KR20150140254A - Organic light emitting device material and organic light emitting device comprising the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 명세서는 유기 전자 소자 재료 및 이를 포함하는 유기 전자 소자에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to an organic electronic device material and an organic electronic device including the same.
본 출원은 2012년 11월 21일에 한국 특허청에 제출된 한국 특허출원 제 10-2012-0132644 호의 출원일이 이익을 주장하며, 그 내용은 전부 본 명세서에 포함된다. This application claims the benefit of Korean Patent Application No. 10-2012-0132644 filed on November 21, 2012 with the Korean Intellectual Property Office, the entire contents of which are incorporated herein by reference.
유기 전자 소자란 정공 및/또는 전자를 이용한 전극과 유기물 사이에서의 전하 교류를 필요로 하는 소자를 의미한다. 유기 전자 소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전기소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기물 반도체에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 동작하는 형태의 전자소자이다.An organic electronic device means an element requiring charge exchange between an electrode and an organic material using holes and / or electrons. The organic electronic device can be roughly classified into two types according to the operating principle as described below. First, an exciton is formed in an organic material layer by a photon introduced into an element from an external light source. The exciton is separated into an electron and a hole, and the electrons and holes are transferred to different electrodes to be used as a current source Type electric device. The second type is an electronic device that injects holes and / or electrons into an organic semiconductor that interfaces with an electrode by applying a voltage or current to two or more electrodes, and operates by injected electrons and holes.
유기 전자 소자의 예로는 유기 발광 소자, 유기 태양전지, 유기 감광체(OPC), 유기 트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질을 필요로 한다. 이하에서는 주로 유기발광소자에 대하여 구체적으로 설명하지만, 상기 유기 전자 소자들에서는 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질이 유사한 원리로 작용한다.Examples of the organic electronic device include an organic light emitting device, an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), an organic transistor, and the like. These devices may be used as a hole injecting or transporting material, an electron injecting or transporting material, need. Hereinafter, the organic light emitting device will be described in detail. However, in the organic electronic devices, hole injecting or transporting materials, electron injecting or transporting materials, or light emitting materials act on a similar principle.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기 발광 소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동 전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트, 고속 응답성 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.In general, organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which an organic material is used to convert electric energy into light energy. An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon generally has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween. Here, in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, the organic material layer may have a multi-layer structure composed of different materials and may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. When a voltage is applied between the two electrodes in the structure of such an organic light emitting device, holes are injected in the anode, electrons are injected into the organic layer in the cathode, excitons are formed when injected holes and electrons meet, When it falls back to the ground state, the light comes out. Such an organic light emitting device is known to have characteristics such as self-emission, high luminance, high efficiency, low driving voltage, wide viewing angle, high contrast, and high speed response.
유기 발광 소자에서 유기물층으로 사용되는 물질은 기능에 따라, 발광 물질과 전하 수송 물질, 예컨대 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등으로 분류될 수 있다. 또한, 발광 물질은 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 물질과 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 물질로 구분될 수 있다. 한편, 발광 물질로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여 발광 물질로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다.Materials used as an organic material layer in an organic light emitting device can be classified into a light emitting material and a charge transporting material such as a hole injecting material, a hole transporting material, an electron transporting material, and an electron injecting material depending on functions. In addition, the luminescent material can be classified into blue, green and red luminescent materials and yellow and orange luminescent materials necessary for realizing a better natural color depending on the luminescent color. On the other hand, when only one material is used as the light emitting material, there arises a problem that the maximum light emitting wavelength shifts to a long wavelength due to intermolecular interaction, the color purity drops, or the efficiency of the device decreases due to the light emission attenuating effect. A host / dopant system may be used as a light emitting material in order to increase the efficiency of light emission through the light emitting layer.
유기 발광 소자가 전술한 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 발광 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정하고 효율적인 유기 발광 소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이다. 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있으며, 이와 같은 재료 개발의 필요성은 전술한 다른 유기 전자 소자에서도 마찬가지이다.In order for the organic luminescent device to sufficiently exhibit the above-described excellent characteristics, a material constituting the organic material layer in the device, such as a hole injecting material, a hole transporting material, a luminescent material, an electron transporting material and an electron injecting material is supported by a stable and efficient material However, development of a stable and efficient organic material layer material for an organic light emitting device has not been sufficiently developed yet. Therefore, development of new materials is continuously required, and the necessity of developing such materials is the same in other organic electronic devices described above.
이에 본 발명자들은 유기 전자 소자에서 사용 가능한 물질에 요구되는 조건, 예컨대 적절한 에너지 준위, 전기 화학적 안정성 및 열적 안정성 등을 만족시킬 수 있으며, 치환기에 따라 유기 전자 소자에서 요구되는 다양한 역할을 할 수 있는 화학 구조를 갖는 헤테로 화합물 유도체 및 이를 포함하는 유기 전자 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the present inventors have found that a compound capable of satisfying the conditions required for a material usable in an organic electronic device, for example, an appropriate energy level, an electrochemical stability, and a thermal stability, Structure and an organic electronic device containing the same.
본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.The present invention provides a compound represented by the following formula (1).
[화학식 1][Chemical Formula 1]
상기 화학식 1에 있어서, In Formula 1,
a 및 b 는 0 내지 4의 정수이고,a and b are integers of 0 to 4,
c는 0 내지 6의 정수이며,c is an integer of 0 to 6,
X는 NR 또는 O이고, X is NR or O,
R은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, -N(L)(Y); -CO-N(L)(Y); 및 -COO-L로 이루어진 군에서 선택되며,R is hydrogen; heavy hydrogen; A halogen group; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkylthio group; A substituted or unsubstituted arylthio group; A substituted or unsubstituted alkylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted alkylamine group; A substituted or unsubstituted aralkylamine group; A substituted or unsubstituted arylamine group; A substituted or unsubstituted heteroarylamine group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group containing at least one of N, O and S atoms, or -N (L) (Y); -CO-N (L) (Y); And -COO-L,
R1 내지 R3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 인접한 고리원 탄소와 이중결합을 형성하거나 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, -N(L)(Y); -CO-N(L)(Y); 및 -COO-L로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있고, R 1 to R 3 are the same or different from each other and each independently form a double bond with an adjacent cyclic carbon; heavy hydrogen; A halogen group; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkylthio group; A substituted or unsubstituted arylthio group; A substituted or unsubstituted alkylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted alkylamine group; A substituted or unsubstituted aralkylamine group; A substituted or unsubstituted arylamine group; A substituted or unsubstituted heteroarylamine group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group containing at least one of N, O and S atoms, or -N (L) (Y); -CO-N (L) (Y); And -COO-L, or two adjacent substituents may form a condensed ring,
L 및 Y는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 할로겐기, 알킬기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 또는 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로 고리기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 선택된다. L and Y are the same or different and each independently represents a hydrogen, a halogen group, an alkyl group, an alkoxy group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted arylalkyl group, a substituted or unsubstituted arylalkenyl group, A heterocyclic group containing at least one unsubstituted or at least one of N, O and S atoms, and a nitrile group.
또한, 본 명세서는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자에 있어서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자를 제공한다.Further, the present specification discloses an organic electronic device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers has a structure represented by Formula Wherein the organic compound is a compound represented by formula (I).
본 명세서의 화합물은 유기 전자 소자에서 유기물층 물질, 특히 정공주입 물질 및/또는 정공수송 물질로 사용될 수 있으며, 이 화합물을 유기 전자 소자에 사용하는 경우 소자의 구동전압을 낮추고, 광효율을 향상시키며, 화합물의 열적 안정성에 의하여 소자의 수명 특성을 향상시킬 수 있다.The compound of the present invention can be used as an organic material layer material, particularly a hole injecting material and / or a hole transporting material in an organic electronic device. When the compound is used in an organic electronic device, the driving voltage of the device is lowered, The lifetime characteristics of the device can be improved by the thermal stability of the device.
도 1 내지 도 5는 본 명세서에 따른 유기 전자 소자의 구조를 예시한 단면도이다.
도 6은 화합물 17의 질량 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 7은 화합물 41의 질량 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 8은 화합물 65의 질량 스펙트럼을 나타낸 도이다.1 to 5 are cross-sectional views illustrating the structure of an organic electronic device according to the present invention.
6 is a diagram showing the mass spectrum of Compound 17;
7 is a diagram showing the mass spectrum of Compound 41. Fig.
8 is a diagram showing the mass spectrum of the
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. The present invention provides a compound represented by the above formula (1).
하나의 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 R는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 트라이 페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 파이레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프타센닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기 및 치환 또는 비치환된 플루오란텐(fluoranthene)기로 이루어진 군에서 선택된다.In one embodiment, R in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 X는 NR이다.In one embodiment of the present invention, X in the formula (1) is NR.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 벤즈이미다졸, 벤젠고리 및 카바졸 또는 디벤조퓨란이 결합하여 6원의 고리를 형성한다. In one embodiment of the present invention, the benzimidazole, the benzene ring, and the carbazole or dibenzofuran are bonded to form a six-membered ring.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 벤즈이미다졸의 N과 카바졸기와 결합하고, 벤즈이미다졸의 C와 벤젠고리가 결합한다.In another embodiment,
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 벤즈이미다졸의 N과 벤젠고리가 결합하고, 벤즈이미다졸의 C와 카바졸기가 결합한다.In another embodiment, in
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 벤즈이미다졸과 벤젠고리, 벤즈이미다졸과 카바졸기가 결합하고, 벤젠고리와 인접한 카바졸기와 결합하여 6원의 고리를 형성한다. In another embodiment, the benzimidazole, the benzene ring, the benzimidazole and the carbazole group are bonded to each other and the carbazole group adjacent to the benzene ring is bonded to form a six-membered ring.
또한, 본 명세서의 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2 내지 6 중 어느 하나로 표시될 수 있다. In addition, the compound represented by the formula (1) in the present specification may be represented by any one of the following formulas (2) to (6).
[화학식 2](2)
[화학식 3](3)
[화학식 4][Chemical Formula 4]
[화학식 5][Chemical Formula 5]
[화학식 6][Chemical Formula 6]
상기 화학식 2 내지 6에 있어서, R, R1 내지 R3, a, b 및 c는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다. In the
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3는 서로 동일하거나, 상이하고, 각각 독립적으로 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있다. In one embodiment of the present invention, R 1 to R 3 may be the same or different and each independently adjacent two substituents may form a condensed ring.
상기 축합고리는 다환 또는 단환의 고리이고, 탄화수소고리 또는 헤테로고리이며, 지방족 또는 방향족의 5원 또는 6원의 고리이다. The condensed ring is a polycyclic or monocyclic ring, a hydrocarbon ring or a heterocyclic ring, and is an aliphatic or aromatic 5-membered or 6-membered ring.
본 명세서의 실시 상태에 있어서, 2 이상의 축합고리가 형성되는 경우, 어느 하나는 다환이고, 다른 하나는 단환의 고리를 형성할 수 있다. In the state of the present specification, when two or more condensed rings are formed, one may be a polycyclic ring and the other may form a monocyclic ring.
또 하나의 실시 상태에 있어서, 2 이상의 축합고리가 형성되는 경우, 어느 하나는 탄화수소고리이고, 다른 하나는 헤테로 고리를 형성할 수 있다. In another embodiment, when two or more condensed rings are formed, one may be a hydrocarbon ring and the other may form a heterocyclic ring.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.Illustrative examples of such substituents are set forth below, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기 및 헵틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다. In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 20. Specific examples include, but are not limited to, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, t-butyl, pentyl, hexyl and heptyl.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 스틸베닐기(stylbenyl), 스티레닐기(styrenyl)기 등의 아릴기가 치환된 알케닐기가 바람직하나 이들에 한정되지 않는다. In the present specification, the alkenyl group may be straight-chain or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. Specific examples thereof include, but are not limited to, an alkenyl group substituted with an aryl group such as a stilbenyl group or a styrenyl group.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 30인 것이 바람직하다. In the present specification, the alkoxy group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 30.
화합물 중에 포함되어 있는 알킬기, 알케닐기 및 알콕시기의 길이는 화합물의 공액 길이에는 영향을 미치지 않고, 다만 부수적으로 화합물의 유기 전자 소자에의 적용 방법, 예컨대 진공 증착법 또는 용액 도포법의 적용에 영향을 미칠 뿐이므로 탄소수의 개수는 특별히 한정되지 않는다. The length of the alkyl group, alkenyl group and alkoxy group contained in the compound does not affect the conjugation length of the compound but affects the application of the compound to the organic electronic device, for example, the vacuum deposition method or the solution application method. The number of carbon atoms is not particularly limited.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 특히 시클로펜틸기, 시클로헥실기가 바람직하다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and particularly preferably a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 6 내지 60인 것이 바람직하다. 아릴기의 구체적인 예로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 스틸벤기 등의 단환식 방향족 및 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 테트라세닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 아세나프타센닐기, 트리페닐렌기 및 플루오란텐(fluoranthene)기 등의 다환식 방향족등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group may be monocyclic or polycyclic, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 6 to 60. [ Specific examples of the aryl group include monocyclic aromatic and naphthyl groups such as phenyl group, biphenyl group, terphenyl group and stilbene group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, pyrenyl group, perylenyl group, tetracenyl group, An acenaphthacenyl group, a triphenylene group, and a fluoranthene group, but the present invention is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 2개의 고리 유기화합물이 1개의 원자를 통하여 연결된 구조로서, 예로는 등이 있다. In the present specification, a fluorenyl group is a structure in which two ring organic compounds are connected via one atom, .
