upper substrate of the lower substrate; And one or both of the upper substrate and the electrode layer provided on the surface in contact with the lower substrate of the upper substrate may be a conductive structure according to one embodiment of the presently filed application.
상기 상부 기재와 상기 하부 기재 모두의 일면에 전극층이 구비되어 2층의 전극층이 형성되는 경우, 상기 전극층의 간격을 일정하기 유지하고 접속이 일어나지 않도록 상기 하부 기재와 상부 기재 사이에 절연층 또는 스페이서가 구비될 수 있다. 상기 절연층은 점착제 또는 UV 혹은 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. 상기 터치 스크린 패널은 전술한 전도성 구조체 중의 전도성층의 패턴과 연결된 접지부를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 접지부는 상기 기재의 전도성층의 패턴이 형성된 면의 가장자리부에 형성될 수 있다. 또한,상기 전도성 구조체를 포함하는 적층재의 적어도 일면에는 반사 방지 필름, 편광 필름 및 내지문 필름 중 적어도 하나가 구비될 수 있다. 설계사양에 따라 전술한 기능성 필름 이외에 다른 종류의 기능성 필름을 더 포함할 수도 있다. 상기와 같은 터치 스크린 패널은 OLED 디스플레이 패널(OLED Display Panel), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD) 및 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT), PDP와 같은 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.When an electrode layer is formed on one surface of both the upper substrate and the lower substrate to form a two-layer electrode layer, an insulating layer or a spacer is interposed between the lower substrate and the upper substrate so as to maintain a constant interval between the electrode layers and prevent connection. . The insulating layer may include a pressure-sensitive adhesive or a UV or thermosetting resin. The touch screen panel may further include a ground portion connected to the pattern of the conductive layer in the conductive structure. For example, the ground portion may be formed at the edge portion of the surface of the substrate on which the pattern of the conductive layer is formed. In addition, at least one of an antireflection film, a polarizing film, and an inner fingerprint film may be provided on at least one side of the laminate including the conductive structure. But may further include other types of functional films other than the above-described functional films according to design specifications. The touch screen panel may be applied to a display device such as an OLED display panel, a liquid crystal display (LCD), a cathode ray tube (CRT), and a plasma display panel (PDP).
이하 실시예, 비교예 및 실험예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예, 비교예 및 실험예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, Comparative Examples and Experimental Examples. However, the following Examples, Comparative Examples and Experimental Examples are provided for illustrating the present invention, and thus the scope of the present invention is not limited thereto.
<< 실시예Example >>
<< 실험예Experimental Example 1 ~3> 1 to 3>
글래스 기재 상에, 니켈계 합금으로서 Ni-Cr, Ni-Mo 또는 Ni-Cr-Mo를 포함하는 제1층을 형성하고, 상기 제1층에 병렬식 레이저 패터닝 공정을 수행하여 제1층 패턴을 형성하였다.A first layer including Ni-Cr, Ni-Mo or Ni-Cr-Mo is formed as a nickel-based alloy on a glass substrate, and a parallel laser patterning process is performed on the first layer to form a first layer pattern .
상기 병렬식 레이저 패터닝 공정은 Nd:YAG 레이저를 이용하였고, 보다 구체적인 조건은 아래와 같다.A Nd: YAG laser was used for the parallel laser patterning process, and more specific conditions are as follows.
1) 파장(λ): 355nm1) Wavelength (?): 355 nm
2) Pulse Emax: 280mJ2) Pulse E max : 280 mJ
3) w(ns): 63) w (ns): 6
4) Beam size: 9mm4) Beam size: 9mm
5) Repetition rate: 10Hz5) Repetition rate: 10Hz
상기 제조된 Ni-Cr를 포함하는 제1층의 반사 모드에서 측정한 패턴의 형태를 하기 도 5에 나타내었고, 투과 모드에서 측정한 패턴의 형태를 하기 도 6에 나타내었다.The shape of the pattern measured in the reflection mode of the first layer including the Ni-Cr prepared above is shown in FIG. 5, and the pattern measured in the transmission mode is shown in FIG.
