KR20150142015A - 미소 전자 기계 디바이스 및 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

웨이퍼 플레이트102), 하나 이상의 웨이퍼 커넥터 요소(114, 214, 314, 414, 514, 614)들의 그룹, 및 그 사이의 전기 분배층(110, 310, 410, 510, 610)을 포함하는 미소 전자 기계 디바이스(100, 300)가 개시된다. 감소된 디바이스 두께를 위하여, 웨이퍼 플레이트는 적어도 2개의 다이(104 및 106, 204 및 206, 304 및 306, 404 및 406, 504 및 506, 604 및 606)들과, 웨이퍼 플레이트의 종방향 범위에 적어도 2개의 다이들을 서로 나란하게 원주 방향으로 본딩하는 본딩 물질(108, 308, 408, 508, 608)을 포함하며, 다이들 중 적어도 하나는 미소 전자 기계 다이(104, 204, 304, 404, 504, 604)이다. 전기 분배층은 웨이퍼 플레이트를 덮고, 유전체 물질(112)의 적어도 하나의 층과 전도성 물질(115)의 적어도 하나의 층을 포함하며, 전도성 물질의 층은 다이들과 웨이퍼 커넥터 요소들의 상호 전기 접속을 위해 상기 유전체 물질의 층 내에서 패턴화된다. 새로운 구성으로, 상당히 감소된 MEMS 디바이스 두께가 달성된다.

Description

미소 전자 기계 디바이스 및 제조 방법{A MICROELECTROMECHANICAL DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING}
본 발명은 미소 전자 기계 디바이스들 및 미소 전자 기계 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다.
미소 전자 기계 시스템들, 또는 MEMS 디바이스들은 적어도 일부 요소들이 특정 종류의 기계적인 기능성을 가지는 소형화된 기계 및 전자-기계 시스템으로서 정의될 수 있다. MEMS 디바이스들이 통합 회로를 생성하도록 사용된 동일한 도구로 생성되기 때문에, 미소 기계 및 미소 전자 요소들은 다양한 형태의 디바이스들을 가능하게 하도록 실리콘의 부분 상에 제작될 수 있다.
미소 전자 기계 디바이스들의 치수는 매우 작고, 구성요소들은 전형적으로 수십 마이크로미터 내지 수 밀리미터의 크기 범위에 놓인다. 이러한 것은 미소 전자 기계 디바이스들에서 검출된 기계적 변형, 변위 또는 편향이 또한 작고, 이에 의해 외부 장애에 대해 취약하다는 것을 의미한다. 이러한 것은 설계에 많은 도전을 부과한다. 미소 전자 기계 디바이스들에 의해, 미소 전자 기계 요소를 포함하는 다이와, 미소 전자 기계 요소에 할당된 전자 기기를 포함하는 적어도 하나 이상의 다이는 전형적으로 패키지로 캡슐화된다.
그러나, 패키지의 높이는, 전형적으로 캐리어 상에 집적회로 다이가 적층되고 오버몰딩되는 미소 전자 기계 디바이스들을 위한 병목이 된다. 이러한 전형적인 방식에서, 높이는 최상의 예에서 약 0.8 ㎜이었다. 그러나, 높이를 더욱 감소시키는 것은 매우 얇은 다이, 와이어 본딩 루프 높이, 접착층의 높이 및 캐리어의 높이의 취급에서 문제로 인하여 가능하지 않은 것 같다.
본 발명의 목적은 보다 작은 패키지에서 미소 전자 기계 디바이스들의 적용을 가능하게 하는 패키지 구조를 제공하는 것이다. 본 발명의 목적은 독립항의 특징부에 따른 미소 전자 기계 디바이스와 미소 전자 기계 디바이스를 제조하는 방법으로 달성된다.
본 발명의 바람직한 실시예들은 종송항들에 개시된다.