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 열린 플루오레닐기의 구조를 포함하며, 여기서 열린 플루오레닐기는 2개의 고리 화합물이 1개의 원자를 통하여 연결된 구조에서 한쪽 고리 화합물이 연결이 끊어진 상태의 구조로서, 예로는 등이 있다. In the present specification, a fluorenyl group includes a structure of an open fluorenyl group, wherein an open fluorenyl group is a structure in which one of the ring compounds is disconnected in a structure in which two ring compounds are connected through one atom, For example, .
본 명세서에 있어서, 헤테로 고리기는 이종원자로 O, N 또는 S를 포함하는 헤테로 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로 고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 피리다진기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤즈카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the heterocyclic group is a hetero ring group containing O, N or S as a heteroatom, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 60 carbon atoms. Examples of the heterocyclic group include a thiophene group, a furan group, a pyrrolyl group, an imidazole group, a thiazole group, an oxazole group, an oxadiazole group, a triazole group, a pyridyl group, a bipyridyl group, a triazine group, , A quinolinyl group, an isoquinoline group, an indole group, a carbazole group, a benzoxazole group, a benzimidazole group, a benzothiazole group, a benzoxazole group, a benzothiophene group, a dibenzothiophene group, a benzofuranyl group, But are not limited to these.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다. In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.
본 명세서에 있어서, 아민기는 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the number of carbon atoms of the amine group is not particularly limited, but is preferably 1 to 30. Specific examples of the amine group include a methylamine group, a dimethylamine group, an ethylamine group, a diethylamine group, a phenylamine group, a naphthylamine group, a biphenylamine group, an anthracenylamine group, a 9- , A diphenylamine group, a phenylnaphthylamine group, a ditolylamine group, a phenyltolylamine group, a triphenylamine group, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아릴 아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 단환식의 디아릴아민기, 치환 또는 비치환된 다환식의 디아릴아민기 또는 치환 또는 비치환된 단환식 및 다환식의 디아릴아민기를 의미한다. In the present specification, examples of the arylamine group include a substituted or unsubstituted monocyclic diarylamine group, a substituted or unsubstituted polycyclic diarylamine group, or a substituted or unsubstituted monocyclic and polycyclic diaryl Amine group.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기, 아릴술폭시기 및 아랄킬아민기중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다.In the present specification, the aryl group in the aryloxy group, the arylthioxy group, the arylsulfoxy group and the aralkylamine group is the same as the aforementioned aryl group.
본 명세서에 있어서, 알킬티옥시기, 알킬술폭시기, 알킬아민기 및 아랄킬아민기 중의 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다.In the present specification, the alkyl group in the alkylthio group, alkylsulfoxy group, alkylamine group, and aralkylamine group is the same as the alkyl group described above.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기 중의 헤테로 아릴기는 전술한 헤테로고리기의 예시 중에서 선택될 수 있다. In the present specification, the heteroaryl group in the heteroarylamine group can be selected from the examples of the above-mentioned heterocyclic group.
또한, 본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 실릴기; 아릴알케닐기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 붕소기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 아릴아민기; 아릴기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로 고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되었거나 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. The term "substituted or unsubstituted" A halogen group; An alkyl group; An alkenyl group; An alkoxy group; A cycloalkyl group; Silyl group; An arylalkenyl group; An aryloxy group; An alkyloxy group; An alkylsulfoxy group; Arylsulfoxy group; Boron group; An alkylamine group; An aralkylamine group; An arylamine group; An aryl group; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; And a heterocyclic group containing at least one of N, O and S atoms, or does not have any substituent (s).
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1은 수소이다. In one embodiment of the present disclosure, R 1 is hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2는 수소이다. In one embodiment of the present disclosure, R 2 is hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3는 수소이다. In one embodiment of the present disclosure, R < 3 > is hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R은 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다. In one embodiment of the present specification, R is a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
또 하나의 실시상태에 있어서, R은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기이다.In another embodiment, R is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, or a substituted or unsubstituted naphthyl group.
또 하나의 실시상태에 있어서, R은 페닐기로 치환된 페닐기이다. In another embodiment, R is a phenyl group substituted with a phenyl group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R은 카바졸기로 치환된 페닐기이다. 이 경우, 상기 카바졸기은 또는 이며, In another embodiment, R is a phenyl group substituted with a carbazole group. In this case, the carbazole group or Lt;
*는 페닐기와 연결되는 부분이다. * Is a moiety connected to a phenyl group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R은 디벤조퓨란기로 치환된 페닐기이다. 이 경우, 상기 디벤조퓨란기는 또는 이며, *는 페닐기와 연결되는 부분이다. In another embodiment, R is a phenyl group substituted with a dibenzofurane group. In this case, the dibenzofurane group or And * is a portion connected to a phenyl group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R은 디벤조티오펜기로 치환된 페닐기이다. 이 경우, 상기 디벤조티오펜기는 또는 이며, *는 페닐기와 연결되는 부분이다. In another embodiment, R is a phenyl group substituted with a dibenzothiophene group. In this case, the dibenzothiophene group or And * is a portion connected to a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 페닐기이다. In one embodiment of the present invention, R is a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 화학식 2로 치환된 페닐기이다. 예컨대, 상기 화학식 1은 이고, R은 페닐기이다. In one embodiment of the present specification, R is a phenyl group substituted by the general formula (2). For example, the formula (1) And R is a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 치환된 페닐기는 1,4-페닐기 또는 1,3-페닐기이다. In one embodiment of the present specification, the substituted phenyl group is a 1,4-phenyl group or a 1,3-phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 치환 또는 비치환된 카바졸기이다. In one embodiment of the present specification, R is a substituted or unsubstituted carbazole group.
또 하나의 실시상태에 있어서, R은 카바졸기이다. In another embodiment, R is a carbazole group.
또 하나의 실시상태에 있어서, R은 페닐기로 치환된 카바졸기이다. In another embodiment, R is a carbazolyl group substituted with a phenyl group.
또 하나의 실시상태에 있어서, R은 비페닐기로 치환된 카바졸기이다. In another embodiment, R is a carbazolyl group substituted with a biphenyl group.
또 하나의 실시상태에 있어서, R은 치환 또는 비치환된 트리아진기이다. In another embodiment, R is a substituted or unsubstituted triazine group.
또 하나의 실시상태에 있어서, R은 페닐기로 치환된 트리아진기이다. In another embodiment, R is a triazine group substituted with a phenyl group.
또 하나의 실시상태에 있어서, R은 치환 또는 비치환된 피리미딘기이다. 이 경우, 피리미딘기는 또는 이고, *는 화학식 1과 연결되는 부분이다. In another embodiment, R is a substituted or unsubstituted pyrimidine group. In this case, the pyrimidine group is or And * is a moiety connected to the formula (1).
또 하나의 실시상태에 있어서, R은 페닐기로 치환 또는 비치환된 피리미딘기이다. In another embodiment, R is a pyrimidine group substituted or unsubstituted with a phenyl group.
또 하나의 실시상태에 있어서, R은 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기이다. In another embodiment, R is a substituted or unsubstituted dibenzofurane group.
또 하나의 실시상태에 있어서, R은 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다. In another embodiment, R is a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 화학식 3으로 치환된 페닐기이다. 예컨대, 화학식 1은 이고, R은 페닐기이다. In one embodiment of the present invention, R is a phenyl group substituted by the formula (3). For example, And R is a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 화학식 4로 치환된 페닐기이다. 예컨대, 상기 화학식 1은 이고, R은 페닐기이다. In one embodiment of the present specification, R is a phenyl group substituted by the formula (4). For example, the formula (1) And R is a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 화학식 5로 치환된 페닐기이다. 예컨대, 상기 화학식 1은 이고, R은 페닐기이다. In one embodiment of the present invention, R is a phenyl group substituted by the formula (5). For example, the formula (1) And R is a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 화학식 6으로 치환된 페닐기이다. 예컨대, 상기 화학식 1은 이고, R은 페닐기이다. In one embodiment of the present specification, R is a phenyl group substituted by the formula (6). For example, the formula (1) And R is a phenyl group.
본 명세서에 있어서, 상기 화학식 2는 하기 화합물 중 어느 하나로 예시 될 수 있으나, 하기 화합물에 의하여, 본 명세서의 화합물의 범위가 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the formula (2) can be exemplified by any one of the following compounds, but the range of the compounds of the present invention is not limited by the following compounds.
본 명세서에 있어서, 상기 화학식 3은 하기 화합물 중 어느 하나로 예시 될 수 있으나, 하기 화합물에 의하여, 본 명세서의 화합물의 범위가 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the formula (3) can be exemplified by any one of the following compounds, but the range of the compounds of the present invention is not limited by the following compounds.
본 명세서에 있어서, 상기 화학식 4는 하기 화합물 중 어느 하나로 예시 될 수 있으나, 하기 화합물에 의하여, 본 명세서의 화합물의 범위가 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the formula (4) can be exemplified by any one of the following compounds, but the range of the compound of the present invention is not limited by the following compounds.
본 명세서에 있어서, 상기 화학식 5는 하기 화합물 중 어느 하나로 예시 될 수 있으나, 하기 화합물에 의하여, 본 명세서의 화합물의 범위가 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the above-mentioned formula (5) can be exemplified by any one of the following compounds, but the range of the compounds of the present invention is not limited by the following compounds.
본 명세서에 있어서, 상기 화학식 6은 하기 화합물 중 어느 하나로 예시 될 수 있으나, 하기 화합물에 의하여, 본 명세서의 화합물의 범위가 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the above-mentioned formula (6) can be exemplified by any one of the following compounds, but the range of the compounds of the present invention is not limited by the following compounds.
상기 화학식 1의 화합물은 후술하는 제조예를 기초로 제조될 수 있다. The compound of formula (1) may be prepared based on the preparation examples described below.
본 명세서에서는 보론산으로 치환된 벤조이미다조페난트리딘에 브로모나이트로 벤젠을 결합시킨 후, 폐환(ring closing) 반응을 통하여, 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조할 수 있다. In the present specification, the compound represented by the formula (1) can be prepared through the ring-closing reaction after coupling benzoimidazophenanthridine substituted with boronic acid to bromonitrobenzene.
할로겐화 또는 보론산으로 치환된 구조로 원하는 치환기를 치환시켜 화합물 1 내지 화합물 120 외에도 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조할 수 있다. A compound represented by the general formula (1) can be prepared in addition to the
본 명세서에 있어서, 화학식 1의 화합물은 상기와 같은 방법으로 벤조이미다졸기에 두 개의 페닐기가 치환되어 축합고리를 형성하는 화합물에 질소 또는 산소를 포함하는 축합고리를 형성하는 방법으로 제조된다. In the present specification, the compound of formula (I) is prepared by a method of forming a condensation ring containing nitrogen or oxygen in a compound in which two phenyl groups are substituted on the benzimidazole group in the same manner as described above to form a condensed ring.
화합물의 컨쥬게이션 길이와 에너지 밴드갭은 밀접한 관계가 있다. 구체적으로, 화합물의 컨쥬게이션 길이가 길수록 에너지 밴드갭이 작아진다. 전술한 바와 같이, 상기 화합물의 코어는 제한된 컨쥬게이션을 포함하고 있으므로, 이는 에너지 밴드갭이 큰 성질을 갖는다.The conjugation length of the compound and the energy band gap are closely related. Specifically, the longer the conjugation length of the compound, the smaller the energy bandgap. As described above, since the core of the compound contains a limited conjugation, it has a large energy band gap property.
본 명세서에서는 상기와 같이 에너지 밴드갭이 큰 코어 구조의 R, R1 내지 R3의 위치에 다양한 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드갭을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 통상 에너지 밴드갭이 큰 코어 구조에 치환기를 도입하여 에너지 밴드갭을 조절하는 것은 용이하나, 코어 구조가 에너지 밴드갭이 작은 경우에는 치환기를 도입하여 에너지 밴드갭을 크게 조절하기 어렵다. 또한, 본 명세서에서는 상기와 같은 구조의 코어 구조의 R, R1 내지 R3의 위치에 다양한 치환기를 도입함으로써 화합물의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위도 조절할 수 있다.In this specification, compounds having various energy bandgaps can be synthesized by introducing various substituents at the positions of R, R 1 to R 3 in the core structure having a large energy band gap as described above. Usually, it is easy to control the energy band gap by introducing a substituent into a core structure having a large energy band gap. However, when the core structure has a small energy band gap, it is difficult to control the energy band gap by introducing a substituent. In this specification, the HOMO and LUMO energy levels of a compound can be controlled by introducing various substituents at the positions of R, R 1 to R 3 in the core structure having the above structure.