또한, 상기 제조된 Ni-Mo를 포함하는 제1층의 반사 모드에서 측정한 패턴의 형태를 하기 도 7에 나타내었고, 투과 모드에서 측정한 패턴의 형태를 하기 도 8에 나타내었다.The shape of the pattern measured in the reflection mode of the first layer including the Ni-Mo produced above is shown in FIG. 7, and the pattern measured in the transmission mode is shown in FIG.
또한, 상기 제조된 Ni-Cr-Mo를 포함하는 제1층의 반사 모드에서 측정한 패턴의 형태를 하기 도 9에 나타내었고, 투과 모드에서 측정한 패턴의 형태를 하기 도 10에 나타내었다.The shape of the pattern measured in the reflective mode of the Ni-Cr-Mo-containing first layer is shown in Fig. 9, and the pattern measured in the transmissive mode is shown in Fig.
<< 실험예Experimental Example 4> 4>
상기 Ni-Cr를 포함하는 제1층 상에 Cu를 증착하여 전도성 구조체를 형성하였다.Cu was deposited on the Ni-Cr-containing first layer to form a conductive structure.
상기 전도성 구조체의 반사 모드에서 측정한 패턴의 형태를 하기 도 11에 나타내었고, 투과 모드에서 측정한 패턴의 형태를 하기 도 12에 나타내었다.The shape of the pattern measured in the reflection mode of the conductive structure is shown in FIG. 11, and the shape of the pattern measured in the transmission mode is shown in FIG.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 투과도를 하기 도 4에 개략적으로 나타내었다.The permeability of the conductive structure according to one embodiment of the present application is schematically shown in Fig.
본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는, 금속층, 제1층 등의 패터닝 공정시 병렬식 레이저 패터닝 공정을 이용함으로써, 마스크, 레이저 파워, 다양한 파장에 대한 기재의 투과, 흡수 조건 조절 등을 통해, 종래의 직렬식 레이저 패터닝 공정에 비해 복잡한 구조를 단순하고, 빠르게 패터닝할 수 있으며, 단층 또는 다층의 금속 및 투명 소자를 패턴할 수 있는 특징이 있다.The conductive structure according to one embodiment of the present application can be formed by using a parallel laser patterning process in a patterning process of a metal layer, a first layer, or the like, by using a mask, laser power, transmission of a substrate to various wavelengths, , The complex structure can be simplified and patterned more quickly than the conventional in-line laser patterning process, and single or multi-layer metal and transparent elements can be patterned.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는, 금속층, 제1층 등의 패터닝 공정시 병렬식 레이저 패터닝 공정을 이용함으로써, 각각의 패턴의 양호한 엣지 거칠기(edge roughness)를 구현할 수 있고, 제조공정 시간을 절감할 수 있는 특징이 있다.In addition, the conductive structure according to one embodiment of the present application can realize good edge roughness of each pattern by using a parallel laser patterning process in the patterning process of the metal layer, the first layer, And there is a characteristic that the processing time can be saved.
또한, 본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체를 이용하여, 내구성이 향상된 얇은 베젤(narrow bezel)을 도입할 수 있고, 이를 포함하는 터치 스크린 패널을 개발할 수 있다.Further, by using the conductive structure according to one embodiment of the present invention, a narrow bezel having improved durability can be introduced, and a touch screen panel including the narrow bezel can be developed.
Claims (14)
상기 제1층 상에 금속층을 형성하는 단계, 및
상기 제1층 및 금속층을 병렬식 레이저 패터닝 공정을 수행하여 제1층 패턴 및 금속층 패턴을 형성하는 단계
를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법.Forming a first layer comprising a nickel-based alloy on a substrate,
Forming a metal layer on the first layer, and
Forming a first layer pattern and a metal layer pattern by performing a parallel laser patterning process of the first layer and the metal layer
≪ / RTI >
상기 제1층이 형성된 기재의 면의 반대면 상에 펄스 레이저 빔을 조사하는 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법.The method according to claim 1, wherein the parallel laser patterning step comprises:
And irradiating a pulsed laser beam on the opposite surface of the substrate with the first layer formed thereon.
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