청구된 발명은 웨이퍼 플레이트, 하나 이상의 웨이퍼 커넥터 요소들의 그룹, 및 그 사이의 전기 분배층을 포함하는 미소 전자 기계 디바이스를 한정한다. 웨이퍼 플레이트는 적어도 2개의 다이들과 본딩 물질을 포함하며, 상기 본딩 물질은, 웨이퍼 플레이트의 종방향 범위에 적어도 2개의 다이들을 서로 나란하게 원주 방향으로 본딩하고, 다이들 중 적어도 하나는 미소 전자 기계 다이이다. 전기 분배층은 웨이퍼 플레이트를 덮고, 유전체 물질의 적어도 하나의 층과 전도성 물질의 적어도 하나의 층을 포함하며, 전도성 물질의 층은 다이들과 웨이퍼 커넥터 요소들의 상호 전기 접속을 위해 유전체 물질의 층 내에서 패턴화된다. 전기 분배층은 적어도 하나의 미소 전자 기계 다이를 덮는 제1 부분과, 미소 전자 기계 다이와 웨이퍼 플레이트의 인접한 가장자리들 사이의 본딩 물질의 영역들을 가진다. 하나 이상의 웨이퍼 커넥터 요소들의 그룹은 제1 부분 외부의 위치들에 있는 전기 분배층에서만 위치된다.
멀티 다이 디바이스에 있는 다이들의 새로운 구성으로, 상당히 감소된 MEMS 디바이스 두께가 달성된다.
청구된 발명 및 그 실시예의 특징 및 이점은 실시예의 상세한 설명으로 더욱 상세하게 설명된다.
다음에, 본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예와 관련하여 보다 상세하게 설명된다:
도 1은 미소 전자 기계(MEMS) 디바이스의 실시예의 측면도;
도 2는 도 1에 도시된 미소 전자 기계 (MEMS) 디바이스의 평면도;
도 3은 밑에 있는 지지 구조의 굽힘 동안 청구된 위치 결정의 효과를 도시한 도면;
도 4는 MEMS 디바이스에서 응력을 감소시키기 위한 추가의 실시예를 도시한 도면;
도 5는 MEMS 디바이스에서 응력을 감소시키기 위한 대안적인 실시예를 도시한 도면;
도 6은 압력을 감지하기 위한 미소 전자 기계 디바이스의 예시적인 구조를 도시한 도면.
다음의 실시예들은 예시적이다. 비록 명세서가 "하나" 또는 "일부" 실시예를 인용할 수 있을지라도, 이러한 것은 반드시, 각 이러한 인용이 동일한 실시예(들)에 대한 것이거나 또는 도면이 단지 단일 실시예에 적용하는 것을 의미하는 것은 아니다. 상이한 실시예들의 단일 특징은 추가의 실시예들을 제공하도록 조합될 수 있다.
다음에, 본 발명의 특징들은, 본 발명의 다양한 실시예들이 실행되는 디바이스 아키텍쳐의 간단한 예에 의해 설명될 것이다. 실시예들을 도시하는 것과 관련한 요소들만이 상세히 설명된다. 압력 센서들의 다양한 실시는 당업자에게 대체로 공지되고 본 명세서에서 특별히 설명되지 않는 요소들을 포함한다.
도 1은 본 발명에 따른 미소 전자 기계 (MEMS) 디바이스(100)의 실시예의 측면도를 도시한다. 도 1의 MEMS 디바이스는 웨이퍼 플레이트(102)를 포함하고, 플레이트를 따르는 그 평면 물체의 길이는 플레이트의 두께보다 크다. 웨이퍼 플레이트(102)는, 기계적으로 변형되는 요소와 전기 트랜스듀서를 포함하는 적어도 하나의 MEMS 다이(104)를 포함하며, 전기 트랜스듀서는 변형 요소의 변형에 응답하여 MEMS 디바이스에서 추가의 처리를 위한 전기 출력 신호를 생성한다. 다이 구조들은 다양한 공정을 통해 단일 웨이퍼 상에서 큰 묶음으로 제조될 수 있으며, 웨이퍼는 각각 구조의 복제본(copy)을 포함하는 많은 부분들로 다이싱될(diced) 수 있다. 웨이퍼로부터 다이싱된, 한정된 구조를 갖는 반도체 물질의 부분은 본 명세서에서 다이로 지칭된다. MEMS 다이(104)는 전기 입력 및 출력 단자(116)들을 포함할 수 있으며, 전기 신호는 입력 및 출력 단자들을 통해 MEMS 다이로부터 입력 및 MEMS 다이로 출력된다.