또한, 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기 전자 소자 제조시 사용되는 정공 주입층 물질, 정공 수송용 물질, 발광층 물질 및 전자 수송층 물질에 주로 사용되는 치환기를 상기 코어 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 합성할 수 있다.Further, by introducing various substituents into the core structure having the above structure, it is possible to synthesize a compound having the intrinsic characteristics of the substituent introduced. For example, by introducing a substituent mainly used in a hole injecting layer material, a hole transporting material, a light emitting layer material, and an electron transporting layer material used in manufacturing an organic electronic device into the core structure, a material meeting the requirements of each organic layer is synthesized .
상기 화합물은 코어 구조에 벤조이미다졸, 벤젠고리 및 카바졸 또는 디벤조퓨란이 결합하여 고리를 형성하고 있으므로, 유기 전자 소자에서 정공 주입 및/또는 정공 수송 물질로서의 적절한 에너지 준위를 가질 수 있다. Since the benzoimidazole, benzene ring and carbazole or dibenzofuran are bonded to the core structure to form a ring, the compound can have an appropriate energy level as a hole injecting and / or hole transporting material in an organic electronic device.
본 명세서에서는 상기 화합물 중 치환기에 따라 적절한 에너지 준위를 갖는 화합물을 선택하여 유기 전자 소자에 사용함으로써 구동 전압이 낮고 광효율이 높은 소자를 구현할 수 있다.In this specification, a compound having an appropriate energy level according to a substituent among the above compounds is selected and used in an organic electronic device, thereby realizing a device having a low driving voltage and a high light efficiency.
또한, 상기 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 에너지 밴드갭을 미세하게 조절이 가능하게 하며, 한편으로 유기물 사이에서의 계면에서의 특성을 향상되게 하며 물질의 용도를 다양하게 할 수 있다.Further, by introducing various substituent groups into the core structure, it is possible to finely control the energy band gap, and the characteristics at the interface between the organic materials can be improved and the use of the material can be diversified.
한편, 상기 화합물은 유리 전이 온도(Tg)가 높아 열적 안정성이 우수하다. 이러한 열적 안정성의 증가는 소자에 구동 안정성을 제공하는 중요한 요인이 된다.On the other hand, the compound has a high glass transition temperature (Tg) and is excellent in thermal stability. This increase in thermal stability is an important factor in providing drive stability to the device.
본 명세서는 또한 상기 화학식 1의 화합물을 이용하는 유기 전자 소자를 제공한다. The present invention also provides an organic electronic device using the compound of formula (1).
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, 유기 전자 소자는 제1 전극과 제2 전극 및 이 사이에 배치된 유기물층을 포함하는 구조로 이루어질 수 있다.In one embodiment of the present invention, the organic electronic device may have a structure including a first electrode, a second electrode, and an organic layer disposed therebetween.
상기 유기 전자 소자는 유기 발광 소자, 유기 태양 전지, 유기감광체(OPC)드럼 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The organic electronic device may be selected from the group consisting of an organic light emitting device, an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC) drum, and an organic transistor.
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 발광 소자일 수 있다. In one embodiment of the present invention, the organic electronic device may be an organic light emitting device.
본 명세서의 하나의 실시 상태에 있어서, 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다. In one embodiment of the present disclosure, an organic light-emitting device includes a first electrode, a second electrode, and at least one organic layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic layers includes And a compound represented by the formula (1).
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다. The organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device in this specification may have a structure including a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer as an organic material layer. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.
따라서, 본 명세서의 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층 및 정공 주입 및 정공수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상을 포함할 수 있고, 상기 층들 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. Accordingly, in another embodiment of the present disclosure, the organic material layer of the organic light emitting device may include at least one of a hole injecting layer, a hole transporting layer, and a layer simultaneously injecting holes and transporting holes, Layer may contain a compound represented by the above formula (1).
구체적으로, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 정공 주입층을 포함할 수 있고, 상기 정공 주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. Specifically, the organic material layer of the organic light emitting device may include a hole injection layer, and the hole injection layer may include a compound represented by the formula (1).
또 하나의 예에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 정공 수송층을 포함할 수 있고, 상기 정공 수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In another example, the organic material layer of the organic light emitting device may include a hole transporting layer, and the hole transporting layer may include a compound represented by the above formula (1).
또 하나의 예에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 정공 수송층 및 정공 주입층을 포함할 수 있고, 상기 정공 수송층 및 정공 주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In another example, the organic material layer of the organic light emitting device may include a hole transporting layer and a hole injecting layer, and the hole transporting layer and the hole injecting layer may include a compound represented by the above formula (1).
또한, 상기 유기물층은 발광층을 포함할 수 있고, 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. In addition, the organic material layer may include a light emitting layer, and the light emitting layer may include a compound represented by the general formula (1).
하나의 예로서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층의 호스트로서 포함될 수 있다. As one example, the compound represented by
또 하나의 예로서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 호스트로서 포함하고, 다른 유기 화합물, 금속 또는 금속화합물을 도판트로 포함할 수 있다. As another example, the organic layer containing the compound represented by
또한, 상기 유기물층은 전자 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송 및 전자 주입을 동시에 하는 층 중 1층 이상을 포함할 수 있고, 상기 층들 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 전자 주입층을 포함할 수 있고, 상기 전자 주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In addition, the organic material layer may include at least one of an electron transport layer, an electron injection layer, and a layer that simultaneously transports electrons and electron injection, and at least one of the layers may include a compound represented by
또 하나의 예에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 전자 수송층을 포함하고, 상기 전자 수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. In another example, the organic material layer of the organic light emitting device includes an electron transporting layer, and the electron transporting layer includes a compound represented by the above formula (1).
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 전자 주입층을 포함하고, 상기 전자 주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In another embodiment, the organic material layer of the organic light emitting device may include an electron injection layer, and the electron injection layer may include a compound represented by the formula (1).
이와 같은 다층 구조의 유기물층에서 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층, 정공 주입/정공 수송과 발광을 동시에 하는 층, 정공 수송과 발광을 동시에 하는 층, 또는 전자 수송과 발광을 동시에 하는 층 등에 포함될 수 있다. In the organic compound layer having such a multi-layer structure, the compound represented by
또 하나의 실시 상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 상기 화학식1로 표시되는 헤테로환 화합물을 포함하는 유기물층 이외에, 아릴아미노기, 카바졸기, 또는 벤즈카바졸기를 포함하는 화합물을 포함하는 정공 주입층 또는 정공 수송층을 포함할 수 있다. In another embodiment, the organic material layer of the organic light emitting device may include a hole injecting layer containing a compound containing an arylamino group, a carbazole group, or a benzoxazole group, in addition to an organic material layer containing a heterocyclic compound represented by the formula Or a hole transporting layer.
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 태양전지일 수 있다. In one embodiment of the present invention, the organic electronic device may be an organic solar cell.
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 화학식 1로 표시되는 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 태양전지가 제공된다. In one embodiment of the present disclosure, the organic electroluminescent device includes at least one organic layer including a first electrode, a second electrode, and a photoactive layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic layers Is a heterocyclic compound represented by the general formula (1).
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 전하발생층을 포함할 수 있고, 상기 전하발생층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the organic solar cell may include a charge generation layer, and the charge generation layer may include a compound represented by the above formula (1).
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 광활성층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. In another embodiment, the photoactive layer may comprise a compound represented by
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 광활성층과 전자주개(electron donor) 및 전자 받개(electron acceptor)를 포함할 수 있으며, 상기 광활성층과 전자주개 또는 전자받개는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In another embodiment, the organic solar cell may include a photoactive layer, an electron donor, and an electron acceptor. The photoactive layer and the electron donor or electron acceptor may be represented by
본 명세서의 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지가 외부 광원으로부터 광자를 받으면 전자 주개와 전자 받개 사이에서 전자와 정공이 발생한다. 발생된 정공은 전자 도너층을 통하여 양극으로 수송된다. In the embodiment of the present invention, when the organic solar cell receives photons from an external light source, electrons and holes are generated between the electron beams and the electron acceptors. The generated holes are transported to the anode through the electron donor layer.
본 명세서의 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 부가적인 유기물층을 더 포함할 수 있다. 상기 유기 태양 전지는 여러 기능을 동시에 갖는 유기물을 사용하여 유기물층의 수를 감소시킬 수 있다.In an embodiment of the present disclosure, the organic solar cell may further include an additional organic layer. The organic solar cell can reduce the number of organic layers by using organic materials having various functions at the same time.
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 트랜지스터일 수 있다. In one embodiment of the present disclosure, the organic electronic device may be an organic transistor.
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, 소스, 드레인, 게이트 및 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 트랜지스터가 제공된다. In one embodiment of the present disclosure, an organic transistor is provided that includes a source, a drain, a gate, and one or more organic layers.
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 트랜지스터는 전하발생층을 포함할 수 있고, 상기 전하발생층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. In one embodiment of the present disclosure, the organic transistor may include a charge generation layer, and the charge generation layer may include a compound represented by the above formula (1).
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 트랜지스터는 절연층을 포함할 수 있고, 상기 절연층은 기판과 게이트 위에 위치할 수 있다. In another embodiment, the organic transistor may comprise an insulating layer, and the insulating layer may be located on the substrate and the gate.
상기 유기 전자 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. When the organic electronic device includes a plurality of organic layers, the organic layers may be formed of the same material or another material.
본 명세서의 유기 전자 소자의 실시상태에 있어서, 도 1 내지 도 5에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. The organic electronic device according to the present invention may have a structure as shown in Figs. 1 to 5, but the present invention is not limited thereto.
도 1은 기판(1), 양극(2), 정공주입층(3), 정공수송층(4), 발광층(5), 전자수송층(6), 음극(7)이 순차적으로 적층된 유기 전자 소자의 구조가 예시되어 있다. 1 shows an organic electronic device in which a
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(3), 정공수송층(4), 발광층(5), 음극(7)이 순차적으로 적층된 유기 전자 소자의 구조가 예시되어 있다.2 illustrates the structure of an organic electronic device in which a
도 3은 기판(1), 양극(2), 정공수송층(4), 발광층(5), 전자수송층(6), 음극(7)이 순차적으로 적층된 유기 전자 소자의 구조가 예시되어 있다.3 illustrates the structure of an organic electronic device in which a
도 4는 기판(1), 양극(2), 발광층(5), 전자수송층(6), 음극(7)이 순차적으로 적층된 유기 전자 소자의 구조가 예시되어 있다.4 shows a structure of an organic electronic device in which a
도 5는 기판(1), 양극(2), 발광층(5), 음극(7)이 순차적으로 적층된 유기 전자 소자의 구조가 예시되어 있다. 5 illustrates a structure of an organic electronic device in which a
본 명세서의 유기 전자 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 명세서의 화합물, 즉 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.The organic electronic device of the present invention can be manufactured by materials and methods known in the art, except that one or more of the organic layers includes the compound of the present invention, i.e., the compound of the above formula (1).
예컨대, 본 명세서의 유기 전자 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 전자 소자를 만들 수 있다. (국제 특허 출원 공개 제 2003/012890호)For example, the organic electronic device of the present specification can be manufactured by sequentially laminating a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate. At this time, by using a PVD (physical vapor deposition) method such as a sputtering method or an e-beam evaporation method, a metal or a metal oxide having conductivity or an alloy thereof is deposited on the substrate to form a positive electrode Forming an organic material layer including a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer and an electron transporting layer thereon, and depositing a material usable as a cathode thereon. In addition to such a method, an organic electronic device can be formed by sequentially depositing a negative electrode material, an organic material layer, and a positive electrode material on a substrate. (International Patent Application Publication No. 2003/012890)
또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 전자 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the compound of
상기 기판은 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 플라스틱 기판이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 유기 전자 소자에 통상적으로 사용되는 기판이면 제한되지 않는다. The substrate may be a glass substrate or a plastic substrate having excellent transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness, but is not limited thereto and is not limited as long as it is a substrate commonly used in an organic electronic device.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 명세서에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the anode material, a material having a large work function is preferably used so that hole injection can be smoothly conducted into the organic material layer. Specific examples of the cathode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SNO 2: a combination of a metal and an oxide such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDOT), polypyrrole and polyaniline.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The negative electrode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; Layer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, but are not limited thereto.
상기 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입 받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다. As the hole injecting material, it is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injecting material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic layer. Specific examples of the hole injecting material include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic materials, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic materials, quinacridone-based organic materials, and perylene- , Anthraquinone, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but the present invention is not limited thereto.