웨이퍼 플레이트(102)는 MEMS 다이(104)로부터 신호 출력을 위한 측정 회로를 포함하는 집적 회로(IC) 다이(106)일 수 있는 적어도 하나의 다른 다이를 포함한다. 또한, IC 다이(104)는 전기 입력 및 출력 단자들을 포함할 수 있으며, 전기 신호는 이 입력 및 출력 단자들을 통해 IC 다이로부터 입력 및 IC 다이로 출력된다. 다이(104, 106)들은 웨이퍼 플레이트의 종방향 범위까지 서로 나란하게 본딩 물질(108)에 의해 본딩된다. 그러므로, 다이(104, 106)들과 본딩 물질(108)은 웨이퍼 플레이트(102)의 평면층을 형성한다.
웨이퍼 플레이트(102)의 상부에는 전기 분배층(110)이 형성된다. 전기 분배층(110)은 유전체 물질(112)의 층과, 전도성 물질(115)의 층을 포함하고, 전도성 물질의 층은 MEMS 다이(104)와 IC 다이(106)의 전기 입력 단자(116, 118)들을 선택적으로 상호 접속하도록 유전체 물질의 층 내로 패턴화된다. 유전체 물질(112)은 중합체 유전체 물질일 수 있으며, 전도성 물질은 금속, 예를 들어 구리의 침착된 필름일 수 있다. 도 1의 전기 분배층 구조가 단지 예시적이라는 것을 유념하여야 한다. 선택적으로 유전체 및 전도성 물질들로 형성된 다른 층 구성이 본 발명의 범위 내에서 적용될 수 있다.
전기 분배층(110)의 측부에 있는 웨이퍼 플레이트(102)의 표면이 상부면이고 다른 측부에 있는 웨이퍼 플레이트(102)의 표면이 저부면이라는 것을 가정한다. MEMS 다이(104)와 IC 다이(106)는 서로 병행하여 웨이퍼 플레이트(102)의 상부면을 따라서 연장하도록 위치되어서, 그 가장 긴 치수는 상부면의 방향으로 평행하게 연장한다. 이로 인하여, 그 가장 짧은 치수는 웨이퍼 플레이트(102)의 두께로 연장한다. 그러므로, 웨이퍼 플레이트 프로파일은 매우 얇고, 이는 이전보다 얇은 MEMS 디바이스들의 공급을 가능하게 한다.
도 1에 도시된 바와 같이, MEMS 디바이스는 웨이퍼 플레이트(102) 내에 있는 전기 분배층(110)의 전도성 물질 경로들을 통해 다이(104, 106)들에 접속되는 하나 이상의 웨이퍼 접속 소자(114)들의 그룹을 또한 포함한다. 웨이퍼 접속 소자들은 예를 들어, 땜납 범프들, 금속 코팅 중합체 코어 구체들, 구리 필라(copper pillar)들, 및 랜드 패드(land pad)들, 또는 인쇄회로기판에 전기 디바이스를 접속하기 위하여 사용되는 임의의 다른 소자들일 수 있으며, 이것들 모두는 당업자에게 널리 공지되어 있다.
집적 회로의 웨이퍼 레벨 패키징(WLP)은 급속히, 비교적 작고 낮은 IO-카운트 회로를 패키징하기 위한 주요 기술이 되었다. 상기 기술은, 다이 부착, 와이어 본딩 및 플라스틱 오버몰딩과 같은 임의의 다른 전통적인 패키징 단계가 더 이상 필요없고 와이퍼의 다이싱 후에 표준 리플로 땜납 공정으로 인쇄회로기판에 직접 땜납될 수 있도록, 실리콘 회로 상에 중합체 절연층, 구리 전도체 트랙들 및 땜납 볼들의 침착을 포함한다.
WLP의 개념은 공지된 양호한(테스트된) 다이들이 재구성된 웨이퍼를 구성하도록 2차원 어레이로서 플라스틱 몰딩 물질에 매립되는 소위 팬-아웃(fan-out) 웨이퍼 레벨 패키징(FO-WLP)에 의해 보다 높은 IO-카운트 회로로 확장되었다. 다이들은 플라스틱 물질에 의해 경계가 정해지며, 본래의 웨이퍼 상에서보다 넓은 다이 공간으로 규칙적인 어레이에 배열된다. 이러한 재구성 웨이퍼 상에, 유전체 막들, 구리 막 및 땜납 범프들의 유사한 침착은 표준 WLP-기술로서 행해질 수 있다.
새로운 멀티 다이 디바이스를 형성하도록 플라스틱 물질을 둘러싸고 결속하는 다이들의 그룹을 가지는 것에 의해 FO-WLP에 기초하여 멀티 다이 디바이스들이 구성될 수 있다는 것이 또한 공지되어 있다. WLP-웨이퍼 또는 FO-WLP 상에서 다이들의 적층은 멀티 다이 디바이스의 복잡성을 증가시키도록 이전에 제안되었다. 본 발명에서, 멀티 다이 디바이스에서 다이들의 새로운 구성은 상당히 감소된 MEMS 디바이스 두께를 달성하도록 적용된다. 약 0,4 ㎜의 MEMS 디바이스 두께는 지금 달성되었다.
그리하여, 웨이퍼 레벨 패키징의 공정 단계들이 MEMS 제조의 기술 분야에서 폭넓게 문서화되고 당업자에게 공지되었다는 것을 유념하여야 한다. 청구된 층이 진 구조의 도면 및 관련 설명은 동시에 대응하는 제조 방법 청구항들로서 제공된다.
도 2는 도 1에 도시된 MEMS 디바이스에 대한 평면도를 도시한다. 미소 전자 기계 디바이스들에서, 치수들은 매우 작으며, 구성요소들은 전형적으로 수십 마이크로 내지 수 밀리미터의 크기 범위이다. 이러한 것은 설계에 많은 도전을 부과한다. 예를 들어, 미소 전자 기계 압력 센서에서, 압력 변화로 인해 검출된 다이아프램 변위는 나노미터 미만일 수 있다. 이러한 것은 변위에 의해 발생된 신호들이 매우 작고, 측정치가 외부 방해에 취약하다는 것을 의미한다. 이러한 방해는 예를 들어 미소 전자 기계 요소가 웨이퍼 커넥터 요소들에 의해 인쇄회로기판에 연결될 때 일어날 수 있다. 기판은 온도가 변할 때 열팽창으로 인하여 약간 굽어진 구조를 가질 수 있거나, 또는 기판은 이를 굽히는 외력을 받을 수 있다. MEMS 디바이스의 작동에 대한 이러한 굽힘의 영향은 특히 MEMS 디바이스가 매우 슬림할 때 높을 수 있다.