상기 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. As the hole transporting material, a material capable of transporting holes from the anode or the hole injecting layer to the light emitting layer and having high mobility to holes is suitable. Specific examples include arylamine-based organic materials, conductive polymers, and block copolymers having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but are not limited thereto.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light emitting material is preferably a material capable of emitting light in the visible light region by transporting and receiving holes and electrons from the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively, and having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compounds; Compounds of the benzoxazole, benzothiazole and benzimidazole series; Polymers of poly (p-phenylenevinylene) (PPV) series; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited thereto.
상기 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the electron transporting material, a material capable of transferring electrons from the cathode well into the light emitting layer, which is suitable for electrons, is suitable. Specific examples include an Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 따른 유기 전자 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic electronic device according to the present invention may be a top emission type, a back emission type, or a both-sided emission type, depending on the material used.
상기 화학식 1의 화합물의 제조 방법 및 이들을 이용한 유기 전자 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나, 하기 실시예는 본 명세서를 예시하기 위한 것이며, 본 명세서의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.The method for preparing the compound of
<합성예 1>≪ Synthesis Example 1 &
화합물 P2의 제조: 화합물 P1 (12g, 30 mmol), 2-브로모나이트로벤젠 (6.2 g, 30 mmol), 및 탄산 칼륨 (12g, 86 mmol)을 테트라히드로퓨란(200mL) 및 물(100mL)의 혼합물 내 현탁시켰다. 질소 충전 후, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0.4g, 0.36mmol)을 상기 현탁액에 가하였다. 질소 하에서, 혼합물을 환류에서 약 24시간 동안 교반한 다음 실온으로 냉각하였다. 혼합 용액을 에틸아세테이트로 추출한 후, 무수 황산마그네슘으로 건조 후 감압하여 용매를 제거하였다. 생성된 고체를 THF/EtOH로 정제하여 화합물 P2(10.1g, 26 mmol, 수율 86%)를 제조하였다. MS: [M + H] = 390(6.2 g, 30 mmol), and potassium carbonate (12 g, 86 mmol) were dissolved in tetrahydrofuran (200 mL) and water (100 mL) ≪ / RTI > After nitrogen charging, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0.4 g, 0.36 mmol) was added to the suspension. Under nitrogen, the mixture was stirred at reflux for about 24 hours and then cooled to room temperature. The mixed solution was extracted with ethyl acetate, dried over anhydrous magnesium sulfate, and then decompressed to remove the solvent. The resulting solid was purified by THF / EtOH to give compound P2 (10.1 g, 26 mmol, yield 86%). MS: [M + H] < + > = 390
화합물 P3의 제조: 화합물 P2 (7g, 18 mmol)을 트라이에틸포스파이트 (50 mL)에 넣은 후, 약 24시간 동안 환류 교반하였다. 상온으로 식힌 후, 용매를 감압하여 제거하였다. 생성된 고체를 THF/EtOH로 정제하여 화합물 P3 (4.5g, 12 mmol, 66%)를 제조하였다. MS: [M + H] = 358Preparation of compound P3: Compound P2 (7 g, 18 mmol) was added to triethyl phosphite (50 mL), followed by reflux stirring for about 24 hours. After cooling to room temperature, the solvent was removed under reduced pressure. The resulting solid was purified by THF / EtOH to give compound P3 (4.5 g, 12 mmol, 66%). MS: [M + H] < + > = 358
<합성예 2>≪ Synthesis Example 2 &
화합물 P5의 제조: 화합물 P4 (10g, 25 mmol), 2-브로모나이트로벤젠 (5.2 g, 25 mmol), 및 탄산 칼륨 (10g, 72 mmol)을 테트라히드로퓨란(200mL) 및 물(100mL)의 혼합물 내 현탁시켰다. 질소 충전 후, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0.4g, 0.36mmol)을 상기 현탁액에 가하였다. 질소 하에서, 혼합물을 환류에서 약 24시간 동안 교반한 다음 실온으로 냉각하였다. 혼합 용액을 에틸아세테이트로 추출한 후, 무수 황산마그네슘으로 건조 후 감압하여 용매를 제거하였다. 생성된 고체를 CHCl3/Hexanes로 정제하여 화합물 P5(9.1g, 23 mmol, 수율 92%)를 제조하였다. MS: [M + H] = 390(10 g, 25 mmol), 2-bromonitrobenzene (5.2 g, 25 mmol) and potassium carbonate (10 g, 72 mmol) were dissolved in tetrahydrofuran (200 mL) and water (100 mL) ≪ / RTI > After nitrogen charging, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0.4 g, 0.36 mmol) was added to the suspension. Under nitrogen, the mixture was stirred at reflux for about 24 hours and then cooled to room temperature. The mixed solution was extracted with ethyl acetate, dried over anhydrous magnesium sulfate, and then decompressed to remove the solvent. The resulting solid was purified with CHCl 3 / Hexanes to prepare a compound P5 (9.1g, 23 mmol, 92% yield). MS: [M + H] < + > = 390
화합물 P6의 제조: 화합물 P5 (9g, 23 mmol)을 트라이에틸포스파이트 (50 mL)에 넣은 후, 약 24시간 동안 환류 교반하였다. 상온으로 식힌 후, 용매를 감압하여 제거하였다. 생성된 고체를 THF/EtOH로 정제하여 화합물 P6 (6.7g, 18 mmol, 78%)를 제조하였다. MS: [M + H] = 358Preparation of compound P6: Compound P5 (9 g, 23 mmol) was added to triethyl phosphite (50 mL), followed by reflux stirring for about 24 hours. After cooling to room temperature, the solvent was removed under reduced pressure. The resulting solid was purified with THF / EtOH to give compound P6 (6.7 g, 18 mmol, 78%). MS: [M + H] < + > = 358
<합성예 3>≪ Synthesis Example 3 &
화합물 P8의 제조: 화합물 P7 (10g, 25 mmol), 2-브로모나이트로벤젠 (5.2 g, 25 mmol), 및 탄산 칼륨 (10g, 72 mmol)을 테트라히드로퓨란(200mL) 및 물(100mL)의 혼합물 내 현탁시켰다. 질소 충전 후, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0.4g, 0.36mmol)을 상기 현탁액에 가하였다. 질소 하에서, 혼합물을 환류에서 약 24시간 동안 교반한 다음 실온으로 냉각하였다. 혼합 용액을 에틸아세테이트로 추출한 후, 무수 황산마그네슘으로 건조 후 감압하여 용매를 제거하였다. 생성된 고체를 CHCl3/Hexanes로 정제하여 화합물 P8(7.8g, 20 mmol, 수율 80%)를 제조하였다. MS: [M + H] = 390(10 g, 25 mmol), 2-bromonitrobenzene (5.2 g, 25 mmol) and potassium carbonate (10 g, 72 mmol) were dissolved in tetrahydrofuran (200 mL) and water (100 mL) ≪ / RTI > After nitrogen charging, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0.4 g, 0.36 mmol) was added to the suspension. Under nitrogen, the mixture was stirred at reflux for about 24 hours and then cooled to room temperature. The mixed solution was extracted with ethyl acetate, dried over anhydrous magnesium sulfate, and then decompressed to remove the solvent. Purification of the resulting solid with CHCl 3 / Hexanes to prepare a compound P8 (7.8g, 20 mmol, 80% yield). MS: [M + H] < + > = 390
화합물 P9의 제조: 화합물 P8 (7g, 18 mmol)을 트라이에틸포스파이트 (50 mL)에 넣은 후, 약 24시간 동안 환류 교반하였다. 상온으로 식힌 후, 용매를 감압하여 제거하였다. 생성된 고체를 THF/EtOH로 정제하여 화합물 P9 (5.2g, 14 mmol, 77%)를 제조하였다. MS: [M + H] = 358Preparation of Compound P9: Compound P8 (7 g, 18 mmol) was added to triethylphosphite (50 mL), followed by reflux stirring for about 24 hours. After cooling to room temperature, the solvent was removed under reduced pressure. The resulting solid was purified by THF / EtOH to give P9 (5.2 g, 14 mmol, 77%). MS: [M + H] < + > = 358
<합성예 4>≪ Synthesis Example 4 &
화합물 P11의 제조: 화합물 P10 (15g, 38 mmol), 2-브로모나이트로벤젠 (7.7 g, 38 mmol), 및 탄산 칼륨 (15g, 100 mmol)을 테트라히드로퓨란(200mL) 및 물(150mL)의 혼합물 내 현탁시켰다. 질소 충전 후, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0.4g, 0.36mmol)을 상기 현탁액에 가하였다. 질소 하에서, 혼합물을 환류에서 약 24시간 동안 교반한 다음 실온으로 냉각하였다. 혼합 용액을 에틸아세테이트로 추출한 후, 무수 황산마그네슘으로 건조 후 감압하여 용매를 제거하였다. 생성된 고체를 CHCl3/Hexanes로 정제하여 화합물 P11(12.5g, 30 mmol, 수율 83%)를 제조하였다. MS: [M + H] = 390(15 g, 38 mmol), 2-bromonitrobenzene (7.7 g, 38 mmol) and potassium carbonate (15 g, 100 mmol) were dissolved in tetrahydrofuran (200 mL) and water (150 mL) ≪ / RTI > After nitrogen charging, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0.4 g, 0.36 mmol) was added to the suspension. Under nitrogen, the mixture was stirred at reflux for about 24 hours and then cooled to room temperature. The mixed solution was extracted with ethyl acetate, dried over anhydrous magnesium sulfate, and then decompressed to remove the solvent. Purification of the resulting solid with CHCl 3 / Hexanes to prepare a compound P11 (12.5g, 30 mmol, 83% yield). MS: [M + H] < + > = 390
화합물 P12 및 P13의 제조: 화합물 P11 (12g, 18 mmol)을 트라이에틸포스파이트 (50 mL)에 넣은 후, 약 24시간 동안 환류 교반하였다. 상온으로 식힌 후, 용매를 감압하여 제거하였다. 생성된 고체를 헥산/다이클로로메탄(CH2Cl2) = 1/2로 컬럼 정제한 후, 에틸아세테이트에서 각각 재결정하여 P12 (2.5g, 7 mmol, 38%)와 P13 (1.9 g, 5.3 mmol, 29%)을 얻었다. MS: [M + H] = 358Preparation of the compounds P12 and P13: Compound P11 (12 g, 18 mmol) was added to triethylphosphite (50 mL), followed by reflux stirring for about 24 hours. After cooling to room temperature, the solvent was removed under reduced pressure. The resulting solid was subjected to column purification with hexane / dichloromethane (CH 2 Cl 2 ) = 1/2 and then recrystallized in ethyl acetate to obtain P12 (2.5 g, 7 mmol, 38%) and P13 (1.9 g, 5.3 mmol , 29%). MS: [M + H] < + > = 358
<합성예 5>≪ Synthesis Example 5 &
화합물 P14의 제조: 화합물 P3 (10g, 28 mmol), 4-브로모아이오도벤젠 (16 g, 56 mmol), 및 탄산 칼륨 (7g, 50 mmol)을 자일렌(200mL)에 현탁시켰다. 질소 충전 후, 요오드화 구리(5.4g, 28 mmol)을 상기 현탁액에 가하였다. 질소 하에서, 혼합물을 환류에서 약 12시간 동안 교반하였다. 뜨거운 상태에서 고체를 거른 후, 거른 용액의 용매를 감압하여 제거하였다. 헥산/다이클로로메탄(CH2Cl2) = 1/2로 컬럼 정제한 후, 에틸아세테이트에서 재결정하여 P14 (7.1g, 13 mmol, 46%)을 얻었다. MS: [M + H] = 512Preparation of compound P14: Compound P3 (10 g, 28 mmol), 4-bromoiodobenzene (16 g, 56 mmol) and potassium carbonate (7 g, 50 mmol) were suspended in xylene (200 mL). After nitrogen charging, copper iodide (5.4 g, 28 mmol) was added to the suspension. Under nitrogen, the mixture was stirred at reflux for about 12 hours. The solid was filtered in a hot state, and the solvent of the filtrate was removed by decompression. Column purification was performed with hexane / dichloromethane (CH 2 Cl 2 ) = 1/2 and then recrystallized in ethyl acetate to obtain P14 (7.1 g, 13 mmol, 46%). MS: [M + H] < / RTI > = 512
<합성예 6>≪ Synthesis Example 6 &