도 2는 외부 굽힘 응력이 웨이퍼 커넥터 요소들의 특정 위치 선정에 의해 최소화되는 구성을 도시한다. 평면도에서, 전기 분배층의 상부면과 웨이퍼 커넥터 요소들만이 보이게 될 것이다. 그러나, 도 2는 또한 표면 밑에 있으며 전기 분배층에 의해 덮여지는 MEMS 다이(204) 및 IC 다이(206)들을 블록으로서 도시한다. 전기 분배층은 MEMS 다이(204)를 덮는 제1 부분(220)과, MEMS 다이(204)와 웨이퍼 플레이트의 인접한 가장자리(222, 224, 226)들 사이의 본딩 물질의 영역들을 가진다. 인접한 가장자리(222, 224, 226)들은 본 명세서에서, 웨이퍼 플레이트의 두께를 통한 평면에서, 오직 본딩 물질이 MEMS 다이의 원주와 가장자리 사이에서 존재하도록, 도 2의 평면도에서 MEMS 다이를 제한하는 웨이퍼 플레이트의 각 가장자리를 지칭한다. 즉, 웨이퍼 플레이트의 인접한 가장자리(222, 224, 226)들과 MEMS 다이 사이에는 다른 다이(IC 다이(206)와 같은)가 없다. 본 실시예에서, 하나 이상의 웨이퍼 커넥터 요소(214)들은 제1 부분(220) 외부의 위치들에서 저기 분배층 상에 위치된다.
청구된 위치 선정의 효과는 도 3에 도시된다. 도 3은 도 1에서 보다 상세하게 설명된 MEMS 다이(304), IC 다이(306), 본딩 물질 영역(308)들, 전기 분배층 310 및 웨이퍼 커넥터 요소(314)들을 도시한다. 도 3은 또한 전기 분배층(310)의 제1 부분(320)의 범위를 도시한다. 밑에 있는 기판(316)에 MEMS 디바이스(300)를 기계적으로 연결하는 MEMS 디바이스(300)가 MEMS 다이(304)를 덮는 표면들 상에도 또는 MEMS 다이(304)의 양측부에도 위치되지 않을 때, 밑에 있는 지지 구조의 굽힘으로부터 MEMS 요소가 겪는 응력은 최소화된다.
MEMS 디바이스에서 굽힘 관련 에러의 또 다른 소스는 본딩 물질과 다이들의 열팽창계수의 불일치이다. 도 4 및 도 5는, 이러한 열팽창계수 불일치에 의해 유발되는 기계적인 응력이 저부면, 즉 전기 분배층에 의해 덮여진 표면의 맞은편인 웨이퍼 플레이트의 표면으로부터 본딩 물질의 층을 제거하는 것에 의해 감소되는 추가의 실시예를 도시한다. 도 4 및 도 5는 도 1을 참조하여 더욱 상세하게 설명된 MEMS 다이(404, 504), IC 다이(406, 506), 본딩 물질 영역(408, 508)들, 전기 분배층(410, 510) 및 웨이퍼 커넥터 요소(414, 514)들을 도시한다. 유익하게, 본딩 물질(408)은 MEMS 다이(404, 504) 아래의 영역들로부터 완전히 제거된다. 도 4는 MEMS 다이(404)가 IC 다이(406)보다 더 두껍고, 본딩 물질(408)이 MEMS 다이(404) 밑에 있는 영역들로부터 완전히 제거된 구성을 도시한다. 본딩 물질은 이들 다이 모두를 둘러싸고, IC 다이(406)를 덮는다. 도 5는 MEMS 다이(504)와 IC 다이(506)가 동일하게 두껍고, 본딩 물질(508)이 다이(504, 506)들 밑의 영역들로부터 완전히 제거된 구성을 도시한다. 본딩 물질(508)은 이들 다이들 모두를 둘러싼다.
이러한 청구된 구성은 가속도계, 각속도 센서, 압력 센서 및 마이크로폰과 같은 다양한 다른 MEMS 디바이스들에서 유익하게 적용될 수 있다. 이러한 실시예들에서, 미소 전자 기계 다이는 감지된 현상에 따라서 변형하는 구조를 포함한다. 청구된 구성은 또한 미소 전자 기계 다이가 특정의 적용된 공명 주파수에서 정확하게 변형되는 구조를 포함하는 타이밍 디바이스로서 사용되는 MEMS 공명기처럼, 기계적 응력에 민감한 다른 MEMS 디바이스들에서 사용될 수 있다. 청구된 구성은 스위치, 가변 캐패시터 및 대역 필터와 같은 RF-MEMS 구성요소들에서 또한 사용될 수 있다.