화합물 P15의 제조: 화합물 P3 (7.1g, 19 mmol), 3-브로모아이오도벤젠 (12 g, 42 mmol), 및 탄산 칼륨 (5g, 36 mmol)을 자일렌(200mL)에 현탁시켰다. 질소 충전 후, 요오드화 구리(3.8g, 19 mmol)을 상기 현탁액에 가하였다. 질소 하에서, 혼합물을 환류에서 약 12시간 동안 교반하였다. 뜨거운 상태에서 고체를 거른 후, 거른 용액의 용매를 감압하여 제거하였다. 헥산/다이클로로메탄(CH2Cl2) = 1/2로 컬럼 정제한 후, THF/Hexanes에서 재결정하여 P15 (6.5g, 12 mmol, 63%)을 얻었다. MS: [M + H] = 512Preparation of compound P15: Compound P3 (7.1 g, 19 mmol), 3-bromoiodobenzene (12 g, 42 mmol) and potassium carbonate (5 g, 36 mmol) were suspended in xylene (200 mL). After nitrogen charging, copper iodide (3.8 g, 19 mmol) was added to the suspension. Under nitrogen, the mixture was stirred at reflux for about 12 hours. The solid was filtered in a hot state, and the solvent of the filtrate was removed by decompression. After column purification with hexane / dichloromethane (CH 2 Cl 2 ) = 1/2, the product was recrystallized from THF / Hexanes to give P15 (6.5 g, 12 mmol, 63%). MS: [M + H] < / RTI > = 512
<합성예 7>≪ Synthesis Example 7 &
화합물 P16의 제조: 화합물 P14의 제조 방식에 따라, 화합물 P6 (8.8g, 24 mmol)및 4-브로모아이오도벤젠 (14 g, 49 mmol)을 이용하여 P16을 제조하였다. 헥산/다이클로로메탄(CH2Cl2) = 1/2로 컬럼 정제한 후, THF/Hexanes에서 재결정하여 P16 (5.2g, 10 mmol, 41%)을 얻었다. MS: [M + H] = 512Preparation of compound P16: P16 was prepared using compound P6 (8.8 g, 24 mmol) and 4-bromoiodobenzene (14 g, 49 mmol) according to the method for preparing compound P14. After column purification with hexane / dichloromethane (CH 2 Cl 2 ) = 1/2, recrystallization from THF / Hexanes gave P16 (5.2 g, 10 mmol, 41%). MS: [M + H] < / RTI > = 512
<합성예 8>≪ Synthesis Example 8 &
화합물 P17의 제조: 화합물 P14의 제조 방식에 따라, 화합물 P6 (9.0g, 25 mmol)및 3-브로모아이오도벤젠 (15 g, 53 mmol)을 이용하여 P17을 제조하였다. 헥산/다이클로로메탄(CH2Cl2) = 1/2로 컬럼 정제한 후, 에틸아세테이트에서 재결정하여 P17 (6.3g, 12 mmol, 48%)을 얻었다. MS: [M + H] = 512Preparation of Compound P17 P17 was prepared using Compound P6 (9.0 g, 25 mmol) and 3-bromoiodobenzene (15 g, 53 mmol) according to the method for preparing Compound P14. After column purification with hexane / dichloromethane (CH 2 Cl 2 ) = 1/2, recrystallization in ethyl acetate gave P17 (6.3 g, 12 mmol, 48%). MS: [M + H] < / RTI > = 512
<합성예 9>≪ Synthesis Example 9 &
화합물 P18의 제조: 화합물 P14의 제조 방식에 따라, 화합물 P9 (8.5g, 23 mmol)및 4-브로모아이오도벤젠 (14 g, 49 mmol)을 이용하여 P18을 제조하였다. 클로로포름으로 컬럼 정제한 후, 에틸아세테이트에서 재결정하여 P18 (6.0g, 11 mmol, 47%)을 얻었다. MS: [M + H] = 512Preparation of Compound P18: P18 was prepared using compound P9 (8.5 g, 23 mmol) and 4-bromoiodobenzene (14 g, 49 mmol) according to the preparation method of compound P14. The residue was purified by column chromatography using chloroform and recrystallized from ethyl acetate to obtain P18 (6.0 g, 11 mmol, 47%). MS: [M + H] < / RTI > = 512
<합성예 10>≪ Synthesis Example 10 &
화합물 P19의 제조: 화합물 P14의 제조 방식에 따라, 화합물 P9 (6.3g, 17 mmol)및 3-브로모아이오도벤젠 (10 g, 35 mmol)을 이용하여 P19을 제조하였다. 클로로포름으로 컬럼 정제한 후, 에틸아세테이트에서 재결정하여 P19 (4.9g, 9.5 mmol, 56%)을 얻었다. MS: [M + H] = 512Preparation of Compound P19: P19 was prepared using compound P9 (6.3 g, 17 mmol) and 3-bromoiodobenzene (10 g, 35 mmol) according to the method for preparing compound P14. The residue was purified by column chromatography using chloroform and recrystallized from ethyl acetate to obtain P19 (4.9 g, 9.5 mmol, 56%). MS: [M + H] < / RTI > = 512
<합성예 11>≪ Synthesis Example 11 &
화합물 P20의 제조: 화합물 P14의 제조 방식에 따라, 화합물 P12 (4.3g, 12 mmol)및 4-브로모아이오도벤젠 (6.8 g, 24 mmol)을 이용하여 P20을 제조하였다. 클로로포름으로 컬럼 정제한 후, 에틸아세테이트에서 재결정하여 P20 (3.0g, 5.8 mmol, 48%)을 얻었다. MS: [M + H] = 512Preparation of compound P20: P20 was prepared using compound P12 (4.3 g, 12 mmol) and 4-bromoiodobenzene (6.8 g, 24 mmol) according to the preparation method of compound P14. The residue was purified by column chromatography using chloroform and recrystallized from ethyl acetate to obtain P20 (3.0 g, 5.8 mmol, 48%). MS: [M + H] < / RTI > = 512
<합성예 12>≪ Synthesis Example 12 &
화합물 P21의 제조: 화합물 P14의 제조 방식에 따라, 화합물 P12 (3.8g, 10 mmol)및 3-브로모아이오도벤젠 (6.0 g, 20 mmol)을 이용하여 P21을 제조하였다. 클로로포름으로 컬럼 정제한 후, 에틸아세테이트에서 재결정하여 P21 (1.8g, 3.5 mmol, 35%)을 얻었다. MS: [M + H] = 512Preparation of Compound P21: Compound P12 (3.8 g, 10 mmol) and 3-bromoiodobenzene (6.0 g, 20 mmol) were used to prepare P21 according to the method for preparing Compound P14. The residue was purified by column chromatography using chloroform and recrystallized from ethyl acetate to obtain P21 (1.8 g, 3.5 mmol, 35%). MS: [M + H] < / RTI > = 512
<합성예 13>≪ Synthesis Example 13 &
화합물 P22의 제조: 화합물 P14의 제조 방식에 따라, 화합물 P13 (2.5g, 6.7 mmol)및 4-브로모아이오도벤젠 (3.9 g, 13 mmol)을 이용하여 P22을 제조하였다. 클로로포름으로 컬럼 정제한 후, 에틸아세테이트에서 재결정하여 P22 (1.8g, 3.5 mmol, 52%)을 얻었다. MS: [M + H] = 512Preparation of compound P22: P22 was prepared using compound P13 (2.5 g, 6.7 mmol) and 4-bromoiodobenzene (3.9 g, 13 mmol) according to the method for preparing compound P14. The residue was purified by column chromatography using chloroform and recrystallized from ethyl acetate to obtain P22 (1.8 g, 3.5 mmol, 52%). MS: [M + H] < / RTI > = 512
<합성예 14>≪ Synthesis Example 14 &
화합물 P23의 제조: 화합물 P14의 제조 방식에 따라, 화합물 P13 (2.3g, 6.4 mmol)및 3-브로모아이오도벤젠 (3.6 g, 12 mmol)을 이용하여 P23을 제조하였다. 클로로포름으로 컬럼 정제한 후, 에틸아세테이트에서 재결정하여 P23 (1.5g, 2.9 mmol, 45%)을 얻었다. MS: [M + H] = 512Preparation of compound P23: P23 was prepared using compound P13 (2.3 g, 6.4 mmol) and 3-bromoiodobenzene (3.6 g, 12 mmol) according to the method for preparing compound P14. The residue was purified by column chromatography using chloroform and recrystallized from ethyl acetate to obtain P23 (1.5 g, 2.9 mmol, 45%). MS: [M + H] < / RTI > = 512
<제조예 1> 화합물 1의 제조PREPARATION EXAMPLE 1 Preparation of
화합물 P3(6 g, 16 mmmol)와 아이오도벤젠(5.1 g, 25 mmol), 비스(트리 터셔리-부틸포스핀)팔라듐(0.1 g, 0.2 mmol), 나트륨 터셔리-부톡사이드(2.5 g, 26 mmol)를 섞고 질소하에서 자일렌(150 ml)에서 12시간 동안 교반하면서 환류시켰다. 반응 종료 후 상온으로 온도를 낮춘 후 감압 증류하여 용매를 제거하였다. 생성된 고체를 클로로포름으로 녹이고 산성백토를 넣고 교반한 후 여과하여 감압 증류하였다. 테트라하이드로퓨란과 에탄올로 재결정하여 흰색의 고체 화합물 1(5.6 g, 12.9 mmol, 80%)을 얻었다. MS: [M + H] = 434Palladium (0.1 g, 0.2 mmol) and sodium tertiary-butoxide (2.5 g, 0.2 mmol) were added to a solution of compound P3 (6 g, 16 mmol), iodobenzene (5.1 g, 25 mmol) 26 mmol) were mixed and refluxed with xylene (150 ml) under nitrogen for 12 hours with stirring. After the completion of the reaction, the temperature was lowered to room temperature, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The resulting solid was dissolved in chloroform, and an acidic white clay was added thereto, followed by stirring, followed by filtration and distillation under reduced pressure. Recrystallization from tetrahydrofuran and ethanol gave a white solid compound 1 (5.6 g, 12.9 mmol, 80%). MS: [M + H] < + > = 434
<제조예 2> 화합물 2의 제조PREPARATION EXAMPLE 2 Preparation of
제조예 1의 합성 방법에 따라 화합물 P3(5.2 g, 14 mmol) 및 4-아이오도-1,1`-바이페닐 (4-iodo-1,1'-biphenyl, 6.1 g, 21 mmol)을 이용하여 화합물 2을 합성하였다. 반응 후 생성된 고체를 여과한 후 여과한 고체를 클로로포름으로 녹이고 산성백토를 넣고 교반한 후 여과하여 감압 증류하였다. 클로로포름과 에틸아세테이트로 재결정하여 흰색의 고체 화합물 2(6.1 g, 12 mmol, 85%)을 얻었다. MS: [M + H] = 510Compound P3 (5.2 g, 14 mmol) and 4-iodo-1,1'-biphenyl (6.1 g, 21 mmol) were used according to the synthesis method of Preparation Example 1
<제조예 3> 화합물 4의 제조PREPARATION EXAMPLE 3 Preparation of
제조예 1의 합성 방법에 따라 화합물 P14(3.1 g, 6.0 mmol) 및 9H-카바졸(9H-carbazole, 1.1 g, 6.5 mmol)을 이용하여 화합물 4을 합성하였다. 반응 후 생성된 고체를 여과한 후 여과한 고체를 클로로포름으로 녹이고 산성백토를 넣고 교반한 후 여과하여 감압 증류하였다. 클로로포름과 에틸아세테이트로 재결정하여 흰색의 고체 화합물 4(1.3 g, 2.1 mmol, 35%)을 얻었다. MS: [M + H] = 599
<제조예 4> 화합물 5의 제조PREPARATION EXAMPLE 4 Preparation of
제조예 1의 합성 방법에 따라 화합물 P15(3.8 g, 7.4 mmol) 및 9H-카바졸(9H-carbazole, 1.3 g, 7.7 mmol)을 이용하여 화합물 5을 합성하였다. 반응 후 생성된 고체를 여과한 후 여과한 고체를 클로로포름으로 녹이고 산성백토를 넣고 교반한 후 여과하여 감압 증류하였다. 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트로 재결정하여 흰색의 고체 화합물 5(1.8 g, 3.0 mmol, 40%)을 얻었다. MS: [M + H] = 599
<제조예 5> 화합물 7의 제조PREPARATION EXAMPLE 5 Preparation of
화합물 P14(10g, 19 mmol), 다이벤조퓨란-4-보로닉산 (dibenzofuran-4-boronicacid, 4.1 g, 19 mmol), 및 탄산 칼륨 (8.0g, 57 mmol)을 테트라히드로퓨란(100mL) 및 물(100mL)의 혼합물 내 현탁시켰다. 질소 충전 후, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0.5g, 0.44mmol)을 상기 현탁액에 가하였다. 질소 하에서, 혼합물을 환류에서 약 12시간 동안 교반한 다음 실온으로 냉각하였다. 생성된 고체를 여과한 후 클로로포름과 에틸아세테이트로 재결정하여 흰색의 고체 화합물 7(9.3g, 15 mmol, 79%)를 얻었다. MS: [M + H] = 600(10 g, 19 mmol), dibenzofuran-4-boronicacid (4.1 g, 19 mmol) and potassium carbonate (8.0 g, 57 mmol) were dissolved in tetrahydrofuran (100 mL). After nitrogen charging, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0.5 g, 0.44 mmol) was added to the suspension. Under nitrogen, the mixture was stirred at reflux for about 12 hours and then cooled to room temperature. The resulting solid was filtered and then recrystallized from chloroform and ethyl acetate to obtain a white solid compound 7 (9.3 g, 15 mmol, 79%). MS: [M + H] < / RTI > = 600
<제조예 6> 화합물 8의 제조PREPARATION EXAMPLE 6 Preparation of
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P14(5g, 9.7 mmol) 및 다이벤조싸이오펜-4-보로닉산 (dibenzothiophen-4-boronicacid, 2.2 g, 9.6 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 8(5.2 g, 8.4 mmol, 86%)를 얻었다. MS: [M + H] = 616(5 g, 9.7 mmol) and dibenzothiophen-4-boronic acid (2.2 g, 9.6 mmol) according to the method of
<제조예 7> 화합물 9의 제조PREPARATION EXAMPLE 7 Preparation of Compound 9
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P15(4.8 g, 9.3 mmol) 및 다이벤조퓨란-4-보로닉산 (dibenzofuran-4-boronicacid, 2.0 g, 9.4 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 9(4.4 g, 7.3 mmol, 78%)를 얻었다. MS: [M + H] = 600(4.8 g, 9.3 mmol) and dibenzofuran-4-boronicacid (2.0 g, 9.4 mmol) according to the method of
<제조예 8> 화합물 10의 제조PREPARATION EXAMPLE 8 Preparation of
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P15(5.6 g, 10 mmol) 및 다이벤조싸이오펜-4-보로닉산 (dibenzothiophen-4-boronicacid, 2.5 g, 10 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 10(5.4 g, 8.7 mmol, 87%)를 얻었다. MS: [M + H] = 616(5.6 g, 10 mmol) and dibenzothiophen-4-boronic acid (2.5 g, 10 mmol) according to the method of Production Example 5 to obtain a white solid compound 10 g, 8.7 mmol, 87%). MS: [M + H] = 616 < RTI ID = 0.0 >
<제조예 9> 화합물 11의 제조PREPARATION EXAMPLE 9 Preparation of Compound 11