압력 센서 구조를 포함하는 미소 전자 기계 압력 센서에서 청구된 구성을 적용하는 것은 특히 유익하다. 압력은 표면의 영역에 대한 표면 상에서 작용하는 힘의 비에 대응하는 물리적인 양이다. 먼저, 종래의 패키징된 압력 센서들은 전형적인 다이 치수에 비교하여 크기에서 커지려 한다. 압력 센서를 패키징하는데 큰 어려움은 예를 들어 패키지 물질에 의해 완전히 봉입될 수 있는 가속도계에 대조하여, 적용된 압력과 상호 작용하도록 다이의 개방 표면을 제공하는 필요성이다. 압력을 측정하도록 게이지로서 사용될 수 있는 디바이스는 압력 센서이다. 도 6은 압력을 측정하기 위한 미소 전자 기계 디바이스의 예시적인 구조를 도시한다. 도 6은 도 1을 참조하여 상세히 설명된 MEMS 다이(604), IC 다이(606), 본딩 물질 영역(608)들, 전기 분배층(610) 및 웨이퍼 커넥터 요소(614)들을 도시한다. 미소 전자 기계 압력 센서는 기준 압력에서 체적을 제공하는 갭에 걸쳐서 연장하는 얇은 다이아프램을 포함한다. 갭은 단지 소량의 잔류 가스를 수용하도록 비워질 수 있지만, 선택된 기준 압력에서 선택된 가스 또는 다른 휘발성 물질이 또한 충전될 수 있다. 다이아프램은 기준 압력과 센서를 둘러싸는 대기압 사이의 차이로 인하여 변형된다. 다이아프램 변위는 용량성 또는 압전저항 감지에 의해 전기 신호로 바뀔 수 있다.
도면들의 MEMS 다이(604)는 평면 베이스(620)와 측벽(622)들에 의해 형성된 본체 구조를 포함하는 압력 센서를 도시한다. 이것들은 측벽들 상에서 연장하는 다이아프램 플레이트(624)에 의해 기밀하게 밀봉되는 중공체를 형성한다. 평면 베이스(620), 측벽(622)들 및 다이아프램 플레이트(624)는 기준 압력에서 체적을 제공하는 기밀하게 폐쇄된 갭(628)을 형성하도록 서로 부착된다. 대기압에 응답하여 다이아프램의 편향을 허용하기 위하여, 전기 분배층(610)에 있는 개구(626)는 다이아프램에 걸쳐서 연장한다. 추가의 유전체 층은 전기 분배층의 전도성 물질의 임의의 노출된 층들 위에 배치될 수 있다.
기술이 발전함으로써, 본 발명의 기본적인 사상이 다양한 방식으로 실시될 수 있다는 것은 당업자에게 자명하다. 그러므로, 본 발명과 그 실시예들은 상기 예들로 한정되지 않고, 청구항의 범위 내에서 변할 수 있다.