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P14(3.9 g, 7.6 mmol) 및 다이벤조퓨란-2-보로닉산 (dibenzofuran-2-boronicacid, 1.7 g, 8.0 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 11(3.6 g, 6.0 mmol, 79%)를 얻었다. MS: [M + H] = 600(3.9 g, 7.6 mmol) and dibenzofuran-2-boronic acid (1.7 g, 8.0 mmol) according to the method of Production Example 5 to obtain 3.6 g , 6.0 mmol, 79%). MS: [M + H] < / RTI > = 600
<제조예 10> 화합물 12의 제조PREPARATION EXAMPLE 10 Preparation of Compound 12
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P14(4.5 g, 8.7 mmol) 및 다이벤조싸이오펜-2-보로닉산 (dibenzothiophen-2-boronicacid, 2.0 g, 8.7 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 12(4.3 g, 6.9 mmol, 79%)를 얻었다. MS: [M + H] = 616(4.5 g, 8.7 mmol) and dibenzothiophen-2-boronic acid (2.0 g, 8.7 mmol) according to the method of
<제조예11> 화합물 13의 제조PREPARATION EXAMPLE 11 Preparation of Compound 13
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P15(3.9 g, 7.6 mmol) 및 다이벤조퓨란-2-보로닉산 (dibenzofuran-2-boronicacid, 1.7 g, 8.0 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 13(3.6 g, 6.0 mmol, 79%)를 얻었다. MS: [M + H] = 600(3.9 g, 7.6 mmol) and dibenzofuran-2-boronic acid (1.7 g, 8.0 mmol) according to the method of Production Example 5, 3.6 g , 6.0 mmol, 79%). MS: [M + H] < / RTI > = 600
<제조예 12> 화합물 14의 제조PREPARATION EXAMPLE 12 Preparation of Compound 14
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P15(4.1 g, 8.0 mmol) 및 다이벤조싸이오펜-2-보로닉산 (dibenzothiophen-2-boronicacid, 1.9 g, 8.3 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 14(4.4 g, 7.1 mmol, 88%)를 얻었다. MS: [M + H] = 616(4.1 g, 8.0 mmol) and dibenzothiophen-2-boronic acid (1.9 g, 8.3 mmol) according to the method of Production Example 5 to obtain a white solid compound 14 g, 7.1 mmol, 88%). MS: [M + H] = 616 < RTI ID = 0.0 >
<제조예 13> 화합물 17의 제조PREPARATION EXAMPLE 13 Preparation of Compound 17
화합물 P3(4.3 g, 12 mmol)을 DMF (50 mL)에 넣은 후, NaH(60% dispersion in mineral oil, 0.57 g,14 mmol)을 천천히 가한 후 상온에서 10분간 교반하였다. 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine, 3.3 g, 12 mmol)을 가한 후 상온에서 12시간 교반하였다. 물과 헥산을 넣은 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과한 고체를 클로로포름과 에틸아세테이트를 이용하여 재결정하여 흰색의 고체 화합물 17(5.2 g, 8.8 mmol, 73%)를 얻었다. MS: [M + H] = 589Compound P3 (4.3 g, 12 mmol) was added to DMF (50 mL), and NaH (60% dispersion in mineral oil, 0.57 g, 14 mmol) was slowly added thereto and stirred at room temperature for 10 minutes. 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine (3.3 g, 12 mmol) was added to the solution, Lt; / RTI > After adding water and hexane, the resulting solid was filtered. The filtered solid was recrystallized using chloroform and ethyl acetate to obtain a white solid compound 17 (5.2 g, 8.8 mmol, 73%). MS: [M + H] < + > = 589
<제조예 14> 화합물 18의 제조PREPARATION EXAMPLE 14 Preparation of Compound 18
제조예 13의 방법에 따라, 화합물 P3(4.8 g, 13 mmol) 및 2-클로로-4,6-다이페닐피리미딘(2-chloro-4,6-diphenylpyrimidine, 3.6 g, 13 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 18(5.0 g, 8.5 mmol, 65%)를 얻었다. MS: [M + H] = 588According to the method of Preparation 13, compound P3 (4.8 g, 13 mmol) and 2-chloro-4,6-diphenylpyrimidine (3.6 g, 13 mmol) White solid compound 18 (5.0 g, 8.5 mmol, 65%) was obtained. MS: [M + H] < + > = 588
<제조예 15> 화합물 19의 제조PREPARATION EXAMPLE 15 Preparation of Compound 19
제조예 13의 방법에 따라, 화합물 P3(5.1 g, 14 mmol) 및 4-클로로-2,6-다이페닐피리미딘(4-chloro-2,6-diphenylpyrimidine, 3.8 g, 14 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 19(5.8 g, 9.8 mmol, 70%)를 얻었다. MS: [M + H] = 588According to the method of Preparation 13, compound P3 (5.1 g, 14 mmol) and 4-chloro-2,6-diphenylpyrimidine (3.8 g, 14 mmol) White solid compound 19 (5.8 g, 9.8 mmol, 70%) was obtained. MS: [M + H] < + > = 588
<제조예 16> 화합물 25의 제조PREPARATION EXAMPLE 16 Preparation of Compound 25
제조예 1의 합성 방법에 따라 화합물 P6(6.0 g, 16 mmol) 및 아이오도벤젠(6.8 g, 33 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 25(5.2 g, 12 mmom, 75%)을 합성하였다. MS: [M + H] = 434According to the synthesis method of Preparation Example 1, a white solid compound 25 (5.2 g, 12 mmom, 75%) was synthesized by using Compound P6 (6.0 g, 16 mmol) and iodobenzene (6.8 g, 33 mmol). MS: [M + H] < + > = 434
<제조예 17> 화합물 26의 제조PREPARATION EXAMPLE 17 Preparation of Compound 26
제조예 1의 합성 방법에 따라 화합물 P6(4.8 g, 13 mmol) 및 4-아이오도-1,1`-바이페닐 (4-iodo-1,1'-biphenyl, 7.5 g, 26 mmol)을 이용하여 화합물 26을 합성하였다. 반응 후 생성된 고체를 여과한 후 여과한 고체를 클로로포름으로 녹이고 산성백토를 넣고 교반한 후 여과하여 감압 증류하였다. 클로로포름과 에틸아세테이트로 재결정하여 흰색의 고체 화합물 26(4.5 g, 8.8 mmol, 67%)을 얻었다. MS: [M + H] = 510According to the synthesis method of Preparation Example 1, Compound P6 (4.8 g, 13 mmol) and 4-iodo-1,1'-biphenyl (7.5 g, 26 mmol) Compound 26 was synthesized. After the reaction, the resulting solid was filtered, and the filtered solid was dissolved in chloroform. The acidic white clay was added thereto and stirred, followed by filtration and distillation under reduced pressure. And recrystallized from chloroform and ethyl acetate to obtain a white solid compound 26 (4.5 g, 8.8 mmol, 67%). MS: [M + H] < + > = 510
<제조예 18> 화합물 28의 제조Production Example 18 Production of Compound 28
제조예 1의 합성 방법에 따라 화합물 P16(3.5 g, 6.8 mmol) 및 9H-카바졸(9H-carbazole, 1.2 g, 7.1 mmol)을 이용하여 화합물 28을 합성하였다. 반응 후 생성된 고체를 여과한 후 여과한 고체를 클로로포름으로 녹이고 산성백토를 넣고 교반한 후 여과하여 감압 증류하였다. 클로로포름과 에틸아세테이트로 재결정하여 흰색의 고체 화합물 28(2.1 g, 3.5 mmol, 51%)을 얻었다. MS: [M + H] = 599Compound 28 was synthesized according to the synthesis method of Preparation Example 1 using compound P16 (3.5 g, 6.8 mmol) and 9 H -carbazole (9 H -carbazole, 1.2 g, 7.1 mmol). After the reaction, the resulting solid was filtered, and the filtered solid was dissolved in chloroform. The acidic white clay was added thereto and stirred, followed by filtration and distillation under reduced pressure. And recrystallized from chloroform and ethyl acetate to obtain a white solid compound 28 (2.1 g, 3.5 mmol, 51%). MS: [M + H] < + > = 599
<제조예 19> 화합물 29의 제조PREPARATION EXAMPLE 19 Preparation of Compound 29
제조예 1의 합성 방법에 따라 화합물 P17(4.5 g, 8.7 mmol) 및 9H-카바졸(9H-carbazole, 1.5 g, 8.9 mmol)을 이용하여 화합물 29을 합성하였다. 반응 후 생성된 고체를 여과한 후 여과한 고체를 클로로포름으로 녹이고 산성백토를 넣고 교반한 후 여과하여 감압 증류하였다. 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트로 재결정하여 흰색의 고체 화합물 29(4.1 g, 6.8 mmol, 78%)을 얻었다. MS: [M + H] = 599Compound 29 was synthesized according to the synthesis method of Preparation Example 1 using compound P17 (4.5 g, 8.7 mmol) and 9 H -carbazole (9 H -carbazole, 1.5 g, 8.9 mmol). After the reaction, the resulting solid was filtered, and the filtered solid was dissolved in chloroform. The acidic white clay was added thereto and stirred, followed by filtration and distillation under reduced pressure. Recrystallization from tetrahydrofuran and ethyl acetate gave a white solid compound 29 (4.1 g, 6.8 mmol, 78%). MS: [M + H] < + > = 599
<제조예 20> 화합물 31의 제조PREPARATION EXAMPLE 20 Preparation of Compound 31
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P16(5.5g, 10 mmol) 및 다이벤조퓨란-4-보로닉산 (dibenzofuran-4-boronicacid, 2.3 g, 10 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 31(5.3 g, 8.8 mmol, 88%)를 얻었다. MS: [M + H] = 600(5.5 g, 10 mmol) and dibenzofuran-4-boronic acid (2.3 g, 10 mmol) according to the method of Production Example 5 to obtain a white solid compound 31 , 8.8 mmol, 88%). MS: [M + H] < / RTI > = 600
<제조예 21> 화합물 32의 제조PREPARATION EXAMPLE 21 Preparation of Compound 32
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P16(6.1 g, 12 mmol) 및 다이벤조싸이오펜-4-보로닉산 (dibenzothiophen-4-boronicacid, 2.9 g, 12 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 32(5.9 g, 9.5 mmol, 79%)를 얻었다. MS: [M + H] = 616According to the method of
<제조예 22> 화합물 33의 제조PREPARATION EXAMPLE 22 Preparation of Compound 33
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P17(5.7 g, 11 mmol) 및 다이벤조퓨란-4-보로닉산 (dibenzofuran-4-boronicacid, 2.4 g, 11 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 33(5.3 g, 8.8 mmol, 80%)를 얻었다. MS: [M + H] = 600(5.7 g, 11 mmol) and dibenzofuran-4-boronic acid (2.4 g, 11 mmol) according to the method of Production Example 5 to obtain a white solid compound 33 , 8.8 mmol, 80%). MS: [M + H] < / RTI > = 600
<제조예 23> 화합물 34의 제조PREPARATION EXAMPLE 23 Preparation of Compound 34
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P17(5.7 g, 11 mmol) 및 다이벤조싸이오펜-4-보로닉산 (dibenzothiophen-4-boronicacid, 2.7 g, 11 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 34(5.1 g, 8.2 mmol, 74%)를 얻었다. MS: [M + H] = 616(5.7 g, 11 mmol) and dibenzothiophen-4-boronic acid (2.7 g, 11 mmol) according to the method of Production Example 5, white solid compound 34 g, 8.2 mmol, 74%). MS: [M + H] = 616 < RTI ID = 0.0 >
<제조예 24> 화합물 35의 제조PREPARATION EXAMPLE 24 Preparation of Compound 35
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P16(4.1, 8.0 mmol) 및 다이벤조퓨란-2-보로닉산 (dibenzofuran-2-boronicacid, 1.7 g, 8.0 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 35(3.8 g, 6.3 mmol, 78%)를 얻었다. MS: [M + H] = 600According to the method of Preparation Example 5, white solid compound 35 (3.8 g, 8.0 mmol) was obtained by using Compound P16 (4.1, 8.0 mmol) and dibenzofuran-2-boronic acid (1.7 g, 8.0 mmol) 6.3 mmol, 78%). MS: [M + H] < / RTI > = 600
<제조예 25> 화합물 36의 제조PREPARATION EXAMPLE 25 Preparation of Compound 36
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P16(4.6 g, 8.9 mmol) 및 다이벤조싸이오펜-2-보로닉산 (dibenzothiophen-2-boronicacid, 2.0 g, 8.7 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 36(3.8 g, 6.1 mmol, 68%)를 얻었다. MS: [M + H] = 616(4.6 g, 8.9 mmol) and dibenzothiophen-2-boronic acid (2.0 g, 8.7 mmol) according to the method of
<제조예 26> 화합물 37의 제조PREPARATION EXAMPLE 26 Preparation of Compound 37
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P17(5.5 g, 10 mmol) 및 다이벤조퓨란-2-보로닉산 (dibenzofuran-2-boronicacid, 2.3 g, 10 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 37(5.4 g, 9 mmol, 90%)를 얻었다. MS: [M + H] = 600(5.5 g, 10 mmol) and dibenzofuran-2-boronic acid (2.3 g, 10 mmol) according to the method of Production Example 5 to obtain a white solid compound 37 , 9 mmol, 90%). MS: [M + H] < / RTI > = 600
<제조예 27> 화합물 38의 제조PREPARATION EXAMPLE 27 Preparation of Compound 38
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P17(5.8 g, 11 mmol) 및 다이벤조싸이오펜-2-보로닉산 (dibenzothiophen-2-boronicacid, 2.8 g, 12 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 38(5.4 g, 8.7 mmol, 79%)를 얻었다. MS: [M + H] = 616(5.8 g, 11 mmol) and dibenzothiophen-2-boronic acid (2.8 g, 12 mmol) according to the method of Production Example 5 to obtain a white solid compound 38 g, 8.7 mmol, 79%). MS: [M + H] = 616 < RTI ID = 0.0 >
<제조예 28> 화합물 41의 제조PREPARATION EXAMPLE 28 Preparation of Compound 41
제조예 13의 방법에 따라, 화합물 P6(5.6 g, 15 mmol) 및 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine, 4.3 g, 16 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 41(5.9 g, 10 mmol, 66%)를 얻었다. MS: [M + H] = 589Following the procedure of Preparation 13, the compound P6 (5.6 g, 15 mmol) and 2-chloro-4,6-diphenyl-1, 3,5-triazine, 4.3 g, 16 mmol), a white solid compound 41 (5.9 g, 10 mmol, 66%) was obtained. MS: [M + H] < + > = 589
<제조예 29> 화합물 42의 제조PREPARATION EXAMPLE 29 Preparation of Compound 42
제조예 13의 방법에 따라, 화합물 P6(4.8 g, 13 mmol) 및 2-클로로-4,6-다이페닐피리미딘(2-chloro-4,6-diphenylpyrimidine, 3.6 g, 13 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 42(5.9 g, 10 mmol, 76%)를 얻었다. MS: [M + H] = 588According to the method of Preparation 13, compound P6 (4.8 g, 13 mmol) and 2-chloro-4,6-diphenylpyrimidine (3.6 g, 13 mmol) White solid compound 42 (5.9 g, 10 mmol, 76%) was obtained. MS: [M + H] < + > = 588
<제조예 30> 화합물 43의 제조PREPARATION EXAMPLE 30 Preparation of Compound 43
제조예 13의 방법에 따라, 화합물 P6(5.1 g, 14 mmol) 및 4-클로로-2,6-다이페닐피리미딘(4-chloro-2,6-diphenylpyrimidine, 3.8 g, 14 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 43(6.1 g, 10 mmol, 71%)를 얻었다. MS: [M + H] = 588According to the method of Preparation 13, compound P6 (5.1 g, 14 mmol) and 4-chloro-2,6-diphenylpyrimidine (3.8 g, 14 mmol) White solid 43 (6.1 g, 10 mmol, 71%) was obtained. MS: [M + H] < + > = 588
<제조예 31> 화합물 49의 제조PREPARATION EXAMPLE 31 Preparation of Compound 49
제조예 1의 합성 방법에 따라 화합물 P9(5.1 g, 14 mmol) 및 아이오도벤젠(6.8 g, 29 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 49(5.1 g, 11 mmol, 78%)을 합성하였다. MS: [M + H] = 434A white solid compound 49 (5.1 g, 11 mmol, 78%) was synthesized according to the synthesis method of Preparation Example 1 using Compound P9 (5.1 g, 14 mmol) and iodobenzene (6.8 g, 29 mmol). MS: [M + H] < + > = 434
<제조예 32> 화합물 50의 제조PREPARATION EXAMPLE 32 Preparation of Compound 50
제조예 1의 합성 방법에 따라 화합물 P9(3.0 g, 8.4 mmol) 및 4-아이오도-1,1`-바이페닐 (4-iodo-1,1'-biphenyl, 4.7 g, 16 mmol)을 이용하여 화합물 50을 합성하였다. 반응 후 생성된 고체를 여과한 후 여과한 고체를 클로로포름으로 녹이고 산성백토를 넣고 교반한 후 여과하여 감압 증류하였다. 클로로포름과 에틸아세테이트로 재결정하여 흰색의 고체 화합물 50(2.4 g, 4.7 mmol, 56%)을 얻었다. MS: [M + H] = 510The compound P9 (3.0 g, 8.4 mmol) and 4-iodo-1,1'-biphenyl (4.7 g, 16 mmol) were used according to the synthesis method of Preparation Example 1 Compound 50 was synthesized. After the reaction, the resulting solid was filtered, and the filtered solid was dissolved in chloroform. The acidic white clay was added thereto and stirred, followed by filtration and distillation under reduced pressure. Recrystallization from chloroform and ethyl acetate gave a white solid compound 50 (2.4 g, 4.7 mmol, 56%). MS: [M + H] < + > = 510
<제조예 33> 화합물 52의 제조Preparation Example 33: Preparation of Compound 52
제조예 1의 합성 방법에 따라 화합물 P18(3.2 g, 6.2 mmmol) 및 9H-카바졸(9H-carbazole, 1.2 g, 7.1 mmol)을 이용하여 화합물 52을 합성하였다. 반응 후 생성된 고체를 여과한 후 여과한 고체를 클로로포름으로 녹이고 산성백토를 넣고 교반한 후 여과하여 감압 증류하였다. 클로로포름과 에틸아세테이트로 재결정하여 흰색의 고체 화합물 52(2.5 g, 4.1 mmol, 66%)을 얻었다. MS: [M + H] = 599Compound 52 was synthesized according to the synthesis method of Preparation Example 1 using compound P18 (3.2 g, 6.2 mmmol) and 9 H -carbazole (9 H -carbazole, 1.2 g, 7.1 mmol). After the reaction, the resulting solid was filtered, and the filtered solid was dissolved in chloroform. The acidic white clay was added thereto and stirred, followed by filtration and distillation under reduced pressure. Recrystallization from chloroform and ethyl acetate gave a white solid compound 52 (2.5 g, 4.1 mmol, 66%). MS: [M + H] < + > = 599
<제조예 34> 화합물 53의 제조Preparation Example 34: Preparation of Compound 53
제조예 1의 합성 방법에 따라 화합물 P19(4.0 g, 7.8 mmol) 및 9H-카바졸(9H-carbazole, 1.4 g, 8.3 mmol)을 이용하여 화합물 53을 합성하였다. 반응 후 생성된 고체를 여과한 후 여과한 고체를 클로로포름으로 녹이고 산성백토를 넣고 교반한 후 여과하여 감압 증류하였다. 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트로 재결정하여 흰색의 고체 화합물 53(3.5 g, 5.8 mmol, 74%)을 얻었다. MS: [M + H] = 599Compound 53 was synthesized according to the synthesis method of Preparation Example 1 using compound P19 (4.0 g, 7.8 mmol) and 9 H -carbazole (9 H -carbazole, 1.4 g, 8.3 mmol). After the reaction, the resulting solid was filtered, and the filtered solid was dissolved in chloroform. The acidic white clay was added thereto and stirred, followed by filtration and distillation under reduced pressure. Recrystallization from tetrahydrofuran and ethyl acetate gave a white solid compound 53 (3.5 g, 5.8 mmol, 74%). MS: [M + H] < + > = 599
<제조예 35> 화합물 55의 제조Production Example 35 Production of Compound 55
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P18(5.0g, 9.7 mmol) 및 다이벤조퓨란-4-보로닉산 (dibenzofuran-4-boronicacid, 2.1 g, 9.9 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 55(4.7 g, 7.8 mmol, 80%)를 얻었다. MS: [M + H] = 600Using the compound P18 (5.0 g, 9.7 mmol) and dibenzofuran-4-boronic acid (2.1 g, 9.9 mmol) according to the method of
<제조예 36> 화합물 56의 제조PREPARATION EXAMPLE 36 Preparation of Compound 56
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P18(5.5 g, 10 mmol) 및 다이벤조싸이오펜-4-보로닉산 (dibenzothiophen-4-boronicacid, 2.5 g, 10 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 56(5.0 g, 8.1 mmol, 81%)를 얻었다. MS: [M + H] = 616(5.5 g, 10 mmol) and dibenzothiophen-4-boronic acid (2.5 g, 10 mmol) according to the method of
<제조예 37> 화합물 57의 제조Preparation Example 37: Preparation of Compound 57
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P19(5.1 g, 9.9 mmol) 및 다이벤조퓨란-4-보로닉산 (dibenzofuran-4-boronicacid, 2.1 g, 9.9 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 57(4.0 g, 6.6 mmol, 66%)를 얻었다. MS: [M + H] = 600Using the compound P19 (5.1 g, 9.9 mmol) and dibenzofuran-4-boronic acid (2.1 g, 9.9 mmol) according to the method of Production Example 5, a white solid compound 57 , 6.6 mmol, 66%). MS: [M + H] < / RTI > = 600
<제조예 38> 화합물 58의 제조Preparation Example 38: Preparation of Compound 58
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P19(5.6 g, 11 mmol) 및 다이벤조싸이오펜-4-보로닉산 (dibenzothiophen-4-boronicacid, 2.7 g, 11 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 58(4.9 g, 7.9 mmol, 71%)를 얻었다. MS: [M + H] = 616(5.6 g, 11 mmol) and dibenzothiophen-4-boronic acid (2.7 g, 11 mmol) according to the method of
<제조예 39> 화합물 59의 제조PREPARATION EXAMPLE 39 Preparation of Compound 59
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P18(4.5, 8.7 mmol) 및 다이벤조퓨란-2-보로닉산 (dibenzofuran-2-boronicacid, 1.9 g, 8.9 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 59(4.2 g, 7.0 mmol, 80%)를 얻었다. MS: [M + H] = 600According to the method of Preparation Example 5, white solid compound 59 (4.2 g, 8.9 mmol) was obtained by using compound P18 (4.5, 8.7 mmol) and dibenzofuran-2-boronic acid (1.9 g, 7.0 mmol, 80%). MS: [M + H] < / RTI > = 600
<제조예 40> 화합물 60의 제조PREPARATION EXAMPLE 40 Preparation of Compound 60
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P18(5.7 g, 11 mmol) 및 다이벤조싸이오펜-2-보로닉산 (dibenzothiophen-2-boronicacid, 2.5 g, 10 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 60(5.1 g, 8.2 mmol, 74%)를 얻었다. MS: [M + H] = 616(5.7 g, 11 mmol) and dibenzothiophen-2-boronic acid (2.5 g, 10 mmol) according to the method of Production Example 5 to obtain a white solid compound 60 g, 8.2 mmol, 74%). MS: [M + H] = 616 < RTI ID = 0.0 >
<제조예 41> 화합물 61의 제조Preparation Example 41: Preparation of Compound 61
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P19(5.1 g, 9.9 mmol) 및 다이벤조퓨란-2-보로닉산 (dibenzofuran-2-boronicacid, 2.2 g, 10 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 61(4.3 g, 7.1 mmol, 71%)를 얻었다. MS: [M + H] = 600(5.1 g, 9.9 mmol) and dibenzofuran-2-boronic acid (2.2 g, 10 mmol) according to the method of Production Example 5 to obtain a white solid compound 61 , 7.1 mmol, 71%). MS: [M + H] < / RTI > = 600
<제조예 42> 화합물 62의 제조PREPARATION EXAMPLE 42 Preparation of Compound 62
제조예 5의 방법에 따라, 화합물 P19(5.8 g, 11 mmol) 및 다이벤조싸이오펜-2-보로닉산 (dibenzothiophen-2-boronicacid, 2.8 g, 12 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 62(5.0 g, 8.1 mmol, 73%)를 얻었다. MS: [M + H] = 616(5.8 g, 11 mmol) and dibenzothiophen-2-boronic acid (2.8 g, 12 mmol) according to the method of Production Example 5 to obtain a white solid compound 62 g, 8.1 mmol, 73%). MS: [M + H] = 616 < RTI ID = 0.0 >
<제조예 43> 화합물 65의 제조Preparation Example 43: Preparation of
제조예 13의 방법에 따라, 화합물 P9(5.1 g, 14 mmol) 및 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine, 4.3 g, 16 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 65(5.3 g, 9.0 mmol, 64%)를 얻었다. MS: [M + H] = 589Following the procedure of Preparation 13, the compound P9 (5.1 g, 14 mmol) and 2-chloro-4,6-diphenyl-1, 3,5-triazine, 4.3 g, 16 mmol), a white solid compound 65 (5.3 g, 9.0 mmol, 64%) was obtained. MS: [M + H] < + > = 589
<제조예 44> 화합물 66의 제조PREPARATION EXAMPLE 44 Preparation of Compound 66