Claims (8)

  1. 웨이퍼 플레이트, 하나 이상의 웨이퍼 커넥터 요소들의 그룹, 및 그 사이의 전기 분배층을 포함하는 미소 전자 기계 디바이스로서,
    상기 웨이퍼 플레이트는 적어도 2개의 다이들과 본딩 물질을 포함하며, 상기 본딩 물질은 상기 웨이퍼 플레이트의 종방향 범위에 적어도 2개의 다이들을 서로 나란하게 원주 방향으로 본딩하고, 상기 다이들 중 적어도 하나는 미소 전자 기계 다이이며;
    상기 전기 분배층은 상기 웨이퍼 플레이트를 덮고, 유전체 물질의 적어도 하나의 층과 전도성 물질의 적어도 하나의 층을 포함하며, 상기 전도성 물질의 층은 상기 다이들과 상기 웨이퍼 커넥터 요소들의 상호 전기 접속을 위해 상기 유전체 물질의 층 내에서 패턴화되며;
    상기 전기 분배층은 적어도 하나의 미소 전자 기계 다이를 덮는 제1 부분과, 상기 미소 전자 기계 다이와 상기 웨이퍼 플레이트의 인접한 가장자리들 사이의 본딩 물질의 영역들을 가지며;
    상기 하나 이상의 웨이퍼 커넥터 요소들의 그룹은 상기 제1 부분 외부의 위치들에 있는 상기 전기 분배층 상에서만 위치되는, 미소 전자 기계 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 미소 전자 기계 다이의 표면이 상기 웨이퍼 플레이트의 표면에서 노출되고, 상기 웨이퍼 플레이트의 상기 표면은 상기 전기 분배층의 측부의 맞은편인 것을 특징으로 하는 미소 전자 기계 디바이스.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 미소 전자 기계 다이는 다이아프램을 갖는 압력 센서 요소를 포함하고;
    상기 전기 분배층은 상기 미소 전자 기계 다이의 다이아프램에 걸쳐서 연장하는 개구를 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 전자 기계 디바이스.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 미소 전자 기계 다이는 가속도계, 각속도 센서, 압력 센서 및 마이크로폰의 형태 중 하나의 응력 민감성 센서(stress susceptible sensor)를 위한 변형 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 전자 기계 디바이스.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 미소 전자 기계 다이는 미소 전자 기계 공명기 또는 미소 전자 기계 무선 주파수 구성요소를 위한 변형 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 전자 기계 디바이스.
  6. 웨이퍼 플레이트, 하나 이상의 웨이퍼 커넥터 요소들의 그룹, 및 그 사이의 전기 분배층을 포함하는 미소 전자 기계 디바이스를 제조하는 방법에 있어서,
    상기 웨이퍼 플레이트에, 적어도 2개의 다이들과, 상기 웨이퍼 플레이트의 종방향 범위에 적어도 2개의 다이들을 서로 나란하게 본딩하는 본딩 물질을 포함시키며, 상기 다이들 중 적어도 하나가 미소 전자 기계 다이이며,
    유전체 물질의 적어도 하나의 층과 전도성 물질의 적어도 하나의 층을 포함하는 상기 전기 분배층으로 상기 웨이퍼 플레이트를 덮으며, 상기 전도성 물질의 층이 상기 다이들과 상기 웨이퍼 커넥터 요소들의 상호 전기 접속을 위해 상기 유전체 물질의 층 내에서 패턴화되며, 상기 전기 분배층은 상기 적어도 하나의 미소 전자 기계 다이를 덮는 제1 부분과, 상기 미소 전자 기계 다이와 상기 웨이퍼 플레이트의 인접한 가장자리들 사이의 본딩 물질의 영역들을 가지며;
    상기 하나 이상의 웨이퍼 커넥터 요소들의 그룹을 상기 제1 표면 외부의 위치들에 있는 상기 전기 분배층 상에서만 위치시키는 것을 특징으로 하는 미소 전자 기계 디바이스 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 웨이퍼 플레이트의 표면에서 상기 미소 전자 기계 다이의 표면을 노출시키고, 상기 웨이퍼 플레이트의 표면은 상기 전기 분배층의 측부의 맞은편인 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 미소 전자 기계 다이에 다이아프램을 갖는 압력 센서 요소를 포함하며;
    상기 미소 전자 기계 다이의 다이아프램에 걸쳐서 연장하는 개구를 전기 분배층에 대해 처리하는 것을 특징으로 하는 방법.
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