제조예 13의 방법에 따라, 화합물 P9(4.6 g, 12 mmol) 및 2-클로로-4,6-다이페닐피리미딘(2-chloro-4,6-diphenylpyrimidine, 3.6 g, 13 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 66(4.7 g, 8.0 mmol, 66%)를 얻었다. MS: [M + H] = 588(4.6 g, 12 mmol) and 2-chloro-4,6-diphenylpyrimidine (3.6 g, 13 mmol) according to the method of Production Example 13 White solid compound 66 (4.7 g, 8.0 mmol, 66%) was obtained. MS: [M + H] < + > = 588
<제조예 45> 화합물 67의 제조PREPARATION EXAMPLE 45 Preparation of Compound 67
제조예 13의 방법에 따라, 화합물 P9(5.0 g, 14 mmol) 및 4-클로로-2,6-다이페닐피리미딘(4-chloro-2,6-diphenylpyrimidine, 3.8 g, 14 mmol)을 이용하여 흰색의 고체 화합물 67(4.9 g, 8.3 mmol, 59%)를 얻었다. MS: [M + H] = 588According to the method of Preparation 13, compound P9 (5.0 g, 14 mmol) and 4-chloro-2,6-diphenylpyrimidine (3.8 g, 14 mmol) White solid compound 67 (4.9 g, 8.3 mmol, 59%) was obtained. MS: [M + H] < + > = 588
<실험예><Experimental Example>
ITO(indium tin oxide)가 1,500Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.The glass substrate coated with ITO (indium tin oxide) film with a thickness of 1,500 Å was immersed in distilled water containing detergent and washed with ultrasonic waves. In this case, Fischer Co. was used as a detergent, and distilled water filtered by a filter of Millipore Co. was used as distilled water. The ITO was washed for 30 minutes and then washed twice with distilled water and ultrasonically cleaned for 10 minutes. After the distilled water was washed, it was ultrasonically washed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. Further, the substrate was cleaned using oxygen plasma for 5 minutes, and then the substrate was transported by a vacuum evaporator.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexaazatriphenylene; HAT)를 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다.On this ITO transparent electrode, hexanitrile hexaazatriphenylene (HAT) of the following chemical formula was thermally vacuum deposited to a thickness of 500 Å to form a hole injection layer.
[HAT][LINE]
상기 정공 주입층 위에 하기 구조의 N, N-비스-(1-나프탈레닐)-N,N-비스-페닐-(1,1-비페닐)-4,4-디아민(N,N-Bis-(1-naphthalenyl)-N,N-bis-phenyl-(1,1-biphenyl)-4,4-diamine: NPB)화합물을 400 Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다. (1, 1-naphthalenyl) -N, N-bisphenyl- (1,1-biphenyl) -4,4-diamine (N, N-bis - (1-naphthalenyl) -N, N-bis-phenyl- (1,1-biphenyl) -4,4-diamine: NPB) was thermally vacuum deposited to a thickness of 400 Å to form a hole transport layer.
[NPB][NPB]
이어서, 상기 정공 수송층 위에 막 두께 300 Å으로 상기 제조예 1에서 제조된 화합물 1을 Ir(ppy)3 도펀트와 10% 농도로 진공증착하여 발광층을 형성하였다. Subsequently, the
상기 발광층 위에 아래와 같은 전자 수송 물질을 200 Å의 두께로 진공 증착하여 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. The following electron transport material was vacuum deposited on the light emitting layer to a thickness of 200 A to form an electron injection and transport layer.
[전자 수송 물질][Electron transport material]
상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12 Å 두께로 리튬플로라이드(LiF)와 2,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다. Aluminum was sequentially deposited on the electron injecting and transporting layer to a thickness of 12 Å and lithium aluminum fluoride (LiF) to a thickness of 2,000 Å to form a cathode.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~ 0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 ⅹ10-7 ~5 ⅹ10-6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.Was the deposition rate of the organic material in the above process, maintaining the 0.4 ~ 0.7 Å / sec, the lithium fluoride of the cathode was 0.3 Å / sec, the aluminum was deposited at a rate of 2 Å / sec, During the deposition, a
<실험예 2><Experimental Example 2>
상기 실험예 1에서 화합물 1 대신 화합물 5를 사용한 것 이외에는 동일하게 실험하였다. The same experiment was conducted except that
<실험예 3><Experimental Example 3>
상기 실험예 1에서 화합물 1 대신 화합물 17을 사용한 것 이외에는 동일하게 실험하였다. The same experiment was conducted except that Compound 17 was used in place of
<실험예 4><Experimental Example 4>
상기 실험예 1에서 화합물 1 대신 화합물 18을 사용한 것 이외에는 동일하게 실험하였다. The same experiment was conducted except that Compound 18 was used in place of
<실험예 5><Experimental Example 5>
상기 실험예 1에서 화합물 1 대신 화합물 25를 사용한 것 이외에는 동일하게 실험하였다. The same experiment was conducted except that Compound 25 was used in place of
<실험예 6><Experimental Example 6>
상기 실험예 1에서 화합물 1 대신 화합물 29를 사용한 것 이외에는 동일하게 실험하였다. The same experiment was carried out except that Compound 29 was used instead of
<실험예 7><Experimental Example 7>
상기 실험예 1에서 화합물 1 대신 화합물 34를 사용한 것 이외에는 동일하게 실험하였다. The same experiment was conducted except that Compound 34 was used instead of
<실험예 8><Experimental Example 8>
상기 실험예 1에서 화합물 1 대신 화합물 41을 사용한 것 이외에는 동일하게 실험하였다. The same experiment was conducted except that Compound 41 was used in place of
<실험예 9><Experimental Example 9>
상기 실험예 1에서 화합물 1 대신 화합물 49를 사용한 것 이외에는 동일하게 실험하였다. The same experiment was conducted except that Compound 49 was used in place of
<실험예 10><Experimental Example 10>
상기 실험예 1에서 화합물 1 대신 화합물 65를 사용한 것 이외에는 동일하게 실험하였다. The same experiment was conducted except that
<실험예 11>≪ Experimental Example 11 &
상기 실험예 1에서 화합물 1 대신 화합물 67을 사용한 것 이외에는 동일하게 실험하였다. The same experiment was conducted except that Compound 67 was used in place of
<비교예 1>≪ Comparative Example 1 &
상기 실험예 1에서 화합물 1 대신 하기의 H1을 사용한 것 이외에는 동일하게 실험하였다. The same experiment was carried out except that the following H1 was used in place of the
[H1][H1]
상기 실험예 1 내지 11 및 비교예 1에서 각각의 화합물을 발광층으로 사용하여 제작한 소자 결과를 표 1에 나타내었다. Table 1 shows the device results obtained by using the respective compounds in Experimental Examples 1 to 11 and Comparative Example 1 as the light emitting layer.
(Host)Host
(Host)
(Dopant)Dopant
(Dopant)
(%)Doping concentration
(%)
@5,000 cd/m2 The driving voltage (V)
@ 5,000 cd / m 2
(cd/A)Luminous efficiency
(cd / A)
상기 표 1에서 확인할 수 있 듯이, 실험예 1 내지 11은 본 명세서의 화합물이 녹색 발광층의 호스트로 이용될 수 있고, 비교예 1 보다 저전압 특성과 향상된 효율을 나타낼 수 있다.As can be seen from the above Table 1, the compounds of the present invention can be used as the host of the green light emitting layer in Experimental Examples 1 to 11, and can exhibit lower voltage characteristics and improved efficiency than Comparative Example 1.
1 기판
2 양극
3 정공주입층
4 정공수송층
5 발광층
6 전자수송층
7 음극1 substrate
2 anodes
3 hole injection layer
4 hole transport layer
5 Light emitting layer
6 electron transport layer
7 cathode
Claims (19)
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
a 및 b 는 0 내지 4의 정수이고,
c는 0 내지 6의 정수이며,
X는 NR 또는 O이고,
R은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, -N(L)(Y); -CO-N(L)(Y); 및 -COO-L로 이루어진 군에서 선택되며,
R1 내지 R3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 인접한 고리원 탄소와 이중결합을 형성하거나 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, -N(L)(Y); -CO-N(L)(Y); 및 -COO-L로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있고,
L 및 Y는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 할로겐기, 알킬기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로 고리기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 선택된다. A compound represented by the following formula (1):
[Chemical Formula 1]
In Formula 1,
a and b are integers of 0 to 4,
c is an integer of 0 to 6,
X is NR or O,
R is hydrogen; heavy hydrogen; A halogen group; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkylthio group; A substituted or unsubstituted arylthio group; A substituted or unsubstituted alkylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted alkylamine group; A substituted or unsubstituted aralkylamine group; A substituted or unsubstituted arylamine group; A substituted or unsubstituted heteroarylamine group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group containing at least one of N, O and S atoms, or -N (L) (Y); -CO-N (L) (Y); And -COO-L,
R1 to R3 are the same or different from each other and each independently form a double bond with the adjacent cyclic carbon or may be substituted with hydrogen; heavy hydrogen; A halogen group; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkylthio group; A substituted or unsubstituted arylthio group; A substituted or unsubstituted alkylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted alkylamine group; A substituted or unsubstituted aralkylamine group; A substituted or unsubstituted arylamine group; A substituted or unsubstituted heteroarylamine group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group containing at least one of N, O and S atoms, or -N (L) (Y); -CO-N (L) (Y); And -COO-L, or two adjacent substituents may form a condensed ring,
L and Y are the same or different and each independently represents a hydrogen, a halogen group, an alkyl group, an alkoxy group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted arylalkyl group, a substituted or unsubstituted arylalkenyl group, A heterocyclic group containing at least one of unsubstituted N, O, S atoms, and a nitrile group.
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
[화학식 6]
R, R1 내지 R3, a, b 및 c는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다. The compound according to claim 1, wherein the compound represented by Formula 1 is represented by any one of the following Formulas 2 to 6:
(2)
(3)
[Chemical Formula 4]
[Chemical Formula 5]
[Chemical Formula 6]
R, R1 to R3, a, b and c are the same as defined in the above formula (1).
4. The compound according to claim 3, wherein the formula (2) is any one of the following compounds.
4. The compound according to claim 3, wherein the formula (3) is any one of the following compounds.
4. The compound according to claim 3, wherein the formula (4) is any one of the following compounds.
4. The compound according to claim 3, wherein the formula (5) is any one of the following compounds.
4. The compound according to claim 3, wherein the formula (6) is any one of the following compounds.
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